JP2009244559A - Method for manufacturing active matrix substrate - Google Patents

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貴文 端山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To quickly detect a positional shift of an area irradiated with laser light from a preset laser light irradiation area. <P>SOLUTION: A method for manufacturing an active matrix substrate includes: a preparation step S1 for preparing an active matrix forming substrate 50 provided with a display area D on which a plurality of display wires 11 are formed, a short-circuit wires 19, 20 connected to respective display wires 11 on the outside of the display area D and a position confirming pattern 23 formed for the short-circuit wires 19, 20; a connection release step S7 for releasing mutual electric connection between respective display wires 11 by irradiating respective display wires 11 with laser light on the outside of the display area D; and a position confirmation step S8 for confirming positional relation between the position confirming pattern 23 and an area B irradiated with laser light. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an active matrix substrate.

アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向して配置されて共通電極が形成された対向基板と、これら両基板の間で枠状のシール材によって封入された液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、この液晶表示パネルにLSI(Large Scale Integration)ドライバチップ等の実装部品が取り付けられて構成されている。この液晶表示装置は、各画素電極に所定の電荷を書き込むことで各画素電極と共通電極との間の液晶層に電圧を印加して各画素毎に液晶分子の配向を制御することにより、所望の画像表示を行うように構成されている。   An active matrix liquid crystal display device includes an active matrix substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix, a counter substrate in which a common electrode is formed so as to be opposed to the active matrix substrate, A liquid crystal display panel having a liquid crystal layer sealed with a frame-shaped sealing material is provided, and a mounting component such as an LSI (Large Scale Integration) driver chip is attached to the liquid crystal display panel. In this liquid crystal display device, a predetermined charge is written to each pixel electrode to apply a voltage to the liquid crystal layer between each pixel electrode and the common electrode, thereby controlling the orientation of the liquid crystal molecules for each pixel. The image display is performed.

アクティブマトリクス基板には、上記各画素電極、各画素電極に電気的に接続された複数のTFT(Thin Film Transistor)、及び各TFTに接続されたゲート線及びソース線等の複数の表示用配線が設けられている。このアクティブマトリクス基板は、製造工程において、上記LSIドライバチップを接続するための各表示用配線の端子部に静電気に起因する高電圧が印加されることにより、各TFTに過電流が流れてそれら各TFTの静電破壊や特性劣化がもたらされる虞がある。この静電気による各TFTの静電破壊や特性劣化への対策として、アクティブマトリクス基板には、各表示用配線の端部を互いに電気的に接続してそれら各配線を同電位に保持することによって特定の表示用配線のみに高電圧が印加されることを抑制するショートリングと呼ばれる短絡用の配線が形成されている。   The active matrix substrate includes a plurality of display wirings such as the pixel electrodes, a plurality of TFTs (Thin Film Transistors) electrically connected to the pixel electrodes, and gate lines and source lines connected to the TFTs. Is provided. In the active matrix substrate, an overcurrent flows to each TFT by applying a high voltage caused by static electricity to the terminal portion of each display wiring for connecting the LSI driver chip in the manufacturing process, and each of these TFTs flows. There is a risk of causing electrostatic breakdown or characteristic deterioration of the TFT. As countermeasures against electrostatic breakdown and characteristic deterioration of each TFT due to this static electricity, the active matrix substrate is specified by electrically connecting the ends of each display wiring to each other and holding each wiring at the same potential. A short-circuit wiring called a short ring that suppresses application of a high voltage only to the display wiring is formed.

このショートリングは、各表示用配線の互いの電気的な接続を解除して各表示用配線を独立して駆動させる必要があることから、液晶表示パネルの作製の終了段階において各表示用配線から切り離されている。ショートリングを各表示用配線から切り離す方法として、レーザー光の照射によって各表示用配線を切断する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Since this short ring needs to release the electrical connection between the display wirings and drive the display wirings independently, the short-rings are separated from the display wirings at the end of the production of the liquid crystal display panel. Is disconnected. As a method of separating the short ring from each display wiring, a method of cutting each display wiring by laser light irradiation is known (for example, see Patent Document 1).

図25は、従来におけるレーザー光の照射によってショートリング100を各表示用配線101から切り離す方法を示す図である。   FIG. 25 is a diagram illustrating a conventional method of separating the short ring 100 from each display wiring 101 by laser light irradiation.

ショートリング100を各表示用配線101から切り離すには、まず、図25に示すように、ショートリング100に接続された全ての表示用配線101を横断するようにレーザー光の照射領域103を設定する。そして、レーザーカット装置から出射するレーザー光のスポットSを照射領域103の一端側(図中右端側)の開始点に合わせてレーザー光を照射し、その開始点から他端側(図中左端側)に向かってレーザー光のスポットSを移動させて照射領域103全体にレーザー光を照射することにより、そのレーザー光が照射された領域104に重なる各表示用配線101の被照射部分を熔融及び蒸発させて各表示用配線101を切断してショートリング100を各表示用配線101から分離させる。
特開平11−305261号公報
In order to separate the short ring 100 from each display wiring 101, first, as shown in FIG. 25, the laser light irradiation region 103 is set so as to cross all the display wirings 101 connected to the short ring 100. . Then, the laser beam spot S emitted from the laser cutting device is irradiated with the laser beam in accordance with the start point on one end side (right end side in the figure) of the irradiation region 103, and the other end side (left end side in the figure side) from the start point. ) By moving the laser light spot S toward the irradiation region 103 and irradiating the entire irradiation region 103 with the laser light, thereby melting and evaporating the irradiated portion of each display wiring 101 overlapping the region 104 irradiated with the laser light. Thus, each display wiring 101 is cut to separate the short ring 100 from each display wiring 101.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-305261

図26及び図27は、予め設定したレーザー光の照射領域103からずれてレーザー光が照射された各表示用配線101の状態を示す図である。   FIG. 26 and FIG. 27 are diagrams showing states of the respective display wirings 101 that are irradiated with the laser light that deviates from the preset irradiation region 103 of the laser light.

上述のようにレーザー光の照射によってショートリング100を各表示用配線101から切り離す場合には、図26に示すように、レーザーカット装置の不具合によって実際のレーザー光の照射領域104が所望の照射領域103から徐々にずれることにより、各表示用配線101が切断された領域が所望の領域からずれる場合がある。このようにレーザー光の照射領域104がずれた状態でレーザーカット装置を使用し続けていると、図27に示すように、レーザー光の照射領域104が所望の照射領域103から大幅にずれて、最終的には切断できない表示用配線101aが生じ、各表示用配線101aが互いに接続されたままの切断不良が生じる虞がある。   When the short ring 100 is separated from each display wiring 101 by laser light irradiation as described above, as shown in FIG. 26, the actual laser light irradiation area 104 becomes a desired irradiation area due to a malfunction of the laser cutting device. By gradually deviating from 103, the area where each display wiring 101 is cut may deviate from the desired area. If the laser cutting device is continuously used in such a state that the laser light irradiation region 104 is shifted as described above, the laser light irradiation region 104 is greatly shifted from the desired irradiation region 103 as shown in FIG. Eventually, the display wiring 101a that cannot be disconnected is generated, and there is a possibility that a disconnection failure occurs while the display wirings 101a remain connected to each other.

尚、仮に、各表示用配線が切断不良となった場合には、液晶表示装置として駆動させたときに、互いに接続された各表示用配線は独立して駆動できずにそれら各配線間でリークが生じて表示品位が低下することになる。また、このように各表示用配線が切断不良となった場合には、液晶表示パネルにLSIドライバチップを実装して液晶表示パネルをドライバ駆動させたときに初めて欠陥が顕在化するため、LSIドライバチップの実装前に切断不良を解消することができず、製造歩留りが低下してしまう。   If the display wirings become defective in cutting, the display wirings connected to each other cannot be driven independently when they are driven as a liquid crystal display device, and leakage occurs between the wirings. As a result, the display quality deteriorates. In addition, when each display wiring becomes defective in cutting as described above, the LSI driver chip is mounted on the liquid crystal display panel and the liquid crystal display panel is driven by the driver. The cutting failure cannot be eliminated before the chip is mounted, resulting in a decrease in manufacturing yield.

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出することにある。   The present invention has been made in view of such various points, and an object of the present invention is to early detect a positional shift of a region irradiated with laser light with respect to a predetermined laser light irradiation region. .

上記の目的を達成するために、この発明では、レーザー光の照射によって各表示用配線の互いの電気的な接続を解除した後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認するようにした。   In order to achieve the above object, according to the present invention, the positional relationship between the position confirmation pattern and the region irradiated with the laser light after the electrical connection between the display wirings is released by the laser light irradiation. To check.

具体的に、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、上記表示領域の外部において、上記各表示用配線にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含むことを特徴とする。   Specifically, the manufacturing method of the active matrix substrate according to the present invention includes a display area provided with a plurality of display lines, a short-circuit line connected to each of the display lines outside the display area, A preparatory step of preparing an active matrix forming substrate provided with a position confirmation pattern provided for a short-circuit wiring, and by irradiating each display wiring with laser light outside the display area, A connection release step for releasing the electrical connection between the display wirings; and a position check step for checking a positional relationship between the position check pattern and the region irradiated with the laser beam. And

この製造方法によると、レーザー光の照射によって各表示用配線を切断して各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程を行った後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程を行うことにより、接続解除工程を行う際にレーザーカット装置の不具合によって予め設定したレーザー光の照射領域に対して実際のレーザー光が照射された領域に位置ずれが生じたとしても、位置確認工程においてそのレーザー光が照射された領域の位置ずれが早期に検出される。さらに、レーザー光が照射された領域の位置ずれが検出された場合にそのレーザー光の照射領域の位置を所望の照射領域の位置に修正することにより、その後に互いの電気的な接続が解除される各表示用配線について、接続解除工程の後においてもそれら各表示用配線が互いに接続されたままとなる切断不良を抑制することが可能になる。   According to this manufacturing method, after performing a connection releasing step of cutting each display wiring by laser light irradiation and releasing each electrical connection of each display wiring, the position confirmation pattern and the laser light are irradiated. By performing a position confirmation process that confirms the positional relationship with the region that has been made, the actual laser light was irradiated to the laser light irradiation area that was set in advance due to a defect in the laser cutting device when performing the connection release process Even if a position shift occurs in the region, the position shift of the region irradiated with the laser light is detected early in the position confirmation step. Furthermore, when a position shift of the laser light irradiation area is detected, the electrical connection between the laser light irradiation areas is subsequently canceled by correcting the position of the laser light irradiation area to the position of the desired irradiation area. For each of the display wirings, it is possible to suppress a disconnection failure in which the display wirings remain connected to each other even after the connection releasing step.

上記アクティブマトリクス形成用基板では、上記複数の表示用配線が互いに並んで上記表示領域の外部に引き出されて該表示領域の外部で配線群を構成し、該配線群の両側に上記位置確認用パターンが一対に設けられ、上記接続解除工程では、上記一対の位置確認用パターンの間において上記各表示用配線にレーザー光を照射することによって該各表示用配線を切断することが好ましい。   In the active matrix forming substrate, the plurality of display wirings are arranged side by side and drawn out of the display area to form a wiring group outside the display area, and the position confirmation pattern is formed on both sides of the wiring group. It is preferable that each display wiring is cut by irradiating each display wiring with a laser beam between the pair of position confirmation patterns in the connection release step.

この製造方法によると、互いに並んで表示領域の外部に引き出された複数の表示用配線によってその表示領域の外部で構成された配線群の両側に位置確認用パターンが一対に設けられ、その一対の位置確認用パターンの間において各表示用配線を切断することにより、それら各表示用配線と短絡用配線とが切り離され、各表示用配線の互いの電気的な接続が解除される。このようにすれば、位置確認工程における位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係の確認を、一対の位置確認用パターンの一方から他方に向かってレーザー光が照射された領域が延びているかを確認することによって容易に行うことが可能になる。   According to this manufacturing method, a pair of position confirmation patterns are provided on both sides of a wiring group configured outside the display area by a plurality of display wirings that are pulled out to the outside of the display area side by side. By cutting the display wirings between the position confirmation patterns, the display wirings and the short-circuiting wirings are disconnected, and the electrical connections of the display wirings are released. By doing this, the positional relationship between the position confirmation pattern and the region irradiated with the laser light in the position confirmation step is confirmed by the region irradiated with the laser light from one of the pair of position confirmation patterns to the other. It is possible to easily carry out by confirming whether or not is extended.

上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分に切欠部がそれぞれ形成されていることが好ましい。   In the active matrix forming substrate, it is preferable that notches are respectively formed in the portions of the display wirings where the laser light is irradiated.

この製造方法によると、上記各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分に切欠部がそれぞれ形成されていることにより、各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分がそれら各表示用配線の他の部分に比べて細く形成されているため、接続解除工程において各表示用配線がより確実に切断される。そして、レーザー光の照射によって熔融される各表示用配線の配線材料の量が少なくなるため、熔融された配線材料によって隣り合う各表示用配線同士が新たに電気的に接続されることが抑制される。   According to this manufacturing method, the notched portions are formed in the portions of the display wirings that are irradiated with the laser light, so that the portions of the display wiring that are irradiated with the laser light are the portions of the display wirings. Since it is formed thinner than the other portions, each display wiring is more reliably cut in the connection release step. And since the amount of the wiring material of each display wiring that is melted by the irradiation of the laser beam is reduced, it is suppressed that the adjacent display wirings are newly electrically connected by the melted wiring material. The

上記接続解除工程の後に、上記各表示用配線における上記レーザー光が照射された領域を挟む部分の間の電気抵抗を測定する抵抗測定工程と、上記抵抗測定工程によって測定された電気抵抗に基づき、上記各表示用配線の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合に、上記各表示用配線にレーザー光を再度照射して該各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程とを含むことが好ましい。   After the disconnection step, based on the resistance measurement step of measuring the electric resistance between the portions sandwiching the region irradiated with the laser light in each display wiring, and the electric resistance measured by the resistance measurement step, When it is determined that a cutting failure has occurred in at least a part of each of the display wirings, the display wirings are again irradiated with laser light to release the electrical connection between the display wirings. It is preferable to include a reconnection release step.

この製造方法によると、抵抗測定工程において、各表示用配線におけるレーザー光が照射された領域を挟む部分の間の電気抵抗を測定することにより、各表示用配線に切断不良が生じている場合(各表示用配線の互いの電気的な接続が解除されていない場合)には所定の電気抵抗が測定されるのに対し、各表示用配線が切断されている場合(各表示用配線の互いの電気的な接続が解除されている場合)にはその所定の電気抵抗に対して測定される電気抵抗が著しく大きくなるため、各表示用配線が確かに切断されているかが確認される。そして、この抵抗測定工程によって所定の電気抵抗が測定されて各表示用配線に切断不良が生じていると判断した場合には、各表示用配線にレーザー光を再度照射してそれら各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程を行うため、各表示用配線の互いの電気的な接続をより確実に解除することが可能になる。   According to this manufacturing method, in the resistance measurement step, when the electrical resistance between the portions sandwiching the region irradiated with the laser light in each display wiring is measured, there is a disconnection failure in each display wiring ( The predetermined electrical resistance is measured when each display wiring is not released from the electrical connection), whereas when each display wiring is disconnected (each display wiring is connected to each other) When the electrical connection is released), the electric resistance measured with respect to the predetermined electric resistance is remarkably increased, and it is confirmed whether each display wiring is surely cut. Then, when a predetermined electrical resistance is measured by this resistance measurement process and it is determined that a cutting failure has occurred in each display wiring, each display wiring is again irradiated with laser light to display each of the display wirings. Since the reconnection release step of releasing the mutual electrical connection is performed, it is possible to more reliably release the electrical connection between the display wirings.

上記再接続解除工程では、上記接続解除工程において上記レーザー光が照射された領域とは異なる領域で上記各表示用配線にレーザー光を照射することが好ましい。   In the reconnection release step, it is preferable that the display wirings are irradiated with laser light in a region different from the region irradiated with the laser light in the connection release step.

ところで、レーザー光が照射される基板の表面状態によっては、レーザー光を照射した際にその表面においてレーザー光が拡散反射される等して各表示用配線のレーザー光が照射された部分に対して十分にエネルギーの付与がされないことにより、その各表示用配線の一部が除去されずに残って各表示用配線に切断不良が生じる虞がある。このようにレーザー光が照射される基板の表面状態に起因して各表示用配線に切断不良が生じた場合には、再接続解除工程において接続解除工程と同じ領域で各表示用配線にレーザー光を照射しても、各表示用配線の除去されずに残った一部には接続解除工程と同様にレーザー光の照射によるエネルギーの付与が十分にされず、再接続解除工程を行ったとしても各表示用配線に切断不良が残る虞がある。   By the way, depending on the surface state of the substrate to which the laser beam is irradiated, when the laser beam is irradiated, the laser beam is diffused and reflected on the surface, etc. If the energy is not sufficiently applied, a part of each display wiring remains without being removed, and there is a risk that a cutting failure may occur in each display wiring. In this way, when a disconnection failure occurs in each display wiring due to the surface state of the substrate irradiated with the laser light, the laser light is applied to each display wiring in the same region as the connection release process in the reconnection release process. Even if the display wiring is not removed, the remaining part of the display wiring is not sufficiently energized by the laser light irradiation in the same way as the connection release step, and even if the reconnection release step is performed. There is a possibility that cutting defects remain in each display wiring.

これに対して、上記製造方法によると、再接続解除工程では、接続解除工程においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で各表示用配線にレーザー光を照射するため、各表示用配線をより確実に切断することが可能になる。   On the other hand, according to the manufacturing method described above, in the reconnection release step, each display wire is irradiated with laser light in a region different from the region irradiated with laser light in the connection release step. It becomes possible to cut more reliably.

上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記表示領域がマトリクス状に複数規定され、上記アクティブマトリクス形成用基板を上記複数の表示領域の各行毎に分断することによって複数の短冊状基板を形成する第1分断工程と、上記各短冊状基板を上記各表示領域毎に分断する第2分断工程とを含み、上記接続解除工程では、上記各短冊状基板において、上記各表示用配線に連続してレーザー光を照射することが好ましい。   The active matrix forming substrate includes a plurality of display regions defined in a matrix, and a first dividing unit that forms a plurality of strip substrates by dividing the active matrix forming substrate into each row of the plurality of display regions. And a second dividing step of dividing each strip-shaped substrate into each display region, and in the connection releasing step, laser light is continuously emitted from each strip-shaped substrate to each display wiring. Irradiation is preferred.

この製造方法によると、接続解除工程では、各短冊状基板において、各表示用配線に連続してレーザー光を照射することにより、各表示領域毎の各表示用配線の互いの電気的な接続が連続して解除される。そのことにより、各短冊状基板を各表示領域毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対してレーザー光の照射をそれぞれ行ってそれら各基板における各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する場合に比べて、複数の表示領域における各表示用配線の互いの電気的な接続が効率的に解除される。   According to this manufacturing method, in the connection release step, each strip wiring board is irradiated with laser light continuously on each display wiring, whereby each display wiring for each display area is electrically connected to each other. It is released continuously. As a result, each strip-shaped substrate is divided into individual substrates for each display area, and then each substrate is irradiated with laser light to electrically connect each display wiring on each substrate. Compared with the case where the display is released, the electrical connection of the display wirings in the plurality of display areas is efficiently released.

上記切断工程よりも前に、上記各短冊状基板における上記短絡用配線に所定の信号を供給することにより、上記各表示領域毎の各表示用配線を検査する検査工程を含むことが好ましい。   Prior to the cutting step, it is preferable to include an inspection step of inspecting each display wiring in each display region by supplying a predetermined signal to the short-circuit wiring in each strip-shaped substrate.

この製造方法によると、各短冊状基板において、短絡用配線に所定の信号を供給することにより、短絡用配線を介して各表示用配線に信号が供給される。このとき、各表示用配線のいずれかが断線している場合には、断線した表示用配線において断線した先に上記信号が供給されない。そのことにより、各短冊状基板における各表示用配線の断線の有無が検査される。このようにすれば、各短冊状基板を各表示領域毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対して各表示用配線の検査をそれぞれ行う場合に比べて、複数の表示領域における各表示用配線の断線の有無が効率的に検査される。   According to this manufacturing method, by supplying a predetermined signal to the short-circuit wiring in each strip-shaped substrate, a signal is supplied to each display wiring through the short-circuit wiring. At this time, if any one of the display wirings is disconnected, the signal is not supplied to the point where the disconnected display wiring is disconnected. Thereby, the presence or absence of disconnection of each display wiring in each strip substrate is inspected. In this way, each display in a plurality of display areas is compared to a case where each strip-like substrate is divided into individual substrates for each display area and then each display wiring is inspected for each substrate. The presence or absence of disconnection of the work wiring is efficiently inspected.

また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、上記表示領域の外部において、上記各表示用配線及び上記短絡用配線の少なくとも一方にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含むことを特徴とする。   The active matrix substrate manufacturing method according to the present invention includes a display area provided with a plurality of display lines, a short-circuit line connected to each of the display lines outside the display area, and the short-circuit line. A preparatory step of preparing an active matrix forming substrate provided with a position confirmation pattern provided for the wiring; and laser light on at least one of the display wiring and the short-circuiting wiring outside the display area. , A connection release step for releasing the electrical connection between the display wirings, and a position check step for checking the positional relationship between the position check pattern and the region irradiated with the laser beam. It is characterized by including.

この製造方法によっても、レーザー光の照射によって各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程を行った後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程を行うため、位置確認工程において予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれが早期に検出される。さらに、レーザー光が照射された領域の位置ずれが検出された場合にそのレーザー光の照射領域の位置を所望の照射領域の位置に修正することにより、その後に互いの電気的な接続が解除される各表示用配線について、接続解除工程の後においてもそれら各表示用配線が互いに接続されたままとなることを抑制することが可能になる。   Also in this manufacturing method, after performing a disconnection process for canceling the electrical connection of each display wiring by laser light irradiation, the positional relationship between the position confirmation pattern and the region irradiated with the laser light is determined. In order to perform the position confirmation process to confirm, the position shift of the area | region where the laser beam irradiated with respect to the irradiation area | region of the laser beam previously set in the position confirmation process is detected at an early stage. Furthermore, when a position shift of the laser light irradiation area is detected, the electrical connection between the laser light irradiation areas is subsequently canceled by correcting the position of the laser light irradiation area to the position of the desired irradiation area. It is possible to prevent the display wirings from being connected to each other even after the connection release step.

本発明によれば、レーザー光の照射によって各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程を行った後に、位置確認用パターンとレーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程を行うので、予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出できる。   According to the present invention, the positional relationship between the position confirmation pattern and the region irradiated with the laser light is obtained after performing the connection releasing step of releasing the electrical connection between the display wirings by laser light irradiation. Since the position confirmation process to confirm is performed, the position shift of the area irradiated with the laser beam with respect to the preset irradiation area of the laser beam can be detected at an early stage.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments.

《発明の実施形態1》
図1〜図3は、本発明の実施形態1を示している。図1は、液晶表示装置1を概略的に示す平面図である。図2は、図1のII−II線に沿って液晶表示装置1を概略的に示す断面図である。図3は、液晶表示装置1を構成するアクティブマトリクス基板10を概略的に示す平面図である。
Embodiment 1 of the Invention
1 to 3 show Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1 is a plan view schematically showing the liquid crystal display device 1. FIG. 2 is a sectional view schematically showing the liquid crystal display device 1 along the line II-II in FIG. FIG. 3 is a plan view schematically showing the active matrix substrate 10 constituting the liquid crystal display device 1.

液晶表示装置1は、図1及び図2に示すように、液晶表示パネル44と、その液晶表示パネル44に実装された集積回路チップであるLSI(Large Scale Integration)ドライバチップ47とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device 1 includes a liquid crystal display panel 44 and an LSI (Large Scale Integration) driver chip 47 which is an integrated circuit chip mounted on the liquid crystal display panel 44. .

液晶表示パネル44は、アクティブマトリクス基板10と、アクティブマトリクス基板10に対向して配置された対向基板40と、これらアクティブマトリクス基板10と対向基板40との間に設けられた液晶層43とを備えている。この液晶表示パネル44は、マトリクス状に配置された複数の画素(図示省略)からなる表示領域Dを有している。   The liquid crystal display panel 44 includes an active matrix substrate 10, a counter substrate 40 disposed to face the active matrix substrate 10, and a liquid crystal layer 43 provided between the active matrix substrate 10 and the counter substrate 40. ing. The liquid crystal display panel 44 has a display area D composed of a plurality of pixels (not shown) arranged in a matrix.

アクティブマトリクス基板10及び対向基板40は、矩形状等に形成され、液晶層43側の表面に配向膜(図示省略)がそれぞれ設けられていると共に、液晶層43とは反対側の表面に偏光板45,46(図1では図示省略)がそれぞれ設けられている。   The active matrix substrate 10 and the counter substrate 40 are formed in a rectangular shape or the like, and an alignment film (not shown) is provided on the surface on the liquid crystal layer 43 side, and a polarizing plate on the surface opposite to the liquid crystal layer 43. 45 and 46 (not shown in FIG. 1) are provided.

これらアクティブマトリクス基板10と対向基板40との間には略枠状のシール材41が配置されており、シール材41の内側に液晶材料が封入されていることにより、上記液晶層43が設けられている。図1に示すように、シール材41には液晶材料を内側に注入するための注入口41aが形成されており、この注入口41aは封止材42によって塞がれている。シール材41は、絶縁性を有する接着材から形成されており、内部に導電粒子が分散されている。   A substantially frame-shaped sealing material 41 is disposed between the active matrix substrate 10 and the counter substrate 40, and a liquid crystal material is sealed inside the sealing material 41, whereby the liquid crystal layer 43 is provided. ing. As shown in FIG. 1, the sealing material 41 is formed with an injection port 41 a for injecting a liquid crystal material inside, and this injection port 41 a is closed by a sealing material 42. The sealing material 41 is formed from an adhesive having insulating properties, and conductive particles are dispersed therein.

アクティブマトリクス基板10は、図1に示すように、一辺側(図中下辺側)が対向基板40よりも外側に突出して設けられた端子領域10aを表示領域Dの外部に有し、この端子領域10aに上記LSIドライバチップ47が実装される実装領域10bが規定されている。   As shown in FIG. 1, the active matrix substrate 10 has a terminal region 10 a provided on one side (lower side in the drawing) protruding outside the counter substrate 40 outside the display region D. A mounting area 10b on which the LSI driver chip 47 is mounted is defined in 10a.

LSIドライバチップ47は、例えば絶縁性を有する接着材中に導電粒子が分散されてなる異方性導電フィルム(図示省略:Anisotropic Conductive Film、以下、ACFと称する)を介して実装され、このACF中の導電粒子を介して後述する実装領域10b上の各端子18,24に接続される。   The LSI driver chip 47 is mounted via, for example, an anisotropic conductive film (not shown: Anisotropic Conductive Film, hereinafter referred to as ACF) in which conductive particles are dispersed in an insulating adhesive. Are connected to the terminals 18 and 24 on the mounting region 10b described later via the conductive particles.

尚、本実施形態では、LSIドライバチップ47がACFを介して各端子18,24に接続されるとしているが、LSIドライバチップ47は、銀ペーストを介して各端子18,24に接続する銀ペースト接続方式や、金線等を介して各端子18,24に接続するワイヤボンディング方式等の他の接続方式によって実装されてもよい。   In the present embodiment, the LSI driver chip 47 is connected to the terminals 18 and 24 via the ACF, but the LSI driver chip 47 is connected to the terminals 18 and 24 via the silver paste. You may mount by other connection systems, such as a connection system and the wire bonding system connected to each terminal 18 and 24 via a gold wire.

このアクティブマトリクス基板10は、図3に示すように、表示領域Dに、複数の表示用配線として、互いに平行に延びる複数のゲート線11と、各ゲート線11に交差する方向に互いに平行に延びる複数のソース線12とが設けられている。図示は省略するが、各ゲート11線と各ソース12線との交差部付近にはこれら各ゲート線11及び各ソース線12に接続された薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、TFTと称する)がそれぞれ設けられており、それら各TFTには各画素に対応してマトリクス状に設けられた複数の画素電極がそれぞれ接続されている。   As shown in FIG. 3, the active matrix substrate 10 has a plurality of gate lines 11 extending in parallel to each other as display wirings in the display region D, and extends in parallel to each other in a direction intersecting each gate line 11. A plurality of source lines 12 are provided. Although not shown, thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) connected to the gate lines 11 and the source lines 12 are located near the intersections of the gate 11 lines and the source 12 lines, respectively. A plurality of pixel electrodes provided in a matrix corresponding to each pixel are connected to each TFT.

各ゲート線11は各画素の間において行方向(例えば図中横方向)に延びるように線状に設けられ、各ソース線12は各画素の間において列方向(例えば図中縦方向)に延びるように線状に設けられている。複数のゲート線11は、一方側(図中右側)から表示領域Dの外部に引き出された第1ゲート線11aと、これら各第1ゲート線11aの間に延びるように設けられて各第1ゲート線11aが引き出された方向とは反対側(図中左側)から表示領域Dの外部に引き出された複数の第2ゲート線11bとによって構成されている。   Each gate line 11 is provided in a linear shape so as to extend in the row direction (for example, the horizontal direction in the figure) between the pixels, and each source line 12 extends in the column direction (for example, the vertical direction in the figure) between the pixels. It is provided in the shape of a line. The plurality of gate lines 11 are provided so as to extend from one side (right side in the drawing) to the outside of the display region D and to extend between the first gate lines 11a. A plurality of second gate lines 11b led out of the display area D from the opposite side (left side in the figure) to the direction in which the gate lines 11a are drawn.

さらに、各ゲート線11の間には、これら各ゲート線11に沿って延びるように補助容量線15がそれぞれ形成されている。各補助容量線15は、図中に示すように、表示領域Dを囲むように矩形環状等に形成されたコモン配線16における左右方向の両側辺に接続されている。このコモン配線16の四隅には、シール材41中の導電粒子を介して後述する対向基板40の共通電極に電気的に接続されたコモン転移部17がそれぞれ設けられている。   Further, auxiliary capacitance lines 15 are formed between the gate lines 11 so as to extend along the gate lines 11. As shown in the drawing, each auxiliary capacitance line 15 is connected to both sides in the left-right direction of a common wiring 16 formed in a rectangular ring shape so as to surround the display region D. At the four corners of the common wiring 16, common transition portions 17 that are electrically connected to a common electrode of the counter substrate 40 described later via conductive particles in the sealing material 41 are provided.

また、図中左右方向に交互に表示領域Dの外部に引き出された各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bは、各ソース線12に沿ってそれぞれ互いに並んで端子領域10aに引き出され、表示領域Dの外部で第1配線群13及び第2配線群14をそれぞれ構成している。そして、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bは、実装領域10bを経由しており、その実装領域10bにLSIドライバチップ47に接続するためのゲートドライバ搭載用端子18がそれぞれ設けられている。これら各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bは、例えば、5μm〜10μm程度の配線幅に形成され、互いに20μm〜40μm程度の間隔で設けられている。   In addition, the first gate lines 11a and the second gate lines 11b that are alternately drawn to the outside of the display region D in the left-right direction in the drawing are drawn to the terminal region 10a alongside the source lines 12, respectively. The first wiring group 13 and the second wiring group 14 are configured outside the display area D, respectively. Each first gate line 11a and each second gate line 11b pass through the mounting area 10b, and a gate driver mounting terminal 18 for connecting to the LSI driver chip 47 is provided in the mounting area 10b. ing. Each of the first gate lines 11a and the second gate lines 11b is formed to have a wiring width of about 5 μm to 10 μm, for example, and is provided at an interval of about 20 μm to 40 μm.

さらに、このアクティブマトリクス基板10は、端子領域10aにおける実装領域10bよりも外側に設けられた短絡用配線であるショートリング19,20と、それらショートリング19,20に対して設けられた位置確認用パターン23とを備えている。   Further, the active matrix substrate 10 includes short rings 19 and 20 which are short-circuit wirings provided outside the mounting region 10b in the terminal region 10a, and position confirmation provided for the short rings 19 and 20. And a pattern 23.

各ショートリング19,20は、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bの引き出された先にそれぞれ設けられており、一端にゲート信号入力端子21,22がそれぞれ設けられている。各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bは、各ゲートドライバ搭載用端子18とショートリング19,20との間においてそれぞれ切断されている。これら各ゲート線11は、切断面からの酸化腐食等を抑制するために、LSIドライバチップ47を実装するためのACFによって切断面が覆われるように実装領域10b上で切断されている。   The short rings 19 and 20 are provided at the leading ends of the first gate lines 11a and the second gate lines 11b, respectively, and gate signal input terminals 21 and 22 are provided at one ends, respectively. Each first gate line 11a and each second gate line 11b are disconnected between each gate driver mounting terminal 18 and the short rings 19 and 20, respectively. Each of these gate lines 11 is cut on the mounting region 10b so that the cut surface is covered with the ACF for mounting the LSI driver chip 47 in order to suppress oxidation corrosion and the like from the cut surface.

そして、各ゲートドライバ搭載用端子18よりも外側に配置された各第1配線群13及び各第2配線群14の両側には、図中に示すように、各ゲート線11の切断された部分を挟むように一対の位置確認用パターン23がそれぞれ設けられている。これら一対の位置確認用パターン23は、1つの角が互いに向かい合う正三角形状(1辺が例えば100μm程度)に、ゲート線11又はソース線12と同じ金属材料等によって形成されている。また、これら一対の位置確認用パターン23は、各配線群13,14に対して、各ゲート線11との間でショートが生じない程度(例えば50μm程度)の間隔で設けられている。   As shown in the drawing, the cut portions of the gate lines 11 are provided on both sides of the first wiring groups 13 and the second wiring groups 14 arranged outside the gate driver mounting terminals 18. A pair of position confirmation patterns 23 are provided so as to sandwich the. The pair of position confirmation patterns 23 are formed of the same metal material as that of the gate lines 11 or the source lines 12 in a regular triangular shape with one corner facing each other (one side is about 100 μm, for example). Further, the pair of position confirmation patterns 23 are provided at intervals such that a short circuit does not occur between each wiring group 13 and 14 and each gate line 11 (for example, about 50 μm).

尚、本実施形態では、各位置確認用パターン23が正三角形状に形成されているとしているが、各位置確認用パターン23は、その他の多角形状や円形状等の種々の形状に形成されていてもよい。   In the present embodiment, each position confirmation pattern 23 is formed in a regular triangle shape, but each position confirmation pattern 23 is formed in various shapes such as other polygonal shapes and circular shapes. May be.

各ソース線12は、一方の端部がそれぞれ実装領域10bに引き出され、その引き出された端部にLSIドライバチップ47に接続するためのソースドライバ搭載用端子24がそれぞれ設けられている。これら各ソース線12の他方の端部は、それぞれTFT25のドレイン電極に接続されている。   One end of each source line 12 is led out to the mounting region 10b, and a source driver mounting terminal 24 for connecting to the LSI driver chip 47 is provided at the drawn end. The other end of each source line 12 is connected to the drain electrode of the TFT 25.

これら各TFT25のソース電極は、各第1配線群13の外側でそれら各第1ゲート線11aに沿ってゲート信号入力端子21側に延びるように端子領域10aに引き出された一対の引き出し配線26の一方に交互に接続されている。これら各引き出し配線26の引き出された端部には、ソース信号入力端子27がそれぞれ設けられている。   The source electrode of each of these TFTs 25 is a pair of lead-out wirings 26 led out to the terminal region 10a so as to extend to the gate signal input terminal 21 side along the respective first gate lines 11a outside the respective first wiring groups 13. They are alternately connected to one side. A source signal input terminal 27 is provided at each end of each lead-out wiring 26 drawn out.

また、各TFT25のゲート電極も、各第1配線群13の外側でそれら各第1ゲート線11aに沿ってゲート信号入力端子21側に延びるように端子領域10aに引き出された引き出し配線28に接続されている。その引き出し配線28の引き出された端部には、ソース信号入力端子27に並んでTFT駆動信号入力端子29が設けられている。   Further, the gate electrode of each TFT 25 is also connected to the lead-out wiring 28 led out to the terminal region 10a so as to extend to the gate signal input terminal 21 side along the first gate line 11a outside the first wiring group 13. Has been. A TFT drive signal input terminal 29 is provided alongside the source signal input terminal 27 at the end of the lead-out wiring 28 drawn out.

また、コモン配線16は、各第2配線群14の外側でそれら各第2ゲート線11bに沿ってゲート信号入力端子22側に延びるように端子領域10aに引き出されたコモン引き出し配線30に接続されている。このコモン引き出し配線30の引き出された端部には、コモン信号入力端子31が設けられている。   Further, the common wiring 16 is connected to a common lead wiring 30 led out to the terminal region 10a so as to extend to the gate signal input terminal 22 side along the second gate lines 11b outside the second wiring groups 14. ing. A common signal input terminal 31 is provided at the drawn end of the common lead wiring 30.

上記対向基板40は、図示は省略するが、表示領域Dに、各画素電極に重なり合うように複数のカラーフィルタが設けられ、これら各カラーフィルタを区画するようにブラックマトリクスが設けられている。そして、これら各カラーフィルタ及びブラックマトリクスを覆うように共通電極が設けられている。この共通電極は、シール材41中の導電粒子、コモン転移部17、コモン配線16及びコモン引き出し配線30を介してコモン信号入力端子31に電気的に接続されている。   Although the illustration of the counter substrate 40 is omitted, a plurality of color filters are provided in the display area D so as to overlap each pixel electrode, and a black matrix is provided so as to partition these color filters. A common electrode is provided so as to cover these color filters and the black matrix. The common electrode is electrically connected to the common signal input terminal 31 through the conductive particles in the sealing material 41, the common transition portion 17, the common wiring 16, and the common lead-out wiring 30.

こうして、液晶表示装置1は、コモン信号入力端子31に一定の共通信号を入力しながら、LSIドライバチップ47によって、各ゲート線11に所定のゲート信号を供給すると共に各ソース線12に所定のソース信号を供給することにより、各ゲート線11に接続されたTFTを順にオン状態に切り替え、ドレイン電極を介して各画素電極に所定の電荷を書き込む。これにより、各画素電極と共通電極との間で液晶層43に所定の電圧が印加されることによって、各画素毎に液晶分子の配向を制御して所望の画像表示を行うように構成されている。   Thus, the liquid crystal display device 1 supplies a predetermined gate signal to each gate line 11 by the LSI driver chip 47 and inputs a predetermined source to each source line 12 while inputting a certain common signal to the common signal input terminal 31. By supplying a signal, the TFT connected to each gate line 11 is sequentially turned on, and a predetermined charge is written to each pixel electrode via the drain electrode. As a result, a predetermined voltage is applied to the liquid crystal layer 43 between each pixel electrode and the common electrode, thereby controlling the orientation of liquid crystal molecules for each pixel and performing a desired image display. Yes.

−製造方法−
次に、上記液晶表示装置1を製造する方法について、図4〜図16を参照しながら説明する。図4は、液晶表示装置1の製造方法のフローを概略的に示す図である。図5及び図6は、アクティブマトリクス形成用基板50について説明するための図である。図7は、対向形成用基板52を概略的に示す平面図である。図8は、貼り合わせ母基板55を概略的に示す平面図である。図9及び図10は、液晶層封入工程S5の前後における短冊状パネル60を概略的に示す平面図である。図11〜図16は、接続解除工程S7、位置確認工程S8、抵抗測定工程S9及び第2分断工程S11を説明するための図である。
-Manufacturing method-
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a diagram schematically showing a flow of a manufacturing method of the liquid crystal display device 1. 5 and 6 are diagrams for explaining the active matrix forming substrate 50. FIG. FIG. 7 is a plan view schematically showing the counter-forming substrate 52. FIG. 8 is a plan view schematically showing the bonded mother substrate 55. 9 and 10 are plan views schematically showing the strip-shaped panel 60 before and after the liquid crystal layer sealing step S5. FIGS. 11-16 is a figure for demonstrating connection cancellation | release process S7, position confirmation process S8, resistance measurement process S9, and 2nd parting process S11.

この液晶表示装置1の製造方法には、図4に示すように、アクティブマトリクス形成用基板準備工程S1と、対向形成用基板準備工程S2と、貼り合わせ工程S3と、第1分断工程S4と、液晶層封入工程S5と、検査工程S6と、接続解除工程S7と、位置確認工程S8と、抵抗測定工程S9と、再接続解除工程S10と、第2分断工程S11と、実装工程S12とが含まれる。   As shown in FIG. 4, the manufacturing method of the liquid crystal display device 1 includes an active matrix forming substrate preparing step S1, an opposing forming substrate preparing step S2, a bonding step S3, a first dividing step S4, Includes a liquid crystal layer sealing step S5, an inspection step S6, a connection release step S7, a position confirmation step S8, a resistance measurement step S9, a reconnection release step S10, a second dividing step S11, and a mounting step S12. It is.

(アクティブマトリクス形成用基板準備工程)
アクティブマトリクス形成用基板準備工程S1では、複数のガラス基板の集合体であるガラス母基板に、図5に示すように、複数の表示領域Dがマトリクス状に規定され、各表示領域D毎に複数の配線11,12,15,16,19,20,26,28,30、端子18,21,22,24,27,29,31、位置確認用パターン23,TFT及び画素電極等(図5ではいずれも図示省略)が形成されたアクティブマトリクス形成用基板50を準備する。
(Active matrix formation substrate preparation process)
In the active matrix forming substrate preparation step S1, a plurality of display areas D are defined in a matrix form on a glass mother substrate, which is an aggregate of a plurality of glass substrates, and a plurality of display areas D are provided for each display area D. Wirings 11, 12, 15, 16, 19, 20, 26, 28, 30, terminals 18, 21, 22, 24, 27, 29, 31, position confirmation patterns 23, TFTs, pixel electrodes, etc. (in FIG. 5) An active matrix forming substrate 50 on which is not shown) is prepared.

すなわち、このアクティブマトリクス形成用基板50は、複数のアクティブマトリクス基板10を形成する領域(以下、アクティブマトリクス基板領域と称する)51がマトリクス状に配置され、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bを切断する前の状態の複数のアクティブマトリクス基板の集合体として作製されている。つまり、各アクティブマトリクス基板領域51は、図6に示すように、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bの引き出された端部が互いに異なるショートリング19,20に接続され、それぞれ互いに電気的に接続されている。これにより、各配線群13,14において、各ゲート線11が同電位に保持され、製造工程中に特定のゲート線11のみに静電気に起因する高電圧が印加されて各TFTの静電破壊や特性劣化がもたらされることが抑制される。そして、一対の位置確認用パターン23の間には、全ての各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bを横断するように2500μm程度の長さのレーザー光の照射領域Aがそれぞれ設定されている。   That is, in this active matrix forming substrate 50, regions (hereinafter referred to as active matrix substrate regions) 51 for forming a plurality of active matrix substrates 10 are arranged in a matrix, and each first gate line 11a and each second gate is formed. It is fabricated as an aggregate of a plurality of active matrix substrates in a state before the line 11b is cut. That is, as shown in FIG. 6, each active matrix substrate region 51 is connected to different short rings 19 and 20 at which drawn ends of the first gate lines 11a and the second gate lines 11b are connected to each other. Electrically connected. Thereby, in each wiring group 13, 14, each gate line 11 is held at the same potential, and a high voltage due to static electricity is applied only to the specific gate line 11 during the manufacturing process, and electrostatic breakdown or damage of each TFT. It is suppressed that characteristic deterioration is caused. Between the pair of position confirmation patterns 23, an irradiation area A of a laser beam having a length of about 2500 μm is set so as to cross all the first gate lines 11a and the second gate lines 11b. ing.

尚、各照射領域Aの長さは、液晶表示装置1における画素数に対応するゲート線11の本数によって異なるため、適宜設定することが可能であり、全ての各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bを横断するように設定されていればよい。   The length of each irradiation region A varies depending on the number of gate lines 11 corresponding to the number of pixels in the liquid crystal display device 1, and can be set as appropriate. All the first gate lines 11a and each first gate line 11 can be set appropriately. It is only necessary to set so as to cross the two gate lines 11b.

その後、例えば純水、超音波及び紫外線の照射等によってアクティブマトリクス形成用基板50を洗浄して基板表面に付着したパーティクルや不純物を除去する。続いて、印刷法によってアクティブマトリクス形成用基板50に配向膜を設ける。   Thereafter, the active matrix forming substrate 50 is cleaned by, for example, irradiation with pure water, ultrasonic waves, or ultraviolet rays to remove particles and impurities attached to the substrate surface. Subsequently, an alignment film is provided on the active matrix forming substrate 50 by a printing method.

(対向形成用基板準備工程)
対向形成用基板準備工程S2では、図7に示すように、ガラス母基板に複数の表示領域Dが規定され、各表示領域D毎に複数のカラーフィルタ及び共通電極が形成された対向形成用基板52を準備する。すなわち、この対向形成用基板52は、複数の対向基板40を形成する領域(以下、対向基板領域と称する)53がマトリクス状に配置され、複数の対向基板40の集合体として作製されている。
(Opposite forming substrate preparation process)
In the counter forming substrate preparation step S2, as shown in FIG. 7, a plurality of display regions D are defined on the glass mother substrate, and a plurality of color filters and common electrodes are formed for each display region D. 52 is prepared. That is, the counter forming substrate 52 is manufactured as an aggregate of a plurality of counter substrates 40 in which regions (hereinafter referred to as counter substrate regions) 53 on which a plurality of counter substrates 40 are formed are arranged in a matrix.

その後、上記アクティブマトリクス形成用基板50と同様に、対向形成用基板52を洗浄し、その洗浄後の対向形成用基板52に印刷法によって配向膜を設ける。   Thereafter, similarly to the active matrix forming substrate 50, the counter forming substrate 52 is cleaned, and an alignment film is provided on the counter forming substrate 52 after the cleaning by a printing method.

(貼り合わせ工程)
次に、貼り合わせ工程S3では、まず、対向形成用基板52の表面に対し、スクリーン印刷又はディスペンサ等によって各対向基板領域53に未硬化のシール材41をそれぞれ略枠状に供給する。続いて、端子領域10aを除く各アクティブマトリクス基板領域51及び各対向基板領域53がシール材41を介して互いに重なり合うようにアクティブマトリクス形成用基板50と対向形成用基板52とを貼り合わせた後、紫外線による露光処理や加熱処理等を行うことによって各シール材41を硬化させる。そうして、図8に示すように、各アクティブマトリクス基板領域51と各対向基板領域53とがシール材41を介して貼り合わされた複数の貼り合わせ基板領域56を含む貼り合わせ母基板55を作製する。各貼り合わせ基板領域56は、アクティブマトリクス基板領域51と対向基板領域53との間でシール材41によって仕切られた空隙セル57を有している。
(Lamination process)
Next, in the bonding step S3, first, the uncured sealing material 41 is supplied to each counter substrate region 53 in a substantially frame shape on the surface of the counter forming substrate 52 by screen printing or a dispenser. Subsequently, after bonding the active matrix forming substrate 50 and the counter forming substrate 52 so that each active matrix substrate region 51 and each counter substrate region 53 except the terminal region 10a overlap each other via the sealant 41, Each sealing material 41 is hardened by performing exposure processing, heat treatment, or the like using ultraviolet rays. Then, as shown in FIG. 8, a bonded mother substrate 55 including a plurality of bonded substrate regions 56 in which each active matrix substrate region 51 and each counter substrate region 53 are bonded through the sealing material 41 is manufactured. To do. Each bonded substrate region 56 has void cells 57 partitioned by the sealing material 41 between the active matrix substrate region 51 and the counter substrate region 53.

尚、本実施形態では、対向形成用基板53にシール材41を供給するとして説明しているが、アクティブマトリクス形成用基板50の表面に対し、各アクティブマトリクス基板領域51にシール材41を供給するようにしてもよい。   In this embodiment, the sealing material 41 is described as being supplied to the counter forming substrate 53. However, the sealing material 41 is supplied to each active matrix substrate region 51 with respect to the surface of the active matrix forming substrate 50. You may do it.

(第1分断工程)
次に行う第1分断工程S4では、例えばレーザー光の照射又はカッターホイールを用いたスクライブブレイク法等により、貼り合わせ母基板55を分断ライン58,59上で複数の貼り合わせ基板領域56(表示領域D)における各行毎に分断する。このとき、分断ライン58においては、アクティブマトリクス形成用基板50及び対向形成用基板52の双方を分断する。一方、分断ライン59においては、対向形成用基板52のみを分断して各端子領域10aを対向形成用基板52から露出させる。そうして、貼り合わせ母基板55を分断して、図9に示す短冊状パネル60を複数形成する。このとき、アクティブマトリクス形成用基板50が複数のアクティブマトリクス基板領域51の各行毎に分断されて各短冊状パネル60をそれぞれ構成する複数の短冊状基板61となり、対向形成用基板52が複数の対向基板領域53の各行毎に分断されて各短冊状パネル60をそれぞれ構成する複数の短冊状基板62となる。
(First parting process)
In the first dividing step S4 to be performed next, the bonded mother substrate 55 is divided into a plurality of bonded substrate regions 56 (display regions) on the dividing lines 58 and 59 by, for example, laser light irradiation or a scribe break method using a cutter wheel. Divide every line in D). At this time, the dividing line 58 divides both the active matrix forming substrate 50 and the opposing forming substrate 52. On the other hand, in the dividing line 59, only the opposing formation substrate 52 is divided to expose each terminal region 10 a from the opposing formation substrate 52. Then, the bonded mother substrate 55 is divided to form a plurality of strip-shaped panels 60 shown in FIG. At this time, the active matrix forming substrate 50 is divided for each row of the plurality of active matrix substrate regions 51 to form a plurality of strip-shaped substrates 61 constituting the respective strip-shaped panels 60, and the counter-forming substrate 52 is configured to have a plurality of counter-facing substrates 52. A plurality of strip-shaped substrates 62 constituting the respective strip-shaped panels 60 are divided by each row of the substrate region 53.

(液晶層封入工程)
続いて行う液晶層封入工程S5では、まず、各短冊状パネル60を真空処理室に搬入した後、各短冊状パネル60における各貼り合わせ基板領域56の注入口41aを液晶材料に漬ける。そして、真空処理室の内部を真空引きすることによって、各貼り合わせ基板領域56の空隙セル57に液晶材料を充填する。
(Liquid crystal layer sealing process)
In the subsequent liquid crystal layer sealing step S5, first, each strip-shaped panel 60 is carried into a vacuum processing chamber, and then the inlet 41a of each bonded substrate region 56 in each strip-shaped panel 60 is immersed in a liquid crystal material. Then, the inside of the vacuum processing chamber is evacuated to fill the gap cells 57 of the bonded substrate regions 56 with the liquid crystal material.

その後、真空処理室の気圧を大気圧に戻して各短冊状パネル60を真空処理室から搬出し、各貼り合わせ基板領域56の注入口41aを覆うように封止材42を塗布して注入口41aを塞ぐ。そうして、図10に示すように、各貼り合わせ基板領域56のシール材41の内側に液晶層43を封入することにより、それら各貼り合わせ基板領域56が液晶表示パネル44の構造を有することとなる。   Thereafter, the atmospheric pressure in the vacuum processing chamber is returned to atmospheric pressure, and each strip-shaped panel 60 is unloaded from the vacuum processing chamber, and a sealing material 42 is applied so as to cover the injection port 41a of each bonded substrate region 56, and the injection port Block 41a. Then, as shown in FIG. 10, by encapsulating the liquid crystal layer 43 inside the sealing material 41 of each bonded substrate region 56, each bonded substrate region 56 has the structure of the liquid crystal display panel 44. It becomes.

(検査工程)
次に行う検査工程S6では、各短冊状パネル60(短冊状基板61)における各ショートリング19,20に所定のゲート検査信号を供給することにより、各表示領域D毎の各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bを検査する。
(Inspection process)
In the next inspection step S6, a predetermined gate inspection signal is supplied to each short ring 19 and 20 in each strip panel 60 (strip substrate 61), whereby each first gate line 11a for each display region D is supplied. And each 2nd gate line 11b is test | inspected.

具体的に、この検査工程S6では、コモン信号入力端子31に一定のコモン検査信号を入力すると共に、TFT駆動信号入力端子29にTFT駆動信号を入力することによって各TFT25をオン状態にしながら、ゲート信号入力端子21,22に書き込み時間だけタイミングをずらして所定のゲート検査信号をそれぞれ入力することにより、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bに接続されたTFTを順にオン状態に切り替える。そして、各ソース信号入力端子27に所定のソース検査信号を入力することによって、ドレイン電極を介して特定の画素電極に所定の電荷を書き込む。そうして、特定の画素電極と共通電極との間で液晶層43に所定の電圧が印加されることにより、その画素電極を含む画素が点灯状態となる。   Specifically, in this inspection step S6, a constant common inspection signal is input to the common signal input terminal 31 and a TFT drive signal is input to the TFT drive signal input terminal 29 to turn on the TFTs 25 and turn on the gates. By inputting predetermined gate inspection signals to the signal input terminals 21 and 22 while shifting the timing by the writing time, the TFTs connected to the first gate lines 11a and the second gate lines 11b are sequentially turned on. . Then, by inputting a predetermined source inspection signal to each source signal input terminal 27, a predetermined charge is written to a specific pixel electrode via the drain electrode. Then, when a predetermined voltage is applied to the liquid crystal layer 43 between the specific pixel electrode and the common electrode, the pixel including the pixel electrode is turned on.

このとき、各ゲート線11が断線している場合には、各ゲート線11にゲート検査信号を供給したときに、断線しているゲート線11において、その断線した先には上記ゲート検査信号が供給されず、断線した先で接続された画素電極を含む画素は非点灯状態となる。このことから、各ゲート線11の断線を検出する。   At this time, when each gate line 11 is disconnected, when the gate inspection signal is supplied to each gate line 11, the gate inspection signal is connected to the disconnected gate line 11 when the gate inspection signal is disconnected. A pixel that is not supplied and includes a pixel electrode that is connected at a disconnected point is in a non-lighting state. From this, disconnection of each gate line 11 is detected.

また、各第1ゲート線11aと各第2ゲート線11bとの間でリークが生じた場合には、各第1ゲート線11aにゲート検査信号を供給したときに、ゲート検査信号が未供給であるはずのリーク先の第2ゲート線11bにもその信号が供給され、そのリーク先の第2ゲート線11bに接続された画素電極を含む画素も点灯状態となる。そして、各第2ゲート線11bにゲート検査信号を供給したときに、ゲート検査信号が未供給であるはずのリーク先の第1ゲート線11aに接続された画素電極を含む画素が点灯状態となる。このことから、各第1ゲート線11aと各第2ゲート線11bとの間のリークを検出する。   In addition, when a leak occurs between each first gate line 11a and each second gate line 11b, the gate inspection signal is not supplied when the gate inspection signal is supplied to each first gate line 11a. The signal is also supplied to the leaked second gate line 11b, and the pixel including the pixel electrode connected to the leaked second gate line 11b is also turned on. When a gate inspection signal is supplied to each second gate line 11b, a pixel including a pixel electrode connected to the first gate line 11a to which the gate inspection signal should not be supplied is turned on. . From this, a leak between each first gate line 11a and each second gate line 11b is detected.

(接続解除工程)
次に行う接続解除工程S7では、各短冊状パネル60において、一対の位置確認用パターン23の間に予め設定された各照射領域Aで各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bに連続してレーザー光を照射することにより、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bにおける互いの電気的な接続それぞれ解除する。
(Disconnection process)
In the next connection release step S7, in each strip-shaped panel 60, the first gate line 11a and the second gate line 11b are continuously connected in each irradiation region A preset between the pair of position confirmation patterns 23. By irradiating the laser beam, the electrical connection between the first gate lines 11a and the second gate lines 11b is released.

この接続解除工程S7では、まず、図11に示すように、各短冊状パネル60をステージ63に載置する。このとき、短冊状基板62をステージ63側に配置させ、その短冊状基板62をステージ63によって吸着することによって短冊状パネル60を保持する。すなわち、短冊状基板61は各ゲート線11が設けられた側がステージ側を向いている。そして、短冊状基板61における各ゲート線11が設けられた側とは反対側から各照射領域Aにレーザー光を照射する。ここで、図11中の矢印64はレーザー光を照射する方向を示している。   In the connection release step S7, first, each strip-shaped panel 60 is placed on the stage 63 as shown in FIG. At this time, the strip-shaped substrate 62 is disposed on the stage 63 side, and the strip-shaped substrate 62 is held by adsorbing the strip-shaped substrate 62 by the stage 63. That is, in the strip-shaped substrate 61, the side where each gate line 11 is provided faces the stage side. And each irradiation area | region A is irradiated with a laser beam from the opposite side to the side in which each gate line 11 in the strip-shaped board | substrate 61 was provided. Here, an arrow 64 in FIG. 11 indicates a direction in which the laser beam is irradiated.

各第1ゲート線11aの互いの電気的な接続を解除する場合には、図12に示すように、レーザーカット装置から出射するレーザー光のスポットSを予め設定された照射領域Aの一端側(図中右端側)の開始点に合わせてレーザー光を照射し、その開始点から他端側(図中左端側)に向かってレーザー光のスポットSを移動させて照射領域Aの全体にレーザー光を照射する。そうして、各第1ゲート線11aにレーザー光を照射することにより、そのレーザー光が照射された領域Bに重なる各第1ゲート線11aの被照射部分を熔融及び蒸発させて各第1ゲート線11aを切断し、各第1ゲート線11aとショートリング19とを切り離す。これによって、各第1ゲート線11aの互いの電気的な接続を解除する。   When the electrical connection between the first gate lines 11a is canceled, as shown in FIG. 12, a spot S of the laser beam emitted from the laser cutting device is set to one end side of a preset irradiation area A ( Laser light is irradiated in accordance with the start point on the right end side in the figure, and the laser light spot S is moved from the start point toward the other end side (left end side in the figure) to apply laser light to the entire irradiation area A. Irradiate. Then, by irradiating each first gate line 11a with a laser beam, the irradiated portion of each first gate line 11a overlapping the region B irradiated with the laser beam is melted and evaporated to each first gate. The line 11a is cut, and each first gate line 11a and the short ring 19 are cut off. As a result, the electrical connection between the first gate lines 11a is released.

続いて、各第2ゲート線11bの互いの電気的な接続を解除する場合にも、上述した各第1ゲート線11aと同様に、レーザー光を照射することよって各第2ゲート線11bを切断してそれら各第2ゲート線11bとショートリング20とを切り離す。そうして、このレーザー光の照射による各1ゲート線11a及び第2ゲート線11bの切断を、各短冊状パネル60における各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bに対して連続して行うことにより、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bにおける互いの電気的な接続を連続して解除する。   Subsequently, even when the electrical connection between the second gate lines 11b is released, similarly to the first gate lines 11a described above, each second gate line 11b is cut by irradiating laser light. Then, each of the second gate lines 11b and the short ring 20 are separated. Then, the cutting of each gate line 11a and second gate line 11b by this laser light irradiation is continuously performed on each first gate line 11a and each second gate line 11b in each strip-shaped panel 60. By doing so, the electrical connection between each first gate line 11a and each second gate line 11b is continuously released.

(位置確認工程)
その後行う位置確認工程S8では、一対の位置確認用パターン23とレーザー光が照射された領域Bとの位置関係を簡易ルーペを用いて目視によって確認する。ここで、簡易ルーペには、視認する領域を例えば30倍程度拡大できるものを用いる。
(Position confirmation process)
In the subsequent position confirmation step S8, the positional relationship between the pair of position confirmation patterns 23 and the region B irradiated with the laser light is visually confirmed using a simple loupe. Here, as the simple loupe, one that can enlarge the visible region, for example, about 30 times is used.

この位置確認工程S8では、上記接続解除工程S7において、図13に示すように、予め設定された所望の照射領域A上に精度良くレーザー光が照射された場合、レーザー光の照射痕が、一対の位置確認用パターン23の対向する角を結ぶように、その一対の位置確認用パターン23の一方から他方に向かって延びるように残っていることが視認される。これに対して、図14に示すように、レーザーカット装置の不具合によって上記接続解除工程S7において所望の照射領域A上からずれてレーザー光が照射された場合には、レーザー光の照射痕が、一対の位置確認用パターン23の一方から他方に向かう方向に対して斜め方向に延びるように残っていることが視認される。このことから、予め設定した照射領域Aに対するレーザー光が照射された領域Bの位置ずれが検出される。   In this position confirmation step S8, in the connection release step S7, as shown in FIG. 13, when laser light is irradiated with high precision onto a predetermined desired irradiation area A, a pair of laser light irradiation traces is formed. It is visually recognized that the position confirmation pattern 23 remains so as to extend from one of the pair of position confirmation patterns 23 to the other so as to connect opposite corners. On the other hand, as shown in FIG. 14, when laser light is irradiated off the desired irradiation region A in the connection release step S7 due to a defect of the laser cutting device, the irradiation mark of the laser light is It is visually recognized that the pair of position confirmation patterns 23 remain so as to extend obliquely with respect to the direction from one to the other. From this, the position shift of the region B irradiated with the laser beam with respect to the preset irradiation region A is detected.

そして、位置確認工程S8において所望の照射領域Aに対するレーザー光が照射された領域Bの位置ずれが検出された場合には、レーザーカット装置の不具合と判断し、レーザー光の照射領域Bの位置が所望の照射領域Aの位置になるようにレーザーカット装置の設定を修正する。尚、この位置確認工程S8は、各短冊状パネル60における各貼り合わせ基板領域56の全てに行う必要はなく、例えば数個〜数百個程度の短冊状パネル60から抜き取りによって行えばよい。   And when position shift of the area | region B where the laser beam was irradiated with respect to the desired irradiation area | region A is detected in position confirmation process S8, it judges that it is a malfunction of a laser cut apparatus, and the position of the irradiation area | region B of a laser beam is The setting of the laser cutting apparatus is corrected so that the position of the desired irradiation area A is obtained. The position confirmation step S8 need not be performed on all the bonded substrate regions 56 in each strip-shaped panel 60, and may be performed by, for example, extracting from about several to several hundred strip-shaped panels 60.

(抵抗測定工程)
次に行う抵抗測定工程S9では、各短冊状パネル60において、図15に示すように、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bにおけるレーザー光が照射された領域Bを挟む部分の間の電気抵抗をそれぞれ測定する。この抵抗測定工程S9では、各ゲート線11におけるショートリング19,20との接続部と各ゲートドライバ搭載用端子18との間の電気抵抗を抵抗測定器65によって測定する。抵抗測定器65は上記各ゲート線11の接続部及び各端子18に接触させる電極66を有しており、この電極66は各ゲート線11の接続部及び各端子18の全面を接触させる観点から導電性ゴムによって形成されている。
(Resistance measurement process)
In the resistance measurement step S9 to be performed next, in each strip-shaped panel 60, as shown in FIG. 15, between the portions sandwiching the region B irradiated with the laser light in each first gate line 11a and each second gate line 11b. Measure the electrical resistance of each. In this resistance measurement step S <b> 9, the electrical resistance between the connection portions of the gate lines 11 with the short rings 19 and 20 and the gate driver mounting terminals 18 is measured by the resistance measuring device 65. The resistance measuring device 65 has an electrode 66 that is in contact with the connection portion of each gate line 11 and each terminal 18, and this electrode 66 is in view of bringing the connection portion of each gate line 11 and the entire surface of each terminal 18 into contact with each other. It is made of conductive rubber.

尚、本実施形態では、抵抗測定器65の電極66が導電性ゴムによって形成されているとしているが、この電極66は、導電性材料によって形成されていれば特に限定されるものではない。   In the present embodiment, the electrode 66 of the resistance measuring device 65 is formed of conductive rubber, but the electrode 66 is not particularly limited as long as it is formed of a conductive material.

この抵抗測定工程S9において、図中左側に示すように、各ゲート線(第2ゲート線11b)11に切断不良が生じている場合には所定の電気抵抗(例えば数十kΩ〜数百kΩ程度)が測定されるのに対し、図中右側に示すように、各ゲート線(各第1ゲート線11a)11が切断されている場合にはその所定の電気抵抗に対して測定される電気抵抗が著しく大きくなる。このことから、それら各ゲート線11が確かに切断されているか否か、つまり各ゲート線11の切断不良の有無が確認される。   In this resistance measurement step S9, as shown on the left side in the figure, when a disconnection failure occurs in each gate line (second gate line 11b) 11, a predetermined electric resistance (for example, about several tens kΩ to several hundred kΩ). ) Is measured, as shown on the right side of the figure, when each gate line (each first gate line 11a) 11 is cut, the electric resistance measured with respect to the predetermined electric resistance. Becomes significantly larger. From this, it is confirmed whether or not each gate line 11 is surely cut, that is, whether or not each gate line 11 is cut off.

このように、抵抗測定工程S9によって測定された電気抵抗に基づいて各ゲート線11の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合、すなわち抵抗測定工程S9において上記所定の電気抵抗が測定された場合には、再接続解除工程S10を行う。   As described above, when it is determined that at least a part of each gate line 11 is defective in cutting based on the electric resistance measured in the resistance measuring step S9, that is, the predetermined electric resistance is measured in the resistance measuring step S9. If so, a reconnection release step S10 is performed.

(再接続解除工程)
再接続解除工程S10では、抵抗測定工程S9において少なくとも一部に切断不良が生じていると判断された各ゲート線11に対し、上述の接続解除工程S7と同様に、一対の位置確認用パターン23の間で各ゲート線11にレーザー光を再度照射し、それら各ゲート線11の互いの電気的な接続を解除する。その後、再び抵抗測定工程S9を行って、各ゲート線11の切断不良の有無を確認する。このように、抵抗測定工程S9において各ゲート線11が確かに切断されていると判断されるまで、抵抗測定工程S9及び再接続解除工程S10を繰り返し行い、その後に第2分断工程S11を行う。
(Reconnection release process)
In the reconnection release step S10, a pair of position confirmation patterns 23 is applied to each gate line 11 that is determined to have at least partly disconnected in the resistance measurement step S9, as in the connection release step S7. In between, the gate lines 11 are again irradiated with laser light, and the electrical connections of the gate lines 11 are released. Thereafter, the resistance measurement step S9 is performed again to check whether or not each gate line 11 has a cutting defect. As described above, the resistance measurement step S9 and the reconnection release step S10 are repeated until it is determined that the gate lines 11 are surely disconnected in the resistance measurement step S9, and then the second dividing step S11 is performed.

(第2分断工程)
次に行う第2分断工程S11では、第1分断工程S4と同様にレーザー光の照射又はカッターホイールを用いたスクライブブレイク法等によって、各短冊状パネル60を各貼り合わせ基板領域56(表示領域D)毎に分断することにより、図16に示すように、複数の液晶表示パネル44を形成する。このとき、各短冊状基板61が各アクティブマトリクス基板領域51毎に分断されて複数のアクティブマトリクス基板10が作製され、各短冊状基板62が各対向基板領域53毎に分断されて複数の対向基板40が作製される。
(Second parting process)
In the second dividing step S11 to be performed next, each strip-shaped panel 60 is attached to each bonded substrate region 56 (display region D) by laser light irradiation or a scribe break method using a cutter wheel, as in the first dividing step S4. ) To form a plurality of liquid crystal display panels 44 as shown in FIG. At this time, each strip substrate 61 is divided into each active matrix substrate region 51 to produce a plurality of active matrix substrates 10, and each strip substrate 62 is divided into each counter substrate region 53 to form a plurality of counter substrates. 40 is produced.

その後、各液晶表示パネル44の両面に加圧ローラー等によって偏光板45,46をそれぞれ貼り付け、これら偏光板45,46が貼り付けられた各液晶表示パネル44に実装工程S12を行う。   Thereafter, polarizing plates 45 and 46 are respectively attached to both surfaces of each liquid crystal display panel 44 by a pressure roller or the like, and a mounting step S12 is performed on each liquid crystal display panel 44 to which the polarizing plates 45 and 46 are attached.

(実装工程)
実装工程S12では、各液晶表示パネル44における実装領域10bにACFを配置した後に、その実装領域10bにACFを介してLSIドライバチップ47を圧着することにより、各液晶表示パネル44にLSIドライバチップ47を実装する。以上の工程を行うことによって、液晶表示装置1が製造される。
(Mounting process)
In the mounting step S12, after the ACF is arranged in the mounting area 10b of each liquid crystal display panel 44, the LSI driver chip 47 is pressure-bonded to the mounting area 10b via the ACF, whereby the LSI driver chip 47 is applied to each liquid crystal display panel 44. Is implemented. The liquid crystal display device 1 is manufactured by performing the above steps.

−実施形態1の効果−
したがって、この実施形態1によると、レーザー光の照射によって各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bを切断してそれら各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bの互いの電気的な接続をそれぞれ解除する接続解除工程S7を行った後に、位置確認用パターン23とレーザー光が照射された領域Bとの位置関係を確認する位置確認工程S8を行うことにより、接続解除工程S7を行う際にレーザーカット装置の不具合によって予め設定したレーザー光の照射領域Aに対して実際のレーザー光が照射された領域Bに位置ずれが生じたとしても、位置確認工程S8においてそのレーザー光が照射された領域Bの位置ずれを早期に検出できる。
-Effect of Embodiment 1-
Therefore, according to the first embodiment, the first gate lines 11a and the second gate lines 11b are cut by laser light irradiation, and the first gate lines 11a and the second gate lines 11b are electrically connected to each other. After performing the connection release step S7 for releasing each of the individual connections, the connection release step S7 is performed by performing a position confirmation step S8 for confirming the positional relationship between the position confirmation pattern 23 and the region B irradiated with the laser beam. Even if a position shift occurs in the region B where the actual laser beam is irradiated with respect to the preset laser beam irradiation region A due to a defect in the laser cutting device, the laser beam is irradiated in the position confirmation step S8. It is possible to detect the positional deviation of the region B that has been performed at an early stage.

そして、レーザー光が照射された領域Bの位置ずれが検出された場合にそのレーザー光の照射領域Bの位置を所望の照射領域Aの位置に修正するため、その後に互いの電気的な接続が解除される各ゲート線11に切断不良が生じることを抑制できる。   And when the position shift of the area | region B irradiated with the laser beam is detected, in order to correct the position of the irradiation region B of the laser beam to the position of the desired irradiation region A, the mutual electrical connection is performed thereafter. It is possible to suppress a disconnection failure in each gate line 11 to be released.

ところで、仮に、接続解除工程S7において、図17に示すように、短冊状基板61における各ゲート線11が設けられた側から照射領域Aにレーザー光を照射した場合には、図18及び図19に示すように、熔融した各ゲート線11の配線材料が微粒子67となって飛散してレーザー光が照射された領域Bの周辺に散在するため、その散在した微粒子67によって隣り合う各ゲート線11が再び電気的に接続される等の2次不良が生じる虞がある。ここで、図18中の矢印68は配線材料の微粒子67の飛散方向を示している。   Incidentally, in the connection release step S7, as shown in FIG. 17, when the irradiation region A is irradiated with laser light from the side where the gate lines 11 are provided in the strip-shaped substrate 61, FIG. 18 and FIG. As shown in FIG. 4, since the melted wiring material of each gate line 11 is scattered as fine particles 67 and scattered around the region B irradiated with the laser beam, the adjacent gate lines 11 are scattered by the scattered fine particles 67. There is a risk of secondary defects such as being electrically connected again. Here, the arrow 68 in FIG. 18 indicates the scattering direction of the fine particles 67 of the wiring material.

これ対して、本実施形態では、短冊状基板61における各ゲート線11が設けられた側とは反対側から照射領域Aにレーザー光を照射するため、図20に示すように、レーザー光の照射によって飛散した各ゲート線11の配線材料の微粒子67が重力によって物理的にステージ63側に落ちる。ここで、図20中の矢印69は配線材料の微粒子67の飛散方向を示している。そのことにより、図21に示すように、レーザー光が照射された領域Bの周辺に散在する配線材料の微粒子67を減少させることができ、その散在した微粒子67によって隣り合う各ゲート線11が再び電気的に接続される等の2次不良を抑制できる。   On the other hand, in the present embodiment, the irradiation region A is irradiated with laser light from the side opposite to the side where each gate line 11 is provided in the strip-shaped substrate 61. Therefore, as shown in FIG. The fine particles 67 of the wiring material of the respective gate lines 11 that have been scattered due to the above are physically dropped to the stage 63 side by gravity. Here, an arrow 69 in FIG. 20 indicates the scattering direction of the fine particles 67 of the wiring material. As a result, as shown in FIG. 21, the wiring material fine particles 67 scattered around the region B irradiated with the laser light can be reduced, and the adjacent gate lines 11 are again connected by the scattered fine particles 67. Secondary defects such as electrical connection can be suppressed.

さらに、表示領域Dの外部で各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bによってそれぞれ構成された各配線群13,14の両側に位置確認用パターン23が一対に設けられ、その一対の位置確認用パターン23の間において各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bを切断するため、位置確認工程S8における位置確認用パターン23とレーザー光が照射された領域Bとの位置関係の確認を、一対の位置確認用パターン23の一方から他方に向かってレーザー光が照射された領域Bが延びているかを確認することによって容易に行うことができる。   Further, a pair of position confirmation patterns 23 are provided on both sides of each of the wiring groups 13 and 14 respectively constituted by the first gate lines 11a and the second gate lines 11b outside the display area D, and the pair of positions. In order to cut each first gate line 11a and each second gate line 11b between the confirmation patterns 23, confirmation of the positional relationship between the position confirmation pattern 23 and the region B irradiated with the laser beam in the position confirmation step S8. Can be easily performed by confirming whether or not the region B irradiated with the laser beam extends from one of the pair of position confirmation patterns 23 to the other.

また、抵抗測定工程S9によって所定の電気抵抗が測定されて各ゲート線11の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合には、各ゲート線11にレーザー光を再度照射してそれら各ゲート線11の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程S10を行うため、各ゲート線11の互いの電気的な接続をより確実に解除できる。   Further, when a predetermined electrical resistance is measured in the resistance measuring step S9 and it is determined that at least a part of each gate line 11 has a cutting defect, each gate line 11 is again irradiated with a laser beam to detect them. Since the reconnection release step S10 for releasing the electrical connection of the gate lines 11 is performed, the electrical connection of the gate lines 11 can be more reliably released.

また、接続解除工程S7では、各短冊状パネル60において、各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bに連続してレーザー光を照射することにより、各表示領域D毎の各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bの互いの電気的な接続が連続して解除される。そのことにより、短冊状パネル60を各貼り合わせ基板領域56毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対してレーザー光の照射をそれぞれ行ってそれら各基板における各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bの互いの電気的な接続を解除する場合に比べて、複数の表示領域Dにおける各第1ゲート線11a及び各第2ゲート線11bの互いの電気的な接続を効率的に解除できる。   Further, in the connection releasing step S7, each strip-shaped panel 60 is irradiated with laser light continuously on each first gate line 11a and each second gate line 11b, so that each first gate for each display region D is provided. The electrical connection between the line 11a and each second gate line 11b is continuously released. As a result, after the strip-shaped panel 60 is divided into individual substrates for each bonded substrate region 56, each substrate is irradiated with laser light, and the first gate lines 11a and each of the substrates are respectively irradiated. Compared to the case where the electrical connection between the second gate lines 11b is canceled, the electrical connection between the first gate lines 11a and the second gate lines 11b in the plurality of display regions D can be efficiently performed. Can be canceled.

また、検査工程S6では、各短冊状パネル60において、各端子21,22を介して各ショートリング19,20に書き込み時間だけタイミングをずらして所定のゲート検査信号を供給することにより、各短冊状基板61における各ゲート線11の断線の有無、及び各第1ゲート線11aと各第2ゲート線11bとのリークの有無を検査する。そのことにより、短冊状パネル60を各貼り合わせ基板領域56毎に個別の基板に分断した後に個々の基板に対して各ゲート線11の検査をそれぞれ行う場合に比べて、複数の表示領域Dにおける各ゲート線11の断線の有無及び各第1ゲート線11aと各第2ゲート線11bとのリークの有無を効率的に検査できる。   Further, in the inspection step S6, each strip-shaped panel 60 is supplied with a predetermined gate inspection signal by shifting the timing to the respective short rings 19 and 20 via the respective terminals 21 and 22 by the writing time. The presence or absence of disconnection of each gate line 11 in the substrate 61 and the presence or absence of leakage between each first gate line 11a and each second gate line 11b are inspected. As a result, the strip-shaped panel 60 is divided into individual substrates for each bonded substrate region 56 and then the gate lines 11 are inspected for the individual substrates, respectively. The presence or absence of disconnection of each gate line 11 and the presence or absence of leakage between each first gate line 11a and each second gate line 11b can be efficiently inspected.

《発明の実施形態2》
図22及び図23は、本発明の実施形態2を示している。尚、以降の各実施形態では、図1〜図21と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。図22及び図23は、本実施形態におけるアクティブマトリクス形成用基板50のアクティブマトリクス基板領域51を示す平面図である。
<< Embodiment 2 of the Invention >>
22 and 23 show Embodiment 2 of the present invention. In the following embodiments, the same portions as those in FIGS. 1 to 21 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. 22 and 23 are plan views showing the active matrix substrate region 51 of the active matrix forming substrate 50 in the present embodiment.

上記実施形態1では、1組の一対の位置確認用パターン23が各配線群13,14の両側にそれぞれ設けられたものについて説明したが、本実施形態では、図22に示すように、2組の一対の位置確認用パターン23が各配線群13,14の両側で各ゲート線11が引き出された方向に並ぶようにそれぞれ設けられている。   In the first embodiment, a pair of position confirmation patterns 23 is provided on both sides of each of the wiring groups 13 and 14, but in this embodiment, as shown in FIG. The pair of position confirmation patterns 23 are provided on both sides of the wiring groups 13 and 14 so as to be arranged in the direction in which the gate lines 11 are drawn out.

すなわち、2組の一対の位置確認用パターン23は、互いに異なる領域で各配線群13,14を挟むように設けられている。これら各一対の位置確認用パターン23の間にはレーザー光の照射領域Aがそれぞれ設定されている。そして、各ゲート線11は、図23に示すように、レーザー光が照射される部分、つまり照射領域Aに重なる部分に切欠部70がそれぞれ形成されている。   That is, the two pairs of position confirmation patterns 23 are provided so as to sandwich the wiring groups 13 and 14 in different regions. A laser beam irradiation area A is set between each of the pair of position confirmation patterns 23. As shown in FIG. 23, each gate line 11 has a notch 70 formed in a portion irradiated with laser light, that is, a portion overlapping the irradiation region A.

本実施形態の接続解除工程S7では、2組の一対の位置確認用パターン23のうちの一方の位置確認用パターン23の間において各ゲート線11にレーザー光を照射することによってそれら各ゲート線11を切断する。そして、抵抗測定工程S9において測定された電気抵抗に基づいて各ゲート線11の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合には、再接続解除工程S10において、他方の一対の位置確認用パターン23に間で各ゲート線11にレーザー光を照射することにより、接続解除工程S7においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で各ゲート線11にレーザー光を照射してそれら各ゲート線11を切断する。   In the connection release step S7 of this embodiment, each gate line 11 is irradiated with a laser beam between one position confirmation pattern 23 of the two pairs of position confirmation patterns 23 to thereby each of the gate lines 11. Disconnect. Then, when it is determined that a disconnection failure has occurred in at least a part of each gate line 11 based on the electrical resistance measured in the resistance measurement step S9, the other pair of position confirmations is performed in the reconnection release step S10. By irradiating each gate line 11 with a laser beam between the pattern 23, the gate line 11 is irradiated with a laser beam in a region different from the region irradiated with the laser beam in the disconnection step S7. The line 11 is cut.

−実施形態2の効果−
したがって、この実施形態2によると、上記各ゲート線11におけるレーザー光が照射される部分に切欠部70がそれぞれ形成されていることにより、各ゲート線11におけるレーザー光が照射される部分がそれら各ゲート線11の他の部分に比べて細く形成されているため、接続解除工程S7において各ゲート線11をより確実に切断できる。そして、レーザー光の照射によって熔融される各ゲート線11の配線材料の量が少なくなるため、熔融された配線材料によって隣り合う各ゲート線11同士が新たに電気的に接続されることを抑制できる。
-Effect of Embodiment 2-
Therefore, according to the second embodiment, the notches 70 are formed in the portions of the gate lines 11 that are irradiated with the laser light, so that the portions of the gate lines 11 that are irradiated with the laser light are the respective portions. Since the gate line 11 is formed thinner than other portions of the gate line 11, each gate line 11 can be more reliably cut in the connection release step S7. And since the quantity of the wiring material of each gate line 11 fuse | melted by irradiation of a laser beam decreases, it can suppress that each gate line 11 adjacent by the fuse | melted wiring material is newly electrically connected. .

ところで、レーザー光が照射される基板の表面状態によっては、レーザー光を照射した際にその表面においてレーザー光が拡散反射される等して各ゲート線11のレーザー光が照射された部分に対して十分にエネルギーの付与がされないことにより、それら各ゲート線11の一部が除去されずに残って各ゲート線11に切断不良が生じる虞がある。このようにレーザー光が照射される基板の表面状態に起因して各ゲート線11に切断不良が生じた場合には、再接続解除工程S10において接続解除工程S7と同じ領域で各ゲート線11にレーザー光を照射しても、各ゲート線11の除去されずに残った一部には接続解除工程S7と同様にレーザー光の照射によるエネルギーの付与が十分にされず、再接続解除工程S10を行ったとしても各ゲート線11に切断不良が残る虞がある。   By the way, depending on the surface state of the substrate to which the laser beam is irradiated, when the laser beam is irradiated, the laser beam is diffusely reflected on the surface, and the portion of the gate line 11 irradiated with the laser beam is applied. If the energy is not sufficiently applied, a part of each gate line 11 remains without being removed, and there is a possibility that a disconnection failure occurs in each gate line 11. As described above, when a disconnection failure occurs in each gate line 11 due to the surface state of the substrate irradiated with the laser beam, each gate line 11 is connected to each gate line 11 in the same region as the connection release step S7 in the reconnection release step S10. Even when the laser beam is irradiated, the remaining part of each gate line 11 without being removed is not given sufficient energy by the laser beam irradiation as in the connection release step S7, and the reconnection release step S10 is performed. Even if it is performed, there is a possibility that a defective cutting may remain in each gate line 11.

これに対して、本実施形態の製造方法によると、再接続解除工程S10では、接続解除工程S7においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で各ゲート線11にレーザー光を照射するため、各ゲート線11をさらに確実に切断できる。   In contrast, according to the manufacturing method of the present embodiment, in the reconnection release step S10, each gate line 11 is irradiated with laser light in a region different from the region irradiated with laser light in the connection release step S7. Each gate line 11 can be cut more reliably.

《発明の実施形態3》
図24は、本発明の実施形態3を示している。図24は、本実施形態におけるアクティブマトリクス形成用基板50のアクティブマトリクス基板領域51を示す平面図である。
<< Embodiment 3 of the Invention >>
FIG. 24 shows Embodiment 3 of the present invention. FIG. 24 is a plan view showing an active matrix substrate region 51 of the active matrix forming substrate 50 in the present embodiment.

上記実施形態1及び実施形態2では、各ゲート線11a,11bにレーザー光を照射することにより、それら各ゲート線11a,11bの互いの電気的な接続をそれぞれ解除するとしたが、本実施形態では、各ショートリング19,20にレーザー光を照射することにより、各ゲート線11a,11bの互いの電気的な接続をそれぞれ解除する。   In the first and second embodiments, the gate lines 11a and 11b are irradiated with laser light to release the electrical connection between the gate lines 11a and 11b. By irradiating the short rings 19 and 20 with laser light, the electrical connection between the gate lines 11a and 11b is released.

本実施形態におけるアクティブマトリクス形成用基板50の各アクティブマトリクス基板領域51は、図24に示すように、各ショートリング19,20の両側にそれら各ショートリング19,20と各ゲート線11との接続部を挟むように一対の位置確認用パターン23が設けられており、この一対の位置確認用パターン23の間にレーザー光の照射領域Aが設定されている。   As shown in FIG. 24, each active matrix substrate region 51 of the active matrix forming substrate 50 in the present embodiment is connected to each short ring 19, 20 on both sides of the short ring 19, 20 and each gate line 11. A pair of position confirmation patterns 23 are provided so as to sandwich the portion, and a laser light irradiation area A is set between the pair of position confirmation patterns 23.

そして、本実施形態における接続解除工程S7では、一対の位置確認用パターン23の間において各ショートリング19,20にレーザー光を照射して、レーザー光が照射された領域Bに重なる各ショートリング19,20を熔融及び蒸発させて除去することにより、各ゲート線11a,11bの互いの電気的な接続をそれぞれ解除する。   In the connection release step S7 in the present embodiment, each short ring 19 and 20 is irradiated with laser light between the pair of position confirmation patterns 23, and each short ring 19 overlapping the region B irradiated with the laser light. , 20 are removed by melting and evaporating, thereby releasing the electrical connection between the gate lines 11a and 11b.

−実施形態3の効果−
したがって、本実施形態3によっても、レーザー光の照射によって各ゲート線11a,11bの互いの電気的な接続を解除する接続解除工程S7を行った後に、位置確認用パターン23とレーザー光が照射された領域Bとの位置関係を確認する位置確認工程S8を行うため、位置確認工程S8において予め設定したレーザー光の照射領域Aに対するレーザー光が照射された領域Bの位置ずれを早期に検出できる。
-Effect of Embodiment 3-
Therefore, also in the third embodiment, the position confirmation pattern 23 and the laser beam are irradiated after the connection release step S7 for releasing the electrical connection between the gate lines 11a and 11b by the laser beam irradiation. Since the position confirmation step S8 for confirming the positional relationship with the region B is performed, the positional deviation of the region B irradiated with the laser light with respect to the laser light irradiation region A set in advance in the position confirmation step S8 can be detected at an early stage.

《その他の実施形態》
上記各実施形態では、位置確認用パターン23が一対に設けられているとしたが、本発明はこれに限られず、位置確認用パターン23は、単一に設けられていてもよく、レーザー光が照射された領域Bとの位置関係が確認可能であれば任意の位置に設けることが可能である。
<< Other Embodiments >>
In each of the above embodiments, the pair of position confirmation patterns 23 are provided. However, the present invention is not limited to this, and the position confirmation pattern 23 may be provided singly, and laser light may be emitted. If the positional relationship with the irradiated region B can be confirmed, it can be provided at an arbitrary position.

また、上記実施形態2では、2組の一対の位置確認用パターン23が各配線群13,14の両側にそれぞれ設けられているとしたが、本発明はこれに限られず、3組以上の複数の一対の位置確認用パターン23が各配線群13,14の両側にそれぞれ設けられていてもよい。そして、再接続解除工程S10を複数回繰り返し行う場合に、各再接続解除工程S10において互いに異なる一対の位置確認用パターン23の間で各ゲート線11にレーザー光を照射するようにしてもよい。   In the second embodiment, two pairs of position confirmation patterns 23 are provided on both sides of each of the wiring groups 13 and 14, respectively, but the present invention is not limited to this, and a plurality of sets of three or more sets are provided. The pair of position confirmation patterns 23 may be provided on both sides of each of the wiring groups 13 and 14, respectively. When the reconnection release step S10 is repeatedly performed a plurality of times, each gate line 11 may be irradiated with laser light between a pair of different position confirmation patterns 23 in each reconnection release step S10.

上記実施形態1では、アクティブマトリクス形成用基板50と対向形成用基板52とを貼り合わせた後にシール材41の注入口41aから液晶材料を注入する、いわゆる真空注入法によって液晶層43を設けるとしたが、本発明はこれに限られず、アクティブマトリクス形成用基板50及び対向形成用基板52の一方に各シール材41を枠状に供給してそれら各シール材41の内側に液晶材料を所定量滴下した後に両形成用基板50,52を貼り合わせる、いわゆる滴下注入法(ODF:One Drop Filling)によって液晶層43を設けてもよい。   In the first embodiment, the liquid crystal layer 43 is provided by a so-called vacuum injection method in which a liquid crystal material is injected from the injection port 41a of the sealing material 41 after the active matrix formation substrate 50 and the counter formation substrate 52 are bonded together. However, the present invention is not limited to this, and each sealing material 41 is supplied in a frame shape to one of the active matrix forming substrate 50 and the opposing forming substrate 52, and a predetermined amount of liquid crystal material is dropped inside each sealing material 41. After that, the liquid crystal layer 43 may be provided by a so-called drop dropping method (ODF: One Drop Filling) in which the two formation substrates 50 and 52 are bonded together.

上記実施形態1では、検査工程S6において、短冊状パネル60の状態において各表示領域Dを点灯させることによって各表示領域D毎の各ゲート線11を検査するとしたが、本発明はこれに限られず、検査工程は、貼り合わせ工程の前に、各ゲート線11に所定のゲート検査信号を供給して各画素電極に電荷を書き込み、所定時間経過後に書き込んだ電荷を読み出すことにより、各ゲート線11の断線や短絡等を検出する電荷検出法等の他の検査方法によって行われていてもよい。   In the first embodiment, in the inspection step S6, the gate lines 11 for each display area D are inspected by turning on the display areas D in the state of the strip-shaped panel 60. However, the present invention is not limited to this. In the inspection process, before the bonding process, a predetermined gate inspection signal is supplied to each gate line 11 to write a charge to each pixel electrode, and the written charge is read after a lapse of a predetermined time. It may be performed by other inspection methods such as a charge detection method for detecting disconnection or short circuit.

上記各実施形態では、本発明に係るアクティブマトリクス基板10の製造方法について液晶表示装置1の製造方法に沿って説明したが、本発明はこれに限られず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の他の表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の製造方法にも適用することが可能である。   In each of the above embodiments, the manufacturing method of the active matrix substrate 10 according to the present invention has been described along the manufacturing method of the liquid crystal display device 1, but the present invention is not limited thereto, and other displays such as an organic electroluminescence display device and the like. The present invention can also be applied to a method for manufacturing an active matrix substrate constituting the apparatus.

以上説明したように、本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法について有用であり、特に、予め設定したレーザー光の照射領域に対するレーザー光が照射された領域の位置ずれを早期に検出することが要望されるアクティブマトリクス基板の製造方法に適している。   As described above, the present invention is useful for a method of manufacturing an active matrix substrate, and in particular, it is desired to detect a positional deviation of a laser beam irradiation region with respect to a preset laser beam irradiation region at an early stage. It is suitable for a manufacturing method of an active matrix substrate.

実施形態1の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device of Embodiment 1. FIG. 図1のII−II線断面を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the II-II line cross section of FIG. 1 roughly. 実施形態1のアクティブマトリクス基板を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an active matrix substrate of Embodiment 1. FIG. 液晶表示装置の製造方法のフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of the manufacturing method of a liquid crystal display device. アクティブマトリクス形成用基板を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the board | substrate for active matrix formation roughly. アクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows an active matrix substrate area | region schematically. 対向形成用基板を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the board | substrate for opposing formation schematically. 貼り合わせ母基板を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows a bonded mother board | substrate schematically. 短冊状パネルを概略的に示す平面図である。It is a top view which shows a strip-shaped panel roughly. 液晶層が封入された短冊状パネルを概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the strip-shaped panel with which the liquid crystal layer was enclosed. 接続解除工程において照射領域にレーザー光が照射された状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the laser beam was irradiated to the irradiation area | region in the connection cancellation | release process. レーザー光の照射によって各ゲート線を切断した状態のアクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the active-matrix substrate area | region of the state which cut | disconnected each gate line by irradiation of the laser beam. 所望の照射領域に精度良くレーザー光が照射された状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state with which the desired irradiation area | region was irradiated with the laser beam accurately. 所望の照射領域に対して実際のレーザー光の照射領域がずれた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which the irradiation area | region of the actual laser beam shifted | deviated with respect to the desired irradiation area | region. 位置確認工程において、各ゲート線におけるレーザー光が照射された領域を挟む部分の電気抵抗を測定している状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which is measuring the electrical resistance of the part which pinches | interposes the area | region where the laser beam in each gate line was irradiated in a position confirmation process. 第2分断工程において、短冊状パネルが各貼り合わせ基板領域毎に分断された状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state by which the strip-shaped panel was divided for every bonding board | substrate area | region in a 2nd cutting process. 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側から照射領域にレーザー光を照射した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which irradiated the laser beam to the irradiation area | region from the side in which each gate line in the strip-shaped board | substrate was provided. 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the scattering state of the microparticles | fine-particles of wiring material at the time of irradiating a laser beam to an irradiation area | region from the side in which each gate line in the strip-shaped board | substrate was provided. 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す平面図である。It is a top view which shows the scattering state of the microparticles | fine-particles of the wiring material at the time of irradiating a laser beam to the irradiation area | region from the side in which each gate line in the strip-shaped board | substrate was provided. 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側とは反対側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the scattering state of the microparticles | fine-particles of the wiring material at the time of irradiating a laser beam to an irradiation area | region from the opposite side to the side in which each gate line was provided in a strip-shaped board | substrate. 短冊状基板における各ゲート線が設けられた側とは反対側から照射領域にレーザー光を照射した場合での配線材料の微粒子の飛散状態を示す平面図である。It is a top view which shows the scattering state of the microparticles | fine-particles of wiring material at the time of irradiating a laser beam to an irradiation area | region from the opposite side to the side in which each gate line was provided in a strip-shaped board | substrate. 実施形態2におけるアクティブマトリクス形成用基板のアクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。6 is a plan view schematically showing an active matrix substrate region of an active matrix forming substrate in Embodiment 2. FIG. 図22におけるレーザー光の照射領域を拡大して概略的に示す平面図である。It is a top view which expands and schematically shows the irradiation area of the laser beam in FIG. 実施形態3におけるアクティブマトリクス形成用基板のアクティブマトリクス基板領域を概略的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing an active matrix substrate region of an active matrix forming substrate in Embodiment 3. 従来におけるレーザー光の照射による各表示用配線の切断において、所望の照射領域にレーザー光が照射された状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state by which the laser beam was irradiated to the desired irradiation area | region in the cutting | disconnection of each display wiring by the irradiation of the laser beam in the past. 従来におけるレーザー光の照射による各表示用配線の切断において、所望の照射領域に対してレーザー光が照射された領域が若干ずれた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which the area | region where the laser beam was irradiated with respect to the desired irradiation area | region has shifted | deviated slightly in the cutting | disconnection of each display wiring by the irradiation of the laser beam in the past. 従来におけるレーザー光の照射による各表示用配線の切断において、所望の照射領域に対してレーザー光が照射された領域が大幅にずれた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which the area | region where the laser beam was irradiated with respect to the desired irradiation area | region shifted significantly in the cutting | disconnection of each display wiring by the irradiation of the laser beam in the past.

符号の説明Explanation of symbols

A 予め設定されたレーザー光の照射領域
B レーザー光が照射された領域
D 表示領域
1 液晶表示装置
10 アクティブマトリクス基板
11 ゲート線(表示用配線)
11a 第1ゲート線(表示用配線)
11b 第2ゲート線(表示用配線)
13 第1配線群(配線群)
14 第2配線群(配線群)
19,20 ショートリング(短絡用配線)
23 位置確認用パターン
50 アクティブマトリクス形成用基板
61 短冊状基板
70 切欠部
A Preliminary laser light irradiation area B Laser light irradiation area D Display area 1 Liquid crystal display device 10 Active matrix substrate 11 Gate line (wiring for display)
11a First gate line (display wiring)
11b Second gate line (display wiring)
13 First wiring group (wiring group)
14 Second wiring group (wiring group)
19, 20 Short ring (short circuit wiring)
23 Position confirmation pattern 50 Active matrix formation substrate 61 Strip substrate 70 Notch

Claims (8)

複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、
上記表示領域の外部において、上記各表示用配線にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、
上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含む
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
A display area provided with a plurality of display wirings; a short-circuiting wiring connected to each of the display wirings outside the display area; and a position confirmation pattern provided for the shorting wiring. A preparation step of preparing a substrate for forming an active matrix;
Outside the display region, by irradiating each display wiring with laser light, a connection releasing step for releasing the electrical connection between the display wirings,
A method for manufacturing an active matrix substrate, comprising: a position confirmation step for confirming a positional relationship between the position confirmation pattern and the region irradiated with the laser beam.
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記アクティブマトリクス形成用基板では、上記複数の表示用配線が互いに並んで上記表示領域の外部に引き出されて該表示領域の外部で配線群を構成し、該配線群の両側に上記位置確認用パターンが一対に設けられ、
上記接続解除工程では、上記一対の位置確認用パターンの間において上記各表示用配線にレーザー光を照射することによって該各表示用配線を切断する
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
In the manufacturing method of the active-matrix board | substrate of Claim 1,
In the active matrix forming substrate, the plurality of display wirings are arranged side by side and drawn out of the display area to form a wiring group outside the display area, and the position confirmation pattern is formed on both sides of the wiring group. Are provided in a pair,
In the connection release step, the display wiring is cut by irradiating the display wiring with a laser beam between the pair of position confirmation patterns.
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記各表示用配線におけるレーザー光が照射される部分に切欠部がそれぞれ形成されている
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
In the manufacturing method of the active-matrix board | substrate of Claim 1,
The method for manufacturing an active matrix substrate, wherein the active matrix forming substrate is formed with a notch in each of the display wirings where the laser light is irradiated.
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記接続解除工程の後に、上記各表示用配線における上記レーザー光が照射された領域を挟む部分の間の電気抵抗を測定する抵抗測定工程と、
上記抵抗測定工程によって測定された電気抵抗に基づき、上記各表示用配線の少なくとも一部に切断不良が生じていると判断した場合に、上記各表示用配線にレーザー光を再度照射して該各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する再接続解除工程とを含む
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
In the manufacturing method of the active-matrix board | substrate of Claim 1,
After the disconnection step, a resistance measurement step of measuring the electrical resistance between the portions sandwiching the region irradiated with the laser light in each display wiring,
Based on the electrical resistance measured in the resistance measurement step, when it is determined that at least a part of each display wiring is defective in cutting, the display wiring is again irradiated with laser light to And a reconnection release step of releasing the electrical connection of the display wirings.
請求項4に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記再接続解除工程では、上記接続解除工程においてレーザー光が照射された領域とは異なる領域で上記各表示用配線にレーザー光を照射する
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
In the manufacturing method of the active-matrix board | substrate of Claim 4,
The method of manufacturing an active matrix substrate, wherein, in the reconnection release step, each display wiring is irradiated with laser light in a region different from the region irradiated with laser light in the connection release step.
請求項1に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記アクティブマトリクス形成用基板は、上記表示領域がマトリクス状に複数規定され、
上記アクティブマトリクス形成用基板を上記複数の表示領域の各行毎に分断することによって複数の短冊状基板を形成する第1分断工程と、
上記各短冊状基板を上記各表示領域毎に分断する第2分断工程とを含み、
上記接続解除工程では、上記各短冊状基板において、上記各表示用配線に連続してレーザー光を照射する
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
In the manufacturing method of the active-matrix board | substrate of Claim 1,
The active matrix forming substrate has a plurality of display areas defined in a matrix,
A first dividing step of forming a plurality of strip-shaped substrates by dividing the active matrix forming substrate into each row of the plurality of display regions;
A second dividing step of dividing each strip-shaped substrate into each display region,
In the connection release step, a laser beam is continuously irradiated on each of the display wirings in each of the strip-shaped substrates.
請求項6に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法において、
上記接続解除工程よりも前に、上記各短冊状基板における上記短絡用配線に所定の信号を供給することにより、上記各表示領域毎の各表示用配線を検査する検査工程を含む
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
In the manufacturing method of the active-matrix board | substrate of Claim 6,
Including an inspection step of inspecting each display wiring for each display region by supplying a predetermined signal to the short-circuit wiring in each of the strip-shaped substrates before the connection releasing step. A method for manufacturing an active matrix substrate.
複数の表示用配線が設けられた表示領域と、該表示領域の外部で上記各表示用配線に接続された短絡用配線と、該短絡用配線に対して設けられた位置確認用パターンとを備えたアクティブマトリクス形成用基板を準備する準備工程と、
上記表示領域の外部において、上記各表示用配線及び上記短絡用配線の少なくとも一方にレーザー光を照射することにより、上記各表示用配線の互いの電気的な接続を解除する接続解除工程と、
上記位置確認用パターンと上記レーザー光が照射された領域との位置関係を確認する位置確認工程とを含む
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
A display area provided with a plurality of display wirings; a short-circuiting wiring connected to each of the display wirings outside the display area; and a position confirmation pattern provided for the shorting wiring. A preparation step of preparing a substrate for forming an active matrix;
Outside the display area, by irradiating at least one of the display wires and the short-circuit wire with laser light, a connection release step of releasing the electrical connection between the display wires,
A method for manufacturing an active matrix substrate, comprising: a position confirmation step for confirming a positional relationship between the position confirmation pattern and the region irradiated with the laser beam.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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