JP2009241456A - Dielectric substrate - Google Patents

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Shinsuke Yano
信介 矢野
Kazuyoshi Shibata
和義 柴田
Masahiko Namekawa
政彦 滑川
Masahiro Abe
真博 阿部
Koji Ikeda
幸司 池田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a boundary part whose dielectric constant is different from being peeled or broken up and to increase the thickness of a dielectric whose internal dielectric constant is different, in spite of a dielectric substrate a part of which is different in dielectric constant. <P>SOLUTION: A first dielectric substrate 10A includes a first ceramic fired body 12 having a first dielectric constant ε1 and a second ceramic fired body 14 formed around the first ceramic fired body 12 and having a second dielectric constant ε2. The first ceramic fired body 12 and the second ceramic fired body 14 are configured in such a manner that a first ceramic formed body 16 obtained by at least curing a mixture of a thermosetting resin precursor and first ceramic powder and a ceramic formed body 18 obtained by at least curing a slurry obtained by mixing the thermosetting resin precursor, second ceramic powder and a solvent, after the slurry is supplied to cover the first ceramic formed body 16 are fired. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、一部誘電率が異なる誘電体基板に関し、誘電率の違いを利用したコンデンサ等の電子部品や高周波回路等に用いて好適な誘電体基板に関する。   The present invention relates to a dielectric substrate having a partially different dielectric constant, and more particularly to a dielectric substrate suitable for use in an electronic component such as a capacitor or a high-frequency circuit using the difference in dielectric constant.

一部誘電率が異なる誘電体基板を使用した電子部品としては、例えば特許文献1〜3が提案されている。   For example, Patent Documents 1 to 3 have been proposed as electronic parts using dielectric substrates having different dielectric constants.

特許文献1は、分波回路を誘電体基板中に一体的に形成し、誘電体基板のうち、受信側フィルタ及び送信側フィルタを有する部分を高誘電率材料(例えば誘電率εr=80)で形成し、分波回路を有する部分を低誘電率材料(例えば誘電率εr=25)で形成する例が開示されている。この特許文献1によれば、フィルタを構成する共振器のほか、分波回路を構成する集中定数素子の小型化を図ることができる。   In Patent Document 1, a branching circuit is integrally formed in a dielectric substrate, and a portion having a reception side filter and a transmission side filter in the dielectric substrate is made of a high dielectric constant material (for example, dielectric constant εr = 80). An example is disclosed in which a portion having a branching circuit is formed with a low dielectric constant material (for example, dielectric constant εr = 25). According to this Patent Document 1, in addition to the resonator constituting the filter, the lumped constant element constituting the branching circuit can be miniaturized.

特許文献2は、上側接地電極誘電体基板、段間結合容量誘電体基板、共振器誘電体基板、入出力結合容量誘電体基板を共にそれぞれ異なる誘電率を有する誘電体材料、すなわち高い比誘電率を有する第1の誘電体材料及び低い比誘電率を有する第2の誘電体材料よりなる複合誘電体基板で構成することが開示されている。この特許文献2によれば、低損失の誘電体フィルタを提供することができる。   Patent Document 2 discloses a dielectric material having different dielectric constants for an upper ground electrode dielectric substrate, an interstage coupling capacitive dielectric substrate, a resonator dielectric substrate, and an input / output coupling capacitive dielectric substrate, that is, a high relative dielectric constant. And a composite dielectric substrate made of a first dielectric material having a low dielectric constant and a second dielectric material having a low relative dielectric constant. According to Patent Document 2, a low-loss dielectric filter can be provided.

特許文献3は、以下の点が記載されている。すなわち、複数の誘電体膜からなる第1の多層誘電体膜上に、比誘電率及び膜厚が誘電体膜のそれらと異なる誘電体膜からなる第2の多層誘電体膜が形成されている。該第2の多層誘電体膜上にアンテナ素子が形成されている。該アンテナ素子の接地導体が、第1の多層誘電体膜の膜間に形成されている。該接地導体のアンテナ素子とは反対側に、ストリップ状導体が形成されている。該ストリップ状導体に入力した信号は、上記接地導体に形成されたスロットを介して、アンテナ素子と電磁界的に結合して、該アンテナ素子を励振する。この引用文献3によれば、広い周波数範囲の中から任意で、且つ、複数の動作周波数に対して、各アンテナがそれぞれ最適な誘電体基板厚を有し、良好に動作できるマルチバンドマイクロストリップアンテナを実現することができる。   Patent Document 3 describes the following points. That is, a second multilayer dielectric film made of a dielectric film having a relative dielectric constant and a film thickness different from those of the dielectric film is formed on the first multilayer dielectric film made of a plurality of dielectric films. . An antenna element is formed on the second multilayer dielectric film. A ground conductor of the antenna element is formed between the first multilayer dielectric films. A strip-shaped conductor is formed on the opposite side of the ground conductor from the antenna element. A signal input to the strip-shaped conductor is electromagnetically coupled to the antenna element through a slot formed in the ground conductor to excite the antenna element. According to the cited document 3, a multiband microstrip antenna that can operate satisfactorily with each antenna having an optimum dielectric substrate thickness for a plurality of operating frequencies arbitrarily in a wide frequency range. Can be realized.

特開2000−223910号公報JP 2000-223910 A 特開2002−280805号公報JP 2002-280805 A 特開平9−51224号公報JP-A-9-51224

ところで、一部誘電率が異なる誘電体基板を構成する場合、例えば図18A及び図18Bに示す方法が考えられる。   By the way, in the case of configuring dielectric substrates having partially different dielectric constants, for example, a method shown in FIGS. 18A and 18B can be considered.

すなわち、図18Aに示すように、第1誘電率を有する第1セラミック粉末と樹脂を含む第1グリーンシート100上に下部導体パターン102aを印刷によって形成し、その上に、第2誘電率を有する第2セラミック粉末と樹脂を含む第2グリーンシート104を積層し、さらに、その上に、上部導体パターン102bを印刷によって形成する。   That is, as shown in FIG. 18A, the lower conductor pattern 102a is formed by printing on the first green sheet 100 including the first ceramic powder having the first dielectric constant and the resin, and has the second dielectric constant thereon. A second green sheet 104 containing a second ceramic powder and a resin is laminated, and an upper conductor pattern 102b is formed thereon by printing.

その後、図18Bに示すように、全面に別の第1グリーンシート100を積層し、その後、加圧して焼成することにより、一対の電極で挟まれた部分とそれ以外の部分で誘電率が異なる誘電体基板を得ることができる。   Thereafter, as shown in FIG. 18B, another first green sheet 100 is laminated on the entire surface, and then pressed and baked, so that the dielectric constant differs between the portion sandwiched between the pair of electrodes and the other portion. A dielectric substrate can be obtained.

しかし、この方法の場合、図19に示すように、下部導体パターン102a、第2グリーンシート104及び上部導体パターン102bを含む積層膜106が第1グリーンシート上において凸形状に形成されるため、別の第1グリーンシート100を積層する際に、積層膜42の周縁近傍に圧力がかからず、積層した後に、剥がれが生じたり、積層膜42の端部がつぶれてしまい、上部導体パターン102bの電気的特性を劣化させる。また、これらの問題のために、下部導体パターン102a、第2グリーンシート104及び上部導体パターン102bの厚みを厚くできないため、一対の電極とその間に存在する誘電体からなるコンデンサの容量値の調整幅や抵抗値を下げるのに限界が生じ、また、高周波回路に適用した場合に、高周波特性の向上にも限界が生じるという問題がある。   However, in this method, as shown in FIG. 19, the laminated film 106 including the lower conductor pattern 102a, the second green sheet 104, and the upper conductor pattern 102b is formed in a convex shape on the first green sheet. When the first green sheet 100 is laminated, no pressure is applied in the vicinity of the periphery of the laminated film 42, and after the lamination, peeling occurs or the end of the laminated film 42 is crushed, and the upper conductor pattern 102b Deteriorate electrical characteristics. In addition, because of these problems, the thickness of the lower conductor pattern 102a, the second green sheet 104, and the upper conductor pattern 102b cannot be increased. Therefore, the adjustment range of the capacitance value of the capacitor composed of a pair of electrodes and a dielectric existing between them. In addition, there is a problem in that there is a limit in reducing the resistance value, and there is a problem in that there is a limit in improving high frequency characteristics when applied to a high frequency circuit.

そこで、図20に示すように、同じ面積を有する第1グリーンシート100、第2グリーンシート104及び第1グリーンシート100を積層して3層構造とし、第1グリーンシート100と第2グリーンシート104との間にそれぞれ下部導体パターン102aと上部導体パターン102bを介在させることが考えられる。これにより、少なくとも第2グリーンシート104による凸形状の形成が回避でき、剥がれの頻度を低減することができる。しかし、依然下部導体パターン102a及び上部導体パターン102bの厚みを厚くできないため、低抵抗化ができないという問題は残る。   Therefore, as shown in FIG. 20, the first green sheet 100, the second green sheet 104, and the first green sheet 100 having the same area are laminated to form a three-layer structure, and the first green sheet 100 and the second green sheet 104 are stacked. It is conceivable that the lower conductor pattern 102a and the upper conductor pattern 102b are interposed between the lower conductor pattern 102a and the upper conductor pattern 102b. Thereby, at least the formation of the convex shape by the second green sheet 104 can be avoided, and the frequency of peeling can be reduced. However, since the thickness of the lower conductor pattern 102a and the upper conductor pattern 102b cannot be increased, the problem that the resistance cannot be reduced remains.

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くでき、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる誘電体基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such problems, and although it is a dielectric substrate having a partially different dielectric constant, there is no peeling or collapse of a boundary portion having a different dielectric constant, and an internal dielectric constant. It is an object of the present invention to provide a dielectric substrate that can increase the thickness of different dielectrics and improve the degree of freedom in structural design and circuit design when used for circuit boards and circuit components.

また、本発明の他の目的は、一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、導体パターンの剥がれや崩れがなく、また、導体パターンの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができ、しかも、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる誘電体基板を提供することを目的とする。   Another object of the present invention is to prevent the conductor pattern from peeling or collapsing even though it is a dielectric substrate having a different dielectric constant, and to increase the thickness of the conductor pattern, to reduce the resistance value, It is an object of the present invention to provide a dielectric substrate that can easily improve characteristics and that can improve the degree of freedom in structural design and circuit design when used for a circuit board or circuit component.

本発明に係る誘電体基板は、一部誘電率の異なる誘電体基板において、少なくとも熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末との混合物を硬化して得られる第1セラミック成形体と、熱硬化性樹脂前駆体と第2セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも前記第1セラミック成形体を被覆するように供給した後に硬化して得られる第2セラミック成形体とが焼成されて構成されていることを特徴とする。   A dielectric substrate according to the present invention includes a first ceramic molded body obtained by curing at least a mixture of a thermosetting resin precursor and a first ceramic powder in a dielectric substrate partially having different dielectric constants, and thermosetting. And a second ceramic molded body obtained by curing a slurry prepared by supplying a slurry in which a functional resin precursor, a second ceramic powder and a solvent are mixed so as to cover at least the first ceramic molded body. It is characterized by being.

そして、本発明において、前記第1セラミック成形体は、熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末を含むペーストを所定の形状に成形した後、硬化して得られるようにしてもよい。この場合、前記第1セラミック成形体は、基体上に前記ペーストをパターン形成し、その後、硬化してなるようにしてもよい。前記第2セラミック成形体は、前記基体上に成形された前記第1セラミック成形体を被覆するように塗布した後に硬化して得られるようにしてもよい。   In the present invention, the first ceramic molded body may be obtained by molding a paste containing a thermosetting resin precursor and a first ceramic powder into a predetermined shape and then curing the paste. In this case, the first ceramic molded body may be formed by patterning the paste on a substrate and then curing. The second ceramic molded body may be obtained by applying the first ceramic molded body formed on the substrate so as to cover it and then curing it.

また、本発明において、前記混合物に含まれる熱硬化性樹脂前駆体は、フェノール樹脂又はポリウレタン樹脂前駆体であってもよい。また、前記スラリーに含まれる前記熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であってもよい。   In the present invention, the thermosetting resin precursor contained in the mixture may be a phenol resin or a polyurethane resin precursor. Further, the thermosetting resin precursor contained in the slurry may be a polyurethane resin precursor.

また、本発明において、前記第2セラミック成形体は、前記スラリーを前記第1セラミック成形体と導体成形体とを被覆するように供給した後に硬化して得られるようにしてもよい。この場合、前記導体成形体は、少なくとも前記第1セラミック成形体に接するように形成されていてもよい。また、前記導体成形体は、熱硬化性樹脂前駆体と銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)系の金属の少なくとも1種類の粉末を含む導体ペーストをパターン形成し、その後、硬化してなるようにしてもよい。前記導体ペーストに含まれる前記熱硬化性樹脂前駆体は、フェノール樹脂であってもよい。   In the present invention, the second ceramic molded body may be obtained by curing after supplying the slurry so as to cover the first ceramic molded body and the conductor molded body. In this case, the conductor molded body may be formed so as to be in contact with at least the first ceramic molded body. The conductor molded body is formed by patterning a conductor paste containing a thermosetting resin precursor and at least one powder of silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu) based metal, and then cured. You may make it become. The thermosetting resin precursor contained in the conductor paste may be a phenol resin.

以上説明したように、本発明に係る誘電体基板によれば、一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、導体パターンの剥がれや崩れがなく、また、導体パターンの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができる。また、特定の層全体で誘電率が異なる構成のほか、部分的に誘電率が異なるようにも構成することができるため、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる。   As described above, according to the dielectric substrate according to the present invention, the conductor pattern does not peel or collapse even though the dielectric substrate is partially different in dielectric constant, and the thickness of the conductor pattern can be increased. It is possible to easily reduce the resistance value and improve the high frequency characteristics. In addition to the configuration where the dielectric constant is different for the entire specific layer, it can also be configured so that the dielectric constant is partially different, so the degree of freedom of structural design and circuit design when used for circuit boards and circuit components Can be improved.

以下、本発明に係る誘電体基板の実施の形態例を図1〜図20を参照しながら説明する。   Embodiments of a dielectric substrate according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

[第1の実施の形態]
先ず、第1の実施の形態に係る誘電体基板(以下、第1誘電体基板10Aと記す)は、図1に示すように、第1誘電率ε1を有する第1セラミック焼成体12と、該第1セラミック焼成体12の周りに形成された第2誘電率ε2を有する第2セラミック焼成体14とを有する。
[First Embodiment]
First, as shown in FIG. 1, a dielectric substrate according to the first embodiment (hereinafter referred to as a first dielectric substrate 10A) includes a first ceramic fired body 12 having a first dielectric constant ε1, A second ceramic fired body 14 having a second dielectric constant ε2 formed around the first ceramic fired body 12.

第1セラミック焼成体12及び第2セラミック焼成体14は、少なくとも熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末との混合物を硬化して得られる第1セラミック成形体16と、熱硬化性樹脂前駆体と第2セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも第1セラミック成形体16を被覆するように供給した後に硬化して得られる第2セラミック成形体18とが焼成されて構成されている。   The first ceramic fired body 12 and the second ceramic fired body 14 are a first ceramic molded body 16 obtained by curing a mixture of at least a thermosetting resin precursor and a first ceramic powder, and a thermosetting resin precursor. And a second ceramic molded body 18 obtained by curing a slurry prepared by supplying a slurry in which the second ceramic powder and the solvent are mixed so as to cover at least the first ceramic molded body 16. .

そして、図2に示すように、この第1誘電体基板10Aに3つの一対の電極(第1上部電極20a、第1下部電極20b、第2上部電極22a、第2下部電極22b、第3上部電極24a、第3下部電極24b)が形成されることで、1つの第1誘電体基板10Aに3つのコンデンサC1〜C3が形成された複合コンデンサ部品26が構成されることになる。   As shown in FIG. 2, the first dielectric substrate 10A has three pairs of electrodes (first upper electrode 20a, first lower electrode 20b, second upper electrode 22a, second lower electrode 22b, third upper electrode). By forming the electrode 24a and the third lower electrode 24b), a composite capacitor component 26 in which three capacitors C1 to C3 are formed on one first dielectric substrate 10A is formed.

すなわち、第1上部電極20aと第1下部電極20bとその間の誘電体(第2誘電率ε2)による第1コンデンサC1と、第2上部電極22aと第2下部電極22bとその間の誘電体(第2誘電率ε2−第1誘電率ε1−第2誘電率ε2)による第2コンデンサC2と、第3上部電極24aと第3下部電極24bとその間の誘電体(第2誘電率ε2)による第3コンデンサC3とを有する複合コンデンサ部品26が構成されることになる。もちろん、第1コンデンサC1と第3コンデンサC3が一体化されて、第2コンデンサC2を囲む構成でもよい。   That is, the first capacitor C1 by the first upper electrode 20a and the first lower electrode 20b and a dielectric therebetween (second dielectric constant ε2), the second upper electrode 22a and the second lower electrode 22b, and the dielectric (first dielectric) 2nd dielectric constant ε2−first dielectric constant ε1−second dielectric constant ε2), the third capacitor C2, the third upper electrode 24a, the third lower electrode 24b, and the dielectric between them (second dielectric constant ε2). A composite capacitor component 26 having the capacitor C3 is formed. Of course, the first capacitor C1 and the third capacitor C3 may be integrated to surround the second capacitor C2.

ここで、第1誘電体基板10Aの製造方法について図3A〜図3Cを参照しながら説明する。   Here, a manufacturing method of the first dielectric substrate 10A will be described with reference to FIGS. 3A to 3C.

先ず、図3Aに示すように、熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末を含むペースト28を印刷法によってパターン形成した後、硬化(室温硬化や乾燥硬化等)して第1セラミック成形体16を得る。   First, as shown in FIG. 3A, a paste 28 containing a thermosetting resin precursor and a first ceramic powder is patterned by a printing method, and then cured (room temperature curing, dry curing, etc.) to form a first ceramic molded body 16. Get.

その後、図3Bに示すように、第1セラミック成形体16を鋳込み型30内に設置し、その後、熱硬化性樹脂前駆体と第2セラミック粉末と溶媒を含むゲルキャスト用スラリー(以下、スラリー32と記す)を鋳込み型30内に鋳込んだ後に、硬化(室温硬化や乾燥硬化等)することによって、図3Cに示すように、内部に第1セラミック成形体16を含む第2セラミック成形体18が得られる。なお、鋳込み型30は断面で示す構造の一部が開放されていてもスラリー32の漏洩がなければ問題ない。   Thereafter, as shown in FIG. 3B, the first ceramic molded body 16 is placed in the casting mold 30, and then a gel casting slurry (hereinafter, slurry 32) containing a thermosetting resin precursor, a second ceramic powder, and a solvent. 3) is cast into the casting mold 30 and then cured (room temperature curing, dry curing, etc.), thereby forming the second ceramic molded body 18 including the first ceramic molded body 16 therein as shown in FIG. 3C. Is obtained. The casting mold 30 is not a problem as long as the slurry 32 does not leak even if a part of the structure shown in cross section is opened.

ペースト28に使用される熱硬化性樹脂前駆体は、自己反応性のレゾール型フェノール樹脂であることが好ましい。   The thermosetting resin precursor used for the paste 28 is preferably a self-reactive resol type phenol resin.

スラリー32に使用される熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であることが好ましい。   The thermosetting resin precursor used for the slurry 32 is preferably a polyurethane resin precursor.

なお、上述の例では、第1セラミック成形体16をペースト28を成形硬化して得るようにしたが、その他、別の鋳込み型に、熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末と溶媒を含むゲルキャスト用スラリーを鋳込んだ後に、硬化して第1セラミック成形体16を得るようにしてもよい。この場合、熱硬化性樹脂前駆体としては、ポリウレタン樹脂前駆体であることが好ましい。   In the above-described example, the first ceramic molded body 16 is obtained by molding and curing the paste 28. In addition, another casting mold includes a thermosetting resin precursor, the first ceramic powder, and a solvent. After casting the gel casting slurry, the first ceramic molded body 16 may be obtained by curing. In this case, the thermosetting resin precursor is preferably a polyurethane resin precursor.

このように、第1誘電体基板10Aにおいては、スラリー32に熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、スラリー32の硬化時における乾燥収縮に伴う第1セラミック成形体16周りの部分の変形は小さい。従って、第2セラミック成形体18のうち、第1セラミック成形体16の周りの部分の変形も小さい。また、ペースト28にも熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、第1セラミック成形体16が設置された鋳込み型30内にスラリー32を注入した際に、第1セラミック成形体16がスラリー32の溶剤に容易に溶解することがなく(耐溶剤性の向上)、パターン形状の崩れは生じない。   Thus, in the first dielectric substrate 10A, since the slurry 32 contains the thermosetting resin precursor, the deformation of the portion around the first ceramic molded body 16 due to drying shrinkage at the time of curing of the slurry 32 is reduced. small. Accordingly, the deformation of the portion around the first ceramic molded body 16 in the second ceramic molded body 18 is also small. In addition, since the paste 28 also contains a thermosetting resin precursor, when the slurry 32 is injected into the casting mold 30 in which the first ceramic molded body 16 is installed, the first ceramic molded body 16 becomes the slurry 32. It is not easily dissolved in the solvent (improved solvent resistance), and the pattern shape does not collapse.

従って、一部誘電率が異なる第1誘電体基板10Aでありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体(第1セラミック焼成体12)の厚みを厚くでき、図2のように、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる。   Accordingly, although the first dielectric substrate 10A has a partly different dielectric constant, the boundary part having a different dielectric constant does not peel or collapse, and the dielectric has a different internal dielectric constant (first ceramic fired body 12). As shown in FIG. 2, the degree of freedom in structural design and circuit design when used for a circuit board or circuit component can be improved.

[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態に係る誘電体基板(以下、第2誘電体基板10Bと記す)について図4〜図7Bを参照しながら説明する。
[Second Embodiment]
Next, a dielectric substrate according to a second embodiment (hereinafter referred to as a second dielectric substrate 10B) will be described with reference to FIGS. 4 to 7B.

この第2誘電体基板10Bは、図4に示すように、上述した第1誘電体基板10Aとほぼ同様の構成を有するが、第1セラミック焼成体12の一部の面が第2セラミック焼成体14の一主面(例えば下面)から露出している点で異なる。   As shown in FIG. 4, the second dielectric substrate 10B has substantially the same structure as the first dielectric substrate 10A described above, but a part of the surface of the first ceramic fired body 12 is the second ceramic fired body. 14 in that it is exposed from one main surface (for example, the lower surface).

この場合も、図5に示すように、第2誘電体基板10Bに3つの一対の電極(第1上部電極20a、第1下部電極20b、第2上部電極22a、第2下部電極22b、第3上部電極24a、第3下部電極24b)が形成されることで、1つの第2誘電体基板10Bに3つのコンデンサC1〜C3が形成された複合コンデンサ部品26が構成されることになる。   Also in this case, as shown in FIG. 5, three pairs of electrodes (first upper electrode 20a, first lower electrode 20b, second upper electrode 22a, second lower electrode 22b, third electrode) are formed on the second dielectric substrate 10B. By forming the upper electrode 24a and the third lower electrode 24b), a composite capacitor component 26 in which three capacitors C1 to C3 are formed on one second dielectric substrate 10B is formed.

すなわち、第1上部電極20aと第1下部電極20bとその間の誘電体(第2誘電率ε2)による第1コンデンサC1と、第2上部電極22aと第2下部電極22bとその間の誘電体(第2誘電率ε2−第1誘電率ε1)による第2コンデンサC2と、第3上部電極24aと第3下部電極24bとその間の誘電体(第2誘電率ε2)による第3コンデンサC3とを有する複合コンデンサ部品26が構成されることになる。   That is, the first capacitor C1 by the first upper electrode 20a and the first lower electrode 20b and a dielectric therebetween (second dielectric constant ε2), the second upper electrode 22a and the second lower electrode 22b, and the dielectric (first dielectric) A second capacitor C2 having a second dielectric constant ε2-a first dielectric constant ε1), and a third capacitor C3 having a third upper electrode 24a, a third lower electrode 24b, and a dielectric (second dielectric constant ε2) therebetween. The capacitor component 26 is configured.

ここで、第2誘電体基板10Bの製造方法について図6A〜図7Bを参照しながら説明する。   Here, a manufacturing method of the second dielectric substrate 10B will be described with reference to FIGS. 6A to 7B.

先ず、図6Aに示すように、フィルム34上にペースト28を印刷法によってパターン形成した後、硬化してフィルム34上に第1セラミック成形体16を形成する。フィルム34は、表面にシリコーン離型剤がコートされたPET(ポリエチレンテレフタレート)である。ペースト28の加熱硬化時における収縮、歪を抑制するために、予めフィルム34に温度150℃で10分以上のアニール処理を施すことが好ましい。   First, as shown in FIG. 6A, the paste 28 is patterned on the film 34 by a printing method and then cured to form the first ceramic molded body 16 on the film 34. The film 34 is PET (polyethylene terephthalate) whose surface is coated with a silicone release agent. In order to suppress the shrinkage and distortion during the heat curing of the paste 28, it is preferable to subject the film 34 to an annealing treatment for 10 minutes or more at a temperature of 150 ° C. in advance.

その後、図6Bに示すように、フィルム34を鋳込み型30内に設置し、スラリー32を鋳込み型30内に鋳込んだ後に硬化する。これによって、図6Cに示すように、第1セラミック成形体16を含んだ第2セラミック成形体18が得られる。この場合、図7Aに示すように、フィルム34上に第2セラミック成形体18が設置された状態になっているため、図7Bに示すように、第2セラミック成形体18を第1セラミック成形体16ごとフィルム34から離型し、その後、焼成することによって、図4に示すように、第1セラミック焼成体12の一部の面が第2セラミック焼成体14の一主面から露出した第2誘電体基板10Bが得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 6B, the film 34 is placed in the casting mold 30, and the slurry 32 is cast into the casting mold 30 and then cured. Thereby, as shown in FIG. 6C, a second ceramic molded body 18 including the first ceramic molded body 16 is obtained. In this case, as shown in FIG. 7A, since the second ceramic molded body 18 is placed on the film 34, the second ceramic molded body 18 is replaced with the first ceramic molded body as shown in FIG. 7B. 16 is released from the film 34 and then fired, whereby a part of the first ceramic fired body 12 is exposed from one main surface of the second ceramic fired body 14 as shown in FIG. A dielectric substrate 10B is obtained.

このように、第2誘電体基板10Bにおいても、スラリー32に熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、スラリー32の硬化時における乾燥収縮に伴う第1セラミック成形体16周りの部分の変形は小さい。従って、第2セラミック成形体18のうち、第1セラミック成形体16の周りの部分の変形も小さく、第2セラミック成形体18の一主面(第1セラミック成形体16の一主面が露出された面)の平滑性も良好となる。これは、図8に示すように、第1セラミック成形体16を含む第2セラミック成形体18を複数積層してセラミック積層体21とした場合にも有利であり、隣接する第2セラミック成形体18とが密着し、隣接する第1セラミック成形体16と第2セラミック成形体18とで密着し、これらの間での剥がれは生じない。   Thus, in the second dielectric substrate 10B as well, since the slurry 32 contains the thermosetting resin precursor, deformation of the portion around the first ceramic molded body 16 due to drying shrinkage at the time of curing of the slurry 32 is reduced. small. Accordingly, the deformation of the portion around the first ceramic molded body 16 in the second ceramic molded body 18 is also small, and one main surface of the second ceramic molded body 18 (one main surface of the first ceramic molded body 16 is exposed). The smoothness of the surface is also good. As shown in FIG. 8, this is also advantageous when a plurality of second ceramic molded bodies 18 including the first ceramic molded body 16 are laminated to form a ceramic laminated body 21, and adjacent second ceramic molded bodies 18. And the adjacent first ceramic molded body 16 and the second ceramic molded body 18 are in close contact with each other, and no peeling occurs between them.

[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態に係る誘電体基板(以下、第3誘電体基板10Cと記す)について図9〜図11Bを参照しながら説明する。
[Third Embodiment]
Next, a dielectric substrate according to a third embodiment (hereinafter referred to as a third dielectric substrate 10C) will be described with reference to FIGS. 9 to 11B.

この第3誘電体基板10Cは、図9に示すように、上述した第2誘電体基板10Bとほぼ同様の構成を有するが、第1導体パターン36a及び第2導体パターン36bが少なくとも第1セラミック焼成体12に接するように形成されている点で異なる。   As shown in FIG. 9, the third dielectric substrate 10C has substantially the same configuration as the second dielectric substrate 10B described above, but the first conductor pattern 36a and the second conductor pattern 36b are at least a first ceramic fired. It differs in that it is formed so as to contact the body 12.

具体的には、第1導体パターン36a上に第1セラミック焼成体12が形成され、該第1セラミック焼成体12上に第2導体パターン36bが形成され、これら第1導体パターン36a、第1セラミック焼成体12及び第2導体パターン36bによる積層体37を含むように第2セラミック焼成体14が形成されている。   Specifically, the first ceramic fired body 12 is formed on the first conductor pattern 36a, and the second conductor pattern 36b is formed on the first ceramic fired body 12. The first conductor pattern 36a and the first ceramic The second ceramic fired body 14 is formed so as to include the multilayer body 37 of the fired body 12 and the second conductor pattern 36b.

ここで、第3誘電体基板10Cの製造方法について図10A〜図11Bを参照しながら説明する。   Here, a manufacturing method of the third dielectric substrate 10C will be described with reference to FIGS. 10A to 11B.

先ず、図10Aに示すように、フィルム34上に第1導体ペースト38aを印刷法によってパターン形成した後、硬化してフィルム34上に第1導体成形体40aを形成する。その後、第1導体成形体40a上にペースト28を印刷法によってパターン形成した後、硬化して第1セラミック成形体16を形成する。その後、第1セラミック成形体16上に、第2導体ペースト38bを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第2導体成形体40bを形成する。この段階で、フィルム34上に第1導体成形体40a、第1セラミック成形体16及び第2導体成形体40bによる積層膜42が形成される。   First, as shown in FIG. 10A, the first conductor paste 38 a is patterned on the film 34 by a printing method and then cured to form the first conductor molded body 40 a on the film 34. Thereafter, the paste 28 is patterned on the first conductor molded body 40a by a printing method, and then cured to form the first ceramic molded body 16. Thereafter, the second conductor paste 38b is patterned on the first ceramic molded body 16 by a printing method and then cured to form the second conductor molded body 40b. At this stage, a laminated film 42 is formed on the film 34 by the first conductor molded body 40a, the first ceramic molded body 16 and the second conductor molded body 40b.

その後、図10Bに示すように、フィルム34を鋳込み型30内に設置し、スラリー32を鋳込み型30内に鋳込んだ後に硬化する。これによって、図10Cに示すように、積層膜42を含んだ第2セラミック成形体18が得られる。この場合、図11Aに示すように、フィルム34上に第2セラミック成形体18が設置された状態になっているため、図11Bに示すように、第2セラミック成形体18を積層膜42ごとフィルム34から離型し、その後、焼成することによって、図9に示すように、積層体37が第2セラミック焼成体14で包まれ、且つ、積層体37の一部の面が第2セラミック焼成体14の一主面から露出した第3誘電体基板10Cが得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 10B, the film 34 is placed in the casting mold 30, and the slurry 32 is cast into the casting mold 30 and then cured. Thereby, as shown in FIG. 10C, the second ceramic molded body 18 including the laminated film 42 is obtained. In this case, as shown in FIG. 11A, since the second ceramic molded body 18 is placed on the film 34, the second ceramic molded body 18 is filmed together with the laminated film 42 as shown in FIG. 11B. As shown in FIG. 9, the laminate 37 is wrapped with the second ceramic fired body 14, and a part of the surface of the laminate 37 is the second ceramic fired body. The third dielectric substrate 10 </ b> C exposed from one main surface of 14 is obtained.

このように、第3誘電体基板10Cにおいては、スラリー32に熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、スラリー32の硬化時における乾燥収縮に伴う積層膜42周りの部分の変形は小さい。従って、第2セラミック成形体18のうち、積層膜42の周りの部分の変形も小さく、第2セラミック成形体18の一主面(積層膜42の一主面が露出された面)の平滑性も良好となる。また、第1セラミック成形体16のほか、第1導体ペースト38a及び第2導体ペースト38bにも熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、積層膜42が設置された鋳込み型30内にスラリー32を注入した際に、第1導体成形体40a及び第2導体成形体40bがスラリー32の溶剤に容易に溶解することがなく(耐溶剤性の向上)、パターン形状の崩れは生じない。   As described above, in the third dielectric substrate 10 </ b> C, since the slurry 32 includes the thermosetting resin precursor, deformation of the portion around the laminated film 42 due to drying shrinkage when the slurry 32 is cured is small. Accordingly, the deformation of the portion around the laminated film 42 in the second ceramic molded body 18 is also small, and the smoothness of one main surface of the second ceramic molded body 18 (the surface on which one main surface of the laminated film 42 is exposed). Will also be good. In addition to the first ceramic molded body 16, the first conductive paste 38 a and the second conductive paste 38 b also contain the thermosetting resin precursor, so that the slurry 32 is contained in the casting mold 30 in which the laminated film 42 is installed. The first conductor molded body 40a and the second conductor molded body 40b are not easily dissolved in the solvent of the slurry 32 (improvement of solvent resistance), and the pattern shape does not collapse.

そのため、一部誘電率が異なる第3誘電体基板10Cでありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くでき、しかも、第1導体パターン36a及び第2導体パターン36bの剥がれや崩れがなく、また、第1導体パターン36a及び第2導体パターン36bの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができる。つまり、第3誘電体基板10Cにおいても、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる。   Therefore, although it is the third dielectric substrate 10C having a partly different dielectric constant, there is no peeling or collapse of the boundary part having a different dielectric constant, and the thickness of the dielectric having a different inner dielectric constant can be increased. The first conductor pattern 36a and the second conductor pattern 36b are not peeled off or collapsed, and the thickness of the first conductor pattern 36a and the second conductor pattern 36b can be increased to easily reduce the resistance value and improve the high-frequency characteristics. Can be planned. That is, also in the 3rd dielectric substrate 10C, the freedom degree of the structure design and circuit design at the time of using for a circuit board or a circuit component can be improved.

[第4の実施の形態]
次に、第4の実施の形態に係る誘電体基板(以下、第4誘電体基板10Dと記す)について図12〜図14Bを参照しながら説明する。
[Fourth Embodiment]
Next, a dielectric substrate according to a fourth embodiment (hereinafter referred to as a fourth dielectric substrate 10D) will be described with reference to FIGS.

この第4誘電体基板10Dは、図12に示すように、上述した第3誘電体基板10Cとほぼ同様の構成を有するが、積層体37が第1導体パターン36a〜第3導体パターン36cを有する多層構造となっている点で異なる。   As shown in FIG. 12, the fourth dielectric substrate 10D has substantially the same configuration as the third dielectric substrate 10C described above, but the laminate 37 has the first conductor pattern 36a to the third conductor pattern 36c. It differs in that it has a multilayer structure.

具体的には、第1導体パターン36a上に下部第1セラミック焼成体12aが形成され、該下部第1セラミック焼成体12a上に第2導体パターン36bが形成され、該第2導体パターン36b上に上部第1セラミック焼成体12bが形成され、該上部第1セラミック焼成体12b上に第3導体パターン36cが形成され、これら第1導体パターン36a、下部第1セラミック焼成体12a、第2導体パターン36b、上部第1セラミック焼成体12b及び第3導体パターン36cによる多層構造の積層体37を含むように第2セラミック焼成体14が形成されている。   Specifically, the lower first ceramic fired body 12a is formed on the first conductor pattern 36a, the second conductor pattern 36b is formed on the lower first ceramic fired body 12a, and the second conductor pattern 36b is formed on the second conductor pattern 36b. An upper first ceramic fired body 12b is formed, and a third conductor pattern 36c is formed on the upper first ceramic fired body 12b. These first conductor pattern 36a, lower first ceramic fired body 12a, and second conductor pattern 36b. The second ceramic fired body 14 is formed so as to include a multilayered structure 37 composed of the upper first ceramic fired body 12b and the third conductor pattern 36c.

ここで、第4誘電体基板10Dの製造方法について図13A〜図14Bを参照しながら説明する。   Here, a method of manufacturing the fourth dielectric substrate 10D will be described with reference to FIGS. 13A to 14B.

先ず、図13Aに示すように、フィルム34上に第1導体ペースト38aを印刷法によってパターン形成した後、硬化してフィルム34上に第1導体成形体40aを形成する。その後、第1導体成形体40a上に第1ペースト28aを印刷法によってパターン形成した後、硬化して下部第1セラミック成形体16aを形成する。その後、下部第1セラミック成形体16a上に、第2導体ペースト38bを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第2導体成形体40bを形成する。その後、第2導体成形体40b上に第2ペースト28bを印刷法によってパターン形成した後、硬化して上部第1セラミック成形体16bを形成する。その後、上部第1セラミック成形体16b上に、第3導体ペースト38cを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第3導体成形体40cを形成する。この段階で、フィルム34上に第1導体成形体40a、下部第1セラミック成形体16a、第2導体成形体40b、上部第1セラミック成形体16b及び第3導体成形体40cによる積層膜42が形成される。   First, as shown in FIG. 13A, the first conductor paste 38 a is patterned on the film 34 by a printing method and then cured to form the first conductor molded body 40 a on the film 34. Then, after pattern-forming the 1st paste 28a on the 1st conductor molded object 40a by the printing method, it hardens | cures and the lower 1st ceramic molded object 16a is formed. Thereafter, the second conductor paste 38b is patterned on the lower first ceramic molded body 16a by a printing method and then cured to form the second conductor molded body 40b. Thereafter, the second paste 28b is patterned on the second conductor molded body 40b by a printing method and then cured to form the upper first ceramic molded body 16b. Thereafter, the third conductor paste 38c is patterned on the upper first ceramic molded body 16b by a printing method and then cured to form the third conductor molded body 40c. At this stage, the laminated film 42 is formed on the film 34 by the first conductor molded body 40a, the lower first ceramic molded body 16a, the second conductor molded body 40b, the upper first ceramic molded body 16b, and the third conductor molded body 40c. Is done.

その後、図13Bに示すように、フィルム34を鋳込み型30内に設置し、スラリー32を鋳込み型30内に鋳込んだ後に硬化する。これによって、図13Cに示すように、積層膜42を含んだ第2セラミック成形体18が得られる。この場合、図14Aに示すように、フィルム34上に第2セラミック成形体18が設置された状態になっているため、図14Bに示すように、第2セラミック成形体18を積層膜42ごとフィルム34から離型し、その後、焼成することによって、図12に示すように、積層体37が第2セラミック焼成体14で包まれ、且つ、積層体37の一部の面が第2セラミック焼成体14の一主面から露出した第4誘電体基板10Dが得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 13B, the film 34 is placed in the casting mold 30, and the slurry 32 is cast into the casting mold 30 and then cured. As a result, as shown in FIG. 13C, the second ceramic molded body 18 including the laminated film 42 is obtained. In this case, as shown in FIG. 14A, since the second ceramic molded body 18 is placed on the film 34, the second ceramic molded body 18 is filmed together with the laminated film 42 as shown in FIG. 14B. As shown in FIG. 12, the laminate 37 is wrapped with the second ceramic fired body 14 and part of the surface of the laminate 37 is the second ceramic fired body. 14, the fourth dielectric substrate 10 </ b> D exposed from one main surface is obtained.

このように、第4誘電体基板10Dにおいても、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くでき、しかも、第1導体パターン36a〜第3導体パターン36cの剥がれや崩れがなく、また、第1導体パターン36a〜第3導体パターン36cの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができる。なお、上部第1セラミック焼成体12bの誘電率を第1誘電率ε1や第2誘電率ε2と異なる第3誘電率ε3にしてもよい。   As described above, also in the fourth dielectric substrate 10D, the boundary portions having different dielectric constants do not peel off or collapse, the thickness of the dielectric having different internal dielectric constants can be increased, and the first conductor patterns 36a to 36d The third conductor pattern 36c is not peeled off or collapsed, and the thickness of the first conductor pattern 36a to the third conductor pattern 36c can be increased, so that the resistance value can be easily reduced and the high frequency characteristics can be easily improved. Note that the dielectric constant of the upper first ceramic fired body 12b may be a third dielectric constant ε3 different from the first dielectric constant ε1 and the second dielectric constant ε2.

ここで、鋳込み型30を用いた製造方法(第1製造方法)での各構成部材の好ましい態様について説明する。   Here, the preferable aspect of each structural member with the manufacturing method (1st manufacturing method) using the casting mold 30 is demonstrated.

[第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38c:第1製造方法]
第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cとしては、バインダとしてエポキシ、フェノール等の未硬化物を含有するものが好ましいが、とりわけ、レゾール型フェノール樹脂を含有するものが好ましい。また、金属粉末については、Ag、Pd、Au、Pt、Cu、Ni、Rhといった金属の単体又は合金、金属間化合物を用いることができるが、同時焼成されるセラミック部材に要求される特性、すなわち、焼成時の酸素分圧、温度、焼成収縮温度特性を考慮し、適宜選択される。焼成収縮温度特性については金属粉末組成だけではなく、金属粉末の粒径、比表面積、凝集度によっても適宜制御される。第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38c中のバインダ分量については、例えば、Ag粉末の場合、金属粉末重量の1%〜10%の範囲を使用するが、セラミック部材の焼成収縮率、スクリーン印刷時の印刷性を考慮し、3〜6%の範囲が好ましい。
[First Conductive Paste 38a to Third Conductive Paste 38c: First Manufacturing Method]
As the first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c, those containing an uncured material such as epoxy and phenol as a binder are preferable, but those containing a resol type phenol resin are particularly preferable. As for the metal powder, a simple substance or alloy of metal such as Ag, Pd, Au, Pt, Cu, Ni, Rh, or an intermetallic compound can be used. The oxygen partial pressure, temperature, and firing shrinkage temperature characteristics during firing are selected as appropriate. The firing shrinkage temperature characteristic is appropriately controlled not only by the metal powder composition but also by the particle size, specific surface area, and aggregation degree of the metal powder. As for the binder content in the first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c, for example, in the case of Ag powder, a range of 1% to 10% of the weight of the metal powder is used. Considering the printability at the time, the range of 3 to 6% is preferable.

第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cは、上述したように、印刷後、加熱硬化させるが、硬化条件は、硬化剤の種類により異なり、例えば、第1の実施の形態で使用するレゾール型フェノール樹脂の場合、120℃で10分〜60分硬化させる。   As described above, the first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c are heat-cured after printing. However, the curing conditions differ depending on the type of the curing agent, for example, the resol type used in the first embodiment. In the case of a phenol resin, it is cured at 120 ° C. for 10 to 60 minutes.

第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cによる第1導体成形体40a〜第3導体成形体40cが形成されたフィルム34(この場合、PETフィルム)を鋳込み型30に設置するが、PETフィルムを鋳込み型30に設置する際、PETフィルムのうねりを抑制するため、所望の平行度、平坦度を有する型板に真空吸着、糊付け、静電吸着等の手段により吸着させる。   A film 34 (in this case, a PET film) on which the first conductor molded body 40a to the third conductor molded body 40c are formed by the first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c is installed in the casting mold 30. When installed in the casting mold 30, in order to suppress waviness of the PET film, it is adsorbed by means of vacuum adsorption, gluing, electrostatic adsorption or the like on a mold plate having a desired parallelism and flatness.

[鋳込み型30(金型):第1製造方法]
型板は、吸着手段に応じた板部材を使用する。例えば真空吸着の場合は、金属、セラミック、樹脂等の材質は関係なく、多孔質板や吸着用孔を多数あけた板を使用し、糊付けの場合は、糊との反応性がなく、後に溶剤等で糊を拭き取る際にも変質を起こさない材質の板を使用し、静電吸着の場合は、PETと静電吸着し易い材料でできた板を使用することが好ましい。
[Casting Die 30 (Mold): First Manufacturing Method]
The template uses a plate member corresponding to the suction means. For example, in the case of vacuum adsorption, regardless of the material such as metal, ceramic, resin, etc., use a porous plate or a plate with a large number of holes for adsorption. It is preferable to use a plate made of a material that does not change in quality even when the paste is wiped off, etc., and in the case of electrostatic adsorption, a plate made of a material that is easily electrostatically adsorbed with PET is preferably used.

鋳込み型30は、内部にスラリー32が流通する経路を有し、鋳込み硬化後のスラリー32が所望の厚みの板状となるように、型板間に、積層膜42が形成されたフィルム34を設置することが好ましい。   The casting mold 30 has a path through which the slurry 32 circulates, and a film 34 having a laminated film 42 formed between the mold plates so that the slurry 32 after casting and hardening has a plate shape with a desired thickness. It is preferable to install.

フィルム34は、PETフィルム、離型剤をコートした金属板・セラミック板、あるいはテフロン(登録商標)樹脂板等を用いることができる。   The film 34 may be a PET film, a metal plate / ceramic plate coated with a release agent, a Teflon (registered trademark) resin plate, or the like.

そして、この鋳込み型30に、反応硬化する樹脂を含有するスラリー32を流し込み、硬化させる。   Then, a slurry 32 containing a reaction-curing resin is poured into the casting mold 30 and cured.

[スラリー32:第1製造方法]
スラリー32は、用途に応じ、アルミナ、安定化ジルコニア、各種圧電セラミック材料、各種誘電セラミック材料、といった酸化物セラミックスをはじめ、シリコンナイトライド、アルミナイトライドといった窒化物セラミックス、シリコンカーバイド、タングステンカーバイドといった炭化物セラミックス粉末やバインダとしてのガラス成分を含んだセラミックス粉末を無機成分と、例えば分散剤とゲル化剤もしくはゲル化剤相互の化学反応が誘起される有機化合物とからなる。
[Slurry 32: First production method]
Depending on the application, the slurry 32 includes oxide ceramics such as alumina, stabilized zirconia, various piezoelectric ceramic materials, various dielectric ceramic materials, nitride ceramics such as silicon nitride and aluminum nitride, and carbides such as silicon carbide and tungsten carbide. The ceramic powder containing a ceramic powder or a glass component as a binder is composed of an inorganic component and, for example, a dispersant and an organic compound that induces a chemical reaction between the gelling agent or the gelling agent.

このスラリー32は、無機成分粉末の他、有機分散媒、ゲル化剤を含み、粘性や固化反応調整のための分散剤、触媒を含んでもよい。有機分散媒は反応性官能基を有していてよく、あるいは有していなくともよい。しかし、この有機分散媒は、反応性官能基を有することが特に好ましい。   The slurry 32 contains an organic dispersion medium and a gelling agent in addition to the inorganic component powder, and may contain a dispersant and a catalyst for adjusting viscosity and solidification reaction. The organic dispersion medium may or may not have a reactive functional group. However, the organic dispersion medium particularly preferably has a reactive functional group.

反応性官能基を有する有機分散媒としては、以下を例示することができる。   The following can be illustrated as an organic dispersion medium which has a reactive functional group.

すなわち、反応性官能基を有する有機分散媒は、ゲル化剤と化学結合し、スラリー32を固化可能な液状物質であること、及び鋳込みが容易な高流動性のスラリー32を形成できる液状物質であることの2つを満足する必要がある。   That is, the organic dispersion medium having a reactive functional group is a liquid substance that can chemically bond with the gelling agent and solidify the slurry 32, and a liquid substance that can form a highly fluid slurry 32 that can be easily cast. Two things need to be satisfied.

ゲル化剤と化学結合し、スラリー32を固化するためには、反応性官能基、すなわち、水酸基、カルボキシル基、アミノ基のようなゲル化剤と化学結合を形成し得る官能基を分子内に有していることが必要である。分散媒は少なくとも1の反応性官能基を有するものであれば足りるが、より十分な固化状態を得るためには、2以上の反応性官能基を有する有機分散媒を使用することが好ましい。2以上の反応性官能基を有する液状物質としては、例えば多価アルコール、多塩基酸が考えられる。なお、分子内の反応性官能基は必ずしも同種の官能基である必要はなく、異なる官能基であってもよい。また、反応性官能基はポリグリセリンのように多数あってもよい。   In order to chemically bond with the gelling agent and solidify the slurry 32, a reactive functional group, that is, a functional group capable of forming a chemical bond with the gelling agent such as a hydroxyl group, a carboxyl group, or an amino group is included in the molecule. It is necessary to have. The dispersion medium need only have at least one reactive functional group, but in order to obtain a more solidified state, it is preferable to use an organic dispersion medium having two or more reactive functional groups. Examples of liquid substances having two or more reactive functional groups include polyhydric alcohols and polybasic acids. In addition, the reactive functional group in a molecule | numerator does not necessarily need to be the same kind of functional group, and a different functional group may be sufficient as it. Moreover, there may be many reactive functional groups like polyglycerol.

一方、注型が容易な高流動性のスラリー32を形成するためには、可能な限り粘性の低い液状物質を使用することが好ましく、特に、20℃における粘度が20cps以下の物質を使用することが好ましい。既述の多価アルコールや多塩基酸は水素結合の形成により粘性が高い場合があるため、たとえスラリー32を固化することが可能であっても反応性分散媒として好ましくない場合がある。従って、多塩基酸エステル、多価アルコールの酸エステル等の2以上のエステル基を有するエステル類を前記有機分散媒として使用することが好ましい。また、多価アルコールや多塩基酸も、スラリー32を大きく増粘させない程度の量であれば、強度補強のために使用することは有効である。エステル類は比較的安定ではあるものの、反応性が高いゲル化剤とであれば十分反応可能であり、粘性も低いため、上記2条件を満たすからである。特に、全体の炭素数が20以下のエステルは低粘性であるため、反応性分散媒として好適に用いることができる。   On the other hand, in order to form a highly fluid slurry 32 that is easy to cast, it is preferable to use a liquid material having a viscosity as low as possible, and in particular, a material having a viscosity at 20 ° C. of 20 cps or less. Is preferred. Since the polyhydric alcohol and polybasic acid described above may have high viscosity due to the formation of hydrogen bonds, even if the slurry 32 can be solidified, it may not be preferable as a reactive dispersion medium. Therefore, it is preferable to use esters having two or more ester groups such as polybasic acid esters and acid esters of polyhydric alcohols as the organic dispersion medium. In addition, it is effective to use polyhydric alcohol or polybasic acid for strength reinforcement as long as the amount of the slurry 32 is not so thick. This is because esters are relatively stable, but can be sufficiently reacted with a highly reactive gelling agent and have a low viscosity, so the above two conditions are satisfied. In particular, an ester having a total carbon number of 20 or less can be suitably used as a reactive dispersion medium because of its low viscosity.

スラリー32に含有されていてもよい反応性官能基を有する有機分散媒としては、具体的には、エステル系ノニオン、アルコールエチレンオキサイド、アミン縮合物、ノニオン系特殊アミド化合物、変性ポリエステル系化合物、カルボキシル基含有ポリマー、マレイン系ポリアニオン、ポリカルボン酸エステル、多鎖型高分子非イオン系、リン酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸Na、マレイン酸系化合物を例示できる。また、非反応性分散媒としては、炭化水素、エーテル、トルエン等を例示できる。   Specific examples of the organic dispersion medium having a reactive functional group that may be contained in the slurry 32 include ester-based nonions, alcohol ethylene oxide, amine condensates, nonionic special amide compounds, modified polyester compounds, carboxyls. Examples thereof include a group-containing polymer, a maleic polyanion, a polycarboxylic acid ester, a multi-chain polymer nonionic system, a phosphoric acid ester, a sorbitan fatty acid ester, an alkylbenzenesulfonic acid Na, and a maleic acid compound. Examples of the non-reactive dispersion medium include hydrocarbon, ether, toluene and the like.

[ゲル化剤:第1製造方法]
スラリー32中に含有されるゲル化剤は、分散媒に含まれる反応性官能基と反応して固化反応を引き起こすものであり、以下を例示することができる。
[Gelling agent: first production method]
The gelling agent contained in the slurry 32 reacts with the reactive functional group contained in the dispersion medium to cause a solidification reaction, and the following can be exemplified.

すなわち、ゲル化剤の20℃における粘度が3000cps以下であることが好ましい。具体的には、2以上のエステル基を有する有機分散媒と、イソシアナート基、及び/又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤とを化学結合させることによりスラリー32を固化することが好ましい。   That is, it is preferable that the viscosity of the gelling agent at 20 ° C. is 3000 cps or less. Specifically, it is preferable to solidify the slurry 32 by chemically bonding an organic dispersion medium having two or more ester groups and a gelling agent having an isocyanate group and / or an isothiocyanate group.

具体的には、この反応性のゲル化剤は、分散媒と化学結合し、スラリー32を固化可能な物質である。従って、ゲル化剤は、分子内に、分散媒と化学反応し得る反応性官能基を有するものであればよく、例えば、モノマー、オリゴマー、架橋剤の添加により三次元的に架橋するプレポリマー(例えば、ポリビニルアルコール、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等)等のいずれであってもよい。   Specifically, the reactive gelling agent is a substance that can chemically bond with the dispersion medium and solidify the slurry 32. Accordingly, the gelling agent only needs to have a reactive functional group capable of chemically reacting with the dispersion medium in the molecule. For example, a prepolymer (three-dimensionally cross-linked by adding a monomer, oligomer, or cross-linking agent) For example, any of polyvinyl alcohol, an epoxy resin, a phenol resin, etc. may be sufficient.

但し、反応性ゲル化剤は、スラリー32の流動性を確保する観点から、粘性が低いもの、具体的には20℃における粘度が3000cps以下の物質を使用することが好ましい。   However, as the reactive gelling agent, from the viewpoint of ensuring the fluidity of the slurry 32, it is preferable to use a material having a low viscosity, specifically, a material having a viscosity at 20 ° C. of 3000 cps or less.

一般に、平均分子量が大きなプレポリマー及びポリマーは、粘性が高いため、本実施例では、これらより分子量が小さいもの、具体的には平均分子量(GPC法による)が2000以下のモノマー又はオリゴマーを使用することが好ましい。なお、ここでの「粘度」とは、ゲル化剤自体の粘度(ゲル化剤が100%の時の粘度)を意味し、市販のゲル化剤希釈溶液(例えば、ゲル化剤の水溶液等)の粘度を意味するものではない。   In general, since prepolymers and polymers having a large average molecular weight have high viscosity, in this example, monomers or oligomers having a molecular weight smaller than these, specifically, an average molecular weight (according to GPC method) of 2000 or less are used. It is preferable. Here, “viscosity” means the viscosity of the gelling agent itself (viscosity when the gelling agent is 100%), and a commercially available gelling agent diluted solution (for example, an aqueous solution of the gelling agent). It does not mean the viscosity of.

ゲル化剤の反応性官能基は、反応性分散媒との反応性を考慮して適宜選択することが好ましい。例えば反応性分散媒として比較的反応性が低いエステル類を用いる場合は、反応性が高いイソシアナート基(−N=C=O)、及び/又はイソチオシアナート基(−N=C=S)を有するゲル化剤を選択することが好ましい。   The reactive functional group of the gelling agent is preferably selected as appropriate in consideration of the reactivity with the reactive dispersion medium. For example, when an ester having a relatively low reactivity is used as the reactive dispersion medium, a highly reactive isocyanate group (—N═C═O) and / or an isothiocyanate group (—N═C═S). It is preferred to select a gelling agent having

イソシアナート類は、ジオール類やジアミン類と反応させることが一般的であるが、ジオール類は既述の如く高粘性のものが多く、ジアミン類は反応性が高すぎて注型前にスラリー32が固化してしまう場合がある。   Isocyanates are generally reacted with diols and diamines. However, diols are often highly viscous as described above, and diamines are too reactive so that the slurry 32 is cast before casting. May solidify.

このような観点からも、エステルからなる反応性分散媒と、イソシアナート基及び/又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤との反応によりスラリー32を固化することが好ましく、より充分な固化状態を得るためには、2以上のエステル基を有する反応性分散媒と、イソシアナート基、及び/又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤との反応によりスラリー32を固化することが好ましい。また、ジオール類、ジアミン類も、スラリー32を大きく増粘させない程度の量であれば、強度補強のために使用することは有効である。   Also from such a viewpoint, it is preferable to solidify the slurry 32 by a reaction between a reactive dispersion medium composed of an ester and a gelling agent having an isocyanate group and / or an isothiocyanate group. In order to obtain it, it is preferable to solidify the slurry 32 by a reaction between a reactive dispersion medium having two or more ester groups and a gelling agent having an isocyanate group and / or an isothiocyanate group. In addition, it is effective to use diols and diamines for reinforcing the strength as long as the amount does not greatly increase the viscosity of the slurry 32.

イソシアナート基及び/又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤としては、例えば、MDI(4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート)系イソシアナート(樹脂)、HDI(ヘキサメチレンジイソシアナート)系イソシアネート(樹脂)、TDI(トリレンジイソシアナート)系イソシアナート(樹脂)、IPDI(イソホロンジイソシアナート)系イソシアナート(樹脂)、イソチオシアナート(樹脂)等を挙げることができる。   Examples of the gelling agent having an isocyanate group and / or an isothiocyanate group include MDI (4,4′-diphenylmethane diisocyanate) -based isocyanate (resin), HDI (hexamethylene diisocyanate) -based isocyanate ( Resin), TDI (tolylene diisocyanate) based isocyanate (resin), IPDI (isophorone diisocyanate) based isocyanate (resin), isothiocyanate (resin) and the like.

また、反応性分散媒との相溶性等の化学的特性を考慮して、前述した基本化学構造中に他の官能基を導入することが好ましい。例えば、エステルからなる反応性分散媒と反応させる場合には、エステルとの相溶性を高めて、混合時の均質性を向上させる点から、親水性の官能基を導入することが好ましい。   In consideration of chemical characteristics such as compatibility with the reactive dispersion medium, it is preferable to introduce another functional group into the basic chemical structure described above. For example, when making it react with the reactive dispersion medium which consists of ester, it is preferable to introduce a hydrophilic functional group from the point which improves the compatibility with ester and improves the homogeneity at the time of mixing.

なお、ゲル化剤分子内に、イソシアナート基又はイソチオシアナート基以外の反応性官能基を含有させてもよく、イソシアナート基とイソチオシアナート基が混在してもよい。さらには、ポリイソシアナートのように、反応性官能基が多数存在してもよい。   The gelling agent molecule may contain a reactive functional group other than an isocyanate group or an isothiocyanate group, or an isocyanate group and an isothiocyanate group may be mixed. Furthermore, a large number of reactive functional groups may be present, such as polyisocyanate.

スラリー32には、上述した成分以外に、消泡剤、界面活性剤、焼結助剤、触媒、可塑剤、特性向上剤等の各種添加剤を添加してもよい。   In addition to the components described above, various additives such as an antifoaming agent, a surfactant, a sintering aid, a catalyst, a plasticizer, and a property improver may be added to the slurry 32.

上述したスラリー32は、以下のように作製することができる。   The slurry 32 described above can be produced as follows.

(a)分散媒に無機物粉体を分散してスラリー32とした後、ゲル化剤を添加する。   (A) An inorganic powder is dispersed in a dispersion medium to form a slurry 32, and then a gelling agent is added.

(b)分散媒に無機物粉体及びゲル化剤を同時に添加して分散することによりスラリー32を製造する。   (B) The slurry 32 is produced by simultaneously adding and dispersing the inorganic powder and the gelling agent in the dispersion medium.

注型時及び塗布時の作業性を考慮すると、20℃におけるスラリー32の粘度は30000cps以下であることが好ましく、20000cps以下であることがより好ましい。スラリー32の粘度は、既述した反応性分散媒やゲル化剤の粘度の他、粉体の種類、分散剤の量、スラリー32の濃度(スラリー32全体の体積に対する粉体体積%)によっても調整することができる。   Considering workability at the time of casting and coating, the viscosity of the slurry 32 at 20 ° C. is preferably 30000 cps or less, and more preferably 20000 cps or less. The viscosity of the slurry 32 depends not only on the viscosity of the reactive dispersion medium and the gelling agent described above, but also on the type of powder, the amount of the dispersant, and the concentration of the slurry 32 (powder volume% with respect to the total volume of the slurry 32). Can be adjusted.

但し、スラリー32の濃度は、通常は、25〜75体積%のものが好ましく、乾燥収縮によるクラックを少なくすることを考慮すると、35〜75体積%のものがさらに好ましい。有機成分として分散媒、分散剤、反応硬化物、反応触媒を有する。このうち、例えば分散媒とゲル化剤もしくはゲル化剤相互の化学反応により固化する。   However, the concentration of the slurry 32 is usually preferably 25 to 75% by volume, and more preferably 35 to 75% by volume in consideration of reducing cracks due to drying shrinkage. It has a dispersion medium, a dispersant, a reaction cured product, and a reaction catalyst as organic components. Among these, for example, it is solidified by a chemical reaction between the dispersion medium and the gelling agent or the gelling agent.

上述の例では、鋳込み型30を用いて第1誘電体基板10A〜第4誘電体基板10Dを製造した例を示したが、その他、スラリー32の塗布によって第1誘電体基板10A〜第4誘電体基板10Dを製造することもできる。   In the above-described example, the first dielectric substrate 10A to the fourth dielectric substrate 10D are manufactured using the casting mold 30. In addition, the first dielectric substrate 10A to the fourth dielectric are applied by applying the slurry 32. The body substrate 10D can also be manufactured.

一例として、スラリー32の塗布によって第3誘電体基板10Cを製造する方法を図15A〜図17Bを参照しながら説明する。   As an example, a method of manufacturing the third dielectric substrate 10C by applying the slurry 32 will be described with reference to FIGS. 15A to 17B.

先ず、図15Aに示すように、基体64上に第1導体ペースト38aを印刷法によってパターン形成した後、硬化して基体64上に第1導体成形体40aを形成する。その後、第1導体成形体40a上にペースト28を印刷法によってパターン形成した後、硬化して第1セラミック成形体16を形成する。その後、第1セラミック成形体16上に、第2導体ペースト38bを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第2導体成形体40bを形成する。この段階で、基体64上に第1導体成形体40a、第1セラミック成形体16及び第2導体成形体40bによる積層膜42が形成される。なお、基体64は、上述したフィルム34と同様に、表面にシリコーン離型剤がコートされたPET(ポリエチレンテレフタレート)を用いることができる。   First, as shown in FIG. 15A, the first conductor paste 38 a is patterned on the base 64 by a printing method and then cured to form the first conductor molded body 40 a on the base 64. Thereafter, the paste 28 is patterned on the first conductor molded body 40a by a printing method, and then cured to form the first ceramic molded body 16. Thereafter, the second conductor paste 38b is patterned on the first ceramic molded body 16 by a printing method and then cured to form the second conductor molded body 40b. At this stage, the laminated film 42 of the first conductor molded body 40a, the first ceramic molded body 16 and the second conductor molded body 40b is formed on the base body 64. In addition, the base | substrate 64 can use PET (polyethylene terephthalate) by which the silicone release agent was coated on the surface similarly to the film 34 mentioned above.

その後、図15Bに示すように、熱硬化性樹脂前駆体と第2セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリー32を、積層膜42を被覆するように基体64上に塗布する。塗布方法としては、ディスペンサー法や、図16A及び図16Bに示す方法やスピンコート法等がある。図16A及び図16Bに示す方法は、一対のガイド板66a及び66bの間に基体64(積層膜42が形成された基体64)を設置し、その後、スラリー32を、積層膜42を被覆するように基体64上に塗布した後、ブレード状の治具68を一対のガイド板66a及び66bの上面を滑らせて(摺り切って)、余分なスラリー32を取り除く方法である。一対のガイド板66a及び66bの高さを調整することによって、スラリー32の厚みを容易に調整することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 15B, the slurry 32 in which the thermosetting resin precursor, the second ceramic powder, and the solvent are mixed is applied onto the substrate 64 so as to cover the laminated film 42. Examples of the application method include a dispenser method, a method shown in FIGS. 16A and 16B, a spin coating method, and the like. In the method shown in FIGS. 16A and 16B, a base 64 (base 64 on which the laminated film 42 is formed) is installed between the pair of guide plates 66a and 66b, and then the slurry 32 is coated with the laminated film 42. Then, after applying onto the base body 64, the blade-like jig 68 is slid (slid) on the upper surfaces of the pair of guide plates 66a and 66b to remove excess slurry 32. By adjusting the height of the pair of guide plates 66a and 66b, the thickness of the slurry 32 can be easily adjusted.

その後、図17Aに示すように、基体64上に塗布されたスラリー32を硬化させ、さらに、図17Bに示すように、基体64を剥離、除去することによって、積層膜42を含んだ第2セラミック成形体18が得られる。この場合も、第2セラミック成形体18の一主面(積層膜42の一主面が露出された面)の平滑性は良好となる。   Thereafter, as shown in FIG. 17A, the slurry 32 applied on the base 64 is cured, and further, as shown in FIG. 17B, the base 64 is peeled off and removed, whereby the second ceramic including the laminated film 42 is obtained. A molded body 18 is obtained. Also in this case, the smoothness of one main surface of the second ceramic molded body 18 (the surface on which one main surface of the laminated film 42 is exposed) is good.

そして、積層膜42を含んだ第2セラミック成形体18を焼成することによって、図9に示すように、積層体37の一部の面が第2セラミック焼成体14の一主面から露出した第3誘電体基板10Cが得られる。   Then, by firing the second ceramic molded body 18 including the multilayer film 42, as shown in FIG. 9, a part of the surface of the multilayer body 37 is exposed from one main surface of the second ceramic fired body 14. A three-dielectric substrate 10C is obtained.

ここで、塗布方法を用いた製造方法(第2製造方法)での各構成部材の好ましい態様について説明する。   Here, the preferable aspect of each structural member in the manufacturing method (2nd manufacturing method) using the application | coating method is demonstrated.

[第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38c:第2製造方法]
第1製造方法と同様であるため、重複する記載を省略するが、第2製造方法における第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cは、樹脂と銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)系の金属の少なくとも1種類の粉末を含む。第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cに使用される樹脂は、熱硬化性樹脂前駆体であることが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂前駆体は、自己反応性のレゾール型フェノール樹脂であることが好ましい。
[First Conductive Paste 38a to Third Conductive Paste 38c: Second Manufacturing Method]
Since it is the same as the 1st manufacturing method, the overlapping description is omitted, but the 1st conductor paste 38a-the 3rd conductor paste 38c in the 2nd manufacturing method are resin, silver (Ag), gold (Au), copper ( Cu) based metal containing at least one kind of powder. The resin used for the first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c is preferably a thermosetting resin precursor. In this case, the thermosetting resin precursor is preferably a self-reactive resol type phenol resin.

第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cは、上述したように、印刷後、加熱硬化されるが、硬化条件は、硬化剤の種類により異なり、例えば、第2製造方法で使用するレゾール型フェノール樹脂の場合、温度80〜150℃、時間10分〜60分で硬化させることができる。   As described above, the first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c are heat-cured after printing. However, the curing conditions differ depending on the type of the curing agent, and for example, the resol type phenol used in the second manufacturing method. In the case of a resin, it can be cured at a temperature of 80 to 150 ° C. for a time of 10 to 60 minutes.

[スラリー32:第2製造方法]
第1製造方法と同様であるため、重複する記載を省略するが、第2製造方法におけるスラリー32に含まれるセラミック粉末は、用途に応じて、アルミナ、安定化ジルコニア、各種圧電セラミック材料、各種誘電セラミック材料、といった酸化物セラミックスをはじめ、シリコンナイトライド、アルミナイトライドといった窒化物セラミックス、シリコンカーバイド、タングステンカーバイドといった炭化物セラミックス粉末やバインダとしてのガラス成分を含む。
[Slurry 32: Second production method]
Since it is the same as the first manufacturing method, overlapping description is omitted, but the ceramic powder contained in the slurry 32 in the second manufacturing method is alumina, stabilized zirconia, various piezoelectric ceramic materials, various dielectrics depending on the application. It includes oxide ceramics such as ceramic materials, nitride ceramics such as silicon nitride and aluminum nitride, carbide ceramic powders such as silicon carbide and tungsten carbide, and glass components as binders.

スラリー32に含まれる熱硬化性樹脂前駆体は、イソシアネート基又はイソチオシアネート基を有するゲル化剤と、水酸基を有する高分子とを有する。   The thermosetting resin precursor contained in the slurry 32 includes a gelling agent having an isocyanate group or an isothiocyanate group and a polymer having a hydroxyl group.

上述した塗布方法のうち、ディスペンサー法や図16A及び図16Bに示す方法にてスラリー32を基体64上に塗布する場合、スラリー32の粘度は比較的高いことが好ましい。スラリー32の粘度は第1製造方法と同様でもよいが、スラリー32が低粘度だと、塗布した後の保形性が低く、流動による厚みバラつきが発生し易い。そのため、スラリー32の粘度は200cps〜2000cpsが好ましい。   Among the application methods described above, when the slurry 32 is applied onto the substrate 64 by the dispenser method or the method shown in FIGS. 16A and 16B, the viscosity of the slurry 32 is preferably relatively high. The viscosity of the slurry 32 may be the same as that of the first manufacturing method. However, if the slurry 32 has a low viscosity, the shape retaining property after coating is low, and thickness variation due to flow tends to occur. Therefore, the viscosity of the slurry 32 is preferably 200 cps to 2000 cps.

そこで、水酸基を有する高分子として分子量の大きい樹脂を用いることで、スラリー32の粘度を高くできる。一例としてブチラール樹脂は分子量が大きいため、スラリー32の粘度を高くするには好適である。もちろん、高分子の分子量でスラリー32の粘度の制御が可能となることから、塗布方法に応じて、高分子として使用する樹脂を適宜選択すればよい。   Therefore, the viscosity of the slurry 32 can be increased by using a resin having a large molecular weight as the polymer having a hydroxyl group. As an example, since the butyral resin has a large molecular weight, it is suitable for increasing the viscosity of the slurry 32. Of course, since the viscosity of the slurry 32 can be controlled by the molecular weight of the polymer, the resin used as the polymer may be appropriately selected according to the coating method.

上述したブチラール樹脂は、一般に、ポリビニルアセタール樹脂であるが、その中には原料のポリビニルアルコール樹脂に由来するOH基が残るので、このOH基がゲル化剤のイソシアネート基又はイソチオシアネート基と反応するものと考えられる。   The above-mentioned butyral resin is generally a polyvinyl acetal resin, but since OH groups derived from the raw material polyvinyl alcohol resin remain in the resin, this OH group reacts with the isocyanate group or isothiocyanate group of the gelling agent. It is considered a thing.

特に、イソシアネート基又はイソチオシアネート基と反応に必要な量を超えてブチラール樹脂を添加すると、反応後に残ったブチラール樹脂は熱可塑性樹脂として作用するので、熱硬化性樹脂の欠点である、硬化後の接着性が悪くなるという特性を改善することができる。その結果、例えば図8に示すように、第2セラミック成形体18を複数積層してセラミック積層体21を構成する場合に、各第2セラミック成形体18の接着性が良好となることから、製造過程において第2セラミック成形体18が剥離するという不都合を回避でき、複数の第2セラミック成形体18のセラミック積層体21による誘電体基板の歩留まりを向上させることができる。   In particular, when a butyral resin is added in excess of the amount necessary for the reaction with an isocyanate group or an isothiocyanate group, the butyral resin remaining after the reaction acts as a thermoplastic resin, which is a drawback of the thermosetting resin. The characteristic that the adhesiveness is deteriorated can be improved. As a result, for example, as shown in FIG. 8, when a plurality of second ceramic molded bodies 18 are laminated to form a ceramic laminated body 21, the adhesiveness of each second ceramic molded body 18 is improved. Inconvenience that the second ceramic molded body 18 is peeled off during the process can be avoided, and the yield of the dielectric substrate by the ceramic laminate 21 of the plurality of second ceramic molded bodies 18 can be improved.

水酸基を有する高分子としては、その他、エチルセルロース系樹脂、ポリエチレングリコール系樹脂、あるいはポリエーテル系樹脂を好ましく用いることができる。   In addition, as the polymer having a hydroxyl group, an ethyl cellulose resin, a polyethylene glycol resin, or a polyether resin can be preferably used.

次に、スラリーに含まれる樹脂として、熱可塑性樹脂前駆体を用いた従来の誘電体基板の問題点と、第1誘電体基板10A〜第4誘電体基板10D(以下、まとめて本実施の形態とも記す)による問題解決について説明する。なお、第1導体ペースト38a〜第3導体ペースト38cを総称して導体ペースト38と記し、第1導体成形体40a〜第3導体成形体40cを総称して導体成形体40と記す。   Next, the problems of the conventional dielectric substrate using a thermoplastic resin precursor as the resin contained in the slurry, and the first dielectric substrate 10A to the fourth dielectric substrate 10D (hereinafter collectively referred to as the present embodiment). To solve the problem. The first conductor paste 38a to the third conductor paste 38c are collectively referred to as a conductor paste 38, and the first conductor molded body 40a to the third conductor molded body 40c are collectively referred to as a conductor molded body 40.

従来においては、熱可塑性樹脂を含むスラリーの乾燥収縮時に導体成形体との界面で隙間やクラックが発生したり、グリーンシートが凹凸形状になったりする。   Conventionally, gaps and cracks are generated at the interface with the conductor molded body during drying shrinkage of the slurry containing the thermoplastic resin, or the green sheet becomes uneven.

一方、本実施の形態では、スラリー32に熱硬化性樹脂前駆体を含ませて、乾燥時に熱硬化性樹脂前駆体を硬化させて三次元網目構造を生成させ、収縮を小さくすることで前記問題は解決される。   On the other hand, in the present embodiment, the above-mentioned problem is caused by including a thermosetting resin precursor in the slurry 32, curing the thermosetting resin precursor during drying to generate a three-dimensional network structure, and reducing shrinkage. Is solved.

この場合、スラリー32に使用する溶剤に、熱硬化性樹脂前駆体が硬化する温度での蒸気圧が小さいものを選定し、熱硬化時の溶剤乾燥による収縮を小さくすることが望ましい。室温で硬化する樹脂を用いた場合は、特に作業や装置が簡単になる。   In this case, it is desirable to select a solvent having a low vapor pressure at a temperature at which the thermosetting resin precursor is cured as the solvent used for the slurry 32, and to reduce shrinkage due to solvent drying during thermosetting. When a resin that cures at room temperature is used, operations and equipment are particularly simplified.

ポリウレタン樹脂は、硬化後の弾性を制御し易く、柔軟な成形体も可能となる等の利点を有する。後工程での取り扱いを考えると、あまり硬い成形体は適さない場合があり、熱硬化性樹脂は三次元網目構造をとるので一般に硬いが、ポリウレタン樹脂は、柔軟性のある成形体も可能で、特にテープ状の成形体は、柔軟性が要求される場合が多いため望ましい。また、スラリー性状の制御のため、熱可塑性樹脂を含ませてもよい。   Polyurethane resin has advantages such as easy control of elasticity after curing and also enables a flexible molded body. Considering the handling in the subsequent process, a hard molded body may not be suitable, and the thermosetting resin is generally hard because it has a three-dimensional network structure, but the polyurethane resin can also be a flexible molded body, In particular, a tape-shaped molded body is desirable because flexibility is often required. Further, a thermoplastic resin may be included for controlling the slurry properties.

従来においては、熱可塑性樹脂を含むペーストや導体ペーストが、スラリーを塗布する際に、スラリーの溶剤に溶解して、パターン形状が崩れる。   Conventionally, when a paste or a conductive paste containing a thermoplastic resin is applied to a slurry, the paste is dissolved in the solvent of the slurry and the pattern shape is lost.

一方、本実施の形態においては、ペースト28や導体ペースト38に熱硬化性樹脂前駆体を含ませているため、耐溶剤性が向上し、パターン形状の崩れは生じない。   On the other hand, in the present embodiment, since the thermosetting resin precursor is included in the paste 28 or the conductive paste 38, the solvent resistance is improved and the pattern shape is not broken.

熱硬化性樹脂前駆体は、硬化後は三次元の網目構造となり、元に戻らないため、硬化後は、溶剤への再溶解性がなくなり、一般に、熱可塑性樹脂よりも耐溶剤性が高い。   Since the thermosetting resin precursor has a three-dimensional network structure after curing and does not return to its original state, it does not have re-solubility in a solvent after curing, and generally has higher solvent resistance than a thermoplastic resin.

熱硬化性樹脂前駆体の中では、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂が硬化前プレポリマーの分子量の制御ができ、ペースト性状のコントロールが可能なため、好適である。なお、熱可塑性樹脂をペースト性状の制御のために、熱硬化性樹脂と一緒に含めるようにしてもよい。   Among thermosetting resin precursors, phenol resin, epoxy resin, and polyester resin are preferable because they can control the molecular weight of the prepolymer before curing and can control the paste properties. In addition, you may make it include a thermoplastic resin with a thermosetting resin for control of paste property.

特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂は、硬化剤が必要なく、加熱するだけで硬化するタイプがあり、導体ペースト38の効率的な使用に適する。つまり、硬化剤の添加が必要な他の熱硬化性樹脂前駆体は、ペースト28や導体ペースト38を印刷する前に、硬化剤を混合する必要があるが、混合すると保存がきかない。従って、印刷後に残ったペースト28や導体ペースト38を回収して保存する必要のある印刷法によってペースト28や導体ペースト38を印刷する場合は、硬化剤を混合する必要がない熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型フェノール樹脂が好適である。   In particular, epoxy resins and phenol resins do not require a curing agent and are of a type that cures only by heating and are suitable for efficient use of the conductive paste 38. That is, other thermosetting resin precursors that require the addition of a curing agent need to be mixed with the curing agent before printing the paste 28 or the conductive paste 38, but cannot be stored when mixed. Therefore, when the paste 28 or the conductor paste 38 is printed by a printing method that needs to collect and store the paste 28 or the conductor paste 38 remaining after printing, a thermosetting epoxy resin that does not need to be mixed with a curing agent, A thermosetting phenol resin is preferred.

従来において、熱可塑性樹脂をバインダとするセラミック成形体は、該セラミック成形体の密度ばらつきが発生し易く、そのために、焼成後のセラミック焼成体の寸法ばらつきが大きく、埋設された導体成形体の焼成寸法のばらつきも大きくなる。   Conventionally, a ceramic molded body using a thermoplastic resin as a binder is likely to have a density variation of the ceramic molded body. Therefore, the dimensional variation of the fired ceramic sintered body is large, and the embedded conductor molded body is fired. Variations in dimensions also increase.

一方、本実施の形態においては、熱硬化性樹脂前駆体をバインダに使用して第1セラミック成形体16や導体成形体40を埋設した第2セラミック成形体18を得ることにより、焼成ばらつきを小さくすることができる。   On the other hand, in the present embodiment, by using the thermosetting resin precursor as a binder to obtain the second ceramic molded body 18 in which the first ceramic molded body 16 and the conductor molded body 40 are embedded, the firing variation is reduced. can do.

例えば第2セラミック成形体18の焼成後の寸法は、第2セラミック成形体18のうち、第1セラミック成形体16や導体成形体40を除く部分の生密度により主に決まる。これは第2セラミック焼成体14の構造は空隙が非常に少ないのに対し、第2セラミック成形体18の上記部分は空隙が多いため、その空隙量の多少が、焼成中の収縮量を決めるからである。   For example, the size after firing of the second ceramic molded body 18 is mainly determined by the raw density of the second ceramic molded body 18 excluding the first ceramic molded body 16 and the conductor molded body 40. This is because the structure of the second ceramic fired body 14 has very few voids, whereas the portion of the second ceramic molded body 18 has many voids, so the amount of the voids determines the amount of shrinkage during firing. It is.

従来の熱可塑性樹脂をバインダとして含むスラリーは、溶媒を乾燥してセラミック成形体を得るが、乾燥する際の塗工比(スラリー体積と成形後の成形体体積の比)が大きく、この大きな塗工比が成形体密度のばらつきの原因となる。   A slurry containing a conventional thermoplastic resin as a binder obtains a ceramic molded body by drying the solvent. However, the coating ratio (ratio of the slurry volume and the molded body volume after molding) during drying is large. The work ratio causes variation in the density of the compact.

しかし、本実施の形態のように、熱硬化性樹脂前駆体をスラリー32のバインダとして使用した場合は、溶剤を含んだままでも硬化するため、塗工比を小さくすることができ、生密度のばらつきを小さくすることができる。その結果、焼成後の寸法ばらつきが小さくなり、埋設した第1セラミック成形体16や導体成形体40の寸法ばらつきも小さくすることができる。   However, when the thermosetting resin precursor is used as the binder of the slurry 32 as in the present embodiment, the coating ratio can be reduced because the resin is cured while containing the solvent, and the raw density can be reduced. Variation can be reduced. As a result, the dimensional variation after firing is reduced, and the dimensional variation of the embedded first ceramic molded body 16 and conductor molded body 40 can be reduced.

なお、本発明に係る誘電体基板は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。   In addition, the dielectric substrate according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

第1誘電体基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a 1st dielectric substrate. 第1誘電体基板を使用して複合コンデンサ部品を構成した例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example which comprised the composite capacitor | condenser component using the 1st dielectric substrate. 図3Aはペーストによる第1セラミック成形体を形成した状態を示す断面図であり、図3Bは鋳込み型内に第1セラミック成形体を設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図3Cは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第2セラミック成形体とした状態を示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing a state in which a first ceramic molded body is formed from paste, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing a state in which slurry is injected into the casting mold after the first ceramic molded body is installed in the casting mold. FIG. 3C is a cross-sectional view showing a state in which the slurry injected into the casting mold is cured to form a second ceramic molded body. 第2誘電体基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a 2nd dielectric substrate. 第2誘電体基板を使用して複合コンデンサ部品を構成した例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example which comprised the composite capacitor | condenser component using the 2nd dielectric substrate. 図6Aはフィルム上にペーストによる第1セラミック成形体を形成した状態を示す断面図であり、図6Bは鋳込み型内にフィルムを設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図6Cは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第2セラミック成形体とした状態を示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view showing a state in which a first ceramic molded body is formed on the film by a paste, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing a state in which slurry is injected into the casting mold after the film is installed in the casting mold. FIG. 6C is a cross-sectional view showing a state in which the slurry injected into the casting mold is cured to form a second ceramic molded body. 図7Aは鋳込み型から第2セラミック成形体をフィルムごと離型した状態を示す断面図であり、図7Bはフィルムから第2セラミック成形体を第1セラミック成形体と共に離型した状態を示す断面図である。7A is a cross-sectional view showing a state in which the second ceramic molded body is released from the casting mold together with the film, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing a state in which the second ceramic molded body is released from the film together with the first ceramic molded body. It is. セラミック積層体を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a ceramic laminated body. 第3誘電体基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a 3rd dielectric substrate. 図10Aはフィルム上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図10Bは鋳込み型内にフィルムを設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図10Cは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第2セラミック成形体とした状態を示す断面図である。10A is a cross-sectional view showing a state in which a laminated film is formed on the film, and FIG. 10B is a cross-sectional view showing a state in which slurry is injected into the casting mold after the film is placed in the casting mold. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a slurry injected into a casting mold is cured to form a second ceramic molded body. 図11Aは鋳込み型から第2セラミック成形体をフィルムごと離型した状態を示す断面図であり、図11Bはフィルムから第2セラミック成形体を積層膜と共に離型した状態を示す断面図である。FIG. 11A is a cross-sectional view showing a state where the second ceramic molded body is released from the casting mold together with the film, and FIG. 11B is a cross-sectional view showing a state where the second ceramic molded body is released from the film together with the laminated film. 第4誘電体基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a 4th dielectric substrate. 図13Aはフィルム上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図13Bは鋳込み型内にフィルムを設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図13Cは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第2セラミック成形体とした状態を示す断面図である。13A is a cross-sectional view showing a state in which a laminated film is formed on the film, and FIG. 13B is a cross-sectional view showing a state in which slurry is injected into the casting mold after the film is installed in the casting mold. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a slurry injected into a casting mold is cured to form a second ceramic molded body. 図14Aは鋳込み型から第2セラミック成形体をフィルムごと離型した状態を示す断面図であり、図14Bはフィルムから第2セラミック成形体を積層膜と共に離型した状態を示す断面図である。14A is a cross-sectional view showing a state in which the second ceramic molded body is released from the casting mold together with the film, and FIG. 14B is a cross-sectional view showing a state in which the second ceramic molded body is released from the film together with the laminated film. 図15Aは基体上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図15Bは積層膜を被覆するように基体上にスラリーを塗布した状態を示す断面図である。FIG. 15A is a cross-sectional view showing a state in which a laminated film is formed on a substrate, and FIG. 15B is a cross-sectional view showing a state in which slurry is applied on the substrate so as to cover the laminated film. 図16Aは基体上にスラリーを塗布する方法の一例を示す斜視図であり、図16Bはその側面図である。FIG. 16A is a perspective view showing an example of a method for applying slurry on a substrate, and FIG. 16B is a side view thereof. 図17Aは基体上に塗布したスラリーを硬化した状態を示す断面図であり、図17Bは基体を剥離して第2セラミック成形体とした状態を示す断面図である。FIG. 17A is a cross-sectional view showing a state in which the slurry applied on the base is cured, and FIG. 17B is a cross-sectional view showing a state in which the base is peeled to form a second ceramic molded body. 図18Aは第1グリーンシート上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図18Bは別の第1グリーンシートを積層する状態を示す断面図である。18A is a cross-sectional view showing a state in which a laminated film is formed on the first green sheet, and FIG. 18B is a cross-sectional view showing a state in which another first green sheet is laminated. 積層膜の周辺に剥がれが生じた状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which peeled around the laminated film. 同一面積のグリーンシートを3層構造にした状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which made the green sheet of the same area the 3 layer structure.

符号の説明Explanation of symbols

10A〜10D…第1誘電体基板〜第4誘電体基板
12…第1セラミック焼成体
14…第2セラミック焼成体
16…第1セラミック成形体
18…第2セラミック成形体
21…セラミック積層体
28…ペースト
30…鋳込み型
32…スラリー
34…フィルム
36a…第1導体パターン
36b…第2導体パターン
37…積層体
38a…第1導体ペースト
38b…第2導体ペースト
40a…第1導体成形体
40b…第2導体成形体
42…積層膜
64…基体
10A to 10D: 1st dielectric substrate to 4th dielectric substrate 12 ... 1st ceramic fired body 14 ... 2nd ceramic fired body 16 ... 1st ceramic molded body 18 ... 2nd ceramic molded body 21 ... Ceramic laminated body 28 ... Paste 30 ... Casting mold 32 ... Slurry 34 ... Film 36a ... First conductor pattern 36b ... Second conductor pattern 37 ... Laminated body 38a ... First conductor paste 38b ... Second conductor paste 40a ... First conductor molded body 40b ... Second Conductor compact 42 ... laminated film 64 ... substrate

Claims (10)

一部誘電率の異なる誘電体基板において、
少なくとも熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末との混合物を硬化して得られる第1セラミック成形体と、熱硬化性樹脂前駆体と第2セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも前記第1セラミック成形体を被覆するように供給した後に硬化して得られる第2セラミック成形体とが焼成されて構成されていることを特徴とする誘電体基板。
For dielectric substrates with different dielectric constants,
At least a first ceramic molded body obtained by curing a mixture of at least a thermosetting resin precursor and a first ceramic powder, and a slurry in which a thermosetting resin precursor, a second ceramic powder and a solvent are mixed, A dielectric substrate comprising: a second ceramic molded body obtained by curing after being supplied so as to cover the first ceramic molded body.
請求項1記載の誘電体基板において、
前記第1セラミック成形体は、熱硬化性樹脂前駆体と第1セラミック粉末を含むペーストを所定の形状に成形した後、硬化して得られることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to claim 1,
The first ceramic molded body is obtained by molding a paste containing a thermosetting resin precursor and a first ceramic powder into a predetermined shape and then curing the paste.
請求項2記載の誘電体基板において、
前記第1セラミック成形体は、基体上に前記ペーストをパターン形成し、その後、硬化してなることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to claim 2, wherein
The first ceramic molded body is obtained by patterning the paste on a substrate and then curing the paste.
請求項3記載の誘電体基板において、
前記第2セラミック成形体は、前記基体上に成形された前記第1セラミック成形体を被覆するように塗布した後に硬化して得られることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to claim 3, wherein
The dielectric substrate according to claim 1, wherein the second ceramic molded body is obtained by applying the first ceramic molded body formed on the substrate so as to cover it and then curing it.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の誘電体基板において、
前記混合物に含まれる熱硬化性樹脂前駆体は、フェノール樹脂又はポリウレタン樹脂前駆体であることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to any one of claims 1 to 4,
The dielectric substrate, wherein the thermosetting resin precursor contained in the mixture is a phenol resin or a polyurethane resin precursor.
請求項1〜5のいずれか1項に記載の誘電体基板において、
前記スラリーに含まれる前記熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であることを特徴とする誘電体基板。
In the dielectric substrate according to any one of claims 1 to 5,
The dielectric substrate, wherein the thermosetting resin precursor contained in the slurry is a polyurethane resin precursor.
請求項1〜6のいずれか1項に記載の誘電体基板において、
前記第2セラミック成形体は、前記スラリーを前記第1セラミック成形体と導体成形体とを被覆するように供給した後に硬化して得られることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to any one of claims 1 to 6,
The second ceramic molded body is obtained by curing after supplying the slurry so as to cover the first ceramic molded body and the conductor molded body.
請求項7記載の誘電体基板において、
前記導体成形体は、少なくとも前記第1セラミック成形体に接するように形成されていることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to claim 7, wherein
The dielectric substrate, wherein the conductor molded body is formed so as to be in contact with at least the first ceramic molded body.
請求項7又は8記載の誘電体基板において、
前記導体成形体は、熱硬化性樹脂前駆体と銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)系の金属の少なくとも1種類の粉末を含む導体ペーストをパターン形成し、その後、硬化してなることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to claim 7 or 8,
The conductor molded body is formed by patterning a conductor paste containing a thermosetting resin precursor and at least one powder of silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu) based metal, and then cured. A dielectric substrate characterized by comprising:
請求項9記載の誘電体基板において、
前記導体ペーストに含まれる前記熱硬化性樹脂前駆体は、フェノール樹脂であることを特徴とする誘電体基板。
The dielectric substrate according to claim 9, wherein
The dielectric substrate, wherein the thermosetting resin precursor contained in the conductor paste is a phenol resin.
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