JP2009164262A - 半導体装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高温下に晒すことなく、回路基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた半導体装置、かかる半導体装置を備える高い信頼性が得られる電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ビア３３内に設けられた導体ポスト４２と配線パターン４１とを有するインターポーザー３０と、前記導体ポスト４２に接合された端子６０２と、導体ポスト４２に形成された接合膜８０とを有している。この半導体装置１０が備える接合膜８０は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面８５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８０の表面８５に、回路基板が備える導体部との接着性が発現するものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置および電子機器に関するものである。

近年のパーソナルコンピュータや携帯型通信機器の小型化、高性能化の要求に伴い、それらに実装されるＣＰＵ(中央処理装置)、半導体メモリ、その他の半導体装置の小型化、高集積化の要求が高まっている。
半導体装置の高集積化に伴い、リードフレームを用いた半導体パッケージから、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージへの移行が急速に進展している。
これらの半導体パッケージは、接続端子を増やすことが容易であり、また、内部配線の引き回し経路も短くなるので高速化の面でも優れたものである。

図１４は、半導体パッケージの構成の一例を示す図（拡大縦断面図）である。
図１４に示すように、この半導体パッケージ９００は、貫通孔（ビア）９０１が形成されたインターポーザー９０２と、インターポーザー９０２の一方の面（図１４中、上面）に設けられた配線パターン９０３と、インターポーザー９０２のビア９０１内に設けられ、配線パターン９０３の一部と電気的に接続された導体ポスト９０４と、インターポーザー９０２の他方の面（図１４中、下面）に臨む導体ポスト９０４の端面（以下、「接合面９０４ａ」と言う。）に接合され、この面から突出するバンプ９０５と、配線パターン９０３の上面にその縁部が露出するように設けられた接合層９０７とを有している。

また、半導体パッケージ９００は、インターポーザー９０２の上側に、配線パターン９０３と電気的に接続された半導体チップ９０６が、接合層９０７を介して、載置されている。
そして、このような半導体パッケージ９００におけるバンプ９０５としては、ロウ材で構成されたボール状の端子（半田ボール）が主に用いられている。

かかる半田ボールを用いた、半導体パッケージ９００の回路基板への実装は、半田ボール（バンプ９０５）を、溶融・固化させる半田リフロー工程を経て、回路基板が備える端子に接合することにより行われる（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、回路基板が備える端子とバンプ９０５とが接触するように、回路基板上に半導体パッケージ９００を載置する。そして、これらを加熱して、バンプ９０５を溶融させた後に、再固化させることにより、バンプ９０５の前記端子への接合が行われる。

以上のようなバンプ９０５を溶融・固化させる半田リフロー工程では、バンプ９０５を溶融するために、半導体パッケージ９００が高温下（２６０℃程度）に晒される。かかる高温下に半導体パッケージ９００が晒されると、インターポーザー９０２と半導体チップ９０６とを接合する接合層９０７に剥離が生じ、これを起因として、半導体パッケージ９００にクラックが生じるという問題がある。

特開２００４−６６８２号公報

本発明の目的は、高温下に晒すことなく、回路基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた半導体装置、かかる半導体装置を備える高い信頼性が得られる電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体装置は、回路基板に搭載して用いられ、
貫通孔を有し、半導体素子を支持・固定する基板と、
該基板の一方の面側に設けられた配線パターンと、
前記基板の貫通孔内に設けられ、前記配線パターンの一部と電気的に接続された導体ポストと、
前記導体ポストにおける、前記基板の他方の面側の端部に形成された、導電性を有する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記回路基板が備える導体部との接着性が発現するものであることを特徴とする。
これにより、高温下に晒すことなく回路基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた半導体装置とすることができる。

本発明の半導体装置では、前記脱離基は、前記接合膜の表面付近に偏在していることが好ましい。
これにより、接合膜に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜に、接合膜としての機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができる。

本発明の半導体装置では、前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性を発揮するものとなる。
本発明の半導体装置では、前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。

本発明の半導体装置では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、導体ポストに対して特に強固に接合するとともに、導体部に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、接合膜を介して導体ポストと導体部とを確実に接合することができる。
本発明の半導体装置では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して導体ポストと導体部とをより確実に接合することができる。

本発明の半導体装置は、回路基板に搭載して用いられ、
貫通孔を有し、半導体素子を支持・固定する基板と、
該基板の一方の面側に設けられた配線パターンと、
前記基板の貫通孔内に設けられ、前記配線パターンの一部と電気的に接続された導体ポストと、
前記導体ポストにおける、前記基板の他方の面側の端部に形成された、導電性を有する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記回路基板が備える導体部との接着性が発現するものであることを特徴とする。
これにより、高温下に晒すことなく回路基板に確実に実装し得る、信頼性に優れた半導体装置とすることができる。

本発明の半導体装置では、前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜を成膜することができる。
本発明の半導体装置では、前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、基板上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜を形成することができる。

本発明の半導体装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。

本発明の半導体装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、接合膜の接着性をより高度化することができる。

本発明の半導体装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の半導体装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いて接合膜を成膜することにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、確実に接合膜を形成することができる。

本発明の半導体装置では、前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
接合膜を、これらの金属原子を含むものとすることにより、接合膜は、優れた導電性を発揮するものとなる。
本発明の半導体装置では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜の安定性が高くなり、接合膜を介して導体ポストと導体部とをより確実に接合することができる。また、接合膜を優れた導電性を発揮するものとすることができる。

本発明の半導体装置では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、接合膜は、導体ポストと導体部の双方に対して、化学的結合に基づいて確実に接合可能なものとなる。
本発明の半導体装置では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、接合膜に対して、端子をより確実に接合することが可能となる。

本発明の半導体装置では、前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、接合膜の寸法精度が著しく低下するのを防止して、この接合膜を介して導体ポストと導体部とをより確実に接合することができる。
本発明の半導体装置では、前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が寸法精度の高いもの、すなわち、導体ポストに対応するように設けられた各接合膜の高さをほぼ均一なものとすることができる。そのため、半導体装置は、回路基板に実装される際に、各接合膜と、これに対応する導体部との接合を確実に行い得るものとなる。

本発明の半導体装置では、前記導体ポストの前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、導体ポストの表面を清浄化および活性化し、接合膜と導体ポストとの接合を確実に行うことができる。
本発明の半導体装置では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、導体ポストの表面を特に最適化することができる。

本発明の半導体装置では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。

本発明の半導体装置では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。

本発明の半導体装置では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜に対する導体部の接合がより確実なものとなる。
本発明の半導体装置では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて導体ポスト、導体部および半導体素子に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合膜に導体部との十分な接着性が発現する。

本発明の半導体装置では、前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われることが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の電子機器は、本発明の半導体装置と、該半導体装置を搭載する回路基板とを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の半導体装置および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜半導体装置＞
まず、本発明の半導体装置について説明する。
図１は、本発明の半導体装置を示す縦断面図、図２は、図１に示す半導体装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図３は、図１に示す半導体装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図４は、Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図５は、図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図６は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図７は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図８は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１〜図８中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。

図１に示す半導体装置（半導体パッケージ）１０は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ（半導体素子）２０と、インターポーザー（基板）３０と、配線パターン４１と、複数の導体ポスト４２と、導体ポスト４２に対応して複数設けられた接合膜（端子）８０とを有している。
インターポーザー（支持台）３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
インターポーザー３０の上面（一方の面）３１には、例えば銅等の導電性金属材料で構成される配線パターン４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、複数のビア（スルーホール：貫通孔）３３が形成されている。このビア内には、導電性材料で構成される導体ポスト（導電層）４２が設けられている。
導体ポスト４２は、その一端（インターポーザー３０の上面に臨む端面）が、配線パターン４１の一部に電気的に接続されている。また、導体ポスト４２の他端（インターポーザー３０の下面に臨む端面：以下、「接合面４３」と言う。）には、導電性を有する接合膜８０が、後述する実装方法において、回路基板が備える端子と接合される端子として設けられている。これにより、接合膜８０は、導体ポスト４２を介して、配線パターン４１の一部に電気的に接続されている。

導体ポスト４２の構成材料（導電性材料）としては、それぞれ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、これらを含む合金のような金属系材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）のような金属酸化物系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。さらには、ポリチオフェン、ポリアセチレンのような導電性高分子材料も用いることができる。

また、インターポーザー３０上には、配線パターン４１の一部（本実施形態では、辺縁部を除いた領域）を覆うように、例えばエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成される接合層６０が設けられ、この接合層６０を介して半導体チップ２０がインターポーザー３０上に支持・固定（設置）されている。
この半導体チップ（半導体素子）２０は、これが有する電極パッド２１と配線パターン４１のうち接合層６０で覆われていない部分が、導電性ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各端子６０２とが電気的に接続されている。

そして、インターポーザー３０の上面３１側に設けられた各部材は、例えばエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成されるモールド部５０により封止されている。
かかる構成の半導体装置１０において、接合膜８０は、インターポーザー３０の下面（他方の面）３２側で接合面４３、すなわち、導体ポスト４２の下面３２側の端部に設けられている。

この接合膜８０が、本発明では、後述する実装方法において半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、回路基板６００が備える端子６０２に接合する接合膜（接着層）としての機能を発揮するとともに、半導体装置１０と回路基板６００とが電気的に接続する端子としての機能も発揮する。
このように、接合膜として優れた接着性を発揮し、かつ、端子として優れた導電性を発揮する接合膜８０として、本発明では、次のようなＩまたはIIの構成のものが適用される。

以下、ＩおよびIIの構成の接合膜８０について、それぞれ、詳述する。
I： まず、Ｉの構成の接合膜８０は、導体ポスト４２の接合面４３に設けられ、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基８０３とを含むものである（図２参照。）。換言すれば、接合膜８０は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基８０３を導入したものと言うことができる。

このような接合膜８０は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が接合膜８０（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図３に示すように、接合膜８０の少なくとも表面８５の付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜８０表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜８０は、後述する回路基板６００が備える端子６０２に対して、強固に効率よく接合可能なものとなる。
この接合膜８０と端子６０２との接合は、半田ボールで構成された半田バンプを用いて行う場合のように、高温下（２６０℃程度）に晒すことなく行い得ることから、接合層６０が剥離すること、ひいては、半導体装置１０にクラックが生じることが確実に防止される。

また、接合膜８０は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基８０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、接合膜８０は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、接合膜８０自体が寸法精度の高いもの、すなわち、導体ポスト４２に対応するように設けられた各接合膜８０の高さをほぼ均一なものとすることができる。そのため、半導体装置１０は、後述する実装方法において、半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、各接合膜８０と、これに対応する端子６０２との接合を確実に行い得るものとなる。

また、Ｉの構成の接合膜８０は、優れた導電性を有している。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
なお、脱離基８０３は、少なくとも接合膜８０の表面８５付近に存在していればよく、接合膜８０のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜８０の表面８５付近に偏在していてもよい。なお、脱離基８０３が表面８５付近に偏在する構成とすることにより、接合膜８０に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜８０に、接合膜としての機能の他に、導電性特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。
以上のような接合膜８０としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。

具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜８０を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基８０３を導入したものとすることにより、接合膜８０は、優れた導電性を発揮するものとなる。なお、かかる接合膜８０は、高い伝熱性および透明性も有する。

より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ_２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。

また、接合膜８０中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜８０の安定性が高くなり、接合膜８０で導体ポスト４２と端子６０２とをより確実に接合することができる。また、接合膜８０を優れた導電性を発揮するものとすることができる。

また、脱離基８０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜８０に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜８０に確実に結合しているものが好適に選択される。

かかる観点から、脱離基８０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜８０の接着性をより高度なものとすることができる。

なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の接合膜８０では、脱離基８０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３として水素原子を備える接合膜８０は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

以上のことを考慮すると、接合膜８０としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の金属酸化物に、脱離基８０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜８０は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜８０は、導体ポスト４２に対して特に強固に接着するとともに、端子６０２に対しても特に強い被着力を示す。

また、接合膜８０の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜８０の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜８０の寸法精度が著しく低下するのを防止して、これらをより確実に接合することができる。
すなわち、接合膜８０の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られず、端子６０２との接合が行われないおそれがある。一方、接合膜８０の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜８０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。

さらに、接合膜８０の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜８０にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、導体ポスト４２の接合面４３（接合膜８０に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜８０を被着させることができる。その結果、接合膜８０は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、接合膜８０の端子６０２に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜８０の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、前記範囲内で、接合膜８０の厚さをできるだけ厚くすればよい。

以上説明したような接合膜８０は、接合膜８０のほぼ全体に脱離基８０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜８０の表面８５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することにより形成することができる。

以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、接合膜８０を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ： Ｉ−Ａの方法では、接合膜８０は、上記のように、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を導体ポスト４２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することができるため、接合膜８０のほぼ全体に亘って脱離基８０３を導入することができる。

さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜８０を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜８０は、端子６０２に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で成膜された接合膜８０は、導体ポスト４２に対しても高い密着性を示す。このため、導体ポスト４２と端子６０２との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜８０は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、半導体装置１０の製造工程の簡素化、効率化を図ることができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基８０３の導入をより円滑に行うことができる。

以下、ＰＶＤ法により接合膜８０を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜８０を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜８０の成膜方法を説明するのに先立って、導体ポスト４２の接合面４３にイオンビームスパッタリング法により接合膜８０を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。

図４に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜８０の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、インターポーザー（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。

また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、導体ポスト４２上に接合膜８０を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。

イオン源（イオン銃）２１５は、図５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図４に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。

このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。

イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。

また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜８０の成膜速度をより速くすることができる。

また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、インターポーザー３０、導体ポスト４２および接合膜８０が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。

さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。

以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして導体ポスト４２上に接合膜８０が形成される。
まず、インターポーザー３０の他方の面３２に、接合面４３を除いてマスクを形成する。そして、このインターポーザー３０を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。

次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。

脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基８０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。

次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基８０３が導入される。そして、この脱離基８０３が導入された金属酸化物が導体ポスト４２の接合面４３上に被着することにより、接合膜８０が形成される。その後、各種エッチング法を用いて、接合面４３を除いて形成したマスクを除去する。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜８０に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜８０の成膜中に導入された脱離基８０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基８０３が存在する接合膜８０を成膜することができる。

Ｉ−Ｂ： また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜８０は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜８０を形成することができる。

ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、導体ポスト４２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基８０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基８０３の量、さらには脱離基８０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜８０を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜８０の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜８０を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。

まず、インターポーザー３０の他方の面３２に、接合面４３を除いてマスクを形成する。そして、このインターポーザー３０を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。

また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。

この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、導体ポスト４２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜８０に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜８０の成膜中に導入された脱離基８０３が脱離するのを確実に防止することができる。

次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基８０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、インターポーザー３０、導体ポスト４２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基８０３を導入することができる。

次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３が導入されて、接合膜８０が形成される。

脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基８０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基８０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。

また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
導入する脱離基８０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面８５付近に脱離基８０３が偏在する接合膜８０を成膜することができる。

II： 次に、IIの構成の接合膜８０は、導体ポスト４２の接合面４３に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３を含むものである（図６参照。）。
このような接合膜８０は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が接合膜８０の少なくとも表面８５付近から脱離し、図７に示すように、接合膜８０の少なくとも表面８５付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜８０の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜８０は、後述する回路基板６００が備える端子６０２に対して、強固に効率よく接合可能なものとなる。
この接合膜８０と端子６０２との接合は、半田ボールで構成された半田バンプを用いて行う場合のように、２６０℃程度の高温下に晒すことなく行い得ることから、接合層６０が剥離すること、ひいては、半導体装置１０にクラックが生じることが確実に防止される。

また、接合膜８０は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基８０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、接合膜８０は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、接合膜８０自体が寸法精度の高いもの、すなわち、導体ポスト４２に対応するように設けられた各接合膜８０の高さをほぼ均一なものとすることができる。そのため、半導体装置１０は、後述する実装方法において、半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、各接合膜８０と、これに対応する端子６０２との接合を確実に行い得るものとなる。

また、IIの構成の接合膜８０は、優れた導電性を有している。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との電気的な接続が、特に低抵抗率なものとなる。
以上のような接合膜８０としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基８０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。

ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜８０に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜８０の導電性をより高めることができる。

また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜８０は、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜８０を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜８０を成膜することができる。

また、脱離基８０３は、前述したように、接合膜８０から脱離することにより、接合膜８０に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜８０に確実に結合しているものが好適に選択される。

具体的には、IIの構成の接合膜８０では、脱離基８０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜８０の接着性をより高度なものとすることができる。

より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基８０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３としてアルキル基を備える接合膜８０は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

また、かかる構成の接合膜８０において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜８０の安定性が高くなり、接合膜８０を端子６０２に対してより確実に接合することができる。また、接合膜８０を優れた導電性を発揮するものとすることができる。

また、接合膜８０の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜８０の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜８０の寸法精度が著しく低下するのを防止して、これらをより確実に接合することができる。
すなわち、接合膜８０の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られず、端子６０２との接合が行われないおそれがある。一方、接合膜８０の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜８０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。

さらに、接合膜８０の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜８０にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、導体ポスト４２の接合面４３（接合膜８０に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜８０を被着させることができる。その結果、接合膜８０は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、半導体装置１０を回路基板６００に実装する際に、接合膜８０の端子６０２に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜８０の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、前記範囲内で、接合膜８０の厚さをできるだけ厚くすればよい。

以上説明したような接合膜８０は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜８０を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜８０を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜８０を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により接合膜８０を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜８０を形成することができる。

以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜８０を形成する方法により、接合膜８０を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜８０の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜８０を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。

図８に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜８０の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、インターポーザー３０（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。

基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、導体ポスト４２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、インターポーザー３０、導体ポスト４２および接合膜８０が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。

有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。

また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜８０を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基８０３として残存させた状態で接合膜８０が成膜される。

チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜８０に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜８０を成膜することができる。その結果、この接合膜８０は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。

また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。

以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして導体ポスト４２上に接合膜８０が形成される。
まず、インターポーザー３０の他方の面３２に、接合面４３を除いてマスクを形成する。そして、このインターポーザー３０を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。

次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。

さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜８０の種類、すなわち、接合膜８０を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜８０を成膜することができる。

次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。

このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、インターポーザー３０上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、導体ポスト４２の接合面４３上に接合膜８０を形成することができる。その後、各種エッチング法を用いて、接合面４３を除いて形成したマスクを除去する。

すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基８０３としての機能を発揮する接合膜８０を導体ポスト４２上に形成することができる。
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜８０を確実に形成することができる。

また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、インターポーザー３０上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜８０を形成することができる。

気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜８０を成膜することができる。
以上のように、接合膜８０を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基８０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜８０を成膜することができる。

なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜８０に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基８０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基８０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、導体ポスト４２の接合面４３上に接合膜８０を成膜することができる。

なお、導体ポスト４２の接合面４３には、上記の方法により接合膜８０を形成するのに先立って、導体ポスト４２の構成材料に応じて、あらかじめ、導体ポスト４２と接合膜８０との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、導体ポスト４２の接合面４３を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、接合膜８０と導体ポスト４２との接合を確実に行うことができる。

また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜８０を形成するために、インターポーザー３０の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す接合面４３が、導電性高分子材料で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、導体ポスト４２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜８０の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる導体ポスト４２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属酸化物系材料等を主材料とするものが挙げられる。

このような材料で構成された導体ポスト４２は、接合面４３が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された導体ポスト４２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、導体ポスト４２と端子６０２とを強固に接合することができる。
なお、この場合、導体ポスト４２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面４３の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。

以上のようにして、導体ポスト４２の接合面４３に接合膜８０を設けることができる。
なお、上記では、接合膜８０を導体ポスト４２の接合面４３に設ける構成について説明したが、接合膜８０は、端子６０２に設けるようにしてもよい。この場合、端子６０２の表面に、予め、前述したような表面処理を設けるようにすれば、前述したような効果が同様に得られる。
さらに、接合膜８０は、導体ポスト４２と端子６０２の双方に設けるようにしてもよい。なお、この場合、表面処理は、導体ポスト４２と端子６０２の双方に行ってもよく、いずれか一方に選択的に行うようにしてもよい。

次に、上述した半導体装置の製造方法（接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合方法）について説明する。
図９および図１０は、それぞれ、図１に示す半導体装置の製造方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では説明の都合上、図９および図１０中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。

［１］まず、インターポーザー３０となる基板を用意し、ビア３３を形成することにより、インターポーザー３０を得る（図９（ａ）参照）。
ビア３３は、基板の上面に、ビア３３に対応する領域に窓部を有するレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介して、基板をエッチングすることにより形成することができる。
エッチング方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

［２］次に、前記工程［１］で得られたインターポーザー３０のビア３３内に導体ポスト４２を形成し、次いで、インターポーザー３０の一方の面に、配線パターン４１を形成する（図９（ｂ）参照）。
導体ポスト４２は、例えば、導電性材料を含有する液状導電材料（ペースト）を、ビア３３内に供給した後、乾燥さらには必要に応じて焼成することにより形成することができる。

なお、前記液状導電材料としては、例えば、銀ペースト、ＩＴＯ粒子のような金属酸化物粒子の分散液等を用いることができる。
また、前記液状導電材料をビア３３内に供給する方法としては、例えば、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、マイクロコンタクトプリンティング法のような各種塗布法等が挙げられるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状導電材料を容易かつ確実にビア３３内に供給することができる。

なお、導体ポスト４２は、かかる形成方法の他、気相成膜法を用いて形成することも可能である。
また、配線パターン４１は、インターポーザー３０の上面全体に、導電膜を形成した後、この導電膜上に配線パターン４１に対応するマスクを形成し、このマスクを介して、導電膜の不要部分を除去することによって形成することができる。

導電膜を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等が挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、導電膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

［３］次に、導体ポスト４２の接合面４３に、前述したような方法を用いて、接合膜８０を形成する（図９（ｃ）参照）。
［４］次に、インターポーザー３０の配線パターン４１を形成した上面３１に、その辺縁部を除いて接合層６０を形成する（図９（ｄ）参照）。
接合層６０は、インターポーザー３０の上面に、辺縁部を覆うようにマスクを形成し、そして、このマスクを介して、例えば樹脂接着剤を供給することによって形成した後、マスクを除去することにより得ることができる。
樹脂接着剤の供給方法としては、例えば、前述の液状導電材料の供給方法と同様の方法を挙げることができる。

［５］次に、接合層６０に、半導体チップ２０を固着し、半導体チップ２０に設けられた電極パッド２１と、配線パターン４１とを電気的に接続する（図１０（ｅ）参照）。
半導体チップ２０の固着は、例えば、接合層６０の上に、半導体チップ２０を載置し、接合層６０を硬化することにより行われる。
また、電極パッド２１と配線パターン４１との電気的な接続は、半導体チップ２０の電極パッド２１と、接合層６０から露出する配線パターン４１とを導電性ワイヤー２２で接続（ワイヤボンディング）することにより行われる。

［６］次に、インターポーザー３３上に、上面３１側に設けられた各部材を覆うようにモールド部５０を形成する（図１０（ｆ）参照）。
モールド部５０は、例えば、インターポーザー３０が搬入された成型金型内に、溶融状態の樹脂を充填し、仮硬化した後、成型金型からインターポーザー３０を取り出し、樹脂を完全に硬化させることによって形成することができる。
以上のようにして、接合面４３に接合膜８０を備える半導体装置１０を得ることができる。

＜実装方法＞
次に、上述した半導体装置１０を回路基板に実装する方法について説明する。
＜＜第１実装方法＞＞
まず、半導体装置１０の第１実装方法について説明する。
図１１は、図１に示す半導体装置を回路基板に実装する第１実装方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下では、説明の都合上、図１１中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。

［Ｓ１］まず、半導体装置１０を用意し、接合膜８０の表面８５に対して（インターポーザー３０の他方の面３２全体にわたって）、エネルギーを付与する。
ここで、接合膜８０にエネルギーを付与すると、接合膜８０では、脱離基８０３の結合手が切れて接合膜８０の表面８５付近から脱離し、脱離基８０３が脱離した後には、活性手が接合膜８０の表面８５付近に生じる。これにより、接合膜８０の表面８５に、端子６０２との接着性が発現する。
このような状態の接合膜８０は、後工程［Ｓ３］において、化学的結合に基づいて、端子６０２と強固に接合可能なものとなる。

ここで、接合膜８０に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜８０にエネルギー線を照射する方法、接合膜８０を加熱する方法、接合膜８０に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜８０をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜８０をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜８０にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜８０にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜８０に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。

これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図１１（ａ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜８０中の脱離基８０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜８０の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜８０に接着性を確実に発現させることができる。

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基８０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜８０の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜８０との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、接合膜８０の表面８５付近の脱離基８０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜８０に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜８０が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜８０の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。

一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜８０のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜８０の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜８０の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。

また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜８０に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。

また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を接合膜８０の表面８５付近から確実に切断することができる。

なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を接合膜８０から確実に切断することができる。

また、接合膜８０に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜８０の表面８５に合わせた状態で、この表面８５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面８５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜８０の表面８５に存在する脱離基８０３を選択的に脱離させることができる。

また、接合膜８０に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜８０の表面８５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行える。そのため、ろう材で構成される半田ボールを用いて端子と接合する場合のように半導体装置１０を高温下（２６０℃程度）に晒す必要がないため、インターポーザー３０および接合膜８０の変質・劣化、さらには、接合層６０における剥離の発生が確実に防止され、ひいては、得られる半導体装置１０におけるクラックの発生等に起因する変質・劣化が確実に防止される。

また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜８０から脱離する脱離基８０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基８０３の脱離量を調整することにより、接合膜８０と端子６０２との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基８０３の脱離量を多くすることにより、接合膜８０の表面８５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜８０に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基８０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜８０の表面８５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜８０に発現する接着性を抑えることができる。

なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜８０は、図２および図６に示すように、その表面８５付近に脱離基８０３を有している。かかる接合膜８０にエネルギーを付与すると、脱離基８０３（図２では、水素原子、図６では、メチル基）が接合膜８０から脱離する。これにより、図３および図７に示すように、接合膜８０の表面８５に活性手８０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜８０の表面に接着性が発現する。

ここで、本明細書中において、接合膜８０が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜８０の表面８５および内部の脱離基８０３が脱離して、接合膜８０の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜８０が「活性化された」状態と言うこととする。

したがって、活性手８０４とは、図３および図７に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手８０４が存在するようにすれば、接合膜８０に対して、端子６０２をより確実に接合することが可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜８０に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。

また、本実装方法では、接合膜８０と端子６０２とを接着する（接合する）前に、予め、接合膜８０に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜８０と端子６０２とを接合する（接合膜８０上に端子６０２を搭載する）際、または貼り合わせた（接合膜８０上に端子６０２を搭載する）後に行うようにしてもよい。なお、このような場合については、後述する第２実装方法において説明する。

［Ｓ２］次に、図１１（ｂ）に示すような回路基板６００を用意する。
本実施形態では、回路基板６００は、配線パターン（図示せず）が形成された平板状の基体６０１と、配線パターンに接続された複数の端子６０２とを有している。
次いで、前記工程［Ｓ１］において、接合膜８０に対してエネルギーを付与された半導体装置１０を、図１１（ｃ）に示すように、活性化させた接合膜８０と端子６０２の表面とが密着するようにして、接合膜８０を端子６０２に接触させる。これにより、前記工程［Ｓ１］において、接合膜８０が端子６０２に対する接着性が発現していることから、接合膜８０と端子６０２とが化学的に結合することとなり、接合膜８０が端子６０２に接着する。

ここで、本工程において、接合膜８０と端子６０２とを接合するメカニズムについて説明する。
例えば、端子６０２の接合膜８０との接合に供される領域に、水酸基が露出していると、本工程において、接合膜８０と端子６０２とが接触するように、接合膜８０上に端子６０２を搭載したとき、接合膜８０の表面８５に存在する水酸基と、端子６０２に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜８０と端子６０２とが接合されると推察される。

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜８０と端子６０２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜８０と端子６０２とが接合されると推察される。
以上のようにして、回路基板６００上に半導体装置１０が実装（搭載）される。

このようにして得られた半導体装置１０が実装された回路基板６００では、半田ボールと端子６０２との接合のように、物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜８０と端子６０２とが接合されている。このため、半導体装置１０を回路基板６００上に短時間で実装することができ、かつ、接合膜８０が端子６０２から極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。

また、接合膜８０自体が、優れた導電性を有し、電導体（配線）としての機能も発揮するものであることから、絶縁性の接着剤を用いて接合した場合とは異なり、接着剤中に銀粒子等の導電体を含有させることなく、導体ポスト４２および端子６０２間での導通を確実に得ることができる。
さらに、接合膜８０を介して導体ポスト４２と端子６０２とを接合しているため、導体ポスト４２や端子６０２の構成材料に制約がないという利点も得られ、導体ポスト４２および端子６０２の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。

なお、前記工程［Ｓ１］で活性化された接合膜８０の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［Ｓ１］の終了後、できるだけ早く本工程［Ｓ２］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［Ｓ１］の終了後、６０分以内に本工程［Ｓ２］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜８０の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜８０上に端子６０２を搭載したとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。

換言すれば、活性化させる前の接合膜８０は、脱離基８０３を備えた状態で化学的に比較的安定な膜であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜８０は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜８０が形成された半導体装置１０を多量に製造または購入して保存しておき、本実装方法を行う直前に、必要な個数のみに前記工程［Ｓ１］に記載したエネルギーの付与を行う構成とすることは、半導体装置１０の保存上の観点から現実的である。

なお、以上説明したような回路基板６００が備える端子６０２には、導体ポスト４２と同様に、端子６０２の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、端子６０２と接合膜８０との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜８０と端子６０２との接合強度をより高めることができる。
また、表面処理としては、導体ポスト４２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
さらに、端子６０２を接合する際、または、端子６０２を接合した後に、必要に応じ、以下の２つの工程（［Ｓ３Ａ］および［Ｓ３Ｂ］）のうちの少なくとも一方の工程（導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実にするための工程）を行うようにしてもよい。これにより、導体ポスト４２と端子６０２との接合がより確実なものなる。

［Ｓ３Ａ］ 本工程では、前記工程［Ｓ２］で得られた、半導体装置１０が実装された回路基板６００を、導体ポスト４２と端子６０２とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、導体ポスト４２の表面および端子６０２の表面に、それぞれ接合膜８０の表面がより近接し、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。

また、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧することにより、接合膜８０との接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧する際の圧力は、半導体装置１０および回路基板６００が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合がより確実なものとなる。

なお、この圧力は、導体ポスト４２および端子６０２の各構成材料、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、導体ポスト４２および端子６０２の各構成材料等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合がより確実なものとなる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等の各構成材料によっては、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等に損傷等が生じるおそれがある。

また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。

［Ｓ３Ｂ］ 本工程では、前記工程［Ｓ２］で得られた、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加熱する。
これにより、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加熱する際の温度は、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度に設定され、より好ましくは５０〜１００℃程度に設定される。かかる範囲の低温度での加熱であれば、半導体装置１０中で接合層６０に剥離が生じるのが確実に防止される。また、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をより確実なものとすることができる。

さらに、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［Ｓ３Ａ］、［Ｓ３Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、半導体装置１０が実装された回路基板６００を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合膜８０を介した導体ポスト４２と端子６０２との接合をさらに確実なものとすることができる。

以上のような工程を行うことにより、半導体装置１０が実装された回路基板６００における接合膜８０の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、本実装方法で説明した、回路基板６００は、基体６０１上に配線パターンが形成されているものとしたが、これには限定されず、半導体チップ２０のように半導体基板上に半導体回路が形成されているものであってもよい。

＜＜第２実装方法＞＞
次に、本発明の半導体装置の第２実装方法について説明する。
図１２は、図１に示す半導体装置の第２実装方法（製造工程）を説明するための図である。なお、以下では、説明の都合上、図１２中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。

以下、第２実装方法について説明するが、前記第１実装方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実装方法では、接合膜８０と端子６０２とが接触するように、回路基板６００上に半導体装置１０を載置した後に、接合膜８０にエネルギーを付与して、接合膜８０に端子６０２を接合するようにした以外は、前記第１実装方法と同様である。

すなわち、本実装方法では、半導体装置１０が備える接合膜８０の表面と、回路基板６００が備える端子６０２の表面とが密着するように、回路基板６００上に半導体装置１０を載置した後、接合膜８０に対してエネルギーを付与して接合膜８０を活性化させて、接合膜８０と端子６０２とを接合させることにより、回路基板６００上に半導体装置１０を実装する。

以下、半導体装置１０の第２実装方法について説明する。
［Ｓ１’］まず、回路基板６００を用意し、その後、接合膜８０と端子６０２とが接触するように、回路基板６００上に半導体装置１０を載置する（図１２（ａ）参照。）。
［Ｓ２’］次に、図１２（ｂ）に示すように、接合膜８０に対してエネルギーを付与する。接合膜８０にエネルギーが付与されると、接合膜８０に、端子６０２との接着性が発現する。これにより、導体ポスト４２と端子６０２とが接合される。

ここで、接合膜８０に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実装方法で挙げたような方法で付与される。
また、本実装方法では、接合膜８０にエネルギーを付与する方法としては、特に、接合膜８０を加熱する方法、および接合膜８０に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも一方を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜８０に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。

一方、接合膜８０を加熱することにより、接合膜８０に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の低温度での加熱であれば、半導体装置１０中で接合層６０に剥離が生じるのが確実に防止される。また、接合膜８０を確実に活性化させることができる。

また、加熱時間は、接合膜８０の脱離基８０３を脱離し得る程度の時間とすればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、接合膜８０は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、導体ポスト４２または端子６０２は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された導体ポスト４２または端子６０２は、効率よく発熱する。その結果、接合膜８０を効率よく加熱することができる。

また、ヒータを用いる方法を用いる場合には、導体ポスト４２または端子６０２のうちヒータを接触させる側の部材は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、導体ポスト４２または端子６０２を介して、接合膜８０に対して効率よく熱を伝えることができ、接合膜８０を効率よく加熱することができる。
また、接合膜８０に圧縮力を付与することにより、接合膜８０に対してエネルギーを付与する場合には、導体ポスト４２と端子６０２とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜８０に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜８０に、端子６０２との十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等の各構成材料によっては、導体ポスト４２、端子６０２および半導体チップ２０等に損傷等が生じるおそれがある。
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして、半導体装置１０を得ることができる。

＜電子機器＞
次に、上述した半導体装置１０を備える本発明の電子機器について説明する。
なお、以下では、本発明の電子機器の一例として、携帯電話を代表に説明する。
図１３は、携帯電話の実施形態を示す斜視図である。
図１３に示す携帯電話は、表示部１００１を備える携帯電話本体１０００を有している。携帯電話本体１０００には、例えば、上述した半導体装置１０が、表示部１００１が備える回路基板６００に搭載された状態で内蔵されており、これは、表示部１００１における画像の表示を制御する制御手段等として用いられる。
なお、半導体装置１０は、図１３で説明した携帯電話の他に、種々の電子機器に対して適用できる。

例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等にも適用できる。

以上、本発明の半導体装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、半導体装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。
例えば、前記実施形態では、半導体チップの配線パターンとがワイヤボンディングによって接続されているが、本発明の半導体装置は、半導体チップと配線パターンとがＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング）によって接合されたものであってもよい。
また、前記本実施形態では、回路基板が備える端子に接合膜を接合する場合について説明したが、接合膜を接合する部位は、回路基板が備える回路の一部、すなわち、導体部のいかなる部位であってもよい。

本発明の半導体装置を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。 本発明の半導体装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。 Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。 図４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。 本発明の半導体装置が備える、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。 本発明の半導体装置が備える、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。 IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 図１に示す半導体装置を回路基板に実装する第１実装方法を説明するための図（縦断面図）である。 図１に示す半導体装置を回路基板に実装する第２実装方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の電気機器を適用した携帯電話の実施形態を示す斜視図である。 従来の半導体装置の一例を示す縦断面図である。

符号の説明

１０……半導体装置 ２０……半導体チップ ２１……電極パッド ２２……導電性ワイヤー ３０……インターポーザー ３１……上面（一方の面） ３２……下面（他方の面） ３３……ビア ４１……配線パターン ４２……導体ポスト ４３……接合面 ５０……モールド部 ６０……接合層 ８０……接合膜 ８０３……脱離基 ８０４……活性手 ８５……表面 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ ６００……回路基板 ６０１……基体 ６０２……端子 ９００……半導体パッケージ ９０１……貫通孔（ビア） ９０２……インターポーザー ９０３……配線パターン ９０４……導体ポスト ９０４ａ……接合面 ９０５……バンプ ９０６……半導体チップ ９０７……接合層 １０００……携帯電話本体 １００１……表示部

Claims (27)

1. 回路基板に搭載して用いられ、
   貫通孔を有し、半導体素子を支持・固定する基板と、
   該基板の一方の面側に設けられた配線パターンと、
   前記基板の貫通孔内に設けられ、前記配線パターンの一部と電気的に接続された導体ポストと、
   前記導体ポストにおける、前記基板の他方の面側の端部に形成された、導電性を有する接合膜とを有し、
   前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
   前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記回路基板が備える導体部との接着性が発現するものであることを特徴とする半導体装置。
2. 前記脱離基は、前記接合膜の表面付近に偏在している請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 回路基板に搭載して用いられ、
   貫通孔を有し、半導体素子を支持・固定する基板と、
   該基板の一方の面側に設けられた配線パターンと、
   前記基板の貫通孔内に設けられ、前記配線パターンの一部と電気的に接続された導体ポストと、
   前記導体ポストにおける、前記基板の他方の面側の端部に形成された、導電性を有する接合膜とを有し、
   前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
   前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、前記回路基板が備える導体部との接着性が発現するものであることを特徴とする半導体装置。
8. 前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項８または９に記載の半導体装置。
11. 前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項８ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. 前記脱離基は、アルキル基である請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記有機金属材料は、金属錯体である請求項８ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
14. 前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項７ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
15. 前記接合膜中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項７ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
16. 前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
17. 前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１６に記載の半導体装置。
18. 前記接合膜の平均厚さは、５０〜１０００ｎｍである請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
19. 前記接合膜は、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし１８のいずれかに記載の半導体装置。
20. 前記導体ポストの前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１９のいずれかに記載の半導体装置。
21. 前記表面処理は、プラズマ処理である請求項２０に記載の半導体装置。
22. 前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし２１のいずれかに記載の半導体装置。
23. 前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２２に記載の半導体装置。
24. 前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項２２または２３に記載の半導体装置。
25. 前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２２ないし２４のいずれかに記載の半導体装置。
26. 前記エネルギーの付与は、大気雰囲気中で行われる請求項２２ないし２５のいずれかに記載の半導体装置。
27. 請求項１ないし２６のいずれかに記載の半導体装置と、該半導体装置を搭載する回路基板とを有することを特徴とする電子機器。

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