JP2009200273A - Method of manufacturing light-emitting apparatus, and light-emitting apparatus - Google Patents
Method of manufacturing light-emitting apparatus, and light-emitting apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009200273A JP2009200273A JP2008040872A JP2008040872A JP2009200273A JP 2009200273 A JP2009200273 A JP 2009200273A JP 2008040872 A JP2008040872 A JP 2008040872A JP 2008040872 A JP2008040872 A JP 2008040872A JP 2009200273 A JP2009200273 A JP 2009200273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- light emitting
- light
- resin
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
Description
本発明は、蛍光体を含有した樹脂を含む樹脂層で発光素子を封止した発光装置の製造方法および発光装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light-emitting device and a light-emitting device in which a light-emitting element is sealed with a resin layer containing a resin containing a phosphor.
蛍光体を含有した樹脂で発光素子を封止した従来の発光装置として特許文献1に記載されたものがある。特許文献1に記載の発光装置は、サブマウント素子の上にフリップチップ型の発光素子を導通搭載すると共に、この発光素子を波長変換用の蛍光物質を含有した樹脂のパッケージによって封止し、発光素子の外郭面からのパッケージの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくし、発光素子の発光方向の全方位に対して蛍光物質による波長変換度を均一化したものである。
ところで、蛍光体を含有した樹脂で発光素子を封止して樹脂層を形成するとその厚みが問題となる。それは、蛍光体は、発光素子からの光を波長変換して補色となる色を発光し、発光素子からの光と、蛍光体からの光とが混色することで所望とする光とするものであるので、樹脂層の厚みが変わると所望とする色とは異なってしまう。 By the way, when a light emitting element is sealed with a resin containing a phosphor to form a resin layer, the thickness becomes a problem. That is, the phosphor emits a complementary color by converting the wavelength of light from the light emitting element, and the light from the light emitting element and the light from the phosphor are mixed to obtain desired light. Therefore, if the thickness of the resin layer changes, the desired color will be different.
従って基材に複数の発光素子を搭載して、一度に数多くの発光装置を得る場合では、発光素子の高さがそれぞれ異なると、樹脂層の厚みが相対的に異なることになるので、色度のばらつきが大きくなってしまう。このような場合には、半導体層を積層する基板を研磨して発光素子の高さを調整することが行われたり、色度ばらつきの大きいものを除外したりしている。 Therefore, in the case where a large number of light emitting devices are obtained at a time by mounting a plurality of light emitting elements on the base material, the thickness of the resin layer will be relatively different if the height of the light emitting elements is different. The variation of the will become large. In such a case, the height of the light-emitting element is adjusted by polishing the substrate on which the semiconductor layers are stacked, or one with a large chromaticity variation is excluded.
そこで本発明は、それぞれの発光素子の高さが異なっても、色度ばらつきを抑制することが可能な発光装置の製造方法および発光装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device capable of suppressing variations in chromaticity even if the heights of the respective light emitting elements are different.
本発明は、基材に複数の発光素子を搭載し、前記複数の発光素子を蛍光体非含有樹脂で封止して第1樹脂層を形成し、前記第1樹脂層の上面を研磨し、前記第1樹脂層に、蛍光体を含有した樹脂で第2樹脂層を形成することを特徴とする。 The present invention includes mounting a plurality of light emitting elements on a base material, sealing the plurality of light emitting elements with a phosphor-free resin to form a first resin layer, and polishing an upper surface of the first resin layer. A second resin layer is formed on the first resin layer with a resin containing a phosphor.
本発明では、蛍光体非含有樹脂で形成した第1樹脂層を研磨して厚みを調整することにより、基材に搭載された発光素子の高さが一様でなくとも基材から第1樹脂層の上面までの高さを揃えることができ、また、第1樹脂層の表面が波打つように歪んでいても、基材から第1樹脂層の上面までの微妙な高さの違いを取り除くことができる。さらに、蛍光体を含有した第2樹脂層を形成することで、発光素子の高さが異なっても、色度ばらつきを抑制することが可能である。 In the present invention, the first resin layer formed of the phosphor-free resin is polished to adjust the thickness, so that the first resin is removed from the substrate even if the height of the light emitting element mounted on the substrate is not uniform. The height to the upper surface of the layer can be made uniform, and even if the surface of the first resin layer is distorted to wave, the subtle difference in height from the base material to the upper surface of the first resin layer is removed. Can do. Furthermore, by forming the second resin layer containing the phosphor, it is possible to suppress chromaticity variation even if the height of the light emitting element is different.
本願の第1の発明は、基材に複数の発光素子を搭載する搭載工程と、複数の発光素子を蛍光体非含有樹脂で封止して第1樹脂層を形成する封止工程と、第1樹脂層の上面を研磨する研磨工程と、第1樹脂層に、蛍光体を含有した樹脂で第2樹脂層を形成する蛍光層形成工程とを含むことを特徴としたものである。 A first invention of the present application includes a mounting step of mounting a plurality of light emitting elements on a base material, a sealing step of sealing the plurality of light emitting elements with a phosphor-free resin to form a first resin layer, The polishing step includes polishing a top surface of one resin layer, and a phosphor layer forming step of forming a second resin layer with a resin containing a phosphor in the first resin layer.
まず基材に複数の発光素子を搭載し、次に蛍光体非含有樹脂でそれぞれの発光素子を封止して第1樹脂層を形成する。そして蛍光体を含有した第2樹脂層を第1樹脂層に形成することで、基材に搭載された発光素子の高さが一様でなくとも基材から第1樹脂層の上面までの高さを揃えることができる。また、第2樹脂層を形成する前に、第1樹脂層の上面を研磨して第1樹脂層の厚みを調整することで、第1樹脂層の表面が波打つように歪んでいても、基材から第1樹脂層の上面までの微妙な高さの違いを取り除くことができる。さらに、蛍光体を含有した第2樹脂層を形成することで、発光素子の高さが異なっても、色度ばらつきを抑制することが可能である。 First, a plurality of light emitting elements are mounted on a base material, and then each light emitting element is sealed with a phosphor-free resin to form a first resin layer. Then, by forming the second resin layer containing the phosphor on the first resin layer, the height from the base material to the upper surface of the first resin layer is high even if the height of the light emitting element mounted on the base material is not uniform. Can be aligned. In addition, by polishing the upper surface of the first resin layer and adjusting the thickness of the first resin layer before forming the second resin layer, even if the surface of the first resin layer is distorted so as to wave, A subtle difference in height from the material to the upper surface of the first resin layer can be removed. Furthermore, by forming the second resin layer containing the phosphor, it is possible to suppress chromaticity variation even when the height of the light emitting element is different.
本願の第2の発明は、研磨工程の後に、第1樹脂層を基材と共に切断して複数の発光素子を個々に分割する個片化工程を含むことを特徴としたものである。 2nd invention of this application is characterized by including after the grinding | polishing process, the 1st resin layer is cut | disconnected with a base material, and the individualization process which divides | segments a several light emitting element separately is characterized.
研磨工程の後に発光素子を個々に分割することで、第2樹脂層を個々に第1樹脂層に形成することができるので、第2樹脂層を第1樹脂層の周囲全体に覆うように形成することができる。 Since the second resin layer can be individually formed on the first resin layer by dividing the light emitting elements individually after the polishing step, the second resin layer is formed so as to cover the entire periphery of the first resin layer. can do.
本願の第3の発明は、研磨工程は、第1樹脂層の上面全体を粗面に均すように研磨することを特徴としたものである。第1樹脂層の上面全体を粗面に形成することで、第1樹脂層と第2樹脂層との界面で、反射率の違いから発生する全反射を抑制することができる。 The third invention of the present application is characterized in that the polishing step is performed so that the entire upper surface of the first resin layer is smoothed to a rough surface. By forming the entire upper surface of the first resin layer as a rough surface, it is possible to suppress total reflection caused by a difference in reflectance at the interface between the first resin layer and the second resin layer.
本願の第4の発明は、蛍光層形成工程は、ポッティングにて形成することを特徴としたものである。 The fourth invention of the present application is characterized in that the fluorescent layer forming step is formed by potting.
第2樹脂層をポッティングで形成することで高い量産性を確保することができる。 High mass productivity can be secured by forming the second resin layer by potting.
本願の第5の発明は、第1から第4の発明のいずれかに記載の発光装置の製造方法によって製造された発光装置としたものである。 A fifth invention of the present application is a light emitting device manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to any one of the first to fourth inventions.
このように製造されることで、色度ばらつきを抑制した発光装置とすることができる。 By being manufactured in this way, a light emitting device with suppressed chromaticity variation can be obtained.
(実施の形態)
本発明の実施の形態に係る発光装置の製造方法を図1および図2に基づいて説明する。図1(A)から同図(D)は、本発明の実施の形態に係る発光装置の製造方法の前半を説明するための図である。図2(A)から同図(D)は、本発明の実施の形態に係る発光装置の製造方法の後半を説明するための図である。
(Embodiment)
A method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1A to FIG. 1D are diagrams for explaining the first half of a method for manufacturing a light-emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2A to FIG. 2D are diagrams for explaining the second half of the method for manufacturing the light emitting device according to the embodiment of the present invention.
図1(A)に示すように、まず発光素子10を準備する。発光素子10は、青色発光素子であり、サファイア基板に化合物半導体層であるn層、発光層、およびp層が積層され、n層にはn電極10aが、p層にはp電極10bがそれぞれボンディング電極として設けられている。
As shown in FIG. 1A, first, a
図1(B)に示すように、発光素子10を、銅箔で形成された配線パターン(図示せず)が設けられた絶縁基板11の所定の位置に、n電極10aおよびp電極10bが配線パターンと導通するように搭載する搭載工程を行う。この絶縁基板11は、ガラスエポキシ樹脂やBTレジンなどで形成することができる。
As shown in FIG. 1B, the n-
図1(C)に示すように、発光素子10を封止する封止工程を行う。封止工程は、発光素子10を囲う開口が形成された印刷版を絶縁基板11に配置し、樹脂をその開口に充填することで、発光素子10を封止する樹脂層を形成する印刷法で行うことができる。この樹脂は、光透過性で蛍光体を含有していないシリコーン樹脂で、熱硬化性を有したものを採用している。従って、絶縁基板11上に形成された樹脂層を加熱することで、樹脂層が硬化して第1樹脂層12となる。
As shown in FIG. 1C, a sealing step for sealing the
図1(D)に示すように、封止工程の次に、第1樹脂層12の上面を研磨する研磨工程を行う。この研磨工程は、印刷法で第1樹脂層12を形成すると、その上面がなだらかに波打つように形成されるため、その歪みを取り除き平面状とするために行われる。このように第1樹脂層12の上面を研磨することで、それぞれの発光素子10の高さが異なっていても、絶縁基板11から第1樹脂層12の上面までの高さHを均一に調整することができる。また第1樹脂層12の上面が歪んでいても研磨することで、より均一な厚みに調整することができる。
As shown in FIG. 1D, a polishing step for polishing the upper surface of the
研磨工程では、第1樹脂層12の上面を研磨する砥石の表面粗さを600番とすることで、第1樹脂層12の上面は、平面状に均すように形成できるだけでなく、その表面に微小な凹凸が形成される粗面とすることができる。
In the polishing step, by setting the surface roughness of the grindstone for polishing the upper surface of the
図2(A)に示すように、研磨工程の次に、それぞれの発光素子10を分割する個片化工程を行う。個片化工程は、研磨した第1樹脂層12の上面から所定の位置を、ブレード13で、絶縁基板11ごと切断して個片とする。
As shown in FIG. 2A, after the polishing process, an individualizing process for dividing each
図2(B)に示すように、個片となった発光素子10をダイボンディング用コレット(図示せず)で第1樹脂層12の上面を吸着してカップ部14へ搭載する。カップ部14は、発光素子10からの光を反射して主光取り出し方向Fへ向かわせるために、開口面積が徐々に広がるように形成された略碗状に形成されている。例えば、コレットで個片となった発光素子10を吸着するときに研磨工程を省略していると、第1樹脂層12の上面は波打つような状態になっているので、コレットの吸着面との間に隙間ができて吸着できなかったり、個片化した半導体発光素子10が傾斜した状態で吸着されたりする。傾斜した状態で吸着されると、カップ部14に搭載するときに位置ずれが発生して搭載不良となるおそれがある。本実施の形態では、第1樹脂層12の上面は研磨工程で平面状に研磨しているので、傾斜した状態でコレットに吸着することを防止することができる。従って、高い信頼性を確保することができる。
As shown in FIG. 2B, the individual
図2(C)に示すように、絶縁基板11に形成された配線パターンとカップ部14のアノード部(図示せず)およびカソード部(図示せず)とをそれぞれワイヤ15で接続する。
As shown in FIG. 2C, the wiring pattern formed on the insulating
図2(D)に示すように、ワイヤボンディングが終わると蛍光層形成工程を行う。蛍光層形成工程は、まず蛍光体(図示せず)を含有した樹脂をポッティングで、カップ部14へ充填して蛍光層を形成する。蛍光体は、発光素子10からの青色の光と混色して白色に見えるように、黄色に波長変換するものを採用している。この蛍光体を含有した樹脂は、エポキシ系樹脂を使用することができ、本実施の形態では熱硬化性を有したものを選択している。次にカップ部14へ樹脂を充填して蛍光層を形成すると、全体を加熱して蛍光層を硬化させて第2樹脂層16とする。そうすることで複数の発光装置1を形成することができる。
As shown in FIG. 2D, when wire bonding is completed, a fluorescent layer forming step is performed. In the fluorescent layer forming step, first, a resin containing a phosphor (not shown) is filled into the
ポッティングで充填する樹脂は含有する蛍光体の濃度が数%であるが、印刷法で用いられる樹脂ではその含有率が50%以上である。従って、第2樹脂層16をポッティングで形成することで蛍光体の含有率の低い樹脂を使用することができるので、第2樹脂層16の光透過率を高くすることができる。つまり高輝度な発光装置1とすることができる。
The concentration of the phosphor contained in the resin filled by potting is several percent, but the content of the resin used in the printing method is 50% or more. Therefore, by forming the
また、第1樹脂層12の上面は粗面に形成しているので、第2樹脂層16との界面で反射率との相違から全反射して発光素子10方向へ戻る光を低減することができる。
Further, since the upper surface of the
ここで、第1樹脂層12と第2樹脂層16と色度ばらつきについて詳細に説明する。ポッティングでカップ部14へ樹脂を充填して第2樹脂層16とする量は予め定められており、カップ部14の形状はそれぞれの発光装置1において同じである。そして、発光素子10を封止する第1樹脂層12は、研磨工程でその上面を平面状に研磨され、絶縁基板11から第1樹脂層12の上面までをそれぞれ同じ高さHに調整されている。従って、ポッティングで同じ量が充填された第2樹脂層16は、第1樹脂層12の上面からの厚みは、それぞれ発光装置1で同じ厚みTとすることができる。つまり、発光素子10から出射した光が、第2樹脂層16を通過する厚みを、それぞれの発光装置1で同じとすることができるので、発光素子10の高さがそれぞれで異なっていても、色度のばらつきを防止することができる。
Here, the chromaticity variation between the
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、絶縁基板11の代わりにリードフレームに第1樹脂層12で封止された発光素子10を搭載し、更に第2樹脂層16を形成するようにしてもよい。また本実施の形態では、第2樹脂層16をポッティングで形成したが、印刷法で形成してもよい。
As described above, the embodiments of the present invention have been described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the lead frame is sealed with the
本発明は、発光素子の高さが異なっても、色度ばらつきを抑制することが可能なので、蛍光体を含有した樹脂を含む樹脂層で発光素子を封止した発光装置に好適である。 The present invention is suitable for a light-emitting device in which a light-emitting element is sealed with a resin layer containing a resin containing a phosphor because variation in chromaticity can be suppressed even when the height of the light-emitting element is different.
1 発光装置
10 発光素子
10a n電極
10b p電極
11 絶縁基板
12 第1樹脂層
13 ブレード
14 カップ部
15 ワイヤ
16 第2樹脂層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting
Claims (5)
前記複数の発光素子を蛍光体非含有樹脂で封止して第1樹脂層を形成する封止工程と、
前記第1樹脂層の上面を研磨する研磨工程と、
前記第1樹脂層に、蛍光体を含有した樹脂で第2樹脂層を形成する蛍光層形成工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 A mounting process for mounting a plurality of light emitting elements on a substrate;
A sealing step of sealing the plurality of light emitting elements with a phosphor-free resin to form a first resin layer;
A polishing step of polishing the upper surface of the first resin layer;
A method of manufacturing a light emitting device, comprising: forming a second resin layer with a resin containing a phosphor in the first resin layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008040872A JP2009200273A (en) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | Method of manufacturing light-emitting apparatus, and light-emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008040872A JP2009200273A (en) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | Method of manufacturing light-emitting apparatus, and light-emitting apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009200273A true JP2009200273A (en) | 2009-09-03 |
Family
ID=41143455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008040872A Pending JP2009200273A (en) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | Method of manufacturing light-emitting apparatus, and light-emitting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009200273A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101103396B1 (en) | 2010-05-04 | 2012-01-05 | (주)와이솔 | Method of manufacturing light emitting diode package |
US8907357B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting module |
-
2008
- 2008-02-22 JP JP2008040872A patent/JP2009200273A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101103396B1 (en) | 2010-05-04 | 2012-01-05 | (주)와이솔 | Method of manufacturing light emitting diode package |
US8907357B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8680557B2 (en) | Producing method of light emitting diode device and light emitting diode element | |
US8597963B2 (en) | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion | |
US8809900B2 (en) | Light emitting diode device and producing method thereof | |
JP5918221B2 (en) | LED chip manufacturing method | |
US8759865B2 (en) | Light emitting diode chip, light emitting diode package structure, and method for forming the same | |
CN205177882U (en) | Light emitting component encapsulation, Backlight unit and lighting device | |
JP2017108092A (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP6100778B2 (en) | LED mixing chamber with a reflective wall formed in the slot | |
JP2007324417A (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor | |
US20130175554A1 (en) | Led package substrate and method of manufacturing led package | |
JP5334123B2 (en) | Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device assembly, and method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
JP2012186274A (en) | Light-emitting device, led chip, led wafer and package substrate | |
JP2009200273A (en) | Method of manufacturing light-emitting apparatus, and light-emitting apparatus | |
TWI565101B (en) | Light emitting diode package and method for forming the same | |
CN107017328A (en) | Light-emitting device and light-emitting device power-feed connector | |
JP6597135B2 (en) | Light emitting device | |
US11152544B2 (en) | Methods for fabricating CSP LEDs | |
KR101543724B1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP5953386B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode device | |
US20200295242A1 (en) | Light-emitting device and production method therefor | |
TW201511339A (en) | Method for manufacturing LED | |
KR20130077058A (en) | Led package and method for manufacturing the same | |
JP5886105B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode light emitting device | |
TW201515274A (en) | Method for manufacturing LED | |
US20140175480A1 (en) | Led die and method for manufacturing led incorporating the same |