JP2009194870A - Overcurrent limiting circuit of power amplifier circuit using static induction transistor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、静電誘導トランジスタ(SITを略称)を用いた増幅器、特にオーディオ用パワーアンプ回路の出力段トランジスタを特に電源立ち上げ時に流れる過大電流を制限し回路を破壊から保護し、正常立ち上げを可能にする過大電流制限回路に関するものである。 In the present invention, an amplifier using an electrostatic induction transistor (abbreviated as SIT), particularly an output stage transistor of an audio power amplifier circuit, particularly protects the circuit from destruction by limiting an excessive current that flows when the power is turned on, and normally starts up. The present invention relates to an overcurrent limiting circuit that enables the above.
従来、スピーカを代表する低インピーダンス負荷を駆動するオーディオ用パワーアンプの出力段は、二つのトランジスタの直列接続で構成されていて、オーディオ信号の正の部分と負の部分を各々受け持っようになっている。オーディオ信号が無い場合に出力段トランジスタを流れる電流が零であれば、消費電流的にはベターであるが、電流が零に近いところの近傍は入力信号に対する出力電流の直線性が良くないため、通常は、無信号時でも電流を流して使用することになっている。この無信号時の電流は、アイドリング電流と呼ばれているが、これが動作温度や電源電圧の変動により変動するとパワーアンプ出力に不要な歪が生ずることになる。従って、これらに対する変動を抑える対策が必要となる。図6は、アイドリング電流の安定化を図る従来の例を示す図である。特許文献1、特許文献2、特許文献3は、アイドリング電流の温度依存性を抑えるための回路が示されている。3つの先行例に共通する特徴は、温度依存性の制御のために、出力段の回路の二つのトランジスタの間に二つの抵抗を接続し、この両端の電圧を検知し、基準になる参照電圧と比較してアイドリング電流の温度による変動分を抑えるべく帰還をかけていることである。
アイドリング電流の安定化の提案は、通常のバイポーラトランジスタでは以上のように多いのであるが、出力段トランジスタの過大電流を制限する提案は余り見られない。これは、バイポーラトランジスタを始めとする半導体トランジスタが5極管(飽和)特性のため、過大電流が暴走する方向に行く危険性が少ないことに起因している。図5は、トランジスタの静特性を示す図である。5−Aには、NPNバイポーラトランジスタの特性であるが、飽和特性なので、電源電圧の上昇につれてコレクタ・エミッタ間電圧が上がっても電流は飽和して増大しない。 As described above, there are many proposals for stabilizing the idling current in a normal bipolar transistor, but there are not many proposals for limiting the excessive current of the output stage transistor. This is due to the fact that semiconductor transistors including bipolar transistors have a pentode (saturation) characteristic, so there is less risk of excessive current going away. FIG. 5 is a diagram illustrating the static characteristics of a transistor. Although 5-A is a characteristic of the NPN bipolar transistor, since it is a saturation characteristic, even if the collector-emitter voltage increases as the power supply voltage increases, the current is saturated and does not increase.
これに対して、次に使用する静電誘導トランジスタの静特性は、5−Bに示される。ここで提案するパワーアンプ回路の出力段に使用する静電誘導トランジスタは、3極管(非飽和)特性であるため、過大電流が暴走する方向に行く危険性が高いものであり、特に電源の立ち上げ時には、バイアス電圧が定常値になってないために過大な電流が流れる危険性が高く、そのため電源が立ち上がらなかったり、回路を破壊する結果を招きやすい。例えば、特にゲート・ソース間電圧が正側に近いほど、そしてドレイン・ソース間電圧が増加するほど電流は飽和することなく増加し、過大電流が流れて破壊に至るか、電源のインピーダンスによる電圧降下がおこり、電源は立ち上がらなくなってしまう。このような場合に備えて、特に電源の立ち上げ時は、電源が立ち上がり、回路破壊を招かないように、出力段の静電誘導トランジスタを流れる電流を制限することが重要となっている。 On the other hand, the static characteristic of the electrostatic induction transistor used next is shown by 5-B. The electrostatic induction transistor used in the output stage of the power amplifier circuit proposed here is a triode (non-saturated) characteristic, so there is a high risk of excessive current going in the direction of runaway. At the time of start-up, the bias voltage does not reach a steady value, so there is a high risk that an excessive current flows. Therefore, the power supply does not start up, or the circuit is easily destroyed. For example, the current increases without saturation, especially as the gate-source voltage is closer to the positive side and the drain-source voltage increases, causing excessive current to flow or breakdown, or voltage drop due to power supply impedance. Will occur and the power supply will not start. In preparation for such a case, it is important to limit the current flowing through the electrostatic induction transistor in the output stage so that the power supply will not rise and cause circuit destruction especially when the power supply is turned on.
上記のような事情から、解決しようとする課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタに流れる電流を制限した回路を提供することである。 In view of the above circumstances, the problem to be solved is to provide a circuit that limits the current flowing in the final stage transistor of a power amplifier, particularly an audio power amplifier using an electrostatic induction transistor in the final stage. .
上記の課題を解決するための手段として、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路では、2つの出力段静電誘導トランジスタの間に挿入した電流検出素子と、この検出素子で検出した電流の大きさを増幅する増幅器と、増幅器の出力で前記出力段静電誘導トランジスタのゲート・ソース間の電圧を変えるスイッチとを有することで、電流が過大になったことを検知して、制限する作用をするものである。
以下、請求項に沿って説明する。
As means for solving the above-described problem, in the excessive current limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention, a current detection element inserted between two output stage electrostatic induction transistors, By having an amplifier that amplifies the magnitude of the current detected by the detection element and a switch that changes the voltage between the gate and source of the output stage static induction transistor by the output of the amplifier, the current has become excessive. It works to detect and limit.
Hereinafter, it demonstrates along a claim.
請求項1記載の発明は、非飽和特性を持つ静電誘導トランジスタを2つ直列に接続して出力段としたオーディオ用パワーアンプの前記出力段の前記静電誘導トランジスタを流れる電流を制限する過大電流制限回路であって、前記静電誘導トランジスタの電流を検出する電流検出素子と、前記電流検出素子で検出した信号を増幅する増幅器と、前記静電誘導トランジスタのゲート・ソース間の電圧を決めるバイアス抵抗と、前記バイアス抵抗に流れる電流を前記増幅器の出力により制御するスイッチとを有し、前記静電誘導トランジスタを流れる電流が所定の大きさに達したときに前記増幅器の出力により前記スイッチが接続して、前記静電誘導トランジスタのゲート・ソース間の電圧の負バイアス状態が大きくなることで、前記静電誘導トランジスタを流れる電流を制限することを特徴とする。これにより電源の立ち上げ時等に流れる出力段の過大な電流を制限して、電源の正常な立ち上げを可能とし、素子の破壊を防止できる。
The invention according to
請求項2記載の発明は、請求項1記載の静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路において、前記電流検出素子は、前記2つの静電誘導トランジスタの間に接続した抵抗であることを特徴とする。これにより、簡易な手段で電流検出を可能とする。 According to a second aspect of the present invention, in the overcurrent limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the first aspect, the current detection element is a resistor connected between the two electrostatic induction transistors. It is characterized by being. This makes it possible to detect current with simple means.
請求項3記載に発明は、請求項2記載の静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路において、前記抵抗値は、0.2Ω以下の値を持つことを特徴とする。これにより、出力段の歪特性に影響を与えることなく電流検出を可能とする。 According to a third aspect of the present invention, in the overcurrent limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the second aspect, the resistance value has a value of 0.2Ω or less. As a result, current detection is possible without affecting the distortion characteristics of the output stage.
請求項4記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路において、前記バイアス抵抗には、静電誘導トランジスタの前記ゲート・ソース間電圧が順バイアスにならないようにソース側に負極、ゲート側に正極の向きに接続したダイオードを有することを特徴とする。これによりゲート・ソース間電圧の順バイアスにより過大電流が流れる恐れを回避できる。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an overcurrent limiting circuit for a power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to any one of the first to third aspects, wherein the bias resistor includes an electrostatic induction transistor. In order to prevent the gate-source voltage from being forward biased, a diode is connected on the source side in the negative direction and on the gate side in the positive direction. This avoids the possibility of excessive current flowing due to the forward bias of the gate-source voltage.
請求項5記載の発明は、請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路において、前記静電誘導トランジスタの前記ゲートの前にバッファ増幅器を挿入したことを特徴とする。これによりゲート・ソース間電圧の順バイアスの恐れの回避と、ゲートの駆動の交流特性の改善が図れる。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an overcurrent limiting circuit for a power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to any one of the first to fourth aspects, wherein the circuit before the gate of the electrostatic induction transistor It is characterized in that a buffer amplifier is inserted. This avoids the risk of forward bias of the gate-source voltage and improves the AC characteristics of the gate drive.
以上のように構成されているので、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路では、出力段トランジスタを流れる電流を検知していて、電流が過大になると、増幅された出力でスイッチが接続して、静電誘導トランジスタのゲート・ソース電圧が低下する側に電流が流れるので、過大電流が制限され、特に電源の立ち上げ時には、正常に電源が立ち上がり、回路破壊を招く恐れがなくなる。 Since it is configured as described above, the excessive current limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention detects the current flowing through the output stage transistor, and if the current becomes excessive, it is amplified. When the switch is connected with the output, the current flows to the side where the gate-source voltage of the electrostatic induction transistor decreases, so excessive current is limited, especially when the power supply is turned on, the power supply starts up normally and the circuit is destroyed. No fear of inviting.
本発明による本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路では、出力段トランジスタを流れる電流を検知する電流検知素子とこの電流に対応する電圧を増幅する増幅器とその出力で駆動するスイッチとそのスイッチにより、出力段トランジスタのゲート・ソース間にバイアス抵抗に流れる電流を変える事で出力段トランジスタを流れる電流を制限するものである。以下、実施例で説明する。 In the overcurrent limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention, the current detection element for detecting the current flowing through the output stage transistor, the amplifier for amplifying the voltage corresponding to this current, and its output The current flowing through the output stage transistor is limited by changing the current flowing through the bias resistor between the gate and the source of the output stage transistor by the switch to be driven and the switch. Examples will be described below.
図1は、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路の一実施態様を示す図である。先ず、パワーアンプ回路の全体を説明する。
この例では、パワーアンプの入力段(初段)は、二つのPNPトランジスタ1001、1002のエミッタを結合した差動増幅器構成になっていて、エミッタには定電流源1003により2Iの電流が流れている。各々のトランジスタのコレクタ側には定電流源1004、1005が低電位電源ライン1006との間で接続されている。PNPトランジスタ1001、1002のベースには、正転オーディオ信号1007と反転オーディオ信号1008が入力している。PNPトランジスタ1001、1002の各コレクタからは初段出力ライン1009、1010が出ていて、Nチャネル静電誘導トランジスタA1011、Nチャネル静電誘導トランジスタB1012のゲートに接続されている。Nチャネル静電誘導トランジスタA1011、Nチャネル静電誘導トランジスタB1012はシリーズに接続され、これに二つの電源E1、1013、電源E2、1014が図のように接続されている。Nチャネル静電誘導トランジスタA1011、Nチャネル静電誘導トランジスタB1012のゲート・ソースの間にはバイアス抵抗R1a、1015、R1b、1016があって、この抵抗に流れる電流によってゲート・ソース間電圧が設定され、ドレイン・ソース間電流1017が決定される。Nチャネル静電誘導トランジスタA1011、Nチャネル静電誘導トランジスタB1012の間の増幅器出力端子1018と電源中間端子1019は、スピーカを接続する端子となっている。以上がパワーアンプ部の構成である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of an overcurrent limiting circuit of a power amplifier circuit using an electrostatic induction transistor according to the present invention. First, the entire power amplifier circuit will be described.
In this example, the input stage (first stage) of the power amplifier has a differential amplifier configuration in which the emitters of two PNP transistors 1001 and 1002 are coupled, and a current of 2I flows from the constant current source 1003 to the emitter. . Constant current sources 1004 and 1005 are connected to the low potential power supply line 1006 on the collector side of each transistor. A normal audio signal 1007 and an inverted audio signal 1008 are input to the bases of the PNP transistors 1001 and 1002. First-stage output lines 1009 and 1010 are output from the collectors of the PNP transistors 1001 and 1002, and are connected to the gates of the N-channel static induction transistor A1011 and the N-channel static induction transistor B1012. N-channel static induction transistor A 1011 and N-channel static induction transistor B 1012 are connected in series, and two power supplies E1, 1013, and power supplies E2, 1014 are connected as shown in the figure. There are bias resistors R1a, 1015, R1b, and 1016 between the gate and source of the N-channel static induction transistor A1011 and the N-channel static induction transistor B1012, and the gate-source voltage is set by the current flowing through these resistors. The drain-source current 1017 is determined. An amplifier output terminal 1018 and a power supply
以上のようなパワーアンプにおいて、このままでは、電源立ち上げ時などの電源が規定の大きさになってない場合に、Nチャネル静電誘導トランジスタA1011、Nチャネル静電誘導トランジスタB1012に流れる電流が過大になり、電源が立ち上がらなくなったり、トランジスタが破壊したりすることがある。これを防止するために過大電流制限回路1100が付加されている。 In the power amplifier as described above, if the power supply does not become a specified size when the power supply is turned on, the current flowing through the N-channel static induction transistor A1011 and the N-channel static induction transistor B1012 is excessive. As a result, the power supply may not start up or the transistor may be destroyed. In order to prevent this, an excessive current limiting circuit 1100 is added.
次に過大電流制限回路1100について説明する。二つのNチャネル静電誘導トランジスタA1011、B1012間には、過大電流を検出するための電流検出素子1101Aと1101Bが図のように直列に接続してある。この電流検出素子1101Aと1101Bとしては、オーディオ特性に影響しないように温度特性の優れた小さい抵抗値(例えば0.1Ω)の抵抗を使用することができる。電流検出素子1101Aと1101Bが検出した電流による電圧を増幅器1102A、1102Bで増幅する。増幅器の出力でスイッチ1103A、1103Bが接続して電流がダイオード1104A、1104Bを流れる。その結果、電流がバイアス抵抗R1a、1015、R1b、1016に流れて、Nチャネル静電誘導トランジスタA1011、B1012のゲート・ソース間電圧が負バイアスになり、5−Bに見るように電流が流れない方向になり、電流を制限することが出来る。 Next, the overcurrent limiting circuit 1100 will be described. Between the two N-channel static induction transistors A1011 and B1012, current detection elements 1101A and 1101B for detecting an excessive current are connected in series as shown in the figure. As the current detection elements 1101A and 1101B, resistors having a small resistance value (for example, 0.1Ω) with excellent temperature characteristics can be used so as not to affect the audio characteristics. The voltage based on the current detected by the current detection elements 1101A and 1101B is amplified by the amplifiers 1102A and 1102B. Switches 1103A and 1103B are connected at the output of the amplifier, and current flows through the diodes 1104A and 1104B. As a result, current flows through the bias resistors R1a, 1015, R1b, and 1016, the gate-source voltages of the N-channel static induction transistors A1011 and B1012 become negative bias, and no current flows as seen in 5-B. Direction, current can be limited.
尚、ダイオード1104A、1104Bは、電流が流れたときには、順バイアス電圧(0.6V)程度の電圧降下となるが、電流の逆流はないので、電流が流れないときは開放と同じとなる。バイアス抵抗R1a、1015、R1b、1016は、そのもの自体でも機能は達成するが、各々にダイオード1105A、1105Bが図の向きに入っている。Nチャネル静電誘導トランジスタのソースよりゲート側の電圧が高くなる場合には、このダイオードがオンして、順方向電圧より大きな正電圧にはならないようになっている。更に、ゲートには、点線で示すバッファ回路1106A、1106Bを入れると、Nチャネル静電誘導トランジスタのゲートソース間は正電圧になる恐れは回避することが出来る。以上のように過大電流制限回路1100が構成されているのでNチャネル静電誘導トランジスタに流れる過大電流を制限することが出来る。 The diodes 1104A and 1104B have a voltage drop of about forward bias voltage (0.6V) when a current flows, but since there is no reverse current flow, the current is the same as when the current does not flow. The bias resistors R1a, 1015, R1b, and 1016 themselves perform their functions, but diodes 1105A and 1105B are in the direction shown in the figure. When the voltage on the gate side becomes higher than the source of the N-channel static induction transistor, the diode is turned on so that the positive voltage is not larger than the forward voltage. Furthermore, if buffer circuits 1106A and 1106B indicated by dotted lines are inserted in the gate, the possibility of a positive voltage between the gate and source of the N-channel static induction transistor can be avoided. Since the excessive current limiting circuit 1100 is configured as described above, the excessive current flowing through the N-channel static induction transistor can be limited.
次に、増幅器1102A、1102Bとスイッチ1103A、1103Bの例の詳細を説明する、図2は、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路に用いる増幅器とスイッチの一実施態様を示す図である。図には点線の囲みの回路が二つあり、図1の増幅器1102A、1102Bとスイッチ1103A、1103Bに対応している。この増幅器のバイアスを形成する増幅器バイアス部2000も示されている。
Next, details of examples of the amplifiers 1102A and 1102B and the switches 1103A and 1103B will be described. FIG. 2 shows an embodiment of the amplifier and the switch used in the excessive current limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention. It is a figure which shows an aspect. In the figure, there are two circuits surrounded by dotted lines, which correspond to the amplifiers 1102A and 1102B and the switches 1103A and 1103B in FIG. Also shown is an
先ず、バイアス部2000を簡単に説明する。ツェナーダイオード2001を流れる電流は、抵抗2002の値でダイオードの順方向電圧(0.6V)を割った値で決められる。
この一定の電流を流し続けるので、ツェナーダイオード2001の端子間電圧(ツェナー電圧)は一定に保たれる。トランジスタ2003、2004のコレクタ・エミッタ電圧により端子Bが図1のB点の電圧変化に追従している。従って、ツェナー電圧は、コンデンサ2005間にかかっている。端子A、B、C、D、Eは、図1の同じ記号の部位に対応するものである。
First, the
Since this constant current continues to flow, the voltage between the terminals of the Zener diode 2001 (the Zener voltage) is kept constant. The terminal B follows the voltage change at point B in FIG. 1 by the collector-emitter voltage of the
次に、増幅器1102A、1102Bとスイッチ1103A、1103Bを説明する。両者はほぼ同じなので、増幅器1102Aとスイッチ1103Aで説明する。図1の電流検出素子1101Aの両端A、Bの電圧が過大電流により大きくなると抵抗2010の電圧がトランジスタ2011のベース・エミッタ間順方向電圧を越えるため、トランジスタ2011がオンし、エミッタ・コレクタ間に電流が流れ、これが抵抗2012を流れて電圧降下となって現れる。この一段の増幅により、電流検出素子1101Aの両端A、B間の電圧より抵抗2012を流れて電圧降下の方がはるかに大きくなる。抵抗2012を流れて電圧降下がトランジスタ2013のべース・エミッタ間を順方向にバイアスして、トランジスタ2013がオンし、トランジスタ2013のコレクタ・エミッタ間に電流が流れるようになる。このトランジスタ2013がスイッチ1103Aの役割を果たしている。D端子は図1のダイオード1104Bに接続している。
Next, amplifiers 1102A and 1102B and switches 1103A and 1103B will be described. Since both are substantially the same, description will be made with the amplifier 1102A and the switch 1103A. When the voltage at both ends A and B of the current detection element 1101A in FIG. 1 increases due to an excessive current, the voltage of the
次に、バッファ回路1106A、1106Bについて説明する。
図3は、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路で出力段の静電誘導トランジスタのゲートの前に用いるバッファ回路の一実施態様を示す図である。抵抗3001により、トランジスタ3002とツェナーダイオード3003に流れる電流が決まる。従って、ツェナーダイオード3003の両端の電圧は安定に保たれる。トランジスタ3004のベースからトランジスタ3005のエミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードの電圧とトランジスタ3006のベース・エミッタ電圧の和に等しいので、トランジスタ3004とトランジスタ3006のベース・エミッタ電圧は、ほぼ同じと考えると、トランジスタ3005のコレクタ・エミッタ間の電圧は、ツェナーダイオードの端子間の電圧に等しくなり、電圧が一定になるので、バッファの負荷特性が安定になる。トランジスタ3007の入力F(又はH)の電圧に対して、エミッタフォロワーの出力になっているので、出力端子の電圧は順方向電圧分シフトした値としてエミッタ端子G(又はI)に出力する。このバッファから、入力F(又はH)より、出力G(又はI)は順方向電圧分だけ高電位になるので、ダイオード1105A、1105Bと相俟って、ゲート・ソース間は正電圧になる恐れは全く無いこととなる。尚、端子記号F(又はH)、G(又はI)は、図1の同じ記号に対応している。
Next, the buffer circuits 1106A and 1106B will be described.
FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of a buffer circuit used before the gate of the electrostatic induction transistor in the output stage in the excessive current limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention. The current flowing through the
図4は、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路を用いたパワーアンプ回路の一実施態様を示す図である。図1において、電流検出素子1101Aと1101Bを抵抗に、増幅器1102A、1102Bとスイッチ1103A、1103Bとバッファ回路1106A、1106Bを図2、図3に示す回路に置き換えたもので有る。動作はそれぞれのところで既に説明したので省略する。 FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of a power amplifier circuit using an excessive current limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention. In FIG. 1, the current detection elements 1101A and 1101B are replaced with resistors, and the amplifiers 1102A and 1102B, the switches 1103A and 1103B, and the buffer circuits 1106A and 1106B are replaced with the circuits shown in FIGS. Since the operation has already been described in each part, the description is omitted.
尚、本発明の記載で用いた回路は初段と出力段の構成になっているが、説明の都合上簡略してあるので、これにこだわるものではなく、初段の部分が更に複数段になったものも同様に考えることが出来る。又、電流検出素子については、カレントプローブのような抵抗以外の素子も可能であり、増幅器も図に示したように必ずしも2個を必要としない。例えば、電流検出素子1個と増幅器1個で、二つの静電誘導トランジスタのゲート・ソース間の電位を制御するために、一つ又は2つのスイッチを駆動することも可能である。 The circuit used in the description of the present invention has a configuration of an initial stage and an output stage, but it is simplified for convenience of explanation, so it is not particular about this, and the initial stage part is further made into a plurality of stages. Things can be considered in the same way. As the current detection element, an element other than a resistor such as a current probe is possible, and two amplifiers are not necessarily required as shown in the figure. For example, one current detection element and one amplifier can drive one or two switches to control the potential between the gate and source of two electrostatic induction transistors.
以上、説明したように、本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路を搭載したパワーアンプ回路では、過大電流が制限されるので、電源が正常に立ち上がり、過大電流による素子の破壊を回避することが出来るので産業上大きな利用性を有している。 As described above, in the power amplifier circuit equipped with the excessive current limiting circuit of the power amplifier circuit using the electrostatic induction transistor according to the present invention, the excessive current is limited. Since destruction of the element can be avoided, it has great industrial applicability.
1001、1002 PNPトランジスタ
1003、1004、1005 定電流源
1006 低電位電源ライン
1007 正転オーディオ信号
1008 反転オーディオ信号
1009、1010 初段出力ライン
1011 Nチャネル静電誘導トランジスタA
1012 Nチャネル静電誘導トランジスタB
1013 電源E1
1014 電源E2
1015 バイアス抵抗R1a
1016 バイアス抵抗R1b
1017 ドレイン・ソース間電流
1018 増幅器出力端子
1019 電源中間端子
1100 過大電流制限回路
1101A、1101B 電流検出素子
1102A、1102B 増幅器
1103A、1103B スイッチ
1104A、1104B、1105A、1105B ダイオード
1106A、1106B バッファ回路
2000 増幅器バイアス部
2001、3003 ツェナーダイオード
2002、2010、2012、3001 抵抗
2003、2004、2011、2013、3002、3004、3005、3006、3007 トランジスタ
2005 コンデンサ
1001, 1002 PNP transistors 1003, 1004, 1005 Constant current source 1006 Low potential power supply line 1007 Normal audio signal 1008 Inverted audio signal 1009, 1010 First stage output line 1011 N-channel static induction transistor A
1012 N-channel static induction transistor B
1013 Power supply E1
1014 Power supply E2
1015 Bias resistor R1a
1016 Bias resistor R1b
1017 Drain-source current 1018
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---|---|---|---|---|
JP2014078938A (en) * | 2012-10-08 | 2014-05-01 | Chiun Mai Comm Systems Inc | Speaker system and measurement method for the same |
-
2008
- 2008-02-18 JP JP2008036575A patent/JP2009194870A/en not_active Withdrawn
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