JP2009243418A - 内燃機関の燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】インジェクタハーネスの電磁ノイズをシールドケーブルを使用せずに低減し、優れたノイズ対策性を備えたインジェクタ駆動回路を提供する。
【解決手段】バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によってインジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作してインジェクタに所定の電流を流す期間に、充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。
【選択図】図1
【解決手段】バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によってインジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作してインジェクタに所定の電流を流す期間に、充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。
【選択図】図1
Description
本発明は、内燃機関(エンジン)の燃料噴射装置に用いられるインジェクタ駆動回路に係り、例えば、PWM(Pulse Width Modulation)制御によってインジェクタ電流を制御する型式のインジェクタ駆動回路に関する。
エンジンの気筒(燃焼室)内に燃料を直接噴射する筒内燃料噴射式エンジンでは、噴射信号に対するインジェクタの高速応答性が求められる。この対策として、インジェクタが開弁するまでの時間を短縮するために噴射信号の立上がり時にはインジェクタに高電圧を印加して大電流を流し、インジェクタの開弁保持のためにバッテリ電圧をPWM制御のもとに印加してインジェクタ電流を一定に保持し、閉弁するまでの時間を短縮するためにインジェクタとアースと間に設置したスイッチング素子によって電流を遮断する方法が一般的である(例えば、特許文献1)。
しかしながら、インジェクタの開弁保持の際には、PWM方形波電圧がインジェクタハーネスに印加され、このことによって高レベルの電磁ノイズが放射される現象が生じる。電磁ノイズは、他電子機器の誤動作、ラジオノイズの原因になることから、その放射を極力低減する必要がある。このことを含むノイズ規格は、カーメーカ各社で、年々厳しくなる傾向にある。
この対策として、インジェクタハーネスのシールドケーブル化による電磁ノイズ遮蔽が考えられる。しかし、シールドケーブルは高価であり、インジェクタハーネスのシールドケーブル化は大幅なコストアップを避けられない。
本発明は前記解決しようとする課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、開弁保持電流を得るためのPWM制御に起因するインジェクタハーネスの電磁ノイズを、シールドケーブルを使用せずに低減し、優れたノイズ対策性を備えた燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明による内燃機関の燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路は、バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高圧圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作して前記インジェクタに所定の電流を流す期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。
前記目的を達成するために、本発明による内燃機関の燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路は、バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高圧圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段と、前記インジェクタの電流を遮断するための第三のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段のスイッチング動作開始から前記第三のスイッチ手段によるインジェクタ電流の遮断までの期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、充放電制御スイッチ手段が、トランジスタ、逆阻止IGBT、或いは2つのMOS−FETのソース・ソース端子間もしくはドレイン・ドレイン端子間を接続した複合素子、或いは2つのIGBTのエミッタ・エミッタ端子間もしくはコレクタ・コレクタ端子間を接続した複合素子である。
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記制御手段が、前記充放電制御スイッチ手段がオンする以前に前記平滑コンデンサにバッテリ電圧に充電する制御を行う。
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記制御手段が、前記インジェクタに流れる電流値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御する。
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記制御手段が、前記インジェクタに印加される電圧値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御する。
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記平滑コンデンサが、セラミックコンデンサ、フィルムコンデンサ、Nbコンデンサ、固体電解コンデンサ、電解コンデンサの何れかにより構成されている。
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記平滑コンデンサと前記充放電制御スイッチ手段が、インジェクタ駆動回路のプリント基板に実装されている。
本発明によるインジェクタ駆動回路によれば、第二のスイッチ手段のPWM動作期間は、充放電制御スイッチ手段をオン状態にし、PWM制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサに流すことにより、PWM制御に起因するインジェクタハーネスの電磁ノイズを低減でき、ノイズ対策のためのシールドケーブルを使用しなくて済む。
以下に、本発明によるインジェクタ駆動回路の実施形態を添付の図を参照して詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、実施形態1によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。
図1は、実施形態1によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。
インジェクタ駆動回路1は、バッテリ電源100より電力供給され、電力出力側にインジェクタハーネス4によってインジェクタ2が接続されている。
インジェクタ駆動回路1は、昇圧回路5と、開弁電流をインジェクタ2に流すための第一のスイッチ手段である第1MOS−FET6と、所定の開弁保持電流をインジェクタ2に流すための第二のスイッチ手段である第2MOS−FET7と、インジェクタ電流を遮断するための第三のスイッチ手段である第3MOS−FET10と、第1〜第3MOS−FET6、7、10のゲート信号をオン・オフする制御IC(マイクロコンピュータ)12とを有す。
昇圧回路5は、バッテリ電源100より電力供給され、バッテリ電圧を高電圧に昇圧する高電圧発生手段である。
第1MOS−FET6は、昇圧回路5の高電位ラインにあって、制御IC12によってオン・オフ制御されてインジェクタ2の開弁開始時期に、昇圧回路5の高電圧(ブースト電圧)をインジェクタ2に印加し、インジェクタ2に開弁電流を流す。
第2MOS−FET7は、バッテリ電源1の高電位ラインにあって、制御IC12によってPWM制御されてインジェクタ2の開弁保持期間に、バッテリ電源1のバッテリ電圧をPWM制御によってインジェクタ2に印加し、インジェクタ2に所定の開弁保持電流を流す。
第3MOS−FET10は、インジェクタ2のアースラインにあり、制御IC12によってオン・オフ制御されてインジェクタ2の通電終了時にインジェクタ電流を遮断するスイッチング作用を行う。
制御IC12による第1MOS−FET6、第2MOS−FET7のオン・オフ制御、第2MOS−FET7のPWM制御は、アースラインに設けられた電流検出抵抗11により検出されるインジェクタ電流に基づいて行われる。
なお、第1MOS−FET6、第2MOS−FET7の下位側には、これらMOS−FETへの不正電圧印加を防ぐためのダイオード16、8が直列に接続されている。
インジェクタ駆動回路1は、さらに、第1MOS−FET6と第2MOS−FET7の双方のオフ期間に、インジェクタ2の電流をバッテリ電源100に回生させるためのダイオード9と、第3MOS−FET10のオフ期間に、インジェクタ2の電流を昇圧回路5に回生させるためのダイオード15と、ダイオード9と並列に接続されたコンデンサ17を含む。
本実施形態のインジェクタ駆動回路1は、さらに、高電位側とアース側との間に、平滑コンデンサ13と、平滑コンデンサ13の充放電制御用のスイッチ(充放電制御スイッチ)14との直列回路を接続されている。平滑コンデンサ13は、電解コンデンサ、フィルムコンデンサやNbコンデンサ固体電解コンデンサであってよい。
上述の構成によるインジェクタ駆動回路(実施形態1)の動作を、図2の信号波形図を参照して説明する。
開弁初期期間T1の開始時点t1に、第1MOS−FET6のゲート信号と第3MOS−FET10のゲート信号をオンし、インジェクタ2を開弁するための大電流をインジェクタ2に流す。インジェクタ電流が所定のピーク電流I1となった時点t2に、第1MOS−FET6のゲート信号をオフする。その後、インジェクタ電流が減少し、インジェクタ電流が所定の電流値I2となった時点t3から開弁保持期間T2中、第2MOS−FET7のゲート信号をPWM制御し、インジェクタ電流を一定電流I2に保つ。
開弁保持期間T2に亘って、充放電制御スイッチ14の閉成(オン)し、PWM制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサ13に流す。これにより、インジェクタ2、インジェクタハーネス4には、直流成分のみが流れ、インジェクタハーネス4から電磁ノイズが発生しない。
インジェクタ2の閉弁期間T3では、時点t4で第2MOS−FET7のゲート信号をオフすると同時に第3MOS−FET10のゲート信号をオフにして、インジェクタ2の電流を遮断する。ここで、充放電制御スイッチ14は、時点t4或いはそれ以前に開成(オフ)する。
以上のように、本実施形態では、インジェクタ2の開弁保持のためのPWM制御時に、インジェクタハーネス4から発生する電磁ノイズの低減が図られ、ノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。さらに、インジェクタの開弁期間T1、閉弁期間T3には、充放電制御スイッチ14がオフとなっていることから、この期間は、平滑コンデンサ13へは充放電されず、インジェクタ2を高速に開・閉弁することができる。
(実施形態2)
図3は、実施形態2によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。なお、図3において、図1に対応する部分は、図1に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
図3は、実施形態2によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。なお、図3において、図1に対応する部分は、図1に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
本実施形態では、平滑コンデンサ13の充放電制御用のスイッチ手段として、トランジスタ21が用いられている。充放電制御トランジスタ21は、平滑コンデンサ13と直列に接続され、ベース端子を制御IC12に接続されてオン・オフ動作する。
上述の構成によるインジェクタ駆動回路(実施形態2)の動作を、図4の信号波形図を参照して説明する。
開弁初期期間T1の開始時点t1に、第1MOS−FET6のゲート信号と第3MOS−FET10のゲート信号をオンし、インジェクタ2を開弁するための大電流をインジェクタ2に流す。インジェクタ電流が所定のピーク電流I1となった時点t2に、第1MOS−FET6のゲート信号をオフする。その後、インジェクタ電流が減少し、インジェクタ電流が所定の電流値I2となった時点t3から開弁保持期間T2中、第2MOS−FET7のゲート信号をPWM制御し、インジェクタ電流を一定電流I2に保つ。
開弁保持期間T2に亘って、充放電制御トランジスタ21のゲート信号をオンし、PWM制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサ13に流す。これにより、インジェクタ2、インジェクタハーネス4には、直流成分のみが流れ、インジェクタハーネス4から電磁ノイズが発生しない。
インジェクタ2の閉弁期間T3では、時点t4で第2MOS−FET7のゲート信号をオフすると同時に第3MOS−FET10のゲート信号をオフにして、インジェクタ2の電流を遮断する。ここで、充放電制御トランジスタ21のゲート信号は、時点t4或いはそれ以前にオフする。
以上のように、本実施形態では、インジェクタ2の開弁保持のためのPWM制御時に、インジェクタハーネス4から発生する電磁ノイズの低減が図られ、ノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。さらに、インジェクタの開弁期間T1、閉弁期間T3には、充放電制御スイッチ14がオフとなっていることから、この期間は、平滑コンデンサ13へは充放電されず、インジェクタ2を高速に開・閉弁することができる。
充放電制御トランジスタ21は、オフ状態時にコレクタ側が負電圧になっても、電流を流さないため、オフ状態時に平滑コンデンサ13への不要な充放電を防ぐことができる。このため、安定した動作が可能である。
充放電制御トランジスタ21は、逆阻止IGBT、或いは2つのMOS−FETのソース・ソース端子間或いはドレイン・ドレイン端子間を接続した素子、或いは2つのIGBTのエミッタ・エミッタ端子間もしくはコレクタ・コレクタ端子間を接続した素子であってもよい。これにより、充放電制御トランジスタ21は、オフ時に双方向の電流を遮断することができ、オフ時における平滑コンデンサ13への充放電を防ぐことができ、安定した動作が可能である。
図5に示されているように、インジェクタ2の開弁を開始する時点t1以前の、時点t01からt02のプリチャージ期間T0に、第2MOS−FET7と充放電制御トランジスタ21をオン状態にし、時点t01からt02に亘って平滑コンデンサ13にバッテリ電圧を印加し、平滑コンデンサ13の予備充電を行ってもよい。
これにより、開弁保持期間T2における充放電制御トランジスタ21のオン信号印加初期に、平滑コンデンサ13が既に充電されることにより、インジェクタ電流の一時的な低下を防止することができる。
充放電制御トランジスタ21のオン・オフタイミングは、第2MOS−FET7のPWM制御開始時点t2・終了時点t3と同じにしてもよい。つまり、充放電制御トランジスタ21は、第2MOS−FET7のPWMスイッチング動作の開始に同期してオンし、第3MOS−FET10によるインジェクタ電流の遮断に同期してオフする。これにより、電磁ノイズ低減の最大の効果を得ると共に、制御IC12の回路構成を簡素化することができる。
(実施形態3)
図6は、実施形態3によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。なお、図6において、図1、3に対応する部分は、図1、3に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
図6は、実施形態3によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。なお、図6において、図1、3に対応する部分は、図1、3に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
本実施形態では、制御IC12は、インジェクタ電圧を取り込み、インジェクタ電圧の検出値に基づいて、各素子(第1、第3MOS−FET6、10、充放電制御トランジスタ21の)オン・オフ制御、第3MOS−FET7のPWM制御を行う。
上述の構成によるインジェクタ駆動回路(実施形態3)の動作を、実施形態2の説明で用いて図4の信号波形図を参照して説明する。
開弁初期期間T1の開始時点t1に、第1MOS−FET6のゲート信号と第3MOS−FET10のゲート信号をオンし、インジェクタ2を開弁するための大電流をインジェクタ2に流す。インジェクタ電流が所定のピーク電流I1となるインジェクタ電圧値を検出し、その検出時点t2で、第1MOS−FET6のゲート信号をオフする。その後、インジェクタ電流が減少し、インジェクタ電流が所定の電流値I2となるインジェクタ電圧値を検出した時点t3から開弁保持期間T2中、第2MOS−FET7のゲート信号をPWM制御し、インジェクタ電流を一定電流I2に保つ。
また、インジェクタ電流が所定の電流値I2となるインジェクタ電圧値を検出した時点t3から開弁保持期間T2に亘って、充放電制御トランジスタ21のゲート信号をオンし、PWM制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサ13に流す。これにより、インジェクタ2、インジェクタハーネス4には、直流成分のみが流れ、インジェクタハーネス4から電磁ノイズが発生しない。
インジェクタ2の閉弁期間T3では、時点t4で第2MOS−FET7のゲート信号をオフすると同時に第3MOS−FET10のゲート信号をオフにして、インジェクタ2の電流を遮断する。この実施形態でも、充放電制御トランジスタ21のオン・オフタイミングを、第2MOS−FET7のPWM制御開始時点t2・終了時点t3と同じにすることにより、電磁ノイズ低減の最大の効果を得ると共に、制御IC12の回路構成を簡素化することができる。
本実施形態では、インジェクタ電圧の検出値によって、第1、第3MOS−FET6、10、充放電制御トランジスタ21のオン・オフ制御、第3MOS−FET7のPWM制御を行うので、インジェクタ電流を検出するための抵抗素子が不要となり、コスト低減することができる。
(実施形態4)
図7は実施形態4によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。なお、図7において、図1、3、6に対応する部分は、図1、3、6に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
図7は実施形態4によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ1気筒分の電気系の構成を示している。なお、図7において、図1、3、6に対応する部分は、図1、3、6に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
本実施形態では、前述の平滑コンデンサとして、セラミックコンデンサ61が用いられている。
セラミックコンデンサ61を使用することで、同程度の電気容量を持つ電解コンデンサに比べて寿命・信頼性を向上することができる。
セラミックコンデンサ61は低寄生抵抗の素子であり、充放電制御トランジスタ21は低オン抵抗の素子である。このため、これらは、インジェクタ駆動時に低発熱であり、プリント基板上に実装可能である。図8は、これらのプリント基板実装例を示している。
プリント基板71上に、昇圧回路5,第1MOS−FET6、第2MOS−FET7、セラミックコンデンサ61、充放電制御トランジスタ21が実装されている(他の素子は図示省略)。
このため、金属基板、セラミック基板等を、単独、或いはプリント基板と複合的に使用した場合に比べ、低コストとなる。
なお、プリント基板71を収容するインジェクタ駆動回路3の筐体72には、冷却のためのフィンがついていてもよい。また、プリント基板71と筐体72との間には放熱シート、ゲル等が配置されていてもよい。
上述した各実施形態の効果は、次の通りである。
(1)インジェクタハーネス4からの電磁ノイズを低減できる。
(2)電磁ノイズ低減によるインジェクタハーネス4のノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。
(3)ノイズ対策用シールドケーブル廃止によって、コスト低減が図られ、併せてハーネス取り回しの容易性が向上する。
(4)インジェクタ開弁・閉弁の高速応答化を図ることができる。
(5)インジェクタ電流検出抵抗不要によるコスト低減を図ることができる。
(2)電磁ノイズ低減によるインジェクタハーネス4のノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。
(3)ノイズ対策用シールドケーブル廃止によって、コスト低減が図られ、併せてハーネス取り回しの容易性が向上する。
(4)インジェクタ開弁・閉弁の高速応答化を図ることができる。
(5)インジェクタ電流検出抵抗不要によるコスト低減を図ることができる。
1 インジェクタ駆動回路
2 インジェクタ
4 インジェクタハーネス
5 昇圧回路
6 第1MOS−FET
7 第2MOS−FET
8 ダイオード
9 ダイオード
10 第3MOS−FET
11 電流検出抵抗
12 制御IC
13 平滑コンデンサ
14 充放電制御スイッチ
15 ダイオード
16 ダイオード
21 充放電制御トランジスタ
61 セラミックコンデンサ
71 プリント基板
72 筐体
100 バッテリ電源
2 インジェクタ
4 インジェクタハーネス
5 昇圧回路
6 第1MOS−FET
7 第2MOS−FET
8 ダイオード
9 ダイオード
10 第3MOS−FET
11 電流検出抵抗
12 制御IC
13 平滑コンデンサ
14 充放電制御スイッチ
15 ダイオード
16 ダイオード
21 充放電制御トランジスタ
61 セラミックコンデンサ
71 プリント基板
72 筐体
100 バッテリ電源
Claims (8)
- バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、
当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、
前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、
前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作して前記インジェクタに所定の電流を流す期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にすることを特徴とするインジェクタ駆動回路。 - バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段と、前記インジェクタの電流を遮断するための第三のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、
当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、
前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、
前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段のスイッチング動作開始から前記第三のスイッチ手段によるインジェクタ電流の遮断までの期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にすることを特徴とするインジェクタ駆動回路。 - 前記充放電制御スイッチ手段は、トランジスタ、逆阻止IGBT、或いは2つのMOS−FETのソース・ソース端子間もしくはドレイン・ドレイン端子間を接続した複合素子、或いは2つのIGBTのエミッタ・エミッタ端子間もしくはコレクタ・コレクタ端子間を接続した複合素子であることを特徴とする請求項1又は2に記載のインジェクタ駆動回路。
- 前記制御手段は、前記充放電制御スイッチ手段がオンする以前に前記平滑コンデンサにバッテリ電圧に充電する制御を行うことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
- 前記制御手段は、前記インジェクタに流れる電流値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御することを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
- 前記制御手段は、前記インジェクタに印加される電圧値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御することを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
- 前記平滑コンデンサは、セラミックコンデンサ、フィルムコンデンサ、Nbコンデンサ、固体電解コンデンサ、電解コンデンサの何れかにより構成されていることを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
- 前記平滑コンデンサと前記充放電制御スイッチ手段が、インジェクタ駆動回路のプリント基板に実装されていることを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
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- 2008-03-31 JP JP2008093453A patent/JP2009243418A/ja active Pending
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