JP2009225014A - フィルタ装置およびチューニング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な手法、構成でフィルタ特性を調整することが可能なチューナブルフィルタ装置を提供する。
【解決手段】フィルタ装置は、誘電体基板（１１）上に形成される１以上の共振器（１２）を含む共振器フィルタパターン（１７）と、前記共振器の中の所望の共振器の上に個別に置かれ、厚さの変更が可能なチューニング部材（１５）と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、フィルタ装置とそのチューニング方法に関する。

近年、無線通信の急速な発展に伴い、高速で大容量の伝送技術が不可欠となってきている。高温超伝導体は、小型で高性能なフィルタを実現できる可能性があり、超伝導材料を配線材料として用いたマイクロストリップライン型のフィルタに対する期待が高まっている。

超伝導体は、マイクロ波など高周波領域においても、通常の電気的良導体に比べて表面抵抗が非常に小さい。このため、マイクロストリップライン型の共振器を誘電体基板上に複数並べて多段化しても、伝送損失を少なく抑えて優れた周波数特性を得ることができ、周波数資源を有効活用することができる。

ただし、超伝導フィルタを機能させるためには、７０Ｋ程度の極低温にまで冷却する必要があり、この温度環境を実現するための様々な技術が必要になる。極低温の環境を得るためには、液体窒素に直接浸漬したり、冷凍機を用いて冷却したりする方法が考えられるが、近年急速に開発が進んだ小型の冷凍機を使用することにより、容易に極低温環境を得ることが可能になってきている。超伝導フィルタの実装技術も、室温から極低温までの環境温度の変化に耐えられる構成・材料が必要不可欠になっている。

たとえば、超伝導フィルタは、誘電体基板の上に超伝導配線により共振器フィルタパターンを形成するが、誘電体基板と、これを収容する高周波シールド用の金属パッケージの間の熱収縮差が、主に信号入出力を行う電極部にかかり、接合部の破壊を起こすおそれがある。このような環境下でも充分な信頼性が確保できれば、超伝導フィルタを用いた基地局システム等が発展し、品質の良い通信環境が拡がると考えられている。

図１（ａ）は、通常のマイクロストリップライン型の超伝導フィルタの一例を示す。誘電体基板１０１の両面に超伝導膜を形成し、信号伝送面（図１（ａ）の例では上面）の超伝導膜をフォトリソグラフィなどの方法で、ヘアピン形状等の共振器１０２ａ〜１０２ｉを含む共振器フィルタパターン１０７と、信号入出力線１０３ａ、１０３ｂを形成する。信号伝送面と反対側の面（図１（ｂ）の例では裏面）に形成した超伝導膜は、グランド膜１０４となる。

実際にフィルタ装置として使用するには、図１（ｂ）の断面図に示すように、基板全体を高周波シールド用の金属パッケージ１２１に収容し、信号入出力線１０３ａ、１０３ｂの端部電極（不図示）と、ワイヤボンディング等の接続手段１２２ａ、１２２ｂにより、金属パッケージ１２１に取り付けられている同軸コネクタ１２３ａ、１２３ｂの中心導体（不図示）を電気的に接続する。裏面の超伝導膜をグランド膜１０４として機能させるために、金属パッケージ１２１の底の部分に板バネ（不図示）などを用いて密着させる。

製品として出荷する前に、金属パッケージ１２１全体を冷却して伝送特性を測定し、作製した超伝導フィルタ装置が所望の特性になっているか確認する。しかし、フォトリソグラフィのパターニング精度や、共振器フィルタパターン１０７が形成される誘電体基板１０１の板厚精度など、様々な条件が積み重なって実際の超伝導フィルタの特性が形成されるため、必ずしも所望のフィルタ特性に合致するとは限らない。所望のフィルタ特性が得られるまで超伝導フィルタの作製プロセスを繰り返すのは、現実的な解決方法とはいえない。

作製した超伝導フィルタの特性を、事後的に調整する方法が提案されている。特に、超伝導フィルタを構成する共振器の共振周波数のずれに関して、超伝導フィルタの特性を見ながら、共振器フィルタパターンそのものに、アルゴン（Ａｒ）イオンビームを照射して特性を調整摺る方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。また、超伝導フィルタを構成する共振器にサファイアロッドを近づけて特性を改善する方法が知られている（たとえば、特許文献２および非特許文献１参照）。サファイアロッドによる調整方法を多段フィルタに適用すると、図１（ｂ）に示すように、金属パッケージ１２１の天井に誘電体ロッド１１５ａ〜１１５ｉを貫通させて、共振器フィルタパターン１０７の各共振器１０２ａ〜１０２ｉの上方に、垂直移動可能に配置するための構成が必要となる。
特開２００４−２０７５０４号公報 特開２００６−９４１７２号公報 内田貴他、「サファイアロッドトリミングによる超伝導フィルタの特性改善」、低温工学Vol. 39. No. 1 (2004)

しかしながら、前者の方法では、一度パターンを過度に加工してしまった場合は、元に戻すことができない。後者の方法では、特性を調整するための構成が複雑化、大型化し、調整後の製品において大がかりな調整機構がそのまま残るので、超伝導フィルタの小型化を達成することができない。

そこで、簡単な構成でフィルタ特性を調整することのできるチューナブルなフィルタ装置と、チューニング方法の提供を課題とする。

第１の側面では、フィルタ装置は、
誘電体基板上に形成される１以上の共振器を含む共振器フィルタパターンと、
前記共振器の中の所望の共振器の上に個別に置かれ、厚さの変更が可能なチューニング部材と、
を含む。

第２の側面では、フィルタ装置は、
誘電体基板上に形成される１以上の共振器を含む共振器フィルタパターンと、
前記１以上の共振器の各々に固定される受け部と、
前記共振器のうちの所望の共振器に対応する受け部の内部に配置されるチューニング部材と、
を含む。

第３の側面では、チューニング方法が提供される。このチューニング方法は、
誘電体基板上に形成された１以上の共振器を含むフィルタ装置を冷却し、
前記冷却下で、前記フィルタ装置のフィルタ特性を観察しながら、前記１以上の共振器のうちの所望の共振器上に、チューニング部材を個別かつ置き換え可能に配置する、
ことによって前記フィルタ装置の特性を調整する。

簡単な構成でフィルタ特性を調整することができる。その結果、フィルタ装置の小型化に寄与することができる。

以下、図面を参照して、良好な実施形態を説明する。図２に、本発明の一実施形態に係るチューナブルフィルタ装置としての超伝導フィルタ装置１０の構成例を示す。図２（ａ）は、超伝導フィルタ装置１０の主要部の構成、図２（ｂ）は、高周波シールドとしての金属パッケージ２１内に収容された超伝導フィルタ装置１０の概略上面図である。

図２に示すように、超伝導フィルタ装置１０は、誘電体基板１１と、誘電体基板１１の一方の面（パターン形成面）に形成された１以上の共振器１２ａ〜１２ｉを含む共振器フィルタパターン１７と、少なくとも１つの共振器１２の上に置かれる厚さが可変のチューニング部材１５とを含む。超伝導フィルタ装置１０はまた、共振器フィルタパターン１７の近傍に延びる信号入出力線１３ａ、１３ｂと、誘電体基板１１のパターン形成面と反対側の面（裏面）に形成されるグランド膜１４とを含む。グランド膜１４と、誘電体基板１１と、共振器フィルタパターン１７及び／又は信号入出力線１３ａ、１３ｂで、マイクロストリップラインを形成する。

チューニング部材１５は、チューニングが完了するまでは置き換え自由であり、任意の共振器１２上に配置することができる。また、チューニング対象となる共振器１２ごとに、チューニング部材１５の厚さを異ならせることができる。図２（ａ）の例では、開口の向きを互い違いに配置したヘアピン形状の共振器１２ａ〜１２ｉのうち、共振器１２ａ、１２ｂ、１２ｃの開口側の端部に、厚さ０．１ｍｍの矩形のチューニング部材１５が、所望の数だけ置かれている。より具体的には、共振器１２ａ上に１枚、共振器１２ｂ上に３枚、共振器１２ｃ上に２枚のチューニング部材１５が重ねられている。同サイズ（同じ厚さ）のプレート状のチューニング部材１５を、所望の枚数だけ積み重ねることで、対応する共振器１２ａ〜１２ｃの共振特性を調整することができる。

同じサイズ、形状のチューニング部材１５を所望の枚数だけ積み重ねる代わりに、異なる厚さのチューニング部材を複数種類用意しておき、それらを取り換えて共振特性を調整することも可能である。また、チューニング部材１５の形状は、矩形プレートに限らず、円形プレート、楕円プレートなど、任意の形状とすることができる。

共振器１２ａ〜１２ｉ上に置かれるチューニング部材１５は、誘電体材料で形成され、たとえば、単結晶ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ₃などである。共振器フィルタパターン１７を構成するストリップ導体（共振器１２ａ〜１２ｉ）に高周波信号が流れると、ストリップ導体からグランド膜１４に向けて電界が放射状に発生し、電界の周りに電界と直交して磁界が発生する。各共振器１２においてそのような電磁界が発生するが、誘電率εのチューニング部材１５を目的とする共振器１２上に置くことによって、その共振器の電磁気的な結合容量を変化させ、共振特性を調整することができる。後述するように、結合容量の変化は、チューニング部材の厚さによって調整できる。所望の共振器１２上に、必要な厚さ及び／又は誘電率のチューニング部材１５を置くことによって、共振器１２ａ〜１２ｉの各々を個別に調整して、所望の特性に合わせ込むことができる。換言すると、複数の共振器１２ａ〜１２ｉの間で特性を均一に揃えることができる。

この例では、共振器１２ａ〜１２ｉ、信号入出力線１３ａ、１３ｂ、グランド膜１４は、ＹＢＣＯ（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ）などの酸化物超伝導材料の薄膜で形成されるが、少なくとも一部を良導体で構成してもよい。ＹＢＣＯを用いたときの共振器１２ａ〜１２ｉの線幅は０．５ｍｍ、ヘアピンの開口端の内側エッジ間の幅は０．５ｍｍ、ヘアピンの長さが実効波長の１／２（λ／２）である。

実際の使用では、共振器フィルタパターン１７が形成された誘電体基板１１は、図２（ｂ）に示すように、チューニング部材の配置に先立って、金属パッケージ２１内に収容される。信号入出力線１３ａ、１３ｂの端部には、蒸着等で電極２２ａ、２２ｂが形成されており、電極２２ａ、２２ｂと、同軸コネクタ２３ａ、２３ｂの中心導体２５ａ、２５ｂは、接合部２４ａ、２４ｂで電気的に接続されている。この状態で、信号を伝送させてその特性をみながら、所望の共振器１２上にチューニング部材１５を配置して、特性を調整する。

図３は、超伝導フィルタの特性をチューニングする手法を示す概略図である。まず、チューニング部材１５が配置される前の超伝導フィルタ装置１０を、金属パッケージ２１ごと真空容器３１内の冷却板３３上に搭載する。金属パッケージ２１の上蓋は、この段階では開放しておく。金属パッケージ２１の同軸コネクタ２３ａ、２３ｂを、同軸ケーブル３４で真空容器３１の同軸コネクタ３５ａ、３６ｂに接続する。真空容器３１の同軸コネクタ３５ａ、３５ｂの大気圧側は、伝送特性を測定するためのネットワークアナライザ３７に接続されており、超伝導フィルタ装置１０を冷却すれば、伝送特性を観察できるようになっている。

超伝導フィルタ装置１０を冷却し、ネットワークアナライザ３７から、同軸ケーブル３４を介して共振器フィルタパターン１７に信号を伝送させて、フィルタ波形を観察する。観察しなしながら、共振器１２ａ〜１２ｉ（図２（ａ）参照）上に、必要な量、材質、形状のチューニング部材１５を配置して、ずれている共振周波数を調整する。超伝導フィルタ装置１０の波形が所望の波形になったところで、金属パッケージ２１を室温、大気中へ戻す。調整に使用したチューニング部材１５を、低温でも密着力を保持できる接着剤で、対応する共振器１２上に固定し、金属パッケージ２１の蓋を閉めて使用に供する。

真空容器３１の中でチューニング部材１５を共振器１２上に配置する構成としては、任意の構成を採用することができる。機械的構成を採用してもよいし、手動で調整してもよい。機械的構成にする場合は、真空容器３１のたとえば天井に設けた操作窓（不図示）から、伸縮自在のアーム（不図示）を真空容器３１内に挿入して、外部から駆動制御できる機構を設けてもよい。

上述の手法によれば、調整用のレーザ加工で共振器フィルタパターン１７を加工し過ぎてしまうことはない。また、所望の厚さのチューニング部材を共振器１２上に配置するだけなので、超伝導フィルタ装置（パケージ）そのものに複雑なロッド調整機構を取り付けて装置を大型化することもない。

図４〜図１１は、実施例の構成によるフィルタ特性を実証するシミュレーションの結果を示す図である。実施にあたっては、種々のモデルを作製して電磁界シミュレーションを行い、それぞれについて伝送特性を計算する。

図４は、チューニング部材を配置する前の特性測定に用いるシミュレーションモデルの図である。このモデルでは、厚さ０．５ｍｍ、１４．５ｍｍ×１１．３ｍｍのＬａＡｌＯ₃基板１１上に、５ＧＨｚ帯のヘアピン型共振器１２と、信号入出力線１３ａ、１３ｂをＹＢＣＯ系材料で形成する。配線幅は０．１７ｍｍ、ヘアピンの両端部の間隔は、配線中心間の距離で１ｍｍである。裏面には、グランド膜１４として超伝導膜を全面に形成し、１段のマイクロストリップ型共振器とする。信号入力線１３ａを信号入力側のポート１とし、信号出力線１３ｂを信号出力側のポート２とする。

このシミュレーションモデルを用いて、特性調整前の基準として、共振器１２の基本的な伝送特性をシミュレーションする。ポート１から信号が入って、ポート１に戻ってきた特性をＳ１１（反射特性）、ポート１から信号が入ってポート２に現われる特性をＳ２１（通過特性）とする。

図５（ａ）はシミュレーション結果である信号反射（Ｓ１１）特性、図５（ｂ）は信号通過（Ｓ２１）特性のグラフである。図中、ピークにあたる部分が共振周波数となり、図４のシミュレーションモデルでは、５．２ＧＨｚ近辺に共振周波数がある。

次に、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、ヘアピン共振器１２の開口側に、チューニング部材１５として、１ｍｍ×１ｍｍの単結晶ＭｇＯ（比誘電率９．７）のプレート１５Ａを直接置いて、シミュレーションを行う。ＭｇＯプレート１５Ａの厚さｔを、０．１ｍｍ、０．３ｍｍ、０．５ｍｍと変えて、それぞれの場合の特性をシミュレーションする。この場合、たとえば０．１ｍｍの厚さのＭｇＯプレート１５Ａを１種類だけ用意して、３枚、５枚と積み重ねることによって、トータルの厚さを変えてもよいし、厚さが０．１ｍｍ、０．３ｍｍ、０．５ｍｍと異なる３種類のＭｇＯプレートを用意しておいてもよい。

図７は、図６のシミュレーションモデルでのシミュレーション結果を示す図であり、図７（ａ）は信号反射（Ｓ１１）特性、図７（ｂ）は信号通過（Ｓ２１）特性のグラフである。ＭｇＯプレート１５Ａの厚さｔが増加するにつれて、共振周波数が低周波数側にシフトする。厚さｔが０．５ｍｍでは、共振周波数が約４．５ＧＨｚとなり、図４の調整前と比較して、０．７ＧＨｚの調整量が得られることがわかる。

図８は、図６の変形例である。図８（ａ）、図８（ｂ）に示すように、このシミュレーションモデルでは、共振器１２とＭｇＯプレート１５Ａの間に、誘電率が空気に近い緩衝部材１６を挿入する。緩衝部材１６は、たとえば、厚さ０．０５ｍｍのフッ素系樹脂（比誘電率が２．０８）であるが、比誘電率が５．０以下、好ましくは３．０以下である任意の誘電体で構成することができる。緩衝部材１６を挿入したことにより、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、厚さｔが０．５ｍｍで、約０．３ＧＨｚの調整幅となる。チューニング部材としてのＭｇＯプレート１５Ａを、直接共振器１２に接触させずに済むので、超伝導薄膜のパターンに傷がつくのを防止できる。また、共振周波数を微調整したい場合に有効である。なお、緩衝部材１６を樹脂で構成した場合は、調整後の接着剤と共用することも可能である。

図１０は、図８の変形例である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示すように、このシミュレーションモデルでは、チューニング部材として、サイズが１ｍｍ×１ｍｍ、比誘電率２３．７の単結晶ＬａＡｌＯ₃プレート１５Ｂを用い、ＬａＡｌＯ₃プレート１５Ｂと共振器１２の間に、フッ素系樹脂１６を挿入する。図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように、チューニング部材１５の誘電率を上げることによって、共振周波数の変化量を増加させることができ、厚さｔが０．５ｍｍで約０．４ＧＨｚの調整量が得られる。

このように、共振器１２を構成する超伝導薄膜のパターン上に、調整部材として誘電体材料を置くだけで、簡単に共振周波数を調整することができる。この手法は、図２のように複数の共振器１２ａ〜１２ｉを多段に組んで、共振器フィルタパターン１７を構成する場合にも適用できる。この場合は、各共振器１２を個別に調整することで、全体の超伝導フィルタ特性を所望の特性にすることができる。

図１２は、さらに別のチューニング構成例を示す概略図である。図１２（ａ）に示すように、チューナブルフィルタ装置としての超伝導フィルタ装置５０において、すべての共振器１２上に、空気に近い誘電率の材料、たとえばフッ素系樹脂で形成された受け部５１が、あらかじめ固定されている。この例では、受け部５１は、カップ状の形状であるが、升状、ボウル状など、任意の形状でよい。受け部（カップ）５１の比誘電率は、５．０以下、好ましくは３．０以下である。

受け部（カップ）５１の固定は、共振器１２等が形成された誘電体基板１１を金属パッケージ２１に収容する前に、共振器１２上に固定しておいてもよい。あるいは、誘電体基板１１を金属パッケージ２１に収容し、信号入出力線１３ａ、１３ｂをワイヤボンディングなどの接合部２４ａ、２４ｂで接続した後に固定してもよい。

超伝導フィルタ装置５０を冷却して、ネットワークアナライザ（図３参照）でフィルタ波形を観察しながら、目的とする共振器１２に固定されたカップ５１の中に、所望の量のチューニング部材５３を入れる。必ずしも、すべてのカップ５１内にチューニング部材５３を入れる必要はない。チューニング部材５３は、図１２（ｂ）に示すように、プレート状の誘電体部材５５でもよいし、図１２（ｃ）に示すように、粉末状の誘電体部材６５でもよい。さらに、図示はしないが、受け部５１をシリンダ形状にした場合は、チューニング部材５３を棒状の誘電体部材としてもよい。この場合は、チューニング部材５３の取り扱いや、受け部５１の内部への搬送が容易である。

所望の特性が得られたならば、カップ５１内のチューニング部材５３（プレート状誘電体部材５５又は粉末状誘電体部材６５）の上から、空気の誘電率に近い、たとえば比誘電率が５．０以下の樹脂材料（フッ素系樹脂など）を流して封止する。その後、金属パッケージ２１に蓋をする。

上述の構成により、フィルタ装置の作製プロセスで、パターニング精度や基板の厚さのばらつき等により所望のフィルタ特性からずれてしまった場合でも、実際の伝送特性を確認しながら効率よく調整できる。この調整方法は、冷却を伴う超伝導フィルタを調整する場合に、特に有効である。また、特性調整を終えたフィルタ装置には、複雑な調整機構は残らないので、装置の小型化に寄与できる。

以上、特定の実施形態を説明してきたが、本発明は、これらの例に限定されるものではない。たとえば、実施形態では超伝導材料としてＹＢＣＯ薄膜を用いたが、任意の酸化物超伝導材料を用いることができる。たとえば、ＲＢＣＯ（Ｒ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ）系薄膜、すなわち、Ｒ元素としてＹ（イットリウム）に代えて、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏを用いた超伝導材料を用いてもよい。また、ＢＳＣＣＯ（Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ）系、ＰＢＳＣＣＯ（Ｐｂ−Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ）系、ＣＢＣＣＯ（Ｃｕ−Ｂａp−Ｃａq−Ｃｕr−Ｏx、1.5＜ｐ＜2.5、2.5＜ｑ＜3.5、3.5＜ｒ＜4.5）を超伝導材料に用いてもよい。

共振器１２のパターンは、ヘアピン型に限定されず、直線、交指形状、うずまき形状など、適切な形状を選択することができる。誘電体基板１１は、ＭｇＯ単結晶基板、ＬａＡｌＯ３基板、サファイア基板などを用いることができる。

最後に以上の説明に対して、以下の付記を添付する。
（付記１）
誘電体基板上に形成される１以上の共振器を含む共振器フィルタパターンと、
前記共振器の中の所望の共振器の上に個別に置かれ、厚さの変更が可能なチューニング部材と、
を含むフィルタ装置。
（付記２）
前記チューニング部材は、積み重ね可能な誘電体プレートである付記１に記載のフィルタ装置。
（付記３）
前記チューニング部材と、対応する前記共振器の間に挿入される緩衝部材、
をさらに含む付記１又は２に記載のフィルタ装置。
（付記４）
前記緩衝部材の比誘電率は５．０以下である付記３に記載のフィルタ装置。
（付記５）
誘電体基板上に形成される１以上の共振器を含む共振器フィルタパターンと、
前記１以上の共振器の各々に固定される受け部と、
前記共振器のうちの所望の共振器に対応する受け部の内部に配置されるチューニング部材と
を含むフィルタ装置。
（付記６）
前記受け部は、誘電率５．０以下の誘電体材料で作られている付記５に記載のフィルタ装置。
（付記７）
誘電体基板上に形成された１以上の共振器を含むフィルタ装置を冷却し、
前記冷却下で、前記フィルタ装置のフィルタ特性を観察しながら、前記１以上の共振器のうちの所望の共振器上に、チューニング部材を個別かつ置き換え可能に配置する、
ことによって前記フィルタ装置の特性を調整するチューニング方法。
（付記８）
前記所望の共振器上に、所望の枚数の誘電体プレートを積み重ねることによって、前記フィルタ装置の特性を調整する付記７に記載のチューニング方法。
（付記９）
前記１以上の共振器の各々に受け部が固定されており、
前記所望の共振器に固定されている受け部の内部に、所望の量の前記チューニング部材を配置することによって前記フィルタ特性を調整する付記７に記載のチューニング方法。

従来のチューナブルフィルタ装置の構成を示す図である。 実施形態のチューナブルフィルタの構成例を示す図であり、図２（ａ）はチューナブルフィルタ装置の主要部の概略斜視図、図２（ｂ）は、金属パッケージの上蓋がかぶせられる前の概略上面図である。 実施形態のチューニング方法を説明するための概略構成図である。 実施例に用いたシミュレーションモデルの概略図である。 図４のシミュレーションモデルから得られる伝送特性のグラフである。 図４のモデルにチューニング部材を配置する構成例の概略図である。 図６のシミュレーションモデルから得られる伝送特性のグラフである。 図６の変形例であるシミュレーションモデルの概略図である。 図８のシミュレーションモデルから得られる伝送特性のグラフである。 図６の変形例であるシミュレーションモデルの概略図である。 図１０のシミュレーションモデルから得られる伝送特性のグラフである。 実施形態のチューナブルフィルタの別の構成例を示す図である。

符号の説明

１０ チューナブルフィルタ装置（超伝導フィルタ装置）
１１ 誘電体基板
１２、１２ａ〜１２ｉ 共振器
１３ａ、１３ｂ 信号入出力線
１４ グランド膜
１５、１５Ａ、１５Ｂ、５３ チューニング部材
１６ 緩衝部材（フッ素系樹脂）
１７ 共振器フィルタパターン
２１ 金属パッケージ
２３ 同軸コネクタ
３１ 真空容器
３３ 冷却板
３７ ネットワークアナライザ
５１ 受け部（カップ）
５５ プレート状チューニング部材
６５ 粉末状チューニング部材

Claims (7)

1. 誘電体基板上に形成される１以上の共振器を含む共振器フィルタパターンと、
   前記共振器の中の所望の共振器の上に個別に置かれ、厚さの変更が可能なチューニング部材と、
   を含むフィルタ装置。
2. 前記チューニング部材は、積み重ね可能な誘電体プレートである請求項１に記載のフィルタ装置。
3. 前記チューニング部材と、対応する前記共振器の間に挿入される緩衝部材、
   をさらに含む請求項１又は２に記載のフィルタ装置。
4. 誘電体基板上に形成される１以上の共振器を含む共振器フィルタパターンと、
   前記１以上の共振器の各々に固定される受け部と、
   前記共振器のうちの所望の共振器に対応する受け部の内部に配置されるチューニング部材と
   を含むフィルタ装置。
5. 前記受け部は、誘電率５．０以下の誘電体材料で作られている請求項４に記載のフィルタ装置。
6. 誘電体基板上に形成された１以上の共振器を含むフィルタ装置を冷却し、
   前記冷却下で、前記フィルタ装置のフィルタ特性を観察しながら、前記１以上の共振器のうちの所望の共振器上に、チューニング部材を個別かつ置き換え可能に配置する、
   ことによって前記フィルタ装置の特性を調整するチューニング方法。
7. 前記所望の共振器上に、所望の枚数の誘電体プレートを積み重ねることによって、前記フィルタ装置の特性を調整する請求項６に記載のチューニング方法。

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