JP2009232578A - Control circuit provided in switching power supply circuit - Google Patents

Control circuit provided in switching power supply circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2009232578A
JP2009232578A JP2008075040A JP2008075040A JP2009232578A JP 2009232578 A JP2009232578 A JP 2009232578A JP 2008075040 A JP2008075040 A JP 2008075040A JP 2008075040 A JP2008075040 A JP 2008075040A JP 2009232578 A JP2009232578 A JP 2009232578A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
threshold
value
bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008075040A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5315741B2 (en
Inventor
Hidenori Takahashi
英紀 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008075040A priority Critical patent/JP5315741B2/en
Publication of JP2009232578A publication Critical patent/JP2009232578A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5315741B2 publication Critical patent/JP5315741B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce input voltage dependency and/or output voltage dependency at an output limiting point that is a threshold of output current to a load in a switching power supply circuit. <P>SOLUTION: The control circuit includes: a terminal (VH) input by input voltage (VH) based on a commercial power supply; a terminal (IS) input by DC voltage (IS) compared with a voltage threshold (IS) corresponding to the output limiting point, or the threshold of output current to a load; a terminal (VCC) input by DC voltage (VCC) based on voltage generated on an auxiliary winding of a transformer; and an output control circuit for turning off a switching element connected to a primary winding when the voltage threshold (IS) exceeds the DC voltage (IS). The control circuit includes a voltage threshold variable circuit for raising the voltage threshold (IS) when the input voltage (VH) is low, and/or, for lowering one threshold element value (IS_bias) of the voltage threshold (IS) when the DC voltage (VCC) is low. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、スイッチ電源回路に備えられる制御回路に関する。   The present invention relates to a control circuit provided in a switch power supply circuit.

一般に、スイッチング電源回路は、商用電源に接続される一次側回路と、負荷に接続される二次側回路と、トランスとを備えている。トランスの一次巻線は、一次側回路に備えられ、トランスの二次巻線は、二次側回路に備えられている。このようなスイッチング電源回路には、例えば、一次巻線に接続されたMOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)と、MOS FETのゲート端子に接続された制御IC(Integrated Circuit)が設けられることがある。この場合、制御ICは、ゲート端子への出力を制御することで(オン/オフ比率を制御することで)、一次巻線に供給される実効的な電流量を制御することができる。   In general, a switching power supply circuit includes a primary circuit connected to a commercial power supply, a secondary circuit connected to a load, and a transformer. The primary winding of the transformer is provided in the primary side circuit, and the secondary winding of the transformer is provided in the secondary side circuit. Such a switching power supply circuit may be provided with, for example, a MOS Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOS FET) connected to the primary winding and a control IC (Integrated Circuit) connected to the gate terminal of the MOS FET. is there. In this case, the control IC can control the effective amount of current supplied to the primary winding by controlling the output to the gate terminal (by controlling the on / off ratio).

制御ICには、過電流保護回路が内蔵されているタイプのICがある。過電流保護回路は、負荷に過電流が出力されることを防止するための回路である。過電流保護回路としては、例えば特許文献1に開示の回路がある。   Control ICs include ICs with built-in overcurrent protection circuits. The overcurrent protection circuit is a circuit for preventing an overcurrent from being output to the load. As an overcurrent protection circuit, for example, there is a circuit disclosed in Patent Document 1.

特開平6−233533号公報JP-A-6-233533

制御ICは、過電流保護回路に加えて、電力制限回路を備えることができる。電力制限回路は、二次側回路から負荷に出力される電力(以下、「出力電力Po」と言う)を制限するための回路である。   The control IC can include a power limiting circuit in addition to the overcurrent protection circuit. The power limiting circuit is a circuit for limiting the power output from the secondary circuit to the load (hereinafter referred to as “output power Po”).

このような制御ICには、電力制限点及び過負荷検出点が定義される。電力制限点とは、電力制限をかけるか否かを決めるための第一種の負荷電流閾値である。二次側回路から負荷に出力される電圧(以下、「出力電圧Vo」と言う)が或る値のときに、二次側回路から負荷に出力される電流(以下、「負荷電流Io」と言う)が電力制限点に達すると、出力電圧Voが低減されることで、出力電力Poが制限される。一方、過負荷検出点とは、電源出力を遮断させるか否かを決めるための第二種の負荷電流閾値である。出力電圧Voが或る値のときに、負荷電流Ioが電力制限点を超えて過負荷検出点に達すると、MOS FETの発振動作が停止されることで、出力電力Poの出力が遮断される。   In such a control IC, a power limit point and an overload detection point are defined. The power limit point is a first type load current threshold value for determining whether or not to apply power limit. When the voltage output from the secondary circuit to the load (hereinafter referred to as “output voltage Vo”) is a certain value, the current output from the secondary circuit to the load (hereinafter referred to as “load current Io”). When the power limit point is reached, the output voltage Vo is reduced, thereby limiting the output power Po. On the other hand, the overload detection point is a second type load current threshold value for determining whether to interrupt the power output. When the output voltage Vo is a certain value and the load current Io exceeds the power limit point and reaches the overload detection point, the MOS FET oscillation operation is stopped and the output of the output power Po is cut off .

例えば、制御ICを、MOS FETのドレイン電流を監視しドレイン電流の大きさに基づいて電力制限や過電流保護を行う構成とすることができる。   For example, the control IC can be configured to monitor the drain current of the MOS FET and perform power limitation and overcurrent protection based on the magnitude of the drain current.

しかし、この構成では、出力電圧Voが同じであっても一次側回路に入力される電圧(以下、「入力電圧Vi」と言う)が違うと電力制限点及び過負荷検出点が変わってしまうという問題がある。具体的には、例えば、図1に示すように、出力電圧Voの値が“出力1”の場合において、入力電圧Viの値が“入力1”よりも高い“入力2”の場合には、電力制限点及び過負荷検出点が、入力電圧Viが“入力1”のときよりも大きくなってしまう。なぜなら、二次側回路には電力が供給されるため、入力電圧Viが高くなると、ドレイン電流が減少し、それ故、ドレイン電流と電力制限や過電流保護が行われるための大きさとの差が一層ついてしまうからである。   However, in this configuration, even if the output voltage Vo is the same, the power limit point and the overload detection point will change if the voltage input to the primary circuit (hereinafter referred to as “input voltage Vi”) is different. There's a problem. Specifically, for example, as shown in FIG. 1, when the value of the output voltage Vo is “output 1” and the value of the input voltage Vi is “input 2” higher than “input 1”, The power limit point and the overload detection point become larger than when the input voltage Vi is “input 1”. This is because power is supplied to the secondary side circuit, and when the input voltage Vi increases, the drain current decreases. Therefore, there is a difference between the drain current and the magnitude for power limitation or overcurrent protection. That's because it gets more.

また、スイッチング電源回路を、出力電圧Voを可変とする出力可変型の電源回路とすることができるが、この場合、上記構成では、入力電圧Viが同じであっても出力電圧Voが違うと電力制限点及び過負荷検出点が変わってしまうという問題もある。具体的には、例えば、図1に示すように、入力電圧Viが“入力1”の場合において、出力電圧Voの値が“出力1”よりも低い“出力2”の場合には、過負荷検出点が、電力制限曲線に沿って、出力電圧Voが“出力1”のときよりも大きくなってしまう。   In addition, the switching power supply circuit can be an output variable type power supply circuit in which the output voltage Vo is variable. In this case, in the above configuration, even if the input voltage Vi is the same, the power is different if the output voltage Vo is different. There is also a problem that the limit point and the overload detection point change. Specifically, for example, as shown in FIG. 1, when the input voltage Vi is “input 1” and the value of the output voltage Vo is “output 2” lower than “output 1”, an overload occurs. The detection point becomes larger along the power limit curve than when the output voltage Vo is “output 1”.

従って、本発明の第一の目的は、スイッチング電源回路の負荷への出力電流の閾値である出力制限点(例えば電力制限点及び/又は過負荷検出点)の入力電圧依存性を軽減することにある。   Accordingly, a first object of the present invention is to reduce the input voltage dependency of an output limit point (for example, a power limit point and / or an overload detection point) which is a threshold value of an output current to the load of the switching power supply circuit. is there.

本発明の第二の目的は、過負荷検出点の出力電圧依存性を軽減することにある。   The second object of the present invention is to reduce the output voltage dependency of the overload detection point.

制御回路は、商用電源に基づく入力電圧(VH)が入力される端子(VH)と、負荷への出力電流の閾値である出力制限点に対応した電圧閾値(IS_th)と比較される直流電圧(IS)が入力される端子(IS)と、電圧閾値(IS_th)を直流電圧(IS)が超えると一次巻線に接続されているスイッチング素子をターンオフする出力制御回路とを備えている。   The control circuit includes a terminal (VH) to which an input voltage (VH) based on a commercial power supply is input and a DC voltage (IS_th) that is compared with a voltage threshold (IS_th) corresponding to an output limit point that is a threshold of an output current to the load. (IS) is provided with a terminal (IS), and an output control circuit that turns off the switching element connected to the primary winding when the DC voltage (IS) exceeds the voltage threshold (IS_th).

本発明の第一の観点では、このような制御回路に、入力電圧(VH)が高いと電圧閾値(IS_th)を低くし入力電圧(VH)が低いと電圧閾値(IS_th)を高くする電圧閾値可変回路が設けられる。   In the first aspect of the present invention, in such a control circuit, the voltage threshold value that lowers the voltage threshold value (IS_th) when the input voltage (VH) is high and increases the voltage threshold value (IS_th) when the input voltage (VH) is low. A variable circuit is provided.

また、制御回路は、端子(VH)に代えて又は加えて、端子(VCC)を備える。端子(VCC)には、トランスの補助巻線(二次巻線に対向し一次側回路に備えられた巻線)に発生した電圧に基づく直流電圧(VCC)が入力される。   The control circuit includes a terminal (VCC) instead of or in addition to the terminal (VH). A DC voltage (VCC) based on a voltage generated in the auxiliary winding of the transformer (a winding provided in the primary circuit facing the secondary winding) is input to the terminal (VCC).

本発明の第二の観点では、このような制御回路に、直流電圧(VCC)が高いと、電圧閾値(IS_th)の一つの閾値要素値(IS_bias)を高くし直流電圧(VCC)が低いと前記閾値要素値(IS_bias)を低くする電圧閾値可変回路が設けられる。   In the second aspect of the present invention, when the DC voltage (VCC) is high in such a control circuit, one threshold element value (IS_bias) of the voltage threshold (IS_th) is increased and the DC voltage (VCC) is low. A voltage threshold variable circuit that lowers the threshold element value (IS_bias) is provided.

図2は、本発明の一実施形態に係るスイッチング電源回路を示す。   FIG. 2 shows a switching power supply circuit according to an embodiment of the present invention.

このスイッチング電源回路は、例えば自励発振型のスイッチング電源回路である。このスイッチング電源回路は、商用電源101に接続された一次側回路501と、負荷(図示せず)に接続された二次側回路503と、トランス4とを備える。一次側回路501に、トランス4の一次巻線4a及び補助巻線4cが備えられており、二次側回路503に、トランス4の二次巻線4bが備えられている。二次巻線4bは、一次巻線4a及び補助巻線4cに対向している。二次巻線4bの一端に、整流用のダイオードD2のアノード端子が接続されており、ダイオードD2のカソード端子に、コンデンサC2の一端(高電位側出力端)が接続されている。   This switching power supply circuit is, for example, a self-oscillation type switching power supply circuit. This switching power supply circuit includes a primary side circuit 501 connected to the commercial power supply 101, a secondary side circuit 503 connected to a load (not shown), and a transformer 4. The primary side circuit 501 is provided with a primary winding 4 a and an auxiliary winding 4 c of the transformer 4, and the secondary side circuit 503 is provided with a secondary winding 4 b of the transformer 4. The secondary winding 4b is opposed to the primary winding 4a and the auxiliary winding 4c. The anode terminal of the rectifying diode D2 is connected to one end of the secondary winding 4b, and one end (high potential side output terminal) of the capacitor C2 is connected to the cathode terminal of the diode D2.

このスイッチング電源回路を備えた電子機器が通常モードの場合には、負荷には電圧“出力1”が出力され、その電子機器が省電力モードの場合には、電圧“出力2”(出力1>出力2)が出力される。電圧“出力1”と電圧“出力2”の切り替えは、例えば、二次側回路503における所定のスイッチング素子のオン/オフ(例えば、負荷の電源出力コントロール端子に接続されるツェナーダイオードへの通電を制御するトランジスタのオン/オフ)で行われる。すなわち、通常モードの場合には、上記所定のスイッチング素子がオンであり、省電力モードの場合には、上記所定のスイッチング素子がオフである。   When the electronic device including the switching power supply circuit is in the normal mode, the voltage “output 1” is output to the load, and when the electronic device is in the power saving mode, the voltage “output 2” (output 1>) Output 2) is output. The switching between the voltage “output 1” and the voltage “output 2” is performed, for example, by turning on / off a predetermined switching element in the secondary circuit 503 (for example, energizing a Zener diode connected to a power supply output control terminal of a load). (On / off of the transistor to be controlled). That is, in the normal mode, the predetermined switching element is on, and in the power saving mode, the predetermined switching element is off.

一次側回路501は、EMI(electromagnetic immunity)フィルタ回路1と、ダイオードブリッジ2と、平滑コンデンサC1と、MOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)61と、制御IC53とを備える。   The primary side circuit 501 includes an EMI (electromagnetic immunity) filter circuit 1, a diode bridge 2, a smoothing capacitor C 1, a MOS FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 61, and a control IC 53.

EMIフィルタ回路1は、商用電源101に接続されており、EMIノイズを抑制するためのフィルタである。   The EMI filter circuit 1 is connected to the commercial power supply 101 and is a filter for suppressing EMI noise.

ダイオードブリッジ2は、商用電源101からEMIフィルタ回路1を介しての交流電圧を全波整流する。平滑コンデンサC1は、ダイオードブリッジ2の両出力端間に接続され、全波整流後の直流電力を平滑する。   The diode bridge 2 full-wave rectifies the AC voltage from the commercial power supply 101 via the EMI filter circuit 1. The smoothing capacitor C1 is connected between both output terminals of the diode bridge 2 and smoothes the DC power after full-wave rectification.

MOS FET61のドレイン端子が、トランス4の一次巻線4aの一端に接続されており、ゲート端子が、制御IC53の二次側出力電圧制御端子(以下、OUT端子)に接続されている。   The drain terminal of the MOS FET 61 is connected to one end of the primary winding 4 a of the transformer 4, and the gate terminal is connected to the secondary output voltage control terminal (hereinafter, OUT terminal) of the control IC 53.

制御回路IC53は、例えばPWM(Pulse Wide Modulation)コントローラである。制御回路IC53は、例えば、IC各部の電圧の基準となるGND端子、第1電源端子(以下、VH端子)、第2電源端子(以下、VCC端子)、OUT端子、電力制限入力端子(以下、IS端子)、及び、電圧制御信号入力端子(以下、FB端子)を備える。   The control circuit IC53 is, for example, a PWM (Pulse Wide Modulation) controller. The control circuit IC53 includes, for example, a GND terminal, a first power supply terminal (hereinafter referred to as a VH terminal), a second power supply terminal (hereinafter referred to as a VCC terminal), an OUT terminal, and a power limiting input terminal (hereinafter referred to as a voltage reference). IS terminal) and a voltage control signal input terminal (hereinafter referred to as FB terminal).

VH端子は、電源起動時に起動電流を供給し、また、省電力モード時に補助巻線4cに代わってVCC端子に電源供給する端子である。VH端子は、高圧ラインに接続される。VH端子には、商用電源101からの交流電圧が整流且つ平滑され起動抵抗R1及びR2を介した直流電圧VHが入力される。直列に接続されている起動抵抗R1及びR2の一端が、ダイオードブリッジ2の高電位側出力端に接続され、起動抵抗R1及びR2の他端が、VH端子に接続されている。なお、VH端子内部は定電流回路が内蔵されており、図2の回路図によれば、VH端子に直流電圧が入力されるが、交流全波もしくは交流半端がVH端子に入力されても良い。   The VH terminal is a terminal that supplies a starting current when the power is started, and supplies power to the VCC terminal in place of the auxiliary winding 4c in the power saving mode. The VH terminal is connected to the high voltage line. The AC voltage from the commercial power supply 101 is rectified and smoothed to the VH terminal, and the DC voltage VH is input via the starting resistors R1 and R2. One ends of the start resistors R1 and R2 connected in series are connected to the high potential side output end of the diode bridge 2, and the other ends of the start resistors R1 and R2 are connected to the VH terminal. Note that a constant current circuit is built in the VH terminal, and according to the circuit diagram of FIG. 2, a DC voltage is input to the VH terminal, but an AC full-wave or AC half-end may be input to the VH terminal. .

VCC端子は、補助巻線4cに発生した電圧に基づく直流電圧VCCが入力される端子である。直流電圧VCCは、コンデンサC1からの直流電圧(例えば、120V)よりも低い直流電圧(例えば16V)である。補助巻線4cに電圧が発生すると、逆流防止ダイオードD3及び抵抗R4を介してコンデンサC3に充電され、コンデンサC3から直流電圧VCCがVCC端子に入力される。逆流防止ダイオードD3のアノード端子は、補助巻線4cの一端に接続され、カソード端子は、他端がVCC端子に接続されている抵抗R4の一端に接続されている。コンデンサC3の一端(高電位側出力端)は、VCC端子に接続され、他端(低電位側出力端)は、ダイオードブリッジ2の低電位側出力端や補助巻線4cの他端に接続されている。   The VCC terminal is a terminal to which a DC voltage VCC based on the voltage generated in the auxiliary winding 4c is input. The DC voltage VCC is a DC voltage (for example, 16V) lower than the DC voltage (for example, 120V) from the capacitor C1. When a voltage is generated in the auxiliary winding 4c, the capacitor C3 is charged through the backflow prevention diode D3 and the resistor R4, and the DC voltage VCC is input from the capacitor C3 to the VCC terminal. The anode terminal of the backflow prevention diode D3 is connected to one end of the auxiliary winding 4c, and the cathode terminal is connected to one end of a resistor R4 whose other end is connected to the VCC terminal. One end (high potential side output end) of the capacitor C3 is connected to the VCC terminal, and the other end (low potential side output end) is connected to the low potential side output end of the diode bridge 2 and the other end of the auxiliary winding 4c. ing.

OUT端子は、一次巻線4aへの電力供給(二次側回路503への電力供給)を制御するための電圧信号(MOS FET61のゲート端子に入力される電圧信号)が出力される端子である。OUT端子は、抵抗R6、R7やダイオードD4を介してMOS FET61のゲート端子に接続される。OUT端子からは、MOS FET61をオンさせる期間は、H状態(ハイ状態)になり、直流電圧VCCとほぼ同じ値の電圧が出力され、MOS FET61をオフさせる期間は、L状態(ロー状態)になり、ほぼ0Vの電圧が出力される。   The OUT terminal is a terminal from which a voltage signal (voltage signal input to the gate terminal of the MOS FET 61) for controlling power supply to the primary winding 4a (power supply to the secondary circuit 503) is output. . The OUT terminal is connected to the gate terminal of the MOS FET 61 through resistors R6 and R7 and a diode D4. From the OUT terminal, the MOS FET 61 is turned on in the H state (high state), and a voltage having the same value as the DC voltage VCC is output. The MOS FET 61 is turned off in the L state (low state). Thus, a voltage of approximately 0V is output.

IS端子は、MOS FET61のソース端子に抵抗R8を介して接続される。IS端子には、MOS FET61を流れるドレイン電流の信号が入力される。具体的には、MOS FET61のソース端子とGNDの間に電流検出抵抗R5が接続されており、IS端子には、MOS FET61を流れるドレイン電流が電流検出抵抗R5によって電圧に変換されたもの(直流電圧IS)が入力される。   The IS terminal is connected to the source terminal of the MOS FET 61 via a resistor R8. A drain current signal flowing through the MOS FET 61 is input to the IS terminal. Specifically, a current detection resistor R5 is connected between the source terminal of the MOS FET 61 and GND, and the drain current flowing through the MOS FET 61 is converted into a voltage by the current detection resistor R5 (DC) at the IS terminal. Voltage IS) is input.

FB端子は、フォトカプラ7からの電圧制御信号(直流電圧FB)が入力される。フォトカプラ7は、図示しない電圧検出回路に備えられている。電圧検出回路は、二次側出力電圧安定化を行うコンデンサC2(二次巻線4bからの誘導電流がダイオードD2を介して入力されるコンデンサC2)の両端電圧をトランス4の二次側出力電圧として監視する回路である。その監視結果に従う電圧制御信号が、フォトカプラ7から出力される。フォトカプラ7を構成するフォトトランジスタのコレクタ端子が、抵抗R3を介して制御IC53のFB端子に接続され、エミッタ端子は、ダイオードブリッジ2の低電位側出力端に接続されている。   A voltage control signal (DC voltage FB) from the photocoupler 7 is input to the FB terminal. The photocoupler 7 is provided in a voltage detection circuit (not shown). The voltage detection circuit uses the voltage across the capacitor C2 for stabilizing the secondary output voltage (the capacitor C2 to which the induced current from the secondary winding 4b is input via the diode D2) as the secondary output voltage of the transformer 4. As a circuit to be monitored. A voltage control signal according to the monitoring result is output from the photocoupler 7. The collector terminal of the phototransistor constituting the photocoupler 7 is connected to the FB terminal of the control IC 53 via the resistor R 3, and the emitter terminal is connected to the low potential side output terminal of the diode bridge 2.

本実施形態では、上述の制御IC53が、図3に示すことを実現できるような設計が施されている。具体的には、第一に、入力電圧Vinが“入力1”から“入力2”に高くなっても、電力制限点及び過負荷検出点を設計狙い値(所望の値)に維持することができるよう設計されている。第二に、出力電圧Voが“出力1”から“出力2”に低くなっても、電力制限点及び過負荷検出点を設計狙い値(所望の値)に維持することができるよう設計されている(なお、本実施形態では、電力制限点及び過負荷検出点の設計狙い値は、入力電圧Vinが“入力1”であって出力電圧Voが“出力1”のときの値である)。   In the present embodiment, the above-described control IC 53 is designed to realize what is shown in FIG. Specifically, first, even when the input voltage Vin increases from “input 1” to “input 2”, the power limit point and the overload detection point can be maintained at design target values (desired values). Designed to be able to. Second, it is designed so that the power limit point and overload detection point can be maintained at the design target values (desired values) even when the output voltage Vo decreases from “Output 1” to “Output 2”. (In this embodiment, design target values of the power limit point and the overload detection point are values when the input voltage Vin is “input 1” and the output voltage Vo is “output 1”).

以下、図4を参照して、制御IC53の内部構成を説明する。   Hereinafter, the internal configuration of the control IC 53 will be described with reference to FIG.

IS端子に入力される直流電圧ISは、その閾値であるVIS_thと比較される。VIS_thは、電力制限点に対応した電圧閾値であり、例えば、VIS_th(VH)とVIS_biasとの和である。VIS_th(VH)は、VIS_thの第一の要素電圧であり、VIS_biasは、VIS_thの第二の要素電圧である。   The DC voltage IS input to the IS terminal is compared with the threshold value VIS_th. VIS_th is a voltage threshold corresponding to the power limit point, and is, for example, the sum of VIS_th (VH) and VIS_bias. VIS_th (VH) is the first element voltage of VIS_th, and VIS_bias is the second element voltage of VIS_th.

FB端子に入力される直流電圧FBは、その閾値であるVFB_olp_thと比較される。VFB_olp_thは、過負荷検出点に対応した電圧閾値であり、例えば、一定値である。   The DC voltage FB input to the FB terminal is compared with the threshold value VFB_olp_th. VFB_olp_th is a voltage threshold corresponding to the overload detection point, and is, for example, a constant value.

制御IC53は、バイアスレベルシフト回路301と、閾値レベル可変回路303と、VH監視回路83と、電流比較器81と、オペアンプ85と、R-Sフリップフロップ(以下、「RS-FF」と言う)73と、AND回路75と、ドライバ回路79と、発振器71とを備える。   The control IC 53 includes a bias level shift circuit 301, a threshold level variable circuit 303, a VH monitoring circuit 83, a current comparator 81, an operational amplifier 85, an RS flip-flop (hereinafter referred to as “RS-FF”) 73, , An AND circuit 75, a driver circuit 79, and an oscillator 71.

バイアスレベルシフト回路301は、VCC端子からの直流電圧VCCを入力とし、VIS_biasを出力する回路である。バイアスレベルシフト回路301には、直流電圧VCCが基準電圧Vstoffよりも高ければ、VIS_bias1を出力し、直流電圧VCCが基準電圧Vstoffよりも低ければ、VIS_bias2(VIS_bias2<VIS_bias1)を出力する構成となっている。具体的には、比較器317、VIS_bias1電源、VIS_bias2電源、VIS_bias1電源のスイッチ311と、VIS_bias2電源のスイッチ313と、比較器317の出力端子とスイッチ313との間に介在する反転回路315とが備えられる。入力電圧VCCが基準電圧Vstoffよりも高ければ、図5Aに示すように、比較器317からスイッチ311にLレベルのIN_IS信号が入力されてスイッチ311がオンとなり、その結果、VIS_bias1がバイアスレベルシフト回路301から出力される。一方、入力電圧VCCが基準電圧Vstoffよりも低ければ、図5Aに示すように、比較器317からHレベルのIN_IS信号が出力され、それが反転回路315で反転されたLレベルのIN_IS信号がスイッチ313に入力されてスイッチ313がオンとなり、その結果、VIS_bias2がバイアスレベルシフト回路301から出力される。IN_IS信号が各スイッチ(311、313)をオン/オフする論理は設計に応じて逆であってもよい。なお、直流電圧VCCは、この制御IC53を有する電子機器が通常モードの場合、基準電圧Vstoffよりも高い電圧であり、その電子機器が省電力モードの場合、基準電圧Vstoffよりも低い電圧である。直流電圧VCCが基準電圧Vstoffよりも高い電圧である場合(例えば通常モード時)、制御IC53の電源は、VCC端子(直流電圧VCC)であり、直流電圧VCCが基準電圧Vstoffよりも低い電圧である場合(例えば起動時或いは省電力モード時)、制御IC53の電源は、VH端子(直流電圧VH)である。   The bias level shift circuit 301 is a circuit that receives the DC voltage VCC from the VCC terminal and outputs VIS_bias. The bias level shift circuit 301 outputs VIS_bias1 if the DC voltage VCC is higher than the reference voltage Vstoff, and outputs VIS_bias2 (VIS_bias2 <VIS_bias1) if the DC voltage VCC is lower than the reference voltage Vstoff. Yes. Specifically, a comparator 317, a VIS_bias1 power source, a VIS_bias2 power source, a VIS_bias1 power source switch 311, a VIS_bias2 power source switch 313, and an inverting circuit 315 interposed between the output terminal of the comparator 317 and the switch 313 are provided. It is done. If the input voltage VCC is higher than the reference voltage Vstoff, as shown in FIG. 5A, the L level IN_IS signal is input from the comparator 317 to the switch 311 and the switch 311 is turned on. As a result, VIS_bias1 becomes a bias level shift circuit. 301 is output. On the other hand, if the input voltage VCC is lower than the reference voltage Vstoff, the H level IN_IS signal is output from the comparator 317 as shown in FIG. 5A, and the L level IN_IS signal inverted by the inversion circuit 315 is switched. As a result, VIS_bias2 is output from the bias level shift circuit 301. The logic that the IN_IS signal turns on / off each switch (311 313) may be reversed depending on the design. The DC voltage VCC is higher than the reference voltage Vstoff when the electronic device having the control IC 53 is in the normal mode, and is lower than the reference voltage Vstoff when the electronic device is in the power saving mode. When the DC voltage VCC is higher than the reference voltage Vstoff (for example, in the normal mode), the power supply of the control IC 53 is the VCC terminal (DC voltage VCC), and the DC voltage VCC is lower than the reference voltage Vstoff. In some cases (for example, at the time of startup or in the power saving mode), the power source of the control IC 53 is the VH terminal (DC voltage VH).

VH監視回路83は、VH端子と閾値レベル可変回路303との間に介在する。VH監視回路83は、VH端子に入力された直流電圧VHを検出する。検出された直流電圧VHは、閾値レベル可変回路303に入力される。   The VH monitoring circuit 83 is interposed between the VH terminal and the threshold level variable circuit 303. The VH monitoring circuit 83 detects the DC voltage VH input to the VH terminal. The detected DC voltage VH is input to the threshold level variable circuit 303.

閾値レベル可変回路303は、入力された直流電圧VHに応じて、VIS_th(VH)を変化させる回路である。図5Bに示すように、VIS_th(VH)は、入力電圧VHを変数とした関数、具体的には、入力電圧VHが単調増加するとVIS_th(VH)が単調減少する関数である。閾値レベル可変回路303は、例えば、図6Aに示すように、反転増幅アンプである。図6Bに示すように、反転増幅アンプの入力電圧Vinは、直流電圧VHであり、出力電圧Voutは、VIS_th(VH)である。また、基準電圧Vrefは、VIS_th用の基準電圧である。この場合、図5Bに示したグラフの傾きは、(抵抗値Rb/抵抗値Ra)で決定される。   The threshold level variable circuit 303 is a circuit that changes VIS_th (VH) in accordance with the input DC voltage VH. As shown in FIG. 5B, VIS_th (VH) is a function with the input voltage VH as a variable, specifically, a function in which VIS_th (VH) monotonously decreases when the input voltage VH monotonously increases. The threshold level variable circuit 303 is, for example, an inverting amplification amplifier as shown in FIG. 6A. As shown in FIG. 6B, the input voltage Vin of the inverting amplifier is a DC voltage VH, and the output voltage Vout is VIS_th (VH). The reference voltage Vref is a reference voltage for VIS_th. In this case, the slope of the graph shown in FIG. 5B is determined by (resistance value Rb / resistance value Ra).

閾値レベル可変回路303は、バイアスレベルシフト回路301に接続されており、バイアスレベルシフト回路301からVIS_biasを受ける。そのため、閾値レベル可変回路303からの出力は、直流電圧VHに基づいて決定されたVIS_th(VH)にVIS_biasが加算されたVIS_th(図4の記号Bを参照)である。   The threshold level variable circuit 303 is connected to the bias level shift circuit 301 and receives VIS_bias from the bias level shift circuit 301. Therefore, the output from the threshold level variable circuit 303 is VIS_th (see symbol B in FIG. 4) obtained by adding VIS_bias to VIS_th (VH) determined based on the DC voltage VH.

電流比較器81の入力側に、IS端子、FB端子及び閾値レベル可変回路303の出力側が接続される。電流比較器81は、以下の(1)又は(2)の場合に、
(1)直流電圧IS>直流電圧FB、
(2)直流電圧IS>VIS_th、
リセット信号(例えばLレベルの信号)を出力する。
The IS terminal, the FB terminal, and the output side of the threshold level variable circuit 303 are connected to the input side of the current comparator 81. In the case of the following (1) or (2), the current comparator 81
(1) DC voltage IS> DC voltage FB,
(2) DC voltage IS> VIS_th,
A reset signal (for example, an L level signal) is output.

オペアンプ85の基準電圧が、VFB_olp_thであり、入力電圧が、直流電圧FBである。直流電圧FBがVFB_olp_th未満の場合に、オペアンプ85からHレベルの信号がAND回路75に入力され、直流電圧FBがVFB_olp_thを超えた場合に、オペアンプ85からLレベルの信号がAND回路75に入力される(どちらの場合にどちらのレベルの信号を出力するかは、設計に応じて逆であっても良い)。   The reference voltage of the operational amplifier 85 is VFB_olp_th, and the input voltage is the DC voltage FB. When the DC voltage FB is less than VFB_olp_th, an H level signal is input from the operational amplifier 85 to the AND circuit 75, and when the DC voltage FB exceeds VFB_olp_th, an L level signal is input from the operational amplifier 85 to the AND circuit 75. (In which case, which level of signal is output may be reversed depending on the design).

RS-FF73の入力Sに、発振器71から出力された信号が入力され、入力Rに、電流比較器81から出力された信号が入力され、出力Qから、入力S及び入力Rに入力された信号レベルに応じたレベルの信号が出力され、AND回路75に入力される。   The signal output from the oscillator 71 is input to the input S of the RS-FF 73, the signal output from the current comparator 81 is input to the input R, and the signal input to the input S and the input R from the output Q A signal of a level corresponding to the level is output and input to the AND circuit 75.

AND回路75は、RS-FF73からの入力とオペアンプ85からの入力の両方がHレベルであれば、Hレベルの信号をドライバ回路79に出力し、いずれか一方でもLレベルであれば、Lレベルの信号をドライバ回路79に出力する。   The AND circuit 75 outputs an H level signal to the driver circuit 79 when both the input from the RS-FF 73 and the input from the operational amplifier 85 are at the H level, and when either one is at the L level, the L level is output. Is output to the driver circuit 79.

ドライバ回路79は、MOS FET61のオン/オフを制御する回路である。ドライバ回路79は、AND回路75からHレベルの信号が入力された場合、MOS FET61をオンとし、AND回路75からLレベルの信号が入力された場合、MOS FET61をオフとする。   The driver circuit 79 is a circuit that controls on / off of the MOS FET 61. The driver circuit 79 turns on the MOS FET 61 when an H level signal is input from the AND circuit 75, and turns off the MOS FET 61 when an L level signal is input from the AND circuit 75.

AND回路75からLレベルの信号が出力される場合は、以下の(A)又は(B)のケース、
(A)RS-FF73からLレベルの信号が入力された、
(B)オペアンプ85からLレベルの信号が入力された、
である。
When an L level signal is output from the AND circuit 75, the following case (A) or (B):
(A) An L level signal was input from RS-FF73.
(B) An L level signal is input from the operational amplifier 85.
It is.

上記(A)のケースが生じるのは、電流比較器81からRS-FF73の入力Rにリセット信号が入力された場合である。そして、リセット信号が電流比較器81から出力されるのは、既に説明したように、直流電圧IS>直流電圧FB、又は、直流電圧IS>VIS_thの場合である。要するに、直流電圧ISが、VIS_thを超えた場合に、電力制限動作の一つとして、MOS FET61がターンオフされる。VIS_thを構成するVIS_th(VH)は、直流電圧VHを基に閾値レベル可変回路303によって調整される。このため、電力制限点の入力電圧依存性が軽減される。また、VIS_th(VH)に加算されるVIS_biasが、直流電圧VCCを基にバイアスレベルシフト回路301によって調整される。このため、過負荷検出点の出力電圧依存性が軽減される。なお、VIS_thが可変されると、電力制限点だけでなく過負荷検出点も追従して可変となるため、過負荷検出点の出力電圧依存性も軽減される。   The case (A) occurs when the reset signal is input from the current comparator 81 to the input R of the RS-FF 73. The reset signal is output from the current comparator 81 when the DC voltage IS> DC voltage FB or the DC voltage IS> VIS_th as described above. In short, when the DC voltage IS exceeds VIS_th, the MOS FET 61 is turned off as one of the power limiting operations. VIS_th (VH) constituting VIS_th is adjusted by the threshold level variable circuit 303 based on the DC voltage VH. For this reason, the input voltage dependency of the power limit point is reduced. Also, VIS_bias added to VIS_th (VH) is adjusted by the bias level shift circuit 301 based on the DC voltage VCC. For this reason, the output voltage dependency of the overload detection point is reduced. Note that when VIS_th is varied, not only the power limit point but also the overload detection point follows and becomes variable, thereby reducing the output voltage dependency of the overload detection point.

以上が、本実施形態についての説明である。   The above is the description of the present embodiment.

なお、本実施形態では、AND回路75からHレベルの信号が入力された場合(つまりMOS FET61がオンとされる場合)は、RS-FF73からHレベルの信号が出力され、且つ、オペアンプ85からもHレベルの信号が出力された場合である。RS-FF73からHレベルの信号が出力される場合は、発振器71からHレベルの信号が入力Sに入力された場合である。また、オペアンプ85からHレベルの信号が出力される場合は、前述したように、直流電圧VFBがVFB_olp_th未満の場合である。   In the present embodiment, when an H level signal is input from the AND circuit 75 (that is, when the MOS FET 61 is turned on), an H level signal is output from the RS-FF 73 and the operational amplifier 85 This is also the case when an H level signal is output. A case where an H level signal is output from the RS-FF 73 is a case where an H level signal is input to the input S from the oscillator 71. Further, when the H level signal is output from the operational amplifier 85, as described above, the DC voltage VFB is less than VFB_olp_th.

また、本実施形態では、図7Aに示すように、上述した回路構成により、直流電圧FBは、負荷への出力電圧が高くなるにつれて高くなるが、最大でもVFB_olp_thとされる。また、直流電圧IS<VIS_thの範囲では、直流電圧FBが直流電圧ISの閾値電圧となり、直流電圧IS≧VIS_thの範囲では、電力制限がかかり出力電圧は低下し始める。また、図7Bに示すように、通常モードから省電力モードになると(直流電圧VCCが基準電圧Vstoff未満になると)、出力されるVIS_biasは、VIS_bias1からVIS_bias2(VIS_bias1>VIS_bias2)に切り替わる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 7A, with the circuit configuration described above, the DC voltage FB increases as the output voltage to the load increases, but is at most VFB_olp_th. Further, in the range of DC voltage IS <VIS_th, the DC voltage FB becomes the threshold voltage of the DC voltage IS, and in the range of DC voltage IS ≧ VIS_th, power is limited and the output voltage starts to decrease. As shown in FIG. 7B, when the normal mode is changed to the power saving mode (when the DC voltage VCC becomes less than the reference voltage Vstoff), the output VIS_bias is switched from VIS_bias1 to VIS_bias2 (VIS_bias1> VIS_bias2).

以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は本発明の説明のための例示にすぎず、本発明の範囲をこの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨を逸脱することなく、その他の様々な態様でも実施することができる。本発明に係るスイッチング電源回路は、プリンタなど種々の電子機器に搭載可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this embodiment is only the illustration for description of this invention, and is not the meaning which limits the scope of the present invention only to this embodiment. The present invention can be implemented in various other modes without departing from the gist thereof. The switching power supply circuit according to the present invention can be mounted on various electronic devices such as a printer.

本発明の課題の説明図である。It is explanatory drawing of the subject of this invention. 本発明の一実施形態に係るスイッチング電源回路の構成例を示す。1 shows a configuration example of a switching power supply circuit according to an embodiment of the present invention. 図2のスイッチング電源回路に設けられる制御ICの期待される効果の説明図である。It is explanatory drawing of the effect expected of the control IC provided in the switching power supply circuit of FIG. 図2のスイッチング電源回路に設けられる制御ICの内部構成の概要を示す。The outline | summary of the internal structure of the control IC provided in the switching power supply circuit of FIG. 2 is shown. 図5Aは、バイアスレベルシフト回路の特性を示す。図5Bは、閾値レベル可変回路の特性を示す。FIG. 5A shows the characteristics of the bias level shift circuit. FIG. 5B shows characteristics of the threshold level variable circuit. 図6Aは、閾値レベル可変回路の構成を示す。図6Bは、閾値レベル可変回路の入力と出力の関係を示す。FIG. 6A shows the configuration of the threshold level variable circuit. FIG. 6B shows the relationship between the input and output of the threshold level variable circuit. 図7Aは、直流電圧IS及びFBとVIS_th及びVFB_olp_thとの関係を示す。図7Bは、直流電圧VCCとVIS_biasとの関係を示す。FIG. 7A shows the relationship between the DC voltages IS and FB and VIS_th and VFB_olp_th. FIG. 7B shows the relationship between the DC voltage VCC and VIS_bias.

符号の説明Explanation of symbols

53…制御IC 301…バイアスレベルシフト回路 303…閾値レベル可変回路 53 ... Control IC 301 ... Bias level shift circuit 303 ... Threshold level variable circuit

Claims (8)

スイッチング電源回路に備えられる制御回路において、
前記スイッチング電源回路が、
商用電源に接続される一次側回路と、
負荷に接続され前記一次側回路から供給される電力に基づく電力を前記負荷に供給する二次側回路と、
一次巻線を前記一次側回路に備え前記一次巻線に対向する二次巻線を前記二次側回路に備えたトランスと
を備え、
前記一次側回路が、スイッチング素子を備え、
前記スイッチング素子のオン/オフによって前記一次側回路から前記二次側回路への供電が制御され、
前記制御回路は、
前記スイッチング素子のオン/オフ制御用端子に接続される端子(OUT)と、
前記商用電源に基づく入力電圧(VH)が入力される端子(VH)と、
前記負荷への出力電流の閾値である出力制限点に対応した電圧閾値(IS_th)と比較される、前記スイッチング素子を流れる電流に基づく直流電圧(IS)が、入力される端子(IS)と、
前記入力電圧(VH)に基づいて前記電圧閾値(IS_th)を変化させる回路であって、前記入力電圧(VH)が高いと前記電圧閾値(IS_th)を低くし、前記入力電圧(VH)が低いと前記電圧閾値(IS_th)を高くする電圧閾値可変回路と、
前記端子(OUT)を介して前記スイッチング素子のオン/オフを制御する回路であって、前記電圧閾値可変回路による変化後の前記電圧閾値(IS_th)を前記直流電圧(IS)が超えると前記スイッチング素子をターンオフする出力制御回路と
を備える制御回路。
In the control circuit provided in the switching power supply circuit,
The switching power supply circuit is
A primary circuit connected to a commercial power source;
A secondary circuit for supplying power to the load based on power supplied from the primary circuit connected to a load;
A primary winding provided in the primary side circuit, and a secondary winding opposed to the primary winding provided in the secondary side circuit, and a transformer.
The primary circuit comprises a switching element;
Power supply from the primary circuit to the secondary circuit is controlled by turning on / off the switching element,
The control circuit includes:
A terminal (OUT) connected to an on / off control terminal of the switching element;
A terminal (VH) to which an input voltage (VH) based on the commercial power source is input;
A terminal (IS) to which a direct current voltage (IS) based on a current flowing through the switching element is compared with a voltage threshold value (IS_th) corresponding to an output limit point which is a threshold value of the output current to the load, and
A circuit that changes the voltage threshold (IS_th) based on the input voltage (VH), and when the input voltage (VH) is high, the voltage threshold (IS_th) is lowered and the input voltage (VH) is low. And a voltage threshold variable circuit for increasing the voltage threshold (IS_th),
A circuit for controlling on / off of the switching element via the terminal (OUT), wherein the switching is performed when the DC voltage (IS) exceeds the voltage threshold (IS_th) after the change by the voltage threshold variable circuit. A control circuit comprising an output control circuit for turning off the element.
前記トランスが、前記一次側回路に備えられ前記二次巻線に対向した補助巻線を更に備えており、
前記電圧閾値(IS_th)が、第一の閾値要素値(IS_th(VH))と第二の閾値要素値(IS_bias)に基づく値であり、前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))及び/又は前記第二の閾値要素値(IS_bias)が高ければ前記電圧閾値(IS_th)も高く、前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))及び/又は前記第二の閾値要素値(IS_bias)が低ければ前記電圧閾値(IS_th)も低く、
前記制御回路が、前記補助巻線に発生した電圧に基づく直流電圧(VCC)が入力される端子(VCC)を更に備えており、
前記電圧閾値可変回路が、
前記入力電圧(VH)が高い場合に前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))を低くし前記入力電圧(VH)が低い場合に前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))を高くする第一のサブ可変回路と、
前記直流電圧(VCC)が高い場合に前記第二の閾値要素値(IS_bias)を高くし前記直流電圧(VCC)が低い場合に前記第二の閾値要素値(IS_bias)を低くする第二のサブ可変回路と
を備え、
前記変化後の電圧閾値(IS_th)は、前記第一のサブ可変回路での変化後の前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))と、前記第二のサブ可変回路での変換後の第二の閾値要素値(IS_bias)とに基づく値である、
請求項1記載の制御回路。
The transformer is further provided with an auxiliary winding provided in the primary circuit and facing the secondary winding;
The voltage threshold (IS_th) is a value based on a first threshold element value (IS_th (VH)) and a second threshold element value (IS_bias), and the first threshold element value (IS_th (VH)) and If the second threshold element value (IS_bias) is high, the voltage threshold (IS_th) is also high, and the first threshold element value (IS_th (VH)) and / or the second threshold element value (IS_bias) Is low, the voltage threshold (IS_th) is also low,
The control circuit further includes a terminal (VCC) to which a DC voltage (VCC) based on the voltage generated in the auxiliary winding is input;
The voltage threshold variable circuit is
When the input voltage (VH) is high, the first threshold element value (IS_th (VH)) is lowered, and when the input voltage (VH) is low, the first threshold element value (IS_th (VH)) is set. A first sub-variable circuit to be raised,
A second sub-value that increases the second threshold element value (IS_bias) when the DC voltage (VCC) is high and decreases the second threshold element value (IS_bias) when the DC voltage (VCC) is low. With a variable circuit,
The voltage threshold value (IS_th) after the change is the first threshold element value (IS_th (VH)) after the change in the first sub variable circuit and the value after the conversion in the second sub variable circuit. A value based on the second threshold element value (IS_bias),
The control circuit according to claim 1.
前記直流電圧(VCC)は、前記スイッチング電源回路が備えられている電子機器が通常モードの場合には所定の基準値よりも高く、前記電子機器が省電力モードの場合には所定の基準値よりも低く、
前記第一のサブ可変回路が、前記入力電圧(VH)の単調増加に応じて前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))を単調減少させる回路であり、
前記第二のサブ可変回路が、高い前記第二の閾値要素値(IS_bias)と低い前記第二の閾値要素値(IS_bias)とのうち、前記直流電圧(VCC)が前記所定の基準値より高い場合に前記高い第二の閾値要素値(IS_bias)を選択し、前記直流電圧(VCC)が前記所定の基準値より低い場合に前記低い第二の閾値要素値(IS_bias)を選択する回路である、
請求項2記載の制御回路。
The DC voltage (VCC) is higher than a predetermined reference value when an electronic device provided with the switching power supply circuit is in a normal mode, and is higher than a predetermined reference value when the electronic device is in a power saving mode. Is low,
The first sub-variable circuit is a circuit that monotonically decreases the first threshold element value (IS_th (VH)) in response to a monotonic increase in the input voltage (VH);
The second sub-variable circuit is configured such that the DC voltage (VCC) is higher than the predetermined reference value among the high second threshold element value (IS_bias) and the low second threshold element value (IS_bias). In this case, the high second threshold element value (IS_bias) is selected, and the low second threshold element value (IS_bias) is selected when the DC voltage (VCC) is lower than the predetermined reference value. ,
The control circuit according to claim 2.
前記電圧可変回路が、前記入力電圧(VH)の単調増加に応じて前記電圧閾値(IS_th)を単調減少させる、
請求項1記載の制御回路。
The voltage variable circuit monotonously decreases the voltage threshold (IS_th) in response to a monotonic increase in the input voltage (VH).
The control circuit according to claim 1.
スイッチング電源回路に備えられる制御回路において、
前記スイッチング電源回路が、
商用電源に接続される一次側回路と、
負荷に接続され前記一次側回路から供給される電力に基づく電力を前記負荷に供給する二次側回路と、
一次巻線及び補助巻線を前記一次側回路に備え前記一次巻線及び前記補助巻線に対向する二次巻線を前記二次側回路に備えたトランスと
を備え、
前記一次側回路が、前記一次巻線の一端に接続されたスイッチング素子と
を備え、
前記スイッチング素子のオン/オフによって前記一次側回路から前記二次側回路への供電が制御され、
前記制御回路は、
前記スイッチング素子のオン/オフ制御用端子に接続される端子(OUT)と、
前記補助巻線に発生した電圧に基づく直流電圧(VCC)が入力される端子(VCC)と、
前記負荷への出力電流の閾値である出力制限点に対応した電圧閾値(IS_th)と比較される、前記スイッチング素子を流れる電流に基づく直流電圧(IS)が入力される端子(IS)と、
電圧閾値可変回路と、
前記端子(OUT)を介して前記スイッチング素子のオン/オフを制御する回路であって、前記電圧閾値可変回路による変化後の前記電圧閾値(IS_th)を前記直流電圧(IS)が超えると前記スイッチング素子をターンオフする出力制御回路と
を備え、
前記電圧閾値(IS_th)が、第一の閾値要素値(IS_th(VH))と第二の閾値要素値(IS_bias)に基づく値であり、前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))及び/又は前記第二の閾値要素値(IS_bias)が高ければ前記電圧閾値(IS_th)も高く、前記第一の閾値要素値(IS_th(VH))及び/又は前記第二の閾値要素値(IS_bias)が低ければ前記電圧閾値(IS_th)も低く、
前記電圧閾値可変回路は、前記直流電圧(VCC)に基づいて前記第二の閾値要素値(IS_bias)を変化させる回路であって、前記直流電圧(VCC)が高いと前記第二の閾値要素値(IS_bias)を高くし、前記直流電圧(VCC)が低いと前記第二の閾値要素値(IS_bias)を低くする、
制御回路。
In the control circuit provided in the switching power supply circuit,
The switching power supply circuit is
A primary circuit connected to a commercial power source;
A secondary circuit for supplying power to the load based on power supplied from the primary circuit connected to a load;
A primary winding and an auxiliary winding provided in the primary side circuit, and a transformer provided with a secondary winding facing the primary winding and the auxiliary winding in the secondary side circuit,
The primary side circuit comprises a switching element connected to one end of the primary winding;
Power supply from the primary circuit to the secondary circuit is controlled by turning on / off the switching element,
The control circuit includes:
A terminal (OUT) connected to an on / off control terminal of the switching element;
A terminal (VCC) to which a DC voltage (VCC) based on the voltage generated in the auxiliary winding is input;
A terminal (IS) to which a direct current voltage (IS) based on a current flowing through the switching element is compared with a voltage threshold value (IS_th) corresponding to an output limit point which is a threshold value of an output current to the load;
A voltage threshold variable circuit;
A circuit for controlling on / off of the switching element via the terminal (OUT), wherein the switching is performed when the DC voltage (IS) exceeds the voltage threshold (IS_th) after the change by the voltage threshold variable circuit. An output control circuit for turning off the element,
The voltage threshold (IS_th) is a value based on a first threshold element value (IS_th (VH)) and a second threshold element value (IS_bias), and the first threshold element value (IS_th (VH)) and If the second threshold element value (IS_bias) is high, the voltage threshold (IS_th) is also high, and the first threshold element value (IS_th (VH)) and / or the second threshold element value (IS_bias) Is low, the voltage threshold (IS_th) is also low,
The voltage threshold variable circuit is a circuit that changes the second threshold element value (IS_bias) based on the DC voltage (VCC), and when the DC voltage (VCC) is high, the second threshold element value (IS_bias) is increased, and when the DC voltage (VCC) is low, the second threshold element value (IS_bias) is decreased.
Control circuit.
前記直流電圧(VCC)は、前記スイッチング電源回路が備えられている電子機器が通常モードの場合には所定の基準値よりも高く、前記電子機器が省電力モードの場合には所定の基準値よりも低く、
前記電圧閾値可変回路が、高い前記第二の閾値要素値(IS_bias)と低い前記第二の閾値要素値(IS_bias)とのうち、前記直流電圧(VCC)が前記所定の基準値より高い場合に前記高い第二の閾値要素値(IS_bias)を選択し、前記直流電圧(VCC)が前記所定の基準値より低い場合に前記低い第二の閾値要素値(IS_bias)を選択する、
請求項5記載の制御回路。
The DC voltage (VCC) is higher than a predetermined reference value when an electronic device provided with the switching power supply circuit is in a normal mode, and is higher than a predetermined reference value when the electronic device is in a power saving mode. Is low,
When the voltage threshold variable circuit has the DC voltage (VCC) higher than the predetermined reference value among the high second threshold element value (IS_bias) and the low second threshold element value (IS_bias). Selecting the high second threshold element value (IS_bias) and selecting the low second threshold element value (IS_bias) when the DC voltage (VCC) is lower than the predetermined reference value;
The control circuit according to claim 5.
商用電源に接続される一次側回路と、
負荷に接続され前記一次側回路から供給される電力に基づく電力を前記負荷に供給する二次側回路と、
一次巻線を前記一次側回路に備え前記一次巻線に対向する二次巻線を前記二次側回路に備えたトランスと
請求項1乃至6のうちのいずれか1項に記載の制御回路と
を備えたスイッチング電源回路。
A primary circuit connected to a commercial power source;
A secondary circuit for supplying power to the load based on power supplied from the primary circuit connected to a load;
A transformer having a primary winding in the primary side circuit and a secondary winding facing the primary winding in the secondary side circuit; and the control circuit according to any one of claims 1 to 6. Switching power supply circuit with
請求項7記載のスイッチング電源回路を備えた電子機器。   An electronic device comprising the switching power supply circuit according to claim 7.
JP2008075040A 2008-03-24 2008-03-24 Control circuit provided in switching power supply circuit Expired - Fee Related JP5315741B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008075040A JP5315741B2 (en) 2008-03-24 2008-03-24 Control circuit provided in switching power supply circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008075040A JP5315741B2 (en) 2008-03-24 2008-03-24 Control circuit provided in switching power supply circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009232578A true JP2009232578A (en) 2009-10-08
JP5315741B2 JP5315741B2 (en) 2013-10-16

Family

ID=41247355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008075040A Expired - Fee Related JP5315741B2 (en) 2008-03-24 2008-03-24 Control circuit provided in switching power supply circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5315741B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10243646A (en) * 1997-02-27 1998-09-11 Nec Eng Ltd Excessive current protective circuit for switching regulator
JP2003219635A (en) * 2002-01-21 2003-07-31 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit for controlling power source and power source device
JP2005157743A (en) * 2003-11-26 2005-06-16 Fujitsu Ten Ltd Load driving apparatus and load drive system
JP2005184882A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Switching power supply circuit
JP2007215316A (en) * 2006-02-09 2007-08-23 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Switching power supply control circuit

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10243646A (en) * 1997-02-27 1998-09-11 Nec Eng Ltd Excessive current protective circuit for switching regulator
JP2003219635A (en) * 2002-01-21 2003-07-31 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit for controlling power source and power source device
JP2005157743A (en) * 2003-11-26 2005-06-16 Fujitsu Ten Ltd Load driving apparatus and load drive system
JP2005184882A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Switching power supply circuit
JP2007215316A (en) * 2006-02-09 2007-08-23 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Switching power supply control circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP5315741B2 (en) 2013-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5056395B2 (en) Switching power supply
JP6569414B2 (en) Switching power supply
JP3691500B2 (en) Switching power supply
JP2010288378A (en) Semiconductor device and switching power supply apparatus
KR101021993B1 (en) Switching mode power supply and switching control apparatus thereof
JP2011125132A (en) Switching power supply
JP4853182B2 (en) Non-stable insulated DC-DC converter and power supply device
US10897194B2 (en) Power factor improvement circuit and semiconductor apparatus
JP2016158399A (en) Semiconductor device for power supply control
JP2016144310A (en) Switching power supply device
JP4432115B2 (en) Switching power supply
JP2005245142A (en) Semiconductor device for controlling switching power supply
CN110401347B (en) DC power supply device
JP5315741B2 (en) Control circuit provided in switching power supply circuit
KR101011083B1 (en) Switching mode power supply having primary bios power supply
JP2007068248A (en) Switching power supply
JP2005328606A (en) Overcurrent protection circuit
JP4680453B2 (en) Switching power supply
JP3944109B2 (en) Switching power supply
JP2009201331A (en) Switching power supply circuit
JP2009232509A (en) Switching power source
JP4387244B2 (en) Switching power supply
JP6763724B2 (en) Power supply
JP4734905B2 (en) Switching DC power supply
JP6774359B2 (en) Switching power supply

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110124

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120807

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130409

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130521

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130611

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130624

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees