JP2009236509A - Probe card - Google Patents

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Takayuki Nakadai
隆之 仲代
Kazuhiko Shimabayashi
和彦 島林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To perform a test on a semiconductor with high precision. <P>SOLUTION: The probe card 1 includes: a probe card substrate 10; a support member 20 arranged on the principal surface of the probe card substrate 10; a plurality of probe pins 30 supported by the support member 20; a resin film 40 extending from the support member 20; a wiring layer selectively arranged on the resin film 40; and at least one electronic component 50 which in installed on the resin film 40 and is electrically connected to at least one probe pin 30 through the wiring layer. The probe card 1 performs a test on a semiconductor with high precision. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明はプローブカードに関し、特に被測定デバイスに接触させるプローブピンを複数搭載したプローブカードに関する。   The present invention relates to a probe card, and more particularly to a probe card on which a plurality of probe pins to be brought into contact with a device under measurement are mounted.

半導体試験に使用されている装置として、プローバ試験装置がある。当該プローバ試験装置には、プローブカードと呼称される測定部品が配置されている。
図15に、プローブカードの基本構成の要部図を示す。ここで、図15(a)には、プローブカードの上面側の要部図が示され、図15(b)には、プローブカードの断面要部図が示されている。
As a device used for semiconductor testing, there is a prober test device. In the prober test apparatus, a measurement component called a probe card is arranged.
FIG. 15 shows a main part diagram of the basic configuration of the probe card. Here, FIG. 15A shows a main part view of the upper surface side of the probe card, and FIG. 15B shows a cross-sectional main part view of the probe card.

図示するプローブカード100は、略円板状のプローブカード基板101と、プローブカード基板101の下側に配置された複数のプローブピン102と、プローブピン102を固定・支持する支持部材103と、を有している。プローブカード基板101には、プローブカード基板101を貫通する開口部104が設けられている。   The illustrated probe card 100 includes a substantially disc-shaped probe card substrate 101, a plurality of probe pins 102 disposed below the probe card substrate 101, and a support member 103 that fixes and supports the probe pins 102. Have. The probe card substrate 101 is provided with an opening 104 that penetrates the probe card substrate 101.

また、支持部材103により、複数のプローブピン102が支持された状態を、図16に示す。ここで、図16(a)には、支持部材103により複数のプローブピン102が支持された状態の上面要部図が示され、図16(b)には、図16(a)のX−Y破線に沿った断面要部図が示されている。   FIG. 16 shows a state where a plurality of probe pins 102 are supported by the support member 103. Here, FIG. 16 (a) shows a top view of the main part in a state where the plurality of probe pins 102 are supported by the support member 103, and FIG. 16 (b) shows an X-axis of FIG. 16 (a). The cross-sectional principal part figure along the Y broken line is shown.

図示する如く、支持部材103を構成する、各々のモールド樹脂103a,103b,103c,103d内に、少なくとも一本のプローブピン102が封止され、各々のモールド樹脂103a,103b,103c,103dを積層・配置することにより、複数のプローブピン102が立体的に配置された構成をなしている。   As shown in the drawing, at least one probe pin 102 is sealed in each mold resin 103a, 103b, 103c, 103d constituting the support member 103, and each mold resin 103a, 103b, 103c, 103d is laminated. -By arranging, a plurality of probe pins 102 are arranged in a three-dimensional manner.

そして、半導体装置の製造工程中に行われるウェハ試験では、複数の半導体素子が形成されたウェハ状の被測定デバイスに、複数のプローブピン102の先端を同時に接触させ、当該半導体素子に関する種々の電気特性が検査される(例えば、特許文献1参照)。   In a wafer test performed during the manufacturing process of a semiconductor device, the tips of a plurality of probe pins 102 are simultaneously brought into contact with a wafer-like device to be measured on which a plurality of semiconductor elements are formed, and various electrical functions relating to the semiconductor elements are performed. The characteristics are inspected (see, for example, Patent Document 1).

ところで、当該半導体試験に於いては、正確な半導体試験を遂行するために、プローブカード基板101の主面に、通常、電源ライン等のノイズを抑制するための電子部品(例えば、容量素子等)105を配設する場合がある。
特開2004−045089号公報
By the way, in the semiconductor test, in order to perform an accurate semiconductor test, an electronic component (for example, a capacitor element) is usually provided on the main surface of the probe card substrate 101 to suppress noise such as a power line. 105 may be provided.
JP 2004-045089 A

しかし、プローブカード基板101の裏面側には、プローブピン102等が配設されているために、上記電子部品105を配置する領域は、プローブカード基板101の表面側に限られてしまう。従って、被測定デバイスと当該部品105とが遠く隔たれた構成となってしまう。   However, since the probe pins 102 and the like are disposed on the back surface side of the probe card substrate 101, the region where the electronic component 105 is disposed is limited to the front surface side of the probe card substrate 101. Accordingly, the device under measurement and the component 105 are separated from each other.

これにより、プローブカード基板101の裏面側に配置されたプローブピン102は、その線長が長いことから、半導体試験中にノイズが重畳してしまい、半導体試験を正確に遂行できないという問題があった。   As a result, since the probe pins 102 arranged on the back side of the probe card substrate 101 have a long line length, there is a problem that noise is superimposed during the semiconductor test and the semiconductor test cannot be performed accurately. .

その他、プローブカード基板101の開口部104の周辺領域106内にも、上記電子部品105を配置することも可能ではあるが、この様な形態であっても、被測定デバイスと当該部品105とが遠く隔てた構成であることに変わりはなく、上記問題は解消されない。   In addition, it is possible to arrange the electronic component 105 in the peripheral region 106 of the opening 104 of the probe card substrate 101, but even in such a form, the device under measurement and the component 105 are not connected. The configuration remains the same, and the above problem cannot be solved.

本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、半導体試験をより高精度に実施することができるプローブカードを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to provide a probe card capable of performing a semiconductor test with higher accuracy.

上記課題を解決するために、プローブカード基板と、前記プローブカード基板の主面に配置された第1の支持部材と、前記第1の支持部材に支持された複数のプローブピンと、前記第1の支持部材から延在された第2の支持部材と、前記第2の支持部材に選択的に配設された配線層と、前記第2の支持部材上に搭載され、前記配線層を通じて前記プローブピンの少なくとも一つに電気的に接続された、少なくとも一つの電子部品と、を備えたことを特徴とするプローブカードが提供される。   In order to solve the above problems, a probe card substrate, a first support member disposed on a main surface of the probe card substrate, a plurality of probe pins supported by the first support member, and the first A second support member extending from the support member; a wiring layer selectively disposed on the second support member; and the probe pin mounted on the second support member and passing through the wiring layer And at least one electronic component electrically connected to at least one of the probe card.

上記手段に掲げられたプローブカードによれば、半導体試験をより高精度に実施することができる。   According to the probe card listed in the above means, the semiconductor test can be performed with higher accuracy.

<第1の実施の形態>
第1の実施の形態に係るプローブカード1を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は第1の実施の形態に係るプローブカード1の要部図であり、図1(a)には、当該プローブカード1の裏面10r側の平面形状が示され、図1(b)は、図1(a)に於ける破線X−Yに沿った断面が示されている。尚、上述したプローブカード1の裏面10rとは、プローブカード基板10の主面に於いて、プローブピン30等が配置されている側の主面のことをいう。
<First Embodiment>
The probe card 1 according to the first embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a main part view of the probe card 1 according to the first embodiment. FIG. 1A shows a planar shape on the back surface 10r side of the probe card 1, and FIG. FIG. 1A shows a cross section along the broken line XY in FIG. The above-described back surface 10r of the probe card 1 refers to the main surface on the side where the probe pins 30 and the like are arranged on the main surface of the probe card substrate 10.

当該プローブカード1にあっては、プローブカード基板10と、当該プローブカード基板10に固定・配置された支持部材(封止用樹脂)20と、当該支持部材20内に固定・支持された、複数のプローブピン30と、当該支持部材20の上面から延在された、樹脂フィルム40と、を含む形態をなしている。   In the probe card 1, a probe card substrate 10, a support member (sealing resin) 20 fixed and arranged on the probe card substrate 10, and a plurality of fixed and supported members in the support member 20. The probe pin 30 and the resin film 40 extending from the upper surface of the support member 20 are included.

プローブカード基板10の平面形状は、略円板状であり、その中心部に開口部10hが形成されている。また、プローブカード基板10の裏面10r側には、被測定デバイスに接触させるためのプローブピン30が複数本、配置されている。尚、被測定デバイスとは、例えば、デバイスIC、ロジックIC等の集積回路が配設された半導体装置(半導体素子)であり、ウェハ状の半導体装置に上記プローブピン30を接触させて、半導体試験を遂行する(図示しない)。   The planar shape of the probe card substrate 10 is a substantially disk shape, and an opening 10h is formed at the center thereof. A plurality of probe pins 30 for contacting the device under measurement are arranged on the back surface 10r side of the probe card substrate 10. The device under test is, for example, a semiconductor device (semiconductor element) in which an integrated circuit such as a device IC or a logic IC is disposed. (Not shown).

また、プローブピン30に於いては、上述した如く、その複数本が支持部材20内に固定・支持されている。そして、プローブカード基板10の裏面10r側に配設された電極端子(図示しない)と、プローブピン30の一方の端が半田付けにより接合されている。   Further, as described above, a plurality of probe pins 30 are fixed and supported in the support member 20. And the electrode terminal (not shown) arrange | positioned by the back surface 10r side of the probe card board | substrate 10 and one end of the probe pin 30 are joined by soldering.

また、当該半田付けがなされた箇所から、プローブピン30は所定の角度で斜めに延設し、支持部材20内にプローブピン30の一部を封止させている。そして、プローブピン30のもう一方の端、即ち、プローブピン30の先端部分に於いては、支持部材20から表出させている。   Further, the probe pin 30 extends obliquely at a predetermined angle from the soldered portion, and a part of the probe pin 30 is sealed in the support member 20. The other end of the probe pin 30, that is, the tip portion of the probe pin 30 is exposed from the support member 20.

また、プローブカード1にあっては、支持部材20の上面に、別の支持部材である樹脂フィルム40が固着され、当該上面から樹脂フィルム40がプローブカード基板10の外方に延在され、当該樹脂フィルム40の端をプローブカード基板10の裏面10r側に接合させている。当該接合は、接着部材(図示しない)により実施されている。即ち、プローブカード1にあっては、支持部材20の上面からプローブカード基板10の裏面10rに於いて、樹脂フィルム40が張られた形態をなしている。また、この様な樹脂フィルム40は、プローブカード基板10の半径の半分程度の位置にて、その端が接合されていることから、樹脂フィルム40の主面は、広面積を有している。   Further, in the probe card 1, a resin film 40, which is another support member, is fixed to the upper surface of the support member 20, and the resin film 40 extends outward from the probe card substrate 10 from the upper surface. The end of the resin film 40 is joined to the back surface 10r side of the probe card substrate 10. The joining is performed by an adhesive member (not shown). That is, in the probe card 1, the resin film 40 is stretched from the upper surface of the support member 20 to the back surface 10 r of the probe card substrate 10. Moreover, since the end of such a resin film 40 is joined at a position about half the radius of the probe card substrate 10, the main surface of the resin film 40 has a large area.

そして、支持部材20に接合された樹脂フィルム40を除く樹脂フィルム40上には、プローブピン30に重畳されるノイズによる電位及び/または電流変動(以下、単に変動と称する)を抑制、或いはノイズを遮断(フィルタリング)するための電子部品50が複数個、搭載されている。   Then, on the resin film 40 excluding the resin film 40 bonded to the support member 20, potential and / or current fluctuations (hereinafter simply referred to as fluctuations) due to noise superimposed on the probe pins 30 are suppressed, or noise is suppressed. A plurality of electronic components 50 for blocking (filtering) are mounted.

そして、プローブカード1にあっては、複数のプローブピン30の先端部分をプローブカード基板10の中心部に向かって、互いに対向させている。また、プローブピン30の先端部分を、樹脂フィルム40の上面よりも高く突き出している。この様なプローブピン30は、図示されている本数とは限らず、被測定デバイスの形態に応じて、その本数が設定される。   In the probe card 1, the tip portions of the plurality of probe pins 30 face each other toward the center of the probe card substrate 10. Further, the tip portion of the probe pin 30 protrudes higher than the upper surface of the resin film 40. The number of such probe pins 30 is not limited to the number shown, and the number is set according to the form of the device under measurement.

次に、支持部材20付近の断面拡大図を用いて、支持部材20と、プローブピン30と、並びに支持部材20から延在された樹脂フィルム40等の形態をより詳細に説明する。
図2は第1の実施の形態に係るプローブカード1の要部拡大図であり、上記支持部材20、プローブピン30、並びに樹脂フィルム40等の部分の拡大図が示されている。
Next, the configuration of the support member 20, the probe pin 30, the resin film 40 extended from the support member 20, and the like will be described in more detail using an enlarged cross-sectional view in the vicinity of the support member 20.
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the probe card 1 according to the first embodiment, and shows an enlarged view of the support member 20, the probe pin 30, the resin film 40, and the like.

図示する如く、プローブカード1にあっては、プローブカード基板10の裏面10rに、支持部材(封止用樹脂)20a,20b,20c,20dの積層体を固設している。そして、夫々の支持部材20a,20b,20c,20d間に、樹脂フィルム41が配置されている。この様な支持部材20a,20b,20c,20dと樹脂フィルム41とは、接着部材(図示しない)により接合されている。即ち、図1に例示した支持部材20は、支持部材20a,20b,20c,20dと当該支持部材20a,20b,20c,20d間に配設された樹脂フィルム41とを含む構成としている。   As shown in the figure, in the probe card 1, a laminated body of support members (sealing resins) 20a, 20b, 20c, and 20d is fixed to the back surface 10r of the probe card substrate 10. And the resin film 41 is arrange | positioned between each support member 20a, 20b, 20c, 20d. Such support members 20a, 20b, 20c, and 20d and the resin film 41 are joined by an adhesive member (not shown). That is, the support member 20 illustrated in FIG. 1 includes the support members 20a, 20b, 20c, and 20d and the resin film 41 disposed between the support members 20a, 20b, 20c, and 20d.

また、プローブカード1にあっては、プローブピン30が夫々の支持部材20a,20b,20c,20d内に固定・支持されている。そして、夫々のプローブピン30の一方の端は、プローブカード基板10の裏面10r側に配設された電極端子(図示しない)に、半田層11a,11b,11c,11dにより接合されている。   Further, in the probe card 1, the probe pin 30 is fixed and supported in the respective support members 20a, 20b, 20c, and 20d. One end of each probe pin 30 is bonded to an electrode terminal (not shown) disposed on the back surface 10r side of the probe card substrate 10 by solder layers 11a, 11b, 11c, and 11d.

また、夫々のプローブピン30は、当該半田付けがされた箇所から所定の角度で斜めに延設し、夫々のプローブピン30の一部を支持部材20a,20b,20c,20d内に封止させている。そして、プローブピン30のもう一方の端、即ち、プローブピン30の先端部分を支持部材20a,20b,20c,20dの側面から表出させている。更に、夫々のプローブピン30の先端部分は大きく曲げられ、全てのプローブピン30の先端部分が支持部材20d上の樹脂フィルム40の上面より高く突き出た構造になっている。   Each probe pin 30 extends obliquely at a predetermined angle from the soldered portion, and a part of each probe pin 30 is sealed in the support members 20a, 20b, 20c, and 20d. ing. Then, the other end of the probe pin 30, that is, the tip portion of the probe pin 30 is exposed from the side surfaces of the support members 20a, 20b, 20c, and 20d. Further, the tip portions of the probe pins 30 are bent greatly, and the tip portions of all the probe pins 30 protrude higher than the upper surface of the resin film 40 on the support member 20d.

また、プローブカード1にあっては、支持部材20d上に、樹脂フィルム40を接着部材(図示しない)を介して固着させ、更に、当該支持部材20dの上面から樹脂フィルム40をプローブカード基板10の裏面10rにまで延在させている。そして、樹脂フィルム40の端を、当該裏面10rに、接着部材12により接合させている。更に、プローブカード基板10の裏面10rに対し、斜めに配置されている樹脂フィルム40の領域(樹脂フィルム40が支持部材20dと接合している部分を除く樹脂フィルム40の領域)に、ノイズによる変動を抑制、或いはノイズを遮断するための電子部品50を搭載している。   In the probe card 1, the resin film 40 is fixed on the support member 20d via an adhesive member (not shown), and the resin film 40 is attached to the probe card substrate 10 from the upper surface of the support member 20d. It extends to the back surface 10r. Then, the end of the resin film 40 is bonded to the back surface 10r by the adhesive member 12. Furthermore, fluctuation due to noise occurs in the region of the resin film 40 that is disposed obliquely with respect to the back surface 10r of the probe card substrate 10 (the region of the resin film 40 excluding the portion where the resin film 40 is bonded to the support member 20d). The electronic component 50 for suppressing the noise or blocking the noise is mounted.

また、当該樹脂フィルム40の主面または内部には、電子部品50とプローブピン30とを電気的に接続する複数の配線層、ビアが選択的に配置されている(図示しない)。
この様な電子部品50、配線層等を配設することにより、例えば、電源ラインとして用いるプローブピン30に於いては、被測定デバイスのノイズを起因とする変動が抑制される。また、信号用として用いるプローブピン30に於いては、被測定デバイスからのノイズが遮断される。
In addition, a plurality of wiring layers and vias that electrically connect the electronic component 50 and the probe pins 30 are selectively disposed on the main surface or inside of the resin film 40 (not shown).
By providing such an electronic component 50, a wiring layer, and the like, for example, in the probe pin 30 used as a power supply line, fluctuation due to noise of the device under measurement is suppressed. In the probe pin 30 used for signals, noise from the device under measurement is blocked.

この様に、プローブカード1にあっては、上記ノイズによる変動を抑制、或いはノイズを遮断するための電子部品50、配線層等がプローブカード基板10の裏面10rに配設されている。尚、当該電子部品50は、例えば、容量素子(コンデンサ)、抵抗素子等が適用される。   As described above, in the probe card 1, the electronic component 50, the wiring layer, and the like for suppressing the fluctuation due to the noise or blocking the noise are disposed on the back surface 10 r of the probe card substrate 10. For example, a capacitive element (capacitor), a resistance element, or the like is applied to the electronic component 50.

かかる形態のプローブカード1に於いて、プローブカード基板10の材質は、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−BT(ビスマレイミドトリアジン)、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂、或いはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材が適用される。また、プローブカード基板10の直径は、20cm〜30cm程度である。   In the probe card 1 of this form, the material of the probe card substrate 10 is, for example, an organic insulating resin such as glass-epoxy resin, glass-BT (bismaleimide triazine), or polyimide, or an inorganic material such as ceramic or glass. An insulating substrate formed from an insulating material is applied. The probe card substrate 10 has a diameter of about 20 cm to 30 cm.

また、プローブピン30の材質は、例えば、タングステン(W)、ベリリウム銅(BeCu)等の金属材が適用される。また、プローブピン30は、太さが100μm〜200μm径の上記金属線から作製され、先端部分が先鋭状になっている。   The material of the probe pin 30 is a metal material such as tungsten (W) or beryllium copper (BeCu). Moreover, the probe pin 30 is produced from the said metal wire with a diameter of 100 micrometers-200 micrometers diameter, and the front-end | tip part is sharpened.

また、支持部材20a,20b,20c,20dの材質は、例えば、エポキシ樹脂、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂が適用される。
また、樹脂フィルム40の材質は、例えば、ポリイミド等の有機絶縁性樹脂が適用される。
The support members 20a, 20b, 20c, and 20d are made of, for example, an epoxy resin or an organic insulating resin such as polyimide.
The material of the resin film 40 is, for example, an organic insulating resin such as polyimide.

また、接着部材12、並びに図示しない接着部材の材質は、ポリイミド系樹脂、或いはエポキシ系樹脂を主たる成分としている。
また、半田層11a,11b,11c,11dの材質は、例えば、鉛(Pb)フリーの半田であり、具体的には、Sn3.5%Agが適用される。または、鉛(Pb)を含有するSn5%Pb、Sn63%Pb、またはSn37%Pbが適用される。
The material of the adhesive member 12 and the adhesive member (not shown) is mainly composed of a polyimide resin or an epoxy resin.
The material of the solder layers 11a, 11b, 11c, and 11d is, for example, lead (Pb) -free solder, and specifically, Sn3.5% Ag is applied. Alternatively, Sn5% Pb, Sn63% Pb, or Sn37% Pb containing lead (Pb) is applied.

次に、上記電子部品50とプローブピン30との電気的な接続がどのような形態にて実施されているのか説明する。
図3は第1の実施の形態に係るプローブカード1の要部立体図であり、電子部品50と、当該電子部品50を支持する樹脂フィルム40と、当該樹脂フィルム40を固着・支持する支持部材20d等の一部が示されている。尚、図3に例示された樹脂フィルム40に於いては、支持部材20dの側面の位置で切断された形態が示されている。また、プローブピン30に於いては、先端部分の中途までが表示されている。また、図3に於いて、支持部材20a,20b,20c、並びにプローブカード基板10は、表示されていない。
Next, it will be described in what form the electrical connection between the electronic component 50 and the probe pin 30 is implemented.
FIG. 3 is a three-dimensional view of a main part of the probe card 1 according to the first embodiment. The electronic component 50, a resin film 40 that supports the electronic component 50, and a support member that fixes and supports the resin film 40. A part such as 20d is shown. In addition, in the resin film 40 illustrated in FIG. 3, the form cut | disconnected in the position of the side surface of the supporting member 20d is shown. In the probe pin 30, the middle part of the tip is displayed. Further, in FIG. 3, the support members 20a, 20b, 20c and the probe card substrate 10 are not displayed.

図示する如く、支持部材20dの上面に固着させた樹脂フィルム40は、当該支持部材20dの上面(樹脂フィルム40と接触する面)から延在され、当該樹脂フィルム40の表面上に、配線層41a,41bが選択的に配設されている。また、当該樹脂フィルム40の裏面(支持部材20dと接触する面)に於いては、配線層42a,42bが選択的に配設されている。そして、配線層41aと配線層42aとは、樹脂フィルム40内に設けられたビア43aを通じて導通し、配線層41bと配線層42bとは、樹脂フィルム40内に設けられたビア43bを通じて導通している。   As shown in the drawing, the resin film 40 fixed to the upper surface of the support member 20d extends from the upper surface of the support member 20d (the surface in contact with the resin film 40), and the wiring layer 41a is formed on the surface of the resin film 40. , 41b are selectively provided. In addition, wiring layers 42a and 42b are selectively disposed on the back surface of the resin film 40 (the surface in contact with the support member 20d). The wiring layer 41a and the wiring layer 42a are conducted through the via 43a provided in the resin film 40, and the wiring layer 41b and the wiring layer 42b are conducted through the via 43b provided in the resin film 40. Yes.

また、樹脂フィルム40の配線層41a,41bには、電子部品50が電気的に接続されている。
また、プローブピン30は、支持部材20dの上面に於いて、プローブピン30の一部を表出している。そして、樹脂フィルム40の裏面と支持部材20dの上面との間に半田層44が配設され、配線層42aと当該プローブピン30とが、当該半田層44を通じて電気的に接続されている。
The electronic component 50 is electrically connected to the wiring layers 41 a and 41 b of the resin film 40.
The probe pin 30 exposes a part of the probe pin 30 on the upper surface of the support member 20d. A solder layer 44 is disposed between the back surface of the resin film 40 and the upper surface of the support member 20 d, and the wiring layer 42 a and the probe pin 30 are electrically connected through the solder layer 44.

例えば、電子部品50が、容量素子であれば、配線層42aを電源ラインに導通させ、配線層42bを接地(アース)させることにより、プローブピン30は、電源ライン用のプローブピンとして機能し、電子部品50は、プローブピン30とアース間に配設されたバイパス用の容量素子(通称、パスコン)として機能する。これにより、当該プローブピン30から被測定デバイスに、より安定した電位(及び/または電流)を供給することができる。   For example, if the electronic component 50 is a capacitive element, the probe pin 30 functions as a probe pin for the power supply line by connecting the wiring layer 42a to the power supply line and grounding (earthing) the wiring layer 42b. The electronic component 50 functions as a bypass capacitive element (commonly called a bypass capacitor) disposed between the probe pin 30 and the ground. Thereby, a more stable potential (and / or current) can be supplied from the probe pin 30 to the device under measurement.

尚、配線層41a,41b,42a,42bの材質は、例えば、銅(Cu)、またはアルミニウム(Al)が適用される。
また、ビア43a,43bの材質は、例えば、銅(Cu)、またはアルミニウム(Al)、或いは、タングステン(W)が適用される。
For example, copper (Cu) or aluminum (Al) is applied as the material of the wiring layers 41a, 41b, 42a, and 42b.
The material of the vias 43a and 43b is, for example, copper (Cu), aluminum (Al), or tungsten (W).

また、半田層44の材質は、例えば、鉛(Pb)フリーの半田であり、具体的には、Sn3.5%Agが適用される。または、鉛(Pb)を含有するSn5%Pb、Sn63%Pb、またはSn37%Pbが適用される。   The material of the solder layer 44 is, for example, lead (Pb) -free solder, and specifically, Sn3.5% Ag is applied. Alternatively, Sn5% Pb, Sn63% Pb, or Sn37% Pb containing lead (Pb) is applied.

また、プローブカード1にあっては、電子部品50を、必要に応じて、複数個配設してもよく、容量素子の他に、抵抗素子を配設してもよい。
例えば、図4は、第1の実施の形態に係るプローブカード1の要部立体図であり、複数の電子部品50と、当該電子部品50を支持する樹脂フィルム40等が示されている。尚、図4では、プローブピン30、支持部材20a,20b,20c、並びにプローブカード基板10等が表示されていない。
Further, in the probe card 1, a plurality of electronic components 50 may be disposed as necessary, and a resistive element may be disposed in addition to the capacitive element.
For example, FIG. 4 is a main part three-dimensional view of the probe card 1 according to the first embodiment, and shows a plurality of electronic components 50, a resin film 40 that supports the electronic components 50, and the like. In FIG. 4, the probe pin 30, the support members 20a, 20b, and 20c, the probe card substrate 10, and the like are not displayed.

図示する如く、支持部材20dから延在された樹脂フィルム40の表面上には、複数の電子部品50が配設され、夫々の電子部品50に配線層41a,41bが電気的に接続されている。そして、当該樹脂フィルム40の裏面に於いては、上記配線層42a,42b(図4では不図示)が選択的に配設され、配線層41aと上記配線層42aとは、ビア43aを通じて導通し、配線層41bと上記配線層42bとは、ビア43bを通じて導通している。   As shown in the drawing, a plurality of electronic components 50 are disposed on the surface of the resin film 40 extended from the support member 20 d, and wiring layers 41 a and 41 b are electrically connected to the respective electronic components 50. . On the back surface of the resin film 40, the wiring layers 42a and 42b (not shown in FIG. 4) are selectively provided, and the wiring layer 41a and the wiring layer 42a are electrically connected through the via 43a. The wiring layer 41b and the wiring layer 42b are electrically connected through the via 43b.

ここで、複数の電子部品50の何れかに於いては、容量素子であり、当該容量素子以外の電子部品50は、上述した如く、抵抗素子とすることができる。そして、容量素子、抵抗素子を含むノイズフィルタ回路(例えば、CRフィルタ回路)を、例えば、信号用のプローブピン30に電気的に接続させることにより、当該プローブピン30には、被測定デバイスからのノイズが重畳され難くなる。従って、プローブカード1を用いることにより高精度に半導体試験を遂行することができる。   Here, any of the plurality of electronic components 50 is a capacitive element, and the electronic components 50 other than the capacitive element can be resistive elements as described above. Then, by electrically connecting a noise filter circuit (for example, a CR filter circuit) including a capacitive element and a resistance element to the signal probe pin 30, for example, the probe pin 30 is connected to the device under measurement from the device under measurement. Noise is difficult to be superimposed. Therefore, the semiconductor test can be performed with high accuracy by using the probe card 1.

尚、容量素子である電子部品50に於いては、電源ライン用のプローブピン30とアース間に配設する他、信号用のプローブピン30とアース間、または、信号用のプローブピン30同士、または、電源ライン用のプローブピン30と信号用のプローブピン30間に電気的に接続させてもよい。   In addition, in the electronic component 50 which is a capacitive element, in addition to being arranged between the power supply line probe pin 30 and the ground, the signal probe pin 30 and the ground, or the signal probe pins 30, Alternatively, the power supply line probe pin 30 and the signal probe pin 30 may be electrically connected.

また、プローブカード1にあっては、この様な配線層41a,41b,42a,42bを、図2に示す、何れかの樹脂フィルム41にも引き回してもよい。
例えば、図5に示すように、支持部材20c上の樹脂フィルム41に、配線層41a,41b,42a,42b、並びにビア43a,43bを選択的に配設してもよい。そして、支持部材20cに固定・支持されたプローブピン30と、配線層42aとを半田層44により電気的に接続してもよい。
Further, in the probe card 1, such wiring layers 41a, 41b, 42a, and 42b may be routed to any one of the resin films 41 shown in FIG.
For example, as shown in FIG. 5, wiring layers 41a, 41b, 42a, 42b and vias 43a, 43b may be selectively disposed on the resin film 41 on the support member 20c. Then, the probe pin 30 fixed and supported by the support member 20 c and the wiring layer 42 a may be electrically connected by the solder layer 44.

更に、当該配線層41a,41bに導通する配線ラインを、上記樹脂フィルム40にまで引き回し(図示しない)、上記電子部品50と当該配線ラインを接続する。或いは、上記支持部材20d内に、ビアを設けることにより、樹脂フィルム41に配置した配線層41a,41bと上記電子部品50とを当該ビアを通じて電気的に接続してもよい。   Further, a wiring line conducting to the wiring layers 41a and 41b is routed to the resin film 40 (not shown), and the electronic component 50 and the wiring line are connected. Alternatively, by providing a via in the support member 20d, the wiring layers 41a and 41b arranged on the resin film 41 and the electronic component 50 may be electrically connected through the via.

そして、別の配線ライン、或いは別のビアを設け、配線層42aを電源ラインに接続し、配線層42bを接地する。
これにより、支持部材20c内に固定・支持されたプローブピン30に於いても、電源ラインとすることができる。そして、当該プローブピン30からも、被測定デバイスに安定した電位を供給することができる。
Then, another wiring line or another via is provided, the wiring layer 42a is connected to the power supply line, and the wiring layer 42b is grounded.
Thereby, even the probe pin 30 fixed and supported in the support member 20c can be used as a power supply line. A stable potential can also be supplied from the probe pin 30 to the device under measurement.

また、支持部材20c内に固定・支持された、信号用のプローブピン30に於いても、上述したノイズフィルタ回路を接続させることにより、より高精度に半導体試験を遂行することができる。   Also, the signal test pin 30 fixed and supported in the support member 20c can be used to perform the semiconductor test with higher accuracy by connecting the above-described noise filter circuit.

尚、この様な形態は、支持部材20a,20b上に固着された夫々の樹脂フィルム41、並びに支持部材20a,20b内に固定・支持されたプローブピン30にも適用できる。   Such a configuration can also be applied to the respective resin films 41 fixed on the support members 20a and 20b and the probe pins 30 fixed and supported in the support members 20a and 20b.

即ち、多層構造をなす上記支持部材20の上面、または支持部材20a,20b,20c,20dの層間の何れかから、樹脂フィルム40を延在させ、当該樹脂フィルム40に、電子部品50、配線層41a,41b,42a,42b、並びにビア43a,43b等を配設する。そして、当該樹脂フィルム40の端をプローブカード基板10の裏面10r側に接合してもよい。   That is, the resin film 40 is extended from either the upper surface of the support member 20 having a multilayer structure or the layers between the support members 20a, 20b, 20c, and 20d, and the electronic component 50 and the wiring layer are formed on the resin film 40. 41a, 41b, 42a, 42b, and vias 43a, 43b are disposed. Then, the end of the resin film 40 may be bonded to the back surface 10r side of the probe card substrate 10.

次に、第1の実施の形態に係るプローブカード1の製造方法について説明する。
図6〜図9は第1の実施の形態に係るプローブカード1の製造工程を説明するための要部図である。尚、以下の図面では、図1〜図5で説明した部材と同一の部材には、同一の符号を付し、その説明の詳細については省略する。
Next, a method for manufacturing the probe card 1 according to the first embodiment will be described.
FIGS. 6-9 is principal part figure for demonstrating the manufacturing process of the probe card 1 which concerns on 1st Embodiment. In the following drawings, the same members as those described in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

先ず、図6に示す如く、プローブカード基板10上に、支持部材20aを接着部材(図示しない)を介して固着させる。当該支持部材20aには、予め、プローブピン30が支持・固定されている。   First, as shown in FIG. 6, the support member 20a is fixed onto the probe card substrate 10 via an adhesive member (not shown). The probe pin 30 is supported and fixed in advance on the support member 20a.

次に、当該支持部材20aの上面に、樹脂フィルム41を接着部材(図示しない)を介して、固着させる。
次に、プローブカード基板10の裏面10r側に配設されている電極端子(図示しない)と、プローブピン30の一方の端とを半田層11aを介して接合する。尚、上記電極端子と、プローブピン30とを半田付けした後に、支持部材20aの上面に、樹脂フィルム41を固着してもよい。
Next, the resin film 41 is fixed to the upper surface of the support member 20a via an adhesive member (not shown).
Next, an electrode terminal (not shown) disposed on the back surface 10r side of the probe card substrate 10 and one end of the probe pin 30 are joined via the solder layer 11a. In addition, after soldering the said electrode terminal and the probe pin 30, you may adhere the resin film 41 to the upper surface of the supporting member 20a.

続いて、図7に示すように、支持部材20aの上面に固着させた樹脂フィルム41上に、上記支持部材20bを接着部材(図示しない)を介して固着させる。当該支持部材20bには、予め、プローブピン30が支持・固定されている。更に、この様な作業を、上記支持部材20cについても実施する。   Subsequently, as shown in FIG. 7, the support member 20b is fixed to the resin film 41 fixed to the upper surface of the support member 20a via an adhesive member (not shown). The probe pin 30 is supported and fixed in advance on the support member 20b. Further, such an operation is also performed on the support member 20c.

次に、図8に示すように、支持部材20cの上面に固着させた樹脂フィルム41上に、上記支持部材20dを接着部材(図示しない)を介して固着させる。当該支持部材20dには、予め、プローブピン30が支持・固定されている。そして、支持部材20dの上面から表出したプローブピン30上に、半田材を載置する。当該半田材は、ペースト状でもよく、シート状でもよい。   Next, as shown in FIG. 8, the support member 20d is fixed to the resin film 41 fixed to the upper surface of the support member 20c via an adhesive member (not shown). A probe pin 30 is supported and fixed in advance on the support member 20d. Then, a solder material is placed on the probe pin 30 exposed from the upper surface of the support member 20d. The solder material may be a paste or a sheet.

続いて、当該支持部材20dの上面に、樹脂フィルム40を接着部材(図示しない)を介して、固着させる。そして、必要に応じて加熱処理を施し、樹脂フィルム40に配設されている配線層42aと支持部材20d内に固定・支持されているプローブピン30とを、上記半田層44(図8では不図示)を形成することにより電気的に接続する。   Subsequently, the resin film 40 is fixed to the upper surface of the support member 20d through an adhesive member (not shown). Then, heat treatment is performed as necessary, and the wiring layer 42a disposed on the resin film 40 and the probe pin 30 fixed and supported in the support member 20d are connected to the solder layer 44 (not shown in FIG. 8). Electrical connection is made by forming (shown).

次に、支持部材20d内に固定・支持されたプローブピン30の一方の端と、プローブカード基板10の裏面10r側に配設されている電極端子(図示しない)とを半田層11dを介して接合する。尚、上記半田層44より先に半田層11dを形成してもよく、上記半田層44と半田層11dとを同じ処理工程にて形成してもよい。   Next, one end of the probe pin 30 fixed and supported in the support member 20d and an electrode terminal (not shown) disposed on the back surface 10r side of the probe card substrate 10 are connected via the solder layer 11d. Join. The solder layer 11d may be formed before the solder layer 44, or the solder layer 44 and the solder layer 11d may be formed in the same processing step.

次に、図9に示すように、支持部材20dの上面から延在された樹脂フィルム40の端を、接着部材12を介して、プローブカード基板10の裏面10rに接合する。これにより、支持部材20dの上面からプローブカード基板10の裏面10rにかけて、樹脂フィルム40が張られた形態を得る。   Next, as shown in FIG. 9, the end of the resin film 40 extending from the upper surface of the support member 20 d is bonded to the back surface 10 r of the probe card substrate 10 via the adhesive member 12. Thereby, a form in which the resin film 40 is stretched from the upper surface of the support member 20d to the back surface 10r of the probe card substrate 10 is obtained.

続いて、少なくとも一つの電子部品50を、樹脂フィルム40に配設された、上記配線層41a,41bに電気的に接続させる。
尚、支持部材20a,20b,20cの上面に配設した、夫々の樹脂フィルム41には、上記の如く、配線層41a,41b,42a,42b、並びにビア43a,43bを選択的に配設してもよい。そして、上述した如く、支持部材20a,20b,20cの何れかに固定・支持されたプローブピン30と、夫々の配線層42aとを上記半田層44を通じて電気的に接続してもよい。更に、当該配線層41a,41bを樹脂フィルム40にまで引き回し、当該配線層41a,41bを上記電子部品50に電気的に接続させてもよい。
Subsequently, at least one electronic component 50 is electrically connected to the wiring layers 41 a and 41 b disposed on the resin film 40.
As described above, the wiring layers 41a, 41b, 42a, 42b and the vias 43a, 43b are selectively provided on the respective resin films 41 provided on the upper surfaces of the support members 20a, 20b, 20c. May be. As described above, the probe pin 30 fixed and supported on any one of the support members 20a, 20b, and 20c may be electrically connected to each wiring layer 42a through the solder layer 44. Furthermore, the wiring layers 41a and 41b may be routed to the resin film 40, and the wiring layers 41a and 41b may be electrically connected to the electronic component 50.

この様な製造工程を以って、第1の実施の形態に係るプローブカード1が製造される。
尚、上述した樹脂フィルム40は、上記支持部材20dの上面に固着させ、プローブカード基板10の裏面10rに接合させる形態の他、支持部材20a,20b,20cの何れかの上面に固着させ、当該上面から延在させ、プローブカード基板10の裏面10rに接合させてもよい。また、樹脂フィルム40の平面形状に於いては、図1に例示した形態に限らない。
With such a manufacturing process, the probe card 1 according to the first embodiment is manufactured.
The above-described resin film 40 is fixed to the upper surface of the support member 20d and bonded to the upper surface of any one of the support members 20a, 20b, and 20c, in addition to a mode in which the resin film 40 is bonded to the back surface 10r of the probe card substrate 10. It may extend from the upper surface and may be bonded to the rear surface 10r of the probe card substrate 10. Further, the planar shape of the resin film 40 is not limited to the form illustrated in FIG.

例えば、図10並びに図11には、第1の実施の形態に係るプローブカードの変形例が例示されている。
例えば、図10には、支持部材20cの上面からプローブカード基板10の裏面10rにかけて、樹脂フィルム40が張られた形態が例示されている。この様な形態であってもよい。
For example, FIG. 10 and FIG. 11 illustrate a modified example of the probe card according to the first embodiment.
For example, FIG. 10 illustrates a form in which the resin film 40 is stretched from the upper surface of the support member 20 c to the back surface 10 r of the probe card substrate 10. Such a form may be sufficient.

また、夫々の支持部材20a,20b,20c,20dの上面から延在させる樹脂フィルム40は、一枚とは限らず、夫々の上面から複数枚の樹脂フィルム40を延在させてもよい。   Moreover, the resin film 40 extended from the upper surface of each support member 20a, 20b, 20c, 20d is not restricted to one sheet, You may extend the several resin film 40 from each upper surface.

また、図11には、樹脂フィルム40の平面形状の変形例が示されている。
図示する如く、樹脂フィルム40に於いては、支持部材20の四方からプローブカード基板10の裏面10rにまで延在させる形状を半円状としてもよく(図11(a)参照)、矩形状としてもよい(図11(b)参照)。
FIG. 11 shows a modification of the planar shape of the resin film 40.
As shown in the figure, in the resin film 40, the shape extending from the four sides of the support member 20 to the back surface 10r of the probe card substrate 10 may be a semicircular shape (see FIG. 11A). It is also possible (see FIG. 11B).

この様に、プローブカード1にあっては、プローブカード基板10と、プローブカード基板10の主面に配置された支持部材20と、支持部材20に支持された複数のプローブピン30と、支持部材20から延在された樹脂フィルム40と、樹脂フィルム40に選択的に配設された配線層41a,41b,42a,42bと、樹脂フィルム40上に搭載され、配線層41a,41b,42a,42bを通じてプローブピン30の少なくとも一つに電気的に接続された、少なくとも一つの電子部品50と、を備えている。   Thus, in the probe card 1, the probe card substrate 10, the support member 20 disposed on the main surface of the probe card substrate 10, the plurality of probe pins 30 supported by the support member 20, and the support member 20, a resin film 40 extending from 20, wiring layers 41 a, 41 b, 42 a, 42 b selectively disposed on the resin film 40, and mounted on the resin film 40, wiring layers 41 a, 41 b, 42 a, 42 b And at least one electronic component 50 electrically connected to at least one of the probe pins 30.

支持部材20は多層構造をなし、支持部材20の上面または多層構造の層間から、樹脂フィルム40が延在している。
この様なプローブカード1には、以下の様な具体的な効果がもたらされる。
The support member 20 has a multilayer structure, and the resin film 40 extends from the upper surface of the support member 20 or from the interlayer of the multilayer structure.
Such a probe card 1 has the following specific effects.

プローブカード1にあっては、上記電子部品50をプローブカード基板10の裏面10r側に配設し、例えば、バイパス用の容量素子である電子部品50を被測定デバイスの直近に備えることができる。   In the probe card 1, the electronic component 50 can be disposed on the back surface 10r side of the probe card substrate 10, and for example, the electronic component 50, which is a bypass capacitive element, can be provided in the immediate vicinity of the device under measurement.

かかる構成により、プローブピン30に於いては、被測定デバイスから発せられるノイズの影響を受け難くなる。
例えば、電源ライン用のプローブピン30の線長が影響して、被測定デバイスに供給する電位及び/または電流が不安定となる現象が回避される。
With this configuration, the probe pin 30 is not easily affected by noise generated from the device under measurement.
For example, the phenomenon that the potential and / or current supplied to the device under measurement becomes unstable due to the influence of the length of the probe pin 30 for the power supply line is avoided.

また、プローブカード1にあっては、上記電子部品50をプローブカード基板10の表面側に配設できる他、上記電子部品50をプローブカード基板10の裏面10r側にも配設することができる。   In the probe card 1, the electronic component 50 can be disposed on the front surface side of the probe card substrate 10, and the electronic component 50 can be disposed on the back surface 10 r side of the probe card substrate 10.

これにより、例えば、ノイズフィルタ回路の増設を簡便に実施することができる。従って、信号用として用いるプローブピン30に於いては、被測定デバイスからのノイズがより確実に遮断される。   Thereby, for example, a noise filter circuit can be easily added. Therefore, in the probe pin 30 used for signals, noise from the device under measurement is more reliably blocked.

特に、プローブカード1にあっては、樹脂フィルム40がプローブカード基板10の半径の半分程度の位置にまで拡張されている。その結果、当該樹脂フィルム40の主面は、広面積を有している。従って、プローブカード基板10の裏面側に、電子部品50を搭載する広面積の領域が確保される。   In particular, in the probe card 1, the resin film 40 is expanded to a position about half the radius of the probe card substrate 10. As a result, the main surface of the resin film 40 has a large area. Therefore, a large area for mounting the electronic component 50 is secured on the back side of the probe card substrate 10.

これにより、容量素子、抵抗素子の個数、種類の組み合わせ、或いは配線層の引き回しの自由度が向上し、例えば、RC定数の調整のマージンが拡大する。従って、当該プローブカード1を用いれば、信号用のプローブピン30に於いて、より確実にノイズが遮断される。   As a result, the number of capacitive elements, the number of resistance elements, combinations of types, or the degree of freedom in routing the wiring layer is improved, and, for example, the margin for adjusting the RC constant is increased. Accordingly, when the probe card 1 is used, noise is more reliably blocked at the signal probe pin 30.

この様に、上記プローブカード1を用いれば、より高精度に半導体試験を遂行することができる。
また、電子部品50は、支持部材20に接合された樹脂フィルム40を除く樹脂フィルム40上に搭載されている。これにより、プローブカード1を用いて半導体試験を行っても、当該電子部品50が被測定デバイスに当接することはない。従って、被測定デバイスを破損させることなく、当該半導体試験を安全に遂行することができる。
Thus, if the probe card 1 is used, a semiconductor test can be performed with higher accuracy.
The electronic component 50 is mounted on the resin film 40 excluding the resin film 40 joined to the support member 20. Thereby, even if a semiconductor test is performed using the probe card 1, the electronic component 50 does not contact the device under measurement. Therefore, the semiconductor test can be performed safely without damaging the device under measurement.

<第2の実施の形態>
第2の実施の形態に係るプローブカード2を、図面を参照しながら詳細に説明する。尚、以下の図面では、図1〜図11で説明した部材と同一の部材には、同一の符号を付し、その説明の詳細については省略する。
<Second Embodiment>
The probe card 2 according to the second embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In the following drawings, the same members as those described in FIGS. 1 to 11 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図12は第2の実施の形態に係るプローブカード2の要部図であり、図12(a)には、当該プローブカード2の裏面10r側の平面形状が示され、図12(b)は、図12(a)に於ける破線X−Yに沿った断面が示されている。   FIG. 12 is a main part view of the probe card 2 according to the second embodiment. FIG. 12A shows a planar shape of the probe card 2 on the back surface 10r side, and FIG. FIG. 12A shows a cross section taken along the broken line XY in FIG.

当該プローブカード2にあっては、プローブカード基板10と、当該プローブカード基板10に固定された支持部材20と、当該支持部材20内に固定・支持された、複数のプローブピン30と、当該支持部材20の側面から延在された、別の支持部材45,46と、を含む形態をなしている。   In the probe card 2, the probe card substrate 10, the support member 20 fixed to the probe card substrate 10, the plurality of probe pins 30 fixed and supported in the support member 20, and the support The support member 45 and 46 extended from the side surface of the member 20 are comprised.

プローブカード基板10の裏面10r側には、プローブピン30が複数本、配置されている。また、プローブピン30に於いては、その複数本が支持部材20内に固定・支持されている。そして、プローブカード基板10の裏面10r側に配設された電極端子(図示しない)と、プローブピン30の一方の端が半田付けにより接合されている。   On the back surface 10r side of the probe card substrate 10, a plurality of probe pins 30 are arranged. Further, a plurality of probe pins 30 are fixed and supported in the support member 20. And the electrode terminal (not shown) arrange | positioned by the back surface 10r side of the probe card board | substrate 10 and one end of the probe pin 30 are joined by soldering.

また、当該半田付けがなされた箇所から、プローブピン30は所定の角度で斜めに延設し、支持部材20内にプローブピン30の一部を封止させている。そして、プローブピン30のもう一方の端、即ち、プローブピン30の先端部分に於いては、支持部材20から表出させている。   Further, the probe pin 30 extends obliquely at a predetermined angle from the soldered portion, and a part of the probe pin 30 is sealed in the support member 20. The other end of the probe pin 30, that is, the tip portion of the probe pin 30 is exposed from the support member 20.

また、プローブカード2にあっては、支持部材20の側面から別の支持部材45,46をプローブカード基板10の外方に延在し、当該支持部材45,46の端がプローブカード基板10の裏面10rに設置させた支柱47により支持されている。この様な支持部材45,46の端は、プローブカード基板10の半径以上の位置にて、その端が位置していることから、支持部材45,46の主面は、広面積を有している。   In the probe card 2, the other support members 45 and 46 extend from the side surface of the support member 20 to the outside of the probe card substrate 10, and the ends of the support members 45 and 46 are connected to the probe card substrate 10. It is supported by a support 47 installed on the back surface 10r. Since the ends of the support members 45 and 46 are located at a position equal to or larger than the radius of the probe card substrate 10, the main surfaces of the support members 45 and 46 have a large area. Yes.

そして、支持部材45,46上には、プローブピン30に重畳されるノイズによる電位及び/または電流変動を抑制、或いはノイズを遮断(フィルタリング)するための電子部品50が複数個、搭載されている。   A plurality of electronic components 50 are mounted on the support members 45 and 46 to suppress potential and / or current fluctuations due to noise superimposed on the probe pins 30 or to block (filter) noise. .

そして、プローブカード2にあっては、複数のプローブピン30の先端部分をプローブカード基板10の中心部に向かって、互いに対向させている。また、プローブピン30の先端部分を、支持部材20の上面よりも高く突き出している。この様なプローブピン30は、図示されている本数とは限らず、被測定デバイスの形態に応じて、その本数が設定される。   In the probe card 2, the tip portions of the plurality of probe pins 30 face each other toward the center of the probe card substrate 10. The tip portion of the probe pin 30 protrudes higher than the upper surface of the support member 20. The number of such probe pins 30 is not limited to the number shown, and the number is set according to the form of the device under measurement.

次に、支持部材20並びに支持部材45,46の付近の断面拡大図を用いて、支持部材20と、プローブピン30と、並びに支持部材20から延在された支持部材45,46等の形態をより詳細に説明する。   Next, using the enlarged cross-sectional view in the vicinity of the support member 20 and the support members 45 and 46, the support member 20, the probe pin 30, and the support members 45 and 46 extended from the support member 20 are formed. This will be described in more detail.

図13は第2の実施の形態に係るプローブカード2の要部拡大図であり、上記支持部材20、プローブピン30、並びに支持部材45,46等の部分の拡大図が示されている。
図示する如く、プローブカード2にあっては、プローブカード基板10の裏面10rに、支持部材(封止用樹脂)20a,20b,20c,20dの積層体を固設している。この様な支持部材20a,20b,20c,20dは、互いに接着部材(図示しない)により接合されている。即ち、図12に例示した支持部材20は、支持部材20a,20b,20c,20dを含む構成としている。
FIG. 13 is an enlarged view of a main part of the probe card 2 according to the second embodiment, and shows an enlarged view of the support member 20, the probe pin 30, the support members 45 and 46, and the like.
As shown in the figure, in the probe card 2, a laminated body of support members (sealing resins) 20a, 20b, 20c, and 20d is fixed to the back surface 10r of the probe card substrate 10. Such support members 20a, 20b, 20c, and 20d are joined to each other by an adhesive member (not shown). In other words, the support member 20 illustrated in FIG. 12 includes support members 20a, 20b, 20c, and 20d.

また、プローブカード2にあっては、プローブピン30が夫々の支持部材20a,20b,20c,20d内に固定・支持されている。そして、夫々のプローブピン30の一方の端は、プローブカード基板10の裏面10r側に配設された電極端子(図示しない)に、半田層11a,11b,11c,11dにより接合されている。   Further, in the probe card 2, the probe pin 30 is fixed and supported in the respective support members 20a, 20b, 20c, and 20d. One end of each probe pin 30 is bonded to an electrode terminal (not shown) disposed on the back surface 10r side of the probe card substrate 10 by solder layers 11a, 11b, 11c, and 11d.

また、夫々のプローブピン30は、当該半田付けがされた箇所から所定の角度で斜めに延設し、夫々のプローブピン30の一部を支持部材20a,20b,20c,20d内に封止させている。そして、プローブピン30のもう一方の端、即ち、プローブピン30の先端部分を支持部材20a,20b,20c,20dの側面から表出させている。更に、夫々のプローブピン30の先端部分は大きく曲げられ、全てのプローブピン30の先端部分が支持部材20dの上面より高く突き出た構造になっている。   Each probe pin 30 extends obliquely at a predetermined angle from the soldered portion, and a part of each probe pin 30 is sealed in the support members 20a, 20b, 20c, and 20d. ing. Then, the other end of the probe pin 30, that is, the tip portion of the probe pin 30 is exposed from the side surfaces of the support members 20a, 20b, 20c, and 20d. Furthermore, the tip portions of the respective probe pins 30 are bent greatly, and the tip portions of all the probe pins 30 protrude higher than the upper surface of the support member 20d.

また、プローブカード2にあっては、支持部材20dの側部に、支持部材45,46の一部を封入し、更に、当該支持部材20dの側部から支持部材45,46をプローブカード基板10の外方に延在させている。そして、支持部材45,46の端が当該裏面10rに設置した支柱47により支持されている。更に、支持部材45上に、ノイズによる変動を抑制、或いはノイズを遮断するための電子部品50を搭載している。   Further, in the probe card 2, a part of the support members 45 and 46 is sealed in the side portion of the support member 20d, and the support members 45 and 46 are further inserted from the side portion of the support member 20d. It extends outside. And the end of the supporting members 45 and 46 is supported by the support | pillar 47 installed in the said back surface 10r. Furthermore, an electronic component 50 is mounted on the support member 45 for suppressing fluctuation due to noise or blocking noise.

また、支持部材45の主面または内部には、電子部品50とプローブピン30とを電気的に接続する複数の配線層、ビアが選択的に配置されている(図示しない)。
この様な電子部品50、配線層等を配設することにより、例えば、電源ラインとして用いるプローブピン30に於いては、被測定デバイスのノイズを起因とする変動が抑制される。また、信号用として用いるプローブピン30に於いては、被測定デバイスからのノイズが遮断される。
A plurality of wiring layers and vias for electrically connecting the electronic component 50 and the probe pin 30 are selectively disposed on the main surface or inside of the support member 45 (not shown).
By providing such an electronic component 50, a wiring layer, and the like, for example, in the probe pin 30 used as a power supply line, fluctuation due to noise of the device under measurement is suppressed. In the probe pin 30 used for signals, noise from the device under measurement is blocked.

この様に、プローブカード2にあっては、上記ノイズによる変動を抑制、或いはノイズを遮断するための電子部品50、配線層等がプローブカード基板10の裏面10rに配設されている。尚、当該電子部品50は、例えば、容量素子(コンデンサ)、抵抗素子等が適用される。   As described above, in the probe card 2, the electronic component 50, the wiring layer, and the like for suppressing the fluctuation due to the noise or blocking the noise are disposed on the back surface 10 r of the probe card substrate 10. For example, a capacitive element (capacitor), a resistance element, or the like is applied to the electronic component 50.

かかる形態のプローブカード2に於いて、支持部材45の材質は、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−BT(ビスマレイミドトリアジン)、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂、或いはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材が適用される。そして、これらの絶縁材の主面及び/または絶縁材内に、配線層が選択的に配設されている。即ち、支持部材45は、所謂配線基板を形成している。   In the probe card 2 of this form, the material of the support member 45 is, for example, an organic insulating resin such as glass-epoxy resin, glass-BT (bismaleimide triazine), or polyimide, or inorganic insulation such as ceramic or glass. An insulating substrate formed from a material is applied. And the wiring layer is selectively arrange | positioned in the main surface of these insulating materials, and / or in an insulating material. That is, the support member 45 forms a so-called wiring board.

また、支持部材46の材質は、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−BT(ビスマレイミドトリアジン)、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂、或いはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材が適用される。   The material of the support member 46 is, for example, an insulating base formed from an organic insulating resin such as glass-epoxy resin, glass-BT (bismaleimide triazine) or polyimide, or an inorganic insulating material such as ceramic or glass. The material is applied.

また、支柱47の材質は、上記の絶縁材でもよく、ステンレス鋼材等の金属材でもよい。
次に、上記電子部品50とプローブピン30との電気的な接続がどのような形態にて実施されているのか説明する。
Moreover, the material of the support | pillar 47 may be said insulation material, and metal materials, such as a stainless steel material.
Next, it will be described in what form the electrical connection between the electronic component 50 and the probe pin 30 is implemented.

図14は第2の実施の形態に係るプローブカード2の要部立体図であり、電子部品50と、当該電子部品50を支持する支持部材45,46と、当該支持部材45,46を固定・支持する支持部材20d等の一部が示されている。尚、図14に例示された支持部材45,46に於いては、支持部材20dの側面の位置で切断された形態が示されている。また、プローブピン30に於いては、先端部分の中途までが表示されている。また、図14に於いて、支持部材45上に位置する支持部材20d、支持部材20a,20b,20c、支柱47、並びにプローブカード基板10は、表示されていない。また、図14では、支持部材45の上面を露出させた状態が示されている。   FIG. 14 is a three-dimensional view of a main part of the probe card 2 according to the second embodiment. The electronic component 50, supporting members 45 and 46 that support the electronic component 50, and the supporting members 45 and 46 are fixed. A part of the supporting member 20d to be supported is shown. In addition, in the support members 45 and 46 illustrated in FIG. 14, a form cut at the position of the side surface of the support member 20 d is shown. In the probe pin 30, the middle part of the tip is displayed. In FIG. 14, the support member 20d, the support members 20a, 20b, and 20c, the support column 47, and the probe card substrate 10 positioned on the support member 45 are not displayed. FIG. 14 shows a state where the upper surface of the support member 45 is exposed.

図示する如く、支持部材20dに封入させた支持部材45,46は、当該支持部材20dから延在され、当該支持部材45の表面上に、配線層41a,41bが選択的に配設されている。また、当該支持部材45の裏面(支持部材20dと接触する面)に於いては、配線層42a,42bが選択的に配設されている。そして、配線層41aと配線層42aとは、支持部材45内に設けられたビア43aを通じて導通し、配線層41bと配線層42bとは、支持部材45内に設けられたビア43bを通じて導通している。   As illustrated, the support members 45 and 46 sealed in the support member 20 d extend from the support member 20 d, and wiring layers 41 a and 41 b are selectively disposed on the surface of the support member 45. . In addition, wiring layers 42a and 42b are selectively provided on the back surface of the support member 45 (the surface in contact with the support member 20d). The wiring layer 41a and the wiring layer 42a are conducted through the via 43a provided in the support member 45, and the wiring layer 41b and the wiring layer 42b are conducted through the via 43b provided in the support member 45. Yes.

また、支持部材45の配線層41a,41bには、電子部品50が電気的に接続されている。
また、プローブピン30は、支持部材20dが支持部材45の裏面と接触する面に於いて、プローブピン30の一部を表出している。そして、支持部材45の裏面に半田層44が配設され、配線層42aと当該プローブピン30とが、当該半田層44を通じて電気的に接続されている。
The electronic component 50 is electrically connected to the wiring layers 41 a and 41 b of the support member 45.
Further, the probe pin 30 exposes a part of the probe pin 30 on the surface where the support member 20 d contacts the back surface of the support member 45. A solder layer 44 is disposed on the back surface of the support member 45, and the wiring layer 42 a and the probe pin 30 are electrically connected through the solder layer 44.

例えば、電子部品50が、容量素子であれば、配線層42aを電源ラインに導通させ、配線層42bを接地(アース)させることにより、プローブピン30は、電源ライン用のプローブピンとして機能し、電子部品50は、プローブピン30とアース間に配設されたバイパス用の容量素子(通称、パスコン)として機能する。これにより、当該プローブピン30から被測定デバイスに、より安定した電位(及び/または電流)を供給することができる。   For example, if the electronic component 50 is a capacitive element, the probe pin 30 functions as a probe pin for the power supply line by connecting the wiring layer 42a to the power supply line and grounding (earthing) the wiring layer 42b. The electronic component 50 functions as a bypass capacitive element (commonly called a bypass capacitor) disposed between the probe pin 30 and the ground. Thereby, a more stable potential (and / or current) can be supplied from the probe pin 30 to the device under measurement.

また、プローブカード2にあっては、電子部品50を、必要に応じて、支持部材45上に、複数個配設してもよく、容量素子の他に、抵抗素子を配設してもよい。
そして、複数の電子部品50の何れかに於いては、容量素子であり、当該容量素子以外の電子部品50は、上述した如く、抵抗素子とすることができる。そして、容量素子、抵抗素子を含むノイズフィルタ回路(例えば、CRフィルタ回路)を、例えば、信号用のプローブピン30に電気的に接続させることにより、当該プローブピン30には、被測定デバイスからのノイズが重畳され難くなる。従って、プローブカード2を用いることにより高精度に半導体試験を遂行することができる。
In the probe card 2, a plurality of electronic components 50 may be provided on the support member 45 as necessary, and a resistive element may be provided in addition to the capacitive element. .
Any of the plurality of electronic components 50 is a capacitive element, and the electronic components 50 other than the capacitive element can be resistive elements as described above. Then, by electrically connecting a noise filter circuit (for example, a CR filter circuit) including a capacitive element and a resistive element to the signal probe pin 30, for example, the probe pin 30 is connected to the device under measurement from the device under measurement. Noise is difficult to be superimposed. Therefore, the semiconductor test can be performed with high accuracy by using the probe card 2.

尚、容量素子である電子部品50に於いては、電源ライン用のプローブピン30とアース間に配設する他、信号用のプローブピン30とアース間、または、信号用のプローブピン30同士、または、電源ライン用のプローブピン30と信号用のプローブピン30間に電気的に接続させてもよい。   In addition, in the electronic component 50 which is a capacitive element, in addition to being arranged between the power supply line probe pin 30 and the ground, the signal probe pin 30 and the ground, or the signal probe pins 30, Alternatively, the power supply line probe pin 30 and the signal probe pin 30 may be electrically connected.

また、支持部材45,46の平面形状に於いては、図12に例示した形態に限らない。
例えば、図11(a)に示す如く、支持部材45,46に於いては、支持部材20の四方から延在させる形状を半円状としてもよく、図11(b)に示す如く、矩形状としてもよい。
Further, the planar shape of the support members 45 and 46 is not limited to the form illustrated in FIG.
For example, as shown in FIG. 11A, in the support members 45 and 46, the shape extending from the four sides of the support member 20 may be a semicircular shape, and as shown in FIG. It is good.

この様に、プローブカード2にあっては、プローブカード基板10と、プローブカード基板10の主面に配置された支持部材20と、支持部材20に支持された複数のプローブピン30と、支持部材20から延在された支持部材45,46と、支持部材45に選択的に配設された配線層41a,41b,42a,42bと、支持部材45上に搭載され、配線層41a,41b,42a,42bを通じてプローブピン30の少なくとも一つに電気的に接続された、少なくとも一つの電子部品50と、を備えている。   Thus, in the probe card 2, the probe card substrate 10, the support member 20 disposed on the main surface of the probe card substrate 10, the plurality of probe pins 30 supported by the support member 20, and the support member Support members 45, 46 extending from 20, wiring layers 41a, 41b, 42a, 42b selectively disposed on the support member 45, and mounted on the support member 45, and wiring layers 41a, 41b, 42a. , 42 b and at least one electronic component 50 electrically connected to at least one of the probe pins 30.

支持部材20は多層構造をなし、支持部材20の上面または多層構造の層間から、支持部材45,46が延在している。
この様なプローブカード2には、以下の様な具体的な効果がもたらされる。
The support member 20 has a multilayer structure, and support members 45 and 46 extend from the upper surface of the support member 20 or from the layers of the multilayer structure.
Such a probe card 2 has the following specific effects.

上述した如く、プローブカード2にあっては、上記電子部品50をプローブカード基板10の裏面10r側に配設し、例えば、バイパス用の容量素子である電子部品50を被測定デバイスの直近に備えることができる。   As described above, in the probe card 2, the electronic component 50 is disposed on the back surface 10r side of the probe card substrate 10, and for example, the electronic component 50 that is a bypass capacitive element is provided in the immediate vicinity of the device under measurement. be able to.

かかる構成により、プローブピン30に於いては、被測定デバイスから発せられるノイズの影響を受け難くなる。
例えば、電源ライン用のプローブピン30の線長が影響して、被測定デバイスに供給する電位及び/または電流が不安定となる現象が回避される。
With this configuration, the probe pin 30 is not easily affected by noise generated from the device under measurement.
For example, the phenomenon that the potential and / or current supplied to the device under measurement becomes unstable due to the influence of the length of the probe pin 30 for the power supply line is avoided.

また、プローブカード2にあっては、上記電子部品50をプローブカード基板10の表面側に配設できる他、上記電子部品50をプローブカード基板10の裏面10r側にも配設することができる。   In the probe card 2, the electronic component 50 can be disposed on the front surface side of the probe card substrate 10, and the electronic component 50 can be disposed on the back surface 10 r side of the probe card substrate 10.

これにより、例えば、ノイズフィルタ回路の増設を簡便に実施することができる。従って、信号用として用いるプローブピン30に於いては、被測定デバイスからのノイズがより確実に遮断される。   Thereby, for example, a noise filter circuit can be easily added. Therefore, in the probe pin 30 used for signals, noise from the device under measurement is more reliably blocked.

特に、プローブカード2にあっては、支持部材45の端がプローブカード基板10の半径以上の位置にまで拡張されている。その結果、当該支持部材45の主面は、広面積を有している。従って、プローブカード基板10の裏面側に、電子部品50を搭載する広面積の領域が確保される。   In particular, in the probe card 2, the end of the support member 45 is extended to a position equal to or larger than the radius of the probe card substrate 10. As a result, the main surface of the support member 45 has a large area. Therefore, a large area for mounting the electronic component 50 is secured on the back side of the probe card substrate 10.

これにより、容量素子、抵抗素子の個数、種類の組み合わせ、或いは配線層の引き回しの自由度が向上し、例えば、RC定数の調整のマージンが拡大する。従って、当該プローブカード2を用いれば、信号用のプローブピン30に於いて、より確実にノイズが遮断される。   As a result, the number of capacitive elements, the number of resistance elements, combinations of types, or the degree of freedom in routing the wiring layer is improved, and, for example, the margin for adjusting the RC constant is increased. Therefore, when the probe card 2 is used, noise is more reliably blocked at the signal probe pin 30.

この様に、上記プローブカード2を用いれば、より高精度に半導体試験を遂行することができる。   Thus, if the probe card 2 is used, a semiconductor test can be performed with higher accuracy.

第1の実施の形態に係るプローブカードの要部図である。It is a principal part figure of the probe card which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るプローブカードの要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of the probe card which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るプローブカードの要部立体図である(その1)。It is a principal part three-dimensional view of the probe card which concerns on 1st Embodiment (the 1). 第1の実施の形態に係るプローブカードの要部立体図である(その2)。It is a principal part solid diagram of the probe card which concerns on 1st Embodiment (the 2). 第1の実施の形態に係るプローブカードの要部立体図である(その3)。It is the principal part three-dimensional view of the probe card which concerns on 1st Embodiment (the 3). 第1の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を説明するための要部図である(その1)。It is a principal part figure for demonstrating the manufacturing process of the probe card which concerns on 1st Embodiment (the 1). 第1の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を説明するための要部図である(その2)。FIG. 6 is a main part view for explaining the manufacturing process of the probe card according to the first embodiment (No. 2). 第1の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を説明するための要部図である(その3)。FIG. 9 is a main part view for explaining the manufacturing process of the probe card according to the first embodiment (No. 3). 第1の実施の形態に係るプローブカードの製造工程を説明するための要部図である(その4)。FIG. 7 is a main part view for explaining the manufacturing process of the probe card according to the first embodiment (No. 4). 第1の実施の形態に係るプローブカードの変形例の要部図である(その1)。It is a principal part figure of the modification of the probe card which concerns on 1st Embodiment (the 1). 第1の実施の形態に係るプローブカードの変形例の要部図である(その2)。It is a principal part figure of the modification of the probe card which concerns on 1st Embodiment (the 2). 第2の実施の形態に係るプローブカードの要部図である。It is a principal part figure of the probe card which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るプローブカードの要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of the probe card which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るプローブカードの要部立体図である。It is a principal part three-dimensional view of the probe card which concerns on 2nd Embodiment. プローブカードの基本構成を説明するための要部図である。It is a principal part figure for demonstrating the basic composition of a probe card. 複数のプローブピンが支持された状態を説明するための要部図である。It is a principal part figure for demonstrating the state by which the several probe pin was supported.

符号の説明Explanation of symbols

1,2 プローブカード
10 プローブカード基板
10h 開口部
10r 裏面
11a,11b,11c,11d,44 半田層
12 接着部材
20,20a,20b,20c,20d,45,46 支持部材
30 プローブピン
40,41 樹脂フィルム
41a,41b,42a,42b 配線層
43a,43b ビア
47 支柱
50 電子部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 Probe card 10 Probe card board 10h Opening part 10r Back surface 11a, 11b, 11c, 11d, 44 Solder layer 12 Adhesive member 20, 20a, 20b, 20c, 20d, 45, 46 Support member 30 Probe pin 40, 41 Resin Film 41a, 41b, 42a, 42b Wiring layer 43a, 43b Via 47 Strut 50 Electronic component

Claims (5)

プローブカード基板と、
前記プローブカード基板の主面に配置された第1の支持部材と、
前記第1の支持部材に支持された複数のプローブピンと、
前記第1の支持部材から延在された第2の支持部材と、
前記第2の支持部材に選択的に配設された配線層と、
前記第2の支持部材上に搭載され、前記配線層を通じて前記プローブピンの少なくとも一つに電気的に接続された、少なくとも一つの電子部品と、
を備えたことを特徴とするプローブカード。
A probe card substrate;
A first support member disposed on the main surface of the probe card substrate;
A plurality of probe pins supported by the first support member;
A second support member extending from the first support member;
A wiring layer selectively disposed on the second support member;
At least one electronic component mounted on the second support member and electrically connected to at least one of the probe pins through the wiring layer;
A probe card characterized by comprising:
前記第1の支持部材が多層構造をなし、前記第1の支持部材の上面または前記多層構造の層間から、前記第2の支持部材が延在していることを特徴とする請求項1記載のプローブカード。   2. The first support member according to claim 1, wherein the first support member has a multilayer structure, and the second support member extends from an upper surface of the first support member or an interlayer of the multilayer structure. Probe card. 前記第2の支持部材が樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1または2記載のプローブカード。   The probe card according to claim 1 or 2, wherein the second support member is a resin film. 前記第2の支持部材が配線基板であることを特徴とする請求項1記載のプローブカード。   The probe card according to claim 1, wherein the second support member is a wiring board. 前記電子部品がコンデンサ素子、抵抗素子の何れかであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載のプローブカード。   The probe card according to claim 1, wherein the electronic component is any one of a capacitor element and a resistor element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015064382A (en) * 2012-01-10 2015-04-09 スター テクノロジーズ インコーポレイテッドStar Technologies Inc. Probe card for integrated circuit with structure having reinforced electric contact of probe

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JP2015064382A (en) * 2012-01-10 2015-04-09 スター テクノロジーズ インコーポレイテッドStar Technologies Inc. Probe card for integrated circuit with structure having reinforced electric contact of probe

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