JP2009199976A - マトリックス型冷陰極電子源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子を放出するエミッタが複数配列したエミッタアレイをマトリクス状に配置した電子源と、前記エミッタアレイに対向するように配置された開口部を持つゲート電極アレイと、前記電子源の下部に絶縁層を介して形成されたゲート信号配線と、前記ゲート電極アレイと前記ゲート信号配線とを電気的に接続するためのプラグと、を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1に係るマトリックス型冷陰極電子源装置について図1を用いて説明する。図1(a)は本発明の実施の形態1に係る冷陰極電子源装置の構造を示した上面図である。また図(b)及び図1(c)は、本発明の実施の形態1に係る冷陰極電子源装置を示す断面模式図であり、図1に示したA−A部、及びB−B部の断面を示している。
まず、基材シリコン基板1に所定の幅の溝を形成し、熱酸化法により表面全体に熱酸化膜2を形成する。その後、基板1全面にプラズマCVD法を用いて多結晶シリコン膜3を成膜する。多結晶シリコン膜3は、概ね形成した溝の深さの2倍から3倍の厚さに成膜することで、表面がほぼ平坦になる。次に、多結晶シリコン膜3全面のエッチングを行い、前述の溝が形成されていない部分の熱酸化膜2が表面に現れるまでエッチングを進める。或いは、CMP技術を用いて、熱酸化膜2表面が現れるまで研磨しても良い。
本実施の形態2に係るマトリックス型冷陰極電子源装置について、図2と図3とを用いて説明する。本実施の形態では、まずN型シリコン基板5上に、トレンチ構造(図示せず)を用いてストライプ上のエミッタ信号配線5aを形成し、前述の実施の形態1で示したものと同様の方法によりエミッタ5bを形成後、ゲート絶縁膜6、ゲート電極7、及び保護絶縁膜8までの成膜を行なう。その後、N型シリコン基板5の裏面を所定の厚さまで研磨して薄くし、電子源素子の形成されたN型シリコン基板5が完成する。研磨後の基板の厚さは、基板の破損を考慮すると厚くした方が良いが、後工程でのビアホールの形成を考慮すると薄くした方が良いため、その両方を考慮して概ね20マイクロメートルから200マイクロメートルとする。
2 熱酸化膜
3 ゲート信号配線
4 酸化膜
5a エミッタ信号配線
5b エミッタ
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 保護絶縁膜
9 プラグ
Claims (10)
- 電子を放出するエミッタが複数配列したエミッタアレイをマトリクス状に配置した電子源と、
前記エミッタアレイに対向するように配置された開口部を持つゲート電極アレイと、
前記電子源の下部に絶縁層を介して形成されたゲート信号配線と、
前記ゲート電極アレイと前記ゲート信号配線とを電気的に接続するためのプラグと、
を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記電子源は、基材単結晶シリコン基板上に形成された酸化膜により絶縁分離された単結晶シリコン上に形成されており、
前記ゲート信号配線は、酸化膜下部の基材単結晶シリコン基板上に形成されている請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記ゲート信号配線は、
各々基材単結晶シリコン基板と絶縁膜で分離された多結晶シリコンに高濃度の不純物を添加して形成されている請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記ゲート信号配線は、
相互に絶縁膜を埋め込まれたトレンチで分離され、基材単結晶シリコン基板の表面に高濃度の不純物を添加して形成されている請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記ゲート信号配線は、
各々基材単結晶シリコン基板と絶縁膜で分離された溝に単金属又は合金が埋め込まれてなる請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記エミッタアレイは、
絶縁層上に貼り付けた単結晶シリコン基板を研磨して形成した単結晶シリコン層に形成されている請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記エミッタアレイは、
更にエミッタ信号配線を備えている請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記エミッタ信号配線は、
前記エミッタアレイ上の少なくとも一部で接続した金属膜であり、絶縁膜によりゲート電極と電気的に分離されている請求項7記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記プラグは、
前記ゲート電極と同一の材料である請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記プラグにより形成される前記ゲート電極と前記ゲート信号配線との抵抗が50kΩ以上10MΩ以下の範囲にある請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266832A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 表示素子 |
JPH07181920A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Futaba Corp | 電界放出素子を用いた表示装置 |
JPH07230943A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Sharp Corp | 電界放出型電子源アレイおよび表示素子 |
JPH11260246A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 冷陰極アレイ基板及びその製造方法 |
JP2000340145A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル・ユニット、冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル及びその製造方法、冷陰極電界電子放出表示装置、試験装置、並びに、かかる試験装置を用いた冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル・ユニットの試験方法 |
JP2001035352A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Sharp Corp | 電子源、その製造方法及びそれを用いて形成した画像形成装置 |
JP2006351256A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 電界放出型冷陰極装置 |
JP2007059121A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Matsushita Toshiba Picture Display Co Ltd | 電子源装置およびそれを備えた撮像装置 |
JP2007073236A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
JP2007287426A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05266832A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 表示素子 |
JPH07181920A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Futaba Corp | 電界放出素子を用いた表示装置 |
JPH07230943A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Sharp Corp | 電界放出型電子源アレイおよび表示素子 |
JPH11260246A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 冷陰極アレイ基板及びその製造方法 |
JP2000340145A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル・ユニット、冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル及びその製造方法、冷陰極電界電子放出表示装置、試験装置、並びに、かかる試験装置を用いた冷陰極電界電子放出表示装置用カソード・パネル・ユニットの試験方法 |
JP2001035352A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Sharp Corp | 電子源、その製造方法及びそれを用いて形成した画像形成装置 |
JP2006351256A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 電界放出型冷陰極装置 |
JP2007059121A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Matsushita Toshiba Picture Display Co Ltd | 電子源装置およびそれを備えた撮像装置 |
JP2007073236A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
JP2007287426A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
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