JP2009182152A - Pressure contact thyristor module for high electric power - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the vertical dimension of a pressure contact thyristor module for high electric power. <P>SOLUTION: A heat sink 1, insulation plate 11, common bar 12, spacer 181, thyristor chip 113, spacer 183, 24 and cathode terminal bar 18 are pressure contacted in the vertical direction by a pressure contact means 19. The square thyristor chip 113 is used and the square spacers 181, 183 are made smaller than the thyristor chip 113. The spacers 181, 183 are surrounded by insulating holders 182, 184. A coil part 15a of a coil spring type gate electrode signal line 15 disposed on a gate electrode 113b of the thyristor chip 113 and a spacer 14 are insulated by insulating gate spacer 316, 317. A part 15b of the coil spring type gate electrode signal line 15 stretched to the horizontal direction is insulatively coated and is held in a holding groove 14b of the spacer 14. The root part 15b2 of the part 15b stretched to horizontal direction is held between the insulating gate spacers 316, 317. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、アノード端子バーおよびカソード端子バーが例えばネジのような圧接手段によってサイリスタチップに対して圧接された圧接型大電力用サイリスタモジュールに関し、特には、半田を用いる必要なく、サイリスタチップのゲート電極とゲート電極信号線との電気接続の信頼性を向上させつつ、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の上下方向寸法を小型化することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールに関する。   The present invention relates to a pressure contact type high power thyristor module in which an anode terminal bar and a cathode terminal bar are pressed against a thyristor chip by a pressure contact means such as a screw, and in particular, without using solder, the gate of the thyristor chip. The present invention relates to a pressure contact type high power thyristor module capable of reducing the vertical dimension of the entire pressure contact type high power thyristor module while improving the reliability of electrical connection between an electrode and a gate electrode signal line.

更に、本発明は、コイルバネ型ゲート電極信号線の上端とカソード端子バーとが短絡してしまうおそれを回避し、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の組立性を向上させ、圧接型大電力用サイリスタモジュールの稼動中にサイリスタチップのゲート電極とコイルバネ型ゲート電極信号線との電気接続の信頼性が低下してしまうおそれを低減することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールに関する。   Furthermore, the present invention avoids the possibility that the upper end of the coil spring type gate electrode signal line and the cathode terminal bar are short-circuited, improves the assembly of the entire pressure contact type high power thyristor module, and makes the pressure contact type high power thyristor. The present invention relates to a pressure contact type high power thyristor module that can reduce the possibility that the reliability of electrical connection between a gate electrode of a thyristor chip and a coil spring type gate electrode signal line is lowered during operation of the module.

従来から、アノード端子バーおよびカソード端子バーが例えばネジのような圧接手段によってサイリスタチップに対して圧接された圧接型大電力用サイリスタモジュールが知られている。この種の圧接型大電力用サイリスタモジュールの例としては、例えば特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたものがある。   Conventionally, a pressure contact type high power thyristor module in which an anode terminal bar and a cathode terminal bar are pressed against a thyristor chip by a pressure contact means such as a screw is known. Examples of this type of pressure contact type high power thyristor module include those described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, for example.

特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、放熱板（ベースプレート）上に絶縁板が配置され、カソード端子バーとしての機能を兼ね備えたアノード端子バーが、絶縁板上に配置されている。更に、下面にアノード電極を有し、上面の中心部分にゲート電極を有し、そのゲート電極の周りにカソード電極を有するサイリスタチップが、アノード端子バー上に配置されている。   In the pressure contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, an anode terminal having a function as a cathode terminal bar having an insulating plate disposed on a heat radiating plate (base plate) A bar is disposed on the insulating plate. Further, a thyristor chip having an anode electrode on the lower surface, a gate electrode in the center of the upper surface, and a cathode electrode around the gate electrode is disposed on the anode terminal bar.

また、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップのカソード電極上に環状の導電性カソードスペーサ（金属成形体）が配置され、サイリスタチップのゲート電極上にコイルバネ型ゲート電極信号線（コンタクトバネ）が配置されている。更に、環状の導電性カソードスペーサ（金属成形体）とコイルバネ型ゲート電極信号線（コンタクトバネ）とを絶縁するための筒状の絶縁性ゲートスペーサ（絶縁材料スリーブ）が、環状の導電性カソードスペーサ（金属成形体）とコイルバネ型ゲート電極信号線（コンタクトバネ）との間に配置されている。また、導電性カソードスペーサ（金属成形体）上にカソード端子バー（電気接続要素）が配置され、それらが圧接手段（押圧コンタクト装置）によって上下方向に圧接されている。   Moreover, in the press contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, an annular conductive cathode spacer (metal molded body) is disposed on the cathode electrode of the thyristor chip, A coil spring type gate electrode signal line (contact spring) is disposed on the gate electrode of the thyristor chip. Further, a cylindrical insulating gate spacer (insulating material sleeve) for insulating the annular conductive cathode spacer (metal molded body) from the coil spring type gate electrode signal line (contact spring) is an annular conductive cathode spacer. It is arranged between the (metal molded body) and the coil spring type gate electrode signal line (contact spring). Further, a cathode terminal bar (electrical connection element) is disposed on the conductive cathode spacer (metal formed body), and they are pressed in the vertical direction by a pressing means (pressing contact device).

詳細には、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、ゲート電極信号線（コンタクトバネ）がコイルバネ型に構成されている。そのため、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、半田を用いる必要なく、サイリスタチップのゲート電極とゲート電極信号線（コンタクトバネ）との電気接続の信頼性を向上させることができる。   Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, the gate electrode signal line (contact spring) is configured in a coil spring type. Therefore, according to the press contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, the gate electrode and the gate electrode signal line (contact spring) of the thyristor chip need not be used. The reliability of electrical connection with can be improved.

ところで、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線の上端に接続されたプラグスリーブが、水平方向に延ばされるのではなく、上下方向に延ばされている。換言すれば、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線の上端に接続されたプラグスリーブが、導電性カソードスペーサ（金属成形体）の上面よりも上側に引き出されている。詳細には、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線の上端に接続されたプラグスリーブが、カソード端子バー（電気接続要素）の上面よりも上側に引き出されている。そのため、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載された圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の上下方向寸法が大型化してしまう。   By the way, in the pressure contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, the plug sleeve connected to the upper end of the coil spring type gate electrode signal line is extended in the horizontal direction. Instead, it is extended vertically. In other words, in the press contact type high power thyristor module described in FIG. 3 to FIG. 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, the plug sleeve connected to the upper end of the coil spring type gate electrode signal line has a conductive cathode spacer. It is drawn above the upper surface of the (metal molded body). Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, the plug sleeve connected to the upper end of the coil spring type gate electrode signal line is connected to the cathode terminal bar ( It is drawn above the upper surface of the electrical connection element). Therefore, in the press contact type high power thyristor module described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883, the vertical dimension of the entire press contact type high power thyristor module is increased.

特開２００６−１１４８８３号公報JP 2006-114883 A

前記問題点に鑑み、本発明は、半田を用いる必要なく、サイリスタチップのゲート電極とゲート電極信号線との電気接続の信頼性を向上させつつ、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の上下方向寸法を小型化することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールを提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention eliminates the need to use solder, and improves the reliability of the electrical connection between the gate electrode and the gate electrode signal line of the thyristor chip, and the vertical dimension of the entire pressure contact type high power thyristor module. It is an object of the present invention to provide a pressure contact type high power thyristor module that can be miniaturized.

更に、本発明は、コイルバネ型ゲート電極信号線の上端とカソード端子バーとが短絡してしまうおそれを回避し、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の組立性を向上させ、圧接型大電力用サイリスタモジュールの稼動中にサイリスタチップのゲート電極とコイルバネ型ゲート電極信号線との電気接続の信頼性が低下してしまうおそれを低減することができる圧接型大電力用サイリスタモジュールを提供することを目的とする。   Furthermore, the present invention avoids the possibility that the upper end of the coil spring type gate electrode signal line and the cathode terminal bar are short-circuited, improves the assembly of the entire pressure contact type high power thyristor module, and makes the pressure contact type high power thyristor. It is an object of the present invention to provide a pressure contact type high power thyristor module that can reduce the risk of the reliability of electrical connection between a gate electrode of a thyristor chip and a coil spring type gate electrode signal line being lowered during operation of the module. To do.

請求項１に記載の発明によれば、絶縁板（１１）を放熱板（１）上に配置し、アノード端子バー（１２）を絶縁板（１１）上に配置し、概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、導電性アノードサブスペーサ（１８１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）とを、アノード端子バー（１２）上に配置し、下面にアノード電極（１１３ａ）を有し、上面の中心部分にゲート電極（１１３ｂ）を有し、ゲート電極（１１３ｂ）の周りにカソード電極（１１３ｃ）を有し、アノードサブスペーサ（１８１）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１１３）を設け、サイリスタチップ（１１３）を導電性アノードサブスペーサ（１８１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、ゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１８３ａ）を有し、サイリスタチップ（１１３）よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）を設け、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを、サイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、ゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（１４）を、導電性カソードサブスペーサ（１８３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の上に配置し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）をゲート電極（１１３ｂ）上に配置し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３１６ｄ）と、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１６ｃ）とを有する環状の絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）を設け、環状の絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）との間に配置し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）を絶縁被覆し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の先端側部分（１５ｂ１）を、導電性カソードスペーサ（１４）の上面に形成された収容溝（１４ｂ）内に収容し、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１７ｃ）を有する円形の絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）を、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）および環状の絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上に配置し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端および水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成された収容溝（３１７ｄ）内に収容し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによって狭持し、カソード端子バー（１８）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）および絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の上に配置し、それらを圧接手段（１９）によって上下方向に圧接したことを特徴とする圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the first aspect of the present invention, the insulating plate (11) is disposed on the heat radiating plate (1), the anode terminal bar (12) is disposed on the insulating plate (11), and the substantially rectangular conductive anode. A sub-spacer (181) and an insulating anode sub-spacer holder (182) surrounding the conductive anode sub-spacer (181) are arranged on the anode terminal bar (12), and an anode electrode (113a) is provided on the lower surface. In addition, the gate electrode (113b) is provided at the center of the upper surface, the cathode electrode (113c) is provided around the gate electrode (113b), and the thyristor chip (113) has a substantially square shape larger than the anode sub-spacer (181). And disposing the thyristor chip (113) on the conductive anode sub-spacer (181) and the insulating anode sub-spacer holder (182). A conductive cathode sub-spacer (183) having a circular hole (183a) at a position facing the first electrode (113b) and having a substantially square shape smaller than the thyristor chip (113) is provided. And an insulating cathode subspacer holder (184) surrounding the conductive cathode subspacer (183) are disposed on the cathode electrode (113c) and the insulating anode subspacer holder (182) of the thyristor chip (113). Then, an annular conductive cathode spacer (14) having a circular hole (14a) at a position facing the gate electrode (113b) is connected to the conductive cathode subspacer (183) and the insulating cathode subspacer holder (184). The coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) disposed on the top A circular hole (316d), which is disposed on the gate electrode (113b) and has a substantially complementary shape to the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15), and a hole of the annular conductive cathode spacer (14) ( 14a) and an annular insulating first gate spacer (316) having an outer peripheral surface (316c) to be fitted, and the annular insulating first gate spacer (316) is connected to the annular conductive cathode spacer (14). The coil spring type gate electrode signal line (15) is arranged between the coil part (15a) and the upper end of the coil part (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) extends in the horizontal direction, and in the horizontal direction. The extended portion (15b) is covered with insulation, and the distal end portion (15b1) of the portion (15b) extended in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line (15) is guided. A circular shape having an outer peripheral surface (317c) which is received in a receiving groove (14b) formed on the upper surface of the conductive cathode spacer (14) and is fitted into a hole (14a) of the annular conductive cathode spacer (14). An insulating second gate spacer (317) is disposed on the coil spring type gate electrode signal line (15) and the annular insulating first gate spacer (316), and a coil portion of the coil spring type gate electrode signal line (15) is provided. The upper end of (15a) and the base side part (15b2) of the part (15b) extended in the horizontal direction are accommodated in the accommodation groove (317d) formed in the lower surface (317b) of the insulating second gate spacer (317). The base side portion (15b2) of the portion (15b) extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line (15) is placed on the upper surface of the insulating first gate spacer (316). 316a) and the ceiling surface (317d1) of the receiving groove (317d) of the insulating second gate spacer (317), and the cathode terminal bar (18) is sandwiched between the annular conductive cathode spacer (14) and the insulating second gate spacer (317). A pressure contact type high power thyristor module is provided, which is disposed on the two gate spacers (317) and pressed in the vertical direction by the pressure contact means (19).

請求項２に記載の発明によれば、概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）の外周面と嵌合する穴（１８２ａ）と、係合突起（１８２ｂ）とを絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）に設け、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）の外周面と嵌合する穴（１８４ａ）と、概略四角形のサイリスタチップ（１１３）の外周面と嵌合する突起（１８４ｂ）と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の係合突起（１８２ｂ）と係合する係合穴（１８４ｃ）とを絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）に設け、導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）と、サイリスタチップ（１１３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを組み立てた状態でアノード端子バー（１２）上に載置したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the second aspect of the present invention, the hole (182a) that engages with the outer peripheral surface of the substantially rectangular conductive anode sub-spacer (181) and the engagement protrusion (182b) are connected to the insulating anode sub-spacer holder ( 182), a hole (184a) that fits with the outer peripheral surface of the substantially square conductive cathode sub-spacer (183), a protrusion (184b) that fits with the outer peripheral surface of the substantially square thyristor chip (113), An engagement hole (184c) that engages with an engagement protrusion (182b) of the insulating anode subspacer holder (182) is provided in the insulating cathode subspacer holder (184), and the conductive anode subspacer (181); Insulating anode subspacer holder (182), thyristor chip (113), conductive cathode subspacer (183), and insulating cathode support Pressure-contact type high power thyristor module according to claim 1, characterized in that it has placed on the anode terminal bar (12) in an assembled state and a spacer holder (184) is provided.

請求項３に記載の発明によれば、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）に形成された係合突起（３１６ｅ）または係合穴が圧入される係合穴（３１７ｅ）または係合突起を絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成し、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）と、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）と、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）とを組み立てた状態で、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）および環状の導電性カソードスペーサ（１４）の収容溝（１４ｂ）の上に載置したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the invention described in claim 3, the engagement protrusion (316e) formed on the upper surface (316a) of the insulating first gate spacer (316) or the engagement hole (317e) into which the engagement hole is press-fitted or The engaging protrusion is formed on the lower surface (317b) of the insulating second gate spacer (317), the coil spring type gate electrode signal line (15), the insulating first gate spacer (316), and the insulating second gate spacer. (317) mounted on the gate electrode (113b) of the thyristor chip (113) and the receiving groove (14b) of the annular conductive cathode spacer (14) in an assembled state. A pressure contact type high power thyristor module according to 1 is provided.

請求項４に記載の発明によれば、アノード端子バー（１２）の外周面、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の外周面、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の外周面、導電性カソードスペーサ（１４）の外周面、および、カソード端子バー（１８）の外周面と嵌合してそれらの芯出しを行うための嵌合部（５１ａ１，５１ａ２，５１ａ３，５１ａ４）を外囲ケース（５１）に設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the fourth aspect of the present invention, the outer peripheral surface of the anode terminal bar (12), the outer peripheral surface of the insulating anode subspacer holder (182), the outer peripheral surface of the insulating cathode subspacer holder (184), the conductive cathode Enclosed cases (51a1, 51a2, 51a3, 51a4) are fitted to the outer peripheral surface of the spacer (14) and the outer peripheral surface of the cathode terminal bar (18) to center them. The press contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 3 is provided.

請求項５に記載の発明によれば、放熱板（１）に冷却水流路（１ａ）を形成し、水冷によって放熱板（１）を冷却したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to invention of Claim 5, the cooling water flow path (1a) was formed in the heat sink (1), and the heat sink (1) was cooled by water cooling, Any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The press contact type high power thyristor module according to one item is provided.

請求項６に記載の発明によれば、サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）、ゲート電極（１１３ｂ）およびカソード電極（１１３ｃ）を約７〜９μｍの厚さでアルミニウム蒸着したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the sixth aspect of the invention, the anode electrode (113a), the gate electrode (113b) and the cathode electrode (113c) of the thyristor chip (113) are vapor-deposited with aluminum to a thickness of about 7 to 9 μm. A pressure contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 5 is provided.

請求項７に記載の発明によれば、加圧板（１９ａ）と、２本のネジ（１９ｂ）と、皿バネ（１９ｃ）と、皿バネ（１９ｃ）を芯出しするために皿バネ（１９ｃ）の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材（１９ｄ）とによって圧接手段（１９）を構成したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the seventh aspect of the invention, the disc spring (19c) is used to center the pressure plate (19a), the two screws (19b), the disc spring (19c), and the disc spring (19c). The pressure contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 6, wherein pressure contact means (19) is constituted by an insulating centering member (19d) fitted to the inner edge of the pressure contact type. Provided.

請求項８に記載の発明によれば、概略球状の凸部（１９ａ１ａ）を有する第１加圧板（１９ａ１）と、凸部（１９ａ１ａ）と嵌合する概略円錐状の穴（１９ａ２ａ）を有する第２加圧板（１９ａ２）と、２本のネジ（１９ｂ）と、皿バネ（１９ｃ）と、皿バネ（１９ｃ）を芯出しするために皿バネ（１９ｃ）の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材（１９ｄ）とによって圧接手段（１９）を構成したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the eighth aspect of the present invention, the first pressure plate (19a1) having a substantially spherical convex portion (19a1a) and the first conical hole (19a2a) having a substantially conical hole to be fitted to the convex portion (19a1a). Insulating centering that fits with the inner edge of the disc spring (19c) to center the two pressure plates (19a2), the two screws (19b), the disc spring (19c), and the disc spring (19c) The pressure contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 6, wherein the pressure contact means (19) is constituted by the member (19d).

請求項９に記載の発明によれば、カソード端子バー（１８）に電極片（３１）を接合し、可撓性のカソード電極信号線（３２）の一端を電極片（３１）にファストンタブ（３３）を介して接続し、カソード電極信号線（３２）の他端を他の電極片（６２）に接続し、他の電極片（６２）を外囲ケース（５１）に担持させたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールが提供される。   According to the ninth aspect of the invention, the electrode piece (31) is joined to the cathode terminal bar (18), and one end of the flexible cathode electrode signal line (32) is fastened to the electrode piece (31). 33), the other end of the cathode electrode signal line (32) is connected to another electrode piece (62), and the other electrode piece (62) is carried on the surrounding case (51). A pressure contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 8 is provided.

請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）が設けられている。そのため、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、半田を用いる必要なく、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）との電気接続の信頼性を向上させることができる。   The pressure contact type high power thyristor module according to claim 1 is provided with a coil spring type gate electrode signal line (15). Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, electrical connection between the gate electrode (113 b) of the thyristor chip (113) and the coil spring type gate electrode signal line (15) is possible without using solder. Reliability can be improved.

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端が水平方向に延ばされ、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）が絶縁被覆され、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）を収容するための収容溝（３１７ｄ，１４ｂ）が、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）および環状の導電性カソードスペーサ（１４）に形成されている。   In the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the upper end of the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) is extended in the horizontal direction and extended in the horizontal direction. The portion (15b) is covered with insulation, and the receiving groove (317d, 14b) for receiving the portion (15b) extending in the horizontal direction has an insulating second gate spacer (317) and an annular conductive cathode. It is formed in the spacer (14).

換言すれば、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端が、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたもののように導電性カソードスペーサの上面よりも上側に引き出されるのではなく、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）および環状の導電性カソードスペーサ（１４）の収容溝（１４ｂ）を介して環状の導電性カソードスペーサ（１４）の側方であって環状の導電性カソードスペーサ（１４）の上面よりも下側に引き出されている。そのため、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたものよりも、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の上下方向寸法を小型化することができる。   In other words, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the upper end of the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) is shown in FIG. 5 is not drawn to the upper side of the upper surface of the conductive cathode spacer, but the receiving groove (317d) of the insulating second gate spacer (317) and the annular conductive cathode spacer (14). It is pulled out below the upper surface of the annular conductive cathode spacer (14) through the accommodation groove (14b), on the side of the annular conductive cathode spacer (14). Therefore, according to the press-contact type high-power thyristor module according to claim 1, the upper and lower sides of the entire press-contact type high-power thyristor module are higher than those described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883. The directional dimension can be reduced.

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）が、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）とカソード端子バー（１８）との間に配置されている。そのため、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端の絶縁被覆されていない部分とカソード端子バー（１８）とが短絡してしまうおそれを回避することができる。   Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the insulating second gate spacer (317) includes the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) and the cathode terminal bar (18). It is arranged between. Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the upper end of the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) and the cathode terminal bar (18) are not covered. The possibility of short circuiting can be avoided.

また、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）および絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）が環状の絶縁性ゲートスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合可能に構成されている。そのため、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）および絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）が環状の絶縁性ゲートスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合可能に構成されていない場合よりも、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）と絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）と環状の絶縁性ゲートスペーサ（１４）との組立性を向上させることができる。   In addition, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the insulating first gate spacer (316) and the insulating second gate spacer (317) are formed in the holes (14a) of the annular insulating gate spacer (14). ) And can be fitted. Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the insulating first gate spacer (316) and the insulating second gate spacer (317) are formed in the holes of the annular insulating gate spacer (14). (14a) and the assembly of the insulating first gate spacer (316), the insulating second gate spacer (317), and the annular insulating gate spacer (14), compared to the case where it is not configured to be matable with (14a). Can be improved.

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）が、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによって狭持されている。換言すれば、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）と絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）とが組み立てられると、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによってコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）が狭持され、それにより、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）が絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）および絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）に対して固定される。   Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the base side portion (15b2) of the portion (15b) extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line (15) is insulated. The upper surface (316a) of one gate spacer (316) and the ceiling surface (317d1) of the accommodation groove (317d) of the insulating second gate spacer (317) are sandwiched. In other words, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the insulating first gate spacer (316), the insulating second gate spacer (317), and the coil spring type gate electrode signal line (15) are provided. When assembled, the coil spring type gate electrode signal line (15) is formed by the upper surface (316a) of the insulating first gate spacer (316) and the ceiling surface (317d1) of the receiving groove (317d) of the insulating second gate spacer (317). ) Of the portion (15b) extending in the horizontal direction is sandwiched, whereby the coil spring type gate electrode signal line (15) is insulated from the insulating first gate spacer (316) and insulating property. Fixed to the second gate spacer (317).

そのため、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、圧接型大電力用サイリスタモジュールの稼動中にコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）が移動するのに伴って、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）との電気接続の信頼性が低下してしまうおそれを低減することができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module of the first aspect, the thyristor chip (15) is moved as the coil spring type gate electrode signal line (15) moves during the operation of the pressure contact type high power thyristor module. 113) and the reliability of electrical connection between the gate electrode 113b and the coil spring type gate electrode signal line 15 can be reduced.

更に、請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）が絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）および絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）に対して固定されていない状態で組み立てられる場合よりも、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の組立性を向上させることができる。   Furthermore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, the coil spring type gate electrode signal line (15) is connected to the insulating first gate spacer (316) and the insulating second gate spacer (317). The assembly of the coil spring type gate electrode signal line (15) can be improved as compared with the case where the coil spring type gate electrode signal line (15) is assembled without being fixed.

請求項２に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）の外周面と嵌合する穴（１８２ａ）と、係合突起（１８２ｂ）とが、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）に設けられている。更に、概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）の外周面と嵌合する穴（１８４ａ）と、概略四角形のサイリスタチップ（１１３）の外周面と嵌合する突起（１８４ｂ）と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の係合突起（１８２ｂ）と係合する係合穴（１８４ｃ）とが、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）に設けられている。   In the pressure contact type high power thyristor module according to claim 2, the hole (182 a) fitted to the outer peripheral surface of the substantially rectangular conductive anode sub-spacer (181) and the engagement protrusion (182 b) are insulative. An anode subspacer holder (182) is provided. Furthermore, a hole (184a) fitted to the outer peripheral surface of the substantially square conductive cathode sub-spacer (183), a protrusion (184b) fitted to the outer peripheral surface of the substantially square thyristor chip (113), an insulating anode The insulating cathode subspacer holder (184) is provided with an engagement hole (184c) that engages with the engagement protrusion (182b) of the subspacer holder (182).

そのため、請求項２に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）と、サイリスタチップ（１１３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを組み立てた状態でアノード端子バー（１２）上に載置することができ、圧接型大電力用サイリスタモジュールの組立性を向上させることができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 2, the conductive anode sub-spacer (181), the insulating anode sub-spacer holder (182), the thyristor chip (113), the conductive cathode The sub-spacer (183) and the insulating cathode sub-spacer holder (184) can be mounted on the anode terminal bar (12) in an assembled state, thereby improving the assemblability of the pressure contact type high power thyristor module. be able to.

請求項３に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）に形成された係合突起（３１６ｅ）または係合穴が圧入される係合穴（３１７ｅ）または係合突起が、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成されている。   The press contact type high power thyristor module according to claim 3, wherein the engagement protrusion (316e) or the engagement hole formed on the upper surface (316a) of the insulating first gate spacer (316) is press-fitted. (317e) or an engaging protrusion is formed on the lower surface (317b) of the insulating second gate spacer (317).

そのため、請求項３に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）と、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）と、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）とを組み立てた状態で、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）および環状の導電性カソードスペーサ（１４）の収容溝（１４ｂ）の上に載置することができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 3, the coil spring type gate electrode signal line (15), the insulating first gate spacer (316), and the insulating second gate spacer (317). Can be mounted on the accommodation groove (14b) of the gate electrode (113b) of the thyristor chip (113) and the annular conductive cathode spacer (14).

更に、請求項３に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）を絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）に対して水平方向に摺動させることにより絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）が絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）に対して係合せしめられる場合よりも、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）との摺動抵抗を低減しつつ、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）を絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）に対して係合させることができ、それにより、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）と絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）との組立性を向上させることができる。   Further, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 3, the insulating second gate spacer (317) is slid horizontally with respect to the insulating first gate spacer (316). The ceiling surface (317d1) of the receiving groove (317d) of the insulating second gate spacer (317) than when the insulating second gate spacer (317) is engaged with the insulating first gate spacer (316). And insulating the second gate spacer (317) while reducing the sliding resistance between the portion (15b) extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line (15) and the base side portion (15b2). Can be engaged with the insulating first gate spacer (316), whereby the insulating second gate spacer (317) and the insulating first gate spacer (316) It is possible to improve the standing property.

請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、アノード端子バー（１２）の外周面、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の外周面、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の外周面、導電性カソードスペーサ（１４）の外周面、および、カソード端子バー（１８）の外周面と嵌合してそれらの芯出しを行うための嵌合部（５１ａ１，５１ａ２，５１ａ３，５１ａ４）が、外囲ケース（５１）に設けられている。   5. The pressure contact type high power thyristor module according to claim 4, wherein the outer peripheral surface of the anode terminal bar (12), the outer peripheral surface of the insulating anode sub-spacer holder (182), and the outer peripheral surface of the insulating cathode sub-spacer holder (184). Fitting portions (51a1, 51a2, 51a3, 51a4) for fitting to the outer peripheral surface of the conductive cathode spacer (14) and the outer peripheral surface of the cathode terminal bar (18) for centering them. It is provided in the enclosing case (51).

そのため、請求項４に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、アノード端子バー（１２）、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）、導電性カソードスペーサ（１４）、および、カソード端子バー（１８）の芯出しを容易に行うことができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 4, the anode terminal bar (12), the insulating anode subspacer holder (182), the insulating cathode subspacer holder (184), the conductive cathode spacer (14) and the cathode terminal bar (18) can be easily centered.

請求項５に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、冷却水流路（１ａ）が放熱板（１）に形成され、放熱板（１）が水冷によって冷却される。そのため、請求項５に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、放熱板（１）が空冷によって冷却される場合よりも、放熱板（１）の冷却効率を向上させることができる。   In the pressure contact type high power thyristor module according to claim 5, the cooling water flow path (1a) is formed in the heat radiating plate (1), and the heat radiating plate (1) is cooled by water cooling. Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module of the fifth aspect, the cooling efficiency of the heat sink (1) can be improved as compared with the case where the heat sink (1) is cooled by air cooling.

請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）、ゲート電極（１１３ｂ）およびカソード電極（１１３ｃ）が、約７〜９μｍの厚さでアルミニウム蒸着されている。そのため、請求項６に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）、ゲート電極（１１３ｂ）およびカソード電極（１１３ｃ）が、約１μｍの厚さで金蒸着されている場合よりも、サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）、ゲート電極（１１３ｂ）およびカソード電極（１１３ｃ）の擦れに対する耐久性を向上させ、電気接続の信頼性を向上させることができる。   In the pressure contact type high power thyristor module according to claim 6, the anode electrode (113a), the gate electrode (113b) and the cathode electrode (113c) of the thyristor chip (113) are deposited in an aluminum thickness of about 7 to 9 μm. Has been. Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module according to claim 6, the anode electrode (113a), the gate electrode (113b) and the cathode electrode (113c) of the thyristor chip (113) have a thickness of about 1 μm. The durability against the rubbing of the anode electrode (113a), the gate electrode (113b) and the cathode electrode (113c) of the thyristor chip (113) is improved and the reliability of electrical connection is improved as compared with the case where gold is deposited. Can do.

請求項７に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、加圧板（１９ａ）と、２本のネジ（１９ｂ）と、皿バネ（１９ｃ）と、皿バネ（１９ｃ）を芯出しするために皿バネ（１９ｃ）の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材（１９ｄ）とによって圧接手段（１９）が構成されている。   The pressure contact type high power thyristor module according to claim 7, wherein the press plate (19a), the two screws (19b), the disc spring (19c), and the disc spring (19c) are centered to center. The pressure contact means (19) is constituted by the insulating centering member (19d) fitted to the inner edge of the spring (19c).

詳細には、請求項７に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたものよりもネジ（１９ｂ）の本数を削減する代わりに、皿バネ（１９ｃ）によって圧接力が補われている。更に、ネジ（１９ｂ）と皿バネ（１９ｃ）とを嵌合させるのではなく、ネジ（１９ｂ）とは別個に設けられた絶縁性芯出し部材（１９ｄ）によって皿バネ（１９ｃ）の芯出しを行うことにより、サイリスタチップ（１１３）に均一に圧接力がかけられている。   Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 7, instead of reducing the number of screws (19b) than that described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Laid-Open No. 2006-114883, The pressure contact force is supplemented by the disc spring (19c). Further, the screw (19b) and the disc spring (19c) are not fitted together, but the disc spring (19c) is centered by the insulating centering member (19d) provided separately from the screw (19b). By doing so, the pressure contact force is uniformly applied to the thyristor chip (113).

そのため、請求項７に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたものよりもネジ（１９ｂ）の本数を削減することにより、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の幅方向寸法および奥行き寸法を小型化しつつ、サイリスタチップ（１１３）に均一な圧接力をかけることができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module described in claim 7, by reducing the number of screws (19b) as compared with those described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883. A uniform pressure contact force can be applied to the thyristor chip (113) while reducing the size in the width direction and the depth size of the entire pressure contact type high power thyristor module.

請求項８に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、概略球状の凸部（１９ａ１ａ）を有する第１加圧板（１９ａ１）と、凸部（１９ａ１ａ）と嵌合する概略円錐状の穴（１９ａ２ａ）を有する第２加圧板（１９ａ２）と、２本のネジ（１９ｂ）と、皿バネ（１９ｃ）と、皿バネ（１９ｃ）を芯出しするために皿バネ（１９ｃ）の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材（１９ｄ）とによって圧接手段（１９）が構成されている。   In the pressure contact type high power thyristor module according to claim 8, a first pressure plate (19a1) having a substantially spherical convex portion (19a1a) and a substantially conical hole (19a2a) fitted to the convex portion (19a1a). ), The second pressure plate (19a2) having two screws (19b), the disc spring (19c), and the inner edge of the disc spring (19c) to center the disc spring (19c). A pressure contact means (19) is constituted by the insulating centering member (19d).

詳細には、請求項８に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたものよりもネジ（１９ｂ）の本数を削減する代わりに、皿バネ（１９ｃ）によって圧接力が補われている。更に、ネジ（１９ｂ）と皿バネ（１９ｃ）とを嵌合させるのではなく、ネジ（１９ｂ）とは別個に設けられた絶縁性芯出し部材（１９ｄ）によって皿バネ（１９ｃ）の芯出しを行うことにより、サイリスタチップ（１１３）に均一に圧接力がかけられている。   Specifically, in the press contact type high power thyristor module according to claim 8, instead of reducing the number of screws (19b) than that described in FIGS. The pressure contact force is supplemented by the disc spring (19c). Further, the screw (19b) and the disc spring (19c) are not fitted together, but the disc spring (19c) is centered by the insulating centering member (19d) provided separately from the screw (19b). By doing so, the pressure contact force is uniformly applied to the thyristor chip (113).

そのため、請求項８に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、特開２００６−１１４８８３号公報の図３〜図５に記載されたものよりもネジ（１９ｂ）の本数を削減することにより、圧接型大電力用サイリスタモジュール全体の幅方向寸法および奥行き寸法を小型化しつつ、サイリスタチップ（１１３）に均一な圧接力をかけることができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module of the eighth aspect, by reducing the number of screws (19b) than that described in FIGS. 3 to 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-114883. A uniform pressure contact force can be applied to the thyristor chip (113) while reducing the size in the width direction and the depth size of the entire pressure contact type high power thyristor module.

更に、請求項８に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、第１加圧板（１９ａ１）の概略球状の凸部（１９ａ１ａ）と、第２加圧板（１９ａ２）の概略円錐状の穴（１９ａ２ａ）とが嵌合せしめられている。そのため、請求項８に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、例えば２本のネジ（１９ｂ）の締め付け量が異なるのに伴って、第１加圧板（１９ａ１）が第２加圧板（１９ａ２）に対して平行にならない場合であっても、第２加圧板（１９ａ２）に真っ直ぐ下向きの力を加えることができる。   Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 8, the substantially spherical convex portion (19a1a) of the first pressure plate (19a1) and the substantially conical hole (19a2a) of the second pressure plate (19a2). ). Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module of the eighth aspect, the first pressure plate (19a1) is changed to the second pressure plate (e.g., when the tightening amounts of the two screws (19b) are different. Even if it is not parallel to 19a2), a straight downward force can be applied to the second pressure plate (19a2).

請求項９に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、電極片（３１）がカソード端子バー（１８）に接合され、可撓性のカソード電極信号線（３２）の一端がファストンタブ（３３）を介して電極片（３１）に接続され、カソード電極信号線（３２）の他端が他の電極片（６２）に接続され、他の電極片（６２）が外囲ケース（５１）に担持せしめられている。   In the pressure contact type high power thyristor module according to claim 9, the electrode piece (31) is joined to the cathode terminal bar (18), and one end of the flexible cathode electrode signal line (32) is faston tab (33). The other end of the cathode electrode signal line (32) is connected to the other electrode piece (62), and the other electrode piece (62) is carried on the outer casing (51). I'm hurt.

つまり、請求項９に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、カソード電極信号線（３２）の一端のファストンタブ（３３）を接続するための電極片（３１）が、カソード端子バー（１８）に設けられている。詳細には、請求項９に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、汎用品のファストンタブ（３３）を接続可能な電極片（３１）が、カソード端子バー（１８）に設けられている。   In other words, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 9, the electrode piece (31) for connecting the faston tab (33) at one end of the cathode electrode signal line (32) is provided with the cathode terminal bar (18). Is provided. Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module according to claim 9, electrode pieces (31) to which a general-purpose faston tab (33) can be connected are provided on the cathode terminal bar (18).

そのため、請求項９に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、カソード電極信号線（３２）の一端のファストンタブ（３３）を接続するための電極片（３１）がカソード端子バー（１８）に設けられていない特開２００６−１１４８８３号公報の図５に記載されたものとは異なり、汎用品のファストンタブ（３３）を用いることができる。   Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module of the ninth aspect, the electrode piece (31) for connecting the faston tab (33) at one end of the cathode electrode signal line (32) has the cathode terminal bar (18). In contrast to what is described in FIG. 5 of Japanese Patent Laid-Open No. 2006-114883, which is not provided in (), a general-purpose faston tab (33) can be used.

以下、本発明の圧接型大電力用サイリスタモジュールの第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの分解斜視図である。   Hereinafter, a first embodiment of a pressure contact type high power thyristor module according to the present invention will be described. FIG. 1 is an exploded perspective view of a pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment.

図１において、１は例えば銅製の放熱板を示しており、１ａは放熱板１に形成された冷却水流路を示している。１１，２１は放熱板１上に配置された絶縁板を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、絶縁板１１，２１として同一の部品が用いられている。   In FIG. 1, 1 indicates a heat sink made of copper, for example, and 1 a indicates a cooling water flow path formed in the heat sink 1. Reference numerals 11 and 21 denote insulating plates disposed on the heat sink 1. In the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, the same components are used as the insulating plates 11 and 21 as shown in FIG.

また、図１において、１２はアノード端子バーとしての機能とカソード端子バーとしての機能とを兼ね備えたコモンバーを示しており、２２はアノード端子バーを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、コモンバー１２が絶縁板１１，２１上に配置されている。   In FIG. 1, reference numeral 12 denotes a common bar having a function as an anode terminal bar and a function as a cathode terminal bar, and reference numeral 22 denotes an anode terminal bar. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the common bar 12 is disposed on the insulating plates 11 and 21.

更に、図１において、１１３，１２３は概略四角形のサイリスタチップを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップ１１３，１２３として同一の部品が用いられている。   Further, in FIG. 1, reference numerals 113 and 123 denote substantially square thyristor chips. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, the same components are used as the thyristor chips 113 and 123.

図２はサイリスタチップ１１３，１２３の詳細図である。詳細には、図２（Ａ）はサイリスタチップ１１３，１２３の平面図、図２（Ｂ）はサイリスタチップ１１３，１２３の断面図、図２（Ｃ）はサイリスタチップ１１３，１２３の裏面図である。図２において、１１３ａ，１２３ａはサイリスタチップ１１３，１２３の一方の面に形成されたアノード電極を示している。１１３ｂ，１２３ｂはサイリスタチップ１１３，１２３の他方の面の中心部分に形成されたゲート電極を示している。１１３ｃ，１２３ｃはゲート電極１１３ｂ，１２３ｂの周りに形成されたカソード電極を示している。   FIG. 2 is a detailed view of the thyristor chips 113 and 123. Specifically, FIG. 2A is a plan view of the thyristor chips 113 and 123, FIG. 2B is a cross-sectional view of the thyristor chips 113 and 123, and FIG. 2C is a back view of the thyristor chips 113 and 123. . In FIG. 2, 113 a and 123 a indicate anode electrodes formed on one surface of the thyristor chips 113 and 123. Reference numerals 113b and 123b denote gate electrodes formed at the center of the other surface of the thyristor chips 113 and 123, respectively. Reference numerals 113c and 123c denote cathode electrodes formed around the gate electrodes 113b and 123b.

また、図１において、１８１，１９１はサイリスタチップ１１３，１２３よりも小さい概略四角形の導電性アノードサブスペーサを示しており、１８２，１９２は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダを示している。１８３，１９３はサイリスタチップ１１３，１２３よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサを示している。１８４，１９４は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダを示している。   In FIG. 1, reference numerals 181 and 191 denote substantially square conductive anode sub-spacers smaller than the thyristor chips 113 and 123, and reference numerals 182 and 192 denote insulating anode sub-spaces surrounding the conductive anode sub-spacers 181 and 191. The spacer holder is shown. Reference numerals 183 and 193 denote substantially rectangular conductive cathode sub-spacers smaller than the thyristor chips 113 and 123. Reference numerals 184 and 194 denote insulating cathode subspacer holders surrounding the conductive cathode subspacers 183 and 193, respectively.

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１として同一の部品が用いられており、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２，１９２として同一の部品が用いられており、導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３として同一の部品が用いられており、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４，１９４として同一の部品が用いられている。   In the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, the same parts are used as the conductive anode sub-spacers 181 and 191, and the same parts are used as the insulating anode sub-spacer holders 182 and 192. The same parts are used as the conductive cathode sub-spacers 183 and 193, and the same parts are used as the insulating cathode sub-spacer holders 184 and 194.

図３は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の部品図である。詳細には、図３（Ａ）は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の平面図、図３（Ｂ）は導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の断面図である。また、図４は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の部品図である。詳細には、図４（Ａ）は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の平面図、図４（Ｂ）は導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の断面図である。図４において、１８３ａ，１９３ａはサイリスタチップ１１３，１２３のゲート電極１１３ｂ，１２３ｂ（図２参照）に対向する位置に形成された円形の穴を示している。   FIG. 3 is a component diagram of the conductive anode sub-spacers 181 and 191. Specifically, FIG. 3A is a plan view of the conductive anode sub-spacers 181 and 191, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the conductive anode sub-spacers 181 and 191. FIG. 4 is a component diagram of the conductive cathode sub-spacers 183 and 193. Specifically, FIG. 4A is a plan view of the conductive cathode sub-spacers 183 and 193, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the conductive cathode sub-spacers 183 and 193. In FIG. 4, reference numerals 183a and 193a denote circular holes formed at positions facing the gate electrodes 113b and 123b (see FIG. 2) of the thyristor chips 113 and 123, respectively.

図５はサイリスタチップ１１３，１２３と導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１と導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３との関係を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図５に示すように、導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の側（図５の下側）に突出しているサイリスタチップ１１３，１２３の外縁部のガラス部分（図５中のベタ黒部分）と導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１とが干渉しないように、導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の幅寸法および奥行き寸法がサイリスタチップ１１３，１２３の幅寸法および奥行き寸法よりも小さくされている。また、導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の側（図５の上側）に突出しているサイリスタチップ１１３，１２３の外縁部のガラス部分（図５中のベタ黒部分）と導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３とが干渉しないように、導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の幅寸法および奥行き寸法がサイリスタチップ１１３，１２３の幅寸法および奥行き寸法よりも小さくされている。   FIG. 5 is a view showing the relationship among the thyristor chips 113 and 123, the conductive anode sub-spacers 181 and 191 and the conductive cathode sub-spacers 183 and 193. In the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, as shown in FIG. 5, the outer edges of the thyristor chips 113 and 123 projecting toward the conductive anode sub-spacers 181 and 191 (lower side in FIG. 5). The width and depth of the conductive anode sub-spacers 181 and 191 are the same as those of the thyristor chips 113 and 123 so that the glass portion (solid black portion in FIG. 5) and the conductive anode sub-spacers 181 and 191 do not interfere with each other. It is made smaller than the width dimension and the depth dimension. Further, the glass portion (solid black portion in FIG. 5) at the outer edge of the thyristor chips 113 and 123 projecting toward the conductive cathode sub-spacers 183 and 193 (upper side in FIG. 5) and the conductive cathode sub-spacer 183 and The width and depth dimensions of the conductive cathode sub-spacers 183 and 193 are made smaller than the width and depth dimensions of the thyristor chips 113 and 123 so that they do not interfere with each other.

図６は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の部品図である。詳細には、図６（Ａ）は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の平面図、図６（Ｂ）は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の正面図、図６（Ｃ）は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の底面図である。図６において、１８２ａは導電性アノードサブスペーサ１８１の外周面と嵌合するために導電性アノードサブスペーサ１８１と相補形状に形成された穴を示している。１８２ｂは絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４に対して絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２を位置決めするための係合突起を示している。１８２ｃは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部を示しており、１８２ｃ１は絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部１８２ｃに形成された壁部を示している。１８２ｄは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の円弧状部を示している。   FIG. 6 is a component diagram of the insulating anode subspacer holder 182 (192). Specifically, FIG. 6A is a plan view of the insulating anode subspacer holder 182 (192), FIG. 6B is a front view of the insulating anode subspacer holder 182 (192), and FIG. It is a bottom view of the insulating anode subspacer holder 182 (192). In FIG. 6, reference numeral 182 a denotes a hole formed in a complementary shape to the conductive anode sub-spacer 181 in order to fit with the outer peripheral surface of the conductive anode sub-spacer 181. Reference numeral 182 b denotes an engaging protrusion for positioning the insulating anode subspacer holder 182 with respect to the insulating cathode subspacer holder 184. Reference numeral 182c denotes a corner portion of the insulating anode subspacer holder 182, and reference numeral 182c1 denotes a wall portion formed at the corner portion 182c of the insulating anode subspacer holder 182. Reference numeral 182 d denotes an arcuate portion of the insulating anode subspacer holder 182.

図７は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の部品図である。詳細には、図７（Ａ）は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の平面図、図７（Ｂ）は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の正面図、図７（Ｃ）は絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の底面図である。図７において、１８４ａは導電性カソードサブスペーサ１８３の外周面と嵌合するために導電性カソードサブスペーサ１８３と相補形状に形成された穴を示している。１８４ｂは概略四角形のサイリスタチップ１１３の外周面と嵌合するための位置決め用突起を示している。１８４ｃは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の係合突起１８２ｂと係合するための係合穴を示している。１８４ｄは絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部１８２ｃの壁部１８２ｃ１と嵌合せしめられる絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４のコーナー部を示している。１８４ｅは絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の円弧状部を示している。   FIG. 7 is a component diagram of the insulating cathode subspacer holder 184 (194). Specifically, FIG. 7A is a plan view of the insulating cathode subspacer holder 184 (194), FIG. 7B is a front view of the insulating cathode subspacer holder 184 (194), and FIG. It is a bottom view of the insulating cathode subspacer holder 184 (194). In FIG. 7, reference numeral 184 a denotes a hole formed in a shape complementary to the conductive cathode sub-spacer 183 in order to fit with the outer peripheral surface of the conductive cathode sub-spacer 183. Reference numeral 184b denotes a positioning protrusion for fitting with the outer peripheral surface of the substantially square thyristor chip 113. Reference numeral 184 c denotes an engagement hole for engaging with the engagement protrusion 182 b of the insulating anode subspacer holder 182. Reference numeral 184 d denotes a corner portion of the insulating cathode subspacer holder 184 that is fitted to the wall portion 182 c 1 of the corner portion 182 c of the insulating anode subspacer holder 182. Reference numeral 184e denotes an arcuate portion of the insulating cathode subspacer holder 184.

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図３および図６に示すように、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の穴１８２ａに対して導電性アノードサブスペーサ１８１の外周面を嵌合させることにより、導電性アノードサブスペーサ１８１が絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２に対して水平方向に位置決めされる。   In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 3 and 6, the outer peripheral surface of the conductive anode sub-spacer 181 with respect to the hole 182a of the insulating anode sub-spacer holder 182 , The conductive anode sub-spacer 181 is positioned in the horizontal direction with respect to the insulating anode sub-spacer holder 182.

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図４および図７に示すように、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の穴１８４ａに対して導電性カソードサブスペーサ１８３の外周面を嵌合させることにより、導電性カソードサブスペーサ１８３が絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４に対して水平方向に位置決めされる。   Further, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 4 and 7, the conductive cathode subspacer 183 is formed in the hole 184a of the insulating cathode subspacer holder 184. By fitting the outer peripheral surface, the conductive cathode subspacer 183 is positioned in the horizontal direction with respect to the insulating cathode subspacer holder 184.

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図２および図７に示すように、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の突起１８４ｂに対してサイリスタチップ１１３の外周面を嵌合させることにより、サイリスタチップ１１３が絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４に対して水平方向に位置決めされる。   Further, in the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 2 and 7, the outer peripheral surface of the thyristor chip 113 is placed on the protrusion 184b of the insulating cathode subspacer holder 184. By fitting, the thyristor chip 113 is positioned in the horizontal direction with respect to the insulating cathode subspacer holder 184.

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図６および図７に示すように、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の係合突起１８２ｂと絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の係合穴１８４ｃとを嵌合させることにより、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４が絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２に対して水平方向に位置決めされる。   Further, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 6 and 7, the engaging protrusion 182b of the insulating anode subspacer holder 182 and the insulating cathode subspacer holder 184 are provided. Insulating cathode sub-spacer holder 184 is positioned in the horizontal direction with respect to insulating anode sub-spacer holder 182 by engaging with engaging holes 184c.

つまり、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、導電性アノードサブスペーサ１８１と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２と、サイリスタチップ１１３と、導電性カソードサブスペーサ１８３と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４とが、水平方向に相互に位置決めされ、組み立てられた状態でコモンバー１２上に載置される。   That is, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the conductive anode sub-spacer 181, the insulating anode sub-spacer holder 182, the thyristor chip 113, and the conductive cathode sub The spacer 183 and the insulating cathode sub-spacer holder 184 are positioned on each other in the horizontal direction and mounted on the common bar 12 in an assembled state.

その結果、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図２および図５に示すように、導電性アノードサブスペーサ１８１と絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２とがコモンバー１２上に配置され、サイリスタチップ１１３が導電性アノードサブスペーサ１８１および絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の上に配置されている。また、導電性カソードサブスペーサ１８３と絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４とがサイリスタチップ１１３のカソード電極１１３ｃおよび絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の上に配置されている。その結果、サイリスタチップ１１３のアノード電極１１３ａが、導電性アノードサブスペーサ１８１を介してコモンバー１２に電気的に接続されている。   As a result, in the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, the conductive anode sub-spacer 181 and the insulating anode sub-spacer holder 182 are arranged on the common bar 12 as shown in FIGS. The thyristor chip 113 is disposed on the conductive anode sub-spacer 181 and the insulating anode sub-spacer holder 182. In addition, a conductive cathode sub-spacer 183 and an insulating cathode sub-spacer holder 184 are disposed on the cathode electrode 113 c and the insulating anode sub-spacer holder 182 of the thyristor chip 113. As a result, the anode electrode 113 a of the thyristor chip 113 is electrically connected to the common bar 12 via the conductive anode sub-spacer 181.

また、図１において、１４，２４は環状の導電性カソードスペーサを示しており、１８はカソード端子バーを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、導電性カソードスペーサ１４，２４として同一の部品が用いられている。   In FIG. 1, reference numerals 14 and 24 denote annular conductive cathode spacers, and reference numeral 18 denotes a cathode terminal bar. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, the same components are used as the conductive cathode spacers 14 and 24.

図８は導電性カソードスペーサ１４（２４）の部品図である。詳細には、図８（Ａ）は導電性カソードスペーサ１４（２４）の平面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。１４ａはサイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂ（図２参照）および導電性カソードサブスペーサ１８３の穴１８３ａ（図４参照）に対向する位置に形成された円形の穴を示している。１４ｂは導電性カソードスペーサ１４の穴１４ａから外周面まで延びるように、導電性カソードスペーサ１４の上面（図８（Ｂ）の上側の面）に形成された収容溝を示している。   FIG. 8 is a component diagram of the conductive cathode spacer 14 (24). Specifically, FIG. 8A is a plan view of the conductive cathode spacer 14 (24), and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 8A. Reference numeral 14a denotes a circular hole formed at a position facing the gate electrode 113b (see FIG. 2) of the thyristor chip 113 and the hole 183a (see FIG. 4) of the conductive cathode sub-spacer 183. Reference numeral 14b denotes an accommodation groove formed on the upper surface of the conductive cathode spacer 14 (the upper surface in FIG. 8B) so as to extend from the hole 14a of the conductive cathode spacer 14 to the outer peripheral surface.

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図８に示すように、導電性カソードスペーサ１４の表面のうち、収容溝１４ａが形成されていない面（図１および図８（Ｂ）の下側の面）が導電性カソードサブスペーサ１８３と対向するように、導電性カソードスペーサ１４が導電性カソードサブスペーサ１８３および絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の上に載置される。   In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 8, the surface of the conductive cathode spacer 14 on which the accommodation groove 14a is not formed (FIGS. 1 and 8). The conductive cathode spacer 14 is placed on the conductive cathode subspacer 183 and the insulating cathode subspacer holder 184 so that the lower surface (B) faces the conductive cathode subspacer 183.

更に、図１において、３１６，３１７，３２６，３２７は絶縁性ゲートスペーサを示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、絶縁性ゲートスペーサ３１６，３２６として同一の部品が用いられており、絶縁性ゲートスペーサ３１７，３２７として同一の部品が用いられている。   Further, in FIG. 1, reference numerals 316, 317, 326, and 327 denote insulating gate spacers. In the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, the same components are used as the insulating gate spacers 316 and 326, and the same components are used as the insulating gate spacers 317 and 327.

図９は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）等の詳細図である。詳細には、図９（Ａ）は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）の斜視図、図９（Ｂ）は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）の断面図、図９（Ｃ）はコイルバネ型ゲート電極信号線１５を示した図である。   FIG. 9 is a detailed view of the insulating gate spacers 316, 317 (326, 327) and the like. Specifically, FIG. 9A is a perspective view of the insulating gate spacers 316 and 317 (326 and 327), FIG. 9B is a cross-sectional view of the insulating gate spacers 316 and 317 (326 and 327), and FIG. (C) is a view showing a coil spring type gate electrode signal line 15.

図９において、３１６ａは絶縁性ゲートスペーサ３１６の上面を示しており、３１６ｂは絶縁性ゲートスペーサ３１６の下面を示しており、３１６ｃは絶縁性ゲートスペーサ３１６の外周面を示している。３１６ｄはコイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａと概略相補形状の円形の穴を示しており、３１６ｅは絶縁性ゲートスペーサ３１６の上面３１６ａに形成された係合突起を示している。３１７ａは絶縁性ゲートスペーサ３１７の上面を示しており、３１７ｂは絶縁性ゲートスペーサ３１７の下面を示しており、３１７ｃは絶縁性ゲートスペーサ３１７の外周面を示している。３１７ｄは絶縁性ゲートスペーサ３１７の下面３１７ｂに形成された収容溝を示しており、３１７ｄ１は収容溝３１７ｄの天井面を示している。３１７ｅは絶縁性ゲートスペーサ３１６の係合突起３１６ｅと係合するために絶縁性ゲートスペーサ３１７の下面３１７ｂに形成された係合穴を示している。１５ｂはコイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａの上端から水平方向に延ばされた部分を示しており、１５ｂ１は水平方向に延ばされた部分１５ｂの先端側部分を示しており、１５ｂ２は水平方向に延ばされた部分１５ｂの根元側部分を示している。   In FIG. 9, 316 a indicates the upper surface of the insulating gate spacer 316, 316 b indicates the lower surface of the insulating gate spacer 316, and 316 c indicates the outer peripheral surface of the insulating gate spacer 316. Reference numeral 316 d denotes a circular hole that is substantially complementary to the coil portion 15 a of the coil spring type gate electrode signal line 15, and 316 e denotes an engagement protrusion formed on the upper surface 316 a of the insulating gate spacer 316. Reference numeral 317 a denotes the upper surface of the insulating gate spacer 317, 317 b denotes the lower surface of the insulating gate spacer 317, and 317 c denotes the outer peripheral surface of the insulating gate spacer 317. Reference numeral 317d denotes an accommodation groove formed on the lower surface 317b of the insulating gate spacer 317, and reference numeral 317d1 denotes a ceiling surface of the accommodation groove 317d. Reference numeral 317e denotes an engagement hole formed in the lower surface 317b of the insulating gate spacer 317 in order to engage with the engaging protrusion 316e of the insulating gate spacer 316. Reference numeral 15b denotes a portion extending in the horizontal direction from the upper end of the coil portion 15a of the coil spring type gate electrode signal line 15. Reference numeral 15b1 denotes a tip side portion of the portion 15b extending in the horizontal direction. Indicates the base side portion of the portion 15b extended in the horizontal direction.

図１０は絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）とコイルバネ型ゲート電極信号線１５との組立体を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図９および図１０に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂが絶縁チューブによって被覆されている。更に、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａが絶縁性ゲートスペーサ３１６の穴３１６ｄに挿入され、次いで、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａの上端および水平方向に延ばされた部分１５ｂの根元側部分１５ｂ２が絶縁性ゲートスペーサ３１７の収容溝３１７ｄ内に収容されるように、絶縁性ゲートスペーサ３１６の係合突起３１６ｅが絶縁性ゲートスペーサ３１７の係合穴３１７ｅに圧入される。   FIG. 10 is a view showing an assembly of the insulating gate spacers 316 and 317 (326 and 327) and the coil spring type gate electrode signal line 15. In FIG. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, a portion 15b of the coil spring type gate electrode signal line 15 extending in the horizontal direction is covered with an insulating tube. . Further, the coil portion 15a of the coil spring type gate electrode signal line 15 is inserted into the hole 316d of the insulating gate spacer 316, and then the upper end of the coil portion 15a of the coil spring type gate electrode signal line 15 and the portion extended in the horizontal direction. The engaging protrusion 316e of the insulating gate spacer 316 is press-fitted into the engaging hole 317e of the insulating gate spacer 317 so that the base portion 15b2 of 15b is received in the receiving groove 317d of the insulating gate spacer 317.

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図９および図１０に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３１６の係合突起３１６ｅが絶縁性ゲートスペーサ３１７の係合穴３１７ｅに圧入されると、コイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂの根元側部分１５ｂ２が、絶縁性ゲートスペーサ３１６の上面３１６ａと絶縁性ゲートスペーサ３１７の収容溝３１７ｄの天井面３１７ｄ１とによって狭持され、押し潰される。   Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, the engagement protrusion 316 e of the insulating gate spacer 316 is engaged with the engagement hole 317 e of the insulating gate spacer 317. Is pressed into the base portion 15b2 of the portion 15b extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line 15, the top surface 316a of the insulating gate spacer 316 and the ceiling of the receiving groove 317d of the insulating gate spacer 317. It is pinched and crushed by the surface 317d1.

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図８および図１０に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３１６の外周面３１６ｃおよび絶縁性ゲートスペーサ３１７の外周面３１７ｃが環状の導電性カソードスペーサ１４の穴１４ａと嵌合せしめられ、コイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂの先端側部分１５ｂ１が導電性カソードスペーサ１４の収容溝１４ｂ内に収容されるように、絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７とコイルバネ型ゲート電極信号線１５との組立体が導電性カソードスペーサ１４上に載置される。更に、カソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４および絶縁性ゲートスペーサ３１７の上に載置される。   Further, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 8 and 10, the outer peripheral surface 316c of the insulating gate spacer 316 and the outer peripheral surface 317c of the insulating gate spacer 317 are provided. A distal end portion 15b1 of a portion 15b of the coil spring type gate electrode signal line 15 which is fitted in the hole 14a of the annular conductive cathode spacer 14 and extends in the horizontal direction is placed in the receiving groove 14b of the conductive cathode spacer 14. The assembly of the insulating gate spacers 316 and 317 and the coil spring type gate electrode signal line 15 is placed on the conductive cathode spacer 14 so as to be accommodated. Further, the cathode terminal bar 18 is placed on the conductive cathode spacer 14 and the insulating gate spacer 317.

図１１はカソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４および絶縁性ゲートスペーサ３１７の上に載置された状態を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図２および図１１に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａがサイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂ上に配置されている。その結果、コイルバネ型ゲート電極信号線１５とサイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂとが電気的に接続されている。また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図２および図１１に示すように、カソード端子バー１８とサイリスタチップ１１３のカソード電極１１３ｃとが、導電性カソードサブスペーサ１８３および導電性カソードスペーサ１４を介して電気的に接続されている。   FIG. 11 is a view showing a state where the cathode terminal bar 18 is placed on the conductive cathode spacer 14 and the insulating gate spacer 317. In the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, the coil portion 15a of the coil spring type gate electrode signal line 15 is arranged on the gate electrode 113b of the thyristor chip 113 as shown in FIGS. Has been. As a result, the coil spring type gate electrode signal line 15 and the gate electrode 113b of the thyristor chip 113 are electrically connected. Further, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 2 and 11, the cathode terminal bar 18 and the cathode electrode 113c of the thyristor chip 113 are electrically conductive cathode sub-spacers. 183 and the conductive cathode spacer 14 are electrically connected.

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１、図２および図１１に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａと導電性カソードスペーサ１４（２４）との間に絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）が配置されている。また、コイルバネ型ゲート電極信号線１５のコイル部分１５ａとカソード端子バー１８（コモンバー１２）との間に絶縁性ゲートスペーサ３１７（３２７）が配置されている。更に、導電性カソードスペーサ１４の収容溝１４ｂ内に収容されているコイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂが絶縁チューブによって被覆されている。その結果、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と導電性カソードスペーサ１４（２４）およびカソード端子バー１８（コモンバー１２）とが絶縁されている。   Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1, 2 and 11, the coil portion 15a of the coil spring type gate electrode signal line 15 and the conductive cathode spacer 14 (24) are provided. Insulating gate spacers 316, 317 (326, 327) are disposed between the two. An insulating gate spacer 317 (327) is disposed between the coil portion 15a of the coil spring type gate electrode signal line 15 and the cathode terminal bar 18 (common bar 12). Furthermore, a horizontally extending portion 15b of the coil spring type gate electrode signal line 15 accommodated in the accommodating groove 14b of the conductive cathode spacer 14 is covered with an insulating tube. As a result, the coil spring type gate electrode signal line 15 is insulated from the conductive cathode spacer 14 (24) and the cathode terminal bar 18 (common bar 12).

図１２は導電性カソードサブスペーサ１８３、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等を芯出しする方法を示した図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１２に示すように、導電性カソードサブスペーサ１８３、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等を芯出しするための嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄが外囲ケース５１に設けられている。更に、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等の周方向の位置決めを行うための切り欠き部５１ｅ，５１ｆが嵌合部５１ａと嵌合部５１ｂとの間および嵌合部５１ｃと嵌合部５１ｄとの間に設けられている。   FIG. 12 is a view showing a method for centering the conductive cathode sub-spacer 183, the insulating cathode sub-spacer holder 184, and the like. In the press contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 12, fitting portions 51a, 51b for centering the conductive cathode sub-spacer 183, the insulating cathode sub-spacer holder 184, etc. 51 c and 51 d are provided in the outer case 51. Further, the notches 51e and 51f for positioning the insulating cathode sub-spacer holder 184 and the like in the circumferential direction are provided between the fitting portion 51a and the fitting portion 51b and between the fitting portion 51c and the fitting portion 51d. It is provided in between.

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図１２に示すように、コモンバー１２が絶縁板１１上に載置されると、コモンバー１２の円弧状部の外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられる。また、導電性アノードサブスペーサ１８１と絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２とサイリスタチップ１１３と導電性カソードサブスペーサ１８３と絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４との組立体がコモンバー１２上に載置されると、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２の円弧状部１８２ｄの外周面と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４の円弧状部１８４ｅの外周面とが、嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、その組立体の芯出しが行われる。また、絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２のコーナー部１８２ｃと、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４のコーナー部１８４ｄとが、切り欠き部５１ｅ，５１ｆと嵌合せしめられ、その組立体の周方向の位置決めが行われる。   Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 12, when the common bar 12 is placed on the insulating plate 11, the arc-shaped portion of the common bar 12 The outer peripheral surface is fitted with the fitting portions 51a, 51b, 51c, 51d. When the assembly of the conductive anode sub-spacer 181, the insulating anode sub-spacer holder 182, the thyristor chip 113, the conductive cathode sub-spacer 183, and the insulating cathode sub-spacer holder 184 is placed on the common bar 12, The outer peripheral surface of the arc-shaped portion 182d of the insulating anode sub-spacer holder 182 and the outer peripheral surface of the arc-shaped portion 184e of the insulating cathode sub-spacer holder 184 are fitted with the fitting portions 51a, 51b, 51c, 51d. Then, the assembly is centered. Further, the corner portion 182c of the insulating anode sub-spacer holder 182 and the corner portion 184d of the insulating cathode sub-spacer holder 184 are fitted to the notches 51e and 51f, and the assembly is positioned in the circumferential direction. Done.

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図１２に示すように、導電性カソードスペーサ１４が導電性カソードサブスペーサ１８３上に載置されると、導電性カソードスペーサ１４の外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、導電性カソードスペーサ１４の芯出しが行われる。また、カソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４上に載置されると、カソード端子バー１８の円弧状部の外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、カソード端子バー１８の芯出しが行われる。   Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 12, when the conductive cathode spacer 14 is placed on the conductive cathode sub-spacer 183, the conductive cathode The outer peripheral surface of the spacer 14 is fitted with the fitting portions 51a, 51b, 51c, 51d, and the conductive cathode spacer 14 is centered. When the cathode terminal bar 18 is placed on the conductive cathode spacer 14, the outer peripheral surface of the arc-shaped portion of the cathode terminal bar 18 is fitted with the fitting portions 51a, 51b, 51c, 51d, and the cathode terminal The bar 18 is centered.

更に、図１において、５２は蓋体を示しており、３１は例えば潰し加工、ビーム溶接等によってカソード端子バー１８に接合された電極片を示しており、６２は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。   Further, in FIG. 1, reference numeral 52 denotes a lid, 31 denotes an electrode piece joined to the cathode terminal bar 18 by, for example, crushing or beam welding, and 62 is carried by the outer case 51. The electrode piece is shown.

図１３は電極片３１と電極片６２とを電気接続する手段を示した図である。詳細には、図１３（Ａ）は電極片３１と電極片６２とを電気接続する手段を概略的に示した図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の一部の拡大図である。図１３において、３２は絶縁チューブによって被覆された可撓性のカソード電極信号線を示している。３３はカソード電極信号線３２と電極片３１（図１参照）とを電気接続するためのファストンタブを示している。   FIG. 13 is a view showing a means for electrically connecting the electrode piece 31 and the electrode piece 62. Specifically, FIG. 13A is a diagram schematically showing a means for electrically connecting the electrode piece 31 and the electrode piece 62, and FIG. 13B is an enlarged view of a part of FIG. 13A. . In FIG. 13, reference numeral 32 denotes a flexible cathode electrode signal line covered with an insulating tube. Reference numeral 33 denotes a faston tab for electrically connecting the cathode electrode signal line 32 and the electrode piece 31 (see FIG. 1).

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１３に示すように、例えば半田によってカソード電極信号線３２と電極片６２とが接合されている。また、例えばかしめによってカソード電極信号線３２とファストンタブ３３とが接合され、かしめられた部分が、例えば熱収縮タイプの絶縁チューブによって被覆されている。更に、ファストンタブ３３を電極片３１（図１参照）と嵌合させることにより、ファストンタブ３３と電極片３１とが電気接続されている。   In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 13, the cathode electrode signal line 32 and the electrode piece 62 are joined together by solder, for example. Further, for example, the cathode electrode signal line 32 and the faston tab 33 are joined by caulking, and the caulked portion is covered with, for example, a heat shrink type insulating tube. Furthermore, the faston tab 33 and the electrode piece 31 are electrically connected by fitting the faston tab 33 with the electrode piece 31 (see FIG. 1).

また、図１において、１９は放熱板１と絶縁板１１とコモンバー１２と導電性アノードサブスペーサ１８１とサイリスタチップ１１３と導電性カソードサブスペーサ１８３と導電性カソードスペーサ１４とカソード端子バー１８とを上下方向に圧接するための圧接手段を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、加圧板１９ａと、２本のネジ１９ｂと、２個の皿バネ１９ｃと、皿バネ１９ｃを芯出しするために皿バネ１９ｃの内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材１９ｄとによって、圧接手段１９が構成されている。   In FIG. 1, reference numeral 19 denotes a heat sink 1, an insulating plate 11, a common bar 12, a conductive anode sub-spacer 181, a thyristor chip 113, a conductive cathode sub-spacer 183, a conductive cathode spacer 14, and a cathode terminal bar 18. The pressure contact means for pressing in the direction is shown. In the press contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the pressurizing plate 19a, the two screws 19b, the two disc springs 19c, and the disc spring 19c are centered. The pressure contact means 19 is constituted by an insulating centering member 19d fitted to the inner edge of the disc spring 19c.

詳細には、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図１２に示すように、絶縁性芯出し部材１９ｄがカソード端子バー１８上に載置されると、絶縁性芯出し部材１９ｄの外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、絶縁性芯出し部材１９ｄの芯出しが行われる。また、加圧板１９ａが皿バネ１９ｃ上に載置されると、加圧板１９ａの円弧状部の外周面が嵌合部５１ｂ，５１ｄと嵌合せしめられ、加圧板１９ａの芯出しが行われる。   Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, when the insulating centering member 19d is placed on the cathode terminal bar 18, as shown in FIGS. The outer peripheral surface of the centering member 19d is fitted with the fitting portions 51a, 51b, 51c, 51d, and the insulating centering member 19d is centered. When the pressure plate 19a is placed on the disc spring 19c, the outer peripheral surface of the arc-shaped portion of the pressure plate 19a is fitted with the fitting portions 51b and 51d, and the pressure plate 19a is centered.

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図２に示すように、サイリスタチップ１１３，１２３のアノード電極１１３ａ，１２３ａ、ゲート電極１１３ｂ，１２３ｂおよびカソード電極１１３ｃ，１２３ｃが約７〜９μｍの厚さでアルミニウム蒸着されている。   Further, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 2, the anode electrodes 113a and 123a, the gate electrodes 113b and 123b, and the cathode electrodes 113c and 123c of the thyristor chips 113 and 123 are approximately 7 pieces. Aluminum is deposited with a thickness of ˜9 μm.

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図９に示すように、絶縁性ゲートスペーサ３１６に係合突起３１６ｅが形成され、絶縁性ゲートスペーサ３１７に係合穴３１７ｅが形成されているが、第２の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、代わりに、絶縁性ゲートスペーサ３１６に係合穴を形成し、絶縁性ゲートスペーサ３１７に係合突起を形成することも可能である。   In the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment, as shown in FIG. 9, an engagement protrusion 316e is formed in the insulating gate spacer 316, and an engagement hole 317e is formed in the insulating gate spacer 317. However, in the pressure contact type high power thyristor module of the second embodiment, it is also possible to form an engagement hole in the insulating gate spacer 316 and form an engagement protrusion in the insulating gate spacer 317 instead. is there.

また、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図１０に示すように、導電性カソードサブスペーサ１８３上に載置されている導電性カソードスペーサ１４の上に、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７との組立体（図１０参照）が載置されるが、第３の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、代わりに、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７との組立体（図１０参照）を導電性カソードスペーサ１４上に予め載置し、それらを導電性カソードサブスペーサ１８３上に載置することも可能である。   Further, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 10, a coil spring is placed on the conductive cathode spacer 14 placed on the conductive cathode sub-spacer 183. An assembly (see FIG. 10) of the type gate electrode signal line 15 and the insulating gate spacers 316 and 317 is placed. However, in the pressure contact type high power thyristor module of the third embodiment, a coil spring type is used instead. An assembly of the gate electrode signal line 15 and the insulating gate spacers 316 and 317 (see FIG. 10) may be placed in advance on the conductive cathode spacer 14 and placed on the conductive cathode sub-spacer 183. Is possible.

更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図１０に示すように、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７との組立体（図１０参照）と同様に構成されたコイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７との組立体が、導電性カソードスペーサ２４の下側（図１の下側）から嵌合せしめられ、それらがコモンバー１２上に載置される。また、導電性カソードサブスペーサ１９３と絶縁性カソードサブスペーサホルダ１９４とサイリスタチップ１２３と導電性アノードサブスペーサ１９１と絶縁性アノードサブスペーサホルダ１９２との組立体が導電性カソードスペーサ２４上に載置される。また、アノード端子バー２２が導電性アノードサブスペーサ１９１および絶縁性アノードサブスペーサホルダ１９２上に載置される。   Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 10, an assembly of a coil spring type gate electrode signal line 15 and insulating gate spacers 316 and 317 (see FIG. 10). The assembly of the coil spring type gate electrode signal line 15 and the insulating gate spacers 326 and 327 configured in the same manner as above is fitted from the lower side of the conductive cathode spacer 24 (lower side in FIG. 1). Is placed on the common bar 12. An assembly of the conductive cathode sub-spacer 193, the insulating cathode sub-spacer holder 194, the thyristor chip 123, the conductive anode sub-spacer 191, and the insulating anode sub-spacer holder 192 is mounted on the conductive cathode spacer 24. The The anode terminal bar 22 is placed on the conductive anode sub-spacer 191 and the insulating anode sub-spacer holder 192.

図１において、２９は放熱板１と絶縁板２１とコモンバー１２と導電性カソードスペーサ２４と導電性カソードサブスペーサ１９３とサイリスタチップ１２３と導電性アノードサブスペーサ１９１とアノード端子バー２２とを上下方向に圧接するための圧接手段を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、加圧板２９ａと、２本のネジ２９ｂと、２個の皿バネ２９ｃと、皿バネ２９ｃを芯出しするために皿バネ２９ｃの内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材２９ｄとによって、圧接手段２９が構成されている。更に、第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、加圧板１９ａ，２９ａとして同一の部品が用いられ、ネジ１９ｂ，２９ｂとして同一の部品が用いられ、皿バネ１９ｃ，２９ｃとして同一の部品が用いられ、絶縁性芯出し部材１９ｄ，２９ｄとして同一の部品が用いられている。   In FIG. 1, reference numeral 29 denotes a heat sink 1, an insulating plate 21, a common bar 12, a conductive cathode spacer 24, a conductive cathode subspacer 193, a thyristor chip 123, a conductive anode subspacer 191, and an anode terminal bar 22. A pressure contact means for pressure contact is shown. In the press contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the pressurizing plate 29a, the two screws 29b, the two disc springs 29c, and the disc spring 29c are centered. The press contact means 29 is constituted by an insulating centering member 29d fitted to the inner edge of the disc spring 29c. Furthermore, in the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, the same parts are used as the pressure plates 19a, 29a, the same parts are used as the screws 19b, 29b, and the same as the disc springs 19c, 29c. Parts are used, and the same parts are used as the insulating centering members 19d and 29d.

また、図１において、３４は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップ１１３のゲート電極１１３ｂ（図２参照）に電気接続されているコイルバネ型ゲート電極信号線１５の上端の水平方向に延ばされた部分１５ｂの端部（図９（Ｃ）の左端）が、可撓性のゲート電極信号線（図示せず）を介して電極片３４に電気接続されている。   In FIG. 1, reference numeral 34 denotes an electrode piece carried on the surrounding case 51. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, the coil spring type gate electrode signal line 15 electrically connected to the gate electrode 113b (see FIG. 2) of the thyristor chip 113 is extended in the horizontal direction. The end of the portion 15b (the left end in FIG. 9C) is electrically connected to the electrode piece 34 via a flexible gate electrode signal line (not shown).

更に、図１において、４１は例えば潰し加工、ビーム溶接等によってコモンバー１２に接合された電極片を示しており、４４は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。   Further, in FIG. 1, reference numeral 41 denotes an electrode piece joined to the common bar 12 by, for example, crushing or beam welding, and 44 denotes an electrode piece carried on the surrounding case 51.

図１４は電極片４１と電極片４４とを電気接続する手段を示した図である。詳細には、図１４（Ａ）は電極片４１と電極片４４とを電気接続する手段を概略的に示した図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一部の拡大図である。図１４において、４２は絶縁チューブによって被覆された可撓性のカソード電極信号線を示している。４３はカソード電極信号線４２と電極片４１（図１参照）とを電気接続するためのファストンタブを示している。   FIG. 14 is a view showing a means for electrically connecting the electrode piece 41 and the electrode piece 44. Specifically, FIG. 14A is a diagram schematically showing a means for electrically connecting the electrode pieces 41 and 44, and FIG. 14B is an enlarged view of a part of FIG. . In FIG. 14, reference numeral 42 denotes a flexible cathode electrode signal line covered with an insulating tube. Reference numeral 43 denotes a faston tab for electrically connecting the cathode electrode signal line 42 and the electrode piece 41 (see FIG. 1).

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１４に示すように、例えば半田によってカソード電極信号線４２と電極片４４とが接合されている。また、例えばかしめによってカソード電極信号線４２とファストンタブ４３とが接合され、かしめられた部分が、例えば熱収縮タイプの絶縁チューブによって被覆されている。更に、ファストンタブ４３を電極片４１（図１参照）と嵌合させることにより、ファストンタブ４３と電極片４１とが電気接続されている。   In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 14, the cathode electrode signal line 42 and the electrode piece 44 are joined together by solder, for example. Further, for example, the cathode electrode signal line 42 and the faston tab 43 are joined by caulking, and the caulked portion is covered with, for example, a heat shrinkable insulating tube. Further, the faston tab 43 and the electrode piece 41 are electrically connected by fitting the faston tab 43 with the electrode piece 41 (see FIG. 1).

また、図１において、７２は外囲ケース５１に担持せしめられている電極片を示している。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップ１２３のゲート電極１２３ｂ（図２参照）に電気接続されているコイルバネ型ゲート電極信号線１５の水平方向に延ばされた部分１５ｂの端部（図９（Ｃ）の左端）が、可撓性のゲート電極信号線（図示せず）を介して電極片７２に電気接続されている。   In FIG. 1, reference numeral 72 denotes an electrode piece carried on the outer case 51. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, a portion 15b extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line 15 electrically connected to the gate electrode 123b (see FIG. 2) of the thyristor chip 123. Is connected to the electrode piece 72 through a flexible gate electrode signal line (not shown).

図１５は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの外観図である。詳細には、図１５（Ａ）は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの平面図、図１５（Ｂ）は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの正面図、図１５（Ｃ）は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの右側面図である。   FIG. 15 is an external view of the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment. Specifically, FIG. 15A is a plan view of the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, and FIG. 15B is a front view of the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment. FIG. 15C is a right side view of the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment.

図１６は放熱板１の水平断面図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１および図１６に示すように、放熱板１に冷却水流路１ａが形成され、水冷によって放熱板１が冷却される。詳細には、サイリスタチップ１１３，１２３の真下の位置に冷却水流路１ａが形成されている。第４の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、代わりに、冷却水流路１ａを省略することも可能である。   FIG. 16 is a horizontal sectional view of the heat sink 1. In the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 16, a cooling water flow path 1 a is formed in the heat radiating plate 1, and the heat radiating plate 1 is cooled by water cooling. Specifically, the cooling water channel 1 a is formed at a position directly below the thyristor chips 113 and 123. In the pressure contact type high power thyristor module of the fourth embodiment, the cooling water flow path 1a can be omitted instead.

図１７は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの等価回路図である。図１７中の「Ｋ１／Ａ２」が図１中のコモンバー１２に相当し、図１７中の「Ｋ２」が図１中のカソード端子バー１８に相当し、図１７中の「Ｇ２」が図１中の電極片３４に相当し、図１７中の「Ｋ２」が図１中の電極片６２に相当している。また、図１７中の「Ａ１」が図１中のアノード端子バー２２に相当し、図１７中の「Ｇ１」が図１中の電極片７２に相当し、図１７中の「Ｋ１」が図１中の電極片４４に相当している。   FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment. “K1 / A2” in FIG. 17 corresponds to the common bar 12 in FIG. 1, “K2” in FIG. 17 corresponds to the cathode terminal bar 18 in FIG. 1, and “G2” in FIG. This corresponds to the inner electrode piece 34, and “K2” in FIG. 17 corresponds to the electrode piece 62 in FIG. Further, “A1” in FIG. 17 corresponds to the anode terminal bar 22 in FIG. 1, “G1” in FIG. 17 corresponds to the electrode piece 72 in FIG. 1, and “K1” in FIG. 1 corresponds to the electrode piece 44 in the frame 1.

第５の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、サイリスタチップ１２３の代わりにダイオードチップを用い、コイルバネ型ゲート電極信号線１５と絶縁性ゲートスペーサ３２６，３２７との組立体を省略することも可能である。   In the pressure contact type high power thyristor module of the fifth embodiment, a diode chip is used instead of the thyristor chip 123, and the assembly of the coil spring type gate electrode signal line 15 and the insulating gate spacers 326 and 327 may be omitted. Is possible.

第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、２本のネジ１９ｂが圧接手段１９に設けられ、２本のネジ２９ｂが圧接手段２９に設けられているが、第６の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、代わりに、３本以上のネジ１９ｂを圧接手段１９に設け、３本以上のネジ２９ｂを圧接手段２９に設けることも可能である。   In the press contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 1, two screws 19 b are provided in the press contact means 19, and two screws 29 b are provided in the press contact means 29. In the pressure contact type high power thyristor module of the sixth embodiment, it is possible to provide three or more screws 19b in the pressure contact means 19 and three or more screws 29b in the pressure contact means 29 instead.

図１８は第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの圧接手段１９の分解斜視図である。第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１に示すように、加圧板１９ａと、２本のネジ１９ｂと、２個の皿バネ１９ｃと、皿バネ１９ｃを芯出しするために皿バネ１９ｃの内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材１９ｄとによって、圧接手段１９が構成されているが、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１８に示すように、概略球状の凸部１９ａ１ａを有する第１加圧板１９ａ１と、凸部１９ａ１ａと嵌合する概略円錐状の穴１９ａ２ａを有する第２加圧板１９ａ２と、２本のネジ１９ｂと、皿バネ１９ｃと、皿バネ１９ｃを芯出しするために皿バネ１９ｃの内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材１９ｄとによって圧接手段１９が構成されている。   FIG. 18 is an exploded perspective view of the pressure contact means 19 of the pressure contact type high power thyristor module of the seventh embodiment. In the press contact type high power thyristor module of the first embodiment, as shown in FIG. 1, the pressurizing plate 19a, the two screws 19b, the two disc springs 19c, and the disc spring 19c are centered. The pressure contact means 19 is constituted by the insulating centering member 19d fitted to the inner edge of the disc spring 19c. In the pressure contact type high power thyristor module of the seventh embodiment, as shown in FIG. A first pressure plate 19a1 having a substantially spherical convex portion 19a1a, a second pressure plate 19a2 having a substantially conical hole 19a2a fitted to the convex portion 19a1a, two screws 19b, a disc spring 19c, In order to center the disc spring 19c, the pressure contact means 19 is constituted by an insulating centering member 19d fitted to the inner edge of the disc spring 19c.

つまり、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１８に示すように、第１加圧板１９ａ１の概略球状の凸部１９ａ１ａと、第２加圧板１９ａ２の概略円錐状の穴１９ａ２ａとが嵌合せしめられている。そのため、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールによれば、例えば２本のネジ１９ｂの締め付け量が異なるのに伴って、第１加圧板１９ａ１が第２加圧板１９ａ２に対して平行にならない場合であっても、第２加圧板１９ａ２に真っ直ぐ下向きの力を加えることができる。   That is, in the pressure contact type high power thyristor module of the seventh embodiment, as shown in FIG. 18, the substantially spherical convex portion 19a1a of the first pressure plate 19a1 and the substantially conical hole 19a2a of the second pressure plate 19a2. And are fitted together. Therefore, according to the pressure contact type high power thyristor module of the seventh embodiment, the first pressure plate 19a1 is parallel to the second pressure plate 19a2 as the amount of tightening of the two screws 19b differs, for example. Even if it does not become, it is possible to apply a straight downward force to the second pressure plate 19a2.

詳細には、第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールでは、図１２および図１８に示すように、絶縁性芯出し部材１９ｄがカソード端子バー１８（図１参照）上に載置されると、絶縁性芯出し部材１９ｄの外周面が嵌合部５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと嵌合せしめられ、絶縁性芯出し部材１９ｄの芯出しが行われる。また、第２加圧板１９ａ２が皿バネ１９ｃ上に載置されると、第２加圧板１９ａ２の円弧状部の外周面が嵌合部５１ｂ，５１ｄと嵌合せしめられ、第２加圧板１９ａ２の芯出しが行われる。更に、第１加圧板１９ａ１が第２加圧板１９ａ２上に載置されると、第１加圧板１９ａ１の概略球状の凸部１９ａ１ａと第２加圧板１９ａ２の概略円錐状の穴１９ａ２ａとが嵌合せしめられ、第１加圧板１９ａ１の芯出しが行われる。   Specifically, in the pressure contact type high power thyristor module of the seventh embodiment, as shown in FIGS. 12 and 18, an insulating centering member 19d is placed on the cathode terminal bar 18 (see FIG. 1). Then, the outer peripheral surface of the insulating centering member 19d is fitted with the fitting portions 51a, 51b, 51c, 51d, and the insulating centering member 19d is centered. When the second pressure plate 19a2 is placed on the disc spring 19c, the outer peripheral surface of the arc-shaped portion of the second pressure plate 19a2 is fitted with the fitting portions 51b and 51d, and the second pressure plate 19a2 Centering is performed. Further, when the first pressure plate 19a1 is placed on the second pressure plate 19a2, the substantially spherical convex portion 19a1a of the first pressure plate 19a1 and the substantially conical hole 19a2a of the second pressure plate 19a2 are fitted. The first pressurizing plate 19a1 is centered.

第８の実施形態では、第１から第７の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。   In the eighth embodiment, the first to seventh embodiments can be appropriately combined.

本発明の圧接型大電力用サイリスタモジュールは、大電流の通電・遮断が繰り返される例えば溶接機のような装置に適用可能である。   The pressure contact type high power thyristor module of the present invention can be applied to an apparatus such as a welding machine in which a large current is repeatedly turned on and off.

は第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment. サイリスタチップ１１３，１２３の詳細図である。3 is a detailed view of thyristor chips 113 and 123. FIG. 導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１の部品図である。FIG. 6 is a component diagram of conductive anode sub-spacers 181 and 191. 導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３の部品図である。FIG. 5 is a component diagram of conductive cathode sub-spacers 183 and 193. サイリスタチップ１１３，１２３と導電性アノードサブスペーサ１８１，１９１と導電性カソードサブスペーサ１８３，１９３との関係を示した図である。It is the figure which showed the relationship between the thyristor chip | tip 113,123, the electroconductive anode subspacer 181,191, and the electroconductive cathode subspacer 183,193. 絶縁性アノードサブスペーサホルダ１８２（１９２）の部品図である。It is a component diagram of the insulating anode subspacer holder 182 (192). 絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４（１９４）の部品図である。It is a component diagram of the insulating cathode subspacer holder 184 (194). 導電性カソードスペーサ１４（２４）の部品図である。It is a component diagram of the conductive cathode spacer 14 (24). 絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）等の詳細図である。It is detail drawing of insulating gate spacers 316,317 (326,327) etc. FIG. 絶縁性ゲートスペーサ３１６，３１７（３２６，３２７）とコイルバネ型ゲート電極信号線１５との組立体を示した図である。FIG. 5 is a view showing an assembly of insulating gate spacers 316, 317 (326, 327) and a coil spring type gate electrode signal line 15. カソード端子バー１８が導電性カソードスペーサ１４および絶縁性ゲートスペーサ３１７の上に載置された状態を示した図である。FIG. 6 is a view showing a state where the cathode terminal bar 18 is placed on the conductive cathode spacer 14 and the insulating gate spacer 317. 導電性カソードサブスペーサ１８３、絶縁性カソードサブスペーサホルダ１８４等を芯出しする方法を示した図である。It is the figure which showed the method of centering the electroconductive cathode subspacer 183, the insulating cathode subspacer holder 184, etc. FIG. 電極片３１と電極片３４とを電気接続する手段を示した図である。It is the figure which showed the means to electrically connect the electrode piece 31 and the electrode piece 34. FIG. 電極片４１と電極片４４とを電気接続する手段を示した図である。FIG. 5 is a view showing a means for electrically connecting an electrode piece 41 and an electrode piece 44. 第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの外観図である。It is an external view of the pressure contact type high power thyristor module of the first embodiment. 放熱板１の水平断面図である。1 is a horizontal sectional view of a heat sink 1. 第１の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the pressure contact type high power thyristor module according to the first embodiment. 第７の実施形態の圧接型大電力用サイリスタモジュールの圧接手段１９の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the pressure contact means 19 of the pressure contact type high power thyristor module of the seventh embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 放熱板
１１，２１ 絶縁板
１２ コモンバー
１４，２４ 導電性カソードスペーサ
１４ａ 穴
１４ｂ 収容溝
１５ コイルバネ型ゲート電極信号線
１５ａ コイル部分
１５ｂ 水平に延ばされた部分
１５ｂ１ 先端側部分
１５ｂ２ 根元側部分
１８ カソード端子バー
１９，２９ 圧接手段
１９ａ，２９ａ 加圧板
１９ｂ，２９ｂ ネジ
１９ｃ，２９ｃ 皿バネ
１９ｄ，２９ｄ 絶縁性芯出し部材
２２ アノード端子バー
３１，３４，４１，４４，６２，７２ 電極片
５１ 外囲ケース
５２ 蓋体
１１３，１２３ サイリスタチップ
１１３ａ，１２３ａ アノード電極
１１３ｂ，１２３ｂ ゲート電極
１１３ｃ，１２３ｃ カソード電極
１８１，１９１ アノードサブスペーサ
１８２，１９２ アノードサブスペーサホルダ
１８３，１９３ カソードサブスペーサ
１８３ａ 穴
１８４，１９４ カソードサブスペーサホルダ
３１６，３２６ ゲートスペーサ
３１６ｃ 外周面
３１６ｄ 穴
３１７，３２７ ゲートスペーサ
３１７ｂ 下面
３１７ｃ 外周面
３１７ｄ 収容溝
３１７ｄ１ 天井面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat sink 11,21 Insulation board 12 Common bar 14,24 Conductive cathode spacer 14a Hole 14b Housing groove 15 Coil spring type gate electrode signal line 15a Coil part 15b Horizontally extended part 15b1 Tip side part 15b2 Root side part 18 Cathode Terminal bar 19, 29 Pressure contact means 19a, 29a Pressure plate 19b, 29b Screw 19c, 29c Belleville spring 19d, 29d Insulating centering member 22 Anode terminal bar 31, 34, 41, 44, 62, 72 Electrode piece 51 Enclosing case 52 Lid 113, 123 Thyristor chip 113a, 123a Anode electrode 113b, 123b Gate electrode 113c, 123c Cathode electrode 181, 191 Anode subspacer 182, 192 Anode subspacer holder 183, 193 Cathode subspec 183a Hole 184, 194 Cathode sub-spacer holder 316, 326 Gate spacer 316c Outer peripheral surface 316d Hole 317, 327 Gate spacer 317b Lower surface 317c Outer peripheral surface 317d Receiving groove 317d1 Ceiling surface

Claims (9)

絶縁板（１１）を放熱板（１）上に配置し、
アノード端子バー（１２）を絶縁板（１１）上に配置し、
概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、導電性アノードサブスペーサ（１８１）を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）とを、アノード端子バー（１２）上に配置し、
下面にアノード電極（１１３ａ）を有し、上面の中心部分にゲート電極（１１３ｂ）を有し、ゲート電極（１１３ｂ）の周りにカソード電極（１１３ｃ）を有し、アノードサブスペーサ（１８１）よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ（１１３）を設け、
サイリスタチップ（１１３）を導電性アノードサブスペーサ（１８１）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、
ゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１８３ａ）を有し、サイリスタチップ（１１３）よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）を設け、
導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを、サイリスタチップ（１１３）のカソード電極（１１３ｃ）および絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の上に配置し、
ゲート電極（１１３ｂ）に対向する位置に円形の穴（１４ａ）を有する環状の導電性カソードスペーサ（１４）を、導電性カソードサブスペーサ（１８３）および絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）をゲート電極（１１３ｂ）上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）と概略相補形状の円形の穴（３１６ｄ）と、環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１６ｃ）とを有する環状の絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）を設け、
環状の絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）とコイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）との間に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）を絶縁被覆し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の先端側部分（１５ｂ１）を、導電性カソードスペーサ（１４）の上面に形成された収容溝（１４ｂ）内に収容し、
環状の導電性カソードスペーサ（１４）の穴（１４ａ）と嵌合する外周面（３１７ｃ）を有する円形の絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）を、コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）および環状の絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）のコイル部分（１５ａ）の上端および水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成された収容溝（３１７ｄ）内に収容し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）の水平方向に延ばされた部分（１５ｂ）の根元側部分（１５ｂ２）を、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）と絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の収容溝（３１７ｄ）の天井面（３１７ｄ１）とによって狭持し、
カソード端子バー（１８）を環状の導電性カソードスペーサ（１４）および絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の上に配置し、
それらを圧接手段（１９）によって上下方向に圧接したことを特徴とする圧接型大電力用サイリスタモジュール。 An insulating plate (11) is placed on the heat sink (1),
An anode terminal bar (12) is placed on the insulating plate (11),
A generally square conductive anode subspacer (181) and an insulating anode subspacer holder (182) surrounding the conductive anode subspacer (181) are disposed on the anode terminal bar (12);
It has an anode electrode (113a) on the lower surface, a gate electrode (113b) at the center of the upper surface, a cathode electrode (113c) around the gate electrode (113b), and more than the anode sub-spacer (181). A large, generally square thyristor chip (113) is provided;
A thyristor chip (113) is placed over the conductive anode subspacer (181) and the insulating anode subspacer holder (182);
A conductive cathode sub-spacer (183) having a substantially rectangular shape having a circular hole (183a) at a position facing the gate electrode (113b) and smaller than the thyristor chip (113) is provided.
The conductive cathode subspacer (183) and the insulating cathode subspacer holder (184) surrounding the conductive cathode subspacer (183) are connected to the cathode electrode (113c) of the thyristor chip (113) and the insulating anode subspacer. Placed on the holder (182),
An annular conductive cathode spacer (14) having a circular hole (14a) at a position facing the gate electrode (113b) is placed on the conductive cathode subspacer (183) and the insulating cathode subspacer holder (184). Place and
The coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) is disposed on the gate electrode (113b),
A coil hole (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) and a circular hole (316d) substantially complementary to the outer peripheral surface (316c) fitted to the hole (14a) of the annular conductive cathode spacer (14). An annular insulating first gate spacer (316) having
An annular insulating first gate spacer (316) is disposed between the annular conductive cathode spacer (14) and the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15),
The upper end of the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) is extended in the horizontal direction, and the portion (15b) extended in the horizontal direction is covered with insulation,
The tip end side portion (15b1) of the portion (15b) extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line (15) is placed in the accommodation groove (14b) formed on the upper surface of the conductive cathode spacer (14). Contain,
A circular insulating second gate spacer (317) having an outer peripheral surface (317c) fitted to the hole (14a) of the annular conductive cathode spacer (14) is connected to the coil spring type gate electrode signal line (15) and the annular Disposed over the insulating first gate spacer (316);
The upper end of the coil portion (15a) of the coil spring type gate electrode signal line (15) and the base side portion (15b2) of the portion (15b) extended in the horizontal direction are connected to the lower surface of the insulating second gate spacer (317) ( 317b) is accommodated in an accommodation groove (317d) formed in
The base portion (15b2) of the portion (15b) extending in the horizontal direction of the coil spring type gate electrode signal line (15) is connected to the upper surface (316a) of the insulating first gate spacer (316) and the insulating second gate. Nipped by the ceiling surface (317d1) of the receiving groove (317d) of the spacer (317),
A cathode terminal bar (18) is disposed over the annular conductive cathode spacer (14) and the insulating second gate spacer (317);
A pressure contact type high power thyristor module, wherein the pressure contact means (19) presses them in the vertical direction. 概略四角形の導電性アノードサブスペーサ（１８１）の外周面と嵌合する穴（１８２ａ）と、係合突起（１８２ｂ）とを絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）に設け、
概略四角形の導電性カソードサブスペーサ（１８３）の外周面と嵌合する穴（１８４ａ）と、概略四角形のサイリスタチップ（１１３）の外周面と嵌合する突起（１８４ｂ）と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の係合突起（１８２ｂ）と係合する係合穴（１８４ｃ）とを絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）に設け、
導電性アノードサブスペーサ（１８１）と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）と、サイリスタチップ（１１３）と、導電性カソードサブスペーサ（１８３）と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）とを組み立てた状態でアノード端子バー（１２）上に載置したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。 The insulating anode subspacer holder (182) is provided with a hole (182a) that fits with the outer peripheral surface of the substantially rectangular conductive anode subspacer (181), and an engagement protrusion (182b).
A hole (184a) that fits with the outer peripheral surface of the substantially square conductive cathode sub-spacer (183), a protrusion (184b) that fits with the outer peripheral surface of the substantially square thyristor chip (113), and an insulating anode sub-spacer The insulating cathode sub-spacer holder (184) is provided with an engaging hole (184c) that engages with the engaging protrusion (182b) of the holder (182),
Assembling the conductive anode subspacer (181), the insulating anode subspacer holder (182), the thyristor chip (113), the conductive cathode subspacer (183), and the insulating cathode subspacer holder (184) 2. The pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, wherein the thyristor module is placed on the anode terminal bar (12) in a state of being pressed. 絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）の上面（３１６ａ）に形成された係合突起（３１６ｅ）または係合穴が圧入される係合穴（３１７ｅ）または係合突起を絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）の下面（３１７ｂ）に形成し、
コイルバネ型ゲート電極信号線（１５）と、絶縁性第１ゲートスペーサ（３１６）と、絶縁性第２ゲートスペーサ（３１７）とを組み立てた状態で、サイリスタチップ（１１３）のゲート電極（１１３ｂ）および環状の導電性カソードスペーサ（１４）の収容溝（１４ｂ）の上に載置したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。 The engagement protrusion (316e) formed on the upper surface (316a) of the insulating first gate spacer (316) or the engagement hole (317e) or engagement protrusion into which the engagement hole is press-fitted is connected to the insulating second gate spacer ( 317) on the lower surface (317b),
In a state where the coil spring type gate electrode signal line (15), the insulating first gate spacer (316), and the insulating second gate spacer (317) are assembled, the gate electrode (113b) of the thyristor chip (113) and 2. The pressure contact type high power thyristor module according to claim 1, wherein the thyristor module is mounted on an accommodation groove (14b) of an annular conductive cathode spacer (14). アノード端子バー（１２）の外周面、絶縁性アノードサブスペーサホルダ（１８２）の外周面、絶縁性カソードサブスペーサホルダ（１８４）の外周面、導電性カソードスペーサ（１４）の外周面、および、カソード端子バー（１８）の外周面と嵌合してそれらの芯出しを行うための嵌合部（５１ａ１，５１ａ２，５１ａ３，５１ａ４）を外囲ケース（５１）に設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。   The outer peripheral surface of the anode terminal bar (12), the outer peripheral surface of the insulating anode sub-spacer holder (182), the outer peripheral surface of the insulating cathode sub-spacer holder (184), the outer peripheral surface of the conductive cathode spacer (14), and the cathode The outer casing (51) is provided with fitting portions (51a1, 51a2, 51a3, 51a4) for fitting with the outer peripheral surface of the terminal bar (18) to center them. The pressure contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 3. 放熱板（１）に冷却水流路（１ａ）を形成し、水冷によって放熱板（１）を冷却したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。   The pressure contact type high power thyristor according to any one of claims 1 to 4, wherein a cooling water channel (1a) is formed in the heat radiating plate (1), and the heat radiating plate (1) is cooled by water cooling. module. サイリスタチップ（１１３）のアノード電極（１１３ａ）、ゲート電極（１１３ｂ）およびカソード電極（１１３ｃ）を約７〜９μｍの厚さでアルミニウム蒸着したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。   The anode electrode (113a), the gate electrode (113b), and the cathode electrode (113c) of the thyristor chip (113) are vapor-deposited with aluminum in a thickness of about 7 to 9 μm. Pressure contact type high power thyristor module as described in 1. 加圧板（１９ａ）と、２本のネジ（１９ｂ）と、皿バネ（１９ｃ）と、皿バネ（１９ｃ）を芯出しするために皿バネ（１９ｃ）の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材（１９ｄ）とによって圧接手段（１９）を構成したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。   Insulating centering member fitted to the inner edge of the disc spring (19c) to center the pressurizing plate (19a), the two screws (19b), the disc spring (19c), and the disc spring (19c) The pressure contact type high power thyristor module according to any one of claims 1 to 6, wherein pressure contact means (19) is constituted by (19d). 概略球状の凸部（１９ａ１ａ）を有する第１加圧板（１９ａ１）と、凸部（１９ａ１ａ）と嵌合する概略円錐状の穴（１９ａ２ａ）を有する第２加圧板（１９ａ２）と、２本のネジ（１９ｂ）と、皿バネ（１９ｃ）と、皿バネ（１９ｃ）を芯出しするために皿バネ（１９ｃ）の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材（１９ｄ）とによって圧接手段（１９）を構成したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。   A first pressure plate (19a1) having a substantially spherical convex portion (19a1a), a second pressure plate (19a2) having a generally conical hole (19a2a) fitted to the convex portion (19a1a), and two Pressure contact means (19) by a screw (19b), a disc spring (19c), and an insulating centering member (19d) fitted to the inner edge of the disc spring (19c) for centering the disc spring (19c) The press contact type high power thyristor module according to claim 1, wherein the thyristor module is configured as follows. カソード端子バー（１８）に電極片（３１）を接合し、可撓性のカソード電極信号線（３２）の一端を電極片（３１）にファストンタブ（３３）を介して接続し、カソード電極信号線（３２）の他端を他の電極片（６２）に接続し、他の電極片（６２）を外囲ケース（５１）に担持させたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。   The electrode piece (31) is joined to the cathode terminal bar (18), one end of the flexible cathode electrode signal line (32) is connected to the electrode piece (31) via the faston tab (33), and the cathode electrode signal The other end of the wire (32) is connected to another electrode piece (62), and the other electrode piece (62) is carried on the outer case (51). The pressure contact type high power thyristor module according to one item.
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