JP2009224752A - 半導体パッケージ構造と、これのためのリードフレーム及び伝導性組立品 - Google Patents
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Abstract
【課題】パッケージング処理中に異なる応力下で起こり得る配線の破損を防止することと、リードフレームの空間を効率的に利用して、除去する動作バーの容量をさらに低減すること。
【解決手段】発光ダイオードパッケージ構造は伝導性組立品、半導体チップ、パッケージ本体を含んでいる。伝導性組立品は、チップ支持部とボンディング支持部を含んでいる。チップ支持部にはキャリア面があり、ボンディング支持部にはキャリア面を包囲する少なくとも1個の配線部分がある。半導体チップはキャリア面上に配置され、配線を介して配線部分に電気的に接続している。次に、パッケージは、半導体チップ、配線、キャリア面、配線部分を封入するために使用され、発光ダイオードパッケージ構造を形成する。
【選択図】図4
【解決手段】発光ダイオードパッケージ構造は伝導性組立品、半導体チップ、パッケージ本体を含んでいる。伝導性組立品は、チップ支持部とボンディング支持部を含んでいる。チップ支持部にはキャリア面があり、ボンディング支持部にはキャリア面を包囲する少なくとも1個の配線部分がある。半導体チップはキャリア面上に配置され、配線を介して配線部分に電気的に接続している。次に、パッケージは、半導体チップ、配線、キャリア面、配線部分を封入するために使用され、発光ダイオードパッケージ構造を形成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、発光ダイオードパッケージ構造に関し、具体的には、発光ダイオードパッケージ構造と、これのためのリードフレーム及び伝導性組立品に関する。
光電技術の絶え間ない進歩により、発光ダイオード(LED)技術は成熟しつつある。LEDは、その長期サービス寿命、節電、小型の利点によって、照明又は警告の目的で使用される従来の白熱電球に徐々に取って代わってきた。
近年、ユーザのより高い効率性の要求を満たす高性能のLEDが開発され、中でもピラニアタイプのLEDは最も傑出している。従来のLEDと比べて、このピラニアタイプLEDはより高い輝度と、より幅広い照明角度を提供する。さらに、ピラニアタイプLEDには4本の電気ピンがあり、これらのピンは熱消散に貢献し、LEDをしっかり支持する。
近年、ユーザのより高い効率性の要求を満たす高性能のLEDが開発され、中でもピラニアタイプのLEDは最も傑出している。従来のLEDと比べて、このピラニアタイプLEDはより高い輝度と、より幅広い照明角度を提供する。さらに、ピラニアタイプLEDには4本の電気ピンがあり、これらのピンは熱消散に貢献し、LEDをしっかり支持する。
図1A、図1Bは、従来のピラニアタイプLEDのための伝導性組立品とリードフレームの概略図である。
図1Aを参照すると、従来のピラニアタイプLEDの伝導性組立品10は、チップ支持部11とボンディング支持部12を設けている。チップ支持部11は、発光チップ14を載せるためのキャリア面13がある。発光チップ14は、配線15を介してボンディング支持部12に電気的に接続し、これにより、キャリア面13が中心になったチップボンディング範囲が形成される。その後、エポキシ樹脂、シリカゲル、燐光体パウダで製造されたパッケージ本体16を使用してチップボンディング範囲を封入し、完全なピラニアタイプLEDを形成する。
図1Bを参照すると、ピン空間12.7mmを設けた共通のリードフレーム20を例にとっている。各半仕上げ状態の伝導性組立品の両側から電気ピン17が延び、それぞれ2本の動作バー21に接続していることで、半仕上げ状態の伝導性組立品が連続的に接続する。伝導性組立品の製造中に、動作バーが、自動製造の目的を達成するべく、スタンピング及び電気めっき処理を通過するためにコンベヤマシンによってクランプ留めされる。最後に、伝導性組立品のパッケージングが終了すると、動作バーが取り除かれ、ピラニアタイプLEDの単体の仕上がり製品が出来上がる。
図1Aを参照すると、従来のピラニアタイプLEDの伝導性組立品10は、チップ支持部11とボンディング支持部12を設けている。チップ支持部11は、発光チップ14を載せるためのキャリア面13がある。発光チップ14は、配線15を介してボンディング支持部12に電気的に接続し、これにより、キャリア面13が中心になったチップボンディング範囲が形成される。その後、エポキシ樹脂、シリカゲル、燐光体パウダで製造されたパッケージ本体16を使用してチップボンディング範囲を封入し、完全なピラニアタイプLEDを形成する。
図1Bを参照すると、ピン空間12.7mmを設けた共通のリードフレーム20を例にとっている。各半仕上げ状態の伝導性組立品の両側から電気ピン17が延び、それぞれ2本の動作バー21に接続していることで、半仕上げ状態の伝導性組立品が連続的に接続する。伝導性組立品の製造中に、動作バーが、自動製造の目的を達成するべく、スタンピング及び電気めっき処理を通過するためにコンベヤマシンによってクランプ留めされる。最後に、伝導性組立品のパッケージングが終了すると、動作バーが取り除かれ、ピラニアタイプLEDの単体の仕上がり製品が出来上がる。
従来のピラニアタイプLEDのパッケージ構造では、チップボンディング範囲はチップ支持部のキャリア面外周に限定され、又、発光チップは、配線とボンディング支持部を電気的に接続して形成された1つのボンディング範囲のみに依存する。そのため、パッケージング処理中に、パッケージ本体の応力変化、熱膨張、冷却収縮がパッケージ本体と伝導性組立品の接合点に集中する。さらに、樹脂材料から成るパッケージ本体の熱拡張は、金属材料から成る伝導性組立品の熱膨張係数とは異なるため、パッケージ構造内部で配線が応力(引っ張り力)の影響によって破損し易く、これによりピラニアタイプLEDが発光不能となることがある。
金属材料の価格は現在上昇を続けており、例えば、ピラニアタイプLEDに使用される銅と鉄の価格は約110〜200%上昇している。最終的には廃棄材料として廃棄される動作バーと、特大サイズのリードフレームの電気めっき処理に使用される電気めっき用銀の増加した量とが、ピラニアタイプLEDの材料コストが大幅な上昇の原因である。そのため、製造業者はこれらのコストのバランスをとるために製造価格を値上げせざるを得ない。あるいは、利益を減少させて販売を刺激しなければならい。
金属材料の価格は現在上昇を続けており、例えば、ピラニアタイプLEDに使用される銅と鉄の価格は約110〜200%上昇している。最終的には廃棄材料として廃棄される動作バーと、特大サイズのリードフレームの電気めっき処理に使用される電気めっき用銀の増加した量とが、ピラニアタイプLEDの材料コストが大幅な上昇の原因である。そのため、製造業者はこれらのコストのバランスをとるために製造価格を値上げせざるを得ない。あるいは、利益を減少させて販売を刺激しなければならい。
そのため、パッケージング処理中に異なる応力下で起こり得る配線の破損を防止することと、リードフレームの空間を効率的に利用して、除去する動作バーの容量をさらに低減することは早急な解決を要する問題である。したがって、製造業者はピラニアタイプLEDの品質を向上させ、製造コストを低減することができる。
上述の問題を斟酌し、本発明は、発光ダイオードパッケージ構造と、このためのリードフレーム及び伝導性組立品を提供することにより、従来のピラニアタイプLEDの異なる応力下での配線の破損によって製品の信頼性が低下してしまう問題を解決する。
本発明の発光ダイオードパッケージ構造は、伝導性組立品、半導体チップ、パッケージ本体を含んでいる。伝導性組立品はさらに、チップ支持部とボンディング支持部を設けている。チップ支持部にはキャリア面と、キャリア面から伸張した少なくとも1個の第1電気パッドがある。ボンディング支持部は、キャリア面を包囲し、キャリア面と噛み合った少なくとも1個の配線部分と、配線部分から延びた少なくとも1個の第2電気パッドとを具備している。半導体チップは、キャリア面上に配置されており、少なくとも1本の配線を介して配線部分と電気的に接続している。パッケージ本体は半導体チップ、配線、キャリア面、配線部分を封入して発光ダイオードパッケージ構造を形成している。
これに加えて、本発明によるボンディング支持部は、キャリア面を包囲し、これと噛み合った延長部分を設け、さらに、パッケージ本体によって封入されているため、選択可能ないくつかのボンディング範囲を設けたリードフレームが提供される。
これに加えて、本発明によるボンディング支持部は、キャリア面を包囲し、これと噛み合った延長部分を設け、さらに、パッケージ本体によって封入されているため、選択可能ないくつかのボンディング範囲を設けたリードフレームが提供される。
本発明の利点は、半導体のパッケージング中にパッケージ本体と伝導性組立品の異なる熱膨張係数により生じた内部応力(引っ張り力)によって配線が破損し易いという問題を解決するために、少なくとも1個の配線部分がボンディング支持部から延びており、このために発光ダイオードパッケージ構造の信頼性が向上する。
本発明は、以下に示す、例証のみを目的とし、したがって本発明を限定することのない詳細な記述によってさらに十分に理解される。
本発明は、以下に示す、例証のみを目的とし、したがって本発明を限定することのない詳細な記述によってさらに十分に理解される。
図2は、本発明の発光ダイオードパッケージ構造用のリードフレームを示す概略図である。本発明によるこのリードフレーム120は、チップ支持部111、ボンディング支持部112、2本の動作バー121を具備している。チップ支持部111にはキャリア面113と、それぞれのキャリア面113からY方向、及び−Y方向へ伸張した2個の第1電気パッド117がある。ボンディング支持部112は、中央配線部分1123と、この中央配線部分1123からY方向及びY方向へそれぞれ延びた2個の第2電気パッド118とを設けている。
リードフレーム120は、2本の動作バー121を具備するように設計されている。2本の動作バー121はリードフレーム120の上方側と下方側にそれぞれ配設されており、さらに、2個の第1電気パッド117と2個の第2電気パッド118にそれぞれ接続している。2本の動作バー121はさらに、搬送用の位置制御ユニット(媒体)として機能する、即ちチェーンコンベヤのように動作することで、自動製造の目的を達成する。リードフレーム120の片側(Y方向に見る)のみを考慮する限り、第1電気パッド117と第2電気パッド118が第1端部1171、第2端部1181をそれぞれ設け、2つの端部1171、1181は動作バー121内に配置されている。又さらに、2つの端部1171、1181は動作バー121の第1外部境界B1と第1内部境界B1’の間に配置されている。
したがって、電気パッド117、118の端部の位置によって、動作バー121の内部/外部境界の位置を決定することができる。 同様に、リードフレーム120のこれと反対側(−Y方向に見る)にある第1電気パッド117、第2電気パッド118も、第1端部1172、第2端部1182をそれぞれ設けており、その2つの端部は、こちら側の動作バー121の第2外部境界B2と第2内部境界B2’の間に配置されている。
本発明のリードフレーム120の構造は、上述したように、動作バーの搬送及び位置決め機能、自動スタンピング及び電気めっき処理に影響せずに、リードフレーム120の構造強度を拡張するだけでなく、従来のリードフレーム120の幅を25.4mmから20.4mmへと短縮する。これにより、リードフレーム120の総容量が大幅に減少するため、リードフレーム120に使用する材料の量と、電気めっき処理の材料及び製造コストが減少する。
これに加えて、ボンディング支持部112はキャリア面113の外周を包囲する配線位置1121、1122をさらに設けているため、選択可能ないくつかのボンディング範囲がリードフレーム120に提供される。
これに加えて、ボンディング支持部112はキャリア面113の外周を包囲する配線位置1121、1122をさらに設けているため、選択可能ないくつかのボンディング範囲がリードフレーム120に提供される。
図3A、図4は、本発明による発光ダイオードパッケージ構造と、このための伝導性組立品の斜視図である。本発明の発光ダイオードパッケージ構造100は伝導性組立品110、半導体チップ140、パッケージ本体160を含んでいる。本発明の発光ダイオードパッケージ構造100は、LEDパッケージ構造である。
本発明の伝導性組立品110はチップ支持部111とボンディング支持部112を設けている。チップ支持部111はキャリア面113及び前記キャリア面13から伸張する2個の電気パッド117がある。ボンディング支持部112は、キャリア面113の外周を包囲している2個の配線部分1121、1122と、この2個の配線部分1121、1122それぞれ延びた第2電気パッド118を装備している。第1配線150、第2配線151のそれぞれは、半導体チップ140、配線部分1121、1122に電気的に接続している。本発明では、チップ支持部111とボンディング支持部112のそれぞれに、2個の電気パッド117、118がある。チップ支持部111及びボンディング支持部112のそれぞれの電気パッド117、118の一方は、電極(図示せず)に電気的に接続して伝導性組立品110に給電するための第1端部1172、第2端部1182を設けている。又、チップ支持部111及びボンディング支持部112の他方の電気パッド117、118にもそれぞれ第1端部1171、第2端部1181があり、これらの端部が発光ダイオードパッケージ構造100の熱消散に寄与し、それによって発光ダイオードパッケージ構造100の熱消散範囲を増加させる。
さらに、2個の配線部分1121、1122とキャリア面113は噛み合い構造を形成している。複数のボンディング範囲の選択に加え、フレーム曲げ角度の内部応力の衝撃から保護された安全範囲も提供される。これにより、後続の処理で内部応力によって生じる配線破損又はフレーム変形等の問題を回避できる。
さらに、図3Bに示すように、図3A中のキャリア面113を包囲する2個の配線部分1121、1122の設計の他に、キャリア面113を包囲する単線部分1122を採用することも可能である。第2電気パッド118は、配線部分1122から延びた電極に電気的に接続している。これに加え、第1配線150は半導体チップ140と配線部分1122に電気的に接続している。
本発明の半導体チップ140は、チップ支持部111のキャリア面113上に配設された発光チップである。半導体チップ140をボンディング支持部112の一方の第2電気パッド118(電極に電気的に接続している)に電気的に接続させる第1配線150又は第2配線151を介して、半導体チップ140は光を発するように電導される。半導体チップ140の設計により、本発明のボンディング支持部112は、さらに、2個の第2電気パッド118を電極に選択的に電気的に接続させることによって、半導体チップ140が2本の配線150、151を介してボンディング支持部112の2個の配線部分1121、1122とそれぞれ接続するようにすることができ、これにより単線の破損が回避され、製品の信頼度が拡張される。
しかし、本発明による伝導性組立品110のチップ支持部111とボンディング支持部112を、それぞれが1個の電気パッド117、118を設けるように設計することも可能である。第1端部1172、第2端部1182は、電極に電気的に接続するべくそれぞれ電気パッド117、118から延びているが、しかしこれは本発明の実施形態に限定されるものではない。
さらに、図4を参照すると、パッケージ本体160は、主に燐光体パウダでコーティング又は混合したエポキシ樹脂又はシリコンで製造されており、キャリア面113、少なくとも1個の配線部分1121、1122、半導体チップ140、第1配線150を封入して発光ダイオードパッケージ構造100を形成している。ボンディング支持部112の配線部分1121、1122がキャリア面113の外周上に配置されていることで、パッケージ本体160への応力による最小の衝撃と変形に耐える安全なボンディング範囲が形成される。そのため、ボンディング支持部112とパッケージ本体160の間の樹脂及び金属材料の異なる熱膨張係数によって生じた応力衝撃を効率的に低減でき、これにより、パッケージ本体160の硬化時に生成された内部応力によって第1配線150が破損することを防止できる。
換言すれば、発光ダイオードパッケージ構造100のボンディング支持部112とチップ支持部111の噛み合わせは部分的であってよい。噛み合った範囲は、ボンディング支持部112の任意の側方に伸びた部分(例えば、X方向に見た配線部分1121、1122)とキャリア面113により形成されている。そのため、パッケージ本体160の内部応力が半導体切り欠き部上に集中せず、組み合わさった範囲(中央範囲)に集中するようになる。その結果、パッケージ本体160の硬化処理中に、パッケージ本体160と伝導性組立品110の間の接合点にて生成され外方へ引っ張られた内部応力が減少する。
さらに、第1配線150は、内部応力の外方への引っ張りが大きくなっている方向にではなく、最大応力の方向に対して垂直な位置に配置されている。
これに加え、本発明の配線部分1121、1122は、有限要素解析(FEA)の分析結果に従ってチップ支持部111のキャリア面113を包囲するように設計されている。以下に分析シミュレーションデータを記述する。従来のピラニアタイプのLEDのチップボンディング範囲の変形量は0.0172〜0.0315mmであり、本発明による「伝導性組立品110のチップボンディング範囲の変形量は0.0161〜0.0295mmで、従来のピラニアタイプのLEDよりも明らかに小さい。そのため、本発明の配線部分1121の設計は、発光ダイオードパッケージ構造100内で、パッケージ本体160に採用された材料と伝導性組立品110の材料の間の熱膨張係数の差によって生じた応力(引っ張り力)下にて第1配線150が容易に破損してしまうという問題を効率的に解決することができる。
これに加え、本発明の配線部分1121、1122は、有限要素解析(FEA)の分析結果に従ってチップ支持部111のキャリア面113を包囲するように設計されている。以下に分析シミュレーションデータを記述する。従来のピラニアタイプのLEDのチップボンディング範囲の変形量は0.0172〜0.0315mmであり、本発明による「伝導性組立品110のチップボンディング範囲の変形量は0.0161〜0.0295mmで、従来のピラニアタイプのLEDよりも明らかに小さい。そのため、本発明の配線部分1121の設計は、発光ダイオードパッケージ構造100内で、パッケージ本体160に採用された材料と伝導性組立品110の材料の間の熱膨張係数の差によって生じた応力(引っ張り力)下にて第1配線150が容易に破損してしまうという問題を効率的に解決することができる。
本発明に従った発光ダイオードパッケージ構造、及びこのためのリードフレームと伝導性組立品によれば、キャリア面を包囲する少なくとも1個の配線部分がボンディング支持部から延びることで、パッケージング中に応力(引っ張り力)下で配線が破損する確率が低下し、これにより発光ダイオードパッケージ構造の信頼度が拡張する。
Claims (15)
- 発光ダイオードパッケージ構造であって、
チップ支持部とボンディング支持部を含んだ伝導性組立品を備えており、前記チップ支持部はキャリア面を有し、又、少なくとも1個の配線部分は前記ボンディング支持部から延びたキャリア面を包囲しており、
前記キャリア面上に配置され、少なくとも1本の配線を介して前記配線部分に電気的に接続した半導体チップを備え、
前記半導体チップ、前記配線、前記キャリア面、前記配線部分を封入するパッケージ本体を備える、
発光ダイオードパッケージ構造。 - 前記キャリア面を包囲している前記2個の配線部分は前記ボンディング支持部から延びている、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記半導体チップは、任意で、前記配線を介して前記配線部分の1個に電気的に接続している、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記半導体チップは、前記2個の配線部分に2本の配線を介してそれぞれ電気的に接続している、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 発光ダイオードパッケージ構造であって、
チップ支持部とボンディング支持部を含んだ伝導性組立品を備え、前記チップ支持部はキャリア面を有し、前記ボンディング支持部は前記キャリア面と噛み合った延長部分を有しており、
前記キャリア面上に配設され、前記ボンディング支持部に電気的に接続している半導体チップを備え、
前記半導体チップ、前記配線、前記キャリア面、前記延長部分を封入するパッケージ本体を備えている、
発光ダイオードパッケージ構造。 - 前記半導体チップは、第1配線を介して前記延長部分に電気的に接続している、請求項5に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記半導体チップは、第2配線を介して前記延長部分に電気的に接続している、請求項6に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 発光ダイオードパッケージ構造のための伝導性組立品であって、
キャリア面と、前記キャリア面から延びている少なくとも1つの第1電気パッドとを含んだチップ支持部と、
前記キャリア面を包囲している少なくとも1個の配線部分と、前記配線部分から延びている少なくとも1個の第2電気パッドとを含んだボンディング支持部とを備える、
発光ダイオードパッケージ構造のための伝導性組立品。 - 前記ボンディング支持部は、前記キャリア面を包囲する2個の配線部分を備えている、請求項8に記載の発光ダイオードパッケージ構造のための伝導性組立品。
- 発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレームであって、
キャリア面と、前記キャリア面から延びた第1電気パッドとを含んだチップ支持部と、
配線部分と、前記配線部分から延びた第2電気パッドとを含んだボンディング支持部と、
前記第1電気パッドと前記第2電気パッドのそれぞれ接続した動作バーとを備え、前記動作バーは第1境界と第2境界を有し、前記第1電気パッドと前記第2電気パッドのエッジは前記第1境界と第2境界の間に配置している、
発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレーム。 - 前記ボンディング支持部は前記キャリア面を包囲する延長部分を有する、請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレーム。
- 前記ボンディング支持部は前記キャリア面を包囲する2個の延長部分を有する、請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレーム。
- 前記ボンディング支持部と前記チップ支持部は噛み合った構造を形成している、請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレーム。
- 前記噛み合った構造は、前記キャリア面と、前記配線部分から延びた2個の延長部分とによって形成されている、請求項13に記載の発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレーム。
- 前記キャリア面から延びている前記第1電気パッドの延長方向と、前記配線部分から延びている第2電気パッドの延長方向とは同じである、請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ構造のためのリードフレーム。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03100687U (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-21 | ||
JP2006086178A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Toshiba Corp | 樹脂封止型光半導体装置 |
JP2007149823A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007281250A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
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---|---|---|---|---|
TW498561B (en) * | 2000-05-04 | 2002-08-11 | Mu-Jin You | Light emitting diode, manufacturing method and metal substrate for the same |
US6476549B2 (en) * | 2000-10-26 | 2002-11-05 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode with improved heat dissipation |
JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
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US20070096133A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Lee Kian S | System and method for LED manufacturing |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPH03100687U (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-21 | ||
JP2006086178A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Toshiba Corp | 樹脂封止型光半導体装置 |
JP2007149823A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007281250A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
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