JP2009224423A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は基板処理装置に関するものであり、特に、電極間に基板を配置してプラズマ処理を行う基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus that performs plasma processing by arranging a substrate between electrodes.
基板を処理する処理ガスをプラズマ化すると、ガスがイオン、電子、ラジカル等に変化して基板表面と反応するため、熱ダメージの少ない低温での基板処理が可能となる。プラズマ処理を行う縦型の基板処理装置としては、縦型の基板処理装置の他、ヒータにより加熱される灼熱管と、灼熱管内に配置される反応管との間に、プラズマを発生させる電極を、円周方向に交互に配置した処理装置が知られているが、電極が反応管の外側に設置されており、基板までの距離が遠ざかってしまうので、基板外周部にプラズマが集中してしまい、基板中心部でのプラズマ密度が小さくなってしまう問題がある。 When the processing gas for processing the substrate is changed to plasma, the gas changes into ions, electrons, radicals, etc. and reacts with the substrate surface, so that the substrate processing can be performed at a low temperature with little thermal damage. As a vertical substrate processing apparatus for performing plasma processing, in addition to a vertical substrate processing apparatus, an electrode for generating plasma is provided between a heating tube heated by a heater and a reaction tube arranged in the heating tube. However, the processing apparatus alternately arranged in the circumferential direction is known, but since the electrodes are installed outside the reaction tube and the distance to the substrate is increased, the plasma concentrates on the outer periphery of the substrate. There is a problem that the plasma density at the center of the substrate becomes small.
そこで、本出願人等は、相対峙する電極間略中央に基板を載置することを検討したが、より多くの基板をチャージして一括処理(バッチ処理)するには、基板と電極との間の間隔が狭くなり、基板を救い上げる移載具を挿入することができないという問題がある。
そこで、基板と電極との間の間隔を可変として、移載具の挿入を可能にすることを本発明の目的とする。
Therefore, the present applicants considered placing the substrate approximately in the center between the opposed electrodes, but in order to charge more substrates and perform batch processing (batch processing), the substrate and the electrodes There is a problem that the interval between them becomes narrow, and a transfer tool that rescues the substrate cannot be inserted.
Accordingly, it is an object of the present invention to make it possible to insert a transfer tool by changing the distance between the substrate and the electrode.
本発明に係る態様は、プラズマを生成するための複数の電極と、前記複数の電極の外周部を載置させて電極を支持する複数の電極支持部を多段に有し、それぞれ円周方向に間隔を隔てて設けられることにより、複数の電極支持部に電極を支持させる複数の電極支持部材と、前記複数の電極支持部材を配置する配置円と同心に且つ円周方向に間隔を隔てて設けられ、それぞれ複数の電極支持部材に支持された各電極の上方で基板外周部を載置させて基板を支持する複数の基板支持部を多段に有する複数の基板支持部材と、前記複数の電極支持部材と前記複数の基板支持部材とを、前記電極支持部間のピッチ内で相対的に上下動させることにより、隣接する基板支持部と電極との間で基板を移載させる昇降装置であって、その相対的な上下動により、各基板支持部を電極支持部の上方の基板載置位置に移動させて、各基板支持部下に、基板支持部との間で基板を移載する移載具の挿入スペースを形成させる昇降装置とを備える基板処理装置を提供するものである。 The aspect according to the present invention includes a plurality of electrodes for generating plasma and a plurality of electrode support portions for supporting the electrodes by placing the outer peripheral portions of the plurality of electrodes in a plurality of stages, each in a circumferential direction. A plurality of electrode support members that support the electrodes on the plurality of electrode support portions by being provided at intervals, and are provided concentrically with the arrangement circle in which the plurality of electrode support members are arranged and at intervals in the circumferential direction. A plurality of substrate support members having a plurality of substrate support portions that support the substrate by placing a substrate outer peripheral portion above each electrode supported by each of the plurality of electrode support members; and the plurality of electrode support members A lifting device for transferring a substrate between an adjacent substrate support part and an electrode by relatively moving the member and the plurality of substrate support members up and down within a pitch between the electrode support parts. Due to its relative vertical movement A lifting device that moves each substrate support portion to a substrate placement position above the electrode support portion to form an insertion space for a transfer tool for transferring the substrate to and from the substrate support portion under each substrate support portion The substrate processing apparatus provided with these is provided.
本発明によれば基板と電極との間の間隔を可変として、移載具の挿入を可能とすることができるので、より多くの基板を一括にバッチ処理することができる。また、スループットを少なくとも従来と同等にすることができる。 According to the present invention, since the interval between the substrate and the electrode can be made variable and the transfer tool can be inserted, more substrates can be batch-processed in a batch. In addition, the throughput can be at least equivalent to that of the prior art.
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行う縦型の基板処理装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明に適用される処理装置の斜透視図として示されている。また、図2は図1に示す処理装置の側面透視図である。 In the best mode for carrying out the present invention, as an example, the substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing steps in a method of manufacturing a semiconductor device (IC). In the following description, a case where a vertical substrate processing apparatus (hereinafter simply referred to as a processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to the substrate as the substrate processing apparatus will be described. FIG. 1 is a perspective view of a processing apparatus applied to the present invention. FIG. 2 is a side perspective view of the processing apparatus shown in FIG.
図1及び図2に示されるように、シリコン等からなる基板(基板)200を収納した基板キャリアとしてフープ(基板収容器。以下、ポッドという)110が使用される本発明の一実施の形態に係る処理装置100は、筐体111を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, an embodiment of the present invention in which a hoop (substrate container; hereinafter referred to as a pod) 110 is used as a substrate carrier that stores a substrate (substrate) 200 made of silicon or the like. The
筐体111の正面壁111aの正面前方部にはメンテナンス可能なように開口部としての正面メンテナンス口103,103が開設され、この正面メンテナンス口103,103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。
また、筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口112の正面前方側にはロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されている。ロードポート114はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the
A load port (substrate container delivery table) 114 is installed on the front front side of the pod loading /
筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。
回転式ポッド棚105は複数個のポッド110を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117とを備えており、複数枚の棚板117はポッド110を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体111内において、ロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。
ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されている。
ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。
A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the
The
That is, the
In the
The
The
筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。サブ筐体119の正面壁119aには、基板200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段の基板搬入搬出口120、120には一対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ121はポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。
ポッドオープナ121は、載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110の基板200出し入れ口を開閉するように構成されている。
A
The
The
サブ筐体119は、ポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105の設置空間から流体的に隔絶された移載室124を構成している。
移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部(以下、待機室という)126が構成されている。待機室126の上方には、処理炉202が設けられている。
処理炉202の下端部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるよう
に構成されている。
移載室124の前側領域には基板移載機構(基板移載機構)125が設置されており、基板移載機構125は、基板200を水平方向に回転ないし直動可能な基板移載機(基板移載装置)125aと、基板移載機125aを昇降させるための基板移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとを備えて構成されている。
図1に模式的に示されているように、基板移載装置エレベータ125bは、耐圧製を有する筐体111の右側端部とサブ筐体119の移載室124の前方領域右端部との間に設置されている。
基板移載装置エレベータ125b及び基板移載機125aは、その連続した連係動作、すなわち、基板移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bの上昇による基板移載機125aの上昇、基板移載機125aのツイーザ125cの前後左右方向の移動、基板移載装置の鉛直軸回りの回転の3自由度の組み合わせによってポッド110やボート217との間で基板200の装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)するように設けられている。
また、耐圧性を有する筐体111の右側端部とサブ筐体119の待機室126の右端部との間には、例えば、図1に示されるように、基板支持具であるボート217を昇降させるため、ボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置される。
ボートエレベータ115の昇降台には昇降アーム128が連結され、昇降アーム128にシールキャップ130が水平に据え付けられている。シールキャップ130は、反応管の下部開口部である炉口を開閉する蓋体となっており、ボート217を垂直に支持して反応炉に挿抜するようになっている。
The
In the rear region of the
The lower end portion of the
A substrate transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the
As schematically shown in FIG. 1, the substrate
The substrate
Further, for example, as shown in FIG. 1, a
A
図1に模式的に示されているように移載室124の基板移載装置エレベータ125b側及びボートエレベータ115側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されており、基板移載機125aとクリーンユニット134との間には、図示はしないが、基板200の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてノッチ合わせ装置135が設置される。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135及び基板移載機125a、待機部126にあるボート217に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成される。
As schematically shown in FIG. 1, the left end of the
The
次に、本発明の一実施の形態に係る処理装置の動作について説明する。
図1及び図2に示されているように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロードポート114の上のポッド110はポッド搬送装置118によって筐体111の内部へポッド搬入搬出口112から搬入される。
搬入されたポッド110は回転式ポッド棚105の指定された棚板117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121の基板搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124にはクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
Next, the operation of the processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described.
As shown in FIGS. 1 and 2, when the
The loaded
載置台122に載置されたポッド110はその開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおける基板搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられると共に、そのキャッ
プがキャップ着脱機構123によって取り外され、基板200出し入れ口が開放される。
ポッド110がポッドオープナ121によって開放されると、基板200はポッド110から基板移載機125aのツイーザ125cによって基板200出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にて基板200を整合した後、移載室124の後方にある待機部126へ搬入され、ボート217に装填(チャージ)される。この後、ボート217に基板200を受け渡した基板移載機125aはポッド110に戻り、次の基板200をボート217に装填する。
The
When the
一方(上段または下段)のポッドオープナ121における基板移載機構125による基板200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121には回転式ポッド棚105から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送されて移載され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。
During the loading operation of the
予め指定された枚数の基板200がボート217に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって、開放される。
続いて、基板200群を保持したボート217はシールキャップ130がボートエレベータ115によって上昇されることにより、処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。
When a predetermined number of
Subsequently, the
ローディング後は、処理炉202にて基板200に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置135での基板200の整合工程を除き、概上述の逆の手順で、基板200及びポッド110が筐体111の外部へ払い出される。
After loading, arbitrary processing is performed on the
After the processing, the
次に、本発明の一実施の形態に係るボート217の好ましい一例について説明する。
図3及び図4は本発明に係るボート217の解説図である。
図3(A)は、プラズマ処理の前後であって、ツイーザ125cが基板200をボート217へ搬入する、もしくはツイーザ125cが、基板200をボート217から搬出する時のボートの状態を示した図である。図3(B)は、基板200を、プラズマ処理する時のボートの状態を示した図である。
図3に記載の装置は、図示しない制御部が、各部位を制御している。
本実施の形態において、ボート217は、基板200を支持する基板支持ボート218と、複数の電極219dを支持する電極支持ボート219より構成される。
以下、このようなボート217を複合ボートと呼称する。
Next, a preferable example of the
3 and 4 are explanatory diagrams of the
FIG. 3A is a diagram showing the state of the boat before and after the plasma processing when the tweezer 125c carries the
In the apparatus shown in FIG. 3, a control unit (not shown) controls each part.
In the present embodiment, the
Hereinafter, such a
複合ボート217において、基板支持ボート218は、基板200を一時的に載置させて支持する複数の基板支持部218cを有するロッド状の基板支持柱218a(基板支持部材)と、これら基板支持柱218aを直立状に支持する基板支持ボート用台座218bとを備える。
電極支持ボート219は、電極219dを介して基板200を直接又は石英製のリング部材(後述する)を介して載置する複数の電極支持部219cを有するロッド状の電極支持柱219a(電極支持部材)と、これらを直立状に支持する電極支持ボート用台座219bとを備える。
上下方向における電極支持部219c,219c間の間隔(ピッチ)は、電極支持部219cに支持される基板200の厚みに、前記基板移載機125aのツイーザ125cの厚みと余裕とを加えた間隔とされ、上下方向における基板支持部218c,218c間の間隔(ピッチ)は電極支持部219c,219c間の間隔と同じ間隔とされる。
電極支持ボート用台座219bの上面部にはガイド部材219fが直立状に設けられる。ガイド部材219fの上端には、ストッパ325hが設けられる。ストッパ325hは
、ガイド孔218fを形成するように構成されている。基板支持柱218aが、ガイド孔218fに挿入されることによって、基板支持ボート218が、ガイド部材219fに沿って、摺動することが可能となる。
ガイド部材219fの前記基板支持ボート用台座218bの上面からストッパ325h下面までの高さは、電極支持部219c間ピッチと同じに決定される。
ボート217が図3(B)の状態から図3(A)の状態に移るとき、基板支持ボート218と電極支持ボート219は相対的に移動する。このとき、基板支持ボート用台座218bはストッパ325hの下面に突き当たる位置で停止する。
このようにして、ツイーザ125cが挿入されるスペース(挿入スペース)Aが形成される。
尚、このとき基板支持ボート218は固定で、電極支持ボート219が動くのが良い。基板支持ボート218が動いてしまうと、基板200がずれたり、落下したりする恐れがあるためである。電極支持ボート219が動くことにより、基板200のずれ、落下を防止することができる。
In the
The
The interval (pitch) between the
A
The height of the
When the
In this way, a space (insertion space) A into which the
At this time, the
基板支持ボート用台座218b及び電極支持ボート用台座219bは、それぞれ、円板状に形成される。基板支持柱218aは、基板支持ボート用台座218bの外周部に取り付けられる。電極支持柱219aは、電極支持ボート用台座219bの上部に、かつガイド部材219fの周囲に取り付けられる。
The substrate
基板支持部218cは、基板支持柱218aに、上下方向に所定間隔を隔てて多段に設けられる。電極支持部219cは上下方向に所定間隔を隔てて電極支持柱219aに多段に設けられる。基板支持部218c及び電極支持部219cはそれぞれ半径方向内側に向って延びた棚状突出部で構成される。
The
図4は図3(B)のIV−IV線断面図である。図4に示すように、基板支持柱218aは、基板支持ボート218の中心線Cを挟んで、例えば、三箇所に設けられ、電極支持柱219aは、例えば、4個、設けられる。基板支持柱218aの数及び電極支持柱219aの数は、それぞれ、基板200の撓み、電極219dの撓みが最小となるように、基板200、電極219dの撓み量に基づいて決定される。そして、基板支持柱218aの外周部には、少なくとも、基板支持ボート218の基板支持部218cの昇降を可能とするためのスロット(溝)219eと、隣接する電極129d,129d間を電気的に導通するための電極端子部219jとが設けられる。
4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. As shown in FIG. 4, the
図3及び図4、図7に示すように、電極端子部219jは、フィーダを複数に分割した複数のコマ311によって電気的に導通される。電極端子部219jの端子孔219kは、隣接する電極219dの電極端子部219j,219j同士を接続するため、電極端子部219j毎に2つずつ設けられる。各コマ311は、図7に示すように、中央部の軸径が太く、両端部の軸径が細くなっており、コマ311の両端部を電極端子部219jの端子孔219kに挿入した状態でナット(図示せず)を螺入することにより固定される。
As shown in FIGS. 3, 4, and 7, the
また、図3に示すように、電極支持ボート用台座219bの軸芯部には開口部219mが設けられ、ボートエレベータ軸306の先端部に取り付けられたフランジ400が挿入される。前記フランジ400には前記基板支持ボート用台座218bが支持される。
Further, as shown in FIG. 3, an
電極支持ボート219を昇降する昇降装置は、シールキャップ130とボートエレベータ115によって昇降される昇降アーム(図示せず)との間に設置される。
昇降装置は、電極支持ボート用台座219bを含み、昇降板301と、昇降板301を昇降するアクチュエータ302と、昇降板301に取り付けられる押し上げ部材303,303とを備えて構成される。
図3(A)の状態から図3(B)の状態、つまり未処理基板をプラズマにより処理するときは、電極支持ボート219を上昇させることによって相対的に基板支持ボート218を下降させる。また、図3(B)の状態から図3(A)の状態、つまりプラズマにより処理された処理済基板を搬出するときは、電極支持ボート219を下降させることによって相対的に基板支持ボート218を上昇させる。これらの動作は、押し上げ部材303,303を上下させることで成り立つ。
A lifting device that lifts and lowers the
The lifting device includes an electrode
When the state of FIG. 3A to the state of FIG. 3B, that is, when an unprocessed substrate is processed with plasma, the
アクチュエータ302は、例えば、空気圧シリンダから構成され、昇降板301とボートエレベータ115の昇降アーム(図示せず)との間に設けられる。昇降板301は、アクチュエータ302のロッド先端部に支持される。押し上げ部材303,303はシールキャップ130の軸芯部を挟んで左右対称の位置に設けられる。押し上げ部材303,303は、電気的に導通可能な導電材料で構成される。また、一対の押し上げ部材303,303は、表面に高周波電力が供給された場合の金属側への電気な漏洩防止するためアルミナ(SiO2)から成るカバー(図示せず)が設けられ、整合器315、絶縁トランスを介して発振器317に接続される。
押し上げ部材303,303は、シールキャップ130と昇降板301とに気密に取り付けられたベローズ304によってシールされる。
The
The push-up
シールキャップ130は押し上げ部材303との対峙部に押し上げ部材303の昇降を可能とするための貫通孔305が設けられる。各貫通孔305の内面には、押し上げ部材303との間での軸シールのために、必要に応じてシール部材、例えば、Oリング307が設けられる。
このように、押し上げ部材303は、シールキャップ130の下面と昇降板301の上面部とに密着するベローズ304によりシールされる。なお、ベローズ304内は、基板処理の際の処理室201内の減圧により前記処理室201と同圧とされる。
The
Thus, the push-up
次に、各部を構成する材質、材料について説明する。
電極219dの材質は、電極端子部219jを含めて通電が可能で純度の高い材質、例えば、基板200と同じ材質であるSi、又はSiCとする。ただし、電極219dの面積が大きいことから、好ましくはSiCより安価なSiで形成する。
基板支持柱218a及び基板支持ボート用台座218bの材質は、SiC又はSiO2により形成される。両材料とも溶接が可能で耐久性が高いためである。特に、SiO2はロッド状の長い部材に適している。
電極支持柱219a及び電極支持ボート用台座219bは、SiC又はSiにより形成される。しかしながら、Siは剛性が弱いため、SiCで構成する方が好ましい。
押し上げ部材303及びコマ311は、電気的に導通可能な半導体、例えばSiC又は金属で構成される。押し上げ部材303及びコマ311は、基板支持柱218aよりも充分短かく、曲げモーメントが作用しにくいので、これらをSiCで構成しても曲げモーメントにより損傷することがない。
Next, materials and materials constituting each part will be described.
The material of the
The material of the
The
The push-up
図5は、押し上げ部材303の平面的な配置と、押し上げ部材303に支持される電極支持ボート用台座219bとの関係を説明した図である。
押し上げ部材303は、前記したように、左右対称の位置に一対設けられるが、電極支持ボート219の動作をスムーズにするために、図5に示すように、押し上げ部材303を円周方向に等間隔を隔てて3以上設けても良い。このとき、3以上の押し上げ部材303の内、一対の押し上げ部材303,303は給電ピンとする。なお、各押し上げ部材303はそれぞれ前記ベローズ304によりシールされるものとする。
FIG. 5 is a diagram for explaining the relationship between the planar arrangement of the push-up
As described above, a pair of push-up
次に、前記複合ボート217の動作について説明する。
Next, the operation of the
<基板200のチャージ>
図3(A)に示すように、基板200のチャージの際に、アクチュエータ302が収縮される。アクチュエータ302の収縮によって、昇降板301と一体に押し上げ部材303(給電ピン)が下降する。そして、アクチュエータ302の収縮によって押し上げ部材303,303が電極支持ボート用台座219b下面から離脱すると、電極支持ボート219は、電気的に非接触の状態となる。
その後、ストッパ325hの下面が、基板支持ボート用台座218bに突き当たる。これにより、電極支持ボート219が固定される。突き当たったとき、アクチュエータ302の収縮が停止し、基板支持柱218aの基板支持部218cの載置面と電極219dの上面との距離(間隔)が最大となる。この距離は、基板移載機125aのツイーザ125cを挿入できる距離(間隔)となる。これによって、基板移載機125aのツイーザ125cを挿入できるスペースAが形成される。
この状態で、スペースA内に基板移載機125aのツイーザ125cを挿入し、次に、ボートエレベータ115の下降により基板移載機125aを下降させると、ツイーザ125cに載置された基板200が基板支持ボート218の基板支持部218cに載置される。
基板200の載置が終了すると、基板移載機125aの後退又はツイーザ125cの後退によりスペースAからツイーザ125cが抜き取られる。
この後、アクチュエータ302の伸長によって、基板支持ボート218の基板支持部218cに一時的に載置(仮置)された基板200が基板支持部218cから電極支持ボート219の電極219dに移載される。
アクチュエータ302が伸長されると、昇降板301が上昇され、押し上げ部材303,303が昇降板301と共に上昇する。そして、上昇の途中で押し上げ部材303の先端面が電極支持ボート用台座219bの下面に突き当たる。これにより、各コマ311を介して各電極219dに高周波電力を供給することができる。
アクチュエータ302の伸長により、押し上げ部材303の上昇位置が電極支持ボート用台座219bとの接触位置を越えると、シールキャップ130の下面に設けられたストッパ325iに昇降板301の上面が突き当たり、これによってアクチュエータ302の伸長が停止される。
この位置では、電極支持ボート219は最大に上昇し、基板支持ボート218は相対的に最大に下降する。
これにより、基板支持柱218aの基板支持部218cに載置されている基板200が電極219dに移載される。
<Charge of
As shown in FIG. 3A, the
Thereafter, the lower surface of the
In this state, when the tweezer 125c of the
When the placement of the
Thereafter, by the extension of the
When the
When the raised position of the push-up
In this position, the
As a result, the
<プラズマ処理>
図3(B)に示すように、基板200は各電極219dに直接支持されている。
この状態では、処理室201の炉口は、シールキャップ130により閉鎖されている。
処理室201内を排気し、ヒータの加熱により処理室201内を基板処理温度に保持しながら処理室201に処理ガスを導入する。発振器317から、隣接する電極219dに、位相が互いに180度異なる高周波電力が供給される。
これにより、各電極219dとこれに対峙する基板200との間に、バイアス効果によりプラズマが発生し、発生したイオン、ラジカルなどにより、基板200が処理される。
なお、整合器315、絶縁トランス、発振器317を常時ONとしておくと、制御部のアクチュエータ302のON、OFFの切り換え、つまり押し上げ部材303と電極支持ボート219の電気的接続の切り離しが行われることで、プラズマの発生と停止とを切り換えることができる。
<Plasma treatment>
As shown in FIG. 3B, the
In this state, the furnace port of the
The inside of the
Thereby, plasma is generated by the bias effect between each
If the
<基板200のディスチャージ>
この場合も基板200のチャージと同様にまずアクチュエータ302が収縮される。
ストッパ325hの下面が、基板支持ボート用台座218bに突き当たる。これにより
、電極支持ボート219が固定される。突き当たったとき、アクチュエータ302の収縮が停止し、基板支持柱218aの基板支持部218cの載置面と電極219dの上面との距離が最大となる。この距離は、基板移載機125aのツイーザ125cを挿入できる距離となる。これによって、基板移載機125aのツイーザ125cを挿入できるスペースAが形成される。
スペースAが形成されると、スペースAに臨ませて基板移載機125aのツイーザ125cが挿入される。この後は、基板移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bの上昇により基板移載機125aが上昇され、基板支持部218cから基板200が基板支持ボート218のツイーザ125cによって掬い取られる。続いて、基板移載機125aの後退、回転、上昇、下降の組み合わせによって基板200がポッド110に回収される。
[他の実施形態]
<Discharge of
Also in this case, the
The lower surface of the
When the space A is formed, the tweezer 125c of the
[Other Embodiments]
次に、図6ないし図12を参照して本発明の他の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態では、図3の基板処理装置の構成と同じ部分及び機能的に同一の部分には同一符号を用いる。 Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same reference numerals are used for the same parts and functionally the same parts as those of the substrate processing apparatus of FIG.
図6は、複合ボート217が待機室126にある状態を示す解説図である。この状態は、処理室201に複合ボートを挿入する前、又はプラズマ処理後、複合ボートを待機室126へ戻した状態である。複合ボート217は、図3,4と同様の構成である。
基板200のチャージ(搬入)、ディスチャージ(搬出)の際は、まず、図6に示すように、ボートエレベータ115の下降によって複合ボート217が待機室126に搬出される。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which the
When the
続いて、基板200のチャージ、ディスチャージの動作を説明する。
<基板200のチャージ>
図3(A)に示すスペースA内に前記基板移載機125aのツイーザ125cを挿入する。次に、前記ボートエレベータ115の下降により基板移載機125aを下降させると、ツイーザ125cに載置された基板200が基板支持ボート218の基板支持部218cに載置される。
基板200の載置が終了すると、基板移載機125aの後退又はツイーザ125cの後退によりスペースAからツイーザ125cが抜き取られる。
この後、アクチュエータ302の伸長によって、基板支持ボート218の基板支持部218cに一時的に載置(仮置)された基板200が基板支持部218cから電極支持ボート219の電極219dに移載される。
アクチュエータ302が伸長されると、昇降板301が上昇され、押し上げ部材303,303が昇降板301と共に上昇する。そして、上昇の途中で押し上げ部材303の先端面が電極支持ボート用台座219bの下面に突き当たる。これにより、各コマ311を介して各電極219dに高周波電力を供給することができる。
アクチュエータ302の伸長により、押し上げ部材303の上昇位置が電極支持ボート用台座219bとの接触位置を越えると、シールキャップ130の下面に設けられたストッパ325iに昇降板301の上面が突き当たり、これによってアクチュエータ302の伸長が停止される。
この位置では、電極支持ボート219は最大に上昇し、基板支持ボート218は相対的に最大に下降する。
これにより、基板支持柱218aの基板支持部218cに載置されている基板200が電極219dに移載される。
Subsequently, the charging and discharging operations of the
<Charge of
The
When the placement of the
Thereafter, by the extension of the
When the
When the raised position of the push-up
In this position, the
As a result, the
基板200が搭載された複合ボート217は、ボートエレベータ115の上昇により、処理室201へ格納される。
The
<プラズマ処理>
図3(B)に示すように、基板200は各電極219dに直接支持されている。
この状態では、処理室201の炉口は、シールキャップ130により閉鎖されている。
処理室201内を排気し、ヒータの加熱により処理室201内を基板処理温度に保持しながら処理室201に処理ガスを導入する。発振器317から、隣接する電極219dに、位相が互いに180度異なる高周波電力が供給される。
これにより、各電極219dとこれに対峙する基板200との間に、バイアス効果によりプラズマが発生し、発生したイオン、ラジカルなどにより、基板200が処理される。
なお、整合器315、絶縁トランス、発振器317を常時ONとしておくと、制御部のアクチュエータ302のON、OFFの切り換え、つまり押し上げ部材303と電極支持ボート219の電気的接続の切り離しが行われることで、プラズマの発生と停止とを切り換えることができる。
<Plasma treatment>
As shown in FIG. 3B, the
In this state, the furnace port of the
The inside of the
Thereby, plasma is generated by the bias effect between each
If the
<基板200のディスチャージ>
基板の処理後、ボートエレベータ115を下降させ、複合ボート217を待機室126へ戻す。
その後、基板200のチャージと同様にまずアクチュエータ302が収縮される。
ストッパ325hの下面が、基板支持ボート用台座218bに突き当たる。これにより、電極支持ボート219が固定される。突き当たったとき、アクチュエータ302の収縮が停止し、基板支持柱218aの基板支持部218cの載置面と電極219dの上面との距離(間隔)が最大となる。この距離は、基板移載機125aのツイーザ125cを挿入できる距離となる。これによって、基板移載機125aのツイーザ125cを挿入できるスペースAが形成される。
スペースAが形成されると、スペースAに臨ませて基板移載機125aのツイーザ125cが挿入される。この後は、基板移載装置エレベータ125bの上昇により基板移載機125aが上昇され、基板支持部218cから基板200が基板支持ボート218のツイーザ125cによって掬い取られる。続いて、基板移載機125aの後退、回転、上昇、下降の組み合わせによって基板200がポッド110に回収される。
<Discharge of
After the substrate processing, the
Thereafter, the
The lower surface of the
When the space A is formed, the tweezer 125c of the
図7は図3(A)に対応する基板処理装置の断面図、図12は図3(B)に対応する基板処理装置の断面図である。
図7に示すように、電極支持ボート219は、電極支持ボート用台座219bと、電極219dを多段に支持する複数の電極支持柱219aとを備えて構成される。
複数の電極支持柱219aは、例えば、電極支持ボート用台座219bの軸芯部を通る中心線(図示せず)を挟んで前後二箇所に設けられる。電極219dを支持するための電極支持部219cは、これらの電極支持柱219aの外周部に軸方向に所定の間隔を隔てて多段に設けられ、それぞれ石英製のリング部材318が載置される。リング部材318は、図11に示すように、リング状に形成されている。また、図7に示すように、電極支持部219cの載置面を窪ませた凹部219nに嵌合されて位置決めされる。凹部219nの深さ、電極支持部219cの厚みは、リング部材318の上面が電極支持部219cの上面と同一かそれよりも若干高くなるように決定されている。
7 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus corresponding to FIG. 3A, and FIG. 12 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus corresponding to FIG.
As shown in FIG. 7, the
The plurality of
図8は図7のVIII−VIII線断面図、図9は基板支持部材としての基板支持柱218aの平面的な配置と基板200の載置状態を示す平面図、図10は電極219dの載置状態を示す平面図である。
図7、図8及び図10に示すように、各電極219dには、前記電極支持柱219aの少なくとも電極支持部219cを逃がして昇降可能とするためのスロット219eと、高周波電源回路が接続される電極端子部219jとが設けられる。電極端子部219jには、上述したように、2つの端子孔219kが設けられる。電極端子部219j,219j
同士は、上下に隣接する電極端子部219j,219j同士が一方の端子孔219kを介して電気的に導通される。残りの端子孔219kは直下の電極端子部219jの他方の端子孔219kとの接続に用いられる。
8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 7, FIG. 9 is a plan view showing a planar arrangement of
As shown in FIGS. 7, 8, and 10, each
The
また、図7に示すように、電極支持ボート用台座219bの軸芯部には開口部219mが設けられる。ガイド部材219fは、例えば、基板支持ボート用台座218bを上下動可能に嵌合するリング状に形成され、ガイド部材219fの外周面と、電極支持柱219aの外周面との間に固定されたリング状の位置決め部材328とによって、基板支持ボート用台座218bが上下動可能にガイドされる。
電極支持ボート用台座219bは、ガイド部材219fの上端部に設けられたストッパ325h又はアクチュエータ302のベース又は昇降板301に固定されたストッパボルト319により上下動の範囲が制限される。なお、ストッパボルト319は調節が可能なので、アクチュエータ302のストローク変更に対して対応が容易になる。
ガイド部材219fの長さ及びストッパ325hの取り付け位置は、前記したように、基板支持ボート218に支持される基板200と、電極支持ボート219に支持される電極219d間にツイーザ125cを挿入できるスペースAを形成できるよう、ツイーザ125cの厚みに基づいて決定される。これにより基板支持ボート218と電極支持ボート219とを相対的に上下動させて、各基板支持部218c下に基板移載機125aの移載動作が可能なスペースAを形成することができる。
Moreover, as shown in FIG. 7, the
The range of vertical movement of the electrode
As described above, the length of the
電極支持ボート219及び基板支持ボート218を上下動する昇降装置は、例えば、アクチュエータ302と、アクチュエータ302により上下動される昇降板301と、昇降板301と一体に昇降され、前記電極支持ボート用台座219bを介して電極支持ボート219を押し上げる押し上げ部材303,303(給電ピン)とを含んで構成され、アクチュエータ302は、例えば、空気圧シリンダから構成される。アクチュエータ302は、アクチュエータロッドを下向としてシールキャップ130下面部軸芯部に取り付けられる。アクチュエータ302のロッド先端部には昇降板301が取り付けられ、また、アクチュエータ302には基板200のずれ落下等が生じない速度で動作させるため、必要に応じてスピードコントローラ327が設けられる。
押し上げ部材303は、シールキャップ130に一体的に取り付けられ、昇降板301の上面とシールキャップ130とを連結する可撓製のベローズ304によってシールされる。
The lifting device that moves up and down the
The push-up
ベローズ304は、アクチュエータ302を挟んで左右対称の位置に配置される。
ベローズ304の両端部は、押し上げ部材303の下端部に設けられる取り付けフランジと共にボルト止めされることによって昇降板301の上面とシールキャップ130の下面とに密着される。
また、昇降板301のベローズ304内との対峙部には、押し上げ部材303の上下動を可能とするための挿入孔320が設けられる。
The bellows 304 is disposed at a symmetrical position with the
Both ends of the
In addition, an
さらに、アクチュエータ302の動作時の偏荷重を防止するため、昇降板301の両側に、アクチュエータ302の軸芯線を挟んで筒状のガイド部材321が少なくとも左右一対設けられる。ガイド部材321には、ガイド軸322が挿入される。これらのガイド軸322は、昇降板301の下方に設置された支持アーム又は支持板等の支持部材323に支持される。これにより、アクチュエータ302、押し上げ部材303に偏荷重が防止される。
なお、押し上げ部材303には、前記したように整合器315、絶縁トランスを介して発振器317を含む高周波電力供給回路が接続される。高周波電源回路の押し上げ部材303の接点部は、押し上げ部材303の下面に接触される通電棒324と、通電棒324を支持するアーム326と、アーム326と押し上げ部材303との間で常時接触方向に
弾性李力を負性するばね325とから構成される。
Furthermore, in order to prevent an uneven load during operation of the
The push-up
本実施形態に係る複合ボート217の動作について説明すると、基板200のチャージ、ディチャージの際はアクチュエータ302が収縮され、アクチュエータ302の収縮により昇降板301が上昇する。このとき、アクチュエータ302の速度は、速度調節弁、例えば、スピードコントローラ327によって複合ボート217に振動が発生せず、基板200ずれや落下が発生しないように制御される。
アクチュエータ302の収縮によって昇降板301が上昇すると、この上昇の過程で押し上げ部材303の先端面が電極支持ボート用台座219bの下面と接触する。
なお、押し上げ部材303の先端面を球面状又は平面状とし、昇降板301の対峙面を凹面又は平面状に形成すると、押し上げ部材303のガタつきをなくすことができる。
高周波電源回路を常時、ONとしておくと、電極支持ボート用台座219bの下面に押し上げ部材303が接触したときに隣接する電極219d,219d間にプラズマが発生する。
アクチュエータ302の収縮が進むと、電極支持ボート用台座219bは押し上げ部材303により押し上げられる。そして、ストッパボルトの先端面が昇降板301の上面に突き当たると、電極支持ボート219が最大に上昇し、基板支持ボート218が相対的に最大に下降する。
この位置では、基板支持部128cの下方に、ツイーザ125cを挿入させてその下降により基板200を基板支持部128cに載置させることができるスペースAが形成される。
ツイーザ125cにより基板支持部218cに基板200を載置した後は、アクチュエータ302の伸長により、昇降板301を上昇させる。この場合、押し上げ部材303
は昇降の途中で電極支持ボート用台座219bの下面に接触して導通可能となる。そして電極支持ボート用台座219bの上面がストッパ325hに突き当たると、アクチュエータ302の伸長が停止され、基板支持部218cに支持された基板200がリング部材318またはリング部材318と基板支持部218cとに受け渡される。
従って、この実施の形態でも、前述の実施の形態と同様に基板200のチャージ、ディスチャージを行うことができる。
The operation of the
When the elevating
In addition, if the front end surface of the push-up
When the high-frequency power supply circuit is always turned on, plasma is generated between the
As the
At this position, a space A in which the
After placing the
Is in contact with the lower surface of the electrode
Therefore, also in this embodiment, the
なお、本実施の形態では、電極支持ボート219を上下動し、基板支持ボート218を相対的に上下動させる説明をしたが、基板200ずれや落下が発生しない速度で上下動を行える場合には、基板支持ボート218を上下動させ、電極支持ボート219を相対的に上下動させるようにしてもよい。なお、相対的な上下動には、基板支持ボート218又は電極支持ボート219の一方を固定し、他方を上下動する場合も含まれるものとする。
また、上述した各実施の形態において、処理室201の基板搬入搬出口をゲート弁(図示せず)で開閉する構造の処理装置の場合は、処理室201から複合ボート217搬出せずに、ゲート弁を開けた状態で基板200のチャージ、ディスチャージを行うようにしてもよい。
In this embodiment, the
In each of the above-described embodiments, in the case of a processing apparatus having a structure in which the substrate loading / unloading port of the
<実施形態の効果>
この実施の形態によれば、次の如き優れた効果が発揮される。
(1)本実施の形態では、電極支持ボートを昇降させ、相対的に基板支持ボートを昇降させるので、基板のずれや落下を防止することができる。
(2)電極支持ボートを昇降する押し上げ部材が給電ピンを兼用するので、構成が簡便になり廉価になる。
(3)多段電極によりプラズマを生成する基板処理装置において、基板の移載を行うことができると共に、スループットの低下を防止することができる。
(4)基板移載をツイーザで移載するために電極板を分割して載置したり、ツイーザの逃げを設けることがなく電極全面をプラズマ発生に利用することができる。これにより、
バイアス面効果により面内均一な密度でプラズマを生成することができ、面内均一に基板を処理することが可能になる。
(5)ウエハ移載装置のツイーザを上下させる必要がないので、電極の外周部を除く全面をプラズマ生成に利用することができる。
(6)フィーダを複数のコマに分割して、隣接する電極の電極端子部同士を電気的に導通するので、応力的に耐久性が低い良導体を電気的導通に用いることができる。
<Effect of embodiment>
According to this embodiment, the following excellent effects are exhibited.
(1) In this embodiment, since the electrode support boat is raised and lowered, and the substrate support boat is relatively raised and lowered, it is possible to prevent the substrate from being displaced or dropped.
(2) Since the push-up member that raises and lowers the electrode support boat also serves as the power supply pin, the configuration becomes simple and inexpensive.
(3) In a substrate processing apparatus that generates plasma with multistage electrodes, it is possible to transfer a substrate and prevent a decrease in throughput.
(4) In order to transfer the substrate with a tweezer, the electrode plate is divided and placed, or the entire surface of the electrode can be used for plasma generation without providing the escape of the tweezer. This
Plasma can be generated at a uniform density in the surface by the bias surface effect, and the substrate can be processed uniformly in the surface.
(5) Since it is not necessary to move the tweezer of the wafer transfer device up and down, the entire surface excluding the outer periphery of the electrode can be used for plasma generation.
(6) Since the feeder is divided into a plurality of frames and the electrode terminal portions of the adjacent electrodes are electrically connected to each other, a good conductor having low durability in terms of stress can be used for electrical connection.
<付記>
以下、本発明の好ましい実施の態様を付記する。
<Appendix>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.
<付記1>
本発明の好ましい態様は、プラズマを生成するための複数の電極と、前記複数の電極の外周部を載置させて電極を支持する複数の電極支持部を多段に有し、それぞれ円周方向に間隔を隔てて設けられることにより、複数の電極支持部に電極を支持させる複数の電極支持部材と、前記複数の電極支持部材を配置する配置円と同心に且つ円周方向に間隔を隔てて設けられ、それぞれ複数の電極支持部材に支持された各電極の上方で基板外周部を載置させて基板を支持する複数の基板支持部を多段に有する複数の基板支持部材と、
前記複数の電極支持部材と前記複数の基板支持部材とを、前記電極支持部間のピッチ内で相対的に上下動させることにより、隣接する基板支持部と電極との間で基板を移載させる昇降装置であって、その相対的な上下動により、各基板支持部を電極支持部の上方の基板載置位置に移動させて、各基板支持部下に、基板支持部との間で基板を移載する移載具の挿入スペースを形成させる昇降装置とを備える基板処理装置を提供するものである。
<Appendix 1>
A preferred embodiment of the present invention has a plurality of electrodes for generating plasma and a plurality of electrode support portions for supporting the electrodes by placing the outer peripheral portions of the plurality of electrodes in a plurality of stages, each in the circumferential direction. A plurality of electrode support members that support the electrodes on the plurality of electrode support portions by being provided at intervals, and are provided concentrically with the arrangement circle in which the plurality of electrode support members are arranged and at intervals in the circumferential direction. A plurality of substrate support members having a plurality of substrate support portions that support the substrate by placing the substrate outer peripheral portion above each electrode supported by each of the plurality of electrode support members;
By moving the plurality of electrode support members and the plurality of substrate support members relatively up and down within the pitch between the electrode support portions, the substrate is transferred between the adjacent substrate support portions and the electrodes. A lifting device that moves each substrate support to a substrate placement position above the electrode support by its vertical movement, and moves the substrate to and from the substrate support under each substrate support. Provided is a substrate processing apparatus including an elevating device that forms an insertion space for a transfer tool to be mounted.
<付記2>
また、前記基板処理装置において、前記基板支持部材を固定し、前記電極支持部材を上下動させる基板処理装置を提供するものである。
<付記3>
前記基板処理装置において、前記複数の電極支持部材が昇降自在に設けられた台座上に設けられると共に、該台座の下方に、台座下面と接触して押し上げる複数の押し上げ部材が設けられ、前記押し上げ部材が、前記台座下面と接触したときに、前記各電極に接続されているフィーダと各電極に高周波電力を供給する高周波電源回路とを電気的に導通するように構成され、前記押し上げ部材が導電性材料で構成された基板処理装置を提供するものである。
<Appendix 2>
Moreover, the said substrate processing apparatus provides the substrate processing apparatus which fixes the said substrate support member and moves the said electrode support member up and down.
<Appendix 3>
In the substrate processing apparatus, the plurality of electrode support members are provided on a pedestal provided so as to be movable up and down, and a plurality of push-up members that are pushed up in contact with the lower surface of the pedestal are provided below the pedestal, and the push-up member Is configured to electrically connect a feeder connected to each electrode and a high-frequency power supply circuit that supplies high-frequency power to each electrode when contacting the lower surface of the pedestal, and the push-up member is conductive A substrate processing apparatus made of a material is provided.
125c ツイーザ(移載具)
200 ウエハ(基板)
218c 基板支持部
218a 基板支持柱(基板支持部材)
218c 基板支持部
219b 電極支持ボート用台座(昇降装置)
219d 電極
219c 電極支持部
219a 電極支持柱(電極支持部材)
301 昇降板(昇降装置)
302 アクチュエータ(昇降装置)
303 押し上げ部材(昇降装置)
A スペース
125c tweezer (transfer tool)
200 wafer (substrate)
218c
218c
301 Lifting plate (lifting device)
302 Actuator (lifting device)
303 Push-up member (lifting device)
A space
Claims (3)
前記複数の電極の外周部を載置させて電極を支持する複数の電極支持部を多段に有し、それぞれ円周方向に間隔を隔てて設けられることにより、複数の電極支持部に電極を支持させる複数の電極支持部材と、
前記複数の電極支持部材を配置する配置円と同心に且つ円周方向に間隔を隔てて設けられ、それぞれ複数の電極支持部材に支持された各電極の上方で基板外周部を載置させて基板を支持する複数の基板支持部を多段に有する複数の基板支持部材と、
前記複数の電極支持部材と前記複数の基板支持部材とを、前記電極支持部間のピッチ内で相対的に上下動させることにより、隣接する基板支持部と電極との間で基板を移載させる昇降装置であって、その相対的な上下動により、各基板支持部を電極支持部の上方の基板載置位置に移動させて、各基板支持部下に、基板支持部との間で基板を移載する移載具の挿入スペースを形成させる昇降装置と、
を備える基板処理装置。 A plurality of electrodes for generating plasma;
A plurality of electrode support portions for supporting the electrodes by placing the outer peripheral portions of the plurality of electrodes are provided in multiple stages, and the electrodes are supported on the plurality of electrode support portions by being provided at intervals in the circumferential direction. A plurality of electrode support members,
A substrate is provided by placing an outer peripheral portion of the substrate above each electrode supported concentrically and spaced apart in the circumferential direction by the arrangement circle for arranging the plurality of electrode support members. A plurality of substrate support members having a plurality of substrate support portions for supporting
By moving the plurality of electrode support members and the plurality of substrate support members relatively up and down within the pitch between the electrode support portions, the substrate is transferred between the adjacent substrate support portions and the electrodes. A lifting device that moves each substrate support to a substrate placement position above the electrode support by its vertical movement, and moves the substrate to and from the substrate support under each substrate support. A lifting device for forming an insertion space for a transfer tool to be mounted;
A substrate processing apparatus comprising:
前記押し上げ部材が、前記台座下面と接触したときに、前記各電極に接続されているフィーダと各電極に高周波電力を供給する高周波電源回路とを電気的に導通するように構成され、前記押し上げ部材が導電性材料で構成された請求項1又は請求項2記載の基板処理装置。 The plurality of electrode support members are provided on a pedestal provided so as to be movable up and down, and a plurality of push-up members that are pushed up in contact with the lower surface of the pedestal are provided below the pedestal,
The push-up member is configured to electrically connect a feeder connected to each electrode and a high-frequency power supply circuit that supplies high-frequency power to each electrode when the push-up member comes into contact with the lower surface of the pedestal. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is made of a conductive material.
Priority Applications (1)
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JP2008065080A JP2009224423A (en) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | Substrate processing apparatus |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112538617A (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | Film coating equipment |
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-
2008
- 2008-03-14 JP JP2008065080A patent/JP2009224423A/en active Pending
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CN112538617B (en) * | 2019-09-20 | 2022-02-22 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | Film coating equipment |
US11555247B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-01-17 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Coating apparatus and movable electrode arrangement, movable support arrangement, and application thereof |
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