JP2009225559A - 電源装置及びそれを用いた殺菌システム - Google Patents
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Abstract
【課題】2つの専用電源回路を要することなく、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を発生することが可能な電源装置及びそのような電源装置を用いた殺菌システムを提供する。
【解決手段】電源装置は、第1スイッチング素子Q1、第2スイッチング素子Q2、第3スイッチング素子Q3及び第4スイッチング素子Q4とからなるブリッジ回路を有する電源装置であって、第1スイッチング素子Q1をオンとしている期間には、第2スイッチング素子Q2をオフとし、第3スイッチング素子Q3をオフとし、第4スイッチング素子Q4を線形動作させると共に、第2スイッチング素子Q2をオンとしている期間には、第1スイッチング素子Q1をオフとし、第4スイッチング素子Q4をオフとし、第2スイッチング素子Q2を線形動作させることを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】電源装置は、第1スイッチング素子Q1、第2スイッチング素子Q2、第3スイッチング素子Q3及び第4スイッチング素子Q4とからなるブリッジ回路を有する電源装置であって、第1スイッチング素子Q1をオンとしている期間には、第2スイッチング素子Q2をオフとし、第3スイッチング素子Q3をオフとし、第4スイッチング素子Q4を線形動作させると共に、第2スイッチング素子Q2をオンとしている期間には、第1スイッチング素子Q1をオフとし、第4スイッチング素子Q4をオフとし、第2スイッチング素子Q2を線形動作させることを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、2つの専用電源回路を要することなく、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を発生することが可能な電源装置、及びそのような電源装置を用いることによって、DEP濃縮及びPEF殺菌を行うことができる殺菌システムに関する。
近年、食品衛生などの分野においてパルス状の電界(PEF:Pulsed Electric Field)を用いた殺菌法が注目されている。このPEF殺菌法は電極間に生じる電界を用いて物理的に殺菌を行う技術である。このような物理的な殺菌法は、薬剤殺菌と比べ異物の添加が皆無であり、また加熱殺菌等と比べ飲料水等の処理対象に与える影響が少ないため品質の劣化を防げると言うことが期待されている。その一方で、液状の処理対象においては細菌が低濃度で広範囲に拡散しており、電極によって処理を行うPEF殺菌ではエネルギー効率の向上が困難であるという課題がある。
そこで、PEF殺菌を行う前段において、エネルギー消費が少なくて済む誘電泳動(DEP:DiElectroPhoresis)法によって、あらかじめ電極近傍に細菌を集めて濃縮しておき、濃縮した後に、PEF殺菌を行うことで全体として、殺菌のためのエネルギー効率を高める殺菌システムが提案されている。
例えば、特許文献1(特開2008−18392号公報)には、流体中の菌を誘電泳動により集めて濃縮する菌濃縮部と、該菌濃縮部で濃縮した菌を物理的に破壊する措置を講ずる物理的破壊手段部とを具えたことを特徴とする殺菌システムが開示されている。
特開2008−18392号公報
しかしながら、上記のような殺菌システムにおいては一対の電極に対しDEP濃縮用の低電圧高周波の正弦波とPEF殺菌用の高電圧低周波の矩形波を交互に印加しているが、この2波形を出力するに適した電源装置が無いため、それぞれの専用の電源を組み合わせて用いる必要があった。このため、殺菌システムの電源装置が大型化してしまい問題となっていた。
また、従来の殺菌システム用電源装置では、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波の切り替え方法についての具体的な記載はないが、例えば、機械式リレーによって低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を交互に切り替えるようにすると、せっかくDEP濃縮に期間に菌を集菌したにもかかわらず、切り替えの遅延の間に、菌が分散してしまったり、菌が流路の流れにのって流れてしまったりして、効率の良い殺菌が不可能となってしまう、という問題があった。
上記のような課題を解決するために、請求項1に係る発明は、第1スイッチング素子及び第3スイッチング素子を有する第1アームと、第2スイッチング素子及び第4スイッチング素子を有する第2アームとからなるブリッジ回路と、第1スイッチング素子を制御する第1制御部と、第2スイッチング素子を制御する第2制御部と、第3スイッチング素子を制御する第3制御部と、第4スイッチング素子を制御する第4制御部と、を有する電源装置であって、前記第1制御部が第1スイッチング素子をオンとしている期間には、前記第2制御部は第2スイッチング素子をオフとし、前記第3制御部は第3スイッチング素子
をオフとし、前記第4制御部は第4スイッチング素子を線形動作させると共に、前記第2制御部が第2スイッチング素子をオンとしている期間には、前記第1制御部は第1スイッチング素子をオフとし、前記第4制御部は第4スイッチング素子をオフとし、前記第2制御部は第2スイッチング素子を線形動作させることを特徴とする。
をオフとし、前記第4制御部は第4スイッチング素子を線形動作させると共に、前記第2制御部が第2スイッチング素子をオンとしている期間には、前記第1制御部は第1スイッチング素子をオフとし、前記第4制御部は第4スイッチング素子をオフとし、前記第2制御部は第2スイッチング素子を線形動作させることを特徴とする。
また、請求項2に係る発明は、オンすることによって所定の出力端子間に正の電圧を与える第5スイッチング素子と、オンすることによって所定の出力端子間に負の電圧を与える第6スイッチング素子と、第5スイッチング素子を制御する第5制御部と、第6スイッチング素子を制御する第6制御部と、を有する電源装置であって、前記第5制御部が第5スイッチング素子を線形動作させている期間には、前記第6制御部は第6スイッチング素子をオフとし、前記第6制御部が第6スイッチング素子を線形動作させている期間には、前記第5制御部は第5スイッチング素子をオフとすることを特徴とする。
また、請求項3に係る発明は、請求項1又は請求項2に記載の電源装置を用いて、電極対に電圧を印加することを特徴とする殺菌システムである。
本発明の電源装置によれば、簡単で、かつ、部品点数も少なくて済む回路構成なので、電源装置の大型化を抑制することが可能となる。また、正弦波信号源と矩形波信号源を、共通の制御部に切り替えて入力するだけで、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を発生することが可能となる。
また、本発明の電源装置によれば、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を高速に切り替えることが可能となる。
また、本発明の殺菌システムによれば、2つの専用電源を用いることなく、一対の電極に対しDEP濃縮用の低電圧高周波の正弦波とPEF殺菌用の高電圧低周波の矩形波を交互に印加することができるので、殺菌システム自体の小型化に寄与することができる。
また、本発明の殺菌システムによれば、一対の電極に印加する2種類の電圧を高速に切り替えることが可能であるので、効率的な殺菌を行うことができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。まず、本発明の実施の形態に係る電源装置を用いるのに好適な殺菌システムについて説明する。図1は本発明の殺菌システムの概略を示すである。本発明の殺菌システムが採用しているPEF殺菌は電極間に発生させた強電界を用いて細菌等の細胞膜を破壊、物理的に殺菌を行う技術である。遠隔力によって破壊を行うため、従来の殺菌方式と比べ処理対象の変質、不純物の混入などの悪影響が無くなる。また、薬剤による殺菌では薬剤耐性菌の発生も危惧されるため、このような殺菌方法が注目を浴びている。また、本発明の殺菌システムにおいては、PEF殺菌によって効率よく殺菌を行うために、その前段にDEP濃縮を行っている。
図1はこのような本発明の殺菌システムに用いるための電源を含んだ概略図であり、図1に示す殺菌システムにおいて、10は殺菌システム用電極対、20はスイッチ、30は低電圧・高周波電圧源、40は高電圧・低周波電圧源をそれぞれ示している。
殺菌システム用電極対10は、殺菌システムの処理対象となる細菌を含んだ流路を挟むようにして対向している。なお、図1では殺菌システム用電極対10は平行平板として示しているが、本発明の殺菌システムにおける電極の形状がこのよう平行平板状のもののみに限定されるわけではない。低電圧・高周波電圧源30は、DEP濃縮用の電圧源であり
、高電圧・低周波電圧源40はPEF殺菌用の電圧源であり、スイッチ20によって殺菌システム用電極対10に印加する電圧源をどちらにするかを選択するように構成されている。なお、本発明は、低電圧・高周波電圧源30、高電圧・低周波電圧源40を一体として構成したものであるが、図1では本発明の殺菌システムの概念を明確にするために別体として示している。
、高電圧・低周波電圧源40はPEF殺菌用の電圧源であり、スイッチ20によって殺菌システム用電極対10に印加する電圧源をどちらにするかを選択するように構成されている。なお、本発明は、低電圧・高周波電圧源30、高電圧・低周波電圧源40を一体として構成したものであるが、図1では本発明の殺菌システムの概念を明確にするために別体として示している。
図2は本発明の殺菌システムにおける殺菌システム用電極対10に印加される電圧波形を示す図である。本発明の殺菌システムでは殺菌システム用電極対10に対して、低電圧・高周波電圧源30によって100kHz、10Vの正弦波を、また、高電圧・低周波電圧源40によって、10Hz、100Vの矩形波を交互に印加するようにしている。なお、本実施形態においては、電圧源として、100kHz、10Vの正弦波もの及び10Hz、100Vの矩形波のものを用いる例に基づいて説明するが、本発明はこれらの波形に限定されるものではない。また、本発明の電源装置においては、それぞれの電圧源に適当な回路構成を付加することによって周波数を可変するように構成することも可能である。
本発明の殺菌システムでは、高周波正弦波によって細菌の捕集を行い高電圧矩形波によって殺菌を行うことから矩形波から正弦波への、スイッチ20による切替が遅延すると、DEP濃縮を併用するメリットが薄れてしまう。このため、正弦波と矩形波の切り替えを行う切替スイッチ20は、後述するようにスイッチング素子によって構成することで、切り替えが高速となるようにしている。
次に、本発明の殺菌システムにおけるDEP濃縮及びPEF殺菌のメカニズムの概要について説明する。図3は本発明の殺菌システムにおけるDEP濃縮のイメージを模式的に示す図であり、図4は本発明の殺菌システムにおけるPEF殺菌のイメージを模式的に示す図である。
DEP濃縮は不均一電界と複素誘電率の周波数特性とを利用して細菌や細胞を選択的に捕集する技術である。液中に存在する細胞に電界を与えたとしてそれぞれの誘電率が異なる場合、電子密度に偏りが生じて巨視的には電界と平行な電気双極子として扱える。ここで、電界が不均一である事から双極子の両端に掛かるクーロン力に偏りが生じ、細胞は電極に引き寄せられる。電界に依る分極を用いるため固有の電荷を殆ど持たない細胞や細菌に対しても電気的な力で捕集を行う事が可能である。なお、誘電泳動力には溶液や粒子が持つ複素誘電率の実部が係数として含まれており、この係数は周波数特性を持つ。このため、交流電界の周波数を調整することで選択的に細胞の捕集を行うことが可能である。
PEF殺菌では殺菌システム用電極対10に高電圧の矩形波を印加するが、殺菌システム用電極対10間に電界が発生すると、細胞膜の両側に電荷が発生する。電界が強まるとともに電荷が増えて細胞膜が圧縮され、細胞膜の両面に掛かる電圧が1Vを超えると細胞膜に小孔が形成される。さらに電界強度を高めると細胞膜に巨大な孔が形成され不可逆破壊となる。
次に、上記のような殺菌システムに用いるのに好適である本発明の実施形態に係る電源装置の概略について説明する。図5は本発明の実施の形態に係る電源装置の回路を簡略的に示す図である。図5において、Vmainは主電源、Q1乃至Q4はスイッチング素子、100はQ1制御回路、200はQ2制御回路、300はQ3制御回路、400はQ4制御回路、Rp、Rsは抵抗をそれぞれ示している。
本発明の電源装置では、第1のアームの上アームにp型MOSFETからなるスイッチング素子Q1を、第1アームの下アームにn型MOSFETからなるスイッチング素子Q2を、第2のアームの上アームにp型MOSFETからなるスイッチング素子Q2を、第2
アームの下アームにn型MOSFETからなるスイッチング素子Q4を配したフルブリッ
ジ回路が用いられる。
アームの下アームにn型MOSFETからなるスイッチング素子Q4を配したフルブリッ
ジ回路が用いられる。
このような回路の上アームについて通常はフォトカプラやパルストランスによる絶縁駆動を行うが、体積の増加や複数の独立電源が必要であるが、これを避けるため、本発明では上アームにp型MOSFETを用いて駆動回路の小型化を計っている。
また、本発明の電源装置ではこれらのスイッチング素子Q1、スイッチング素子Q2、スイッチング素子Q3、スイッチング素子Q4をそれぞれ制御するQ1制御回路100、Q2制御回路200、Q3制御回路300、Q4制御回路400が設けられており、これらの制御回路が各スイッチング素子を制御し、各スイッチング素子が主電源Vmain(以下、Vddなどとも記すことがある)を制御することで、Voutの出力電圧をコントロールする。この出力電圧Voutには、殺菌システム用電極対10が接続されることにより、全体として本発明の殺菌システムが構成される。以下、回路図においては、殺菌システム用電極対10はキャパシタとして表現することとする。
Rsは電流制限抵抗の抵抗であり、Rpはスイッチング素子のキャパシタ成分などを充放電するための抵抗である。
本発明の電源装置では、上記のような高速なスイッチング素子Q1乃至Q4を用いて、スイッチング動作等を行うようにしているので、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を高速に切り替えることが可能となる。また、このような電源装置を用いた殺菌システムによれば、一対の電極に印加する2種類の電圧を高速に切り替えることが可能であるので、効率的な殺菌を行うことができる。
次に、本発明の電源装置の動作について説明する。図6は本発明の電源装置の正弦波出力動作(低電圧・高周波数)時における各部動作状態を示す図であり、図7は本発明の電源装置の矩形波出力動作(高電圧・低周波数)時における各部動作状態を示す図である。図6に示す出力動作は本発明の殺菌システムではDEP濃縮期間の動作であり、また、図7に示す動作は本発明の殺菌システムではPEF殺菌期間の動作である。図6及び図7において、vSIGは不図示の入力信号源の電圧波形を示しており、Q1乃至Q4はスイッチン
グ素子Q1乃至Q4のドレイン−ソース間の電圧波形、出力vOUTの電圧波形をそれぞれ表
している。
グ素子Q1乃至Q4のドレイン−ソース間の電圧波形、出力vOUTの電圧波形をそれぞれ表
している。
図6に示すように、電源装置の正弦波出力動作(低電圧・高周波数)時においては、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q4、スイッチング素子Q2とスイッチング素子Q3をそれぞれ同期して動作、2組のソース接地増幅回路を構成している。入力信号vSIGを
正弦波としたときの各MOSFETの動作状態が図6に示すものである。出力が正である半周期に注目すると、スイッチング素子Q1がON状態でスイッチング素子Q4が線形動作、ほかの2つがOFF状態であり、負のときはこの逆である。電源装置の正弦波出力動作(低電圧・高周波数)時はこのように、2組のソース接地増幅回路がB級プッシュプル動作を行う。前述のペアで上アームをON状態、下アームを線形動作させると図9に示すようなソース接地増幅回路と等価に扱える。このときvGS>VTであればvOUTは、
vOUT=K(vGS−VT)2 (1)
として表すことができる。ただしK=0.5αZloadであり、αはMOSFETの特性値、VTはMOSFETの閾値電圧である。殺菌システム用電極対10のキャパシタンスを
100pFとすれば100kHzの正弦波に対して16kΩのインピーダンスを持つことになり、また式3.1より市販のMOSFETにおいてαを算出したところ、殺菌システム用電極対10のインピーダンスに比べ十分小さい(100以下)ことがわかった。このことから、線形動作時の電圧ゲインは主に殺菌システム用電極対10のキャパシタンスに
依存して変動すると考えられる。そこで、負帰還制御を行うことで電圧ゲインの安定化を図っている。この負帰還制御については、より詳しい電源装置の回路の説明において触れることとする。
正弦波としたときの各MOSFETの動作状態が図6に示すものである。出力が正である半周期に注目すると、スイッチング素子Q1がON状態でスイッチング素子Q4が線形動作、ほかの2つがOFF状態であり、負のときはこの逆である。電源装置の正弦波出力動作(低電圧・高周波数)時はこのように、2組のソース接地増幅回路がB級プッシュプル動作を行う。前述のペアで上アームをON状態、下アームを線形動作させると図9に示すようなソース接地増幅回路と等価に扱える。このときvGS>VTであればvOUTは、
vOUT=K(vGS−VT)2 (1)
として表すことができる。ただしK=0.5αZloadであり、αはMOSFETの特性値、VTはMOSFETの閾値電圧である。殺菌システム用電極対10のキャパシタンスを
100pFとすれば100kHzの正弦波に対して16kΩのインピーダンスを持つことになり、また式3.1より市販のMOSFETにおいてαを算出したところ、殺菌システム用電極対10のインピーダンスに比べ十分小さい(100以下)ことがわかった。このことから、線形動作時の電圧ゲインは主に殺菌システム用電極対10のキャパシタンスに
依存して変動すると考えられる。そこで、負帰還制御を行うことで電圧ゲインの安定化を図っている。この負帰還制御については、より詳しい電源装置の回路の説明において触れることとする。
なお、殺菌システム用電極対10がキャパシタであるため、一度vOUT=Vddまで充電
された後にvOUTを低下させるには放電する必要が有り、またスイッチング素子Q4のCossを充電する必要もある。そこで殺菌システム用電極対10と並列に接続した抵抗Rpを
通してこれらのキャパシタを充放電させる。
された後にvOUTを低下させるには放電する必要が有り、またスイッチング素子Q4のCossを充電する必要もある。そこで殺菌システム用電極対10と並列に接続した抵抗Rpを
通してこれらのキャパシタを充放電させる。
次に、電源装置の矩形波出力動作(高電圧・低周波数)について説明する。この出力動作は、殺菌システムにおけるPEF殺菌期間の動作に対応している。図7に示すように、電源装置の矩形波出力動作(高電圧・低周波数)時においては、Q1乃至Q4のMOSFETをそれぞれ独立にスイッチングさせ、±Vddを出力する2レベルインバータとして動作させる。殺菌システム用電極対10はキャパシタであるために転流の際に大きな突入電流が流れると予想される。そこでMOSFETの定格パルス電流値を超えないよう電流制限抵抗Rsを殺菌システム用電極対10はキャパシタと直列に接続している。
次に、本発明の電源装置のより詳細な回路構成について説明する。図9は本発明の実施の形態に係る電源装置の詳細な回路図である。なお、Q1制御回路100とQ2制御回路200、Q3制御回路300とQ4制御回路400とは、入力信号の極性が反転していること以外互いに相似の回路となっているので、図示省略している。図9において、VSIGは正
弦波信号源、μCOMはマイクロコンピュータ、SWはアナログスイッチ、Op11、Op41、Op42、Op43、Op44は演算増幅器、QL1はスイッチング素子(MOSFET)、R1、R2、R4、R7、R9、R10、R13、R15、R16、Rb4u、Rb4b、Rb3u、Rb3bは抵
抗をそれぞれ示している。
弦波信号源、μCOMはマイクロコンピュータ、SWはアナログスイッチ、Op11、Op41、Op42、Op43、Op44は演算増幅器、QL1はスイッチング素子(MOSFET)、R1、R2、R4、R7、R9、R10、R13、R15、R16、Rb4u、Rb4b、Rb3u、Rb3bは抵
抗をそれぞれ示している。
マイクロコンピュータμCOMは、矩形波の信号源として機能すると共に、アナログスイッチSWのための制御信号を発するように構成されている。また、アナログスイッチSWは、マイクロコンピュータμCOMが発生する矩形波信号と、正弦波信号源VSIGとを
、マイクロコンピュータμCOMからの制御信号に基づいて切り替えるものである。
、マイクロコンピュータμCOMからの制御信号に基づいて切り替えるものである。
アナログスイッチSWによって、正弦波信号源VSIGが選択されたときには、電源装置
は正弦波出力動作(低電圧・高周波数)をし、マイクロコンピュータμCOMの矩形波信号が選択されたときには、本発明の電源装置は矩形波出力動作(高電圧・低周波数)を行う。
は正弦波出力動作(低電圧・高周波数)をし、マイクロコンピュータμCOMの矩形波信号が選択されたときには、本発明の電源装置は矩形波出力動作(高電圧・低周波数)を行う。
演算増幅器Op11はコンパレータとして機能することにより、その非反転入力端子に正の信号が入力されたときに、スイッチング素子QL1をオンとする。スイッチング素子Q1
のソースが50VのVddに接続されているために、スイッチング素子QL1と抵抗R1、
R2によって構成されるレベルシフト回路でスイッチング素子Q1のゲートに印加する電圧を調整するようにしている。
のソースが50VのVddに接続されているために、スイッチング素子QL1と抵抗R1、
R2によって構成されるレベルシフト回路でスイッチング素子Q1のゲートに印加する電圧を調整するようにしている。
図10は本発明で採用したレベルシフト回路を示す図である。スイッチング素子QL1がOFF状態の時はR1、R2に電流が流れず、vgs=0であり上アームのスイッチング素子Q1はOFF状態である。スイッチング素子QL1がON状態となるとR1、R2によって電
源電圧が分圧されvGS1=vR2となり、R1とR2の比が適切ならば上アームのスイッチン
グ素子Q1はON状態となる。
源電圧が分圧されvGS1=vR2となり、R1とR2の比が適切ならば上アームのスイッチン
グ素子Q1はON状態となる。
演算増幅器Op41、演算増幅器Op42、演算増幅器Op43、演算増幅器Op44はQ4制
御回路400を構成するものであり、vGS4はスイッチング素子Q4のゲート端子へ接続さ
れる。また、右上のvDS4とVddは主回路よりの帰還信号であり、抵抗の分圧によって帰
還ゲインβを掛けられた後、演算増幅器Op43及び演算増幅器Op44のバッファアンプを通して、演算増幅器Op41、演算増幅器Op42、へ反転端子に入力される。
御回路400を構成するものであり、vGS4はスイッチング素子Q4のゲート端子へ接続さ
れる。また、右上のvDS4とVddは主回路よりの帰還信号であり、抵抗の分圧によって帰
還ゲインβを掛けられた後、演算増幅器Op43及び演算増幅器Op44のバッファアンプを通して、演算増幅器Op41、演算増幅器Op42、へ反転端子に入力される。
電源装置の正弦波出力動作(低電圧・高周波数)時においては、アナログスイッチSWを介して4つ全ての制御ブロックにvSIGが入力される。上アームはvSIGの正負をコンパレータにて判断しスイッチングを行っている。下アームのスイッチング素子に対する制御部には負帰還制御をおこなっている。図11は下アームのスイッチング素子制御部の制御ブロックを示す図である。この制御ブロックにおいてvOUTは、
vOUT=vSIG/(1/K+β) (2)
として表される。ただしKはソース接地増幅回路の電圧ゲイン、βは任意の帰還ゲインである。この式においてKが十分大きい時には、
vOUT=vSIG/β (3)
が成り立つことを利用して、負荷インピーダンスにかかわらず一定の電圧ゲインを得ている。
vOUT=vSIG/(1/K+β) (2)
として表される。ただしKはソース接地増幅回路の電圧ゲイン、βは任意の帰還ゲインである。この式においてKが十分大きい時には、
vOUT=vSIG/β (3)
が成り立つことを利用して、負荷インピーダンスにかかわらず一定の電圧ゲインを得ている。
ところで、vOUTはGNDから浮いているため実際は、厳密にvOUTの目標値を利用してフィードバックを行うことができない。そこで、
βvOUT=β(Vdd−vDS4)=βVdd−βvDS4 (4)
となることを利用している。すなわち、vOUTの代わりに、Vdd及びvDS4を利用して負帰還をかけるようにしている。図12は下アームのスイッチング素子制御部で実際に利用されている制御ブロックを示す図である。 本発明の電源装置においては、演算増幅器Op41、演算増幅器Op42による減算器で構成し(4)を実現するようにしている。演算増幅器Op41の減算器で減算(反転)された信号は演算増幅器Op42で再び減算(反転)されることから、演算増幅器Op41の入力から演算増幅器Op42の入力を減算したものが演算増幅器Op42の出力となっている。
βvOUT=β(Vdd−vDS4)=βVdd−βvDS4 (4)
となることを利用している。すなわち、vOUTの代わりに、Vdd及びvDS4を利用して負帰還をかけるようにしている。図12は下アームのスイッチング素子制御部で実際に利用されている制御ブロックを示す図である。 本発明の電源装置においては、演算増幅器Op41、演算増幅器Op42による減算器で構成し(4)を実現するようにしている。演算増幅器Op41の減算器で減算(反転)された信号は演算増幅器Op42で再び減算(反転)されることから、演算増幅器Op41の入力から演算増幅器Op42の入力を減算したものが演算増幅器Op42の出力となっている。
なお、フルブリッジ回路における全てのアームのスイッチング素子を線形動作させるフルブリッジインバータを本発明の電源装置が採用しない理由について述べる。本発明においては、第1アーム及び第2アームにおける2つのスイッチング素子のうち一方のスイッチング素子のみ線形動作せるようにしているが、第1アーム及び第2アームにおける2つのスイッチング素子の全てのスイッチング素子を線形動作させるという方式も当然ながら考え得ることである。すなわち、上下アームの接続点をVdd/2とした上で、左右レグを対称的に動作させることで殺菌システム用電極対10の両端電圧を制御する方式である。しかし、この方式の問題点として、負荷に依らず殺菌システム用電極対10の両端電圧を確定させるためには上下アームを貫通するバイアス電流が必要となり、消費電力が大きくなることが挙げられる。また、他の問題としては、上アームのMOSFETを線形駆動することが困難であること、及び、MOSFETの特性バラつきが大きく影響すること、を挙げることができる。このように、本発明の電源装置の第1アーム及び第2アームにおける2つのスイッチング素子のうち一方のスイッチング素子のみを線形動作させる方式は、全てのスイッチング素子を線形動作させる方式より有利な方式であるということがいえる。
以上のように、本発明の電源装置は、複数個のMOSFET、演算増幅器などを主体とした構成であり、簡単で、かつ、部品点数も少なくて済む回路構成となっている。しかも、正弦波信号源と矩形波信号源を、共通の制御部に切り替えて入力するだけで、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を発生することができ、それぞれのための独立した専用回路を要することなく、電源装置の大型化を抑制することが可能なる。
本発明の電源装置では、上記のような高速なスイッチング素子Q1乃至Q4を用いて、ス
イッチング動作等を行うようにしているので、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を高速に切り替えることが可能となる。
イッチング動作等を行うようにしているので、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の矩形波を高速に切り替えることが可能となる。
また、このような電源装置を用いた殺菌システムによれば、2つの専用電源を用いることなく、一対の電極に対しDEP濃縮用の低電圧高周波の正弦波とPEF殺菌用の高電圧低周波の矩形波を交互に印加することができるので、殺菌システム自体の小型化に寄与することができる。
また、本発明の殺菌システムによれば、一対の電極に印加する2種類の電圧を高速に切り替えることが可能であるので、効率的な殺菌を行うことができる。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図13は本発明の他の実施の形態に係る電源装置の回路を簡略的に示す図である。図13は本発明の他の実施の形態に係る電源装置の回路を簡略的に示す図であり、図13においてVmain1及びVmain2は主電源、Q5、Q6はスイッチング素子、500はQ5制御回路、600はQ6制御回路、Rp、Rsは抵抗をそれぞれ示している。
本実施形態においては、Vmain1及びVmain2の2つの主電源を直列に接続し、これのうちのいずれかの主電源をスイッチング素子Q5、Q6によって選択的に制御しつつVoutを発生するようにしている。また、本実施形態の電源装置では、p型MOSFETからなるスイッチング素子Q5及びn型MOSFETからなるスイッチング素子Q6が図示するように接続されており、スイッチング素子Q5、Q6が、Q5制御回路500及び
Q6制御回路600に制御されることによって、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の
矩形波の2種類の電圧Voutが出力される。
Q6制御回路600に制御されることによって、低電圧高周波の正弦波と高電圧低周波の
矩形波の2種類の電圧Voutが出力される。
図14は本発明の他の電源装置の正弦波出力動作(低電圧・高周波数)時における各部動作状態を示す図であり、図15は本発明の他の電源装置の矩形波出力動作(高電圧・低周波数)時における各部動作状態を示す図である。図14及び図15において、vSIGは
不図示の入力信号源の電圧波形を示しており、Q5Q6はスイッチング素子Q5、Q6のドレイン−ソース間の電圧波形、出力vOUTの電圧波形をそれぞれ表している。
不図示の入力信号源の電圧波形を示しており、Q5Q6はスイッチング素子Q5、Q6のドレイン−ソース間の電圧波形、出力vOUTの電圧波形をそれぞれ表している。
以上のような本発明の他の実施形態によっても、先に説明した実施形態と同様の効果を奏することが可能である。
10・・・殺菌システム用電極対、
20・・・スイッチ、
30・・・低電圧・高周波電圧源、
40・・・高電圧・低周波電圧源
100・・・Q1制御回路、
200・・・Q2制御回路、
300・・・Q3制御回路、
400・・・Q4制御回路、
500・・・Q5制御回路、
600・・・Q6制御回路
20・・・スイッチ、
30・・・低電圧・高周波電圧源、
40・・・高電圧・低周波電圧源
100・・・Q1制御回路、
200・・・Q2制御回路、
300・・・Q3制御回路、
400・・・Q4制御回路、
500・・・Q5制御回路、
600・・・Q6制御回路
Claims (3)
- 第1スイッチング素子及び第3スイッチング素子を有する第1アームと、第2スイッチング素子及び第4スイッチング素子を有する第2アームとからなるブリッジ回路と、
第1スイッチング素子を制御する第1制御部と、
第2スイッチング素子を制御する第2制御部と、
第3スイッチング素子を制御する第3制御部と、
第4スイッチング素子を制御する第4制御部と、を有する電源装置であって、
前記第1制御部が第1スイッチング素子をオンとしている期間には、前記第2制御部は第2スイッチング素子をオフとし、前記第3制御部は第3スイッチング素子をオフとし、前記第4制御部は第4スイッチング素子を線形動作させると共に、
前記第2制御部が第2スイッチング素子をオンとしている期間には、
前記第1制御部は第1スイッチング素子をオフとし、前記第4制御部は第4スイッチング素子をオフとし、前記第2制御部は第2スイッチング素子を線形動作させることを特徴とする電源装置。 - オンすることによって所定の出力端子間に正の電圧を与える第5スイッチング素子と、
オンすることによって所定の出力端子間に負の電圧を与える第6スイッチング素子と、
第5スイッチング素子を制御する第5制御部と、
第6スイッチング素子を制御する第6制御部と、を有する電源装置であって、
前記第5制御部が第5スイッチング素子を線形動作させている期間には、前記第6制御部は第6スイッチング素子をオフとし、
前記第6制御部が第6スイッチング素子を線形動作させている期間には、前記第5制御部は第5スイッチング素子をオフとすることを特徴とする電源装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の電源装置を用いて、電極対に電圧を印加することを特徴とする殺菌システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008067043A JP2009225559A (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | 電源装置及びそれを用いた殺菌システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008067043A JP2009225559A (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | 電源装置及びそれを用いた殺菌システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009225559A true JP2009225559A (ja) | 2009-10-01 |
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ID=41241751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008067043A Pending JP2009225559A (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | 電源装置及びそれを用いた殺菌システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009225559A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102874935A (zh) * | 2011-07-12 | 2013-01-16 | 北京国业世成科技发展有限公司 | 注采系统高效多功能驱油解堵、除垢防腐、杀菌灭藻装置 |
JP2016501099A (ja) * | 2012-12-17 | 2016-01-18 | アメリカン イーグル インストラメンツ インコーポレイテッドAmerican Eagle Instruments, Inc. | 放電洗浄器装置及び方法 |
JP2017104601A (ja) * | 2012-09-11 | 2017-06-15 | アメリカン イーグル インストラメンツ インコーポレイテッドAmerican Eagle Instruments, Inc. | 放電洗浄器装置及び方法 |
-
2008
- 2008-03-17 JP JP2008067043A patent/JP2009225559A/ja active Pending
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CN102874935A (zh) * | 2011-07-12 | 2013-01-16 | 北京国业世成科技发展有限公司 | 注采系统高效多功能驱油解堵、除垢防腐、杀菌灭藻装置 |
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