JP2009115942A

JP2009115942A - Liquid crystal display device

Info

Publication number: JP2009115942A
Application number: JP2007287035A
Authority: JP
Inventors: Motoji Shioda; 素二塩田; Yukio Shimizu; 行男清水
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2007-11-05
Filing date: 2007-11-05
Publication date: 2009-05-28

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To narrow a frame portion while suppressing corrosion of a circuit portion. <P>SOLUTION: A liquid crystal display device S includes: a first rectangular substrate 11; a second rectangular substrate 10 disposed opposite the first substrate 11 and having a projection portion 10a partially projecting from the first substrate 11; a seal member 12 formed in a rectangular shape along an outer edge of the substrate 11 to seal a liquid crystal layer 13 between the first substrate 11 and second substrate 10; a circuit portion 15 formed on the second substrate 10 and covered with one side of the seal member 12 on the side of the projection portion 10a; and an integrated circuit chip 30 mounted on a surface of the projection portion 10a of the second substrate 10 on the side of the first substrate, wherein a notch 11a is formed in the first substrate 11 on the side of the projection portion 10a. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、液晶表示パネルに集積回路チップが実装された液晶表示装置に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which an integrated circuit chip is mounted on a liquid crystal display panel.

従来から、携帯電話、オーディオプレイヤー及びテレビ等のディスプレイとして液晶表示装置が広く知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal display devices are widely known as displays for mobile phones, audio players, televisions, and the like.

以下に、図１２を参照しながら、従来の液晶表示装置の構造について説明する。図１２は、従来の液晶表示装置１００を概略的に示す平面図である。 The structure of a conventional liquid crystal display device will be described below with reference to FIG. FIG. 12 is a plan view schematically showing a conventional liquid crystal display device 100.

液晶表示装置１００は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称する）等が形成された矩形状のＴＦＴ基板１０１と、ＴＦＴ基板１０１に対向して配置されて複数のカラーフィルタ及び共通電極等が形成された矩形状の対向基板１０２と、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間で矩形枠状のシール部材１０３によって封止された液晶層１０４とを有する液晶表示パネル１０５を備えている。ＴＦＴ基板１０１は、対向基板１０２の外縁よりも外側に突出した突出部１０１ａを有している。 The liquid crystal display device 100 includes a rectangular TFT substrate 101 on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are formed, a plurality of color filters, A liquid crystal display panel 105 having a rectangular counter substrate 102 formed with a common electrode and the like, and a liquid crystal layer 104 sealed between the TFT substrate 101 and the counter substrate 102 by a rectangular frame-shaped sealing member 103 is provided. ing. The TFT substrate 101 has a protruding portion 101 a that protrudes outward from the outer edge of the counter substrate 102.

液晶表示装置１００は、複数の画素（図示省略）からなる表示部Ａと、表示部Ａの外側の非表示部である額縁部Ｂとを有している。額縁部Ｂには、シール部材１０３における突出部１０１ａ側の１辺に沿ってシール部材１０３の外縁よりも内側に配置され、電源回路、ゲートドライバやスイッチング回路等を有する複数の回路部１０７がＴＦＴ基板１０１に形成されている。回路部１０７は、対向基板１０２の額縁部Ｂに形成されたブラックマトリクス１０６に重なっている。 The liquid crystal display device 100 includes a display portion A composed of a plurality of pixels (not shown) and a frame portion B that is a non-display portion outside the display portion A. In the frame portion B, a plurality of circuit portions 107 which are disposed on the inner side of the outer edge of the seal member 103 along one side of the seal member 103 on the protruding portion 101a side and have a power supply circuit, a gate driver, a switching circuit, etc. It is formed on the substrate 101. The circuit unit 107 overlaps the black matrix 106 formed on the frame portion B of the counter substrate 102.

また、額縁部Ｂには、液晶層１０４への電圧の印加を制御するための液晶駆動用集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）チップ（以下、ＩＣチップと称する）１０８が上記突出部１０１ａの表面に実装されると共に、ＩＣチップ１０８よりも突出部１０１ａの先端側にフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）１０９が実装されている。ＩＣチップ１０８を液晶表示パネル１０５に実装する方法としては、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の実装方法が知られている。 Further, in the frame portion B, a liquid crystal driving integrated circuit (IC) chip (hereinafter referred to as an IC chip) 108 for controlling the application of voltage to the liquid crystal layer 104 is provided on the surface of the protruding portion 101a. In addition to being mounted, a flexible printed circuit (FPC) 109 is mounted on the tip side of the protruding portion 101a with respect to the IC chip 108. As a method of mounting the IC chip 108 on the liquid crystal display panel 105, a COG (Chip On Glass) mounting method is known.

このＣＯＧ方式の実装方法としては、ＩＣチップに半田によってボンディング用バンプ電極を形成した後にその半田を熔融してＩＣチップを突出部に接続する実装方法や、ＩＣチップにＡｕ等の金属材料によってボンディング用バンプ電極を形成し、そのボンディング用バンプ電極を、絶縁性を有する接着部材中に導電性粒子が拡散された異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介して突出部に接続する実装方法（例えば、特許文献１参照）が知られている。
特開２００６−２２７３２３号公報 This COG mounting method includes a bonding method in which a bump electrode for bonding is formed on the IC chip by soldering and then the solder is melted to connect the IC chip to the protruding portion, or bonding to the IC chip by a metal material such as Au. A bump electrode is formed, and the bonding bump electrode is connected to the protruding portion through an anisotropic conductive film (ACF) in which conductive particles are diffused in an insulating adhesive member. A method (for example, refer to Patent Document 1) is known.
JP 2006-227323 A

ところで、液晶表示装置は、表示部が大きいことが好ましく、額縁部を小さくすることが求められている。しかし、ＣＯＧ方式の液晶表示装置では、ＩＣチップをＴＦＴ基板の突出部に配置するので、ＩＣチップを実装するための領域を確保するために突出部の突出長さを比較的長くする必要があり、額縁部が比較的大きくなっている。 By the way, it is preferable that the liquid crystal display device has a large display portion, and it is required to make the frame portion small. However, in the COG type liquid crystal display device, since the IC chip is disposed on the protruding portion of the TFT substrate, it is necessary to make the protruding length of the protruding portion relatively long in order to secure an area for mounting the IC chip. The frame part is relatively large.

これに対して、図１３に示すように、回路部１０７をシール部材１０３の外側に配置させ、回路部１０７とＩＣチップ１０８とをシール部材１０３に沿って並べて配置させて、額縁部Ｂを縮小することが考えられる。 On the other hand, as shown in FIG. 13, the circuit portion 107 is arranged outside the seal member 103, and the circuit portion 107 and the IC chip 108 are arranged along the seal member 103 to reduce the frame portion B. It is possible to do.

しかし、回路部１０７は耐腐食性の比較的低いＡｌ等の金属材料によって形成されているため、回路部１０７をシール部材１０３の外側に配置させる場合には、シール部材１０３の形成とは別個に樹脂材料を塗布することにより回路部１０７を樹脂層１１０で覆う工程を行う必要がある。その結果、製造工程及び材料が増加する。 However, since the circuit portion 107 is formed of a metal material such as Al having relatively low corrosion resistance, when the circuit portion 107 is disposed outside the seal member 103, the circuit portion 107 is separated from the formation of the seal member 103. It is necessary to perform a step of covering the circuit portion 107 with the resin layer 110 by applying a resin material. As a result, manufacturing processes and materials increase.

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小することにある。 The present invention has been made in view of such various points, and an object thereof is to reduce the frame portion while suppressing corrosion of the circuit portion.

上記の目的を達成するために、この発明では、第１基板の突出部側に切り欠き部を形成し、集積回路チップの少なくとも一部を切り欠き部の内側に配置するようにした。 In order to achieve the above object, according to the present invention, a notch is formed on the protruding portion side of the first substrate, and at least a part of the integrated circuit chip is disposed inside the notch.

具体的に、本発明に係る液晶表示装置は、矩形状の第１基板と、上記第１基板に対向して配置されると共に一部が上記第１基板よりも突出した突出部を有する矩形状の第２基板と、上記第１基板の外縁に沿って矩形枠状に形成されて上記第１基板と上記第２基板との間で液晶層を封止するシール部材と、上記第２基板に形成されると共に上記シール部材における上記突出部側の１辺に沿って該シール部材の外縁よりも内側に配置された回路部と、上記突出部における上記第１基板側の表面に実装された集積回路チップとを備えた液晶表示装置であって、上記第１基板には、上記突出部側に切り欠き部が形成されている。 Specifically, a liquid crystal display device according to the present invention has a rectangular first substrate and a rectangular shape that is disposed to face the first substrate and has a protruding portion partially protruding from the first substrate. The second substrate, a sealing member formed in a rectangular frame shape along the outer edge of the first substrate and sealing the liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate, and the second substrate A circuit portion formed on one side of the projecting portion side of the seal member and disposed inside the outer edge of the seal member, and an integrated circuit mounted on the surface of the projecting portion on the first substrate side. A liquid crystal display device including a circuit chip, wherein the first substrate has a notch formed on the protruding portion side.

上記集積回路チップは、少なくとも一部が上記切り欠き部の内側に配置されていることが好ましい。 It is preferable that at least a part of the integrated circuit chip is disposed inside the notch.

上記切り欠き部は、コの字状に形成されていてもよい。 The cutout portion may be formed in a U shape.

上記切り欠き部は、円弧状に形成されていてもよい。 The said notch part may be formed in circular arc shape.

上記切り欠き部は、上記第１基板における上記突出部側の１辺の中央に形成されていてもよい。 The notch may be formed at the center of one side of the first substrate on the protruding portion side.

上記切り欠き部は、上記第１基板における上記突出部側の１辺の一端側に形成されていてもよい。 The cutout portion may be formed on one end side of one side of the first substrate on the protruding portion side.

上記集積回路チップは、上記突出部に複数実装されていてもよい。 A plurality of the integrated circuit chips may be mounted on the protruding portion.

上記集積回路チップは、異方性導電フィルムを介して上記突出部に実装されていてもよい。 The integrated circuit chip may be mounted on the protruding portion via an anisotropic conductive film.

−作用−
次に、本発明の作用について説明する。 -Action-
Next, the operation of the present invention will be described.

回路部は、シール部材の外縁よりも内側に配置されているため、腐食が抑制される。そして、第１基板の突出部側に切り欠き部が形成されているため、突出部側のシール部材の１辺に直交する方向に集積回路チップと回路部とを互いに接近して配置させ、第２基板の突出部の突出長さを小さくすることが可能となる。したがって、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小することが可能になる。 Since the circuit portion is disposed on the inner side of the outer edge of the seal member, corrosion is suppressed. Since the cutout portion is formed on the protruding portion side of the first substrate, the integrated circuit chip and the circuit portion are arranged close to each other in a direction orthogonal to one side of the sealing member on the protruding portion side, It is possible to reduce the protruding length of the protruding portion of the two substrates. Therefore, it is possible to reduce the frame portion while suppressing the corrosion of the circuit portion.

特に、集積回路チップの少なくとも一部が切り欠き部の内側に配置されている場合には、集積回路チップと回路部とをより接近して配置させ、突出部の突出長さをより小さくすることが可能になるため、額縁部をさらに縮小することが可能になる。 In particular, when at least a part of the integrated circuit chip is arranged inside the notch, the integrated circuit chip and the circuit part are arranged closer to each other, and the protruding length of the protruding part is made smaller. Therefore, the frame portion can be further reduced.

そして、額縁部が縮小されることにより、一枚の液晶表示パネル母材から形成可能な液晶表示パネルの枚数が増加するため、生産性が高まる。 Further, by reducing the frame portion, the number of liquid crystal display panels that can be formed from one liquid crystal display panel base material is increased, and thus productivity is increased.

そのことに加えて、第１基板と第２基板とが対向している領域が増加するので、液晶表示装置が撓むことが抑制される。特に、集積回路チップを配置した第２基板の領域の撓みが抑制されることによって集積回路チップが撓むことが抑制される。そのことにより、耐衝撃性及び耐圧性が高まる。 In addition, since the area where the first substrate and the second substrate face each other is increased, the liquid crystal display device is prevented from being bent. In particular, the bending of the integrated circuit chip is suppressed by suppressing the bending of the region of the second substrate on which the integrated circuit chip is arranged. Thereby, impact resistance and pressure resistance are increased.

本発明によれば、回路部をシール部材の外縁よりも内側に配置させた状態で、回路部を覆ったシール部材の１辺に直交する方向に、集積回路チップと回路部とを互いに接近させて配置できるので、第２基板の突出部の突出長さを小さくできる。その結果、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小できる。 According to the present invention, the integrated circuit chip and the circuit unit are brought close to each other in a direction perpendicular to one side of the seal member that covers the circuit unit in a state where the circuit unit is disposed on the inner side of the outer edge of the seal member. Therefore, the protruding length of the protruding portion of the second substrate can be reduced. As a result, the frame portion can be reduced while suppressing corrosion of the circuit portion.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiment.

《発明の実施形態１》
図１〜図８は、本発明の実施形態１を示している。図１は、液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。図２は、図１の液晶表示装置ＳにおけるII−II線断面を概略的に示す図である。図３及び図４は、図１の液晶表示装置ＳにおけるIII−III線断面及びIV−IV線断面（液晶駆動用集積回路チップ３０の実装箇所）を拡大して示す図である。 Embodiment 1 of the Invention
1 to 8 show Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1 is a plan view schematically showing the liquid crystal display device S. FIG. FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section taken along line II-II in the liquid crystal display device S of FIG. 3 and 4 are enlarged views showing a cross section taken along line III-III and a cross section taken along line IV-IV in the liquid crystal display device S of FIG. 1 (where the liquid crystal driving integrated circuit chip 30 is mounted).

液晶表示装置Ｓは、図１及び図２に示すように、矩形状の第１基板である対向基板１１と、対向基板１１に対向して配置されると共に一部が対向基板１１よりも突出した突出部１０ａを有する矩形状の第２基板であるＴＦＴ基板１０と、対向基板１１の外縁に沿って矩形枠状に形成されて対向基板１１とＴＦＴ基板１０との間で液晶層１３を封止するシール部材１２とを備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device S is arranged to face the counter substrate 11, which is a rectangular first substrate, and to face the counter substrate 11, and a part of the liquid crystal display device S protrudes from the counter substrate 11. A TFT substrate 10 which is a rectangular second substrate having a protruding portion 10 a and a rectangular frame shape formed along the outer edge of the counter substrate 11, and the liquid crystal layer 13 is sealed between the counter substrate 11 and the TFT substrate 10. And a sealing member 12 to be used.

すなわち、液晶表示装置Ｓは、ＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向して配置された対向基板１１と、これらＴＦＴ基板１０と対向基板１１との間でシール部材１２によって封止された液晶層１３とを有する液晶表示パネル１６を備えている。液晶表示パネル１６は、シール部材１２の内側で複数の画素から構成された表示部Ａと、表示部Ａの外側の非表示部である額縁部Ｂとを有している。ここで、外側とは、液晶表示パネル１６の中央から外縁に向かう方向をいう。 That is, the liquid crystal display device S includes a TFT substrate 10, a counter substrate 11 disposed so as to face the TFT substrate 10, and a liquid crystal layer sealed by the seal member 12 between the TFT substrate 10 and the counter substrate 11. 13 is provided. The liquid crystal display panel 16 includes a display portion A composed of a plurality of pixels inside the seal member 12 and a frame portion B which is a non-display portion outside the display portion A. Here, the outside means a direction from the center of the liquid crystal display panel 16 toward the outer edge.

上記ＴＦＴ基板１０は、図示は省略するが、例えばガラス基板、石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を有し、その基板における上記表示部Ａを構成する領域の表面に、互いに平行に延びる複数のゲート配線と、それら各ゲート配線に直交して互いに平行に延びる複数のソース配線とが形成されている。これら各ゲート配線と各ソース配線との交差部毎に画素がそれぞれ設けられ、各画素にゲート配線及びソース配線に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称する）とそのＴＦＴに接続された画素電極とが形成されている。 Although not shown in the drawings, the TFT substrate 10 has an insulating substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a plastic substrate, and is parallel to each other on the surface of the region constituting the display unit A on the substrate. A plurality of gate wirings extending and a plurality of source wirings extending perpendicularly to the gate wirings and parallel to each other are formed. A pixel is provided at each intersection of each gate wiring and each source wiring, and a thin film transistor (TFT) connected to the gate wiring and source wiring in each pixel (hereinafter referred to as TFT) and the TFT. Connected pixel electrodes are formed.

また、ＴＦＴ基板１０は、１辺側が対向基板１１の外縁よりも外側に突出した突出部１０ａを有している。すなわち、ＴＦＴ基板１０の縦幅（図１の上下方向の大きさ）は対向基板１１の縦幅よりも大きく形成されると共に、ＴＦＴ基板１０の上辺（図１で上側の辺）は、ＴＦＴ基板１０の表面の法線方向から見て、対向基板１１の上辺に重なっている。そうして、ＴＦＴ基板１０の下辺側（図１の下側）が対向基板１１の外縁よりも外側に突出していることにより、ＴＦＴ基板１０の表面が対向基板１１から外部に露出する突出部１０ａが形成されている。 In addition, the TFT substrate 10 has a protruding portion 10 a having one side protruding outward from the outer edge of the counter substrate 11. That is, the vertical width (size in the vertical direction in FIG. 1) of the TFT substrate 10 is formed larger than the vertical width of the counter substrate 11, and the upper side (upper side in FIG. 1) is the TFT substrate. When viewed from the normal direction of the surface of 10, it overlaps the upper side of the counter substrate 11. As a result, the lower side of the TFT substrate 10 (the lower side in FIG. 1) protrudes outward from the outer edge of the counter substrate 11, so that the surface of the TFT substrate 10 is exposed to the outside from the counter substrate 11. Is formed.

このＴＦＴ基板１０には、シール部材１２における突出部１０ａ側の１辺１２ａに沿ってそのシール部材１２の外縁よりも内側に配置され、電源回路、ゲートドライバやスイッチング回路等を有する複数の回路部１５が形成されている。各回路部１５は、シール部材１２における突出部１０ａ側の１辺１２ａの両端側でシール部材１２に一部覆われて互いに間隔を設けて配置されている。 The TFT substrate 10 includes a plurality of circuit portions that are arranged on the inner side of the outer edge of the seal member 12 along one side 12a on the protruding portion 10a side of the seal member 12 and have a power supply circuit, a gate driver, a switching circuit, and the like 15 is formed. Each circuit portion 15 is partially covered with the seal member 12 at both ends of one side 12a on the protruding portion 10a side of the seal member 12, and is arranged with a space therebetween.

上記対向基板１１は、図示は省略するが、例えばガラス基板、石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を有し、その基板における上記表示部Ａを構成する領域の表面に複数のカラーフィルタ及びＩＴＯからなる共通電極が形成されている。 Although the illustration of the counter substrate 11 is omitted, the counter substrate 11 has an insulating substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a plastic substrate, and a plurality of color filters are formed on the surface of the region constituting the display unit A on the substrate. A common electrode made of ITO and ITO is formed.

また、対向基板１１には、額縁部Ｂを構成する領域にブラックマトリクス１４が形成されている。このブラックマトリクス１４は、各回路部１５に重なっており、図示は省略するが、表示部Ａを構成する領域において、各カラーフィルタを区画するように形成されている。 Further, on the counter substrate 11, a black matrix 14 is formed in a region constituting the frame portion B. The black matrix 14 is overlapped with each circuit portion 15 and is formed so as to partition each color filter in a region constituting the display portion A although not shown.

そして、対向基板１１には、突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａがコの字状に形成されている。この切り欠き部１１ａは、対向基板１１の突出部１０ａ側の１辺の中央に形成されている。つまり、液晶表示パネル１６の表面の法線方向から見て、回路部１５の間に切り欠き部１１ａが形成されている。 The counter substrate 11 has a notch 11a formed in a U shape on the protruding portion 10a side. The notch 11 a is formed at the center of one side of the counter substrate 11 on the protruding portion 10 a side. That is, the notch portion 11 a is formed between the circuit portions 15 when viewed from the normal direction of the surface of the liquid crystal display panel 16.

上記シール部材１２は、対向基板１１の外縁に沿って矩形枠状に形成され、突出部１０ａ側の１辺１２ａの中央に切り欠き部１１ａに沿って内側に凹んだ凹状部が形成されている。このシール部材１２は、例えばエポキシ系樹脂とアクリル系樹脂とを配合した光熱併用硬化型の樹脂材料から形成されており、このシール部材１２には導電性粒子（図示省略）が含まれている。 The sealing member 12 is formed in a rectangular frame shape along the outer edge of the counter substrate 11, and a concave portion that is recessed inward along the notch portion 11 a is formed in the center of one side 12 a on the protruding portion 10 a side. . The seal member 12 is made of, for example, a photothermal combined curing resin material in which an epoxy resin and an acrylic resin are blended, and the seal member 12 includes conductive particles (not shown).

導電性粒子には、例えば弾性を有する樹脂材料等からなる球状の粒子の表面をニッケル又は金等の導電性材料によって被覆する等して形成されたニッケルメッキ粒子又は金メッキ粒子や、カーボン粒子、銀粒子等が適用される。そして、このシール部材１２中の導電性粒子を介して、共通電極がＴＦＴ基板１０に形成された配線（図示省略）に電気的に接続されている。 The conductive particles include, for example, nickel-plated particles or gold-plated particles formed by covering the surface of spherical particles made of an elastic resin material or the like with a conductive material such as nickel or gold, carbon particles, silver Particles etc. are applied. The common electrode is electrically connected to wiring (not shown) formed on the TFT substrate 10 through the conductive particles in the seal member 12.

この液晶表示パネル１６には、図２に示すように、両面に偏光板２６，２７がそれぞれ積層されている。つまり、ＴＦＴ基板１０の液晶層１３とは反対側の表面に偏光板２６が設けられると共に、対向基板１１の液晶層１３とは反対側の表面に偏光板２７が設けられている。また、これらＴＦＴ基板１０及び対向基板１１における液晶層１３側の表面には、配向膜（図示省略）がそれぞれ設けられている。 As shown in FIG. 2, polarizing plates 26 and 27 are laminated on both sides of the liquid crystal display panel 16, respectively. That is, the polarizing plate 26 is provided on the surface of the TFT substrate 10 opposite to the liquid crystal layer 13, and the polarizing plate 27 is provided on the surface of the counter substrate 11 opposite to the liquid crystal layer 13. An alignment film (not shown) is provided on the surface of the TFT substrate 10 and the counter substrate 11 on the liquid crystal layer 13 side.

さらに、液晶表示装置Ｓは、図１に示すように、突出部１０ａにおける対向基板１１側の表面に実装された集積回路チップである液晶駆動用集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）チップ（以下、ＩＣチップと称する）３０と、このＩＣチップ３０及び上記回路部１５にそれぞれ電気的に接続されたフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit、以下、ＦＰＣと称する）４０とを備えている。 Further, as shown in FIG. 1, the liquid crystal display device S includes a liquid crystal driving integrated circuit (IC) chip (hereinafter referred to as an IC) that is an integrated circuit chip mounted on the surface of the protruding portion 10a on the counter substrate 11 side. And a flexible printed circuit board (hereinafter referred to as FPC) 40 electrically connected to the IC chip 30 and the circuit unit 15.

ＩＣチップ３０は、例えばソースドライバ及びタイミングコントローラ等を有し、図１及び図３に示すように、一部が対向基板１１の切り欠き部１１ａの内側に配置されている。すなわち、ＩＣチップ３０は、ＴＦＴ基板１０の表面の法線方向から見て、一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されて実装されている。 The IC chip 30 includes, for example, a source driver and a timing controller, and a part thereof is disposed inside the notch portion 11a of the counter substrate 11 as shown in FIGS. That is, the IC chip 30 is mounted so that a part thereof is disposed inside the notch portion 11 a when viewed from the normal direction of the surface of the TFT substrate 10.

このＩＣチップ３０は、絶縁性を有する接着部材中に導電性粒子が拡散された異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film、以下、ＡＣＦと称する）２０を介して突出部１０ａの表面に実装されている。ＩＣチップ３０には、図４に示すように、底面に突起状の複数のボンディング用出力バンプ電極（以下、単に、出力バンプ電極と称する）３０ａ及び複数のボンディング用入力バンプ電極（以下、単に、入力バンプ電極と称する）３０ｂが形成されており、これら各バンプ電極３０ａ，３０ｂが液晶表示パネル１６の突出部１０ａに形成された複数のボンディングパッド１９，２１にＡＣＦ２０を介して接続されている。 The IC chip 30 is mounted on the surface of the protrusion 10a via an anisotropic conductive film (ACF) 20 in which conductive particles are diffused in an insulating adhesive member. Has been. As shown in FIG. 4, the IC chip 30 has a plurality of bonding output bump electrodes (hereinafter simply referred to as output bump electrodes) 30 a and a plurality of bonding input bump electrodes (hereinafter simply referred to as “projection bump electrodes”) formed on the bottom surface. The bump electrodes 30a and 30b are connected to a plurality of bonding pads 19 and 21 formed on the protruding portion 10a of the liquid crystal display panel 16 via the ACF 20.

より具体的には、ＴＦＴ基板１０の突出部１０ａの表面には、各ソース配線及び回路部１５から引き出された複数の引き出し配線１８が形成されている。そして、各引き出し配線１８の先端部に設けられた出力ボンディングパッド１９に各出力バンプ電極３０ａが電気的に接続されている。各出力バンプ電極３０ａは、ＡＣＦ２０を介して出力ボンディングパッド１９に接続されている。一方、各入力バンプ電極３０ｂは、各出力ボンディングパッド１９よりも突出部１０ａの先端側に形成された各入力ボンディングパッド２１にＡＣＦ２０を介して接続されている。 More specifically, on the surface of the protruding portion 10 a of the TFT substrate 10, a plurality of lead wires 18 led out from the source wires and the circuit portion 15 are formed. Each output bump electrode 30 a is electrically connected to an output bonding pad 19 provided at the tip of each lead-out wiring 18. Each output bump electrode 30 a is connected to the output bonding pad 19 through the ACF 20. On the other hand, each input bump electrode 30b is connected to each input bonding pad 21 formed on the front end side of the protruding portion 10a with respect to each output bonding pad 19 via the ACF 20.

ＦＰＣ４０は、例えばポリイミド又はポリエチレンテレフタラート等からなる絶縁性を有するフィルム基板４１を備え、そのフィルム基板４１の表面に銅箔線４２が形成されている。このＦＰＣ４０は、入力ボンディングパッド２１よりも突出部１０ａの先端側に形成された外部接続用端子部２３に銅箔線４２がＡＣＦ２４を介して接続されている。そうして、ＦＰＣ４０は、ＩＣチップ３０よりも突出部１０ａの先端側に実装されている。 The FPC 40 includes an insulating film substrate 41 made of, for example, polyimide or polyethylene terephthalate, and a copper foil wire 42 is formed on the surface of the film substrate 41. In this FPC 40, a copper foil wire 42 is connected via an ACF 24 to an external connection terminal portion 23 formed on the distal end side of the protruding portion 10a with respect to the input bonding pad 21. Thus, the FPC 40 is mounted on the tip side of the protruding portion 10a with respect to the IC chip 30.

このＦＰＣ４０は、外部接続用端子部２３が配線２２を介して上記入力ボンディングパッド２１に接続されていることにより、ＩＣチップ３０に電気的に接続されている。また、外部接続用端子部２３は、図示は省略するが、他の配線を介して回路部１５にも接続され、ＦＰＣ４０と回路部１５とが電気的に接続されている。これら引き出し配線１８等の配線は、ボンディングパッド１９，２１及び外部出力用端子部２３が形成された領域を除いて絶縁膜２５によって被覆されている。 The FPC 40 is electrically connected to the IC chip 30 by connecting the external connection terminal portion 23 to the input bonding pad 21 via the wiring 22. Further, although not shown, the external connection terminal portion 23 is also connected to the circuit portion 15 through another wiring, and the FPC 40 and the circuit portion 15 are electrically connected. Wirings such as these lead wirings 18 are covered with an insulating film 25 except for the region where the bonding pads 19 and 21 and the external output terminal portion 23 are formed.

こうして、液晶表示装置Ｓは、ＦＰＣ４０を介してＩＣチップ３０及び回路部１５へ入力される信号に応じて液晶層１３に電圧を印加することにより、液晶層１３における液晶分子の配向状態を制御して所望の表示を行うようになっている。 Thus, the liquid crystal display device S controls the alignment state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 13 by applying a voltage to the liquid crystal layer 13 in accordance with signals input to the IC chip 30 and the circuit unit 15 via the FPC 40. Desired display.

−製造方法−
次に、上記液晶表示装置Ｓの製造方法について図５〜図８を参照しながら説明する。図５は、ＴＦＴ基板母材５０を概略的に示す平面図である。図６は、対向基板母材５５を概略的に示す平面図である。図７は、液晶表示パネル母材６０を概略的に示す平面図である。図８は、液晶表示パネル母材６０の分断領域Ｌ１，Ｌ２を概略的に示す平面図である。この液晶表示装置Ｓの製造方法には、液晶表示パネル母材形成工程と、分断工程と、ＩＣチップ実装工程とを含む。 -Manufacturing method-
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device S will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a plan view schematically showing the TFT substrate base material 50. FIG. 6 is a plan view schematically showing the counter substrate base material 55. FIG. 7 is a plan view schematically showing the liquid crystal display panel base material 60. FIG. 8 is a plan view schematically showing the divided regions L1 and L2 of the liquid crystal display panel base material 60. FIG. The manufacturing method of the liquid crystal display device S includes a liquid crystal display panel base material forming step, a dividing step, and an IC chip mounting step.

液晶表示パネル母材形成工程では、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを貼り合わせて、マトリクス状に配置された複数の液晶表示パネル１６を含む液晶表示パネル母材（以下、単に、パネル母材と称する）６０を形成する。この液晶表示パネル母材形成工程には、ＴＦＴ基板母材形成工程と、対向基板母材形成工程と、貼り合わせ工程とが含まれる。 In the liquid crystal display panel base material forming step, the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 are bonded together to form a liquid crystal display panel base material (hereinafter simply referred to as a matrix) including a plurality of liquid crystal display panels 16 arranged in a matrix. 60) (referred to as a panel base material). The liquid crystal display panel base material forming step includes a TFT substrate base material forming step, a counter substrate base material forming step, and a bonding step.

ＴＦＴ基板母材形成工程では、図５に示すように、マトリクス状に配置された複数のＴＦＴ基板１０を含むＴＦＴ基板母材５０を形成する。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１０を形成する領域（以下、ＴＦＴ基板領域と称する）５１を複数有する矩形状の大判ガラス基板の一方の表面に対し、例えばフォトリソグラフィー法等によってＴＦＴ基板領域５１毎に複数のＴＦＴ、画素電極、ソース配線、ゲート配線及び回路部１５等を形成する。このとき、図示は省略するが、ＴＦＴ基板領域５１における突出部１０ａを形成する領域（以下、突出領域と称する）５２に各ソース配線及び回路部１５から各引き出し配線１８を引き出すと共に、ボンディングパッド１９，２１及び外部接続用端子部２３を形成する。 In the TFT substrate base material forming step, as shown in FIG. 5, a TFT substrate base material 50 including a plurality of TFT substrates 10 arranged in a matrix is formed. That is, first, one surface of a rectangular large-sized glass substrate having a plurality of regions (hereinafter referred to as TFT substrate regions) 51 for forming the TFT substrate 10 is applied to each TFT substrate region 51 by, for example, photolithography. TFT, pixel electrode, source wiring, gate wiring, circuit portion 15 and the like are formed. At this time, although not shown in the drawing, each lead wiring 18 is drawn from each source wiring and circuit portion 15 to a region (hereinafter referred to as a projecting region) 52 in the TFT substrate region 51 where the projecting portion 10a is formed, and the bonding pad 19 is used. 21 and the external connection terminal portion 23 are formed.

尚、ここでは、大判ガラス基板に複数のＴＦＴ等を形成するとしたが、大判ガラス基板に代えて、大判の石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を適用することが可能である。 Here, a plurality of TFTs and the like are formed on a large glass substrate. However, instead of the large glass substrate, an insulating substrate such as a large quartz substrate or a plastic substrate can be used.

次に、例えば純水、超音波又は紫外線の照射等によって大判ガラス基板を洗浄して基板表面に付着した不純物を除去する。その後、例えば印刷法等によってポリイミド等からなる配向膜を各画素電極等を覆って大判ガラス基板に形成する。そうして、大判ガラス基板における各ＴＦＴ基板領域５１をそれぞれＴＦＴ基板１０の構造にして、マトリクス状に配置されたＴＦＴ基板領域５１（ＴＦＴ基板１０）を複数含むＴＦＴ基板母材５０を形成する。 Next, the large-size glass substrate is washed by, for example, irradiation with pure water, ultrasonic waves, or ultraviolet rays, and impurities attached to the substrate surface are removed. Thereafter, an alignment film made of polyimide or the like is formed on a large glass substrate by covering the pixel electrodes and the like by, for example, a printing method. Thus, the TFT substrate base material 50 including a plurality of TFT substrate regions 51 (TFT substrate 10) arranged in a matrix is formed by making each TFT substrate region 51 in the large format glass substrate into the structure of the TFT substrate 10 respectively.

ここで、ＴＦＴ基板母材５０における各ＴＦＴ基板領域５１は、隣り合うＴＦＴ基板領域５１の間に間隔を設けることなく隣接している。尚、隣り合うＴＦＴ基板領域５１は、互いに間隔を設けて配置されていてもよい。 Here, the TFT substrate regions 51 in the TFT substrate base material 50 are adjacent to each other without providing a space between the adjacent TFT substrate regions 51. Note that the adjacent TFT substrate regions 51 may be arranged at intervals.

上記対向基板母材形成工程では、図６に示すように、マトリクス状に配置された複数の対向基板１１を含む対向基板母材５５を形成する。すなわち、矩形状の対向基板１１を形成する領域（以下、対向基板領域と称する）５６を複数有する大判ガラス基板の一方の表面に対して、対向基板領域５６毎に複数のカラーフィルタ、ブラックマトリクス１４及び共通電極を形成した後に、共通電極上に配向膜を設ける。 In the counter substrate base material forming step, as shown in FIG. 6, a counter substrate base material 55 including a plurality of counter substrates 11 arranged in a matrix is formed. That is, with respect to one surface of a large glass substrate having a plurality of regions (hereinafter referred to as counter substrate regions) 56 for forming the rectangular counter substrate 11, a plurality of color filters and black matrices 14 are provided for each counter substrate region 56. After forming the common electrode, an alignment film is provided on the common electrode.

尚、対向基板母材５５についても、ＴＦＴ基板母材５０と同様に、大判ガラス基板に代えて、大判の石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を適用することが可能である。 As with the TFT substrate base material 50, an insulating substrate such as a large quartz substrate or a plastic substrate can be applied to the counter substrate base material 55 in the same manner as the TFT substrate base material 50.

その後、後に形成するパネル母材６０を分断したときに切り欠き部１１ａとなる開口部５７を各対向基板領域５６毎に対向基板母材５５に形成する。この開口部５７は、例えば炭酸ガスレーザーによるレーザー加工によって対向基板母材５５の一部を切断して形成する。このレーザー加工では、例えば波長１０．６μｍ程度の炭酸ガスレーザーを用い、そのエネルギー密度を２．５ｋＷ／ｍｍ^２程度にすると共に、切断速度を８００ｍｍ／ｍｉｎ程度に設定する。この加工条件は、基板の材質及び厚さ等によって適宜設定される。そうして、大判ガラス基板における各対向基板領域５６をそれぞれ対向基板１１の構造にして対向基板母材５５を形成する。 Thereafter, an opening 57 serving as a notch 11 a when the panel base material 60 to be formed later is divided is formed in the counter substrate base material 55 for each counter substrate region 56. The opening 57 is formed by cutting a part of the counter substrate base material 55 by laser processing using, for example, a carbon dioxide laser. In this laser processing, for example, a carbon dioxide gas laser having a wavelength of about 10.6 μm is used, the energy density thereof is set to about 2.5 kW / mm ² , and the cutting speed is set to about 800 mm / min. This processing condition is appropriately set depending on the material and thickness of the substrate. In this way, the counter substrate base material 55 is formed with each counter substrate region 56 in the large glass substrate having the structure of the counter substrate 11.

尚、ここでは、炭酸ガスレーザーによるレーザー加工によって開口部５７を形成するとしたが、その他に、エキシマレーザー又はＹＡＧレーザー等によるレーザー加工によって開口部５７を形成してもよい。 Here, the opening 57 is formed by laser processing using a carbon dioxide laser, but the opening 57 may be formed by laser processing using an excimer laser, a YAG laser, or the like.

この対向基板母材５５における複数の対向基板領域５６は、後にパネル母材６０を形成したときに、パネル母材６０の表面の法線方向から見て、ＴＦＴ基板母材５０における突出領域５２を除く各ＴＦＴ基板領域５１に重なるように配置されている。すなわち、対向基板母材５５の縦方向（図６の上下方向）に並ぶ対向基板領域５６は、互いに間隔を設けて配置されている。一方、対向基板母材５５の横方向（図６の左右方向）に並ぶ対向基板領域５６は、互いに間隔を設けることなく隣接して配置されている。 When the panel base material 60 is formed later, the plurality of counter substrate regions 56 in the counter substrate base material 55 are defined by the protruding regions 52 in the TFT substrate base material 50 when viewed from the normal direction of the surface of the panel base material 60. The TFT substrate regions 51 are arranged so as to overlap each other. In other words, the counter substrate regions 56 arranged in the vertical direction (vertical direction in FIG. 6) of the counter substrate base material 55 are arranged at intervals. On the other hand, the counter substrate regions 56 arranged in the horizontal direction (the left-right direction in FIG. 6) of the counter substrate base material 55 are arranged adjacent to each other without being spaced apart from each other.

次に行う貼り合わせ工程では、図７に示すように、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを矩形枠状の複数のシール部材１２を介して貼り合わせる。まず、例えばスクリーン印刷法又はディスペンサ等によって、エポキシ樹脂とアクリル樹脂とが配合された光熱併用硬化型の未硬化のシール部材１２を対向基板母材５５に供給する。 In the subsequent bonding step, as shown in FIG. 7, the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 are bonded together via a plurality of rectangular frame-shaped seal members 12. First, a photothermal combined curing type uncured sealing member 12 in which an epoxy resin and an acrylic resin are blended is supplied to the counter substrate base material 55 by, for example, a screen printing method or a dispenser.

シール部材１２は、対向基板領域５６毎における対向基板１１の外縁となる領域に沿って矩形枠状に供給する。このとき、各突出領域５２に対向する対向基板母材５５の領域側のシール部材１２の１辺１２ａに対して開口部５７に沿って内側へ凹む凹状部が中央に形成されるようにシール部材１２を供給する。尚、ここでは、対向基板母材５５にシール部材１２を供給するとしたが、ＴＦＴ基板母材５０のＴＦＴ基板領域５１毎にシール部材１２を供給してもよい。 The sealing member 12 is supplied in a rectangular frame shape along a region serving as an outer edge of the counter substrate 11 in each counter substrate region 56. At this time, the sealing member is formed so that a concave portion that is recessed inward along the opening 57 is formed in the center with respect to one side 12a of the sealing member 12 on the region side of the counter substrate base material 55 facing each protruding region 52. 12 is supplied. Although the seal member 12 is supplied to the counter substrate base material 55 here, the seal member 12 may be supplied for each TFT substrate region 51 of the TFT substrate base material 50.

次に、対向基板母材５５の複数のシール部材１２の内側に液晶材料を所定量滴下する。この液晶材料の滴下は、図示は省略するが、例えば液晶材料を滴下する機能を有した滴下装置が対向基板母材５５を全面に亘って移動しながら液晶材料を滴下することによって行う。 Next, a predetermined amount of liquid crystal material is dropped inside the plurality of seal members 12 of the counter substrate base material 55. Although not shown, the dropping of the liquid crystal material is performed, for example, by dropping a liquid crystal material while a dropping device having a function of dropping the liquid crystal material moves the counter substrate base material 55 over the entire surface.

続いて、ＴＦＴ基板母材５０及び対向基板母材５５の配向膜が形成された面を互いに対向させ、予めＴＦＴ基板母材５０及び対向基板母材５５に設けられて両基板母材５０，５５を互いに位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）によって両基板母材５０，５５の位置を合わせる。そして、両基板母材５０，５５を互いに貼り合わせる。このようなＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５との貼り合わせは、例えば真空室内等の真空環境下で行う。このとき、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５との貼り合わせると同時に、両基板母材５０，５５の間に各シール部材１２によって囲まれた複数の液晶層１３が形成される。 Subsequently, the surfaces of the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 on which the alignment film is formed are opposed to each other, and are provided in advance on the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 so that both substrate base materials 50 and 55 are provided. The positions of both substrate base materials 50 and 55 are aligned by alignment marks (not shown) for aligning each other. Then, both substrate base materials 50 and 55 are bonded together. The TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 are bonded together in a vacuum environment such as a vacuum chamber. At this time, simultaneously with the bonding of the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55, a plurality of liquid crystal layers 13 surrounded by the respective seal members 12 are formed between the two substrate base materials 50 and 55.

次に、シール部材１２に紫外線を照射してシール部材１２を仮硬化させた後に、加熱処理を行ってシール部材１２を本硬化させる。このとき、パネル母材６０を加圧しながら加熱することにより、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５との間を所望の間隔にする。このようにして、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを複数のシール部材１２を介して貼り合わせ、ＴＦＴ基板領域５１と対向基板領域５６との間でシール部材１２によって封止された液晶層１３を有して液晶表示パネル１６を形成する領域（以下、液晶表示パネル領域と称する）６１がマトリクス状に配置されたパネル母材６０を形成する。 Next, after irradiating the sealing member 12 with ultraviolet rays to temporarily cure the sealing member 12, heat treatment is performed to fully cure the sealing member 12. At this time, by heating the panel base material 60 while applying pressure, the TFT base material 50 and the counter base material 55 are set to a desired distance. In this manner, the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 are bonded together via the plurality of seal members 12, and sealed between the TFT substrate region 51 and the counter substrate region 56 by the seal member 12. A panel base material 60 in which regions (hereinafter referred to as liquid crystal display panel regions) 61 having the liquid crystal layer 13 and forming the liquid crystal display panel 16 are arranged in a matrix is formed.

その後、パネル母材６０の両面に大判の偏光板（図示省略）をそれぞれ積層する。続いて、切断した後に剥離する機能を有するカッター等の刃物によって、パネル母材６０の分断領域Ｌ１，Ｌ２上の大判の偏光板を切断すると共に剥離して除去する。 Thereafter, a large polarizing plate (not shown) is laminated on both sides of the panel base material 60. Subsequently, the large polarizing plate on the dividing regions L1 and L2 of the panel base material 60 is cut and peeled and removed by a cutter such as a cutter having a function of peeling after cutting.

次に行う分断工程では、図８に示すように、例えばカッターホイール又はレーザー等によってパネル母材６０を分断領域Ｌ１，Ｌ２で分断する。すなわち、パネル母材６０の分断領域Ｌ１では両基板母材５０，５５を共に分断する一方、分断領域Ｌ２では対向基板母材５５のみを分断する。そうして、パネル母材６０を液晶表示パネル領域６１毎に分断することにより、複数の液晶表示パネル１６を形成する。このとき、突出部１０ａに対向する対向基板母材５５が分断されることにより、開口部５７が切り欠き部１１ａとなる。 In the next dividing step, as shown in FIG. 8, the panel base material 60 is divided at the dividing regions L1 and L2 by, for example, a cutter wheel or a laser. That is, both the substrate base materials 50 and 55 are divided together in the dividing region L1 of the panel base material 60, while only the counter substrate base material 55 is divided in the dividing region L2. Then, the liquid crystal display panel 16 is formed by dividing the panel base material 60 into the liquid crystal display panel regions 61. At this time, when the counter substrate base material 55 facing the protruding portion 10a is divided, the opening 57 becomes the cutout portion 11a.

次に行うＩＣチップ実装工程では、各液晶表示パネル１６におけるＴＦＴ基板１０の突出部１０ａにＩＣチップ３０を実装する。このＩＣチップ３０は、一部を対向基板１１の切り欠き部１１ａの内側に配置させる。 In the IC chip mounting process to be performed next, the IC chip 30 is mounted on the protruding portion 10 a of the TFT substrate 10 in each liquid crystal display panel 16. A part of the IC chip 30 is disposed inside the notch 11 a of the counter substrate 11.

このＩＣチップ実装工程では、まず、突出部１０ａにおけるＩＣチップ３０を実装する領域にＡＣＦ２０を配置させた後、突出部１０ａ及びＩＣチップ３０を予め設けられたアライメントマーク（図示省略）によって互いに位置合わせし、ＡＣＦ２０を介してＩＣチップ３０を突出部１０ａに配置させる。その後、圧着装置によってＩＣチップ３０を突出部１０ａに圧着することにより、各バンプ電極３０ａ，３０ｂと各ボンディングパット１９，２１とをＡＣＦ２０を介して接続すると共にＩＣチップ３０を突出部１０ａに実装する。 In this IC chip mounting step, first, the ACF 20 is arranged in the region of the protrusion 10a where the IC chip 30 is mounted, and then the protrusion 10a and the IC chip 30 are aligned with each other by an alignment mark (not shown) provided in advance. Then, the IC chip 30 is arranged on the protruding portion 10a through the ACF 20. Thereafter, the IC chip 30 is crimped to the projecting portion 10a by a crimping device, whereby the bump electrodes 30a, 30b and the bonding pads 19, 21 are connected via the ACF 20, and the IC chip 30 is mounted on the projecting portion 10a. .

その後、ＩＣチップ実装工程と同様に、圧着装置によってＦＰＣ４０を各液晶表示パネル１６のＴＦＴ基板１０の外部接続用端子部２３に圧着して実装する。以上の工程により、液晶表示パネル１６（ＴＦＴ基板１０の突出部１０ａ）にＩＣチップ３０が実装された液晶表示装置Ｓを製造する。 Thereafter, similarly to the IC chip mounting step, the FPC 40 is pressure-bonded and mounted on the external connection terminal portion 23 of the TFT substrate 10 of each liquid crystal display panel 16 by a pressure bonding device. Through the above process, the liquid crystal display device S in which the IC chip 30 is mounted on the liquid crystal display panel 16 (the protruding portion 10a of the TFT substrate 10) is manufactured.

−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、回路部１５がシール部材１２の外縁よりも内側に配置されているため、回路部１５の腐食を抑制できる。そして、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが形成されているため、突出部１０ａ側のシール部材１２の１辺１２ａに直交する方向に、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いに接近させて配置できる。そのことにより、ＴＦＴ基板１０の突出部１０ａの突出長さを小さくできる。その結果、回路部１５の腐食を抑制しながら、額縁部Ｂを縮小できる。 -Effect of Embodiment 1-
Therefore, according to this Embodiment 1, since the circuit part 15 is arrange | positioned inside the outer edge of the sealing member 12, corrosion of the circuit part 15 can be suppressed. And since the notch part 11a is formed in the protrusion part 10a side of the opposing substrate 11, the IC chip 30 and the circuit part 15 are mutually connected in the direction orthogonal to one side 12a of the seal member 12 on the protrusion part 10a side. Can be placed close together. Thereby, the protruding length of the protruding portion 10a of the TFT substrate 10 can be reduced. As a result, the frame portion B can be reduced while suppressing the corrosion of the circuit portion 15.

さらに、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されているため、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いにより接近させて配置できる。そのことにより、突出部１０ａの突出長さをより小さくできる結果、額縁部Ｂをさらに縮小できる。 Furthermore, since a part of the IC chip 30 is arranged inside the notch 11a, the IC chip 30 and the circuit unit 15 can be arranged closer to each other. As a result, the projecting length of the projecting portion 10a can be further reduced, so that the frame portion B can be further reduced.

そして、額縁部Ｂが縮小されることにより、一枚のパネル母材６０から形成可能な液晶表示パネル１６の枚数を増加できるため、生産性を高めることができる。 Since the frame portion B is reduced, the number of liquid crystal display panels 16 that can be formed from one panel base material 60 can be increased, and thus productivity can be increased.

そのことに加えて、ＴＦＴ基板１０と対向基板１１とが対向している領域が増加するので、液晶表示装置Ｓが撓むことを抑制できる。特に、ＩＣチップ３０を配置したＴＦＴ基板１０の領域の撓みを抑制できることによってＩＣチップ３０が撓むことを抑制できる。そのことにより、液晶表示装置Ｓの耐衝撃性及び耐圧性を高めることができる。 In addition, since the area where the TFT substrate 10 and the counter substrate 11 face each other increases, the liquid crystal display device S can be prevented from being bent. In particular, the bending of the region of the TFT substrate 10 on which the IC chip 30 is disposed can be suppressed, whereby the bending of the IC chip 30 can be suppressed. Thereby, the impact resistance and pressure resistance of the liquid crystal display device S can be enhanced.

《発明の実施形態２》
図９は、本発明の実施形態２を示している。尚、以降の各実施形態では、図１〜図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。図９は、本実施形態２の液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。 << Embodiment 2 of the Invention >>
FIG. 9 shows Embodiment 2 of the present invention. In the following embodiments, the same portions as those in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. FIG. 9 is a plan view schematically showing the liquid crystal display device S of the second embodiment.

上記実施形態１では、対向基板１１の突出部１０ａ側の１辺の中央に切り欠き部１１ａが形成されているとしたが、本実施形態では、切り欠き部１１ａが対向基板１１における突出部１０ａ側の１辺の一端側に形成されている。 In the first embodiment, the notch 11a is formed at the center of one side of the counter substrate 11 on the side of the protrusion 10a. However, in this embodiment, the notch 11a is the protrusion 10a in the counter substrate 11. It is formed on one end side of one side.

具体的には、図９に示すように、対向基板１１の突出部１０ａ側の１辺の中央から一端側（図中右側）半分に切り欠き部１１ａが形成されている。回路部１５は、シール部材１２における突出部１０ａ側の１辺に沿ってシール部材１２の外縁よりも内側に配置され、そのシール部材１２における突出部１０ａ側の１辺の中央よりも他端側（図中左側）の領域に覆われてＴＦＴ基板１０に形成されている。そして、ＩＣチップ３０は、一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されて実装されている。 Specifically, as shown in FIG. 9, a cutout portion 11 a is formed from the center of one side of the opposing substrate 11 on the protruding portion 10 a side to one end side (right side in the drawing) half. The circuit portion 15 is disposed on the inner side of the outer edge of the seal member 12 along one side of the seal member 12 on the protruding portion 10a side, and the other end side of the center of one side of the seal member 12 on the protruding portion 10a side. The TFT substrate 10 is covered with a region (left side in the figure). The IC chip 30 is mounted with a part thereof being disposed inside the notch portion 11a.

−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２によっても、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが形成され、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されているため、回路部１５をシール部材１２の外縁よりも内側に配置させた状態で、突出部１０ａ側のシール部材１２の１辺１２ａに直交する方向に、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いに接近させて配置できる結果、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。 -Effect of Embodiment 2-
Therefore, also in the second embodiment, the notch portion 11a is formed on the protruding portion 10a side of the counter substrate 11, and a part of the IC chip 30 is disposed inside the notch portion 11a. As a result of being able to arrange the IC chip 30 and the circuit unit 15 close to each other in a direction perpendicular to the one side 12a of the seal member 12 on the protruding portion 10a side in a state of being arranged inside the outer edge of the seal member 12, The same effect as in the first embodiment can be obtained.

《発明の実施形態３》
図１０は、本発明の実施形態３を示している。図１０は、本実施形態３の液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。 << Embodiment 3 of the Invention >>
FIG. 10 shows Embodiment 3 of the present invention. FIG. 10 is a plan view schematically showing the liquid crystal display device S of the third embodiment.

上記実施形態１では、ＩＣチップ３０が１つ実装されているとしたが、本実施形態では、図１０に示すように、ＩＣチップ３０が複数実装されている。 In the first embodiment, one IC chip 30 is mounted. However, in this embodiment, a plurality of IC chips 30 are mounted as shown in FIG.

すなわち、対向基板１１には、突出部１０ａ側の１辺に複数の切り欠き部１１ａが互いに並んで形成されている。回路部１５は、切り欠き部１１ａが形成されていない対向基板１１の突出部１０ａ側の領域に重なるようにＴＦＴ基板１０に複数形成されている。これら各回路部１５は、シール部材１２の外縁よりも内側に配置されている。そして、各切り欠き部１１ａの内側に各ＩＣチップ３０がそれぞれ配置されている。 That is, the counter substrate 11 is formed with a plurality of cutout portions 11a side by side on one side on the protruding portion 10a side. A plurality of circuit portions 15 are formed on the TFT substrate 10 so as to overlap with a region on the protruding portion 10a side of the counter substrate 11 where the notches 11a are not formed. Each of these circuit portions 15 is disposed inside the outer edge of the seal member 12. Each IC chip 30 is disposed inside each notch 11a.

−実施形態３の効果−
したがって、この実施形態３によると、ＴＦＴ基板１０に複数のＩＣチップ３０が実装された場合であっても、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが複数形成され、各ＩＣチップ３０の一部が各切り欠き部１１ａの内側にそれぞれ配置されている結果、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。 -Effect of Embodiment 3-
Therefore, according to the third embodiment, even when a plurality of IC chips 30 are mounted on the TFT substrate 10, a plurality of notches 11a are formed on the protruding portion 10a side of the counter substrate 11, and each IC chip 30 is formed. As a result, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

《発明の実施形態４》
図１１は、本発明の実施形態４を示している。図１１は、本実施形態４の液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。 << Embodiment 4 of the Invention >>
FIG. 11 shows Embodiment 4 of the present invention. FIG. 11 is a plan view schematically showing the liquid crystal display device S of the fourth embodiment.

上記実施形態１では、切り欠き部１１ａがコの字状に形成されているとしたが、本実施形態では、図１１に示すように、切り欠き部１１ａが円弧状に形成されている。そして、ＩＣチップ３０は、一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されている。 In Embodiment 1 described above, the cutout portion 11a is formed in a U-shape, but in this embodiment, the cutout portion 11a is formed in an arc shape as shown in FIG. A part of the IC chip 30 is disposed inside the notch 11a.

−実施形態４の効果−
したがって、この実施形態４によっても、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが形成され、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されている結果、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。 -Effect of Embodiment 4-
Therefore, also in the fourth embodiment, the cutout portion 11a is formed on the protruding portion 10a side of the counter substrate 11, and a part of the IC chip 30 is arranged inside the cutout portion 11a. The same effect can be obtained.

《その他の実施形態》
上記実施形態１では、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されているとしたが、本発明はこれに限られず、ＩＣチップ３０の全体が切り欠き部１１ａの内側に配置されてもよい。 << Other Embodiments >>
In the first embodiment, a part of the IC chip 30 is disposed inside the notch 11a. However, the present invention is not limited to this, and the entire IC chip 30 is disposed inside the notch 11a. May be.

また、ＩＣチップ３０は、切り欠き部１１ａの内側に配置されずに切り欠き部１１ａの手前に配置されていてもよい。この構成によっても、上記実施形態１と同様に、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いに接近させて配置できる結果、回路部１５の腐食を抑制しながら、額縁部Ｂを縮小することが可能になる。 Further, the IC chip 30 may be disposed in front of the notch portion 11a without being disposed inside the notch portion 11a. Also with this configuration, as in the first embodiment, the IC chip 30 and the circuit unit 15 can be arranged close to each other, and as a result, the frame portion B can be reduced while suppressing corrosion of the circuit unit 15. Become.

上記実施形態１では、ＴＦＴ基板母材５０と貼り合わせる前の対向基板母材５５にレーザーによって開口部５７を形成するとしたが、本発明はこれに限られず、カッターホイール等の刃物又はサンドブラスト法等によって開口部５７を形成してもよい。また、パネル母材６０を分断した後に、各液晶表示パネル１６における対向基板１１の一部をレーザー、カッターホイール等の刃物又はサンドブラスト法等で除去することによって切り欠き部１１ａを形成してもよい。 In the first embodiment, the opening 57 is formed by the laser in the counter substrate base material 55 before being bonded to the TFT substrate base material 50. However, the present invention is not limited to this, and a blade such as a cutter wheel or a sandblast method is used. The opening 57 may be formed by the above. Further, after the panel base material 60 is divided, the notched portion 11a may be formed by removing a part of the counter substrate 11 in each liquid crystal display panel 16 by a blade such as a laser or a cutter wheel or a sandblasting method. .

上記実施形態１では、切り欠き部１１ａがコの字状に形成されているとした。また、上記実施形態４では、切り欠き部１１ａが円弧状に形成されているとしたが、本発明はこれに限られず、切り欠き部１１ａは種々の形状に形成されていてもよい。 In the first embodiment, the notch portion 11a is formed in a U shape. In the fourth embodiment, the cutout portion 11a is formed in an arc shape. However, the present invention is not limited to this, and the cutout portion 11a may be formed in various shapes.

上記実施形態１では、ＩＣチップ３０がＡＣＦ２０を介して突出部１０ａの表面に実装されているとしたが、本発明はこれに限られず、ＩＣチップ３０は、金バンプによって突出部１０ａの表面に形成されたパッド１９，２１に直接接続する方法や銀ペーストを介して突出部１０ａのパッド１９，２１に接続する方法等の他の公知の方法によって突出部１０ａに実装されていてもよい。 In the first embodiment, the IC chip 30 is mounted on the surface of the protruding portion 10a via the ACF 20. However, the present invention is not limited to this, and the IC chip 30 is formed on the surface of the protruding portion 10a by a gold bump. You may mount in the protrusion part 10a by other well-known methods, such as the method of connecting directly to the formed pads 19 and 21, and the method of connecting to the pads 19 and 21 of the protrusion part 10a via silver paste.

上記実施形態１では、シール部材１２の内側に液晶材料を滴下した後にシール部材１２を介して両基板母材５０，５５を貼り合わせる、いわゆる滴下注入法（ＯＤＦ：One Drop Filling）によって液晶層１３を形成するとしたが、本発明はこれに限られず、いわゆる真空注入法によって液晶層を形成してもよい。 In the first embodiment, the liquid crystal layer 13 is dropped by a so-called drop dropping method (ODF: One Drop Filling) in which the base materials 50 and 55 are bonded to each other through the seal member 12 after the liquid crystal material is dropped inside the seal member 12. However, the present invention is not limited to this, and the liquid crystal layer may be formed by a so-called vacuum injection method.

すなわち、まず、切れ目を有する略枠状の複数のシール部材を介して、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを貼り合わせて貼り合わせ基板母材を形成する。貼り合わせ基板母材は、ＴＦＴ基板領域５１と対向基板領域５６とがシール部材を介して対向する貼り合わせ基板領域を複数含んでおり、各貼り合わせ基板領域は、ＴＦＴ基板領域５１と対向基板領域５６との間でシール材の切れ目によって形成された注入口を有している。次に、貼り合わせ基板母材を貼り合わせ基板毎に分断した後、分断によって露出した注入口から液晶材料をシール部材の内側に注入し、注入口を封止部材によって封止することによって液晶表示パネル１６を形成してもよい。 That is, first, the TFT substrate base material 50 and the counter substrate base material 55 are bonded together via a plurality of substantially frame-shaped sealing members having cuts, thereby forming a bonded substrate base material. The bonded substrate base material includes a plurality of bonded substrate regions in which the TFT substrate region 51 and the counter substrate region 56 are opposed to each other via a seal member. Each bonded substrate region includes the TFT substrate region 51 and the counter substrate region. 56 has an inlet formed by a cut in the sealing material. Next, after the bonded substrate base material is divided for each bonded substrate, a liquid crystal material is injected into the inside of the seal member from the injection port exposed by the division, and the injection port is sealed by the sealing member, thereby displaying the liquid crystal display. Panel 16 may be formed.

以上説明したように、本発明は、液晶表示装置について有用であり、特に、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小する場合に適している。 As described above, the present invention is useful for a liquid crystal display device, and is particularly suitable for reducing the frame portion while suppressing corrosion of the circuit portion.

実施形態１の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device of Embodiment 1. FIG. 図１のII−II線断面を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the II-II sectional view taken on the line of FIG. 図１のIII−III線断面を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the III-III sectional view taken on the line of FIG. 図１のIV−IV線断面を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the IV-IV sectional view of FIG. ＴＦＴ基板母材を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows a TFT substrate base material roughly. 対向基板母材を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows a counter substrate base material roughly. 液晶表示パネル母材を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows a liquid crystal display panel base material roughly. 液晶表示パネル母材を分断する領域を示す平面図である。It is a top view which shows the area | region which divides a liquid crystal display panel base material. 実施形態２の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。6 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device of Embodiment 2. FIG. 実施形態３の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the liquid crystal display device of Embodiment 3 roughly. 実施形態４の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。6 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device of Embodiment 4. FIG. 従来の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the conventional liquid crystal display device roughly. 回路部をシール部材の外側に配置した液晶表示装置を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the liquid crystal display device which has arrange | positioned the circuit part on the outer side of the sealing member.

Explanation of symbols

Ｓ液晶表示装置
１０ＴＦＴ基板（第２基板）
１０ａ突出部
１１対向基板（第１基板）
１１ａ切り欠き部
１２シール部材
１２ａシール部材における突出部側の１辺
１３液晶層
１５回路部
２０異方性導電フィルム
３０液晶駆動用集積回路チップ（集積回路チップ） S Liquid crystal display device 10 TFT substrate (second substrate)
10a Protruding part 11 Counter substrate (first substrate)
11a Notch portion 12 Seal member 12a One side 13 of the seal member on the protruding portion side Liquid crystal layer 15 Circuit portion 20 Anisotropic conductive film 30 Liquid crystal driving integrated circuit chip (integrated circuit chip)

Claims

A rectangular first substrate;
A rectangular second substrate disposed opposite to the first substrate and having a protruding portion partially protruding from the first substrate;
A sealing member that is formed in a rectangular frame shape along the outer edge of the first substrate and seals the liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate;
A circuit portion formed on the second substrate and disposed on the inner side of the outer edge of the seal member along one side of the seal member on the protruding portion side;
A liquid crystal display device comprising an integrated circuit chip mounted on the surface of the protruding portion on the first substrate side,
The liquid crystal display device, wherein the first substrate has a notch formed on the protruding portion side.

The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least a part of the integrated circuit chip is disposed inside the notch.

The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the notch is formed in a U-shape.

The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the cutout portion is formed in an arc shape.

The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the cutout portion is formed at the center of one side of the first substrate on the protruding portion side.

The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the cutout portion is formed on one end side of one side of the first substrate on the protruding portion side.

The liquid crystal display device according to claim 1,
A liquid crystal display device, wherein a plurality of the integrated circuit chips are mounted on the protruding portion.

The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the integrated circuit chip is mounted on the protrusion through an anisotropic conductive film.