JP2009194355A - Semiconductor device, and display - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device that enables quality/manufacturing process control by enabling an observation of a state of the semiconductor device via an insulating film. <P>SOLUTION: A COF 10 includes a radiator 7 on a back surface of the insulating film 1, and the radiator 7 has openings o1 and o2 that are holes penetrating to the insulating film 1 to enable an observation of a state of the COF 10 on a front surface of the insulating film 1 via the insulating film 1. Wiring 2 on the front surface of the insulating film 1 is not arranged in positions corresponding to the openings o1 and o2. The openings o1 and o2 enable an observation of a state of the COF 10 via the insulating film 1 to enable quality/manufacturing process control of the COF 10. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、COF(Chip On Film)としての半導体装置およびそれを備える表示装置に関し、特にCOFの裏面から観察することによって品質・製造工程管理を行える半導体装置およびそれを備える表示装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device as a COF (Chip On Film) and a display device including the semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device capable of quality / manufacturing process management by observing from the back surface of the COF and a display device including the semiconductor device.

従来、COFにおける半導体素子が放出する熱の放熱対策として、COFの絶縁フィルムの半導体素子が搭載されている面と反対の面において、半導体素子が搭載されている位置に相当する箇所に、もしくは全面的に、金属性の放熱材を設ける技術が考案されている(特許文献1参照)。以下、この技術を用いたCOFについて、図7(a)を用いて簡単に説明する。   Conventionally, as a heat dissipation measure for the heat released by the semiconductor element in the COF, on the surface opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted on the insulating film of the COF, or on the entire surface corresponding to the position where the semiconductor element is mounted. In particular, a technique for providing a metallic heat dissipation material has been devised (see Patent Document 1). Hereinafter, COF using this technique will be briefly described with reference to FIG.

上記技術を用いたCOFとしてのCOF110は、図示のように、絶縁フィルム(具体的にはポリイミドからなる)101と、絶縁フィルム101の一方の面に設けられた配線102と、絶縁フィルム101および配線102の一部を覆うように設けられたソルダーレジスト103とを備え、半導体素子104に設けられたバンプ電極104aが配線102と接合されている。また、COF110は、半導体素子104周辺に充填されて半導体素子104を絶縁フィルム101に固定し、かつ外部から保護する封止樹脂106と、絶縁フィルム101の上記一方の面とは反対の面(裏面)に設けられた放熱材107(具体的には板状であって銅からなる)とを備えている。COF110では、放熱材107を備えていることにより、半導体素子104が放出した熱の放熱性を向上できる。
特開2006−108356号公報(2006年4月20日公開)
A COF 110 as a COF using the above technique includes an insulating film (specifically made of polyimide) 101, a wiring 102 provided on one surface of the insulating film 101, an insulating film 101, and a wiring as shown in the figure. And a solder resist 103 provided so as to cover a part of the bump 102. A bump electrode 104 a provided on the semiconductor element 104 is joined to the wiring 102. Further, the COF 110 is filled around the semiconductor element 104 to fix the semiconductor element 104 to the insulating film 101 and protect it from the outside, and a surface (back surface) opposite to the one surface of the insulating film 101. ) Provided with a heat dissipating material 107 (specifically, plate-shaped and made of copper). Since the COF 110 includes the heat dissipation material 107, the heat dissipation of the heat released by the semiconductor element 104 can be improved.
JP 2006-108356 A (published April 20, 2006)

COFでは、その品質管理および製造工程管理のために、製造後、透明な絶縁フィルムの裏面から例えば(1)半導体素子104のバンプ電極104aと配線102とがズレなく接合しているか、また、その接合品質はどうか、(2)封止樹脂が適切に充填されているか、を確認する。しかしながら、COF110では、絶縁フィルム101に放熱材107が設けられているため、上記確認が行えないという問題を生じる。   In the COF, for the purpose of quality control and manufacturing process control, after manufacturing, for example, (1) the bump electrode 104a of the semiconductor element 104 and the wiring 102 are joined without misalignment from the back surface of the transparent insulating film. Check the bonding quality and (2) whether the sealing resin is properly filled. However, in the COF 110, since the heat dissipation material 107 is provided on the insulating film 101, there arises a problem that the above confirmation cannot be performed.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、絶縁フィルムを介して半導体装置の状態を観察することを可能として品質・製造工程管理を行える半導体装置、およびそれを備える表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and a semiconductor device capable of observing the state of a semiconductor device through an insulating film and capable of quality / manufacturing process management, and a display device including the same It is to provide.

本明細書では、本発明に係る半導体装置における部材が長方形状である場合に、その長辺方向を「横」、短辺方向を「縦」としている。   In this specification, when the member in the semiconductor device according to the present invention is rectangular, the long side direction is “horizontal” and the short side direction is “vertical”.

本発明に係る半導体装置は、上記課題を解決するために、絶縁フィルムと、上記絶縁フィルムの一方の面に設けられた配線と、上記配線と接合されている半導体素子と、上記半導体素子近傍に充填された封止樹脂と、上記絶縁フィルムの一方の面とは反対の面に設けられた放熱部材とを備えている半導体装置において、上記放熱部材を第1放熱部材として備え、上記第1放熱部材に、上記絶縁フィルムまで貫通する孔であり、上記絶縁フィルムを介して上記絶縁フィルムの一方の面における半導体装置の状態を観察することを可能とする開口部を備え、上記配線は上記開口部に相当する位置には設けられていないことを特徴としている。   In order to solve the above problems, a semiconductor device according to the present invention includes an insulating film, a wiring provided on one surface of the insulating film, a semiconductor element joined to the wiring, and a vicinity of the semiconductor element. In a semiconductor device including a filled sealing resin and a heat dissipating member provided on a surface opposite to one surface of the insulating film, the heat dissipating member is provided as a first heat dissipating member, and the first heat dissipating member is provided. The member is a hole that penetrates to the insulating film, and has an opening through which the state of the semiconductor device on one surface of the insulating film can be observed through the insulating film, and the wiring is the opening It is characterized by not being provided at a position corresponding to.

上記の構成によれば、本発明に係る半導体装置は、第1放熱部材に、絶縁フィルムまで貫通する孔であり、上記絶縁フィルムを介して上記絶縁フィルムの一方の面における半導体装置の状態を観察することを可能とする開口部を設けている。この開口部により、上記絶縁フィルムを介して半導体装置の状態を、例えば封止樹脂の状態などを観察することができ、それゆえ上記半導体装置の品質・製造工程管理を行える。以上により、絶縁フィルムを介して半導体装置の状態を観察することを可能として品質・製造工程管理を行える半導体装置を提供することができるという効果を奏する。   According to said structure, the semiconductor device which concerns on this invention is a hole which penetrates to a 1st heat radiating member to an insulating film, and observes the state of the semiconductor device in one surface of the said insulating film through the said insulating film An opening is provided that allows this to be done. Through this opening, the state of the semiconductor device, for example, the state of the sealing resin, can be observed through the insulating film, and thus the quality and manufacturing process management of the semiconductor device can be performed. As described above, it is possible to provide a semiconductor device capable of observing the state of the semiconductor device through the insulating film and capable of quality / manufacturing process management.

本発明に係る半導体装置は、上記開口部が、第1開口部として上記第1放熱部材における上記半導体素子の中央部分に相当する位置に、第2開口部として上記第1放熱部材における上記半導体素子の位置合わせ用マーク部分に相当する位置に、もしくはその双方の位置に、それぞれ設けられていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the opening is located at a position corresponding to a central portion of the semiconductor element in the first heat dissipation member as a first opening, and the semiconductor element in the first heat dissipation member as a second opening. It is preferable to be provided at a position corresponding to the alignment mark portion or at both positions.

上記の構成によれば、第1開口部により、(2)封止樹脂が適切に充填されているかを確認することができ、第2開口部分により、(1)上記半導体素子が適切に配置されているかを確認することができる。   According to said structure, it can confirm whether (2) sealing resin is filled appropriately by the 1st opening part, (1) The said semiconductor element is arrange | positioned appropriately by the 2nd opening part. It can be confirmed.

本発明に係る半導体装置は、上記開口部として、上記第2開口部が、もしくは上記第1開口部および上記第2開口部が設けられており、上記絶縁フィルムの一方の面における上記第2開口部と対向する位置に、上記配線と同一の層に同一のマスクを用いて形成された、上記配線とは電気的に接続されていないダミー配線が設けられ、上記ダミー配線は、上記第2開口部を介して上記ダミー配線と上記半導体素子の位置合わせ用マークとの位置関係を確認することに用いられることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the second opening or the first opening and the second opening are provided as the opening, and the second opening on one surface of the insulating film is provided. A dummy wiring that is formed in the same layer as the wiring using the same mask and is not electrically connected to the wiring is provided at a position facing the portion, and the dummy wiring is connected to the second opening. It is preferable to use it for confirming the positional relationship between the dummy wiring and the alignment mark of the semiconductor element via a section.

上記の構成によれば、上記配線と同一の層に同一のマスクを用いて形成されるダミー配線は、当該ダミー配線と上記半導体素子の位置合わせ用マークとの位置関係を上記第2開口部から確認することで、上記半導体素子と上記配線とが位置ずれなく接合されるよう配置されていることを(上記(1))、上記第2開口部から上記位置合わせ用マークを確認することより、より高い精度で確認できる機能を有することとなる。   According to the above configuration, the dummy wiring formed using the same mask in the same layer as the wiring has the positional relationship between the dummy wiring and the alignment mark of the semiconductor element from the second opening. By confirming that the semiconductor element and the wiring are arranged so as to be joined without displacement (above (1)), confirming the alignment mark from the second opening, It has a function that can be confirmed with higher accuracy.

本発明に係る半導体装置は、上記第1開口部は、その縦幅が上記半導体素子の縦幅−0.1mm以下であり、その横幅が上記半導体素子の横幅−0.1mm以下であり、上記第2開口部は、その縦幅が0.05mm以上0.15mm以下であり、その横幅が0.05mm以上0.15mm以下であることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the first opening has a vertical width of −0.1 mm or less of the semiconductor element, a horizontal width of the semiconductor element of −0.1 mm or less, The second opening preferably has a vertical width of 0.05 mm or more and 0.15 mm or less, and a horizontal width of 0.05 mm or more and 0.15 mm or less.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材にスリットを設けていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that a slit is provided in the first heat dissipation member.

上記の構成によれば、上記第1放熱部材にスリットを設けている。このスリットにより、上記第1放熱部材の熱膨張を妨げて緩和でき、従来放熱部材の熱膨張によって生じていた配線の変形もしくは断線を防止することができる。以上により、配線の変形もしくは断線を防止する半導体装置を提供することができる。なお、具体的には、例えば上記第1放熱部材が上述した長方形状の放熱材107のような放熱材である場合、上記スリットは、その機能から、放熱材の長辺方向に設けることとなる。   According to said structure, the slit is provided in the said 1st heat radiating member. With this slit, the thermal expansion of the first heat radiating member can be hindered and alleviated, and the deformation or disconnection of the wiring that has conventionally occurred due to the thermal expansion of the heat radiating member can be prevented. As described above, a semiconductor device that prevents deformation or disconnection of a wiring can be provided. Specifically, for example, when the first heat radiating member is a heat radiating material such as the rectangular heat radiating material 107 described above, the slit is provided in the long side direction of the heat radiating material because of its function. .

本発明に係る半導体装置は、上記スリットが、上記第1放熱部材における上記半導体素子およびその周辺に相当する位置に、上記半導体素子の中心線に対し線対称となるように設けられていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the slit may be provided at a position corresponding to the semiconductor element and the periphery thereof in the first heat dissipation member so as to be axisymmetric with respect to the center line of the semiconductor element. preferable.

上記の構成によれば、上記スリットを上記半導体素子近くに設けるため、確実に熱膨張を緩和することができ、それゆえ、確実に配線の変形もしくは断線を防止することができる。   According to said structure, since the said slit is provided near the said semiconductor element, a thermal expansion can be relieve | moderated reliably, Therefore, a deformation | transformation or disconnection of wiring can be prevented reliably.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材が、上記絶縁フィルムの反対の面における上記半導体素子およびその周辺に相当する位置のみに設けられていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the first heat radiating member is provided only at a position corresponding to the semiconductor element and its periphery on the opposite surface of the insulating film.

上記の構成によれば、上記半導体装置を折り曲げて実装する際の折り曲げ性を損なうことなく、上記半導体装置の放熱性を向上させることができる。   According to said structure, the heat dissipation of the said semiconductor device can be improved, without impairing the bendability at the time of bending and mounting the said semiconductor device.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材の周辺に、上記第1放熱部材に接触させて第2放熱部材をさらに設け、上記第2放熱部材は、正方形状もしくは円状の、上記絶縁フィルムまで貫通する孔である開口部を複数有し、上記開口部は、隣接する開口部と一定の距離を保ちつつ、縦横に配列されていることが好ましい。   The semiconductor device according to the present invention further includes a second heat radiating member in contact with the first heat radiating member around the first heat radiating member, and the second heat radiating member has a square shape or a circular shape. It is preferable to have a plurality of openings that are holes penetrating to the film, and the openings are arranged vertically and horizontally while maintaining a certain distance from the adjacent openings.

具体的には、上記第2放熱部材の正方形状の開口部が、その一辺が50μm以上200μm以下であるとともに、隣接する開口部と50μm以上200μm以下の距離をおいて配列され、上記第2放熱部材の円状の開口部が、その直径が50μm以上200μm以下であるとともに、隣接する開口部と50μm以上200μm以下の距離をおいて配列されていることが好ましい。   Specifically, the square-shaped opening of the second heat radiating member has one side of 50 μm to 200 μm and is arranged at a distance of 50 μm to 200 μm from the adjacent opening, It is preferable that the circular openings of the member have a diameter of 50 μm or more and 200 μm or less and are arranged with a distance of 50 μm or more and 200 μm or less from the adjacent openings.

また、上記第2放熱部材の正方形状の開口部が、その一辺が、上記第2放熱部材の横方向の辺となす角度が35°以上55°以下の線分と平行となるように配列され、上記第2放熱部材の円状の開口部は、上記正方形状の開口部が設けられている位置に配列されることが好ましい。   Further, the square-shaped openings of the second heat radiating member are arranged so that one side thereof is parallel to a line segment having an angle of 35 ° or more and 55 ° or less with the lateral side of the second heat radiating member. The circular opening of the second heat radiating member is preferably arranged at a position where the square opening is provided.

上記の構成によれば、放熱部材の領域を、上記第1放熱部材のみの場合と比較して増加させることができるため、上記半導体装置の放熱性をより向上させることができる。また、第2放熱部材は、開口部を有しており、全体的に放熱部材が設けられているわけではないため、折り曲げが容易である。すなわち、上記の構成によれば、折り曲げ性を確保しつつ、上記半導体装置の放熱性をより向上させることができる。   According to said structure, since the area | region of a heat radiating member can be increased compared with the case where it is only the said 1st heat radiating member, the heat dissipation of the said semiconductor device can be improved more. Moreover, since the 2nd heat radiating member has an opening part and the heat radiating member is not generally provided, it is easy to bend. That is, according to said structure, the heat dissipation of the said semiconductor device can be improved more, ensuring a bendability.

また、上記第2放熱部材の開口部を上述のような角度をもたせて配列することにより、熱膨張による伸びを抑えることができる。   Further, by arranging the openings of the second heat radiating member with the above-described angles, elongation due to thermal expansion can be suppressed.

本発明に係る半導体装置は、上記絶縁フィルムおよび上記配線の一部を覆うように設けられたレジストをさらに備え、上記第2放熱部材は、その横幅は、上記第1放熱部材の横幅と同一とし、その縦方向の各端部の位置は、上記レジストの上記絶縁フィルムの反対の面における端部に相当する位置から0.5mm以上内側に設定されていることが好ましい。   The semiconductor device according to the present invention further includes a resist provided so as to cover the insulating film and a part of the wiring, and the second heat radiating member has the same lateral width as that of the first heat radiating member. The position of each end in the vertical direction is preferably set 0.5 mm or more inside from the position corresponding to the end of the resist on the opposite surface of the insulating film.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材の縦幅が、上記半導体装置を折り曲げて使用する際のその折り曲げ禁止範囲の縦幅−0.5mm以上、上記折り曲げ禁止範囲の縦幅+0.5mm以下の間で設定されることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the first heat radiating member has a vertical width of −0.5 mm or more in a bending prohibited range when the semiconductor device is bent and used, and a vertical width +0. It is preferable to set between 5 mm or less.

上記の構成によれば、上記第1放熱部材の縦幅を略折り曲げ禁止範囲とするため、上記半導体装置の放熱性を維持しつつ、折り曲げ性を最大限に確保することができる。   According to said structure, since the vertical width of said 1st heat radiating member is made into a substantially bending prohibition range, bendability can be ensured to the maximum, maintaining the heat dissipation of the said semiconductor device.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材の横幅が、上記半導体装置の打ち抜き部分の横方向の両端からそれぞれ0.5mm以上間隔を設けて設定されることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the width of the first heat radiating member is set at an interval of 0.5 mm or more from both lateral ends of the punched portion of the semiconductor device.

上記の構成によれば、実装時の打ち抜きに支障をきたすことなく、上記半導体装置の放熱性を向上させることができる。   According to said structure, the heat dissipation of the said semiconductor device can be improved, without causing trouble at the time of mounting.

本発明に係る半導体装置は、上記スリットは、上記半導体素子の一辺に平行な第1スリットを有し、上記第1スリットと、上記第1スリットに最も近接する上記半導体素子の一辺にあるバンプ端面との水平方向の距離は、0.1mm以上2.0mm以下であることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the slit has a first slit parallel to one side of the semiconductor element, and the bump slit is located on one side of the semiconductor element closest to the first slit and the first slit. The distance in the horizontal direction is preferably 0.1 mm or more and 2.0 mm or less.

上記の構成によれば、上記第1スリットは、上記放熱部材の膨張経路を横断するように設けられるため、熱膨張を緩和するためには非常に有効であり、それゆえより確実に熱膨張を緩和することができる。そのため、より確実に配線の変形もしくは断線を防止することができる。   According to the above configuration, the first slit is provided so as to cross the expansion path of the heat radiating member. Therefore, the first slit is very effective for mitigating thermal expansion. Can be relaxed. Therefore, it is possible to more reliably prevent the wiring from being deformed or disconnected.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材が、熱伝導率が10W/(m・K)以上の材料によって形成されていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the first heat radiating member or each heat radiating member is formed of a material having a thermal conductivity of 10 W / (m · K) or more.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材が、銅、アルミニウム、もしくはSUSによって形成されていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the first heat radiating member or each heat radiating member is formed of copper, aluminum, or SUS.

上記の構成によれば、上記第1放熱部材や上記第2放熱部材を熱伝導率が高い材料によって形成するため、優れた放熱性を達成できる。   According to said structure, since the said 1st heat radiating member and said 2nd heat radiating member are formed with a material with high heat conductivity, the outstanding heat dissipation can be achieved.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材が、その厚みが、5μm以上30μm以下であることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the first heat radiating member or each heat radiating member has a thickness of 5 μm or more and 30 μm or less.

上記の構成によれば、上記半導体装置の薄型を維持しつつ、放熱性を向上させることができる。   According to said structure, heat dissipation can be improved, maintaining the thinness of the said semiconductor device.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材の表面には、放熱部材とは別の材料がメッキもしくはコーティングされていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that a material different from the heat dissipation member is plated or coated on the surface of the first heat dissipation member or each of the heat dissipation members.

上記放熱部材は、専ら金属で形成するため、酸化が起こる場合がある。上記の構成によれば、上記放熱部材の酸化を防ぐことができる。   Since the heat dissipating member is exclusively made of metal, oxidation may occur. According to said structure, the oxidation of the said heat radiating member can be prevented.

本発明に係る半導体装置は、上記第1放熱部材に設けられたスリットの幅が、0.02mm以上1.0mm以下であることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, the width of the slit provided in the first heat dissipation member is preferably 0.02 mm or more and 1.0 mm or less.

上記の構成によれば、上記スリットを小さく形成して上記半導体装置の放熱性を損わせず、配線の変形もしくは断線を防止することができる。   According to said structure, the said slit can be formed small and it can prevent the deformation | transformation or disconnection of wiring, without impairing the heat dissipation of the said semiconductor device.

本発明に係る半導体装置は、上記半導体素子と上記各放熱部材との垂直方向の距離は、0.1mm以下であることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the vertical distance between the semiconductor element and each of the heat dissipating members is 0.1 mm or less.

上記の構成によれば、上記半導体装置の薄型化が可能であるとともに、上記各放熱部材を熱源近くに設けることができるため、上記半導体装置の放熱性を向上させることができる。   According to said structure, since the said semiconductor device can be reduced in thickness and each said heat radiating member can be provided near a heat source, the heat dissipation of the said semiconductor device can be improved.

本発明に係る表示装置は、上記半導体装置を、表示装置を駆動するための表示装置駆動モジュールとして備えていることを特徴としている。   A display device according to the present invention includes the semiconductor device as a display device driving module for driving the display device.

上記の構成によれば、本発明に係る表示装置は、例えば、品質・製造工程管理を行える上記半導体装置を、表示装置を駆動するための表示装置駆動モジュールとして備えているため、その動作に高い信頼性を確保できる。   According to said structure, since the display apparatus which concerns on this invention is equipped with the said semiconductor device which can perform quality and manufacturing process management as a display apparatus drive module for driving a display apparatus, it is high in the operation | movement, for example Reliability can be secured.

本発明に係る半導体装置は、絶縁フィルムと、上記絶縁フィルムの一方の面に設けられた配線と、上記配線と接合されている半導体素子と、上記半導体素子近傍に充填された封止樹脂と、上記絶縁フィルムの一方の面とは反対の面に設けられた放熱部材とを備えている半導体装置において、上記放熱部材を第1放熱部材として備え、上記第1放熱部材に、上記絶縁フィルムまで貫通する孔であり、上記絶縁フィルムを介して上記絶縁フィルムの一方の面における半導体装置の状態を観察することを可能とする開口部を備え、上記配線は上記開口部に相当する位置には設けられていないことを特徴としている。   A semiconductor device according to the present invention includes an insulating film, a wiring provided on one surface of the insulating film, a semiconductor element bonded to the wiring, a sealing resin filled in the vicinity of the semiconductor element, A semiconductor device comprising a heat radiating member provided on a surface opposite to the one surface of the insulating film, wherein the heat radiating member is provided as a first heat radiating member, and the first heat radiating member penetrates to the insulating film. An opening that allows the state of the semiconductor device on one surface of the insulating film to be observed through the insulating film, and the wiring is provided at a position corresponding to the opening. It is characterized by not.

上記の構成によれば、本発明に係る半導体装置は、上記開口部により、上記絶縁フィルムを介して半導体装置の状態を、例えば封止樹脂の状態などを観察することができ、それゆえ上記半導体装置の品質・製造工程管理を行える。以上により、絶縁フィルムを介して半導体装置の状態を観察することを可能として品質・製造工程管理を行える半導体装置を提供することができるという効果を奏する。   According to said structure, the semiconductor device which concerns on this invention can observe the state of a semiconductor device, for example, the state of sealing resin, etc. through the said insulating film by the said opening part, Therefore, the said semiconductor Can manage equipment quality and manufacturing process. As described above, it is possible to provide a semiconductor device capable of observing the state of the semiconductor device through the insulating film and capable of quality / manufacturing process management.

また、本発明に係る表示装置は、上記半導体装置を、表示装置を駆動するための表示装置駆動モジュールとして備えていることを特徴としている。   In addition, a display device according to the present invention includes the semiconductor device as a display device driving module for driving the display device.

上記の構成によれば、本発明に係る表示装置は、例えば、品質・製造工程管理を行える上記半導体装置を、表示装置を駆動するための表示装置駆動モジュールとして備えているため、その動作に高い信頼性を確保できる。   According to said structure, since the display apparatus which concerns on this invention is equipped with the said semiconductor device which can perform quality and manufacturing process management as a display apparatus drive module for driving a display apparatus, it is high in the operation | movement, for example Reliability can be secured.

本明細書では、本発明に係る半導体装置における部材が長方形状である場合に、その長辺方向を「横」、短辺方向を「縦」としている。   In this specification, when the member in the semiconductor device according to the present invention is rectangular, the long side direction is “horizontal” and the short side direction is “vertical”.

〔実施形態1〕
本発明の一実施形態について図1〜図3を用いて説明すると以下の通りである。
Embodiment 1
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1は、本実施形態に係るCOF(半導体装置)10を示しており、図1(a)はその裏面を示しており、図1(b)は図1(a)中の“a”の領域を拡大して示している。   FIG. 1 shows a COF (semiconductor device) 10 according to this embodiment, FIG. 1 (a) shows the back surface thereof, and FIG. 1 (b) shows “a” in FIG. 1 (a). The area is shown enlarged.

COF10は、図7(a)に示したCOF110と同様な構成であり、半導体素子などの実装時に使用するスプロケットホール1aを有する絶縁フィルム1と、絶縁フィルム1の一方の面に設けられた配線2(不図示)と、絶縁フィルム1および配線2の一部を覆うように設けられたソルダーレジスト3(不図示)とを備え、バンプ電極4aを有した半導体素子4がこのバンプ電極4aを介して配線2と接合される。また、COF10は、半導体素子4近傍に充填されて半導体素子4を絶縁フィルム1に固定し、かつ外部から保護する封止樹脂6(不図示)と、絶縁フィルム1の上記一方の面とは反対の面(裏面)に設けられた放熱材(第1放熱部材)7とを備えて構成されている。COF10では、放熱材7を備えていることにより、半導体素子4が放出した熱の放熱性を向上できる。半導体素子4には、バンプ電極4aが形成されている面の4つの角部分に、配線2と半導体素子4とが位置ずれなく接合されているかを確認するための位置合わせ用マークが形成されている。   The COF 10 has the same configuration as the COF 110 shown in FIG. 7A, and includes an insulating film 1 having a sprocket hole 1a used when mounting a semiconductor element or the like, and a wiring 2 provided on one surface of the insulating film 1. (Not shown) and a solder resist 3 (not shown) provided so as to cover a part of the insulating film 1 and the wiring 2, and the semiconductor element 4 having the bump electrode 4a is interposed through the bump electrode 4a. Joined to the wiring 2. Further, the COF 10 is filled in the vicinity of the semiconductor element 4 to fix the semiconductor element 4 to the insulating film 1 and protect it from the outside, and is opposite to the one surface of the insulating film 1. And a heat dissipating material (first heat dissipating member) 7 provided on the surface (back surface). In the COF 10, by providing the heat dissipation material 7, it is possible to improve the heat dissipation of the heat released by the semiconductor element 4. The semiconductor element 4 is formed with alignment marks for confirming whether the wiring 2 and the semiconductor element 4 are joined without misalignment at four corners of the surface on which the bump electrode 4a is formed. Yes.

図2は、COF10を搭載した表示装置30の一部の構成を示している。表示装置30は、一般的な液晶表示装置であり、詳細な説明は省略する。   FIG. 2 shows a partial configuration of the display device 30 on which the COF 10 is mounted. The display device 30 is a general liquid crystal display device and will not be described in detail.

表示装置30は、表示パネル15、バックライト装置20、および表示パネル15に表示を行うための表示装置駆動モジュールとしてのCOF10を備えている。図示のように、COF10は折り曲げられて搭載される。詳細は後述するが、COF10では、配線2の変形もしくは断線を防止することができる。表示装置30では、表示装置駆動回路を以上のような効果を有するCOF10によって構成するため、その動作に高い信頼性を確保できる。また、特に、表示パネル15が高機能化および多出力化となる大型パネルである場合に、上述の高い信頼性を確保できるという効果が顕著となる。なお、表示装置30は、液晶表示装置に限られるわけではなく、例えば有機ELを用いた表示装置であってもよい。   The display device 30 includes a display panel 15, a backlight device 20, and a COF 10 as a display device driving module for performing display on the display panel 15. As illustrated, the COF 10 is bent and mounted. Although details will be described later, the COF 10 can prevent the wiring 2 from being deformed or disconnected. In the display device 30, since the display device driving circuit is configured by the COF 10 having the above effects, high reliability can be ensured in its operation. In particular, when the display panel 15 is a large panel with high functionality and multiple outputs, the effect of ensuring the above-described high reliability becomes remarkable. The display device 30 is not limited to a liquid crystal display device, and may be a display device using organic EL, for example.

以下、COF10の詳細について説明するが、絶縁フィルム1、配線2、ソルダーレジスト3、および封止樹脂6は、従来一般的に知られた材料(絶縁フィルム1についてはポリイミド)および形成方法で形成するため、ここではその説明を省略し、主に放熱材7について説明する。   Hereinafter, although the detail of COF10 is demonstrated, the insulating film 1, the wiring 2, the soldering resist 3, and the sealing resin 6 are formed with the material generally known conventionally (polyimide about the insulating film 1), and a formation method. Therefore, the description is omitted here, and the heat radiating material 7 will be mainly described.

放熱材7は、板状であることが好ましく、優れた放熱性を実現するために、熱伝導率の大きい材料で形成する。具体的には、熱伝導率が10W/(m・K)以上の材料によって形成されることが好ましい。換言すれば、銅、アルミニウム、もしくはSUS(ステンレス鋼)によって形成されることが好ましい。その形成方法は、一般的なスパッタなどである。本実施形態では銅で構成している。また、放熱材7は、その表面が、放熱材7の形成材料とは異なる材料によってメッキもしくはコーティングされていることが好ましい。放熱材7は、上述のように専ら金属で形成するため、酸化が起こる場合があるが、以上の構成により、放熱材7の酸化を防ぐことができる。具体的には、錫メッキもしくはソルダーレジストによってコーティングする。   The heat dissipation material 7 is preferably plate-shaped, and is formed of a material having a high thermal conductivity in order to achieve excellent heat dissipation. Specifically, it is preferably formed of a material having a thermal conductivity of 10 W / (m · K) or more. In other words, it is preferably formed of copper, aluminum, or SUS (stainless steel). The forming method is general sputtering or the like. In this embodiment, it is made of copper. Moreover, it is preferable that the surface of the heat dissipation material 7 is plated or coated with a material different from the material for forming the heat dissipation material 7. Since the heat dissipating material 7 is formed entirely of metal as described above, oxidation may occur. However, the above structure can prevent the heat dissipating material 7 from being oxidized. Specifically, it is coated with tin plating or solder resist.

放熱材7の厚みは、5μm以上30μm以下が好ましく、8μm以上15μm以下がより好ましい。図3は、放熱材7の厚みとCOF10の温度との関係を示すグラフである。このグラフから、8μm以上15μm以下の厚みの場合に最も温度の低下が顕著であり、厚みが増してもその効果がさほど上がらないことが明らかである。また、COF10の薄型を維持するためにも、放熱材7は薄いほうがよい。したがって、放熱材7の厚みとしては、8μm以上15μm以下がより好ましく、この構成により、COF10の薄型を維持しつつ、放熱性を向上させることができる。本実施形態では8μmもしくは15μmで構成している。   The thickness of the heat dissipation material 7 is preferably 5 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 8 μm or more and 15 μm or less. FIG. 3 is a graph showing the relationship between the thickness of the heat dissipation material 7 and the temperature of the COF 10. From this graph, it is clear that the temperature decrease is most remarkable when the thickness is 8 μm or more and 15 μm or less, and the effect does not increase so much even if the thickness is increased. Further, in order to maintain the thinness of the COF 10, it is preferable that the heat dissipating material 7 is thin. Therefore, the thickness of the heat dissipation material 7 is more preferably 8 μm or more and 15 μm or less. With this configuration, heat dissipation can be improved while maintaining the thinness of the COF 10. In this embodiment, it is 8 μm or 15 μm.

また、COF10の薄型化および高い放熱性を達成するためには、半導体素子4と放熱材7との垂直方向の距離(図6(a)で示す“b”の距離)が、0.1mm以下であることが好ましい。   Further, in order to achieve thinning of the COF 10 and high heat dissipation, the distance in the vertical direction between the semiconductor element 4 and the heat radiating material 7 (the distance “b” shown in FIG. 6A) is 0.1 mm or less. It is preferable that

放熱材7は、COF10の裏面全体に形成することが好ましい。この構成により、高い放熱性を達成することができる。しかしながら、COF10は上述のように折り曲げられて実装されるため、その折り曲げ性を考慮すれば、COF10の裏面の一部、具体的にはCOF10の裏面における半導体素子4およびその周辺に相当する位置に形成されることが好ましい。   The heat dissipating material 7 is preferably formed on the entire back surface of the COF 10. With this configuration, high heat dissipation can be achieved. However, since the COF 10 is bent and mounted as described above, in consideration of the bendability, the COF 10 is located at a position corresponding to a part of the back surface of the COF 10, specifically, the semiconductor element 4 and its periphery on the back surface of the COF 10. Preferably it is formed.

具体的には、COFには、安全に製品を使用するために、半導体素子4周辺に折り曲げ禁止領域が設けられている。COF10では、放熱材7の縦幅7Aを、上記禁止領域の縦幅−0.5mm以上、上記禁止領域の縦幅+0.5mm以下とする。本実施形態では上記禁止領域の縦幅と同一としている。この構成により、折り曲げ性を損なうことなく、放熱性を向上させることができる。   Specifically, the COF is provided with a bending prohibited area around the semiconductor element 4 in order to use the product safely. In the COF 10, the vertical width 7A of the heat radiating material 7 is set to the vertical width of the prohibited area −0.5 mm or more and the vertical width of the prohibited area +0.5 mm or less. In the present embodiment, the vertical width of the prohibited area is the same. With this configuration, the heat dissipation can be improved without impairing the bendability.

また、COFでは打ち抜き部分を打ち抜いて実装するため、COF10では、放熱材7の横幅7Bを、打ち抜き部分1cから両側それぞれ0.5mm以上余裕をとって(図1(a)中の“d1”の領域)設定する。本実施形態では、d1=1mmとしている。この構成により、実装時の打ち抜きに支障をきたすことなく、放熱性を向上させることができる。   In COF, since the punched portion is punched and mounted, in COF10, the lateral width 7B of the heat radiating material 7 has a margin of 0.5 mm or more on both sides from the punched portion 1c (see “d1” in FIG. 1A). Area) to set. In this embodiment, d1 = 1 mm. With this configuration, it is possible to improve heat dissipation without causing any trouble in punching during mounting.

なお、放熱材7の形状は、本実施形態では、半導体素子4を長方形状としているためそれに合わせて長方形状としており、これに限定されるわけではなく、例えば正方形状であってもよい。   In this embodiment, since the semiconductor element 4 has a rectangular shape, the heat radiating material 7 has a rectangular shape according to the shape, and is not limited thereto, and may be, for example, a square shape.

次に、本実施形態において最も着目すべき点であるが、放熱材7は、半導体素子4の中央部分に相当する位置に開口部(第1開口部)o1を、また、半導体素子4の位置合わせ用マーク部分に相当する位置に開口部(第2開口部)o2を、それぞれ有している。開口部o1,o2は、絶縁フィルム1へ貫通している孔である。配線2は、図7(b)に示したCOF110の配線102と同様に形成されており、開口部o1,o2に相当する位置には形成されていない。   Next, as the most notable point in the present embodiment, the heat dissipating material 7 has an opening (first opening) o1 at a position corresponding to the central portion of the semiconductor element 4, and the position of the semiconductor element 4. An opening (second opening) o2 is provided at a position corresponding to the alignment mark portion. The openings o1 and o2 are holes that penetrate the insulating film 1. The wiring 2 is formed in the same manner as the wiring 102 of the COF 110 shown in FIG. 7B, and is not formed at positions corresponding to the openings o1 and o2.

この開口部o1により、透明な絶縁フィルム1を介して封止樹脂6が適切に充填されているかを確認することができる。また、開口部o1を介して熱電対を接触させて、半導体素子4の温度を測定することもできる。また、開口部o2を介して半導体素子4の位置合わせ用マーク部分を観察できることにより、半導体素子4が適切に配置されているかを確認することができる。このように、放熱材7に開口部o1,o2を有していることにより、品質・製造工程管理を行える。なお、本実施形態では、放熱材7に開口部o1,o2のいずれも設けているが、この構成は単なる一例であり、開口部o1,o2のいずれかのみを設けてもよい。   With this opening o1, it can be confirmed whether or not the sealing resin 6 is appropriately filled through the transparent insulating film 1. Further, the temperature of the semiconductor element 4 can be measured by bringing a thermocouple into contact with the opening o1. In addition, since the alignment mark portion of the semiconductor element 4 can be observed through the opening o2, it can be confirmed whether the semiconductor element 4 is appropriately arranged. Thus, quality / manufacturing process management can be performed by having the opening parts o1 and o2 in the heat dissipation material 7. In this embodiment, both the openings o1 and o2 are provided in the heat dissipation material 7, but this configuration is merely an example, and only one of the openings o1 and o2 may be provided.

開口部o1は、その縦幅o1Aが半導体素子4の縦幅−0.1mm以下であり、その横幅o1Bが半導体素子4の横幅−0.1mm以下であることが好ましい。また、開口部o2は、その縦幅が0.05mm以上0.15mm以下であり、その横幅が0.05mm以上0.15mm以下であることが好ましい。本実施形態では、開口部o1は、その縦幅o1Aを0.8mmとし、その横幅o1Bを2.0mmとしている。また、開口部o2は、その形状を正方形状とし、その一辺を116umとしている。この開口部o2のサイズは、半導体素子4の位置合わせ用マークのサイズが96um(図1(a)中の“d3”)であり、そのサイズに上下左右に10umの余裕を持たせて設けていることによるものである。開口部o1,o2の形成方法は、一般的なエッチング等である。   It is preferable that the opening o1 has a vertical width o1A of the semiconductor element 4 of −0.1 mm or less and a horizontal width o1B of the semiconductor element 4 of −0.1 mm or less. The opening o2 preferably has a vertical width of 0.05 mm to 0.15 mm and a horizontal width of 0.05 mm to 0.15 mm. In the present embodiment, the opening o1 has a vertical width o1A of 0.8 mm and a horizontal width o1B of 2.0 mm. In addition, the opening o2 has a square shape and a side of 116 um. The size of the opening o2 is such that the size of the alignment mark of the semiconductor element 4 is 96 μm (“d3” in FIG. 1A), and the size is provided with a margin of 10 μm vertically and horizontally. Is due to being. A method of forming the openings o1 and o2 is general etching or the like.

なお、開口部o1は、その形状が、本実施形態では長方形状であるが、これに限られるわけではなく、例えば正方形状であってもよい。また、開口部o2も同様に、その形状が限定されるわけではないが、位置合わせ精度の観点からは、本実施形態のような正方形状であることが好ましい。   In addition, although the shape of the opening o1 is a rectangular shape in the present embodiment, the shape is not limited to this, and may be a square shape, for example. Similarly, the shape of the opening o2 is not limited, but is preferably a square shape as in the present embodiment from the viewpoint of alignment accuracy.

〔実施の形態2〕
本発明の他の実施形態について図4を用いて説明すると以下の通りである。
[Embodiment 2]
Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

図4は、本実施形態に係るCOF10aを示しており、図4(a)および図4(c)はその裏面を、図4(b)は図4(a)および図4(c)中の“c”の領域を拡大して示している。なお、説明の便宜上、COF10の部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。また、基本的にCOF10と異なる点についてのみ説明する。   FIG. 4 shows the COF 10a according to the present embodiment, FIG. 4 (a) and FIG. 4 (c) show the back surface, and FIG. 4 (b) shows the state in FIG. 4 (a) and FIG. 4 (c). The area “c” is shown enlarged. For convenience of explanation, members having the same functions as those of the members of the COF 10 are assigned the same member numbers, and explanations thereof are omitted. Only the points that are fundamentally different from the COF 10 will be described.

COF10aは、COF10の構成に対し、放熱材7に図4に示すようなスリット8をさらに有している。このスリット8について、以下詳細に説明する。   The COF 10a further includes a slit 8 as shown in FIG. The slit 8 will be described in detail below.

従来のCOF110では、半導体素子104のバンプ電極104aを配線102に接合するとき、図7(a)に示すように、約120℃程度に加熱されたステージ115上にCOF110を配置するとともに、半導体素子104上に約400℃程度に加熱された加熱ツール117を配置して押さえ込んで圧力を印加し、この状態を約1秒程度維持して熱圧着により接合を行う。   In the conventional COF 110, when the bump electrode 104a of the semiconductor element 104 is bonded to the wiring 102, the COF 110 is disposed on a stage 115 heated to about 120 ° C. as shown in FIG. A heating tool 117 heated to about 400 ° C. is placed on 104 and pressed to apply pressure, and this state is maintained for about 1 second, and bonding is performed by thermocompression bonding.

このとき、図中の“A”の領域の放熱材107は、ステージ115と加熱ツール117とにより固定されているが、図中の“B”の領域の放熱材107は、それらで固定されていないため、ステージ115と加熱ツール117との熱による熱膨張によって、長辺方向(図中の点線の矢印の方向)へ伸びる。また、この現象はその他樹脂封止後の樹脂硬化などの加熱プロセスにおいても同様のことが考えられる。この結果、その放熱材107の伸びにつられて絶縁フィルム101が伸び、配線102の変形もしくは断線が引き起こされるという問題を生じていた。図7(b)は、半導体素子104のバンプ電極104aが設けられた面の平面図である。上述のように、放熱材107および絶縁フィルム101はその長辺方向へ伸びるため、半導体素子104の短辺側(図中の“C”の領域)の配線102の変形もしくは断線が顕著に見られた。   At this time, the heat dissipating material 107 in the area “A” in the figure is fixed by the stage 115 and the heating tool 117, but the heat dissipating material 107 in the area “B” in the figure is fixed by them. Therefore, due to the thermal expansion of the stage 115 and the heating tool 117, it extends in the long side direction (the direction of the dotted arrow in the figure). Further, this phenomenon can be considered to be the same in other heating processes such as resin curing after resin sealing. As a result, the insulating film 101 is stretched along with the expansion of the heat radiating material 107, causing a problem that the wiring 102 is deformed or disconnected. FIG. 7B is a plan view of the surface of the semiconductor element 104 on which the bump electrode 104a is provided. As described above, since the heat dissipating material 107 and the insulating film 101 extend in the long side direction, the deformation or disconnection of the wiring 102 on the short side (region “C” in the drawing) of the semiconductor element 104 is noticeable. It was.

スリット8は、以上のような問題を解決するためのものであり、このスリット8により、放熱材7に対し、放熱材としての機能を損せることなく、半導体素子4のバンプ電極4aを配線2に接合するときの熱圧着及び樹脂封止後の樹脂硬化などの加熱プロセスによる熱膨張を緩和して伸びを防ぎ、その結果、配線2の変形もしくは断線を防止する。   The slit 8 is for solving the above-described problems. The slit 8 allows the bump electrode 4a of the semiconductor element 4 to be wired 2 without impairing the function of the heat radiating material 7 as a heat radiating material. The thermal expansion due to a heating process such as thermocompression bonding and resin curing after resin sealing is alleviated to prevent elongation, and as a result, deformation or disconnection of the wiring 2 is prevented.

スリット8は、その機能から、基本的に放熱材7における半導体素子4およびその周辺に相当する位置に設けることが好ましい。また、半導体素子4の中心線L1,L2(一例)に対し線対称となるように設けることが好ましい。以上の構成により、スリット8を、半導体素子4近くに、かつ、その半導体素子4付近に均等に設けることになるため、確実に熱膨張を緩和することができ、その結果、確実に配線2の変形もしくは断線を防止することができる。また、半導体素子4の一辺に平行な第1スリットを有し、上記第1スリットと、上記第1スリットに最も近接する半導体素子4の一辺にあるバンプ端面との水平方向の距離が、0.1mm以上2.0mm以下であることが好ましい。この構成によれば、上記第1スリットは、放熱材7の膨張経路を横断するように設けられるため、熱膨張を緩和するためには非常に有効であり、それゆえより確実に熱膨張を緩和することができ、その結果、より確実に配線2の変形もしくは断線を防止することができる。   The slit 8 is preferably provided at a position corresponding to the semiconductor element 4 and the periphery thereof in the heat radiating material 7 basically because of its function. Further, it is preferable to provide the semiconductor elements 4 so as to be symmetrical with respect to the center lines L1 and L2 (one example). With the above configuration, the slits 8 are provided in the vicinity of the semiconductor element 4 and evenly in the vicinity of the semiconductor element 4, so that the thermal expansion can be reliably relaxed, and as a result, the wiring 2 can be reliably connected. Deformation or disconnection can be prevented. In addition, a first slit parallel to one side of the semiconductor element 4 is provided, and a horizontal distance between the first slit and a bump end surface on one side of the semiconductor element 4 closest to the first slit is 0. It is preferable that it is 1 mm or more and 2.0 mm or less. According to this configuration, the first slit is provided so as to cross the expansion path of the heat radiating member 7, and thus is very effective in reducing the thermal expansion. Therefore, the thermal expansion is more reliably reduced. As a result, deformation or disconnection of the wiring 2 can be prevented more reliably.

図示したスリット8は、放熱材7が上記熱圧着や上記樹脂硬化などの加熱プロセスによって特に長辺方向へ伸びるという例に対応して形成されたものであり、それゆえ特に、半導体素子4の短辺側に放射状に多くのスリットを設けている。より具体的には、図4(b)に示すように、放熱材7において“7a”,“7b”,“7c”,“7d(不図示)”という領域ができるように、かつ、その各領域に、半導体素子4の一辺におけるバンプ電極4aが含まれるように、スリットを設けている(例えば、領域“7a”には、半導体素子4の短辺側のバンプ電極4aが含まれている)。   The illustrated slit 8 is formed corresponding to an example in which the heat radiating material 7 extends particularly in the long side direction by a heating process such as thermocompression bonding or resin curing. Many slits are provided radially on the side. More specifically, as shown in FIG. 4 (b), areas 7a, 7b, 7c, 7d (not shown) are formed in the heat dissipating material 7, and each of the areas is formed. A slit is provided in the region so that the bump electrode 4a on one side of the semiconductor element 4 is included (for example, the region “7a” includes the bump electrode 4a on the short side of the semiconductor element 4). .

また、図示したスリット8は、上記第1スリットとしてのスリット8a(図4(b))を有している。スリット8aと、スリット8aに最も近接する半導体素子4の短辺にあるバンプ端面との水平方向の距離(図4(b)中の“d2”)は、0.5mmとしている。また、図示したスリット8は、図4(a)に示すように、放熱性を考慮して、放熱材7を分離しないように切れ目を有して形成されていてもよく、あるいは、図4(c)に示すように、放熱材7を分離するように形成されていてもよい。   The illustrated slit 8 has a slit 8a (FIG. 4B) as the first slit. The horizontal distance (“d2” in FIG. 4B) between the slit 8a and the bump end face on the short side of the semiconductor element 4 closest to the slit 8a is 0.5 mm. Further, the illustrated slit 8 may be formed with a cut so as not to separate the heat radiating material 7 in consideration of heat dissipation, as shown in FIG. As shown to c), you may form so that the thermal radiation material 7 may be isolate | separated.

また、スリット8は、その幅が0.02mm以上1.0mm以下であることが好ましい。この構成により、スリット8を小さく形成して放熱材7の放熱性を損わせず、配線の変形もしくは断線を防止することができる。本実施形態では、0.05mmで形成している。スリット8の形成方法は、一般的なエッチングである。   Moreover, it is preferable that the width | variety of the slit 8 is 0.02 mm or more and 1.0 mm or less. With this configuration, it is possible to prevent the wiring from being deformed or disconnected without damaging the heat dissipation of the heat dissipation material 7 by forming the slit 8 small. In this embodiment, it is formed with 0.05 mm. The formation method of the slit 8 is general etching.

以上説明したスリット8の位置および形状はあくまでも単なる一例に過ぎない。放熱材の伸びは、上記熱圧着を行うための装置(図7(a)で示したステージ115および加熱ツール117)と放熱板との形状および大きさの違いによって固定できない箇所が存在することにより起こるものであるから(また、この現象は、樹脂封止後の樹脂硬化などの加熱プロセスにおいても同様のことが起こる可能性がある)、その形態は多岐にわたる。よって、その放熱板の伸びを回避するためのスリットの位置および形状も多岐にわたる。   The position and shape of the slit 8 described above are merely examples. The expansion of the heat radiating material is due to the presence of locations that cannot be fixed due to differences in the shape and size of the heat radiating plate (the stage 115 and the heating tool 117 shown in FIG. 7A) and the heat radiating plate. Since this occurs (and this phenomenon may occur in a heating process such as resin curing after resin sealing), the forms vary. Therefore, the positions and shapes of the slits for avoiding the extension of the heat radiating plate are various.

〔実施の形態3〕
本発明のさらに他の実施形態について図5を用いて説明すると以下の通りである。
[Embodiment 3]
Still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図5は、本実施形態に係るCOF10bを示しており、図5(a)はその裏面を、図5(b)は図5(a)中の“e”の領域を拡大して示している。なお、説明の便宜上、COF10aの部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。また、基本的にCOF10,10aと異なる点についてのみ説明する。   FIG. 5 shows the COF 10b according to the present embodiment, FIG. 5 (a) shows the back surface thereof, and FIG. 5 (b) shows an enlarged view of a region “e” in FIG. 5 (a). . For convenience of explanation, members having the same functions as those of the members of the COF 10a are assigned the same member numbers, and description thereof is omitted. In addition, only differences from the COF 10, 10a will be basically described.

COF10bは、COF10aの構成に対し、放熱材7の長辺側に、放熱材9a,9bからなる放熱材(第2放熱部材)9を放熱材7に接触させてさらに設けている。放熱材9は、放熱材7と同様な構成(材料、厚み、その範囲など)で形成することができるが、その形状が異なっている。   The COF 10 b is further provided with a heat dissipating material (second heat dissipating member) 9 composed of the heat dissipating materials 9 a and 9 b in contact with the heat dissipating material 7 on the long side of the heat dissipating material 7 with respect to the configuration of the COF 10 a. The heat dissipating material 9 can be formed with the same configuration (material, thickness, range thereof, etc.) as the heat dissipating material 7, but the shape is different.

放熱材9は、図5(b)に示すように、複数の正方形状の開口部fが、隣接する開口部fと一定の距離を保ちつつ、縦横に配列されている構造である。開口部fは、その一辺が50μm以上200μm以下であるとともに、隣接する開口部fと50μm以上200μm以下の距離をおいて配列されていることが好ましい。また、開口部fは、その一辺が、放熱材9の長辺方向の辺となす角度が35°以上55°以下の線分と平行となるように配列されていることが好ましい。本実施形態では、開口部fの一辺および隣接する開口部fとの距離をそれぞれ100μmとするとともに、上記角度を45°としている。   As shown in FIG. 5B, the heat dissipating material 9 has a structure in which a plurality of square-shaped openings f are arranged vertically and horizontally while maintaining a certain distance from the adjacent openings f. The opening f is preferably arranged with a side of 50 μm or more and 200 μm or less and a distance of 50 μm or more and 200 μm or less from the adjacent opening f. Moreover, it is preferable that the opening f is arranged so that one side thereof is parallel to a line segment having an angle of 35 ° or more and 55 ° or less with a side in the long side direction of the heat dissipation material 9. In the present embodiment, the distance between one side of the opening f and the adjacent opening f is 100 μm, and the angle is 45 °.

また、放熱材9は、その横幅は、放熱材7の横幅と同様に設定し、その縦方向の各端部の位置は、ソルダーレジスト3の絶縁フィルム1の裏面における端部に相当する位置から0.5mm以上内側に設定されていることが好ましい。本実施形態では、放熱材9の横幅は、放熱材7の横幅7Bと同一とし、縦方向の各端部の位置(9aA,9bA)はソルダーレジスト3の絶縁フィルム1の裏面における(図5(a)中の“3a”)端部に相当する位置からそれぞれ0.5mm,0.5mmとしている(図5(a)中の“da3”,“db3”)。以上のような放熱材9の形成は、放熱材7と同時に一般的なスパッタ、フォトリソグラフィ、エッチング等によって行っている。   Moreover, the horizontal width of the heat dissipating material 9 is set in the same manner as the horizontal width of the heat dissipating material 7, and the position of each end in the vertical direction is from the position corresponding to the end on the back surface of the insulating film 1 of the solder resist 3. It is preferable to set the inner side 0.5 mm or more. In the present embodiment, the width of the heat dissipating material 9 is the same as the width 7B of the heat dissipating material 7, and the positions (9aA, 9bA) of the end portions in the vertical direction are on the back surface of the insulating film 1 of the solder resist 3 (FIG. “3a” in a) and 0.5 mm and 0.5 mm respectively from the position corresponding to the end (“da3” and “db3” in FIG. 5A). The formation of the heat dissipation material 9 as described above is performed simultaneously with the heat dissipation material 7 by general sputtering, photolithography, etching, or the like.

以上の構成により、COF10bは、COF10aと比較して、放熱材の領域を増加させることができる。また、放熱材9は、開口部fを有しており、全体的に放熱材が設けられている放熱材7と比較して、折り曲げが容易である。すなわち、COF10bは、COF10aと比較して、折り曲げ性を確保しつつ、放熱性をより向上させることができる。また、放熱材9の開口部fを上述のような角度をもたせて配列することにより、熱膨張による伸びを抑えることができる。   With the above configuration, the COF 10b can increase the area of the heat dissipation material as compared with the COF 10a. Moreover, the heat radiating material 9 has the opening part f, and it is easy to bend | fold compared with the heat radiating material 7 with which the heat radiating material is provided in the whole. That is, the COF 10b can further improve the heat dissipation while securing the bendability as compared with the COF 10a. Further, by arranging the openings f of the heat dissipating material 9 at an angle as described above, elongation due to thermal expansion can be suppressed.

なお、放熱材9は、以上のような構成に限られるわけではなく、開口部fが円状であっても同様な効果を享受することができる。この場合、円状の開口部の直径が50μm以上200μm以下であるとともに、隣接する開口部と50μm以上200μm以下の距離をおいて配列されていることが好ましい。   The heat dissipating material 9 is not limited to the above configuration, and the same effect can be obtained even if the opening f is circular. In this case, it is preferable that the diameters of the circular openings are 50 μm or more and 200 μm or less and are arranged at a distance of 50 μm or more and 200 μm or less from the adjacent openings.

〔実施の形態4〕
本発明のさらに他の実施形態について図6を用いて説明すると以下の通りである。
[Embodiment 4]
Still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態に係るCOF10cは、実施の形態1に示したCOF10と同様な構造を有しており、さらにそれに加えて、絶縁フィルム1の一方の面における第2開口部o2と対向する位置に、ダミー配線15を備えている。   The COF 10c according to the present embodiment has the same structure as the COF 10 shown in the first embodiment, and in addition to that, at a position facing the second opening o2 on one surface of the insulating film 1, A dummy wiring 15 is provided.

図6は、本実施形態に係るCOF10cを示しており、図6(a)は図1(a)に示したCOF10の“a”の領域に対応する領域を拡大して示しており、特にダミー配線15を示している。また、図6(b)〜図6(d)は同じく上記“a”の領域に対応する領域を拡大して示しており、特にダミー配線15の変形例を示している。なお、説明の便宜上、COF10の部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。また、基本的にCOF10と異なる点についてのみ、すなわちダミー配線についてのみ説明する。   FIG. 6 shows a COF 10c according to the present embodiment, and FIG. 6A shows an enlarged region corresponding to the “a” region of the COF 10 shown in FIG. The wiring 15 is shown. 6 (b) to 6 (d) similarly show an enlarged region corresponding to the region "a", and particularly show a modification of the dummy wiring 15. FIG. For convenience of explanation, members having the same functions as those of the members of the COF 10 are assigned the same member numbers, and explanations thereof are omitted. Only the points that are fundamentally different from the COF 10, that is, only dummy wiring will be described.

ダミー配線15は、図6(a)に示すように、正方形状で、かつ、その正方形が、半導体素子4の位置合わせ用マーク状で、かつ、当該位置合わせ用マークよりやや大きく刳り貫かれている形状を有している。そのサイズは、第2開口部o2の大きさおよび半導体素子4の位置合わせ用マークの大きさから相対的に定まるが、本実施形態では、開口部o2が、正方形状であって、その一辺が116umであり、半導体素子4の位置合わせ用マークのサイズが96um(実施の形態1参照)であるから、一辺を106umとしている。また、図6(a)中の“d4”は5umとしている。ダミー配線15は、配線2の形成時に共に形成される。その形成方法としては、公知のメッキ法を用いて銅膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ法を用いて整形するが、当該フォトリソグラフィ時に同一のマスクを用いて形成される。配線2とダミー配線15とは、電気的に接続されていない。   As shown in FIG. 6A, the dummy wiring 15 has a square shape, and the square is in the shape of an alignment mark for the semiconductor element 4 and is slightly larger than the alignment mark. It has a shape. The size is relatively determined from the size of the second opening o2 and the size of the alignment mark of the semiconductor element 4, but in this embodiment, the opening o2 has a square shape and one side thereof is Since the size of the alignment mark of the semiconductor element 4 is 96 μm (see Embodiment 1), one side is 106 μm. Further, “d4” in FIG. 6A is set to 5 μm. The dummy wiring 15 is formed together when the wiring 2 is formed. As a formation method thereof, a copper film is formed using a known plating method, and then shaped using a known photolithography method. However, it is formed using the same mask during the photolithography. The wiring 2 and the dummy wiring 15 are not electrically connected.

ダミー配線15は、上述のように配線2の形成時に同一のマスクを用いて形成されるため、ダミー配線15と半導体素子4の位置合わせ用マークとの位置関係を第2開口部o2から観察することで、具体的には、図6(a)に示すように、ダミー配線15の刳り貫き部分に一定距離(上記“d4”の距離)を保って上記位置合わせ用マークを観察できることで、半導体素子4と配線2とが位置ずれなく接合されるよう配置されていることを(上記(1))確認できる機能を有するものである。したがって、ダミー配線15は、配線2と半導体素子4との配置が適切であれば、ダミー配線15の刳り貫き部分に一定距離(上記“d4”の距離)を保って上記位置合わせ用マークを観察できるように形成されている。このダミー配線15により、COF10のように、第2開口部o2から上記位置合わせ用マークを観察できることにより半導体素子4と配線2との配置が適切であることを確認することより、より高い精度で当該確認を行うことができる。   Since the dummy wiring 15 is formed using the same mask when the wiring 2 is formed as described above, the positional relationship between the dummy wiring 15 and the alignment mark of the semiconductor element 4 is observed from the second opening o2. Specifically, as shown in FIG. 6A, the alignment mark can be observed while maintaining a certain distance (distance of “d4”) in the perforated portion of the dummy wiring 15, so that the semiconductor The device 4 has a function of confirming that the element 4 and the wiring 2 are arranged so as to be joined without displacement ((1) above). Therefore, when the wiring 2 and the semiconductor element 4 are properly arranged, the dummy wiring 15 observes the alignment mark while maintaining a certain distance (the distance “d4”) in the penetration portion of the dummy wiring 15. It is formed to be able to. With this dummy wiring 15, like the COF 10, the alignment mark can be observed from the second opening o 2, thereby confirming that the arrangement of the semiconductor element 4 and the wiring 2 is appropriate. The confirmation can be performed.

なお、ダミー配線15の形状は、上述したものに限られるわけではなく、上記“d4”の距離を確保せず、上記位置合わせ用マークのサイズと同じサイズで刳り貫かれている形状としてもよい。この場合、ダミー配線15の刳り貫き部分と上記位置合わせ用マークとが一致していることを観察できることにより、半導体素子4と配線2との配置が適切であることを確認できる。また、本実施形態では、COF10cはCOF10と同様な構造を有しているとしたが、開口部o2を設けていれば、実施の形態2,3に示したCOF10a,10bと同様な構造を有していてもよいことは言うまでもない。   Note that the shape of the dummy wiring 15 is not limited to that described above, and the distance “d4” may not be secured, and the dummy wiring 15 may be formed in the same size as the alignment mark. . In this case, it can be confirmed that the arrangement of the semiconductor element 4 and the wiring 2 is appropriate by observing that the punched portion of the dummy wiring 15 and the alignment mark coincide with each other. In the present embodiment, the COF 10c has the same structure as the COF 10. However, if the opening o2 is provided, the COF 10c has the same structure as the COF 10a, 10b described in the second and third embodiments. Needless to say, you can do it.

次に、ダミー配線15の変形例について図6(b)〜図6(d)を参照して説明する。   Next, modified examples of the dummy wiring 15 will be described with reference to FIGS. 6B to 6D.

図6(b)に示すダミー配線15aは、正方形状で、かつ、その一辺が上記位置合わせ用マークにおける“d3”(図1(a)参照)よりも小さく、配線2と半導体素子4との配置が適切であれば、ダミー配線15aの中心と上記位置合わせ用マークの中心とが略一致するように形成されている。ダミー配線15aは、ダミー配線15aの中心と上記位置合わせ用マークの中心とが略一致していることを観察できることより、半導体素子4と配線2との配置が適切であることを確認できる。   The dummy wiring 15a shown in FIG. 6B has a square shape and one side thereof is smaller than “d3” (see FIG. 1A) in the alignment mark, and the wiring 2 and the semiconductor element 4 are connected to each other. If the arrangement is appropriate, the center of the dummy wiring 15a and the center of the alignment mark are formed so as to substantially coincide with each other. Since the dummy wiring 15a can be observed that the center of the dummy wiring 15a is substantially coincident with the center of the alignment mark, it can be confirmed that the semiconductor element 4 and the wiring 2 are appropriately arranged.

また、図6(c)に示すダミー配線15bは、上記位置合わせ用マークの中心に対し、それぞれ点対称となるように4つの配線が上記位置合わせ用マークの周囲に配置されているものであり、これら4つの配線の延長線が交差する点が上記位置合わせ用マークの中心と略一致していることを観察できることより、半導体素子4と配線2との配置が適切であることを確認できる。   In addition, the dummy wiring 15b shown in FIG. 6C has four wirings arranged around the alignment mark so as to be point-symmetric with respect to the center of the alignment mark. It can be confirmed that the arrangement of the semiconductor element 4 and the wiring 2 is appropriate by observing that the point where the extended lines of these four wirings intersect with the center of the alignment mark.

また、図6(d)に示すダミー配線15cは、上記位置合わせ用マークも共にL字状に形成するとともに、配線2と半導体素子4との配置が適切であれば、位置合わせ用マークとダミー配線15cとで囲んだ領域が略正方形状となるように、換言すれば、任意の線もしくは点に対し、位置合わせ用マークとダミー配線15cとが線対称もしくは点対称となるように形成されている。ダミー配線15cは、位置合わせ用マークとダミー配線15cとで囲んだ領域が正方形状となることを観察できることより、換言すれば、任意の線もしくは点に対し、位置合わせ用マークとダミー配線15cとが線対称もしくは点対称となることを観察できることより、半導体素子4と配線2との配置が適切であることを確認できる。   Further, in the dummy wiring 15c shown in FIG. 6D, the alignment mark is also formed in an L shape, and the alignment mark and the dummy are arranged if the arrangement of the wiring 2 and the semiconductor element 4 is appropriate. In other words, the alignment mark and the dummy wiring 15c are formed so as to be line-symmetric or point-symmetric with respect to an arbitrary line or point so that the region surrounded by the wiring 15c has a substantially square shape. Yes. Since the dummy wiring 15c can be observed to have a square shape in the area surrounded by the alignment mark and the dummy wiring 15c, in other words, the alignment mark and the dummy wiring 15c can be connected to any line or point. Can be observed that the semiconductor element 4 and the wiring 2 are appropriately arranged.

このように、ダミー配線は、外観を見ただけで上記位置合わせ用マークとの位置関係が分かるものが好ましい。なお、ダミー配線の構成は以上の例に限られるわけではなく、他には例えば位置合わせ用マークと同一の形状として、それらが重なったことにより半導体素子4と配線2との配置が適切であることを確認する構成としてもよい。また、絶縁フィルム1と半導体素子4を接合する際に、いずれかまたはどちらもが熱等により膨張・収縮する場合にはその膨張量・収縮量を考慮に入れて上記位置合わせ用マークあるいはダミー配線を配置することが好ましい。   As described above, it is preferable that the dummy wiring has a positional relationship with the alignment mark only by looking at the appearance. Note that the configuration of the dummy wiring is not limited to the above example. Other than that, for example, the same shape as the alignment mark is used, and the arrangement of the semiconductor element 4 and the wiring 2 is appropriate due to their overlapping. It is good also as a structure which confirms this. When either or both of the insulating film 1 and the semiconductor element 4 are expanded or contracted by heat or the like, the alignment mark or the dummy wiring is taken into consideration when the expansion or contraction is taken into consideration. Is preferably arranged.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、裏面に放熱材を有したCOFに好適に用いることができ、上記裏面から半導体装置の状態を観察することを可能として品質・製造工程管理を行えるとともに、上記放熱材の熱膨張を緩和して配線の変形もしくは断線を防止することができる。   The present invention can be suitably used for a COF having a heat dissipating material on the back surface, can observe the state of the semiconductor device from the back surface, can perform quality / manufacturing process control, and can perform the thermal expansion of the heat dissipating material. It can be relaxed to prevent deformation or disconnection of the wiring.

本発明の一実施形態に係るCOFを示しており、(a)はその裏面の平面図であり、(b)は図1(a)中の“a”の領域の拡大図である。1A and 1B show a COF according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view of the back surface thereof, and FIG. 1B is an enlarged view of a region “a” in FIG. 図1に示したCOFを用いた表示装置の一部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a part of display apparatus using COF shown in FIG. 放熱材の厚みと放熱材を備えた図1に示したCOFの温度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the thickness of a thermal radiation material, and the temperature of COF shown in FIG. 1 provided with the thermal radiation material. 本発明の他の実施形態に係るCOFを示しており、(a)および(c)はその裏面の平面図であり、(b)は図4(a)および図4(c)中の“c”の領域の拡大図である。FIGS. 4A and 4B show a COF according to another embodiment of the present invention, in which FIGS. 4A and 4C are plan views of the back surface, and FIG. 4B is a diagram “c” in FIGS. FIG. 本発明のさらに他の実施形態に係るCOFを示しており、(a)はその裏面の平面図であり、(b)は図5(a)中の“e”の領域の拡大図である。10A and 10B show a COF according to still another embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a plan view of the back surface thereof, and FIG. 5B is an enlarged view of a region “e” in FIG. 本発明のさらに他の実施形態に係るCOFを示しており、(a)〜(d)は図1に示した“a”の領域に対応する領域の拡大図である。10 shows a COF according to still another embodiment of the present invention, wherein (a) to (d) are enlarged views of a region corresponding to the region “a” shown in FIG. 1. 従来技術に係るCOFを示しており、(a)はその断面図であり、(b)は半導体素子のバンプ電極が設けられた面の平面図である。1A and 1B show a COF according to a conventional technique, in which FIG. 1A is a cross-sectional view thereof, and FIG. 1B is a plan view of a surface provided with bump electrodes of a semiconductor element.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁フィルム
1c 打ち抜き部分
2 配線
3、3a ソルダーレジスト
4 半導体素子
7 放熱材(第1放熱部材)
8 スリット
9、9a、9b 放熱材(第2放熱部材)
10、10a、10b COF(半導体装置)(表示装置駆動モジュール)
15、15a、15b、15c ダミー配線
30 表示装置
o1 開口部(第1開口部)
o2 開口部(第2開口部)
L1、L2 中心線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating film 1c Punching part 2 Wiring 3, 3a Solder resist 4 Semiconductor element 7 Heat dissipation material (1st heat dissipation member)
8 Slit 9, 9a, 9b Heat dissipation material (second heat dissipation member)
10, 10a, 10b COF (semiconductor device) (display device drive module)
15, 15a, 15b, 15c Dummy wiring 30 Display device o1 Opening (first opening)
o2 opening (second opening)
L1, L2 center line

Claims (21)

絶縁フィルムと、
上記絶縁フィルムの一方の面に設けられた配線と、
上記配線と接合されている半導体素子と、
上記半導体素子近傍に充填された封止樹脂と、
上記絶縁フィルムの一方の面とは反対の面に設けられた放熱部材とを備えている半導体装置において、
上記放熱部材を第1放熱部材として備え、上記第1放熱部材に、上記絶縁フィルムまで貫通する孔であり、上記絶縁フィルムを介して上記絶縁フィルムの一方の面における半導体装置の状態を観察することを可能とする開口部を備え、
上記配線は上記開口部に相当する位置には設けられていないことを特徴とする半導体装置。
An insulating film;
Wiring provided on one surface of the insulating film;
A semiconductor element bonded to the wiring;
A sealing resin filled in the vicinity of the semiconductor element;
In a semiconductor device comprising a heat dissipating member provided on a surface opposite to one surface of the insulating film,
The heat dissipating member is provided as a first heat dissipating member, and the first heat dissipating member is a hole penetrating to the insulating film, and the state of the semiconductor device on one surface of the insulating film is observed through the insulating film. With an opening that allows
The semiconductor device is characterized in that the wiring is not provided at a position corresponding to the opening.
上記開口部は、第1開口部として上記第1放熱部材における上記半導体素子の中央部分に相当する位置に、第2開口部として上記第1放熱部材における上記半導体素子の位置合わせ用マーク部分に相当する位置に、もしくはその双方の位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   The opening corresponds to a position corresponding to a central portion of the semiconductor element in the first heat dissipation member as a first opening, and corresponds to a mark portion for alignment of the semiconductor element in the first heat dissipation member as a second opening. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided at a position where the two or both of the two are located. 上記開口部として、上記第2開口部が、もしくは上記第1開口部および上記第2開口部が設けられており、
上記絶縁フィルムの一方の面における上記第2開口部と対向する位置に、上記配線と同一の層に同一のマスクを用いて形成された、上記配線とは電気的に接続されていないダミー配線が設けられ、
上記ダミー配線は、上記第2開口部を介して上記ダミー配線と上記半導体素子の位置合わせ用マークとの位置関係を確認することに用いられることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
As the opening, the second opening, or the first opening and the second opening are provided,
A dummy wiring that is formed in the same layer as the wiring using the same mask at a position facing the second opening on one surface of the insulating film and is not electrically connected to the wiring. Provided,
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the dummy wiring is used for confirming a positional relationship between the dummy wiring and the alignment mark of the semiconductor element through the second opening.
上記第1開口部は、その縦幅が上記半導体素子の縦幅−0.1mm以下であり、その横幅が上記半導体素子の横幅−0.1mm以下であり、
上記第2開口部は、その縦幅が0.05mm以上0.15mm以下であり、その横幅が0.05mm以上0.15mm以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。
The first opening has a vertical width of -0.1 mm or less of the semiconductor element, a horizontal width of the semiconductor element -0.1 mm or less,
4. The semiconductor device according to claim 2, wherein the second opening has a vertical width of 0.05 mm to 0.15 mm and a horizontal width of 0.05 mm to 0.15 mm. .
上記第1放熱部材にスリットを設けていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 2, wherein a slit is provided in the first heat radiating member. 上記スリットは、上記第1放熱部材における上記半導体素子およびその周辺に相当する位置に、上記半導体素子の中心線に対し線対称となるように設けられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。   The said slit is provided in the position corresponded to the said semiconductor element and its periphery in the said 1st heat radiating member so that it may become line symmetrical with respect to the centerline of the said semiconductor element. Semiconductor device. 上記第1放熱部材は、上記絶縁フィルムの反対の面における上記半導体素子およびその周辺に相当する位置のみに設けられていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 6, wherein the first heat radiating member is provided only at a position corresponding to the semiconductor element and its periphery on the opposite surface of the insulating film. 上記第1放熱部材の周辺に、上記第1放熱部材に接触させて第2放熱部材をさらに設け、
上記第2放熱部材は、正方形状もしくは円状の、上記絶縁フィルムまで貫通する孔である開口部を複数有し、
上記開口部は、隣接する開口部と一定の距離を保ちつつ、縦横に配列されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
Around the first heat radiating member, a second heat radiating member is further provided in contact with the first heat radiating member,
The second heat radiating member has a plurality of openings that are square or circular and are holes that penetrate to the insulating film,
8. The semiconductor device according to claim 7, wherein the openings are arranged vertically and horizontally while maintaining a certain distance from adjacent openings.
上記第2放熱部材の正方形状の開口部は、その一辺が50μm以上200μm以下であるとともに、隣接する開口部と50μm以上200μm以下の距離をおいて配列され、
上記第2放熱部材の円状の開口部は、その直径が50μm以上200μm以下であるとともに、隣接する開口部と50μm以上200μm以下の距離をおいて配列されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
The square openings of the second heat radiating member have one side of 50 μm or more and 200 μm or less, and are arranged with a distance of 50 μm or more and 200 μm or less from the adjacent opening,
9. The circular opening of the second heat radiating member has a diameter of 50 μm or more and 200 μm or less, and is arranged with a distance of 50 μm or more and 200 μm or less from an adjacent opening. A semiconductor device according to 1.
上記第2放熱部材の正方形状の開口部は、その一辺が、上記第2放熱部材の横方向の辺となす角度が35°以上55°以下の線分と平行となるように配列され、
上記第2放熱部材の円状の開口部は、上記正方形状の開口部が設けられている位置に配列されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
The square-shaped opening of the second heat radiating member is arranged so that one side thereof is parallel to a line segment having an angle of 35 ° or more and 55 ° or less with a lateral side of the second heat radiating member,
10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the circular openings of the second heat radiating member are arranged at positions where the square openings are provided.
上記半導体装置は、上記絶縁フィルムおよび上記配線の一部を覆うように設けられたレジストをさらに備え、
上記第2放熱部材は、その横幅は、上記第1放熱部材の横幅と同一とし、その縦方向の各端部の位置は、上記レジストの上記絶縁フィルムの反対の面における端部に相当する位置から0.5mm以上内側に設定されていることを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の半導体装置。
The semiconductor device further includes a resist provided to cover the insulating film and part of the wiring,
The width of the second heat radiating member is the same as the width of the first heat radiating member, and the position of each end in the vertical direction corresponds to the end of the resist on the opposite surface of the insulating film. The semiconductor device according to claim 8, wherein the semiconductor device is set to an inner side of 0.5 mm or more.
上記第1放熱部材の縦幅は、上記半導体装置を折り曲げて使用する際のその折り曲げ禁止範囲の縦幅−0.5mm以上、上記折り曲げ禁止範囲の縦幅+0.5mm以下の間で設定されることを特徴とする請求項7〜11のいずれか一項に記載の半導体装置。   The vertical width of the first heat radiating member is set between a vertical width of the forbidden range of −0.5 mm or more and a vertical width of the forbidden range of +0.5 mm or less when the semiconductor device is bent and used. The semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor device is a semiconductor device. 上記第1放熱部材の横幅は、上記半導体装置の打ち抜き部分の横方向の両端からそれぞれ0.5mm以上間隔を設けて設定されることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。   13. The semiconductor device according to claim 12, wherein the lateral width of the first heat radiating member is set at intervals of 0.5 mm or more from both lateral ends of the punched portion of the semiconductor device. 上記スリットは、上記半導体素子の一辺に平行な第1スリットを有し、上記第1スリットと、上記第1スリットに最も近接する上記半導体素子の一辺にあるバンプ端面との水平方向の距離が、0.1mm以上2.0mm以下であることを特徴とする請求項5〜13のいずれか一項に記載の半導体装置。   The slit has a first slit parallel to one side of the semiconductor element, and a horizontal distance between the first slit and a bump end surface on one side of the semiconductor element closest to the first slit is: It is 0.1 mm or more and 2.0 mm or less, The semiconductor device as described in any one of Claims 5-13 characterized by the above-mentioned. 上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材は、熱伝導率が10W/(m・K)以上の材料によって形成されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor according to claim 1, wherein the first heat radiating member or each heat radiating member is made of a material having a thermal conductivity of 10 W / (m · K) or more. apparatus. 上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材は、銅、アルミニウム、もしくはSUSによって形成されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the first heat radiating member or each heat radiating member is made of copper, aluminum, or SUS. 上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材は、その厚みが、5μm以上30μm以下であることを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the first heat radiating member or each heat radiating member has a thickness of 5 μm to 30 μm. 上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材の表面には、放熱部材とは別の材料がメッキもしくはコーティングされていることを特徴とする請求項1〜17のいずれか一項に記載の半導体装置。   18. The semiconductor device according to claim 1, wherein a surface of the first heat radiating member or each heat radiating member is plated or coated with a material different from the heat radiating member. 上記第1放熱部材に設けられたスリットの幅は、0.02mm以上1.0mm以下であることを特徴とする請求項4〜18のいずれか一項に記載の半導体装置。   19. The semiconductor device according to claim 4, wherein a width of the slit provided in the first heat radiating member is 0.02 mm or greater and 1.0 mm or less. 上記半導体素子と上記第1放熱部材もしくは上記各放熱部材との垂直方向の距離は、0.1mm以下であることを特徴とする請求項1〜19のいずれか一項に記載の半導体装置。   20. The semiconductor device according to claim 1, wherein a vertical distance between the semiconductor element and the first heat radiating member or each heat radiating member is 0.1 mm or less. 請求項1〜20のいずれか一項に記載の半導体装置を、表示装置を駆動するための表示装置駆動モジュールとして備えていることを特徴とする表示装置。   21. A display device comprising the semiconductor device according to claim 1 as a display device driving module for driving the display device.
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