JP2009212649A - Electronic circuit - Google Patents

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英介 飯野
Hiroyuki Tachihara
弘之 立原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic circuit can reduce the occurrence of an interference wave during power off. <P>SOLUTION: In the electronic circuit, when a +B power source is turned off, bias voltage between the gate and the source of a FET becomes zero to turn on the FET. This makes a terminal a2 of a BPF 11 terminated to the ground by an on impedance of the FET, and a reception signal of an ANT 10 is hardly applied to an AMP 12. Consequently, even though an input side of the AMP 12 includes a nonlinear characteristic, the level of an interference wave generated by the nonlinear characteristic is made small, and the interference wave is prevented from affecting one system even though the interference wave is radiated from the ANT 10. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、能動回路を有する電子回路において、能動回路により生じる非直線歪を低減するようにした電子回路に関する。   The present invention relates to an electronic circuit having an active circuit that reduces non-linear distortion caused by the active circuit.

従来、自動車の窓ガラス等にフィルム状のFMアンテナが設置されており、このFMアンテナで受信された受信信号はアンプで増幅されてFM受信機に供給されている。このアンプは、能動素子を用いた能動回路からなる電子回路とされている。ところで、近年自動車の電子化が進み、様々な電波が使用されて自動車の各種制御が行われている。例えば、車両にはキーレスエントリーシステムが組み込まれている場合が多くされている。車両のキーレスエントリーシステムでは、キーをシリンダーに差し込まなくても、リモコンからドアキーを施錠・開錠することができる。キーレスエントリーシステムでは、キー本体あるいは独立したリモコンに設置された小型発信器から電波を送り、ドアロック制御ユニットをコントロールする仕組みとされている。キーレスエントリーシステムに限らず、ワイヤレスでコントロールするシステムでは、一般に特定の周波数の電波を利用している。   Conventionally, a film-like FM antenna is installed on a window glass of an automobile, and a reception signal received by the FM antenna is amplified by an amplifier and supplied to an FM receiver. This amplifier is an electronic circuit composed of an active circuit using an active element. By the way, in recent years, the digitization of automobiles has progressed, and various radio waves are used to control various kinds of automobiles. For example, a vehicle often incorporates a keyless entry system. In the vehicle keyless entry system, the door key can be locked and unlocked from the remote control without inserting the key into the cylinder. In the keyless entry system, the door lock control unit is controlled by sending radio waves from a small transmitter installed on the key body or an independent remote controller. In addition to keyless entry systems, wirelessly controlled systems generally use radio waves of a specific frequency.

電波を利用したワイヤレスでコントロールするシステムにおいて、システムが使用している周波数の近傍に妨害波があると、コントロールシステムは正常に動作しないことがある。例えば、東京タワー(FM強電界)の直下のような強電界地域において、車両のエンジンキーがオフされた状態の際に、キーレスエントリーシステムが正常に動作しない事例があった。この車両にはFM受信機が搭載されており、ガラスアンテナとされたFMアンテナと、FMアンテナの受信信号を増幅するアンプとが車両に搭載されている。エンジンキーがオフされた状態では、アンプの電源もオフされた状態となるが、FMアンテナの受信信号はアンプに入力されている。すると、アンプの入力側における能動素子の非直線特性により3次ないし5次の相互変調歪みの周波数成分が生じる。この周波数成分はFMアンテナに戻って幅射されるようになり、その周波数が車両のキーレスエントリシステムの妨害周波数となった際に、キーレスエントリシステムが正常に働かないことが分かった。   In a wirelessly controlled system using radio waves, the control system may not operate normally if there is an interference wave near the frequency used by the system. For example, in a strong electric field area such as directly under Tokyo Tower (FM strong electric field), there is a case where the keyless entry system does not operate normally when the vehicle engine key is turned off. This vehicle is equipped with an FM receiver, and an FM antenna that is a glass antenna and an amplifier that amplifies the received signal of the FM antenna are mounted on the vehicle. When the engine key is turned off, the power supply of the amplifier is also turned off, but the reception signal of the FM antenna is input to the amplifier. Then, frequency components of third-order to fifth-order intermodulation distortion are generated due to the nonlinear characteristics of the active element on the input side of the amplifier. It has been found that this frequency component returns to the FM antenna and is fired, and when the frequency becomes an interference frequency of the keyless entry system of the vehicle, the keyless entry system does not work normally.

ここで、車両に搭載される従来のアンプであってFM周波数帯域を増幅するRFアンプの構成例を示すブロック図を図11に示す。図11に示すRFアンプ100において、FM放送受信用のアンテナ(ANT)110で受信された受信信号は、バンドパスフィルタ(BPF)111により受信信号の内の必要な周波数帯域であるFM周波数帯域の信号が抽出されてアンプ(AMP)112に入力される。AMP112において増幅されたFM受信信号はハイパスフィルタ(HPF)113により低域の不要周波数帯域が除去されて出力端子(OUT)から出力されFM受信機に供給される。AMP112には+B電源から電源が供給されている。   Here, FIG. 11 is a block diagram showing a configuration example of an RF amplifier which is a conventional amplifier mounted on a vehicle and amplifies the FM frequency band. In the RF amplifier 100 shown in FIG. 11, the received signal received by the FM broadcast receiving antenna (ANT) 110 is received by the band pass filter (BPF) 111 in the FM frequency band which is a necessary frequency band of the received signal. A signal is extracted and input to an amplifier (AMP) 112. The FM reception signal amplified by the AMP 112 is removed from a low unnecessary frequency band by a high-pass filter (HPF) 113 and output from an output terminal (OUT) to be supplied to an FM receiver. The AMP 112 is supplied with power from a + B power source.

図11に示すRFアンプ100において約13.2Vの+B電源をオンにした際の伝送特性を図12に示す。伝送特性の測定に当たっては、BPF111の入力端子に測定信号を印加し、OUTから出力される測定信号のレベルを測定しており、測定信号は10MHzから500MHzまでスキャンされている。図12を参照すると、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約5dBのレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−50.5dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−47.5dBとなっている。そして、RFアンプ100の電源をオフにした際の伝送特性を図13に示す。図13を参照すると、電源がオフされて増幅されないことからFM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約−11dB〜約−15dBに低減されたレベルとなり、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−46.5dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−47.5dBと上昇している。このように、RFアンプ100の電源がオフされた際にキーレスエントリシステムに妨害を与える周波数成分のレベルが上昇するのは、電源がオフされるとAMP112の能動素子にバイアスが与えられず3次ないし5次の相互変調歪みの成分が大きくなるからと考えられる。これにより、ANT110から放射される妨害波の強度が強くなり、キーレスエントリシステムが正常に動作しないおそれがあった。   FIG. 12 shows the transmission characteristics when the + B power supply of about 13.2 V is turned on in the RF amplifier 100 shown in FIG. In measuring the transmission characteristics, a measurement signal is applied to the input terminal of the BPF 111, and the level of the measurement signal output from OUT is measured. The measurement signal is scanned from 10 MHz to 500 MHz. Referring to FIG. 12, it is amplified to a level of about 5 dB in the FM frequency band of 88 MHz to 108 MHz, and the frequency component level of the frequency 314.4 MHz of the keyless entry system is about −50.5 dB. The level of the frequency component of the frequency 433.9 MHz is about -47.5 dB. FIG. 13 shows transmission characteristics when the RF amplifier 100 is turned off. Referring to FIG. 13, since the power is turned off and is not amplified, the level is reduced to about −11 dB to about −15 dB in the FM frequency band of 88 MHz to 108 MHz, and the frequency component of the frequency component of the keyless entry system is 314.4 MHz. The level is about −46.5 dB, and the level of the frequency component of the frequency of 433.9 MHz of the keyless entry system is increased to about −47.5 dB. As described above, when the power of the RF amplifier 100 is turned off, the level of the frequency component that interferes with the keyless entry system increases. When the power is turned off, no bias is given to the active element of the AMP 112 and the third order. It is also thought that the fifth-order intermodulation distortion component becomes large. As a result, the intensity of the interference wave radiated from the ANT 110 is increased, and the keyless entry system may not operate normally.

従来のRFアンプにおいて、アンテナから放射される妨害波を低減するには、RFアンプの電源オフ時において、妨害波を生じさせる不要周波数成分をカットする必要があるが、アンプ内部にフィルタを設けると、電源オン時と電源オフ時とでは、アンプのインピーダンスが異なるインピーダンスとなる。このため、フィルタのインピーダンスが乱れフィルタとしてほとんど機能しないため電源オフ時には不要周波数成分をカットできないという問題点があった。また、アンプ内部にフィルタを設けると、ANT110からBPF111までの給電線の長さによりインピーダンスが変化し、給電線の長さに合わせたフィルタの電子部品定数の選定が必要となり、製品ごとにチューニングしなければならないという問題点があった。   In the conventional RF amplifier, in order to reduce the interference wave radiated from the antenna, it is necessary to cut unnecessary frequency components that cause the interference wave when the power of the RF amplifier is turned off. The impedance of the amplifier differs when the power is on and when the power is off. For this reason, the impedance of the filter is disturbed and hardly functions as a filter, so that there is a problem that unnecessary frequency components cannot be cut when the power is turned off. Also, if a filter is provided inside the amplifier, the impedance changes depending on the length of the power supply line from ANT110 to BPF111, and it is necessary to select the electronic component constant of the filter according to the length of the power supply line. There was a problem of having to.

そこで、本発明は電源オフ時において妨害波の発生を低減することができる電子回路を提供することを目的としている。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic circuit that can reduce the generation of interference waves when the power is off.

上記目的を達成するために、本発明の電子回路は、アンテナの受信信号の内から必要な周波数帯域の信号を抽出するフィルタと、該フィルタから入力された信号の処理を行う能動回路と、能動回路の電源がオフされた際にオンして、フィルタを通る信号を終端するスイッチ手段とを備えることを最も主要な特徴としている。   In order to achieve the above object, an electronic circuit according to the present invention includes a filter that extracts a signal in a necessary frequency band from a reception signal of an antenna, an active circuit that processes a signal input from the filter, and an active circuit. The main feature is that it comprises switch means that is turned on when the circuit power is turned off and terminates the signal passing through the filter.

本発明は、アンテナの受信信号の内から必要な周波数帯域の信号を抽出するフィルタと、該フィルタから入力された信号の処理を行う能動回路と、能動回路の電源がオフされた際にオンして、フィルタを通る信号を終端するスイッチ手段とを備えていることから、能動回路の電源がオフされた際に、能動回路に印加される信号をスイッチ手段により減衰することができ、アンテナから放射される妨害波を低減することができるようになる。   The present invention includes a filter that extracts a signal in a necessary frequency band from a signal received by an antenna, an active circuit that processes a signal input from the filter, and an ON circuit that is turned on when the power of the active circuit is turned off. The switch means for terminating the signal passing through the filter is provided, so that when the power of the active circuit is turned off, the signal applied to the active circuit can be attenuated by the switch means and radiated from the antenna. The interference wave that is generated can be reduced.

本発明の実施例の電子回路とされるRFアンプの構成を示す回路図を図1に示す。
図1に示すRFアンプ1は、FM放送受信用のアンテナ(ANT)10で受信された受信信号は、バンドパスフィルタ(BPF)11の端子a1に入力され受信信号の内の必要な周波数帯域であるFM周波数帯域のFM受信信号が抽出されて端子a3から出力される。端子a3からの出力は能動回路とされるアンプ(AMP)12に入力されてFM受信信号が所定のゲインで増幅されて出力される。AMP12からの増幅されたFM受信信号はハイパスフィルタ(HPF)13に供給されて低域の不要周波数帯域が除去されて出力端子(OUT)から出力される。OUTから出力されたFM受信信号は車両に搭載されているFM受信機に供給される。AMP12には+B電源から電源が供給されている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an RF amplifier that is an electronic circuit according to an embodiment of the present invention.
In the RF amplifier 1 shown in FIG. 1, a received signal received by an FM broadcast receiving antenna (ANT) 10 is input to a terminal a1 of a bandpass filter (BPF) 11 in a necessary frequency band. An FM reception signal in a certain FM frequency band is extracted and output from the terminal a3. The output from the terminal a3 is input to an amplifier (AMP) 12 which is an active circuit, and the FM reception signal is amplified with a predetermined gain and output. The amplified FM reception signal from the AMP 12 is supplied to a high-pass filter (HPF) 13 to remove a low frequency band and output from an output terminal (OUT). The FM reception signal output from OUT is supplied to an FM receiver mounted on the vehicle. The AMP 12 is supplied with power from a + B power source.

また、本発明にかかるRFアンプ1はスイッチング(SW)回路20を備えており、SW回路20においては、BPF11の端子a2がコンデンサC1を介してNチャンネルの接合型の電界効果トランジスタ(FET)のドレインDに接続されている。このFETはスイッチング素子として動作し、ドレインDは負荷抵抗R1を介して+B電源に接続されている。さらに、FETのゲートGはアースに接続され、+B電源とアース間に直列に接続されたバイアス抵抗R3,R4により分圧されて、このバイアス電圧が抵抗R2を介してソースSに供給されている。また、ソースSには一端がアースされたバイパスコンデンサC2が接続されて交流的にアースされている。
そして、+B電源がオンされてAMP12に動作電源が供給されている場合は、AMP12においてFM受信信号は所定のゲインで増幅される。この場合、FETのソースSにはバイアス抵抗R3,R4により正のバイアス電圧が印加され、FETのゲートGはアースされていることからFETのソースSにはピンチオフ電圧以上の逆バイアス電圧が印加されてFETはオフしており、FETはハイインピーダンスとなってRFアンプ1の動作に影響を与えない。
Further, the RF amplifier 1 according to the present invention includes a switching (SW) circuit 20, in which the terminal a2 of the BPF 11 is an N-channel junction type field effect transistor (FET) via a capacitor C1. Connected to the drain D. This FET operates as a switching element, and the drain D is connected to the + B power supply via the load resistor R1. Further, the gate G of the FET is connected to the ground, and is divided by bias resistors R3 and R4 connected in series between the + B power source and the ground, and this bias voltage is supplied to the source S through the resistor R2. . The source S is connected to a bypass capacitor C2 having one end grounded, and is grounded in an alternating manner.
When the + B power supply is turned on and operating power is supplied to the AMP 12, the FM reception signal is amplified by the AMP 12 with a predetermined gain. In this case, a positive bias voltage is applied to the source S of the FET by the bias resistors R3 and R4, and the gate G of the FET is grounded. Therefore, a reverse bias voltage higher than the pinch-off voltage is applied to the source S of the FET. The FET is off and the FET becomes high impedance and does not affect the operation of the RF amplifier 1.

また、+B電源がオフされてAMP12に動作電源が供給されない場合は、AMP12は増幅動作を行わない。この場合、FETのソースSは抵抗R2とバイアス抵抗R4との直列回路を介してアースされるようになり、FETのゲートGはアースされていることからFETのゲート−ソース間のバイアス電圧はゼロとなり接合型のFETはオンして所定のインピーダンスとなる。すると、BPF11の端子a2はコンデンサC1→FETのドレイン−ソース→コンデンサC2の経路で交流的にアースされる。すなわち、BPF11の端子a2はFETのオンしたインピーダンスでアースに終端される。これにより、ANT10で受信された受信信号がBPF11の端子a2においてSW回路20により終端されるようになる。従って、ANT10で受信された受信信号はBPF11の端子a3からほぼ出力されず、AMP12にはほとんど入力されないことから+B電源がオフされた際にAMP12の入力側が非線形特性となっていても3次ないし5次の相互変調歪により生じる妨害波のレベルは極めて小さくなる。また、BPF11の端子a2はFETのオンしたインピーダンスで終端されることから、BPF11のインピーダンスは乱れることなく正常に機能する。この結果、AMP12において3次ないし5次の相互変調歪により妨害波が生じても、ANT10から輻射される妨害波のレベルはキーレスエントリシステム等の車両に搭載されているワイヤレスのシステムに影響を与えないレベルとすることができる。   Further, when the + B power supply is turned off and the operation power is not supplied to the AMP 12, the AMP 12 does not perform the amplification operation. In this case, the source S of the FET is grounded through a series circuit of the resistor R2 and the bias resistor R4, and the gate G of the FET is grounded, so that the bias voltage between the gate and the source of the FET is zero. The junction type FET is turned on and has a predetermined impedance. Then, the terminal a2 of the BPF 11 is grounded in an alternating manner through a path of the capacitor C1 → the drain-source of the FET → the capacitor C2. That is, the terminal a2 of the BPF 11 is terminated to the ground with the impedance of the FET turned on. As a result, the reception signal received by the ANT 10 is terminated by the SW circuit 20 at the terminal a2 of the BPF 11. Accordingly, since the received signal received by the ANT 10 is hardly output from the terminal a3 of the BPF 11 and is hardly input to the AMP 12, even if the input side of the AMP 12 has a nonlinear characteristic when the + B power supply is turned off, the third order or The level of the interference wave generated by the fifth-order intermodulation distortion becomes extremely small. Also, since the terminal a2 of the BPF 11 is terminated with the impedance of the FET turned on, the impedance of the BPF 11 functions normally without being disturbed. As a result, even if an interference wave is generated due to third-order to fifth-order intermodulation distortion in the AMP 12, the level of the interference wave radiated from the ANT 10 affects a wireless system mounted on a vehicle such as a keyless entry system. There can be no level.

次に、BPF11の詳細な回路例を図2に示す。BPF11は図2に示すように、一端が端子a1とされているコイルL10とコンデンサC10の第1直列共振回路と、コンデンサC11とコイルL11との第2直列共振回路とが直列に接続されており、第2直列共振回路の出力端は端子a3とされている。また、第1直列共振回路と第2直列共振回路の接続点とアース間にコイルL12とコンデンサC12からなる並列共振回路が接続されており、第1直列共振回路と第2直列共振回路の接続点が端子a2とされている。   Next, a detailed circuit example of the BPF 11 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the BPF 11 includes a coil L10, one end of which is a terminal a1, a first series resonance circuit of a capacitor C10, and a second series resonance circuit of a capacitor C11 and a coil L11 connected in series. The output terminal of the second series resonance circuit is a terminal a3. In addition, a parallel resonance circuit including a coil L12 and a capacitor C12 is connected between the connection point of the first series resonance circuit and the second series resonance circuit and the ground, and the connection point of the first series resonance circuit and the second series resonance circuit. Is a terminal a2.

次に、RFアンプ1におけるBPF11の端子a2における入力インピーダンス特性を示すスミスチャートを図3、図4に示す。
図3に示すスミスチャートは、RFアンプ1の+B電源をオンした際の端子a2の入力インピーダンス特性を示している。図3を参照すると、76MHzにおけるインピーダンスの実数分は約10.98Ω、虚数分は約−266.6Ωとなり、88MHzにおけるインピーダンスの実数分は約9.58Ω、虚数分は約−228.6Ωとなり、98MHzにおけるインピーダンスの実数分は約7.09Ω、虚数分は約−203.9Ωとなり、108MHzにおけるインピーダンスの実数分は約7.44Ω、虚数分は約−186.4Ωとなる。このように、RFアンプ1の+B電源をオンした際にはSW回路20のFETがオフされることから、76MHz〜108MHzのFM周波数帯域において端子a2はハイインピーダンスとなり、SW回路20をRFアンプ1に付加してもBPF11のインピーダンスは乱れることがなく正常に機能するようになる。
Next, Smith charts showing the input impedance characteristics at the terminal a2 of the BPF 11 in the RF amplifier 1 are shown in FIGS.
The Smith chart shown in FIG. 3 shows the input impedance characteristic of the terminal a2 when the + B power source of the RF amplifier 1 is turned on. Referring to FIG. 3, the real number of impedance at 76 MHz is about 10.98Ω, the imaginary number is about −266.6Ω, the real number of impedance at 88 MHz is about 9.58Ω, and the imaginary number is about −228.6Ω. The real number of impedance at 98 MHz is about 7.09Ω, the imaginary number is about −203.9Ω, the real number of impedance at 108 MHz is about 7.44Ω, and the imaginary number is about −186.4Ω. As described above, when the + B power supply of the RF amplifier 1 is turned on, the FET of the SW circuit 20 is turned off, so that the terminal a2 becomes high impedance in the FM frequency band of 76 MHz to 108 MHz, and the SW circuit 20 is connected to the RF amplifier 1. Even if added, the impedance of the BPF 11 is not disturbed and functions normally.

また、図4に示すスミスチャートは、RFアンプ1の+B電源をオフした際の端子a2の入力インピーダンス特性を示している。図4を参照すると、76MHzにおけるインピーダンスの実数分は約30Ω、虚数分は約5.21Ωとなり、88MHzにおけるインピーダンスの実数分は約30.2Ω、虚数分は約6.17Ωとなり、98MHzにおけるインピーダンスの実数分は約30.4Ω、虚数分は約6.78Ωとなり、108MHzにおけるインピーダンスの実数分は約30.7Ω、虚数分は約7.49Ωとなる。このように、RFアンプ1の+B電源をオフした際にはSW回路20のFETがオンされて、FETのオンした低いインピーダンスでアースに終端されるようになる。すなわち、BPF11の端子a2を介してSW回路20によりアースに終端されるようになり、BPF11において抽出される76MHz〜108MHzのFM周波数帯域における信号が減衰されるようになる。   The Smith chart shown in FIG. 4 shows the input impedance characteristic of the terminal a2 when the + B power source of the RF amplifier 1 is turned off. Referring to FIG. 4, the real number of impedance at 76 MHz is about 30 Ω, the imaginary number is about 5.21 Ω, the real number of impedance at 88 MHz is about 30.2 Ω, the imaginary number is about 6.17 Ω, and the impedance at 98 MHz The real part is about 30.4Ω, the imaginary part is about 6.78Ω, the real part of the impedance at 108 MHz is about 30.7Ω, and the imaginary part is about 7.49Ω. As described above, when the + B power supply of the RF amplifier 1 is turned off, the FET of the SW circuit 20 is turned on and terminated to the ground with the low impedance of the FET turned on. That is, the signal is terminated to the ground by the SW circuit 20 via the terminal a2 of the BPF 11, and the signal in the FM frequency band of 76 MHz to 108 MHz extracted by the BPF 11 is attenuated.

次に、図1に示すRFアンプ1の+B電源(約13.2V)をオンにした際の伝送特性を図5に示す。伝送特性の測定に当たっては、BPF11の入力端子に測定信号を印加し、OUTから出力される測定信号のレベルを測定しており、測定信号は10MHzから500MHzまでスキャンされている。後述する全ての伝送特性もこのようにして測定されている。
図5を参照すると、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約5dB以上のレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−43.1dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−53dBとなっている。そして、RFアンプ1の+B電源をオフにした際の伝送特性を図6に示す。図6を参照すると、電源がオフされてAMP12が動作しないと共に、SW回路20のFETがオンすることから、BPF11の端子a2がSW回路20によりアースに終端されて、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約−24dB〜約−25dBのレベルに大幅に低減され、従来より最大で約13dB、最小で約10dB減衰されるようになる。これにより、RFアンプ1の電源がオフされた際に、AMP12に入力されるFM周波数帯域の信号レベルが減衰されて、AMP12において生じる3次ないし5次の相互変調歪による妨害波のレベルを低減することができる。
Next, FIG. 5 shows transmission characteristics when the + B power supply (about 13.2 V) of the RF amplifier 1 shown in FIG. 1 is turned on. In measuring the transmission characteristics, a measurement signal is applied to the input terminal of the BPF 11, and the level of the measurement signal output from OUT is measured. The measurement signal is scanned from 10 MHz to 500 MHz. All transmission characteristics to be described later are also measured in this way.
Referring to FIG. 5, the frequency is amplified to a level of about 5 dB or more in the FM frequency band of 88 MHz to 108 MHz, and the frequency component level of the frequency of 314.4 MHz of the keyless entry system is about −43.1 dB. The level of the frequency component of the frequency of 433.9 MHz is about −53 dB. FIG. 6 shows the transmission characteristics when the + B power source of the RF amplifier 1 is turned off. Referring to FIG. 6, since the power is turned off and the AMP 12 does not operate and the FET of the SW circuit 20 is turned on, the terminal a2 of the BPF 11 is terminated to the ground by the SW circuit 20, and the FM frequency band of 88 MHz to It is greatly reduced to a level of about −24 dB to about −25 dB at 108 MHz, and is attenuated by about 13 dB at the maximum and about 10 dB at the minimum. As a result, when the power of the RF amplifier 1 is turned off, the signal level of the FM frequency band input to the AMP 12 is attenuated, and the level of the interference wave due to the third to fifth intermodulation distortion generated in the AMP 12 is reduced. can do.

この場合、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−57.1dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−50.7dBと低減され、キーレスエントリシステムの周波数を含む周波数帯域において従来より最大で約8dB、最小で約3dB程度低減されるようになる。このように、ANT10で受信された受信信号はBPF11の端子a2においてSW回路20によりアースに終端されて端子a3からほぼ出力されないようになる。これにより、+B電源がオフされた際にAMP12の入力側が非線形特性となっていてもAMP12において生じる3次ないし5次の相互変調歪による妨害波のレベルは極めて小さくなり、妨害波が生じた際にANT10から輻射される妨害波のレベルはキーレスエントリシステム等の車両に搭載されているシステムに影響を与えない低減されたレベルとすることができる。   In this case, the level of the frequency component of the frequency 314.4 MHz of the keyless entry system is about −57.1 dB, the level of the frequency component of the frequency 433.9 MHz of the keyless entry system is reduced to about −50.7 dB, and the keyless entry system In the frequency band including this frequency, the maximum frequency is reduced by about 8 dB and the minimum by about 3 dB. Thus, the reception signal received by the ANT 10 is terminated to the ground by the SW circuit 20 at the terminal a2 of the BPF 11, and is hardly output from the terminal a3. As a result, even if the input side of the AMP 12 has a nonlinear characteristic when the + B power supply is turned off, the level of the interference wave caused by the third to fifth intermodulation distortion generated in the AMP 12 becomes extremely small, and the interference wave is generated. Further, the level of the interference wave radiated from the ANT 10 can be a reduced level that does not affect a system mounted on a vehicle such as a keyless entry system.

次に、対比のためにBPF11の端子a2に代えて端子a1をコンデンサC1を介してFETのドレインDに接続した場合に、RFアンプ1の+B電源(約13.2V)をオンにした際の伝送特性を図7に示す。図7を参照すると、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約5dB以上のレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−58.6dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−54.5dBとなっている。そして、RFアンプ1の+B電源をオフにした際の伝送特性を図8に示す。図8を参照すると、電源がオフされてAMP12が動作しないと共に、SW回路20のFETがオンすることから、BPF11の端子a1がSW回路20によりアースに終端されて、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約−16dB〜約−24dBに低減されたレベルとなり、従来より最大で約5dB、最小で約2dB減衰されるようになる。さらに、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−62.2dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−52.5dBと大幅に低減され、キーレスエントリシステムの周波数を含む周波数帯域において従来より最大で約20dB、最小で約9dB程度低減されるようになる。   Next, for comparison, when the terminal a1 is connected to the drain D of the FET via the capacitor C1 instead of the terminal a2 of the BPF 11, the + B power supply (about 13.2 V) of the RF amplifier 1 is turned on. The transmission characteristics are shown in FIG. Referring to FIG. 7, the frequency is amplified to about 5 dB or more in the FM frequency band of 88 MHz to 108 MHz, and the frequency component level of the frequency 314.4 MHz of the keyless entry system is about -58.6 dB. The level of the frequency component of the frequency of 433.9 MHz is about −54.5 dB. FIG. 8 shows the transmission characteristics when the + B power supply of the RF amplifier 1 is turned off. Referring to FIG. 8, since the power is turned off and the AMP 12 does not operate and the FET of the SW circuit 20 is turned on, the terminal a1 of the BPF 11 is terminated to the ground by the SW circuit 20 and the FM frequency band of 88 MHz to At 108 MHz, the level is reduced to about −16 dB to about −24 dB, and is attenuated by about 5 dB at the maximum and about 2 dB by the minimum. Furthermore, the level of the frequency component of the frequency 314.4 MHz of the keyless entry system is about -62.2 dB, and the level of the frequency component of the frequency 433.9 MHz of the keyless entry system is greatly reduced to about -52.5 dB. The frequency band including the system frequency is reduced by about 20 dB at the maximum and about 9 dB by the minimum.

さらに、対比のためにBPF11の端子a2に代えて端子a3をコンデンサC1を介してFETのドレインDに接続した場合に、RFアンプ1の+B電源(約13.2V)をオンにした際の伝送特性を図9に示す。図9を参照すると、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約5dBのレベルに増幅されており、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−43.6dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−27.8dBとなっている。そして、RFアンプ1の+B電源をオフにした際の伝送特性を図10に示す。図10を参照すると、電源がオフされてAMP12が動作しないと共に、SW回路20のFETがオンすることから、BPF11の端子a3がSW回路20によりアースに終端されて、FM周波数帯域である88MHz〜108MHzにおいて約−23.9dB〜約−24.3dBに大幅に低減されたレベルとなり、従来より最大で約12dB、最小で約9dB減衰されるようになる。ただし、キーレスエントリシステムの周波数314.4MHzの周波数成分のレベルは約−46.2dBとなり、キーレスエントリシステムの周波数433.9MHzの周波数成分のレベルは約−44.4dBとなって、従来とほぼ同様の減衰となる。   Furthermore, when the terminal a3 is connected to the drain D of the FET through the capacitor C1 instead of the terminal a2 of the BPF 11 for comparison, transmission when the + B power supply (about 13.2 V) of the RF amplifier 1 is turned on. The characteristics are shown in FIG. Referring to FIG. 9, it is amplified to a level of about 5 dB in the FM frequency band of 88 MHz to 108 MHz, and the frequency component level of the frequency of 314.4 MHz of the keyless entry system is about −43.6 dB. The level of the frequency component of the frequency 433.9 MHz is about −27.8 dB. FIG. 10 shows the transmission characteristics when the + B power supply of the RF amplifier 1 is turned off. Referring to FIG. 10, since the power is turned off and the AMP 12 does not operate and the FET of the SW circuit 20 is turned on, the terminal a3 of the BPF 11 is terminated to the ground by the SW circuit 20, and the FM frequency band of 88 MHz to At 108 MHz, the level is greatly reduced from about −23.9 dB to about −24.3 dB, and is attenuated by about 12 dB at the maximum and about 9 dB by the minimum. However, the level of the frequency component of the frequency 314.4 MHz of the keyless entry system is about −46.2 dB, and the level of the frequency component of the frequency 433.9 MHz of the keyless entry system is about −44.4 dB. Attenuation.

上記のように、RFアンプ1の+B電源をオフにした際にBPF11の端子a1をSW回路20によりアースに終端した場合は、端子a2をSW回路20によりアースに終端した場合よりFM周波数帯域の信号レベルが最大で約8dB大きくなってしまう。また、RFアンプ1の+B電源をオフにした際にBPF11の端子a3をSW回路20によりアースに終端した場合は、端子a2をSW回路20によりアースに終端した場合よりキーレスエントリシステムの周波数成分のレベルが約6dB以上大きくなってしまう。このことから、RFアンプ1の+B電源をオフにした際に、BPF11の端子a2をSW回路20によりアースに終端した場合に、より効率的に3次ないし5次の相互変調歪により生じる妨害波のレベルを低減することができることがわかる。   As described above, when the terminal a1 of the BPF 11 is terminated to the ground by the SW circuit 20 when the + B power source of the RF amplifier 1 is turned off, the FM frequency band is higher than when the terminal a2 is terminated to the ground by the SW circuit 20. The signal level is increased by about 8 dB at the maximum. Further, when the terminal B3 of the BPF 11 is terminated to the ground by the SW circuit 20 when the + B power source of the RF amplifier 1 is turned off, the frequency component of the keyless entry system is more than the case where the terminal a2 is terminated to the ground by the SW circuit 20. The level becomes larger by about 6 dB or more. From this, when the + B power supply of the RF amplifier 1 is turned off, when the terminal a2 of the BPF 11 is terminated to the ground by the SW circuit 20, the interference wave generated by the third to fifth intermodulation distortion more efficiently. It can be seen that the level of can be reduced.

以上説明した本発明にかかるRFアンプ1においては、BPF11の端子a2にSW回路20を接続したが、これに限ることはなくBPF11の端子a1にSW回路20を接続して、RFアンプの電源がオフされた際に端子a1をSW回路20により終端するようにしてもよい。
また、本発明の電子回路はRFアンプに限るものではなく初段の能動回路とされる周波数変換回路や検波回路等に適用することができる。
In the RF amplifier 1 according to the present invention described above, the SW circuit 20 is connected to the terminal a2 of the BPF 11. However, the present invention is not limited to this, and the SW circuit 20 is connected to the terminal a1 of the BPF 11. The terminal a1 may be terminated by the SW circuit 20 when turned off.
The electronic circuit of the present invention is not limited to an RF amplifier, and can be applied to a frequency conversion circuit, a detection circuit, or the like that is an active circuit in the first stage.

本発明の実施例の電子回路とされるRFアンプの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of RF amplifier used as the electronic circuit of the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプのBPFの詳細な回路例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detailed circuit example of BPF of RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプのBPFの端子a2における入力インピーダンス特性を示すスミスチャートである。It is a Smith chart which shows the input impedance characteristic in the terminal a2 of BPF of RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプのBPFの端子a2における他の入力インピーダンス特性を示すスミスチャートである。It is a Smith chart which shows the other input impedance characteristic in the terminal a2 of BPF of RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプにおいて電源をオンした際の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the transmission characteristic when the power supply is turned on in RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプにおいて電源をオフした際の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the transmission characteristic at the time of turning off a power supply in RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプにおいて電源をオンした際の他の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the other transmission characteristic at the time of turning on a power supply in RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプにおいて電源をオフした際の他の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the other transmission characteristic when the power supply is turned off in RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプにおいて電源をオンした際のさらに他の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the other transmission characteristic at the time of turning on a power supply in RF amplifier concerning the Example of this invention. 本発明の実施例にかかるRFアンプにおいて電源をオフした際のさらに他の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the other transmission characteristic when the power supply is turned off in RF amplifier concerning the Example of this invention. 従来の電子回路とされるRFアンプの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of RF amplifier used as the conventional electronic circuit. 従来のRFアンプにおいて電源をオンした際の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the transmission characteristic when the power supply is turned on in the conventional RF amplifier. 従来のRFアンプにおいて電源をオフした際の伝送特性を示す図である。It is a figure which shows the transmission characteristic when the power supply is turned off in the conventional RF amplifier.

符号の説明Explanation of symbols

1 RFアンプ、10 ANT、11 BPF、12 AMP、13 HPF、20 SW回路、100 RFアンプ、110 ANT、111 BPF、112 AMP、113 HPF 1 RF amplifier, 10 ANT, 11 BPF, 12 AMP, 13 HPF, 20 SW circuit, 100 RF amplifier, 110 ANT, 111 BPF, 112 AMP, 113 HPF

Claims (3)

アンテナの受信信号の内から必要な周波数帯域の信号を抽出するフィルタと、
該フィルタから入力された信号の処理を行う能動回路と、
前記能動回路の電源がオフされた際にオンして、前記フィルタを通る信号を終端するスイッチ手段とを備え、
前記能動回路の電源がオフされた際に、前記能動回路に入力される信号を前記スイッチ手段により減衰するようにしたことを特徴とする電子回路。
A filter that extracts a signal of a necessary frequency band from the received signal of the antenna;
An active circuit for processing a signal input from the filter;
Switch means for turning on when the power of the active circuit is turned off and terminating the signal passing through the filter;
An electronic circuit characterized in that a signal input to the active circuit is attenuated by the switch means when the power of the active circuit is turned off.
前記フィルタは、直列共振回路が2段直列に接続されると共に、該2段の直列共振回路の接続点とアース間に並列共振回路が接続されて構成されており、前記スイッチ手段は、前記2段の直列共振回路の接続点を終端するようにしたことを特徴とする請求項1記載の電子回路。   The filter includes two series resonant circuits connected in series and a parallel resonant circuit connected between a connection point of the two series resonant circuits and the ground. 2. The electronic circuit according to claim 1, wherein a connection point of the series resonance circuit of the stage is terminated. 前記スイッチ手段は接合型のFETからなり、前記アンプの電源がオンされている際には該FETのゲート−ソース間に該電源を利用した逆バイアスが印加されて該FETはオフしており、前記アンプの電源がオフされた際には該FETのゲート−ソース間のバイアスがゼロになって該FETがオンすることを特徴とする請求項1記載の電子回路。   The switch means is composed of a junction type FET, and when the power source of the amplifier is turned on, a reverse bias using the power source is applied between the gate and source of the FET, and the FET is turned off. 2. The electronic circuit according to claim 1, wherein when the power supply of the amplifier is turned off, the gate-source bias of the FET becomes zero and the FET is turned on.
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