JP2009213098A - Voltage-to-current conversion circuit - Google Patents

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▲ギョク▼鈿 王
Gengai Ko
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SEIGUN HANDOTAI KOFUN YUGENKOS
SEIGUN HANDOTAI KOFUN YUGENKOSHI
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SEIGUN HANDOTAI KOFUN YUGENKOSHI
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage-to-current conversion circuit which allows to reduce the manufacturing cost. <P>SOLUTION: The voltage-to-current conversion circuit includes a high-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process amplifier, and an electric resistance. This configuration allows the voltage-to-current conversion circuit to be directly applied in a high-voltage manufacturing process circuit and allows the manufacturing cost to be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は電圧電流転換回路に関する。特に低電圧製造工程増幅器を使用し低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターを推し進めるため、高電圧製造工程の回路において直接応用することができる電圧電流転換回路に係る。   The present invention relates to a voltage / current conversion circuit. In particular, the present invention relates to a voltage-current conversion circuit that can be directly applied in a circuit of a high voltage manufacturing process in order to promote a low voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor using a low voltage manufacturing process amplifier.

公知の電圧電流転換回路は主に電圧受動器の構造に利用され、さらに外付け電気抵抗を利用し電流値を決定するが、低電圧回路においては、この種の方式は可能である。なぜなら、低電圧製造工程中のN型MOS電界効果トランジスターの臨界電圧はおよそ０．５〜０．８Ｖであるため、増幅器の出力レベルの振り幅(swing)はなお次のレベルのN型MOS電界効果トランジスターをドライブすることができるからである。しかもこれにより増幅器内部のMOS電界効果トランジスターを飽和区において保持することができる。   A known voltage-current conversion circuit is mainly used in the structure of a voltage passive device, and further determines an electric current value by using an external electric resistance. However, this type of method is possible in a low-voltage circuit. Because the critical voltage of the N-type MOS field-effect transistor during the low-voltage manufacturing process is about 0.5 to 0.8 V, the output level swing of the amplifier is still at the next level N-type MOS field. This is because the effect transistor can be driven. In addition, this allows the MOS field effect transistor inside the amplifier to be held in the saturation region.

図１は公知の電圧電流転換回路１の回路図である。入力電圧Ｖ1を増幅器２のプラス入力端に加え、マイナスフィードバックを経て、出力電圧ＶOを入力電圧ＶIと等しくし、電気抵抗Ｒを通して電流Ｉを調整する。しかし、これらはすべてのMOS電界効果トランジスター３が飽和区になければ成立しない。なぜなら飽和区にあってのみ、増幅器２はリニア増幅器であり、マイナスフィードバックの条件を満たすことができるからである。 FIG. 1 is a circuit diagram of a known voltage-current conversion circuit 1. The input voltage V 1 is applied to the positive input terminal of the amplifier 2, and through negative feedback, the output voltage V O is made equal to the input voltage V I, and the current I is adjusted through the electric resistance R. However, these do not hold unless all the MOS field effect transistors 3 are in the saturation region. This is because only in the saturation zone, the amplifier 2 is a linear amplifier and can satisfy the condition of minus feedback.

しかし、高電圧回路中で電圧電流転換回路を使用しようとするなら、高電圧製造工程増幅器を用いるか、低電圧製造工程増幅器を用いるかの問題に直面することになる。もし高電圧製造工程増幅器を用いるなら、面積とパワーは大幅に増加し、もし低電圧製造工程増幅器を用いるなら、振り幅(swing)制限の問題に突き当たる。なぜなら高電圧製造工程増幅器の臨界電圧変化は非常に大きく、およそ１〜２Ｖの間であるため、一般の低電圧製造工程増幅器は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブすることができない可能性があるからである。   However, if a voltage-current conversion circuit is to be used in a high voltage circuit, the problem of using a high voltage manufacturing process amplifier or a low voltage manufacturing process amplifier is encountered. If a high voltage manufacturing amplifier is used, the area and power will increase significantly, and if a low voltage manufacturing amplifier is used, the problem of swing limitation is encountered. Because the critical voltage change of the high voltage manufacturing process amplifier is so large that it is between about 1-2V, a general low voltage manufacturing process amplifier may not be able to drive the high voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor Because there is sex.

また製造工程の面では、高電圧製造工程は低電圧製造工程の安定性には及ばない。よって臨界電圧も非常に不安定で、一般的には１〜２Ｖの間である。よって増幅器の振り幅(swing)は臨界電圧Ｖｔ（高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター）より大きくなければならず、入力電圧ＶIを加え、初めて高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブすることができる。もし、低電圧回路供給電圧がＶＤＤ＝３Ｖであるなら、増幅器は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブできるとは限らない。なぜならこの時、増幅器の振り幅(swing)は必ず３Ｖより小さいからで、入力電圧ＶIが非常に小さいのなら良いが、実際の使用においては入力電圧ＶIの値が非常に小さいということはあり得ない。 In terms of manufacturing process, the high voltage manufacturing process does not reach the stability of the low voltage manufacturing process. Therefore, the critical voltage is also very unstable and is generally between 1 and 2V. Therefore, the swing of the amplifier must be larger than the critical voltage Vt (high voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor), and for the first time, the high voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor is added by adding the input voltage V I. Can drive. If the low voltage circuit supply voltage is VDD = 3V, the amplifier cannot always drive the high voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor. Because the swing of the amplifier is always smaller than 3V at this time, the input voltage V I should be very small. However, in actual use, the value of the input voltage V I is very small. impossible.

よって、電圧電流転換回路を研究開発し、低電圧製造工程増幅器を使用し低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブ可能とし、これにより電圧電流転換回路は高電圧製造工程の回路において直接応用可能となり、こうして製造コストを低下させることが本発明が目指す方向性である。   Therefore, research and development of voltage-current conversion circuit, low-voltage manufacturing process amplifier can be used to drive low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, so that the voltage-current conversion circuit can be directly applied in the circuit of high-voltage manufacturing process It is possible to reduce the manufacturing cost in this way.

本発明が解決しようとする課題は、公知の電圧電流転換回路では、N型MOS電界効果トランジスターをドライブするためには、高電圧製造工程増幅器が必要であるという問題を解決する電圧電流転換回路を提供することである。   A problem to be solved by the present invention is to provide a voltage-current conversion circuit that solves the problem that a high-voltage manufacturing process amplifier is required to drive an N-type MOS field effect transistor in a known voltage-current conversion circuit. Is to provide.

上記課題を解決するため、本発明は下記の電圧電流転換回路を提供する。
電圧電流転換回路は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を含み、
該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのドレイン極は該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極と接続し、該低電圧製造工程増幅器はプラス入力端、マイナス入力端、出力端を備え、該出力端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのゲート極と接続し、入力電圧は該プラス入力端に入力され、及び該マイナス入力端と該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極は接続し、出力電圧を発生し、
該電気抵抗の一端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極と接続し、反対端はアースで、
該低電圧製造工程増幅器を使用し、該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブし、これにより電圧電流転換回路は高電圧製造工程の回路において直接応用され、こうして製造コストを低下させる目的を達成することができる。 In order to solve the above problems, the present invention provides the following voltage-current conversion circuit.
The voltage-current conversion circuit includes a high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process amplifier, an electrical resistance,
The drain electrode of the low voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor is connected to the source electrode of the high voltage manufacturing process N type MOS field effect transistor, and the low voltage manufacturing process amplifier includes a positive input terminal, a negative input terminal, and an output terminal. The output terminal is connected to the gate electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, the input voltage is input to the positive input terminal, and the negative input terminal and the low-voltage manufacturing process N-type MOS The source electrode of the field effect transistor connects to generate the output voltage,
One end of the electrical resistance is connected to the source electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, and the other end is grounded.
The low-voltage manufacturing process amplifier is used to drive the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, whereby the voltage-current conversion circuit is directly applied in the circuit of the high-voltage manufacturing process, thus reducing the manufacturing cost Can be achieved.

請求項１の発明は、高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を含み、
該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのドレイン極は該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極と接続し、
該低電圧製造工程増幅器はプラス入力端、マイナス入力端、出力端を備え、該出力端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのゲート極と接続し、入力電圧は該プラス入力端に入力され、及び該マイナス入力端と該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極は接続し、出力電圧を発生し、
該電気抵抗の一端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極と接続し、反対端はアースであることを特徴とする電圧電流転換回路としている。
請求項２の発明は、前記電圧電流転換回路はさらにキャパシターを含み、該電気抵抗と並列することを特徴とする請求項１記載の電圧電流転換回路としている。
請求項３の発明は、前記電圧電流転換回路はさらにクランプ電圧を含み、該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのゲート極に入力することを特徴とする請求項１記載の電圧電流転換回路としている。
請求項４の発明は、前記入力電圧は該出力電圧と相等であることを特徴とする請求項１記載の電圧電流転換回路としている。
請求項５の発明は、前記高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのドレイン極に入力する入力電流は該出力電圧から該電気抵抗を除いた値であることを特徴とする請求項４記載の電圧電流転換回路としている。 The invention of claim 1 includes a high voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, a low voltage manufacturing process N type MOS field effect transistor, a low voltage manufacturing process amplifier, an electric resistance,
The drain electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor is connected to the source electrode of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor,
The low-voltage manufacturing process amplifier has a positive input terminal, a negative input terminal, and an output terminal. The output terminal is connected to the gate electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, and the input voltage is connected to the positive input terminal. The negative input terminal and the source electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor are connected to generate an output voltage;
One end of the electric resistance is connected to the source electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, and the other end is a ground.
According to a second aspect of the present invention, there is provided the voltage / current conversion circuit according to the first aspect, wherein the voltage / current conversion circuit further includes a capacitor and is arranged in parallel with the electric resistance.
According to a third aspect of the present invention, the voltage / current conversion circuit further includes a clamp voltage, and the voltage / current conversion circuit is input to a gate electrode of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor. It is said.
A fourth aspect of the present invention is the voltage-current conversion circuit according to the first aspect, wherein the input voltage is equivalent to the output voltage.
The invention according to claim 5 is characterized in that the input current input to the drain electrode of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor is a value obtained by subtracting the electrical resistance from the output voltage. It is a voltage-current conversion circuit.

上記のように、本発明は低電圧製造工程増幅器を使用し、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブし、これにより電圧電流転換回路は高電圧製造工程の回路において直接応用され、こうして製造コストを低下させる目的を達成する。   As described above, the present invention uses a low voltage manufacturing process amplifier and drives a low voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, whereby the voltage-current conversion circuit is directly applied in the circuit of the high voltage manufacturing process, thus Achieving the purpose of reducing manufacturing costs.

本発明の目的、特徴、効果をさらに明確に説明するため、以下に具体的実施例に図式を合わせ詳細な説明を行う。   In order to explain the objects, features, and effects of the present invention more clearly, a detailed description will be given below with reference to specific examples.

図２は本発明の電圧電流転換回路の回路図である。図２に示すように、本発明の電圧電流転換回路４は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター(HV NMOS)５、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター(LV NMOS)６、低電圧製造工程増幅器９、電気抵抗Ｒ1を含む。該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６のドレイン極７は該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター５のソース極８と接続し、該低電圧製造工程増幅器９はプラス入力端１０、マイナス入力端１１、出力端１２を備える。該出力端１２は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６のゲート極１３と接続し、入力電圧ＶI1は該プラス入力端１０に入力され、及び該マイナス入力端１１と該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６のソース極１４は接続し、出力電圧ＶO1を発生する。該入力電圧ＶI1は該出力電圧ＶO1と相等である。該電気抵抗Ｒ1の一端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６のソース極１４と接続し、反対端はアースである。該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター５のドレイン極１５に入力する入力電流Ｉ1は、該出力電圧ＶO1の値に等しく、該電気抵抗Ｒ1を除いた値である。該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６は高電圧のルートにあるため、該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６のドレイン極７電圧を制限する必要があり、これにより部品の焼切れを防止する。よって、該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター５のゲート極１６においてクランプ電圧１７を与え、これにより該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６のドレイン極７電圧を部品が耐えることができる範囲内とすることに最適である。 FIG. 2 is a circuit diagram of the voltage-current conversion circuit of the present invention. As shown in FIG. 2, the voltage-current conversion circuit 4 of the present invention includes a high voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor (HV NMOS) 5, a low voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor (LV NMOS) 6, and a low voltage. A manufacturing process amplifier 9 and an electric resistance R 1 are included. The drain electrode 7 of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 6 is connected to the source electrode 8 of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 5, and the low-voltage manufacturing process amplifier 9 has a positive input terminal 10, A negative input end 11 and an output end 12 are provided. The output terminal 12 is connected to the gate electrode 13 of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 6, the input voltage V I1 is input to the positive input terminal 10, and the negative input terminal 11 and the low-voltage manufacturing circuit. The source electrode 14 of the process N-type MOS field effect transistor 6 is connected to generate an output voltage V O1 . The input voltage V I1 is equivalent to the output voltage V O1 . One end of the electric resistance R 1 is connected to the source electrode 14 of the low voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 6, the opposite end is grounded. The input current I 1 input to the drain electrode 15 of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 5 is equal to the value of the output voltage V O1 and is a value excluding the electric resistance R 1 . Since the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 6 is on the high voltage route, it is necessary to limit the drain electrode 7 voltage of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 6, thereby Prevent cutting. Therefore, a clamp voltage 17 is applied to the gate electrode 16 of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 5, so that the component can withstand the drain electrode 7 voltage of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 6. It is most suitable to make it within a possible range.

図３は本発明をLEDディスプレーユニットに応用する最適具体的実施例の回路図である。図３に図２を合わせて示すように、LED表示ユニット１８が定電流である時、その輝度は最も安定している。ここでは本発明の電圧電流転換回路４の入力電流Ｉ1を使用し、参考電流とする。次に、電流ミラー(Current Mirror)の構造により、高電圧製造工程P型MOS電界効果トランジスター(HV PMOS)及び高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター(HV NMOS)を通して、LEDパーツ１９端に反映させる。こうして定電流を生じ、この回路構造において先に固定の電圧源を生じなければならない。よって、バンドギャップ(BandGap)回路を使用し固定電圧源２０を生じることが望ましい。実際の応用上では、高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター５と低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター６は直列であるため、ノイズが高電圧製造工程から届く可能性があり、参考電流へのノイズの干渉を回避するためには、電気抵抗Ｒ1においてキャパシターＣ1を並列し、ノイズをろ過することができる。但し、LED表示ユニット１８の安定性の問題を考慮する必要がある。もしキャパシターＣ1が大き過ぎれば、フェーズマージン(Phase Margin)が小さ過ぎ、該LED表示ユニット１８はマイナスフィードバックにおいて震動する恐れがある。もしキャパシターＣ1が小さ過ぎれば、フィルター効果を達成することはできない。よってこの時点で、先に適当なキャパシター値を決定する必要があり、続いて増幅器の構造を決定し、該LED表示ユニット１８のフェーズマージン(Phase Margin)は適当な範囲内となる。 FIG. 3 is a circuit diagram of an optimum embodiment in which the present invention is applied to an LED display unit. As shown in FIG. 2 together with FIG. 3, when the LED display unit 18 has a constant current, the luminance is most stable. Here, the input current I 1 of the voltage / current converting circuit 4 of the present invention is used as a reference current. Next, the current mirror structure reflects the LED part 19 through the high-voltage manufacturing process P-type MOS field effect transistor (HV PMOS) and the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor (HV NMOS). Let In this way, a constant current is generated, and a fixed voltage source must first be generated in this circuit structure. Therefore, it is desirable to generate the fixed voltage source 20 using a band gap circuit. In actual application, the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor 5 and the low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor 6 are in series, so noise may arrive from the high-voltage manufacturing process. In order to avoid interference of noise with the capacitor, the capacitor C 1 can be placed in parallel with the electric resistance R 1 to filter the noise. However, it is necessary to consider the stability problem of the LED display unit 18. If capacitor C 1 is too large, the phase margin (Phase Margin) is too small, the LED display unit 18 is likely to vibration in negative feedback. If Sugire if capacitor C 1 is small, it is impossible to achieve a filtering effect. Therefore, at this time, it is necessary to determine an appropriate capacitor value first, and subsequently determine the structure of the amplifier, and the phase margin of the LED display unit 18 falls within an appropriate range.

上記のように、本発明が提供する電圧電流転換回路は低電圧製造工程増幅器を使用し、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターをドライブし、これにより電圧電流転換回路は高電圧製造工程の回路において直接応用され、製造コストを低下させる目的を達成することができる。   As described above, the voltage-current conversion circuit provided by the present invention uses a low-voltage manufacturing process amplifier and drives a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, whereby the voltage-current conversion circuit is used in the high-voltage manufacturing process. It can be applied directly in the circuit to achieve the purpose of reducing manufacturing costs.

上記は本発明の最適実施例に過ぎず、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。本発明の特許請求の範囲に基づき行う均等変化と修飾などは、すべて本発明が請求する特許範囲に含まれるものとする。   The above are only preferred embodiments of the present invention and do not limit the scope of the present invention. All equivalent changes and modifications made based on the claims of the present invention shall be included in the claims of the present invention.

公知の電圧電流転換回路である。This is a known voltage-current conversion circuit. 本発明の電圧電流転換回路の回路図である。It is a circuit diagram of the voltage current conversion circuit of the present invention. 本発明をLEDディスプレーユニットに応用する最適具体的実施例の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an optimal specific example in which the present invention is applied to an LED display unit.

符号の説明Explanation of symbols

１ 電圧電流転換回路
２ 増幅器
３ MOS電界効果トランジスター
４ 電圧電流転換回路
５ 高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター
６ 低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター
７ ドレイン極
８ ソース極
９ 低電圧製造工程増幅器
１０ プラス入力端
１１ マイナス入力端
１２ 出力端
１３ ゲート極
１４ ソース極
１５ ドレイン極
１６ ゲート極
１７ クランプ電圧
１８ LED表示ユニット
１９ LEDパーツ
２０ 固定電圧源
Ｃ1 キャパシター
Ｉ 電流
Ｉ1 入力電流
Ｒ 電気抵抗
Ｒ1 電気抵抗
ＶI 入力電圧
ＶI1 入力電圧
ＶO 出力電圧
ＶO1 出力電圧 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Voltage current conversion circuit 2 Amplifier 3 MOS field effect transistor 4 Voltage current conversion circuit 5 High voltage manufacturing process N type MOS field effect transistor 6 Low voltage manufacturing process N type MOS field effect transistor 7 Drain electrode 8 Source electrode 9 Low voltage manufacturing process Amplifier 10 Positive input terminal 11 Negative input terminal 12 Output terminal 13 Gate electrode 14 Source electrode 15 Drain electrode 16 Gate electrode 17 Clamp voltage 18 LED display unit 19 LED part 20 Fixed voltage source C 1 Capacitor I Current I 1 Input current R Electrical resistance R 1 electric resistance V I input voltage V I1 input voltage V O output voltage V O1 output voltage

Claims (5)

高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を含み、
該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのドレイン極は該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極と接続し、
該低電圧製造工程増幅器はプラス入力端、マイナス入力端、出力端を備え、該出力端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのゲート極と接続し、入力電圧は該プラス入力端に入力され、及び該マイナス入力端と該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極は接続し、出力電圧を発生し、
該電気抵抗の一端は該低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのソース極と接続し、反対端はアースであることを特徴とする電圧電流転換回路。 High voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, low voltage manufacturing process N type MOS field effect transistor, low voltage manufacturing process amplifier, including electrical resistance,
The drain electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor is connected to the source electrode of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor,
The low-voltage manufacturing process amplifier has a positive input terminal, a negative input terminal, and an output terminal. The output terminal is connected to the gate electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, and the input voltage is connected to the positive input terminal. The negative input terminal and the source electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor are connected to generate an output voltage;
One end of the electric resistance is connected to the source electrode of the low-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor, and the other end is a ground. 前記電圧電流転換回路はさらにキャパシターを含み、該電気抵抗と並列することを特徴とする請求項１記載の電圧電流転換回路。   The voltage-current conversion circuit according to claim 1, further comprising a capacitor, and in parallel with the electric resistance. 前記電圧電流転換回路はさらにクランプ電圧を含み、該高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのゲート極に入力することを特徴とする請求項１記載の電圧電流転換回路。   2. The voltage / current conversion circuit according to claim 1, wherein the voltage / current conversion circuit further includes a clamp voltage and is input to a gate electrode of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor. 前記入力電圧は該出力電圧と相等であることを特徴とする請求項１記載の電圧電流転換回路。   2. The voltage-current conversion circuit according to claim 1, wherein the input voltage is equivalent to the output voltage. 前記高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスターのドレイン極に入力する入力電流は該出力電圧から該電気抵抗を除いた値であることを特徴とする請求項４記載の電圧電流転換回路。   5. The voltage-current conversion circuit according to claim 4, wherein the input current input to the drain electrode of the high-voltage manufacturing process N-type MOS field effect transistor is a value obtained by subtracting the electrical resistance from the output voltage.
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