JP2009249400A - Method for producing polymer for photoresist - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-productivity method, by which contamination by impurities (a foreign metal and a metal constituent in particular) can be sufficiently reduced in a production process, for producing a polymer with a maximally reduced impurity content for a photoresist. <P>SOLUTION: The method for producing a polymer for a photoresist includes a process for feeding a liquid material by a plurality of nonmetal lining pipes. In the joint part between the nonmetal lining pipes, an earth material is inserted so as to be brought into contact with the liquid material to be supplied, and the liquid material is supplied while grounding the earth material. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトリソグラフィー工程に使用されるフォトレジスト用重合体の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a photoresist polymer used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photolithography processes.

集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、より微細な加工が可能なリソグラフィー技術が必要とされている。しかし、i線等の近紫外線を光源とするリソグラフィープロセスでは、0.10μm以下といったサブクォーターミクロンレベルの微細加工を行うことは極めて困難であると言われている。   In the field of microfabrication represented by the manufacture of integrated circuit elements, lithography technology capable of finer processing is required to obtain a higher degree of integration. However, it is said that it is extremely difficult to perform fine processing at a sub-quarter micron level of 0.10 μm or less in a lithography process using near ultraviolet rays such as i-line as a light source.

そこで、サブクォーターミクロンレベルの微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線を光源として利用することが検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、電子線等を挙げることができる。これらの放射線の中でも、KrFエキシマレーザー(波長248nm)やArFエキシマレーザー(波長193nm)が注目されている。   Therefore, in order to enable fine processing at the sub-quarter micron level, it has been studied to use radiation having a shorter wavelength as a light source. Examples of such short-wavelength radiation include an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays typified by an excimer laser, X-rays, and electron beams. Among these radiations, KrF excimer laser (wavelength 248 nm) and ArF excimer laser (wavelength 193 nm) are attracting attention.

ところで、前記のような微細加工の分野では、レジスト形成用の感放射線性重合体、多層レジストの上層膜形成用重合体、下層膜(反射防止膜等)形成用重合体等、様々なフォトレジスト用重合体が用いられている。   By the way, in the field of fine processing as described above, various photoresists such as a radiation-sensitive polymer for forming a resist, a polymer for forming an upper layer film of a multilayer resist, and a polymer for forming a lower layer film (antireflection film, etc.). Polymers for use are used.

そして、これらのフォトレジスト用重合体には、光学的性質、化学的性質、塗布性、基板や下層膜に対する密着性等の製品本来の特性は勿論のこと、金属異物等の異物や金属成分等の不純物の混入を極力回避することが求められている。特に、微細かつ精密な加工が要求される半導体材料向けのフォトレジスト用重合体は、異物の混入は直ちに形状欠陥等の不具合に繋がり、また、金属成分の混入も欠陥の増加又は経時的な品質低下等の不具合を引き起こすため、不純物の含有量を極力低減することが求められている。   These photoresist polymers have optical properties, chemical properties, applicability, product intrinsic properties such as adhesion to substrates and lower layers, as well as foreign materials such as metallic foreign materials, metal components, etc. It is required to avoid the contamination of impurities as much as possible. In particular, for photoresist polymers for semiconductor materials that require fine and precise processing, the incorporation of foreign matter immediately leads to defects such as shape defects, and the incorporation of metal components also increases defects or quality over time. In order to cause problems such as a decrease, it is required to reduce the content of impurities as much as possible.

そこで、フォトレジスト用重合体の製造において、原料、中間体、製品等の送液に用いられていた金属配管に代えて、非金属ライニング配管を用いる方法が知られている(なお、このような方法に関する先行技術文献は特に見当たらない。)。非金属ライニング配管は、金属配管の内面に、ガラスやフッ素樹脂(登録商標:テフロン等)等の非金属材料をライニングした配管であり、フォトレジスト用重合体の不純物(特に金属系不純物)の含有量を低減させることが期待できる。   Therefore, in the production of a photoresist polymer, a method using a non-metallic lining pipe is known instead of the metallic pipe used for feeding raw materials, intermediates, products, etc. There is no specific prior art document on the method.) Non-metallic lining pipes are pipes in which non-metallic materials such as glass and fluororesin (registered trademark: Teflon) are lined on the inner surface of metal pipes, and contain impurities (especially metallic impurities) of photoresist polymers. It can be expected to reduce the amount.

また、孔径の小さなフィルターやイオン交換膜を用いて、フォトレジスト用重合体中の異物を除去することによって、フォトレジスト用重合体の不純物含有量を低減させる方法も知られている(例えば、特許文献1〜5参照)。   Also known is a method for reducing the impurity content of a photoresist polymer by removing foreign matters in the photoresist polymer using a filter or ion exchange membrane having a small pore size (for example, patents). Reference 1-5).

特開2002−62667号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-62667 特開2005−132974号公報JP 2005-132974 A 特開2005−300737号公報JP 2005-3000737 A 特開2003−330202号公報JP 2003-330202 A 特開2004−195427号公報JP 2004-195427 A

しかしながら、前記の方法は、不純物(特に金属異物や金属成分)の含有量を十分に満足できるレベルまで低減できているとは言い難く、不純物含有量の低いフォトレジスト用重合体を得るという点において未だ課題を残すものであった。   However, it is difficult to say that the above-mentioned method can reduce the content of impurities (particularly metal foreign matters and metal components) to a sufficiently satisfactory level, and in terms of obtaining a photoresist polymer having a low impurity content. It still left issues.

また、非金属ライニング配管を用いる方法は、非金属材料ライニング配管に導電性がなく(グラスライニング:体積抵抗率1×1013Ωcm程度、フッ素樹脂ライニング:体積抵抗率1×1018Ωcm程度)、静電気が蓄積され易い点が問題であった。 In addition, the method using the non-metallic lining pipe has no conductivity in the non-metallic material lining pipe (glass lining: volume resistivity about 1 × 10 13 Ωcm, fluororesin lining: volume resistivity about 1 × 10 18 Ωcm), The problem was that static electricity was likely to accumulate.

即ち、比較的遅い速度(0.8〜1.0m/s程度)で送液を行っても、配管に静電気が蓄積され、ライニングが静電気破壊されしまう場合があるため、金属配管に由来する金属異物や金属成分がフォトレジスト用重合体に不純物として混入するという課題があった。一方、静電気の発生を避けるために、送液速度を遅くした場合、製品の生産性を著しく低下させるという課題があった。   In other words, even if liquid is fed at a relatively low speed (about 0.8 to 1.0 m / s), static electricity is accumulated in the pipe and the lining may be destroyed by static electricity. There has been a problem that foreign substances and metal components are mixed as impurities into the photoresist polymer. On the other hand, in order to avoid the generation of static electricity, there has been a problem that the productivity of the product is remarkably lowered when the liquid feeding speed is lowered.

更に、特許文献1〜5に記載の方法のように、異物を事後的に濾別する方法を採った場合、フィルターの目詰まりが発生し易く、また、濾過工程にかかる時間や労力が甚大なものとなるために、製品の生産性が著しく低いという課題があった。フォトレジスト用重合体は、少量かつ多品種の生産が強いられるため、生産性の低下は重大な問題であると言える。   Furthermore, when the method of excluding foreign matters like the methods described in Patent Documents 1 to 5 is employed, the filter is likely to be clogged, and the time and labor required for the filtration process are enormous. Therefore, there is a problem that the productivity of the product is extremely low. Since the photoresist polymer is forced to be produced in a small amount and a wide variety, it can be said that a decrease in productivity is a serious problem.

本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、生産性が高く、製造過程において不純物(特に金属異物や金属成分)の混入を十分に抑制することができ、不純物含有量が極力低減されたフォトレジスト用重合体を得ることができるフォトレジスト用重合体の製造方法を提供するものである。   The present invention has been made in view of such problems of the prior art, has high productivity, can sufficiently suppress the mixing of impurities (particularly metal foreign matters and metal components) in the manufacturing process, The present invention provides a method for producing a photoresist polymer capable of obtaining a photoresist polymer with a content reduced as much as possible.

本発明者らは、前記のような従来技術の課題を解決するために鋭意検討した結果、非金属ライニング配管を用いた場合でも、配管同士の接続部にアース材を挿入し、そのアース材を接地して静電気を逃がすことによって、比較的速い速度で送液を行っても、ライニング部分の静電気破壊は起こらず、不純物(特に金属異物や金属成分)の混入も回避できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明により、以下のフォトレジスト用重合体の製造方法が提供される。   As a result of intensive studies to solve the problems of the prior art as described above, even when non-metallic lining piping is used, a grounding material is inserted into a connecting portion between pipings, and the grounding material is used. By grounding and discharging static electricity, it was found that even when liquid is fed at a relatively high speed, static damage of the lining does not occur, and contamination of impurities (especially metal foreign matters and metal components) can be avoided. It came to be completed. Specifically, the present invention provides the following method for producing a photoresist polymer.

[1] 複数の非金属ライニング配管によって液状物を送液する工程を備え、前記非金属ライニング配管同士の接続部に、送液される前記液状物と接触するようにアース材を挿入し、前記アース材を接地した状態で、前記液状物の送液を行う、フォトレジスト用重合体の製造方法。 [1] A step of feeding a liquid material through a plurality of non-metallic lining pipes, and inserting a grounding material into a connection portion between the non-metallic lining pipes so as to contact the liquid material to be fed, A method for producing a photoresist polymer, wherein the liquid material is fed while a grounding material is grounded.

[2] 前記アース材が、ステンレス鋼、タンタル、チタン、ジルコニウム及びニッケル基超合金の群から選択される少なくとも1種の金属からなるものである前記[1]に記載の製造方法。 [2] The manufacturing method according to [1], wherein the ground material is made of at least one metal selected from the group consisting of stainless steel, tantalum, titanium, zirconium, and a nickel-base superalloy.

[3] 前記液状物が、フォトレジスト用重合体溶液及びフォトレジスト用重合体スラリーのうちの1種である前記[1]又は[2]に記載の製造方法。 [3] The production method according to [1] or [2], wherein the liquid material is one of a photoresist polymer solution and a photoresist polymer slurry.

[4] 前記液状物が、飽和炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒及び酢酸エステル系溶媒から選択される少なくとも1種の溶媒を含むものである前記[1]〜[3]のいずれかに記載の製造方法。 [4] The production method according to any one of [1] to [3], wherein the liquid material includes at least one solvent selected from a saturated hydrocarbon solvent, a ketone solvent, and an acetate solvent. .

[5] 前記飽和炭化水素系溶媒が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンであり、前記ケトン系溶媒が、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンであり、前記酢酸エステル系溶媒が、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである前記[4]に記載の製造方法。 [5] The saturated hydrocarbon solvent is pentane, hexane, heptane, octane, cyclohexane, methylcyclohexane, and the ketone solvent is methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, cyclohexanone, The production method according to [4], wherein the acetate solvent is ethylene glycol monomethyl ether acetate or propylene glycol monomethyl ether acetate.

[6] 複数の非金属ライニング配管を備え、前記非金属ライニング配管同士の接続部に、配管接続用パッキンが挟み込まれ、前記配管接続用パッキンが、配管のフランジ面と当接し得る、環状のシール材と、前記シール材に挟み込まれるとともに、前記シール材の環内に少なくとも一部が露出するように配置されたアース材とを備えたものである配管構造。 [6] An annular seal provided with a plurality of non-metallic lining pipes, wherein a pipe-connecting packing is sandwiched between connecting parts of the non-metallic lining pipes, and the pipe-connecting packing can come into contact with the flange surface of the pipe A piping structure comprising a material and a grounding material that is sandwiched between the sealing materials and disposed so that at least a part thereof is exposed in the ring of the sealing materials.

本発明の製造方法は、生産性が高く、製造過程において不純物(特に金属異物や金属成分)の混入を十分に抑制することができ、不純物含有量が極力低減されたフォトレジスト用重合体を得ることができる。   The production method of the present invention is highly productive, and can sufficiently prevent contamination of impurities (particularly metal foreign matters and metal components) during the production process, thereby obtaining a photoresist polymer in which the impurity content is reduced as much as possible. be able to.

以下、本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。即ち、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に属することが理解されるべきである。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following embodiment. That is, it is understood that modifications and improvements as appropriate to the following embodiments are also within the scope of the present invention based on ordinary knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Should be.

なお、本明細書において、「(メタ)アクリレート」というときは、アクリレート及びメタクリレートの双方を意味するものとする。   In this specification, “(meth) acrylate” means both acrylate and methacrylate.

[1]本発明の特徴的な構成:
本発明のフォトレジスト用重合体の製造方法は、図1に示すように、複数の非金属ライニング配管2A,2Bによって液状物を送液する工程を備え、非金属ライニング配管2A,2B同士の接続部に、送液される液状物と接触するようにアース材4Aを挿入し、アース材4Aを接地した状態で、液状物の送液を行う製造方法である。
[1] Characteristic configuration of the present invention:
As shown in FIG. 1, the method for producing a photoresist polymer of the present invention includes a step of feeding a liquid material through a plurality of non-metallic lining pipes 2A and 2B, and the connection between the non-metallic lining pipes 2A and 2B. In this manufacturing method, the grounding material 4A is inserted into the section so as to be in contact with the liquid material to be fed, and the liquid material is fed in a state where the grounding material 4A is grounded.

金属配管を非金属材料でライニングすることで、金属異物の混入や金属成分の溶出を効果的に防止することができる。   By lining the metal pipe with a non-metallic material, it is possible to effectively prevent contamination of metal foreign substances and elution of metal components.

また、導電性がなく、静電気が蓄積され易い非金属ライニング配管を用いた場合でも、アース材から静電気を逃がすことができる。従って、静電気の蓄積によるライニング部分の静電気破壊が起こらず、製造過程において、金属配管に由来する金属異物や金属成分がフォトレジスト用重合体に不純物として混入してしまう事態を十分に抑制することができ、不純物含有量が極力低減されたフォトレジスト用重合体を得ることが可能となる。このような不純物量が大幅に低減されたフォトレジスト用重合体は、半導体素子や液晶表示素子等を製造する際に、不純物に起因する欠陥等の不具合を十分に抑制することができる。従って、フォトレジスト材料の感度や解像度を向上させ、所望のパターンを精度よく形成することができる点において有用である。   Further, even when non-metallic lining piping that is not conductive and easily accumulates static electricity can be used, the static electricity can be released from the grounding material. Therefore, electrostatic breakdown of the lining portion due to accumulation of static electricity does not occur, and it is possible to sufficiently suppress the occurrence of metal foreign matters and metal components derived from metal piping as impurities in the photoresist polymer during the manufacturing process. This makes it possible to obtain a photoresist polymer with the impurity content reduced as much as possible. The photoresist polymer in which the amount of impurities is greatly reduced can sufficiently suppress defects such as defects caused by impurities when manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element or the like. Therefore, it is useful in that the sensitivity and resolution of the photoresist material can be improved and a desired pattern can be formed with high accuracy.

更に、比較的速い速度(例えば、1〜10m/s程度)で送液を行っても、ライニング部分の静電気破壊が起こらないことに加えて、異物の混入を回避できるため、事後的な異物の濾過工程が不要、或いは濾過を行う場合でも、濾過時間や労力を軽減することができる。従って、製品の生産性を飛躍的に向上させることが可能となる。   Furthermore, even if the liquid is fed at a relatively high speed (for example, about 1 to 10 m / s), in addition to the electrostatic breakdown of the lining portion not occurring, it is possible to avoid the introduction of foreign matters. Even when the filtration step is unnecessary or filtration is performed, the filtration time and labor can be reduced. Therefore, the productivity of the product can be dramatically improved.

[1−1]非金属ライニング配管:
「非金属ライニング配管」とは、図1に示す非金属ライニング配管2A,2Bのように、金属配管6の内面を、ガラスや樹脂等の非金属材料からなるライニング8で被覆した配管を意味する。ライニングの材料となる非金属材料しては、ガラス、フッ素樹脂(登録商標:テフロン)等を挙げることができる。なお、本明細書において、「ライニング」というときは、ライニング(膜厚1mm以上)の他、コーティング(膜厚1mm未満)も含むものとする。
[1-1] Non-metallic lining piping:
“Non-metallic lining pipe” means a pipe in which the inner surface of the metal pipe 6 is covered with a lining 8 made of a non-metallic material such as glass or resin, like the non-metal lining pipes 2A and 2B shown in FIG. . Examples of the non-metallic material used as the lining material include glass and fluororesin (registered trademark: Teflon). In this specification, the term “lining” includes coating (less than 1 mm of film thickness) in addition to lining (film thickness of 1 mm or more).

[1−2]液状物:
本発明の製造方法は、複数の非金属ライニング配管によって液状物を送液する工程を備えている。「液状物」には、液体、溶液、スラリー等が含まれる。具体的には、重合体の原料となるモノマー、反応や再沈等に用いられる溶媒、重合開始剤の溶液、反応後の重合液、再沈後のスラリー、製品の重合体溶液等を挙げることができる。従って、原料・溶媒等の仕込み配管、中間体や製品の送液配管、製品の取り出し配管、濾過用の循環配管等の配管は、本発明の製造方法の適用対象となり得る。
[1-2] Liquid material:
The manufacturing method of the present invention includes a step of feeding a liquid material through a plurality of non-metallic lining pipes. “Liquid” includes liquids, solutions, slurries and the like. Specific examples include a monomer used as a raw material for a polymer, a solvent used for reaction and reprecipitation, a solution of a polymerization initiator, a polymerization solution after reaction, a slurry after reprecipitation, a polymer solution of a product, and the like. Can do. Accordingly, pipes such as raw material / solvent charging pipes, intermediate and product liquid feeding pipes, product take-out pipes, filtration circulation pipes and the like can be applied to the production method of the present invention.

本発明の製造方法は、高い生産性(高収率)を達成可能であるという理由から、液状物が、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、グライム、エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン及びキシレンの群から選択される少なくとも1種の溶媒を含むものであることが好ましい。   Since the production method of the present invention can achieve high productivity (high yield), the liquid substance is acetone, methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, tetrahydrofuran, dioxane, glyme, Ethylene glycol monomethyl ether, ethyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, γ-butyrolactone, ethyl lactate, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, pentane, hexane, heptane, octane, cyclohexane It is preferable that it contains at least one solvent selected from the group consisting of methylcyclohexane, benzene, toluene and xylene.

中でも、液状物が、飽和炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒及び酢酸エステル系溶媒から選択される少なくとも1種の溶媒を含むものであることが更に好ましい。これらの溶媒は、撹拌や移送により静電気が発生し易いため、本発明の適用による効果が大きいからである。   Among these, it is more preferable that the liquid material contains at least one solvent selected from saturated hydrocarbon solvents, ketone solvents, and acetate solvents. This is because these solvents are likely to generate static electricity by stirring and transporting, and thus the effect of the application of the present invention is great.

「飽和炭化水素系溶媒」としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の鎖状飽和炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の環状飽和炭化水素;等を挙げることができる。「ケトン系溶媒」としては、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等の鎖状ケトン;シクロヘキサノン等の環状ケトン;等を挙げることができる。「酢酸エステル系溶媒」としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールの酢酸エステル;等を挙げることができる。   Examples of the “saturated hydrocarbon solvent” include chain saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane and octane; cyclic saturated hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; Examples of the “ketone solvent” include chain ketones such as methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, and 2-heptanone; cyclic ketones such as cyclohexanone; Examples of the “acetate solvent” include glycol acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate.

また、本発明の製造方法は、液状物が、フォトレジスト用重合体溶液及びフォトレジスト用重合体スラリーのうちの1種であることが好ましい。即ち、これらを送液する配管の接続部に、アース材を挿入することが好ましい。重合体溶液や重合体スラリーは、飽和炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、酢酸エステル系溶媒等を含むことが多く、撹拌や移送により静電気が発生し易い。従って、本発明の適用による効果が大きいからである。   In the production method of the present invention, the liquid material is preferably one of a photoresist polymer solution and a photoresist polymer slurry. That is, it is preferable to insert a grounding material into the connection portion of the pipe for feeding these. The polymer solution and the polymer slurry often contain a saturated hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an acetate solvent, and the like, and static electricity is likely to be generated by stirring or transferring. Therefore, the effect of applying the present invention is great.

[1−3]アース材:
本発明の製造方法では、アース材を用いる。「アース材」は、金属等の導電性材料からなるものを用いることができる。中でも、ステンレス鋼、タンタル、チタン、ジルコニウム及びニッケル基超合金の群から選択される少なくとも1種の金属からなるものであることが好ましい。これらの材質からなるアース材は、静電気除去の効果を得られるのは勿論のこと、フォトレジスト重合体等への金属成分の溶出を有効に防止することができる。
[1-3] Earth material:
In the manufacturing method of the present invention, an earth material is used. As the “earth material”, a material made of a conductive material such as metal can be used. Especially, it is preferable that it consists of at least 1 sort (s) of metal selected from the group of stainless steel, a tantalum, titanium, a zirconium, and a nickel base superalloy. The earthing material made of these materials can effectively prevent the elution of metal components into the photoresist polymer and the like as well as the effect of removing static electricity.

「ステンレス鋼」としては、より高いレベルで金属溶出を低減させるという理由から、SUS316、SUS316L、SUS304又はSUS420からなるものが好ましく、これらの表面に物理研磨処理又は電解研磨処理を施したものが更に好ましい。「ニッケル基超合金」としては、ハステロイ(商品名)等を好適に用いることができる。   “Stainless steel” is preferably made of SUS316, SUS316L, SUS304 or SUS420 because metal elution is reduced at a higher level, and those whose surfaces are subjected to physical polishing treatment or electrolytic polishing treatment are further preferred. preferable. As the “nickel-based superalloy”, Hastelloy (trade name) or the like can be preferably used.

アース材の形状は、配管同士の接続部から挿入できる限り、特に制限はない。例えば、図2A及び図2Bに示すような、中心孔16が形成された円環状のアース材4Aを好適に用いることができる。   The shape of the ground material is not particularly limited as long as it can be inserted from the connecting portion between the pipes. For example, as shown in FIGS. 2A and 2B, an annular grounding material 4A in which a center hole 16 is formed can be suitably used.

円環状のアース材は、配管内部の液状物と接触させるという観点からは、中心孔の内径を配管内径と同等以下に構成し、非金属ライニング配管の内周面からアース材の内周が突出するように構成することが好ましい。例えば、内径13mmφの非金属ライニング配管を用いる場合であれば、円環状のアース材は、外径20〜50mm、中心孔の内径7〜13mm程度に構成することが好ましい。   From the viewpoint of bringing the annular ground material into contact with the liquid material inside the pipe, the inner diameter of the center hole is configured to be equal to or less than the inner diameter of the pipe, and the inner circumference of the ground material protrudes from the inner peripheral surface of the non-metallic lining pipe. It is preferable to configure so as to. For example, if a non-metallic lining pipe having an inner diameter of 13 mmφ is used, the annular grounding material is preferably configured to have an outer diameter of 20 to 50 mm and an inner diameter of the center hole of about 7 to 13 mm.

一方、配管内の残液を減らすという観点からは、図1に示すように、少なくとも非金属ライニング配管2A,2Bの内周面と、シール材12A,12Bの内周面とが同一面上に存する(即ち、段差がない)面一構造となっていることが好ましく、非金属ライニング配管の内周面と、シール材の内周面と、アース材の先端面とが同一面上に存する面一構造となっていることが更に好ましい。即ち、アース材は、シール材の環内に少なくとも一部が露出するように配置されていればよい。   On the other hand, from the viewpoint of reducing the residual liquid in the piping, as shown in FIG. 1, at least the inner peripheral surfaces of the non-metallic lining piping 2A and 2B and the inner peripheral surfaces of the sealing materials 12A and 12B are on the same plane. It is preferable to have a flush structure (that is, there is no level difference), and the inner peripheral surface of the non-metallic lining pipe, the inner peripheral surface of the sealing material, and the tip surface of the ground material are on the same surface. More preferably, it has a single structure. That is, the grounding material only needs to be arranged so that at least a part thereof is exposed in the ring of the sealing material.

また、図1及び図2Aに示すように、円環状のアース材4Aの外周側には、アース線14を接続し得るように凸部18を形成することが好ましい。凸部18の形状はアース線14を接続し得る限り特に制限はないが、図2Aに示すように、幅5〜30mm、長さ15〜50mmの略矩形状とすることが好ましい。   Moreover, as shown in FIG.1 and FIG.2A, it is preferable to form the convex part 18 so that the earth wire 14 can be connected to the outer peripheral side of the annular | circular shaped earth | ground material 4A. The shape of the convex portion 18 is not particularly limited as long as the ground wire 14 can be connected, but as shown in FIG. 2A, it is preferable to have a substantially rectangular shape having a width of 5 to 30 mm and a length of 15 to 50 mm.

アース材としては、図3A及び図3Bに示すような短冊状のアース材4Bを用いることも好ましい。短冊状のアース材の形状は、非金属ライニング配管の内周面からアース材の先端を突出させることができ、かつ、アース線を接続し得る限り特に制限はない。例えば、幅5〜50mm、長さ20〜100mmの短冊状とすることが好ましい。   As the grounding material, it is also preferable to use a strip-shaped grounding material 4B as shown in FIGS. 3A and 3B. The shape of the strip-shaped ground material is not particularly limited as long as the tip of the ground material can protrude from the inner peripheral surface of the non-metallic lining pipe and the ground wire can be connected. For example, it is preferable to use a strip shape having a width of 5 to 50 mm and a length of 20 to 100 mm.

環状アース材の厚さは、0.1〜100mmとすることが好ましく、1〜50mmとすることが更に好ましい。短冊状アース材の厚さは、0.1〜50mmとすることが好ましく、1〜10mmとすることが更に好ましい。厚さを0.1mm以上とすることにより、十分に静電気を除去する効果を得ることができる。一方、厚さを100mm以内とすることで、アース材と液状物との接触面積を最小限に抑えることができ、フォトレジスト用重合体への金属成分の溶出を有効に防止することができる。短冊状アース材は、液漏れを防止するため、厚さを50mm以内とすることが好ましい。   The thickness of the annular ground material is preferably 0.1 to 100 mm, and more preferably 1 to 50 mm. The thickness of the strip-shaped ground material is preferably 0.1 to 50 mm, and more preferably 1 to 10 mm. By setting the thickness to 0.1 mm or more, an effect of sufficiently removing static electricity can be obtained. On the other hand, when the thickness is within 100 mm, the contact area between the ground material and the liquid material can be minimized, and the elution of the metal component into the photoresist polymer can be effectively prevented. The strip-shaped ground material preferably has a thickness of 50 mm or less in order to prevent liquid leakage.

本発明の製造方法では、非金属ライニング配管同士の接続部に、送液される液状物と接触するようにアース材を挿入する。通常、液状物を送液する配管は、図1に示す非金属ライニング配管2A,2Bのように、その両端部に鍔状のフランジ部10A,10Bが形成されており、シール材12A,12Bを挟み込んだ状態で、フランジ部10A,10Bを相互に当接させてボルト止め等することにより、配管同士を接続することができる。従って、二つの配管のフランジ部の間にアース材を挿入すればよい。   In the manufacturing method of the present invention, a grounding material is inserted into the connecting portion between the non-metallic lining pipes so as to come into contact with the liquid material to be fed. Normally, pipes for feeding liquid materials are formed with flange-like flange parts 10A and 10B at both ends thereof, as in the non-metallic lining pipes 2A and 2B shown in FIG. In a state of being sandwiched, the pipes can be connected by bringing the flange portions 10A and 10B into contact with each other and bolting or the like. Therefore, an earthing material may be inserted between the flange portions of the two pipes.

図1に示す例では、フランジ部10A,10B間に、円環状の2枚のシール材12A,12Bを挟み込み、更にそのシール材12A,12Bの間にアース材4Aを挿入した例である。このように、2枚のシール材の間にアース材を挿入することにより、配管接続部の液密性を確保した状態で、アース材を挿入することが可能となる。   In the example shown in FIG. 1, two annular sealing materials 12A and 12B are sandwiched between the flange portions 10A and 10B, and the grounding material 4A is inserted between the sealing materials 12A and 12B. Thus, by inserting the grounding material between the two sealing materials, it is possible to insert the grounding material while ensuring the liquid tightness of the pipe connection portion.

シール材とアース材は別体として構成されたものを、使用時に組み合わせてもよいが、予めシール材とアース材が一体化された配管接続用パッキンを用いることが好ましい。このような配管接続用パッキンを用いれば、配管の組み立て等が容易となる。例えば、環状のシール材と、シール材に挟み込まれるとともに、シール材の環内に少なくとも一部が露出するように配置されたアース材とを備えた配管接続用パッキンを好適に用いることができる。   The seal material and the ground material may be combined separately when used, but it is preferable to use a pipe connection packing in which the seal material and the ground material are integrated in advance. By using such a pipe connection packing, it becomes easy to assemble the pipe. For example, a pipe connection packing provided with an annular sealing material and a grounding material that is sandwiched between the sealing materials and disposed so that at least a part of the sealing material is exposed can be used.

例えば、図2A及び図2Bに示す配管接続用パッキン20Aは、配管のフランジ面と当接し得る、環状のシール材12A,12Bと、シール材12A,12Bに挟み込まれるとともに、シール材12A,12Bの環内に突出するように配置されたアース材4Aとを備えた、配管接続用パッキンである。   For example, the piping connection packing 20A shown in FIGS. 2A and 2B is sandwiched between the annular sealing materials 12A and 12B and the sealing materials 12A and 12B, which can come into contact with the flange surface of the piping, and the sealing materials 12A and 12B. A piping connection packing provided with a grounding material 4A arranged so as to protrude into the ring.

また、図3A及び図3Bに示す配管接続用パッキン20Bも、配管のフランジ面と当接し得る、環状のシール材12C,12Dと、シール材12C,12Dに挟み込まれるとともに、シール材12C,12Dの環内に突出するように配置されたアース材4Aとを備えた配管接続用パッキンの例である。   3A and 3B is also sandwiched between the annular sealing materials 12C and 12D and the sealing materials 12C and 12D, which can come into contact with the flange surface of the piping, and the sealing materials 12C and 12D. It is an example of the packing for piping connection provided with the earth | ground material 4A arrange | positioned so that it may protrude in a ring.

なお、図2Aや図3Aでは、アース材4A,4Bがシール材12A〜12Dの環内に突出するように構成された配管接続用パッキンの例を示したが、アース材の先端面がシール材の内周面と面一構造となるように構成したものも好ましい。   2A and 3A show examples of the packing for pipe connection in which the grounding materials 4A and 4B are configured to protrude into the rings of the sealing materials 12A to 12D. However, the tip surface of the grounding material is the sealing material. Those configured so as to have a flush structure with the inner peripheral surface are also preferable.

アース材は、製造装置を構成する複数の配管のうち少なくとも一部の接続部に挿入されていることが好ましく、配管4m当たり1箇所以上挿入されていることが更に好ましく、製造装置を構成する複数の配管の全ての接続部に挿入されていることが特に好ましい。   The ground material is preferably inserted into at least a part of the plurality of pipes constituting the manufacturing apparatus, more preferably at least one place per 4 m of the pipe, and the plurality of pipes constituting the manufacturing apparatus. It is particularly preferable that it is inserted into all the connecting portions of the pipe.

[2]本発明の製造方法の全体構成:
以下、本発明の製造方法の全体構成を、図4の製造工程フローを参照しながら説明する。
[2] Overall configuration of the production method of the present invention:
Hereinafter, the whole structure of the manufacturing method of this invention is demonstrated, referring the manufacturing process flow of FIG.

[2−1]重合工程:
まず、重合性単量体を適当な溶剤に希釈した状態で重合反応を行い、フォトレジスト用重合体を合成する。図4に示すように、重合反応が行われる反応槽50には、重合性単量体等の原料52が配管54によって供給される。そして、反応槽50には、再沈槽56が配管58によって接続されている。また、反応槽50には、溶剤を供給するストレージ配管60が接続されている。従って、これらの配管54,58及びストレージ配管60において、配管同士の接続部にアース材を挿入し、アースを接地した状態で、単量体、重合開始剤溶液、重合溶媒、重合液等の送液を行えばよい。
[2-1] Polymerization step:
First, a polymerization reaction is performed in a state in which a polymerizable monomer is diluted in an appropriate solvent to synthesize a photoresist polymer. As shown in FIG. 4, a raw material 52 such as a polymerizable monomer is supplied to a reaction tank 50 in which a polymerization reaction is performed through a pipe 54. A reprecipitation tank 56 is connected to the reaction tank 50 by a pipe 58. The reaction tank 50 is connected to a storage pipe 60 for supplying a solvent. Therefore, in these pipes 54 and 58 and the storage pipe 60, a grounding material is inserted into the connecting part between the pipes, and the grounding is grounded, and the monomer, the polymerization initiator solution, the polymerization solvent, the polymerization liquid, etc. are sent. What is necessary is just to perform a liquid.

[2−1A]レジスト形成用重合体の原料となる単量体:
重合性単量体としては、レジスト形成用の感放射線性重合体、多層レジストにおける上層膜や下層膜(反射防止膜等)形成用重合体等の繰り返し単位を構成し得るエチレン性不飽和結合を有する重合性化合物等を挙げることができる。
[2-1A] Monomer used as a raw material for the resist-forming polymer:
The polymerizable monomer includes an ethylenically unsaturated bond capable of constituting a repeating unit such as a radiation-sensitive polymer for resist formation and a polymer for forming an upper layer film or a lower layer film (antireflection film, etc.) in a multilayer resist. Examples thereof include polymerizable compounds.

「レジスト形成用の感放射線性重合体」は、少なくとも、酸によって分解してアルカリ可溶性となる化学構造を有する繰り返し単位(1)と、半導体基板等の基板に対する密着性を高めるための極性基を有する繰り返し単位(2)とを必須単位とし、必要により、溶剤やアルカリ現像液への溶解性を調節するための非極性置換基を有する繰り返し単位(3)を含んで構成されている。   The “radiation-sensitive polymer for resist formation” includes at least a repeating unit (1) having a chemical structure that is decomposed by an acid and becomes alkali-soluble, and a polar group for enhancing adhesion to a substrate such as a semiconductor substrate. The repeating unit (2) is an essential unit, and if necessary, the repeating unit (3) includes a repeating unit (3) having a nonpolar substituent for adjusting the solubility in a solvent or an alkali developer.

「繰り返し単位(1)」は、従来からレジストとして一般的に用いられている化学構造のものであり、例えば、非極性置換基が酸によって解離してアルカリ現像液に可溶な極性基が発現する化学構造のものを挙げることができる。   “Repeating unit (1)” has a chemical structure generally used as a resist from the past. For example, a nonpolar substituent is dissociated by an acid and a polar group soluble in an alkali developer is expressed. The chemical structure can be mentioned.

繰り返し単位(1)は、(a)酸によって分解してアルカリ可溶性となる官能基(酸解離性アルカリ可溶性基)を有する単量体を重合させるか、(b)アルカリ可溶性基を有する単量体を重合させて重合体とした後、そのアルカリ可溶性基を、アルカリに溶解せず酸によって解離する官能基(酸解離性保護基)で保護することにより得ることができる。   The repeating unit (1) is obtained by polymerizing a monomer having a functional group (acid-dissociable alkali-soluble group) which is decomposed by an acid and becomes alkali-soluble, or (b) a monomer having an alkali-soluble group. Can be obtained by polymerizing and then protecting the alkali-soluble group with a functional group (acid-dissociable protecting group) that does not dissolve in an alkali and dissociates with an acid.

(a)酸によって分解してアルカリ可溶性となる官能基(酸解離性アルカリ可溶性基)を有する単量体を重合させる方法を採る場合には、フェノール性水酸基、カルボキシル基又はヒドロキシフルオロアルキル基等のアルカリ可溶性基を有する重合性化合物に、tert−ブチル基等の非極性酸解離性保護基を結合させた後、重合させる。   (A) When a method of polymerizing a monomer having a functional group (acid-dissociable alkali-soluble group) that is decomposed by an acid and becomes alkali-soluble is used, such as a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, or a hydroxyfluoroalkyl group A non-polar acid-dissociable protecting group such as a tert-butyl group is bonded to the polymerizable compound having an alkali-soluble group, followed by polymerization.

「アルカリ可溶性基を有する重合性化合物」としては、例えば、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等のヒドロキシスチレン類;アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、α−トリフルオロメチルアクリル酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、2−トリフルオロメチル−5−ノルボルネン−2−カルボン酸、カルボキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシルメタクリレート等のエチレン性二重結合を有するカルボン酸類; Examples of the “polymerizable compound having an alkali-soluble group” include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, and p-hydroxy-α-methylstyrene; acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, and fumaric acid. , Α-trifluoromethylacrylic acid, 5-norbornene-2-carboxylic acid, 2-trifluoromethyl-5-norbornene-2-carboxylic acid, carboxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] carboxylic acids having an ethylenic double bond such as dodecyl methacrylate;

p−(2−ヒドロキシ−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル)スチレン、2−(4−(2−ヒドロキシ−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル)シクロヘキシル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピルアクリレート、2−(4−(2−ヒドロキシ−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル)シクロヘキシル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピルトリフルオロメチルアクリレート、5−(2−ヒドロキシ−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロピル)メチル−2−ノルボルネン等のヒドロキシフルオロアルキル基を有する重合性化合物;等を挙げることができる。   p- (2-hydroxy-1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propyl) styrene, 2- (4- (2-hydroxy-1,1,1,3,3,3- Hexafluoro-2-propyl) cyclohexyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl acrylate, 2- (4- (2-hydroxy-1,1,1,3,3,3-hexa) Fluoro-2-propyl) cyclohexyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl trifluoromethyl acrylate, 5- (2-hydroxy-1,1,1,3,3,3-hexafluoro And a polymerizable compound having a hydroxyfluoroalkyl group such as 2-propyl) methyl-2-norbornene;

「非極性酸解離性保護基」としては、例えば、tert−ブチル基、tert−アミル基、1−メチル−1−シクロペンチル基、1−エチル−1−シクロペンチル基、1−メチル−1−シクロヘキシル基、1−エチル−1−シクロヘキシル基、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、2−プロピル−2−アダマンチル基、2−(1−アダマンチル)−2−プロピル基、8−メチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、8−エチル−8−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、8−メチル−8−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル基、8−エチル−8−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル基等の飽和炭化水素基; Examples of the “nonpolar acid dissociable protecting group” include a tert-butyl group, a tert-amyl group, a 1-methyl-1-cyclopentyl group, a 1-ethyl-1-cyclopentyl group, and a 1-methyl-1-cyclohexyl group. 1-ethyl-1-cyclohexyl group, 2-methyl-2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 2-propyl-2-adamantyl group, 2- (1-adamantyl) -2-propyl group, 8-methyl-8-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyl group, 8-ethyl-8-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyl group, 8-methyl-8- Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecanyl group, 8-ethyl-8-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7, 10 ] saturated hydrocarbon group such as dodecanyl group;

1−メトキシエチル基、2−エトキシエチル基、1−iso−プロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−tert−ブトキシエチル基、1−シクロペンチルオキシエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、1−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニルオキシエチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、iso−プロポキシメチル基、n−ブトキシメチル基、tert−ブトキシメチル基、シクロペンチルオキシメチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニルオキシメチル基、tert−ブトキシカルボニル基等の含酸素炭化水素基;等を挙げることができる。 1-methoxyethyl group, 2-ethoxyethyl group, 1-iso-propoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-cyclopentyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyloxyethyl group, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, iso-propoxymethyl group, n-butoxymethyl group, tert-butoxymethyl group, cyclopentyloxymethyl And oxygen-containing hydrocarbon groups such as a cyclohexyloxymethyl group, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyloxymethyl group, and tert-butoxycarbonyl group.

(b)アルカリ可溶性基を有する単量体を重合させて重合体とした後、そのアルカリ可溶性基を、アルカリに溶解せず酸によって解離する官能基(酸解離性保護基)で保護する方法を採る場合には、前記「アルカリ可溶性基を有する重合性化合物」をそのまま重合させ、その重合体のアルカリ可溶性基を、酸触媒の存在下、ビニルエーテル、ハロゲン化アルキルエーテル等のアルカリ不溶性ないし難溶性の置換基を与える化合物と反応させることにより、酸解離性保護基を導入すればよい。   (B) A method in which a monomer having an alkali-soluble group is polymerized to obtain a polymer, and then the alkali-soluble group is protected with a functional group (acid-dissociable protecting group) that is not dissolved in an alkali and is dissociated by an acid. In the case of taking, the above-mentioned “polymerizable compound having an alkali-soluble group” is polymerized as it is, and the alkali-soluble group of the polymer is alkali-insoluble or hardly soluble such as vinyl ether and halogenated alkyl ether in the presence of an acid catalyst. An acid dissociable protecting group may be introduced by reacting with a compound that gives a substituent.

酸解離性保護基導入用の酸触媒としては、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、強酸性イオン交換樹脂等を挙げることができる。   Examples of the acid catalyst for introducing the acid-dissociable protecting group include p-toluenesulfonic acid, trifluoroacetic acid, and strongly acidic ion exchange resin.

「繰り返し単位(2)」を与える化合物としては、極性基として、フェノール性水酸基、カルボキシル基、ヒドロキシフルオロアルキル基等を有する化合物を挙げることができる。具体的には、繰り返し単位(1)の項で説明した「アルカリ可溶性基を有する重合性化合物」、これらの化合物を更に極性基で置換した化合物、ノルボルネン環、テトラシクロドデセン環等の脂環構造に極性基が結合した基を有する重合性化合物、等を挙げることができる。   Examples of the compound giving “repeating unit (2)” include compounds having a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxyfluoroalkyl group, etc. as polar groups. Specifically, the “polymerizable compound having an alkali-soluble group” described in the section of the repeating unit (1), a compound obtained by further substituting these compounds with a polar group, an alicyclic ring such as a norbornene ring or a tetracyclododecene ring Examples thereof include a polymerizable compound having a group having a polar group bonded to the structure.

「極性基」としては、ラクトン構造を含む官能基が特に好ましい。例えば、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、1,3−シクロヘキサンカルボラクトン、2,6−ノルボルナンカルボラクトン、4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−3−オン、メバロン酸δ−ラクトン等のラクトン構造を含む官能基を挙げることができる。 As the “polar group”, a functional group containing a lactone structure is particularly preferable. For example, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, 1,3-cyclohexanecarbolactone, 2,6-norbornanecarbolactone, 4-oxatricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane. Examples thereof include functional groups containing a lactone structure such as -3-one and mevalonic acid δ-lactone.

ラクトン構造以外の「極性基」としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル基等のヒドロキシアルキル基等を挙げることができる。   Examples of the “polar group” other than the lactone structure include hydroxyalkyl groups such as a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, and a 3-hydroxy-1-adamantyl group.

「繰り返し単位(3)」を与える化合物としては、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、インデン等のエチレン性二重結合を有する芳香族化合物;アクリル酸、メタクリル酸、トリフルオロメチルアクリル酸、ノルボルネンカルボン酸、2−トリフルオロメチルノルボルネンカルボン酸、カルボキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシルメタクリレート等のエチレン性二重結合を有するカルボン酸に酸安定性非極性基が置換したエステル化合物;ノルボルネン、テトラシクロドデセン等のエチレン性二重結合を有する脂環式炭化水素化合物等を挙げることができる。 Examples of the compound giving “repeating unit (3)” include aromatic compounds having ethylenic double bonds such as styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, and indene; acrylic acid, methacrylic acid, trifluoromethylacrylic acid , Norbornene carboxylic acid, 2-trifluoromethyl norbornene carboxylic acid, carboxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] ester compound in which acid-stable nonpolar group is substituted for carboxylic acid having ethylenic double bond such as dodecyl methacrylate; alicyclic carbonization having ethylenic double bond such as norbornene and tetracyclododecene A hydrogen compound etc. can be mentioned.

「酸安定性非極性置換基」としては、メチル基、エチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、イソボルニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、2−アダマンチル基、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデシル基等を挙げることができる。 Examples of the “acid-stable nonpolar substituent” include methyl group, ethyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, isobornyl group, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decanyl group, 2-adamantyl group, tetracyclo [ 4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecyl group and the like.

繰り返し単位(1)、(2)及び(3)を与える単量体は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The monomer which gives repeating unit (1), (2) and (3) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

単量体の仕込み比は、レジストとしての基本性能を損なわない限り、特に制限はない。一般的には、繰り返し単位(1)が10〜70モル%、繰り返し単位(2)が30〜90モル%、繰り返し単位(3)が0〜50モル%となるように仕込むことが好ましく、繰り返し単位(1)が10〜60モル%、繰り返し単位(2)が40〜90モル%、繰り返し単位(3)が0〜40モル%となるように仕込むことがより好ましい。   The monomer charge ratio is not particularly limited as long as the basic performance as a resist is not impaired. Generally, it is preferable to charge so that the repeating unit (1) is 10 to 70 mol%, the repeating unit (2) is 30 to 90 mol%, and the repeating unit (3) is 0 to 50 mol%. It is more preferable to charge so that a unit (1) may be 10-60 mol%, a repeating unit (2) may be 40-90 mol%, and a repeating unit (3) may be 0-40 mol%.

上層膜・下層膜形成用重合体としては、レジスト形成用重合体を構成する繰り返し単位のうち、繰り返し単位(2)及び繰り返し単位(3)からなる重合体、即ち、繰り返し単位(1)を含まない構造の重合体を挙げることができる。このような重合体は、例えば、繰り返し単位(2)を与える化合物、及び繰り返し単位(3)を与える化合物を重合させて得ることもできるし、レジスト形成用重合体を酸で分解することによって得ることもできる。   The polymer for forming the upper layer film / lower layer film includes a polymer composed of the repeating unit (2) and the repeating unit (3) among the repeating units constituting the resist forming polymer, that is, the repeating unit (1). There may be mentioned polymers having no structure. Such a polymer can be obtained, for example, by polymerizing a compound that gives the repeating unit (2) and a compound that gives the repeating unit (3), or by decomposing a resist-forming polymer with an acid. You can also.

単量体の仕込み比は、上層膜・下層膜の使用目的により適宜調整される。一般的には、繰り返し単位(2)が10〜100モル%、繰り返し単位(3)が0〜90モル%となるように仕込むことが好ましい。   The monomer charge ratio is appropriately adjusted according to the purpose of use of the upper layer film and the lower layer film. Generally, it is preferable to charge so that a repeating unit (2) may be 10-100 mol% and a repeating unit (3) may be 0-90 mol%.

[2−1B]上層膜・下層膜形成用重合体の原料となる単量体:
上層膜や下層膜を反射防止膜として使用する場合には、上層膜・下層膜形成用重合体には、架橋点と、フォトリソグラフィーにおいて照射される放射線を吸収する化学構造とが導入されている必要がある。
[2-1B] Monomer serving as a raw material for the polymer for forming the upper layer film / lower layer film:
When the upper layer film or the lower layer film is used as an antireflection film, the polymer for forming the upper layer film and the lower layer film is introduced with a crosslinking point and a chemical structure that absorbs radiation irradiated in photolithography. There is a need.

「架橋点」としては、エステル結合やウレタン結合等により架橋可能な反応性の官能基、例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基等の反応性官能基を導入することができる。このような反応性官能基を含む単量体としては、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン類;これまで例示してきた重合性化合物に反応性官能基を導入した単量体を用いることができる。   As the “crosslinking point”, a reactive functional group capable of crosslinking by an ester bond, a urethane bond, or the like, for example, a reactive functional group such as a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an epoxy group can be introduced. Examples of the monomer containing such a reactive functional group include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and m-hydroxystyrene; monomers having a reactive functional group introduced into the polymerizable compounds exemplified above. Can be used.

放射線を吸収する化学構造は、使用する放射線の波長により異なる。例えば、ArFエキシマレーザー光に対しては、ベンゼン環及びその類縁体を含む化学構造を挙げることができる。このような化学構造を含む単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン等のスチレン類及びその誘導体;置換されていてもよいフェニル(メタ)アクリレート、置換されていてもよいナフタレン(メタ)アクリレート、置換されていてもよいアントラセンメチル(メタ)アクリレート等のエチレン性二重結合を有する芳香環含有エステル類等を挙げることができる。   The chemical structure that absorbs radiation depends on the wavelength of the radiation used. For example, for ArF excimer laser light, a chemical structure including a benzene ring and its analogs can be exemplified. Examples of the monomer having such a chemical structure include styrenes such as styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, p-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, and derivatives thereof; Examples thereof include aromatic ring-containing esters having an ethylenic double bond such as (meth) acrylate, optionally substituted naphthalene (meth) acrylate, and optionally substituted anthracenemethyl (meth) acrylate.

この放射線を吸収する化学構造を有する単量体は、繰り返し単位(2)、繰り返し単位(3)のいずれとして導入されてもよい。放射線を吸収する化学構造を有する単量体の組成比は、10〜100モル%とすることが好ましい。   The monomer having a chemical structure that absorbs radiation may be introduced as either the repeating unit (2) or the repeating unit (3). The composition ratio of the monomer having a chemical structure that absorbs radiation is preferably 10 to 100 mol%.

[2−1C]反応条件等:
重合方法は特に限定されず、溶液重合等の公知の方法を用いることができる。例えば、重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤を使用し、前述の重合性化合物を適当な溶媒中で重合させればよい。
[2-1C] Reaction conditions, etc .:
The polymerization method is not particularly limited, and a known method such as solution polymerization can be used. For example, a polymerization initiator may be used, a chain transfer agent may be used as necessary, and the above-described polymerizable compound may be polymerized in a suitable solvent.

「重合開始剤」としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、4,4’−アゾビス(4−シアノ吉草酸)等のアゾ化合物、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ビス(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキサイド、コハク酸パーオキサイド、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルへキサノエート等の有機過酸化物等のラジカル重合開始剤を挙げることができる。これらの重合開始剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the “polymerization initiator” include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylbutyronitrile), dimethyl 2,2′-azobisisobutyrate, 1,1 ′ -Azo compounds such as azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid), decanoyl peroxide, lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, bis (3,5,5- And radical polymerization initiators such as organic peroxides such as trimethylhexanoyl) peroxide, succinic acid peroxide, and tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate. These polymerization initiators may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

「連鎖移動剤」としては、例えば、ドデシルメルカプタン、メルカプトエタノール、メルカプトプロパノール、メルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、4,4−ビス(トリフルオロメチル)−4−ヒドロキシ−1−メルカプトブタン等のチオール化合物等を挙げることができる。これらの連鎖移動剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the “chain transfer agent” include thiol compounds such as dodecyl mercaptan, mercaptoethanol, mercaptopropanol, mercaptoacetic acid, mercaptopropionic acid, and 4,4-bis (trifluoromethyl) -4-hydroxy-1-mercaptobutane. Can be mentioned. These chain transfer agents may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

重合開始剤や連鎖移動剤の使用量は、重合反応に用いる単量体や重合開始剤、連鎖移動剤の種類、重合温度、重合溶剤、重合方法、精製条件等の製造条件によって、適宜調整することができる。   The amount of the polymerization initiator and chain transfer agent used is appropriately adjusted according to the production conditions such as the monomer used in the polymerization reaction, the polymerization initiator, the type of chain transfer agent, the polymerization temperature, the polymerization solvent, the polymerization method, and the purification conditions. be able to.

「溶媒」としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、グライム、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル、乳酸エチル等のエステル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエーテルエステル類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの溶剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the “solvent” include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone and cyclohexanone; ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, glyme and propylene glycol monomethyl ether; esters such as ethyl acetate and ethyl lactate; propylene glycol methyl Examples include ether esters such as ether acetate, and lactones such as γ-butyrolactone. These solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

溶剤の使用量は特に限定されないが、通常、単量体1質量部に対して、0.5〜20質量部とすることが好ましく、1〜10質量部とすることがより好ましい。溶剤の使用量が少なすぎると、単量体が析出したり、粘性が高すぎて重合系を均一に保てなくなるおそれがある。一方、溶剤の使用量が多すぎると、単量体の重合転化率が不十分となったり、得られる重合体の分子量を所望の値まで高めることができなくなるおそれがある。   Although the usage-amount of a solvent is not specifically limited, Usually, it is preferable to set it as 0.5-20 mass parts with respect to 1 mass part of monomers, and it is more preferable to set it as 1-10 mass parts. If the amount of the solvent used is too small, the monomer may precipitate or the viscosity may be too high to keep the polymerization system uniform. On the other hand, if the amount of the solvent used is too large, the polymerization conversion rate of the monomer may be insufficient, or the molecular weight of the resulting polymer may not be increased to a desired value.

重合反応の条件は特に限定されないが、反応温度は、通常、40〜120℃であり、50〜100℃とすることが好ましい。また、反応時間は、通常、1〜48時間であり、1〜24時間とすることが好ましい。   The conditions for the polymerization reaction are not particularly limited, but the reaction temperature is usually 40 to 120 ° C, preferably 50 to 100 ° C. Moreover, reaction time is 1 to 48 hours normally, and it is preferable to set it as 1 to 24 hours.

一般に、重合体の重量平均分子量が高すぎると、塗膜形成時に使用される溶媒やアルカリ現像液への溶解性が低くなる傾向にある。一方、重量平均分子量が低すぎると、塗膜性能が悪くなる傾向にある。そのため、重合反応温度又は添加する重合開始剤の量を調整することによって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」ともいう。)は、2000〜40000の範囲になるよう調整することが好ましく、3000〜30000の範囲になるよう調整することがより好ましい。   Generally, when the weight average molecular weight of a polymer is too high, the solubility in a solvent or an alkali developer used for forming a coating film tends to be low. On the other hand, when the weight average molecular weight is too low, the coating film performance tends to deteriorate. Therefore, the polystyrene conversion weight average molecular weight (hereinafter also referred to as “Mw”) by gel permeation chromatography (GPC) is in the range of 2000 to 40000 by adjusting the polymerization reaction temperature or the amount of the polymerization initiator to be added. It is preferable to adjust so that it may become, and it is more preferable to adjust so that it may become the range of 3000-30000.

反応槽としては、内面が、導電性付与物質を含有するグラスライニング層によって被覆された反応槽を用いることが好ましい。重合溶媒として、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ベンゼン、トルエン等の攪拌等により静電気を発生し易い溶媒を用いた場合でも、静電気の発生を緩和することができ、安全かつ効率的に重合液を調製することができる。   As the reaction vessel, it is preferable to use a reaction vessel whose inner surface is coated with a glass lining layer containing a conductivity-imparting substance. As a polymerization solvent, even when using a solvent that easily generates static electricity by stirring, such as methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, toluene, Generation | occurrence | production of static electricity can be relieved and a polymerization liquid can be prepared safely and efficiently.

「導電性付与物質」としては、例えば、白金、酸化バナジウム、酸化ルテニウム等を挙げることができる。これらの成分を含むガラスをライニングすることで、前記グラスライニング層を形成することができる。   Examples of the “conductivity-imparting substance” include platinum, vanadium oxide, ruthenium oxide and the like. The glass lining layer can be formed by lining glass containing these components.

この重合工程では、得られる重合液の濃度(固形分濃度)を、1〜80質量%とすることが好ましく、5〜50質量%とすることがより好ましく、10〜50質量%とすることが更に好ましい。固形分濃度の調整は、例えば、重合性単量体又は溶媒の添加量を調整することにより行うことができる。   In this polymerization step, the concentration (solid content concentration) of the resulting polymerization solution is preferably 1 to 80% by mass, more preferably 5 to 50% by mass, and 10 to 50% by mass. Further preferred. The solid content concentration can be adjusted, for example, by adjusting the addition amount of the polymerizable monomer or the solvent.

[2−2]再沈工程:
次いで、重合液を貧溶媒等の再沈溶媒に滴下して重合体を再沈させ、フォトレジスト用重合体スラリーとする。この再沈工程では、残存モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー等の低分子成分が除去されて、フォトレジスト用重合体が精製される。
[2-2] Reprecipitation process:
Next, the polymer solution is dropped into a reprecipitation solvent such as a poor solvent to reprecipitate the polymer, thereby obtaining a photoresist polymer slurry. In this reprecipitation step, low molecular components such as residual monomers, dimers, trimers, and oligomers are removed, and the photoresist polymer is purified.

図4に示すように、再沈工程が行われる再沈槽56には、反応槽50、濾過装置62が配管58,64によって接続されている。また、再沈槽56には、溶剤を供給するストレージ配管66が接続されている。従って、これらの配管58,64及びストレージ配管66において、配管同士の接続部にアース材を挿入し、アースを接地した状態で、重合液、再沈溶媒、フォトレジスト用重合体スラリー等の送液を行えばよい。   As shown in FIG. 4, a reaction tank 50 and a filtration device 62 are connected to a reprecipitation tank 56 in which a reprecipitation step is performed by pipes 58 and 64. In addition, a storage pipe 66 for supplying a solvent is connected to the re-precipitation tank 56. Accordingly, in these pipes 58 and 64 and the storage pipe 66, a grounding material is inserted into the connecting part between the pipes, and the grounding is grounded, and a liquid solution such as a polymerization solution, a reprecipitation solvent, a polymer slurry for photoresist, etc. Can be done.

再沈の方法は特に限定されず、従来公知の方法によって行うことができる。例えば、貧溶媒中に、所望により濃度調整した重合液を滴下することにより行うことができる。また良溶媒を用いて、再沈操作を2回以上繰り返し、重合体の精製を行ってもよい。   The reprecipitation method is not particularly limited, and can be performed by a conventionally known method. For example, it can be carried out by dropping a polymerization solution whose concentration is adjusted as desired in a poor solvent. Further, the reprecipitation operation may be repeated twice or more using a good solvent to purify the polymer.

「貧溶媒」は、重合液中の重合体を析出させるものであればその種類は特に限定されない。例えば、水、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン及びトルエンのうちの少なくとも一種を用いることが好ましい。これらの貧溶媒を用いて再沈を行うと、重合液中に残存する不純物を効率良く除去することができ、得られるフォトレジスト用重合体のスラリー液の収率を向上させることができる。   The type of “poor solvent” is not particularly limited as long as the polymer in the polymerization solution is precipitated. For example, it is preferable to use at least one of water, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, pentane, hexane, heptane, cyclohexane, methylcyclohexane, benzene, and toluene. When reprecipitation is performed using these poor solvents, impurities remaining in the polymerization solution can be efficiently removed, and the yield of the resulting slurry solution of the photoresist polymer can be improved.

貧溶媒の使用量は特に限定されず、貧溶媒の種類、重合液に含まれる溶媒の種類や含有量によって適宜選択すればよい。例えば、重合液全量に対して、重合体質量換算で0.5〜50倍の貧溶媒を使用することが好ましく、1〜30倍使用することがより好ましく、2〜20倍使用することが更に好ましい。   The amount of the poor solvent used is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the kind of the poor solvent and the kind and content of the solvent contained in the polymerization solution. For example, it is preferable to use 0.5 to 50 times the poor solvent in terms of polymer mass with respect to the total amount of the polymerization solution, more preferably 1 to 30 times, and more preferably 2 to 20 times. preferable.

「良溶媒」としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、グライム、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル、乳酸エチル等のエステル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエーテルエステル類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの良溶媒は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the “good solvent” include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, and cyclohexanone; ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, glyme, and propylene glycol monomethyl ether; esters such as ethyl acetate and ethyl lactate; Examples include ether esters such as methyl ether acetate, and lactones such as γ-butyrolactone. These good solvents may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

また、この再沈工程により得られるフォトレジスト用重合体スラリーは、その温度が10〜35℃となるように調整することが好ましく、15〜35℃となるように調整することがより好ましく、20〜35℃となるように調整することが更に好ましい。スラリーの温度は、再沈槽に備えられた温度制御装置、使用する貧溶媒の温度等により制御することができる。   Moreover, it is preferable to adjust the polymer slurry for photoresist obtained by this reprecipitation process so that the temperature may become 10-35 degreeC, and it is more preferable to adjust so that it may become 15-35 degreeC, It is still more preferable to adjust so that it may become -35 degreeC. The temperature of the slurry can be controlled by a temperature control device provided in the reprecipitation tank, the temperature of the poor solvent used, and the like.

[2−3]濾過・再溶解工程:
更に、フォトレジスト用重合体スラリーを濾過して、低分子成分を除去する。
[2-3] Filtration and re-dissolution process:
Further, the polymer slurry for photoresist is filtered to remove low molecular components.

図4に示すように、濾過工程が行われる濾過装置62には、再沈槽56が配管64によって接続されている。また、濾過装置62には、溶剤を供給するストレージ配管70が接続されている。従って、配管64及びストレージ配管70において、配管同士の接続部にアース材を挿入し、アースを接地した状態で、フォトレジスト用重合体スラリー等の送液を行えばよい。濾過の後、フォトレジスト用重合体68を取り出し、溶媒を加えて再溶解する。この再溶解により、溶媒が最終製品の溶媒に置換される。   As shown in FIG. 4, a re-sink tank 56 is connected by a pipe 64 to a filtration device 62 in which a filtration process is performed. In addition, a storage pipe 70 for supplying a solvent is connected to the filtering device 62. Therefore, in the pipe 64 and the storage pipe 70, a ground material may be inserted into the connection portion between the pipes, and the polymer slurry for photoresist or the like may be fed in a state where the ground is grounded. After filtration, the photoresist polymer 68 is taken out and dissolved again by adding a solvent. This redissolution replaces the solvent with the solvent of the final product.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の「部」及び「%」は、特に断らない限り質量基準である。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. In the examples and comparative examples, “parts” and “%” are based on mass unless otherwise specified.

(実施例1)
重合液、フォトレジスト用重合体スラリー、最終製品の接液する配管はフッ素樹脂ライニング配管とした。配管の内径は13mmφとした。これらの配管の接続部に当たるフランジ部には、図1、図2A及び図2Bに示すのと同様に、アース材4Aを挿入し、アース材4Aに接続したアース線14を接地した。アース材4Aは厚さ3mmのタンタル板からなる円環状のものを用いた。アース材4Aは、外径40mm、中心孔の内径13mmに構成した。凸部18は、幅20mm、長さ40mmの略矩形状とした。製造工程における配管中の流体の送液速度は1〜5m/sとした。
Example 1
The piping for contacting the polymer solution, photoresist polymer slurry, and final product was a fluororesin lining piping. The inner diameter of the pipe was 13 mmφ. In the same manner as shown in FIGS. 1, 2A and 2B, the grounding material 4A was inserted into the flange portion corresponding to the connecting portion of these pipes, and the grounding wire 14 connected to the grounding material 4A was grounded. As the grounding material 4A, an annular material made of a tantalum plate having a thickness of 3 mm was used. The ground material 4A was configured to have an outer diameter of 40 mm and an inner diameter of the center hole of 13 mm. The convex part 18 was made into the substantially rectangular shape of width 20mm and length 40mm. The liquid feeding speed of the fluid in the piping in the manufacturing process was 1 to 5 m / s.

<重合工程>
撹拌機、温度計、還流冷却装置、単量体溶液滴下ノズル、及び開始剤溶液滴下ノズル等が設置された容積200Lの重合槽に、重合溶媒としてメチルエチルケトン(MEK)32kgを投入し、十分に窒素置換した後、100rpmで攪拌しながら80℃まで昇温した。その後、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン(NLM)15kgのMEK溶液、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート(MAdMA)20kgのMEK溶液、アゾビスイソブチロニトリル0.5kgのMEK溶液をそれぞれ3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間熟成した後、室温まで冷却して重合液を得た。
<Polymerization process>
32 kg of methyl ethyl ketone (MEK) as a polymerization solvent was charged into a 200 L polymerization tank equipped with a stirrer, thermometer, reflux cooling device, monomer solution dropping nozzle, initiator solution dropping nozzle, etc. After the replacement, the temperature was raised to 80 ° C. while stirring at 100 rpm. Thereafter, 5-methacryloyloxy-2,6-norbornanecarbolactone (NLM) 15 kg MEK solution, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate (MAdMA) 20 kg MEK solution, azobisisobutyronitrile 0.5 kg MEK solution Were added dropwise over 3 hours. After completion of dropping, the mixture was further aged for 3 hours, and then cooled to room temperature to obtain a polymerization solution.

高速液体クロマトグラフィーを用いて測定した結果、この重合液のモノマー転化率は90%であり、重合体100質量%に対する残存モノマー量は約11質量%であった。また、得られた重合体について、以下の方法により、重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)を測定した結果、分子量分布(分散度Mw/Mn)は1.73であった。   As a result of measurement using high performance liquid chromatography, the monomer conversion rate of this polymerization solution was 90%, and the amount of residual monomer relative to 100% by mass of the polymer was about 11% by mass. Moreover, as a result of measuring a weight average molecular weight (Mw) and a number average molecular weight (Mn) about the obtained polymer with the following method, molecular weight distribution (dispersion degree Mw / Mn) was 1.73.

[Mw、Mn、及びMw/Mn]:
東ソー社製のGPCカラム(商品名「G2000HXL」2本、商品名「G3000HXL」1本、商品名「G4000HXL」1本)を使用し、流量:1.0ml/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定した。また、分散度「Mw/Mn」は、Mw及びMnの測定結果より算出した。
[Mw, Mn, and Mw / Mn]:
Tosoh GPC columns (trade name “G2000HXL”, trade name “G3000HXL”, trade name “G4000HXL” 1), flow rate: 1.0 ml / min, elution solvent: tetrahydrofuran, column temperature : Measured by gel permeation chromatography (GPC) using monodisperse polystyrene as a standard under analysis conditions of 40 ° C. Further, the degree of dispersion “Mw / Mn” was calculated from the measurement results of Mw and Mn.

<再沈工程>
容積200Lの導電性グラスライニング層を備える再沈槽中に100kgのメタノールを仕込み、これを150rpmで攪拌しながら、前記重合液(固形分濃度:約25質量%)20kgを、12.5g/分の滴下速度で滴下し、再沈を行った。これにより白色のフォトレジスト重合体スラリーを得た。
<Reprecipitation process>
A re-precipitation tank equipped with a 200 L conductive glass lining layer was charged with 100 kg of methanol, and while stirring this at 150 rpm, 20 kg of the polymerization liquid (solid content concentration: about 25 mass%) was 12.5 g / min. The solution was dropped at a dropping speed of 1, and reprecipitation was performed. As a result, a white photoresist polymer slurry was obtained.

その後、フッ素樹脂製(登録商標:テフロン)の濾布(通気量;3.0cm/cm・sec、濾過面積:1m)を容器底部に張った加圧濾過器を用い、0.2MPaの圧力で窒素加圧し、フォトレジスト重合体スラリーを加圧濾過した。これにより、フォトレジスト用重合体(白色固体)を得た。次いで、この白色固体をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)50kgに投入し、1時間溶解させてフォトレジスト用重合体溶液(最終製品)を得た。得られたフォトレジスト用重合体溶液には未溶解分はなく、清澄な溶液であった。 Thereafter, using a pressure filter with a fluororesin (registered trademark: Teflon) filter cloth (aeration rate: 3.0 cm 3 / cm 2 · sec, filtration area: 1 m 2 ) stretched on the bottom of the container, 0.2 MPa The photoresist polymer slurry was filtered under pressure with nitrogen pressure. Thereby, a polymer for photoresist (white solid) was obtained. Next, this white solid was put into 50 kg of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and dissolved for 1 hour to obtain a photoresist polymer solution (final product). The obtained photoresist polymer solution had no undissolved content and was a clear solution.

(比較例1)
配管にアース材を挿入しないことを除いては、実施例1と同様にしてフォトレジスト用重合体溶液を得た。
(Comparative Example 1)
A photoresist polymer solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that no grounding material was inserted into the pipe.

比較例1で得られた重合体について、重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)を測定した結果、分子量分布(分散度Mw/Mn)は1.74であった。   The polymer obtained in Comparative Example 1 was measured for weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn). As a result, the molecular weight distribution (dispersion degree Mw / Mn) was 1.74.

[評価方法]
<金属異物量>
実施例1及び比較例1で得られた各フォトレジスト用重合体溶液において、下記の方法により、金属異物量の測定を行った。
[Evaluation methods]
<Amount of foreign metal>
In each photoresist polymer solution obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the amount of metal foreign matter was measured by the following method.

フォトレジスト用重合体溶液1gを石英ルツボに入れ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA)を完全に蒸発させた後、550℃で灰化処理を行った。次いで、王水に溶解させ、誘電結合プラズマ質量分析装置(商品名「ELAN DRC Plus」、PerkinElmer社製)によって、金属異物量を測定した。なお、評価した金属種は、Ta、Na、Ti、Ni、W、Fe、Cu、K、Li、Ba、Zn、Mg、B、Al、Co、Zr、Ca、Mn、Cr、Moであった。   1 g of the polymer solution for photoresist was put in a quartz crucible, and propylene glycol monomethyl ether acetate (PEGMEA) was completely evaporated, followed by ashing at 550 ° C. Subsequently, it was made to melt | dissolve in aqua regia and the amount of metal foreign materials was measured with the dielectric coupling plasma mass spectrometer (Brand name "ELAN DRC Plus", PerkinElmer company make). The metal species evaluated were Ta, Na, Ti, Ni, W, Fe, Cu, K, Li, Ba, Zn, Mg, B, Al, Co, Zr, Ca, Mn, Cr, and Mo. .

<容器における破損の有無>
実施例1及び比較例1におけるフッ素樹脂ライニング配管の破損状況を目視確認した。
<Damage in container>
The state of breakage of the fluororesin lining piping in Example 1 and Comparative Example 1 was visually confirmed.

[評価結果]
実施例1で得られたフォトレジスト用重合体溶液中の金属異物量は、測定した全ての金属種において検出下限未満(ND=0.5ppb未満)であった。また、実施例1で用いたフッ素樹脂ライニング配管で破損は確認されなかった。
[Evaluation results]
The amount of metal foreign matter in the photoresist polymer solution obtained in Example 1 was less than the lower detection limit (ND = less than 0.5 ppb) for all measured metal species. Further, no damage was confirmed in the fluororesin lining piping used in Example 1.

比較例1で得られたフォトレジスト用重合体溶液中の金属異物量は、測定した全ての金属種において測定機器の検出量下限未満(ND=0.5ppb未満)であった。しかし、フッ素樹脂ライニング配管は静電気による破損が28箇所確認された。   The amount of foreign metal in the photoresist polymer solution obtained in Comparative Example 1 was less than the lower limit of detection amount of the measuring instrument (ND = less than 0.5 ppb) for all measured metal species. However, it was confirmed that the fluororesin lining piping was damaged by static electricity at 28 points.

本発明のフォトレジスト用重合体の製造方法は、金属異物等の異物や金属成分等の不純物の混入に対して厳格なサブクォーターミクロンレベルの微細加工等の用途に用いられるフォトレジスト用重合体の製造に好適に用いられる。   The method for producing a photoresist polymer of the present invention is a method for producing a photoresist polymer for use in fine processing such as strict sub-quarter micron level against contamination of foreign matters such as metallic foreign matters and impurities such as metal components. It is suitably used for production.

本発明の配管構造の一の実施形態を示す概略断面図であり、配管構造を配管の中心軸に沿って切断した切断面を示す図である。It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of the piping structure of this invention, and is a figure which shows the cut surface which cut | disconnected the piping structure along the central axis of piping. 本発明の配管構造の一部をなす配管接続用パッキンの一の実施形態を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows one Embodiment of the packing for piping connection which makes a part of piping structure of this invention. 図2Aに示す配管接続用パッキンをA−A’線に沿って切断した断面を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the cross section which cut | disconnected the packing for piping connection shown to FIG. 2A along the A-A 'line. 本発明の配管構造の一部をなす配管接続用パッキンの別の実施形態を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows another embodiment of the packing for piping connection which makes a part of piping structure of this invention. 図3Aに示す配管接続用パッキンをA−A’線に沿って切断した断面を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the cross section which cut | disconnected the piping connection packing shown to FIG. 3A along the A-A 'line. 本発明の製造方法の一の実施形態を示す工程図である。It is process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:配管構造、2A,2B:非金属ライニング配管、4,4A,4B:アース材、6:金属配管、8:ライニング、10A,10B:フランジ部、12A,12B,12C,12D:シール材、14:アース線、16:中心孔、18:凸部、20A,20B:配管接続用パッキン、50:反応槽、52:原料、54,58,64:配管、60,66,70:ストレージ配管、62:濾過装置、68:製品。 1: Piping structure, 2A, 2B: Non-metallic lining piping, 4, 4A, 4B: Ground material, 6: Metal piping, 8: Lining, 10A, 10B: Flange, 12A, 12B, 12C, 12D: Sealing material, 14: ground wire, 16: center hole, 18: convex portion, 20A, 20B: packing for pipe connection, 50: reaction tank, 52: raw material, 54, 58, 64: piping, 60, 66, 70: storage piping, 62: Filtration device, 68: Product.

Claims (6)

複数の非金属ライニング配管によって液状物を送液する工程を備え、
前記非金属ライニング配管同士の接続部に、送液される前記液状物と接触するようにアース材を挿入し、前記アース材を接地した状態で、前記液状物の送液を行う、フォトレジスト用重合体の製造方法。
It includes a step of feeding a liquid material through a plurality of non-metallic lining pipes,
For a photoresist, a ground material is inserted into a connection portion between the non-metallic lining pipes so as to be in contact with the liquid material to be fed, and the liquid material is fed while the ground material is grounded. A method for producing a polymer.
前記アース材が、ステンレス鋼、タンタル、チタン、ジルコニウム及びニッケル基超合金の群から選択される少なくとも1種の金属からなるものである請求項1に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 1, wherein the grounding material is made of at least one metal selected from the group consisting of stainless steel, tantalum, titanium, zirconium, and a nickel-base superalloy. 前記液状物が、フォトレジスト用重合体溶液及びフォトレジスト用重合体スラリーのうちの1種である請求項1又は2に記載の製造方法。   The method according to claim 1 or 2, wherein the liquid material is one of a photoresist polymer solution and a photoresist polymer slurry. 前記液状物が、飽和炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒及び酢酸エステル系溶媒から選択される少なくとも1種の溶媒を含むものである請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid material includes at least one solvent selected from a saturated hydrocarbon solvent, a ketone solvent, and an acetate solvent. 前記飽和炭化水素系溶媒が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンであり、
前記ケトン系溶媒が、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノンであり、
前記酢酸エステル系溶媒が、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである請求項4に記載の製造方法。
The saturated hydrocarbon solvent is pentane, hexane, heptane, octane, cyclohexane, methylcyclohexane,
The ketone solvent is methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, cyclohexanone,
The production method according to claim 4, wherein the acetate solvent is ethylene glycol monomethyl ether acetate or propylene glycol monomethyl ether acetate.
複数の非金属ライニング配管を備え、前記非金属ライニング配管同士の接続部に、配管接続用パッキンが挟み込まれ、
前記配管接続用パッキンが、配管のフランジ面と当接し得る、環状のシール材と、前記シール材に挟み込まれるとともに、前記シール材の環内に少なくとも一部が露出するように配置されたアース材とを備えたものである配管構造。
A plurality of non-metallic lining pipes are provided, and a pipe connecting packing is sandwiched between connecting parts of the non-metallic lining pipes,
An annular sealing material in which the packing for pipe connection can come into contact with the flange surface of the piping, and a grounding material disposed so as to be sandwiched between the sealing material and at least partially exposed in the ring of the sealing material A piping structure with
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016052393A1 (en) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 Organic treatment solution for patterning of resist film, method for producing organic treatment solution for patterning of resist film, storage container for organic treatment solution for patterning of resist film, and pattern formation method and electronic device manufacturing method using same
JP2016079296A (en) * 2014-10-17 2016-05-16 三菱レイヨン株式会社 Production method of material for semiconductor lithography and production device thereof
JP6457161B1 (en) * 2017-09-14 2019-01-23 住友化学株式会社 Method for producing liquid composition
WO2019054341A1 (en) * 2017-09-14 2019-03-21 住友化学株式会社 Method for producing liquid composition

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02133588A (en) * 1988-11-11 1990-05-22 Nishihara Eisei Kogyosho:Kk Method and equipment for preventing corrosion of lining pipeline system
JPH09286490A (en) * 1996-04-19 1997-11-04 Nichias Corp Structure of tank with corrosion-resistant resin lining
JP2002177858A (en) * 2000-12-13 2002-06-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus
JP2005313598A (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Kobelco Eco-Solutions Co Ltd Electrically conductive glass lining, structure made of electrically conductive glass lining and method for applying electrically conductive glass lining
JP2006242285A (en) * 2005-03-03 2006-09-14 Toyota Motor Corp Sealing structure of pipe joint part

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02133588A (en) * 1988-11-11 1990-05-22 Nishihara Eisei Kogyosho:Kk Method and equipment for preventing corrosion of lining pipeline system
JPH09286490A (en) * 1996-04-19 1997-11-04 Nichias Corp Structure of tank with corrosion-resistant resin lining
JP2002177858A (en) * 2000-12-13 2002-06-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus
JP2005313598A (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Kobelco Eco-Solutions Co Ltd Electrically conductive glass lining, structure made of electrically conductive glass lining and method for applying electrically conductive glass lining
JP2006242285A (en) * 2005-03-03 2006-09-14 Toyota Motor Corp Sealing structure of pipe joint part

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016052393A1 (en) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 Organic treatment solution for patterning of resist film, method for producing organic treatment solution for patterning of resist film, storage container for organic treatment solution for patterning of resist film, and pattern formation method and electronic device manufacturing method using same
JPWO2016052393A1 (en) * 2014-09-30 2017-04-27 富士フイルム株式会社 Organic processing liquid for patterning resist film, method for producing organic processing liquid for patterning resist film, container for organic processing liquid for patterning resist film, pattern formation method using these, and Manufacturing method of electronic device
KR20170048505A (en) * 2014-09-30 2017-05-08 후지필름 가부시키가이샤 Organic treatment solution for patterning of resist film, method for producing organic treatment solution for patterning of resist film, storage container for organic treatment solution for patterning of resist film, and pattern formation method and electronic device manufacturing method using same
KR101966671B1 (en) * 2014-09-30 2019-04-09 후지필름 가부시키가이샤 Organic treatment liquid for patterning resist film, method of producing organic treatment liquid for patterning resist film, storage container of organic treatment liquid for patterning resist film, pattern forming method using this, and method of producing electronic device
CN106796405B (en) * 2014-09-30 2020-10-09 富士胶片株式会社 Method for producing organic processing liquid for patterning resist film
JP2016079296A (en) * 2014-10-17 2016-05-16 三菱レイヨン株式会社 Production method of material for semiconductor lithography and production device thereof
JP6457161B1 (en) * 2017-09-14 2019-01-23 住友化学株式会社 Method for producing liquid composition
WO2019054341A1 (en) * 2017-09-14 2019-03-21 住友化学株式会社 Method for producing liquid composition
US11046886B2 (en) 2017-09-14 2021-06-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing liquid composition

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