JP2009129506A - Mold structure and imprint method using the same - Google Patents

Mold structure and imprint method using the same Download PDF

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誠治 笠原
Hideyuki Kubota
秀幸 久保田
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold structure having stain resistance, excellent vibration resistance, less surface defects, and temporal stability, and to provide an imprint method for maintaining its transfer precision even after a predetermined period by using this mold structure. <P>SOLUTION: This mold structure has a disk shaped substrate, an irregular pattern formed by making many projections on one surface of the substrate, and an adhesive layer formed at least on this surface. This adhesive layer is 0.5 to 15 μm thick and its adhesive power is 0.39 N/20 mm to 3.0 N/20 mm against silicon. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、モールド構造体、及び該モールド構造体を用いたインプリント方法に関する。   The present invention relates to a mold structure and an imprint method using the mold structure.

近年、読み出し及び書き込みの高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響(クロストーク)や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
In recent years, hard disk drives excellent in high-speed reading and writing and cost performance have begun to be installed in portable devices such as mobile phones, small audio devices, and video cameras as mainstay storage devices.
As the market share of recording devices mounted on portable devices expands, it is necessary to meet the demand for further miniaturization and larger capacity, and a technique for improving recording density is required.
In order to increase the recording density of the hard disk drive, methods of narrowing the data track interval in the magnetic recording medium and narrowing the width of the magnetic head have been conventionally used.
However, by narrowing the data track interval, the influence of magnetism (crosstalk) between adjacent tracks and the influence of thermal fluctuation cannot be ignored, and the recording density is limited. On the other hand, there is a limit in improving the surface recording density by reducing the width of the magnetic head.

そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである(特許文献1及び2参照)。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献3参照)。
Therefore, a magnetic recording medium called a discrete track medium has been proposed as means for solving the noise caused by the crosstalk. The discrete track media has a discrete structure in which a nonmagnetic guard band region is provided between adjacent tracks to magnetically separate individual tracks, thereby reducing magnetic interference between adjacent tracks ( (See Patent Documents 1 and 2).
Further, as means for solving the demagnetization due to the thermal fluctuation, a magnetic recording medium called a patterned medium in which individual bits for signal recording are provided in a predetermined shape pattern has been proposed (Patent Document 3). reference).

上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド構造体(以下、「モールド」ということがある)を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法(インプリントプロセス)が用いられる(特許文献4参照)。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
When manufacturing the discrete track media or the patterned media, a resist pattern forming mold structure (hereinafter sometimes referred to as “mold”) is used to form a resist layer formed on the surface of the magnetic recording medium. An imprinting method (imprint process) for transferring a desired pattern is used (see Patent Document 4).
Specifically, this imprinting method applies a thermoplastic resin or a photocurable resin as an imprint resist on a substrate to be processed, and a desired resin is applied to the applied resin. The mold processed into a shape is adhered and pressed, the resin is cured by heating or light irradiation, and the mold is peeled off to form a pattern corresponding to the pattern formed in the mold. This is a method of obtaining a desired magnetic recording medium by performing patterning by dry or wet etching using a pattern as a mask.

ところで、上記モールドは、磁気記録媒体の製造工程とは別の工程で作製されるため、該モールドの表面(凹凸パターンが形成された面)に異物が付着していると、そのままレジストと密着させてインプリント工程を行った際に、前記異物の付着部分を中心として周辺に及ぶ範囲までモールドとレジストとの密着が確保できず、所定の信号レベルのパターンの転写が適性ではなくなり、転写の品質が低下する。即ち、該レジストをマスクにして磁気記録媒体の基板上に形成された磁性体層をパターニングし、作製された磁気記録媒体の信頼性が低下するという問題があった。特に、記録した信号がサーボ信号の場合にはトラッキング機能が十分に得られずに信頼性が低下するという問題があった。   By the way, since the mold is manufactured in a process different from the manufacturing process of the magnetic recording medium, if foreign matter adheres to the surface of the mold (the surface on which the concavo-convex pattern is formed), the mold is brought into close contact with the resist. When the imprint process is performed, the adhesion between the mold and the resist cannot be ensured up to the peripheral area centering on the adhered part of the foreign matter, and the transfer of the pattern of the predetermined signal level is not appropriate. Decreases. That is, there is a problem that the reliability of the magnetic recording medium produced by patterning the magnetic layer formed on the substrate of the magnetic recording medium using the resist as a mask is lowered. In particular, when the recorded signal is a servo signal, there is a problem that the tracking function is not sufficiently obtained and the reliability is lowered.

磁気転写用マスター担体では、このような異物による問題を解決するために、磁気転写工程以前の輸送工程でのマスター担体の表面に保護膜を設け、該保護膜を除去した後にスレーブ媒体と密着させて磁気転写する技術が開示されている(特許文献5参照)。   In the magnetic transfer master carrier, in order to solve the problem caused by such foreign matter, a protective film is provided on the surface of the master carrier in the transport process before the magnetic transfer process, and after the protective film is removed, the master carrier is brought into close contact with the slave medium. A technique for magnetic transfer is disclosed (see Patent Document 5).

しかしながら、ディスクリートメディアや、パターンドメディアを上記プロセスによって作製する際に用いられるモールドは、30nmの線幅で凹凸パターンが表面に形成されているため、従来のマスター担体の表面を保護する保護膜をそのまま適用しても、上記のように超微細の凹凸パターンを適正に保護できないと、該凹凸パターンを再度形成する必要が生じ、モールド作製の歩留まりを著しく低下させる結果を招く。したがって、このような結果を招かないためにも、超微細に形成された凹凸パターンの形状を保護する粘着層を備えたモールドが望まれていた。
また、磁気転写マスターはサーボパターンのみでデータ領域にパターンは存在しないのに対し、DTMモールドはデータ部にも極細のグルーブが形成されており、ほぼディスク前面にパターンが存在するので、欠陥(コンタミ)の影響がより深刻になり、その解決が望まれているのが現状である。
However, the mold used when producing discrete media and patterned media by the above process has a concavo-convex pattern formed on the surface with a line width of 30 nm, so a protective film for protecting the surface of the conventional master carrier is not provided. Even if it is applied as it is, if the ultra-fine concavo-convex pattern cannot be properly protected as described above, it is necessary to form the concavo-convex pattern again, resulting in a significant reduction in mold production yield. Therefore, in order not to bring about such a result, there has been a demand for a mold having an adhesive layer that protects the shape of the concavo-convex pattern formed extremely finely.
In addition, the magnetic transfer master has only a servo pattern and no pattern in the data area, whereas the DTM mold has an extremely fine groove formed in the data portion, and the pattern exists almost on the front surface of the disk. ) Is becoming more serious and is currently being resolved.

特開昭56−119934号公報Japanese Patent Laid-Open No. 56-119934 特開平2−201730号公報JP-A-2-201730 特開平3−22211号公報JP-A-3-22211 特開2004−221465号公報JP 2004-221465 A 特開2004−110905号公報JP 2004-110905 A

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、汚染性が低く、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体、及び該モールド構造体を用いることによって所定期間を経た後においても、転写精度を維持したインプリント方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention provides a mold structure having low contamination, surface defects, and excellent temporal stability, and an imprint method that maintains transfer accuracy even after a predetermined period of time by using the mold structure. The purpose is to provide.

本発明者らは、鋭意検討の結果、次の知見を得た。即ち、厚みが0.5μm〜15μm、かつ粘着力が対シリコンで0.39N/20mm〜3.0N/20mmである粘着層が、前記モールドにおける凹凸パターン形成側の表面に設けられることによって、前記課題が解決されるという知見である。   As a result of intensive studies, the present inventors have obtained the following knowledge. That is, an adhesive layer having a thickness of 0.5 μm to 15 μm and an adhesive strength of 0.39 N / 20 mm to 3.0 N / 20 mm with respect to silicon is provided on the surface of the mold on the concave / convex pattern forming side, thereby It is the knowledge that the problem is solved.

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が形成された凹凸パターンと、少なくとも前記一の表面上に粘着層とを有してなり、
前記粘着層が、その厚みが0.5μm〜15μmであり、かつ粘着力が対シリコンで0.39N/20mm〜3.0N/20mmであることを特徴とするモールド構造体である。
<2> 粘着層が、略全ての表面を覆うように形成された前記<1>に記載のモールド構造体である。
<3> 一の表面と粘着層との間に剥離層が形成された前記<1>から<2>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<4> 粘着層における一の表面と反対側の面に支持体が設けられる前記<1>から<3>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<5> 封止層によって封止された前記<1>から<4>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<6> 粘着層の材料が、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系ポリマーである前記<1>から<5>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<7> 前記<1>から<6>のいずれかに記載のモールド構造体の粘着層を剥離し、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体上に形成された凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
<8> インプリントレジスト組成物の粘度が、1mPa・s〜200mPa・sである前記<7>に記載のインプリント方法である。
<9> 前記<1>から<6>のいずれかに記載のモールド構造体の粘着層を剥離し、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、モールド構造体上に形成されたデータ領域の凹凸パターンの形状に基づくデータ領域の磁性パターン部、及びサーボ領域の凹凸パターンの形状に基づくサーボ領域の磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
<10> インプリントレジスト組成物の粘度が、1mPa・s〜200mPa・sである前記<9>に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
<11> 前記<9>から<10>の少なくともいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
The present invention is based on the above findings by the present inventors, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> having a disc-shaped substrate, a concavo-convex pattern in which a plurality of convex portions are formed on one surface of the substrate with reference to the surface, and an adhesive layer on at least the one surface Become
The adhesive layer is a mold structure having a thickness of 0.5 μm to 15 μm and an adhesive strength of 0.39 N / 20 mm to 3.0 N / 20 mm with respect to silicon.
<2> The mold structure according to <1>, wherein the adhesive layer is formed so as to cover substantially the entire surface.
<3> The mold structure according to any one of <1> to <2>, wherein a release layer is formed between the one surface and the adhesive layer.
<4> The mold structure according to any one of <1> to <3>, wherein a support is provided on a surface opposite to the one surface of the adhesive layer.
<5> The mold structure according to any one of <1> to <4>, which is sealed with a sealing layer.
<6> The mold structure according to any one of <1> to <5>, wherein the material of the adhesive layer is a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer.
<7> The pressure-sensitive adhesive layer of the mold structure according to any one of <1> to <6> is peeled off and pressed against the imprint resist layer formed of the imprint resist composition formed on the substrate of the magnetic recording medium. The imprint method includes at least a transfer step of transferring the uneven pattern formed on the mold structure.
<8> The imprint method according to <7>, wherein the imprint resist composition has a viscosity of 1 mPa · s to 200 mPa · s.
<9> The pressure-sensitive adhesive layer of the mold structure according to any one of <1> to <6> is peeled off and pressed against the imprint resist layer formed of the imprint resist composition formed on the substrate of the magnetic recording medium. And a transfer process for transferring the concavo-convex pattern,
Using the imprint resist layer to which the concavo-convex pattern is transferred as a mask, the magnetic layer formed on the surface of the substrate of the magnetic recording medium is etched to form the concavo-convex pattern shape of the data area formed on the mold structure A magnetic pattern portion forming step of forming a magnetic pattern portion of the data region based on the magnetic pattern portion of the servo region based on the shape of the uneven pattern of the servo region on the magnetic layer;
A non-magnetic pattern part forming step of embedding a non-magnetic material in the recess formed on the magnetic layer;
A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising:
<10> The method for producing a magnetic recording medium according to <9>, wherein the imprint resist composition has a viscosity of 1 mPa · s to 200 mPa · s.
<11> A magnetic recording medium manufactured using the method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of <9> to <10>.

本発明のモールド構造体においては、前記粘着層として、厚みが0.5μm〜15μmであり、かつ粘着力が対シリコンで0.39N/20mm〜3.0N/20mmである材料を採用したので、粘着層形成・剥離に伴うモールド表面の粘着層材料による欠陥の増加がなくなり、また、環境影響を受けにくくなり、汚染性が低く、経時安定性が優れたモールド構造体を提供することができる。   In the mold structure of the present invention, as the adhesive layer, a material having a thickness of 0.5 μm to 15 μm and an adhesive strength of 0.39 N / 20 mm to 3.0 N / 20 mm with respect to silicon is employed. It is possible to provide a mold structure that is free from an increase in defects due to the adhesive layer material on the mold surface due to the formation and peeling of the adhesive layer, is less susceptible to environmental influences, has low contamination, and has excellent temporal stability.

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、汚染性が低く、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体、及び該モールド構造体を用いることによって所定期間を経た後においても、転写精度を維持したインプリント方法を提供することができる。   According to the present invention, various problems in the prior art can be solved, a mold structure with low contamination, surface defects, and excellent stability over time, and transfer even after a predetermined period of time by using the mold structure. An imprint method that maintains accuracy can be provided.

以下、本発明のモールド構造体について図面を参照して説明する。
(モールド構造体)
図1は、本発明のモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。図1に示すように、モールド構造体1は、加工対象物(例えば、後述する図9におけるインプリントレジスト層25)を押圧するものであり、円板状の基板2の一方の表面2a(以下、基準面2aということがある)に形成された複数の凸部と、少なくとも該凸部3を被覆するように形成された粘着層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
Hereinafter, the mold structure of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Mold structure)
FIG. 1 is a partial perspective view showing the configuration of the mold structure of the present invention. As shown in FIG. 1, the mold structure 1 presses an object to be processed (for example, an imprint resist layer 25 in FIG. 9 described later), and one surface 2 a (hereinafter, referred to as a disk-shaped substrate 2). A plurality of convex portions formed on the reference surface 2a) and at least an adhesive layer formed so as to cover at least the convex portions 3, and, if necessary, other members. Prepare.

<基板>
基板2の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ニッケル、シリコン、石英、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が挙げられる。
基板2の厚みとしては、100μm〜1000μmが好ましく、200μm〜750μmがより好ましい。
<Board>
There is no restriction | limiting in particular as a material of the board | substrate 2, Although it selects suitably according to the objective, For example, nickel, a silicon | silicone, quartz, glass, aluminum, ceramics, a synthetic resin etc. are mentioned.
As thickness of the board | substrate 2, 100 micrometers-1000 micrometers are preferable, and 200 micrometers-750 micrometers are more preferable.

<<凸部>>
前記凸部3は、基板2の半径方向に所定の間隔で、同心円状に複数の凸部3aが配列されることによって、複数の凸部3a間に形成された凹部4aと共にデータ領域の凹凸パターンを形成し、基板2の円周方向に所定の間隔で、放射状に複数の凸部3bが配列されることによって、複数の凸部3b間に形成された凹部4bと共にサーボ領域の凹凸パターンを形成している。なお、基板2上において、前記サーボ領域は、前記データ領域を分断するように、円周方向に略等間隔で複数形成されている。
<< Convex section >>
The convex part 3 has a concave / convex pattern in the data area together with the concave parts 4a formed between the convex parts 3a by arranging the convex parts 3a concentrically at predetermined intervals in the radial direction of the substrate 2. A plurality of convex portions 3b are arranged radially at a predetermined interval in the circumferential direction of the substrate 2 to form a concave / convex pattern in the servo area together with the concave portions 4b formed between the plurality of convex portions 3b. is doing. On the substrate 2, a plurality of the servo areas are formed at substantially equal intervals in the circumferential direction so as to divide the data area.

前記サーボ領域は、プリアンブル部、アドレス部、及びバースト部に分けられる。
前記プリアンブル部は、再生信号のクロックを同期させるための情報が記録された領域である。
前記アドレス部は、サーボマークと呼ばれるサーボ信号認識コード、セクタ情報、シリンダ情報等が、前記プリアンブル部の円周方向におけるピッチと同一のピッチで、マンチェスタコードにより形成された領域である。前記シリンダ情報は、サーボトラック毎にその情報が変化するパターンとなる。そのため、ヘッドシーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなる様に、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して記録されている。
前記バースト部は、シリンダアドレスのオントラック状態からのオフトラック量を検出するためのオフトラック検出用領域で、更にA、B、C、Dバーストと呼ばれる4つの径方向にパターン位相をずらしたマークが形成されている。各バーストには、周方向に複数個のマークがプリアンブル部と同一のピッチ周期で配置され、径方向周期は、アドレスパターンの変化周期に比例、換言すれば、サーボトラック周期に比例した周期で設けられている。本実施形態では、各バーストは、周方向に10周期分形成され、径方向に、サーボトラック周期の2倍長周期で繰返すパターンを取っている。
The servo area is divided into a preamble part, an address part, and a burst part.
The preamble portion is an area in which information for synchronizing the clock of the reproduction signal is recorded.
The address portion is a region where a servo signal recognition code called a servo mark, sector information, cylinder information, and the like are formed by a Manchester code at the same pitch as the pitch in the circumferential direction of the preamble portion. The cylinder information has a pattern in which the information changes for each servo track. For this reason, in order to reduce the influence of an address interpretation error during the head seek operation, code conversion is performed so as to minimize the change from an adjacent track called a gray code, and then the Manchester code is recorded.
The burst portion is an off-track detection area for detecting the off-track amount from the on-track state of the cylinder address, and is a mark having a pattern phase shifted in four radial directions called A, B, C, and D bursts Is formed. In each burst, a plurality of marks are arranged in the circumferential direction at the same pitch cycle as the preamble portion, and the radial cycle is provided in proportion to the change cycle of the address pattern, in other words, in the cycle proportional to the servo track cycle. It has been. In this embodiment, each burst is formed for 10 cycles in the circumferential direction, and has a pattern that repeats in the radial direction at a cycle twice as long as the servo track cycle.

前記凸部3の断面形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択され、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができるが、例えば、矩形が好ましく、テーパ形状がより好ましい。
ここで、前記断面形状は、データ領域の凹凸パターンを形成している凸部3aにおいては、基板2の半径方向を含む面における断面形状であり、サーボ領域の凹凸パターンを形成している凸部3bにおいては、基板2の円周方向を含む面における断面形状である。
The cross-sectional shape of the convex portion 3 is not particularly limited and is appropriately selected depending on the purpose, and an arbitrary shape can be selected by controlling an etching process described later. For example, a rectangular shape is preferable, A taper shape is more preferable.
Here, in the convex part 3a which forms the uneven | corrugated pattern of a data area, the said cross-sectional shape is a cross-sectional shape in the surface containing the radial direction of the board | substrate 2, and the convex part which forms the uneven | corrugated pattern of a servo area | region In 3b, it is the cross-sectional shape in the surface containing the circumferential direction of the board | substrate 2. As shown in FIG.

<粘着層>
前記粘着層は、少なくとも、基板2の表面2a側(凸部3を含む凹凸パターンが形成された側)の面を被覆するようにして設けられた層である。
前記粘着層は、基板の凹凸パターン上に粘着剤塗布液を塗布し、乾燥することにより形成される。
前記粘着剤塗布液は、その基本成分である粘着剤ポリマー、及び凝集力を上げたり粘着力を調整するための1分子中に2つ以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤を含む溶液又はエマルジョン液である。粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤーを適宜添加してもよい。また、粘着剤ポリマーがエマルジョン液である場合はジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を添加してもよい。
<Adhesive layer>
The adhesive layer is a layer provided so as to cover at least the surface 2a side of the substrate 2 (the side on which the concave / convex pattern including the convex portions 3 is formed).
The said adhesion layer is formed by apply | coating an adhesive coating liquid on the uneven | corrugated pattern of a board | substrate, and drying.
The pressure-sensitive adhesive coating solution is a solution containing a pressure-sensitive adhesive polymer as a basic component thereof, and a cross-linking agent having two or more cross-linking reactive functional groups in one molecule for increasing cohesive force or adjusting pressure-sensitive adhesive force. It is an emulsion. In order to adjust the adhesive property, a tackifier such as rosin or terpene resin may be added as appropriate. When the pressure-sensitive adhesive polymer is an emulsion liquid, a film-forming aid such as diethylene glycol monoalkyl ether may be added.

また、粘着層を構成する粘着剤ポリマーとしては、架橋剤と架橋反応し得る官能基を有する各種合成ゴム系ポリマー等が挙げられる。これらのうち、粘着物性の制御、再現性等を考慮すると、アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、メタクリル酸アルキルエステル系ポリマー、ブタジエン系ポリマー、イソプロピレン系ポリマー、スチレンブタジエン系ポリマー等が挙げられる。これらのうち、アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、メタクリル酸アルキルエステル系ポリマーが好ましい。粘着剤ポリマーを含む液体は溶液、エマルジョン液等のいずれでもよい。
前記粘着剤ポリマーがアクリル酸アルキルエステル系ポリマー、又はメタクリル酸アルキルエステル系ポリマーである場合、粘着剤ポリマーを構成する主モノマーとして、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−2−エチルヘキシル、メタクリル酸−2−エチルヘキシル等のアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、また、2種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、60質量%〜99質量%の範囲で含まれることが好ましい。
Examples of the pressure-sensitive adhesive polymer constituting the pressure-sensitive adhesive layer include various synthetic rubber polymers having a functional group capable of undergoing a crosslinking reaction with a crosslinking agent. Among these, in consideration of control of adhesive physical properties, reproducibility, etc., alkyl acrylate ester polymers, methacrylic acid alkyl ester polymers, butadiene polymers, isopropylene polymers, styrene butadiene polymers and the like can be mentioned. Among these, acrylic acid alkyl ester polymers and methacrylic acid alkyl ester polymers are preferred. The liquid containing the pressure-sensitive adhesive polymer may be either a solution or an emulsion liquid.
When the pressure-sensitive adhesive polymer is an acrylic acid alkyl ester polymer or a methacrylic acid alkyl ester polymer, the main monomers constituting the pressure-sensitive adhesive polymer are methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, acrylic Examples include methyl acrylate, butyl methacrylate, acrylic acid-2-ethylhexyl, acrylic acid alkyl esters such as methacrylic acid-2-ethylhexyl, and methacrylic acid alkyl esters. These may be used singly or in combination of two or more. It is preferable that the usage amount of the main monomer is usually contained in the range of 60% by mass to 99% by mass in the total amount of all monomers used as the raw material for the pressure-sensitive adhesive polymer.

前記主モノマーと共重合させる、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーとして、例えばアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。これらの1種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また2種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、1質量%〜40質量%の範囲で含まれていることが好ましい。
ここでは、前記粘着剤ポリマーを構成する主モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー(以下、重合性界面活性剤と称する)を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。
Examples of comonomers having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent to be copolymerized with the main monomer include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, fumaric acid, maleic acid, itaconic acid monoalkyl ester, maleic acid. Examples include acid monoalkyl esters, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, tertiary-butylaminoethyl acrylate, and tertiary-butylaminoethyl methacrylate. One of these may be copolymerized with the main monomer, or two or more may be copolymerized. The amount of the comonomer having a functional group capable of reacting with the above-mentioned crosslinking agent is usually contained in the range of 1% by mass to 40% by mass in the total amount of all monomers used as the raw material for the pressure-sensitive adhesive polymer. preferable.
Here, in addition to the main monomer constituting the pressure-sensitive adhesive polymer and the comonomer having a functional group capable of reacting with the crosslinking agent, a specific comonomer having a property as a surfactant (hereinafter referred to as a polymerizable surfactant) is used. It may be copolymerized. The polymerizable surfactant has a property of copolymerizing with the main monomer and the comonomer, and also has an action as an emulsifier when emulsion polymerization is performed.

前記粘着層の厚みは、0.5μm〜15μmであり、5μm〜15μmが好ましく、10μm〜15μmがより好ましい。
前記粘着層の厚みは、デジマチックインジケータ(ミツトヨ株式会社製、ID−CG)による測定でおおよその値を求め、分光エリプソメーター(Five Lab社製、MARY−102)を用いて測定することができる。
前記粘着層の粘着力は、対シリコンで0.39N/20mm〜3.0N/20mmであり、1.8N/20mm〜3.0N/20mmが好ましく、1.8N/20mmがより好ましい。前記粘着力は、試料をシリコンウエハーにスピンコート法で形成し、乾燥させた後、PETフィルムで裏打ちした後、180°ピール力を引張速度300mm/分で測定することができる。
The thickness of the adhesive layer is 0.5 μm to 15 μm, preferably 5 μm to 15 μm, and more preferably 10 μm to 15 μm.
The thickness of the adhesive layer can be measured by using a spectroscopic ellipsometer (MARY-102, manufactured by Five Lab) after obtaining an approximate value by measurement with a Digimatic indicator (ID-CG, manufactured by Mitutoyo Corporation). .
The adhesive strength of the adhesive layer is 0.39 N / 20 mm to 3.0 N / 20 mm with respect to silicon, preferably 1.8 N / 20 mm to 3.0 N / 20 mm, and more preferably 1.8 N / 20 mm. The adhesive strength can be measured by forming a sample on a silicon wafer by spin coating, drying, backing with a PET film, and then measuring a 180 ° peel force at a tensile speed of 300 mm / min.

<<その他の部材>>
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板2の表面2a側の面上に層状に形成され、粘着層に対して剥離機能を備えた剥離層や、粘着層における一の表面2aと反対側の面に設けられた支持体(層)や、モールド1の周囲を覆うように封止する封止層等が挙げられる。
<< Other parts >>
The other members are not particularly limited as long as they do not impair the effects of the present invention, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the other members are formed in layers on the surface 2a side of the substrate 2, and are adhesive layers. A peeling layer having a peeling function, a support (layer) provided on the surface opposite to the one surface 2a in the adhesive layer, a sealing layer for sealing so as to cover the periphery of the mold 1, etc. Is mentioned.

図2A〜図2Eは、本発明のモールド構造体における粘着層、剥離層、及びその他の部材の構成を示す断面図である。
図2Aは、図1に示すモールド構造体の断面図である。図2Aに示すように、粘着層5が表面2a側の面上に層状に形成されることによって、パターンを保護するという効果がある。
また、図2Bは、粘着層がモールド構造体の略全ての表面を覆うように、該粘着層に封止されたモールド構造体の断面図である。図2Bに示すように、粘着層5がモールド構造体の略全ての表面を覆うように形成されることによって、モールド端面及び裏面に欠陥が付着するのを回避することができるという効果がある。
また、図2Cは、一の表面(凹凸パターンが形成された面)と粘着層との間に剥離層が形成されたモールド構造体の断面図である。図2Cに示すように、剥離層8が形成されることによって、粘着層の剥離が容易になるという効果がある。
また、図2Dは、粘着層における一の表面と反対側の面に支持体が設けられたモールド構造体の断面図である。図2Dに示すように、支持体6が設けられることによって、粘着剤のハンドリング性が向上する。また、粘着剤を透過する水分などの環境影響を軽減できるという効果がある。
また、図2Eは、粘着層及び支持体が設けられ、更に、封止層がモールド構造体の略全ての表面を覆うように、該封止層に封止されたモールド構造体の断面図である。図2Eに示すように、封止層7が形成されることによって、粘着層の間隙を透過するような水分などの環境影響をより受けにくいという効果がある。
また、図2Fは、粘着層及び支持体が設けられず、封止層がモールド構造体の略全ての表面を覆うように、該封止層に封止されたモールド構造体の断面図である。図2Fに示すように、封止層7が形成されることによって、粘着層の間隙を透過するような水分などの環境影響をより受けにくく、また、粘着層形成工程が簡略化できるという効果がある。
2A to 2E are cross-sectional views showing the configurations of the adhesive layer, the release layer, and other members in the mold structure of the present invention.
2A is a cross-sectional view of the mold structure shown in FIG. As shown in FIG. 2A, the adhesive layer 5 is formed in a layer on the surface on the surface 2a side, and thus there is an effect of protecting the pattern.
FIG. 2B is a cross-sectional view of the mold structure sealed with the adhesive layer so that the adhesive layer covers substantially the entire surface of the mold structure. As shown in FIG. 2B, the adhesive layer 5 is formed so as to cover substantially the entire surface of the mold structure, and therefore, there is an effect that it is possible to avoid defects from adhering to the mold end surface and the back surface.
FIG. 2C is a cross-sectional view of a mold structure in which a release layer is formed between one surface (a surface on which an uneven pattern is formed) and an adhesive layer. As shown in FIG. 2C, the formation of the release layer 8 has an effect that the release of the adhesive layer is facilitated.
FIG. 2D is a cross-sectional view of a mold structure in which a support is provided on the surface of the adhesive layer opposite to the one surface. As shown in FIG. 2D, the handling property of the pressure-sensitive adhesive is improved by providing the support 6. In addition, there is an effect that environmental influences such as moisture permeating the adhesive can be reduced.
FIG. 2E is a cross-sectional view of a mold structure that is provided with an adhesive layer and a support, and is further sealed with the sealing layer so that the sealing layer covers substantially the entire surface of the mold structure. is there. As shown in FIG. 2E, the formation of the sealing layer 7 has an effect that it is less susceptible to environmental influences such as moisture that permeates through the gap of the adhesive layer.
FIG. 2F is a cross-sectional view of the mold structure sealed to the sealing layer so that the adhesive layer and the support are not provided and the sealing layer covers almost the entire surface of the mold structure. . As shown in FIG. 2F, the formation of the sealing layer 7 has the effect that it is less susceptible to environmental influences such as moisture that permeates through the gap of the adhesive layer, and the adhesive layer forming process can be simplified. is there.

[剥離層]
前記剥離層の材料としては、インプリントレジストとの離型がスムーズとなる撥水性材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、メチルノナフルオロイソブチルエーテルとメチルノナフルオロブチルエーテルとフッ素系ポリマーで構成された溶液、又は、パーフルオロポリオキシアルカンのジハイドロオキシプロパンオキシメチル誘導体とフッ素系ポリマーの溶液などが挙げられる。具体的には、市販品として、スリーエム社製EGC−1720などが好適に用いられる。
前記剥離層の材料の粘度としては、3mPa・s以下が好ましく、1mPa・s以下がより好ましく、0.6mPa・s以下が特に好ましい。
前記剥離層の材料の粘度は、例えば粘度・粘弾性測定装置(英弘精機株式会社製、レオストレス RS600)を用いて測定することができる。
前記剥離層の厚みとしては、50nm以下が好ましく、25nm以下がより好ましく、10nm以下が特に好ましい。
前記剥離層の厚みは、例えば分光エリプソメーター(Five Lab社製、MARY−102)を用いて測定できる。
[Peeling layer]
The material of the release layer is not particularly limited as long as it is a water-repellent material that enables smooth release from the imprint resist, and is appropriately selected according to the purpose. For example, methyl nonafluoroisobutyl ether and methyl Examples thereof include a solution composed of nonafluorobutyl ether and a fluorine polymer, or a solution of a perhydropolyoxyalkane dihydrooxypropaneoxymethyl derivative and a fluorine polymer. Specifically, as a commercially available product, EGC-1720 manufactured by 3M Corporation is preferably used.
The viscosity of the release layer material is preferably 3 mPa · s or less, more preferably 1 mPa · s or less, and particularly preferably 0.6 mPa · s or less.
The viscosity of the material of the release layer can be measured using, for example, a viscosity / viscoelasticity measuring apparatus (manufactured by Eiko Seiki Co., Ltd., Rheostress RS600).
The thickness of the release layer is preferably 50 nm or less, more preferably 25 nm or less, and particularly preferably 10 nm or less.
The thickness of the release layer can be measured using, for example, a spectroscopic ellipsometer (manufactured by Five Lab, MARY-102).

[支持体]
前記支持体は、前記粘着層と一体にすることで、粘着シートとして機能する。
前記支持体の材料としては、発塵性が低く、適度な可撓性を持ち、粘着剤との密着力が高い樹脂シートであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン、ポリエステル、エチレンメタクリル酸共重合体、ポリブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポリアミド、アイオノマー等の樹脂、及びそれらの共重合体エラストマー、ジエン系、ニトリル系、シリコーン系、アクリル系等の合成ゴム等のフィルムが挙げられる。これらの中でも、エチレン酢酸ビニル共重合体又はポリオレフィンが好ましく、エチレン酢酸ビニル共重合体が特に好ましい。
前記支持体の厚みとしては、70μm〜200μmが好ましく、120μm〜150μmがより好ましく、135μmが特に好ましい。
前記粘着層の厚みは、例えばデジマチックインジケータ(ミツトヨ株式会社製、ID−CG)を用いて測定できる。
[Support]
The said support body functions as an adhesive sheet by integrating with the said adhesion layer.
The material of the support is not particularly limited as long as it is a resin sheet having low dust generation, moderate flexibility, and high adhesion to the pressure-sensitive adhesive, and is appropriately selected according to the purpose. , For example, ethylene vinyl acetate copolymer, polyolefin, polyester, ethylene methacrylic acid copolymer, polybutadiene, soft vinyl chloride resin, polyamide, ionomer resin, and their copolymer elastomers, diene series, nitrile series, silicone And synthetic rubber films such as acrylic and acrylic. Among these, an ethylene vinyl acetate copolymer or polyolefin is preferable, and an ethylene vinyl acetate copolymer is particularly preferable.
The thickness of the support is preferably 70 μm to 200 μm, more preferably 120 μm to 150 μm, and particularly preferably 135 μm.
The thickness of the said adhesion layer can be measured, for example using a Digimatic indicator (the Mitutoyo Corporation make, ID-CG).

[封止層]
前記封止層の材料としては、発塵の少ない弾性体であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、シリコーンゴムなどが挙げられる。
前記封止層の材料の厚みとしては、100μm〜500μmが好ましく、300μmがより好ましい。なお、前記封止層の厚みは、例えばデジマチックインジケータ(ミツトヨ株式会社製、ID−CG)を用いて測定することができる。
[Sealing layer]
The material of the sealing layer is not particularly limited as long as it is an elastic body with little dust generation, and is appropriately selected according to the purpose. Examples thereof include silicone rubber.
The thickness of the material of the sealing layer is preferably 100 μm to 500 μm, and more preferably 300 μm. In addition, the thickness of the said sealing layer can be measured using a Digimatic indicator (Mitutoyo Co., Ltd. make, ID-CG), for example.

<<インプリントレジスト層>>
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物(以下、「インプリントレジスト液」ということがある)を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層25としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物(以下、「インプリントレジスト液」ということがある)を磁気記録媒体の基板40に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層13を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層13の厚みとしては、モールド構造体1の表面2a上に形成される凸部の高さに対して5%以上、200%未満であることが好ましい。前記厚みが5%未満であると、レジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができないことがある。
前記インプリントレジスト層13の厚みは、例えば、該インプリントレジスト層13を形成した基板から該インプリントレジスト層13を一部剥離し、剥離後の段差(高さ)をAFM装置(Dimension5000、日本ビーコ株式会社製)にて測定することができる。
<< imprint resist layer >>
The imprint resist layer is a layer formed by applying an imprint resist composition (hereinafter also referred to as “imprint resist solution”) to a substrate of a magnetic recording medium.
There is no restriction | limiting in particular as the imprint resist layer 25, Although it can select suitably from well-known things according to the objective, For example, the imprint containing at least any one of a thermoplastic resin and a photocurable resin is used. It is a layer formed by applying a resist composition (hereinafter also referred to as “imprint resist solution”) to the substrate 40 of the magnetic recording medium. Moreover, as the imprint resist composition for forming the imprint resist layer 13, for example, a novolac resin, an epoxy resin, an acrylic resin, an organic glass resin, an inorganic glass resin, or the like is used.
The thickness of the imprint resist layer 13 is preferably 5% or more and less than 200% with respect to the height of the convex portion formed on the surface 2a of the mold structure 1. If the thickness is less than 5%, the resist amount may be insufficient and a desired resist pattern may not be formed.
The thickness of the imprint resist layer 13 is determined by, for example, partially peeling the imprint resist layer 13 from the substrate on which the imprint resist layer 13 is formed, and measuring the step (height) after the peeling with an AFM apparatus (Dimension 5000, Japan). (Manufactured by Bico Co., Ltd.).

[インプリントレジスト組成物の粘度]
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定することができる。前記インプリントレジスト組成物の粘度としては、25℃で1mPa・s〜200mPa・sが好ましく、1mPa・s〜100mPa・sがより好ましい。
[Viscosity of imprint resist composition]
The viscosity of the imprint resist composition can be measured using, for example, an ultrasonic viscometer. The viscosity of the imprint resist composition is preferably 1 mPa · s to 200 mPa · s at 25 ° C., and more preferably 1 mPa · s to 100 mPa · s.

<モールド構造体の作製方法>
以下、本発明のモールド構造体の作製方法の一例について図面を参照して説明する。なお、本発明のモールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
<Method for producing mold structure>
Hereinafter, an example of a method for producing a mold structure of the present invention will be described with reference to the drawings. The mold structure of the present invention may be produced by a production method other than the production method described below.

[第1の実施形態]
図3は、第1の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図3に示すように、まず、Si(シリコン)基板10上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIE(Reactive Ion Etching;反応性イオンエッチング)などにより選択エッチングを行い、凹凸パターンを有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸パターンを有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図1に示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
[First Embodiment]
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for producing a mold structure according to the first embodiment. As shown in FIG. 3, first, a photoresist solution such as a novolac resin or an acrylic resin is applied on a Si (silicon) substrate 10 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
Thereafter, while rotating the substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated, and a predetermined pattern, for example, each track extends linearly from the center of rotation to each track. A pattern corresponding to the servo signal is exposed to a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, the pattern of the removed photoresist layer 21 is used as a mask, selective etching is performed by RIE (Reactive Ion Etching), etc. A mold structure 1 having a pattern is obtained.
The selective etching is performed so that the cross-sectional shape of the concave portion of the mold structure 1 having the concavo-convex pattern becomes a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 3 shown in FIG.

[第2の実施形態]
図4A〜Bは、第2の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。
―原盤の作製―
図4Aに示すように、まず、Si(シリコン)基板10上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジストを現像処理し、露光部分を除去して、フォトレジストパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
[Second Embodiment]
4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the second embodiment.
―Making master disc―
As shown in FIG. 4A, first, a photoresist solution such as a novolac resin or an acrylic resin is applied on a Si (silicon) substrate 10 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
Thereafter, while rotating the substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated, and a predetermined pattern, for example, each track extends linearly from the center of rotation to each track. A pattern corresponding to the servo signal is exposed to a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist is developed, the exposed portion is removed, and selective etching is performed by RIE or the like using the photoresist pattern as a mask to obtain a master 11 having a concavo-convex shape.

原盤11からモールドを作製するモールドの作製方法としては、例えばメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
前記メッキ法でのモールド作製方法としては、以下の通りである。
As a method for producing a mold for producing a mold from the master 11, for example, a plating method or a nanoimprint method can be used.
The mold production method by the plating method is as follows.

図4Bに示すように、原盤11の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリング、あるいは無電解メッキなどにより、導電膜22を形成する。その後、導電膜22に対してメッキなどにより導電膜22を所定の厚みに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有する基板23を作製し、原盤11から剥離する。このようにして、モールド構造体1が得られる。
なお、導電膜22を所定の厚みに成膜して基板23を作製する際には、基板23の凹部の断面形状が、図1に示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
As shown in FIG. 4B, a conductive film 22 is formed on the surface of the master 11 by sputtering or electroless plating based on the uneven pattern on the surface. Thereafter, the conductive film 22 is formed to a predetermined thickness by plating or the like on the conductive film 22 to produce a substrate 23 having a positive concavo-convex pattern and peeled from the master 11. In this way, the mold structure 1 is obtained.
When forming the substrate 23 by forming the conductive film 22 to a predetermined thickness, the cross-sectional shape of the concave portion of the substrate 23 becomes a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 3 shown in FIG. To be done.

原盤11の凹凸パターン上への導電膜22の形成方法としては、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法(無電解メッキ及び電鋳)等で成膜する方法が好ましい。   As a method of forming the conductive film 22 on the concave / convex pattern of the master 11, a magnetic material is formed by a vacuum film forming means such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method (electroless plating and electroforming), or the like. A method of forming a film is preferred.

前記導電膜の材料としては、Ni、Cr、W、Ta、Fe、Coのうち、少なくとも1種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、これらのうち、Ni、Co、FeCo合金などが好ましい。また、導電性を示すTiOなどの非金属材質も前記導電膜として使用可能である。   As the material of the conductive film, a metal or alloy containing at least one element among Ni, Cr, W, Ta, Fe, and Co can be used. Among these, Ni, Co, FeCo alloy, etc. Is preferred. Further, a non-metallic material such as TiO showing conductivity can also be used as the conductive film.

また、基板の凸部高さ(凹凸パターンの深さ)Hは、30nm〜800nmの範囲が好ましく、50nm〜300nmがより好ましい。
更に、この凹凸パターンがサーボバースト信号である場合は、円周方向よりも半径方向に長い矩形状の凸部が形成される。具体的には、半径方向の長さは0.05μm〜20μm、円周方向は0.05μm〜1μmが好ましく、この範囲で半径方向の方が長い形状となる値を選ぶことがサーボ信号の情報を担持するパターンとして好ましい。
Moreover, the range of the convex part height (depth of an uneven | corrugated pattern) H of a board | substrate is preferable in the range of 30 nm-800 nm, and 50 nm-300 nm are more preferable.
Further, when this uneven pattern is a servo burst signal, a rectangular convex portion that is longer in the radial direction than in the circumferential direction is formed. Specifically, the length in the radial direction is preferably 0.05 μm to 20 μm, and the circumferential direction is preferably 0.05 μm to 1 μm. The value of the servo signal is to select a value having a longer shape in the radial direction within this range. It is preferable as a pattern for supporting.

[第3の実施形態]
図5は、第3の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図5に示すように、まず、石英基板30上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、石英基板30を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜図2Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
[Third Embodiment]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for producing a mold structure according to the third embodiment. As shown in FIG. 5, first, a photoresist solution such as a novolac resin or an acrylic resin is applied on the quartz substrate 30 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
Thereafter, while rotating the quartz substrate 30, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated to form a predetermined pattern on the entire surface of the photoresist, for example, each track linearly from the rotation center to the radial direction. A pattern corresponding to the extended servo signal is exposed to a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask to obtain the mold structure 1 having an uneven shape.
The selective etching is performed so that the cross-sectional shape of the concave portion of the mold structure 1 having the concavo-convex shape is a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 3 shown in FIGS. 2A to 2B.

[第4の実施形態]
図6A〜図6Bは、第4の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図6Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
[Fourth Embodiment]
6A to 6B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 6A, first, a photoresist solution such as a novolak resin or an acrylic resin is applied on the Si substrate 10 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
Thereafter, while rotating the Si substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated to form a predetermined pattern on the entire surface of the photoresist, for example, each track linearly from the rotation center to the radial direction. A pattern corresponding to the extended servo signal is exposed to a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask to obtain the master 11 having an uneven shape.

次に、図6Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤31を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図1に示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
Next, as shown in FIG. 6B, the master 31 is pressed against the quartz substrate 30 on which the imprint resist layer 24 formed by applying an imprint resist solution containing a photocurable resin is formed. The pattern of the convex portions formed on the top is transferred to the imprint resist layer 24.
Thereafter, the transferred pattern is cured by irradiating the imprint resist layer 24 with ultraviolet rays or the like, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern as a mask to obtain the mold structure 1 having an uneven shape.
The selective etching is performed so that the cross-sectional shape of the concave portion of the mold structure 1 having a concavo-convex shape is a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 3 shown in FIG.

[第5の実施形態]
図7A〜図7Bは、第5の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図7Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
[Fifth Embodiment]
7A to 7B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the fifth embodiment. As shown in FIG. 7A, first, a photoresist solution such as a novolac resin or an acrylic resin is applied on the Si substrate 10 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
Thereafter, while rotating the Si substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated to form a predetermined pattern on the entire surface of the photoresist, for example, each track linearly from the rotation center to the radial direction. A pattern corresponding to the extended servo signal is exposed to a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask to obtain the master 11 having an uneven shape.

次に、図7Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤11を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図1に示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
Next, as shown in FIG. 7B, the master 11 is pressed against the quartz substrate 30 on which the imprint resist layer 24 formed by applying an imprint resist solution containing a photocurable resin is formed. The pattern of the convex portions formed on the top is transferred to the imprint resist layer 24.
Thereafter, the transferred pattern is cured by irradiating the imprint resist layer 24 with ultraviolet rays or the like, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern as a mask to obtain the mold structure 1 having an uneven shape.
The selective etching is performed so that the cross-sectional shape of the concave portion of the mold structure 1 having a concavo-convex shape is a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 3 shown in FIG.

[第6の実施形態]
図8A〜図8Bは、第6の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図8Aに示すように、まず、石英基板30上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、石英基板30を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト層21の全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤31を得る。
[Sixth Embodiment]
8A to 8B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 8A, first, a photoresist solution such as a novolac resin or an acrylic resin is applied on the quartz substrate 30 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
Thereafter, while rotating the quartz substrate 30, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated, and a predetermined pattern is applied to the entire surface of the photoresist layer 21, for example, each track in the radial direction from the rotation center. A pattern corresponding to a linearly extending servo signal is exposed at a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask to obtain a master 31 having an uneven shape.

次に、図8Bに示すように、光硬化樹脂が含有されたインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤31を押し当て、原盤31上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図1に示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
Next, as shown in FIG. 8B, the master 31 is pressed against the quartz substrate 30 on which the imprint resist layer 24 formed by applying an imprint resist solution containing a photocurable resin is formed. The pattern of the convex portions formed on the top is transferred to the imprint resist layer 24.
Thereafter, the transferred pattern is cured by irradiating the imprint resist layer 24 with ultraviolet rays or the like, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern as a mask to obtain the mold structure 1 having an uneven shape.
The selective etching is performed so that the cross-sectional shape of the concave portion of the mold structure 1 having a concavo-convex shape is a cross-sectional shape obtained by transferring the cross-sectional shape of the convex portion 3 shown in FIG.

上記第1〜第6の実施形態においては、ポジ型のフォトレジストを用いて露光及び現像を行ったが、前記レジスト液をネガ型とすることで、本実施形態とは対称的なパターンのモールド構造体を作製することもできる。したがって、本実施形態におけるフォトレジストの適用に特に制限はなく、目的に応じて、ネガ型フォトレジスト、及びポジ型フォトレジストのいずれが適宜選択される。   In the first to sixth embodiments, exposure and development are performed using a positive type photoresist, but a mold having a pattern symmetrical to the present embodiment is obtained by using the resist solution as a negative type. A structure can also be manufactured. Therefore, the application of the photoresist in the present embodiment is not particularly limited, and either a negative photoresist or a positive photoresist is appropriately selected according to the purpose.

また、前記原盤にメッキを施して第2の原盤を作製し、この第2の原盤を使用してメッキを行い、ネガ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。更に、第2の原盤にメッキを行うか、樹脂液を押し付けて硬化を行って第3の原盤を作製し、第3の原盤にメッキを行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。   Alternatively, the master may be plated to produce a second master, and the second master may be used for plating to produce a substrate having a negative uneven pattern. Further, even if the second master is plated or the resin liquid is pressed and cured to produce a third master, the third master is plated, and a substrate having a positive uneven pattern is produced. Good.

更に、上記第4〜第6の実施形態においては、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を基板上に塗布してインプリントレジスト層24を形成する実施形態を説明したが、光硬化樹脂の代わり、又は光硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれてもよい。
熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれる場合、該熱可塑性樹脂のガラス転移温度(Tg)付近に維持した状態で、凸部のパターンをインプリントレジスト層24に転写後、インプリントレジスト層24を前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも低下させることにより転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得ることとなる。
Furthermore, in the said 4th-6th embodiment, although the imprint resist liquid containing a photocurable resin was apply | coated on a board | substrate and embodiment formed to form the imprint resist layer 24, photocurable resin was demonstrated. Instead of or in addition to the photocurable resin, a thermoplastic resin may be included in the imprint resist solution.
When the thermoplastic resin is contained in the imprint resist liquid, the pattern of the convex portion is transferred to the imprint resist layer 24 while being maintained near the glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin, and then the imprint resist layer 24. The transferred pattern is cured by lowering the glass transition temperature below the glass transition temperature of the thermoplastic resin, and selective etching is performed by RIE using the pattern as a mask to obtain a mold structure 1 having an uneven shape. .

ここで、基板30の材料は、光透過性を有し、モールド構造体1として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英(SiO)や、有機樹脂(PET、PEN、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂)等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板30にインプリントレジスト層24が形成される一方の面から出射するように、基板30の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長200nm以上の光の光透過率が50%以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板30上に形成されたインプリントレジスト層24に対して、平均面圧力が1kgf/cm以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
Here, the material of the substrate 30 is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose as long as it is a material having optical transparency and functioning as the mold structure 1. SiO 2 ) and organic resins (PET, PEN, polycarbonate, low melting point fluororesin) and the like.
The “having light transmittance” specifically means that light is incident from the other surface of the substrate 30 so as to be emitted from one surface where the imprint resist layer 24 is formed on the substrate 30. In this case, it means that the imprint resist solution is sufficiently cured, and at least means that the light transmittance of light having a wavelength of 200 nm or more from the other surface to the one surface is 50% or more. .
The “strength functioning as a mold structure” means that the imprint resist layer 24 formed on the substrate 30 is pressed against the imprint resist layer 24 under the condition that the average surface pressure is 1 kgf / cm 2 or more. Also means strength that does not break in a peelable manner.

<磁気記録媒体の作製方法>
以下、本発明のモールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体の製造方法について、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るモールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
<Method for producing magnetic recording medium>
Hereinafter, a method for manufacturing a magnetic recording medium such as a discrete track medium and a patterned medium manufactured using the mold structure of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the magnetic recording medium according to the present invention may be manufactured by a manufacturing method other than the following manufacturing method as long as it is manufactured using the mold structure according to the present invention.

図9に示すように、磁性層50と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層25とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板40に対して、モールド構造体1を押し当て、加圧することにより、モールド構造体1上に形成されたデータ領域の凹凸パターン、及びサーボ領域の凹凸パターンがインプリントレジスト層25に転写される。   As shown in FIG. 9, the mold structure 1 is pressed against a substrate 40 of a magnetic recording medium in which a magnetic layer 50 and an imprint resist layer 25 formed by applying an imprint resist solution are formed in this order. By applying pressure, the uneven pattern of the data area and the uneven pattern of the servo area formed on the mold structure 1 are transferred to the imprint resist layer 25.

ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層25として、モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層24と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層25、及び該インプリントレジスト層25を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
Here, as the imprint resist layer 25 in the production of the magnetic recording medium, the same imprint resist composition as the imprint resist layer 24 in the production of the mold structure may be employed.
Hereinafter, unless otherwise specified, the imprint resist layer and the imprint resist composition refer to the imprint resist layer 25 in the production of the magnetic recording medium and the imprint resist composition that forms the imprint resist layer 25. And

その後、データ領域の凹凸パターン、及びサーボ領域の凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層25をマスクにして、エッチング工程を行い、モールド構造体1上に形成された凹凸パターンを磁性層50に形成し、凹部に非磁性材料を埋め込むことによって、非磁性層70を形成し、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜形成などのその他の工程を行って磁気記録媒体100を得る。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層25に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層50に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、例えばイオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ar、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはCO+NH、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をSiO、カーボン、アルミナ;ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリスチレン(PS)等のポリマー;潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
Thereafter, the imprint resist layer 25 to which the concave / convex pattern in the data area and the concave / convex pattern in the servo area are transferred is used as a mask to perform an etching process to form the concave / convex pattern formed on the mold structure 1 on the magnetic layer 50. Then, after embedding a nonmagnetic material in the recess to form the nonmagnetic layer 70 and planarizing the surface, other steps such as forming a protective film are performed as necessary to obtain the magnetic recording medium 100.
The etching step is a step of forming a concavo-convex shape based on the resist concavo-convex pattern shape formed in the imprint resist layer 25 in the data region on the magnetic layer 50 in the data region.
As the method for forming the uneven shape, for example, techniques such as ion beam etching, reactive chemical etching, and wet etching can be used.
Ar can be used as a process gas in ion beam etching, and CO + NH 3 , chlorine gas, or the like can be used as an etchant in reactive chemical etching.
As the other steps, if necessary, the recesses of the magnetic layer are filled with SiO 2 , carbon, alumina; a polymer such as polymethyl methacrylate (PMMA) or polystyrene (PS); a nonmagnetic material such as lubricating oil. Examples thereof include a step, a step of flattening the surface, a step of forming a protective film with DLC (diamond-like carbon) or the like on the flattened surface, and finally a step of applying a lubricant.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
<モールド構造体の作製>
−原盤の作製−
直径8インチの円板状のSi基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて100nmの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光し、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをSi基板上に形成した。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Si基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Si基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
Example 1
<Production of mold structure>
-Production of master-
An electron beam resist was applied to a thickness of 100 nm on a disk-like Si substrate having a diameter of 8 inches by using a spin coating method.
By exposing and developing a desired pattern with a rotary electron beam exposure apparatus, the electron beam resist having a concavo-convex pattern was formed on a Si substrate.
Using the electron beam resist having a concavo-convex pattern as a mask, a reactive ion etching process is performed on the Si substrate to form a concavo-convex shape on the Si substrate.
The remaining electron beam resist was removed by washing with a soluble solvent and dried to obtain a master.

ここで、データ領域における凹凸パターンとしては、凸部の巾を120nmとし、凹部の巾を30nm(トラックピッチ=150nm)とした。
また、サーボ領域における凹凸パターンは、基準信号長を80nmとし、総セクタ数を120とし、プリアンブル部(45bit)、SAM部(10bit)、SectorCode部(8bit)、CylinderCode部(32bit)、及びバースト部で構成されるようにした。
前記SAM部は、“0000101011”であり、前記SectorCode部における凹凸パターンは、Binary変換を用いて形成され、CylinderCode部における凹凸パターンは、Gray変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成されるようにした。
また、前記バースト部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号(16bit)とした。
Here, as the concavo-convex pattern in the data region, the width of the convex portion was 120 nm, and the width of the concave portion was 30 nm (track pitch = 150 nm).
The uneven pattern in the servo area has a reference signal length of 80 nm, a total number of sectors of 120, a preamble portion (45 bits), a SAM portion (10 bits), a SectorCode portion (8 bits), a CylinderCode portion (32 bits), and a burst portion. Was made up of.
The SAM portion is “0000101011”, and the uneven pattern in the SectorCode portion is formed by using the binary conversion, and the uneven pattern in the cylinder code portion is formed by using the Gray conversion, and finally by using the Manchester conversion. To be formed.
The uneven pattern in the burst portion was a general phase burst signal (16 bits).

−電鋳処理−
上記原盤上に、スパッタ法を用いてNi(ニッケル)導電性膜を厚み20nmに形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、55℃に保温されたスルファミン酸Ni浴に浸漬し、電解メッキにより、厚み200μmのNi膜を形成した。その後、55℃に保温された剥離槽内の純水に浸漬し、原盤よりNi膜を剥離した。以上により、Ni製のモールド構造体1を作製した。
-Electroforming process-
A Ni (nickel) conductive film having a thickness of 20 nm was formed on the master by sputtering. The master after forming the conductive film was immersed in a sulfamic acid Ni bath kept at 55 ° C., and an Ni film having a thickness of 200 μm was formed by electrolytic plating. Then, it was immersed in the pure water in the peeling tank kept at 55 degreeC, and Ni film | membrane was peeled from the original disk. Thus, a Ni mold structure 1 was produced.

<粘着層の形成>
上記のようにして作製されたモールド構造体1の凹凸パターンが形成された側の面上に、粘着層材料(アクリル樹脂系)を厚みが15μmとなるように回転数を制御しながらスピンコート法により形成した。以上により、実施例1のモールド構造体を作製した。
<Formation of adhesive layer>
Spin coating method while controlling the number of revolutions of the adhesive layer material (acrylic resin) on the surface of the mold structure 1 produced as described above on which the concave / convex pattern is formed, so that the thickness is 15 μm. Formed by. Thus, a mold structure of Example 1 was produced.

<磁気記録媒体の作製>
2.5インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第1の非磁性配向層、第2の非磁性配向層、磁性層(「磁気記録層」ということがある)、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第1の非磁性配向層、第2の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
<Preparation of magnetic recording medium>
Each layer was formed on a 2.5-inch glass substrate by the following procedure to produce a magnetic recording medium.
The produced magnetic recording medium has a soft magnetic layer, a first nonmagnetic alignment layer, a second nonmagnetic alignment layer, a magnetic layer (sometimes referred to as a “magnetic recording layer”), a protective layer, and a lubricant layer in this order. Is formed.
The soft magnetic film, the first nonmagnetic alignment layer, the second nonmagnetic alignment layer, the magnetic recording layer, and the protective layer were formed by a sputtering method, and the lubricant layer was formed by a dip method.

<軟磁性層の形成>
軟磁性層として、CoZrNbよりなる層を100nmの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、CoZrNbターゲットと対向させて設置し、Arガスを0.6Paの圧力になるように流入させ、DC 1,500Wで成膜した。
<Formation of soft magnetic layer>
As the soft magnetic layer, a layer made of CoZrNb was formed with a thickness of 100 nm.
Specifically, the glass substrate was placed facing the CoZrNb target, Ar gas was introduced to a pressure of 0.6 Pa, and a film was formed at DC 1,500 W.

<第1の非磁性配向層の形成>
第1の非磁性配向層として、5nmの厚みのTi層を形成した。
具体的に、第1の非磁性配向層は、Tiターゲットと対向設置し、Arガスを0.5Paの圧力になるように流入させ、DC 1,000Wで放電し、5nmの厚みになるようにTiシード層を成膜した。
<Formation of first nonmagnetic alignment layer>
A Ti layer having a thickness of 5 nm was formed as the first nonmagnetic alignment layer.
Specifically, the first nonmagnetic alignment layer is placed opposite to the Ti target, Ar gas is flowed to a pressure of 0.5 Pa, discharge is performed at DC 1,000 W, and the thickness is 5 nm. A Ti seed layer was formed.

<第2の非磁性配向層の形成>
その後、第2の非磁性配向層として、10nmの厚みのRu層を形成した。
第1の非磁性配向層形成後に、Ruターゲットと対向させて設置し、Arガスを0.5Paの圧になるように流入させ、DC 1,000Wで放電し、10nmの厚みになるように第2の非磁性配向層としてRu層を成膜した。
<Formation of Second Nonmagnetic Orientation Layer>
Thereafter, a Ru layer having a thickness of 10 nm was formed as a second nonmagnetic alignment layer.
After the first nonmagnetic alignment layer is formed, it is placed facing the Ru target, Ar gas is introduced to a pressure of 0.5 Pa, discharge is performed at DC 1,000 W, and the thickness is 10 nm. A Ru layer was formed as the second nonmagnetic alignment layer.

<磁気記録層の形成>
その後、磁気記録層として、CoCrPtO層を15nmの厚みで形成した。
具体的には、CoPtCrターゲットと対向させて設置し、O 0.04%を含むArガスを、圧力が18Paとなるようにして流入させ、DC 290Wで放電し、磁気記録層を形成した。
<Formation of magnetic recording layer>
Thereafter, a CoCrPtO layer having a thickness of 15 nm was formed as a magnetic recording layer.
Specifically, it was placed facing the CoPtCr target, Ar gas containing 0.04% O 2 was introduced at a pressure of 18 Pa, and discharged at DC 290 W to form a magnetic recording layer.

<保護層の形成>
磁性層形成後に、Cターゲットと対向させて設置し、Arガスを、圧力が0.5Paになるように流入させ、DC 1,000Wで放電し、C保護層を4nmの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、334kA/m(4.2kOe)とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第1の非磁性材料は、PtOである。
<Formation of protective layer>
After the magnetic layer was formed, it was placed facing the C target, Ar gas was flowed in so that the pressure became 0.5 Pa, discharged at DC 1,000 W, and the C protective layer was formed with a thickness of 4 nm.
The coercive force of the magnetic recording medium was 334 kA / m (4.2 kOe).
In addition, the first nonmagnetic material of the magnetic recording medium in this example is PtO.

<インプリントレジスト層の形成>
前記保護層上に、アクリル系レジスト(東洋合成工業株式会社製、PAK−01−500)を200nmの厚みになるように、スピンコート法(3,600rpm)により、インプリントレジスト層を形成した。
<Formation of imprint resist layer>
On the protective layer, an imprint resist layer was formed by spin coating (3,600 rpm) so that an acrylic resist (PAK-01-500, manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.) had a thickness of 200 nm.

<転写工程>
前記モールドの粘着層を剥離し、インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸パターンが形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を3MPaの圧力にて10秒間密着させ、紫外線を10mJ/cm照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、O反応性化学エッチングにて除去した。このO反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
<Transfer process>
The substrate on which the imprint resist layer is formed by separating the adhesive layer of the mold and placing the imprint resist layer on the surface on which the uneven pattern of the mold is opposed to the substrate. Was adhered for 10 seconds at a pressure of 3 MPa, and ultraviolet rays were irradiated at 10 mJ / cm 2 .
After completing the above steps, the mold was peeled from the substrate on which the imprint resist layer was formed.
Thereafter, by transferring the uneven pattern of the mold to the imprint resist layer, the imprint resist layer remaining in the recesses of the uneven pattern formed on the imprint resist layer is subjected to O 2 reactive chemical etching. Removed. This O 2 reactive chemical etching is performed so that the magnetic layer is exposed in the recess.

<磁性パターン部形成工程>
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Arガスを用い、イオン加速エネルギーは500eVとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、O反応性化学エッチングにて、磁性層(未加工部分)上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、PFPE潤滑剤を2nmの厚みに塗布した。
<Magnetic pattern part formation process>
After removing the imprint resist layer remaining in the concave portion, the concave and convex shape of the magnetic layer was processed.
As the processing of the magnetic layer, an ion beam etching method was used.
Specifically, Ar gas was used, the ion acceleration energy was 500 eV, and an ion beam was incident on the magnetic layer from the vertical direction.
After processing the magnetic layer in this way, the resist remaining on the magnetic layer (unprocessed portion) is removed by O 2 reactive chemical etching.
Thereafter, a PFPE lubricant was applied to a thickness of 2 nm by a dip method.

<非磁性パターン部形成工程>
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが50nmとなるように、スパッタリングを実施してSiO層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、SiO層を除去した。
<Nonmagnetic pattern part formation process>
After processing the magnetic layer, a SiO 2 layer is formed by sputtering so that the layer containing the magnetic material has a thickness of 50 nm, and the magnetic layer and the nonmagnetic layer are surfaced by ion beam etching. The SiO 2 layer was removed to be unity.

(実施例2〜14及び比較例1〜4)
実施例1において、表1に示すように、粘着層材料及び粘着層厚み、支持体の有無、剥離層の有無、並びに封止層の有無を変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜14及び比較例1〜4のモールド構造体を作製した。
なお、支持体なしの場合には、粘着層材料を所望の厚みとなるように回転数を制御しながらスピンコート法により形成した。
一方、支持体ありの場合には、粘着層材料を支持体(エチレン酢酸ビニルコポリマー;厚み135μm)上へ所望の厚みになるように塗布し、乾燥させた後、モールドに貼り付けることで形成した。
剥離層としては、住友スリーエム株式会社製 EGC−1720を用いてディップコートした後、150℃で1時間の熱処理をし、住友スリーエム株式会社製 HFE−7100を用いてリンス処理を行って形成した。
封止層としては、モールドの直径より40mm大きいサイズのシリコーンゴム(厚み500μm)を用い、粘着層を形成済みのモールド構造体を両面から挟み込んで真空に引くことにより、密閉性を確保する処理を行って形成した。
その後、作製したモールド構造体を用いて、実施例1と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
(Examples 2-14 and Comparative Examples 1-4)
In Example 1, as shown in Table 1, except that the adhesive layer material and the adhesive layer thickness, the presence or absence of the support, the presence or absence of the release layer, and the presence or absence of the sealing layer were changed, Mold structures of Examples 2 to 14 and Comparative Examples 1 to 4 were produced.
In the case of no support, the pressure-sensitive adhesive layer material was formed by spin coating while controlling the number of rotations so as to have a desired thickness.
On the other hand, in the case with a support, the adhesive layer material was applied on the support (ethylene vinyl acetate copolymer; thickness 135 μm) to a desired thickness, dried, and then attached to a mold. .
The release layer was formed by dip coating using EGC-1720 manufactured by Sumitomo 3M Limited, followed by heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, and rinsing using HFE-7100 manufactured by Sumitomo 3M Limited.
As the sealing layer, a silicone rubber (thickness 500 μm) 40 mm larger than the diameter of the mold is used, and the mold structure with the adhesive layer already formed is sandwiched from both sides and vacuumed to ensure sealing performance. Formed to go.
Thereafter, a magnetic recording medium was produced in the same manner as in Example 1 using the produced mold structure.

<粘着層の厚み>
粘着層の厚みは、デジマチックインジケータ(ミツトヨ株式会社製、ID−CG)による測定でおおよその値を求め、分光エリプソメーター(Five Lab社製、MARY−102)を用いて測定した。結果を表1に示す。
<Thickness of adhesive layer>
The thickness of the adhesive layer was determined using a spectroscopic ellipsometer (MARY-102, manufactured by Five Lab) after obtaining an approximate value by measurement using a digimatic indicator (ID-CG, manufactured by Mitutoyo Corporation). The results are shown in Table 1.

<粘着層の粘着力>
粘着層の粘着力は、試料をシリコンウエハーにスピンコート法で形成し、乾燥させた後、PETフィルムで裏打ちした後、180°ピール力を引張速度300mm/分で測定した。結果を表1に示す。
<Adhesive strength of adhesive layer>
The adhesive strength of the adhesive layer was measured by forming a sample on a silicon wafer by spin coating, drying, backing with a PET film, and then measuring 180 ° peel force at a tensile speed of 300 mm / min. The results are shown in Table 1.

<汚染性の評価>
作製した各モールド構造体について、蛍光X線分析装置(島津製作所製、XRF-1700)を用いて、粘着層を形成する前のモールド表面のC量と粘着層を形成してから24時間経過後に粘着層を除去した後のモールド表面C量との差を増加分として求め、該増加分が5質量%未満を汚染性○、5質量%以上を汚染性×と判定した。結果を表2に示す。
<Evaluation of contamination>
About each produced mold structure, the amount of C on the mold surface before forming the adhesive layer and the adhesive layer were formed using a fluorescent X-ray analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation, XRF-1700), and 24 hours later. The difference from the amount C of the mold surface after removing the adhesive layer was determined as an increase, and the increase was determined to be less than 5% by mass as contamination, and 5% by mass as contamination x. The results are shown in Table 2.

<耐振動性の評価>
作製した各モールド構造体について、45kHzの超音波加振状態を24時間維持した後の粘着層剥離後のモールド表面のC量の増加分を上記汚染性の評価と同様にして求め、該増加分が5質量%未満を汚染性○、5質量%以上を汚染性×と判定した。結果を表2に示す。
<Evaluation of vibration resistance>
For each mold structure produced, the amount of increase in the amount of C on the mold surface after peeling of the adhesive layer after maintaining the state of ultrasonic vibration at 45 kHz for 24 hours was determined in the same manner as in the evaluation of the contamination, and the amount of increase Of less than 5% by mass was judged as contamination, and 5% by mass or more was judged as contamination. The results are shown in Table 2.

<保存安定性の評価>
作製した各モールド構造体について、60℃、80%RHの恒温恒湿環境下に24時間静置した後の粘着層剥離後のモールド表面のC量の増加分を上記汚染性の評価と同様にして求め、該増加分が5質量%未満を保存安定性○、5質量%以上を汚染性×と判定した。結果を表2に示す。
<Evaluation of storage stability>
For each mold structure produced, the increase in the amount of C on the mold surface after the adhesive layer was peeled off after being left in a constant temperature and humidity environment of 60 ° C. and 80% RH for 24 hours was the same as the evaluation of the contamination property. When the increase was less than 5% by mass, the storage stability was evaluated as ○, and when 5% by mass or more was determined as contamination x. The results are shown in Table 2.

Figure 2009129506
*アクリル樹脂系:(メタ)アクリル酸アルキルエステル系ポリマー
*ビニルレジン:塩化ビニル/酢酸ビニルコポリマー
Figure 2009129506
* Acrylic resin: (Meth) acrylic acid alkyl ester polymer * Vinyl resin: Vinyl chloride / vinyl acetate copolymer

Figure 2009129506
Figure 2009129506

表1及び表2の結果から、モールド構造体の凹凸パターンが形成された側の面に、厚みが0.5μm〜15μmであり、かつ粘着力が対シリコンで0.39N/20mm〜3.0N/20mmである粘着層を設けた実施例1〜14は、粘着層の条件を充たさない比較例1〜4に対して、汚染性が低く、耐振動性、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体を提供することができた。   From the results of Tables 1 and 2, the thickness of the mold structure on the side where the concave / convex pattern is formed is 0.5 μm to 15 μm and the adhesive strength is 0.39 N / 20 mm to 3.0 N with respect to silicon. Examples 1 to 14 provided with a pressure-sensitive adhesive layer of / 20 mm have low contamination, excellent vibration resistance, surface defects, and stability over time, as compared with Comparative Examples 1 to 4 that do not satisfy the conditions of the pressure-sensitive adhesive layer. A mold structure can be provided.

本発明のモールド構造体は、汚染性が低く、耐振動性、表面欠陥、及び経時安定性に優れ、所定期間を経た後においても、転写精度が維持されるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。   The mold structure of the present invention has low contamination, excellent vibration resistance, surface defects, and stability over time, and transfer accuracy is maintained even after a predetermined period of time. It is suitable for production of a media.

図1は、本発明のモールド構造体の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a mold structure of the present invention. 図2Aは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view showing a configuration of an adhesive layer in the mold structure of the present invention. 図2Bは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view showing the configuration of the adhesive layer in the mold structure of the present invention. 図2Cは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。FIG. 2C is a cross-sectional view showing the configuration of the adhesive layer in the mold structure of the present invention. 図2Dは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。FIG. 2D is a cross-sectional view showing the configuration of the adhesive layer in the mold structure of the present invention. 図2Eは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。FIG. 2E is a cross-sectional view showing the configuration of the adhesive layer in the mold structure of the present invention. 図2Fは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。FIG. 2F is a cross-sectional view showing the configuration of the adhesive layer in the mold structure of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a mold structure according to the first embodiment of the present invention. 図4Aは、本発明の第2の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a mold structure according to a second embodiment of the present invention. 図4Bは、本発明の第2の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the mold structure according to the second embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第3の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a mold structure according to the third embodiment of the present invention. 図6Aは、本発明の第4の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a mold structure according to a fourth embodiment of the present invention. 図6Bは、本発明の第4の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 6B is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a mold structure in the fourth embodiment of the present invention. 図7Aは、本発明の第5の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a mold structure according to a fifth embodiment of the present invention. 図7Bは、本発明の第5の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 7B is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the mold structure according to the fifth embodiment of the present invention. 図8Aは、本発明の第6の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a mold structure according to a sixth embodiment of the present invention. 図8Bは、本発明の第6の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the mold structure according to the sixth embodiment of the present invention. 図9は、本発明のモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a manufacturing method for manufacturing a magnetic recording medium using the mold structure of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 モールド構造体
2 基板
2a 表面
3 凸部
4 凹部
5 粘着層
6 支持体
7 封止層
8 剥離層
10 Si基板
11 Si原盤
21 フォトレジスト層
22 導電膜
23 Ni基板
24 インプリントレジスト層
25 インプリントレジスト層
40 磁気記録媒体の基板
50 磁性層
70 非磁性層
100 磁気記録媒体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mold structure 2 Substrate 2a Surface 3 Convex part 4 Concave part 5 Adhesive layer 6 Support body 7 Sealing layer 8 Release layer 10 Si substrate 11 Si master 21 Photoresist layer 22 Conductive film 23 Ni substrate 24 Imprint resist layer 25 Imprint Resist layer 40 Magnetic recording medium substrate 50 Magnetic layer 70 Nonmagnetic layer 100 Magnetic recording medium

Claims (8)

円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が形成された凹凸パターンと、少なくとも前記一の表面上に粘着層とを有してなり、
前記粘着層が、その厚みが0.5μm〜15μmであり、かつ粘着力が対シリコンで0.39N/20mm〜3.0N/20mmであることを特徴とするモールド構造体。
A disc-shaped substrate, a concavo-convex pattern in which a plurality of convex portions are formed on one surface of the substrate, and an adhesive layer on at least the one surface;
A mold structure characterized in that the adhesive layer has a thickness of 0.5 μm to 15 μm and an adhesive strength of 0.39 N / 20 mm to 3.0 N / 20 mm with respect to silicon.
粘着層が、略全ての表面を覆うように形成された請求項1に記載のモールド構造体。   The mold structure according to claim 1, wherein the adhesive layer is formed so as to cover substantially the entire surface. 一の表面と粘着層との間に剥離層が形成された請求項1から2のいずれかに記載のモールド構造体。   The mold structure according to claim 1, wherein a release layer is formed between the one surface and the adhesive layer. 粘着層における一の表面と反対側の面に支持体が設けられる請求項1から3のいずれかに記載のモールド構造体。   The mold structure according to any one of claims 1 to 3, wherein a support is provided on a surface opposite to the one surface of the adhesive layer. 封止層によって封止された請求項1から4のいずれかに記載のモールド構造体。   The mold structure according to claim 1, which is sealed with a sealing layer. 粘着層の材料が、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系ポリマーである請求項1から5のいずれかに記載のモールド構造体。   The mold structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the material of the adhesive layer is a (meth) acrylic acid alkyl ester-based polymer. 請求項1から6のいずれかに記載のモールド構造体の粘着層を剥離し、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体上に形成された凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。   The pressure-sensitive adhesive layer of the mold structure according to any one of claims 1 to 6 is peeled off and pressed against an imprint resist layer made of an imprint resist composition formed on a substrate of a magnetic recording medium, to thereby form the mold structure. An imprint method comprising at least a transfer step of transferring an uneven pattern formed thereon. インプリントレジスト組成物の粘度が、1mPa・s〜200mPa・sである請求項7に記載のインプリント方法。   The imprint method according to claim 7, wherein the imprint resist composition has a viscosity of 1 mPa · s to 200 mPa · s.
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