JP2009259114A - System semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、システム半導体装置に関する。 The present invention relates to a system semiconductor device.
半導体素子の微細化、高集積度化、低消費電力化の進展に伴い、データ処理装置、メモリコントローラ、及びデータ処理用のコントローラ等が内蔵されたシステム半導体装置が多数開発されている。データ処理装置はプロセッサ或いはマイクロプロセッサとも呼称され、システム半導体装置はSoC(System On a Chip)或いはシステムLSIとも呼称される(例えば、特許文献1参照。)。 With the progress of miniaturization, high integration, and low power consumption of semiconductor elements, many system semiconductor devices incorporating a data processing device, a memory controller, a data processing controller, and the like have been developed. The data processing device is also called a processor or a microprocessor, and the system semiconductor device is also called a SoC (System On a Chip) or a system LSI (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1などに記載されるシステム半導体装置やシステムメモリなどが組み込まれた組み込みシステムでは、省面積化、低コスト化、低消費電力化が要求されている。従来、メモリコントローラを内蔵するシステム半導体装置では、システムメモリが通常モードから低消費電力モードに移行するとき、データ処理装置からのデータ転送のアクセスはメモリコントローラに設けられる制御レジスタに限定され、システムメモリへのアクセスは実行されない。ところが、メモリコントローラに設けられるコマンドキュー及びライトデータキューには必要とされる1エントリーに対応するクロック信号以外のクロック信号も入力される。このため、余分な電力が消費されるという問題点がある。
本発明は、システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止することができるシステム半導体装置を提供する。 The present invention provides a system semiconductor device capable of stopping supply of a clock corresponding to an entry other than an entry used for shifting to a low power consumption mode when the system memory shifts to a low power consumption mode. .
本発明の一態様のシステム半導体装置は、データを格納する内蔵メモリ、演算ユニット、及びメモリ管理ユニットを有し、システムメモリへのアクセス要求を生成するデータ処理装置と、複数エントリーのコマンドキュー及びライトデータキューを備えるコマンドバッファと、データ転送を制御する制御レジスタと、前記制御レジスタから出力される制御信号とクロック信号が入力され、出力信号を前記コマンドバッファに出力するクロック信号供給停止手段とを有し、前記データ処理装置から前記システムメモリへのアクセス要求が入力され、前記システムメモリにデータ転送を行うメモリコントローラとを具備し、通常モードのとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいて前記クロック信号を前記コマンドバッファに出力し、低消費電力モードへの移行のとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいてコマンドキュー及びライトデータキューの1エントリーに対応するクロック信号を前記コマンドバッファに出力し、他のエントリーに対応するクロック信号の前記コマンドバッファへの供給を停止することを特徴とする。 A system semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes a built-in memory that stores data, an arithmetic unit, and a memory management unit, a data processing device that generates an access request to the system memory, and a multi-entry command queue and write A command buffer having a data queue; a control register for controlling data transfer; a control signal output from the control register; and a clock signal supply stopping means for outputting an output signal to the command buffer. And a memory controller that receives an access request to the system memory from the data processing device and transfers data to the system memory. In the normal mode, the clock signal stopping means is based on the control signal. Output the clock signal to the command buffer The clock signal stopping unit outputs a clock signal corresponding to one entry of the command queue and the write data queue to the command buffer based on the control signal when shifting to the low power consumption mode, and corresponds to the other entries. The supply of the clock signal to the command buffer is stopped.
本発明によれば、システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止することができるシステム半導体装置を提供することができる。 According to the present invention, when the system memory shifts to the low power consumption mode, the system semiconductor device capable of stopping the supply of the clock corresponding to the entry other than the entry used for shifting to the low power consumption mode is provided. Can be provided.
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
まず、本発明の実施例1に係るシステム半導体装置について、図面を参照して説明する。図1は組み込みシステム装置を示すブロック図である。本実施例では、システムメモリが低消費電力モードに移行するとき、低消費電力モードへの移行用に使用されるエントリー以外のエントリーに対応するクロックの供給を停止する手段としてクロックゲーティング回路をシステム半導体装置に設けている。 First, a system semiconductor device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embedded system device. In this embodiment, when the system memory shifts to the low power consumption mode, the clock gating circuit is used as means for stopping the supply of clocks corresponding to entries other than the entry used for shifting to the low power consumption mode. It is provided in a semiconductor device.
図1に示すように、組み込みシステム装置50には、システム半導体装置1とシステムメモリ2が設けられる。組み込みシステム装置50は、例えば、組み込まれた各種機器(例えば、オフィスの事務用機器など)に図示しないインターフェースを介して接続され、組み込まれた各種機器を統括制御する。
As shown in FIG. 1, the embedded
システム半導体装置1は、SoC(System On a Chip)或いはシステムLSIとも呼称される。システム半導体装置1には、データ処理装置11、メモリコントローラ12、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。
The
データ処理装置11は、プロセッサ或いはマイクロプロセッサとも呼称される。データ処理装置11は、データを格納する内蔵メモリ、演算ユニット、メモリ管理ユニットなど(図示せず)を有し、周辺デバイスのメインエンジン(統括制御)として機能し、システムメモリ2へのアクセス要求をインターフェースI/F1を介してメモリコントローラ12に出力する。
The data processing device 11 is also called a processor or a microprocessor. The data processing apparatus 11 has a built-in memory for storing data, an arithmetic unit, a memory management unit, etc. (not shown), functions as a main engine (overall control) of peripheral devices, and requests access to the system memory 2 The data is output to the
メモリコントローラ12は、データ処理装置11とシステムメモリ2の間のデータ転送制御を行う。メモリコントローラ12は、インターフェースI/F2を介してシステムメモリ2に接続される。メモリコントローラ12には、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びクロックゲーティング回路25が設けられる。
The
システムメモリ2には、設計が容易となる同期回路で、連続したデータ列のアクセスに対してコストパフォーマンスが高く、大容量なSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)が使用される。なお、SDRAMの代わりに高速データ転送が可能なDDR(Double data Rate) SDRAMやDDR2 SDRAMなどを使用してもよい。 The system memory 2 is a synchronous circuit that is easy to design and uses a high-capacity SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) with high cost performance for continuous data string access. Instead of the SDRAM, a DDR (Double Data Rate) SDRAM or a DDR2 SDRAM capable of high-speed data transfer may be used.
コマンドバッファ21は、インターフェースI/F1とバンクシーケンサ23の間に設けられ、システムメモリ2へのアクセス要求がデータ処理装置11から入力される。コマンドバッファ21には、複数のコマンドを格納することができるコマンドキュー31と複数のライトデータを格納することができるライトデータキュー32が設けられる。コマンドキュー31とライトデータキュー32には、複数のエントリー(例えば、レジスタ)が設けられる。
The
コマンドキュー31の1エントリーには、システムメモリ2のバースト単位に相当する1コマンドを格納することができる。ライトデータキュー32の1エントリーには、データ処理装置11及びインターフェースI/F2のデータ幅分のライトデータを格納することができる。
One command corresponding to a burst unit of the system memory 2 can be stored in one entry of the
ここでは、システムメモリ2にSDRAMを用いているので、複数エントリーのコマンドキュー31により、あるコマンドに対応するシステムメモリ2のライト/リードコマンドを発行する前に、後続のコマンドに対応するシステムメモリ2のプリチャージ/アクティブコマンドを発行することが可能となる。また、複数エントリーのライトデータキュー32の存在により、ライトバースト転送の性能を向上することができる。
Here, since the SDRAM is used as the system memory 2, the system memory 2 corresponding to the subsequent command is issued before the write / read command of the system memory 2 corresponding to a certain command is issued by the
制御レジスタ22は、コマンドバッファ21とクロックゲーティング回路25の間に設けられ、データ転送を制御し、メモリコントローラ12の動作を規定する複数のレジスタが設けられる。制御レジスタ22には、システムメモリ2がシステムメモリアクセス可能な通常モードか、或いはシステムメモリアクセスを行わないセルフリフレッシュ等の低消費電力モードであるかを管理するレジスタが設けられる。制御レジスタ22は、コマンドバッファ21へクロック信号CLK1を伝送するかどうかを制御する制御信号Ssrをクロックゲーティング回路25に出力する。
The
なお、通常モードでは、コマンドキュー31とライトデータキュー32の複数のエントリーがすべて動作するが、低消費電力モードモードでは一つのエントリーしか動作せず、他のエントリーは全く変化がないように制御される。
In the normal mode, all entries in the
バンクシーケンサ23は、コマンドバッファ21と制御信号生成回路24の間に設けられ、システムメモリ2のバンク毎に対応するシーケンサが設けられ、シーケンサがそれぞれのバンク状態を管理している。
The
制御信号生成回路24は、バンクシーケンサ23とインターフェースI/F2の間に設けられ、システムメモリ2に対するデータ転送のコマンドとライトデータが入力され、システムメモリ2に対する制御信号を生成し、システムメモリアクセスを実現する。
The control
クロックゲーティング回路25は、クロック信号供給停止手段として機能し、制御レジスタ22とコマンドバッファ21の間に設けられ、クロック信号CLK1と制御レジスタ22から出力される制御信号Ssrが入力され、制御信号Ssrに基づいてゲーティドクロック信号CLKGをコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。制御信号SsrがDisableのとき、クロック信号CLK1がクロックゲーティング回路25から出力される。制御信号SsrがEnableのとき、クロックゲーティング回路25からコマンドバッファ21へのクロック信号CLK1供給が停止される。
The
次に、データ処理装置のデータ転送について図2及び図3を参照して説明する。図2はシステムメモリへのデータ転送の流れを示す図、図3は制御レジスタへのデータ転送の流れを示す図である。 Next, data transfer of the data processing apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram showing a flow of data transfer to the system memory, and FIG. 3 is a diagram showing a flow of data transfer to the control register.
図2に示すように、データ処理装置11がシステムメモリ2に対して通常モードでのデータ転送を実行するとき、例えばライトデータ転送の場合、まずデータ処理装置11からコマンド及びライトデータがインターフェースI/F1を介してコマンドバッファ21に転送される。
As shown in FIG. 2, when the data processing device 11 performs data transfer in the normal mode to the system memory 2, for example, in the case of write data transfer, first, a command and write data are sent from the data processing device 11 to the interface I / O. The data is transferred to the
次に、コマンド及びライトデータはコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32を経由してバンクシーケンサ23に転送される。
Next, the command and write data are transferred to the
続いて、コマンド及びライトデータは信号生成回路24へと転送され、信号生成回路24からインターフェースI/F2を介してシステムメモリ2に転送される。
Subsequently, the command and the write data are transferred to the
図3に示すように、データ処理装置11が制御レジスタ22に対してデータ転送を実行するとき(低消費電力モードへの移行など)、例えばライトデータ転送の場合、データ処理装置11からコマンド及びライトデータがインターフェースI/F1を介してコマンドバッファ21に転送される。
As shown in FIG. 3, when the data processing device 11 executes data transfer to the control register 22 (such as shifting to the low power consumption mode), for example, in the case of write data transfer, the data processing device 11 sends a command and write Data is transferred to the
そして、コマンド及びライトデータはコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32を経由して制御レジスタ22に転送される。
Then, the command and the write data are transferred to the
次に、システムメモリの低消費電力モードについて図4及び図5を参照して説明する。図4は通常モードからセルフリフレッシュモードへの移行を示すタイミングチャート、図5はセルフリフレッシュモードから通常モードへの移行を示すタイミングチャートである。ここで、通常モードからセルフリフレッシュモードへの移行とセルフリフレッシュモードから通常モードへの移行の場合、コマンドキュー及びライトデータキューの1エントリーを使用することにより対応でき余分なエントリーを必要としない。低消費電力モードにはセルフリフレッシュモードの他にスリープモードやスタンバイモードなどがある。 Next, the low power consumption mode of the system memory will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a timing chart showing the transition from the normal mode to the self-refresh mode, and FIG. 5 is a timing chart showing the transition from the self-refresh mode to the normal mode. Here, the transition from the normal mode to the self-refresh mode and the transition from the self-refresh mode to the normal mode can be handled by using one entry of the command queue and the write data queue, and no extra entry is required. The low power consumption mode includes a sleep mode and a standby mode in addition to the self-refresh mode.
図4に示すように、通常モードでは、制御レジスタ22からクロックゲーティング回路25に出力される制御信号SsrはDisableの“Low”レベルであり、クロック信号CLK1がコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に供給され、インターフェースI/F1にはコマンドA1などがデータ転送され、インターフェースI/F2にはコマンドA11などが転送される。
As shown in FIG. 4, in the normal mode, the control signal Ssr output from the
次に、セルフリフレッシュモードなどの低消費電力モードの移行に必要な低消費電力モードエントリーコマンドAA1がデータ処理装置11からインターフェースI/F1に転送される。低消費電力モードエントリーコマンドAA1はコマンドバッファ21を経由して制御レジスタ22に転送される。制御レジスタ22は低消費電力モードエントリーコマンドAA1に応じて、クロックゲーティング回路25に出力する制御信号SsrをDisableの“Low”レベルからEnableの“High”レベルに変更する。
Next, the low power consumption mode entry command AA1 necessary for shifting to the low power consumption mode such as the self-refresh mode is transferred from the data processing apparatus 11 to the interface I / F1. The low power consumption mode entry command AA1 is transferred to the
クロックゲーティング回路25は、Enableの制御信号Ssrに基づいて、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の1エントリーに対応するクロック信号CLK1だけコマンドバッファ21に送信する。クロックゲーティング回路25は、Enableの制御信号Ssrに基づいて、他のエントリーに対応するクロック信号CLK1のコマンドバッファ21への供給を停止する。
The
コマンドバッファ21では、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の1エントリーしかないものとして制御される。インターフェースI/F1よりも遅延して低消費電力モードエントリーコマンドAA1がインターフェースI/F2に転送され、システムメモリアクセスは行われない。
The
インターフェースI/F1において、低消費電力モードエントリーコマンドAA1以降に発行されるコマンドは、必ず特定の1エントリーに格納され、他のエントリーに格納されることは無い。インターフェースI/F2において、低消費電力モードエントリーコマンドAA1以降にシステムメモリアクセスコマンドが発行されることは無い。このため、システム半導体装置1及びシステムメモリ2での余分な電力の発生を抑制することができる。
In the interface I / F1, commands issued after the low power consumption mode entry command AA1 are always stored in one specific entry, and are not stored in other entries. In the interface I / F2, no system memory access command is issued after the low power consumption mode entry command AA1. For this reason, generation | occurrence | production of the excess electric power in the
図5に示すように、セルフリフレッシュモードなどの低消費電力モードのとき、インターフェースI/F1及びI/F2にはコマンドが転送されない。セルフリフレッシュモードなどの低消費電力モードから通常モードに移行するとき、インターフェースI/F1には、通常モードの復帰に必要な低消費電力モードエグジットコマンドBB1がデータ処理装置11から転送される。低消費電力モードエグジットコマンドBB1はコマンドバッファ21を経由して制御レジスタ22に転送される。制御レジスタ22は低消費電力モードエグジットコマンドBB1に応じて、クロックゲーティング回路25に出力する制御信号SsrをEnableの“High”レベルからDisableの“Low”レベルに変更する。
As shown in FIG. 5, in the low power consumption mode such as the self-refresh mode, no command is transferred to the interfaces I / F1 and I / F2. When shifting from the low power consumption mode such as the self-refresh mode to the normal mode, the low power consumption mode exit command BB1 necessary for returning to the normal mode is transferred from the data processing device 11 to the interface I / F1. The low power consumption mode exit command BB1 is transferred to the
クロックゲーティング回路25は、Disableの制御信号Ssrが入力された後、Disableの制御信号Ssrに基づいて、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の通常モードへの復帰に用いられるエントリーに対応するクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に送信する。また、インターフェースI/F2よりも遅延して低消費電力モードエグジットコマンドBB1がインターフェースI/F2に転送され、システムメモリアクセスが行われる。低消費電力モードエグジットコマンドBB1が転送された後、インターフェースI/F1にはコマンドB2が転送され、インターフェースI/F2にはコマンドB12が転送される。
The
上述したように、本実施例のシステム半導体装置では、組み込みシステム装置50には、システム半導体装置1とシステムメモリ2が設けられる。システム半導体装置1には、データ処理装置11、メモリコントローラ12、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。メモリコントローラ12には、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びクロックゲーティング回路25が設けられる。クロックゲーティング回路25は、制御レジスタ22とコマンドバッファ21の間に設けられ、クロック信号CLK1と制御レジスタ22から出力される制御信号Ssrが入力される。通常モードのとき、クロックゲーティング回路25は入力されるDisableの制御信号Ssrに基づいてクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、クロックゲーティング回路25に入力される制御信号SsrがEnableとなり、クロックゲーティング回路25はコマンドバッファ21へ1エントリーに対応するクロック信号CLK1以外信号の供給を停止する。
As described above, in the system semiconductor device of this embodiment, the embedded
このため、通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、必要とされる以外のクロック信号CLK1は供給されないので、システム半導体装置1では余分な電力が消費されないので消費電力を低減することができる。
For this reason, when the transition from the normal mode to the low power consumption mode is performed, the clock signal CLK1 other than that required is not supplied, so that no extra power is consumed in the
なお、本実施例では、データ処理装置11に中央演算処理装置(CPU Central Processing Unit)機能を持たせているが、CPUを別個に設け、データ処理装置11にデータ処理機能のみ持たせてもよい。 In the present embodiment, the data processing device 11 has a central processing unit (CPU Central Processing Unit) function. However, a separate CPU may be provided, and the data processing device 11 may have only a data processing function. .
次に、本発明の実施例2に係るシステム半導体装置について、図面を参照して説明する。図6は組み込みシステム装置を示すブロック図である。本実施例では、メモリコントローラの構成を変更している。 Next, a system semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a block diagram showing an embedded system device. In this embodiment, the configuration of the memory controller is changed.
以下、実施例1と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。 In the following, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted, and only different portions are described.
図6に示すように、組み込みシステム装置50aには、システム半導体装置1aとシステムメモリ2が設けられる。組み込みシステム装置50aは、例えば、組み込まれた各種機器に図示しないインターフェースを介して接続され、組み込まれた各種機器を統括制御する。
As shown in FIG. 6, the embedded
システム半導体装置1aは、SoC或いはシステムLSIとも呼称される。システム半導体装置1aには、データ処理装置11、メモリコントローラ12a、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。
The system semiconductor device 1a is also called SoC or system LSI. The system semiconductor device 1a includes a data processing device 11, a
メモリコントローラ12aは、データ処理装置11とシステムメモリ2間のデータ転送制御を行う。メモリコントローラ12aには、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びスイッチ26が設けられる。
The
制御レジスタ22は、コマンドバッファ21へクロック信号を伝送するかどうかを制御する制御信号Ssraをスイッチ26に出力する。通常モードからセルフリフレッシュモードへの移行のとき、制御信号Ssraは、実施例1の制御信号Ssrの信号レベルの変化とは異なり、コマンドキュー31及びライトデータキュー32の1エントリーに対応するクロック信号CLK1がコマンドバッファ21に出力された後、Disableの“Low”レベルからEnableの“High”レベルに変更される。また、セルフリフレッシュモードから通常モードへの移行のとき、制御信号Ssraは、1エントリーに対応する分だけ遅延してEnableの“High”レベルからDisableの“Low”レベルに変更される。
The control register 22 outputs a control signal Ssra for controlling whether or not to transmit a clock signal to the
スイッチ26は、SPDT(Single Pole Double Throw)スイッチであり、制御信号Ssraが入力され、ポール(pole)側はコマンドバッファ21のコマンドキュー31及びライトデータキュー32に接続され、スロー(Throw)側はクロック信号CLK1が伝送される信号線と低電位側電源(接地電位)Vssに接続される。スイッチ26は、制御信号Ssraに基づいて、クロック信号CLK1が伝送される信号線とコマンドキュー31及びライトデータキュー32の接続、或いは低電位側電源(接地電位)Vssとコマンドキュー31及びライトデータキュー32の接続のいずれかを選択し、信号S1をコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。
The
スイッチ26は、クロック信号供給停止手段として機能し、制御信号SsraがDisableの“Low”レベルのとき、クロック信号CLK1を信号S1としてコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力し、制御信号SsrがEnableの“High”レベルのとき、低電位側電源(接地電位)Vssレベルの信号S1をコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。
The
つまり、スイッチ26は、実施例1のクロックゲーティング回路25と同様な動作を行うこととなる。
That is, the
上述したように、本実施例のシステム半導体装置では、組み込みシステム装置50aには、システム半導体装置1aとシステムメモリ2が設けられる。システム半導体装置1aには、データ処理装置11、メモリコントローラ12a、インターフェースI/F1、及びインターフェースI/F2が設けられる。メモリコントローラ12aには、コマンドバッファ21、制御レジスタ22、バンクシーケンサ23、制御信号生成回路24、及びスイッチ26が設けられる。スイッチ26は、制御レジスタ22とコマンドバッファ21の間に設けられ、クロック信号CLK1と制御レジスタ22から出力される制御信号Ssraが入力される。通常モードのとき、スイッチ26は入力されるDisableの制御信号Ssraに基づいてクロック信号CLK1をコマンドバッファ21に設けられるコマンドキュー31及びライトデータキュー32に出力する。通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、スイッチ26は入力される制御信号SsraがEnableとなりコマンドバッファ21へは1エントリーに対応するクロック信号CLK1以外供給を停止する。
As described above, in the system semiconductor device of this embodiment, the embedded
このため、通常モードから低消費電力モードへの移行のとき、必要とされる以外のクロック信号CLK1は供給されないので、システム半導体装置1aでは余分な電力が消費されないので消費電力を低減することができる。 For this reason, when the transition from the normal mode to the low power consumption mode is performed, the clock signal CLK1 other than that required is not supplied, so that no extra power is consumed in the system semiconductor device 1a, so that the power consumption can be reduced. .
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the invention.
例えば、実施例では、システム半導体装置とシステムメモリの間をインターフェースを介して接続しているが、システム半導体装置とシステムメモリの間をシステムバスを介して接続してもよい。また、データ処理装置にユーザ定義が可能なコプロセッサなどを設けてもよい。 For example, in the embodiment, the system semiconductor device and the system memory are connected via an interface, but the system semiconductor device and the system memory may be connected via a system bus. Further, a coprocessor that can be defined by the user may be provided in the data processing apparatus.
1、1a システム半導体装置
2 システムメモリ
11 データ処理装置
12、12a メモリコントローラ
21 コマンドバッファ
22 制御レジスタ
23 バンクシーケンサ
24 制御信号生成部
25 クロックゲーティング回路
26 スイッチ
31 コマンドキュー
32 ライトデータキュー
50、50a 組み込みシステム装置
CLK1 クロック信号
CLKG ゲーティドクロック信号
I/F1、I/F2 インターフェース
S1 信号
Ssr、Ssra 制御信号
Vss 低電位側電源(接地電位)
1, 1a System semiconductor device 2 System memory 11
Claims (5)
複数エントリーのコマンドキュー及びライトデータキューを備えるコマンドバッファと、データ転送を制御する制御レジスタと、前記制御レジスタから出力される制御信号とクロック信号が入力され、出力信号を前記コマンドバッファに出力するクロック信号供給停止手段とを有し、前記データ処理装置から前記システムメモリへのアクセス要求が入力され、前記システムメモリにデータ転送を行うメモリコントローラと、
を具備し、通常モードのとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいて前記クロック信号を前記コマンドバッファに出力し、低消費電力モードへの移行のとき、前記クロック信号停止手段が前記制御信号に基づいてコマンドキュー及びライトデータキューの1エントリーに対応するクロック信号を前記コマンドバッファに出力し、他のエントリーに対応するクロック信号の前記コマンドバッファへの供給を停止することを特徴とするシステム半導体装置。 A data processing device having a built-in memory for storing data, an arithmetic unit, and a memory management unit, and generating an access request to the system memory;
A command buffer having a multi-entry command queue and a write data queue, a control register for controlling data transfer, a control signal and a clock signal output from the control register, and a clock for outputting an output signal to the command buffer A memory controller that receives a request to access the system memory from the data processing device and transfers data to the system memory;
The clock signal stop means outputs the clock signal to the command buffer based on the control signal in the normal mode, and the clock signal stop means controls the control in the transition to the low power consumption mode. A system that outputs a clock signal corresponding to one entry of a command queue and a write data queue to the command buffer based on the signal, and stops supplying a clock signal corresponding to another entry to the command buffer. Semiconductor device.
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Country | Link |
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JP (1) | JP2009259114A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9335951B2 (en) | 2012-08-29 | 2016-05-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for reducing a write fail, a system including the same, and a method thereof |
US9465757B2 (en) | 2013-06-03 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device |
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2008
- 2008-04-18 JP JP2008109460A patent/JP2009259114A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9335951B2 (en) | 2012-08-29 | 2016-05-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for reducing a write fail, a system including the same, and a method thereof |
US9465757B2 (en) | 2013-06-03 | 2016-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device |
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