JP2009231801A - Organic electroluminescent element - Google Patents

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Kazuyuki Shibata
和幸 柴田
Wataru Toyama
弥 外山
Manabu Hise
学 飛世
Rei Takeda
玲 武田
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element having high light emission efficiency, low driving voltages and excellent durability. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent element having at least one organic compound layer containing a light emission layer interposed between a pair of electrodes includes a layer containing a compound represented by general formula (1) inside the light emission layer and in at least one area of the light emission layer facing the adjacent layer of the light emission layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明はフルカラ−ディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンタ−等の光源アレイ等に有効に利用できる有機電界発光素子(以下、有機EL素子と呼ぶ場合がある。)に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element (hereinafter sometimes referred to as an organic EL element) that can be effectively used for a surface light source such as a full color display, a backlight, and an illumination light source, and a light source array such as a printer.

有機EL素子は、発光層もしくは発光層を含む複数の有機層と、有機層を挟んだ対向電極とから構成されている。有機EL素子は、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子からの発光、及び前記励起子からエネルギー移動して生成した他の分子の励起子からの発光の少なくとも一方を利用した発光を得るための素子である。   The organic EL element is composed of a light emitting layer or a plurality of organic layers including a light emitting layer and a counter electrode sandwiching the organic layer. In the organic EL element, electrons injected from the cathode and holes injected from the anode are recombined in the organic layer, emitted light from the generated excitons, and other molecules generated by energy transfer from the excitons. It is an element for obtaining light emission using at least one of light emission from the excitons.

これまで有機EL素子は、機能を分離した積層構造を用いることにより、輝度及び素子効率が大きく改善され発展してきた。例えば、正孔輸送層と発光兼電子輸送層を積層した二層積層型素子や正孔輸送層、発光層および電子輸送層とを積層した三層積層型素子や、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層および電子輸送層とを積層した四層積層型素子がよく用いられる。   Until now, organic EL elements have been developed with greatly improved brightness and element efficiency by using a laminated structure with separated functions. For example, a two-layer stacked device in which a hole transport layer and a light-emitting / electron transport layer are stacked, a three-layer stacked device in which a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer are stacked, a hole transport layer, and a light-emitting layer A four-layer stacked element in which a hole blocking layer and an electron transport layer are stacked is often used.

しかしながら、有機EL素子の実用化には、発光効率を高めると共に駆動耐久性を高めることなど未だ多くの課題が残されている。特に発光効率を高めることは、消費電力が低減でき、さらに駆動耐久性の点でも有利となるので、これまで多くの改良手段が開示されている。   However, many problems still remain for practical use of organic EL elements, such as improving luminous efficiency and driving durability. In particular, increasing the light emission efficiency can reduce power consumption and is also advantageous in terms of driving durability, and thus many improvement means have been disclosed so far.

例えば、発光層に隣接する層に電気的に不活性な材料を添加し、発光層で生成した励起子の隣接層への拡散防止と電荷をブロッキングをした有機EL素子が開示されている(例えば、特許文献1、2参照)。しかしながら、電気抵抗の増大による駆動電圧の上昇が避けられない。   For example, an organic EL device is disclosed in which an electrically inactive material is added to a layer adjacent to the light emitting layer to prevent diffusion of excitons generated in the light emitting layer to the adjacent layer and to block charge (for example, Patent Documents 1 and 2). However, an increase in driving voltage due to an increase in electrical resistance is inevitable.

一方、熱的化学的に安定で発光効率が高い発光材料の探索も進められている。例えば、分子内に剛直なアダマンタン構造を含む化合物にすることで熱的化学的安定性に優れたアダマンタン誘導体を発光層の発光材料として用いること、或いは、発光層の発光材料としてアダマンタン誘導体を用いてさらに隣接する層にアダマンタン誘導体含有する有機EL素子が開示されている(例えば、特許文献3参照)。しかしながら、該アダマンタン誘導体は電荷輸送性に乏しく、発光効率が低く、駆動電圧が高くなる問題があった。また、発光層に無置換もしくは直鎖状又は分岐のアルキル基を置換基として有するアダマンタン化合物をホスト化合物とし、ゲスト化合物とともに含有する有機EL素子が、発光効率向上や駆動耐久性向上が見込まれることが開示されている(例えば、特許文献4参照)。しかしながら、該アダマンタン化合物は電荷輸送性を有しないため、電荷はゲスト化合物上しか流れない。従って、該アダマンタン化合物の含有によって駆動電圧が増加し、発光効率の大きな向上は望めない。また、オルト−ターフェニル基を有するアダマンタン化合物を発光層のホスト材料に用いることにより特に耐熱性が向上し、発光効率が高い有機EL素子が提供されることが開示されている(例えば、特許文献5参照)。しかしながら、有機EL素子が実用に供されるには、高い発光効率、高い駆動耐久性の他に、低い駆動電圧で作動すること、広い発光波長領域の発光を可能にすることなど、総合的に多くの具備すべき特性が必要とされる。特許文献5に開示されている発光層の構成では、それらの要求に十分に応えられるとは言えない。
特開2005−294248号公報 特開2005−294249号公報 特開2003−321402号公報 特開2006−120811号公報 特開2005−220080号公報
On the other hand, a search for a light-emitting material that is thermally and chemically stable and has high light emission efficiency is also in progress. For example, an adamantane derivative having excellent thermal and chemical stability by using a compound having a rigid adamantane structure in the molecule is used as a light emitting material of the light emitting layer, or an adamantane derivative is used as the light emitting material of the light emitting layer. Furthermore, an organic EL element containing an adamantane derivative in an adjacent layer is disclosed (for example, see Patent Document 3). However, the adamantane derivative has a problem of poor charge transportability, low luminous efficiency, and high driving voltage. In addition, an organic EL device containing an adamantane compound having an unsubstituted or linear or branched alkyl group as a substituent in the light emitting layer as a host compound and a guest compound is expected to improve luminous efficiency and driving durability. Is disclosed (for example, see Patent Document 4). However, since the adamantane compound does not have a charge transport property, the charge flows only on the guest compound. Accordingly, the driving voltage increases due to the inclusion of the adamantane compound, and a great improvement in luminous efficiency cannot be expected. Further, it is disclosed that an organic EL device having particularly high heat resistance and high luminous efficiency can be provided by using an adamantane compound having an ortho-terphenyl group as a host material of a light emitting layer (for example, Patent Documents). 5). However, in order for organic EL elements to be put into practical use, in addition to high light emission efficiency and high drive durability, it is possible to operate at a low drive voltage, to enable light emission in a wide light emission wavelength region, etc. Many characteristics to be provided are required. In the structure of the light emitting layer disclosed in Patent Document 5, it cannot be said that these requirements can be sufficiently met.
JP 2005-294248 A JP 2005-294249 A JP 2003-321402 A JP 2006-120811 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-220080

本発明の目的は、高い発光効率、低い駆動電圧、かつ耐久性に優れた有機EL素子を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL device having high luminous efficiency, low driving voltage, and excellent durability.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、下記の手段により達成されるものである。
<1> 一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を挟持する有機電界発光素子であって、前記発光層の内部及び前記発光層の隣接層に面する前記発光層の領域の少なくとも一方に下記一般式(1)で表される化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子:
The present invention has been made in view of the above problems, and is achieved by the following means.
<1> An organic electroluminescent device having at least one organic compound layer including a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes, the region of the light emitting layer facing the inside of the light emitting layer and the adjacent layer of the light emitting layer An organic electroluminescent device comprising a layer containing a compound represented by the following general formula (1) on at least one of the following:

(一般式(1)において、R〜Rは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、シリル基を表し、該R〜Rの少なくとも1つは、二重結合あるいは三重結合を有する基である。X〜X12は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、シリル基を表す。)。
<2> 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層の膜厚が、0.1nm以上3nm未満であることを特徴とする<1>に記載の有機電界発光素子。
<3> 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が前記発光層の内部の中間薄層であることを特徴とする<1>または<2>に記載の有機電界発光素子。
<4> 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が前記発光層の陽極に面する側の界面薄層であることを特徴とする<1>〜<3>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<5> 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層を前記発光層の陰極に面する側の界面薄層であることを特徴とする<1>〜<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<6> 前記中間薄層を前記発光層の内部に複数有し、該複数の中間薄層が互いに5nm以上20nm以下の間隔で配置されていることを特徴とする<3>〜<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<7> 前記一般式(1)で表される化合物の最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Egと表記)が4.0eV以上であることを特徴とする<1>〜<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<8> 前記一般式(1)で表される化合物の三重項最低励起準位(Tと表記)が2.7eV以上であることを特徴とする<1>〜<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<9>前記一般式(1)で表される化合物の電子親和力(Eaと表記)が2.3eV以上であることを特徴とする<1>〜<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<10>前記一般式(1)で表される化合物のイオン化ポテンシャル(Ipと表記)が6.1eV以上であることを特徴とする<1>〜<9>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<11> 前記二重結合を有する基がアリール基であることを特徴とする<1>〜<10>のいずれかに記載のに記載の有機電界発光素子。
<12> 前記アリール基がフェニル基であることを特徴とする<11>に記載の有機電界発光素子。
<13> 前記発光層が金属錯体を含有することを特徴とする<1>〜<12>のいずれかに記載の有機電界発光素子。
<14> 前記金属錯体が3座以上の配位子を有する金属錯体であることを特徴とする<13>に記載の有機電界発光素子。
<15> 前記金属錯体が下記一般式(A)で表される金属錯体であることを特徴とする<13>または<14>に記載の有機電界発光素子:
(In General Formula (1), R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, or aryl. Group, heteroaryl group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amino group, nitro group, cyano group, ester group, amide group, halogen atom, perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Represents a silyl group, and at least one of R 1 to R 4 is a group having a double bond or a triple bond, X 1 to X 12 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms; Group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amino group, nitro group, cyano group , D Ether group, an amide group, a halogen atom, a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a silyl group.).
<2> The organic electroluminescence device according to <1>, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) has a thickness of 0.1 nm or more and less than 3 nm.
<3> The organic electroluminescent element according to <1> or <2>, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an intermediate thin layer inside the light emitting layer.
<4> Any one of <1> to <3>, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an interfacial thin layer facing the anode of the light emitting layer. The organic electroluminescent element as described.
<5> Any one of <1> to <4>, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an interface thin layer facing the cathode of the light emitting layer. The organic electroluminescent element as described.
<6> A plurality of the intermediate thin layers are provided inside the light emitting layer, and the plurality of intermediate thin layers are arranged at intervals of 5 nm or more and 20 nm or less. <3> to <5> The organic electroluminescent element in any one.
<7> The energy difference (denoted as Eg) between the highest occupied orbital and the lowest unoccupied orbital of the compound represented by the general formula (1) is 4.0 eV or more <1> to <6 > The organic electroluminescent element in any one of>.
<8> in either of the triplet lowest excitation level of the compound represented by the general formula (1) (T 1 hereinafter) is characterized in that at least 2.7 eV <1> ~ <7> The organic electroluminescent element as described.
<9> The organic electroluminescence according to any one of <1> to <8>, wherein the compound represented by the general formula (1) has an electron affinity (denoted as Ea) of 2.3 eV or more. element.
<10> The organic electroluminescence according to any one of <1> to <9>, wherein an ionization potential (denoted as Ip) of the compound represented by the general formula (1) is 6.1 eV or more. element.
<11> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <10>, wherein the group having a double bond is an aryl group.
<12> The organic electroluminescent element according to <11>, wherein the aryl group is a phenyl group.
<13> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <12>, wherein the light emitting layer contains a metal complex.
<14> The organic electroluminescence device according to <13>, wherein the metal complex is a metal complex having a tridentate or higher ligand.
<15> The organic electroluminescent element according to <13> or <14>, wherein the metal complex is a metal complex represented by the following general formula (A):

(一般式(A)中、M11は金属イオンを表し、L11〜L15は、それぞれ独立に、M11に配位する配位子を表す。L11とL14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成してもよい。L15はL11及びL14の両方と結合して環状配位子を形成してもよい。Y11、Y12、Y13は、それぞれ独立に、連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Y11、Y12、又はY13が連結基である場合、L11とY12、Y12とL12、L12とY11、Y11とL13、L13とY13、Y13とL14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。n11は0〜4を表す。M11とL11〜L15との結合は、それぞれ独立に、配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。)。
<16> 前記一般式(A)でM11が白金イオンであることを特徴とする<15>に記載の有機電界発光素子。
(In General Formula (A), M 11 represents a metal ion, and L 11 to L 15 each independently represents a ligand coordinated to M 11. An atomic group between L 11 and L 14 May be further present to form a cyclic ligand, L 15 may be bonded to both L 11 and L 14 to form a cyclic ligand, and Y 11 , Y 12 and Y 13 are Each independently represents a linking group, a single bond, or a double bond, and when Y 11 , Y 12 , or Y 13 is a linking group, L 11 and Y 12 , Y 12 and L 12 , L 12 And Y 11 , Y 11 and L 13 , L 13 and Y 13 , and Y 13 and L 14 each independently represent a single bond or a double bond, and n 11 represents 0 to 4. M binding of 11 and L 11 ~L 15 are each independently, coordinate bond, an ionic bond, Izu covalent bond But good.).
<16> The organic electroluminescent device as claimed in <15>, wherein the M 11 in Formula (A) is a platinum ion.

本発明によれば、高い発光効率と低い駆動電圧を有し、かつ耐久性に優れた有機EL素子が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it has high luminous efficiency, a low drive voltage, and the organic EL element excellent in durability is provided.

以下、本発明の有機電界発光素子(以下、適宜「有機EL素子」と称する場合がある。)について詳細に説明する。
本発明の発光素子は、基板上に陰極と陽極を有し、該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を挟持する有機電界発光素子であって、前記発光層の内部及び前記発光層の隣接層に面する前記発光層の領域の少なくとも一方に一般式(1)で表される化合物を含有する層を有することを特徴とする。
本発明に於ける前記一般式(1)で表される化合物を含有する層は、好ましくは、該層の50質量%以上が前記一般式(1)で表される化合物であり、より好ましくは80質量%以上、さらに好ましくは90質量%以上、最も好ましくは100質量%が前記一般式(1)で表される化合物である。
Hereinafter, the organic electroluminescent element of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element” as appropriate) will be described in detail.
The light-emitting device of the present invention is an organic electroluminescent device having a cathode and an anode on a substrate and sandwiching at least one organic compound layer including a light-emitting layer between the electrodes. It has a layer containing the compound represented by General formula (1) in at least one of the area | region of the said light emitting layer which faces the adjacent layer of a layer.
The layer containing the compound represented by the general formula (1) in the present invention is preferably a compound in which 50% by mass or more of the layer is represented by the general formula (1), more preferably. 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and most preferably 100% by mass is the compound represented by the general formula (1).

本発明に於いては、一般式(1)で表される化合物を含有する層の膜厚が、好ましくは0.1nm以上3nm未満の薄層である。より好ましくは、0.1nm以上2nm以下、さらに好ましくは、0.5nm以上2nm以下である。一般式(1)で表される化合物を含有する層の膜厚が3nm以上に厚くなると、駆動電圧の上昇、発光効率が低下するため好ましくない。また、該膜厚が0.1nm未満では、本発明に於ける該層の効果が発揮できなくなるため、好ましくない。   In the present invention, the layer containing the compound represented by the general formula (1) is preferably a thin layer having a thickness of 0.1 nm or more and less than 3 nm. More preferably, they are 0.1 nm or more and 2 nm or less, More preferably, they are 0.5 nm or more and 2 nm or less. When the thickness of the layer containing the compound represented by the general formula (1) is 3 nm or more, the driving voltage is increased and the light emission efficiency is decreased, which is not preferable. Moreover, when the film thickness is less than 0.1 nm, the effect of the layer in the present invention cannot be exhibited, which is not preferable.

好ましくは、前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が、前記発光層の内部の中間薄層である。より好ましくは、該中間薄層を前記発光層の内部に複数有し、該複数の中間薄層が互いに5nm以上20nm以下の間隔で配置されている。
好ましくは、前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が、前記発光層の陽極に面する側の界面薄層、又は、前記発光層の陰極に面する側の界面薄層である。さらに好ましくは、前記一般式(1)で表される化合物を含有する層を、前記発光層の内部、前記発光層の陽極に面する側、及び前記発光層の陰極に面する側に有する。
Preferably, the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an intermediate thin layer inside the light emitting layer. More preferably, a plurality of the intermediate thin layers are provided inside the light emitting layer, and the plurality of intermediate thin layers are arranged at intervals of 5 nm or more and 20 nm or less.
Preferably, the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an interface thin layer on the side facing the anode of the light emitting layer, or an interface thin layer on the side facing the cathode of the light emitting layer. is there. More preferably, a layer containing the compound represented by the general formula (1) is provided inside the light emitting layer, on the side facing the anode of the light emitting layer, and on the side facing the cathode of the light emitting layer.

発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。   In view of the properties of the light emitting element, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent.

本発明における有機化合物層は、単層または積層のいずれであってもよい。積層の場合の態様としては、陽極側から、正の電荷を輸送する電荷輸送層(以下、正孔輸送層と記載する場合がある)、発光層、負の電荷を輸送する電荷輸送層(以下、電子輸送層と記載する場合がある)の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。   The organic compound layer in the present invention may be either a single layer or a laminate. As an aspect in the case of lamination, from the anode side, a charge transport layer that transports positive charges (hereinafter sometimes referred to as a hole transport layer), a light emitting layer, a charge transport layer that transports negative charges (hereinafter referred to as a positive charge transport layer) , And may be described as an electron transport layer). Further, a charge blocking layer or the like may be provided between the hole transport layer and the light-emitting layer, or between the light-emitting layer and the electron transport layer. A hole injection layer may be provided between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Each layer may be divided into a plurality of secondary layers.

図面を用いてより詳細に本発明における発光層の構成を説明する。図面は、本発明の構成に関連する発光層と隣接する正孔輸送層および電子輸送層のみを示し、その他の有機層および電極等は図面より省略している。
図1は、従来の構成であり、陽極側から、正孔輸送層4、発光層1、電子輸送層3の順に積層されている。従来の特に対策が取られていない構成では、発光層内で生成した励起子の一部が隣接する正孔輸送層および電子輸送層に拡散し、クエンチされ消滅するため、発光効率の低下をもたらす現象が生じる。また、励起子が発光層の正孔輸送層および電子輸送層との界面領域で主に生成し、層の中央部分が有効に発光に寄与しないため非効率である。
The configuration of the light emitting layer in the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. The drawing shows only the hole transport layer and the electron transport layer adjacent to the light emitting layer related to the configuration of the present invention, and other organic layers, electrodes, and the like are omitted from the drawing.
FIG. 1 shows a conventional configuration in which a hole transport layer 4, a light emitting layer 1, and an electron transport layer 3 are laminated in this order from the anode side. In the conventional configuration in which no special countermeasure is taken, a part of excitons generated in the light emitting layer diffuses into the adjacent hole transport layer and electron transport layer, and quenches and disappears, resulting in a decrease in light emission efficiency. A phenomenon occurs. In addition, excitons are mainly generated in the interface region between the hole transport layer and the electron transport layer of the light emitting layer, and the central portion of the layer does not contribute to light emission effectively, which is inefficient.

図2は本発明による態様の1例であって、発光層の陽極側および陰極側に面する界面領域に一般式(1)で表される化合物を含有する超薄膜の界面薄層2a、2bを有する。この構成によれば、発光層内で生成した励起子の隣接する正孔輸送層および電子輸送層への拡散が阻止されるため、上記の非効率化が改良される。
なお、本発明における界面薄層とは膜厚0.1nm〜3nm未満の薄層で発光層の陽極側界面或いは陰極側界面に積層されている層をいう。
FIG. 2 is an example of an embodiment according to the present invention, and is an ultrathin interfacial thin layer 2a, 2b containing a compound represented by the general formula (1) in the interface region facing the anode side and the cathode side of the light emitting layer. Have According to this configuration, the inefficiency is improved because diffusion of excitons generated in the light emitting layer to the adjacent hole transport layer and electron transport layer is prevented.
In addition, the interface thin layer in this invention means the layer laminated | stacked on the anode side interface or cathode side interface of a light emitting layer with the thin film thickness of 0.1 nm-less than 3 nm.

図3は発光層10の内部に一般式(1)で表される化合物のみを含有する超薄膜の中間薄層12、14を有することを特徴とする本発明による態様の別の例を示す。この構成によれば、発光層内で励起子が発光層全体に渉って生成し、発光の内部で生成した励起子が内部に有効に保持されるため、発光効率が向上する。
なお、本発明における中間薄層とは膜厚0.1nm〜3nm未満の薄層で発光層の内部に挿入されている層をいう。
FIG. 3 shows another example of an embodiment according to the present invention characterized by having ultrathin intermediate thin layers 12 and 14 containing only the compound represented by the general formula (1) inside the light emitting layer 10. According to this configuration, excitons are generated in the light emitting layer along the entire light emitting layer, and the excitons generated inside the light emission are effectively held inside, so that the light emission efficiency is improved.
The intermediate thin layer in the present invention is a thin layer having a thickness of 0.1 nm to less than 3 nm and is inserted into the light emitting layer.

図4は本発明による最も好ましい態様を示すものであり、発光層100の陽極側および陰極側に面する界面領域に一般式(1)で表される化合物のみを含有する界面薄層20a、20bを有し、発光層100の内部に一般式(1)で表される化合物のみを含有する中間薄層120、140を有することを特徴とする。この構成に拠れば、発光層内で励起子が発光層全体に渉って生成し、発光の内部で生成した励起子が内部に有効に保持され、かつ、発光層内で生成した励起子の隣接する正孔輸送層および電子輸送層への拡散が阻止されるため、極めて高い発光効率を達成することができる。また、本発明に於ける界面薄層2a0、20b、中間薄層120、140のいずれも、その層自体は発光しない。   FIG. 4 shows the most preferred embodiment according to the present invention, and the interface thin layers 20a and 20b containing only the compound represented by the general formula (1) in the interface region facing the anode side and the cathode side of the light emitting layer 100. The light emitting layer 100 includes intermediate thin layers 120 and 140 containing only the compound represented by the general formula (1). According to this configuration, excitons are generated in the light emitting layer along the entire light emitting layer, excitons generated inside the light emission are effectively held inside, and excitons generated in the light emitting layer are generated. Since diffusion to the adjacent hole transport layer and electron transport layer is prevented, extremely high luminous efficiency can be achieved. In addition, none of the interface thin layers 2a0 and 20b and the intermediate thin layers 120 and 140 in the present invention emit light.

本発明に於いて、発光層の内部に配置される中間薄層の数は、特に限定されないが、製造の容易性等からほぼ1〜30が好ましく、より好ましくは1〜20、更に好ましくは2〜10である。   In the present invention, the number of the intermediate thin layers disposed inside the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30, more preferably 1 to 20, and still more preferably 2 from the viewpoint of ease of production. -10.

1.一般式(1)で表される化合物の説明
次に本発明の有機電界発光素子に用いる一般式(1)で表される化合物について、詳細に説明する。
1. Description of the compound represented by the general formula (1) Next, the compound represented by the general formula (1) used in the organic electroluminescence device of the present invention will be described in detail.

(一般式(1)において、R〜Rは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、シリル基を表し、該R〜Rの少なくとも1つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基である。X〜X12は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、シリル基を表す。)。 (In General Formula (1), R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, or aryl. Group, heteroaryl group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amino group, nitro group, cyano group, ester group, amide group, halogen atom, perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Represents a silyl group, and at least one of the R 1 to R 4 is a group having a double bond or a triple bond, X 1 to X 12 are each independently a hydrogen atom or a group having 1 to 6 carbon atoms; Alkyl group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amino group, nitro group, cyano Group, Ester group, an amide group, a halogen atom, a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a silyl group.).

〜R、および、X〜X12で表される炭素数1〜6のアルキル基としては、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル(すなわち、2−ブチル)、イソブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、n−ヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl (that is, 2 -Butyl), isobutyl, tert-butyl, n-pentyl, isopentyl, n-hexyl, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like.

〜R、および、X〜X12で表される炭素数2〜6のアルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル(すなわち、1−(2−プロペニル))、1−(1−プロペニル)、2−プロペニル、1−(1−ブテニル)、1−(2−ブテニル)、1−(3−ブテニル)、1−(1,3−ブタジエニル)、2−(2−ブテニル)、1−(1−ペンテニル)、5−(シクロペンタジエニル)、1−(1−シクロヘキセニル)などが挙げられる。 Examples of the alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include vinyl, allyl (that is, 1- (2-propenyl)), 1- (1- Propenyl), 2-propenyl, 1- (1-butenyl), 1- (2-butenyl), 1- (3-butenyl), 1- (1,3-butadienyl), 2- (2-butenyl), 1 -(1-pentenyl), 5- (cyclopentadienyl), 1- (1-cyclohexenyl) and the like.

〜R、および、X〜X12で表される炭素数2〜6のアルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギル(すなわち、1−(2−プロピニル))、1−(1−プロピニル)、1−ブタジイニル、1−(1,3−ペンタジイニル)などが挙げられる。 Examples of the alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include ethynyl, propargyl (that is, 1- (2-propynyl)), 1- (1- Propynyl), 1-butadiynyl, 1- (1,3-pentadiynyl) and the like.

〜R、および、X〜X12で表されるアリール基としては、例えば、フェニル、o−トリル(すなわち、1−(2−メチルフェニル))、m−トリル、p−トリル、1−(2,3−ジメチルフェニル)、1−(3,4−ジメチルフェニル)、2−(1,3−ジメチルフェニル)、1−(3,5−ジメチルフェニル)、1−(2,5−ジメチルフェニル)、p−クメニル、メシチル、1−ナフチル、2−ナフチル、1−アントラニル、2−アントラニル、9−アントラニル、および、4−ビフェニリル(すなわち、1−(4−フェニル)フェニル)、3−ビフェニリル、2−ビフェニリルなどのビフェニリル類、4−p−テルフェニリル(すなわち、1−4−(4−ビフェニリル)フェニル)、4−m−テルフェニリル(すなわち、1−4−(3−ビフェニリル)フェニル)などのテルフェニリル類などが挙げられる。 Examples of the aryl group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include phenyl, o-tolyl (that is, 1- (2-methylphenyl)), m-tolyl, p-tolyl, 1- (2,3-dimethylphenyl), 1- (3,4-dimethylphenyl), 2- (1,3-dimethylphenyl), 1- (3,5-dimethylphenyl), 1- (2,5 -Dimethylphenyl), p-cumenyl, mesityl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthranyl, 2-anthranyl, 9-anthranyl, and 4-biphenylyl (ie, 1- (4-phenyl) phenyl), 3 -Biphenylyls such as biphenylyl, 2-biphenylyl, 4-p-terphenylyl (i.e. 1-4- (4-biphenylyl) phenyl), 4-m-terphenylyl (i.e. Terphenylyls such as 1-4- (3-biphenylyl) phenyl).

〜R、および、X〜X12で表されるヘテロアリール基としては、含まれるヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などが挙げられ、具体的には、例えば、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピラジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリル、イソキノリニル、ピロリル、インドリル、フリル、チエニル、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。 Examples of the heteroaryl group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and the like as the hetero atom contained therein. Specifically, Examples include imidazolyl, pyrazolyl, pyridyl, pyrazyl, pyrimidyl, triazinyl, quinolyl, isoquinolinyl, pyrrolyl, indolyl, furyl, thienyl, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl, azepinyl and the like.

〜R、および、X〜X12で表される炭素数1〜6のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、シクロプロポキシ、n−ブトキシ、tert−ブトキシ、シクロヘキシロキシ、フェノキシなどが挙げられる。 Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include methoxy, ethoxy, isopropoxy, cyclopropoxy, n-butoxy, tert-butoxy, cyclohexyloxy , Phenoxy and the like.

〜R、および、X〜X12で表されるアシル基としては、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。 Examples of the acyl group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include acetyl, benzoyl, formyl, and pivaloyl.

〜R、および、X〜X12で表されるアシロキシ基としては、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。 Examples of the acyloxy group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include acetoxy, benzoyloxy, and the like.

〜R、および、X〜X12で表されるアミノ基としては、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、モルフォリノなどが挙げられる。 Examples of the amino group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino, pyrrolidino, piperidino, morpholino and the like. Can be mentioned.

〜R、および、X〜X12で表されるエステル基としては、例えば、メチルエステル(すなわち、メトキシカルボニル)、エチルエステル、イソプロピルエステル、フェニルエステル、ベンジルエステルなどが挙げられる。 Examples of the ester group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include methyl ester (that is, methoxycarbonyl), ethyl ester, isopropyl ester, phenyl ester, benzyl ester, and the like.

〜R、および、X〜X12で表されるアミド基としては、例えば、アミドの炭素原子で連結した、N,N−ジメチルアミド(すなわち、ジメチルアミノカルボニル)、N−フェニルアミド、N,N−ジフェニルアミドや、アミドの窒素原子で連結した、N−メチルアセトアミド(すなわち、アセチルメチルアミノ)、N−フェニルアセトアミド、N−フェニルベンズアミドなどが挙げられる。 Examples of the amide group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include N, N-dimethylamide (that is, dimethylaminocarbonyl) and N-phenylamide linked by a carbon atom of the amide. N, N-diphenylamide, N-methylacetamide (that is, acetylmethylamino), N-phenylacetamide, N-phenylbenzamide and the like linked by a nitrogen atom of the amide.

〜R、および、X〜X12で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。 Examples of the halogen atom represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

〜R、および、X〜X12で表される炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、1−パーフルオロプロピル、2−パーフルオロプロピル、パーフルオロペンチルなどが挙げられる。 Examples of the perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include trifluoromethyl, pentafluoroethyl, 1-perfluoropropyl, and 2-perfluoro. Examples include propyl and perfluoropentyl.

〜R、および、X〜X12で表される炭素数1〜18のシリル基としては、例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、トリフェニルシリル、メチルジフェニルシリル、ジメチルフェニルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチルジフェニルシリルなどが挙げられる。 Examples of the silyl group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 include trimethylsilyl, triethylsilyl, triisopropylsilyl, triphenylsilyl, methyldiphenylsilyl, dimethylphenylsilyl. , Tert-butyldimethylsilyl, tert-butyldiphenylsilyl, and the like.

上記のR〜R、および、X〜X12は、更に他の置換基で置換されていてもよい。例えば、アルキル基にアリール基が置換したものとしては、ベンジル、9−フルオレニル、1−(2−フェニルエチル)、1−(4−フェニル)シクロヘキシルなどが挙げられ、アリール基にヘテロアリール基が置換されたものとしては、1−(4−Nーカルバゾリル)フェニル、1−(3,5−ジ(Nーカルバゾリル))フェニル、1−(4−(2−ピリジル)フェニル)などが挙げられる。 Said R < 1 > -R < 4 > and X < 1 > -X < 12 > may be further substituted by another substituent. For example, examples of the alkyl group substituted with an aryl group include benzyl, 9-fluorenyl, 1- (2-phenylethyl), 1- (4-phenyl) cyclohexyl, etc., and the aryl group substituted with a heteroaryl group Examples thereof include 1- (4-N-carbazolyl) phenyl, 1- (3,5-di (N-carbazolyl)) phenyl, 1- (4- (2-pyridyl) phenyl) and the like.

上記のR〜Rとして好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、エステル基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基であり、特に好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基である。 R 1 to R 4 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an amino group, an ester group, or a silyl group, and more preferably a hydrogen atom. , An alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an amino group, and a silyl group, and particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, and an aryl group.

上記のX〜X12として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、エステル基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは、水素原子である。 X 1 to X 12 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an amino group, an ester group, or a silyl group, and more preferably a hydrogen atom. , An alkyl group and an aryl group, particularly preferably a hydrogen atom.

〜R、および、X〜X12で表される炭素数1〜6のアルキル基としては好ましくは、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシルであり、より好ましくは、メチル、エチル、tert−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシルであり、特に好ましくは、メチル、エチルである。 The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 is preferably methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, n-pentyl, n-hexyl, cyclopentyl, and cyclohexyl are more preferable, and methyl, ethyl, tert-butyl, n-hexyl, and cyclohexyl are more preferable, and methyl and ethyl are particularly preferable.

〜R、および、X〜X12で表されるアリール基として好ましくは、フェニル、o−トリル、1−(3,4−ジメチルフェニル)、1−(3,5−ジメチルフェニル)、1−ナフチル、2−ナフチル、9−アントラニル、および、ビフェニルリル類、テルフェニリル類であり、より好ましくは、フェニル、ビフェニルリル類、テルフェニリル類であり、より好ましくは、フェニルである。 The aryl group represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 is preferably phenyl, o-tolyl, 1- (3,4-dimethylphenyl), 1- (3,5-dimethylphenyl). , 1-naphthyl, 2-naphthyl, 9-anthranyl, and biphenylyls and terphenylyls, more preferably phenyl, biphenylyls, and terphenylyls, and more preferably phenyl.

〜R、および、X〜X12で表される水素原子は、重水素原子であってもよく、重水素原子である方が好ましい。 The hydrogen atom represented by R 1 to R 4 and X 1 to X 12 may be a deuterium atom, and is preferably a deuterium atom.

一般式(1)で表される化合物に含まれる水素原子は、その一部、もしくは、すべてが重水素原子で置換されていても良い。   Part or all of the hydrogen atoms contained in the compound represented by the general formula (1) may be substituted with deuterium atoms.

〜Rの少なくとも1つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基であるが、二重結合としては、例えば、C=C、C=O、C=S,C=N、N=N、S=O、P=Oなどが挙げられ、好ましくはC=C、C=O、C=N、S=O、P=Oであり、より好ましくはC=C、C=O、C=Nであり、特に好ましくはC=Cである。三重結合としては、C≡C、C≡Nが挙げられ、好ましくはC≡Cである。 At least one of R 1 to R 4 is a double bond or a group having a triple bond. Examples of the double bond include C═C, C═O, C═S, C═N, N = N, S = O, P = O, etc., preferably C = C, C = O, C = N, S = O, P = O, more preferably C = C, C = O, C = N, particularly preferably C = C. Examples of the triple bond include C≡C and C≡N, and preferably C≡C.

〜Rの二重結合あるいは三重結合を有する基としては、アリール基が好ましく、なかでも、下記で表されるフェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。 As the group having a double bond or triple bond of R 1 to R 4 , an aryl group is preferable, and among them, a phenyl group, a biphenylyl group, and a terphenylyl group represented by the following are preferable, and a phenyl group is particularly preferable.

〜Rの少なくとも1つは、二重結合、あるいは三重結合を有する基であるが、R〜Rで二重結合、あるいは三重結合を有するものの数は2〜4が好ましく、3〜4がより好ましく、4が特に好ましい。 At least one of R 1 to R 4 is a group having a double bond or a triple bond, but the number of R 1 to R 4 having a double bond or a triple bond is preferably 2 to 4, 3 -4 is more preferable, and 4 is particularly preferable.

〜Rで二重結合、あるいは三重結合を有するものの数が1〜3の場合、残りの単結合のみからなるR〜Rは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、シリル基が好ましく、水素原子、アルキル基、シリル基が好ましく、水素原子、アルキル基が特に好ましい。 When the number of R 1 to R 4 having a double bond or triple bond is 1 to 3, R 1 to R 4 consisting of only the remaining single bond is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a silyl group. Preferably, a hydrogen atom, an alkyl group, and a silyl group are preferable, and a hydrogen atom and an alkyl group are particularly preferable.

〜R、および、X〜X12は互いに連結して環構造を形成していても良い。たとえば、下記のように、X、X、Xが互いに連結して、ジアマンタン構造を形成していてもよく、さらに、X、X、X12が互いに連結して、トリアマンタン構造を形成していてもよい。これらのジアマンタン構造、トリアマンタン構造は、更に置換基で置換されていてもよい。 R 1 to R 4 and X 1 to X 12 may be linked to each other to form a ring structure. For example, as described below, X 2 , X 3 , and X 9 may be linked to each other to form a diamantane structure, and X 4 , X 5 , and X 12 are linked to each other to form a triamantane structure. May be formed. These diamantane structure and triamantane structure may be further substituted with a substituent.

本発明に於いては、一般式(1)で表される化合物は、好ましくは複数混合して含有される。好ましくは、二重結合を有する基が互いに異なる化合物、もしくはその置換数が互いに異なる化合物を混合して用いることができる。例えば、二重結合を有する基として上記のフェニル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基が挙げられ、それらの置換数が1〜4の化合物が挙げられる。例えば、これらの二重結合を有する基の置換数が1のモノ置換体と置換数が4のテトラ置換体を混合して用いることができる。   In the present invention, the compound represented by the general formula (1) is preferably mixed and contained. Preferably, compounds having different groups having a double bond, or compounds having different numbers of substitution can be used in combination. Examples of the group having a double bond include the above phenyl group, biphenylyl group, and terphenylyl group, and examples thereof include compounds having 1 to 4 substitutions. For example, a mono-substituted product having a substitution number of 1 and a tetra-substitution product having a substitution number of 4 can be used.

本発明に於いては、一般式(1)で表される化合物を複数混合して用いる場合、その混合比率は好ましくは1つの化合物について質量比で1:99〜99:1の範囲であり、より好ましくは、20:80〜80:20の範囲である。
一般式(1)で表される化合物を複数混合して用いることにより、さらに発光効率の向上と駆動耐久性の向上が達成される。
In the present invention, when a plurality of compounds represented by the general formula (1) are mixed and used, the mixing ratio is preferably in the range of 1:99 to 99: 1 by mass ratio for one compound. More preferably, it is in the range of 20:80 to 80:20.
By using a mixture of a plurality of compounds represented by the general formula (1), further improvement in luminous efficiency and improvement in driving durability can be achieved.

以下に本発明に用いられる一般式(1)で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明の化合物がこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the compound represented by the general formula (1) used in the present invention are given below, but the compound of the present invention is not limited to these.

本発明に於いては好ましくは、一般式(1)で表される化合物の最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Egと表記する)が4.0eV以上である。
本発明に於ける一般式(1)で表される化合物は、励起子の拡散抑制および正孔又は電子をブロッキング(筒抜け防止)する作用を行う。電気的に不活性な有機化合物の最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差Egが4.0eV以上なので、上記効果を発揮することができる。Egはさらには4.1eV以上がより好ましく、4.2eV以上が特に好ましい。
In the present invention, the energy difference (expressed as Eg) between the highest occupied orbit and the lowest unoccupied orbit of the compound represented by the general formula (1) is preferably 4.0 eV or more.
The compound represented by the general formula (1) in the present invention performs the action of suppressing the diffusion of excitons and blocking holes or electrons (preventing cylinder omission). Since the energy difference Eg between the highest occupied orbit of the electrically inactive organic compound and the lowest unoccupied orbit is 4.0 eV or more, the above effect can be exhibited. Eg is more preferably 4.1 eV or more, and particularly preferably 4.2 eV or more.

また、前記電気的に不活性な有機化合物の三重項最低励起準位T1は2.7eV以上であることが好ましい。このようにすると、発光層の発光材料からの励起子拡散が抑制され、発光効率を一層向上させることができる点で好ましい。発光材料が燐光青発光材料の場合、そのT1は2.6eV前後であり、これからの三重項励起子拡散抑制のためには、電気的に不活性な有機化合物のT1はそれ以上、すなわち2.7eV以上であることが好ましく、このようにすることにより燐光青発光素子においても、発光効率を一層向上させることができる。   The triplet lowest excitation level T1 of the electrically inactive organic compound is preferably 2.7 eV or more. This is preferable in that the exciton diffusion from the light emitting material of the light emitting layer is suppressed and the light emission efficiency can be further improved. When the light-emitting material is a phosphorescent blue light-emitting material, its T1 is about 2.6 eV, and in order to suppress triplet exciton diffusion from now on, T1 of an electrically inactive organic compound is more than that, that is, 2. It is preferable that it is 7 eV or more, and by doing so, the luminous efficiency can be further improved in the phosphorescent blue light emitting device.

さらに本発明においては、電気的に不活性な有機化合物のイオン化ポテンシャルIpは6.1eV以上であることが好ましい。このようにすると、該電気的に不活性な有機化合物への発光層の発光材料からの正孔の移動が抑制され、発光効率を一層向上させることができる点で好ましい。さらにIpは6.2eV以上がより好ましく、6.3eV以上が特に好ましい。特に、発光材料が燐光青発光材料の場合、そのイオン化ポテンシャルは5.8〜5.9eVであり、この燐光青発光材料から電気的に不活性な有機化合物へ正孔を移動させないためには、電気的に不活性な有機化合物のイオン化ポテンシャルはそれ以上、すなわち6.0eV以上であることが好ましく、このようにすることにより、燐光青発光素子においても、発光効率を一層向上させることができる。特に、燐光発光材料を用いる場合、発光層にホスト材料として用いられるN,N’−ジカルバゾリル−1,3−ベンゼン(mCPと略記する)のイオン化ポテンシャルは5.9eVであり、mCPから発光層の陰極側隣接層への正孔の筒抜けを抑制するためには、その値よりも大きいことが好ましく、6.1eV以上とすることにより、正孔の筒抜けを抑制することができ発光効率を一層向上することができる。   Furthermore, in the present invention, the ionization potential Ip of the electrically inactive organic compound is preferably 6.1 eV or more. This is preferable in that the movement of holes from the light emitting material of the light emitting layer to the electrically inactive organic compound is suppressed, and the light emission efficiency can be further improved. Further, Ip is more preferably 6.2 eV or more, and particularly preferably 6.3 eV or more. In particular, when the light emitting material is a phosphorescent blue light emitting material, its ionization potential is 5.8 to 5.9 eV, and in order not to move holes from this phosphorescent blue light emitting material to an electrically inactive organic compound, The ionization potential of the electrically inactive organic compound is preferably more than that, that is, 6.0 eV or more. By doing so, the luminous efficiency can be further improved in the phosphorescent blue light-emitting device. In particular, in the case of using a phosphorescent material, the ionization potential of N, N′-dicarbazolyl-1,3-benzene (abbreviated as mCP) used as a host material in the light-emitting layer is 5.9 eV. In order to suppress the hole clogging of holes to the cathode side adjacent layer, it is preferably larger than that value, and by setting it to 6.1 eV or more, hole clogging of holes can be suppressed and the luminous efficiency is further improved. can do.

また、電気的に不活性な有機化合物の電子親和力は2.3eV以下であることが好ましい。このようにすると、発光層からの電子の筒抜け(主に発光層のホスト材料からの電子の筒抜け)が抑制され、発光効率を一層向上させることができる点で好ましい。発光層にホスト材料として用いられるN,N’−ジカルバゾリル−1,3−ベンゼン(mCPと略記する)の電子親和力は2.4eVであり、mCPから発光層の陽極側隣接層への電子の筒抜けを抑制するためには、その値よりも小さいことが好ましく、2.3eV以下とすることにより、電子筒抜けを抑制することができ発光効率を一層向上することができる。   The electron affinity of the electrically inactive organic compound is preferably 2.3 eV or less. In this case, it is preferable from the viewpoint that emission of electrons from the light emitting layer (mainly, removal of electrons from the host material of the light emitting layer) is suppressed, and the luminous efficiency can be further improved. The electron affinity of N, N′-dicarbazolyl-1,3-benzene (abbreviated as mCP) used as a host material in the light emitting layer is 2.4 eV, and electrons are removed from the mCP to the adjacent layer on the anode side of the light emitting layer. In order to suppress this, it is preferably smaller than that value, and by setting it to 2.3 eV or less, it is possible to suppress the omission of the electron tube and to further improve the light emission efficiency.

2.発光層
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明に於ける発光層は、好ましくは、少なくとも一種の電子輸送材料と少なくとも一種の正孔輸送材料とを含み、前記電子輸送材料と前記正孔輸送材料の少なくとも一方が発光材料である。
電子輸送材料としては電子輸送性発光材料もしくは電子輸送性ホスト材料が用いられる。正孔輸送材料としては正孔輸送性発光材料もしくは正孔輸送性ホスト材料が用いられる。
2. Light-emitting layer The light-emitting layer receives holes from the anode, hole injection layer, or hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from the cathode, electron injection layer, or electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing light and emitting light.
The light emitting layer in the present invention preferably contains at least one kind of electron transport material and at least one kind of hole transport material, and at least one of the electron transport material and the hole transport material is a light emitting material.
As the electron transporting material, an electron transporting light emitting material or an electron transporting host material is used. As the hole transporting material, a hole transporting light emitting material or a hole transporting host material is used.

本発明に於ける発光層の厚みは、特に限定されるものではないが、通常、1nm〜500nmであり、好ましくは5nm〜200nm、より好ましくは、10nm〜100nmである。   Although the thickness of the light emitting layer in this invention is not specifically limited, Usually, they are 1 nm-500 nm, Preferably they are 5 nm-200 nm, More preferably, they are 10 nm-100 nm.

2−1.発光材料
発光材料としては、蛍光発光材料及び燐光発光材料が知られている。
2-1. Luminescent Material As the luminescent material, a fluorescent luminescent material and a phosphorescent luminescent material are known.

(I)燐光発光材料
燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む金属錯体を挙げることができる。
遷移金属原子としては、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
(I) Phosphorescent material As a phosphorescent material, generally, a metal complex containing a transition metal atom or a lanthanoid atom can be mentioned.
The transition metal atom is preferably ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum, more preferably rhenium, iridium, and platinum, and more preferably iridium, platinum. .
Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry,Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、またはナフチルアニオンなど)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、またはフェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
上記金属錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Examples include ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" published by Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" .
Specific ligands are preferably halogen ligands (preferably chlorine ligands), aromatic carbocyclic ligands (eg, cyclopentadienyl anion, benzene anion, or naphthyl anion), Nitrogen-containing heterocyclic ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline), diketone ligands (eg, acetylacetone), carboxylic acid ligands (eg, acetate ligand) , Alcoholate ligands (eg, phenolate ligands), carbon monoxide ligands, isonitrile ligands, and cyano ligands, more preferably nitrogen-containing heterocyclic ligands.
The metal complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.

これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば、US6303238B1、US6097147、WO00/57676、WO00/70655、WO01/08230、WO01/39234A2、WO01/41512A1、WO02/02714A2、WO02/15645A1、WO02/44189A1、特開2001−247859、特開2002−302671、特開2002−117978、特開2002−225352、特開2002−235076、特開2003−123982、特開2002−170684、EP 1211257、特開2002−226495、特開2002−234894、特開2001−247859、特開2001−298470、特開2002−173674、特開2002−203678、特開2002−203679、特開2004−357791、特開2006−256999等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。   Among these, specific examples of the light emitting material include, for example, US6303238B1, US6097147, WO00 / 57676, WO00 / 70655, WO01 / 08230, WO01 / 39234A2, WO01 / 41512A1, WO02 / 02714A2, WO02 / 15645A1, WO02 / 44189A1, JP-A No. 2001-247859, JP-A No. 2002-302671, JP-A No. 2002-117978, JP-A No. 2002-225352, JP-A No. 2002-235076, JP-A No. 2003-123982, JP-A No. 2002-170684, EP No. 12122657, JP-A No. 2002-226495 JP, 2002-234894, JP, 2001-247859, JP, 2001-298470, JP, 2002-173673, JP, 2002-20. 678, JP 2002-203679, JP 2004-357791, and the like phosphorescent compounds described in patent documents such as JP-2006-256999.

(b)蛍光発光材料
蛍光性の発光性ドーパントとしては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などを挙げることができる。
(B) Fluorescent luminescent materials Fluorescent luminescent dopants generally include benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, pyran, perinone, oxa Diazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, condensed polycyclic aromatic compounds (anthracene, phenanthroline, pyrene, perylene, Rubrene, pentacene, etc.), 8-quinolinol metal complexes, pyromethene complexes and various metal complexes represented by rare earth complexes, polythiophene, polyphenylene, poly Examples thereof include polymer compounds such as rephenylene vinylene, organic silanes, and derivatives thereof.

本発明に用いられる発光材料は、好ましくは、燐光発光材料であって、その電子親和力(Ea)が2.5eV以上3.5eV以下であり、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.7eV以上7.0eV以下の電子輸送性の燐光発光材料である。
具体的には、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテシウム錯体が挙げられ、より好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、又は白金錯体であり、最も好ましくは白金錯体である。
The light emitting material used in the present invention is preferably a phosphorescent light emitting material having an electron affinity (Ea) of 2.5 eV to 3.5 eV and an ionization potential (Ip) of 5.7 eV to 7.0 eV. The following electron transporting phosphorescent materials are used.
Specifically, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium complex More preferred is a ruthenium, rhodium, palladium, or platinum complex, and most preferred is a platinum complex.

本発明に用いられる燐光発光材料として、3座以上の配位子を有する金属錯体が特に好ましい。   As the phosphorescent material used in the present invention, a metal complex having a tridentate or higher ligand is particularly preferable.

(多座金属錯体)
本発明における3座以上の配位子を有する金属錯体について説明する。
1)金属イオン
該金属錯体において金属イオンに配位する原子は特に限定されないが、酸素原子、窒素原子、炭素原子、硫黄原子又はリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子又は炭素原子がより好ましく、窒素原子又は炭素原子が更に好ましい。
(Multidentate metal complex)
The metal complex having a tridentate or higher ligand in the present invention will be described.
1) Metal ion The atom coordinated to the metal ion in the metal complex is not particularly limited, but is preferably an oxygen atom, a nitrogen atom, a carbon atom, a sulfur atom or a phosphorus atom, more preferably an oxygen atom, a nitrogen atom or a carbon atom, More preferred are nitrogen or carbon atoms.

金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、発光効率向上、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、遷移金属イオン、希土類金属イオンであることが好ましく、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオン、亜鉛イオン、ニッケルイオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、または希土類金属イオン(例えば、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、またはテルビウムイオンなど)が挙げられ、好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、またはテルビウムイオンであり、より好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、またはテルビウムイオンであり、さらに好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、またはガリウムイオンであり、最も好ましくは白金イオンである。   The metal ion in the metal complex is not particularly limited, but is preferably a transition metal ion or a rare earth metal ion from the viewpoint of improving luminous efficiency, improving durability, and lowering driving voltage, iridium ion, platinum ion, gold ion, Rhenium ion, tungsten ion, rhodium ion, ruthenium ion, osmium ion, palladium ion, silver ion, copper ion, cobalt ion, zinc ion, nickel ion, lead ion, aluminum ion, gallium ion, or rare earth metal ion (for example, europium) An iridium ion, a platinum ion, a gold ion, a rhenium ion, a tungsten ion, a palladium ion, a zinc ion, an aluminum ion, a gallium ion, and the like. , Europium, cadmium, or terbium, more preferably iridium, platinum, rhenium, tungsten, europium, cadmium, or terbium, and more preferably iridium. Platinum ion, palladium ion, zinc ion, aluminum ion, or gallium ion, and most preferably platinum ion.

2)配位数
本発明における3座以上の配位子を有する金属錯体としては、発光効率向上、耐久性向上の観点から、3座以上6座以下の配位子を有する金属錯体が好ましく、イリジウムイオンに代表される6配位型錯体を形成しやすい金属イオンの場合には、3座、4座、または6座の配位子を有する金属錯体がより更好ましく、白金イオンに代表される4配位型錯体を形成しやすい金属イオンの場合には、3座または4座の配位子を有する金属錯体がより好ましく、4座の配位子を有する金属錯体が更に好ましい。
2) Coordination number The metal complex having a tridentate or higher ligand in the present invention is preferably a metal complex having a tridentate or higher and a hexadentate or lower ligand from the viewpoint of improving luminous efficiency and durability. In the case of a metal ion that easily forms a hexacoordinate complex represented by iridium ion, a metal complex having a tridentate, tetradentate, or hexadentate ligand is more preferable, and platinum ion is representative. In the case of a metal ion that easily forms a tetracoordinate complex, a metal complex having a tridentate or tetradentate ligand is more preferable, and a metal complex having a tetradentate ligand is more preferable.

3)配位子
本発明における金属錯体の配位子は発光効率向上、耐久性向上の観点から、鎖状、又は、環状であることが好ましく、中心金属(例えば、後述する一般式(A)で表される化合物の場合であればM11を表す。)に窒素で配位する含窒素へテロ環(例えば、ピリジン環、キノリン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、またはトリアゾール環など)を少なくとも一つ有することが好ましい。該含窒素ヘテロ環としては、含窒素6員ヘテロ環、含窒素5員ヘテロ環であることがより好ましい。これらのヘテロ環は他の環と縮合環を形成してもよい。
3) Ligand From the viewpoint of improving luminous efficiency and durability, the ligand of the metal complex in the present invention is preferably a chain or a ring, and a central metal (for example, a general formula (A) described later) In the case of a compound represented by the formula, N 11 represents a nitrogen-containing heterocycle coordinated with nitrogen (for example, pyridine ring, quinoline ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring). Oxazole ring, thiazole ring, oxadiazole ring, thiadiazole ring, or triazole ring). The nitrogen-containing heterocycle is more preferably a nitrogen-containing 6-membered heterocycle or a nitrogen-containing 5-membered heterocycle. These heterocycles may form condensed rings with other rings.

金属錯体の配位子が鎖状であるとは、金属錯体の配位子が環状構造をとらないことを意味する(例えば、ターピリジル配位子など。)。また、金属錯体の配位子が環状であるとは、金属錯体中の複数の配位子が互いに結合して、閉じた構造形成することを意味する(例えば、フタロシアニン配位子、クラウンエーテル配位子など。)。   That the ligand of the metal complex is a chain means that the ligand of the metal complex does not have a cyclic structure (for example, a terpyridyl ligand). Further, that the ligand of the metal complex is cyclic means that a plurality of ligands in the metal complex are bonded to each other to form a closed structure (for example, phthalocyanine ligand, crown ether coordination). Etc.).

4)好ましい金属錯体の構造
本発明における金属錯体としては、以下に詳述する一般式(A)で表される有機化合物であることが好ましい。
4) Preferred Metal Complex Structure The metal complex in the present invention is preferably an organic compound represented by the general formula (A) described in detail below.

<一般式(A)で表される金属錯体>
先ず、一般式(A)で表される有機化合物について説明する。
<Metal complex represented by general formula (A)>
First, the organic compound represented by the general formula (A) will be described.

一般式(A)中、M11は金属イオンを表し、L11〜L15はそれぞれM11に配位する配位子を表す。L11とL14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成してもよい。L15はL11及びL14の両方と結合して環状配位子を形成してもよい。
11、Y12、およびY13はそれぞれ連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Y11、Y12、又はY13が連結基である場合、L11とY12、Y12とL12、L12とY11、Y11とL13、L13とY13、Y13とL14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。n11は0〜4を表す。M11とL11〜L15との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。
In the general formula (A), M 11 represents a metal ion, and L 11 to L 15 each represents a ligand coordinated to M 11 . An atomic group may further exist between L 11 and L 14 to form a cyclic ligand. L 15 may combine with both L 11 and L 14 to form a cyclic ligand.
Y 11 , Y 12 and Y 13 each represent a linking group, a single bond or a double bond. When Y 11 , Y 12 , or Y 13 is a linking group, L 11 and Y 12 , Y 12 and L 12 , L 12 and Y 11 , Y 11 and L 13 , L 13 and Y 13 , Y 13 And the bond between L 14 each independently represents a single bond or a double bond. n 11 represents the 0-4. The bond between M 11 and L 11 to L 15 may be any of a coordination bond, an ionic bond, and a covalent bond.

一般式(A)で表される有機化合物について詳細に説明する。
一般式(A)中、M11は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、2価または3価の金属イオンが好ましい。2価または3価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、またはユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。
The organic compound represented by the general formula (A) will be described in detail.
In the general formula (A), M 11 represents a metal ion. Although it does not specifically limit as a metal ion, A bivalent or trivalent metal ion is preferable. As the divalent or trivalent metal ion, platinum ion, iridium ion, rhenium ion, palladium ion, rhodium ion, ruthenium ion, copper ion, europium ion, gadolinium ion, terbium ion are preferable, platinum ion, iridium ion, or Europium ions are more preferred, platinum ions and iridium ions are more preferred, and platinum ions are particularly preferred.

一般式(A)中、L11、L12、L13、及びL14は、それぞれ独立に、M11に配位する配位子を表す。L11、L12、L13、及びL14に含まれ、かつ、M11に配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子、又はリン原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又は炭素原子がより好ましく、窒素原子、酸素原子、又は炭素原子が更に好ましい。 In general formula (A), L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 each independently represent a ligand that coordinates to M 11 . The atoms contained in L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 and coordinated to M 11 are preferably a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbon atom, or a phosphorus atom. An atom, a sulfur atom, or a carbon atom is more preferable, and a nitrogen atom, an oxygen atom, or a carbon atom is still more preferable.

11とL11、L12、L13、及びL14でそれぞれ形成される結合は、それぞれ独立に、共有結合であってもイオン結合であっても配位結合であってもよい。本発明における配位子とは、説明の便宜上、配位結合のみならず他のイオン結合、共有結合により形成された場合においても用いるものとする。
11、Y12、L12、Y11、L13、Y13、及びL14から成る配位子は、アニオン性配位子(少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子)であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、1〜3が好ましく、1、2がより好ましく、2がさらに好ましい。
The bonds formed by M 11 and L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 may each independently be a covalent bond, an ionic bond, or a coordinate bond. For convenience of explanation, the ligand in the present invention shall be used not only in the case of a coordination bond but also in the case of being formed by other ionic bonds or covalent bonds.
The ligand consisting of L 11 , Y 12 , L 12 , Y 11 , L 13 , Y 13 , and L 14 is an anionic ligand (a ligand in which at least one anion binds to a metal). Is preferred. 1-3 are preferable, as for the number of anions in an anionic ligand, 1 and 2 are more preferable, and 2 is further more preferable.

11に炭素原子で配位するL11、L12、L13、及びL14としては、特に限定されないが、それぞれ独立にイミノ配位子、芳香族炭素環配位子(例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、またはフェナントラセン配位子など)、ヘテロ環配位子(例えばチオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、及び、それらを含む縮環体(例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など)およびこれらの互変異性体)が挙げられる。 L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 coordinated to M 11 by a carbon atom are not particularly limited, but are each independently an imino ligand, an aromatic carbocyclic ligand (for example, a benzene ligand). , Naphthalene, anthracene, or phenanthracene ligands), heterocyclic ligands (eg, thiophene ligands, pyridine ligands, pyrazine ligands, pyrimidine ligands, thiazole ligands) Ligands, oxazole ligands, pyrrole ligands, imidazole ligands, pyrazole ligands, and condensed rings containing them (eg, quinoline ligands, benzothiazole ligands, etc.) and their tautomers Sex body).

11に窒素原子で配位するL11、L12、L13、及びL14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、含窒素へテロ環配位子(例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体(例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など)、及び、これらの互変異性体(なお、本発明では通常の異性体以外に次のような例も互変異性体と定義する。例えば、後述する化合物(24)の5員ヘテロ環配位子、化合物(64)の末端5員ヘテロ環配位子、化合物(145)の5員ヘテロ環配位子もピロール互変異性体と定義する。)など、アミノ配位子(アルキルアミノ配位子(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばメチルアミノなどが挙げられる。)、アリールアミノ配位子(例えばフェニルアミノなどが挙げられる。)、アシルアミノ配位子(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ配位子(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ配位子(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、イミノ配位子など)が挙げられる。これらの配位子はさらに置換されていてもよい。 L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 coordinated to M 11 by a nitrogen atom are not particularly limited, but each independently includes a nitrogen-containing heterocyclic ligand (eg, pyridine ligand, pyrazine coordination). Ligand, pyrimidine ligand, pyridazine ligand, triazine ligand, thiazole ligand, oxazole ligand, pyrrole ligand, imidazole ligand, pyrazole ligand, triazole ligand, oxadi Azole ligands, thiadiazole ligands, and condensed rings containing them (for example, quinoline ligands, benzoxazole ligands, benzimidazole ligands, etc.) and tautomers thereof (note that In the present invention, in addition to the usual isomers, the following examples are also defined as tautomers, for example, the 5-membered heterocyclic ligand of the compound (24) described later and the 5-membered terminal of the compound (64). Arocyclic ligands, 5-membered heterocyclic ligands of the compound (145) are also defined as pyrrole tautomers, etc.) amino ligands (alkylamino ligands (preferably having 2 to 30 carbon atoms, More preferably, it has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include methylamino.), Arylamino ligands (for example, phenylamino), acylamino ligands (Preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino and benzoylamino), alkoxycarbonylamino ligands (preferably Has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonylamino. ), An aryloxycarbonylamino ligand (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonylamino). Sulfonylamino ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), imino. These ligands may be further substituted.

11に酸素原子で配位するL11、L12、L13、及びL14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシルオキシ配位子(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、シリルオキシ配位子(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)、カルボニル配位子(例えばケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子など)、エーテル配位子(例えばジアルキルエーテル配位子、ジアリールエーテル配位子、フリル配位子など)などが挙げられる。 L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 coordinated to M 11 with an oxygen atom are not particularly limited, but are independently an alkoxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably having carbon atoms). 1 to 20, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy), aryloxy ligands (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably Has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy and the like, and a heterocyclic oxy ligand (preferably having 1 carbon atom). To 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, Noryloxy, etc.), acyloxy ligands (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as acetoxy, benzoyloxy and the like. ), A silyloxy ligand (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyloxy and triphenylsilyloxy). , Carbonyl ligands (eg, ketone ligands, ester ligands, amide ligands, etc.), ether ligands (eg, dialkyl ether ligands, diaryl ether ligands, furyl ligands, etc.) Can be mentioned.

11に硫黄原子で配位するL11、L12、L13、及びL14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルキルチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、チオカルボニル配位子(例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子など)、又はチオエーテル配位子(例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子など)などが挙げられる。これらの置換配位子は更に置換されてもよい。 Although it does not specifically limit as L < 11 >, L < 12 >, L <13> , and L < 14 > coordinated to M < 11 > by a sulfur atom, Each is independently alkylthio ligand (preferably C1-C30, More preferably, carbon number. 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, methylthio, ethylthio, etc.), an arylthio ligand (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably Has 6 to 12 carbon atoms, for example, phenylthio and the like, and a heterocyclic thio ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). And examples thereof include pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio), and thiocarbo. Le ligands (e.g. thioketone ligand, etc. thioester ligands), or thioether ligands (e.g. dialkyl thioether ligands, diaryl thioether ligands, etc. thiofuryl ligand), and the like. These substituted ligands may be further substituted.

11にリン原子で配位するL11、L12、L13、及びL14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、およびホスフィニン基等が挙げられる。これらの基は更に置換されてもよい。 L 11 , L 12 , L 13 , and L 14 coordinated to M 11 with a phosphorus atom are not particularly limited, but each independently includes a dialkylphosphino group, a diarylphosphino group, a trialkylphosphine, a triarylphosphine, And a phosphinin group. These groups may be further substituted.

11及びL14は、それぞれ独立に、芳香族炭素環配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、含窒素へテロ環配位子(例えばピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体(例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など)、又は、これらの互変異性体など)が好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体(例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、ベンズイミダゾール配位子など)、又は、これらの互変異性体がより好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、又はアリールアミノ配位子がさらに好ましく、芳香族炭素環配位子、又はアリールオキシ配位子が特に好ましい。 L 11 and L 14 are each independently an aromatic carbocyclic ligand, alkyloxy ligand, aryloxy ligand, ether ligand, alkylthio ligand, arylthio ligand, alkylamino coordination Ligand, arylamino ligand, acylamino ligand, nitrogen-containing heterocyclic ligand (eg pyridine ligand, pyrazine ligand, pyrimidine ligand, pyridazine ligand, triazine ligand, thiazole ligand) Ligands, oxazole ligands, pyrrole ligands, imidazole ligands, pyrazole ligands, triazole ligands, oxadiazole ligands, thiadiazole ligands, or condensed ligand bodies containing them (For example, a quinoline ligand, a benzoxazole ligand, a benzimidazole ligand, or the like, or a tautomer thereof) is preferable, and an aromatic carbocyclic ligand Aryloxy ligands, arylthio ligands, arylamino ligands, and pyridine ligands, pyrazine ligands, imidazole ligands, or condensed ligand bodies containing them (for example, quinoline ligands) , A quinoxaline ligand, a benzimidazole ligand, or the like, or a tautomer thereof, an aromatic carbocyclic ligand, an aryloxy ligand, an arylthio ligand, or an arylamino coordination A child is further preferred, and an aromatic carbocyclic ligand or an aryloxy ligand is particularly preferred.

12及びL13は、それぞれ独立に、M11と配位結合を形成する配位子が好ましく、M11と配位結合を形成する配位子としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体(例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、またはインドレニン環など)及び、これらの互変異性体が好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体(例えば、キノリン環、ベンズピロールなど)、及び、これらの互変異性体がより好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、及び、それらを含む縮環体(例えば、キノリン環など)がさらに好ましく、ピリジン環、及び、ピリジン環を含む縮環体(例えば、キノリン環など)が特に好ましい。 L 12 and L 13 each independently ligands preferably form a coordinate bond with M 11, as ligands forming a coordination bond with M 11, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, Triazine ring, thiazole ring, oxazole ring, pyrrole ring, triazole ring, and condensed ring containing them (for example, quinoline ring, benzoxazole ring, benzimidazole ring, or indolenine ring) and their tautomerism Pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyrrole ring, and condensed ring containing them (for example, quinoline ring, benzpyrrole, etc.) and tautomers thereof are more preferable, pyridine ring, More preferred are a pyrazine ring, a pyrimidine ring, and a condensed ring containing them (for example, a quinoline ring, etc.), a pyridine ring, and A condensed ring containing a pyridine ring (for example, a quinoline ring) is particularly preferable.

一般式(A)中、L15はM11に配位する配位子を表す。L15は1〜4座の配位子が好ましく、1〜4座のアニオン性配位子がより好ましい。1〜4座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、1,3−ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトン配位子など)、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性2座配位子(例えば、ピコリン酸配位子、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ピリジン配位子など)、L11、Y12、L12、Y11、L13、Y13、L14で形成される4座配位子が好ましく、1,3−ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトン配位子など)、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性2座配位子(例えばピコリン酸配位子、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ピリジン配位子など)、L11、Y12、L12、Y11、L13、Y13、L14で形成される4座配位子がより好ましく、1,3−ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトン配位子など)、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性2座配位子(例えば、ピコリン酸配位子、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ピリジン配位子など)がさらに好ましく、1,3−ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトン配位子など)が特に好ましい。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。但し、L15はL11及びL14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。 In the general formula (A), L 15 represents a ligand coordinated to M 11 . L 15 is preferably a 1-4-dentate ligand, more preferably a 1-4-dentate anionic ligand. Although it does not specifically limit as an anionic ligand of 1-4 tetradentate, The monoanionic property containing a halogen ligand, a 1, 3- diketone ligand (for example, acetylacetone ligand etc.), and a pyridine ligand Bidentate ligand (eg, picolinic acid ligand, 2- (2-hydroxyphenyl) -pyridine ligand, etc.), L 11 , Y 12 , L 12 , Y 11 , L 13 , Y 13 , L 14 And a monoanionic bidentate ligand containing a 1,3-diketone ligand (for example, an acetylacetone ligand) or a pyridine ligand (for example, a picolinic acid ligand). A tetradentate ligand formed by L 11 , Y 12 , L 12 , Y 11 , L 13 , Y 13 , L 14 , and the like. Preferably, 1,3-diketone Ligands (eg, acetylacetone ligand), monoanionic bidentate ligands containing pyridine ligand (eg, picolinic acid ligand, 2- (2-hydroxyphenyl) -pyridine ligand, etc.) Are more preferable, and a 1,3-diketone ligand (for example, an acetylacetone ligand) is particularly preferable. The number of coordination sites and the number of ligands do not exceed the coordination number of the metal. However, L 15 does not combine with both L 11 and L 14 to form a cyclic ligand.

一般式(A)中、Y11、Y12、及びY13は、それぞれ独立に、連結基、単結合、または二重結合を表す。連結基としては、特に限定されないが、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。このような連結基の具体例としては、例えば下記のものが挙げられる。 In General Formula (A), Y 11 , Y 12 , and Y 13 each independently represent a linking group, a single bond, or a double bond. Although it does not specifically limit as a coupling group, For example, the coupling group comprised including the atom selected from a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a silicon atom, and a phosphorus atom is preferable. Specific examples of such a linking group include the following.

また、Y11、Y12、又はY13が連結基である場合、L11とY12、Y12とL12、L12とY11、Y11とL13、L13とY13、Y13とL14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。 When Y 11 , Y 12 , or Y 13 is a linking group, L 11 and Y 12 , Y 12 and L 12 , L 12 and Y 11 , Y 11 and L 13 , L 13 and Y 13 , Y 13 And the bond between L 14 each independently represents a single bond or a double bond.

11、Y12、及びY13は、それぞれ独立に、単結合、二重結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、またはアルケニレン基が好ましい。Y11は、単結合、アルキレン基がより好ましく、アルキレン基がさらに好ましい。Y12及びY13は、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。 Y 11 , Y 12 , and Y 13 are each independently preferably a single bond, a double bond, a carbonyl linking group, an alkylene linking group, or an alkenylene group. Y 11 is more preferably a single bond or an alkylene group, and still more preferably an alkylene group. Y 12 and Y 13 are more preferably a single bond or an alkenylene group, and even more preferably a single bond.

12、L11、L12、及びM11で形成される環、Y11、L12、L13、及びM11で形成される環、Y13、L13、L14、及びM11で形成される環は、それぞれ環員数4〜10が好ましく、環員数5〜7がより好ましく、環員数5又は6がさらに好ましい。 Ring formed by Y 12 , L 11 , L 12 , and M 11 , Ring formed by Y 11 , L 12 , L 13 , and M 11 , Formed by Y 13 , L 13 , L 14 , and M 11 The ring to be formed preferably has 4 to 10 ring members, more preferably 5 to 7 ring members, and further preferably 5 or 6 ring members.

一般式(A)中、n11は0〜4を表す。M11が配位数4の金属の場合、n11は0であり、M11が配位数6の金属の場合、n11は1、2が好ましく、1がより好ましい。M11が配位数6でn11が1の場合L15は2座配位子を表し、M11が配位数6でn11が2の場合L15は単座配位子を表す。M11が配位数8の金属の場合、n11は1〜4が好ましく、1、2がより好ましく、1がより好ましい。M11が配位数8でn11が1の場合L15は4座配位子を表し、M11が配位数8でn11が2の場合L15は2座配位子を表す。n11が複数のときは、複数のL15は同じであっても異なっていてもよい。 In the general formula (A), n 11 represents 0 to 4. If M 11 is a metal coordination number 4, n 11 is 0, when M 11 is a metal coordination number 6, n 11 is 1, 2 is preferable, and more preferably 1. When M 11 is coordination number 6 and n 11 is 1, L 15 represents a bidentate ligand, and when M 11 is coordination number 6 and n 11 is 2, L 15 represents a monodentate ligand. When M 11 is a metal having a coordination number of 8, n 11 is preferably 1 to 4, more preferably 1, 2, and more preferably 1. When M 11 is coordination number 8 and n 11 is 1, L 15 represents a tetradentate ligand, and when M 11 is coordination number 8 and n 11 is 2, L 15 represents a bidentate ligand. When n 11 is plural, a plurality of L 15 may be different even in the same.

以下に本発明における一般式(A)で表される錯体の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Specific examples of the complex represented by formula (A) in the present invention are illustrated below, but the present invention is not limited thereto.

(正孔輸送性発光材料)
本発明において用いられる正孔輸送性発光材料としては、正孔輸送性蛍光発光材料、正孔輸送性燐光発光材料を用いることができるが、好ましくは正孔輸送性燐光発光材料である。
(Hole-transporting light-emitting material)
As the hole transporting light emitting material used in the present invention, a hole transporting fluorescent light emitting material or a hole transporting phosphorescent light emitting material can be used, and a hole transporting phosphorescent light emitting material is preferable.

本発明に於ける正孔輸送性発光材料について説明する。
本発明の発光層に用いられる正孔輸送性発光材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャル(Ip)が5.1eV以上6.4eV以下であることが好ましく、5.4eV以上6.2eV以下であることがより好ましく、5.6eV以上6.0eV以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力(Ea)が1.2eV以上3.1eV以下であることが好ましく、1.4eV以上3.0eV以下であることがより好ましく、1.8eV以上2.8eV以下であることが更に好ましい。
The hole transporting luminescent material in the present invention will be described.
The hole transporting light emitting material used for the light emitting layer of the present invention preferably has an ionization potential (Ip) of 5.1 eV or more and 6.4 eV or less from the viewpoint of improving durability and lowering driving voltage. It is more preferably 4 eV or more and 6.2 eV or less, and further preferably 5.6 eV or more and 6.0 eV or less. Further, from the viewpoint of improving durability and lowering driving voltage, the electron affinity (Ea) is preferably 1.2 eV or more and 3.1 eV or less, more preferably 1.4 eV or more and 3.0 eV or less. More preferably, it is 8 eV or more and 2.8 eV or less.

このような正孔輸送性発光材料としては、具体的には、例えば、ピロール系化合物、インドール系化合物、カルバゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ポリアリールアルカン系化合物、アリールアミン系化合物、スチリル系化合物、スチリルアミン系化合物、チオフェン系化合物、芳香族多環縮合系化合物などのほか、金属錯体などが挙げられる。
前記金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、発光効率向上、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、遷移金属イオン、希土類金属イオンであることが好ましく、より好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、鉛イオン、希土類金属イオン(例えば、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンなど)が好ましく、更に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、テルビウムイオンであり、特に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンであり、最も好ましくは、イリジウムイオンである。イリジウムイオンを有する金属錯体の中でも特に好ましくは、炭素−Ir結合、窒素−Ir結合(この場合の結合は、配位結合、イオン結合、共有結合のいずれであってもよい)を有する金属錯体である。
Specific examples of such hole transporting light emitting materials include, for example, pyrrole compounds, indole compounds, carbazole compounds, imidazole compounds, polyarylalkane compounds, arylamine compounds, styryl compounds, In addition to styrylamine compounds, thiophene compounds, aromatic polycyclic condensation compounds, metal complexes, and the like can be given.
The metal ion in the metal complex is not particularly limited, but is preferably a transition metal ion or a rare earth metal ion, more preferably an iridium ion or platinum, from the viewpoints of improving luminous efficiency, durability, and driving voltage. Ion, gold ion, rhenium ion, tungsten ion, rhodium ion, ruthenium ion, osmium ion, palladium ion, silver ion, copper ion, cobalt ion, nickel ion, lead ion, rare earth metal ion (for example, europium ion, gadolinium ion, Terbium ions, etc.) are preferred, more preferably iridium ions, platinum ions, gold ions, rhenium ions, tungsten ions, europium ions, cadolinium ions, terbium ions, and particularly preferably iridium ions. Platinum ion, a rhenium ion, europium ion, gadolinium ion, terbium ion, most preferably iridium ion. Among metal complexes having iridium ions, particularly preferred are metal complexes having a carbon-Ir bond and a nitrogen-Ir bond (in this case, the bond may be a coordination bond, an ionic bond or a covalent bond). is there.

このような正孔輸送性発光材料の例としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of such hole-transporting light-emitting materials include, but are not limited to, the following materials.

2−2.ホスト材料
ホスト材料としては正孔輸送性ホスト材料、及び電子輸送性ホスト材料のいずれも用いることができる。
2-2. Host material As the host material, both a hole transporting host material and an electron transporting host material can be used.

(電子輸送性ホスト材料)
本発明に用いられる電子輸送性ホスト材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Eaが2.5eV以上3.5eV以下であることが好ましく、2.6eV以上3.4eV以下であることがより好ましく、2.8eV以上3.3eV以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルIpが5.7eV以上7.5eV以下であることが好ましく、5.8eV以上7.0eV以下であることがより好ましく、5.9eV以上6.5eV以下であることが更に好ましい。
(Electron transporting host material)
The electron transporting host material used in the present invention preferably has an electron affinity Ea of 2.5 eV or more and 3.5 eV or less, from the viewpoint of improving durability and lowering driving voltage, and 2.6 eV or more and 3.4 eV or less. It is more preferable that it is 2.8 eV or more and 3.3 eV or less. Further, from the viewpoint of improving durability and reducing driving voltage, the ionization potential Ip is preferably 5.7 eV or more and 7.5 eV or less, more preferably 5.8 eV or more and 7.0 eV or less, and 5.9 eV or more. More preferably, it is 6.5 eV or less.

このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、およびそれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。   Specific examples of such an electron transporting host include pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, pyrazole, triazole, oxazole, oxadiazol, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiol. Pyrandoxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanines, and their derivatives (form condensed rings with other rings) And metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, metal complexes having benzoxazole or benzothiazol as ligands, and the like.

電子輸送性ホストとして好ましくは、金属錯体、アゾール誘導体(ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等)、アジン誘導体(ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等)であり、中でも、本発明においては耐久性の点から金属錯体化合物が好ましい。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも1つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンである。
Preferred examples of the electron transporting host include metal complexes, azole derivatives (benzimidazole derivatives, imidazopyridine derivatives, etc.), and azine derivatives (pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, etc.). To metal complex compounds are preferred. The metal complex compound is more preferably a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom coordinated to the metal.
The metal ion in the metal complex is not particularly limited, but is preferably beryllium ion, magnesium ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, indium ion, tin ion, platinum ion, or palladium ion, more preferably beryllium ion, Aluminum ion, gallium ion, zinc ion, platinum ion or palladium ion, and more preferably aluminum ion, zinc ion, platinum ion or palladium ion.

前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、Springer−Verlag社、H.Yersin著、1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。   There are various known ligands contained in the metal complex. For example, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, Springer-Verlag, H.C. Examples include the ligands described in Yersin, published in 1987, “Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications”, Sakai Hanafusa, Yamamoto Akio, published in 1982, and the like.

前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数3〜15であり、単座配位子であっても2座以上の配位子であっても良い。好ましくは2座以上6座以下の配位子である。また、2座以上6座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。
配位子としては、例えばアジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。)、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、4−ビフェニルオキシなどが挙げられる。)、
The ligand is preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 3 to 15 carbon atoms, and a monodentate ligand. Alternatively, it may be a bidentate or higher ligand, preferably a bidentate or higher and a hexadentate or lower ligand, or a bidentate or higher and lower 6 or lower ligand and a monodentate mixed ligand. preferable.
Examples of the ligand include an azine ligand (for example, pyridine ligand, bipyridyl ligand, terpyridine ligand, etc.), a hydroxyphenylazole ligand (for example, hydroxyphenylbenzimidazole coordination). And a hydroxyphenyl benzoxazole ligand, a hydroxyphenyl imidazole ligand, a hydroxyphenylimidazopyridine ligand, etc.), an alkoxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 carbon atom). To 20, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy), aryloxy ligands (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6-20 carbon atoms, particularly preferably 6-12 carbon atoms, for example phenyl Carboxymethyl, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 2,4,6-trimethylphenyl oxy, and 4-biphenyloxy and the like.),

ヘテロアリールオキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、およびキノリルオキシなどが挙げられる。)、アルキルチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロアリールチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、および2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、シロキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数3〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、およびトリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。)、芳香族炭化水素アニオン配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えばフェニルアニオン、ナフチルアニオン、およびアントラニルアニオンなどが挙げられる。)、芳香族ヘテロ環アニオン配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜25、特に好ましくは炭素数2〜20であり、例えばピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、およびベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられる。)、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、芳香族炭化水素アニオン配位子、芳香族ヘテロ環アニオン配位子、またはシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、または芳香族ヘテロ環アニオン配位子である。 Heteroaryloxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, and quinolyloxy. ), An alkylthio ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio), arylthio ligands (Preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio), heteroarylthio ligand (preferably 1 carbon atom) To 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio , 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, etc.), a siloxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 25 carbon atoms). Particularly preferably, it has 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a triphenylsiloxy group, a triethoxysiloxy group, and a triisopropylsiloxy group.), An aromatic hydrocarbon anion ligand (preferably having 6 carbon atoms) To 30, more preferably 6 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms, such as a phenyl anion, a naphthyl anion, an anthranyl anion, etc.), an aromatic heterocyclic anion ligand (preferably Has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 25 carbon atoms, and particularly preferably 2 to 20 carbon atoms. Pyrrole anion, pyrazole anion, pyrazole anion, triazole anion, oxazole anion, benzoxazole anion, thiazole anion, benzothiazole anion, thiophene anion, benzothiophene anion, etc.), indolenine anion ligand, etc. Preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, a heteroaryloxy group, an aromatic hydrocarbon anion ligand, an aromatic heterocyclic anion ligand, or a siloxy ligand, more preferably Is a nitrogen-containing heterocyclic ligand, aryloxy ligand, siloxy ligand, aromatic hydrocarbon anion ligand, or aromatic heterocyclic anion ligand.

金属錯体電子輸送性ホスト材料の例としては、例えば特開2002−235076、特開2004−214179、特開2004−221062、特開2004−221065、特開2004−221068、特開2004−327313等に記載の化合物が挙げられる。   Examples of the metal complex electron transporting host material include, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-235076, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-214179, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221062, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221068, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-327313, And the compounds described.

このような電子輸送性ホスト材料としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of such an electron transporting host material include, but are not limited to, the following materials.

電子輸送層ホスト材料としては、E−1〜E−6、E−8、E−9、E−10、E−21、またはE−22が好ましく、E−3、E−4、E−6、E−8、E−9、E−10、E−21、またはE−22がより好ましく、E−3、E−4、E−8、E−9、E−21、またはE−22が更に好ましい。   The electron transport layer host material is preferably E-1 to E-6, E-8, E-9, E-10, E-21, or E-22, and E-3, E-4, E-6. E-8, E-9, E-10, E-21, or E-22 are more preferred, and E-3, E-4, E-8, E-9, E-21, or E-22 are preferred. Further preferred.

本発明における発光層において、発光性ドーパントとして燐光発光性ドーパントを用いたとき、該燐光発光性ドーパントの最低三重項励起エネルギーT1(D)と前記複数のホスト化合物の最低励起三重項エネルギーのうち最小のもの前記T1(H)minとが、T1(H)min>T1(D)の関係を満たすことが色純度、外部量子効率、駆動耐久性の点で好ましい。   In the light emitting layer of the present invention, when a phosphorescent dopant is used as the luminescent dopant, the lowest triplet excitation energy T1 (D) of the phosphorescent dopant and the lowest excited triplet energy of the plurality of host compounds. It is preferable in terms of color purity, external quantum efficiency, and driving durability that the above T1 (H) min satisfies the relationship of T1 (H) min> T1 (D).

(正孔輸送性ホスト材料)
本発明の発光層に用いられる正孔輸送性ホスト材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルIpが5.1eV以上6.4eV以下であることが好ましく、5.4eV以上6.2eV以下であることがより好ましく、5.6eV以上6.0eV以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Eaが1.2eV以上3.1eV以下であることが好ましく、1.4eV以上3.0eV以下であることがより好ましく、1.8eV以上2.8eV以下であることが更に好ましい。
(Hole-transporting host material)
The hole transporting host material used in the light emitting layer of the present invention preferably has an ionization potential Ip of 5.1 eV or more and 6.4 eV or less from the viewpoint of improving durability and lowering driving voltage. It is more preferably 6.2 eV or less, and further preferably 5.6 eV or more and 6.0 eV or less. Further, from the viewpoint of improving durability and lowering driving voltage, the electron affinity Ea is preferably 1.2 eV or more and 3.1 eV or less, more preferably 1.4 eV or more and 3.0 eV or less, and 1.8 eV or more. More preferably, it is 2.8 eV or less.

このような正孔輸送性ホスト材料としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等が挙げられる。
中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、特に分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格および/または芳香族第三級アミン骨格を複数個有するものが好ましい。
このような正孔輸送性ホスト材料としての具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of such a hole transporting host material include the following materials.
Pyrrole, indole, carbazole, azaindole, azacarbazole, pyrazole, imidazole, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, aromatic tertiary Amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, Examples thereof include carbon films and derivatives thereof.
Among them, indole derivatives, carbazole derivatives, azaindole derivatives, azacarbazole derivatives, aromatic tertiary amine compounds, and thiophene derivatives are preferable, and indole skeleton, carbazole skeleton, azaindole skeleton, azacarbazole skeleton and / or aromatic are particularly preferable in the molecule. Those having a plurality of group III tertiary amine skeletons are preferred.
Specific examples of such a hole transporting host material include, but are not limited to, the following compounds.



<発光材料とホスト材料の混合比>
−正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性発光材料の混合比
本発明に於ける正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性発光材料の混合比率は、十分な発光強度を得つつ会合発光や濃度消光、正孔が発光層から漏れ出ることを抑制する観点から、発光層の総計として、質量比で95:5〜50:50が好ましく、90:10〜70:30がより好ましい。
−電子輸送性ホスト材料および正孔輸送性発光材料の混合比−
本発明に於ける電子輸送性ホスト材料および正孔輸送性発光材料の混合比率は、十分な発光強度を得つつ会合発光や濃度消光、正孔が発光層から漏れ出ることを抑制する観点から、発光層の総計として、質量比で5:95〜50:50が好ましく、10:90〜30:70がより好ましい。
<Mixing ratio of luminescent material and host material>
-Mixing ratio of hole-transporting host material and electron-transporting light-emitting material The mixing ratio of hole-transporting host material and electron-transporting light-emitting material in the present invention is such that associated light emission and concentration quenching are obtained while obtaining sufficient light emission intensity. From the viewpoint of suppressing leakage of holes from the light emitting layer, the total amount of the light emitting layer is preferably 95: 5 to 50:50, more preferably 90:10 to 70:30.
-Mixing ratio of electron transporting host material and hole transporting light emitting material-
In the present invention, the mixing ratio of the electron transporting host material and the hole transporting light-emitting material is associative light emission or concentration quenching while obtaining a sufficient light emission intensity, from the viewpoint of suppressing leakage of holes from the light emitting layer, The total amount of the light emitting layers is preferably 5:95 to 50:50, more preferably 10:90 to 30:70 in terms of mass ratio.

3.有機EL素子の構成
次に、本発明の有機EL素子の構成について、詳細に説明する。
本発明の有機EL素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層を含む複数の有機化合物層を有し、更に発光層の両側には有機化合物層が隣接して構成される。発光層に隣接している有機化合物層と電極の間には、更に有機化合物層を有していてもよい。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。通常の場合、陽極が透明である。
3. Next, the configuration of the organic EL element of the present invention will be described in detail.
The organic EL device of the present invention has a cathode and an anode on a substrate, a plurality of organic compound layers including a light emitting layer between both electrodes, and an organic compound layer adjacent to both sides of the light emitting layer. Is done. An organic compound layer may be further provided between the organic compound layer adjacent to the light emitting layer and the electrode. In view of the properties of the light emitting element, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent. Usually, the anode is transparent.

本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。   As an aspect of lamination of the organic compound layer in the present invention, an aspect in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the anode side is preferable. Further, a charge blocking layer or the like may be provided between the hole transport layer and the light-emitting layer, or between the light-emitting layer and the electron transport layer.

本発明の有機電界発光素子における有機化合物層の好適な態様は、陽極側から順に、少なくとも、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層、を有する態様である。   A preferred embodiment of the organic compound layer in the organic electroluminescence device of the present invention is, in order from the anode side, at least a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It is the aspect which has.

尚、発光層と電子輸送層との間に正孔ブロック層を有した場合には、発光層と隣接する有機化合物層は、陽極側が正孔輸送層になり、陰極側が正孔ブロック層となる。また、陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。   When the hole blocking layer is provided between the light emitting layer and the electron transporting layer, the organic compound layer adjacent to the light emitting layer is the hole transporting layer on the anode side and the hole blocking layer on the cathode side. . Further, a hole injection layer may be provided between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Each layer may be divided into a plurality of secondary layers.

<基板>
本発明で使用する基板としては、発光層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム(YSZ)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
<Board>
The substrate used in the present invention is preferably a substrate that does not scatter or attenuate light emitted from the light emitting layer. Specific examples include zirconia-stabilized yttrium (YSZ), inorganic materials such as glass, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, and polycycloolefin. , Norbornene resins, and organic materials such as poly (chlorotrifluoroethylene).
For example, when glass is used as the substrate, alkali-free glass is preferably used as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what applied barrier coats, such as a silica. In the case of an organic material, it is preferable that it is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, and workability.

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the shape of a board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The substrate structure may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members.

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。   The substrate may be colorless and transparent or colored and transparent, but is preferably colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate light emitted from the organic light emitting layer.

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
The substrate can be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
As a material for the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer), inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
When a thermoplastic substrate is used, a hard coat layer, an undercoat layer, or the like may be further provided as necessary.

<陽極>
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
<Anode>
The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. , Can be appropriately selected from known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが好ましい。   Suitable examples of the material for the anode include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples of the anode material include conductive metals such as tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Metals such as oxides, gold, silver, chromium, nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc. Organic conductive materials, and a laminate of these and ITO. Among these, conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。   The anode is composed of, for example, a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical method such as a CVD and a plasma CVD method. It can be formed on the substrate according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material to be processed. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。   In the organic electroluminescent element of the present invention, the formation position of the anode is not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting element. Is preferably formed on the substrate. In this case, the anode may be formed on the entire one surface of the substrate, or may be formed on a part thereof.

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   The patterning for forming the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching such as laser, or vacuum deposition or sputtering with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、10nm〜50μm程度であり、50nm〜20μmが好ましい。   The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material constituting the anode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 50 μm, and preferably 50 nm to 20 μm.

陽極の抵抗値としては、10Ω/□以下が好ましく、10Ω/□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。 The resistance value of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less. When the anode is transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITO又はIZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。   Note that the transparent anode is described in detail in Yutaka Sawada's “New Development of Transparent Electrode Film” published by CMC (1999), and the matters described here can be applied to the present invention. In the case of using a plastic substrate having low heat resistance, a transparent anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

<陰極>
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
<Cathode>
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element, It can select suitably from well-known electrode materials.

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。   Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include alkali metals (eg, Li, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, lithium-aluminum alloys, magnesium. -Rare earth metals such as silver alloys, indium and ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。
Among these, as a material constituting the cathode, an alkali metal or an alkaline earth metal is preferable from the viewpoint of electron injecting property, and a material mainly composed of aluminum is preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy). Etc.).

なお、陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。   The cathode materials are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and the materials described in these publications can also be applied in the present invention.

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。   There is no restriction | limiting in particular about the formation method of a cathode, According to a well-known method, it can carry out. For example, the cathode described above is configured from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. It can be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material. For example, when a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like.

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   Patterning when forming the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, physical etching by laser, or the like, or by vacuum deposition or sputtering with the mask overlaid. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
In the present invention, the cathode formation position is not particularly limited, and may be formed on the entire organic compound layer or a part thereof.
Further, a dielectric layer made of an alkali metal or alkaline earth metal fluoride or oxide may be inserted between the cathode and the organic compound layer with a thickness of 0.1 nm to 5 nm. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer. The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μm程度であり、50nm〜1μmが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1nm〜10nmの厚さに薄く成膜し、更にITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 nm to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

<有機化合物層>
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機EL素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
前述したごとく、本発明における態様の1つは、発光層に隣接して一般式(1)で表される化合物を含有する界面薄層を有する。陽極に面する側に設けられた界面薄層に一般式(1)で表される化合物を含有する場合、該界面薄層は正孔輸送層もしくは正孔輸送層と発光層との間の層である。陰極に面する側に設けられた界面薄層に一般式(1)で表される化合物を含有する場合、該界面薄層は電子輸送層もしくは電子輸送層と発光層との間の層である。
<Organic compound layer>
The organic compound layer in the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention has at least one organic compound layer including a light emitting layer, and other organic compound layers other than the light emitting layer include a hole transport layer, an electron transport layer, a charge blocking layer, a positive block layer, and the like. Examples thereof include a hole injection layer and an electron injection layer.
As described above, one of the aspects in the present invention has an interface thin layer containing a compound represented by the general formula (1) adjacent to the light emitting layer. When the interface thin layer provided on the side facing the anode contains the compound represented by the general formula (1), the interface thin layer is a hole transport layer or a layer between the hole transport layer and the light emitting layer. It is. When the compound represented by the general formula (1) is contained in the interface thin layer provided on the side facing the cathode, the interface thin layer is an electron transport layer or a layer between the electron transport layer and the light emitting layer. .

−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。
-Formation of organic compound layer-
In the organic electroluminescent element of the present invention, each layer constituting the organic compound layer is suitably formed by any of dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering, wet coating methods, transfer methods, printing methods, and ink jet methods. be able to.

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。本発明の正孔注入層、正孔輸送層に使用できる材料としては、特に限定はなく、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾール、フェニルアジンを配位子に有する金属錯体、等を含有する層であることが好ましい。
-Hole injection layer, hole transport layer-
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. The material that can be used for the hole injection layer and the hole transport layer of the present invention is not particularly limited, and may be a low molecular compound or a high molecular compound.
Specifically, pyrrole derivatives, carbazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives , Silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organic silane derivatives, carbon, phenylazole, phenylazine A layer containing a metal complex or the like is preferable.

本発明の有機EL素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。   An electron-accepting dopant can be contained in the hole injection layer or the hole transport layer of the organic EL device of the present invention. As the electron-accepting dopant introduced into the hole-injecting layer or the hole-transporting layer, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.

具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、および三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。   Specifically, examples of the inorganic compound include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride, metal oxides such as vanadium pentoxide, and molybdenum trioxide.

有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平6−212153、特開平11−111463、特開平11−251067、特開2000−196140、特開2000−286054、特開2000−315580、特開2001−102175、特開2001−160493、特開2002−252085、特開2002−56985、特開2003−157981、特開2003−217862、特開2003−229278、特開2004−342614、特開2005−72012、特開2005−166637、特開2005−209643等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
In the case of an organic compound, a compound having a nitro group, halogen, cyano group, trifluoromethyl group or the like as a substituent, a quinone compound, an acid anhydride compound, fullerene, or the like can be preferably used.
In addition, JP-A-6-212153, JP-A-11-111463, JP-A-11-251067, JP-A-2000-196140, JP-A-2000-286054, JP-A-2000-315580, JP-A-2001-102175, JP-A-2001-2001. -160493, JP2002-252085, JP2002-56985, JP2003-157981, JP2003-217862, JP2003-229278, JP2004-342614, JP2005-72012, JP20051666667 The compounds described in JP-A-2005-209643 and the like can be preferably used.

これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して0.01質量%〜50質量%であることが好ましく、0.05質量%〜20質量%であることが更に好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが特に好ましい。   These electron-accepting dopants may be used alone or in combination of two or more. Although the usage-amount of an electron-accepting dopant changes with kinds of material, it is preferable that it is 0.01 mass%-50 mass% with respect to hole transport layer material, and it is 0.05 mass%-20 mass%. It is further more preferable and it is especially preferable that it is 0.1 mass%-10 mass%.

正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜300nmであるのがより好ましく、10nm〜200nmであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜500nmであるのが好ましく、0.5nm〜300nmであるのがより好ましく、1nm〜200nmであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are each preferably 500 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.
The thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 300 nm, and still more preferably 10 nm to 200 nm. In addition, the thickness of the hole injection layer is preferably 0.1 nm to 500 nm, more preferably 0.5 nm to 300 nm, and still more preferably 1 nm to 200 nm.
The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。本発明の電子注入層、電子輸送層に使用できる材料として特に限定は無く、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
-Electron injection layer, electron transport layer-
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. The material that can be used for the electron injection layer and the electron transport layer of the present invention is not particularly limited, and may be a low molecular compound or a high molecular compound.
Specifically, pyridine derivatives, quinoline derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, phthalazine derivatives, phenanthroline derivatives, triazine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone Derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, naphthalene, perylene and other aromatic ring tetracarboxylic acid anhydrides, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivative metal complexes, Metal phthalocyanines, various metal complexes represented by metal complexes with benzoxazole and benzothiazole as ligands, organosilane derivatives represented by siloles Body, or the like is preferably a layer containing.

本発明の有機EL素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Liなどのアルカリ金属、Mgなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が4.2eV以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、およびYbなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平6−212153、特開2000−196140、特開2003−68468、特開2003−229278、特開2004−342614等に記載の材料を用いることが出来る。
The electron injection layer or the electron transport layer of the organic EL device of the present invention can contain an electron donating dopant. The electron donating dopant introduced into the electron injecting layer or the electron transporting layer only needs to have an electron donating property and a property of reducing an organic compound, such as an alkali metal such as Li or an alkaline earth metal such as Mg. Transition metals including rare earth metals and reducing organic compounds are preferably used. As the metal, a metal having a work function of 4.2 eV or less can be preferably used. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd , And Yb. Examples of the reducing organic compound include nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and phosphorus-containing compounds.
In addition, materials described in JP-A-6-212153, JP-A-2000-196140, JP-A-2003-68468, JP-A-2003-229278, JP-A-2004-342614, and the like can be used.

これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜30質量%であることが好ましく、0.1質量%〜20質量%であることが更に好ましく、0.1質量%〜10質量%であることが特に好ましい。   These electron donating dopants may be used alone or in combination of two or more. The amount of the electron-donating dopant used varies depending on the type of material, but is preferably 0.1% by mass to 30% by mass, and 0.1% by mass to 20% by mass with respect to the electron transport layer material. Is more preferable, and 0.1% by mass to 10% by mass is particularly preferable.

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
The thicknesses of the electron injection layer and the electron transport layer are each preferably 500 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.
The thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the thickness of the electron injection layer is preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.2 nm to 100 nm, and still more preferably 0.5 nm to 50 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

−ホールブロック層−
ホールブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、ホールブロック層を設けることができる。
ホールブロック層を構成する化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
ホールブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
ホールブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
-Hall block layer-
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
Examples of the compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, phenanthroline derivatives such as BCP, and the like.
The thickness of the hole blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm.
The hole block layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
ホールブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
-Electronic block layer-
The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side. In the present invention, an electron blocking layer can be provided as the organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
As examples of the compound constituting the electron blocking layer, for example, those mentioned as the hole transport material described above can be applied.
The thickness of the electron blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm.
The hole block layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

<保護層>
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属、MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、TiO等の金属酸化物、SiN、SiN等の金属窒化物、MgF、LiF、AlF、CaF等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。
<Protective layer>
In the present invention, the entire organic EL element may be protected by a protective layer.
As a material contained in the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe 2 O. 3 , metal oxides such as Y 2 O 3 , TiO 2 , metal nitrides such as SiN x , SiN x O y , metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 , CaF 2 , polyethylene, polypropylene, polymethyl Monomer mixture containing methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer Copolymer obtained by copolymerization, cyclic in the copolymer main chain Examples thereof include a fluorine-containing copolymer having a structure, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, and a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less.

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。   The method for forming the protective layer is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency) Excited ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method can be applied.

<封止>
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。
<Sealing>
Furthermore, the organic electroluminescent element of this invention may seal the whole element using a sealing container.
Further, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in a space between the sealing container and the light emitting element. Although it does not specifically limit as a moisture absorber, For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride Cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide, and the like. The inert liquid is not particularly limited, and examples thereof include paraffins, liquid paraffins, fluorinated solvents such as perfluoroalkane, perfluoroamine, and perfluoroether, chlorinated solvents, and silicone oils. Can be mentioned.

<駆動>
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
<Drive>
The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Obtainable.
The driving method of the organic electroluminescence device of the present invention is described in JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234658, and JP-A-8-2441047. The driving method described in each publication, Japanese Patent No. 2784615, US Pat. Nos. 5,828,429, 6023308, and the like can be applied.

本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する(例えば微細な凹凸パターンを形成する)、基板・ITO層・有機層の屈折率を制御する、基板・ITO層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。   The light-emitting element of the present invention can improve the light extraction efficiency by various known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate / ITO layer / organic layer, controlling the film thickness of the substrate / ITO layer / organic layer, etc. It is possible to improve light extraction efficiency and external quantum efficiency.

本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。   The light-emitting element of the present invention may be a so-called top emission type in which light emission is extracted from the anode side.

(本発明の用途)
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
(Use of the present invention)
The organic electroluminescence device of the present invention can be suitably used for display devices, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communications, and the like.

本発明について実施例を用いて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   The present invention will be specifically described using examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例1
<有機EL素子の作製>
(比較の有機EL素子Aの作製)
1)陽極の形成
25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上に酸化インジウム錫(以後、ITOと略記)を100nmの厚さで蒸着し製膜したもの(東京三容真空(株)製)を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄した。
2)正孔注入・輸送層
Example 1
<Production of organic EL element>
(Production of Comparative Organic EL Element A)
1) Formation of anode An indium tin oxide film (hereinafter abbreviated as ITO) is deposited on a 25 mm × 25 mm × 0.7 mm glass substrate to a thickness of 100 nm (Tokyo Sanyo Vacuum Co., Ltd.). A transparent support substrate was used. This transparent support substrate was etched and washed.
2) Hole injection / transport layer

正孔注入層:4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATAと略記する)および2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQと略記する)を2−TNATAに対してF4−TCNQが1.0質量%となるように共蒸着した。厚み160nmであった。
正孔輸送層:N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(α−NPDと略記する)、厚み10nm。
Hole injection layer: 4,4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (abbreviated as 2-TNATA) and 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8, 8-tetracyanoquinodimethane (abbreviated as F4-TCNQ) was co-deposited so that F4-TCNQ was 1.0 mass% with respect to 2-TNATA, and the thickness was 160 nm.
Hole transport layer: N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviated as α-NPD), thickness 10 nm.

3)発光層
発光層(I):正孔輸送性ホスト材料N,N’−ジカルバゾリル−1,3−ベンゼン(mCPと略記する)と多価金属錯体Pt−1を共蒸着した。mCPとPt−1の混合比率が85質量:15質量%となるように各成分の蒸着速度を調整した。発光層の膜厚は67nmであった。
3) Light-emitting layer Light-emitting layer (I): hole transporting host material N, N′-dicarbazolyl-1,3-benzene (abbreviated as mCP) and polyvalent metal complex Pt-1 were co-deposited. The vapor deposition rate of each component was adjusted so that the mixing ratio of mCP and Pt-1 was 85 mass: 15 mass%. The film thickness of the light emitting layer was 67 nm.

4)電子輸送層、電子注入層
続いて、発光層の上に、下記の電子輸送層、および電子注入層を設けた。
電子輸送層:Aluminum(III)bis(2−methyl−8−quinolinato)−4−phenylphenolate(BAlqと略記する)を厚み39nmに蒸着した。
電子注入層:バソクプロイン(BCPと略記する)を厚み1nmに蒸着した。
4) Electron transport layer and electron injection layer Subsequently, the following electron transport layer and electron injection layer were provided on the light emitting layer.
Electron transport layer: Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) -4-phenylphenolate (abbreviated as BAlq) was deposited to a thickness of 39 nm.
Electron injection layer: Bathocuproine (abbreviated as BCP) was deposited to a thickness of 1 nm.

5)陰極の形成
さらに、LiFを厚み1nmに蒸着後、シャドウマスクによりパターニングして陰極として厚み100nmのAlを設けた。各層はいずれも抵抗加熱真空蒸着により設けた。
5) Formation of cathode Further, LiF was deposited to a thickness of 1 nm, and then patterned by a shadow mask to provide Al having a thickness of 100 nm as a cathode. Each layer was provided by resistance heating vacuum deposition.

作製した積層体を、窒素ガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ製)を用いて封止した。   The produced laminate was put in a glove box substituted with nitrogen gas, and sealed with a glass sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by CHI Nagase).

(本発明の有機EL素子1〜3の作製)
比較の有機EL素子Aの作製において、発光層を分割し、分割発光層、下記の界面薄層および中間薄層を用いた以外は比較の有機EL素子Aの作製と全く同様にして本発明の有機EL素子1〜3を作製した。
分割発光層:比較の有機EL素子Aの発光層と同一の組成で蒸着厚みのみを変更した。
界面薄層および中間薄層の構成:一般式(1)の化合物AD1を表1に示す厚みで蒸着した。
(Preparation of organic EL elements 1 to 3 of the present invention)
In the production of the comparative organic EL element A, the light emitting layer was divided and the divided light emitting layer, the interface thin layer and the intermediate thin layer described below were used, and the production of the present invention was performed in exactly the same manner as in the production of the comparative organic EL element A. Organic EL elements 1 to 3 were produced.
Separate light emitting layer: Only the vapor deposition thickness was changed with the same composition as the light emitting layer of the comparative organic EL element A.
Composition of interfacial thin layer and intermediate thin layer: Compound AD1 of general formula (1) was deposited in the thickness shown in Table 1.

発光層内の配列順は正孔輸送層側からの順で下記に示す。
素子1:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/界面薄層(0.5nm)
合計厚みは63.5nmであった。
素子2:素子1と同様で、但し、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みを1.0nmに変更した。合計厚みは67nmであった。
素子3:素子1と同様で、但し、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みを2.0nmに変更した。合計厚みは74nmであった。
The arrangement order in the light emitting layer is shown below in the order from the hole transport layer side.
Element 1: Interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / Intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / interface Thin layer (0.5nm)
The total thickness was 63.5 nm.
Element 2: Same as Element 1, except that the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to 1.0 nm. The total thickness was 67 nm.
Element 3: Same as Element 1, except that the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to 2.0 nm. The total thickness was 74 nm.

(本発明の有機EL素子4〜6の作製)
素子4:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(20nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(20nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(20nm)/界面薄層(0.5nm)
合計厚みは62nmであった。
素子5:素子4と同様で、但し、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みを1.0nmに変更した。合計厚みは64nmであった。
素子6:素子4と同様で、但し、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みを2.0nmに変更した。合計厚みは68nmであった。
(Production of organic EL elements 4 to 6 of the present invention)
Element 4: Interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (20 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (20 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (20 nm) / Interface thin layer (0.5nm)
The total thickness was 62 nm.
Element 5: Same as Element 4, except that the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to 1.0 nm. The total thickness was 64 nm.
Element 6: Same as Element 4, except that the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to 2.0 nm. The total thickness was 68 nm.

(本発明の有機EL素子7〜9の作製)
素子7::分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/界面薄層(0.5nm)
合計厚みは63nmであった。
素子8:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)
合計厚みは63nmであった。
素子9:分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)
合計厚みは62.5nmであった。
(Production of organic EL elements 7 to 9 of the present invention)
Element 7: Split light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / split light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / split light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) ) / Divided luminescent layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided luminescent layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided luminescent layer (10 nm) / interface thin layer (0.5 nm)
The total thickness was 63 nm.
Element 8: interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / Intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm)
The total thickness was 63 nm.
Element 9: divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / Divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm)
The total thickness was 62.5 nm.

<有機EL素子の性能評価>
1)外部量子効率
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。その輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス(株)製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。これらの数値をもとに、輝度が360cd/mにおける外部量子効率を輝度換算法により算出した。
<Performance evaluation of organic EL elements>
1) External quantum efficiency Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica Co., Ltd., a direct current voltage was applied to each element to emit light. The brightness was measured using a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation. The emission spectrum and emission wavelength were measured using a spectrum analyzer PMA-11 manufactured by Hamamatsu Photonics. Based on these numerical values, the external quantum efficiency at a luminance of 360 cd / m 2 was calculated by a luminance conversion method.

2)駆動電圧
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。素子に流す電流値が10mA/cmとなったときの電圧を駆動電圧として測定した。
3)駆動耐久性:輝度半減時間
各素子を輝度360cd/mになるように直流電圧を印加し、連続駆動して輝度が180cd/mになるまでの時間を測定した。この輝度半減時間をもってして駆動耐久性の指標とした。
2) Driving voltage Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica Co., Ltd., a DC voltage was applied to each element to emit light. The voltage when the current value flowing through the element was 10 mA / cm 2 was measured as the drive voltage.
3) driving durability: a luminance half-life each element by applying a DC voltage so that the luminance 360 cd / m 2, the luminance was measured the time until 180 cd / m 2 is continuously driven. This luminance half time was used as an index of driving durability.

得られた結果を下記の表1にまとめた。   The results obtained are summarized in Table 1 below.


上記結果から明らかなように、比較の素子Aに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子1〜3の中で、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みが0.5nmと最も薄層の素子1が最も優れた性能を示した。本発明の素子4〜6の中でも、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みが0.5nmと最も薄層の素子4が最も優れた性能を示した。また、本発明の素子7〜9の中では、分割発光層の厚みが10nmと薄く、陽極側界面領域に界面薄層を設けた素子8が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability with respect to the comparative device A. In particular, among the elements 1 to 3 of the present invention, the thinnest element 1 showed the best performance with the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer being 0.5 nm. Among the elements 4 to 6 of the present invention, the thinnest element 4 showed the best performance, with the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer being 0.5 nm. In addition, among the elements 7 to 9 of the present invention, the element 8 in which the thickness of the divided light emitting layer was as thin as 10 nm and the interface thin layer was provided in the anode side interface region showed the most excellent performance.

実施例2
1.試料の作製
実施例1の有機EL素子1,4,7,8,及び9の作製において、界面薄層および中間薄層の構成材料AD1をAD2に変更した以外は実施例1の有機EL素子1,4,7,8,及び9の作製と全く同様にして本発明の有機EL素子10〜14を作製した。
Example 2
1. Preparation of Sample Organic EL element 1 of Example 1 except that the constituent material AD1 of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to AD2 in the preparation of organic EL elements 1, 4, 7, 8, and 9 of Example 1. , 4, 7, 8, and 9 were produced in the same manner as in the organic EL elements 10 to 14 of the present invention.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表2に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 2.


上記結果から明らかなように、本発明の実施例1の比較の素子Aに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子10〜14の中でも、分割発光層の厚みが10nmと薄く、陽極側と陰極側の両界面領域に界面薄層を設けた素子10が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability compared to the device A of Comparative Example 1 of the present invention. Had. In particular, among the elements 10 to 14 of the present invention, the element 10 in which the thickness of the divided light emitting layer is as thin as 10 nm and the interface thin layer is provided in both the anode side and cathode side interface regions showed the most excellent performance.

実施例3
1.試料の作製
実施例2の有機EL素子10〜14の作製において、界面薄層および中間薄層の構成材料AD2をAD3に変更した以外は実施例2の有機EL素子10〜14の作製と全く同様にして本発明の有機EL素子15〜19を作製した。
Example 3
1. Preparation of Sample In the preparation of the organic EL elements 10 to 14 of Example 2, exactly the same as the preparation of the organic EL elements 10 to 14 of Example 2, except that the constituent material AD2 of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to AD3. Thus, organic EL elements 15 to 19 of the present invention were produced.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表3に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 3.

上記結果から明らかなように、本発明の実施例1の比較の素子Aに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子15〜19の中でも、陽極側と陰極側の両界面領域に界面薄層を設けた素子15が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability compared to the device A of Comparative Example 1 of the present invention. Had. In particular, among the elements 15 to 19 of the present invention, the element 15 provided with an interface thin layer in both the anode side and cathode side interface regions showed the most excellent performance.

実施例4
1.試料の作製
実施例2の有機EL素子10〜14の作製において、界面薄層および中間薄層の構成材料AD2をAD4に変更した以外は実施例2の有機EL素子10〜14の作製と全く同様にして本発明の有機EL素子20〜24を作製した。
Example 4
1. Preparation of Sample In the preparation of the organic EL elements 10 to 14 of Example 2, the same as the preparation of the organic EL elements 10 to 14 of Example 2, except that the constituent material AD2 of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to AD4. Thus, organic EL elements 20 to 24 of the present invention were produced.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表4に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 4.

上記結果から明らかなように、本発明の実施例1の比較の素子Aに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子20〜24の中でも、分割発光層の厚みが10nmと薄く、陽極側と陰極側の両界面領域に界面薄層を設けた素子20が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability compared to the device A of Comparative Example 1 of the present invention. Had. In particular, among the devices 20 to 24 of the present invention, the device 20 in which the thickness of the divided light emitting layer was as thin as 10 nm and the interface thin layer was provided in both the anode side and cathode side interface regions showed the most excellent performance.

実施例5
1.試料の作製
実施例1の有機EL素子の作製において、発光材料Pt−1をPt−2に変更した以外は実施例1の有機EL素子の作製と全く同様にして比較の有機EL素子Bおよび本発明の有機EL素子25〜33を作製した。
Example 5
1. Preparation of Sample In the preparation of the organic EL element of Example 1, the comparative organic EL element B and the present invention were exactly the same as the preparation of the organic EL element of Example 1 except that the light emitting material Pt-1 was changed to Pt-2. Inventive organic EL elements 25 to 33 were prepared.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表5に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 5.

得られた結果を下記の表5にまとめた。   The results obtained are summarized in Table 5 below.


上記結果から明らかなように、比較の素子Bに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子25〜27の中で、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みが0.5nmと最も薄層の素子25が最も優れた性能を示した。本発明の素子28〜30の中でも、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みが0.5nmと最も薄層の素子28が最も優れた性能を示した。また、本発明の素子31〜33の中では、陽極側界面領域に界面薄層を設けた素子32が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability with respect to the comparative device B. In particular, among the elements 25 to 27 of the present invention, the element 25 having the thinnest layer showed the best performance with the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer being 0.5 nm. Among the elements 28 to 30 of the present invention, the thinnest element 28 showed the best performance, with the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer being 0.5 nm. Among the elements 31 to 33 of the present invention, the element 32 provided with the interface thin layer in the anode side interface region showed the most excellent performance.

実施例6
1.試料の作製
実施例5の有機EL素子25,28,及び31〜33の作製において、界面薄層および中間薄層の構成材料AD1をAD2に変更した以外は実施例1の有機EL素子25,28,及び31〜33の作製と全く同様にして本発明の有機EL素子34〜38を作製した。
Example 6
1. Preparation of Sample Organic EL elements 25 and 28 of Example 1 except that in the preparation of organic EL elements 25 and 28 and 31 to 33 of Example 5, the constituent material AD1 of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to AD2. The organic EL elements 34 to 38 of the present invention were produced in exactly the same manner as the production of 31 and 33.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表6に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 6.


上記結果から明らかなように、本発明の実施例5の比較の素子Bに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子34〜38の中でも、分割発光層の厚みが10nmと薄く、陽極側と陰極側の両界面領域に界面薄層を設けた素子34が最も優れた性能を示した。   As is apparent from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability compared to the comparative device B of Example 5 of the present invention. Had. In particular, among the elements 34 to 38 of the present invention, the element 34 in which the thickness of the divided light emitting layer was as thin as 10 nm and the interface thin layer was provided in both the anode side and cathode side interface regions showed the most excellent performance.

実施例7
1.試料の作製
実施例6の有機EL素子34〜38の作製において、界面薄層および中間薄層の構成材料をAD3に変更した以外は実施例6の有機EL素子34〜38の作製と全く同様にして本発明の有機EL素子39〜43を作製した。
Example 7
1. Sample Preparation In the manufacture of the organic EL elements 34 to 38 of Example 6, the same procedure as that of the organic EL elements 34 to 38 of Example 6 was performed except that the constituent material of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to AD3. Thus, organic EL elements 39 to 43 of the present invention were produced.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表7に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 7.

上記結果から明らかなように、本発明の実施例5の比較の素子Bに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子39〜43の中でも、分割発光層の厚みが10nmと薄く、陽極側と陰極側の両界面領域に界面薄層を設けた素子39が最も優れた性能を示した。   As is apparent from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability compared to the comparative device B of Example 5 of the present invention. Had. In particular, among the elements 39 to 43 of the present invention, the element 39 in which the thickness of the divided light emitting layer was as thin as 10 nm and the interface thin layer was provided in both the anode side and cathode side interface regions showed the most excellent performance.

実施例8
1.試料の作製
実施例6の有機EL素子34〜38の作製において、界面薄層および中間薄層の構成材料をAD4に変更した以外は実施例6の有機EL素子34〜38の作製と全く同様にして本発明の有機EL素子44〜48を作製した。
Example 8
1. Sample Preparation In the manufacture of the organic EL elements 34 to 38 in Example 6, the same procedure as in the preparation of the organic EL elements 34 to 38 in Example 6 was performed except that the constituent materials of the interface thin layer and the intermediate thin layer were changed to AD4. Thus, organic EL elements 44 to 48 of the present invention were produced.

2.性能評価
実施例1と同様に評価した結果を表8に示した。
2. Performance Evaluation The results evaluated in the same manner as in Example 1 are shown in Table 8.

上記結果から明らかなように、本発明の実施例5の比較の素子Bに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子44〜48の中でも、分割発光層の厚みが10nmと薄く、陽極側と陰極側の両界面領域に界面薄層を設けた素子44が最も優れた性能を示した。   As is apparent from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability compared to the comparative device B of Example 5 of the present invention. Had. In particular, among the elements 44 to 48 of the present invention, the element 44 in which the thickness of the divided light emitting layer was as thin as 10 nm and the interface thin layer was provided in both the anode side and cathode side interface regions showed the most excellent performance.

実施例9
1.試料の作製
実施例1の有機EL素子の作製において、発光層を下記の層に変更した以外は実施例1の有機EL素子の作製と全く同様にして比較および本発明の有機EL素子49〜52を作製した。
Example 9
1. Preparation of Sample In the preparation of the organic EL element of Example 1, the comparison and the organic EL elements 49 to 52 of the present invention were made in exactly the same manner as the preparation of the organic EL element of Example 1 except that the light emitting layer was changed to the following layer. Was made.

(比較の有機EL素子C)
発光層(c):ホスト材料N,N’−di−carbazolyl−4,4’−biphenyl(CBPと略記する)と発光材料fac−tris(2−phenylpyridinate−N,C2’)Iridium(III)(Ir(ppy)と略記する)をCBPに対してIr(ppy)が5質量%となるように共蒸着した。発光層の膜厚は30nmであった。
(Comparison organic EL element C)
Light-emitting layer (c): host material N, N′-di-carbazolyl-4,4′-biphenyl (abbreviated as CBP) and light-emitting material fac-tris (2-phenylpyridinate-N, C2 ′) Iridium (III) ( Ir (ppy) 3 Ir the abbreviated) against CBP and (ppy) 3 were co-deposited to a 5 mass%. The thickness of the light emitting layer was 30 nm.

(比較の有機EL素子D)
発光層(d):ホスト材料BAlqと発光材料tris(1−phenylisoquinolinate)Iridium(III)(Ir(piq)と略記する)をBAlqに対してIr(piq)が5質量%となるように共蒸着した。発光層の膜厚は30nmであった。
(Comparison organic EL element D)
Light-emitting layer (d): host material BAlq and light-emitting material tris (1-phenylisoquinolinate) Iridium (III) (abbreviated as Ir (piq) 3 ) so that Ir (piq) 3 is 5% by mass with respect to BAlq. Co-deposited. The thickness of the light emitting layer was 30 nm.

(比較の有機EL素子E)
発光層(e):一般式(1)の化合物AD1と発光材料Ir(piq)を一般式(1)の化合物AD1に対してIr(piq)が7質量%となるように共蒸着した。発光層の膜厚は30nmであった。
(Comparison organic EL element E)
Light emitting layer (e): Compound AD1 of general formula (1) and light emitting material Ir (piq) 3 were co-deposited so that Ir (piq) 3 was 7% by mass with respect to compound AD1 of general formula (1). . The thickness of the light emitting layer was 30 nm.

(本発明の有機EL素子49の作製)
比較の有機EL素子Cの作製において、発光層を分割し、分割発光層、下記の界面薄層および中間薄層を用いた以外は比較の有機EL素子Cの作製と全く同様にして本発明の有機EL素子49を作製した。
分割発光層:比較の有機EL素子Cの発光層と同一の組成で蒸着厚みのみを変更した。
界面薄層および中間薄層の構成:一般式(1)で表される化合物AD1を表9に示す厚みで蒸着した。
(Preparation of the organic EL element 49 of the present invention)
In the production of the comparative organic EL element C, the light emitting layer was divided, and the divided light emitting layer, the interface thin layer and the intermediate thin layer described below were used, and exactly the same as the production of the comparative organic EL element C. An organic EL element 49 was produced.
Divided light emitting layer: Only the deposition thickness was changed with the same composition as the light emitting layer of the comparative organic EL device C.
Composition of interfacial thin layer and intermediate thin layer: Compound AD1 represented by the general formula (1) was vapor-deposited with the thickness shown in Table 9.

発光層内の配列順は正孔輸送層側からの順で下記に示す。
素子49:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/界面薄層(0.5nm)
合計厚みは63.5nmであった。
The arrangement order in the light emitting layer is shown below in the order from the hole transport layer side.
Element 49: interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / Intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / interface Thin layer (0.5nm)
The total thickness was 63.5 nm.

(本発明の有機EL素子50の作製)
比較の有機EL素子Dの作製において、発光層を分割し、分割発光層、下記の界面薄層および中間薄層を用いた以外は比較の有機EL素子Dの作製と全く同様にして本発明の有機EL素子50を作製した。
分割発光層:比較の有機EL素子Dの発光層と同一の組成で蒸着厚みのみを変更した。
界面薄層および中間薄層の構成:一般式(1)で表される化合物AD1を表9に示す厚みで蒸着した。
(Preparation of the organic EL device 50 of the present invention)
In the production of the comparative organic EL element D, the light emitting layer was divided, and the divided light emitting layer, the interface thin layer and the intermediate thin layer described below were used, and exactly the same as the production of the comparative organic EL element D of the present invention. An organic EL element 50 was produced.
Divided light emitting layer: Only the vapor deposition thickness was changed with the same composition as the light emitting layer of the comparative organic EL device D.
Composition of interfacial thin layer and intermediate thin layer: Compound AD1 represented by the general formula (1) was vapor-deposited with the thickness shown in Table 9.

発光層内の配列順は正孔輸送層側からの順で下記に示す。
素子50:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/界面薄層(0.5nm)
合計厚みは63.5nmであった。
The arrangement order in the light emitting layer is shown below in the order from the hole transport layer side.
Element 50: interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / Intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / interface Thin layer (0.5nm)
The total thickness was 63.5 nm.

2.性能評価
得られた素子について実施例1と同様に性能を評価した。結果を表9示した。
その結果、上記結果から明らかなように、比較の素子Cに対して本発明の素子49、比較の素子Dに対して本発明の素子50は、それぞれ予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧、且つ高い駆動耐久性を有していた。なお、一般式(1)の化合物AD1を発光層に用いた比較の素子Eについては、発光しなかった。
2. Performance Evaluation The performance of the obtained device was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 9.
As a result, as is clear from the above results, the device 49 of the present invention with respect to the comparative device C and the device 50 of the present invention with respect to the comparative device D have unexpectedly high external quantum efficiency and low driving voltage, respectively. And high driving durability. The comparative device E using the compound AD1 of the general formula (1) in the light emitting layer did not emit light.

実施例10
1.有機EL素子の作製
(比較の有機EL素子Fの作製)
1)陽極の形成
25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上に酸化インジウム錫(以後、ITOと略記)を100nmの厚さで蒸着し製膜したもの(東京三容真空(株)製)を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄した。
2)正孔注入層、正孔輸送層
Example 10
1. Preparation of organic EL element (production of comparative organic EL element F)
1) Formation of anode An indium tin oxide film (hereinafter abbreviated as ITO) is deposited on a 25 mm × 25 mm × 0.7 mm glass substrate to a thickness of 100 nm (Tokyo Sanyo Vacuum Co., Ltd.). A transparent support substrate was used. This transparent support substrate was etched and washed.
2) Hole injection layer, hole transport layer

正孔注入層:2−TNATAおよびF4−TCNQを2−TNATAに対してF4−TCNQが1.0質量%となるように共蒸着した。厚み160nmであった。
正孔輸送層:α−NPDを厚み10nmに蒸着した。
Hole injection layer: 2-TNATA and F4-TCNQ were co-deposited so that F4-TCNQ was 1.0 mass% with respect to 2-TNATA. The thickness was 160 nm.
Hole transport layer: α-NPD was deposited to a thickness of 10 nm.

3)発光層
発光層(I):正孔輸送性ホスト材料H−1と多価金属錯体Pt−3を共蒸着した。H−1とPt−3の混合比率が85質量:15質量%となるように各成分の蒸着速度を調整した。発光層の膜厚は30nmであった。
3) Light emitting layer Light emitting layer (I): hole transporting host material H-1 and polyvalent metal complex Pt-3 were co-evaporated. The vapor deposition rate of each component was adjusted so that the mixing ratio of H-1 and Pt-3 was 85 mass: 15 mass%. The thickness of the light emitting layer was 30 nm.

4)電子輸送層、電子注入層
続いて、発光層の上に、下記の電子輸送層、および電子注入層を設けた。
電子輸送層:BAlqを厚み39nmに蒸着した。
電子注入層:BCPを厚み1nmに蒸着した。
4) Electron transport layer and electron injection layer Subsequently, the following electron transport layer and electron injection layer were provided on the light emitting layer.
Electron transport layer: BAlq was deposited to a thickness of 39 nm.
Electron injection layer: BCP was deposited to a thickness of 1 nm.

さらに、LiFを厚み1nmに蒸着後、シャドウマスクによりパターニングして陰極として厚み100nmのAlを設けた。各層はいずれも抵抗加熱真空蒸着により設けた。   Furthermore, after depositing LiF to a thickness of 1 nm, patterning was performed using a shadow mask to provide Al having a thickness of 100 nm as a cathode. Each layer was provided by resistance heating vacuum deposition.

作製した積層体を、窒素ガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ製)を用いて封止した。   The produced laminate was put in a glove box substituted with nitrogen gas, and sealed with a glass sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by CHI Nagase).

(本発明の有機EL素子51〜53の作製)
比較の有機EL素子Fの作製において、発光層を分割し、分割発光層、下記の界面薄層および中間薄層を用いた以外は比較の有機EL素子Fの作製と全く同様にして本発明の有機EL素子51〜53を作製した。
分割発光層:比較の有機EL素子Fの発光層と同一の組成で蒸着厚みのみを変更した。
界面薄層および中間薄層の構成:一般式(1)の化合物AD5を表10に示す厚みで蒸着した。
(Preparation of the organic EL elements 51 to 53 of the present invention)
In the production of the comparative organic EL element F, the light emitting layer was divided and the divided light emitting layer, the interface thin layer and the intermediate thin layer described below were used, and exactly the same as the production of the comparative organic EL element F of the present invention. Organic EL elements 51 to 53 were produced.
Split light emitting layer: Only the vapor deposition thickness was changed with the same composition as the light emitting layer of the comparative organic EL element F.
Composition of interfacial thin layer and intermediate thin layer: Compound AD5 of the general formula (1) was deposited in the thickness shown in Table 10.

発光層内の配列順は正孔輸送層側からの順で下記に示す。
素子51:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(10nn)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nn)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nn)界面薄層(0.5nm)
合計厚みは32nmであった。
素子52:素子1と同様で、但し、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みを1.0nmに変更した。合計厚みは34nmであった。
素子53:素子1と同様で、但し、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みを2.0nmに変更した。合計厚みは38nmであった。
The arrangement order in the light emitting layer is shown below in the order from the hole transport layer side.
Element 51: interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nn) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nn) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10nn) Interfacial thin layer (0.5 nm)
The total thickness was 32 nm.
Element 52: The same as Element 1, except that the vapor deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to 1.0 nm. The total thickness was 34 nm.
Element 53: Same as Element 1, except that the vapor deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer was changed to 2.0 nm. The total thickness was 38 nm.

(本発明の有機EL素子54〜55の作製)
素子54:分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/界面薄層(0.5nm)
合計厚みは31.5nmであった。
素子55:界面薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)/中間薄層(0.5nm)/分割発光層(10nm)
合計厚みは31.5nmであった。
(Preparation of organic EL elements 54 to 55 of the present invention)
Element 54: divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / interface thin layer (0.5 nm)
The total thickness was 31.5 nm.
Element 55: interface thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm) / intermediate thin layer (0.5 nm) / divided light emitting layer (10 nm)
The total thickness was 31.5 nm.

2.性能評価
1)外部量子効率
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。その輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス(株)製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。これらの数値をもとに、輝度が360cd/mにおける外部量子効率を輝度換算法により算出した。
2. Performance Evaluation 1) External Quantum Efficiency Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica Co., Ltd., a direct current voltage was applied to each element to emit light. The brightness was measured using a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation. The emission spectrum and emission wavelength were measured using a spectrum analyzer PMA-11 manufactured by Hamamatsu Photonics. Based on these numerical values, the external quantum efficiency at a luminance of 360 cd / m 2 was calculated by a luminance conversion method.

2)駆動電圧
東陽テクニカ(株)製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し、発光させた。素子に流す電流値が10mA/cmとなったときの電圧を駆動電圧として測定した。
3)駆動耐久性:輝度半減時間
各素子を輝度360cd/mになるように直流電圧を印加し、連続駆動して輝度が180cd/mになるまでの時間を測定した。この輝度半減時間をもってして駆動耐久性の指標とした。
2) Driving voltage Using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica Co., Ltd., a DC voltage was applied to each element to emit light. The voltage when the current value flowing through the element was 10 mA / cm 2 was measured as the drive voltage.
3) driving durability: a luminance half-life each element by applying a DC voltage so that the luminance 360 cd / m 2, the luminance was measured the time until 180 cd / m 2 is continuously driven. This luminance half time was used as an index of driving durability.

得られた結果を下記の表10にまとめた。   The results obtained are summarized in Table 10 below.


上記結果から明らかなように、比較の素子Fに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子51〜53の中で、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みが0.5nmと最も薄層の素子51が最も優れた性能を示した。また、本発明の素子54〜55の中では、陽極側界面領域に界面薄層を設けた素子55が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention had unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability with respect to the comparative device F. In particular, among the elements 51 to 53 of the present invention, the thinnest element 51 showed the best performance with the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer being 0.5 nm. In addition, among the elements 54 to 55 of the present invention, the element 55 provided with the interface thin layer in the anode side interface region showed the most excellent performance.

実施例11
(比較の有機EL素子Gの作製)
Example 11
(Production of Comparative Organic EL Element G)

実施例10における比較の素子Fにおいて発光層を下記の通り変更した以外は、比較の素子Fと同様に作製した。
発光層:正孔輸送性ホスト材料H−2と多価金属錯体Pt−3を共蒸着した。H−2とPt−3の混合比率が85質量:15質量%となるように各成分の蒸着速度を調整した。発光層の膜厚は30nmであった。
A comparative device F in Example 10 was prepared in the same manner as the comparative device F except that the light emitting layer was changed as follows.
Light emitting layer: A hole transporting host material H-2 and a polyvalent metal complex Pt-3 were co-evaporated. The vapor deposition rate of each component was adjusted so that the mixing ratio of H-2 and Pt-3 was 85 mass: 15 mass%. The thickness of the light emitting layer was 30 nm.

(本発明の有機EL素子56〜60の作製)
本発明のの有機EL素子51〜55の作製において、分割発光層を比較の素子Gの組成に変更した以外は、本発明の素子51〜55と全く同様にして本発明の有機EL素子56〜60を作製した。
(Production of organic EL elements 56 to 60 of the present invention)
In the production of the organic EL elements 51 to 55 of the present invention, the organic EL elements 56 to 55 of the present invention were exactly the same as the elements 51 to 55 of the present invention, except that the divided light emitting layer was changed to the composition of the comparative element G. 60 was produced.

得られた結果を下記の表11にまとめた。   The results obtained are summarized in Table 11 below.


上記結果から明らかなように、比較の素子Gに対して本発明の素子は、予想外に高い外部量子効率、低い駆動電圧での発光特性、且つ高い駆動耐久性を有していた。特に、本発明の素子56〜58の中で、界面薄層及び中間薄層の蒸着厚みが0.5nmと最も薄層の素子56が最も優れた性能を示した。また、本発明の素子59〜60の中では、陽極側界面領域に界面薄層を設けた素子60が最も優れた性能を示した。   As is clear from the above results, the device of the present invention has unexpectedly high external quantum efficiency, light emission characteristics at a low driving voltage, and high driving durability with respect to the comparative device G. In particular, among the elements 56 to 58 of the present invention, the thinnest element 56 showed the most excellent performance with the deposition thickness of the interface thin layer and the intermediate thin layer being 0.5 nm. In addition, among the elements 59 to 60 of the present invention, the element 60 provided with the interface thin layer in the anode side interface region showed the most excellent performance.

従来の有機EL素子の発光層とその隣接層の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the light emitting layer of the conventional organic EL element, and its adjacent layer. 本願の有機EL素子の発光層とその隣接層の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the light emitting layer of the organic EL element of this application, and its adjacent layer. 本願の別の態様の有機EL素子の発光層とその隣接層の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the light emitting layer of the organic EL element of another aspect of this application, and its adjacent layer. 本願のさらに別の態様の有機EL素子の発光層とその隣接層の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the light emitting layer of the organic EL element of another aspect of this application, and its adjacent layer.

Claims (16)

一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を挟持する有機電界発光素子であって、前記発光層の内部及び前記発光層の隣接層に面する前記発光層の領域の少なくとも一方に下記一般式(1)で表される化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子:

(一般式(1)において、R〜Rは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、シリル基を表し、該R〜Rの少なくとも1つは、二重結合あるいは三重結合を有する基である。X〜X12は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数2〜6のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、アミド基、ハロゲン原子、炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、シリル基を表す。)。
An organic electroluminescence device comprising at least one organic compound layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one of the inside of the light emitting layer and the region of the light emitting layer facing the adjacent layer of the light emitting layer An organic electroluminescent device comprising a layer containing a compound represented by the following general formula (1):

(In General Formula (1), R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, or aryl. Group, heteroaryl group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amino group, nitro group, cyano group, ester group, amide group, halogen atom, perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Represents a silyl group, and at least one of R 1 to R 4 is a group having a double bond or a triple bond, X 1 to X 12 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms; Group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, acyl group, acyloxy group, amino group, nitro group, cyano group , D Ether group, an amide group, a halogen atom, a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a silyl group.).
前記一般式(1)で表される化合物を含有する層の膜厚が、0.1nm以上3nm未満であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。   2. The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) has a thickness of 0.1 nm or more and less than 3 nm. 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が前記発光層の内部の中間薄層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an intermediate thin layer inside the light emitting layer. 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が前記発光層の陽極に面する側の界面薄層であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The layer containing the compound represented by the general formula (1) is an interface thin layer on the side facing the anode of the light-emitting layer. Organic electroluminescent element. 前記一般式(1)で表される化合物を含有する層が前記発光層の陰極に面する側の界面薄層であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   5. The layer according to claim 1, wherein the layer containing the compound represented by the general formula (1) is an interface thin layer on a side facing the cathode of the light emitting layer. Organic electroluminescent element. 前記中間薄層を前記発光層の内部に複数有し、該複数の中間薄層が互いに5nm以上20nm以下の間隔で配置されていることを特徴とする請求項3〜請求項5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The intermediate thin layer includes a plurality of intermediate thin layers inside the light emitting layer, and the plurality of intermediate thin layers are arranged at intervals of 5 nm or more and 20 nm or less. The organic electroluminescent element according to item. 前記一般式(1)で表される化合物の最高占有軌道と最低非占有軌道とのエネルギー差(Egと表記)が4.0eV以上であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   7. The energy difference (denoted as Eg) between the highest occupied orbit and the lowest unoccupied orbit of the compound represented by the general formula (1) is 4.0 eV or more. 2. The organic electroluminescent element according to item 1. 前記一般式(1)で表される化合物の三重項最低励起準位(Tと表記)が2.7eV以上であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 According to any one of claims 1 to 7, the lowest triplet excitation level of the compound represented by the general formula (1) (T 1 hereinafter) is characterized in that at least 2.7eV Organic electroluminescent element. 前記一般式(1)で表される化合物の電子親和力(Eaと表記)が2.3eV以下であることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 8, wherein the compound represented by the general formula (1) has an electron affinity (denoted as Ea) of 2.3 eV or less. . 前記一般式(1)で表される化合物のイオン化ポテンシャル(Ipと表記)が6.1eV以上であることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 9, wherein an ionization potential (denoted as Ip) of the compound represented by the general formula (1) is 6.1 eV or more. . 前記二重結合を有する基がアリール基であることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載のに記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 10, wherein the group having a double bond is an aryl group. 前記アリール基がフェニル基であることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent device according to claim 11, wherein the aryl group is a phenyl group. 前記発光層が金属錯体を含有することを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。   The organic light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains a metal complex. 前記金属錯体が3座以上の配位子を有する金属錯体であることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 13, wherein the metal complex is a metal complex having a tridentate or higher ligand. 前記金属錯体が下記一般式(A)で表される金属錯体であることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の有機電界発光素子:

(一般式(A)中、M11は金属イオンを表し、L11〜L15は、それぞれ独立に、M11に配位する配位子を表す。L11とL14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成してもよい。L15はL11及びL14の両方と結合して環状配位子を形成してもよい。Y11、Y12、Y13は、それぞれ独立に、連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Y11、Y12、又はY13が連結基である場合、L11とY12、Y12とL12、L12とY11、Y11とL13、L13とY13、Y13とL14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。n11は0〜4を表す。M11とL11〜L15との結合は、それぞれ独立に、配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。)。
The organic electroluminescent element according to claim 13 or 14, wherein the metal complex is a metal complex represented by the following general formula (A):

(In General Formula (A), M 11 represents a metal ion, and L 11 to L 15 each independently represents a ligand coordinated to M 11. An atomic group between L 11 and L 14 May be further present to form a cyclic ligand, L 15 may be bonded to both L 11 and L 14 to form a cyclic ligand, and Y 11 , Y 12 and Y 13 are Each independently represents a linking group, a single bond, or a double bond, and when Y 11 , Y 12 , or Y 13 is a linking group, L 11 and Y 12 , Y 12 and L 12 , L 12 And Y 11 , Y 11 and L 13 , L 13 and Y 13 , and Y 13 and L 14 each independently represent a single bond or a double bond, and n 11 represents 0 to 4. M binding of 11 and L 11 ~L 15 are each independently, coordinate bond, an ionic bond, Izu covalent bond But good.).
前記一般式(A)でM11が白金イオンであることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device of claim 15 wherein M 11 in the general formula (A) is characterized in that it is a platinum ion.
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