JP2009217911A - Perpendicular magnetic head and perpendicular magnetic storage device - Google Patents

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JP2009217911A JP2008062070A JP2008062070A JP2009217911A JP 2009217911 A JP2009217911 A JP 2009217911A JP 2008062070 A JP2008062070 A JP 2008062070A JP 2008062070 A JP2008062070 A JP 2008062070A JP 2009217911 A JP2009217911 A JP 2009217911A
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Maki Maeda
麻貴 前田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress pole erase by the structure of a simple magnetic storage head without requiring microfabrication in a perpendicular magnetic head and a perpendicular magnetic storage device. <P>SOLUTION: The central position of the first read element in a plurality of read elements is shifted from the central position center of a write element by approximately a half of a track width, and also shifted from the central positions of the other read elements in the plurality of read elements. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は垂直磁気ヘッド及び垂直磁気記憶装置に関し、特に、記録後の主磁極の残留磁化によるイレーズ(ポールイレーズ)を抑制するための構成に関するものである。   The present invention relates to a perpendicular magnetic head and a perpendicular magnetic storage device, and more particularly to a configuration for suppressing erase (pole erase) due to residual magnetization of a main pole after recording.

近年、各種の情報機器の記録手段として磁気記憶装置が使用されているが、このような、磁気記録に対する高密度記録化の要請に応えるために、磁気記録ヘッドとして、垂直磁気記録ヘッドを用いた垂直磁気記憶装置が開発されている。   In recent years, magnetic storage devices have been used as recording means for various types of information equipment. In order to meet such demands for high-density recording for magnetic recording, perpendicular magnetic recording heads were used as magnetic recording heads. Perpendicular magnetic storage devices have been developed.

従来の垂直磁気記憶装置では、記録後に主磁極の磁化方向が一様に揃ったまま保持されることにより、記録動作を行わない場合でも、例えば、再生時に磁気記録ヘッドがトラック上を移動するために、主磁極の残留磁化によりイレーズが発生する。
このため、再生時のポールイレーズを抑えることが課題であった。
In a conventional perpendicular magnetic storage device, since the magnetization direction of the main magnetic pole is kept uniform after recording, even when no recording operation is performed, for example, the magnetic recording head moves on the track during reproduction. In addition, erasure occurs due to the residual magnetization of the main magnetic pole.
For this reason, it has been a problem to suppress pole erase during reproduction.

また、ポールイレーズは、高密度化に伴う記録ヘッドの狭コア幅化により交換結合力の影響が増加し、磁化が揃い安くなるため、このような、主磁極の残留磁化によるポールイレーズがより深刻になると予想されている。   In addition, the pole erase is more serious due to the residual magnetization of the main pole because the influence of the exchange coupling force increases due to the narrow core width of the recording head as the density increases, and the magnetization becomes uniform and cheap. It is expected to become.

そこで、このようなポールイレーズを抑制するためには、各種の提案がなされている(例えば、特許文献1或いは特許文献2参照)。
一例を挙げれば、記録後にライトコイルに消磁電流を流し主磁極の磁化を消磁する方法が提案されている。
Accordingly, various proposals have been made to suppress such pole erasure (for example, see Patent Document 1 or Patent Document 2).
For example, a method has been proposed in which a demagnetizing current is passed through a write coil after recording to demagnetize the magnetization of the main pole.

或いは、磁気記録ヘッドの主磁極を多層構造とすることにより、磁性層間の静磁気的あるいは反強磁性的な結合により、磁化を反平行にする方法が提案されている。
さらには、主磁極の形状を考慮することによってポールイレーズを抑制することも提案されている。
特開2007−311013号公報 特開2007−265562号公報
Alternatively, a method has been proposed in which the main magnetic pole of the magnetic recording head has a multilayer structure so that the magnetization is antiparallel by magnetostatic or antiferromagnetic coupling between the magnetic layers.
Furthermore, it has also been proposed to suppress pole erase by considering the shape of the main pole.
JP 2007-311013 A JP 2007-265562 A

しかし、記録後にライトコイルに消磁電流を流し主磁極の磁化を消磁する方法の場合には、消磁のために余分な操作が必要になるとともに、消費電力が増大するという問題があり、特に、電池で駆動する携帯情報機器の場合にはその影響が大きくなる。   However, in the case of a method of demagnetizing the main magnetic pole by applying a demagnetizing current to the write coil after recording, there is a problem that extra operation is required for demagnetization and power consumption increases. In the case of a portable information device that is driven by this, the effect becomes large.

また、主磁極の多層構造化による抑制方法の場合には、製造工程が増加し、製造コストが上昇するという問題がある。
さらに、主磁極の形状を考慮しただけでは、記録ビットが微小化して記憶密度が高まった場合に、充分なポールイレーズ抑制効果を得ることが困難である。
In addition, in the case of the suppression method using the main pole having a multilayer structure, there is a problem that the manufacturing process increases and the manufacturing cost increases.
Furthermore, if only the shape of the main pole is taken into account, it is difficult to obtain a sufficient pole erase suppression effect when the recording bit is miniaturized and the storage density is increased.

したがって、本発明は、微細加工を必要としない簡単な磁気記録ヘッドの構成によりポールイレーズを抑制することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to suppress pole erasure by a simple configuration of a magnetic recording head that does not require fine processing.

本発明の一観点によれば、前記複数のリード素子の内の第1のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置した垂直磁気ヘッドが提供される。   According to an aspect of the present invention, the center position of the first read element among the plurality of read elements is arranged so as to be shifted by approximately half the track width from the center position of the write element, and A perpendicular magnetic head is provided that is offset from the center position of the other read elements.

また、本発明の他の観点によれば、上記の垂直磁気ヘッドと磁気記憶媒体を搭載した垂直磁気記憶装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a perpendicular magnetic storage device equipped with the above-described perpendicular magnetic head and a magnetic storage medium.

開示の垂直磁気記録ヘッド及び垂直磁気記憶装置によれば、複数のリード素子をライト素子に対してずらして配置するだけで、微細加工技術を要することなく、ポールイレーズを抑制することが可能になる。   According to the disclosed perpendicular magnetic recording head and perpendicular magnetic storage device, it is possible to suppress pole erasure without requiring a microfabrication technique simply by displacing a plurality of read elements with respect to a write element. .

この時、第1のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分、具体的には、1/2±5%ずらして配置することによって、再生時或いはシーク時にライト素子をガードバンド上に位置させることができる。   At this time, the center position of the first read element is shifted from the center position of the write element by approximately half of the track width, specifically, 1/2 ± 5%, so that the write element is reproduced or seeked. Can be positioned on the guard band.

特に、磁気記憶媒体として、パターンド媒体を用いた場合には、トラック間のガードバンドを広く取ることができるために、ポールイレーズを効果的に抑制することが可能になる。   In particular, when a patterned medium is used as the magnetic storage medium, a wide guard band between tracks can be obtained, so that pole erasure can be effectively suppressed.

ここで、図1及び図2を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の実施の形態の磁気記録ヘッドの概念的構成図であり、磁気記憶媒体との関連で示しており、図1(a)は再生時におけるスキュー角が0°の場合のライト−リード配置図であり、図1(b)は、再生時におけるスキュー角が15°の場合のライト−リード配置図である。
なお、図1(b)は、W2 とθの関係が分かりやすいように、磁気記憶媒体の部分は簡略化して示している。
Here, with reference to FIG.1 and FIG.2, embodiment of this invention is described.
FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of a magnetic recording head according to an embodiment of the present invention, which is shown in relation to a magnetic storage medium. FIG. 1A shows a case where a skew angle during reproduction is 0 °. FIG. 1B is a write-read layout diagram, and FIG. 1B is a write-read layout diagram when the skew angle during reproduction is 15 °.
In FIG. 1B, the portion of the magnetic storage medium is simplified so that the relationship between W 2 and θ can be easily understood.

図1(a)に示すように、この複合型薄膜磁気ヘッドは、一つのライト素子10と複数のリード素子から構成され、ここでは、2つのリード素子21,22の場合を示している。
図に示すように、リード素子22は、下部磁気シールド層23と中間磁気シールド層24との間に挟まれ、また、他方のリード素子21は、中間磁気シールド層24と上部磁気シールド層25との間に挟まれた構造となっている。
なお、各磁気シールド層は、リード素子21,22にセンス電流を流す電極を兼ねるものであり、中間磁気シールド層24は電気的に二層に分離されたものでも良い。
また、ライト素子10は、リード素子21と反対側にリターンヨーク11を備えている。
As shown in FIG. 1A, this composite type thin film magnetic head is composed of one write element 10 and a plurality of read elements. Here, the case of two read elements 21 and 22 is shown.
As shown in the figure, the read element 22 is sandwiched between the lower magnetic shield layer 23 and the intermediate magnetic shield layer 24, and the other read element 21 includes the intermediate magnetic shield layer 24, the upper magnetic shield layer 25, and the like. The structure is sandwiched between the two.
Each magnetic shield layer also serves as an electrode for passing a sense current to the read elements 21 and 22, and the intermediate magnetic shield layer 24 may be electrically separated into two layers.
Further, the write element 10 includes a return yoke 11 on the side opposite to the read element 21.

この場合、リード素子21は、スキュー角が0°の場合に、その中心線がライト素子10の中心線に対してW1 がトラック幅Twの略半分となるずれた位置に設ける。その結果、再生時に、ライト素子21を磁気記憶媒体30に設けた記録ビット31からなるトラック321 上に位置させると、ライト素子10がガードバンド33の上に位置することになる。
なお、リード素子21ならびライト素子の製造プロセスにおける製造バラツキを考慮すると、±5%程度の配置バラツキは許容されるものである。
In this case, when the skew angle is 0 °, the read element 21 is provided at a position where the center line is shifted from the center line of the write element 10 so that W 1 is substantially half the track width Tw. As a result, when the write element 21 is positioned on the track 32 1 including the recording bits 31 provided on the magnetic storage medium 30 during reproduction, the write element 10 is positioned on the guard band 33.
In consideration of manufacturing variations in the manufacturing process of the read element 21 and the write element, an arrangement variation of about ± 5% is allowed.

一方、他方のリード素子22は、ライト素子10の中心線に対してリード素子21とは反対側にW2 だけずれた位置に設ける。
この時、図1(b)示すように、最大スキュー角がθの場合に、リード素子22の中心線が同じトラック321 上に位置するようにずらす必要がある。
On the other hand, the other read element 22 is provided at a position shifted by W 2 on the side opposite to the read element 21 with respect to the center line of the write element 10.
At this time, as shown in FIG. 1B, when the maximum skew angle is θ, it is necessary to shift so that the center line of the read element 22 is located on the same track 32 1 .

ここで、ライト素子10とリード素子22との距離をL(=L1 +L2 )とすると、W2 は、
2 =L2 ×tanθ=(L−L1 )×tanθ
となる。
1 =(Tw /2)/sinθ
であるので、
2 =L×tanθ−(Tw /2)/cosθ ・・・(1)
となる。
したがって、最大スキュー角を15°に設計する場合には、リード素子22の中心線をライト素子10の中心線からW2 ={Ltan15°−(Tw /2)/cos15°}だけずらして配置すると、リード素子22の中心位置での再生ができる。
Here, if the distance between the write element 10 and the read element 22 is L (= L 1 + L 2 ), W 2 is
W 2 = L 2 × tan θ = (L−L 1 ) × tan θ
It becomes.
L 1 = (T w / 2) / sin θ
So
W 2 = L × tan θ− (T w / 2) / cos θ (1)
It becomes.
Therefore, when the maximum skew angle is designed to be 15 °, the center line of the read element 22 is shifted from the center line of the write element 10 by W 2 = {Ltan15 ° − (T w / 2) / cos15 °}. Then, reproduction at the center position of the read element 22 can be performed.

なお、再生時には、スキュー角が磁気記憶媒体におけるトラック位置とともに変動しても、常にライト素子の中心がガードバンド33の中心に位置するように制御する機構を設ける。
この場合のオフトラックのマージンを考慮すると、リード素子21の中心線をライト素子10の中心線に対してトラック幅Twの1/2だけずらす場合に、±5%程度の誤差が許容される。
During reproduction, a mechanism is provided to control the center of the write element so that it is always located at the center of the guard band 33 even if the skew angle fluctuates with the track position on the magnetic storage medium.
Considering the off-track margin in this case, an error of about ± 5% is allowed when the center line of the read element 21 is shifted from the center line of the write element 10 by ½ of the track width Tw.

スキュー角θが小さい場合はリード素子21で再生し、スキュー角が大きい場合は、リード素子22で再生する。   When the skew angle θ is small, reproduction is performed by the read element 21, and when the skew angle is large, reproduction is performed by the read element 22.

また、最大スキュー角を15°に設定した場合、ライト素子22のずれ量W2 を、例えば、θ=11°に設定することによって、リード素子21でスキュー角0°〜7.5°の範囲を再生し、リード素子22でスキュー角7.5°〜15°の範囲を再生するように切り替えても良い。
この時、リード素子21とリード素子22との切り替えは、スキュー角は再生するトラックの位置で決まっているので、再生するトラックの位置に応じて切り替えることになる。
In addition, when the maximum skew angle is set to 15 °, the deviation W 2 of the write element 22 is set to θ = 11 °, for example, so that the read element 21 has a skew angle range of 0 ° to 7.5 °. May be switched so that the read element 22 reproduces the skew angle range of 7.5 ° to 15 °.
At this time, switching between the read element 21 and the read element 22 is performed according to the position of the track to be reproduced because the skew angle is determined by the position of the track to be reproduced.

次に、図2を参照して、スキュー角が負の場合の対応を説明する。
図2は、リード素子を3つ設けた場合の磁気記録ヘッドの概念的構成図であり、磁気記憶媒体との関連で示しており、図2(a)は再生時におけるスキュー角が0°の場合のライト−リード配置図であり、図2(b)は、再生時におけるスキュー角が−15°の場合のライト−リード配置図である。
なお、図2(b)は、W3 とφの関係が分かりやすいように、磁気記憶媒体の部分は簡略化して示している。
Next, the correspondence when the skew angle is negative will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a conceptual configuration diagram of a magnetic recording head in which three read elements are provided, and is shown in relation to a magnetic storage medium. FIG. 2A shows a skew angle of 0 ° during reproduction. FIG. 2B is a write-read layout diagram when the skew angle during reproduction is −15 °.
In FIG. 2B, the portion of the magnetic storage medium is shown in a simplified manner so that the relationship between W 3 and φ can be easily understood.

図2(a)に示すように、図1の場合と同様に、リード素子21は、スキュー角が0°の場合に、その中心線がライト素子10の中心線に対してトラック幅Twの1/2ずれた位置に設ける。その結果、再生時に、ライト素子21を磁気記憶媒体30に設けた記録ビット31からなるトラック321 上に位置させると、ライト素子10がガードバンド33の上に位置することになる。
なお、リード素子21及びリード素子22の位置関係は図1の場合と同様である。第3のリード素子26を最下部磁気シールド層27と下部磁気シールド層23との間に挟み込むように設ける。
As shown in FIG. 2A, as in the case of FIG. 1, when the skew angle is 0 °, the read element 21 has a center line whose track width Tw is 1 with respect to the center line of the write element 10. / 2 Provided at a shifted position. As a result, when the write element 21 is positioned on the track 32 1 including the recording bits 31 provided on the magnetic storage medium 30 during reproduction, the write element 10 is positioned on the guard band 33.
The positional relationship between the read element 21 and the read element 22 is the same as in the case of FIG. The third read element 26 is provided so as to be sandwiched between the lowermost magnetic shield layer 27 and the lower magnetic shield layer 23.

一方、第3のリード素子26は、最下部磁気シールド層27と下部磁気シールド層23との間に挟み込むように設けるものであり、ライト素子10の中心線に対してリード素子21と同じ側にW3 だけずれた位置に設ける。
この時、図2(b)に示すように、負側の最大スキュー角がφの場合に、第3のリード素子26の中心線が同じトラック321 上に位置するようにずらす必要がある。
On the other hand, the third read element 26 is provided so as to be sandwiched between the lowermost magnetic shield layer 27 and the lower magnetic shield layer 23, and on the same side as the read element 21 with respect to the center line of the write element 10. Provided at a position shifted by W 3 .
At this time, as shown in FIG. 2B, when the maximum skew angle on the negative side is φ, it is necessary to shift so that the center line of the third read element 26 is positioned on the same track 32 1 .

ここで、ライト素子10とリード素子22との距離をLとすると、W3 は、
3 =L×tanφ+(Tw /2)/cosφ ・・・(2)
となる。
したがって、負側の最大スキュー角を15°に設計する場合には、第3のリード素子26の中心線をライト素子10の中心線からW3 =L×tan15°+(Tw /2)/cos15°だけずらして配置すると、第3のリード素子26の中心位置での再生ができる。
Here, if the distance between the write element 10 and the read element 22 is L, W 3 is
W 3 = L × tan φ + (T w / 2) / cos φ (2)
It becomes.
Accordingly, when designing the maximum skew angle on the negative side to be 15 °, the center line of the third read element 26 is set to W 3 = L × tan 15 ° + (T w / 2) / from the center line of the write element 10. If the position is shifted by cos 15 °, reproduction at the center position of the third read element 26 can be performed.

また、負側の最大スキュー角を−15°に設定した場合、ライト素子26のずれ量W3 を、例えば、φ=11°に設定することによって、リード素子21でスキュー角0°〜−7.5°の範囲を再生し、リード素子26でスキュー角−7.5°〜−15°の範囲を再生するように切り替えても良い。 Further, when the maximum skew angle on the negative side is set to −15 °, the skew angle 0 ° to −7 is set at the read element 21 by setting the shift amount W 3 of the write element 26 to, for example, φ = 11 °. It may be switched so that the range of .5 ° is reproduced and the read element 26 reproduces the range of the skew angle of −7.5 ° to −15 °.

以上を前提として、次に、図3を参照して本発明の実施例1の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
なお、電解メッキ工程におけるメッキベース層については図示を省略する。
図3は、本発明の実施例1の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図であり、図3(a)は概略的要部正面図であり、また、図3(b)は、正面図におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
まず、スライダーの母体となる、Al2 3 −TiC基板上にAl2 3 膜(いずれも図示を省略)を介して下部磁気シールド層41を設け、この下部磁気シールド層41上にTMR膜43を設けるとともに、TMR膜43の側面にAl2 3 膜(図示を省略)を介して磁区制御膜44を設けて第2オフセットリード素子42を形成する。
Based on the above, the perpendicular storage composite type thin film magnetic head according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In addition, illustration is abbreviate | omitted about the plating base layer in an electrolytic plating process.
FIG. 3 is an explanatory diagram of the configuration of the perpendicular storage composite type thin film magnetic head according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 (a) is a schematic front view of the essential part, and FIG. 3 (b) is a front view. It is a schematic sectional drawing along the dashed-dotted line which connects AA 'in a figure.
First, a lower magnetic shield layer 41 is provided on an Al 2 O 3 —TiC substrate serving as a slider base via an Al 2 O 3 film (both not shown), and a TMR film is formed on the lower magnetic shield layer 41. 43 and a magnetic domain control film 44 is provided on the side surface of the TMR film 43 via an Al 2 O 3 film (not shown) to form the second offset read element 42.

この場合の第2オフセットリード素子42のライト素子を構成する主磁極先端部に対するオフセット量W2 は、上述のように、後述するライト素子を構成する主磁極先端部との距離をLとし、最大スキュー角を15°した場合に、例えば、θ=11°に設定して、W2 ={Ltan11°−(Tw /2)/cos11°}とする。
また、TMR膜43は、例えば、Ta膜/反強磁性層/ピンド層/トンネル絶縁膜/フリー層を順次積層した構成とし、また、磁区制御膜44はCoCrPt等で構成する。
In this case, the offset amount W 2 of the second offset read element 42 with respect to the main magnetic pole tip that constitutes the write element is, as described above, the distance from the main magnetic pole tip that constitutes the write element to be described later being L, When the skew angle is 15 °, for example, θ = 11 ° is set, and W 2 = {Ltan11 ° − (T w / 2) / cos11 °}.
The TMR film 43 has a structure in which, for example, a Ta film / antiferromagnetic layer / pinned layer / tunnel insulating film / free layer are sequentially laminated, and the magnetic domain control film 44 is made of CoCrPt or the like.

次いで、所定形状に加工した第2オフセットリード素子42をAl2 3 膜45で埋め込んで平坦化したのちTMR膜43の上部電極になる第1中間磁気シールド層46を設ける。 Next, the second offset read element 42 processed into a predetermined shape is filled with an Al 2 O 3 film 45 and planarized, and then a first intermediate magnetic shield layer 46 that becomes the upper electrode of the TMR film 43 is provided.

次いで、第1中間磁気シールド層46上に絶縁分離用のAl2 3 膜47を介して第2中間磁気シールド層48を設ける。
次いで、第2中間磁気シールド層48上にTMR膜50を設けるとともに、TMR膜50の側面にAl2 3 膜(図示を省略)を介して磁区制御膜51を設けて第1オフセットリード素子49を形成する。
Next, a second intermediate magnetic shield layer 48 is provided on the first intermediate magnetic shield layer 46 via an insulating isolation Al 2 O 3 film 47.
Next, a TMR film 50 is provided on the second intermediate magnetic shield layer 48, and a magnetic domain control film 51 is provided on the side surface of the TMR film 50 via an Al 2 O 3 film (not shown) to provide a first offset read element 49. Form.

この場合の第1オフセットリード素子49のライト素子を構成する主磁極先端部に対するオフセット量W1 は、上述のように、使用する磁気記憶媒体のトラック幅Tw の1/2に設定する。
また、TMR膜50も、例えば、Ta膜/反強磁性層/ピンド層/トンネル絶縁膜/フリー層を順次積層した構成とし、また、磁区制御膜51はCoCrPt等で構成する。
The offset amount W 1 to the main magnetic pole tip portion constituting a write element of the first offset read element 49 in this case, as described above, set to a half of the track width T w of the magnetic storage medium to be used.
In addition, the TMR film 50 has a structure in which, for example, a Ta film / antiferromagnetic layer / pinned layer / tunnel insulating film / free layer are sequentially laminated, and the magnetic domain control film 51 is made of CoCrPt or the like.

次いで、所定形状に加工した第1オフセットリード素子49をAl2 3 膜52で埋め込んで平坦化したのち、上部磁気シールド層53を設ける。
この上部磁気シールド層53はTMR膜50の上部電極になり、また、第2中間磁気シールド層48はTMR膜50の下部電極になる。
Next, the first offset read element 49 processed into a predetermined shape is filled with an Al 2 O 3 film 52 and planarized, and then an upper magnetic shield layer 53 is provided.
The upper magnetic shield layer 53 becomes an upper electrode of the TMR film 50, and the second intermediate magnetic shield layer 48 becomes a lower electrode of the TMR film 50.

次いで、上部磁気シールド層53上にAl2 3 膜54を全面に設けたのち、選択電解メッキ法を用いてAl2 3 膜54上に厚さが1〜3μm、例えば、1.0μmのNiFeからなる主磁極補助層55を設ける。 Next, after an Al 2 O 3 film 54 is provided on the entire surface of the upper magnetic shield layer 53, a thickness of 1 to 3 μm, for example, 1.0 μm, is formed on the Al 2 O 3 film 54 using a selective electrolytic plating method. A main magnetic pole auxiliary layer 55 made of NiFe is provided.

次いで、スパッタリング法を用いて全面にAl2 3 膜を堆積させたのち、CMPを用いて平坦化することによって、ヘッド媒体対向面側の凹部をAl2 3 埋込層56で埋め込む。
次いで、選択電解メッキ法を用いて全面に厚さが200〜300nm、例えば、250nmの主磁極となるCoNiFe層57を形成する。
Next, after depositing an Al 2 O 3 film on the entire surface using a sputtering method, planarization is performed using CMP to bury the recess on the head medium facing surface side with an Al 2 O 3 buried layer 56.
Next, a CoNiFe layer 57 serving as a main magnetic pole having a thickness of 200 to 300 nm, for example, 250 nm, is formed on the entire surface by selective electroplating.

次いで、レジストパターン(図示を省略)をマスクとして傾斜方向からArイオンを用いたイオンミリングを施すことによってCoNiFe層57及びAl2 3 埋込層56の先端部を選択的に除去して断面形状が逆台形状の主磁極先端部58を形成する。 Next, the tip portions of the CoNiFe layer 57 and the Al 2 O 3 buried layer 56 are selectively removed by performing ion milling using Ar ions from the inclined direction using a resist pattern (not shown) as a mask. Forms an inverted trapezoidal main pole tip 58.

次いで、再び、スパッタリング法を用いて全面にAl2 3 膜を堆積させたのち、CMPを用いて平坦化することによって、Al2 3 埋込層59を形成する。次いで、スパッタリング法を用いて厚さが、例えば、10〜100nm、例えば、60nmのAl2 3 膜を堆積させてギャップ層60とする。 Next, an Al 2 O 3 film is again deposited on the entire surface by sputtering, and then planarized by CMP, thereby forming an Al 2 O 3 buried layer 59. Next, an Al 2 O 3 film having a thickness of, for example, 10 to 100 nm, for example, 60 nm is deposited by sputtering to form the gap layer 60.

次いで、選択電解メッキ法を用いてギャップ層60上にCuを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル61を形成したのち、ライトコイル61を覆うようにフォトレジストを設け、このフォトレジストを被覆絶縁膜62とする。   Next, Cu is selectively formed on the gap layer 60 by using a selective electrolytic plating method to form a planar spiral write coil 61, and then a photoresist is provided so as to cover the write coil 61. Is a coating insulating film 62.

次いで、再び、選択電解メッキ法を用いてNiFe層を堆積させ、被覆絶縁膜62上に堆積したNiFe層をリターンヨーク63とし、被覆絶縁膜62のヘッド媒体対向面側の側面に堆積したNiFe層をトレーリングシールド64とする。
なお、ライトコイル61は主磁極とリターンヨーク63とを磁気的に接続する接続部65を中心として巻回した構造となっている。
Next, the NiFe layer is deposited again using the selective electrolytic plating method, and the NiFe layer deposited on the coating insulating film 62 is used as the return yoke 63, and the NiFe layer deposited on the side surface of the coating insulating film 62 on the head medium facing surface side. Is a trailing shield 64.
The write coil 61 is wound around a connection portion 65 that magnetically connects the main magnetic pole and the return yoke 63.

最後に、全体をAl2 3 膜(図示は省略)で被覆したのち、ヘッド媒体対向面側を切断し、素子高さを調整するようにABS面を研磨することによって、本発明の実施例1の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドの基本構成が得られる。 Finally, after covering the entire surface with an Al 2 O 3 film (not shown), the head medium facing surface side is cut, and the ABS surface is polished so as to adjust the element height. Thus, the basic structure of one perpendicular storage composite thin film magnetic head can be obtained.

このように、本発明の実施例1の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、オフセット方向が互いに異なる2つのリード素子を設けているので、再生時或いはシーク時にライト素子を常にガードバンド上に位置させた状態でトラックに対する記録再生が可能になる。   As described above, in the perpendicular storage composite thin film magnetic head according to the first embodiment of the present invention, the two read elements having different offset directions are provided, so that the write element is always positioned on the guard band during reproduction or seeking. Recording and reproduction with respect to the track can be performed in the state of being made.

次に、図4及び図5を参照して、本発明の実施例2の垂直磁気記憶装置に搭載するビットパターンド媒体を説明する。
なお、各処理は基板の両面に対して行うものであるが、ここでは図示を簡単にするためには、片面の構成のみ説明する。
Next, with reference to FIG. 4 and FIG. 5, a bit patterned medium mounted in the perpendicular magnetic storage device according to the second embodiment of the present invention will be described.
Note that each process is performed on both sides of the substrate, but only the configuration on one side will be described here for the sake of simplicity.

まず、図4(a)に示すように、例えば、ガラス基板71上に、NiFe等の軟磁性体からなる裏打層72を形成したのち、裏打層72上に厚さが、例えば、5nmの磁性層73を堆積させる。
この場合の磁性層73は、Fe,Pt,Co,Pdの2種類以上の元素を含むものとし、例えば、Co/Pd人工格子磁性層で構成する。
First, as shown in FIG. 4A, for example, a backing layer 72 made of a soft magnetic material such as NiFe is formed on a glass substrate 71, and then a magnetic layer having a thickness of, for example, 5 nm is formed on the backing layer 72. Layer 73 is deposited.
In this case, the magnetic layer 73 includes two or more elements of Fe, Pt, Co, and Pd, and is formed of, for example, a Co / Pd artificial lattice magnetic layer.

次いで、図4(b)に示すように、ナノインプリント技術により、例えば、Taからなるとともに、厚さが、例えば、1〜10nmの金属マスク74のパターンを作製する。
金属マスクの作製方法は、金属マスク、レジストの順序で積層し、スタンパを押し当ててレジストにパターンを転写する。その後、エッチングにより金属マスクにパターンを転写し、最後にレジストを除去する。
この場合の金属マスク74のサイズは、記録ビットのサイズに対応するものであり、例えば、媒体全面とし、また、そのピッチは10〜50nmとする。
Next, as shown in FIG. 4B, a pattern of a metal mask 74 made of, for example, Ta and having a thickness of, for example, 1 to 10 nm is manufactured by the nanoimprint technique.
The metal mask is manufactured by stacking a metal mask and a resist in this order, and pressing a stamper to transfer the pattern to the resist. Thereafter, the pattern is transferred to the metal mask by etching, and finally the resist is removed.
The size of the metal mask 74 in this case corresponds to the size of the recording bit, and is, for example, the entire surface of the medium and the pitch is 10 to 50 nm.

次いで、図4(c)に示すように、金属マスク74をマスクとして、Ar,O,N、例えば、Arイオン75を1×1015〜1×1017cm-2のドーズ量でイオン注入することによって、注入領域をアモルファス化して非磁性領域76を形成する。
この時、磁性体のままの領域はドット状の記録ビット77となる。
Next, as shown in FIG. 4C, Ar, O, N, for example, Ar ions 75 are ion-implanted with a dose of 1 × 10 15 to 1 × 10 17 cm −2 using the metal mask 74 as a mask. As a result, the implantation region is amorphized to form the nonmagnetic region 76.
At this time, the area that remains as a magnetic material becomes dot-shaped recording bits 77.

次いで、図4(d)に示すように、金属マスク74を除去したのち、ナノインプリント技術により、例えば、Taからなるとともに、厚さが、例えば、1〜10nmの金属マスク78のパターンを作製する。
この場合の金属マスク78は、記録ビット77の位置に対応するとともに、記録ビット77のサイズより小さなサイズの開口部79を有している。
この場合の開口部79のサイズは、高保磁力領域の枠の寸法が、記録ビット77の長さ及び幅の内の小さい方の寸法の20%〜40%になるように設定する。
したがって、低保磁力領域のサイズは、記録ビット77のサイズに対して、36%(=0.6×0.6)〜4%(=0.2×0.2)となる。
Next, as shown in FIG. 4D, after removing the metal mask 74, a pattern of the metal mask 78 made of, for example, Ta and having a thickness of, for example, 1 to 10 nm is manufactured by the nanoimprint technique.
In this case, the metal mask 78 has an opening 79 corresponding to the position of the recording bit 77 and having a size smaller than the size of the recording bit 77.
In this case, the size of the opening 79 is set so that the frame size of the high coercive force region is 20% to 40% of the smaller size of the length and width of the recording bit 77.
Therefore, the size of the low coercive force region is 36% (= 0.6 × 0.6) to 4% (= 0.2 × 0.2) with respect to the size of the recording bit 77.

次いで、図4(e)に示すように、金属マスク78をマスクとして、Ar,O,N、例えば、Arイオン80をイオン注入することによって、注入領域を低保磁力領域81とする。
この場合の低保磁力領域81の保磁力が、保磁力が元のままの高保磁力領域82の保磁力の80〜90%に低下するようにドーズ量を設定する。
Next, as shown in FIG. 4E, Ar, O, N, for example, Ar ions 80 are ion-implanted using the metal mask 78 as a mask, so that the implantation region is set to a low coercive force region 81.
In this case, the dose is set so that the coercive force of the low coercive force region 81 is reduced to 80 to 90% of the coercive force of the high coercive force region 82 with the original coercive force.

これは、ドット状の記録ビット77を構成する材料として、反転磁界が少なくてすむECC(Exchange Coupled Composite)媒体を用いることを前提とした場合である。
したがって、反転磁界の低下分相当を、ドット状の磁気ビット76の内部を保磁力が互いに異なった構造とすることで作製している。
This is based on the premise that an ECC (Exchange Coupled Composite) medium that requires a small reversal magnetic field is used as a material constituting the dot-shaped recording bit 77.
Therefore, the amount corresponding to the decrease in the reversal magnetic field is produced by making the inside of the dot-like magnetic bit 76 have different coercive forces.

次いで、図5に示すように、金属マスク78を除去することによって、ビットパターンド媒体の基本構造が完成する。ビットパターンド媒体の製造工程として、金属マスクを用いる方が望ましいが、金属マスクを用いず、レジストのみとしても良い。
なお、図5(a)は概略的要部断面図であり、また、図5(b)は概略的要部平面図であり、記録ビット77の列がトラック83を構成し、トラック83の間の非磁性領域76がガードバンド84になる。
以降は、必要に応じて、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜等の保護膜を設けたのち、パーフルオロカーボン系の潤滑剤を塗布することによって、ビットパターンド媒体が完成する。
Next, as shown in FIG. 5, by removing the metal mask 78, the basic structure of the bit patterned medium is completed. Although it is desirable to use a metal mask as a manufacturing process of the bit patterned medium, it is possible to use only a resist without using a metal mask.
5A is a schematic cross-sectional view of the main part, and FIG. 5B is a schematic plan view of the main part. A row of recording bits 77 constitutes the track 83, and the space between the tracks 83 is shown. The nonmagnetic region 76 becomes the guard band 84.
Thereafter, if necessary, a protective film such as a DLC (diamond-like carbon) film is provided, and then a perfluorocarbon-based lubricant is applied to complete the bit patterned medium.

本発明のビットパターンド媒体を用いることにより、ポールイレーズを抑制できるため、媒体の保磁力を低く設定できる。
即ち、ビットパターンド媒体の構造として、ガードバンドに近いビットの周辺部はライト素子の主磁極先端部がかかる可能性があるため保磁力を高いままの高保磁力領域とし、中心部はポールイレーズ発生の懸念がないため、保磁力を低く設定した低保磁力領域とする。 これにより、ビットの書き込みが容易になるメリットが得られる。
Since the pole erase can be suppressed by using the bit patterned medium of the present invention, the coercive force of the medium can be set low.
That is, as the structure of the bit patterned medium, the peripheral part of the bit close to the guard band may be covered with the tip of the main pole of the write element, so that the coercive force remains high, and the central part generates pole erase. Therefore, the low coercive force region is set to a low coercive force. As a result, a merit of facilitating bit writing can be obtained.

次に、図6を参照して、本発明の実施例3の垂直磁気記憶装置を説明するが、この磁気ディスク装置は上述の実施例1の垂直記憶用複合型薄膜磁気ヘッド及び実施例2のバタンド媒体を搭載したものである。
図6は、本発明の実施例3の磁気ディスク装置の平面図であり、磁気ディスク装置90は、スピンドルモータ91の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング92によって固定された上述の実施例2に記載したパターンド媒体からなる磁気ディスク93、磁気ディスク93に書き込まれた磁気情報を読み取るとともに、磁気ディスク93に磁気情報を書き込む実施例1に記載した垂直記憶用複合型薄膜磁気ヘッドを備えたスライダー94、スライダー94の先端部に取り付けた微動アーム95、微動アーム95を駆動する一対の圧電アクチュエータ(図示を省略)、微動アーム95を軸96により揺動支持するとともに磁気ディスク装置90のシャーシ97に回動可能に支持されたベースアーム98、ベースアーム98を駆動する電磁アクチュエータ99によって構成される。
Next, a perpendicular magnetic storage device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6. This magnetic disk device is a composite thin film magnetic head for perpendicular storage according to the first embodiment described above and the second embodiment. It is equipped with a Batando medium.
FIG. 6 is a plan view of the magnetic disk device according to the third embodiment of the present invention. The magnetic disk device 90 is attached to the rotating shaft of the spindle motor 91 and fixed by the disk clamp ring 92 described above. The magnetic disk 93 made of the patterned medium described in 1) and the composite thin-film magnetic head for perpendicular storage described in the first embodiment, which reads the magnetic information written on the magnetic disk 93 and writes the magnetic information on the magnetic disk 93, are provided. A slider 94, a fine movement arm 95 attached to the tip of the slider 94, a pair of piezoelectric actuators (not shown) for driving the fine movement arm 95, a fine movement arm 95 is supported by swinging with a shaft 96, and a chassis 97 of the magnetic disk device 90. Base arm 98 supported rotatably on the base arm 98 It constituted by an electromagnetic actuator 99 that.

以上、本発明の実施の形態及び各実施例を説明してきたが、本発明は実施の形態及び各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能である。例えば、上記の実施例3においては、実施例2で説明したビットパターンド媒体を搭載することを前提としているが、ビットパターンド媒体に限られるものではなく、例えば、トラックがパターンとして分離されたディスクリート媒体を用いても良い。   Although the embodiments and examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations and conditions described in the embodiments and examples, and various modifications can be made. For example, in the third embodiment, it is assumed that the bit patterned medium described in the second embodiment is mounted. However, the present invention is not limited to the bit patterned medium. For example, tracks are separated as patterns. Discrete media may be used.

さらに、本発明は、ビットパターンド媒体やディスクリート媒体に限られるものではなく、通常の連続媒体にも適用されるものであり、この場合も、再生時或いはシーク時に、ライト素子の中心が常にガードバンド上に位置するように制御すれば良い。
但し、連続媒体では、ガードバンド幅が狭いため、再生時に記録ヘッドをガードバンド上に退避させても、データ上に主磁極が残る領域が大きいため、パターンド媒体に比べて効果は小さくなるが、有効である。
Furthermore, the present invention is not limited to bit patterned media and discrete media, but can be applied to ordinary continuous media. In this case as well, the center of the write element is always guarded during playback or seeking. What is necessary is just to control so that it may be located on a band.
However, in the continuous medium, since the guard band width is narrow, even if the recording head is retracted on the guard band at the time of reproduction, the area where the main magnetic pole remains on the data is large, so the effect is smaller than that of the patterned medium. ,It is valid.

また、スキュー角が負の場合に、図1(b)の場合には、第3のリード素子を用いているが、負のスキュー角が小さい場合は、第3のリード素子を設けることなく、第1のリード素子(21)で対応するようにしても良い。   When the skew angle is negative, the third read element is used in the case of FIG. 1B. However, when the negative skew angle is small, the third read element is not provided. You may make it respond | correspond by a 1st read element (21).

また、ヒータ加熱によりスライダーの浮上量を制御するDFH(Dynamic Flying Height)ヘッドの場合には、記録、再生時以外でライト素子がトラック上を横断する場合には、DFHのヒータをOFFにして使用することによりヘッドの浮上量を上げ、ライトヘッドがトラックを横切る場合のポールイレーズを抑制するようにしても良い。   In the case of a DFH (Dynamic Flying Height) head that controls the flying height of the slider by heating the heater, the DFH heater is turned off when the write element crosses the track except during recording and reproduction. By doing so, it is possible to increase the flying height of the head and suppress pole erasure when the write head crosses the track.

また、オフセットリード素子を3個配置する場合に、ライト素子に対してトラック幅の1/2だけ位置をずらす基準となる第1のオフセットリード素子を主磁極に近い側に配置しているが、中段或いは下段のオフセットリード素子を基準としても良いものである。   Further, when three offset read elements are arranged, the first offset read element serving as a reference for shifting the position by 1/2 of the track width with respect to the write element is arranged on the side close to the main magnetic pole. The intermediate or lower offset read element may be used as a reference.

以上の実施例1乃至実施例3を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を開示する。
(付記1) 複数のリード素子を備えた垂直磁気ヘッドであって、前記複数のリード素子の内の第1のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置した垂直磁気ヘッド。
(付記2) 前記リード素子が3個であり、前記3個のリード素子の内の第2のリード素子の前記第1のリード素子に対するずれ方向が、前記3個のリード素子の内の第3のリード素子の前記第1のリード素子に対するずれ方向と反対側である付記1記載の垂直磁気ヘッド。
(付記3) 付記1または2に記載の垂直磁気ヘッドと磁気記憶媒体を搭載した垂直磁気記憶装置。
(付記4) 前記垂直磁気ヘッドを構成するライト素子の中心位置が、記録再生時に前記磁気記憶媒体のガードバンド上に位置するように制御する制御機構を備えた付記3記載の垂直磁気記憶装置。
(付記5) 前記磁気記憶媒体としてパターンド媒体を用いた付記3または4に記載の磁気記憶装置。
(付記6) 前記パターンド媒体が、非磁性領域に囲まれたドット状記録部の中心部を前記ドット状記録部の周辺部に比べて低保磁力にした付記5記載の垂直磁気記憶装置。
(付記7) 前記ドット状記録部の中心部の保磁力を、前記ドット状記録部の周辺部の保磁力より10〜20%低減した付記6記載の垂直磁気記憶装置。
The following additional notes are disclosed regarding the embodiment of the present invention including Examples 1 to 3 described above.
(Supplementary Note 1) A perpendicular magnetic head including a plurality of read elements, wherein the center position of the first read element of the plurality of read elements is shifted from the center position of the write element by approximately half the track width. And a perpendicular magnetic head arranged to be shifted from the center position of the other read elements of the plurality of read elements.
(Supplementary Note 2) The number of the read elements is three, and the displacement direction of the second read element of the three read elements with respect to the first read element is the third of the three read elements. The perpendicular magnetic head according to appendix 1, wherein the read element is opposite to the direction of displacement of the first read element.
(Additional remark 3) The perpendicular magnetic storage device which mounts the perpendicular magnetic head and magnetic storage medium of Additional remark 1 or 2.
(Supplementary note 4) The perpendicular magnetic storage device according to supplementary note 3, comprising a control mechanism for controlling the center position of the write element constituting the perpendicular magnetic head so as to be positioned on a guard band of the magnetic storage medium during recording and reproduction.
(Supplementary note 5) The magnetic storage device according to supplementary note 3 or 4, wherein a patterned medium is used as the magnetic storage medium.
(Supplementary note 6) The perpendicular magnetic storage device according to supplementary note 5, wherein the patterned medium has a lower coercive force at a center portion of a dot-shaped recording portion surrounded by a non-magnetic region than at a peripheral portion of the dot-shaped recording portion.
(Supplementary note 7) The perpendicular magnetic storage device according to supplementary note 6, wherein the coercive force of the central portion of the dot-shaped recording portion is reduced by 10 to 20% from the coercive force of the peripheral portion of the dot-shaped recording portion.

本発明の実施の形態の磁気記録ヘッドの概念的構成図である。1 is a conceptual configuration diagram of a magnetic recording head according to an embodiment of the present invention. リード素子を3つ設けた場合の磁気記録ヘッドの概念的構成図である。It is a conceptual block diagram of a magnetic recording head when three read elements are provided. 本発明の実施例1の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration explanatory diagram of a perpendicular storage composite thin film magnetic head according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例2の垂直磁気記憶装置に搭載するビットパターンド媒体の途中までの製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process to the middle of the bit patterned medium mounted in the perpendicular magnetic memory | storage device of Example 2 of this invention. 本発明の実施例2の垂直磁気記憶装置に搭載するビットパターンド媒体の図4以降の製造工程の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of the manufacturing process after FIG. 4 of the bit patterned medium mounted on the perpendicular magnetic storage device of Example 2 of the invention. 本発明の実施例3の磁気ディスク装置の平面図である。It is a top view of the magnetic disk apparatus of Example 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 ライト素子
11 リターンヨーク
21,22 リード素子
23 下部磁気シールド層
24 中間磁気シールド層
25 上部磁気シールド層
26 第3のリード素子
27 最下部磁気シールド層
30 磁気記憶媒体
31 記録ビット
321,322 トラック
33 ガードバンド
41 下部磁気シールド層
42 第2オフセットリード素子
43 TMR膜
44 磁区制御膜
45 Al2 3
46 第1中間磁気シールド層
47 Al2 3
48 第2中間磁気シールド層
49 第1オフセットリード素子
50 TMR膜
51 磁区制御膜
52 Al2 3
53 上部磁気シールド層
54 Al2 3
55 主磁極補助層
56 Al2 3 埋込層
57 CoNiFe層
58 主磁極先端部
59 Al2 3 埋込層
60 ギャップ層
61 ライトコイル
62 被覆絶縁膜
63 リターンヨーク
64 トレーリングシールド
65 接続部
71 ガラス基板
72 裏打層
73 磁性層
74 金属マスク
75 Arイオン
76 非磁性領域
77 記録ビット
78 金属マスク
79 開口部
80 Arイオン
81 低保磁力領域
82 高保磁力領域
83 トラック
84 ガードバンド
90 磁気ディスク装置
91 スピンドルモータ
92 ディスククランプリング
93 磁気ディスク
94 スライダー
95 微動アーム
96 軸
97 シャーシ
98 ベースアーム
99 電磁アクチュエータ
10 Write element 11 Return yoke 21, 22 Read element 23 Lower magnetic shield layer 24 Intermediate magnetic shield layer 25 Upper magnetic shield layer 26 Third read element 27 Bottom magnetic shield layer 30 Magnetic storage medium 31 Recording bits 32 1, 32 2 Track 33 Guard band 41 Lower magnetic shield layer 42 Second offset read element 43 TMR film 44 Magnetic domain control film 45 Al 2 O 3 film 46 First intermediate magnetic shield layer 47 Al 2 O 3 film 48 Second intermediate magnetic shield layer 49 1 Offset read element 50 TMR film 51 Magnetic domain control film 52 Al 2 O 3 film 53 Upper magnetic shield layer 54 Al 2 O 3 film 55 Main magnetic pole auxiliary layer 56 Al 2 O 3 buried layer 57 CoNiFe layer 58 Main magnetic pole tip 59 Al 2 O 3 buried layer 60 Gap layer 61 Write coil 62 Cover insulating film 63 Return yoke 64 Trailing shield 65 Connection portion 71 Glass substrate 72 Backing layer 73 Magnetic layer 74 Metal mask 75 Ar ion 76 Nonmagnetic region 77 Recording bit 78 Metal mask 79 Opening 80 Ar ion 81 Low coercive force region 82 High coercive force region 83 Track 84 Guard band 90 Magnetic disk device 91 Spindle motor 92 Disk clamp ring 93 Magnetic disk 94 Slider 95 Fine movement arm 96 Shaft 97 Chassis 98 Base arm 99 Electromagnetic actuator

Claims (5)

複数のリード素子を備えた垂直磁気ヘッドであって、前記複数のリード素子の内の第1のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置した垂直磁気ヘッド。 A perpendicular magnetic head comprising a plurality of read elements, wherein the center position of the first read element of the plurality of read elements is arranged so as to be shifted substantially half the track width from the center position of the write element, and A perpendicular magnetic head arranged with a shift from the center position of other read elements of the plurality of read elements. 前記リード素子が3個であり、前記3個のリード素子の内の第2のリード素子の前記第1のリード素子に対するずれ方向が、前記3個のリード素子の内の第3のリード素子の前記第1のリード素子に対するずれ方向と反対側である請求項1記載の垂直磁気ヘッド。 The number of the read elements is three, and the displacement direction of the second read element of the three read elements with respect to the first read element is that of the third read element of the three read elements. The perpendicular magnetic head according to claim 1, wherein the perpendicular magnetic head is on a side opposite to a displacement direction with respect to the first read element. 請求項1または2に記載の垂直磁気ヘッドと磁気記憶媒体を搭載した垂直磁気記憶装置。 A perpendicular magnetic storage device comprising the perpendicular magnetic head according to claim 1 and a magnetic storage medium. 前記垂直磁気ヘッドを構成するライト素子の中心位置が、記憶再生時に前記磁気記憶媒体のガードバンド上に位置するように制御する制御機構を備えた請求項3記載の垂直磁気記憶装置。 4. The perpendicular magnetic storage device according to claim 3, further comprising a control mechanism for controlling the center position of the write element constituting the perpendicular magnetic head to be positioned on a guard band of the magnetic storage medium during recording and reproduction. 前記磁気記憶媒体としてパターンド媒体を用いた請求項3または4に記載の磁気記憶装置。 The magnetic storage device according to claim 3, wherein a patterned medium is used as the magnetic storage medium.
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