JP2009177215A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that in a wire bonding process, an antioxidant film of a lead frame may be separated and adhesion with resin may be deteriorated. <P>SOLUTION: In a semiconductor device manufacturing method, a lead frame is prepared on which a plurality of loading parts disposed in a row direction and a column direction are collectively formed as a collective block and an antioxidant film is formed, a rear face of the lead frame which corresponds to the collective block is mounted on a mounting board of a bonding device, semiconductor elements formed on positions corresponding to the loading parts of the lead frame are bounded to the lead frame by using the bonding device, and wire-bonding is collectively performed in the collective block. When collectively performing wire bonding while pressing the peripheral end of the collective block in the lead frame, nitrogen gas is sprayed to the collective block to suppress the separation of the antioxidant film formed on the lead frame. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法に関し、特に、認識装置の認識精度を向上させ、また、ボンディング装置のボンディング精度を向上させ、それらを用いた回路装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a recognition device, a bonding device, and a method for manufacturing a circuit device, and more particularly to a method for manufacturing a recognition device, a method for manufacturing a circuit device using the same. It is.

従来における半導体装置では、リードフレーム上に形成された搭載部にワイヤボンディングを行う場合には各搭載部毎に行われており、その１実施例として、例えば、特開昭６３−２９５３５号公報にその認識装置、ボンディング装置について開示されている。   In a conventional semiconductor device, when wire bonding is performed on a mounting portion formed on a lead frame, it is performed for each mounting portion, and one example thereof is disclosed in, for example, JP-A-63-29535. The recognition device and the bonding device are disclosed.

図１７に示すように、ヒートブロック部１上には、チップ１０が付されたトランジスタリードフレーム２が載置されている。そして、ヒートブロック部１上のリードフレーム２上部には、ボンディングアーム３が設置されており、ボンディングアーム３先端にはキャピラリー４が設置されている。このキャピラリー４にはワイヤ５が設置されたおり、キャピラリ４近傍にはワイヤ５のボール形成行うためのトーチ６が設置されている。   As shown in FIG. 17, a transistor lead frame 2 with a chip 10 is placed on the heat block unit 1. A bonding arm 3 is installed above the lead frame 2 on the heat block unit 1, and a capillary 4 is installed at the tip of the bonding arm 3. A wire 5 is installed in the capillary 4, and a torch 6 for forming a ball of the wire 5 is installed in the vicinity of the capillary 4.

そして、この熱圧着型ボンディング装置には、ワイヤボンド位置認識部７、ボンディングヘッド駆動部８が設置されており、ボンディングヘッド駆動部８のＸＹ方向への稼働と連動して稼働するようにセットされた、ボンディング部を局部的に加熱するための局部加熱装置９も設置されている。この局部加熱装置９としては例えばレーザー光線装置を用いることができる。   In this thermocompression bonding apparatus, a wire bond position recognizing unit 7 and a bonding head driving unit 8 are installed and set so as to operate in conjunction with the operation of the bonding head driving unit 8 in the XY directions. A local heating device 9 for locally heating the bonding part is also installed. As this local heating device 9, for example, a laser beam device can be used.

次に動作について説明する。ヒートブロック部１により加熱されたリードフレーム２に、ワイヤボンド位置認識部７の情報によりあらかじめプログラムされた通りボンディングヘッド駆動部８を稼働させるとともに、局部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させてチップ１０上の熱不足を補いつつボールボンドし、その後キャピラリー４をリードフレーム２側に移動させ、再び局部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させてリードフレーム２側の熱不足を補いつつステッチボンドを行ない、その後トーチ６により切断されたワイヤ５の先端にボール部を形成させる。   Next, the operation will be described. The lead frame 2 heated by the heat block unit 1 operates the bonding head drive unit 8 as programmed in advance by the information of the wire bond position recognition unit 7 and the local heating device 9 operates only during bonding to produce the chip 10. Ball bonding while compensating for the above heat shortage, then moving the capillary 4 to the lead frame 2 side, operating the local heating device 9 only during bonding again to perform stitch bonding while compensating for heat shortage on the lead frame 2 side, Thereafter, a ball portion is formed at the tip of the wire 5 cut by the torch 6.

次にチップ１０上のもう一方の電極に、局部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させてチップ１０上の熱不足を補いつつボールボンドし、その後キャピラリー４をリードフレーム側に移動させ、再び局部加熱装置９をボンディング中のみ稼働させ、リードフレーム側の熱不足を補いつつステッチボンドを行ない、その後トーチ６により切断されたワイヤ５の先端にボールを形成させる。以上のようにボンディング部の熱不足を補いつつボンディングさせているため、高品質なワイヤボンドが得られる。またさらに超音波をも併用すればより高品質なワイヤボンドが得られるものである。   Next, the local heating device 9 is operated on the other electrode on the chip 10 only during bonding to make ball bonding while compensating for the lack of heat on the chip 10, and then the capillary 4 is moved to the lead frame side, and the local heating is performed again. The apparatus 9 is operated only during bonding, stitch bonding is performed while compensating for heat shortage on the lead frame side, and then a ball is formed at the tip of the wire 5 cut by the torch 6. As described above, since bonding is performed while compensating for heat shortage in the bonding portion, a high-quality wire bond can be obtained. Furthermore, if ultrasonic waves are used in combination, a higher quality wire bond can be obtained.

また、上記実施例では、トランジスタチップの場合について示したが、チップはこれに限らずダイオード、ＩＣなどであってもよく、本発明は任意の半導体装置のワイヤボンダーとして適用できるものである。   In the above embodiments, the case of a transistor chip has been described. However, the chip is not limited to this and may be a diode, an IC, or the like, and the present invention can be applied as a wire bonder of an arbitrary semiconductor device.

上記したように、完全に打ち抜かれたリードフレーム２上に搭載部が形成されている場合は、ワイヤボンディング時に当該搭載部のみが、例えば、２５０℃くらいに加熱されれば良い。つまり、リードフレーム２全体が、常に、高温状態に有るわけではなく部分加熱で可能であるため、特に、上記におけるボンディング装置、認識装置で誤認識、認識状況の悪化等の問題はなかった。   As described above, when the mounting portion is formed on the lead frame 2 that is completely punched, only the mounting portion may be heated to, for example, about 250 ° C. during wire bonding. That is, since the entire lead frame 2 is not always in a high temperature state and can be partially heated, there has been no problem such as misrecognition or deterioration of the recognition situation in the above-described bonding apparatus and recognition apparatus.

しかし、本発明の実施の形態で詳細はするが、小面積に多数の搭載部を有する集合ブロックを導電箔、リードフレーム等上に形成した場合は、１つの集合ブロックの全てのワイヤボンディング工程が終わるまでは導電箔、リードフレーム等は高温状態に維持されたままである。そのことにより、集合ブロックを有する導電箔、リードフレーム等は、上記の高温状態に長時間置かれることにより酸化してしまうという課題があった。   However, as will be described in detail in the embodiment of the present invention, when a collective block having a large number of mounting portions in a small area is formed on a conductive foil, a lead frame, etc., all the wire bonding steps of one collective block are performed. Until the process is completed, the conductive foil, the lead frame, and the like remain maintained at a high temperature. As a result, there has been a problem that the conductive foil, the lead frame, and the like having the assembly block are oxidized by being placed in the above-described high temperature state for a long time.

また、上記したリードフレーム等が酸化することを防止するためには、高温状態に有るリードフレームに不活性ガス、例えば、窒素ガスの充填された空間に置くことで防ぐことができる。しかし、この空間を形成するためには、リードフレームを載置する作業台上に不活性ガス充填空間を形成し、更に、その空間上部には認識用およびワイヤボンディング用の作業孔を形成しなければならない。この時、不活性ガスが空間内で高温に加熱され、作業孔から外部に出る際に室温との温度差によりゆらぎ（陽炎）を発生する。そして、このゆらぎは認識領域に侵入し認識カメラが誤認識するので、高集積された微細の導電パターンの認識の精度を欠いてしまうという課題があった。   Further, in order to prevent the above-described lead frame and the like from being oxidized, it can be prevented by placing the lead frame in a high temperature state in a space filled with an inert gas, for example, nitrogen gas. However, in order to form this space, an inert gas filling space must be formed on the work table on which the lead frame is placed, and a work hole for recognition and wire bonding must be formed above the space. I must. At this time, the inert gas is heated to a high temperature in the space, and fluctuations (hot flame) are generated due to the temperature difference from the room temperature when the inert gas exits from the working hole. Then, since this fluctuation enters the recognition area and is recognized erroneously by the recognition camera, there is a problem that the accuracy of recognizing highly conductive fine conductive patterns is lacking.

本発明は、上記した従来の課題に鑑みてなされたもので、
第１に、搭載部が設けられ、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記搭載部に相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングする半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームを押さえながらワイヤボンディングする際、前記リードフレームに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた前記酸化防止剤膜の剥がれを抑止する事で解決するものである。 The present invention has been made in view of the above-described conventional problems.
First, a lead frame provided with a mounting portion and formed with an antioxidant film is prepared,
The back surface of the lead frame corresponding to the mounting portion is provided on the mounting table of the bonding apparatus that is heated,
A semiconductor device manufacturing method for bonding a semiconductor element and the lead frame provided in the lead frame corresponding to the mounting portion using the bonding apparatus,
When wire bonding is performed while holding down the lead frame, the problem is solved by blowing nitrogen gas to the lead frame to suppress the peeling of the antioxidant film provided on the lead frame.

第２に、行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成され、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングし、前記集合ブロック内でワイヤボンディングを一括して行う半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームの前記集合ブロックの周端を押さえながら一括してワイヤボンディングする際、前記集合ブロックに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた酸化防止剤膜の剥がれを抑止する事で解決するものである。 Second, a lead frame in which a plurality of mounting portions arranged in the row direction and the column direction are collectively formed as a collective block and an antioxidant film is formed is prepared.
The back surface of the lead frame corresponding to the assembly block is provided on the mounting table of the bonding apparatus at a high temperature,
A semiconductor device manufacturing method in which a semiconductor element provided in the lead frame corresponding to the mounting portion and the lead frame are bonded using the bonding apparatus, and wire bonding is performed collectively in the assembly block And
When wire bonding is performed collectively while pressing the peripheral edge of the assembly block of the lead frame, the problem is solved by blowing nitrogen gas to the assembly block and suppressing peeling of the antioxidant film provided on the lead frame. Is.

リードフレームの酸化防止剤膜が剥がれることで樹脂との密着性が悪化するのを防止することができる。   It is possible to prevent the adhesion with the resin from being deteriorated by peeling off the antioxidant film of the lead frame.

本発明の第１の実施の形態の認識装置を備えたボンディング装置を説明する図である。It is a figure explaining the bonding apparatus provided with the recognition apparatus of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態の認識装置を備えたボンディング装置を説明する図である。It is a figure explaining the bonding apparatus provided with the recognition apparatus of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態の認識装置を備えたボンディング装置を簡略化して説明する図である。It is a figure which simplifies and demonstrates the bonding apparatus provided with the recognition apparatus of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態の認識装置を備えたボンディング装置を説明する図である。It is a figure explaining the bonding apparatus provided with the recognition apparatus of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態の認識装置を備えたボンディング装置を説明する図である。It is a figure explaining the bonding apparatus provided with the recognition apparatus of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態の認識装置を備えたボンディング装置を簡略化して説明する図である。It is a figure which simplifies and demonstrates the bonding apparatus provided with the recognition apparatus of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 本発明の第１および第２の実施の形態の回路装置の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the circuit apparatus of the 1st and 2nd embodiment of this invention. 従来の認識装置を備えたボンディング装置を説明する図である。It is a figure explaining the bonding apparatus provided with the conventional recognition apparatus.

本発明である認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法について、最初に、第１の実施の形態について詳細に説明する。 First, a recognition apparatus, a bonding apparatus, and a method of manufacturing a circuit apparatus according to the present invention will be described in detail with respect to a first embodiment.

先ず、本発明の認識装置およびボンディング装置について、図１〜図３を参照しながら説明する。   First, a recognition apparatus and a bonding apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の実施の形態では、認識装置とボンディング装置が連動し、一台の認識装置を備えたボンディング装置２１として形成されている。   In the embodiment of the present invention, the recognition device and the bonding device are interlocked and formed as a bonding device 21 having one recognition device.

図１に示す如く、ボンディング装置２１の主な構造は、載置台２２、載置台２２上に作業スペースを覆うカバー２３、カバー２３上面に設けられた作業孔２４、作業孔２４上方に設置されたリング照明２５、リング照明２５側面に設置されたボンディングアーム２６、ボンディングアーム２６先端部に設けられたキャピラリー２７、キャピラリー２７近傍に設けられたトーチ２８、リング照明２５上方に設けられた鏡筒２９、図示はしていないが、鏡筒２９内に設置された認識カメラより成る。   As shown in FIG. 1, the main structure of the bonding apparatus 21 is a mounting table 22, a cover 23 covering the work space on the mounting table 22, a work hole 24 provided on the upper surface of the cover 23, and a work hole 24. Ring illumination 25, bonding arm 26 installed on the side of ring illumination 25, capillary 27 provided at the tip of bonding arm 26, torch 28 provided near capillary 27, lens barrel 29 provided above ring illumination 25, Although not shown in the drawing, the camera comprises a recognition camera installed in the lens barrel 29.

次に、個々の構造の特徴を説明しながら、その動作についても後述する。   Next, the operation will be described later while explaining the characteristics of the individual structures.

先ず、載置台２２は多数の搭載部を有するリードフレーム３４が載置され、リードフレーム３４を加熱することでワイヤボンディング性を向上させるためにヒータ３０機能を備えている。このヒータ３０により、載置台２２およびカバー２３により構成される作業スペース内は、ワイヤボンディング工程の間中、例えば、２３０℃程度の高温状態に維持することができる。   First, the mounting table 22 is provided with a lead frame 34 having a large number of mounting portions, and has a heater 30 function in order to improve the wire bonding property by heating the lead frame 34. With the heater 30, the work space constituted by the mounting table 22 and the cover 23 can be maintained at a high temperature of about 230 ° C., for example, during the wire bonding process.

次に、図１には示していないが、カバー２３の一部は、クランパー６０（図１２参照）から成り、このクランパー６０上面を、例えば、ステンレス製の板６７（図１２参照）で蓋をすることでこのカバー２３は構成されている。そして、クランパー６０からは不活性ガスとして、例えば、４リットル／分の窒素ガスをカバー２３内に吹き込んでいる。この吹き込み量は作業用途に応じて可変である。そして、カバー２３の上面部には作業孔２４が設けられている。作業孔２４の大きさは、例えば、５ｍｍ×３２ｍｍで形成されており、この作業孔２４を介してワイヤボンディング工程の際、パターン認識、ワイヤボンディングが行われる。   Next, although not shown in FIG. 1, a part of the cover 23 includes a clamper 60 (see FIG. 12), and the upper surface of the clamper 60 is covered with, for example, a stainless steel plate 67 (see FIG. 12). Thus, the cover 23 is configured. Then, for example, nitrogen gas of 4 liters / minute is blown into the cover 23 as an inert gas from the clamper 60. This blowing amount is variable according to the work application. A work hole 24 is provided on the upper surface of the cover 23. The size of the working hole 24 is, for example, 5 mm × 32 mm, and pattern recognition and wire bonding are performed through the working hole 24 during the wire bonding process.

ここで、リードフレーム３４上には、例えば、搭載部が１０行５列が１つの集合ブロックとして成り、この集合ブロックが複数形成されている。そして、作業孔２４の大きさは、この１つの集合ブロックに対して、例えば、２行分の２０個の搭載部が上部から認識できる大きさを有している。後述するが、この作業孔２４はパターン認識等に活用される。尚、この作業孔２４の大きさは、特に規定されている訳ではなく、ボンディング装置２１の認識パターン方法等により、その都度作業目的に応じて決定される。   Here, on the lead frame 34, for example, the mounting portion is composed of 10 rows and 5 columns as one collective block, and a plurality of collective blocks are formed. The size of the working hole 24 is such that, for example, 20 mounting portions for two rows can be recognized from the upper part with respect to this one collective block. As will be described later, the working hole 24 is used for pattern recognition and the like. The size of the work hole 24 is not particularly specified, and is determined according to the work purpose each time by the recognition pattern method of the bonding apparatus 21 or the like.

次に、リング照明２５および鏡筒２９について説明する。リング照明２５上方には鏡筒２９が設置されている。そして、作業孔２４を介してリング照明２５により照射されたリードフレーム３４と半導体素子３５とは反射率の違いより認識が可能となっている。この反射光を鏡筒２９内に設置された認識カメラにより認識することでリードフレーム３４上をパターン認識することができる。このとき、照明としてリング照明２５を用いることで、リードフレーム、半導体素子に対して偏ることなく照射することができ、影が発生せずパターン認識をより精密に行うことができる。また、図示はしていないが、鏡筒２９は、途中で載置台２２表面に対して９０度に屈折しており、この屈折部の先に認識カメラが設置されている。そして、この屈折部には、載置台２２表面に対して４５度の角度を有する鏡が設置されており、この構造によりパターン認識を行うことができる。   Next, the ring illumination 25 and the lens barrel 29 will be described. A lens barrel 29 is installed above the ring illumination 25. The lead frame 34 and the semiconductor element 35 irradiated by the ring illumination 25 through the work hole 24 can be recognized from the difference in reflectance. By recognizing the reflected light by a recognition camera installed in the lens barrel 29, the pattern on the lead frame 34 can be recognized. At this time, by using the ring illumination 25 as illumination, it is possible to irradiate the lead frame and the semiconductor element without deviation, and it is possible to perform pattern recognition more accurately without generating a shadow. Although not shown, the lens barrel 29 is refracted at 90 degrees with respect to the surface of the mounting table 22 in the middle, and a recognition camera is installed at the end of the refracting portion. In this refracting portion, a mirror having an angle of 45 degrees with respect to the surface of the mounting table 22 is installed, and pattern recognition can be performed by this structure.

そして、本発明の特徴である認識装置を備えたボンディング装置２１では、上記したリング照明２５の上下端および鏡筒２９下端に遮蔽蓋３１、３２、３３を設置することである。この遮蔽蓋３１、３２、３３は透明なフィルムや透明なガラス板等から成り、リング照明２５の上下端および鏡筒２９下端に設置してもパターン認識を妨げることはない。   And in the bonding apparatus 21 provided with the recognition device which is the feature of the present invention, the shielding lids 31, 32 and 33 are installed at the upper and lower ends of the ring illumination 25 and the lower end of the lens barrel 29. The shielding lids 31, 32, and 33 are made of a transparent film, a transparent glass plate, or the like, and do not hinder pattern recognition even when installed on the upper and lower ends of the ring illumination 25 and the lower end of the lens barrel 29.

この遮蔽蓋３１、３２、３３の作用としては、主として、作業孔２４から流出した窒素ガスが室温との温度差により成る陽炎３７がリング照明２５および鏡筒２９内に侵入することを防止することである。そして、陽炎３７は以下の作業により発生する。先ず、カバー２３内には窒素ガスが、例えば、４リットル／分で吹き込まれている。一方、載置台２２に組み込まれたヒータ３０によりカバー内は、例えば、２３０℃に維持されている。その後、吹き込まれる窒素ガスは、例えば、７０℃であるが、このヒータ３０による熱により２３０℃に加熱される。   The function of the shielding lids 31, 32, 33 is mainly to prevent the positive flame 37 formed by the temperature difference between the nitrogen gas flowing out from the working hole 24 and the room temperature from entering the ring illumination 25 and the lens barrel 29. It is. The hot flame 37 is generated by the following work. First, nitrogen gas is blown into the cover 23 at, for example, 4 liters / minute. On the other hand, the inside of the cover is maintained at, for example, 230 ° C. by the heater 30 incorporated in the mounting table 22. Thereafter, the nitrogen gas blown is 70 ° C., for example, but is heated to 230 ° C. by the heat of the heater 30.

そして、加熱された窒素ガスは作業孔２４から外部に流出するが、このとき室温は、例えば、２０℃であるため、窒素ガスと室温との温度差によりほぼ窒素ガスから成る陽炎３７が発生する。その結果、遮蔽蓋３１、３２、３３を用いない場合は、リング照明２５内は陽炎３７が立ちこめ、更に、リング照明２５内を通過する際にゆらぐことで、認識カメラの認識精度が悪化し、ワイヤボンディング精度が落ちてしまう。   The heated nitrogen gas flows out from the working hole 24. At this time, since the room temperature is, for example, 20 ° C., a positive flame 37 composed of almost nitrogen gas is generated due to the temperature difference between the nitrogen gas and the room temperature. . As a result, when the shielding lids 31, 32, 33 are not used, the hot flame 37 stands in the ring illumination 25 and further fluctuates when passing through the ring illumination 25, thereby degrading the recognition accuracy of the recognition camera, Wire bonding accuracy will drop.

しかし、本発明では、図３に示したように、リング照明２５の上下端および鏡筒２９下端に遮蔽蓋３１、３２、３３を設置することである。そのことにより、特に、リング照明２５下端の遮蔽蓋３１により、リング照明２５と作業孔２４間の陽炎３７がリング照明２５内に侵入するのを防ぐことができる。一方、リング照明２５上端の遮蔽蓋３２および鏡筒２９下端の遮蔽蓋３３は、陽炎３７のリング照明２５および鏡筒２９内への侵入を防ぐ他に、鏡筒２９内からリング照明２５へのゴミ等の落下およびリング照明２５内へのゴミの堆積を防ぐことができる。その結果、本発明の認識装置を備えたボンディング装置２１は、長時間載置台上にリードフレームが載置されても酸化させないように、ワイヤボンディング工程の間中窒素ガスを充填することができる。   However, in the present invention, as shown in FIG. 3, the shielding lids 31, 32, and 33 are provided at the upper and lower ends of the ring illumination 25 and the lower end of the lens barrel 29. Thereby, in particular, the shielding lid 31 at the lower end of the ring illumination 25 can prevent the positive flame 37 between the ring illumination 25 and the work hole 24 from entering the ring illumination 25. On the other hand, the shielding lid 32 at the upper end of the ring illumination 25 and the shielding lid 33 at the lower end of the lens barrel 29 prevent the heat radiation 37 from entering the ring illumination 25 and the lens barrel 29, and It is possible to prevent the dust from falling and the dust from being accumulated in the ring illumination 25. As a result, the bonding apparatus 21 equipped with the recognition apparatus of the present invention can be filled with nitrogen gas during the wire bonding process so that it is not oxidized even if the lead frame is mounted on the mounting table for a long time.

更に、カバー内で加熱された窒素ガスが作業孔２４を介して外部流出する際の室温との温度差により発生する陽炎３７が、照明リング２５周囲に発生しても遮蔽蓋３１、３２、３３により照明リング２５内への侵入を防止することができるので、認識カメラによりパターン認識をμｍオーダーまで精度良く行うことができ、そのことで、ワイヤボンディングも高精度に行うことができる。   Further, even if a positive flame 37 generated due to a temperature difference from room temperature when nitrogen gas heated in the cover flows out through the work hole 24 is generated around the illumination ring 25, the shielding lids 31, 32, 33 Therefore, the intrusion into the illumination ring 25 can be prevented, so that the pattern recognition can be performed with accuracy up to the μm order by the recognition camera, and thus the wire bonding can be performed with high accuracy.

更に、リング照明２５の上下端および鏡筒２９下端に遮蔽蓋３１、３２、３３を設置することで、リング照明２５下端の遮蔽蓋３１にゴミ等が堆積することがなくなるので、認識カメラによりパターン認識およびワイヤボンディングを高精度に行うことができる。   Further, by installing the shielding lids 31, 32, 33 at the upper and lower ends of the ring illumination 25 and the lower end of the lens barrel 29, dust or the like is not deposited on the shielding lid 31 at the lower end of the ring illumination 25. Recognition and wire bonding can be performed with high accuracy.

更に、リードフレーム３４表面が酸化すると、例えば、１５０℃まで対応できる酸化防止剤膜が剥がれることで樹脂との結合性が悪化するが、このことにも対処することができ、耐湿性、耐剥離性も向上させるボンディング装置となる。   Further, when the surface of the lead frame 34 is oxidized, for example, an antioxidant film capable of handling up to 150 ° C. is peeled off, so that the bonding property with the resin is deteriorated. It becomes the bonding apparatus which improves the property.

尚、本実施例では、リング照明２５の上下端および鏡筒２９下端に遮蔽蓋３１、３２、３３を設置する場合について説明したが、特に限定する必要はなく、最低でもリング照明２５の下端に遮蔽蓋３１を設置することで上記した効果を得ることができる。   In this embodiment, the case where the shielding lids 31, 32, 33 are installed at the upper and lower ends of the ring illumination 25 and the lower end of the lens barrel 29 has been described. The effects described above can be obtained by installing the shielding lid 31.

また、図示はしていないが、リング照明２５、鏡筒２９から少し離れた位置に、例えば、円筒状のブロー装置が配置されており、そこからのブローにより鏡筒２９への陽炎３７を防止することができる。   Although not shown, for example, a cylindrical blowing device is disposed at a position slightly away from the ring illumination 25 and the lens barrel 29, and the hot flame 37 to the lens barrel 29 is prevented by blowing from there. can do.

最後に、ボンディングアーム２６、キャピラリー２７およびトーチ２８について説明する。図２に示す如く、パターン認識した後リング照明２５およびボンディングアーム２６、キャピラリー２７は移動し、キャピラリー２７は作業孔２４上に位置する。そして、認識カメラにより得たデータに基づいてワイヤボンディングが行われるが、キャピラリー２７は作業孔２４からカバー２３内に侵入し半導体素子の電極パッドと所望の電極パターンとをワイヤボンディングする。このとき、トーチ２８はステッチボンドを行なって切断された金属細線の先端にボールを形成させる。   Finally, the bonding arm 26, capillary 27 and torch 28 will be described. As shown in FIG. 2, after pattern recognition, the ring illumination 25, the bonding arm 26, and the capillary 27 move, and the capillary 27 is positioned on the work hole 24. Then, wire bonding is performed based on the data obtained by the recognition camera. The capillary 27 enters the cover 23 from the work hole 24 and wire bonds the electrode pad of the semiconductor element and the desired electrode pattern. At this time, the torch 28 performs stitch bonding to form a ball at the tip of the fine metal wire cut.

尚、本実施例では、ワイヤボンディングについて詳細したが、光学的な認識装置を持つダイボンディング等についても同等な効果を得ることができる。また、載置台に載置されるのはリードフレームに限定されることはなく、後述する導電箔等の酸化を防止する必要があるものであれば同等の効果を得ることができる。更に、金属基板、プリント基板、セラミック基板等をダイボンド、ワイヤボンドする際、また、半田部分を部分的に塗布する装置においても光学的認識装置を有するものであれば応用できる。   In the present embodiment, the wire bonding is described in detail, but the same effect can be obtained for die bonding having an optical recognition device. Further, mounting on the mounting table is not limited to the lead frame, and an equivalent effect can be obtained as long as it is necessary to prevent oxidation of a conductive foil or the like described later. Furthermore, when die-bonding or wire-bonding a metal substrate, a printed circuit board, a ceramic substrate, or the like, or an apparatus for partially applying a solder portion, any apparatus having an optical recognition device can be applied.

次に、本発明の回路装置の製造方法について図７〜図１６を参照しながら説明する。   Next, a method for manufacturing a circuit device according to the present invention will be described with reference to FIGS.

先ず、本発明の第１の工程は、図７から図９に示す如く、導電箔５０を用意し、少なくとも回路素子４２の搭載部を多数個形成する導電パターン４１を除く領域の導電箔５０に導電箔５０の厚みよりも浅い分離溝５１をエッチングにより形成して導電パターン４１を形成することにある。   First, in the first step of the present invention, as shown in FIGS. 7 to 9, a conductive foil 50 is prepared, and the conductive foil 50 in a region excluding the conductive pattern 41 that forms at least a large number of mounting portions of the circuit elements 42 is prepared. The purpose is to form the conductive pattern 41 by forming the isolation groove 51 shallower than the thickness of the conductive foil 50 by etching.

本工程では、まず図７（Ａ）に示す如く、シート状の導電箔５０を用意する。この導電箔５０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が採用される。   In this step, first, as shown in FIG. 7A, a sheet-like conductive foil 50 is prepared. The conductive foil 50 is selected in consideration of the adhesiveness, bonding property, and plating property of the brazing material. As the material, the conductive foil mainly made of Cu, the conductive foil mainly made of Al, or Fe is used. A conductive foil made of an alloy such as Ni is employed.

導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮すると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは７０μｍ（２オンス）の銅箔を採用した。しかし３００μｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導電箔５０の厚みよりも浅い分離溝５１が形成できればよい。   The thickness of the conductive foil is preferably about 10 μm to 300 μm in consideration of the later etching, and here, a copper foil of 70 μm (2 ounces) is employed. However, it is basically good if it is 300 μm or more and 10 μm or less. As will be described later, it is only necessary that the separation groove 51 shallower than the thickness of the conductive foil 50 can be formed.

尚、シート状の導電箔５０は、所定の幅、例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた短冊状の導電箔５０が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。   The sheet-like conductive foil 50 is prepared by being wound into a roll with a predetermined width, for example, 45 mm, which may be conveyed to each step described later, or a strip-shaped cut into a predetermined size. The conductive foil 50 may be prepared and conveyed to each process described later.

具体的には、図７（Ｂ）に示す如く、短冊状の導電箔５０に多数の搭載部が形成されるブロック５２が複数個（ここでは４〜５個）離間して並べられる。各ブロック５２間にはスリット５３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔５０の応力を吸収する。また導電箔５０の両側にはインデックス孔５４が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。   Specifically, as shown in FIG. 7B, a plurality of blocks 52 (here, 4 to 5) in which a large number of mounting portions are formed are arranged apart from each other on a strip-shaped conductive foil 50. A slit 53 is provided between each block 52 to absorb the stress of the conductive foil 50 generated by the heat treatment in the molding process or the like. Also, index holes 54 are provided at regular intervals on both sides of the conductive foil 50, and are used for positioning in each step.

続いて、導電パターンを形成する。   Subsequently, a conductive pattern is formed.

まず、図８に示す如く、Ｃｕ箔５０の上に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、導電パターン４１となる領域を除いた導電箔５０が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。そして、図９（Ａ）に示す如く、ホトレジストＰＲを介して導電箔５０を選択的にエッチングする。   First, as shown in FIG. 8, a photoresist (etching resistant mask) PR is formed on the Cu foil 50, and the photoresist PR is patterned so that the conductive foil 50 excluding the region to be the conductive pattern 41 is exposed. Then, as shown in FIG. 9A, the conductive foil 50 is selectively etched through the photoresist PR.

本工程では、エッチングで形成される分離溝５１の深さを均一に且つ高精度にするために、図９（Ａ）に示す如く、分離溝５１の開口部を下に向けて、導電箔５０の下方に設けたエッチング液の供給管７０から上方に向けてエッチング液をシャワーリングする。この結果、エッチング液の当たる分離溝５１の部分がエッチングされ、エッチング液は分離溝５１内に液溜まりを作らずすぐに排出されるので、分離溝５１の深さはエッチング処理時間で制御でき、均一で高精度の分離溝５１を形成できる。なお、エッチング液は塩化第二鉄または塩化第二銅が主に採用される。   In this step, in order to make the depth of the separation groove 51 formed by etching uniform and highly accurate, as shown in FIG. 9A, the conductive foil 50 has the opening of the separation groove 51 facing downward. The etching solution is showered upward from an etching solution supply pipe 70 provided below the etching solution. As a result, the portion of the separation groove 51 that is exposed to the etching solution is etched, and the etching solution is discharged immediately without forming a liquid pool in the separation groove 51. Therefore, the depth of the separation groove 51 can be controlled by the etching processing time. A uniform and highly accurate separation groove 51 can be formed. Note that ferric chloride or cupric chloride is mainly used as the etching solution.

図９（Ｂ）に具体的な導電パターン４１を示す。本図は図７（Ｂ）で示したブロック５２の１個を拡大したもの対応する。点線で示す部分が１つの搭載部５５であり、導電パターン４１を構成し、１つのブロック５２には５行１０列のマトリックス状に多数の搭載部５５が配列され、各搭載部５５毎に同一の導電パターン４１が設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン５６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシング時の位置合わせマーク５７が設けられている。枠状のパターン５６はモールド金型との嵌合に使用し、また導電箔５０の裏面エッチング後には絶縁性樹脂４０の補強をする働きを有する。   FIG. 9B shows a specific conductive pattern 41. This figure corresponds to an enlarged view of one of the blocks 52 shown in FIG. A portion indicated by a dotted line is one mounting portion 55, which constitutes the conductive pattern 41. A large number of mounting portions 55 are arranged in a matrix of 5 rows and 10 columns in one block 52, and each mounting portion 55 is the same. The conductive pattern 41 is provided. A frame-like pattern 56 is provided around each block, and a positioning mark 57 for dicing is provided inside the pattern slightly apart from the frame-like pattern 56. The frame-shaped pattern 56 is used for fitting with a mold, and has a function of reinforcing the insulating resin 40 after the back surface etching of the conductive foil 50.

次に、本発明の第２の工程は、図１０に示す如く、所望の導電パターン５１の各搭載部５５に回路素子４２を固着することにある。   Next, the second step of the present invention is to fix the circuit element 42 to each mounting portion 55 of the desired conductive pattern 51 as shown in FIG.

回路素子４２としては、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等の半導体素子、チップコンデンサ、チップ抵抗等の受動素子である。また厚みが厚くはなるが、ＣＳＰ、ＢＧＡ等のフェイスダウンの半導体素子も実装できる。   The circuit element 42 is a semiconductor element such as a transistor, a diode, or an IC chip, or a passive element such as a chip capacitor or a chip resistor. Although the thickness is increased, face-down semiconductor elements such as CSP and BGA can also be mounted.

ここでは、ベアのトランジスタチップ４２Ａが導電パターン４１Ａにダイボンディングされ、チップコンデンサまたは受動素子４２Ｂは半田等のロウ材または導電ペースト４５Ｂで固着される。   Here, bare transistor chip 42A is die-bonded to conductive pattern 41A, and chip capacitor or passive element 42B is fixed with brazing material such as solder or conductive paste 45B.

次に、本発明の回路装置の特徴である第３の工程は、図１１及び図１２に示す如く、各搭載部５５の回路素子４２の電極と所望の導電パターン４１とをワイヤボンディングすることにある。   Next, the third step, which is a feature of the circuit device of the present invention, is to wire-bond the electrodes of the circuit elements 42 of the mounting portions 55 and the desired conductive patterns 41 as shown in FIGS. is there.

本工程では、図１に示した認識装置を備えたボンディング装置２１を用いてワイヤボンディングを行う。そして、ボンディング装置２１の載置台２２上には、図１２（Ａ）に示すように、クランパー６０が設置されており、クランパー６０によって導電箔５０のブロック５２の周端を押さえ、導電箔５０を載置台２２表面のヒートブロック６４に密着させる。   In this step, wire bonding is performed using the bonding apparatus 21 having the recognition apparatus shown in FIG. Then, as shown in FIG. 12A, a clamper 60 is installed on the mounting table 22 of the bonding apparatus 21, and the conductive foil 50 is pressed by pressing the peripheral end of the block 52 of the conductive foil 50 by the clamper 60. The surface of the mounting table 22 is brought into close contact with the heat block 64.

そして、ヒートブロック６４上に固定された導電箔５０を作業孔２４を介して鏡筒２９内の認識カメラによりパターン認識する。パターン認識後、図１１に示す如く、ブロック５２内の各搭載部５５のエミッタ電極と導電パターン４１Ｂ、ベース電極と導電パターン４１Ｂを、熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより行う。   The conductive foil 50 fixed on the heat block 64 is pattern-recognized by the recognition camera in the lens barrel 29 through the work hole 24. After the pattern recognition, as shown in FIG. 11, the emitter electrode and conductive pattern 41B and the base electrode and conductive pattern 41B of each mounting portion 55 in the block 52 are performed by ball bonding by thermocompression bonding and wedge bonding by ultrasonic waves.

ここで、クランパー６０は、図１２（Ａ）に示す如く、ブロック５２とほぼ同等の大きさの開口部６１を有し、導電箔５０に当接する部分には凹凸部６３が設けられている。凹凸部６３でブロック５２の周端を押さえることによって、ブロック５２の裏面をヒートブロック６４に密着させる。そして、クランパー６０の内部には窒素ガスを流通させるための経路６５と６６が設けられている。   Here, as shown in FIG. 12A, the clamper 60 has an opening 61 having a size substantially the same as that of the block 52, and a concavo-convex portion 63 is provided in a portion that contacts the conductive foil 50. The back surface of the block 52 is brought into close contact with the heat block 64 by pressing the peripheral edge of the block 52 with the uneven portion 63. In the clamper 60, there are provided paths 65 and 66 for circulating nitrogen gas.

また、図１２（Ｂ）に示す如く、カバー２３はクランパー６０とステンレス製の板６７により構成されている。この板６７はクランパー上部の凹部６８にはめ込まれており、クランパー６０表面と水平方向で、導電箔５０の移動方向と直角方向への移動は自由である。そして、板６７には作業孔２４が形成されており、この作業孔２４が銅箔５０上の行方向の搭載部に対応して移動することで、ブロック５２に対してパターン認識、ワイヤボンディングが行われる。   Further, as shown in FIG. 12B, the cover 23 is composed of a clamper 60 and a stainless steel plate 67. The plate 67 is fitted in a recess 68 at the upper part of the clamper, and the plate 67 can move freely in a direction parallel to the surface of the clamper 60 and in a direction perpendicular to the moving direction of the conductive foil 50. A working hole 24 is formed in the plate 67. By moving the working hole 24 corresponding to the mounting portion in the row direction on the copper foil 50, pattern recognition and wire bonding are performed on the block 52. Done.

そして、本工程では、ブロック５２内には多数の搭載部５５を有し、このブロック５２毎にワイヤボンディングを一括して行うので、従来の回路装置の製造方法と比較して、ブロック５２を加熱する時間が長くなり、ブロック５２が酸化することが考えられる。この問題を解決するために、ボンディング装置２１のカバー２３の一部としてクランパー６０を有し、クランパー６０からブロック５２の表面に窒素ガスを吹き付けると同時に、カバー２３内を窒素ガスで充填することでこの問題を解決している。   In this step, the block 52 has a large number of mounting portions 55, and wire bonding is performed for each block 52, so that the block 52 is heated as compared with the conventional method of manufacturing a circuit device. It is conceivable that the block 52 is oxidized and the block 52 is oxidized. In order to solve this problem, a clamper 60 is provided as a part of the cover 23 of the bonding apparatus 21, and nitrogen gas is blown from the clamper 60 to the surface of the block 52, and at the same time, the cover 23 is filled with nitrogen gas. It solves this problem.

一方、カバー内は、載置台２２に内蔵されたヒータ３０機能により、例えば、２３０℃に維持されており、また、吹き込まれる窒素ガスが、例えば、７０℃で吹き込まれる。そして、窒素ガスはカバー２３内でヒータ３０により２３０℃に加熱される。窒素ガスはカバー２３内に、例えば、４リットル／分に吹き込まれ、加熱されることで作業孔２４から流出する。このとき、窒素ガスは２３０℃であり、室温は、例えば、２０℃であるため、この温度差により作業孔２４から流出する陽炎３７を形成する。そして、図３に示したように、流出した陽炎３７がリング照明２５内に立ちこめ、更に、リング照明２５内を通過する際にゆらぐことでパターン認識精度が悪化する問題がある。   On the other hand, the inside of the cover is maintained at, for example, 230 ° C. by the function of the heater 30 built in the mounting table 22, and nitrogen gas to be blown is blown at, for example, 70 ° C. The nitrogen gas is heated to 230 ° C. by the heater 30 in the cover 23. Nitrogen gas is blown into the cover 23 at, for example, 4 liters / minute, and flows out of the work hole 24 by being heated. At this time, since the nitrogen gas is 230 ° C. and the room temperature is 20 ° C., for example, a positive flame 37 that flows out from the work hole 24 is formed by this temperature difference. Then, as shown in FIG. 3, there is a problem that the pattern recognition accuracy deteriorates due to the flowing out hot flame 37 standing in the ring illumination 25 and being fluctuated when passing through the ring illumination 25.

しかし、本発明のボンディング装置２１では、リング照明２５上下部および鏡筒２９に遮蔽蓋３１、３２、３３が設置されている。そして、特に、リング照明２５下部の遮蔽蓋３１により陽炎３７がリング照明２５内に侵入することを防ぐことができる。そのことにより、リング照明２５内の照明が陽炎３７によりゆらぐことがなくなり、認識カメラによりパターン認識をμｍオーダーまで精度良く行うことができるので、ワイヤボンディングも高精度に行うことができる。その結果、集合ブロック５２のように小面積集積型の導電パターンに対しても高精度なワイヤボンディングを行うことができる回路装置の製造方法を実現できる。   However, in the bonding apparatus 21 of the present invention, the shielding lids 31, 32, and 33 are installed on the upper and lower portions of the ring illumination 25 and the lens barrel 29. In particular, it is possible to prevent the positive flame 37 from entering the ring illumination 25 by the shielding lid 31 below the ring illumination 25. As a result, the illumination in the ring illumination 25 does not fluctuate due to the hot flame 37, and the pattern recognition can be performed with accuracy up to the μm order by the recognition camera, so that the wire bonding can also be performed with high accuracy. As a result, it is possible to realize a circuit device manufacturing method capable of performing highly accurate wire bonding even for a small area integrated conductive pattern such as the collective block 52.

更に、上記したように、導電箔５０表面の酸化防止の為の窒素ガスの問題が解決したことで、ワイヤボンディングの間中窒素ガスを用いることができる。そのことにより、導電箔５０の表面は酸化することがなくなるので、導電箔５０表面が酸化すると、例えば、１５０℃まで対応できる酸化防止剤膜が剥がれることによる樹脂との結合性の悪化を防止することができる。その結果、導電箔５０と絶縁性樹脂４０との結合面における耐湿性、耐剥離性も向上させる回路装置の製造方法を実現できる。   Furthermore, as described above, since the problem of nitrogen gas for preventing oxidation of the surface of the conductive foil 50 has been solved, nitrogen gas can be used throughout wire bonding. As a result, the surface of the conductive foil 50 is not oxidized. Therefore, when the surface of the conductive foil 50 is oxidized, for example, the deterioration of the bonding property with the resin due to peeling of an antioxidant film capable of handling up to 150 ° C. is prevented. be able to. As a result, it is possible to realize a circuit device manufacturing method that improves the moisture resistance and peel resistance at the bonding surface between the conductive foil 50 and the insulating resin 40.

次に、本発明の第４の工程は、図１３に示す如く、各搭載部５５の回路素子４２を一括して被覆し、分離溝５１に充填されるように絶縁性樹脂４０で共通モールドすることにある。   Next, in the fourth step of the present invention, as shown in FIG. 13, the circuit elements 42 of the respective mounting portions 55 are collectively covered, and a common mold is performed with the insulating resin 40 so that the separation grooves 51 are filled. There is.

本工程では、図１３（Ａ）に示す如く、絶縁性樹脂４０は回路素子４２Ａ、４２Ｂおよび複数の導電パターン４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを完全に被覆し、導電パターン４１間の分離溝５１には絶縁性樹脂４０が充填されて導電パターン４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの側面の湾曲構造と嵌合して強固に結合する。そして絶縁性樹脂４０により導電パターン４１が支持されている。   In this step, as shown in FIG. 13A, the insulating resin 40 completely covers the circuit elements 42A and 42B and the plurality of conductive patterns 41A, 41B, and 41C, and the separation grooves 51 between the conductive patterns 41 are insulated. The conductive resin 40 is filled, and the conductive patterns 41A, 41B, and 41C are fitted to the curved structures on the side surfaces and firmly bonded. The conductive pattern 41 is supported by the insulating resin 40.

また本工程では、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。   Further, this step can be realized by transfer molding, injection molding, or potting. As the resin material, a thermosetting resin such as an epoxy resin can be realized by transfer molding, and a thermoplastic resin such as polyimide resin or polyphenylene sulfide can be realized by injection molding.

導電箔５０表面に被覆された絶縁性樹脂４０の厚さは、回路素子４２のボンディングワイヤー４５Ａの最頂部から約１００μｍ程度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。   The thickness of the insulating resin 40 coated on the surface of the conductive foil 50 is adjusted so as to cover about 100 μm from the top of the bonding wire 45A of the circuit element 42. This thickness can be increased or decreased in consideration of strength.

本工程の特徴は、絶縁性樹脂４０を被覆するまでは、導電パターン４１となる導電箔５０が支持基板となることであり、支持基板となる導電箔５０は電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。   The feature of this step is that the conductive foil 50 that becomes the conductive pattern 41 becomes a support substrate until the insulating resin 40 is covered, and the conductive foil 50 that becomes the support substrate is a material necessary as an electrode material. Therefore, there is a merit that the work can be performed with the constituent materials omitted as much as possible, and the cost can be reduced.

また分離溝５１は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔５０が導電パターン４１として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔５０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂４０をモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。   Further, since the separation groove 51 is formed shallower than the thickness of the conductive foil, the conductive foil 50 is not individually separated as the conductive pattern 41. Accordingly, the sheet-like conductive foil 50 can be handled as a unit, and when the insulating resin 40 is molded, it has a feature that the work of transporting to the mold and mounting to the mold becomes very easy.

次に、本発明の第５の工程は、図１４に示す如く、分離溝５１を設けていない厚み部分の導電箔５０を除去することにある。   Next, as shown in FIG. 14, the fifth step of the present invention is to remove the conductive foil 50 in the thickness portion where the separation groove 51 is not provided.

本工程は、導電箔５０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電パターン４１として分離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。   In this step, the back surface of the conductive foil 50 is chemically and / or physically removed and separated as the conductive pattern 41. This step is performed by polishing, grinding, etching, laser metal evaporation, or the like.

実験では研磨装置または研削装置により全面を３０μｍ程度削り、分離溝５１から絶縁性樹脂４０を露出させている。この露出される面を図１３（Ａ）では点線で示している。その結果、約４０μｍの厚さの導電パターン４１となって分離される。また、絶縁性樹脂４０が露出する手前まで、導電箔５０を全面ウェトエッチングし、その後、研磨または研削装置により全面を削り、絶縁性樹脂４０を露出させても良い。更に、導電箔５０を点線で示す位置まで全面ウェトエッチングし、絶縁性樹脂４０を露出させても良い。   In the experiment, the entire surface is cut by about 30 μm by a polishing apparatus or a grinding apparatus, and the insulating resin 40 is exposed from the separation groove 51. This exposed surface is indicated by a dotted line in FIG. As a result, the conductive patterns 41 having a thickness of about 40 μm are separated. Alternatively, wet etching may be performed on the entire surface of the conductive foil 50 until the insulating resin 40 is exposed, and then the entire surface may be shaved by a polishing or grinding apparatus to expose the insulating resin 40. Further, the entire surface of the conductive foil 50 may be wet-etched up to the position indicated by the dotted line to expose the insulating resin 40.

この結果、絶縁性樹脂４０に導電パターン４１の裏面が露出する構造となる。すなわち、分離溝５１に充填された絶縁性樹脂４０の表面と導電パターン４１の表面は、実質的に一致している構造となっている。従って、本発明の回路装置４２は、マウント時に半田等の表面張力でそのまま水平に移動してセルフアラインできる特徴を有する。   As a result, the insulating resin 40 has a structure in which the back surface of the conductive pattern 41 is exposed. That is, the surface of the insulating resin 40 filled in the separation groove 51 and the surface of the conductive pattern 41 are substantially matched. Accordingly, the circuit device 42 according to the present invention has a feature that it can be self-aligned by moving horizontally as it is with the surface tension of solder or the like during mounting.

更に、導電パターン４１の裏面処理を行い、図１４に示す最終構造を得る。すなわち、必要によって露出した導電パターン４１に半田等の導電材を被着し、回路装置として完成する。   Furthermore, the back surface treatment of the conductive pattern 41 is performed to obtain the final structure shown in FIG. That is, a conductive material such as solder is deposited on the exposed conductive pattern 41 as necessary to complete the circuit device.

次に、本発明の第６の工程は、図１５に示す如く、絶縁性樹脂４０で一括してモールドされた各搭載部５５の回路素子４２の特性の測定を行うことにある。   Next, as shown in FIG. 15, the sixth step of the present invention is to measure the characteristics of the circuit elements 42 of the mounting portions 55 molded together with the insulating resin 40.

前工程で導電箔５０の裏面エッチングをした後に、導電箔５０から各ブロック５２が切り離される。このブロック５２は絶縁性樹脂４０で導電箔５０の残余部と連結されているので、切断金型を用いず機械的に導電箔５０の残余部から剥がすことで達成できる。   After etching the back surface of the conductive foil 50 in the previous step, each block 52 is separated from the conductive foil 50. Since the block 52 is connected to the remaining portion of the conductive foil 50 by the insulating resin 40, it can be achieved by mechanically peeling the block 52 from the remaining portion of the conductive foil 50 without using a cutting die.

各ブロック５２の裏面には図１５に示す如く、導電パターン４１の裏面が露出されており、各搭載部５５が導電パターン４１形成時と全く同一にマトリックス状に配列されている。この導電パターン４１の絶縁性樹脂４０から露出した裏面電極４６にプローブ５８を当てて、各搭載部５５の回路素子４２の特性パラメータ等を個別に測定して良不良の判定を行い、不良品には磁気インク等でマーキングを行う。   As shown in FIG. 15, the back surface of the conductive pattern 41 is exposed on the back surface of each block 52, and the mounting portions 55 are arranged in a matrix exactly the same as when the conductive pattern 41 is formed. The probe 58 is applied to the back electrode 46 exposed from the insulating resin 40 of the conductive pattern 41, and the characteristic parameters of the circuit elements 42 of the mounting portions 55 are individually measured to determine whether the product is defective or not. Mark with magnetic ink.

本工程では、各搭載部５５の回路装置４３は絶縁性樹脂４０でブロック５２毎に一体で支持されているので、個別にバラバラに分離されていない。従って、テスターの載置台に置かれたブロック５２は搭載部５５のサイズ分だけ矢印のように縦方向および横方向にピッチ送りをすることで、極めて早く大量にブロック５２の各搭載部５５の回路装置４３の測定を行える。すなわち、従来必要であった回路装置の表裏の判別、電極の位置の認識等が不要にできるので、測定時間の大幅な短縮を図れる。   In this step, since the circuit device 43 of each mounting portion 55 is integrally supported by the insulating resin 40 for each block 52, it is not individually separated. Therefore, the blocks 52 placed on the tester mounting table are pitch-fed in the vertical and horizontal directions as indicated by the arrows by the size of the mounting portion 55, so that the circuit of each mounting portion 55 of the block 52 can be produced very quickly and in large quantities. The device 43 can be measured. That is, since it is unnecessary to distinguish between the front and back of the circuit device and the recognition of the position of the electrodes, which are necessary in the past, the measurement time can be greatly shortened.

次に、本発明の第７の工程は、図１６に示す如く、絶縁性樹脂４０を各搭載部５５毎にダイシングにより分離することにある。   Next, as shown in FIG. 16, the seventh step of the present invention is to separate the insulating resin 40 for each mounting portion 55 by dicing.

本工程では、ブロック５２をダイシング装置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード５９で各搭載部５５間のダイシングライン５８に沿って分離溝５１の絶縁性樹脂４０をダイシングし、個別の回路装置４３に分離する。   In this step, the block 52 is vacuum-adsorbed on the mounting table of the dicing device, and the insulating resin 40 in the separation groove 51 is diced along the dicing line 58 between the mounting portions 55 by the dicing blade 59 to obtain individual circuit devices. 43.

本工程で、ダイシングブレード５９はほぼ絶縁性樹脂４０を切断する切削深さで行い、ダイシング装置からブロック５２を取り出した後にローラでチョコレートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した第１の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状のパターン５６の内側の相対向する位置合わせマーク５７を認識して、これを基準としてダイシングを行う。周知ではあるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライン５８をダイシングをした後、載置台を９０度回転させて横方向のダイシングライン５８に従ってダイシングを行う。   In this step, the dicing blade 59 is performed at a cutting depth that substantially cuts the insulating resin 40, and after taking out the block 52 from the dicing apparatus, a chocolate break may be performed with a roller. At the time of dicing, the opposing alignment mark 57 inside the frame-like pattern 56 around each block provided in the first step described above is recognized and dicing is performed based on this. As is well known, in dicing, all the dicing lines 58 are diced in the vertical direction, and then the mounting table is rotated by 90 degrees and dicing is performed according to the dicing lines 58 in the horizontal direction.

上記した製造工程により、回路装置４３は完成する。
尚、本発明の回路装置の製造方法では、導電箔上に集合ブロックを形成した場合について説明したが、特に、この場合に限定する必要はなく、リードフレーム等のように導電部材から成る基板に対しも同様な効果を得ることができる。また、回路装置の製造方法に限定することなく、半導体装置の製造方法においても同様な効果を得ることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 The circuit device 43 is completed by the manufacturing process described above.
In the method for manufacturing a circuit device according to the present invention, the case where the assembly block is formed on the conductive foil has been described. However, the present invention is not particularly limited to this case. The same effect can be obtained. Further, the same effect can be obtained in the method for manufacturing a semiconductor device without being limited to the method for manufacturing a circuit device. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

次に、本発明である認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法について、第２の実施の形態について詳細に説明する。尚、回路装置の製造方法については、第１の実施の形態と同様な方法により行うので、第１の実施の形態を参照としここでは説明を割愛することとする。   Next, a second embodiment of the recognition apparatus, the bonding apparatus, and the circuit device manufacturing method according to the present invention will be described in detail. The circuit device manufacturing method is performed by the same method as that of the first embodiment, so that the description of the first embodiment will be omitted here with reference to the first embodiment.

本発明の認識装置およびボンディング装置について、図４〜図６を参照しながら説明する。   The recognition apparatus and bonding apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の実施の形態では、認識装置とボンディング装置が連動し、一台の認識装置を備えたボンディング装置１２１として形成されている。   In the embodiment of the present invention, the recognition device and the bonding device are interlocked and formed as a bonding device 121 having one recognition device.

図４に示す如く、ボンディング装置１２１の主な構造は、載置台１２２、載置台１２２上に作業スペースを覆うカバー１２３、カバー１２３上面に設けられた作業孔１２４、作業孔１２４上方に設置されたリング照明１２５、リング照明１２５側面に設置されたボンディングアーム１２６、ボンディングアーム１２６先端部に設けられたキャピラリー１２７、キャピラリー１２７近傍に設けられたトーチ１２８、リング照明１２５上方に設けられた鏡筒１２９、図示はしていないが、鏡筒１２９内に設置された認識カメラより成る。   As shown in FIG. 4, the main structure of the bonding apparatus 121 is placed on the mounting table 122, the cover 123 that covers the work space on the mounting table 122, the work hole 124 provided on the upper surface of the cover 123, and the work hole 124. Ring illumination 125, bonding arm 126 installed on the side of ring illumination 125, capillary 127 provided at the tip of bonding arm 126, torch 128 provided in the vicinity of capillary 127, lens barrel 129 provided above ring illumination 125, Although not shown in the drawing, the camera comprises a recognition camera installed in the lens barrel 129.

次に、個々の構造の特徴を説明しながら、その動作についても後述する。   Next, the operation will be described later while explaining the characteristics of the individual structures.

先ず、載置台１２２は多数の搭載部を有するリードフレーム１３４が載置され、リードフレーム１３４を加熱することでワイヤボンディング性を向上させるためにヒータ１３０機能を備えている。このヒータ１３０により、載置台１２２およびカバー１２３により構成される作業スペース内は、ワイヤボンディング工程の間中、例えば、２３０℃程度の高温状態に維持することができる。   First, the mounting table 122 is mounted with a lead frame 134 having a large number of mounting portions, and has a heater 130 function in order to improve the wire bonding property by heating the lead frame 134. With the heater 130, the work space formed by the mounting table 122 and the cover 123 can be maintained at a high temperature of, for example, about 230 ° C. during the wire bonding process.

次に、図４には示していないが、カバー１２３の一部は、クランパー６０（図１２参照）から成り、このクランパー６０上面を、例えば、ステンレス製の板６７（図１２参照）で蓋をすることでこのカバー１２３は構成されている。そして、クランパー６０からは不活性ガスとして、例えば、４リットル／分の窒素ガスをカバー１２３内に吹き込んでいる。この吹き込み量は作業用途に応じて可変である。そして、カバー１２３の上面部には作業孔１２４が設けられている。作業孔１２４の大きさは、例えば、５ｍｍ×３２ｍｍで形成されており、この作業孔１２４を介してワイヤボンディング工程の際、パターン認識、ワイヤボンディングが行われる。   Next, although not shown in FIG. 4, a part of the cover 123 includes a clamper 60 (see FIG. 12), and the upper surface of the clamper 60 is covered with, for example, a stainless steel plate 67 (see FIG. 12). Thus, the cover 123 is configured. Then, for example, nitrogen gas of 4 liters / minute is blown into the cover 123 as an inert gas from the clamper 60. This blowing amount is variable according to the work application. A work hole 124 is provided on the upper surface of the cover 123. The size of the working hole 124 is, for example, 5 mm × 32 mm, and pattern recognition and wire bonding are performed through the working hole 124 during the wire bonding process.

ここで、リードフレーム１３３上には、例えば、搭載部が１０行５列が１つの集合ブロックとして成り、この集合ブロックが複数形成されている。そして、作業孔１２４の大きさは、この１つの集合ブロックに対して、例えば、２行分の２０個の搭載部が上部から認識できる大きさを有している。後述するが、この作業孔１２４はパターン認識等に活用される。尚、この作業孔１２４の大きさは、特に規定されている訳ではなく、ボンディング装置１２１の認識パターン方法等により、その都度作業目的に応じて決定される。   Here, on the lead frame 133, for example, the mounting portion is composed of 10 rows and 5 columns as one collective block, and a plurality of collective blocks are formed. The size of the working hole 124 is such that, for example, 20 mounting portions for two rows can be recognized from the upper part with respect to this one collective block. As will be described later, the working hole 124 is used for pattern recognition and the like. Note that the size of the work hole 124 is not particularly defined, and is determined according to the work purpose each time by the recognition pattern method of the bonding apparatus 121 or the like.

次に、リング照明１２５および鏡筒１２９については、第１の実施の形態と同様であるので、第１の実施の形態の説明を参照としここでは説明を割愛する。   Next, since the ring illumination 125 and the lens barrel 129 are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted with reference to the description of the first embodiment.

そして、本発明の特徴である認識装置を備えたボンディング装置１２１では、上記したリング照明１２５の上端および鏡筒１２９下端に遮蔽蓋１３１、１３２を設置することである。この遮蔽蓋１３１、１３２は透明なフィルムや透明なガラス板等から成り、リング照明１２５の上端および鏡筒１２９下端に設置してもパターン認識を妨げることはない。   In the bonding apparatus 121 including the recognition apparatus, which is a feature of the present invention, the shielding lids 131 and 132 are installed at the upper end of the ring illumination 125 and the lower end of the lens barrel 129. The shielding lids 131 and 132 are made of a transparent film, a transparent glass plate, or the like. Even if the shielding lids 131 and 132 are installed at the upper end of the ring illumination 125 and the lower end of the lens barrel 129, pattern recognition is not hindered.

この遮蔽蓋１３１、１３２の作用としては、主として、作業孔１２４から流出した窒素ガスが室温との温度差により成る陽炎１３３がリング照明１２５および鏡筒１２９内に侵入することを防止することである。そして、陽炎１３６は以下の作業により発生する。先ず、カバー１２３内には窒素ガスが、例えば、４リットル／分吹き込まされている。一方、載置台１２２に組み込まれたヒータ１３０によりカバー内は、例えば、２３０℃に維持されている。その後、吹き込まれる窒素ガスは、例えば、７０℃であるが、このヒータ１３０による熱により２３０℃に加熱される。   The action of the shielding lids 131 and 132 is mainly to prevent the nitrogen flame flowing out from the working hole 124 from entering the ring illumination 125 and the lens barrel 129 due to the temperature difference from the room temperature. . The hot flame 136 is generated by the following operation. First, nitrogen gas is blown into the cover 123, for example, at 4 liters / minute. On the other hand, the inside of the cover is maintained at, for example, 230 ° C. by the heater 130 incorporated in the mounting table 122. Thereafter, the blown nitrogen gas is, for example, 70 ° C., but is heated to 230 ° C. by the heat from the heater 130.

そして、加熱された窒素ガスは作業孔１２４から外部に流出するが、このとき室温は、例えば、２０℃であるため、窒素ガスと室温との温度差によりほぼ窒素ガスから成る陽炎１３６が発生する。その結果、遮蔽蓋１３１、１３２を用いない場合は、リング照明１２５内は陽炎１３６が立ちこめ、更に、リング照明１２５内を通過する際にゆらぐことで、認識カメラの認識精度が悪化し、ワイヤボンディング精度が落ちてしまう。   Then, the heated nitrogen gas flows out from the working hole 124. At this time, since the room temperature is, for example, 20 ° C., a positive flame 136 composed of substantially nitrogen gas is generated due to the temperature difference between the nitrogen gas and the room temperature. . As a result, when the shielding lids 131 and 132 are not used, the hot flame 136 stands in the ring illumination 125 and further fluctuates when passing through the ring illumination 125, so that the recognition accuracy of the recognition camera deteriorates and wire bonding is performed. The accuracy will drop.

しかし、本発明では、図６に示したように、リング照明１２５の上端および鏡筒１２９下端に遮蔽蓋１３１、１３２を設置することである。そのことにより、特に、リング照明１２５上端の遮蔽蓋１３１により、リング照明１２５と作業孔１２４間の陽炎１３５がリング照明１２５内に最初は侵入するが、通過することを防ぐことができる。一方、鏡筒１２９下端の遮蔽蓋１３２は、陽炎１３５の鏡筒１２９内への侵入を防ぐ他に、鏡筒１２９内からリング照明１２５へのゴミ等の落下を防ぐことができる。その結果、本発明の認識装置を備えたボンディング装置１２１は、長時間載置台上にリードフレームが載置されても酸化させないように、ワイヤボンディング工程の間中窒素ガスを充填することができる。   However, in the present invention, as shown in FIG. 6, the shielding lids 131 and 132 are installed at the upper end of the ring illumination 125 and the lower end of the lens barrel 129. Thereby, in particular, the shielding lid 131 at the upper end of the ring illumination 125 can prevent the heat flame 135 between the ring illumination 125 and the work hole 124 from entering the ring illumination 125 at first but passing through. On the other hand, the shielding lid 132 at the lower end of the lens barrel 129 can prevent dust and the like from falling into the ring illumination 125 from the lens barrel 129 in addition to preventing the hot flame 135 from entering the lens barrel 129. As a result, the bonding apparatus 121 equipped with the recognition apparatus of the present invention can be filled with nitrogen gas during the wire bonding process so as not to be oxidized even if the lead frame is mounted on the mounting table for a long time.

更に、カバー２３内で加熱された窒素ガスが作業孔１２４を介して外部流出する際の室温との温度差により発生する陽炎１３５が、照明リング１２５周囲に発生する。そして、陽炎１３５は遮蔽蓋１３１により照明リング２５内へ最初は侵入するが、リング照明１２５内が陽炎１３５で充満すると陽炎１３５が侵入できなくなる。その結果、リング照明１２５内への陽炎１３５の継続的侵入、また、リング照明１２５内を通過することを防止することができる。そのことにより、リング照明１２５下端には遮蔽蓋は設置してはいないが設置している場合と同様の効果を得ることができ、認識カメラによりパターン認識をμｍオーダーまで精度良く行うことができ、そのことで、ワイヤボンディングも高精度に行うことができる。   Further, a positive flame 135 is generated around the illumination ring 125 due to a temperature difference from room temperature when the nitrogen gas heated in the cover 23 flows out through the work hole 124. The hot flame 135 initially enters the illumination ring 25 by the shielding cover 131, but when the ring illumination 125 is filled with the hot flame 135, the hot flame 135 cannot enter. As a result, the continuous penetration of the heat flame 135 into the ring illumination 125 and the passage through the ring illumination 125 can be prevented. As a result, a shielding lid is not installed at the lower end of the ring illumination 125, but the same effect as when it is installed can be obtained, and pattern recognition can be accurately performed to the μm order by the recognition camera, As a result, wire bonding can be performed with high accuracy.

更に、リードフレーム１３３表面が酸化すると、例えば、１５０℃まで対応できる酸化防止剤膜が剥がれることで樹脂との結合性が悪化するが、このことにも対処することができ、耐湿性、耐剥離性も向上させるボンディング装置となる。   Further, when the surface of the lead frame 133 is oxidized, for example, an antioxidant film capable of handling up to 150 ° C. is peeled off, thereby deteriorating the bonding property with the resin. It becomes the bonding apparatus which improves the property.

尚、本実施例では、リング照明１２５の上端および鏡筒１２９下端に遮蔽蓋１３１、１３２を設置する場合について説明したが、特に限定する必要はなく、最低でもリング照明１２５の上端に遮蔽蓋１３１を設置することで上記した効果を得ることができる。   In the present embodiment, the case where the shielding lids 131 and 132 are installed at the upper end of the ring illumination 125 and the lower end of the lens barrel 129 has been described. The above-described effects can be obtained by installing.

また、上述した第２の実施の形態では、リング照明１２５の上端に遮蔽蓋１３１を設置した場合について説明したが、特にこの実施の形態に限定する必要はない。例えば、遮蔽蓋１３１はリング照明１２５内の上端から下端までのいずれか一箇所に設置されていれば上述した効果と同等の効果を得ることができる。   In the above-described second embodiment, the case where the shielding lid 131 is installed at the upper end of the ring illumination 125 has been described. However, the present invention is not particularly limited to this embodiment. For example, if the shielding lid 131 is installed at any one position from the upper end to the lower end in the ring illumination 125, an effect equivalent to the above-described effect can be obtained.

最後に、ボンディングアーム１２６、キャピラリー１２７およびトーチ１２８についは、第１の実施の形態と同様であるので、第１の実施の形態の説明を参照としここでは説明を割愛する。   Finally, since the bonding arm 126, the capillary 127, and the torch 128 are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted with reference to the description of the first embodiment.

尚、本実施例では、ワイヤボンディングについて詳細したが、光学的な認識装置を持つダイボンディング等についても同等な効果を得ることができる。また、載置台に載置されるのはリードフレームに限定されることはなく、後述する導電箔等の酸化を防止する必要があるものであれば同等の効果を得ることができる。更に、金属基板、プリント基板、セラミック基板等をダイボンド、ワイヤボンドする際、また、半田部分を部分的に塗布する装置においても光学的認識装置を有するものであれば応用できる。   In the present embodiment, the wire bonding is described in detail, but the same effect can be obtained for die bonding having an optical recognition device. Further, mounting on the mounting table is not limited to the lead frame, and an equivalent effect can be obtained as long as it is necessary to prevent oxidation of a conductive foil or the like described later. Furthermore, when die-bonding or wire-bonding a metal substrate, a printed circuit board, a ceramic substrate, or the like, or an apparatus for partially applying a solder portion, any apparatus having an optical recognition device can be applied.

本発明の認識装置によれば、加熱機能を備えた基板載置台と、前記基板載置台上に作業領域を覆うカバーと、前記カバー上面に設けられた作業孔と、前記作業孔上方に設けた照明と、前記照明上方に備えた鏡筒内に設けたパターン認識用カメラとを備える。そして、前記カバー内に吹き込まれる不活性ガスが前記基板載置台により加熱され、前記作業孔から外部に噴出する時に室温との温度差によりゆらぎが発生し、前記ゆらぎが前記照明内およびその周辺に立ちこめる。しかし、本発明の認識装置では、前記照明上下端および前記鏡筒下端に遮蔽蓋を備え、前記ゆらぎが前記照明内に侵入するのを防止する。そのことにより、前記照明内で前記ゆらぎにより照明がぶれることがなくなるので、前記パターン認識用カメラの認識精度を向上することができる。   According to the recognition apparatus of the present invention, the substrate mounting table having a heating function, the cover that covers the work area on the substrate mounting table, the work hole provided on the upper surface of the cover, and the work hole are provided above the work hole. Illumination and a pattern recognition camera provided in a lens barrel provided above the illumination. Then, the inert gas blown into the cover is heated by the substrate mounting table, and fluctuations occur due to a temperature difference from room temperature when the inert gas is ejected to the outside from the working hole, and the fluctuations are generated in and around the illumination. Stand up. However, in the recognition apparatus of the present invention, the upper and lower ends of the illumination and the lower end of the lens barrel are provided with shielding lids to prevent the fluctuation from entering the illumination. As a result, the illumination is not blurred due to the fluctuation in the illumination, and the recognition accuracy of the pattern recognition camera can be improved.

また、本発明のボンディング装置によれば、加熱機能を備えた基板載置台と、前記基板載置台上に作業領域を覆うカバーと、前記カバー上面に設けられた作業孔と、前記作業孔上方に設けた照明と、前記照明側面に設けたキャピラリーと、前記照明上方に備えた鏡筒内に設けたパターン認識用カメラとを備える。そして、前記カバー内に吹き込まれる不活性ガスが前記基板載置台により加熱され、前記作業孔から外部に流出する時の室温との温度差によりゆらぎとなる。特に、前記照明下端に設けた遮蔽蓋により前記ゆらぎが前記照明内に侵入するのを防止し、前記パターン認識用カメラによる認識する。その後、前記キャピラリーを前記作業孔上に移動させ前記作業孔を介してボンディングする。このとき、前記ゆらぎの前記照明内への侵入を前記遮蔽蓋で防ぐことで、認識カメラによるパターン認識が高精度で行われるので、μｍオーダーまで精度良くボンディングすることができるボンディング装置を実現できる。   According to the bonding apparatus of the present invention, the substrate mounting table having a heating function, a cover covering the work area on the substrate mounting table, a work hole provided on the upper surface of the cover, and the work hole above the work hole Provided illumination, a capillary provided on the illumination side surface, and a pattern recognition camera provided in a lens barrel provided above the illumination. Then, the inert gas blown into the cover is heated by the substrate mounting table and fluctuates due to a temperature difference from the room temperature when flowing out from the working hole. In particular, the shielding lid provided at the lower end of the illumination prevents the fluctuation from entering the illumination and recognizes it by the pattern recognition camera. Thereafter, the capillary is moved onto the working hole and bonded through the working hole. At this time, by preventing the fluctuation from entering the illumination with the shielding lid, the pattern recognition by the recognition camera is performed with high accuracy, so that it is possible to realize a bonding apparatus capable of bonding with accuracy down to the μm order.

また、本発明の回路装置の製造方法では、上記した認識装置およびボンディング装置を用いることで、ワイヤボンディング工程において、小面積に多数の搭載部が集積された集合ブロックが形成された導電部材から成る基板が、長時間高温度下に置かれても酸化することも無くなるので、基板と絶縁性樹脂との結合面における耐湿性、耐剥離性も向上させる回路装置の製造方法を実現できる。   Further, in the method of manufacturing a circuit device according to the present invention, the above-described recognition device and bonding device are used to form a conductive member in which a collective block in which a large number of mounting portions are integrated in a small area is formed in the wire bonding process. Since the substrate does not oxidize even if it is placed at a high temperature for a long time, it is possible to realize a circuit device manufacturing method that improves the moisture resistance and peel resistance at the bonding surface between the substrate and the insulating resin.

樹脂との密着が向上されたリードフレームを採用した半導体装置を提供できる。   A semiconductor device employing a lead frame with improved adhesion to the resin can be provided.

２１ 認識装置を備えたボンディング装置
２２ 載置台
２３ カバー
２４ 作業孔
２５ リング照明
２７ キャピラリー
２９ 鏡筒
３１ 遮蔽蓋 21 Bonding device with recognition device
22 Mounting table
23 Cover
24 working hole
25 Ring lighting
27 Capillary
29 Lens tube
31 Shielding lid

Claims (6)

搭載部が設けられ、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記搭載部に相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングする半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームを押さえながらワイヤボンディングする際、前記リードフレームに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた酸化防止剤膜の剥がれを抑止した事を特徴とした半導体装置の製造方法。 Prepare a lead frame with a mounting part and an antioxidant film,
The back surface of the lead frame corresponding to the mounting portion is provided on the mounting table of the bonding apparatus that is heated,
A semiconductor device manufacturing method for bonding a semiconductor element and the lead frame provided in the lead frame corresponding to the mounting portion using the bonding apparatus,
A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that when wire bonding is performed while holding down the lead frame, nitrogen gas is blown onto the lead frame to prevent peeling of an antioxidant film provided on the lead frame. 行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成され、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングし、前記集合ブロック内でワイヤボンディングを一括して行う半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームの前記集合ブロックの周端を押さえながら一括してワイヤボンディングする際、前記集合ブロックに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた酸化防止剤膜の剥がれを抑止した事を特徴とした半導体装置の製造方法。 Prepare a lead frame in which a plurality of mounting portions arranged in the row direction and the column direction are gathered to form a collective block, and an antioxidant film is formed,
The back surface of the lead frame corresponding to the assembly block is provided on the mounting table of the bonding apparatus at a high temperature,
A semiconductor device manufacturing method in which a semiconductor element provided in the lead frame corresponding to the mounting portion and the lead frame are bonded using the bonding apparatus, and wire bonding is performed collectively in the assembly block And
When wire bonding is performed collectively while holding the peripheral edge of the assembly block of the lead frame, nitrogen gas is blown onto the assembly block to prevent the antioxidant film from peeling off. Semiconductor device manufacturing method. ボンディング装置には、前記搭載部を照らす照明が設けられ、前記照明から離れた位置に設けられたブロー装置により、前記搭載部で暖められた前記窒素ガスをブローする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 The bonding apparatus is provided with illumination for illuminating the mounting portion, and blows the nitrogen gas warmed by the mounting portion by a blow device provided at a position away from the illumination. The manufacturing method of the semiconductor device of description. 前記照明は、リング照明であり、前記リング照明には、高温にされたガスの通過を防止する遮蔽蓋が設けられる請求項３記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the illumination is ring illumination, and the ring illumination is provided with a shielding lid that prevents passage of a gas at a high temperature. 前記集合ブロックの周端は、クランパーにより押さえられる請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein a peripheral edge of the assembly block is pressed by a clamper. 前記リードフレームの代わりに、金属基板、プリント基板またはセラミック基板が用いられる請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a metal substrate, a printed circuit board, or a ceramic substrate is used instead of the lead frame.
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