JP2009197266A - 気体溜め込み式排気系の再生方法及びこれを用いた基板処理装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】搬送室内に配設されたクライオパネルを有する気体溜め込み式真空排気系においてクライオパネルから不純物を除去する再生を行う際に，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる気体溜め込み式真空排気系の再生方法及びこれを用いた基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】共通搬送室３００内に不活性ガスを導入しながら排気することで，共通搬送室内の圧力を高めつつ不活性ガスの流れを形成する。この状態でクライオパネル３４２を加熱してクライオパネル３４２から不純物を放出させることにより，その不純物を不活性ガスの粘性流に乗って共通搬送室の外部に排出させる。
【選択図】図４

Description

本発明は，気体溜め込み式排気系の再生方法およびこれを用いた基板処理装置の制御方法に関する。

一般に半導体デバイスの製造工程にあっては，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう）に対して成膜処理，エッチング処理等の処理が複数回繰り返し行なわれる。近年，半導体デバイスの生産性を向上させるために，ウエハに対して同種または異種の処理を施す複数の処理室と，各処理室に対してウエハを搬出入する搬送室とを備えたクラスタツール型の基板処理装置の普及が進んでいる。この基板処理装置によれば，一の処理室にて処理を施したウエハを大気に晒すことなく他の処理室に搬送して次の処理を施すことができる。そして，このように搬送中のウエハを大気に晒さないようにするために，搬送室にはその内部を排気して所定の真空度に調整するための排気系が備えられている。

一般に，このような搬送室の排気系は，例えば搬送室の外部に排気管を介して設けられたターボ分子ポンプやドライポンプによって構成される。ところが，近年では搬送室が大型化するとともに，搬送室内の真空度をより高めて清浄度の高い環境下でウエハを搬送することが求められているため，搬送室の外部に排気管を介して例えばクライオポンプなどの気体溜め込み式ポンプを設け，上記ターボ分子ポンプやドライポンプと組み合わせて真空排気を行うものも提案されている（例えば特許文献１参照）。すなわち，搬送室は一般にその容量も大きいため，ターボ分子ポンプやドライポンプで真空排気するだけでなく，さらに気体溜め込み式ポンプで搬送室内に残留し易い不純物ガスを捕捉して取り除くことで，搬送室内の真空度をより高めることができる。

このような気体溜め込み式ポンプは，一般に，そのポンプ内にクライオパネルを設け，このクライオパネルを冷却することによって，搬送室から排出される不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して除去するようになっている。このため，クライオパネルに捕捉された不純物の量が増えるほど排気能力が低下する。従って，気体溜め込み式ポンプでは定期的に捕捉された不純物を取り除く再生処理が必要となる。

従来，気体溜め込み式ポンプの再生処理としては，加熱した昇温用ガスをポンプ内に導入することでクライオパネルを再生する温度に加熱して，クライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出するようになっていた（例えば特許文献２参照）。

特開平６−１０４１７８号公報 特開平６−３４６８４８号公報 特開平７−２９９６２号公報

ところで，近年では，搬送室内の真空度をより一層高めるため，ポンプ内にクライオパネルを配設する一般的な気体溜め込み式ポンプに代えて，クライオパネルを独立して搬送室内に配設して外部からクライオパネルを冷却するものが提案されている（特許文献３参照）。すなわち，一般的な気体溜め込み式ポンプでは，これが接続される狭い排気管を通じてでなければ気体を捕捉できないので，搬送室内の不純物ガスを効率的に除去するには限界がある。特に不純物ガスとしてＨ_２ＯやＯ_２などは搬送室内に残留し易く，これを効率的に取り除くことで，搬送室内の真空度をより一層高めることができる。この点，クライオパネルを独立して搬送室内に配設する構成によれば，容積の大きい搬送室内に残留するＨ_２ＯやＯ_２などの不純物ガスを極めて効率よく除去することができる。

しかしながら，クライオパネルを搬送室内に配設する場合，そのクライオパネルの再生する際に以下のような問題がある。すなわち，従来の気体溜め込み式ポンプの再生と同様に，もし加熱した昇温用ガスを搬送室内に導入することによってクライオパネルを加熱しようとすれば，搬送室内はポンプ内に比して極めて容積が大きいので，クライオパネルの温度を昇温させるには非常に時間がかかるとともに，クライオパネルの加熱効率も極めて悪い。この場合，もしクライオパネルを直接加熱して再生しようとすれば，クライオパネルから気化放出された不純物が搬送室の内壁に付着するという問題がある。

また，こうして搬送室の内壁に付着した不純物を取り除くのは非常に時間がかかる。すなわち，搬送室の内壁に不純物が付着した場合は，クライオパネルを加熱する再生処理が終了した後には，さらに搬送室内の洗浄処理を行わなければならない。従って，クライオパネルの再生処理が終了した後にその洗浄処理を行う時間の分だけ，搬送室を所定の真空度にするなど基板処理装置を復帰（リカバリ）させるのに長い時間がかかる。

そこで，本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，搬送室内に配設したクライオパネルで選択的に不純物ガスを凝縮補足する気体溜め込み式真空排気系においてクライオパネルの再生を行う際に，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる気体溜め込み式真空排気系の再生方法等を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板に所定の処理を施す処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室に設けられた気体溜め込み式真空排気系の再生方法であって，前記搬送室は，その内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，内部の気体を前記搬送室の外部に排出する排気系とを備え，前記気体溜め込み式真空排気系は，前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，このクライオパネルを加熱するパネル加熱器とを備え，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に前記不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成して，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを所定の再生温度以上に加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする気体溜め込み式真空排気系の再生方法が提供される。

このような本発明によれば，搬送室の内部に不活性ガスの流れを形成した上で，その状態のままパネル加熱器によってクライオパネルを加熱するので，クライオパネルに捕捉されている不純物は，クライオパネルから放出された後，不活性ガスの流れに乗って搬送室の外部に排出される。これにより，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる。

また，上記気体溜め込み式真空排気系の再生を行っている間，例えば前記クライオパネルから放出された不純物の平均自由行程が前記クライオパネルと前記搬送室の内壁との距離よりも短くなるように，前記搬送室の内部の圧力を調整する。この場合，上記搬送室の内部の圧力を例えば０．１〜１０Ｔｏｒｒの範囲内の所定の圧力に調整することが好ましい。これにより，クライオパネルから放出された不純物は，搬送室の内壁に到達する前に高い確率で不活性ガスの分子に衝突することになり，搬送室の内壁に付着することなく不活性ガスとともに搬送室の外部へ排出される。

また，上記搬送室は，その内壁を構成する壁部を加熱する壁部ヒータを設け，前記気体溜め込み式真空排気系の再生を行っている間，前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱するとともに，前記壁部ヒータによって前記壁部を加熱するようにしてもよい。これによれば，クライオパネルから放出された不純物が，もし搬送室の内壁に到達したとしても，そこに凝縮固着することを防止できる。

また，上記ガス導入系は，凝固点の異なるガス種の不活性ガスを切り替え可能に構成し，前記クライオパネルには，その温度を検出する温度センサを設け，前記クライオパネルの温度が上昇している間に前記温度センサで検出される温度に応じて，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に導入する前記不活性ガスのガス種を切り替えるようにしてもよい。なお，ここでのクライオパネルの温度が上昇している間には，クライオパネルの冷却を止めたときに自然に温度が上昇している間の他，クライオパネルが加熱されて温度が上昇している間も含まれる。

これによれば，クライオパネルの再生処理を行う直前に，そのクライオパネルの温度がこれから導入しようとするメインの不活性ガスがクライオパネルに捕捉されてしまうほど低温になっている場合であっても，早い段階から別の不活性ガスを導入して再生処理を開始することができる。例えば先ずその低い温度では捕捉されない別の不活性ガスを導入し，その後クライオパネルの温度が上昇してメインの不活性ガスが捕捉されない温度になったら，そのメインの不活性ガスに切り替えて導入することができる。このように，不活性ガスのガス種によって，クライオパネルに捕捉されない温度が異なるので，これを利用して再生処理を開始するタイミングを早めることができる。

この場合，上記クライオパネルを加熱した際の温度が所定温度に達するまでの間は，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスとしてＮeガスを導入し，前記クライオパネルの温度が前記所定温度を超えたら，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスとしてＡｒガスを導入するようにしてもよい。Ａｒガスは凝固点が約−１８９℃であるのに対して，Ｎeガスは凝固点が約−２４９℃とクライオパネルに凝縮捕捉され得る温度が極めて低い。このため，たとえクライオパネルの温度が−２００℃前後の低温であっても，クライオパネルの冷却を止めてＡｒガスが凝縮捕捉され得る約−１８９℃になるまで待つことなく，Ｎeガスを導入して直ちに再生処理を開始することができる。その後，クライオパネルの温度が上昇して約−１８９℃以上になったところで，Ａｒガスに切り替えることができる。

また，上記搬送室にその内部の不純物の分圧を測定する分圧測定器を設け，前記分圧測定器によって前記クライオパネルから気化放出された不純物の分圧を測定して監視し，その分圧が所定の値以下にまで低下した時点で再生が完了したと判断するようにしてもよい。この他，上記クライオパネルを加熱し始めてから所定時間経過後に，前記搬送室の内部への前記不活性ガスの導入を停止するとともに前記排気系による前記搬送室の内部の排気を一定時間停止して，前記搬送室の内部の圧力を測定して，その一定時間内で圧力が所定の値以下であれば再生が完了したと判断するようにしてもよい。このようにして再生完了を判断すれば，気体溜め込み式真空排気系の再生にかかる時間を最小限に抑えることができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通接続されて各処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室と，を備えた基板処理装置の制御方法であって，前記搬送室は，前記搬送室の内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，前記搬送室の内部の気体を外部に排出する排気系と，前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，前記クライオパネルを加熱するパネル加熱器とを備え，前記搬送室と前記各処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記ガス導入系によって前記搬送室に前記不活性ガスを導入するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の気体のうち前記不活性ガスを補足することなく不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を前記各処理室の内部の圧力よりも高く調整し，前記クライオパネルの再生処理を行う際には，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に前記不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成して，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。この場合，上記複数の処理室は，例えば化学気相成長法による処理を行う処理室である。

このような本発明によれば，搬送室と各処理室との間で基板の搬出入を行う際にはその直前（例えば搬送室と各処理室との間のゲートバルブを開いて連通する直前）に，搬送室の内部の圧力を各処理室の内部の圧力よりも高く調整するため，搬送室側から各処理室側へ雰囲気が流れ込むようになる。したがって，仮に処理室内に不純物が残留していても，搬送室内にその不純物が流れ込んで搬送室内を汚染してしまうことを防止できる。さらに，搬送室の内部の気体のうち不活性ガスを補足することなく不純物ガス（例えばＨ_２Ｏや処理ガスの残留ガスなど）をクライオパネルに選択的に凝縮捕捉するため，搬送室内を清浄な状態に保つことができる。

また，クライオパネルの再生処理を行う際には，搬送室内に不活性ガスの流れを形成するため，クライオパネルから放出された不純物は不活性ガスの流れに乗って搬送室の外部に排出される。このため，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通接続されて各処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室と，を備えた基板処理装置の制御方法であって，前記搬送室は，前記搬送室の内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，前記搬送室の内部の気体を外部に排出する排気系と，前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，前記クライオパネルを加熱するパネル加熱器とを備え，前記搬送室と前記各処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記不活性ガスを導入することなく前記排気系によって前記搬送室の内部の気体をこの搬送室の外部に排出するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を到達圧力に調整し，前記クライオパネルの再生処理を行う際には，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成し，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。この場合，上記複数の処理室は，例えば物理気相成長法による処理を行う処理室である。

このような本発明によれば，搬送室と各処理室との間で基板の搬出入を行う際にはその直前（例えば搬送室と各処理室との間のゲートバルブを開いて連通する直前）に，搬送室の内部の圧力を少なくとも各処理室の内部の圧力以上の到達圧力に調整するため，少なくとも各処理室と搬送室の間では気流が生じないか又は各処理室から搬送室に向かう気流が生じる。これにより，各処理室に搬送室からの雰囲気が流れ込むことを防止できる。さらに，搬送室の内部の気体のうちの不純物ガス（例えばＨ_２Ｏや処理ガスの残留ガスなど）をクライオパネルに選択的に凝縮捕捉するため，搬送室内を清浄な状態に保つことができる。これにより，搬送室内を清浄な状態に保つことができるともに，搬送室から各処理室に不純物ガスが入り込むことを防止できる。

また，クライオパネルの再生処理を行う際には，搬送室内に不活性ガスの流れを形成するため，クライオパネルから放出された不純物は不活性ガスの流れに乗って搬送室の外部に排出される。このため，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通接続されて各処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室と，を備えた基板処理装置の制御方法であって，前記搬送室は，前記搬送室の内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，前記搬送室の内部の気体を外部に排出する排気系と，前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，前記クライオパネルを加熱するパネル加熱器とを備え，前記複数の処理室は，低真空度で処理が行われる第１処理室と，高真空度で処理が行われる第２処理室とを有し，前記搬送室と前記第１処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記ガス導入系によって前記搬送室に前記不活性ガスを導入するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の気体のうち前記不活性ガスを補足することなく不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を前記第１処理室の内部の圧力よりも高く調整し，前記搬送室と前記第２処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記不活性ガスを導入することなく前記排気系によって前記搬送室の内部の気体をこの搬送室の外部に排出するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を少なくとも前記第２処理室の内部の圧力に近い圧力又はそれよりも低い圧力に調整し，前記クライオパネルの再生処理を行う際には，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成し，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。この場合，前記第１処理室は，例えば前記基板に対して化学気相成長法による処理を行う処理室であり，前記第２処理室は，例えば前記基板に対して物理気相成長法による処理を行う処理室である。

このような本発明によれば，搬送室と第１処理室との間で基板の搬出入を行う際にはその直前（例えば搬送室と第１処理室との間のゲートバルブを開いて連通する直前）に，搬送室の内部の圧力を各処理室の内部の圧力よりも高く調整するため，第１処理室内に残留する不純物が搬送室内に流れ込むことを防止できる。さらに，搬送室の内部の気体のうち不活性ガスを補足することなく不純物ガス（例えばＨ_２Ｏや処理ガスの残留ガスなど）をクライオパネルに選択的に凝縮捕捉する。このため，搬送室と第１処理室との間で基板の搬出入を行っても，搬送室内は常に清浄な状態に保たれる。従って，搬送室と第２処理室との間で基板の搬出入を行っても，第１処理室内に残留する不純物が搬送室内を介して第２処理室内に流れ込むことを防止できる。

また，搬送室と第２処理室との間で基板の搬出入を行う際にはその直前（例えば搬送室と第２処理室との間のゲートバルブを開いて連通する直前）に，搬送室の内部の圧力を少なくとも第２処理室の内部の圧力に近い圧力又はそれよりも低い圧力，例えば到達圧力に調整するため，少なくとも第２処理室と搬送室の間では気流が生じないか又は第２処理室から搬送室に向かう気流が生じる。これにより，第２処理室に搬送室からの雰囲気が流れ込むことを防止できる。

また，クライオパネルの再生処理を行う際には，搬送室内に不活性ガスの流れを形成するため，クライオパネルから放出された不純物は不活性ガスの流れに乗って搬送室の外部に排出される。このため，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる。

本発明によれば，搬送室内に配設したクライオパネルで選択的に不純物ガスを凝縮補足する気体溜め込み式真空排気系においてクライオパネルの再生を行う際に，搬送室内に不活性ガスによる流れを形成するため，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着しないようにできる。また，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着しないので，その不純物を取り除く洗浄処理を行う必要がなくなる。これにより，気体溜め込み式真空排気系の再生後に，基板処理装置を復帰させるまでの時間を短縮できる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（基板処理装置の構成例）
まず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置１００は，被処理基板例えばウエハＷに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０と，基板処理装置１００全体の動作を制御する制御部４００とを備えている。

搬送ユニット１２０は，基板収納容器例えば後述するカセット容器１２２（１２２Ａ〜１２２Ｃ）と処理ユニット１１０との間でウエハを搬出入する搬送室１３０を有している。搬送室１３０は，断面略多角形の箱体状に形成されており，搬送室１３０における断面略多角形の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１２４（１２４Ａ〜１２４Ｃ）が並設されている。これらカセット台１２４Ａ〜１２４Ｃはそれぞれ，基板収納容器の一例としてのカセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃが載置可能なように構成されている。

各カセット容器１２２には，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ_２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０は，カセット容器１２２からその内部へシャッタ（図示せず）を介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。なお，カセット台１２４とカセット容器１２２の数は，図１に示す場合に限られるものではない。

搬送室１３０の端部には，オリエンタ（プリアライメントステージ）１２６が設けられている。このオリエンタ１２６は，例えばウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合わせを行う。

搬送室１３０内には，例えばリニア駆動機構によって長手方向（図１に示す白抜き矢印方向）に沿ってウエハＷを搬送する搬送ユニット側搬送機構（搬送室内搬送機構）１３２が設けられている。なお，搬送ユニット側搬送機構１３２は，図１に示すような２つのピックを有するダブルアーム機構であってもよく，１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

次に，処理ユニット１１０の具体的な構成例について説明する。本実施形態にかかる基板処理装置１００がクラスタツール型である場合，処理ユニット１１０は図１に示すように，断面多角形（例えば六角形）に形成された共通搬送室３００，その周囲に気密に接続された複数の処理室２００（第１〜第４処理室２００Ａ〜２００Ｄ），および第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎから構成されている。なお，処理室２００の数は，図１に示す場合に限られるものではない。

処理室２００Ａ〜２００Ｄはそれぞれ，ウエハＷに例えば成膜処理（例えば後述するプラズマを用いたＣＶＤ処理，ＰＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理を施すことが可能なように構成されており，ゲートバルブ２０２Ａ〜２０２Ｄを介して共通搬送室３００に接続されている。

また，各処理室２００Ａ〜２００Ｄは，各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内へ処理ガスやパージガスなど所定のガスを導入可能なガス導入系２１０Ａ〜２１０Ｄ（図１では省略），各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内を排気可能な排気系２２０Ａ〜２２０Ｄ（図１では省略）が接続されている。なお，これらガス導入系と排気系の構成例は後述する。

各処理室２００Ａ〜２００Ｄは，ウエハＷに対して化学気相成長法による処理，所謂ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行う第１処理室（以下，「ＣＶＤ処理室」という）として構成されたものと，ウエハＷに対して物理気相成長法による処理，所謂ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行う第２処理室（以下，「ＰＶＤ処理室」という）として構成されたものを含む。各処理室２００Ａ〜２００Ｄのうちのどの処理室をどのタイプの処理室として構成してもよい。例えば処理室２００Ａ，２００ＢをＰＶＤ処理室で構成し，例えば処理室２００Ｃ，２００ＤをＣＶＤ処理室として構成する。なお，処理室２００Ａ〜２００ＤのすべてをＰＶＤ処理室として構成してもよく，処理室２００Ａ〜２００ＤのすべてをＣＶＤ処理室として構成してもよい。また，処理室２００Ａ〜２００Ｄの一部の処理室をＰＶＤ処理室，ＣＶＤ処理室として構成し，その他の処理室はエッチング処理など他の処理を行う処理室として構成してもよい。

これらのうち，ＣＶＤ処理室は例えば次のように構成される。すなわち，ＣＶＤ処理室の内部には上部電極と下部電極とが対向して配設されており，上部電極には上記ガス導入系が接続されている。一方の下部電極はウエハＷを載置する載置台を兼ねている。これら上部電極と下部電極にはそれぞれ所定の高周波電力を印加する高周波電源が接続されている。

このようなＣＶＤ処理室に対して共通搬送室３００からウエハＷが搬入されて下部電極に載置されると，ＣＶＤ処理室の内部は，排気系によって排気されて所定の圧力に調整される。そして，上部電極と下部電極には高周波電力が印加されるとともに，ガス導入系からの処理ガスが上部電極を介してウエハＷに向けて均一に導入される。これによって上部電極から導入された処理ガスはプラズマ化され，ウエハＷの表面に成膜処理が施される。

また，ＰＶＤ処理室は例えば次ぎのように構成される。すなわち，ＰＶＤ処理室の内部には上部電極と下部電極とが対向して配設されており，上部電極はスパッタターゲットによって構成されている。このスパッタターゲットとしては例えば高純度のＣｕから成るターゲットが用いられる。一方の下部電極はウエハＷを載置する載置台を兼ねている。これら上部電極と下部電極にはそれぞれ所定の高周波電力を印加する高周波電源が接続されている。

このようなＰＶＤ処理室に対して共通搬送室３００からウエハＷが搬入されて下部電極に載置されると，ＰＶＤ処理室の内部は，排気系によって排気されて所定の圧力に調整される。そして，上部電極と下部電極には高周波電力が印加されるとともに，ガス導入系からＰＶＤ処理室内にＡｒガスなどのプラズマ励起のためのガスが導入される。これによってＰＶＤ処理室内でＡｒガスがプラズマ化してＡｒイオンが生成される。このようにして生成されたＡｒイオンによってスパッタターゲットがスパッタリングされ，ウエハＷの表面に成膜処理が施される。

このような各処理室２００Ａ〜２００ＤにおけるウエハＷの処理は，例えば制御部４００の記憶手段に予め記憶された処理工程等を示すプロセス・レシピなどのウエハ処理情報に基づいて行われる。ウエハ処理情報は，ウエハの処理の種類や条件によって異なる。

上記共通搬送室３００は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの間，または各処理室２００Ａ〜２００Ｄと各第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎとの間でウエハＷを搬出入する機能を有する。

共通搬送室３００内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構（共通搬送室内搬送機構）３０２が設けられている。処理ユニット側搬送機構３０２は，第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎおよび各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間でウエハＷを搬送する。なお，処理ユニット側搬送機構３０２は，図１に示すような２つのピックを有するダブルアーム機構であってもよく，１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有するものであり，各先端は真空側ゲートバルブ２０２Ｍ，２０２Ｎを介して共通搬送室３００に接続されており，各基端は大気側ゲートバルブ２０４Ｍ，２０４Ｎを介して搬送室１３０における断面略多角形の長辺を構成する他側面に接続されている。また，各第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎの内部にはウエハＷを載置可能な受渡台が設けられている。

制御部４００は，上記のように基板処理装置１００全体の動作を制御するものである。具体的には，上記の各処理室２００Ａ〜２００ＤにおけるウエハＷに対する処理の他，搬送ユニット側搬送機構１３２，処理ユニット側搬送機構３０２，および各ゲートバルブ２０２Ａ〜２０２Ｄ，２０２Ｍ，２０２Ｎ，２０４Ｍ，２０４Ｎの動作制御，ならびにオリエンタ１２６におけるウエハＷの位置合わせ制御などの制御を行う。

各処理室２００Ａ〜２００Ｄには，室内にＡｒガスやＮ_２ガス等の不活性ガス，ＴｉＣｌ_Ｘガスを含む所定の処理ガスを供給するガス供給系が接続されているとともに，室内の雰囲気を排気するための排気系が接続されている。また，共通搬送室３００と第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎにも，Ａｒガス，Ｎ_２ガス，Ｎｅガス等の不活性ガスを供給するガス供給系が接続されているとともに，室内の雰囲気を排気するための排気系が接続されている。これら各処理室２００Ａ〜２００Ｄ，共通搬送室３００，および第１，第２ロードロック室２００Ｍ，２００Ｎには，室内の圧力を検出するための圧力計が設けられている。これらのガス導入系および排気系の具体的な構成例については後述する。

このように構成された基板処理装置１００が稼働すると，ウエハＷに対して所定の処理が施される。まず，搬送ユニット側搬送機構１３２によってカセット容器１２２Ａ〜１２２ＣのいずれかからウエハＷが搬出されてオリエンタ１２６まで搬送される。そして，オリエンタ１２６で位置決めされたウエハＷは，オリエンタ１２６から搬出されてロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎ内へ搬入される。このとき，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハＷがロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎにあれば，処理完了ウエハＷを搬出してから，未処理ウエハＷを搬入する。

第１，第２ロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎへ搬入されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構３０２によってロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎから搬出され，そのウエハＷが処理される処理室２００へ搬入されて所定の処理が実行される。そして，処理室２００での処理が完了した処理済ウエハＷは，処理ユニット側搬送機構３０２によって処理室２００から搬出される。この場合，そのウエハＷが連続して複数の処理室２００での処理が必要な場合には，次の処理を行う他の処理室２００へウエハＷを搬入し，その処理室２００での処理が実行される。

そして，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハは，第１，第２ロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎへ戻される。ロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎへ戻された処理済ウエハＷは，搬送ユニット側搬送機構１３２によって元のカセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃに戻される。

（処理室および共通搬送室の配管の構成例）
次に，各処理室２００Ａ〜２００Ｄおよび共通搬送室３００のガス導入系および排気系にかかる配管の具体的な構成例について図面を参照しながら説明する。なお，本実施形態においては，処理室２００Ａ〜２００Ｄのうちの例えば２つの処理室２００Ａ，２００ＢがＰＶＤ処理室として構成されており，他の２つの処理室２００Ｃ，２００ＤがＣＶＤ処理室として構成されている。

ＰＶＤ処理室では高真空度例えば１×１０^−９〜１×１０^−７Ｔｏｒｒの到達圧力が要求されるＰＶＤ処理が行われる。このようなＰＶＤ処理としては例えばＣｕ，Ｗ，Ｔｉ等をスパッタ成膜する成膜処理が挙げられる。一方，ＣＶＤ処理室では低真空度例えば５０〜１００ｍＴｏｒｒの到達圧力が要求されるＣＶＤ処理が行われる。このようなＣＶＤ処理としては，例えばＴｉ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＷＮ，Ｗ等を成膜する成膜処理が挙げられる。

図２は処理室２００Ａ〜２００Ｄおよび共通搬送室３００の配管構成の概略を説明するためのブロック図である。ここで，ＰＶＤ処理室である処理室２００Ａ，２００Ｂの配管構成は同様であり，ＣＶＤ処理室である処理室２００Ｃ，２００Ｄの配管構成は同様である。このためＰＶＤ処理室については代表的に処理室２００Ａの配管構成を説明し，ＣＶＤ処理室については代表的に処理室２００Ｄの配管構成を説明する。

まず，処理室２００Ａ，２００Ｄのガス導入系および排気系にかかる配管構成について説明する。図２に示すように，処理室２００Ａ，２００Ｄにはそれぞれ，各室内の圧力を検知する圧力センサ２６０Ａ，２６０Ｄ，各室内へ不活性ガスや処理ガスなど所定のガスを導入可能なガス導入系２１０Ａ，２１０Ｄ，および各室内を排気するための排気系２２０Ａ，２２０Ｄが設けられている。なお，本明細書において不活性ガスは，化学変化を起こしにくい気体を意味するものであり，例えばＡｒガス，Ｎｅガス，Ｈｅガスなどの第１８族元素（希ガス）のみならず，Ｎ_２ガスなども含む。

ガス導入系２１０Ａは例えばガス供給源２１２Ａをマスフローコントローラ２１４Ａとガス導入バルブ２１６Ａを介して処理室２００Ａ（ＰＶＤ処理室）に接続して構成される。ガス供給源２１２Ａから処理室２００Ａへ導入されるガスの例としては，プラズマ励起のためのＡｒガスが挙げられる。なお，ガス導入系２１０Ａは図２に示す構成に限られるものではない。

排気系２２０Ａは例えば真空ポンプ２２２Ａを圧力調整バルブ２２４Ａを介して処理室２００Ａに接続して構成される。真空ポンプ２２２Ａは例えばターボ分子ポンプなどの主ポンプとこの主ポンプの排気側に接続されるドライポンプなどの補助ポンプで構成される。例えば補助ポンプによって処理室２００Ａ内を一定の真空度まで排気する粗引き排気を行い，主ポンプによって処理室２００Ａ内を更に高い真空度にまで排気する本引き排気を行う。また，真空ポンプ２２２Ａにクライオポンプを組み込むようにしてもよい。主ポンプ及び補助ポンプとともにクライオポンプを作動させることによって，処理室２００Ａの内部を極めて高い真空度（例えば，１×１０^−９〜１×１０^−７Ｔｏｒｒ）に調整することができる。

ガス導入系２１０Ｄはガス導入系２１０Ａと同様に構成される。すなわちガス導入系２１０Ｄは例えばガス供給源２１２Ｄをマスフローコントローラ２１４Ｄとガス導入バルブ２１６Ｄを介して処理室２００Ｄ（ＣＶＤ処理室）に接続して構成される。ガス供給源２１２Ｄから処理室２００Ｄへ導入されるガスの例としては，ＴｉＣｌ_Ｘなどの処理ガスの他，パージガスや圧力調整ガスとして用いられる不活性ガスが挙げられる。なお，ガス導入系２１０Ｄは図２に示す構成に限られるものではない。

排気系２２０Ｄは例えば真空ポンプ２２２ＤをＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２２４Ｄを介して処理室２００Ｄに接続して構成される。真空ポンプ２２２Ｄは例えばメカニカルブースタポンプなどの主ポンプとこの主ポンプの排気側に接続されるドライポンプなどの補助ポンプで構成される。例えば補助ポンプによって処理室２００Ｄ内を一定の真空度まで排気する粗引き排気を行い，主ポンプによって処理室２００Ｄ内を更に高い真空度にまで排気する本引き排気を行う。ＡＰＣバルブ２２４Ｄは，処理室２００Ｄの内部にガス導入系２１０Ｄから所定のガスが導入されたときにその内部の圧力が目標のレベル（例えば，５Ｔｏｒｒ）に維持されるように，自動的にバルブ弁の開度を変化させて排気コンダクタンスを調整する。

次に，共通搬送室３００のガス導入系および排気系にかかる配管構成について説明する。図２に示すように共通搬送室３００には，その室内の圧力を検知する圧力センサ（Ｐ）３６０，室内へパージガスなど所定のガスを導入可能なガス導入系３１０，室内を排気するための排気系３２０が設けられている。

ガス導入系３１０は例えばガス供給源３１２をマスフローコントローラ３１４とガス導入バルブ３１６を介して共通搬送室３００に接続して構成される。ガス供給源３１２から共通搬送室３００へ導入されるガスの例としては，パージガスや圧力調整ガスとして用いられる不活性ガスが挙げられる。なお，ガス導入系３１０は図２に示す構成に限られるものではない。

排気系３２０は例えば真空ポンプ３２２を圧力調整バルブ３２４を介して共通搬送室３００に接続して構成される。真空ポンプ３２２は例えばターボ分子ポンプなどの主ポンプとこの主ポンプの排気側に接続されるドライポンプなどの補助ポンプで構成される。例えば補助ポンプによって共通搬送室３００内を一定の真空度まで排気する粗引き排気を行い，主ポンプによって共通搬送室３００内を更に高い真空度にまで排気する本引き排気を行う。

また，共通搬送室３００には，上記排気系３２０に加えて，室内を真空圧力にするための気体溜め込み式真空排気系３４０が設けられている。この気体溜め込み式真空排気系３４０は，共通搬送室３００内の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネル３４２，捕捉しようとする気体の凝結温度以下で設定される凝縮温度（冷却温度）になるようにクライオパネル３４２を冷却するための冷却器（パネル冷却器）３４４，クライオパネル３４２を再生温度（加熱温度）になるように加熱するための加熱器（パネル加熱器）３４６により構成される。

このようなクライオパネル３４２は例えば矩形の板状に構成される。このように，本実施形態ではクライオパネル３４２を共通搬送室３００の内部に配置することで，共通搬送室３００の外部にクライオポンプ（クライオパネル）を設けていた従来に比して，不純物（不所望の水分子や共通搬送室３００に入り込んだ処理ガスの残留ガスなどの気体分子）を効率よく除去することができる。すなわち，共通搬送室３００の大きさに応じてクライオパネル３４２の形状や大きさを比較的自由に設定することができるため，搬送室３００の内部から不純物ガスを効率よく除去して，搬送室３００の内部を極めて高い真空状態にすることができる。

また，上記冷却器３４４は，例えばクライオパネル３４２に設けた流路に所定の冷媒を循環供給可能な冷却器（冷凍装置）で構成する。クライオパネル３４２の冷却に用いる冷媒は，クライオパネル３４２の凝縮温度（冷却温度）に応じて選択される。具体的には例えば液体窒素（沸点約−１９７℃）や液体Ｈｅ（沸点約−２７９℃）が冷媒として用いられる。

なお，冷却器３４４は，上述したものに限られるものではなく，例えばクライオパネル３４２に設けた伝熱棒を介して冷却する冷却器（冷凍装置）で構成してもよい。加熱器３４６は，例えばクライオパネル３４２に設けた伝熱棒を介して加熱するヒータなどで構成する。なお，加熱器３４６の構成もこれに限られるものではなく，例えばクライオパネル３４２に設けた流路に所定の加熱媒体を循環供給可能な構成にしてもよい。

このように共通搬送室３００に排気系３２０と気体溜め込み式真空排気系３４０を備えることによって，処理室２００Ａ〜２００Ｄに比べて容積が大きい共通搬送室３００でもその内部を極めて高い真空度（例えば，１×１０^−８〜１×１０^−７Ｔｏｒｒ）に調整することができる。

上記圧力センサ２６０Ａ，２６０Ｄ，３６０はそれぞれ，例えば隔膜真空計（キャパシタンスマノメータなど）によって構成される。これら圧力センサ２６０Ａ，２６０Ｄ，３６０からの出力は，基板処理装置１００の制御部４００へ送られる。また，マスフローコントローラ２１４Ａ，２１４Ｄ，３１４，ガス導入バルブ２１６Ａ，２１６Ｄ，３１６，真空ポンプ２２２Ａ，２２２Ｄ，３２２，圧力調整バルブ２２４Ａ，３２４，ＡＰＣバルブ２２４Ｄ，冷却器３４４，加熱器３４６はそれぞれ，制御部４００の制御信号によって制御される。制御部４００は，圧力センサ２６０Ａ，２６０Ｄ，３６０からの出力に基づいて各室のガスの給排気および各室の圧力制御を行う。

（ウエハ処理の具体例）
次に，このように構成された基板処理装置１００においてウエハＷに対して行われる処理の具体例について説明する。ここでは処理室２００Ｃ，２００Ｄは，ウエハＷに形成されているコンタクトホール内にＴｉ膜およびＴｉＮ膜をＣＶＤ処理によって成膜するＣＶＤ処理室であり，処理室２００Ａ，２００Ｂは，そのＴｉＮ膜上にＣｕ膜（シード膜）をＰＶＤ処理によって成膜するＰＶＤ処理室である場合を例に挙げて説明する。なお，ＰＶＤ処理室に導入される処理ガスは，一般的にはプラズマの形成に必要なＡｒガスなどの不活性ガスであるため，ＰＶＤ処理室外にその処理ガスが流出したとしても他室が汚染される虞はない。これに対して，ＣＶＤ処理室に導入される各種処理ガスは，ＣＶＤ処理室外に流出してしまうと他室を汚染する可能性の高いものであり，その一例としてはＴｉＣｌ_Ｘガスがある。

上記のように，搬送ユニット側搬送機構１３２によってカセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃのいずれかから取り出された未処理のウエハＷは，オリエンタ１２６で位置決めされた後，第１，第２ロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎのいずれかを経由して共通搬送室３００内に搬入される。

共通搬送室３００内に搬入されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構３０２によってまずＴｉ膜およびＴｉＮ膜をＣＶＤ処理によって成膜するために処理室２００Ｃ，２００Ｄのいずれか一方，例えば処理室２００Ｄ内に搬入される。このとき，処理室２００Ｄ内に既にＴｉ膜およびＴｉＮ膜の成膜処理が施されたウエハＷがあれば，未処理のウエハＷはその処理済みのウエハＷと入れ替えられる。そして，処理室２００Ｄ内にてウエハＷに対するＣＶＤ処理，ここではその一例としてＴｉ膜およびＴｉＮ膜の成膜処理が施される。

次に，処理室２００ＤにてＴｉ膜およびＴｉＮ膜の成膜処理が施されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構３０２によって処理室２００Ｄから搬出され，処理室２００Ａ，２００Ｂのいずれか一方，例えば処理室２００Ａ内へ搬入される。このとき，処理室２００Ａ内に既にＣｕ膜の成膜処理が施されたウエハＷがあれば，処理室２００Ｄから搬送されてきたウエハＷはその処理済みのウエハＷと入れ替えられる。そして，処理室２００Ａ内にてウエハＷに対してＰＶＤ処理，ここではＣｕ膜の成膜処理が施される。

このようにＴｉ膜，ＴｉＮ膜，Ｃｕ膜の連続処理が完了したウエハＷは，上記のように，処理ユニット側搬送機構３０２によって処理室２００Ａから第１，第２ロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎのいずれか一方に搬送され，更に搬送ユニット側搬送機構１３２によって元のカセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃに戻される。

こうして，基板処理装置１００では一連の成膜処理が連続して繰り返し行われる。その際，ウエハＷに対するＰＶＤ処理は，処理室２００Ａ，２００Ｂのうち空いている方の処理室にて行われ，ウエハＷに対するＣＶＤ処理は，処理室２００Ｃ，２００Ｄのうち空いている方の処理室にて行われる。また，共通搬送室３００と処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間でウエハＷを搬出入するとき，および，共通搬送室３００と第１，第２ロードロック室２００Ｍまたは２００Ｎとの間でウエハＷを搬出入するときには，ゲートバルブ２０２Ａ〜２０２Ｄ，２０２Ｍ，２０２Ｎのうち２つ以上が同時に開状態にならないように制御される。すなわち，いずれか１つのゲートバルブが開状態の時には他のゲートバルブは必ず閉状態になっている。

ここで，共通搬送室３００と各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間でウエハＷを搬出入する際の各室でのガスの給排気制御および各室の圧力制御について説明する。プロセス処理中の室内調整圧力（以下，「プロセス圧力」という）について，ＰＶＤ処理室である処理室２００Ａ，２００Ｂと，ＣＶＤ処理室である処理室２００Ｃ，２００Ｄとを比較すると両者は下記のように相違する。例えば処理室２００Ａ，２００ＢにてＣｕ膜をＰＶＤ処理によって成膜する時のプロセス圧力は０．５ｍＴｏｒｒ程度であり，処理室２００Ｃ，２００ＤにてＴｉ膜およびＴｉＮ膜をＣＶＤ処理によって成膜する時のプロセス圧力は５Ｔｏｒｒ程度である。

また上記のように，ＰＶＤ処理室には，室外に流出しても他室が汚染される虞のないＡｒガスなどの不活性ガスが導入されるのに対して，ＣＶＤ処理室には，室外に流出してしまうと他室が汚染されてしまう可能性の高いガス（例えばＴｉＣｌ_Ｘガス）が処理ガスとして導入される。

このため本実施形態においては，ゲートバルブ２０２Ｃ，２００Ｄを開いて共通搬送室３００と処理室２００Ｃ，２００Ｄ（ＣＶＤ処理室）との間でウエハＷの受け渡しを行う場合，常に共通搬送室３００の雰囲気がＣＶＤ処理室側に流れるように，共通搬送室３００とＣＶＤ処理室の両方または一方の圧力を調整する。

具体的には，上述した基板処理装置１００の一連の動作中，ゲートバルブ２０２Ａ〜２０２Ｄ，２０２Ｍ，２０２Ｎがすべて閉じているときには，排気系３２０および気体溜め込み式真空排気系３４０によって共通搬送室３００内を排気して一定の圧力に維持する。

そして，共通搬送室３００とＣＶＤ処理室例えば処理室２００Ｄとの間でウエハＷの受け渡しを行う場合には，ゲートバルブ２０２Ｄを開く直前に，処理室２００Ｄ側ではガス導入系２１０Ｄから室内への処理ガスの導入を停止して，ＡＰＣバルブ２２４Ｄを全開にする。したがって，処理室２００Ｄ内は排気系２２０Ｄによって到達圧力（例えば５０〜１００ｍＴｏｒｒ）まで排気される。

一方，共通搬送室３００側では，ガス導入系３１０からＡｒガス，Ｎｅガスなどの不活性ガスを室内に導入しつつ排気系３２０の圧力調整バルブ３２４の開度を調整して排気量を減らして排気速度を下げる。これによって共通搬送室３００内の圧力が上昇して，処理室２００Ｄの到達圧力より高い圧力（例えば圧力差５０ｍＴｏｒｒ）になったところでゲートバルブ２０２Ｄを開いてウエハＷの受け渡しを行う。

このように共通搬送室３００と処理室２００Ｃ，２００Ｄとの圧力調整を行うことによって，共通搬送室３００から処理室２００Ｃ，２００Ｄへ不活性ガスが流れるようになり，処理室２００Ｃ，２００Ｄから共通搬送室３００への処理ガスおよびパーティクルの流入を抑えることができる。

ただし，処理ガスやパーティクルが共通搬送室３００に流入することを完全には防止できない。例えば処理室２００Ｃ，２００ＤにてＣＶＤ処理が終了したウエハＷの上には僅かではあるが処理ガスが付着して残留しているため，ウエハＷを共通搬送室３００に搬送する際に，ウエハＷとともに処理ガスが共通搬送室３００に入り込んでしまう虞がある。

上記のように共通搬送室３００の排気系３２０の排気量を減らして排気速度を下げると，処理室２００Ｃ，２００Ｄから共通搬送室３００に流入した処理ガスがそのまま残留する可能性が高まる。しかも，共通搬送室３００の内部のＨ_２ＯやＯ_２などの大気中分子については，元来，排気系３２０によって排気することは容易ではなく，その排気量を減らすと更に多くの大気中分子が共通搬送室３００内に残留することになる。このように処理ガスやＨ_２Ｏ，Ｏ_２などの不純物ガスを共通搬送室３００内から取り除くことができなければ，搬送中の他のウエハＷの表面が酸化したり，処理ユニット側搬送機構３０２の搬送アームが腐食したりするなどの不具合が発生する虞がある。

そこで本実施形態においては，共通搬送室３００に対してガス供給系３１０からＡｒガスなどの不活性ガスを導入しつつ，排気系３２０によって共通搬送室３００内を排気するとともに，共通搬送室３００内に配設された気体溜め込み式真空排気系３４０のクライオパネル３４２を冷却器３４４によって冷却して，室内の気体（例えばＨ_２Ｏ，処理ガスの残留ガスなどの不純物ガス）を選択的に凝縮捕捉する。このときクライオパネル３４２の温度を，上記不活性ガスを捕捉せずに処理ガスの残留ガスやＨ_２Ｏ，Ｏ_２などの不純物ガスを捕捉する凝縮温度（冷却温度）に調整する。

これによってＣＶＤ処理室から共通搬送室３００への処理ガスやパーティクルの流入を抑えることができるとともに，もし処理ガスやパーティクルの流入があってもこれらをクライオパネル３４２によって捕捉することができる。またＨ_２ＯやＯ_２などの大気中分子についてもクライオパネル３４２によって捕捉することができる。したがって，共通搬送室３００をより清浄な状態に保つことができる。

ところで，もし共通搬送室３００内にクライオパネル３４２を配設しない場合には，例えば共通搬送室３００内の圧力をＣＶＤ処理室内の圧力よりも高くするために，共通搬送室３００の排気量を減らして排気速度を下げると，共通搬送室３００内に残留するＨ_２ＯやＯ_２などの不純物ガスの濃度が相対的に高くなってしまう虞がある。この場合，共通搬送室３００の外部に排気管を介して一般的なクライオポンプを設けても，排気管から排出される排気量が少ないため，共通搬送室３００内に残留するＨ_２ＯやＯ_２を十分に除去することができない。この点，本実施形態によれば，共通搬送室３００内にクライオパネル３４２を直接配置するので，たとえ排気量を少なくして排気速度を下げても，Ｈ_２ＯやＯ_２などをクライオパネル３４２によって直接捕捉できる。これにより，Ｈ_２ＯやＯ_２などの不純物ガスの濃度を高めることなく，共通搬送室３００内の圧力をＣＶＤ処理室内の圧力よりも高くすることができる。

また，共通搬送室３００とＰＶＤ処理室例えば処理室２００Ａとの間でウエハＷの受け渡しを行う場合には，ゲートバルブ２０２Ａを開く直前に，処理室２００Ａ側ではガス導入系２１０Ａから室内への処理ガスの導入を停止する。したがって，処理室２００Ａ内は排気系２２０Ａによって到達圧力（例えば，１×１０^−９〜１×１０^−７Ｔｏｒｒ）まで排気される。

一方，共通搬送室３００側でも，ガス導入系３１０から室内へのＡｒガスなどの不活性ガスの導入を停止する。これによって共通搬送室３００内は排気系３２０によって排気され，更に室内の不純物が気体溜め込み式真空排気系３４０のクライオパネル３４２に捕捉され，到達圧力（例えば，１×１０^−８〜１×１０^−７Ｔｏｒｒ）に調整される。このようにして共通搬送室３００と処理室２００Ａがともに到達圧力に達したところでゲートバルブ２０２Ａを開いてウエハＷの受け渡しを行う。

このとき，共通搬送室３００と処理室２００Ａの到達圧力は等しくはないが，その差は極めて僅かであるため両室の間で雰囲気の移動はほとんど生じない。また，上記のように本実施形態にかかる共通搬送室３００の内部にはクライオパネル３４２が配設されているため，共通搬送室３００内の不純物はこのクライオパネル３４２に効率よく捕捉される。したがって，共通搬送室３００内は極めて清浄度が高い状態にあり，ゲートバルブ２０２Ａを開いて共通搬送室３００と処理室２００Ａを連通させたときに，処理室Ｄよりも高い清浄度が要求される処理室２００Ａが共通搬送室３００の雰囲気によって汚染されることはない。

以上のように，共通搬送室３００と各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間でウエハＷを搬出入する際に各室の圧力を制御することによって，室間のクロスコンタミネーションを防止することができる。すなわち，共通搬送室３００とＣＶＤ処理室との間でウエハの搬出入を行う際は，共通搬送室３００の内部の圧力をＣＶＤ処理室の内部の圧力よりも高く調整するため，ＣＶＤ処理室内に残留する不純物が共通搬送室３００内に流れ込むことを防止できる。さらに，共通搬送室３００の内部の気体のうち不活性ガスを補足することなく不純物ガス（例えばＨ_２Ｏや処理ガスの残留ガスなど）をクライオパネル３４２に選択的に凝縮捕捉する。このため，共通搬送室３００とＣＶＤ処理室との間でウエハの搬出入を行っても，共通搬送室３００内は常に清浄な状態に保たれる。

これにより，共通搬送室３００とＣＶＤ処理室よりも高い清浄度が要求されるＰＶＤ処理室との間でウエハの搬出入を行っても，ＣＶＤ処理室内に残留する不純物が共通搬送室３００内を介してＰＶＤ処理室内に流れ込むことを防止できる。この結果，ＣＶＤ処理室，ＰＶＤ処理室にてウエハＷに対して良好な膜質のＴｉ膜，ＴｉＮ膜，Ｃｕ膜などを成膜することができ，かつウエハＷを清浄な状態のままカセット容器１２２Ａ〜１２２Ｃに戻すことができる。

（気体溜め込み式真空排気系の再生処理の具体例）
ところで，上記のように基板処理装置１００がウエハＷに対する所定の処理を連続して実行していくうちに，クライオパネル３４２の表面に凝縮捕捉されている不純物の量が増加していき，これに応じて次第に不純物ガスを捕捉する能力が低下していく。このためクライオパネル３４２が捕捉して溜め込んだ不純物の量が一定以上になったときにクライオパネル３４２からその不純物ガスを取り除く気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理（クライオパネルの再生処理）が必要となる。

特に，異種の処理が行われる複数の処理室２００Ａ〜２００Ｄが接続される共通搬送室３００には室間のクロスコンタミネーションを防止するために高い清浄度が求められている。また，複数の処理室２００Ａ〜２００Ｄが共通接続される共通搬送室３００の内部空間は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄに比べて格段に広い。このような共通搬送室３００の内部に配設されたクライオパネル３４２はより多くの不純物を凝縮捕捉することになり，その分クライオパネル３４２の再生を行う頻度が高まる。したがって，クライオパネル３４２の再生に長時間を要してしまうと，基板処理装置のスループットが大きく低下することになる。

このようなクライオパネル３４２の再生は，クライオパネル３４２を加熱器３４６で加熱することで不純物（処理ガスやＨ_２Ｏなど）を気化させて放出することにより行われる。ところが，本実施形態にかかるクライオパネル３４２は，処理室の外部に備えられて単体で動作する一般的なクライオポンプとは異なり，共通搬送室３００内に露出するように配設される。このため，例えば図３に示すように，共通搬送室３００の内部に不活性ガスの流れを形成しないで高真空状態（分子流領域）に保ったままクライオパネル３４２を加熱して不純物（図３では黒丸で示す）を気化させて放出させると，放出した不純物が共通搬送室３００の内壁（例えば側壁，天井壁，底壁の内側表面）で再び凝縮固化して付着する虞がある。

共通搬送室３００の内壁に付着した不純物がＨ_２Ｏ，Ｏ_２などの大気中成分であれば，クライオパネル３４２を加熱した後に共通搬送室３００自体を加熱することによってこれを除去することもできるが，一旦付着したＨ_２Ｏなどを除去するには長時間を要するという問題がある。また，共通搬送室３００の内壁に処理ガスの成分が付着した場合には，共通搬送室３００を加熱するだけでは除去しきれずに残留してしまうという問題がある。この場合は，共通搬送室３００の内壁を別途洗浄処理しなければならない。

そこで本実施形態にかかる気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理では，例えば図４に示すように共通搬送室３００内に不活性ガス（図４では白丸で示す）を導入しながら排気することで，共通搬送室３００内の圧力を高めつつ不活性ガスの流れ（粘性流。図４では白抜き矢印で示す）を形成する。この状態でクライオパネル３４２を加熱してクライオパネル３４２から不純物を放出させる。そして，放出された不純物は，不活性ガスの粘性流に乗って共通搬送室３００の外部に排出されることになる。したがって，放出された不純物が共通搬送室３００の内壁に付着することが防止される。

このような本実施形態にかかる気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理の具体例について図面を参照しながら説明する。図５は，気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理の具体例を示すフローチャートである。なお，この再生処理は，所定のプログラムに基づいて制御部４００が基板処理装置１００の各部を制御することによって行われる。

まずステップＳ１１０にて共通搬送室３００内に不活性ガスを導入しながら排気を行う。具体的には図２に示すガス導入系３１０によって共通搬送室３００内に不活性ガス（例えばＡｒガス）を所定流量導入しながら，共通搬送室３００内を排気系３２０によって排気する。これにより，共通搬送室３００内の圧力が上昇するとともに，室内に上方から下方に向かう不活性ガスの粘性流が生じる。

このとき共通搬送室３００内に不活性ガスを導入して室内の圧力を上昇させるため，排気系３２０の真空ポンプ３２２が主ポンプと補助ポンプで構成されている場合，低真空領域での運転に適した補助ポンプ例えばドライポンプのみを用いて共通搬送室３００内を排気するようにしてもよい。

また，気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理中に共通搬送室３００内を排気するための低真空対応の排気系を別途備えるようにしてもよい。このように構成する場合には，再生処理中には，排気系３２０を停止させてその再生処理用の排気系を作動させるようにする。

ガス導入系３１０から共通搬送室３００内に導入する不活性ガスの流量については，クライオパネル３４２から放出された不純物をすべて押し流すことができる粘性流を共通搬送室３００内に形成するためにもできるだけ多い方が好ましい。ただし，その流量は排気系３２０の排気能力に応じて設定される。本実施形態においては，ガス導入系３１０から共通搬送室３００内に例えば３ｓｌｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｌｉｔｅｒ／ｍｉｎ）程度の流量の不活性ガスを導入する。

次いでステップＳ１２０にて共通搬送室３００内の圧力が所定の圧力にまで上昇したか否かを圧力センサ３６０からの検出圧力に基づいて判断する。所定の圧力にまで上昇していないと判断した場合にはステップＳ１１０の処理に戻り，所定の圧力にまで上昇したと判断した場合にはステップＳ１３０にて共通搬送室３００内を所定の圧力に維持する。具体的には，例えばガス導入バルブ３１６の開度を制御して不活性ガスの導入量を調整するとともに，圧力調整バルブ３２４の開度を制御して排気量を調整して所定の圧力を維持する。

ところで，ステップＳ１２０にて制御部４００が判断する共通搬送室３００内の圧力の値については，クライオパネル３４２から放出される不純物の平均自由行程と共通搬送室３００の大きさに応じて設定することが好ましい。具体的には，クライオパネル３４２から放出される不純物の平均自由行程がクライオパネル３４２と共通搬送室３００の内壁（共通搬送室３００を構成する容器の内側表面）との間の最短距離よりも短くなるように共通搬送室３００の内部の圧力を調整する。本実施形態においては，共通搬送室３００の内部の圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒの範囲内の所定の圧力，例えば２Ｔｏｒｒに調整するようにして，ステップＳ１２０にて共通搬送室３００内の圧力が２Ｔｏｒｒにまで上昇したか否かを判断する。

このように共通搬送室３００内の圧力を調整すれば，クライオパネル３４２から放出された不純物は，共通搬送室３００の内壁に達する前に高い確率で上記粘性流を構成する気体分子に衝突するため，粘性流とともに共通搬送室３００の外部へ排出されることになる。

なお，共通搬送室３００の内部の圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒの範囲内の所定の圧力に調整すれば，共通搬送室３００の内部の圧力がクライオパネル３４２に捕捉されている不純物の飽和蒸気圧より低い圧力となるため，クライオパネル３４２から活発に不純物を放出させることができる。

共通搬送室３００内の圧力を高い状態に保ったまま，ステップＳ１４０にて加熱器３４６によってクライオパネル３４２を所定時間だけ加熱する。このときのクライオパネル３４２の再生温度（加熱温度）は不純物が気化して放出される温度（例えば４０℃〜１００℃）に設定される。なお，この再生温度については，高ければ高いほどクライオパネル３４２からより多くの不純物を放出することができる。ただし，気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理が完了した後，クライオパネル３４２を再び極低温にまで冷却する必要があるため，その冷却時間を短縮するためにも再生温度を適切に調節することが好ましい。クライオパネル３４２に捕捉されている不純物のうち気化温度が比較的高いＨ_２Ｏについても，共通搬送室３００内の圧力が大気圧よりも格段に低い圧力例えば２Ｔｏｒｒに調整されているため，クライオパネル３４２を４０℃にまで加熱すれば気化して放出される。

ステップＳ１４０にて所定時間の加熱が終了すると，ステップＳ１５０にて共通搬送室３００内への不活性ガスの導入を停止して一連の再生処理を終了する。

このような再生処理によれば，クライオパネル３４２から大量の不純物が放出されたとしても，その放出された不純物のすべてを不活性ガスの粘性流に乗せて共通搬送室３００の外部へ排出することができるため，放出された不純物が共通搬送室３００の内壁に付着することを防止できる。したがって，クライオパネル３４２を再生した後に，共通搬送室３００の内壁からＨ_２Ｏなどを除去するための作業を省略することができ，クライオパネル３４２の再生後のリカバリにかかる時間を大幅に短縮することができる。

なお，気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理は，図５に示すものに限られるものではない。例えば図６に示すように，上記ステップＳ１５０にて共通搬送室３００内への不活性ガスの導入を停止した後に，更にステップＳ１６０にてクライオパネル３４２の再生が完了したか否かを判断した上で再生処理を終了するようにしてもよい。

この場合，クライオパネル３４２の再生が完了したか否かは，例えば次のように判断する。すなわち，共通搬送室３００に例えば図７に示すように内部の不純物の分圧を測定する分圧測定器（Ｒ）３６２を設け，この分圧測定器３６２によってクライオパネル３４２から放出された不純物の分圧を測定し，所定の分圧以下になった時点でクライオパネル３４２の再生が完了したと判断するようにしてもよい。このような分圧測定器３６２としては，例えばマスフィルタ型質量分析計（Ｑ−Ｍａｓｓ：Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ ｍａｓｓ）などの残留ガス分析計（ＲＧＡ：Ｒｅｓｉｄｕａｌ Ｇａｓ Ａｎａｌｙｚｅｒｓ）を用いることができる。

この他に，ガス導入系３１０から共通搬送室３００内への不活性ガスの導入を停止するとともに，排気系３２０による排気も一定時間停止して，共通搬送室３００内の圧力上昇率（リークアップレート）を測定し，リークアップレートが所定の値以下になっている場合にクライオパネル３４２の再生が完了したと判断するようにしてもよい。もし，Ｈ_２Ｏなどの不純物が共通搬送室３００内から除去しきれていなければ，リークアップレートが大きくなるため，リークアップレートの測定結果からクライオパネル３４２の再生完了を的確に判断することができる。

そして，ステップＳ１６０にてクライオパネル３４２の再生が完了していないと判断した場合には，ステップＳ１１０の処理に戻り，ステップＳ１６０にてクライオパネル３４２の再生が完了したと判断されるまでステップＳ１１０〜ステップＳ１６０の処理を繰り返し行うようにしてもよい。

また，共通搬送室３００の構成は，上述したものに限られるものではない。例えば共通搬送室３００の内壁を構成する壁部（例えば側壁，天井壁，底壁）に壁部ヒータを設けるようにしてもよい。壁部ヒータとしては，例えば図８に示すように，共通搬送室３００の側壁の外周を覆うように設けられたヒータ３７０と，天井壁および底壁の外側に設けられたヒータ３７２，３７４により構成する。そして，気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理において，クライオパネル３４２を加熱器３４６で加熱すると同時に共通搬送室３００の側壁，天井壁，および底壁もヒータ３７０，３７２，３７４によって加熱する。この場合の共通搬送室３００の壁部の設定温度（加熱温度）は，クライオパネル３４２の再生温度（加熱温度）と同じ温度またはそれ以上にすることが好ましい。例えばクライオパネル３４２に補足された不純物がＨ_２Ｏである場合には，クライオパネル３４２の再生温度が４０℃の場合でも壁部の設定温度は１００℃にすることが好ましく，またクライオパネル３４２の再生温度は壁部の設定温度と同じに１００℃にしてもよい。

これによれば，もしクライオパネル３４２から放出された不純物が共通搬送室３００の内壁に接触しても，その不純物をそこに固着させることなく上述した不活性ガスの粘性流に乗せて共通搬送室３００の外部へ確実に排出することができる。したがって，クライオパネル３４２を再生した後に，共通搬送室３００の内壁からＨ_２Ｏなどの不純物を除去するための洗浄処理を行う必要がなくなり，クライオパネル３４２の再生後に搬送室３００を所定の真空度にするなど基板処理装置１００を復帰（リカバリ）させるのにかかる時間を更に短縮できる。

また，共通搬送室３００は，例えば図９のようにガス導入系を共通搬送室３００の内部に導入する不活性ガスのガス種を切り替え可能に構成してもよい。図９に示す共通搬送室３００は，複数種類（ここでは２種類）の不活性ガスを導入可能なガス導入系３８０を接続する場合の具体例である。

ガス導入系３８０は，例えば第１ガス供給源３８２をマスフローコントローラ３８４とガス導入バルブ３８６を介して共通搬送室３００に接続し，これと並列に第２ガス供給源３９２をマスフローコントローラ３９４とガス導入バルブ３９６を介して共通搬送室３００に接続して構成される。

そして第１ガス供給源３８２と第２ガス供給源３９２はそれぞれ，共通搬送室３００の内部へ凝固点の異なる種類のガスを導入するように構成されている。第１ガス供給源３８２からは，例えばメインの不活性ガスとしてＡｒガス（凝固点約−１８９℃）が導入されるようになっている。これに対して，第２ガス供給源３９２からは，サブの不活性ガスとしてＡｒガスよりも凝固点が低いＮｅガス（凝固点約−２４９℃）が導入されるようになっている。

また，図９に示すクライオパネル３４２には，その温度を測定するために例えば熱電対などの温度センサ（ＴＳ）３６４を設け，クライオパネル３４２の温度に応じた不活性ガスの供給制御を行うことができるようになっている。

このような図９に示す共通搬送室３００において，気体溜め込み式真空排気系３４０の再生処理は，上述した図５又は図６に示すフローチャートに基づいて行われる。この場合，ステップＳ１１０においては，クライオパネル３４２の温度を温度センサ３６４によって検出して監視し，検出された温度に応じて，その温度では捕捉されない不活性ガスを選択して導入してもよく，またその温度では捕捉されない不活性ガスを再生処理の途中で切り替えるようにしてもよい。

例えばクライオパネル３４２の再生直前の温度がＡｒガスの凝固点（約−１８９℃）よりも高い温度の場合には，直ちにメインの不活性ガスであるＡｒガスを共通搬送室３００に導入してクライオパネル３４２の再生処理を開始することができる。

これに対して，クライオパネル３４２の再生直前の温度がＡｒガスの凝固点（約−１８９℃）よりも低い温度の場合には，直ちにＡｒガスを共通搬送室３００に導入すると，Ａｒガスが凝固点よりも高くなるまではＡｒガスがクライオパネル３４２に補足されるので，共通搬送室３００の圧力が上昇するのに多少時間がかかる。この場合，クライオパネル３４２の温度がＡｒガスの凝固点よりも高くなるまで待ってから共通搬送室３００内にＡｒガスを導入するようにしてもよいが，その分多少の待ち時間が発生する。

そこで，図９に示す共通搬送室３００では，クライオパネル３４２の再生直前の温度がＡｒガスの凝固点（約−１８９℃）よりも低い温度の場合には，その温度では補足されないサブの不活性ガスであるＮｅガスを直ちに導入し，クライオパネル３４２の温度がＡｒガスが凝固点よりも高くなった時点で，Ｎｅガスを止めてＡｒガスの導入に切り替える。

これによれば，クライオパネル３４２の再生直後にＮｅガスを導入しても，クライオパネル３４２に捕捉されないため，共通搬送室３００の圧力をクライオパネル３４２の再生直後から上昇させることができるとともに，余計な待ち時間も発生しないので，その分クライオパネル３４２の再生処理にかかる時間を短縮することができる。

ここで，共通搬送室３００内に導入する不活性ガスの種類とクライオパネル３４２の温度との関係を図１０に示す。図１０によれば，例えばクライオパネル３４２の温度が−２１０℃である場合には，そのままＮｅガスを共通搬送室３００に導入し，クライオパネル３４２の温度が−１８９℃を超えると，Ａｒガスの導入に切り替える。なお，この場合，クライオパネル３４２の温度が−１８９℃を超えても，Ａｒガスに切り替えることなく，Ｎｅガスをそのまま導入し続けてもよいが，Ａｒガスの方がＮｅガスに比べて安価であるため，途中でＡｒガスに切り替えることでランニングコストを低下させることができる点でも有利である。

このように共通搬送室３００内に粘性流を形成するために，複数の不活性ガスを切り替えて共通搬送室３００内に導入することによって，クライオパネルの再生処理を行う直前に，そのクライオパネルの温度がこれから導入しようとするメインの不活性ガスがクライオパネルに捕捉されてしまうほど低温になっている場合であっても，早い段階から別の不活性ガスを導入して再生処理を開始することができる。例えば先ずその低い温度では捕捉されない別の不活性ガスを導入し，その後クライオパネルの温度が上昇してメインの不活性ガスが捕捉されない温度になったら，そのメインの不活性ガスに切り替えて導入することができる。このように，不活性ガスのガス種によって，クライオパネルに捕捉されない温度が異なるので，これを利用して再生処理を開始するタイミングを早めることができ，ランニングコストの低下を図ることもできる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば，本発明にかかる気体溜め込み式真空排気系は，クラスタツール型の基板処理装置の搬送室だけでなくあらゆるタイプの基板処理装置の搬送室に適用することが可能である。また，搬送室に接続される処理室は，上記のＰＶＤ処理室およびＣＶＤ処理室に限定されず，例えば熱処理室や異物除去処理室であってもよい。また，搬送される基板はウエハに限定されず，ＬＣＤ基板，ガラス基板等についても本発明を適用することができる。

本発明は，搬送室に備えられた気体溜め込み式排気系の再生方法およびこれを用いた基板処理装置の制御方法に適用可能である。

本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。 同実施形態における処理室および共通搬送室の配管構成の概略を説明するためのブロック図である。 図２に示す共通搬送室内に不活性ガスを形成しない場合にクライオパネルから放出された不純物の挙動を説明するための模式図である。 図２に示す共通搬送室内に不活性ガスを形成した場合にクライオパネルから放出された不純物の挙動を説明するための模式図である。 同実施形態における気体溜め込み式真空排気系の再生処理の具体例を示すフローチャートである。 同実施形態における気体溜め込み式真空排気系の再生処理の他の具体例を示すフローチャートである。 同実施形態における共通搬送室の変形例を示すブロック図であって，分圧測定器を設けた場合の具体例である。 同実施形態における共通搬送室の変形例を示すブロック図であって，壁部ヒータを設けた場合の具体例である。 同実施形態における共通搬送室の変形例を示すブロック図であって，２種類の不活性ガスの導入が可能にした場合の具体例である。 図９に示す共通搬送室内に導入する不活性ガスの種類とクライオパネルの温度との関係を説明するためのグラフである。

符号の説明

１００ 基板処理装置
１１０ 処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１２２（１２２Ａ〜１２２Ｃ） カセット容器
１２４（１２４Ａ〜１２４Ｃ） カセット台
１２６ オリエンタ
１３０ 搬送室
１３２ 搬送ユニット側搬送機構
２００（２００Ａ〜２００Ｄ） 処理室
２００Ｍ 第１ロードロック室
２００Ｎ 第２ロードロック室
２０２（２０２Ａ〜２０２Ｄ） ゲートバルブ
２０２Ｍ，２０２Ｎ 真空側ゲートバルブ
２０４Ｍ，２０４Ｎ 大気側ゲートバルブ
２１０Ａ，２１０Ｄ ガス導入系
２１２Ａ，２１２Ｄ ガス供給源
２１４Ａ，２１４Ｄ マスフローコントローラ
２１６Ａ，２１６Ｄ ガス導入バルブ
２２０Ａ，２２０Ｄ 排気系
２２２Ａ，２２２Ｄ 真空ポンプ
２２４Ａ 圧力調整バルブ
２２４Ｄ ＡＰＣバルブ
２６０Ａ，２６０Ｄ 圧力センサ
３００ 共通搬送室
３０２ 処理ユニット側搬送機構
３１０ ガス導入系
３１２ ガス供給源
３１４ マスフローコントローラ
３１６ ガス導入バルブ
３２０ 排気系
３２２ 真空ポンプ
３２４ 圧力調整バルブ
３４０ 気体溜め込み式真空排気系
３４２ クライオパネル
３４４ 冷却器（パネル冷却器）
３４６ 加熱器（パネル加熱器）
３６０ 圧力センサ
３６２ 分圧測定器
３６４ 温度センサ
３７０，３７２，３７４ ヒータ
３８０ ガス導入系
３８２ 第１ガス供給源
３８４ マスフローコントローラ
３８６ ガス導入バルブ
３９２ 第２ガス供給源
３９４ マスフローコントローラ
３９６ ガス導入バルブ
４００ 制御部
Ｗ ウエハ

Claims (14)

1. 基板に所定の処理を施す処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室に設けられた気体溜め込み式真空排気系の再生方法であって，
   前記搬送室は，その内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，内部の気体を前記搬送室の外部に排出する排気系と，を備え，
   前記気体溜め込み式真空排気系は，前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，このクライオパネルを加熱するパネル加熱器と，を備え，
   前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に前記不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成して，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを所定の再生温度以上に加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
2. 前記気体溜め込み式真空排気系の再生を行っている間，前記クライオパネルから放出された不純物の平均自由行程が前記クライオパネルと前記搬送室の内壁との距離よりも短くなるように，前記搬送室の内部の圧力を調整することを特徴とする請求項１に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
3. 前記搬送室の内部の圧力は，０．１〜１０Ｔｏｒｒの範囲内の所定の圧力に調整することを特徴とする請求項２に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
4. 前記搬送室は，その内壁を構成する壁部を加熱する壁部ヒータを設け，
   前記気体溜め込み式真空排気系の再生を行っている間，前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱するとともに，前記壁部ヒータによって前記壁部を加熱することを特徴とする請求項１に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
5. 前記ガス導入系は，凝固点の異なるガス種の不活性ガスを切り替え可能に構成し，前記クライオパネルには，その温度を検出する温度センサを設け，
   前記クライオパネルの温度が上昇している間に前記温度センサで検出される温度に応じて，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に導入する前記不活性ガスのガス種を切り替えることを特徴とする請求項１に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
6. 前記クライオパネルを加熱した際の温度が所定温度に達するまでの間は，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスとしてＮeガスを導入し，前記クライオパネルの温度が前記所定温度を超えたら，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスとしてＡｒガスを導入することを特徴とする請求項５に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
7. 前記搬送室にその内部の不純物の分圧を測定する分圧測定器を設け，
   前記分圧測定器によって前記クライオパネルから気化放出された不純物の分圧を測定して監視し，その分圧が所定の値以下にまで低下した時点で再生が完了したと判断することを特徴とする請求項１に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
8. 前記クライオパネルを加熱し始めてから所定時間経過後に，前記搬送室の内部への前記不活性ガスの導入を停止するとともに前記排気系による前記搬送室の内部の排気を一定時間停止して，前記搬送室の内部の圧力を測定して，その一定時間内で圧力が所定の値以下であれば再生が完了したと判断することを特徴とする請求項１に記載の気体溜め込み式真空排気系の再生方法。
9. 基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通接続されて各処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室と，を備えた基板処理装置の制御方法であって，
   前記搬送室は，
   前記搬送室の内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，
   前記搬送室の内部の気体を外部に排出する排気系と，
   前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，
   前記クライオパネルを加熱するパネル加熱器と，を備え，
   前記搬送室と前記各処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記ガス導入系によって前記搬送室に前記不活性ガスを導入するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の気体のうち前記不活性ガスを補足することなく不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を前記各処理室の内部の圧力よりも高く調整し，
   前記クライオパネルの再生処理を行う際には，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に前記不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成して，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
10. 前記複数の処理室は，前記基板に対して化学気相成長法による処理を行う処理室であることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置の制御方法。
11. 基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通接続されて各処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室と，を備えた基板処理装置の制御方法であって，
    前記搬送室は，
    前記搬送室の内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，
    前記搬送室の内部の気体を外部に排出する排気系と，
    前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，
    前記クライオパネルを加熱するパネル加熱器と，を備え，
    前記搬送室と前記各処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記不活性ガスを導入することなく前記排気系によって前記搬送室の内部の気体をこの搬送室の外部に排出するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を到達圧力に調整し，
    前記クライオパネルの再生処理を行う際には，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成し，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
12. 前記複数の処理室は，前記基板に対して物理気相成長法による処理を行う処理室であることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置の制御方法。
13. 基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通接続されて各処理室に対して前記基板の搬出入を行う搬送室と，を備えた基板処理装置の制御方法であって，
    前記搬送室は，
    前記搬送室の内部に不活性ガスを導入するガス導入系と，
    前記搬送室の内部の気体を外部に排出する排気系と，
    前記搬送室の内部に配設されるとともにパネル冷却器に接続され，前記搬送室の内部の気体を凝縮温度に応じて選択的に凝縮捕捉するクライオパネルと，
    前記クライオパネルを加熱するパネル加熱器と，を備え，
    前記複数の処理室は，
    低真空度で処理が行われる第１処理室と，
    高真空度で処理が行われる第２処理室と，を有し，
    前記搬送室と前記第１処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記ガス導入系によって前記搬送室に前記不活性ガスを導入するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の気体のうち前記不活性ガスを補足することなく不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を前記第１処理室の内部の圧力よりも高く調整し，
    前記搬送室と前記第２処理室との間で前記基板の搬出入を行う際にはその直前に，前記不活性ガスを導入することなく前記排気系によって前記搬送室の内部の気体をこの搬送室の外部に排出するとともに，前記パネル冷却器によって前記クライオパネルを所定の凝縮温度に冷却して前記搬送室の内部の不純物ガスを選択的に凝縮捕捉して，前記搬送室の内部の圧力を少なくとも前記第２処理室の内部の圧力に近い圧力又はそれよりも低い圧力に調整し，
    前記クライオパネルの再生処理を行う際には，前記ガス導入系によって前記搬送室の内部に不活性ガスを導入しながら前記排気系によって前記搬送室の内部を排気して前記搬送室の内部に前記不活性ガスの流れを形成し，その状態のまま前記パネル加熱器によって前記クライオパネルを加熱してこのクライオパネルに捕捉されている不純物を気化放出させて，前記不活性ガスの流れに乗せて前記搬送室の外部に排出することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
14. 前記第１処理室は，前記基板に対して化学気相成長法による処理を行う処理室であり，
    前記第２処理室は，前記基板に対して物理気相成長法による処理を行う処理室であることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置の制御方法。
    

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