JP2009180854A - Wiring pattern, substrate device, method for forming slit in wiring pattern, method for designing slit in wiring pattern, apparatus and program therefor - Google Patents
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Description
本発明は、光が透過するためのスリットを有する配線パターン、基板装置、配線パターンのスリット形成方法、基板装置、配線パターンのスリット設計方法、その装置およびそのプログラムに関する。 The present invention relates to a wiring pattern having a slit for transmitting light, a substrate device, a wiring pattern slit forming method, a substrate device, a wiring pattern slit designing method, a device therefor, and a program therefor.
液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力であるなどの様々な特徴を有しており、OA機器、情報端末、時計およびテレビジョンなどの様々な用途に応用されている。特に、薄膜トランジスタを有する液晶表示素子は、その高い応答性から、携帯テレビジョンやコンピュータなどのように多量の情報を表示するモニタとして用いられている。 Liquid crystal display devices have various features such as thinness, light weight, and low power consumption, and are applied to various uses such as OA equipment, information terminals, watches, and televisions. In particular, a liquid crystal display element having a thin film transistor is used as a monitor for displaying a large amount of information such as a portable television or a computer because of its high responsiveness.
このような液晶表示装置は、一対のガラス基板を対向配置し、これらガラス基板間に液晶層を介在させるとともに、ガラス基板の外周縁近傍を接着剤からなる接着部(シール部)によって互いに接着することで液晶層をガラス基板間に封止して構成されている。 In such a liquid crystal display device, a pair of glass substrates are arranged to face each other, a liquid crystal layer is interposed between the glass substrates, and the vicinity of the outer peripheral edge of the glass substrate is bonded to each other by an adhesive portion (seal portion) made of an adhesive. Thus, the liquid crystal layer is sealed between the glass substrates.
近年、量産適用が頻繁に行なわれるようになった液晶滴下工法では、光硬化接着剤すなわち紫外線硬化型接着剤(以下、UVシールという)が未硬化状態で液晶材料と接するため、UVシールの構成成分が液晶層に多量に溶出することがあり、これらの不純物や構成成分が液晶中に溶出すると、電圧保持率の低下、配向不良などを誘発し、表示品位を著しく悪化させる。 In recent years, in the liquid crystal dropping method that has been frequently applied to mass production, a photo-curing adhesive, that is, an ultraviolet curable adhesive (hereinafter referred to as a UV seal) is in contact with a liquid crystal material in an uncured state. A large amount of components may be eluted in the liquid crystal layer, and when these impurities and constituent components are eluted in the liquid crystal, a decrease in voltage holding ratio, alignment failure, etc. are induced, and the display quality is remarkably deteriorated.
このような不純物の溶出を低減させるため、充分な光硬化反応を起こさせるような材料およびUV照射装置が検討されているものの、現状の液晶表示素子では、UVシール下に配線パターンを形成することがある。このような配線パターンは、200〜300μm程度の幅となることもあるので、このような配線パターンがUVシールを横断した際に、この配線パターンにより遮光されることでUVシールが未硬化状態となり、UVシールの液晶層への溶出が起きるおそれがある。 In order to reduce the elution of such impurities, materials and UV irradiation apparatuses that cause a sufficient photocuring reaction have been studied. However, in the current liquid crystal display element, a wiring pattern is formed under the UV seal. There is. Since such a wiring pattern may have a width of about 200 to 300 μm, when such a wiring pattern crosses the UV seal, the UV seal becomes uncured by being shielded by the wiring pattern. There is a possibility that elution of the UV seal into the liquid crystal layer may occur.
一方、カラーフィルタ層を設けた対向基板側から光を照射する場合もあるものの、対向基板側の該当場所には、光漏れ防止用の額縁状の遮光パターンが形成されることが多く、UVシールの硬化のための充分な露光が容易でないという問題がある。 On the other hand, although there is a case where light is irradiated from the counter substrate side provided with the color filter layer, a frame-shaped light shielding pattern for preventing light leakage is often formed at a corresponding place on the counter substrate side. However, there is a problem that sufficient exposure for curing is not easy.
そこで、UVシールを横断する配線パターンなどに、光を透過させるためのスリットを設ける構成が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
配線パターンに設けるスリットは、光を効率よくUVシールに照射させるために、その開口面積を可能な限り広くすることが望まれる。しかしながら、スリットの開口面積を大きくすると、配線パターンの抵抗値が大きくなるという問題点を有している。 The slit provided in the wiring pattern is desired to have an opening area as large as possible in order to efficiently irradiate the UV seal with light. However, when the opening area of the slit is increased, the resistance value of the wiring pattern is increased.
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、抵抗値の増加を抑制しつつ開口面積を大きくしたスリットを形成できる配線パターン、基板装置、配線パターンのスリット形成方法、基板装置、配線パターンのスリット設計方法、その装置およびそのプログラムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and is capable of forming a slit having a large opening area while suppressing an increase in resistance value, a wiring board device, a wiring pattern slit forming method, a wiring board device, and a wiring pattern. An object of the present invention is to provide a slit design method, an apparatus therefor, and a program therefor.
本発明は、基板上に導電体によって形成される配線パターンであって、配線パターン本体と、この配線パターン本体の等電位線に直交する電流の流線に沿って形成され光が透過可能なスリットとを具備しているものである。 The present invention relates to a wiring pattern formed of a conductor on a substrate, which is formed along a wiring pattern main body and a current stream line orthogonal to an equipotential line of the wiring pattern main body and allows light to pass therethrough. It is equipped with.
また、本発明は、基板上に導電体によって形成される配線パターン本体に光が透過するためのスリットを備えた配線パターンのスリット形成方法であって、前記配線パターン本体の等電位線に直交する電流の流線に沿って前記スリットを形成するスリット形成工程を備えているものである。 In addition, the present invention is a wiring pattern slit forming method including a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate, which is orthogonal to the equipotential lines of the wiring pattern body. A slit forming step of forming the slit along a current flow line is provided.
さらに、本発明は、基板上に導電体によって形成される配線パターン本体に光が透過するためのスリットを備えた配線パターンのスリット設計方法であって、前記配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターン本体の仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って前記スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する仮想スリット形成工程を備えているものである。 Furthermore, the present invention is a wiring pattern slit design method comprising a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate, and the virtual wiring pattern simulating the wiring pattern body A virtual slit forming step of forming a virtual slit for simulating the slit along a virtual stream line of a current orthogonal to a virtual equipotential line of the main body is provided.
そして、基板上に導電体により形成した配線パターン本体の等電位線に直交する電流の流線に沿ってスリットを形成する。 Then, a slit is formed along the current stream line orthogonal to the equipotential line of the wiring pattern body formed of the conductor on the substrate.
さらに、本発明は、基板上に導電体によって形成される配線パターン本体に光が透過するためのスリットを備えた配線パターンのスリット設計装置であって、前記配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターン本体の仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って前記スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する仮想スリット形成手段を備えているものである。 Furthermore, the present invention is a wiring pattern slit designing apparatus comprising a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate, and a virtual wiring pattern simulating the wiring pattern body Virtual slit forming means for forming a virtual slit for simulating the slit along a virtual stream line of a current orthogonal to a virtual equipotential line of the main body is provided.
また、本発明は、基板上に導電体によって形成される配線パターン本体に光が透過するためのスリットを備えた配線パターンのスリット設計プログラムであって、前記配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターンの仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って前記スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する仮想スリット形成ステップを備えているものである。 The present invention is also a slit design program for a wiring pattern having a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate, the virtual wiring pattern simulating the wiring pattern body A virtual slit forming step of forming a virtual slit for simulating the slit along a virtual streamline of a current orthogonal to the virtual equipotential line.
そして、配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターン本体の仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って、スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する。 Then, a virtual slit that simulates the slit is formed along the virtual streamline of the current that is orthogonal to the virtual equipotential line of the virtual wiring pattern body that simulates the wiring pattern body.
本発明によれば、抵抗値の増加を抑制しつつ開口面積を大きくしたスリットを形成できる。 According to the present invention, it is possible to form a slit having a large opening area while suppressing an increase in resistance value.
以下、本発明の第1の実施の形態の構成を図面を参照して説明する。 The configuration of the first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図3および図4において、11は表示装置としての液晶表示装置である液晶パネルで、この液晶パネル11は、例えば携帯電話などに用いられる略矩形平板状の基板装置としての表示素子である液晶表示素子、すなわちLCD(Liquid Crystal Display)セルである液晶セル12と、この液晶セル12の背面側に面状光を照射する面状光源装置であるバックライト13とを備えた透過型のものである。
3 and 4,
液晶セル12は、例えばカラー表示が可能なアクティブマトリクス型のもので、基板であるアレイ基板16と、基板である対向基板17とを、互いに対向配置し、これら基板16,17間に光変調層である液晶層18を介在し、かつ、基板16,17のそれぞれに図示しない偏光板を取り付けて構成され、基板16,17が互いに接着部としてのシール部19にて貼り合わされて接着固定され、略中央部に、画像を表示させる画素Pがマトリクス状に形成された四角形状の表示領域20が形成されている。
The liquid crystal cell 12 is, for example, an active matrix type capable of color display. An
アレイ基板16は、例えば透光性を有する基板本体であるガラス基板25を有し、このガラス基板25の液晶層18側の主面上には、金属部材などの導電体により薄膜状に形成された複数の配線(メタル配線)である走査線(ゲート配線)31と信号線(ソース配線)32とが互いに略直交するように格子状に配設されて配線パターンLPを形成し、これら走査線31と信号線32とのそれぞれの交差位置に、スイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT)33が設けられ、これらを覆って液晶層18の液晶分子の配向用の図示しない配向膜が形成されている。
The
薄膜トランジスタ33は、ゲート電極が走査線31と接続され、ソース電極が信号線32と接続されているとともに、ドレイン電極に図示しない画素電極が接続されており、走査線駆動回路であるゲートドライバ36からの信号が走査線31を介してゲート電極に印加されることでスイッチング制御され、信号線駆動回路であるソースドライバ37から信号線32を介して入力された信号に対応して画素電極に電圧を印加することで、画素Pをそれぞれ独立して点灯/消灯させるものである。
The
また、対向基板17は、透光性を有する基板本体であるガラス基板45を有し、このガラス基板45上に、図示しないカラーフィルタ層、対向電極および配向膜などが順次積層されている。
The counter substrate 17 includes a
カラーフィルタ層は、例えばRGB3原色に対応して合成樹脂などによりそれぞれ画素P毎に薄膜状に形成され、平面視で例えばストライプ状をなしている。 The color filter layer is formed in a thin film shape for each pixel P by a synthetic resin or the like corresponding to the three primary colors of RGB, for example, and has, for example, a stripe shape in plan view.
対向電極は、表示領域20の画素電極に対応する位置にて、例えばITOなどの透明導電材料により、スパッタリング法などで形成されている。
The counter electrode is formed by a sputtering method or the like with a transparent conductive material such as ITO at a position corresponding to the pixel electrode in the
また、液晶層18は、所定の液晶材料により形成された光変調層である。
The
さらに、シール部19は、例えば光硬化樹脂としての紫外線(UV)硬化樹脂であるシール部材(UVシール)により形成されており、表示領域20を囲む枠状(額縁状)に形成されている。また、このシール部19には、配線パターンLPの一部が重なって形成されている。
Further, the
なお、本実施の形態において、液晶層18は、液晶滴下工法によって基板16,17間に配置される。すなわち、シール部19は、ガラス基板25上に未硬化状態のシール部材が枠状に塗布され、このシール部材に囲まれた領域に滴下した液晶材料をガラス基板25,45間に挟持した状態で、未硬化状態のシール部材にUV光を照射して硬化することで形成される。
In the present embodiment, the
ここで、配線パターンLPは、図1に示すように、導電体により形成された配線パターン本体LP1と、この配線パターン本体LP1のシール部19と重なる部分に複数形成されシール部19(図2)を硬化するための光(UV光)を透過させるスリットSとを備えている。
Here, as shown in FIG. 1, a plurality of wiring patterns LP are formed in a wiring pattern main body LP1 formed of a conductor and a portion overlapping this
スリットSは、平面視で長方形状に形成され、配線パターン本体LP1の抵抗計算用の電極E,E間の等電位線47に直交する電流の流線である電気力線48に沿って長手方向を有するようにそれぞれ形成されている。
The slit S is formed in a rectangular shape in plan view, and is longitudinal along an
そして、配線パターンLPのスリットSは、液晶セル12の基板16,17などのパターン設計などに用いる設計手段としてのパターンレイアウトソフトであるCADソフトなどを含む制御部であるコンピュータシステムにより設計される。コンピュータには、記憶手段としてのハードディスク、一時記憶手段としてのメモリ、および、CADソフトを備え、このCADソフト上でシミュレートした仮想配線パターンLPa(仮想配線パターン本体LP1a)を形成する配線パターン形成手段と、スリットSをCADソフト上でシミュレートした仮想スリットSaを形成する仮想スリット形成手段などとの機能を有し基板16,17などに形成されるパターンをCADソフト上でシミュレートした仮想パターンを形成する仮想パターン作成手段、および、仮想配線パターン本体LP1aの形状、材質あるいは長さなどに基づいて仮想配線パターン本体LP1a上での仮想等電位線47a(仮想流線である仮想電気力線48a)をシミュレートする仮想等電位線計算手段(仮想電気力線計算手段)などを機能として有するCPUなどの制御手段がそれぞれ設けられている。
The slits S of the wiring pattern LP are designed by a computer system that is a control unit including CAD software that is pattern layout software as design means used for pattern design of the
次に、上記第1の実施の形態の配線パターンのスリット設計方法および作成方法を説明する。なお、本実施の形態では、アレイ基板16側に配線パターンLPを作成するものとするが、対向基板17側に作成する場合でも同様に対応できる。
Next, the slit design method and creation method of the wiring pattern of the first embodiment will be described. In the present embodiment, the wiring pattern LP is created on the
まず、配線パターンLPを含むガラス基板25のパターンをシミュレートしたシミュレートパターンをCADソフト上で設計する(パターン設計工程)。
First, a simulated pattern that simulates the pattern of the
このパターン設計工程において、図2に示すように、配線パターン本体LP1をシミュレートした仮想配線パターン本体LP1aは、所望の位置間に抵抗値などを測定するための仮想電極Eaを配置し、これら仮想電極Ea間の仮想等電位線47aおよびこれら仮想等電位線47aに直交する仮想電気力線48aをシミュレートし、この仮想電気力線48aに沿って、細長四角形状の仮想スリットSaを順次配置していく(仮想スリット形成工程)。
In this pattern design process, as shown in FIG. 2, the virtual wiring pattern main body LP1a simulating the wiring pattern main body LP1 arranges virtual electrodes Ea for measuring a resistance value or the like between desired positions. The virtual
この結果、スリットSを有する配線パターンLPがコンピュータ上で設計される。 As a result, the wiring pattern LP having the slits S is designed on the computer.
そして、このコンピュータ上で設計した仮想スリットSaを有する仮想配線パターンLPaに基づきフォトマスクを作成し、このフォトマスクを使用してスパッタリングやエッチングなどを適宜繰り返して、スリットSを有する配線パターンLPとして実際にガラス基板25の主面上に形成する(スリット形成工程)。 Then, a photomask is created on the basis of the virtual wiring pattern LPa having the virtual slit Sa designed on the computer, and sputtering or etching is appropriately repeated using this photomask to actually form the wiring pattern LP having the slit S. Then, it is formed on the main surface of the glass substrate 25 (slit forming step).
上述したように、上記第1の実施の形態によれば、ガラス基板25上に導電体によって形成される配線パターン本体LP1に、配線パターンLPの等電位線47に直交する電気力線48に沿ってスリットSを形成する。具体的には、スリット設計手段により配線パターン本体LP1をシミュレートした仮想配線パターン本体LP1aの仮想等電位線47aに直交する仮想電気力線48aに沿ってスリットSをシミュレートする仮想スリットSaを形成し、このように設計したスリットSを有する配線パターンLPをガラス基板25上に形成する。
As described above, according to the first embodiment, the wiring pattern body LP1 formed of the conductor on the
この結果、配線パターンLPの抵抗値の増加を抑制しつつ開口面積を大きくしたスリットSを形成できる。 As a result, it is possible to form the slit S having a large opening area while suppressing an increase in the resistance value of the wiring pattern LP.
そして、このようなスリットSを配線パターン本体LP1のシール部19と重なる部分に備えることにより、未硬化状態のシール部材にUV光を照射して硬化させる際に、シール部材の配線パターンLPと重なった部分でもUV光がスリットSを介してシール部材に照射されてこのシール部材が確実に硬化してシール部19が形成されるので、未硬化のシール部材により囲まれた領域に液晶材料を滴下してシール部材を硬化させる液晶滴下工法を用いて液晶セル12を製造する際にも、シール部19を構成するシール部材が充分に硬化せずに液晶層18中に溶出することなどもなく、このような溶出により液晶セル12の表示品位が低下することをも防止できる。
Further, by providing such a slit S in a portion overlapping the
次に、第2の実施の形態を図5および図6を参照して説明する。なお、上記第1の実施の形態と同様の構成および作用については、同一符号を付してその説明を省略する。 Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, about the structure and effect | action similar to the said 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
この第2の実施の形態は、上記第1の実施の形態において、スリットSの開口面積が、配線パターンLP上の電流密度に対応して設定されているものである。 In the second embodiment, the opening area of the slit S is set corresponding to the current density on the wiring pattern LP in the first embodiment.
すなわち、スリットSは、配線パターン本体LP1の電流密度が大きい位置にあるものの開口面積が相対的に小さく、配線パターン本体LP1の電流密度が小さい位置にあるものの開口面積が相対的に大きい。なお、全てのスリットSの開口面積の総和は、一定とすることが好ましい。 That is, the slit S has a relatively small opening area at a position where the current density of the wiring pattern body LP1 is large, and has a relatively large opening area at a position where the current density of the wiring pattern body LP1 is small. The total sum of the opening areas of all the slits S is preferably constant.
図5では、電極E,E間において、図中の上側と下側とのそれぞれの電気力線48に沿うスリットSの開口面積が相対的に大きく、図中の上下中央の電気力線48に沿うスリットSへと、順次開口面積が小さくなるように設定されている。なお、各スリットSは、長手寸法が略等しく設定されており、幅寸法が異なることにより開口面積が異なっている。
In FIG. 5, between the electrodes E and E, the opening area of the slit S along the
このようなスリットSを備えた配線パターンLPを作成する際には、図6に示すように上記仮想スリット形成工程において、仮想配線パターン本体LP1a上の仮想的な電流密度を計算し、この電流密度に対応して仮想スリットSaの幅寸法を設定し、このように仮想スリットSaを形成した仮想配線パターンLPaに対応して、スリット形成工程において、ガラス基板25上に、スリットSを形成した配線パターンLPを形成する。
When creating the wiring pattern LP having such a slit S, as shown in FIG. 6, in the virtual slit forming step, a virtual current density on the virtual wiring pattern body LP1a is calculated, and this current density is calculated. The width dimension of the virtual slit Sa is set corresponding to the above, and the wiring pattern in which the slit S is formed on the
この結果、配線パターンLPの抵抗値の増加をより抑制しつつ、開口面積を大きくしたスリットSを形成でき、上記第1の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。 As a result, it is possible to form the slit S having a large opening area while further suppressing an increase in the resistance value of the wiring pattern LP, and the same effects as those in the first embodiment can be obtained.
なお、上記各実施の形態において、スリットS(仮想スリットSa)の形状は、例えば電気力線48(仮想電気力線48a)に沿って曲線状の形状としたりするなど、任意の形状とすることが可能である。
In each of the above embodiments, the shape of the slit S (virtual slit Sa) is an arbitrary shape such as a curved shape along the electric force line 48 (virtual
また、基板装置としては、液晶セル12だけでなく、光により硬化して一対の基板を接着する部材と導電体により形成される配線パターンとを有するものであれば、任意のものとすることができる。 Further, the substrate device is not limited to the liquid crystal cell 12, but may be any device as long as it has a wiring pattern formed of a member that is cured by light and bonds a pair of substrates and a conductor. it can.
さらに、上記設計方法のパターン形成工程や仮想スリット形成工程などのそれぞれを、コンピュータにより動作可能な各ステップとしてプログラム化した配線パターンのスリット設計プログラムとしてもよく、また、このプログラムを、光ディスク、あるいは磁気ディスクその他の媒体にコンピュータ読み取り可能に記録し、コンピュータに自動的に動作させることも可能である。 Furthermore, each of the pattern forming process and the virtual slit forming process of the above design method may be a wiring pattern slit design program that is programmed as each step operable by a computer. It is also possible to record on a disk or other medium so as to be readable by a computer, and automatically operate the computer.
そして、上記第1の実施の形態に対応する実施例1と、上記第2の実施の形態に対応する実施例2と、従来例に対応する比較例とを図7に示す。 FIG. 7 shows Example 1 corresponding to the first embodiment, Example 2 corresponding to the second embodiment, and a comparative example corresponding to the conventional example.
図7(c)に示す比較例は、電極E,Eに接続される直線状の直線部LPb,LPb間に連続し側方(図中の右側)へと略直角に屈曲、すなわち各直線部LPb,LPbに対してそれぞれ所定角度、例えば略45°に傾斜した屈曲部LPcとを備えた略上下対称な配線パターン本体LP1に対して、一定方向、ここでは図中上下方向に長手方向を有する細長四角形状のスリットS0を形成したものである。 In the comparative example shown in FIG. 7 (c), the straight line portions LPb and LPb connected to the electrodes E and E are continuously bent to the side (right side in the drawing) at a substantially right angle, that is, each straight line portion. With respect to the substantially vertically symmetrical wiring pattern body LP1 provided with a bent portion LPc inclined at a predetermined angle, for example, approximately 45 °, with respect to LPb and LPb, it has a longitudinal direction in a certain direction, here the vertical direction in the figure. An elongated rectangular slit S0 is formed.
図7(a)に示す実施例1は、各スリットS0と同一の開口面積を有する各スリットSを配線パターン本体LP1の電気力線に沿って配置、すなわち直線部LPb,LPbは比較例と同様に配置し屈曲部LPcではこの屈曲部LPcの屈曲形状に沿って配置したものであり、図7(b)に示す実施例2は、実施例1と同様にスリットSを配置しつつ、各スリットSの開口面積を、配線パターン本体LP1の電流密度に対応して可変設定、例えば屈曲部LPcに位置するスリットSを左側(屈曲部LPcの屈曲形状の内側)のものから右側(屈曲部LPcの屈曲形状の外側)のものへと順次開口面積を大きくなるように設定したものである。なお、この実施例2の開口面積は、実施例1の開口面積と等しい。 In Example 1 shown in FIG. 7A, the slits S having the same opening area as the slits S0 are arranged along the lines of electric force of the wiring pattern body LP1, that is, the straight portions LPb and LPb are the same as in the comparative example. In the bent portion LPc, the bent portion LPc is arranged along the bent shape of the bent portion LPc. In the second embodiment shown in FIG. The opening area of S is variably set corresponding to the current density of the wiring pattern main body LP1, for example, the slit S located in the bent portion LPc from the left side (inside the bent shape of the bent portion LPc) to the right side (of the bent portion LPc). The opening area is set so as to gradually increase toward the outer side of the bent shape. The opening area of Example 2 is equal to the opening area of Example 1.
そして、上記実施例1、実施例2および比較例について配線パターンの両端間の抵抗値を測定すると、比較例に抵抗値を100%としたとき、実施例1の抵抗値は96.37%、実施例2の抵抗値は95.64%と、それぞれ抵抗値を低減することができた。 And when the resistance value between the both ends of a wiring pattern was measured about the said Example 1, Example 2, and a comparative example, when resistance value was set to 100% in a comparative example, the resistance value of Example 1 was 96.37%, The resistance value of Example 2 was 95.64%, and each resistance value could be reduced.
12 基板装置としての液晶セル
16 基板であるアレイ基板
17 基板である対向基板
47 等電位線
47a 仮想等電位線
48 流線である電気力線
48a 仮想流線である仮想電気力線
LP 配線パターン
LPa 仮想配線パターン
LP1 配線パターン本体
LP1a 仮想配線パターン本体
S スリット
Sa 仮想スリット
12 Liquid crystal cell as a substrate device
Array substrate which is 16 substrate
17 Substrate that is the substrate
47 equipotential lines
47a Virtual equipotential lines
48 Electric field lines that are streamlines
48a Virtual electric lines of force that are virtual streamlines
LP wiring pattern
LPa virtual wiring pattern
LP1 wiring pattern body
LP1a Virtual wiring pattern body S Slit
Sa virtual slit
Claims (11)
配線パターン本体と、
この配線パターン本体の等電位線に直交する電流の流線に沿って形成され光が透過可能なスリットと
を具備していることを特徴とする配線パターン。 A wiring pattern formed of a conductor on a substrate,
A wiring pattern body;
A wiring pattern comprising: a slit formed along a current flow line orthogonal to an equipotential line of the wiring pattern main body and capable of transmitting light.
ことを特徴とする配線パターン。 An opening area of the slit is set corresponding to a current density on the wiring pattern body.
光により硬化する部材で形成され、この部材の硬化により前記一対の基板を接着する接着部と、
前記一対の基板の少なくともいずれかに形成された請求項1または2記載の配線パターンと
を具備していることを特徴とする基板装置。 A pair of substrates disposed opposite each other;
Formed of a member that is cured by light, and an adhesive portion that bonds the pair of substrates by curing of the member;
3. A substrate device comprising: the wiring pattern according to claim 1 or 2 formed on at least one of the pair of substrates.
前記配線パターン本体の等電位線に直交する電流の流線に沿って前記スリットを形成するスリット形成工程を備えている
ことを特徴とする配線パターンのスリット形成方法。 A wiring pattern slit forming method comprising a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate,
A slit forming method for forming a wiring pattern, comprising: a slit forming step of forming the slit along a current flow line orthogonal to an equipotential line of the wiring pattern main body.
ことを特徴とする請求項4記載の配線パターンのスリット形成方法。 The wiring pattern slit forming method according to claim 4, wherein, in the slit forming step, an opening area of the slit is set corresponding to a current density on the wiring pattern main body.
前記配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターン本体の仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って前記スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する仮想スリット形成工程を備えている
ことを特徴とする配線パターンのスリット設計方法。 A wiring pattern slit design method comprising a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate,
A virtual slit forming step of simulating the slit along a virtual streamline of a current orthogonal to a virtual equipotential line of the virtual wiring pattern body simulating the wiring pattern body; Wiring pattern slit design method.
ことを特徴とする請求項6記載の配線パターンのスリット設計方法。 The wiring pattern slit designing method according to claim 6, wherein, in the virtual slit forming step, an opening area of the virtual slit is set corresponding to a virtual current density on the virtual wiring pattern body.
前記配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターン本体の仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って前記スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する仮想スリット形成手段を備えている
ことを特徴とする配線パターンのスリット設計装置。 A wiring pattern slit designing device comprising a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate,
Virtual slit forming means for simulating the slit along the virtual streamline of the current orthogonal to the virtual equipotential line of the virtual wiring pattern body simulating the wiring pattern body. Wiring pattern slit design device.
ことを特徴とする請求項8記載の配線パターンのスリット設計装置。 9. The wiring pattern slit designing apparatus according to claim 8, wherein the virtual slit forming means sets an opening area of the virtual slit corresponding to a virtual current density on the virtual wiring pattern body.
前記配線パターン本体をシミュレートした仮想配線パターンの仮想等電位線に直交する電流の仮想流線に沿って前記スリットをシミュレートする仮想スリットを形成する仮想スリット形成ステップを備えている
ことを特徴とする配線パターンのスリット設計プログラム。 A wiring pattern slit design program comprising a slit for transmitting light to a wiring pattern body formed of a conductor on a substrate,
A virtual slit forming step of forming a virtual slit for simulating the slit along a virtual streamline of a current orthogonal to a virtual equipotential line of a virtual wiring pattern simulating the wiring pattern body; Slit design program for wiring patterns.
ことを特徴とする請求項10記載の配線パターンのスリット設計プログラム。 The wiring pattern slit design program according to claim 10, wherein, in the virtual slit forming step, an opening area of the virtual slit is set corresponding to a virtual current density on the virtual wiring pattern body.
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