JP2009244879A

JP2009244879A - チタノセン含有光導電体

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Publication number: JP2009244879A
Application number: JP2009071943A
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Inventors: Jing Wu; ウージン
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Priority date: 2008-03-31
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Publication date: 2009-10-22
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Abstract

【課題】光生成顔料の感度、ゴースト発生、及び寿命などの点で優れた、光導電体を提供する。
【解決手段】支持基材と、光生成層と、少なくとも１つの電荷輸送層とを備える光導電体であって、電荷輸送層のうちの少なくとも１つは少なくとも１つの電荷輸送成分を含み、光生成層及び電荷輸送層のうちの少なくとも１つはチタノセンを含む、光導電体。
【選択図】なし

Description

本開示は一般に、部材、受光体、光導電体などに向けられる。さらに具体的には、本開示は、基材のような随意の支持媒体と、チタノセンを含有する、光生成層並びに第１の電荷輸送層及び第２の電荷輸送層のような複数の電荷輸送層を含めた電荷輸送層のうちの少なくとも１つと、随意の接着剤層と、随意の正孔ブロッキング層又はアンダーコート層と、随意のオーバーコート層とを備える、剛性、多層可撓性、ベルト状の画像形成部材、又はデバイスに向けられる。実施形態において、少なくとも１つとは、例えば、１、１から約１０、２から約７、１から約４などを指す。さらに、チタノセンは、光生成層に、又は電荷輸送層のうちの少なくとも１つに添加することができ、例えば、電荷輸送層溶液に溶解される代わりに、チタノセンをドーパントとして電荷輸送層に添加することができ、さらに具体的には、チタノセンを下部電荷輸送層に添加することができる。

さらにより具体的には、主として、優れた光導電体の感光性と、許容できる、実施形態においては低いＶ_rと、Ｖ_rのサイクル・アップ（ｃｙｃｌｅｕｐ）の最小化又は防止とを可能にするための、支持基材、チタノセン含有光生成層、又は１つ若しくは複数のチタノセン含有電荷輸送層、例えば第１パス電荷輸送層、第２パス電荷輸送層、又は第１若しくは第２パス電荷輸送層の両方、を備える光導電体が開示される。

開示される光導電体には、ここで、及び実施形態で示されるように、例えば、光生成顔料の感度の増大、最小限のゴースト発生、及び寿命の延長などの多くの利点が関連付けられる。さらに、実施形態において、本明細書に開示される光導電体は、優れた、そして多くの場合には低い、Ｖ_r（残留電位）を有し、適切な場合にはＶ_rのサイクル・アップの実質的な防止、高感度、及び低い許容できる画像ゴースト発生特性を可能にする。
また、本明細書に例示される光導電体デバイスを用いた画像形成及び印刷の方法も開示される。これらの方法は、一般に、画像形成部材上での静電潜像の形成と、その後の、例えば、熱可塑性樹脂と顔料のような着色剤と電荷添加剤と表面添加剤とを含むトナー組成物による画像の現像とを伴い、特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照のこと。

ＪｉｎＷｕ他によって本出願と同時に出願された、ヒドロキシキノリン含有光導電体についての米国特許出願（番号は未だ割り当てられていない。代理人整理番号第２００７０５２６号−ＵＳ−ＮＰ号）の開示は、引用により本明細書に全体が組み込まれる。

特許文献４には、正孔ブロッキング層と光生成層と電荷輸送層とを備え、正孔ブロッキング層が金属酸化物とフェノール化合物及びフェノール樹脂の混合物とを含み、フェノール化合物が少なくとも２つのフェノール基を含む、光導電性画像形成部材が例示されている。

米国特許第４，５６０，６３５号米国特許第４，２９８，６９７号米国特許第４，３３８，３９０号米国特許第６，９１３，８６３号

実施形態において、例えば約１，０００，０００画像形成サイクルを上回る、長い耐用寿命、優れた電気的特性、安定した電気的性質、低い画像ゴースト発生、低バックグラウンド及び／又は最小限の電荷欠陥スポット（ＣＤＳ）、既知のＰＩＤＣ（光放電曲線）の生成によって示されるように多数の画像形成サイクルにわたって実質的に平坦又は変化しない一定のＶ_r（残留電位）などのような、本明細書に例示される多くの利点を有する画像形成部材が開示される。また、約７００から約９００ナノメートルまでの近赤外放射線に応答する、層状の光応答性画像形成部材も開示される。
さらに、可視光に対して感度を有する層状の可撓性光導電性部材が開示される。
さらに、機械的に堅牢な電荷輸送層を備えた、剛性又はドラム状、及び層状ベルト状の光応答性又は光導電性画像形成部材が開示される。
さらに、金属酸化物と、フェノール樹脂と、随意のフェノール化合物とを含む随意の正孔ブロッキング層を備え、フェノール化合物が少なくとも２個、より具体的には２個から１０個のフェノール基を含み、又はフェノール樹脂が、例えば約５００から約３，０００までの範囲の重量平均分子量を有する、可撓性画像形成部材が開示され、これは、例えば、望ましい低残留電位Ｖ_lowの光導電体を通常もたらす、優れた効率的な電荷輸送性を有する正孔ブロッキング層を可能にする。

本開示の態様は、随意の支持基材と光生成層と少なくとも１つの電荷輸送成分を含む少なくとも１つの電荷輸送層とを備え、光生成層又は少なくとも１つの電荷輸送層がチタノセン添加剤を含む画像形成部材と、随意の支持基材と光生成層と少なくとも１つの電荷輸送層とを備え、電荷輸送層のうちの少なくとも１つが少なくとも１つの電荷輸送成分を含み、光生成層及び電荷輸送層のうちの少なくとも１つがチタノセンを含む光導電体と、支持基材と光生成層と電荷輸送層とを備え、電荷輸送層及び光生成層がチタノセンを含み、チタノセンが、

によって表される光導電体とに関する。

様々な有効量のチタノセンは、実施形態において、高い感光性、例えばチタノセンを含まない同様の光導電体に比べて少なくとも５パーセント高い感光性といった、優れた光導電体の電気的性質を可能にする機能を主として果たし、これを各電荷輸送層及び／又は光生成層成分に、例えば、１つ又はそれ以上の電荷輸送層の中に約０．０１から約３０重量パーセント、約０．１から約１０重量パーセント、又は約０．２から約５重量パーセント、及び光生成層の中に約０．１から約４０重量パーセント、約１から約２０重量パーセント、又は同様の量で、例えば約０．５から約３０、１から約２０、１から約７、１から約５重量パーセントまでの量で添加することができ、光生成層及び少なくとも１つの電荷輸送層は樹脂バインダを含み、少なくとも１つの電荷輸送層は約２層から約７層であり、光生成層は、基材と少なくとも１つの電荷輸送層との間に位置し、ドラム又は可撓性の画像形成部材は、支持基材と光生成層と少なくとも２つの電荷輸送層を備え、その各々はチタノセンを含む。それらの実施形態において、支持基材と、その上の光生成層と、電荷輸送層と、オーバーコート電荷輸送層とを備える光導電性画像形成部材が開示され、約０．１から約１０ミクロンの厚さの光生成層と、各々が約５から約１００ミクロンの厚さの少なくとも１つの輸送層とを有する光導電性部材が開示され、帯電コンポーネントと現像コンポーネントと転写コンポーネントと定着コンポーネントとを備え、支持基材とその上の光生成顔料を含む層と１つ又はそれ以上の電荷輸送層とその上のオーバーコート電荷輸送層とを含む光導電性画像形成部材を含み、電荷輸送層が約１０から約７５ミクロンの厚さであるゼログラフィ画像形成装置が開示され、チタノセン又はその混合物が約０．１から約１５重量パーセント、又は約０．３から７重量パーセントの量で存在する部材が開示され、光生成層が、約１０から約９５重量パーセントの量で存在する光生成顔料を含む部材が開示され、光生成層の厚さが約０．２から４ミクロンである部材が開示され、光生成層が不活性ポリマー・バインダを含む部材が開示され、すべての層成分の合計を約１００パーセントとして、バインダが約２０から約９０重量パーセントの量で存在する部材が開示され、光生成成分が、約３７０から約９５０ナノメートルの波長の光を吸収するヒドロキシガリウムフタロシアニン又はチタニルフタロシアニンである部材が開示され、支持基材が、金属を含む導電性基材を含む画像形成部材が開示され、導電性基材が、アルミニウム、アルミニウム化ポリエチレンテレフタレート又はチタン化ポリエチレンテレフタレートである画像形成部材が開示され、光生成樹脂バインダが、ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン及びポリビニルホルマールのような公知の適切なポリマーから成る群から選択される画像形成部材が開示され、光生成顔料が無金属フタロシアニンである画像形成部材が開示され、電荷輸送層の各々が、特に第１及び第２の層が、

を含有する光導電体であって、式中のＸがアルキル、アルコキシ、及びハロゲンのうちの少なくとも１つから成る群から選択され、例えばメチル及び塩化物であり、実施形態において、４個の末端環の各々の上に合計４個の置換基Ｘがある光導電体が開示され、アルキル及びアルコキシが約１個から約１５個の炭素原子を含む画像形成部材が開示され、アルキルが約１個から約５個の炭素原子を含む画像形成部材が開示され、アルキルがメチルである画像形成部材が開示され、電荷輸送層の各々又は少なくとも１つが、特に第１及び第２の電荷輸送層が、

を含む画像形成部材であって、式中のＸ、Ｙ及びＺが、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲンのうちの少なくとも１つのから成る群から独立して選択され、実施形態において、Ｚが存在することができ、Ｙが存在することができ、又はＹとＺの両方が存在することができ、或いは、電荷輸送成分が、

であり、式中のＸ及びＹが独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、又はそれらの混合物であり、例えば、アルキル及びアルコキシが約１個から約１５個の炭素原子を含み、アルキルが約１個から約５個の炭素原子を含み、樹脂バインダが、ポリカーボネート、ポリアリレート及びポリスチレンから成る群から選択される画像形成部材が開示され、光生成層の中に存在する光生成顔料が、クロロガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン又はＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む画像形成部材が開示され、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、Ｘ線回折計による測定で、ブラッグ角（２シータ＋／−０．２°）が、７．４、９．８、１２．４、１６．２、１７．６、１８．４、２１．９、２３．９、２５．０、２８．１°の主ピークを有し、最高ピークが７．４°である画像形成部材が開示され、画像形成部材が約４００から約９５０ナノメートルの波長の光で露光される画像形成方法が開示され、光生成層が基材と電荷輸送層との間に位置する部材が開示され、電荷輸送層が基材と光生成層との間に位置し、電荷輸送層の数が２である部材が開示され、光生成層が、約０．５から２５ミクロンの厚さである部材が開示され、光生成成分の量が約０．０５重量パーセントから２０重量パーセントであり、光生成顔料が約１０重量パーセントから約８０重量パーセントのポリマー・バインダ中に分散される部材が開示され、光生成層の厚さが約０．１から約１１ミクロンである部材が開示され、光生成層及び電荷輸送層の成分がポリマー・バインダ中に含まれる部材が開示され、層成分の合計を約１００パーセントとして、バインダが約５０から約９０重量パーセントで存在する部材が開示され、光生成樹脂バインダが、ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン及びポリビニルホルマールのうちの少なくとも１つから成る群から選択される光導電体が開示され、電荷輸送層が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テトラフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テトラフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン分子である正孔輸送剤を含み、正孔輸送樹脂バインダがポリカーボネート及びポリスチレンから成る群から選択される画像形成部材が開示され、光生成層が無金属フタロシアニンを含む画像形成部材が開示され、光生成層がアルコキシガリウムフタロシアニンを含む画像形成部材が開示され、基材上にコーティングとして含まれるブロッキング層と、ブロッキング層の上にコートされた接着剤層とを有する光導電性画像形成部材が開示され、接着剤層及び正孔ブロッキング層をさらに含む画像形成部材が開示され、支持基材と、光生成層と、正孔輸送層と、正孔輸送層に接する又は実施形態においては光生成層に接する上部オーバーコート層とを備え、実施形態において、複数の、例えば２層から約１０層、さらに具体的には２層の電荷輸送層が選択される光導電性画像形成部材が開示され、随意の支持基材と、光生成層と、第１、第２、及び第３の電荷輸送層とを備えた光導電性画像形成部材が開示される。

実施形態において、チタノセンは、酸化状態ＩＶのチタン中心に結合した少なくとも１つのシクロペンタジエニル（Ｃｐ）又は置換シクロペンタジエニルアニオンを含む。
多くの溶媒に可溶又は実質的に可溶であるチタノセンの例には、ビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン、チタノセンビス（トリフルオロメタンスルホネート）、チタノセンジクロリド、（インデニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、シクロペンタジエニルチタン（ＩＶ）トリクロリド、ビス（シクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ペンタスルフィド、（４Ｒ，５Ｒ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタン、（４Ｓ，５Ｓ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタンなど、及びそれらの混合物がある。

光生成層、１つ又はそれ以上の電荷輸送層のために選択することができるチタノセンは、以下のもののうちの少なくとも１つによって表されることができる。

多くの適切な公知の置換基又は将来的に開発される基材を、開示される光導電体のために選択することができる。基材層の厚さは、経済的見地、電気的特性などを含む多くの要因に左右されるため、この層は、例えば３，０００ミクロンを上回るような厚さ、約１，０００から約３，５００ミクロン、約１，０００から約２，０００ミクロン、約３００から約７００ミクロンといったかなりの厚さ、又は、例えば約１００から約５００ミクロンといった最小限の厚さとすることができる。実施形態において、この層の厚さは、約７５ミクロンから約３００ミクロン、又は約１００ミクロンから約１５０ミクロンである。

基材は、不透明であっても実質的に透明であってもよく、任意の適切な材料を含むことができる。したがって、基材は、無機又は有機組成物のような非導電性又は導電性材料の層を含むことができる。非導電性材料として、薄いウェブとしたとき可撓性の、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタンなどを含む、この目的のために公知の種々の樹脂を使用することができる。導電性基材は、例えば、アルミニウム、ニッケル、鋼、銅などの任意の適切な金属、又は炭素、金属粉末などのような導電性物質で充填された上記のようなポリマー材料、又は導電性有機材料とすることができる。電気絶縁性又は導電性基材は、エンドレス可撓性ベルト、ウェブ、剛性円筒、シートなどの形態とすることができる。基材層の厚さは、所望の強度及び経済的見地を含む多くの要因に左右される。ドラムのためには、この層は、例えば上限数センチメートルまでといった、かなりの厚さでもよく、又はミリメートル未満という最小限の厚さであってもよい。同様に、可撓性ベルトは、最終的な電子写真デバイスに悪影響を与えないという条件の下で、例えば、約２５０マイクロメートルといったかなりの厚さでもよく、又は約５０マイクロメートル未満という最小限の厚さであってもよい。基材層が導電性ではない実施形態では、その表面を導電性コーティングによって導電性にすることができる。導電性コーティングは、光学的透明度、所望の可撓性の程度、及び経済的要因に応じてかなりの広範囲にわたって様々な厚さにすることができる。

基材の実例は本明細書に例示されているようなものであり、さらに具体的には、本開示の画像形成部材のために選択される、その基材が不透明又は実質的に透明であることができる層は、市販のポリマーであるＭＹＬＡＲ（登録商標）、チタンを含有するＭＹＬＡＲ（登録商標）のような無機又は有機ポリマー材料を含む絶縁材料の層、インジウムスズ酸化物又はアルミニウムのような半導体表面層がその上に配置された有機又は無機材料の層、又はアルミニウム、クロム、ニッケル、真鍮などを含めた導電性材料を含む。基材は、可撓性、継ぎ目なし、又は剛性とすることができ、例えば、板状、円筒状ドラム、巻物状、エンドレス可撓性ベルトなどのような多くの異なる形態を有することができる。実施形態において、基材は、継ぎ目なしの可撓性ベルトの形態である。いくつかの状況において、特に基材が可撓性の有機ポリマー材料である場合、基材の背面を、例えばＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）のような市販のポリカーボネート材料などのカール防止層で被覆することが望ましい。

実施形態における光生成層は、公知の多くの光生成顔料、より具体的には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、チタニルフタロシアニン及びクロロガリウムフタロシアニンと、ＶＭＣＨ（ＤｏｗＣｈｅｍｉｃａｌ製）のようなポリ（塩化ビニル−ｃｏ−酢酸ビニル）共重合体又はポリカーボネートのような樹脂バインダとを含む。一般に、光生成層は、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アルキルヒドロキシルガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペリレン、特にビス（ベンゾイミダゾ）ペリレン、チタニルフタロシアニンなどのような、さらに具体的には、バナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンのような公知の光生成顔料と、セレン、セレン合金及び三方晶系セレンなどのような無機成分とを含むことができる。光生成顔料は、電荷輸送層のために選択される樹脂バインダと同様の樹脂バインダの中に分散させることができ、あるいは樹脂バインダは存在しなくてもよい。一般に、光生成層の厚さは、他の層の厚さ、及び光生成層の中に含まれる光生成材料の量などの多くの要因に左右される。したがって、この層は、例えば、光生成組成物が、約３０から約７５容量パーセントの量で存在する場合、例えば、約０．０５ミクロンから約１０ミクロン、さらに具体的には、約０．２５ミクロンから約２ミクロンの厚さとすることができる。実施形態において、この層の最大の厚さは、主として、感光性、電気的特性及び機械的見地などの要因に左右される。光生成層のバインダ樹脂は、様々な適切な量、例えば、約１から約５０重量パーセント、さらに具体的には約１から約１０重量パーセントで存在し、この樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリレート及びメタクリレート、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、他の公知の適切なバインダなどのような、多くの公知のポリマーから選択することができる。先に被覆されたデバイスの層を実質的に攪乱したり、それらの層に悪影響を及ぼしたりすることのないコーティング溶媒を選択することが望ましい。光生成層のためのコーティング溶媒の例は、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、シラノール、アミン、アミド、エステルなどである。具体的な溶媒の例は、シクロヘキサン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メトキシエチルなどである。

光生成層は、セレン及びセレンとヒ素、テルル、ゲルマニウムなどとの合金のアモルファス膜、水素化アモルファス・シリコン、真空蒸着又は堆積によって製造されるシリコンとゲルマニウム、炭素、酸素、窒素などとの化合物を含むことができる。光生成層は、塗膜形成性ポリマー・バインダ中に分散され、ソルベントコーティング法によって製作される、結晶セレン及びその合金の無機顔料、ＩＩ族からＶＩ族の化合物、及び有機顔料、例えばキナクリドン、多環式顔料、例えばジブロモアンタンスロン顔料、ペリレン及びペリノンジアミン、多核芳香族キノン、ビス−、トリス−及びテトラキス−アゾを含むアゾ顔料などを含むこともできる。

実施形態において、光生成層のマトリクスとして選択することができるポリマー・バインダ材料の例には、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールシラノール、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリシラノールスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレンとアクリロニトリルとの共重合体、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体、アクリレート共重合体、アルキド樹脂、セルロース塗膜形成要素、ポリ（アミドイミド）、スチレンブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹脂、ポリ（ビニルカルバゾール）などの熱可塑性及び熱硬化性樹脂がある。これらのポリマーは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、又は交互共重合体であり得る。

光生成組成物又は顔料は、種々の量で樹脂バインダ組成物の中に存在する。しかしながら、一般に、約５重量パーセントから約９０重量パーセントの光生成顔料が約１０重量パーセントから約９５重量パーセントの樹脂バインダの中に分散され、又は約２０重量パーセントから約５０重量パーセントの光生成顔料が約８０重量パーセントから約５０重量パーセントの樹脂バインダ組成物の中に分散される。一実施形態において、約５０重量パーセントの光生成顔料が約５０重量パーセントの樹脂バインダ組成物の中に分散される。

吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻き線ロッド・コーティング、真空昇華などのような種々の適切な従来の公知のプロセスを用いて、光生成層のコーティング混合物を混合し、その後、塗布する。いくつかの用途については、光生成層は、ドット状又はライン状に製作することができる。ソルベントコーティングされた光生成層の溶媒の除去は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などの任意の公知の従来技術によって行うことができる。

本開示の実施形態における光生成層のコーティングは、本明細書に例示されるような光生成層の最終乾燥厚、例えば、約４０℃から約１５０℃で約１分から約９０分間乾燥させた後で約０．０１から約３０ミクロンを達成するように実施することができる。さらに具体的には、例えば、約０．１から約３０ミクロン、又は約０．５から約２ミクロンの厚さの光生成層を、基材上、基材と電荷輸送層との間の他の表面などの上に塗布又は堆積することができる。光生成層の塗布前に、電荷ブロッキング層又は正孔ブロッキング層を、随意に導電性表面に塗布することができる。所望であれば、接着剤層を、電荷ブロッキング層、正孔ブロッキング層、又は界面層と光生成層との間に設けることができる。通常、光生成層はブロッキング層の上に塗布され、１つの電荷輸送層又は複数の電荷輸送層が光生成層の上に形成される。光生成層は、電荷輸送層の上又は下に塗布することができる。

実施形態において、適切な公知の接着剤層を光導電体の中に含めることができる。典型的な接着剤層材料には、例えば、ポリエステル、ポリウレタンなどがある。接着剤層の厚さは、変動させることができ、実施形態において、例えば、約０．０５マイクロメートル（５００オングストローム）から約０．３マイクロメートル（３，０００オングストローム）までとすることができる。接着剤層は、吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻き線ロッド・コーティング、グラビア・コーティング、バード（Ｂｉｒｄ）アプリケータ・コーティングなどによって正孔ブロッキング層の上に堆積させることができる。堆積されたコーティングの乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などによって行うことができる。

正孔ブロッキング層と光生成層に通常は接触し、又はそれらの間に位置する随意の接着剤層として、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン及びポリアクリロニトリルを含めて、種々の公知の物質を選択することができる。この層は、例えば、約０．００１ミクロンから約１ミクロン、又は約０．１ミクロンから約０．５ミクロンの厚さである。随意に、この層は、例えば本開示の実施形態においてさらに望ましい電気的特性及び光学的特性を提供するために、有効な適切な量、例えば、約１から約１０重量パーセントの酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化ケイ素、カーボンブラックなどのような導電性及び非導電性粒子を含むことができる。

本開示の画像形成部材のための随意の正孔ブロッキング層又はアンダーコート層は、アミノシラン、ドープ金属酸化物、チタン、クロム、亜鉛、スズなどの金属酸化物などのような公知の正孔ブロッキング成分と、フェノール化合物及びフェノール樹脂の混合物又は２つのフェノール樹脂の混合物と、随意的にＳｉＯ₂のようなドーパントとを含む、多くの成分を含むことができる。フェノール化合物は、ビスフェノールＡ（４，４’−イソプロピリデンジフェノール）、Ｅ（４，４’−エチリデンビスフェノール）、Ｆ（ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン）、Ｍ（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｐ（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｓ（４，４’−スルホニルジフェノール）及びＺ（４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール）、ヘキサフルオロビスフェノールＡ（４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール）、レゾルシノール、ヒドロキシキノン、カテキンなどのように、普通は少なくとも２つのフェノール基を含む。

正孔ブロッキング層は、例えば、約２０重量パーセントから約８０重量パーセント、さらに具体的には約５５重量パーセントから約６５重量パーセントのＴｉＯ₂のような金属酸化物といった適切な成分と、約２０重量パーセントから約７０重量パーセント、さらに具体的には約２５重量パーセントから約５０重量パーセントのフェノール樹脂と、約２重量パーセントから約２０重量パーセント、さらに具体的には約５重量パーセントから約１５重量パーセントの、ビスフェノールＳのような、例えば少なくとも２つのフェノール基を含むフェノール化合物と、約２重量パーセントから約１５重量パーセント、さらに具体的には約４重量パーセントから約１０重量パーセントのＳｉＯ₂のようなプライウッド抑制ドーパントとを含むことができる。正孔ブロッキング層コーティング分散体は、例えば、以下のように調製することができる。まず、金属酸化物／フェノール樹脂分散体を、分散体中の金属酸化物のメジアン粒径が約１０ナノメートル未満、例えば約５から約９ナノメートルになるまで、ボール・ミル粉砕又はダイノーミル粉砕することによって調製する。上記の分散体にフェノール化合物及びドーパントを添加した後、混合する。正孔ブロッキング層コーティング分散体は、浸漬コーティング又はウェブ・コーティングによって塗布することができ、この層を、塗布後に熱硬化させることができる。得られる正孔ブロッキング層は、例えば、約０．０１ミクロンから約３０ミクロンまで、さらに具体的には約０．１ミクロンから約８ミクロンまでの厚さである。フェノール樹脂の例は、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、クレゾールによるホルムアルデヒドポリマー、例えばＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１５９及び２９１０１（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙ製）、並びにＤＵＲＩＴＥ（登録商標）９７（ＢｏｒｄｅｎＣｈｅｍｉｃａｌ製）、アンモニア、クレゾール及びフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、例えばＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１１２（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙ製）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、例えばＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９１０８及び２９１１６（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙ製）、クレゾール及びフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、例えばＶＡＲＣＵＭ（登録商標）２９４５７（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙ製）、ＤＵＲＩＴＥ（登録商標）ＳＤ−４２３Ａ、ＳＤ−４２２Ａ（ＢｏｒｄｅｎＣｈｅｍｉｃａｌ製）、又はフェノール及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、例えば、ＤＵＲＩＴＥ（登録商標）ＥＳＤ５５６Ｃ（ＢｏｒｄｅｎＣｈｅｍｉｃａｌ製）を含む。

電荷輸送層成分及び分子は、アリールアミンといった、本明細書に例示されるような多くの公知の材料を含み、その層は、一般に、約５ミクロンから約７５ミクロン、さらに具体的には約１０ミクロンから約４０ミクロンの厚さである。
アリールアミンのアルキル及びアルコキシは、例えば、１個から約２５個の炭素原子、さらに具体的には１個から約１２個の炭素原子を含み、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及び対応するアルコキシドである。アリールは、フェニルなどのように６個から約３６個の炭素原子を含むことができる。ハロゲンは、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物を含む。実施形態において、置換されたアルキル、アルコキシ、及びアリールを選択することもできる。

電荷輸送層のために選択されるバインダ材料の例は、ポリカーボネート、ポリアリレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、及びそれらのランダム共重合体又は交互共重合体、さらに具体的には、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリジンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチル−ジフェニル）カーボネート（ビスフェノール−Ｃ−ポリカーボネートとも呼ばれる）などのようなポリカーボネートを含む。実施形態において、電荷輸送層バインダは、約２０，０００から約１００，０００の重量平均分子量、又は好ましくは約５０，０００から約１００，０００の分子量Ｍ_Wのポリカーボネート樹脂を含む。一般に、実施形態において、電荷輸送層は、約１０から約７５重量パーセントの電荷輸送材料、さらに具体的には約３５パーセントから約５０パーセントのこの材料を含む。

１つ又はそれ以上の電荷輸送層、さらに具体的には、光生成層に接触する第１の電荷輸送層と、その上の上部又は第２の電荷輸送オーバーコート層は、ポリカーボネートのような塗膜形成性の電気的に不活性なポリマー中に溶解された、又は分子的に分散された電荷輸送小分子を含むことができる。実施形態において、「溶解された」とは、例えば、小分子およびシラノールがポリマー中に溶解して均質な相を形成した溶液を形成することを意味し、実施形態において、「分子的に分散された」とは、例えば、ポリマー中に分散された電荷輸送分子、すなわち小分子が分子スケールでポリマーの中に分散されていることを意味する。種々の電荷輸送する又は電気的に活性な小分子を、１つ又はそれ以上の電荷輸送層のために選択することができる。実施形態において、電荷輸送とは、例えば、光生成層内で発生した自由電荷を電荷輸送層を横切って輸送させることのできる、モノマーとしての電荷輸送分子のことをいう。

実施形態における各々の電荷輸送層の厚さは、約５から約７５ミクロンであるが、実施形態において、この範囲外の厚さを選択することもできる。電荷輸送層は、正孔輸送層上の静電荷が、その上での静電潜像の形成及び保持を妨げるのに十分な率での照射なしでは導電されない程度の絶縁体である必要がある。一般に、電荷輸送層と光生成層の厚さの比は、約２：１から２００：１までとすることができ、いくつかの例では４００：１とすることができる。電荷輸送層は、意図された使用領域において可視光又は放射線を実質的に吸収しないが、光導電層又は光生成層から光生成された正孔の注入を可能にし、これらの正孔を、活性層の表面上の表面電荷を選択的に放電するようにそれ自体を通して輸送させるという点で、電気的に「活性」である。

選択される連続的な電荷輸送オーバーコート層の厚さは、使用されるシステムにおける帯電（バイアス帯電ロール）、クリーニング（ブレード又はウェブ）、現像（ブラシ）、転写（バイアス転写ロール）などの摩損性に依存し、上限約１０マイクロメートルまでとすることができる。実施形態において、各層についてのこの厚さは、約１マイクロメートルから約５マイクロメートルである。種々の適切な従来の方法を用いて、オーバーコート層コーティング混合物を混合し、その後、光導電体に塗布することができる。典型的な塗工技術には、吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻き線ロッド・コーティングなどがある。堆積された被覆の乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などのような任意の適切な従来技術によって行うことができる。本開示の乾燥されたオーバーコート層は、画像形成中に正孔を輸送する必要があり、自由キャリア濃度は高すぎてはならない。
オーバーコートは電荷輸送層と同じ成分を含むことができ、電荷輸送小分子と適切な電気的に不活性な樹脂バインダとの間の重量比は、例えば約０／１００から約６０／４０まで、又は約２０／８０から約４０／６０までである。

例えば、改良された横方向電荷移動（ＬＣＭ）抵抗を可能にするために複数の電荷輸送層又は少なくとも１つの電荷輸送層に随意に組み込まれる成分又は材料の例には、テトラキス・メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌ製）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）のようなヒンダードフェノール酸化防止剤、並びにＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭ及びＧＳ（ＳｕｍｉｔｏｍｏＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．製）、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７及び５６５（ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｉｅｓＣｈｅｍｉｃａｌｓ製）、及びＡＤＥＫＡＳＴＡＢ（商標）ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０及びＡＯ−３３０（ＡｓａｈｉＤｅｎｋａＣｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．製）を含むその他のヒンダードフェノール酸化防止剤、ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０及びＬＳ−７４４（ＳＮＫＹＯＣＯ．，Ｌｔｄ．製）、ＴＩＮＵＶＩＮ（商標）１４４及び６２２ＬＤ（ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｉｅｓＣｈｅｍｉｃａｌｓ製）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８及びＬＡ６３（ＡｓａｈｉＤｅｎｋａＣｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．製）、及びＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（ＳｕｍｉｔｏｍｏＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．製）のようなヒンダードアミン酸化防止剤、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ−Ｄ（ＳｕｍｉｔｏｍｏＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．製）のようなチオエーテル酸化防止剤、ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９Ｋ及びＨＰ−１０（ＡｓａｈｉＤｅｎｋａＣｏ．，Ｌｔｄ．製）のようなホスファイト酸化防止剤、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス−［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）のようなその他の分子がある。少なくとも１つの電荷輸送層の中の酸化防止剤の重量パーセントは、約０から約２０重量パーセント、約１から約１０重量パーセント、又は約３から約８重量パーセントである。

（比較例１）
（Ａ）画像形成部材又は光導電体を、３．５ミルの厚さを有するニ軸延伸ポリエチレンナフタレート基材（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）の上にコーティングされた０．０２マイクロメートルの厚さのチタン層を準備し、その上に、グラビア・アプリケータ又は押出コータを用いて、５０グラムの３−アミノ−プロピルトリエトキシシラン、４１．２グラムの水、１５グラムの酢酸、６８４．８グラムの変性アルコール、及び２００グラムのヘプタンを含有する溶液を塗布することによって調製した。次に、この層をコータの強制空気乾燥器の中で、１３５℃で約５分間乾燥させた。得られたブロッキング層は、５００オングストロームの乾燥厚を有していた。その後、グラビア・アプリケータ又は押出コータを用いてブロッキング層上に液状コーティングを塗布することによって接着剤層を調製し、この接着剤層は、溶液の総重量を基準にして０．２重量パーセントのコポリエステル接着剤（ＴｏｙｏｔａＨｓｕｔｓｕＩｎｃ．製のＡＲＤＥＬ（商標）Ｄ１００）をテトラヒドロフラン／モノクロロベンゼン／塩化メチレンの６０：３０：１０容量比混合物中に含んでいた。次に、接着剤層をコータの強制空気乾燥器の中で、１３５℃で約５分間乾燥させた。得られた接着剤層は、２００オングストロームの乾燥厚を有していた。

光生成層分散体は、ＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉＧａｓＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製の重量平均分子量２０，０００の公知のポリカーボネートＩＵＰＩＬＯＮ（商標）２００（ＰＣＺ−２００）又はＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥＺ（商標）０．４５グラムと５０ミリリットルのテトラヒドロフランとを、４オンスガラス瓶の中に入れることによって調製した。この溶液に、２．４グラムのヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｖ型）と、３００グラムの直径１／８インチ（３．２ミリメートル）のステンレス鋼ショットとを加えた。次に、得られた混合物をボール・ミルに８時間かけた。その後、２．２５グラムのＰＣＺ−２００を４６．１グラムのテトラヒドロフランに溶解させ、このヒドロキシガリウムフタロシアニン分散体に加えた。次いで、得られたスラリーをシェーカに１０分間かけた。その後、得られた分散体を、バード・アプリケータを用いて上記接着剤界面に塗布して、０．２５ミルの湿潤厚を有する光生成層を形成した。後で付与される接地ストリップ層による適切な電気接触を容易にするために、ブロッキング層と接着剤層とが載った基材ウェブの１つの縁部に沿った約１０ミリメートル幅のストリップを、意図的に光生成層用材料で被覆されないままに残した。光生成層を強制空気乾燥器の中で、１２０℃で１分間乾燥させて、０．４ミクロンの厚さを有する乾燥した光生成層を形成した。

その後、得られた画像形成部材を２つの電荷輸送層でオーバーコートした。具体的には、光生成層を、光生成層に接触する電荷輸送層（下部層）でオーバーコートした。電荷輸送層の下部層を、アンバーガラスの瓶に１：１の重量比のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンと、ＦａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎＢａｙｅｒＡ．Ｇ．から市販されている分子量平均が約５０，０００から約１００，０００の公知のポリカーボネート樹脂であるＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５とを入れることによって調製した。次に、得られた混合物を塩化メチレンに溶解して、１５重量パーセントの固形分を含有する溶液を形成した。この溶液を光生成層の上に塗布して、乾燥されると（１２０℃で１分間）厚さ１４．５ミクロンとなる下部層コーティングを形成した。このコーティング工程の間、湿度は１５パーセント以下とした。

その後、電荷輸送層の下部層を上部層でオーバーコートした。上部層の電荷輸送層溶液を、アンバーガラスの瓶に０．３５：０．６５の重量比のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンと、ＦａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎＢａｙｅｒＡ．Ｇ．から市販されている分子量平均が約５０，０００から約１００，０００の公知のポリカーボネート樹脂であるＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５とを入れることによって調製した。次に、得られた混合物を塩化メチレンに溶解して、１５重量パーセントの固形分を含有する溶液を形成した。上部層溶液を電荷輸送層の下部層の上に塗布して、乾燥されると（１２０℃で１分間）厚さ１４．５ミクロンとなるコーティングを形成した。このコーティング工程の間、湿度は１５パーセント以下とした。

（Ｂ）上部電荷輸送層を排除し、下部電荷輸送層の厚さが２９ミクロンとしたこと以外は、上記（Ａ）部分を繰り返すことによって、光導電体を調製した。
（実施例Ｉ）

光生成層の中に、３重量パーセントのビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン（ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌ製のＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）７８４）（顔料４５．６と、樹脂バインダ５１．４と、ビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタンの割合が４５．６／５１．４／３で、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）中の固形分が約６重量パーセント）を入れたこと以外は、比較例１（Ａ）の工程を繰り返すことによって、光導電体部材を調製した。
（実施例ＩＩ）

光生成層の中に、ＴＨＦ中、７重量パーセントのビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）７８４、ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌ製）を入れたこと以外は、比較例１（Ａ）の工程を繰り返すことによって、光導電体部材を調製した。
（実施例ＩＩＩ）

下部電荷輸送層の中に、塩化メチレン中、固形分約１５パーセントで、０．２重量パーセントのビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）７８４、ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌ製）を入れたこと以外は、比較例１（Ａ）の工程を繰り返すことによって、光導電体部材を調製した。
（実施例ＩＶ）

上部電荷輸送層の中に、固形分１５パーセントで、０．２重量パーセントのビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）７８４、ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌ製）を入れることを除いて、比較例１（Ａ）の工程を繰り返すことによって、光導電体部材を調製する。
（実施例Ｖ）

光生成層の中に３重量パーセント、又は下部電荷輸送層の中に０．２重量パーセントの、チタノセンビス（トリフルオロメタンスルホネート）、チタノセンジクロリド、（インデニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、シクロペンタジエニルチタン（ＩＶ）トリクロリド、ビス（シクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ペンタスルフィド、（４Ｒ，５Ｒ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタン、及び（４Ｓ，５Ｓ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタンのうちの少なくとも１つを入れること以外は、比較例１（Ａ）の工程を繰り返すことによって、多数の光導電体を調製する。
（実施例ＶＩ）

光生成層又は単層の下部電荷輸送層の中にそれぞれ３重量パーセント及び０．２重量パーセントの、ビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン、チタノセンビス（トリフルオロメタンスルホネート）、チタノセンジクロリド、（インデニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、シクロペンタジエニルチタン（ＩＶ）トリクロリド、ビス（シクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ペンタスルフィド、（４Ｒ，５Ｒ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタン、及び（４Ｓ，５Ｓ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタンのうちの少なくとも１つを入れること以外は、比較例１（Ｂ）の工程を繰り返すことによって、多くの光導電体を調製する。
（電気特性試験）

上記で調製された感光体デバイス（比較例１（Ａ）並びに実施例Ｉ及びＩＩＩ）を、１回の帯電−除電サイクルの後に１回の帯電−露光−除電サイクルが続くように行われる光放電サイクルを得るようなスキャナ・セットで試験を行い、ここで、光強度をサイクルと共に徐々に増大させて、一連の光放電特性曲線を作成し、そこから種々の露光強度における感光度及び表面電位を測定した。さらなる電気的特性を、表面電位を徐々に増大させる一連の帯電−除電サイクルによって得て、いくつかの電圧対電荷密度曲線を生成した。スキャナには、種々の表面電位において定電圧帯電に設定されたスコロトロンが装備された。このデバイスは、一連のニュートラル・デンシティ・フィルタを調節することによって露光強度を徐々に増大させながら、４００ボルトの表面電位で試験され、露光光源は７８０ナノメートルの発光ダイオードとした。ゼログラフィ・シミュレーションは、環境制御された暗室中で、周囲条件（相対湿度４０パーセント、２２℃）で完結させた。デバイスにはまた、１０，０００サイクルまで電気的に帯電‐放電‐除電のサイクルが繰り返された。サイクル＝０とサイクル＝１０，０００の両方において、上記で調製された光導電体の各々に１つずつ、６つの光誘起放電曲線が作成され、ここでＶは電圧に等しい。結果を表１にまとめる。

上記の表１のデータによって、既知のＰＩＤＣ曲線の作成によって判定される実施例ＩとＩＩＩの光導電体部材の多くの改良された特性が例証される。さらに具体的には、表１のＶ（３．５エルグ／ｃｍ²）は、露光が３．５エルグ／ｃｍ²であるときの光導電体デバイスの表面電位を表し、したがって、ＰＩＤＣの定性に用いられる。光生成層の中へのチタノセンの混和（実施例Ｉ）は、サイクル＝０において、Ｖ（３．５エルグ／ｃｍ²）を約２１Ｖ低下させ、一方、電荷輸送層の中へのチタノセンの混和（実施例ＩＩＩ）は、サイクル＝０において、Ｖ（３．５エルグ／ｃｍ²）を約１２Ｖ低下させた。

１０，０００サイクル後、実施例ＩのＶ（３．５エルグ／ｃｍ²）サイクル・アップは約５Ｖであり、実施例ＩＩＩのＶ（３．５エルグ／ｃｍ²）サイクル・アップは約１Ｖであり、これは、比較例１（Ａ）（５４Ｖ）のわずか約１０分の１であった。したがって、電荷輸送層又は光生成層のいずれかの中にチタノセンを混和することで、改良された（より少ない）サイクル・アップという光導電体特性がもたらされた。

Claims

支持基材と、光生成層と、少なくとも１つの電荷輸送層とを備える光導電体であって、前記電荷輸送層のうちの少なくとも１つは少なくとも１つの電荷輸送成分を含み、前記光生成層及び前記電荷輸送層のうちの少なくとも１つはチタノセンを含むことを特徴とする光導電体。
前記チタノセンが、前記光生成層の中、及び前記電荷輸送層のうちの少なくとも１つの中に存在し、前記少なくとも１つの電荷輸送層が、１層、２層、又は３層であることを特徴とする請求項１に記載の光導電体。
前記チタノセンが、前記電荷輸送層の中に約０．０１から約２０重量パーセント、及び前記光生成層の中に約０．１から約３５重量パーセントの量で存在する、ビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン、チタノセンビス（トリフルオロメタンスルホネート）、チタノセンジクロリド、（インデニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、シクロペンタジエニルチタン（ＩＶ）トリクロリド、ビス（シクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ペンタスルフィド、（４Ｒ，５Ｒ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタン、及び（４Ｓ，５Ｓ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタンのうちの少なくとも１つから成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の光導電体。
前記電荷輸送成分は、アリールアミン分子を含み、前記アリールアミンは次式

のものであり、式中のＸは、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲン、並びにそれらの組合せから成る群から選択され、
又は、次式

のものであり、式中のＸ、Ｙ、及びＺは、アルキル、アルコキシ、アリール、及びハロゲン、並びにそれらの組合せから成る群から独立して選択され、
前記チタノセンは、ビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン、チタノセンビス（トリフルオロメタンスルホネート）、チタノセンジクロリド、（インデニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、シクロペンタジエニルチタン（ＩＶ）トリクロリド、ビス（シクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ペンタスルフィド、（４Ｒ，５Ｒ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタン、及び（４Ｓ，５Ｓ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタンのうちの少なくとも１つから成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の光導電体。
前記光生成層は、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、ペリレン、又はそれらの混合物を含む顔料を含み、前記チタノセンは、ビス（η⁵−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン、チタノセンビス（トリフルオロメタンスルホネート）、チタノセンジクロリド、（インデニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）トリクロリド、シクロペンタジエニルチタン（ＩＶ）トリクロリド、ビス（シクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ペンタスルフィド、（４Ｒ，５Ｒ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタン、及び（４Ｓ，５Ｓ）−クロロ−シクロペンタジエニル−［２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４，５−ビス（ジフェニルメトキシ）］チタンのうちの少なくとも１つから成る群から選択され、前記光導電体は、正孔ブロッキング層と接着剤層とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光導電体。