JP2009121978A - Semiconductor testing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、自己診断機能を備えた半導体試験装置に関し、特に、自己診断のトータル時間を短くすることができる半導体試験装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus having a self-diagnosis function, and more particularly to a semiconductor test apparatus that can shorten the total time of self-diagnosis.
一般に、半導体試験装置は、被試験対象(以下DUTともいう)であるIC、LSI等に試験信号を与えることにより得られるDUTの出力に基づき、DUTの良否の判定を行なうものである。 Generally, a semiconductor test apparatus determines whether a DUT is good or bad based on the output of the DUT obtained by giving a test signal to an IC, LSI, or the like to be tested (hereinafter also referred to as a DUT).
ところで、このような半導体試験装置には、各ユニットが仕様の範囲内で動作するか否かを試験・判定するための自己診断機能が備わっている。すなわち、半導体試験装置は、定期的に、自己診断(校正および診断)を実行することで、校正トレーサビリティを確保し、精度保証された状態で測定を行うと共に、システムの異常箇所をいち早く検出することができるように校正されている。このような自己診断機能を備えた半導体試験装置の先行技術文献としては次のようなものがある。 By the way, such a semiconductor test apparatus has a self-diagnosis function for testing / determining whether each unit operates within a specification range. In other words, the semiconductor test equipment periodically performs self-diagnosis (calibration and diagnosis) to ensure calibration traceability, perform measurement in a state where accuracy is guaranteed, and quickly detect abnormal points in the system. It has been calibrated so that The following is a prior art document of a semiconductor test apparatus having such a self-diagnosis function.
以下、従来の半導体試験装置を説明する。図6は、従来技術によるWafer Test(ウエハーテスト)間に実施される校正および診断のタイムチャートである。図6のように、Wafer Test間に、校正と診断を実行する事象が発生した場合、まず、校正のみを実行し、次に、診断を実行する。すなわち、校正と診断は、Wafer Test間という短時間のうちに効率良く実行する必要がある。 A conventional semiconductor test apparatus will be described below. FIG. 6 is a time chart of calibration and diagnosis performed during a wafer test according to the prior art. As shown in FIG. 6, when an event for executing calibration and diagnosis occurs between Wafer Tests, first, only calibration is executed, and then diagnosis is executed. In other words, calibration and diagnosis need to be executed efficiently in a short time between wafer tests.
図7は、従来技術によるWafer Test間に実施される校正のタイムチャートである。図7では、まずA校正が行なわれ、続いてB校正が行なわれ、以下C校正、D校正の順に続いている。つまり、各校正の実行タイミングは、互いに重なることがなく、分離された処理が次々と行われる。そのため、A校正を実行している間、B校正〜D校正は行なわれず、後述するBカード20〜Dカード40は、動作しない空き時間となる。
FIG. 7 is a time chart of calibration performed during the Wafer Test according to the prior art. In FIG. 7, A calibration is first performed, then B calibration is performed, and C calibration and D calibration are subsequently performed in this order. That is, the execution timings of the calibrations do not overlap each other, and the separated processes are performed one after another. Therefore, while the A calibration is being executed, the B calibration to the D calibration are not performed, and the later-described
図8は、従来技術による半導体試験装置の構成図である。テスタコントローラ(以下、「TSC」)1は校正・診断の実行制御を行うものであり、図示しないCPU、RAM、ROMの他、校正実行手段2と診断実行手段3を備える。 FIG. 8 is a configuration diagram of a conventional semiconductor test apparatus. A tester controller (hereinafter referred to as “TSC”) 1 controls execution of calibration / diagnosis, and includes a calibration execution means 2 and a diagnosis execution means 3 in addition to a CPU, RAM, and ROM (not shown).
校正実行手段2は、後述する各カード(符号10〜符号40)に対してWafer Testの間に校正を実行する。診断実行手段3は校正が終わった各カードに対して診断を実行する。 The calibration execution means 2 executes calibration for each card (reference numeral 10 to numeral 40) described later during the wafer test. The diagnosis execution means 3 executes diagnosis for each card that has been calibrated.
BUSYライン312〜BUSYライン315は、テストプログラムの実行やテストデータの伝送を行なうものであるが、これらのBUSYラインを利用して自己診断による校正と診断も行なわれる。また、BUSYライン312〜BUSYライン315は、BUSYライン311を共有する。 The BUSY line 312 to the BUSY line 315 execute a test program and transmit test data. The BUSY line is used for calibration and diagnosis by self-diagnosis. The BUSY line 312 to the BUSY line 315 share the BUSY line 311.
すなわち、TSC1の校正実行手段2が、例えばBカード20にコマンドを送ると、Bカード20がTSC1の制御部で4制御され、その間は、他のカード(例えばDカード40)がBUSYライン311を利用することができず、TSC1は複数のカードの制御を同時に行うことができなくなる。
That is, when the calibration execution means 2 of the TSC1 sends a command to the
図9は、従来のBUSYラインを使用したプロセスのタイムチャートである。各カード(符号10〜40)を制御する場合、プロセスA411〜プロセスD414は順番に実行される。 FIG. 9 is a time chart of a process using a conventional BUSY line. When controlling each card (code | symbol 10-40), process A411-process D414 are performed in order.
このように、従来の半導体試験装置は、複数のカードでBUSYライン311を共有していた。 As described above, the conventional semiconductor test apparatus shares the BUSY line 311 with a plurality of cards.
ところで、図8のようにBUSYラインを複数のカードで共有すると、それだけパターンを引き回す量を軽減することができるというメリットがある。 By the way, if the BUSY line is shared by a plurality of cards as shown in FIG. 8, there is an advantage that the amount of pattern routing can be reduced accordingly.
しかし、校正と診断を、Wafer Test間という限られた時間の中で行う必要があるため効率の良い自己診断が従来から要求されている。また、図8のようにBUSYラインを共有すると、TSC1は複数のカード(符号10〜符号40)の制御を同時に行うことができないため、一つの校正が実行されている間、他のカードは動作しない空き時間となり、トータルの処理時間が長くなるという問題がある。 However, since calibration and diagnosis need to be performed within a limited time between Wafer Tests, an efficient self-diagnosis has been conventionally required. Also, if the BUSY line is shared as shown in FIG. 8, the TSC1 cannot control a plurality of cards (reference numerals 10 to 40) at the same time, so that other cards operate while one calibration is executed. There is a problem that the total processing time becomes longer due to the unused time.
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、自己診断のトータル時間を短くすることができる半導体試験装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to provide a semiconductor test apparatus capable of shortening the total time of self-diagnosis.
このような課題を達成するために請求項1記載の発明は、
被試験対象をテストする間に複数の装置に対して自己診断を行うTSCを備え、前記装置の故障を検出する半導体試験装置において、
前記TSCは、
複数の前記装置に対して校正を行う校正実行手段と、
この校正実行手段で校正された複数の前記装置に対して診断を行う診断実行手段と、
前記校正実行手段と前記診断実行手段を制御する制御部と、
複数の前記装置のそれぞれに設けられ、前記TSCと接続される複数のBUSYラインと
を備える。
In order to achieve such a problem, the invention described in claim 1
In a semiconductor test apparatus that includes a TSC that performs self-diagnosis on a plurality of devices while testing a test object, and detects a failure of the device,
The TSC is
Calibration execution means for calibrating a plurality of the devices;
Diagnosis execution means for diagnosing a plurality of the devices calibrated by the calibration execution means;
A controller for controlling the calibration execution means and the diagnosis execution means;
A plurality of BUSY lines provided in each of the plurality of devices and connected to the TSC.
また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の半導体試験装置において、
前記校正実行手段は、複数の前記装置のそれぞれに対して並列に校正を実行し、前記診断実行手段は、複数の前記装置のうち校正が終了したものから順番に診断を実行する。
The invention described in
The calibration execution unit executes calibration in parallel with respect to each of the plurality of devices, and the diagnosis execution unit executes diagnosis in order from the one of the plurality of devices that has been calibrated.
さらに、請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載の半導体試験装置において、
前記TSCと複数の前記装置を接続する全体BUSYラインを備え、
前記制御部は、校正の開始または終了、ならびに診断の開始または終了を、前記全体BUSYラインを介して行う。
Furthermore, the invention according to
An overall BUSY line connecting the TSC and the plurality of devices;
The control unit starts or ends calibration and starts or ends diagnosis through the entire BUSY line.
本発明では、次のような効果がある。BUSYラインをカード毎に実装したので、自己診断のトータル時間を短くすることができる半導体試験装置を提供することができる。 The present invention has the following effects. Since the BUSY line is mounted for each card, it is possible to provide a semiconductor test apparatus that can shorten the total time of self-diagnosis.
以下、本発明のデータ伝送装置を説明する。図1は、本発明による半導体試験装置の構成図であるが、図8と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。BUSYライン512はカードA11とTSC1を接続する。同様にして、BUSYライン513〜515は、それぞれBカード21、Cカード31、Dカード41とTSC1を接続する。なお、Aカード11〜Dカード41に共通して全体BUSYライン511を設けても差し支えない。 The data transmission apparatus of the present invention will be described below. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor test apparatus according to the present invention. The same components as those in FIG. The BUSY line 512 connects the card A11 and TSC1. Similarly, BUSY lines 513 to 515 connect B card 21, C card 31, D card 41 and TSC 1, respectively. Note that the entire BUSY line 511 may be provided in common with the A card 11 to the D card 41.
次に、図1の動作について図面を参照して説明する。図2は、複数のBUSYラインを使用した並列プロセスのタイムチャートである。図2のプロセスA〜Dは、各カードのBUSYライン512、513、514、515を使用することで、次のように並列処理を行う。 Next, the operation of FIG. 1 will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a time chart of a parallel process using a plurality of BUSY lines. The processes A to D in FIG. 2 perform parallel processing as follows by using the BUSY lines 512, 513, 514, and 515 of each card.
すなわち、TSC1の制御部4は、BUSYライン512でプロセスAの実行状態(開始および終了)を監視し、BUSYライン513でプロセスBの実行状態を監視し、BUSYライン514でプロセスCの実行状態を監視し、BUSYライン515でプロセスDの実行状態を監視する。
That is, the
なお、TSC1は制御部4の命令により、実行開始の際は、全体BUSYライン511を用いて、Aカード11〜Dカード41のそれぞれに対して校正、または診断を開始する旨の信号を出力しても良く、さらに、校正または診断の終了後は、再び全体BUSYライン511を用いて校正が終了した旨の信号を当該カードからTSC1に向けて出力しても良い。
The TSC 1 outputs a signal to start calibration or diagnosis for each of the A card 11 to D card 41 using the entire BUSY line 511 at the start of execution in accordance with an instruction from the
また、TSC1の制御部4は、全体BUSYライン511を使用せずにTSC1の図示しないメモリを利用して、カードごとに校正および診断を行う旨のフラグを立てることにより、自己診断を行なっているカードを管理しても良い。この場合には、全体BUSYラインは特に必要ない。
Further, the
TSC1は、これらのプロセス終了後、各カード(符号11、21、31、41)は連続して、以下に示す別のプロセスを実行することができる。すなわち、TSC1は、カードA11に関してはプロセスAの終了後、プロセスA´611を続けて行い、カードB21に関してはプロセスBの終了後、プロセスB´612を続けて行い、カードC31に関してはプロセスCの終了後、プロセスA´613を続けて行い、カードD41に関してはプロセスDの終了後、プロセスD´614を続けて行う。 After the completion of these processes, the TSC 1 can execute each of the cards (reference numerals 11, 21, 31, and 41) in succession as follows. That is, TSC1 continues process A'611 after completion of process A for card A11, continues process B'612 after completion of process B for card B21, and process C'for card C31. After the completion, the process A′613 is continued, and with respect to the card D41, the process D′ 614 is continued after the process D is finished.
このように、BUSYラインをパラレルに設けることにより各プロセスを並列に行うことができる。以下、上述した並列プロセスを利用することにより校正と診断についても並列に行うことができることを説明する。 Thus, by providing the BUSY line in parallel, each process can be performed in parallel. Hereinafter, it will be described that calibration and diagnosis can be performed in parallel by using the parallel process described above.
図3は、並列処理で行なわれる校正のタイムチャートである。各カードに対応する校正(711〜714)を、並列に行うことで、従来は空き時間となっていた時間を削減することができ、その結果校正のトータル実行時間を短縮することができる。 FIG. 3 is a time chart of calibration performed in parallel processing. By performing the calibrations (711 to 714) corresponding to the cards in parallel, it is possible to reduce the time that was previously idle, and as a result, it is possible to reduce the total execution time of calibration.
図4は、先行して行なわれる診断処理のタイムチャートである。校正実行手段2によって、校正を並列に処理した結果、各カード(符号11、21、31、41)の校正の終了時間はそれぞれ異なる。そして、各カードに対して、校正が終了した時点で、たとえ全てのカードについての校正が終わらない段階であっても、診断実行手段3が診断(811〜814)を実行することで、校正・診断のトータル実行時間を短縮できる。図4ではC校正が最初に終了しているので、C診断813が最初に開始されている。
FIG. 4 is a time chart of the diagnostic process performed in advance. As a result of the calibration being performed in parallel by the calibration execution means 2, the calibration end times of the cards (reference numerals 11, 21, 31, 41) are different. When the calibration is completed for each card, even if calibration for all the cards is not completed, the
図5は、従来技術と本発明の校正診断実行タイムチャートを比較した図面である。Wafer Test間において、校正を並列に実行し、さらに各カードの校正終了後に続けて診断を実行することにより、校正・診断のトータル実行時間を短縮することができる。 FIG. 5 is a diagram comparing the calibration diagnosis execution time chart of the prior art and the present invention. By executing calibration in parallel between Wafer Tests and further executing diagnosis after the calibration of each card is completed, the total execution time of calibration and diagnosis can be shortened.
このように、並列プロセスを利用することにより、自己診断の校正と診断についても並列に行うことができ、自己診断に要するトータル時間を短縮することができる。 Thus, by using the parallel process, the self-diagnosis calibration and diagnosis can be performed in parallel, and the total time required for the self-diagnosis can be shortened.
なお、本発明では半導体試験装置を例に示したが、必ずしもこれに限られず、校正と診断のように一連のプロセスが必要な試験装置であれば本発明を応用することができる。 In the present invention, the semiconductor test apparatus is shown as an example. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the present invention can be applied to any test apparatus that requires a series of processes such as calibration and diagnosis.
また、TSC1で各カードに対して共通するリソースを使用する場合には、本発明のように並列処理としても必ずしも所望の効果が得られるとは限らない。しかし、仮にそのような場合であっても、共通するリソースが用いられる時間が短ければ、本発明とほぼ同様な効果を得ることができ、いずれにしても校正・診断のトータル実行時間を短縮することができる。 Further, when resources common to the respective cards are used in TSC1, the desired effect is not always obtained as parallel processing as in the present invention. However, even in such a case, if the time during which the common resource is used is short, the effect similar to the present invention can be obtained, and in any case, the total execution time of the calibration / diagnosis can be shortened. be able to.
1 TSC
2 校正実行手段
3 診断実行手段
11 Aカード
21 Bカード
31 Cカード
41 Dカード
511 全体BUSYライン
512 BUSYライン
513 BUSYライン
514 BUSYライン
515 BUSYライン
1 TSC
2 Calibration execution means 3 Diagnosis execution means 11 A card 21 B card 31 C card 41 D card 511 Overall BUSY line 512 BUSY line 513 BUSY line 514 BUSY line 515 BUSY line
Claims (3)
前記TSCは、
複数の前記装置に対して校正を行う校正実行手段と、
この校正実行手段で校正された複数の前記装置に対して診断を行う診断実行手段と、
前記校正実行手段と前記診断実行手段を制御する制御部と、
複数の前記装置のそれぞれに設けられ、前記TSCと接続される複数のBUSYラインと
を備えたことを特徴とする半導体試験装置。 In a semiconductor test apparatus that includes a TSC that performs self-diagnosis on a plurality of devices while testing a test object, and detects a failure of the device,
The TSC is
Calibration execution means for calibrating a plurality of the devices;
Diagnosis execution means for diagnosing a plurality of the devices calibrated by the calibration execution means;
A controller for controlling the calibration execution means and the diagnosis execution means;
A semiconductor test apparatus comprising a plurality of BUSY lines provided in each of the plurality of apparatuses and connected to the TSC.
前記制御部は、校正の開始または終了、ならびに診断の開始または終了を、前記全体BUSYラインを介して行うことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体試験装置。 An overall BUSY line connecting the TSC and the plurality of devices;
3. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the control unit starts or ends calibration and starts or ends diagnosis via the entire BUSY line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007296900A JP2009121978A (en) | 2007-11-15 | 2007-11-15 | Semiconductor testing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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