JP2009157113A

JP2009157113A - Micromirror device

Info

Publication number: JP2009157113A
Application number: JP2007335322A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Tanaka; 良典田中; Toru Kuboi; 徹久保井
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2007-12-26
Filing date: 2007-12-26
Publication date: 2009-07-16

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micromirror device with a micromirror chip and an electrode substrate attached with each other with a high interval accuracy. SOLUTION: The micromirror device 100 comprises a micromirror chip 110, an electrode substrate 130, an intermediate member 150 disposed between the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 in contact therewith for controlling the interval therebetween, and a plurality of joint members 170 for joining the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130. The intermediate member 150 has a plurality of through-holes 152 for storing the joint members 170 with an escaping groove 154A and an escaping groove 154B each formed on its upper and lower surfaces. The escaping grooves 154A, 154B each form a discharging path for discharging a joint surplus substance of the joint members 170 from the through-holes 152 in cooperation with the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、マイクロミラーデバイスに関する。 The present invention relates to a micromirror device.

例えば特開２００５−３１６０４３号公報は、ハンダバンプによって互いに接合されたマイクロミラーチップと電極基板とからなるマイクロミラー素子を開示している。このマイクロミラー素子では、ハンダバンプの支持荷重に応答した熱溶融時の変形量を制御することによってマイクロミラーチップと電極基板の間の距離を所望の距離に調整している。
特開２００５−３１６０４３号公報 For example, Japanese Patent Laying-Open No. 2005-316043 discloses a micromirror element composed of a micromirror chip and an electrode substrate joined together by solder bumps. In this micromirror element, the distance between the micromirror chip and the electrode substrate is adjusted to a desired distance by controlling the amount of deformation at the time of thermal melting in response to the solder bump support load.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-316043

特開２００５−３１６０４３号公報のマイクロミラー素子では、ハンダの変形量のみでマイクロミラーチップと電極基板の間隔を設定し、マイクロミラーチップと電極基板をハンダで貼り合わせているため、ハンダ接合部以外の部分でマイクロミラーチップと電極基板の間隔を高精度に制御することが困難である。そこで、厚み精度の良いガラス基板などで作製した中間部材をマイクロミラーチップと電極基板の間に配置し、マイクロミラーチップと電極基板を中間部材に密着させて間隔を制御し、中間部材に形成された貫通孔に収容されたハンダでマイクロミラーチップと電極基板を接合する手法が考えられる。 In the micromirror element disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-316043, the interval between the micromirror chip and the electrode substrate is set only by the deformation amount of the solder, and the micromirror chip and the electrode substrate are bonded together by solder. In this part, it is difficult to control the distance between the micromirror chip and the electrode substrate with high accuracy. Therefore, an intermediate member made of a glass substrate with good thickness accuracy is placed between the micromirror chip and the electrode substrate, the micromirror chip and the electrode substrate are brought into close contact with the intermediate member, and the distance is controlled to form the intermediate member. A method of joining the micromirror chip and the electrode substrate with solder accommodated in the through hole is conceivable.

しかし、この手法では、マイクロミラーチップおよび電極基板と中間部材との相互間の密着性が向上したために、貫通孔内に収容されたハンダを加熱した際に発生したガスなどが逃げ場を失って、マイクロミラーチップと中間部材の接触面や電極基板と中間部材の接触面に入り込み、その結果生じた隙間にハンダが入り込んで、マイクロミラーチップと電極基板の間隔の精度が低下してしまうことがある。 However, in this method, since the adhesion between the micromirror chip and the electrode substrate and the intermediate member has been improved, the gas generated when heating the solder accommodated in the through hole loses its escape field, The contact surface between the micromirror chip and the intermediate member and the contact surface between the electrode substrate and the intermediate member may enter, and solder may enter the resulting gap, reducing the accuracy of the distance between the micromirror chip and the electrode substrate. .

本発明は、このような実状を考慮してなされたものであり、その目的は、マイクロミラーチップと電極基板とが高い間隔精度で貼り合わせられるマイクロミラーデバイスを提供することである。 The present invention has been made in consideration of such a situation, and an object of the present invention is to provide a micromirror device in which a micromirror chip and an electrode substrate are bonded together with high spacing accuracy.

本発明によるマイクロミラーデバイスは、第一の部材と、第二の部材と、前記第一の部材と前記第二の部材とを接合する少なくとも一つの接合部材と、前記接合部材を収容する少なくとも一つの第一の貫通孔を有し、前記第一の部材と前記第二の部材の間に両者に接して配置されて両者の間隔を制御する中間部材と、前記接合部材の接合余剰物質を前記第一の貫通孔から排出するための、前記第一の貫通孔を外部空間とつないでいる排出経路とを有している。 A micromirror device according to the present invention includes a first member, a second member, at least one joining member that joins the first member and the second member, and at least one housing the joining member. An intermediate member that has two first through-holes and is disposed between and in contact with the first member and the second member to control the distance between the first member and the second member. A discharge path connecting the first through hole to an external space for discharging from the first through hole;

本発明によれば、マイクロミラーチップと電極基板とが高い間隔精度で貼り合わせられるマイクロミラーデバイスが提供される。 According to the present invention, a micromirror device is provided in which a micromirror chip and an electrode substrate are bonded together with high spacing accuracy.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜第一実施形態＞
本発明の第一実施形態によるマイクロミラーデバイスについて図１〜図３を参照して説明する。 <First embodiment>
A micromirror device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１と図２に示すように、本実施形態のマイクロミラーデバイス１００は、第一の部材であるマイクロミラーチップ１１０と、第二の部材である電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置される中間部材１５０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とを接合する複数の接合部材１７０とから構成されている。中間部材１５０は、接合部材１７０を収容する複数の貫通孔１５２を有している。中間部材１５０は、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０に接して配置されて、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の間隔を制御する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the micromirror device 100 of the present embodiment includes a micromirror chip 110 that is a first member, an electrode substrate 130 that is a second member, a micromirror chip 110, and an electrode substrate. The intermediate member 150 is disposed between the intermediate member 150 and a plurality of joining members 170 that join the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 together. The intermediate member 150 has a plurality of through holes 152 that accommodate the joining members 170. The intermediate member 150 is disposed in contact with the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 and controls the distance between the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130.

マイクロミラーチップ１１０は、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）が形成された半導体基板であってよい。電極基板１３０は、例えば、シリコンなどの半導体基板であってよい。中間部材１５０は、例えば、平坦度が良いガラス基板から作られるとよい。ガラス基板の材質は、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０がシリコン製であるとき、例えば、シリコンと線膨張係数が近いホウケイ酸ガラスであるとよい。接合部材１７０は、例えば、ハンダで構成される。 The micromirror chip 110 may be, for example, a semiconductor substrate on which MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) is formed. The electrode substrate 130 may be a semiconductor substrate such as silicon, for example. The intermediate member 150 is preferably made of a glass substrate with good flatness, for example. When the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are made of silicon, the glass substrate may be made of, for example, borosilicate glass having a linear expansion coefficient close to that of silicon. The joining member 170 is made of, for example, solder.

マイクロミラーチップ１１０は、複数の可動ミラー部１２２と、これら複数の可動ミラー部１２２を機械的に支持するための支持部１２４と、可動ミラー部１２２のおのおのと支持部１２４とを機械的に接続しているヒンジ部１２６とを有している。 The micromirror chip 110 mechanically connects a plurality of movable mirror portions 122, a support portion 124 for mechanically supporting the plurality of movable mirror portions 122, and the support portion 124 to each of the movable mirror portions 122. And a hinge portion 126.

電極基板１３０は、可動ミラー部１２２にそれぞれ対向した位置に、可動ミラー部１２２をそれぞれ静電駆動するための複数の駆動電極１４２を有している。 The electrode substrate 130 has a plurality of drive electrodes 142 for electrostatically driving the movable mirror unit 122 at positions facing the movable mirror unit 122, respectively.

中間部材１５０は、マイクロミラーチップ１１０の支持部１２４と同様の形状をしており、可動ミラー部１２２がヒンジ部１２６を軸として回転したときに可動ミラー部１２２との接触を避けるための逃げ穴１６２を有している。 The intermediate member 150 has the same shape as the support portion 124 of the micromirror chip 110, and a clearance hole for avoiding contact with the movable mirror portion 122 when the movable mirror portion 122 rotates about the hinge portion 126. 162.

マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０は、互いに向き合う面に、複数の接合パッド１１２と複数の接合パッド１３２をそれぞれ有している。接合パッド１１２と接合パッド１３２は、それぞれ、中間部材１５０の貫通孔１５２を介して互いに向き合うようにマイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０に配置されている。接合部材１７０は、それぞれ、中間部材１５０の貫通孔１５２に収容されており、マイクロミラーチップ１１０の接合パッド１１２と電極基板１３０の接合パッド１３２とを接合している。 The micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 have a plurality of bonding pads 112 and a plurality of bonding pads 132 on the surfaces facing each other. The bonding pad 112 and the bonding pad 132 are arranged on the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 so as to face each other through the through hole 152 of the intermediate member 150. Each of the bonding members 170 is accommodated in the through hole 152 of the intermediate member 150 and bonds the bonding pad 112 of the micromirror chip 110 and the bonding pad 132 of the electrode substrate 130.

中間部材１５０には、マイクロミラーチップ１１０と接する面に逃げ溝１５４Ａが形成され、電極基板１３０と接する面に逃げ溝１５４Ｂが形成されている。逃げ溝１５４Ａ，１５４Ｂは、いずれも、貫通孔１５２から延び、中間部材１５０の側面または逃げ穴１６２の側面で終端している。逃げ溝１５４Ａは、中間部材１５０と接するマイクロミラーチップ１１０の面と共働して、貫通孔１５２と外部空間とを空間的につなぐ流路を規定する。同様に、逃げ溝１５４Ｂは、中間部材１５０と接する電極基板１３０の面と共働して、貫通孔１５２と外部空間とを空間的につなぐ流路を規定する。これらの流路は、いずれも、接合部材１７０の接合余剰物質を貫通孔１５２から排出するための排出経路として機能する。ここで、接合部材１７０の接合余剰物質は、接合部材１７０を加熱した際に発生するガスや、貫通孔１５２からはみ出す接合部材１７０の余剰部分を言う。 In the intermediate member 150, a relief groove 154 A is formed on a surface in contact with the micromirror chip 110, and a relief groove 154 B is formed on a surface in contact with the electrode substrate 130. The escape grooves 154 A and 154 B both extend from the through hole 152 and terminate at the side surface of the intermediate member 150 or the side surface of the escape hole 162. The escape groove 154A cooperates with the surface of the micromirror chip 110 in contact with the intermediate member 150 to define a flow path that spatially connects the through hole 152 and the external space. Similarly, the escape groove 154B cooperates with the surface of the electrode substrate 130 in contact with the intermediate member 150 to define a flow path that spatially connects the through hole 152 and the external space. Each of these flow paths functions as a discharge path for discharging the excessive bonding material of the bonding member 170 from the through hole 152. Here, the bonding surplus substance of the bonding member 170 refers to a gas generated when the bonding member 170 is heated, or a surplus portion of the bonding member 170 protruding from the through hole 152.

続く説明では、中間部材１５０と接するマイクロミラーチップ１１０の面を、図２の向きに合わせて、マイクロミラーチップ１１０の下面と便宜的に呼ぶ。同様に、中間部材１５０と接する電極基板１３０の面を電極基板１３０の上面、マイクロミラーチップ１１０と接する中間部材１５０の面を中間部材１５０の上面、電極基板１３０と接する中間部材１５０の面を中間部材１５０の下面と呼ぶ。 In the following description, the surface of the micromirror chip 110 that is in contact with the intermediate member 150 is referred to as the lower surface of the micromirror chip 110 for convenience in accordance with the orientation of FIG. Similarly, the surface of the electrode substrate 130 in contact with the intermediate member 150 is the upper surface of the electrode substrate 130, the surface of the intermediate member 150 in contact with the micromirror chip 110 is the upper surface of the intermediate member 150, and the surface of the intermediate member 150 in contact with the electrode substrate 130 is intermediate. This is called the lower surface of the member 150.

図１〜図３に示した構成では、接合部材１７０の接合余剰物質を貫通孔１５２から排出するための排出経路は、中間部材１５０の上面に形成された逃げ溝１５４Ａとマイクロミラーチップ１１０の下面とで規定された流路と、中間部材１５０の下面に形成された逃げ溝１５４Ｂと電極基板１３０の上面とで規定された流路とで構成されているが、これに代えて、中間部材１５０の側面または逃げ穴１６２の側面と貫通孔１５２との間を延びている中間部材１５０に形成された貫通孔で構成されてもよい。 In the configuration shown in FIGS. 1 to 3, the discharge path for discharging the bonding surplus material of the bonding member 170 from the through hole 152 is the escape groove 154 A formed on the upper surface of the intermediate member 150 and the lower surface of the micromirror chip 110. And the flow path defined by the clearance groove 154B formed on the lower surface of the intermediate member 150 and the upper surface of the electrode substrate 130. Instead, the intermediate member 150 is configured. Or a through hole formed in the intermediate member 150 that extends between the side surface of the first hole or the side surface of the escape hole 162 and the through hole 152.

このように構成されたマイクロミラーデバイス１００では、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の接合工程において、接合部材１７０を加熱した際に接合部材１７０から発生するガスは、中間部材１５０の上面に形成された逃げ溝１５４Ａとマイクロミラーチップ１１０の下面とで規定された流路と、中間部材１５０の下面に形成された逃げ溝１５４Ｂと電極基板１３０の上面とで規定された流路とからなる排出経路を通って外部空間に排出される。また、貫通孔１５２からはみ出した溶融した接合部材１７０の余剰部分は、排出経路に流れ込む。これにより、中間部材１５０とマイクロミラーチップ１１０の接触面や中間部材１５０と電極基板１３０の接触面の間にガスや溶融した接合部材１７０が入り込むことなく、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とが中間部材１５０と良好に面接触した状態で互いに接合される。 In the micromirror device 100 configured as described above, the gas generated from the bonding member 170 when the bonding member 170 is heated in the bonding process of the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 is formed on the upper surface of the intermediate member 150. A discharge path comprising a flow path defined by the escape groove 154A and the lower surface of the micromirror chip 110, and a flow path defined by the escape groove 154B formed on the lower surface of the intermediate member 150 and the upper surface of the electrode substrate 130. It is discharged to the external space through. Further, the surplus portion of the molten joining member 170 that protrudes from the through hole 152 flows into the discharge path. Thereby, the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are not brought into contact between the contact surface of the intermediate member 150 and the micromirror chip 110 or between the contact surface of the intermediate member 150 and the electrode substrate 130 without entering the gas or the molten bonding member 170. The intermediate member 150 and the intermediate member 150 are joined to each other in good surface contact.

本実施形態によるマイクロミラーデバイス１００では、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とが中間部材１５０と良好に面接触するので、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とが高い間隔精度をもって接合される。また、溶融した接合部材１７０がマイクロミラーチップ１１０の可動ミラー部１２２やヒンジ部１２６にはみ出して可動ミラー部１２２やヒンジ部１２６を汚染したり、電極基板１３０の駆動電極１４２にはみ出して駆動電極１４２をショートさせたりすることが防止される。 In the micromirror device 100 according to the present embodiment, since the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are in good surface contact with the intermediate member 150, the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are bonded with high spacing accuracy. In addition, the molten bonding member 170 protrudes from the movable mirror portion 122 and the hinge portion 126 of the micromirror chip 110 to contaminate the movable mirror portion 122 and the hinge portion 126, or protrudes from the drive electrode 142 of the electrode substrate 130. Is prevented from being short-circuited.

＜第二実施形態＞
本発明の第二実施形態によるマイクロミラーデバイスについて図４と図５を参照して説明する。図４と図５において、図１〜図３に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材であり、その詳しい説明は省略する。 <Second embodiment>
A micromirror device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5, members indicated by the same reference numerals as those shown in FIGS. 1 to 3 are similar members, and detailed description thereof is omitted.

図４と図５に示すように、本実施形態のマイクロミラーデバイス２００は、マイクロミラーチップ１１０と、電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置される中間部材２５０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とを接合する複数の接合部材１７０とから構成されている。マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０と接合部材１７０は第一実施形態で説明したものと同様である。 As shown in FIGS. 4 and 5, the micromirror device 200 of this embodiment includes a micromirror chip 110, an electrode substrate 130, and an intermediate member 250 disposed between the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130. And a plurality of joining members 170 for joining the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130. The micromirror chip 110, the electrode substrate 130, and the bonding member 170 are the same as those described in the first embodiment.

中間部材２５０は、マイクロミラーチップ１１０の支持部１２４と同様の形状をしており、可動ミラー部１２２がヒンジ部１２６を軸として回転したときに可動ミラー部１２２との接触を避けるための逃げ穴２６２を有している。 The intermediate member 250 has the same shape as the support portion 124 of the micromirror chip 110, and a clearance hole for avoiding contact with the movable mirror portion 122 when the movable mirror portion 122 rotates around the hinge portion 126. 262.

中間部材２５０は、例えば、平坦度が良いガラス基板から作られるとよい。ガラス基板の材質は、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０がシリコン製であるとき、例えば、シリコンと線膨張係数が近いホウケイ酸ガラスであるとよい。 The intermediate member 250 is preferably made from a glass substrate with good flatness, for example. When the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are made of silicon, the material of the glass substrate may be, for example, borosilicate glass having a linear expansion coefficient close to that of silicon.

中間部材２５０は、接合部材１７０を収容する複数の貫通孔２５２を有している。貫通孔２５２は、中間部材２５０の上面に形成されたくぼみ２５６Ａと、中間部材２５０の下面に形成されたくぼみ２５６Ｂと、くぼみ２５６Ａとくぼみ２５６Ｂとを連絡している連絡孔２５８とで構成されている。くぼみ２５６Ａとくぼみ２５６Ｂは同じ径を有し、連絡孔２５８はくぼみ２５６Ａとくぼみ２５６Ｂの径よりも小さい径を有している。くぼみ２５６Ａとくぼみ２５６Ｂは、それがなければ溶融した接合部材１７０が貫通孔２５２からはみ出す余剰部分を収容する空間を与える。 The intermediate member 250 has a plurality of through holes 252 that accommodate the joining member 170. The through hole 252 includes a recess 256 A formed on the upper surface of the intermediate member 250, a recess 256 B formed on the lower surface of the intermediate member 250, and a communication hole 258 that connects the recess 256 A and the recess 256 B. Yes. The recess 256A and the recess 256B have the same diameter, and the communication hole 258 has a diameter smaller than the diameter of the recess 256A and the recess 256B. The recesses 256 A and the recesses 256 B provide a space for accommodating a surplus portion that the melted joining member 170 otherwise protrudes from the through hole 252.

また、くぼみ２５６Ａ，２５６Ｂの底面には、それぞれ、メタル層２６０Ａ，２６０Ｂが設けられている。メタル層２６０Ａ，２６０Ｂは、溶融した接合部材１７０の付きの良い材質で作られるとよい。メタル層２６０Ａ，２６０Ｂは、溶融した接合部材１７０を良好に引き付けて、そこに留まらせる。 Metal layers 260A and 260B are provided on the bottom surfaces of the recesses 256A and 256B, respectively. The metal layers 260 A and 260 B are preferably made of a good material with a molten joining member 170. The metal layers 260 A and 260 B attract the molten joining member 170 well and stay there.

中間部材２５０には、マイクロミラーチップ１１０と接する上面に逃げ溝２５４Ａが形成され、電極基板１３０と接する下面に逃げ溝２５４Ｂが形成されている。逃げ溝２５４Ａは、くぼみ２５６Ａから延び、中間部材２５０の側面または逃げ穴２６２の側面で終端している。逃げ溝２５４Ｂは、くぼみ２５６Ｂから延び、中間部材２５０の側面または逃げ穴２６２の側面で終端している。逃げ溝２５４Ａは、マイクロミラーチップ１１０の下面と共働して、くぼみ２５６Ａと外部空間とを空間的につなぐ流路を規定する。同様に、逃げ溝２５４Ｂは、電極基板１３０の上面と共働して、くぼみ２５６Ｂと外部空間とを空間的につなぐ流路を規定する。これらの流路は、いずれも、接合部材１７０の接合余剰物質を貫通孔２５２から排出するための排出経路として機能する。 In the intermediate member 250, a relief groove 254 A is formed on the upper surface in contact with the micromirror chip 110, and a relief groove 254 B is formed in the lower surface in contact with the electrode substrate 130. The escape groove 254A extends from the recess 256A and terminates at the side surface of the intermediate member 250 or the side surface of the relief hole 262. The escape groove 254 B extends from the recess 256 B and terminates on the side surface of the intermediate member 250 or the side surface of the relief hole 262. The escape groove 254A cooperates with the lower surface of the micromirror chip 110 to define a flow path that spatially connects the recess 256A and the external space. Similarly, the escape groove 254B cooperates with the upper surface of the electrode substrate 130 to define a flow path that spatially connects the recess 256B and the external space. Each of these flow paths functions as a discharge path for discharging the excessive bonding material of the bonding member 170 from the through hole 252.

図４と図５に示した構成では、接合部材１７０の接合余剰物質を貫通孔２５２から排出するための排出経路は、中間部材２５０の上面に形成された逃げ溝２５４Ａとマイクロミラーチップ１１０の下面とで規定された流路と、中間部材２５０の下面に形成された逃げ溝２５４Ｂと電極基板１３０の上面とで規定された流路とで構成されているが、これに代えて、中間部材２５０の側面または逃げ穴２６２の側面と貫通孔２５２（例えば連絡孔２５８）との間を延びている中間部材２５０に形成された貫通孔で構成されてもよい。 In the configuration shown in FIGS. 4 and 5, the discharge path for discharging the bonding surplus material of the bonding member 170 from the through hole 252 is the relief groove 254 A formed on the upper surface of the intermediate member 250 and the lower surface of the micromirror chip 110. And a flow path defined by a clearance groove 254B formed on the lower surface of the intermediate member 250 and an upper surface of the electrode substrate 130. Instead of this, the intermediate member 250 is configured. Or a through hole formed in the intermediate member 250 extending between the side surface of the clearance hole 262 or the side surface of the escape hole 262 and the through hole 252 (for example, the communication hole 258).

このように構成されたマイクロミラーデバイス２００では、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０の接合工程において、接合部材１７０を加熱した際に接合部材１７０から発生するガスは、中間部材２５０の上面に形成された逃げ溝２５４Ａとマイクロミラーチップ１１０の下面とで規定された流路と、中間部材２５０の下面に形成された逃げ溝２５４Ｂと電極基板１３０の上面とで規定された流路とからなる排出経路を通って外部空間に排出される。また、溶融した接合部材１７０の余剰部分は、メタル層２６０Ａ，２６０Ｂによって貫通孔２５２のくぼみ２５６Ａ，２５６Ｂ内に保持される。これにより、中間部材２５０とマイクロミラーチップ１１０の接触面や中間部材２５０と電極基板１３０の接触面の間にガスや溶融した接合部材１７０が入り込むことなく、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とが中間部材２５０と良好に面接触した状態で互いに接合される。 In the micromirror device 200 configured as described above, in the bonding process of the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130, the gas generated from the bonding member 170 when the bonding member 170 is heated is formed on the upper surface of the intermediate member 250. A discharge path comprising a flow path defined by the escape groove 254A and the lower surface of the micromirror chip 110, and a flow path defined by the escape groove 254B formed on the lower surface of the intermediate member 250 and the upper surface of the electrode substrate 130. It is discharged to the external space through. Further, the excess portion of the molten joining member 170 is held in the recesses 256A and 256B of the through hole 252 by the metal layers 260A and 260B. Thereby, the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are not brought into contact between the contact surface of the intermediate member 250 and the micromirror chip 110 or the contact surface of the intermediate member 250 and the electrode substrate 130 without entering the gas or the molten bonding member 170. The intermediate member 250 and the intermediate member 250 are joined to each other in good surface contact.

本実施形態によるマイクロミラーデバイス２００では、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とが中間部材２５０と良好に面接触するので、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とが高い間隔精度をもって接合される。また、中間部材２５０が溶融した接合部材１７０を収容するくぼみ２５６Ａ，２５６Ｂを有しているため、溶融した接合部材１７０がマイクロミラーチップ１１０の可動ミラー部１２２やヒンジ部１２６にはみ出して可動ミラー部１２２やヒンジ部１２６を汚染したり、電極基板１３０の駆動電極１４２にはみ出して駆動電極１４２をショートさせたりすることが良好に防止される。 In the micromirror device 200 according to the present embodiment, since the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are in good surface contact with the intermediate member 250, the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130 are bonded with high spacing accuracy. Further, since the intermediate member 250 has the recesses 256A and 256B for accommodating the molten joining member 170, the molten joining member 170 protrudes from the movable mirror portion 122 and the hinge portion 126 of the micromirror chip 110, and the movable mirror portion. It is possible to satisfactorily prevent the 122 and the hinge part 126 from being contaminated, and the drive electrode 142 from protruding onto the drive electrode 142 of the electrode substrate 130 from being short-circuited.

＜第三実施形態＞
本発明の第三実施形態によるマイクロミラーデバイスについて図６と図７を参照して説明する。図６と図７において、図１〜図５に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材であり、その詳しい説明は省略する。 <Third embodiment>
A micromirror device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7, members indicated by the same reference numerals as those shown in FIGS. 1 to 5 are similar members, and detailed description thereof is omitted.

図６と図７に示すように、本実施形態のマイクロミラーデバイス３００は、マイクロミラーチップ３１０と、電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０との間に配置される中間部材２５０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板１３０とを接合する複数の接合部材１７０とから構成されている。電極基板１３０と接合部材１７０は第一実施形態で説明したものと同様である。また中間部材２５０は第二実施形態で説明したものと同様である。 As shown in FIGS. 6 and 7, the micromirror device 300 according to the present embodiment includes a micromirror chip 310, an electrode substrate 130, and an intermediate member 250 disposed between the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130. And a plurality of joining members 170 for joining the micromirror chip 110 and the electrode substrate 130. The electrode substrate 130 and the bonding member 170 are the same as those described in the first embodiment. The intermediate member 250 is the same as that described in the second embodiment.

マイクロミラーチップ３１０は、図７に示すように、複数の可動ミラー部３２２と、これら複数の可動ミラー部３２２を機械的に支持するための支持部３２４と、可動ミラー部３２２のおのおのと支持部３２４とを機械的に接続しているヒンジ部３２６とを有している。 As shown in FIG. 7, the micromirror chip 310 includes a plurality of movable mirror portions 322, a support portion 324 for mechanically supporting the plurality of movable mirror portions 322, and each of the movable mirror portions 322. And a hinge portion 326 that mechanically connects to the H.324.

マイクロミラーチップ３１０は、電極基板１３０と向き合う面すなわちマイクロミラーチップ３１０の下面に、複数の接合パッド３１２を有している。接合パッド３１２は、それぞれ、中間部材２５０の貫通孔２５２を介して電極基板１３０の接合パッド１３２と向き合うようにマイクロミラーチップ３１０に配置されている。 The micromirror chip 310 has a plurality of bonding pads 312 on the surface facing the electrode substrate 130, that is, the lower surface of the micromirror chip 310. Each of the bonding pads 312 is arranged on the micromirror chip 310 so as to face the bonding pad 132 of the electrode substrate 130 through the through hole 252 of the intermediate member 250.

マイクロミラーチップ３１０は、接合パッド３１２の周囲に設けられた複数のくぼみ３１４と、くぼみ３１４を外部空間とつないでいる貫通孔３１６とを有している。貫通孔３１６は、くぼみ３１４の底面とマイクロミラーチップ３１０の上面との間に延びている。貫通孔３１６は、くぼみ３１４の径よりも小さい径を有している。くぼみ３１４は、溶融した接合部材１７０の余剰部分を収容する空間を与える。 The micromirror chip 310 includes a plurality of recesses 314 provided around the bonding pad 312 and a through hole 316 that connects the recesses 314 to the external space. The through hole 316 extends between the bottom surface of the recess 314 and the top surface of the micromirror chip 310. The through hole 316 has a diameter smaller than the diameter of the recess 314. The recess 314 provides a space for accommodating an excess portion of the molten joining member 170.

くぼみ３１４の底面には、メタル層３１８が設けられている。メタル層３１８は、溶融した接合部材１７０の付きの良い材質で作られるとよい。メタル層３１８は、溶融した接合部材１７０を良好に引き付けて、そこに留まらせる。 A metal layer 318 is provided on the bottom surface of the recess 314. The metal layer 318 may be made of a good material with a molten bonding member 170 attached thereto. The metal layer 318 attracts the molten bonding member 170 well and stays there.

マイクロミラーチップ３１０には、中間部材２５０と接する下面に逃げ溝３２０が形成されている。逃げ溝３２０は、いくつかのくぼみ３１４から延び、マイクロミラーチップ３１０の側面で終端している。逃げ溝３２０は、中間部材２５０の上面と共働して、くぼみ３１４を介して中間部材２５０の貫通孔２５２と外部空間とを空間的につなぐ流路を規定する。これらの流路は、いずれも、接合部材１７０の接合余剰物質を貫通孔２５２から排出するための排出経路として機能する。 In the micromirror chip 310, a relief groove 320 is formed on the lower surface in contact with the intermediate member 250. The escape grooves 320 extend from several recesses 314 and terminate at the side of the micromirror chip 310. The escape groove 320 cooperates with the upper surface of the intermediate member 250 to define a flow path that spatially connects the through hole 252 of the intermediate member 250 and the external space via the recess 314. Each of these flow paths functions as a discharge path for discharging the excessive bonding material of the bonding member 170 from the through hole 252.

本実施形態では、マイクロミラーチップ３１０は、貫通孔３１６がくぼみ３１４を介して貫通孔２５２と連絡するように構成されているが、貫通孔３１６が貫通孔２５２と直接連絡するように構成されてもよい。すなわち、マイクロミラーチップ３１０は、くぼみ３１４を有さず、貫通孔２５２に対応する位置に貫通孔３１６を有していてもよい。 In the present embodiment, the micromirror chip 310 is configured such that the through hole 316 communicates with the through hole 252 through the recess 314, but the through hole 316 is configured to directly communicate with the through hole 252. Also good. That is, the micromirror chip 310 may not have the depression 314 but may have the through hole 316 at a position corresponding to the through hole 252.

このように構成されたマイクロミラーデバイス３００では、マイクロミラーチップ３１０と電極基板１３０の接合工程において、接合部材１７０を加熱した際に接合部材１７０から発生するガスは、中間部材２５０の上面に形成された逃げ溝２５４Ａとマイクロミラーチップ３１０の下面とで規定された流路と、マイクロミラーチップ３１０の下面に形成された逃げ溝３２０と中間部材２５０の上面とで規定された流路と、マイクロミラーチップ３１０に形成されたくぼみ３１４と貫通孔３１６とからなる流路と、中間部材２５０の下面に形成された逃げ溝２５４Ｂと電極基板１３０の上面とで規定された流路とからなる排出経路を通って外部空間に排出される。本実施形態は、第二実施形態と比較して、排出経路を構成する流路が増えているので、その分、接合部材１７０の接合余剰物質を排出する効率が向上する。また、溶融した接合部材１７０の余剰部分は、メタル層２６０Ａ，２６０Ｂによって貫通孔２５２のくぼみ２５６Ａ，２５６Ｂ内に、またメタル層３１８によってマイクロミラーチップ３１０のくぼみ３１４内に保持される。本実施形態は、第二実施形態と比較して、溶融した接合部材１７０の余剰部分を収容する空間が増えているので、その分、溶融した接合部材１７０の接合部分が貫通孔２５２からはみ出すおそれが少ない。これにより、中間部材２５０とマイクロミラーチップ３１０の接触面や中間部材２５０と電極基板１３０の接触面の間にガスや溶融した接合部材１７０が入り込むことなく、マイクロミラーチップ３１０と電極基板１３０とが中間部材２５０と良好に面接触した状態で互いに接合される。 In the micromirror device 300 configured as described above, the gas generated from the bonding member 170 when the bonding member 170 is heated in the bonding process of the micromirror chip 310 and the electrode substrate 130 is formed on the upper surface of the intermediate member 250. A flow path defined by the escape groove 254A and the lower surface of the micromirror chip 310, a flow path defined by the escape groove 320 formed on the lower surface of the micromirror chip 310 and the upper surface of the intermediate member 250, and a micromirror A discharge path including a flow path formed by the recess 314 formed in the chip 310 and the through hole 316 and a flow path defined by the escape groove 254B formed on the lower surface of the intermediate member 250 and the upper surface of the electrode substrate 130 is formed. It is discharged to the outside space. In the present embodiment, since the number of flow paths constituting the discharge path is increased as compared with the second embodiment, the efficiency of discharging the joining surplus material of the joining member 170 is improved accordingly. Further, the surplus portion of the molten joining member 170 is held in the recesses 256A and 256B of the through hole 252 by the metal layers 260A and 260B, and in the recess 314 of the micromirror chip 310 by the metal layer 318. In the present embodiment, the space for accommodating the excess portion of the molten joining member 170 is increased as compared with the second embodiment, and accordingly, the joining portion of the molten joining member 170 may protrude from the through hole 252. Less is. Thereby, the micromirror chip 310 and the electrode substrate 130 are not brought into contact between the contact surface of the intermediate member 250 and the micromirror chip 310 or between the contact surface of the intermediate member 250 and the electrode substrate 130 without entering the gas or the molten bonding member 170. The intermediate member 250 and the intermediate member 250 are joined to each other in good surface contact.

本実施形態によるマイクロミラーデバイス３００では、マイクロミラーチップ３１０と電極基板１３０とが中間部材２５０と良好に面接触するので、マイクロミラーチップ３１０と電極基板１３０とが高い間隔精度をもって接合される。また、中間部材２５０が溶融した接合部材１７０を収容するくぼみ２５６Ａ，２５６Ｂを有しているため、電極基板１３０の駆動電極１４２にはみ出して駆動電極１４２をショートさせたりすることが良好に防止される。さらにマイクロミラーチップ３１０がくぼみ３１４を有しているため、特に、溶融した接合部材１７０がマイクロミラーチップ３１０の可動ミラー部３２２やヒンジ部３２６にはみ出して可動ミラー部３２２やヒンジ部３２６を汚染することがさらに良好に防止される。 In the micromirror device 300 according to the present embodiment, since the micromirror chip 310 and the electrode substrate 130 are in good surface contact with the intermediate member 250, the micromirror chip 310 and the electrode substrate 130 are bonded with high spacing accuracy. In addition, since the intermediate member 250 has the recesses 256A and 256B for accommodating the molten joining member 170, it is possible to prevent the drive electrode 142 from protruding onto the drive electrode 142 of the electrode substrate 130 from being short-circuited. . Further, since the micromirror chip 310 has the recess 314, the molten joining member 170 particularly protrudes from the movable mirror part 322 and the hinge part 326 of the micromirror chip 310 and contaminates the movable mirror part 322 and the hinge part 326. Is better prevented.

＜第四実施形態＞
本発明の第四実施形態によるマイクロミラーデバイスについて図８と図９を参照して説明する。図８と図９において、図１〜図５に示された部材と同一の参照符号で指示された部材は同様の部材であり、その詳しい説明は省略する。 <Fourth embodiment>
A micromirror device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9, members indicated by the same reference numerals as those shown in FIGS. 1 to 5 are similar members, and detailed description thereof is omitted.

図８と図９に示すように、本実施形態のマイクロミラーデバイス４００は、マイクロミラーチップ１１０と、電極基板４３０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板４３０との間に配置される中間部材２５０と、マイクロミラーチップ１１０と電極基板４３０とを接合する複数の接合部材１７０とから構成されている。マイクロミラーチップ１１０と接合部材１７０は第一実施形態で説明したものと同様である。また中間部材２５０は第二実施形態で説明したものと同様である。 As shown in FIGS. 8 and 9, the micromirror device 400 of the present embodiment includes a micromirror chip 110, an electrode substrate 430, an intermediate member 250 disposed between the micromirror chip 110 and the electrode substrate 430, and And a plurality of bonding members 170 for bonding the micromirror chip 110 and the electrode substrate 430 to each other. The micromirror chip 110 and the bonding member 170 are the same as those described in the first embodiment. The intermediate member 250 is the same as that described in the second embodiment.

電極基板４３０は、図９に示すように、マイクロミラーチップ１１０の可動ミラー部１２２をそれぞれ静電駆動するための複数の駆動電極４４２を有している。駆動電極４４２は、電極基板４３０に接合されたマイクロミラーチップ１１０の可動ミラー部１２２にそれぞれ対向する位置に形成されている。 As shown in FIG. 9, the electrode substrate 430 has a plurality of drive electrodes 442 for electrostatically driving the movable mirror portion 122 of the micromirror chip 110. The drive electrodes 442 are formed at positions facing the movable mirror portion 122 of the micromirror chip 110 bonded to the electrode substrate 430, respectively.

電極基板４３０は、マイクロミラーチップ１１０と向き合う面すなわち電極基板４３０の上面に、複数の接合パッド４３２を有している。接合パッド４３２は、それぞれ、中間部材２５０の貫通孔２５２を介してマイクロミラーチップ１１０の接合パッド１１２と向き合うように電極基板４３０に配置されている。 The electrode substrate 430 has a plurality of bonding pads 432 on the surface facing the micromirror chip 110, that is, the upper surface of the electrode substrate 430. Each of the bonding pads 432 is disposed on the electrode substrate 430 so as to face the bonding pad 112 of the micromirror chip 110 through the through hole 252 of the intermediate member 250.

電極基板４３０は、接合パッド４３２の周囲に設けられた複数のくぼみ４３４と、くぼみ４３４を外部空間とつないでいる貫通孔４３６とを有している。貫通孔４３６は、くぼみ４３４の底面と電極基板４３０の下面との間に延びている。貫通孔４３６は、くぼみ４３４の径よりも小さい径を有している。くぼみ４３４は、溶融した接合部材１７０の余剰部分を収容する空間を与える。 The electrode substrate 430 includes a plurality of recesses 434 provided around the bonding pad 432 and a through hole 436 that connects the recesses 434 to the external space. The through hole 436 extends between the bottom surface of the recess 434 and the lower surface of the electrode substrate 430. The through hole 436 has a diameter smaller than the diameter of the recess 434. The recess 434 provides a space for accommodating an excess portion of the molten joining member 170.

くぼみ４３４の底面には、メタル層４３８が設けられている。メタル層４３８は、溶融した接合部材１７０の付きの良い材質で作られるとよい。メタル層４３８は、溶融した接合部材１７０を良好に引き付けて、そこに留まらせる。 A metal layer 438 is provided on the bottom surface of the recess 434. The metal layer 438 may be made of a good material with a molten joining member 170 attached thereto. The metal layer 438 attracts the molten joining member 170 well and stays there.

電極基板４３０には、中間部材２５０と接する上面に逃げ溝４４０が形成されている。逃げ溝４４０は、いくつかのくぼみ４３４から延び、電極基板４３０の側面で終端している。逃げ溝４４０は、中間部材２５０の下面と共働して、くぼみ４３４を介して中間部材２５０の貫通孔２５２と外部空間とを空間的につなぐ流路を規定する。これらの流路は、いずれも、接合部材１７０の接合余剰物質を貫通孔２５２から排出するための排出経路として機能する。 In the electrode substrate 430, a relief groove 440 is formed on the upper surface in contact with the intermediate member 250. The escape grooves 440 extend from several depressions 434 and terminate at the side of the electrode substrate 430. The escape groove 440 cooperates with the lower surface of the intermediate member 250 to define a flow path that spatially connects the through hole 252 of the intermediate member 250 and the external space via the recess 434. Each of these flow paths functions as a discharge path for discharging the excessive bonding material of the bonding member 170 from the through hole 252.

本実施形態では、電極基板４３０は、貫通孔４３６がくぼみ４３４を介して貫通孔２５２と連絡するように構成されているが、貫通孔４３６が貫通孔２５２と直接連絡するように構成されてもよい。すなわち、電極基板４３０は、くぼみ４３４を有さず、貫通孔２５２に対応する位置に貫通孔４３６を有していてもよい。 In the present embodiment, the electrode substrate 430 is configured such that the through hole 436 communicates with the through hole 252 via the recess 434, but may be configured such that the through hole 436 directly communicates with the through hole 252. Good. That is, the electrode substrate 430 may not have the depression 434 but may have the through hole 436 at a position corresponding to the through hole 252.

このように構成されたマイクロミラーデバイス４００では、マイクロミラーチップ１１０と電極基板４３０の接合工程において、接合部材１７０を加熱した際に接合部材１７０から発生するガスは、中間部材２５０の上面に形成された逃げ溝２５４Ａとマイクロミラーチップ１１０の下面とで規定された流路と、中間部材２５０の下面に形成された逃げ溝２５４Ｂと電極基板４３０の上面とで規定された流路と、電極基板４３０の上面に形成された逃げ溝４４０と中間部材２５０の下面とで規定された流路と、電極基板４３０に形成されたくぼみ４３４と貫通孔４３６とからなる流路とからなる排出経路を通って外部空間に排出される。本実施形態は、第二実施形態と比較して、排出経路を構成する流路が増えているので、その分、接合部材１７０の接合余剰物質を排出する効率が向上する。また、溶融した接合部材１７０の余剰部分は、メタル層２６０Ａ，２６０Ｂによって貫通孔２５２のくぼみ２５６Ａ，２５６Ｂ内に、またメタル層４３８によって電極基板４３０のくぼみ４３４内に保持される。本実施形態は、第二実施形態と比較して、溶融した接合部材１７０の余剰部分を収容する空間が増えているので、その分、溶融した接合部材１７０の接合部分が貫通孔２５２からはみ出すおそれが少ない。これにより、中間部材２５０とマイクロミラーチップ１１０の接触面や中間部材２５０と電極基板４３０の接触面の間にガスや溶融した接合部材１７０が入り込むことなく、マイクロミラーチップ１１０と電極基板４３０とが中間部材２５０と良好に面接触した状態で互いに接合される。 In the micromirror device 400 configured as described above, the gas generated from the bonding member 170 when the bonding member 170 is heated in the bonding process of the micromirror chip 110 and the electrode substrate 430 is formed on the upper surface of the intermediate member 250. The flow path defined by the escape groove 254A and the lower surface of the micromirror chip 110, the flow path defined by the escape groove 254B formed on the lower surface of the intermediate member 250 and the upper surface of the electrode substrate 430, and the electrode substrate 430 Through a discharge path composed of a flow path defined by the relief groove 440 formed on the upper surface of the substrate and the lower surface of the intermediate member 250 and a flow path formed by the recess 434 and the through hole 436 formed in the electrode substrate 430. It is discharged to the external space. In the present embodiment, since the number of flow paths constituting the discharge path is increased as compared with the second embodiment, the efficiency of discharging the joining surplus material of the joining member 170 is improved accordingly. Further, the surplus portion of the molten joining member 170 is held in the recesses 256A and 256B of the through hole 252 by the metal layers 260A and 260B, and in the recess 434 of the electrode substrate 430 by the metal layer 438. In the present embodiment, the space for accommodating the excess portion of the molten joining member 170 is increased as compared with the second embodiment, and accordingly, the joining portion of the molten joining member 170 may protrude from the through hole 252. Less is. Thereby, the micromirror chip 110 and the electrode substrate 430 do not enter between the contact surface of the intermediate member 250 and the micromirror chip 110 and the contact surface of the intermediate member 250 and the electrode substrate 430 without entering the gas or the molten bonding member 170. The intermediate member 250 and the intermediate member 250 are joined to each other in good surface contact.

本実施形態によるマイクロミラーデバイス４００では、マイクロミラーチップ１１０と電極基板４３０とが中間部材２５０と良好に面接触するので、マイクロミラーチップ１１０と電極基板４３０とが高い間隔精度をもって接合される。また、中間部材２５０が溶融した接合部材１７０を収容するくぼみ２５６Ａ，２５６Ｂを有しているため、溶融した接合部材１７０がマイクロミラーチップ１１０の可動ミラー部１２２やヒンジ部１２６にはみ出して可動ミラー部１２２やヒンジ部１２６を汚染することが良好に防止される。さらに電極基板４３０がくぼみ４３４を有しているため、特に、溶融した接合部材１７０が電極基板４３０の駆動電極４４２にはみ出して駆動電極４４２をショートさせることがさらに良好に防止される。 In the micromirror device 400 according to the present embodiment, since the micromirror chip 110 and the electrode substrate 430 are in good surface contact with the intermediate member 250, the micromirror chip 110 and the electrode substrate 430 are bonded with high spacing accuracy. Further, since the intermediate member 250 has the recesses 256A and 256B for accommodating the molten joining member 170, the molten joining member 170 protrudes from the movable mirror portion 122 and the hinge portion 126 of the micromirror chip 110, and the movable mirror portion. It is possible to satisfactorily prevent the 122 and the hinge part 126 from being contaminated. Further, since the electrode substrate 430 has the depression 434, it is possible to further prevent the molten bonding member 170 from protruding into the drive electrode 442 of the electrode substrate 430 and shorting the drive electrode 442.

本実施形態において、接合部材１７０の接合余剰物質の排出効率と接合部材１７０の余剰部分のはみ出し防止のさらなる向上のために、マイクロミラーチップ１１０に電極基板４３０と同様の貫通孔や逃げ溝を設けてもよい。すなわち、マイクロミラーチップ１１０に代えて第三実施形態で説明したマイクロミラーチップ３１０を使用してもよい。 In the present embodiment, the micromirror chip 110 is provided with through holes and escape grooves similar to those of the electrode substrate 430 in order to further improve the discharge efficiency of the bonding surplus material of the bonding member 170 and the prevention of the excess portion of the bonding member 170 from protruding. May be. That is, instead of the micromirror chip 110, the micromirror chip 310 described in the third embodiment may be used.

これまで、図面を参照しながら本発明の実施形態を述べたが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変形や変更が施されてもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention. Also good.

本発明の第一実施形態によるマイクロミラーデバイスの分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a micromirror device according to a first embodiment of the present invention. 図１に示したマイクロミラーデバイスの接合断面を示している。2 shows a junction cross section of the micromirror device shown in FIG. 1. 図２に示した中間部材の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the intermediate member shown in FIG. 2. 本発明の第二実施形態によるマイクロミラーデバイスの接合断面を示している。5 shows a cross section of a micromirror device according to a second embodiment of the present invention. 図４に示した中間部材の平面図である。It is a top view of the intermediate member shown in FIG. 本発明の第三実施形態によるマイクロミラーデバイスの接合断面を示している。8 shows a cross section of a micromirror device according to a third embodiment of the present invention. 図６に示したマイクロミラーチップの平面図である。FIG. 7 is a plan view of the micromirror chip shown in FIG. 6. 本発明の第四実施形態によるマイクロミラーデバイスの接合断面を示している。6 shows a cross section of a micromirror device according to a fourth embodiment of the present invention. 図８に示した電極基板の平面図である。It is a top view of the electrode substrate shown in FIG.

Explanation of symbols

１００…マイクロミラーデバイス、１１０…マイクロミラーチップ、１１２…接合パッド、１２２…可動ミラー部、１２４…支持部、１２６…ヒンジ部、１３０…電極基板、１３２…接合パッド、１４２…駆動電極、１５０…中間部材、１５２…貫通孔、１５４Ａ，１５４Ｂ…逃げ溝、１６２…逃げ穴、１７０…接合部材、２００…マイクロミラーデバイス、２５０…中間部材、２５２…貫通孔、２５４Ａ，２５４Ｂ…逃げ溝、２５６Ａ，２５６Ｂ…くぼみ、２５８…連絡孔、２６０Ａ，２６０Ｂ…メタル層、２６２…逃げ穴、３００…マイクロミラーデバイス、３１０…マイクロミラーチップ、３１２…接合パッド、３１６…貫通孔、３１８…メタル層、３２０…逃げ溝、３２２…可動ミラー部、３２４…支持部、３２６…ヒンジ部、４００…マイクロミラーデバイス、４３０…電極基板、４３２…接合パッド、４３６…貫通孔、４３８…メタル層、４４０…逃げ溝、４４２…駆動電極。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Micromirror device, 110 ... Micromirror chip, 112 ... Bonding pad, 122 ... Movable mirror part, 124 ... Supporting part, 126 ... Hinge part, 130 ... Electrode substrate, 132 ... Bonding pad, 142 ... Drive electrode, 150 ... Intermediate member 152 ... through hole, 154A, 154B ... relief groove, 162 ... relief hole, 170 ... joining member, 200 ... micromirror device, 250 ... intermediate member, 252 ... through hole, 254A, 254B ... relief groove, 256A, 256B ... depression, 258 ... communication hole, 260A, 260B ... metal layer, 262 ... escape hole, 300 ... micromirror device, 310 ... micromirror chip, 312 ... bonding pad, 316 ... through hole, 318 ... metal layer, 320 ... Escape groove, 322 ... movable mirror part, 324 ... support part, 326 ... hinge part, 40 ... micromirror device, 430 ... electrode substrate, 432 ... bonding pad, 436 ... through hole, 438 ... metal layer, 440 ... clearance groove, 442 ... driving electrode.

Claims

A first member;
A second member;
At least one joining member joining the first member and the second member;
An intermediate member that has at least one first through hole that accommodates the joining member, is disposed between and in contact with the first member and the second member, and controls the distance between the two;
A micromirror device, comprising: a discharge path that connects the first through hole to an external space for discharging a bonding surplus substance of the bonding member from the first through hole.

The discharge path is a first groove formed in at least one of the first surface of the intermediate member that contacts the first member and the second surface of the intermediate member that contacts the second member. The micromirror device of claim 1, comprising:

The discharge path includes a second groove formed in at least one of a surface of the first member that contacts the intermediate member and a surface of the second member that contacts the intermediate member. Item 3. The micromirror device according to Item 1 or 2.

At least one of the first member and the second member includes a bonding pad to which the bonding member is bonded, at least one first depression provided around the bonding pad, and the first depression. 4. The micro of claim 2, further comprising: a second through hole connecting the external space to the external space, wherein the discharge path further includes the first recess and the second through hole. Mirror device.

The first member includes at least one movable part and a support part that mechanically supports the movable part, and the second member drives the movable part to a position facing the movable part. 5. The electrode according to claim 2, wherein the intermediate member has the same shape as the support portion of the first member, and has a plurality of first through holes that accommodate the joining member. The micromirror device according to one.

The joining member is composed of solder, and the first through hole includes a second recess formed in at least one of the first surface and the second surface of the intermediate member, and the intermediate member 6. The micromirror device according to claim 2, further comprising a metal layer formed on a bottom surface of the second recess for holding the solder.