JP2009102654A - Optical waveguide structure - Google Patents
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- RGVBEUZSLWVYFF-UHFFFAOYSA-N C(C(C1)C2C=CC1C2)OCOCC(C1)C2C=CC1C2 Chemical compound C(C(C1)C2C=CC1C2)OCOCC(C1)C2C=CC1C2 RGVBEUZSLWVYFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRTCJFCIQKNFPP-UHFFFAOYSA-N CC1OCCOC1 Chemical compound CC1OCCOC1 IRTCJFCIQKNFPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOIALDLPUPREOL-UHFFFAOYSA-N C[N-](C)(CCC(C1)C2C=CC1C2)OCC(C1)C2C=CC1C2 Chemical compound C[N-](C)(CCC(C1)C2C=CC1C2)OCC(C1)C2C=CC1C2 XOIALDLPUPREOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、光導波路構造体に関するものである。 The present invention relates to an optical waveguide structure.
近年注目されている光通信の分野における光部品として、光分岐結合器(光カプラ)、光合分波器等が挙げられ、これらに用いる光導波路型素子が有望視されている。 As optical components in the field of optical communication that have been attracting attention in recent years, there are optical branching couplers (optical couplers), optical multiplexers / demultiplexers, and the like, and optical waveguide devices used for these are promising.
この光導波路型素子としては、従来の石英系光導波路の他、製造(パターニング)が容易で汎用性に富むポリマー系光導波路があり、近年では後者の開発が盛んに行われている。 As this optical waveguide type element, there is a polymer optical waveguide that is easy to manufacture (patterning) and is versatile, in addition to the conventional quartz optical waveguide, and the latter has been actively developed in recent years.
このような光導波路型素子を形成し得る基板(光導波路構造体)として、コア部およびクラッド部で構成される光導波路と、この光導波路に金属配線を設けたものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。 As a substrate (optical waveguide structure) on which such an optical waveguide type element can be formed, an optical waveguide composed of a core part and a clad part and a metal wiring provided on the optical waveguide are disclosed (for example, , See Patent Document 1).
しかしながら、上記特許文献1に記載の光導波路構造体では、次のような問題点がある。
However, the optical waveguide structure described in
1.光導波路の形成工程が複雑であり、伝送光の光路を構成するコア部のパターン形状の設計、選択の自由度が狭い。
2.コア部のパターン形状の精度や寸法精度が悪い。
3.配線パターンと組み合わせた場合に、該配線パターンの設計における自由度が狭い。
1. The process of forming the optical waveguide is complicated, and the degree of freedom in designing and selecting the pattern shape of the core part constituting the optical path of the transmitted light is narrow.
2. The core pattern shape accuracy and dimensional accuracy are poor.
3. When combined with a wiring pattern, the degree of freedom in designing the wiring pattern is narrow.
本発明の目的は、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部(光路)を簡単な方法で形成することができる光導波路を備えた光導波路構造体を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an optical waveguide structure including an optical waveguide that can form a core portion (optical path) with a wide degree of freedom in designing a pattern shape and high dimensional accuracy by a simple method. .
このような目的は、下記(1)〜(21)の本発明により達成される。
(1) コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層を有する光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有する光導波路構造体であって、
前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであることを特徴とする光導波路構造体。
Such an object is achieved by the present inventions (1) to (21) below.
(1) An optical waveguide structure having an optical waveguide having a core layer including a core portion, a cladding portion having a refractive index lower than that of the core portion, and a conductor layer provided on at least one surface side of the optical waveguide. Because
The core layer includes a substance that is activated by irradiation with actinic radiation, a main chain and a branch that is branched from the main chain, and at least a part of the molecular structure can be detached from the main chain by the activated substance. Forming a layer containing a polymer having a functional group,
Thereafter, by selectively irradiating the layer with the actinic radiation, the substance is activated in the irradiation region irradiated with the actinic radiation, and the leaving group of the polymer is released, By producing a refractive index difference between the irradiation region and the non-irradiation region of the active radiation, either the irradiation region or the non-irradiation region was obtained as the core portion, and the other was obtained as the cladding portion. An optical waveguide structure characterized by being a thing.
(2) 前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである上記(1)に記載の光導波路構造体。 (2) The optical waveguide structure according to (1), wherein the core layer is obtained by performing heat treatment on the layer after the irradiation with the active radiation.
(3) 前記活性放射線は、200〜450nmの範囲にピーク波長を有するものである上記(1)または(2)に記載の光導波路構造体。 (3) The optical waveguide structure according to (1) or (2), wherein the active radiation has a peak wavelength in a range of 200 to 450 nm.
(4) 前記活性放射線の照射量は、0.1〜9J/cm2である上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (4) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (3), wherein an irradiation amount of the active radiation is 0.1 to 9 J / cm 2 .
(5) 前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (5) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (4), wherein the active radiation is applied to the layer through a mask.
(6) 前記層は、さらに、酸化防止剤を含む上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (6) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (5), wherein the layer further includes an antioxidant.
(7) 前記層は、さらに、増感剤を含む上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (7) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (6), wherein the layer further includes a sensitizer.
(8) 前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものである上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (8) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (7), wherein the substance includes a compound that generates a cation and a weakly coordinated anion upon irradiation with the active radiation.
(9) 前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記(8)に記載の光導波路構造体。 (9) The optical waveguide structure according to (8), wherein the leaving group is an acid leaving group that is released by the action of the cation.
(10) 前記酸離脱性基は、−O−構造、−Si−アリール構造および−O−Si−構造のうちの少なくとも1つを有するものである上記(9)に記載の光導波路構造体。 (10) The optical waveguide structure according to (9), wherein the acid leaving group has at least one of an —O— structure, an —Si—aryl structure, and an —O—Si— structure.
(11) 前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (11) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (10), wherein the leaving group causes a decrease in the refractive index of the polymer due to the leaving.
(12) 前記離脱性基は、−Si−ジフェニル構造および−O−Si−ジフェニル構造の少なくとも一方である上記(11)に記載の光導波路構造体。 (12) The optical waveguide structure according to (11), wherein the leaving group is at least one of a -Si-diphenyl structure and a -O-Si-diphenyl structure.
(13) 前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記(1)ないし(12)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (13) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (12), wherein the polymer is mainly a norbornene-based polymer.
(14) コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層を有する光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有する光導波路構造体であって、
前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっていることを特徴とする光導波路構造体。
(14) An optical waveguide structure having an optical waveguide having a core layer including a core portion, a cladding portion having a lower refractive index than the core portion, and a conductor layer provided on at least one surface side of the optical waveguide. Because
The core layer is mainly composed of a norbornene-based polymer having a main chain and a main chain branched from the main chain, and having a leaving group capable of leaving at least a part of the molecular structure from the main chain,
The optical waveguide structure, wherein the core portion and the clad portion have different refractive indexes due to different numbers of the leaving groups bonded to the main chain.
(15) 前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記(13)または(14)に記載の光導波路構造体。 (15) The optical waveguide structure according to (13) or (14), wherein the norbornene-based polymer is an addition polymer.
(16) 前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである上記(13)ないし(15)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (16) The optical waveguide structure according to any one of (13) to (15), wherein the norbornene-based polymer includes a repeating unit of diphenylmethylnorbornenemethoxysilane.
(17) 前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記(13)ないし(16)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (17) The optical waveguide structure according to any one of (13) to (16), wherein the norbornene-based polymer includes an alkylnorbornene repeating unit.
(18) 前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記(13)ないし(17)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (18) The optical waveguide structure according to any one of (13) to (17), wherein the norbornene-based polymer includes a repeating unit of hexyl norbornene.
(19) 前記光導波路は、前記コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率が低いクラッド層を有する上記(1)ないし(18)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (19) The optical waveguide according to any one of (1) to (18), wherein the optical waveguide includes a cladding layer that is provided in contact with at least one surface of the core layer and has a refractive index lower than that of the core portion. Waveguide structure.
(20) 前記導体層の平均厚さは、前記光導波路の平均厚さの10〜90%である上記(1)ないし(19)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (20) The optical waveguide structure according to any one of (1) to (19), wherein an average thickness of the conductor layer is 10 to 90% of an average thickness of the optical waveguide.
(21) 前記導体層は、乾式メッキ法、湿式メッキ法および導電性を有するシート材の接合のうちの少なくとも1つの方法により形成されたものである請求項(1)ないし(20)のいずれかに記載の光導波路構造体。 (21) The conductor layer is formed by at least one of a dry plating method, a wet plating method, and joining of conductive sheet materials. 2. An optical waveguide structure according to 1.
本発明によれば、予め導体層が形成されているため、素子への配線(電気回路の形成)が容易であるとともに、素子の種類(端子の設置箇所)等に係わらずそれに適した配線が可能であり、配線回路の構成の自由度(例えば、端子の設置箇所の選択の自由度)が広く、汎用性に富む。 According to the present invention, since the conductor layer is formed in advance, wiring to the element (formation of an electric circuit) is easy, and wiring suitable for the element can be provided regardless of the type of element (terminal installation location). This is possible, and the degree of freedom of the configuration of the wiring circuit (for example, the degree of freedom of selection of the terminal installation location) is wide and versatile.
そして、本発明によれば、活性放射線の照射という簡単な方法でコア部のパターニングをすることができ、コア部(光回路)のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。 According to the present invention, the core portion can be patterned by a simple method of irradiation with actinic radiation, the core portion (optical circuit) has a wide degree of freedom in designing the pattern shape, and the core has high dimensional accuracy. Part is obtained.
また、本発明によれば、配線(電気回路)およびコア部(光回路)の双方を高い配設密度で形成することができるため、光および電気の混成回路において、効率の良い回路設計が可能となるとともに、さらなる回路の集積化が可能となる。 In addition, according to the present invention, since both the wiring (electric circuit) and the core part (optical circuit) can be formed with high arrangement density, efficient circuit design is possible in a hybrid optical and electrical circuit. In addition, further circuit integration is possible.
また、本発明によれば、かかる光導波路構造体を容易に製造することができる。
また、コア層をノルボルネン系ポリマーを含む材料で構成することにより、コア部に高い光伝送性能を付与することができる。
Further, according to the present invention, such an optical waveguide structure can be easily manufactured.
Further, by configuring the core layer with a material containing a norbornene-based polymer, high optical transmission performance can be imparted to the core portion.
また、この場合、光導波路構造体が湾曲変形した場合でも、コア部内にマイクロクラックが発生すること等の欠陥が生じ難いことから、耐久性の向上を図ることもできる。 In this case, even when the optical waveguide structure is bent and deformed, defects such as microcracks are not easily generated in the core portion, so that durability can be improved.
さらに、この場合、コア部とクラッド部との屈折率の差をより大きくすることができ、また、耐熱性にも優れ、その結果、高性能な光導波路が得られる。 Furthermore, in this case, the difference in refractive index between the core portion and the clad portion can be further increased, and the heat resistance is excellent. As a result, a high-performance optical waveguide is obtained.
このような本発明の光導波路構造体は、光回路(光導波路のパターン)や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富む。そのため、本発明は、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。 Such an optical waveguide structure of the present invention has a wide range of optical circuit (optical waveguide pattern) and electrical circuit design, good yield, high optical transmission performance, excellent reliability and durability, Rich in versatility. Therefore, the present invention can be used for various electronic components, electronic devices, and the like.
以下、本発明の光導波路構造体について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。 Hereinafter, the optical waveguide structure of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
図1は、本発明の光導波路構造体の実施形態を示す斜視図(一部切り欠いて示す)である。 FIG. 1 is a perspective view (partially cut away) showing an embodiment of an optical waveguide structure of the present invention.
なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする(以下の図において同様である。)。 In the following description, the upper side in FIG. 1 is “upper” or “upper”, and the lower side is “lower” or “lower” (the same applies to the following drawings).
また、各図は、層の厚さ方向(各図の上下方向)が誇張して描かれている。
図1に示す光導波路構造体9は、光導波路90と、その上面および下面に、それぞれ設けられた導体層901、902とを有し、これら各層が接合されたものである。
Each figure is exaggerated in the thickness direction of the layer (the vertical direction in each figure).
The optical waveguide structure 9 shown in FIG. 1 has an
導体層901、902の構成材料としては、それぞれ、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金のような各種金属材料、インジウムスズ酸化物(ITO)、フッ素含有インジウムスズ酸化物(FTO)のような各種酸化物材料等が挙げられる。 The constituent materials of the conductor layers 901 and 902 are, for example, various metal materials such as copper, copper-based alloy, aluminum, and aluminum-based alloy, indium tin oxide (ITO), and fluorine-containing indium tin oxide (FTO). And various oxide materials.
導体層901、902の平均厚さは、それぞれ、光導波路90の平均厚さの10〜90%程度であるのが好ましく、20〜80%程度であるのがより好ましい。具体的には、導体層901、902の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、3〜100μm程度が好ましく、5〜70μm程度がより好ましい。これにより、光導波路構造体9の可撓性が低下するのを防止しつつ、導体層901、902を導電性に優れたものとすることができる。
The average thicknesses of the conductor layers 901 and 902 are each preferably about 10 to 90% of the average thickness of the
また、図1に示す構成では、導体層901、902は、いずれも、平板状(シート状)をなしている。この場合、導体層901、902の所定のパターンに加工した後、所望の箇所に、光学素子(発光素子、受光素子等)を実装することにより、光学回路と電気回路とを備える複合装置を製造することができる。 Moreover, in the structure shown in FIG. 1, both the conductor layers 901 and 902 have comprised flat form (sheet form). In this case, after processing into a predetermined pattern of the conductor layers 901 and 902, an optical element (light emitting element, light receiving element, etc.) is mounted at a desired location, thereby manufacturing a composite device including an optical circuit and an electric circuit. can do.
なお、導体層901、902は、それぞれ、予めパターニングされたもの(配線)であってもよい。また、必要に応じて、導体層901および902のいずれか一方を省略してもよい。 The conductor layers 901 and 902 may be previously patterned (wiring). Moreover, you may abbreviate | omit either one of the conductor layers 901 and 902 as needed.
また、導体層901、902と光導波路90との間には、任意の目的(例えば、密着性を向上させる目的等)の層が1層または2層以上設けられていてもよい。
Further, between the conductor layers 901 and 902 and the
光導波路90は、図1中下側からクラッド層(下部クラッド層)91、コア層93およびクラッド層(上部クラッド層)92をこの順に積層してなるものであり、コア層93には、所定パターンのコア部94と、このコア部(導波路チャンネル)94に隣接するクラッド部95とが形成されている。
The
コア部94とクラッド部95との屈折率の差は、特に限定されないが、0.3〜5.5%程度が好ましく、特に0.8〜2.2%程度が好ましい。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。
The difference in refractive index between the
なお、前記屈折率差とは、コア部94の屈折率をA、クラッド部95の屈折率をBとしたとき、次式で表される。
屈折率差(%)=|A/B−1|×100
The refractive index difference is expressed by the following equation, where A is the refractive index of the
Refractive index difference (%) = | A / B-1 | × 100
また、図1に示す構成では、コア部94は、平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等してもよく、その形状は任意である。なお、後述するような光導波路構造体9の製造方法を用いれば、複雑かつ任意の形状のコア部94を容易にかつ寸法精度よく形成することができる。
In the configuration shown in FIG. 1, the
また、コア部94は、その横断面形状が正方形または矩形(長方形)のような四角形をなしている。
The
コア部94の幅および高さは、特に限定されないが、それぞれ、1〜200μm程度であるのが好ましく、5〜100μm程度であるのがより好ましく、10〜60μm程度であるのがさらに好ましい。
The width and height of the
このコア部94は、クラッド部95に比べて屈折率が高い材料で構成され、また、クラッド層91、92に対しても屈折率が高い材料で構成されている。
The
クラッド層91および92は、それぞれ、コア部94の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部94は、その外周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。
The clad layers 91 and 92 constitute the clad portions located at the lower part and the upper part of the
クラッド層91、92の平均厚さは、特に限定されないが、1〜200μm程度であるのが好ましく、5〜100μm程度であるのがより好ましく、10〜60μm程度であるのがさらに好ましい。 The average thickness of the cladding layers 91 and 92 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 200 μm, more preferably about 5 to 100 μm, and still more preferably about 10 to 60 μm.
なお、クラッド層91、クラッド部95およびクラッド層92の構成材料は、それぞれ、同一(同種)のものでも異なるものでもよいが、これらは、屈折率が同じかまたは近似しているものであるのが好ましい。クラッド層91、92およびコア層93の構成材料の詳細については、後に説明する。
The constituent materials of the clad
本発明の光導波路構造体9は、コア部94の材料の光学特性等によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、600〜1550nm程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用される。
The optical waveguide structure 9 of the present invention is slightly different depending on the optical characteristics of the material of the
次に、光導波路構造体9の製造方法の一例について説明する。
<第1の製造方法>
まず、光導波路構造体9の第1の製造方法について説明する。
Next, an example of a method for manufacturing the optical waveguide structure 9 will be described.
<First manufacturing method>
First, the 1st manufacturing method of the optical waveguide structure 9 is demonstrated.
図2〜図7は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の第1の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 2-7 is sectional drawing which shows typically the process example of the 1st manufacturing method of the optical waveguide structure of this invention, respectively.
[1A] まず、支持基板951上に、層910を形成する(図2参照)。
層910は、コア層形成用材料(ワニス)900を塗布し硬化(固化)させる方法により形成される。
[1A] First, a
The
具体的には、層910は、支持基板951上にコア層形成用材料900を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板951を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発(脱溶媒)することにより形成する。
Specifically, the
層910を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
When the
支持基板951には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等が用いられる。
As the
コア層形成用材料900は、ポリマー915と、添加剤920(本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む)とで構成される光誘発熱現像性材料(PITDM)を含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー915中において、モノマーの反応が生じる材料である。
The core
そして、得られた層910中では、ポリマー(マトリックス)915は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤920は、ポリマー915内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層910中には、添加剤920が実質的に一様かつ任意に分散されている。
In the resulting
このような層910の平均厚さは、形成すべきコア層93の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、10〜100μm程度であるのがより好ましく、15〜65μm程度であるのがさらに好ましい。
The average thickness of the
ポリマー915には、透明性が十分に高く(無色透明であり)、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応(重合反応や架橋反応)可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。
The
ここで、「相溶性を有する」とは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料900中や層910中においてポリマー915と相分離を起こさないことを言う。
Here, “having compatibility” means that the monomer is at least mixed and does not cause phase separation with the
このようなポリマー915としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(ポリマーアロイ、ポリマーブレンド(混合物)、共重合体など)用いることができる。
Examples of such a
これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂(ノルボルネン系ポリマー)を主とするものが好ましい。ポリマー915としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層93を得ることができる。
Among these, those mainly composed of norbornene resins (norbornene polymers) are preferable. By using a norbornene-based polymer as the
また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層93を得ることができる。
Moreover, since norbornene-type polymer has high hydrophobicity, the
ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの(ホモポリマー)、2つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの(コポリマー)のいずれであってもよい。 The norbornene polymer may be either one having a single repeating unit (homopolymer) or one having two or more norbornene repeating units (copolymer).
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、(1)ノルボルネン型モノマーを付加(共)重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加(共)重合体、(2)ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、(3)ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、(4)ノルボルネン型モノマーの開環(共)重合体、および必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、(5)ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、(6)ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該(共)重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。 Examples of such norbornene-based polymers include (1) addition (co) polymers of norbornene monomers obtained by addition (co) polymerization of norbornene monomers, and (2) norbornene monomers and ethylene or α-olefins. (3) addition polymers such as addition copolymers with norbornene-type monomers and non-conjugated dienes, and other monomers as required, (4) ring opening of norbornene-type monomers ( A (co) polymer, and a resin obtained by hydrogenating the (co) polymer if necessary, (5) a ring-opening copolymer of a norbornene-type monomer and ethylene or α-olefins, and ( (Co) polymer hydrogenated resin, (6) ring-opening copolymer of norbornene type monomer and non-conjugated diene or other monomer, and (co) polymerization if necessary And a ring-opening polymer such as a polymer obtained by hydrogenating the body. Examples of these polymers include random copolymers, block copolymers, and alternating copolymers.
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合(ROMP)、ROMPと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤(例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤)を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。 These norbornene-based polymers include, for example, ring-opening metathesis polymerization (ROMP), combination of ROMP and hydrogenation reaction, polymerization by radical or cation, polymerization using a cationic palladium polymerization initiator, and other polymerization initiators ( For example, it can be obtained by any known polymerization method such as polymerization using a polymerization initiator of nickel or another transition metal).
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化1(構造式B)で表される少なくとも1個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加(共)重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。 Among these, as the norbornene-based polymer, those having at least one repeating unit represented by the following chemical formula 1 (Structural Formula B), that is, an addition (co) polymer is preferable. This is preferable because it is rich in transparency, heat resistance and flexibility.
かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー(後述する化3で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマー)を用いることにより好適に合成される。
Such a norbornene polymer is suitably synthesized by using, for example, a norbornene monomer described later (a norbornene monomer represented by
なお、比較的高い屈折率を有するポリマー915を得るためには、分子構造中に、芳香族環(芳香族基)、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー915が合成(重合)される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー915を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造(エーテル基)を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー915が合成(重合)される。
In order to obtain a
比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。 As the norbornene-based polymer having a relatively high refractive index, those containing a repeating unit of aralkylnorbornene are preferable. Such norbornene-based polymers have a particularly high refractive index.
アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基(アリールアルキル基)としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。 Examples of the aralkyl group (arylalkyl group) of the aralkylnorbornene repeating unit include benzyl group, phenylethyl group, phenylpropyl group, phenylbutyl group, naphthylethyl group, naphthylpropyl group, fluorenylethyl group, fluorene group, and the like. Examples thereof include a nylpropyl group, and a benzyl group and a phenylethyl group are particularly preferable.
かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。 A norbornene-based polymer having such a repeating unit is preferable because it has a very high refractive index.
また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路90に高いフレキシビリティ(可撓性)を付与することができる。
Further, the norbornene-based polymer preferably contains an alkylnorbornene repeating unit. Since the norbornene-based polymer containing the alkylnorbornene repeating unit has high flexibility, high flexibility (flexibility) can be imparted to the
アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。 Examples of the alkyl group that the alkylnorbornene repeating unit has include a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decyl group, and a hexyl group is particularly preferable. These alkyl groups may be either linear or branched.
ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。また、かかるノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域(特に、850nm付近の波長領域)の光に対する透過率が優れることから好ましい。 By including the repeating unit of hexyl norbornene, it is possible to prevent the refractive index of the entire norbornene-based polymer from being lowered and to maintain high flexibility. Such a norbornene-based polymer is preferable because of its excellent transmittance with respect to light in the wavelength region as described above (particularly in the wavelength region near 850 nm).
このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Preferred examples of such norbornene polymers include hexyl norbornene homopolymer, phenylethyl norbornene homopolymer, benzyl norbornene homopolymer, hexyl norbornene and phenylethyl norbornene copolymer, and hexyl norbornene and benzyl norbornene copolymer. However, it is not limited to these.
本実施形態のコア層形成用材料900は、添加剤920として、モノマー、助触媒(第1の物質)および触媒前駆体(第2の物質)を含んでいる。
The core
モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層910において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。 The monomer reacts in the active radiation irradiated region by irradiation with actinic radiation, which will be described later, and forms a reaction product. It is a compound that can cause a rate difference.
ここで、この反応物としては、モノマーがポリマー(マトリックス)915中で重合して形成されたポリマー(重合体)、ポリマー915同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー915に重合してポリマー915から分岐した分岐構造(ブランチポリマーや側鎖(ペンダントグループ))のうちの少なくとも1つが挙げられる。
Here, as this reaction product, a polymer (polymer) formed by polymerizing a monomer in a polymer (matrix) 915, a crosslinked structure that cross-links the
ここで、層910において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー915と、このポリマー915に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー915と、このポリマー915に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。
Here, in the
なお、屈折率が「高い」または「低い」とは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。 Note that “high” or “low” in the refractive index does not mean the absolute value of the refractive index but means a relative relationship between certain materials.
そして、モノマーの反応(反応物の生成)により、層910において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部95となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部94となる。
When the refractive index of the irradiated region in the
このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸(メタクリル酸)系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Such a monomer is not particularly limited as long as it is a compound having a polymerizable site, and examples thereof include norbornene monomers, acrylic acid (methacrylic acid) monomers, epoxy monomers, styrene monomers, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層93(光導波路90)が得られる。 Among these, it is preferable to use a norbornene-based monomer as the monomer. By using the norbornene-based monomer, it is possible to obtain the core layer 93 (optical waveguide 90) having excellent optical transmission performance and excellent heat resistance and flexibility.
ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化2(構造式A)で示されるノルボルネン骨格を少なくとも1つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化3(構造式C)で表される化合物が挙げられる。 Here, the norbornene-based monomer is a generic term for monomers containing at least one norbornene skeleton represented by the following chemical formula 2 (structural formula A), and examples thereof include compounds represented by the following chemical formula 3 (structural formula C). .
無置換の炭化水素基(ハイドロカルビル基)としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数1〜10(C1〜C10)のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数2〜10(C2〜C10のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数2〜10(C2〜C10)のアルキニル基、炭素数4〜12(C4〜C12)のシクロアルキル基、炭素数4〜12(C4〜C12)のシクロアルケニル基、炭素数6〜12(C6〜C12)のアリール基、炭素数7〜24(C7〜C24)のアラルキル基(アリールアルキル基)等が挙げられ、その他、R1およびR2、R3およびR4が、それぞれ炭素数1〜10(C1〜C10)のアルキリデニル基であってもよい。 Examples of the unsubstituted hydrocarbon group (hydrocarbyl group) include, for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (C 1 to C 10 ), a linear or branched carbon number of 2 -10 (C 2 -C 10 alkenyl group, linear or branched alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms (C 2 -C 10 ), cycloalkyl having 4 to 12 carbon atoms (C 4 -C 12 ) Group, C 4-12 (C 4 -C 12 ) cycloalkenyl group, C 6-12 (C 6 -C 12 ) aryl group, C 7-24 (C 7 -C 24 ) aralkyl group In addition, R 1 and R 2 , R 3 and R 4 may each be an alkylidenyl group having 1 to 10 carbon atoms (C 1 to C 10 ).
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group. , Nonyl and decyl groups, but are not limited thereto.
アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group.
アルキニル基の具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、2−プロピニル基、1−ブチニル基および2−ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the alkynyl group include, but are not limited to, ethynyl group, 1-propynyl group, 2-propynyl group, 1-butynyl group and 2-butynyl group.
シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the cycloalkyl group include, but are not limited to, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル(anthracenyl)基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group.
アラルキル(aralkyl)基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチル(フェネチル:phenethyl)基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the aralkyl group include, but are not limited to, a benzyl group and a phenylethyl (phenethyl) group.
また、アルキリデニル(alkylidenyl)基の具体例としては、メチリデニル(methylidenyl)基およびエチリデニル(ethylidenyl)基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Further, specific examples of the alkylidenyl group include, but are not limited to, a methylidenyl group and an ethylidenyl group.
置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビル(halohydrocarbyl)基、パーハロハイドロカルビル(perhalohydrocarbyl)基であるか、パーハロカルビル(perhalocarbyl)基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。 Examples of the substituted hydrocarbon group include those in which some or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group are substituted with a halogen atom, that is, a halohydrocarbyl group, a perhalohydrocarbyl group. Or halogenated hydrocarbon groups such as perhalocarbyl groups.
これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも1種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。 In these halogenated hydrocarbon groups, the halogen atom substituted with a hydrogen atom is preferably at least one selected from a chlorine atom, fluorine and bromine, more preferably a fluorine atom.
このうち、パーハロゲン化された炭化水素基(パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基)の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基(トリフルオロメチル基)、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。 Among these, specific examples of the perhalogenated hydrocarbon group (perhalohydrocarbyl group, perhalocarbyl group) include, for example, a perfluorophenyl group, a perfluoromethyl group (trifluoromethyl group), and a perfluoroethyl group. Perfluoropropyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group and the like.
なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数1〜10のもの以外に、炭素数11〜20のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式:−CZX’’2Z+1で表される基を選択することができる。ここで、X’’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Zは、1〜20の整数を表す。 As the halogenated alkyl group, those having 11 to 20 carbon atoms can be suitably used in addition to those having 1 to 10 carbon atoms. That is, as the halogenated alkyl group, a group that is partially or completely halogenated, linear or branched, and represented by the general formula: —C Z X ″ 2Z + 1 can be selected. Here, X '' represents a halogen atom or a hydrogen atom each independently, and Z represents the integer of 1-20.
また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数1〜5(C1〜C5)のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基(アラアルキル基)等が挙げられる。 In addition to the halogen atom, the substituted hydrocarbon group may be a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (C 1 to C 5 ), a haloalkyl group, an aryl group, and a cycloalkyl group. Examples thereof include a substituted cycloalkyl group, aryl group, and aralkyl group (aralkyl group).
また、官能置換基としては、例えば、−(CH2)n−CH(CF2)2−O−Si(Me)3、−(CH2)n−CH(CF3)2−O−CH2−O−CH3、−(CH2)n−CH(CF3)2−O−C(O)−O−C(CH3)3、−(CH2)n−C(CF3)2−OH、−(CH2)n−C(O)−NH2、−(CH2)n−C(O)−Cl、−(CH2)n−C(O)−O−R5、−(CH2)n−O−R5、−(CH2)n−O−C(O)−R5、−(CH2)n−C(O)−R5、−(CH2)n−O−C(O)−OR5、−(CH2)n−Si(R5)3、−(CH2)n−Si(OR5)3、−(CH2)n−O−Si(R5)3および−(CH2)n−C(O)−OR6等が挙げられる。
Moreover, as a functional substituent, for example, — (CH 2 ) n —CH (CF 2 ) 2 —O—Si (Me) 3 , — (CH 2 ) n —CH (CF 3 ) 2 —O—CH 2 —O—CH 3 , — (CH 2 ) n —CH (CF 3 ) 2 —O—C (O) —O—C (CH 3 ) 3 , — (CH 2 ) n —C (CF 3 ) 2 — OH, — (CH 2 ) n —C (O) —NH 2 , — (CH 2 ) n —C (O) —Cl, — (CH 2 ) n —C (O) —O—R 5 , — ( CH 2) n-O-R 5, - (CH 2) n -O-C (O) -
ここで、前記各式において、それぞれ、nは、0〜10の整数を示し、R5は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数1〜20(C1〜C20)アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数1〜20(C1〜C20)のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数2〜10(C2〜C10)のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数2〜10(C2〜C10)のアルキニル基、炭素数5〜12(C5〜C12)のシクロアルキル基、炭素数6〜14(C6〜C14)のアリール基、炭素数6〜14(C6〜C14)のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数7〜24(C7〜C24)のアラルキル基を表す。
Here, in each of the formulas above, each, n is an integer of 0, R 5 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched
なお、R5で示される炭化水素基は、R1〜R4で示されるものと同一の炭化水素基を示す。R1〜R4で示すように、R5で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。 Incidentally, the hydrocarbon group represented by R 5 represents the same hydrocarbon groups as those represented by R 1 to R 4. As represented by R 1 to R 4 , the hydrocarbon group represented by R 5 may be halogenated or perhalogenated.
例えば、R5が炭素数1〜20(C1〜C20)のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、R5は、一般式:−CZX’’2Z+1で表される。ここで、zおよびX’’は、それぞれ、上記の定義と同じであり、X’’の少なくとも1つは、ハロゲン原子(例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子)である。 For example, when R 5 is a halogenated or perhalogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms (C 1 to C 20 ), R 5 is represented by the general formula: —C Z X ″ 2Z + 1 . Here, z and X ″ are the same as defined above, and at least one of X ″ is a halogen atom (for example, a bromine atom, a chlorine atom, or a fluorine atom).
ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのX’’がハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、−C7F15、−C11F23が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Here, the perhalogenated alkyl group is a group in which all X ″ are halogen atoms in the above general formula, and specific examples thereof include a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group, —C 7 F 15. Although -C 11 F 23 and the like, but are not limited to.
パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of the perhalogenated aryl group include, but are not limited to, a pentachlorophenyl group and a pentafluorophenyl group.
また、R6としては、例えば、−C(CH3)3、−Si(CH3)3、−CH(R7)−O−CH2CH3、−CH(R7)OC(CH3)3および下記化4の環状基等が挙げられる。
Examples of R 6 include —C (CH 3 ) 3 , —Si (CH 3 ) 3 , —CH (R 7 ) —O—CH 2 CH 3 , —CH (R 7 ) OC (CH 3 ). 3 and the cyclic group of the following
ここで、R7は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数1〜5(C1〜C5)のアルキル基を表す。 Here, R 7 represents a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (C 1 to C 5 ).
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル、ペンチル基、t−ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl, pentyl group, t-pentyl group, and neopentyl group.
なお、上記化4で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。
In the cyclic group represented by
R6の具体例としては、例えば、1−メチル−1−シクロヘキシル基、イソボルニル(isobornyl)基、2−メチル−2−イソボルニル基、2−メチル−2−アダマンチル基、テトラヒドロフラニル(tetrahydrofuranyl)基、テトラヒドロピラノイル(tetrahydropyranoyl)基、3−オクソシクロヘキサノイル(3−oxocyclohexanonyl)基、メバロンラクトニル(mevalonic lactonyl)基、1−エトキシエチル基、1−t−ブトキシエチル基等が挙げられる。 Specific examples of R 6 include, for example, a 1-methyl-1-cyclohexyl group, an isobornyl group, a 2-methyl-2-isobornyl group, a 2-methyl-2-adamantyl group, a tetrahydrofuranyl group, Examples thereof include a tetrahydropyranoyl group, a 3-oxocyclohexanoyl group, a mevalonic lactonyl group, a 1-ethoxyethyl group, and a 1-t-butoxyethyl group.
また、他のR6としては、例えば、下記化5で表されるジシクロプロピルメチル基(Dcpm)、ジメチルシクロプロピルメチル基(Dmcp)等が挙げられる。
Other examples of R 6 include a dicyclopropylmethyl group (Dcpm) and a dimethylcyclopropylmethyl group (Dmcp) represented by the following
また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー(架橋剤)を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。 Moreover, it can replace with said monomer for a monomer, or can also use a crosslinkable monomer (crosslinking agent) with said monomer. This crosslinkable monomer is a compound capable of causing a crosslinking reaction in the presence of a catalyst precursor described later.
架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層93(光導波路90)の形成(プロセス)に要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層93の耐熱性を向上させることができる。
The use of the crosslinkable monomer has the following advantages. That is, since the crosslinkable monomer is polymerized faster, the time required for the formation (process) of the core layer 93 (optical waveguide 90) can be shortened. Moreover, since the crosslinkable monomer is difficult to evaporate even when heated, an increase in vapor pressure can be suppressed. Furthermore, since the crosslinkable monomer is excellent in heat resistance, the heat resistance of the
このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化2(構造式A)で表されるノルボルネン系部位(ノルボルネン系二重結合)を含む化合物である。 Among these, the crosslinkable norbornene-based monomer is a compound including a norbornene-based moiety (norbornene-based double bond) represented by Formula 2 (Structural Formula A).
架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系(fused multicyclic ring systems)の化合物と、連結多環環系(linked multicyclic ring systems)の化合物とがある。 As the crosslinkable norbornene-based monomer, there are a compound of a continuous polycyclic ring system and a compound of a linked multicyclic ring system.
連続多環環系の化合物(連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー)としては、下記化6で表される化合物が挙げられる。 Examples of the continuous polycyclic ring-based compound (continuous polycyclic ring-based crosslinkable norbornene-based monomer) include compounds represented by the following chemical formula (6).
なお、簡略化のため、ノルボルナジエン(norbornadiene)は、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。 For the sake of simplification, norbornadiene is included in the continuous polycyclic ring system and is considered to include a polymerizable norbornene double bond.
この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化7で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 Specific examples of this continuous polycyclic compound include, but are not limited to, compounds represented by the following chemical formula (7).
一方、連結多環環系の化合物(連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー)としては、下記化8で表される化合物が挙げられる。 On the other hand, examples of the linked polycyclic ring-based compound (linked polycyclic ring-based crosslinkable norbornene-based monomer) include compounds represented by the following chemical formula (8).
ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を2つ有する基のことを言う。 Here, the divalent substituent refers to a group having two bonds that can be bonded to the norbornene structure at the end.
二価の炭化水素基(ハイドロカルビル基)の具体例としては、一般式:−(CdH2d)−で表されるアルキレン基(dは、好ましくは1〜10の整数を表す。)と、二価の芳香族基(アリール基)とが挙げられる。 Specific examples of the divalent hydrocarbon group (hydrocarbyl group) include an alkylene group represented by the general formula:-(C d H 2d )-(d is preferably an integer of 1 to 10). And a divalent aromatic group (aryl group).
二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数1〜10(C1〜C10)のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。 The divalent alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms (C 1 to C 10 ), such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, Examples include a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, and a decylene group.
なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。 The branched alkylene group is one in which a main chain hydrogen atom is substituted with a linear or branched alkyl group.
一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。
また、二価のエーテル基は、−R10−O−R10−で表される基である。
On the other hand, the divalent aromatic group is preferably a divalent phenyl group or a divalent naphthyl group.
The divalent ether group is a group represented by —R 10 —O—R 10 —.
ここで、R10は、それぞれ独立して、R9と同じものを表す。
この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化9、化10、化11、化12で表される化合物の他、化13、化14で表されるフッ素含有化合物(フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマー)が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
Here, R 10 independently represents the same as R 9 .
Specific examples of the linked polycyclic ring compound include compounds represented by the following chemical formula 9, chemical formula 10, chemical formula 11 and chemical formula 12, as well as fluorine-containing compounds represented by chemical formula 13 and chemical formula 14 (fluorine-containing crosslinks). Norbornene-based monomers), but is not limited thereto.
この化10で表される化合物は、ジメチルビス[ビシクロ[2.2.1]へプト−2−エン−5−メトキシ]シランであり、またの命名では、ジメチルビス(ノルボルネンメトキシ)シラン(「SiX」と略される。)と呼ばれる。 The compound represented by the chemical formula 10 is dimethylbis [bicyclo [2.2.1] hept-2-ene-5-methoxy] silane, and is named dimethylbis (norbornenemethoxy) silane (“ Abbreviated as “SiX”).
各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビス(ノルボルネンメトキシ)シラン(SiX)が好ましい。SiXは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および/またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部95とすることができる。また、コア部94とクラッド部95との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層93(光導波路90)の特性(光伝送性能)の向上を図ることができる。
Among various crosslinkable norbornene monomers, dimethylbis (norbornenemethoxy) silane (SiX) is particularly preferable. SiX has a sufficiently low refractive index with respect to a norbornene-based polymer containing a repeating unit of alkylnorbornene and / or a repeating unit of aralkylnorbornene. For this reason, the refractive index of the irradiation region irradiated with actinic radiation, which will be described later, can be reliably lowered to form the
なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。 In addition, you may make it use the above monomers individually or in arbitrary combinations.
触媒前駆体(第2の物質)は、前記のモノマーの反応(重合反応、架橋反応等)を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒(第1の物質)の作用により、活性化温度が変化する物質である。 The catalyst precursor (second substance) is a substance capable of initiating the above-described monomer reaction (polymerization reaction, crosslinking reaction, etc.), and is a promoter (first substance) activated by irradiation with actinic radiation described later. It is a substance whose activation temperature changes by the action of.
この触媒前駆体(プロカタリスト:procatalyst)としては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化(上昇または低下)するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層93(光導波路90)を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路90の特性(光伝送性能)が低下するのを防止することができる。
As the catalyst precursor (procatalyst), any compound may be used as long as the activation temperature changes (increases or decreases) with irradiation of actinic radiation. Those whose activation temperature decreases with irradiation are preferred. As a result, the core layer 93 (optical waveguide 90) can be formed by heat treatment at a relatively low temperature, and unnecessary heat is applied to the other layers, which degrades the characteristics (optical transmission performance) of the
このような触媒前駆体としては、下記式(Ia)および(Ib)で表わされる化合物の少なくとも一方を含む(主とする)ものが好適に用いられる。 As such a catalyst precursor, a catalyst precursor containing (mainly) at least one of the compounds represented by the following formulas (Ia) and (Ib) is preferably used.
式Iaに従う典型的な触媒前駆体としては、Pd(OAc)2(P(i−Pr)3)2、Pd(OAc)2(P(Cy)3)2、Pd(O2CCMe3)2(P(Cy)3)2、Pd(OAc)2(P(Cp)3)2、Pd(O2CCF3)2(P(Cy)3)2、Pd(O2CC6H5)3(P(Cy)3)2が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Cpは、シクロペンチル(cyclopentyl)基を表し、Cyは、シクロヘキシル基を表す。 Typical catalyst precursors according to Formula Ia include Pd (OAc) 2 (P (i-Pr) 3 ) 2 , Pd (OAc) 2 (P (Cy) 3 ) 2 , Pd (O 2 CCMe 3 ) 2 (P (Cy) 3 ) 2 , Pd (OAc) 2 (P (Cp) 3 ) 2 , Pd (O 2 CCF 3 ) 2 (P (Cy) 3 ) 2 , Pd (O 2 CC 6 H 5 ) 3 (P (Cy) 3 ) 2 may be mentioned, but is not limited thereto. Here, Cp represents a cyclopentyl group, and Cy represents a cyclohexyl group.
また、式Ibで表される触媒前駆体としては、pおよびrが、それぞれ1および2の整数から選択される化合物が好ましい。 The catalyst precursor represented by the formula Ib is preferably a compound in which p and r are each selected from integers of 1 and 2.
このような式Ibに従う典型的な触媒前駆体としては、Pd(OAc)2(P(Cy)3)2が挙げられる。ここで、Cyは、シクロヘキシル基を表し、Acは、アセチル基を表す。 Typical catalyst precursors according to such formula Ib include Pd (OAc) 2 (P (Cy) 3 ) 2 . Here, Cy represents a cyclohexyl group, and Ac represents an acetyl group.
これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応(ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等)することができる。 These catalyst precursors can efficiently react with a monomer (in the case of a norbornene-based monomer, an efficient polymerization reaction, a crosslinking reaction, etc. by an addition polymerization reaction).
また、活性化温度が低下した状態(活性潜在状態)において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも10〜80℃程度(好ましくは、10〜50℃程度)低くなるものが好ましい。これにより、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。
In the state where the activation temperature is lowered (active latent state), the catalyst precursor has an activation temperature lower by about 10 to 80 ° C. (preferably about 10 to 50 ° C.) than the original activation temperature. Is preferred. Thereby, the refractive index difference between the
かかる触媒前駆体としては、Pd(OAc)2(P(i−Pr)3)2およびPd(OAc)2(P(Cy)3)2のうちの少なくとも一方を含む(主とする)ものが好適である。 Such a catalyst precursor includes (mainly) one containing at least one of Pd (OAc) 2 (P (i-Pr) 3 ) 2 and Pd (OAc) 2 (P (Cy) 3 ) 2. Is preferred.
なお、以下では、Pd(OAc)2(P(i−Pr)3)2を「Pd545」と、また、Pd(OAc)2(P(Cy)3)2を「Pd785」と略すことがある。 Hereinafter, Pd (OAc) 2 (P (i-Pr) 3 ) 2 may be abbreviated as “Pd545”, and Pd (OAc) 2 (P (Cy) 3 ) 2 may be abbreviated as “Pd785”. .
助触媒(第1の物質)は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体(プロカタリスト)の活性化温度(モノマーに反応を生じさせる温度)を変化させ得る物質である。 The cocatalyst (first substance) is a substance that can be activated by irradiation with actinic radiation to change the activation temperature of the catalyst precursor (procatalyst) (the temperature at which the monomer reacts).
この助触媒(コカタリスト:cocatalyst)としては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化(反応または分解)して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン(WCA)とを発生する化合物(光開始剤)を含む(主とする)ものが好適に用いられる。 As the cocatalyst (cocatalyst), any compound can be used as long as it has a molecular structure that changes (reacts or decomposes) when activated by irradiation with actinic radiation. A compound (photoinitiator) that decomposes upon irradiation with actinic radiation and generates a cation such as a proton or other cation and a weakly coordinated anion (WCA) that can be substituted with a leaving group of the catalyst precursor ( (Mainly) is preferably used.
弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン(FABA−)、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン(SbF6 −)等が挙げられる。 Examples of the weak coordination anion include tetrakis (pentafluorophenyl) borate ion (FABA − ), hexafluoroantimonate ion (SbF 6 − ), and the like.
この助触媒(光酸発生剤または光塩基発生剤)としては、例えば、下記化17で表されるテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。 Examples of the cocatalyst (photoacid generator or photobase generator) include tetrakis (pentafluorophenyl) borate and hexafluoroantimonate represented by the following chemical formula 17, tetrakis (pentafluorophenyl) Examples include gallates, aluminates, antimonates, other borates, gallates, carboranes, halocarboranes, and the like.
このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのRhodia USA社から入手可能な「RHODORSIL(登録商標、以下同様である。)
PHOTOINITIATOR 2074(CAS番号第178233−72−2番)」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「TAG−372R((ジメチル(2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル)スルフォニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート:CAS番号第193957−54−9番))、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能な「MPI−103(CAS番号第87709−41−9番)」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「TAG−371(CAS番号第193957−53−8番)」、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能な「TTBPS−TPFPB(トリス(4−tert−ブチルフェニル)スルフォニウムテトラキス(ペンタペンタフルオロフェニル)ボレート)」、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能な「NAI−105(CAS番号第85342−62−7番)」等が挙げられる。
An example of such a cocatalyst commercially available is “RHODORSIL (registered trademark, the same applies hereinafter) available from Rhodia USA, Cranberry, NJ.
“PHOTOINITIATOR 2074 (CAS No. 178233-72-2)”, “TAG-372R ((dimethyl (2- (2-naphthyl) -2-oxoethyl) sulfo) available from Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd., Tokyo, Japan” Nitrotetrakis (pentafluorophenyl) borate: CAS number 193957-54-9)), “MPI-103 (CAS number 87709-41-9)” available from Midori Chemical Co., Tokyo, Japan, “TAG-371 (CAS No. 193957-53-8)” available from Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd., Tokyo, Japan, “TTBPS-TPFPB” (Tris (available from Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd., Tokyo, Japan) 4-tert-butylphenyl) sulfonium tetrakis (pentapentafluoro) Rophenyl) borate) ”,“ NAI-105 (CAS No. 85342-62-7) ”available from Midori Chemical Industries, Tokyo, Japan, and the like.
なお、助触媒(第1の物質)として、RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074を用いる場合、後述する活性放射線(化学線)としては、紫外線(UV光)が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯(高圧水銀ランプ)が好適に用いられる。これにより、層910に対して、300nm未満の十分なエネルギーの紫外線(活性放射線)を供給することができ、RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074を効率よく分解して、上記のカチオンおよびWCAを発生させることができる。
When RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074 is used as the cocatalyst (first substance), ultraviolet rays (UV light) are preferably used as actinic radiation (chemical rays) described later, and mercury lamps ( A high-pressure mercury lamp) is preferably used. Thereby, ultraviolet rays (active radiation) having sufficient energy of less than 300 nm can be supplied to the
また、コア層形成用材料(ワニス)900中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。 Moreover, you may make it add a sensitizer in the core layer forming material (varnish) 900 as needed.
増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化(反応または分解)に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。 The sensitizer increases the sensitivity of the cocatalyst to actinic radiation, reduces the time and energy required for the activation (reaction or decomposition) of the cocatalyst, and the wavelength of the actinic radiation to a wavelength suitable for the activation of the cocatalyst. It has a function of changing the wavelength.
このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、9,10−ジブトキシアントラセン(CAS番号第76275−14−4番)のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類(fluoranthenes)、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−9−オン類(thioxanthen−9−ones)等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。 Such a sensitizer is appropriately selected depending on the sensitivity of the promoter and the peak wavelength of absorption of the sensitizer, and is not particularly limited. For example, 9,10-dibutoxyanthracene (CAS No. 76275) is selected. 14-4) anthracenes, xanthones, anthraquinones, phenanthrenes, chrysenes, benzpyrenes, fluoranthenes, rubrenes, pyrenes, indanthrines, thioxanthen-9-ones (Thioxanthen-9-ones) and the like, and these are used alone or as a mixture.
増感剤の具体例としては、2−イソプロピル−9H−チオキサンテン−9−オン、4−イソプロピル−9H−チオキサンテン−9−オン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン(phenothiazine)またはこれらの混合物が挙げられる。 Specific examples of the sensitizer include 2-isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, 4-isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, phenothiazine, and these Of the mixture.
なお、9,10−ジブトキシアントラセン(DBA)は、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。 9,10-dibutoxyanthracene (DBA) can be obtained from Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, Japan.
コア層形成用材料900中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、0.01重量%以上であるのが好ましく、0.5重量%以上であるのがより好ましく、1重量%以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、5重量%以下であるのが好ましい。
The content of the sensitizer in the core
さらに、コア層形成用材料900中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー915の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層93(光導波路90)の特性の向上を図ることができる。
Furthermore, an antioxidant can be added to the core
この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのCiba Specialty Chemicals社から入手可能なCiba(登録商標、以下同様である。) IRGANOX(登録商標、以下同様である。) 1076およびCiba IRGAFOS(登録商標、以下同様である。) 168が好適に用いられる。 Examples of the antioxidant include Ciba (registered trademark, the same applies hereinafter) IRGANOX (registered trademark, the same applies hereinafter) 1076 and Ciba IRGAFOS (registered trademark, available) from Ciba Specialty Chemicals of Tarrytown, New York. The same applies hereinafter.) 168 is preferably used.
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ciba Irganox(登録商標、以下同様である。) 129、Ciba Irganox 1330、Ciba Irganox 1010、Ciba Cyanox(登録商標、以下同様である。) 1790、Ciba Irganox(登録商標) 3114、Ciba Irganox 3125等を用いることもできる。 Other antioxidants include, for example, Ciba Irganox (registered trademark, hereinafter the same) 129, Ciba Irganox 1330, Ciba Irganox 1010, Ciba Cyanox (registered trademark, the same applies below) 1790, Ciba Irg. (Registered trademark) 3114, Ciba Irganox 3125, etc. can also be used.
なお、このような酸化防止剤は、例えば、層910が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。
Note that such an antioxidant can be omitted, for example, when the
コア層形成用材料(ワニス)900の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピラン(THP)、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ジエチレングリコールエチルエーテル(カルビトール)等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。 Examples of the solvent used for preparing the core layer forming material (varnish) 900 include diethyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP). ), Ether solvents such as anisole, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolv solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbons such as hexane, pentane, heptane, cyclohexane Solvent, aromatic hydrocarbon solvent such as toluene, xylene, benzene, mesitylene, aromatic heterocyclic compound solvent such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene, methylpyrrolidone, Amide solvents such as N, N-dimethylformamide (DMF) and N, N-dimethylacetamide (DMA), halogen compound solvents such as dichloromethane, chloroform and 1,2-dichloroethane, ethyl acetate, methyl acetate, ethyl formate, etc. Examples thereof include various organic solvents such as ester solvents, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfolane, and mixed solvents containing these.
さて、支持基板951上に形成された液状被膜中から溶媒を除去(脱溶媒)する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付け(ブロー)などによる強制乾燥等の方法が挙げられる。
As a method for removing (desolving) the solvent from the liquid film formed on the
以上のようにして、支持基板951上には、コア層形成用材料900のフィルム状の固化物(または硬化物)である層910が形成される。
As described above, the
このとき、層(PITDMの乾燥フィルム)910は、第1の屈折率(RI)を有している。この第1の屈折率は、層910中に一様に分散(分布)するポリマー915およびモノマーの作用による。
At this time, the layer (dry film of PITDM) 910 has a first refractive index (RI). This first refractive index is due to the action of the
[2A] 次に、開口(窓)9351が形成されたマスク(マスキング)935を用意し、このマスク935を介して、層910に対して活性放射線(活性エネルギー光線)930を照射する(図3参照)。
[2A] Next, a mask (masking) 935 in which an opening (window) 9351 is formed is prepared, and the
以下では、モノマーとして、ポリマー915より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線930の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
Hereinafter, a case where a monomer having a refractive index lower than that of the
すなわち、ここで示す例では、活性放射線930の照射領域925がクラッド部95となる。
That is, in the example shown here, the
したがって、ここで示す例では、マスク935には、形成すべきクラッド部95のパターンと等価な開口(窓)9351が形成される。この開口9351は、照射する活性放射線930が透過する透過部を形成するものである。
Therefore, in the example shown here, an opening (window) 9351 equivalent to the pattern of the clad
マスク935は、予め形成(別途形成)されたもの(例えばプレート状のもの)でも、層910上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。
The
マスク935として好ましいものの例としては、石英ガラスやPET基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法(蒸着、スパッタリング等)により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。
Preferred examples of the
また、図3においては、形成すべきクラッド部95のパターンと等価な開口(窓)9351は、活性放射線930の未照射領域940のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやPET基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線930の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓(透過部)となる。
In FIG. 3, an opening (window) 9351 equivalent to the pattern of the clad
用いる活性放射線930は、助触媒に対して、光化学的な反応(変化)を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やX線等を用いることもできる。
The
これらの中でも、活性放射線930は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長200〜450nmの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。
Among these, the
また、活性放射線930の照射量は、0.1〜9J/cm2程度であるのが好ましく、0.2〜6J/cm2程度であるのがより好ましく、0.2〜3J/cm2程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
The irradiation dose of the
マスク935を介して、活性放射線930を層910に照射すると、活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する助触媒(第1の物質:コカタリスト)は、活性放射線930の作用により反応(結合)または分解して、カチオン(プロトンまたは他の陽イオン)と、弱配位アニオン(WCA)とを遊離(発生)する。
When the
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域925内に存在する触媒前駆体(第2の物質:プロカタリスト)の分子構造に変化(分解)を生じさせ、これを活性潜在状態(潜在的活性状態)に変化させる。
These cations and weakly coordinating anions cause a change (decomposition) in the molecular structure of the catalyst precursor (second substance: procatalyst) present in the
ここで、活性潜在状態(または潜在的活性状態)の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域925内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。 Here, the catalyst precursor in the active latent state (or the latent active state) has an activation temperature lower than the original activation temperature, but there is no temperature increase, that is, at about room temperature, the irradiation region. It refers to a catalyst precursor that is in a state where a monomer reaction cannot occur within 925.
したがって、活性放射線930照射後においても、例えば−40℃程度で、層910を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線930照射後の層910を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層93を得ることができ、利便性が高い。
Therefore, even after irradiation with the
なお、活性放射線930として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク935の使用を省略してもよい。
Note that in the case where light having high directivity such as laser light is used as the
[3A] 次に、層910に対して加熱処理(第1の加熱処理)を施す。
これにより、照射領域925内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して(活性状態となって)、モノマーの反応(重合反応や架橋反応)が生じる。
[3A] Next, the
Thereby, in the
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域925内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域925と未照射領域940との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域940からモノマーが拡散(モノマーディフュージョン)して照射領域925に集まってくる。
As the monomer reaction proceeds, the monomer concentration in the
その結果、照射領域925では、モノマーやその反応物(重合体、架橋構造や分岐構造)が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第1の屈折率より低い第2の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加(共)重合体が生成する。
As a result, in the
一方、未照射領域940では、当該領域から照射領域925にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー915の影響が大きく現れるようになり、第1の屈折率より高い第3の屈折率へと上昇する。
On the other hand, in the
このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差(第2の屈折率<第3の屈折率)が生じて、コア部94(未照射領域940)とクラッド部95(照射領域925)とが形成される(図4参照)。
In this way, a refractive index difference (second refractive index <third refractive index) occurs between the
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、30〜80℃程度であるのが好ましく、40〜60℃程度であるのがより好ましい。 Although the heating temperature in this heat processing is not specifically limited, It is preferable that it is about 30-80 degreeC, and it is more preferable that it is about 40-60 degreeC.
また、加熱時間は、照射領域925内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、0.1〜2時間程度であるのが好ましく、0.1〜1時間程度であるのがより好ましい。
The heating time is preferably set so that the reaction of the monomer in the
[4A] 次に、層910に対して第2の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域940および/または照射領域925に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる(活性状態とする)ことにより、各領域925、940に残存するモノマーを反応させる。
[4A] Next, the
As a result, the catalyst precursor remaining in the
このように、各領域925、940に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部94およびクラッド部95の安定化を図ることができる。
In this way, by reacting the monomers remaining in the
この第2の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、70〜100℃程度であるのが好ましく、80〜90℃程度であるのがより好ましい。 The heating temperature in the second heat treatment is not particularly limited as long as it can activate the catalyst precursor or the cocatalyst, but is preferably about 70 to 100 ° C, and is about 80 to 90 ° C. Is more preferable.
また、加熱時間は、0.5〜2時間程度であるのが好ましく、0.5〜1時間程度であるのがより好ましい。 The heating time is preferably about 0.5 to 2 hours, more preferably about 0.5 to 1 hour.
[5A] 次に、層910に対して第3の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層93に生じる内部応力の低減や、コア部94およびクラッド部95の更なる安定化を図ることができる。
[5A] Next, the
Thereby, the internal stress generated in the obtained
この第3の加熱処理における加熱温度は、第2の加熱処理における加熱温度より20℃以上高く設定するのが好ましく、具体的には、90〜180℃程度であるのが好ましく、120〜160℃程度であるのがより好ましい。 The heating temperature in the third heat treatment is preferably set to 20 ° C. or more higher than the heating temperature in the second heat treatment, specifically, preferably about 90 to 180 ° C., 120 to 160 ° C. More preferred is the degree.
また、加熱時間は、0.5〜2時間程度であるのが好ましく、0.5〜1時間程度であるのがより好ましい。 The heating time is preferably about 0.5 to 2 hours, more preferably about 0.5 to 1 hour.
以上の工程を経て、コア層93が得られる。
なお、例えば、第2の加熱処理や第3の加熱処理を施す前の状態で、コア部94とクラッド部95との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程[5A]や前記工程[4A]を省略してもよい。
The
For example, when a sufficient refractive index difference is obtained between the
[6A] 次に、支持基板952上に、クラッド層91(92)を形成する(図5参照)。 [6A] Next, the cladding layer 91 (92) is formed on the support substrate 952 (see FIG. 5).
クラッド層91(92)の形成方法としては、クラッド材を含むワニス(クラッド層形成用材料)を塗布し硬化(固化)させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化(固化)させる方法等、いかなる方法でもよい。 As a method for forming the clad layer 91 (92), a method in which a varnish containing a clad material (clad layer forming material) is applied and cured (solidified), and a method in which a curable monomer composition is applied and cured (solidified). Any method may be used.
クラッド層91(92)を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。
支持基板952には、支持基板951と同様のものを用いることができる。
When the clad layer 91 (92) is formed by a coating method, examples thereof include a spin coating method, a dipping method, a table coating method, a spray method, an applicator method, a curtain coating method, and a die coating method.
As the
クラッド層91(92)の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(ポリマーアロイ、ポリマーブレンド(混合物)、共重合体、複合体(積層体)など)用いることができる。 Examples of the constituent material of the clad layer 91 (92) include acrylic resins, methacrylic resins, polycarbonate, polystyrene, epoxy resins, polyamides, polyimides, polybenzoxazoles, benzocyclobutene resins, and norbornene resins. These resins can be used, and one or more of these can be used in combination (polymer alloy, polymer blend (mixture), copolymer, composite (laminate), etc.).
これらのうち、特に耐熱性に優れるという点で、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、またはそれらを含むもの(主とするもの)を用いるのが好ましい。 Of these, epoxy resins, polyimides, polybenzoxazoles, cyclic olefin resins such as benzocyclobutene resins and norbornene resins, and those containing them (mainly) in terms of particularly excellent heat resistance It is preferable to use it.
クラッド層91(92)の材料として、環状オレフィン系樹脂、特にノルボルネン系樹脂(ノルボルネン系ポリマー)を含む(主とする)樹脂材料を用いた場合には、コア層93の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層93との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層91(92)とコア層93との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、耐久性に優れた光導波路90が得られる。
When a (main) resin material containing a cyclic olefin resin, particularly a norbornene resin (norbornene polymer) is used as the material of the clad layer 91 (92), it is preferably used as a constituent material of the
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、(1)ノルボルネン型モノマーを付加(共)重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加(共)重合体、(2)ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、(3)ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、(4)ノルボルネン型モノマーの開環(共)重合体、および必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、(5)ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該(共)重合体を水素添加した樹脂、(6)ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該(共)重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。 Examples of such norbornene-based polymers include (1) addition (co) polymers of norbornene monomers obtained by addition (co) polymerization of norbornene monomers, and (2) norbornene monomers and ethylene or α-olefins. (3) addition polymers such as addition copolymers with norbornene-type monomers and non-conjugated dienes, and other monomers as required, (4) ring opening of norbornene-type monomers ( A (co) polymer, and a resin obtained by hydrogenating the (co) polymer if necessary, (5) a ring-opening copolymer of a norbornene-type monomer and ethylene or α-olefins, and ( (Co) polymer hydrogenated resin, (6) ring-opening copolymer of norbornene type monomer and non-conjugated diene or other monomer, and (co) polymerization if necessary And a ring-opening polymer such as a polymer obtained by hydrogenating the body. Examples of these polymers include random copolymers, block copolymers, and alternating copolymers.
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合(ROMP)、ROMPと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤(例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤)を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。 These norbornene-based polymers include, for example, ring-opening metathesis polymerization (ROMP), combination of ROMP and hydrogenation reaction, polymerization by radical or cation, polymerization using a cationic palladium polymerization initiator, and other polymerization initiators ( For example, it can be obtained by any known polymerization method such as polymerization using a polymerization initiator of nickel or another transition metal).
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、付加(共)重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。 Among these, as the norbornene-based polymer, an addition (co) polymer is preferable. This is preferable because it is rich in transparency, heat resistance and flexibility.
クラッド層91、92に用いるノルボルネン系ポリマーは、比較的屈折率の低いものが好ましい。 The norbornene-based polymer used for the cladding layers 91 and 92 is preferably one having a relatively low refractive index.
比較的低い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、末端にエポキシ構造を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に低い屈折率を有する。 As the norbornene-based polymer having a relatively low refractive index, those containing a norbornene repeating unit having a substituent containing an epoxy structure at the terminal are preferable. Such norbornene-based polymers have a particularly low refractive index.
また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路90に高いフレキシビリティ(可撓性)を付与することができる。
Further, the norbornene-based polymer preferably contains an alkylnorbornene repeating unit. Since the norbornene-based polymer containing the alkylnorbornene repeating unit has high flexibility, high flexibility (flexibility) can be imparted to the
アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。 Examples of the alkyl group that the alkylnorbornene repeating unit has include a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decyl group, and a hexyl group is particularly preferable. These alkyl groups may be either linear or branched.
ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が上昇するのを防止することができる。また、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域(特に、850nm付近の波長領域)の光に対する透過率が優れることから好ましい。
なお、クラッド層91(92)は、コア層93のコア部94の屈折率より低いものであればよく、前述したようなコア層形成用材料を用いるようにしてもよい。
以上のようにして、支持基板952上に、クラッド層91(92)が形成される。
By including the repeating unit of hexyl norbornene, it is possible to prevent the refractive index of the entire norbornene-based polymer from increasing. A norbornene-based polymer having a repeating unit of hexyl norbornene is preferable because it has excellent transmittance with respect to light in the wavelength region as described above (particularly in the wavelength region near 850 nm).
The clad layer 91 (92) may be any material as long as it has a refractive index lower than that of the
As described above, the clad layer 91 (92) is formed on the
[7A] 次に、支持基板951からコア層93を剥離し、このコア層93を、クラッド層91が形成された支持基板952と、クラッド層92が形成された支持基板952とで挟持する(図6参照)。
[7A] Next, the
そして、図6中の矢印で示すように、クラッド層92が形成された支持基板952の上面側から加圧し、クラッド層91、92とコア層93とを圧着する。
これにより、クラッド層91、92とコア層93とが接合、一体化される。
Then, as indicated by the arrows in FIG. 6, pressure is applied from the upper surface side of the
Thereby, the
また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層91、92やコア層93の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、80〜200℃程度が好ましく、120〜180℃程度がより好ましい。
Further, this crimping operation is preferably performed under heating. The heating temperature is appropriately determined depending on the constituent materials of the
次いで、クラッド層91、92から、それぞれ、支持基板952を剥離、除去する。これにより、光導波路90が得られる。
Next, the
[8A] 次に、光導波路90の上面および下面に、それぞれ導体層901、902を形成する(図7参照)。
[8A] Next, conductor layers 901 and 902 are formed on the upper and lower surfaces of the
各導体層901、902の形成方法としては、それぞれ、例えば、プラズマCVD法、熱CVD法、レーザーCVD法のような化学的気相成膜法(CVD法)、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理的気相成膜法(PVD法)等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法や、ラミネート法による導電性シート材の接合のうちの少なくとも1つを用いることができる。これにより、各導体層901、902と光導波路90との高い密着性が得られる。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体9が完成する。
As a method for forming each of the conductor layers 901 and 902, for example, a chemical vapor deposition method (CVD method) such as a plasma CVD method, a thermal CVD method, or a laser CVD method, a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion is used. Among the bonding of conductive sheet materials by dry plating methods such as physical vapor deposition methods (PVD methods) such as plating methods, wet plating methods such as electrolytic plating, immersion plating and electroless plating, and laminating methods At least one of the following can be used. Thereby, high adhesiveness between each of the conductor layers 901 and 902 and the
As described above, the optical waveguide structure 9 of the present invention is completed.
このような光導波路構造体9の好ましい例では、コア層93において、コア部94が第1のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部95が第1のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第2のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層91、92が、それぞれ、第1のノルボルネン系材料より屈折率が低く、ノルボルネン系ポリマーを含有する第3のノルボルネン系材料を主材料として構成される。
In a preferred example of such an optical waveguide structure 9, in the
そして、第1のノルボルネン系材料と前記第2のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。 The first norbornene-based material and the second norbornene-based material both contain the same norbornene-based polymer, but contain a reaction product of a norbornene-based monomer having a refractive index different from that of the norbornene-based polymer. Due to the different amounts, the refractive indices are different from each other.
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体9では、光導波路90の高い光伝送性能が得られる。
Since the norbornene-based polymer has high transparency, the optical waveguide structure 9 having such a configuration can provide high optical transmission performance of the
また、このような構成により、コア部94とクラッド部95との間の高い密着性のみならず、コア層93とクラッド層91およびクラッド層92との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体9に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93とクラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路90の光伝送性能が維持される。
Further, with such a configuration, not only high adhesion between the
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路90(光導波路構造体9)では、耐久性に優れたものとなる。 Further, since the norbornene-based polymer has high heat resistance and high hydrophobicity, the optical waveguide 90 (optical waveguide structure 9) having such a configuration has excellent durability.
また、光導波路90に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下(劣化)を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層901、902を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部94と重なるように、導体層901、902を形成した場合でも、コア部94の変質・劣化を防止することができる。
In addition, since high heat resistance and high hydrophobicity can be imparted to the
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部94を有する光導波路構造体9を得ることができる。
Further, according to the manufacturing method as described above, the optical waveguide structure 9 having the
<第2の製造方法>
次に、光導波路構造体9の第2の製造方法について説明する。
<Second production method>
Next, a second manufacturing method of the optical waveguide structure 9 will be described.
以下、第2の製造方法について説明するが、前記第1の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。 Hereinafter, the second manufacturing method will be described, but the description will focus on differences from the first manufacturing method, and description of similar matters will be omitted.
第2の製造方法では、コア層形成用材料900の組成が異なり、それ以外は、前記第1の製造方法と同様である。
In the second manufacturing method, the composition of the core
すなわち、第2の製造方法で用いられるコア層形成用材料900は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤(物質)と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基(離脱性ぺンダントグループ)とを有するポリマー915とを含有している。
離脱剤には、前記第1の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。
That is, the core
As the releasing agent, the same promoter as that mentioned in the first production method can be used.
第2の製造方法において用いられるポリマー915としては、前記第1の製造方法で挙げたポリマー915が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第1の製造方法で挙げたポリマー915に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。
Examples of the
かかるポリマー915は、離脱性基の離脱(切断)により、その屈折率が変化(上昇または低下)する。
The refractive index of the
離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸(カチオン)脱離性基、塩基(アニオン)脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオン(プロトン)の作用により離脱するもの(酸基離脱性基)である。 The leaving group may be any of those leaving by the action of a cation, anion or free radical, that is, any of an acid (cation) leaving group, a base (anion) leaving group, and a free radical leaving group. Although it is good, it is preferably a group capable of leaving by the action of a cation (proton) (acid group leaving group).
酸離脱性基としては、その分子構造中に、−O−構造、−Si−アリール構造および−O−Si−構造のうちの少なくとも1つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。 As the acid leaving group, those having at least one of an —O— structure, an —Si—aryl structure and an —O—Si— structure in its molecular structure are preferable. Such an acid leaving group is released relatively easily by the action of a cation.
このうち、離脱によりポリマー915の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、−Si−ジフェニル構造および−O−Si−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
Among these, as the acid leaving group that causes a decrease in the refractive index of the
なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。 In addition, as a free radical leaving group which leaves | separates by the effect | action of a free radical, the substituent etc. which have an acetophenone structure at the terminal are mentioned, for example.
また、ポリマー915は、前記第1の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル(特にヘキシル)ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。
The
以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー915としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。
In consideration of the above, as the
以下では、ポリマー915として、離脱性基(特に酸離脱性基)の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
Hereinafter, as an example, a case where the
すなわち、ここで示す例では、活性放射線930の照射領域925がクラッド部95となる。
That is, in the example shown here, the
[1B] 前記工程[1A]と同様の工程を行う。
このとき、層(PITDMの乾燥フィルム)10は、第1の屈折率(RI)を有している。この第1の屈折率は、層910中に一様に分散(分布)するポリマー915の作用による。
[1B] A step similar to the step [1A] is performed.
At this time, the layer (dry film of PITDM) 10 has a first refractive index (RI). This first refractive index is due to the action of the
[2B] 前記工程[2A]と同様の工程を行う。
マスク935を介して、活性放射線930を層910に照射すると、活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する離脱剤は、活性放射線930の作用により反応(結合)または分解して、カチオン(プロトンまたは他の陽イオン)と、弱配位アニオン(WCA)とを遊離(発生)する。
[2B] A step similar to the step [2A] is performed.
When the
そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する(フォトブリーチ)。 Then, the cation causes the leaving group itself to leave the main chain, or cleaves from the middle of the molecular structure of the leaving group (photo bleach).
これにより、照射領域925では、未照射領域940よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第1の屈折率より低い第2の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域940の屈折率は、第1の屈折率が維持される。
As a result, in the
このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差(第2の屈折率<第1の屈折率)が生じて、コア部94(未照射領域940)とクラッド部95(照射領域925)とが形成される。
In this way, a refractive index difference (second refractive index <first refractive index) occurs between the
なお、この場合、活性放射線930の照射量は、0.1〜9J/cm2程度であるのが好ましく、0.3〜6J/cm2程度であるのがより好ましく、0.6〜6J/cm2程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。
In this case, the irradiation dose of the
[3B] 次に、層910に対して加熱処理を施す。
これにより、ポリマー915から離脱(切断)された離脱性基が、例えば、照射領域925から除去されたり、ポリマー915内において再配列または架橋する。
[3B] Next, the
As a result, the leaving group detached (cut) from the
さらに、このとき、クラッド部95(照射領域925)に残存する離脱性基の一部がさらに離脱(切断)すると考えられる。 Further, at this time, it is considered that a part of the leaving group remaining in the cladding part 95 (irradiation region 925) is further detached (cut).
したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差をより大きくすることができる。
Therefore, the refractive index difference between the
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、70〜195℃程度であるのが好ましく、85〜150℃程度であるのがより好ましい。 Although the heating temperature in this heat processing is not specifically limited, It is preferable that it is about 70-195 degreeC, and it is more preferable that it is about 85-150 degreeC.
また、加熱時間は、照射領域925から離脱(切断)された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、0.5〜3時間程度であるのが好ましく、0.5〜2時間程度であるのがより好ましい。
Further, the heating time is set so as to sufficiently remove the leaving group detached (cut) from the
なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部94とクラッド部95との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程[3B]を省略してもよい。
For example, when a sufficient refractive index difference is obtained between the
また、必要に応じて、1回または複数回の加熱処理(例えば、150〜200℃×1〜8時間程度)の工程を追加することもできる。
以上の工程を経て、コア層93が得られる。
Moreover, the process of 1 time or several times of heat processing (for example, about 150-200 degreeC x about 1 to 8 hours) can also be added as needed.
The
[4B] 前記工程[6A]と同様の工程を行う。
[5B] 前記工程[7A]と同様の工程を行う。
[4B] A step similar to the step [6A] is performed.
[5B] A step similar to the step [7A] is performed.
[6B] 前記工程[8A]と同様の工程を行う。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体9が完成する。
[6B] A step similar to the step [8A] is performed.
As described above, the optical waveguide structure 9 of the present invention is completed.
このような光導波路構造体9の好ましい例では、コア層93がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層91、92が、それぞれ、コア層93のコア部94より屈折率が低く、ノルボルネン系ポリマーを含有するノルボルネン系材料を主材料として構成される。
In a preferred example of such an optical waveguide structure 9, the
そして、コア部94とクラッド部95とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部94とクラッド部95とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。
The
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体9では、光導波路90の高い光伝送性能が得られる。
Since the norbornene-based polymer has high transparency, the optical waveguide structure 9 having such a configuration can provide high optical transmission performance of the
また、このような構成により、コア部94とクラッド部95との間の高い密着性のみならず、コア層93とクラッド層91およびクラッド層92との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体9に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93とクラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路90の光伝送性能が維持される。
Further, with such a configuration, not only high adhesion between the
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路90(光導波路構造体9)では、耐久性に優れたものとなる。 Further, since the norbornene-based polymer has high heat resistance and high hydrophobicity, the optical waveguide 90 (optical waveguide structure 9) having such a configuration has excellent durability.
また、光導波路90に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下(劣化)を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層901、902を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部94と重なるように、導体層901、902を形成した場合でも、コア部94の変質・劣化を防止することができる。
In addition, since high heat resistance and high hydrophobicity can be imparted to the
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部94を有する光導波路構造体9を得ることができる。
Further, according to the manufacturing method as described above, the optical waveguide structure 9 having the
特に、第2の製造方法によれば、少なくとも活性放射線をすればよく、極めて簡単な処理で、コア層93を形成することができる。
In particular, according to the second manufacturing method, at least actinic radiation may be used, and the
<第3の製造方法>
次に、光導波路構造体9の第3の製造方法について説明する。
<Third production method>
Next, the 3rd manufacturing method of the optical waveguide structure 9 is demonstrated.
以下、第3の製造方法について説明するが、前記第1および第2の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。 Hereinafter, the third manufacturing method will be described, but the description will focus on differences from the first and second manufacturing methods, and the description of the same matters will be omitted.
第3の製造方法では、コア層形成用材料900として、第1および第2の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第1または第2の製造方法と同様である。
In the third manufacturing method, a combination of the core layer forming materials used in the first and second manufacturing methods is used as the core
すなわち、第3の製造方法で用いられるコア層形成用材料900は、前述したような離脱性基を有するポリマー915と、モノマーと、助触媒(第1の物質)と、触媒前駆体(第2の物質)とを含有している。また、助触媒は、前記第2の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。
That is, the core
このようなコア層形成用材料900では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層93において、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。
In such a core
なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー915より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線930の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー915として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域925をクラッド部95とし、コア部94との屈折率差が極めて大きいコア層93を得ることができる。
As described above, a monomer having a refractive index lower than that of the
以下では、このような組み合わせのポリマー915、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。
Hereinafter, a case where such a combination of the
すなわち、ここで示す例では、活性放射線930の照射領域925がクラッド部95となる。
That is, in the example shown here, the
[1C] 前記工程[1A]と同様の工程を行う。
このとき、層(PITDMの乾燥フィルム)910は、第1の屈折率(RI)を有している。この第1の屈折率は、層910中に一様に分散(分布)するポリマー915およびモノマーの作用による。
[1C] A step similar to the step [1A] is performed.
At this time, the layer (dry film of PITDM) 910 has a first refractive index (RI). This first refractive index is due to the action of the
[2C] 前記工程[2A]と同様の工程を行う。
マスク935を介して、活性放射線930を層910に照射すると、活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する助触媒(第1の物質:コカタリスト)は、活性放射線930の作用により反応または分解して、カチオン(プロトンまたは他の陽イオン)と、弱配位アニオン(WCA)とを遊離(発生)する。
[2C] A step similar to the step [2A] is performed.
When the
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域925内に存在する触媒前駆体(第2の物質:プロカタリスト)の分子構造に変化(分解)を生じさせ、これを活性潜在状態(潜在的活性状態)に変化させる。
These cations and weakly coordinating anions cause a change (decomposition) in the molecular structure of the catalyst precursor (second substance: procatalyst) present in the
また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。 In addition, the cation causes the leaving group itself to leave the main chain, or cleaves from the middle of the molecular structure of the leaving group.
これにより、照射領域925では、未照射領域940よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第1の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域940の屈折率は、第1の屈折率が維持される。
As a result, in the
なお、この場合、活性放射線930の照射量は、0.1〜9J/cm2程度であるのが好ましく、0.2〜5J/cm2程度であるのがより好ましく、0.2〜4J/cm2程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
In this case, the irradiation dose of the
[3C] 前記工程[3A]と同様の工程を行う。
これにより、照射領域925内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して(活性状態となって)、モノマーの反応(重合反応や架橋反応)が生じる。
[3C] The same step as the above step [3A] is performed.
Thereby, in the
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域925内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域925と未照射領域940との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域940からモノマーが拡散して照射領域925に集まってくる。
As the monomer reaction proceeds, the monomer concentration in the
また、この加熱処理により、ポリマー915から離脱(切断)された離脱性基が、例えば、照射領域925から除去されたり、ポリマー915内において再配列または架橋する。
In addition, by this heat treatment, the leaving group detached (cut) from the
その結果、照射領域925では、モノマーやその反応物(重合体、架橋構造や分岐構造)が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー915から離脱(切断)された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第2の屈折率となる。
As a result, in the
一方、未照射領域940では、当該領域から照射領域925にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー915の影響が大きく現れるようになり、第1の屈折率より高い第3の屈折率へと上昇する。
On the other hand, in the
このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差(第2の屈折率<第3の屈折率)が生じて、コア部94(未照射領域940)とクラッド部95(照射領域925)とが形成される。
In this way, a refractive index difference (second refractive index <third refractive index) occurs between the
[4C] 前記工程[4A]と同様の工程を行う。
[5C] 前記工程[5A]と同様の工程を行う。
[4C] A step similar to the step [4A] is performed.
[5C] A step similar to the step [5A] is performed.
[6C] 前記工程[6A]と同様の工程を行う。
[7C] 前記工程[7A]と同様の工程を行う。
[6C] The same step as the above step [6A] is performed.
[7C] The same step as the above step [7A] is performed.
[8C] 前記工程[8A]と同様の工程を行う。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体9が完成する。
[8C] The same step as the above step [8A] is performed.
As described above, the optical waveguide structure 9 of the present invention is completed.
このような光導波路構造体9の好ましい例では、コア層93は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部94とクラッド部95とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層91、92が、それぞれ、ノルボルネン系ポリマーを含有するノルボルネン系材料を主材料として構成される。
In a preferred example of such an optical waveguide structure 9, the
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体9では、光導波路90の高い光伝送性能が得られる。
Since the norbornene-based polymer has high transparency, the optical waveguide structure 9 having such a configuration can provide high optical transmission performance of the
また、このような構成により、コア部94とクラッド部95との間の高い密着性のみならず、コア層93とクラッド層91およびクラッド層92との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体9に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93とクラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路90の光伝送性能が維持される。
Further, with such a configuration, not only high adhesion between the
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路90(光導波路構造体9)では、耐久性に優れたものとなる。 Further, since the norbornene-based polymer has high heat resistance and high hydrophobicity, the optical waveguide 90 (optical waveguide structure 9) having such a configuration has excellent durability.
また、光導波路90に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下(劣化)を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層901、902を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部94と重なるように、導体層901、902を形成した場合でも、コア部94の変質・劣化を防止することができる。
In addition, since high heat resistance and high hydrophobicity can be imparted to the
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部94を有する光導波路構造体9を得ることができる。
Further, according to the manufacturing method as described above, the optical waveguide structure 9 having the
特に、第3の製造方法によれば、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。
In particular, according to the third manufacturing method, the refractive index difference between the
<第4の製造方法>
次に、光導波路構造体9の第4の製造方法について説明する。
<Fourth manufacturing method>
Next, the 4th manufacturing method of the optical waveguide structure 9 is demonstrated.
図8〜図13は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の第4の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。 8 to 13 are cross-sectional views schematically showing process examples of the fourth manufacturing method of the optical waveguide structure of the present invention.
以下、第4の製造方法について説明するが、前記第1〜第3の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。 Hereinafter, although the 4th manufacturing method is explained, it explains centering on difference with the 1st-3rd manufacturing methods, and omits the explanation about the same matter.
第4の製造方法では、光導波路90の形成工程が異なり、それ以外は、前記第1〜第3の製造方法と同様である。
In the fourth manufacturing method, the formation process of the
すなわち、コア層形成用材料900やクラッド層形成用材料には、前記第1〜第3の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。
That is, as the core
なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第1の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。 In the following description, the case where the materials described in the first manufacturing method are used as the core layer forming material will be described as a representative.
[1D] まず、支持基板1000上に、クラッド層形成用材料(第1のワニス)を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第1の層1110を形成する(図8参照)。
[1D] First, a clad layer forming material (first varnish) is applied onto the
支持基板1000には、支持基板951と同様のものを用いることができる。
第1の層1110の平均厚さは、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、10〜100μm程度であるのがより好ましく、15〜65μm程度であるのがさらに好ましい。
As the
The average thickness of the
[2D] 次に、第1の層1110上に、コア層形成用材料(第2のワニス)を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第2の層1120を形成する(図9参照)。
[2D] Next, a core layer forming material (second varnish) is applied onto the
コア層形成用材料は、第1の層1110をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第1の層1110が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。
The core layer forming material may be applied after the
後者の場合、第1の層1110と第2の層1120とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路90において、クラッド層91とコア層93との密着性の向上を図ることができる。
In the latter case, the
また、この場合、第1のワニスおよび第2のワニスは、それぞれ、粘度(常温)が好ましくは100〜10000cP程度、より好ましくは150〜5000cP程度、さらに好ましくは200〜3500cP程度に調製される。これにより、第1の層1110と第2の層1120とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第1の層1110および第2の層1120の厚さが不均一となるのを防止することができる。
In this case, each of the first varnish and the second varnish is prepared so that the viscosity (normal temperature) is preferably about 100 to 10000 cP, more preferably about 150 to 5000 cP, and further preferably about 200 to 3500 cP. Thus, the
なお、第2のワニスの粘度は、第1のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第1の層1110と第2の層1120とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。
The viscosity of the second varnish is preferably higher than that of the first varnish. Accordingly, it is possible to reliably prevent the
第2の層1120の平均厚さは、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、15〜125μm程度であるのがより好ましく、25〜100μm程度であるのがさらに好ましい。
The average thickness of the
[3D] 次に、第2の層1120上に、クラッド層形成用材料(第3のワニス)を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第3の層1130を形成する(図10参照)。
[3D] Next, a clad layer forming material (third varnish) is applied onto the
第3の層1130は、前記第2の層1120と同様にして形成することができる。
第3の層1130の平均厚さは、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、10〜100μm程度であるのがより好ましく、15〜65μm程度であるのがさらに好ましい。
これにより、積層体2000が得られる。
The
The average thickness of the
Thereby, the
[4D] 次に、積層体2000中の溶媒を除去(脱溶媒)する。
脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付け(ブロー)等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。
[4D] Next, the solvent in the
Examples of the method for removing the solvent include methods such as heating, leaving under atmospheric pressure or reduced pressure, and spraying (blowing) an inert gas, etc., but a method using heating is preferred. Thereby, it is possible to remove the solvent relatively easily and in a short time.
この加熱の温度は、25〜60℃程度であるのが好ましく、30〜45℃程度であるのがより好ましい。 The heating temperature is preferably about 25 to 60 ° C, and more preferably about 30 to 45 ° C.
また、加熱の時間は、15〜60分程度であるのが好ましく、15〜30分程度であるのがより好ましい。 The heating time is preferably about 15 to 60 minutes, and more preferably about 15 to 30 minutes.
[5D] 次に、開口(窓)9351が形成されたマスク(マスキング)935を用意し、このマスク935を介して、積層体2000に対して活性放射線(活性エネルギー光線)930を照射する(図11参照)。
[5D] Next, a mask (masking) 935 in which an opening (window) 9351 is formed is prepared, and active radiation (active energy ray) 930 is irradiated to the
マスク935を介して、活性放射線930を積層体2000に照射すると、第2の層1120の活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する助触媒(第1の物質:コカタリスト)は、活性放射線930の作用により反応または分解して、カチオン(プロトンまたは他の陽イオン)と、弱配位アニオン(WCA)とを遊離(発生)する。
When the
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域925内に存在する触媒前駆体(第2の物質:プロカタリスト)の分子構造に変化(分解)を生じさせ、これを活性潜在状態(潜在的活性状態)に変化させる。
These cations and weakly coordinating anions cause a change (decomposition) in the molecular structure of the catalyst precursor (second substance: procatalyst) present in the
[6D] 次に、積層体2000に対して加熱処理(第1の加熱処理)を施す。
これにより、照射領域925内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して(活性状態となって)、モノマーの反応(重合反応や架橋反応)が生じる。
[6D] Next, heat treatment (first heat treatment) is performed on the
Thereby, in the
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域925内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域925と未照射領域940との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域940からモノマーが拡散して照射領域925に集まってくる。
As the monomer reaction proceeds, the monomer concentration in the
その結果、照射領域925では、モノマーやその反応物(重合体、架橋構造や分岐構造)が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第1の屈折率より低い第2の屈折率へと低下する。
As a result, in the
一方、未照射領域940では、当該領域から照射領域925にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー915の影響が大きく現れるようになり、第1の屈折率より高い第3の屈折率へと上昇する。
On the other hand, in the
このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差(第2の屈折率<第3の屈折率)が生じて、コア部94(未照射領域940)とクラッド部95(照射領域925)とが形成される(図12参照)。
In this way, a refractive index difference (second refractive index <third refractive index) occurs between the
[7D] 次に、積層体2000に対して第2の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域940および/または照射領域925に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる(活性状態とする)ことにより、各領域925、940に残存するモノマーを反応させる。
[7D] Next, the
As a result, the catalyst precursor remaining in the
このように、各領域925、940に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部94およびクラッド部95の安定化を図ることができる。
In this way, by reacting the monomers remaining in the
[8D] 次に、積層体2000に対して第3の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層93に生じる内部応力の低減や、コア部94およびクラッド部95の更なる安定化を図ることができる。
以上の工程を経て、光導波路90が得られる。
[8D] Next, the
Thereby, the internal stress generated in the obtained
The
[9D] 次に、光導波路90の上面および下面に、それぞれ導体層901、902を形成する(図13参照)。
これは、前記工程[8A]と同様にして行うことができる。
[9D] Next, conductor layers 901 and 902 are formed on the upper and lower surfaces of the
This can be performed in the same manner as in the step [8A].
以上のようにして、本発明の光導波路構造体9が完成する。
かかる方法では、第1の加熱処理の後、積層体2000内にコア部94が目視で確認することができるようになる。
As described above, the optical waveguide structure 9 of the present invention is completed.
In such a method, the
また、第1のワニスおよび第3のワニスとして、第2のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー915、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第1の層1110および第3の層1130と、第2の層1120の界面、および/または、かかる界面を越えて第1の層1110および第3の層1130内で生じて、クラッド層91、92とコア層93との剥離をより確実に防止することができる。
Further, as the first varnish and the third varnish, the same composition as that of the second varnish, that is, one containing a
また、この場合、例えば、I:第1の層1110および第3の層1130のポリマー915として、第2の層1120のポリマー915の屈折率より相対的に低い屈折率(RI)のものを選択したり、II:第1の層1110および第3の層1130のモノマーとして、第2の層1120のモノマーと同じものを用いるが、第1の層1110および第3の層1130における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第2の層1120のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。
Further, in this case, for example, I: As the
これにより、活性放射線930を照射しても、クラッド層91、92内に、コア層93のコア部94より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。
Accordingly, even when the
なお、コア層形成用材料(第2のワニス)として、離脱性基を有するポリマー915を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料(第1のワニス、第3のワニス)としては、脱離性基を有しないポリマー915を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー915を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。
When a material containing a
これにより、第1の層1110および第3の層1130において、ポリマー915から離脱性基が離脱(分解)することを防止することができる。
また、第4の製造方法では、第1のワニスおよび第3のワニスには、末端にエポキシ構造を含む置換基を有するノルボルネン系ポリマーと、助触媒とを含むものを用いるのが好ましい。これにより、コア部94およびクラッド部95を形成する際に、エポキシ構造が開裂し、コア層93のポリマー915との反応(重合)を生じるようになる。その結果、クラッド層91、92のコア層93に対する密着性の向上を図ることができる。
Thereby, in the
In the fourth production method, it is preferable to use the first varnish and the third varnish containing a norbornene-based polymer having a substituent containing an epoxy structure at the terminal and a promoter. Thereby, when forming the
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ヘキシルノルボルネン(HxNB)とノルボルネンメチルグリシジルエーテル(AGENB)との共重合体等が挙げられる。 Examples of such norbornene-based polymers include copolymers of hexyl norbornene (HxNB) and norbornene methyl glycidyl ether (AGENB).
また、この場合、助触媒には、コア層93を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第2のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。
In this case, a promoter that is not activated when the
このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤(PBG)や熱塩基発生剤(TBG)等が挙げられる。 Examples of such a co-catalyst include a non-absorbing photobase generator (PBG) and a thermal base generator (TBG).
また、前記第1〜第4の製造方法では、いずれも、支持基板951、952、1000を除去するものとして説明したが、これらを導電性材料で構成し、除去することなく、そのまま導体層901、902として用いるようにしてもよい。
In the first to fourth manufacturing methods, the
また、必要に応じて、クラッド層91、92のうちのいずれか一方または双方を省略してもよい。
Moreover, you may abbreviate | omit either one or both of the
また、光導波路90は、図示の構成に限定されず、例えば、2つのクラッド層の間に、複数層のコア層が積層して設けられるような構成であってもよく、クラッド層とコア層とを順に積層して構成したものであってもよく、2つのクラッド層の間に1つのコア層が設けられた積層体を、複数層積層して構成したもの等であってもよい。
In addition, the
また、コア部94の途中には、その光路、すなわち、コア部94の長手方向に対しほぼ45°傾斜する傾斜面(反射面)を形成してもよい。これにより、コア部94を伝播する光(伝送光)を、この傾斜面において、ほぼ90°屈曲させることができる。
In addition, an inclined surface (reflecting surface) inclined by approximately 45 ° with respect to the optical path, that is, the longitudinal direction of the
そして、この傾斜面の方向を適宜設定することにより、伝送光の光路を、コア層90内(2次元方向)のみならず、光導波路90の厚さ方向も含めた3次元方向に変更することが可能となる。
Then, by appropriately setting the direction of the inclined surface, the optical path of the transmitted light is changed not only in the core layer 90 (two-dimensional direction) but also in a three-dimensional direction including the thickness direction of the
この傾斜面は、コア部94を、例えば切断、除去(欠損)等することにより形成することができる。なお、傾斜面には、例えば多層光学薄膜や金属薄膜(例えばアルミ蒸着膜)のような反射膜あるいは反射増加膜を形成するようにしてもよい。
This inclined surface can be formed by, for example, cutting or removing (deleting) the
以上、本発明の導波路構造体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。 As described above, the waveguide structure of the present invention has been described based on the illustrated embodiments. However, the present invention is not limited to these, and the configuration of each part may be any configuration that can exhibit the same function. It can be substituted, and an arbitrary configuration may be added.
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
1.触媒前駆体の合成
<<触媒前駆体C1:Pd(OAc)2(P(i−Pr)3)2の合成>>
漏斗を装備した窒素充填フラスコに、P(i−Pr)3(8.51mL(44.6mmol))のCH2Cl2溶液(20mL)を、Pd(OAc)2(5.00g、22.3mmol)とCH2Cl2(30mL)からなる−78℃の攪拌した赤茶色懸濁液に滴下した。
Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.
1. Synthesis of Catalyst Precursor << Catalyst Precursor C1: Synthesis of Pd (OAc) 2 (P (i-Pr) 3 ) 2 >>
A nitrogen-filled flask equipped with a funnel was charged with a solution of P (i-Pr) 3 (8.51 mL (44.6 mmol)) in CH 2 Cl 2 (20 mL) and Pd (OAc) 2 (5.00 g, 22.3 mmol). ) And CH 2 Cl 2 (30 mL) was added dropwise to a stirred red-brown suspension at −78 ° C.
この懸濁液は、徐々に黄緑色の溶液に透き通り、その後、室温に暖め、2時間攪拌した。その後、0.45μmのフィルターでろ過した。 The suspension gradually passed through a yellowish green solution, then warmed to room temperature and stirred for 2 hours. Then, it filtered with the 0.45 micrometer filter.
ろ液を10mLに濃縮し、そしてヘキサン(20mL)を加えると黄色の固体が得られた。
これをろ過し(空気中)、ヘキサンで洗浄し(5×5mL)、真空乾燥させた。
The filtrate was concentrated to 10 mL and hexane (20 mL) was added to give a yellow solid.
This was filtered (in air), washed with hexane (5 × 5 mL) and vacuum dried.
収率は、10.937g(89%)であった。NMRデータは次のようになった。1H−NMR(δ,CD2Cl2):1.37(dd,36H,CHCH3),1.77(s,6H,CCH3),2.12(m,6H,CH),31P−NMR(δ,CD2Cl2):32.9(s)。 The yield was 10.937 g (89%). The NMR data was as follows. 1 H-NMR (δ, CD 2 Cl 2 ): 1.37 (dd, 36H, CHCH 3 ), 1.77 (s, 6H, CCH 3 ), 2.12 (m, 6H, CH), 31 P -NMR (δ, CD 2 Cl 2 ): 32.9 (s).
<<触媒前駆体C2:Pd(OAc)2(P(Cy)3)2の合成>>
漏斗を装備した2口丸底フラスコで、Pd(OAc)2(5.00g、22.3mmol)とCH2Cl2(30mL)からなる赤茶色懸濁液を−78℃で攪拌した。
<< Catalyst Precursor C2: Synthesis of Pd (OAc) 2 (P (Cy) 3 ) 2 >>
In a 2-neck round bottom flask equipped with a funnel, a reddish brown suspension consisting of Pd (OAc) 2 (5.00 g, 22.3 mmol) and CH 2 Cl 2 (30 mL) was stirred at −78 ° C.
漏斗に、P(Cy)3(13.12mL(44.6mmol))のCH2Cl2溶液(30mL)を入れ、そして、15分かけて上記攪拌懸濁液に滴下した。その結果、徐々に赤褐色から黄色に変化した。 A funnel was charged with a CH 2 Cl 2 solution (30 mL) of P (Cy) 3 (13.12 mL (44.6 mmol)) and added dropwise to the stirred suspension over 15 minutes. As a result, the color gradually changed from reddish brown to yellow.
−78℃で1時間攪拌した後、懸濁液を室温に温め、さらに2時間攪拌して、ヘキサン(20mL)で希釈した。 After stirring at −78 ° C. for 1 hour, the suspension was warmed to room temperature, stirred for an additional 2 hours, and diluted with hexane (20 mL).
次に、この黄色の固体を空気中でろ過し、ペンタンで洗浄し(5×10mL)、真空乾燥させた。 The yellow solid was then filtered in air, washed with pentane (5 × 10 mL) and dried in vacuo.
2次収集物は、ろ液を0℃に冷却して分離し、上記と同様に洗浄して乾燥させた。
収率は、15.42g(88%)であった。NMRのデータは次のようになった。1H−NMR(δ,CD2Cl2):1.18−1.32(br m,18H,Cy),1.69(br m,18H,Cy),1.80(br m,18H,Cy),1.84(s,6H,CH3),2.00(br d,12H,Cy),31P−NMR(δ,CD2Cl2):21.2(s)。
The secondary collection was separated by cooling the filtrate to 0 ° C., washed and dried as above.
The yield was 15.42 g (88%). The NMR data was as follows. 1 H-NMR (δ, CD 2 Cl 2 ): 1.18-1.32 (br m, 18 H, Cy), 1.69 (br m, 18 H, Cy), 1.80 (br m, 18 H, Cy), 1.84 (s, 6H, CH 3 ), 2.00 (br d, 12H, Cy), 31 P-NMR (δ, CD 2 Cl 2 ): 21.2 (s).
<<触媒前駆体C3:trans−Pd(O2C−t−Bu)2(P(Cy)3)2の合成>>
Pd(O2C−t−Bu)2(1.3088g,4.2404mmol)をシュレンカーフラスコ中でCH2Cl2(10mL)に分散させ、フラスコの内容物を−78℃に冷却し攪拌させた。
<< catalyst precursor C3: trans-Pd (O 2 C-t-Bu) 2 (P (Cy) 3) 2 Synthesis >>
Pd (O 2 Ct-Bu) 2 (1.3088 g, 4.2404 mmol) was dispersed in CH 2 Cl 2 (10 mL) in a Schlenker flask and the flask contents were cooled to −78 ° C. and allowed to stir. It was.
この溶液にP(Cy)3(2.6749g,9.5382mmol)のCH2Cl2(15mL)溶液を注射器で加え、−78℃で1時間そして室温で2時間、攪拌した。 To this solution was added a solution of P (Cy) 3 (2.6749 g, 9.5382 mmol) in CH 2 Cl 2 (15 mL) and stirred at −78 ° C. for 1 hour and at room temperature for 2 hours.
ヘキサン(20mL)を反応混合液に加え、表題の黄色の固体の複合体を得た(1.391g)。 Hexane (20 mL) was added to the reaction mixture to give the title yellow solid complex (1.391 g).
その固体をろ過し、ヘキサン(10mL)で洗浄し、減圧下で乾燥させた。
ろ液から溶媒を除去し、オレンジ色の固体を得、これを次にCHCl3/へキサン混合液(1/1:v/v)に溶解し、得られた溶液をドラフト内で蒸発させて表記の複合体をさらに得た(648mg)。
The solid was filtered, washed with hexane (10 mL) and dried under reduced pressure.
Solvent was removed from the filtrate to give an orange solid, which was then dissolved in a CHCl 3 / hexane mixture (1/1: v / v) and the resulting solution was evaporated in a fume hood. The indicated complex was further obtained (648 mg).
全収率は、2.039g(2.345mmol、55.3%)であった。
C46H84O4P2Pdとして計算すると、Cは63.54%でHは9.74%である。
The overall yield was 2.039 g (2.345 mmol, 55.3%).
Calculated as C 46 H 84 O 4 P 2 Pd, C is 63.54% and H is 9.74%.
<<触媒前駆体C4:Pd(OAc)2(P(Cp)3)2の合成>>
窒素充填フラスコに、Pd(OAc)2(2.00g,8.91mmol)のCH2Cl2(〜25mL)の赤褐色懸濁液を−78℃で攪拌した。
<< Catalyst Precursor C4: Synthesis of Pd (OAc) 2 (P (Cp) 3 ) 2 >>
A red-brown suspension of Pd (OAc) 2 (2.00 g, 8.91 mmol) in CH 2 Cl 2 (˜25 mL) was stirred at −78 ° C. in a nitrogen-filled flask.
カニューレで、P(Cp)3(4.25g,17.83mmol)をCH2Cl2(〜20mL)に溶解して、上記懸濁液に10分かけて滴下した。その結果、徐々に赤褐色から黄色に変化した。 With a cannula, P (Cp) 3 (4.25 g, 17.83 mmol) was dissolved in CH 2 Cl 2 (˜20 mL) and added dropwise to the suspension over 10 min. As a result, the color gradually changed from reddish brown to yellow.
懸濁液を室温に温め、さらに1時間攪拌した。溶媒を濃縮して(〜5mL)、ヘキサン(〜15mL)を加えると、黄色の固体が得られた。 The suspension was warmed to room temperature and stirred for an additional hour. The solvent was concentrated (˜5 mL) and hexane (˜15 mL) was added to give a yellow solid.
それを空気中でろ過し、ヘキサンで洗浄し(5×10mL)、真空乾燥させた。2次収集物は、ろ液を0℃に冷却して分離し、触媒前駆体C3と同様に、ろ過し、洗浄し、乾燥させた。 It was filtered in air, washed with hexane (5 × 10 mL) and dried in vacuo. The secondary collection was separated by cooling the filtrate to 0 ° C., filtered, washed and dried in the same manner as catalyst precursor C3.
収率は、4.88g(85%)であった。NMRのデータは次のようになった。1H−NMR(δ,CD2Cl2):1.52−1.56(br m,12H,Cp3),1.67−1.72(br m,12H,Cp3),1.74(s,6H,CH3),1.85−1.89(br m,12H,Cp3),1.96−1.99(br d,6H,Cp3),2.03−2.09(br m,12H,Cp3).31P−NMR(δ,CD2Cl2):22.4(s)。 The yield was 4.88 g (85%). The NMR data was as follows. 1 H-NMR (δ, CD 2 Cl 2): 1.52-1.56 (br m, 12H, Cp 3), 1.67-1.72 (br m, 12H, Cp 3), 1.74 (s, 6H, CH 3) , 1.85-1.89 (br m, 12H, Cp 3), 1.96-1.99 (br d, 6H, Cp 3), 2.03-2.09 (br m, 12H, Cp 3 ). 31 P-NMR (δ, CD 2 Cl 2 ): 22.4 (s).
2.ポリマー(ポリマーマトリックス)の合成
以下に示すようにして、各ポリマーP1〜P6、P8、P9およびP11〜P34を、それぞれ合成した。
2. Synthesis of Polymer (Polymer Matrix) As shown below, each of the polymers P1 to P6, P8, P9 and P11 to P34 was synthesized.
なお、以下では、ヘキシルノルボルネン(CAS番号第22094−83−3番)を「HxNB」と、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(CAS番号第376634−34−3番)を「diPhNB」と、フェニルエチルノルボルネン(CAS番号第29415−09−6番)を「PENB」と、ブチルノルボルネン(CAS番号第22094−81−1番)を「BuNB」と、デシルノルボルネン(CAS番号第22094−85−5番)を「DeNB」と、ベンジルノルボルネン(CAS番号第265989−73−9番)を「BzNB」と、メチルグリシジルエーテルノルボルネン(CAS番号第3188−75−8番)を「AGENB」と、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン(CAS番号第68245−19−2番)を「TMSENB」と、トリエトキシシリルノルボルネン(CAS番号第18401−43−9番)を「TESNB」と、トリメトキシシリルノルボルネン(CAS番号第7538−46−7番)を「TMSNB」と、それぞれ略すことがある。 In the following, hexyl norbornene (CAS number 22094-83-3) is “HxNB”, diphenylmethylnorbornene methoxysilane (CAS number 376634-34-3) is “diPhNB”, phenylethyl norbornene ( CAS number 29415-09-6) is “PENB”, butylnorbornene (CAS number 22094-81-1) is “BuNB”, and decylnorbornene (CAS number 22094-85-5) is “ DeNB ", benzylnorbornene (CAS number 2665989-73-9)" BzNB ", methylglycidyl ether norbornene (CAS number 3188-75-8)" AGENB ", norbornenylethyltrimethoxy Silane (CAS No. 68245-19- No.) "TMSENB", triethoxysilyl norbornene (CAS number 18401-43-9) "TESNB", trimethoxysilyl norbornene (CAS number 7538-46-7) "TMSNB", Each may be abbreviated.
<<ポリマーP1:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
HxNB(8.94g,0.05mol)、diPhNB(16.1g,0.05mol)、1−ヘキセン(4.2g,0.05mol)およびトルエン(142.0g)を、250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで120℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P1: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) copolymer >>
HxNB (8.94 g, 0.05 mol), diPhNB (16.1 g, 0.05 mol), 1-hexene (4.2 g, 0.05 mol) and toluene (142.0 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle. And heated to 120 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、[Pd(PCy3)2(O2CCH3)(NCCH3)]テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(以下、「Pd1446」と略す。)(5.8×10−3g,4.0×10−6mol)およびN,N−ジメルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(以下、「DANFABA」と略す。)(3.2×10−3g,4.0×10−6mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, [Pd (PCy 3 ) 2 (O 2 CCH 3 ) (NCCH 3 )] tetrakis (pentafluorophenyl) borate (hereinafter abbreviated as “Pd1446”) (5.8 × 10 −3 g, 4 0.0 × 10 −6 mol) and N, N-dimethylanilinium tetrakis (pentafluorophenyl) borate (hereinafter abbreviated as “DANFABA”) (3.2 × 10 −3 g, 4.0 × 10 − 6 mol) was added in the form of a concentrated dichloromethane solution, respectively.
添加後、得られた溶液を120℃で6時間維持した。勢いよく攪拌された混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 120 ° C. for 6 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、80℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、12.0gであった(収率:48%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 80 ° C. under vacuum. The weight after drying was 12.0 g (yield: 48%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法(ゲル浸透クロマトグラフィー法)で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=16,196およびMn=8,448であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method (gel permeation chromatography method) using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 16,196 and Mn = 8,448.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:54/46=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 54/46 = HxNB / diPhNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5569であり、TMモードで1.5555であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5569 in the TE mode and 1.5555 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP2:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/フェニルエチルノルボルネン(PENB)コポリマーの合成>>
HxNB(2.78g,0.0156mol)、PENB(7.22g,0.036mol)、1−ヘキセン(2.18g,0.026mol)およびトルエン(57.0g)を、250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで120℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P2: Synthesis of Hexylnorbornene (HxNB) / Phenylethylnorbornene (PENB) Copolymer >>
HxNB (2.78 g, 0.0156 mol), PENB (7.22 g, 0.036 mol), 1-hexene (2.18 g, 0.026 mol) and toluene (57.0 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle. And heated to 120 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液にPd1446(3.0×10−3g,2.1×10−6mol)およびDANFABA(6.7×10−3g,8.4×10−6mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (3.0 × 10 −3 g, 2.1 × 10 −6 mol) and DANFABA (6.7 × 10 −3 g, 8.4 × 10 −6 mol) were each concentrated dichloromethane solution. Added in the form of
添加後、得られた溶液を120℃で1時間維持した。室温に冷却した後、反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 120 ° C. for 1 hour. After cooling to room temperature, methanol was added dropwise to the reaction mixture to precipitate a copolymer.
沈殿した共重合体をろ過して集め、80℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、8.0gであった(収率:80%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 80 ° C. under vacuum. The weight after drying was 8.0 g (yield: 80%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=127,332およびMn=39,206であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 127,332 and Mn = 39,206.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:22/78=HxNB/PENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 22/78 = HxNB / PENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5601であり、TMモードで1.5585であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5601 in the TE mode and 1.5585 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP3:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
HxNB(8.94g,0.050mol)、diPhNB(16.1g,0.050mol)、1−ヘキセン(2.95g,0.035mol)およびトルエン(142g)を秤量し、250mLのシーラムボトルに入れて、オイルバスで80℃に加熱した。
<< Polymer P3: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) copolymer >>
HxNB (8.94 g, 0.050 mol), diPhNB (16.1 g, 0.050 mol), 1-hexene (2.95 g, 0.035 mol) and toluene (142 g) are weighed and placed in a 250 mL sealam bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath.
この溶液に、Pd1446(5.8×10−3g,4.0×10−6mol)およびDANFABA(3.2×10−3g,4.0×10−6mol)を添加した。ノルボルネンモノマー/Pd1446/DANFABAの比率は、25K/1/1であった。 To this solution was added Pd1446 (5.8 × 10 −3 g, 4.0 × 10 −6 mol) and DANFABA (3.2 × 10 −3 g, 4.0 × 10 −6 mol). The ratio of norbornene monomer / Pd1446 / DANFABA was 25K / 1/1.
混合物を80℃で7時間維持し、その後、20mLのアセトニトリルを加えてPd触媒の活性を消失させた。その後、反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 The mixture was maintained at 80 ° C. for 7 hours, after which 20 mL of acetonitrile was added to quench the activity of the Pd catalyst. Thereafter, when methanol was added dropwise to the reaction mixture, the copolymer was precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、65℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、19.8gであった(収率:79%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 65 ° C. under vacuum. The weight after drying was 19.8 g (yield: 79%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=86,186およびMn=21,602であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 86,186 and Mn = 21,602.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:46/54=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 46/54 = HxNB / diPhNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定すると、波長633nmで、TEモードで1.5569であり、TMモードで1.5556であった。
共重合体の熱機械分析(TMA)に基づくTgは、203℃であった。
When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5569 in the TE mode and 1.5556 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
Tg based on the thermomechanical analysis (TMA) of the copolymer was 203 ° C.
<<ポリマーP4:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
HxNB(8.94g,0.050mol)、diPhNB(16.1g,0.050mol)、1−ヘキセン(20.0g,0.239mol)およびトルエン(142g)を250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P4: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) copolymer >>
HxNB (8.94 g, 0.050 mol), diPhNB (16.1 g, 0.050 mol), 1-hexene (20.0 g, 0.239 mol) and toluene (142 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle and oil A solution was formed by heating to 80 ° C. in a bath.
この溶液に、Pd1446(5.80×10−3g,4.0×10−6mol)およびDANFABA(3.21×10−3g,4.01×10−6mol)を添加した。 To this solution was added Pd1446 (5.80 × 10 −3 g, 4.0 × 10 −6 mol) and DANFABA (3.21 × 10 −3 g, 4.01 × 10 −6 mol).
添加後、得られた溶液を80℃で6時間維持した。その後、20mLのアセトニトリルを加えてPd触媒の活性を消失させた。その後、反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、65℃のオーブンで真空で乾燥させた。
After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 6 hours. Thereafter, 20 mL of acetonitrile was added to extinguish the activity of the Pd catalyst. Thereafter, when methanol was added dropwise to the reaction mixture, the copolymer was precipitated.
The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 65 ° C. under vacuum.
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=20,586およびMn=11,613であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (in terms of polystyrene), it was Mw = 20,586 and Mn = 11,613.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:60/40=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 60/40 = HxNB / diPhNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5547であり、TMモードで1.5540であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5547 in the TE mode and 1.5540 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP5:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランコポリマー(diPhNB)の合成>>
HxNB(8.94g,0.050mol)、diPhNB(16.06g,0.050mol)、1−ヘキセン(5.0g,0.060mol)およびトルエン(142g)を500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P5: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornene methoxysilane copolymer (diPhNB) >>
HxNB (8.94 g, 0.050 mol), diPhNB (16.06 g, 0.050 mol), 1-hexene (5.0 g, 0.060 mol) and toluene (142 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and oil A solution was formed by heating to 80 ° C. in a bath.
この溶液に、Pd1446(2.90×10−3g,2.00×10−6mol)およびDANFABA(3.2×10−3g,4.01×10−6mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で添加した。 To this solution, Pd1446 (2.90 × 10 −3 g, 2.00 × 10 −6 mol) and DANFABA (3.2 × 10 −3 g, 4.01 × 10 −6 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で6時間維持した。勢いよく攪拌された混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 6 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、19.3gであった(収率:77%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 19.3 g (yield: 77%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン基準)、Mw=58,749およびMn=18,177であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene standard), it was Mw = 58,749 and Mn = 18,177.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:53/47=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 53/47 = HxNB / diPhNB copolymer.
この共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5572であり、TMモードで1.5558であった。 When the refractive index of this copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5572 in the TE mode and 1.5558 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP6:ブチルノルボルネン(BuNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
BuNB(2.62g,0.017mol)、diPhNB(22.38g,0.07mol)、1−ヘキセン(8.83g,0.011mol)およびトルエン(141.4g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P6: Synthesis of Butylnorbornene (BuNB) / Diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) Copolymer >>
BuNB (2.62 g, 0.017 mol), diPhNB (22.38 g, 0.07 mol), 1-hexene (8.83 g, 0.011 mol) and toluene (141.4 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(5.05×10−3g,3.49×10−6mol)およびDANFABA(1.12×10−2g,1.40×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で添加した。 To this solution, Pd1446 (5.05 × 10 −3 g, 3.49 × 10 −6 mol) and DANFABA (1.12 × 10 −2 g, 1.40 × 10 −5 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で2時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 2 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、7.5gであった(収率:30%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 7.5 g (yield: 30%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン基準)、Mw=32,665およびMn=19,705であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene standard), it was Mw = 32,665 and Mn = 19,705.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:28/72=BuNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 28/72 = BuNB / diPhNB copolymer.
この共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5785であり、TMモードで1.5771であった。 When the refractive index of this copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5785 in the TE mode and 1.5771 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP8:ヘキシルノルボルネン(HxNB)ホモポリマーの合成>>
HxNB(10.0g,0.056mol)、1−ヘキセン(4.71g,0.056mol)およびトルエン(56.7g)を、250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P8: Synthesis of Hexylnorbornene (HxNB) Homopolymer >>
HxNB (10.0 g, 0.056 mol), 1-hexene (4.71 g, 0.056 mol) and toluene (56.7 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle and heated to 80 ° C. in an oil bath. A solution was formed.
この溶液に、Pd1446(4.10×10−4g,2.80×10−7mol)およびDANFABA(2.20×10−4g,2.80×10−7mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で添加した。 To this solution, Pd1446 (4.10 × 10 −4 g, 2.80 × 10 −7 mol) and DANFABA (2.20 × 10 −4 g, 2.80 × 10 −7 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で40分間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 40 minutes. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the polymer precipitated.
沈殿した重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、5.8gであった(収率:58%)。 The precipitated polymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 5.8 g (yield: 58%).
重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン基準)、Mw=121,541およびMn=59,213であった。 When the molecular weight of the polymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene standard), it was Mw = 121,541 and Mn = 59,213.
この重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5146であり、TMモードで1.5129であった。
重合体の熱機械分析(TMA)に基づくTgは、208℃であった。
When the refractive index of this polymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5146 in the TE mode and 1.5129 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
Tg based on thermomechanical analysis (TMA) of the polymer was 208 ° C.
<<ポリマーP9:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
HxNB(9.63g,0.054mol)、diPhNB(40.37g,0.126mol)、1−ヘキセン(4.54g,0.054mol)およびトルエン(333g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P9: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) copolymer >>
HxNB (9.63 g, 0.054 mol), diPhNB (40.37 g, 0.126 mol), 1-hexene (4.54 g, 0.054 mol) and toluene (333 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle, A solution was formed by heating to 80 ° C. in an oil bath.
この溶液に、Pd1446(1.04×10−2g,7.20×10−6mol)およびDANFABA(2.30×10−2g,2.88×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で添加した。 To this solution, Pd1446 (1.04 × 10 −2 g, 7.20 × 10 −6 mol) and DANFABA (2.30 × 10 −2 g, 2.88 × 10 −5 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で2時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 2 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、19.0gであった(収率:38%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 19.0 g (yield: 38%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=118,000およびMn=60,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 118,000 and Mn = 60,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:32/68=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 32/68 = HxNB / diPhNB copolymer.
この共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5695であり、TMモードで1.5681であった。 When the refractive index of this copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5695 in TE mode and 1.5681 in TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP11:ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)ホモポリマーの合成>>
diPhNB(30g,0.094mol)、1−ヘキセン(1.57g,0.019mol)およびトルエン(170.0g)を、250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P11: Synthesis of diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) homopolymer >>
DiPhNB (30 g, 0.094 mol), 1-hexene (1.57 g, 0.019 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle and heated to 80 ° C. in an oil bath to obtain a solution. Formed.
この溶液に、Pd1446(1.4×10−2g,9.4×10−6mol)およびDANFABA(3.0×10−2g,3.7×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (1.4 × 10 −2 g, 9.4 × 10 −6 mol) and DANFABA (3.0 × 10 −2 g, 3.7 × 10 −5 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the polymer precipitated.
沈殿した重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、15.0gであった(収率:50%)。 The precipitated polymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 15.0 g (yield: 50%).
重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=91,000およびMn=44,000であった。 When the molecular weight of the polymer was measured by GPC method using THF as a solvent (in terms of polystyrene), it was Mw = 91,000 and Mn = 44,000.
<<ポリマーP12:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
HxNB(10.72g,0.06mol)、diPhNB(19.28g,0.06mol)、1−ヘキセン(3.5g,0.04mol)およびトルエン(170.0g)を、250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P12: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) copolymer >>
HxNB (10.72 g, 0.06 mol), diPhNB (19.28 g, 0.06 mol), 1-hexene (3.5 g, 0.04 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(7.0×10−3g,4.8×10−6mol)およびDANFABA(3.9×10−3g,4.8×10−6mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (7.0 × 10 −3 g, 4.8 × 10 −6 mol) and DANFABA (3.9 × 10 −3 g, 4.8 × 10 −6 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で3.5時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 3.5 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、18.6gであった(収率:62%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 18.6 g (yield: 62%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=102,000およびMn=38,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 102,000 and Mn = 38,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:54/46=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 54/46 = HxNB / diPhNB copolymer.
<<ポリマーP13:ブチルノルボルネン(BuNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
BuNB(2.62g,0.038mol)、diPhNB(22.38g,0.057mol)、1−ヘキセン(8.83g,0.011mol)およびトルエン(141.4g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P13: Synthesis of Butylnorbornene (BuNB) / Diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) Copolymer >>
BuNB (2.62 g, 0.038 mol), diPhNB (22.38 g, 0.057 mol), 1-hexene (8.83 g, 0.011 mol) and toluene (141.4 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(5.05×10−3g,3.49×10−6mol)およびDANFABA(1.12×10−2g,1.40×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (5.05 × 10 −3 g, 3.49 × 10 −6 mol) and DANFABA (1.12 × 10 −2 g, 1.40 × 10 −5 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で2時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 2 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空乾燥させた。乾燥後の重量は、7.5gであった(収率:30%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and vacuum dried in an oven at 60 ° C. The weight after drying was 7.5 g (yield: 30%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=32,665およびMn=19,705であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 32,665 and Mn = 19,705.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:28/72=BuNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 28/72 = BuNB / diPhNB copolymer.
この共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5785であり、TMモードで1.5771であった。 When the refractive index of this copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5785 in the TE mode and 1.5771 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマー14:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)コポリマーの合成>>
HxNB(9.63g,0.054mol)、diPhNB(1.92g,0.006mol)、1−ヘキセン(5.04g,0.060mol)およびトルエン(56.7g)を、250mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer 14: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) copolymer >>
HxNB (9.63 g, 0.054 mol), diPhNB (1.92 g, 0.006 mol), 1-hexene (5.04 g, 0.060 mol) and toluene (56.7 g) were mixed in a 250 mL sealam bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(4.30×10−4g,3.00×10−7mol)およびDANFABA(2.40×10−4g,3.00×10−7mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (4.30 × 10 −4 g, 3.00 × 10 −7 mol) and DANFABA (2.40 × 10 −4 g, 3.00 × 10 −7 mol) were concentrated in dichloromethane. Added in the form of a solution.
添加後、得られた溶液を80℃で2時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 2 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空乾燥させた。乾燥後の重量は、7.7gであった(収率:67%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and vacuum dried in an oven at 60 ° C. The weight after drying was 7.7 g (yield: 67%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=82,000およびMn=40,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (in terms of polystyrene), it was Mw = 82,000 and Mn = 40,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:89/11=HxNB/diPhNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 89/11 = HxNB / diPhNB copolymer.
この共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5238であり、TMモードで1.5225であった。 When the refractive index of this copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5238 in the TE mode and 1.5225 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP15:ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)ホモポリマーの合成>>
diPhNB(30g,0.094mol)、1−ヘキセン(2.36g,0.028mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P15: Synthesis of diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) homopolymer >>
DiPhNB (30 g, 0.094 mol), 1-hexene (2.36 g, 0.028 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle and heated to 80 ° C. in an oil bath to obtain a solution. Formed.
この溶液に、Pd1446(0.0135g,9.36×10−6mol)およびDANFABA(0.030g,3,74×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0135 g, 9.36 × 10 −6 mol) and DANFABA (0.030 g, 3,74 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した混合物にメタノールを滴下すると重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the polymer precipitated.
沈殿した重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、25.18gであった(収率:21%)。 The precipitated polymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 25.18 g (yield: 21%).
重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=54,000およびMn=29,000であった。 When the molecular weight of the polymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 54,000 and Mn = 29,000.
重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、diPhNBホモポリマーであった。
この重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5926であり、TMモードで1.5910であった。
When the composition of the polymer was measured by 1 H-NMR, it was a diPhNB homopolymer.
When the refractive index of this polymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5926 in the TE mode and 1.5910 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP16:ブチルノルボルネン(BuNB)/フェニルエチルノルボルネン(PENB)コポリマーの合成>>
BuNB(4.78g,0.032mol)、PENB(25.22g,0.127mol)、1−ヘキセン(13.36g,0.16mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P16: Synthesis of Butylnorbornene (BuNB) / Phenylethylnorbornene (PENB) Copolymer >>
BuNB (4.78 g, 0.032 mol), PENB (25.22 g, 0.127 mol), 1-hexene (13.36 g, 0.16 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.0092g,6.36×10−6mol)およびDANFABA(0.020g,2.54×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0092 g, 6.36 × 10 −6 mol) and DANFABA (0.020 g, 2.54 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で50分維持した。勢いよく攪拌された混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 50 minutes. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、23.60gであった(収率:79%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 23.60 g (yield: 79%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=73,000およびMn=28,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 73,000 and Mn = 28,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:15/85=BuNB/PENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 15/85 = BuNB / PENB copolymer.
この共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5684であり、TMモードで1.5657であった。 When the refractive index of this copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5684 in TE mode and 1.5657 in TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP17:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/フェニルエチルノルボルネン(PENB)コポリマーの合成>>
HxNB(6.00g,0.034mol)、PENB(26.69g,0.135mol)、1−ヘキセン(11.31g,0.135mol)およびトルエン(185.35g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P17: Synthesis of Hexylnorbornene (HxNB) / Phenylethylnorbornene (PENB) Copolymer >>
HxNB (6.00 g, 0.034 mol), PENB (26.69 g, 0.135 mol), 1-hexene (11.31 g, 0.135 mol) and toluene (185.35 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.0097g,6.73×10−6mol)およびDANFABA(0.022g,2.69×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0097 g, 6.73 × 10 −6 mol) and DANFABA (0.022 g, 2.69 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で50分維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 50 minutes. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、22.21gであった(収率:68%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 22.21 g (yield: 68%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=95,000およびMn=26,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 95,000 and Mn = 26,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:17/83=HxNB/PENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 17/83 = HxNB / PENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5477であり、TMモードで1.5454であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5477 in the TE mode and 1.5454 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP18:デシルノルボルネン(DeNB)/フェニルエチルノルボルネン(PENB)コポリマーの合成>>
DeNB(6.84g,0.029mol)、PENB(23.16g,0.117mol)、1−ヘキセン(12.26g,0.146mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P18: Synthesis of Decylnorbornene (DeNB) / Phenylethylnorbornene (PENB) Copolymer >>
DeNB (6.84 g, 0.029 mol), PENB (23.16 g, 0.117 mol), 1-hexene (12.26 g, 0.146 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.0084g,5.84×10−6mol)およびDANFABA(0.019g,2.33×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0084 g, 5.84 × 10 −6 mol) and DANFABA (0.019 g, 2.33 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で50分維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 50 minutes. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、19.74gであった(収率:66%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 19.74 g (yield: 66%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=78,000およびMn=36,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 78,000 and Mn = 36,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:19/81=DeNB/PENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 19/81 = DeNB / PENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5640であり、TMモードで1.5622であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5640 in the TE mode and 1.5622 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP19:ベンジルノルボルネン(BzNB)ホモポリマーの合成>>
BzNB(30.00g,0.163mol)、トリエチルシラン(0.227g,1.95×10−3mol)、エタノール(0.360g,7.81×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P19: Synthesis of benzylnorbornene (BzNB) homopolymer >>
BzNB (30.00 g, 0.163 mol), triethylsilane (0.227 g, 1.95 × 10 −3 mol), ethanol (0.360 g, 7.81 × 10 −3 mol) and toluene (170.0 g) Were mixed in a 500 mL sealum bottle and heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.0188g,1.30×10−5mol)およびDANFABA(0.042g,5.21×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0188 g, 1.30 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.042 g, 5.21 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で1.5時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 1.5 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the polymer precipitated.
沈殿した重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、15.07gであった(収率:50%)。 The precipitated polymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 15.07 g (yield: 50%).
重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=46,000およびMn=28,000であった。 When the molecular weight of the polymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 46,000 and Mn = 28,000.
重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、BzNBホモポリマーであった。
重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5778であり、TMモードで1.5757であった。
When the composition of the polymer was measured by 1 H-NMR, it was a BzNB homopolymer.
When the refractive index of the polymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5778 in the TE mode and 1.5757 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP20:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ベンジルノルボルネン(BzNB)コポリマーの合成>>
HxNB(8.79g,0.049mol)、BzNB(21.21g,0.115mol)、トリエチルシラン(0.23g,1.97×10−3mol)、エタノール(0.36g,7.89×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P20: Synthesis of Hexylnorbornene (HxNB) / Benzylnorbornene (BzNB) Copolymer >>
HxNB (8.79 g, 0.049 mol), BzNB (21.21 g, 0.115 mol), triethylsilane (0.23 g, 1.97 × 10 −3 mol), ethanol (0.36 g, 7.89 × 10 9) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealum bottle and heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.019g,1.32×10−5mol)およびDANFABA(0.042g,5.26×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.019 g, 1.32 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.042 g, 5.26 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で1.5時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 1.5 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、18.59gであった(収率:62%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 18.59 g (yield: 62%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=52,000およびMn=30,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 52,000 and Mn = 30,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:35/65=HxNB/BzNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 35/65 = HxNB / BzNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5597であり、TMモードで1.5579であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5597 in the TE mode and 1.5579 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP21:デシルノルボルネン(DeNB)/ベンジルノルボルネン(BzNB)コポリマーの合成>>
DeNB(6.84g,0.029mol)、BzNB(21.56g,0.117mol)、1−ヘキセン(12.26g,0.146mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P21: Synthesis of Decylnorbornene (DeNB) / Benzylnorbornene (BzNB) Copolymer >>
DeNB (6.84 g, 0.029 mol), BzNB (21.56 g, 0.117 mol), 1-hexene (12.26 g, 0.146 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle. And heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.0084g,5.84×10−6mol)およびDANFABA(0.019g,2.33×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0084 g, 5.84 × 10 −6 mol) and DANFABA (0.019 g, 2.33 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた溶液を80℃で1.5時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at 80 ° C. for 1.5 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、20.73gであった(収率:73%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 20.73 g (yield: 73%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=64,000およびMn=31,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (in terms of polystyrene), it was Mw = 64,000 and Mn = 31,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:27/73=DeNB/BzNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 27/73 = DeNB / BzNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5680であり、TMモードで1.5662であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5680 in TE mode and 1.5662 in TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP22:ブチルノルボルネン(BuNB)/メチルグリシジルエーテルノルボルネン(AGENB)コポリマーの合成>>
BuNB(10.52g,0.07mol)、AGENB(5.41g,0.03mol)およびトルエン(58.0g)を、シーラムボトルで混合し、オイルバスで80℃に加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P22: Synthesis of Butyl Norbornene (BuNB) / Methyl Glycidyl Ether Norbornene (AGENB) Copolymer >>
BuNB (10.52 g, 0.07 mol), AGENB (5.41 g, 0.03 mol) and toluene (58.0 g) were mixed in a sealum bottle and heated to 80 ° C. in an oil bath to form a solution. .
この溶液に、(η6−トルエン)Ni(C6F5)2(0.69g,0.0014mol)のトルエン溶液(5g)を加えた。 To this solution was added a toluene solution (5 g) of (η 6 -toluene) Ni (C 6 F 5 ) 2 (0.69 g, 0.0014 mol).
添加後、得られた溶液を室温で4時間維持した。トルエン溶液(87.0g)を反応溶液に加えた。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting solution was maintained at room temperature for 4 hours. Toluene solution (87.0 g) was added to the reaction solution. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、12.74gであった(収率:80%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 12.74 g (yield: 80%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=75,000およびMn=30,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 75,000 and Mn = 30,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:78/22=BuNB/AGENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 78/22 = BuNB / AGENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5162であり、TMモードで1.5157であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5162 in the TE mode and 1.5157 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP23:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/メチルグリシジルエーテルノルボルネン(AGENB)コポリマーの合成>>
HxNB(12.48g,0.07mol)、AGENB(5.41g,0.03mol)、トルエン(58.0g)を、ドライボックス内のシーラムボトルに加えた。この溶液を80℃のオイルバス中で攪拌した。
<< Polymer P23: Synthesis of Hexyl Norbornene (HxNB) / Methyl Glycidyl Ether Norbornene (AGENB) Copolymer >>
HxNB (12.48 g, 0.07 mol), AGENB (5.41 g, 0.03 mol), and toluene (58.0 g) were added to the sealum bottle in the dry box. This solution was stirred in an oil bath at 80 ° C.
この溶液に、(η6−トルエン)Ni(C6F5)2(0.69g,0.0014mol)のトルエン溶液(5g)を加えた。 To this solution was added a toluene solution (5 g) of (η 6 -toluene) Ni (C 6 F 5 ) 2 (0.69 g, 0.0014 mol).
添加後、得られた混合物を室温で4時間維持した。トルエン溶液(87.0g)を反応溶液に加えた。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at room temperature for 4 hours. Toluene solution (87.0 g) was added to the reaction solution. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、13.78gであった(収率:77%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 13.78 g (yield: 77%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=78,000およびMn=33,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 78,000 and Mn = 33,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:79/21=HxNB/AGENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 79/21 = HxNB / AGENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5159であり、TMモードで1.5153であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5159 in the TE mode and 1.5153 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP24:デシルノルボルネン(DeNB)/メチルグリシジルエーテルノルボルネン(AGENB)コポリマーの合成>>
DeNB(16.4g,0.07mol)、AGENB(5.41g,0.03mol)およびトルエン(58.0g)を、ドライボックス内のシーラムボトルに加えた。この溶液を80℃のオイルバス中で攪拌した。
<< Polymer P24: Synthesis of Decyl Norbornene (DeNB) / Methyl Glycidyl Ether Norbornene (AGENB) Copolymer >>
DeNB (16.4 g, 0.07 mol), AGENB (5.41 g, 0.03 mol) and toluene (58.0 g) were added to the sealum bottle in the dry box. This solution was stirred in an oil bath at 80 ° C.
この溶液に、(η6−トルエン)Ni(C6F5)2(0.69g,0.0014mol)のトルエン溶液(5g)を加えた。 To this solution was added a toluene solution (5 g) of (η 6 -toluene) Ni (C 6 F 5 ) 2 (0.69 g, 0.0014 mol).
添加後、得られた混合物を室温で4時間維持した。トルエン溶液(87.0g)を反応溶液に加えた。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at room temperature for 4 hours. Toluene solution (87.0 g) was added to the reaction solution. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、17.00gであった(収率:87%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 17.00 g (yield: 87%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=75,000およびMn=30,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 75,000 and Mn = 30,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:77/23=DeNB/AGENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 77/23 = DeNB / AGENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5153であり、TMモードで1.5151であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5153 in the TE mode and 1.5151 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP25:ブチルノルボルネン(BuNB)/ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン(TMSENB)コポリマーの合成>>
BuNB(25.44g,0.169mol)、TMSENB(4.56g,0.019mol)、トリエチルシラン(0.11g,9.41×10−4mol)、エタノール(0.10g,2.26×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、300mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P25: Synthesis of Butylnorbornene (BuNB) / Norbornenylethyltrimethoxysilane (TMSENB) Copolymer >>
BuNB (25.44 g, 0.169 mol), TMSENB (4.56 g, 0.019 mol), triethylsilane (0.11 g, 9.41 × 10 −4 mol), ethanol (0.10 g, 2.26 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 300 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.022g,1.50×10−5mol)およびDANFABA(0.036g,4.51×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.022 g, 1.50 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.036 g, 4.51 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、22.60gであった(収率:69%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 22.60 g (yield: 69%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=20,000およびMn=13,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by the GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 20,000 and Mn = 13,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:91/9=BuNB/TMSENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 91/9 = BuNB / TMSENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5106であり、TMモードで1.5105であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5106 in the TE mode and 1.5105 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP26:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン(TMSENB)コポリマーの合成>>
HxNB(13.03g,0.073mol)、TMSENB(1.97g,0.0081mol)、トリエチルシラン(0.019g,1.62×10−4mol)、エタノール(0.030g,6.50×10−4mol)およびトルエン(85.0g)を、300mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P26: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / norbornenylethyltrimethoxysilane (TMSENB) copolymer >>
HxNB (13.03 g, 0.073 mol), TMSENB (1.97 g, 0.0081 mol), triethylsilane (0.019 g, 1.62 × 10 −4 mol), ethanol (0.030 g, 6.50 × 10) -4 mol) and toluene (85.0 g) were mixed in a 300 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、[Pd(P(iPr)3)2(OCOCH3)(NCCH3)]テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(以下、「Pd1206」と略す。)(0.0078g,6.50×10−6mol)を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 [Pd (P (iPr) 3 ) 2 (OCOCH 3 ) (NCCH 3 )] tetrakis (pentafluorophenyl) borate (hereinafter abbreviated as “Pd1206”) (0.0078 g, 6.50 × 10) −6 mol) was added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、3.30gであった(収率:22%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 3.30 g (yield: 22%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=53,000およびMn=33,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 53,000 and Mn = 33,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:93/7=HxNB/TMSENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 93/7 = HxNB / TMSENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5126であり、TMモードで1.5114であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5126 in the TE mode and 1.5114 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP27:デシルノルボルネン(DeNB)/ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン(TMSENB)コポリマーの合成>>
DeNB(22.31g,0.095mol)、TMSENB(7.69g,0.032mol)、トリエチルシラン(0.44g,3.81×10−4mol)、エタノール(0.70g,1.52×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P27: Synthesis of Decylnorbornene (DeNB) / Norbornenylethyltrimethoxysilane (TMSENB) Copolymer >>
DeNB (22.31 g, 0.095 mol), TMSENB (7.69 g, 0.032 mol), triethylsilane (0.44 g, 3.81 × 10 −4 mol), ethanol (0.70 g, 1.52 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.015g,1.02×10−5mol)およびDANFABA(0.024g,3.05×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.015 g, 1.02 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.024 g, 3.05 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、12.2gであった(収率:40.7%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 12.2 g (yield: 40.7%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=34,000およびMn=24,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (in terms of polystyrene), it was Mw = 34,000 and Mn = 24,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:77/23=DeNB/TMSENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 77/23 = DeNB / TMSENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5063であり、TMモードで1.5062であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5063 in the TE mode and 1.5062 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP28:ブチルノルボルネン(BuNB)/トリエトキシシリルノルボルネン(TESNB)コポリマーの合成>>
BuNB(25.22g,0.168mol)、TESNB(4.78g,0.019mol)、トリエチルシラン(0.011g,9.32×10−5mol)、エタノール(0.10g,2.24×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P28: Synthesis of Butylnorbornene (BuNB) / Triethoxysilylnorbornene (TESNB) Copolymer >>
BuNB (25.22 g, 0.168 mol), TENSB (4.78 g, 0.019 mol), triethylsilane (0.011 g, 9.32 × 10 −5 mol), ethanol (0.10 g, 2.24 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1206(0.018g,1.49×10−5mol)を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1206 (0.018 g, 1.49 × 10 −5 mol) was added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で9時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 9 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、20.58gであった(収率:69%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 20.58 g (yield: 69%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=238,000およびMn=96,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 238,000 and Mn = 96,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:85/15=BuNB/TESNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 85/15 = BuNB / TESTNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5061であり、TMモードで1.5041であった。
共重合体の熱機械分析(TMA)に基づくTgは、276℃であった。
When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5061 in the TE mode and 1.5041 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
Tg based on the thermomechanical analysis (TMA) of the copolymer was 276 ° C.
<<ポリマーP29:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/トリエトキシシリルノルボルネン(TESNB)コポリマーの合成>>
HxNB(20.33g,0.114mol)、TESNB(3.26g,0.013mol)、トリエチルシラン(0.030g,2.54×10−3mol)、エタノール(0.07g,1.52×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P29: Synthesis of Hexyl Norbornene (HxNB) / Triethoxysilyl Norbornene (TESNB) Copolymer >>
HxNB (20.33 g, 0.114 mol), TESNB (3.26 g, 0.013 mol), triethylsilane (0.030 g, 2.54 × 10 −3 mol), ethanol (0.07 g, 1.52 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.015g,1.01×10−5mol)を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.015 g, 1.01 × 10 −5 mol) was added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で9時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 9 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、7.31gであった(収率:31%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 7.31 g (yield: 31%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=234,000およびMn=110,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 234,000 and Mn = 110,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:83/17=HxNB/TESNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 83/17 = HxNB / TENSB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5053であり、TMモードで1.5042であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5053 in the TE mode and 1.5042 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP30:デシルノルボルネン(DeNB)/トリエトキシシリルノルボルネン(TESNB)コポリマーの合成>>
DeNB(26.77g,0.114mol)、TESNB(3.26g,0.013mol)、トリエチルシラン(0.030g,2.54×10−3mol)、エタノール(0.07g,1.52×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P30: Synthesis of Decylnorbornene (DeNB) / Triethoxysilylnorbornene (TESNB) Copolymer >>
DeNB (26.77 g, 0.114 mol), TESNB (3.26 g, 0.013 mol), triethylsilane (0.030 g, 2.54 × 10 −3 mol), ethanol (0.07 g, 1.52 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.015g,1.01×10−5mol)を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.015 g, 1.01 × 10 −5 mol) was added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で9時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 9 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、18.01gであった(収率:60%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 18.01 g (yield: 60%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=283,000およびMn=118,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 283,000 and Mn = 1118.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:84/16=DeNB/TESNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 84/16 = DeNB / TENSB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5034であり、TMモードで1.5018であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5034 in the TE mode and 1.5018 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP31:ブチルノルボルネン(BuNB)/トリメトキシシリルノルボルネン(TMSNB)コポリマーの合成>>
BuNB(10.97g,0.073mol)、TMSNB(12.95g,0.073mol)、トリエチルシラン(0.34g,2.91×10−4mol)、エタノール(0.80g,1.75×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P31: Synthesis of Butylnorbornene (BuNB) / Trimethoxysilyl Norbornene (TMSNB) Copolymer >>
BuNB (10.97 g, 0.073 mol), TMSNB (12.95 g, 0.073 mol), triethylsilane (0.34 g, 2.91 × 10 −4 mol), ethanol (0.80 g, 1.75 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.017g,1.16×10−5mol)およびDANFABA(0.028g,3.49×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.017 g, 1.16 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.028 g, 3.49 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、15.5gであった(収率:65%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 15.5 g (yield: 65%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=48,000およびMn=27,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 48,000 and Mn = 27,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:47/53=BuNBすらTMSNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 47/53 = BuNB even TMSNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5093であり、TMモードで1.5089であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5093 in the TE mode and 1.5089 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP32:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/トリメトキシシリルノルボルネン(TMSNB)コポリマーの合成>>
HxNB(13.02g,0.073mol)、TMSNB(12.95g,0.073mol)、トリエチルシラン(0.34g,2.91×10−4mol)、エタノール(0.80g,1.75×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P32: Synthesis of Hexyl Norbornene (HxNB) / Trimethoxysilyl Norbornene (TMSNB) Copolymer >>
HxNB (13.02 g, 0.073 mol), TMSNB (12.95 g, 0.073 mol), triethylsilane (0.34 g, 2.91 × 10 −4 mol), ethanol (0.80 g, 1.75 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.017g,1.16×10−5mol)およびDANFABA(0.028g,3.49×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.017 g, 1.16 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.028 g, 3.49 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、17.7gであった(収率:68%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 17.7 g (yield: 68%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=55,000およびMn=27,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 55,000 and Mn = 27,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:46/54=HxNB/TMSNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 46/54 = HxNB / TMSNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5081であり、TMモードで1.5078であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5081 in the TE mode and 1.5078 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP33:デシルノルボルネン(DeNB)/トリメトキシシリルノルボルネン(TMSNB)コポリマーの合成>>
DeNB(17.05g,0.073mol)、TMSNB(12.95g,0.073mol)、トリエチルシラン(0.34g,2.91×10−4mol)、エタノール(0.80g,1.75×10−3mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P33: Synthesis of Decylnorbornene (DeNB) / Trimethoxysilylnorbornene (TMSNB) Copolymer >>
DeNB (17.05 g, 0.073 mol), TMSNB (12.95 g, 0.073 mol), triethylsilane (0.34 g, 2.91 × 10 −4 mol), ethanol (0.80 g, 1.75 × 10) −3 mol) and toluene (170.0 g) were mixed in a 500 mL sealam bottle and heated at 80 ° C. in an oil bath to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.017g,1.16×10−5mol)およびDANFABA(0.028g,3.49×10−5mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.017 g, 1.16 × 10 −5 mol) and DANFABA (0.028 g, 3.49 × 10 −5 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で4時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 4 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、21.0gであった(収率:70%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 21.0 g (yield: 70%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=82,000およびMn=31,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by the GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 82,000 and Mn = 31,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:46/54=DeNB/TMSNBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 46/54 = DeNB / TMSNB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5029であり、TMモードで1.5016であった。 When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5029 in the TE mode and 1.5016 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
<<ポリマーP34:ヘキシルノルボルネン(HxNB)/ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン(diPhNB)/ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン(TMSENB)ターポリマーの合成>>
HxNB(5.94g,0.033mol)、diPhNB(21.36g,0.067mol)、TMSENB(2.69g,0.011mol)、1−ヘキセン(3.73g,0.044mol)およびトルエン(170.0g)を、500mLのシーラムボトル内で混合し、オイルバスで80℃で加熱して溶液を形成した。
<< Polymer P34: Synthesis of hexylnorbornene (HxNB) / diphenylmethylnorbornenemethoxysilane (diPhNB) / norbornenylethyltrimethoxysilane (TMSENB) terpolymer >>
HxNB (5.94 g, 0.033 mol), diPhNB (21.36 g, 0.067 mol), TMSENB (2.69 g, 0.011 mol), 1-hexene (3.73 g, 0.044 mol) and toluene (170. 0 g) was mixed in a 500 mL sealum bottle and heated in an oil bath at 80 ° C. to form a solution.
この溶液に、Pd1446(0.0064g,4.44×10−6mol)およびDANFABA(0.0036g,4.44×10−6mol)を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。 To this solution, Pd1446 (0.0064 g, 4.44 × 10 −6 mol) and DANFABA (0.0036 g, 4.44 × 10 −6 mol) were each added in the form of a concentrated dichloromethane solution.
添加後、得られた混合物を80℃で3.5時間維持した。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。 After the addition, the resulting mixture was maintained at 80 ° C. for 3.5 hours. When methanol was added dropwise to the vigorously stirred reaction mixture, the copolymer precipitated.
沈殿した共重合体をろ過して集め、60℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は、10.26gであった(収率:34%)。 The precipitated copolymer was collected by filtration and dried in an oven at 60 ° C. under vacuum. The weight after drying was 10.26 g (yield: 34%).
共重合体の分子量を、THFを溶媒としてGPC法で測定すると(ポリスチレン換算)、Mw=105,000およびMn=54,000であった。 When the molecular weight of the copolymer was measured by GPC method using THF as a solvent (polystyrene conversion), it was Mw = 105,000 and Mn = 54,000.
共重合体の組成を、1H−NMRで測定すると、1H−NMR:38/54/8=HxNB/diPhNB/TMSENBコポリマーであった。 When the composition of the copolymer was measured by 1 H-NMR, it was 1 H-NMR: 38/54/8 = HxNB / diPhNB / TMSENB copolymer.
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長633nmで、TEモードで1.5586であり、TMモードで1.5572であった。
以上合成した各ポリマーを、下記表1に要約する。
When the refractive index of the copolymer was measured by the prism coupling method, it was 1.5586 in the TE mode and 1.5572 in the TM mode at a wavelength of 633 nm.
Each polymer synthesized above is summarized in Table 1 below.
3.ワニスの調製
以下に示すようにして、各ワニスV1〜V13、V38〜V48およびV63〜V66を、それぞれ調製した。なお、各ワニスの調製は、いずれも、感光性材料を含むため、イエローライトの下で行った。
3. Preparation of varnish Each varnish V1-V13, V38-V48 and V63-V66 was prepared as shown below. Each varnish was prepared under a yellow light because it contained a photosensitive material.
なお、以下では、ジメチルビス(ノルボルネンメトキシ)シラン(CAS番号第376609−87−9番)を「SiX」と略すことがある。 Hereinafter, dimethylbis (norbornenemethoxy) silane (CAS No. 376609-87-9) may be abbreviated as “SiX”.
<<ワニスV1の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量し、ガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、Ciba IRGANOX 1076(0.5g)およびCiba IRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
<< Preparation of Varnish V1 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
Ciba IRGANOX 1076 (0.5 g) and Ciba IRGAFOS 168 (0.125 g) were added to the monomer solution as an antioxidant to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP1を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(3.0g)、上記の触媒前駆体C2(以下、「Pd785」と略す。)(4.94×10−4g,6.29×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤(助触媒)として、RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074(2.55×10−3g,2.51×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えて、ワニスV1を調製した。 A monomer antioxidant solution (3.0 g) and the catalyst precursor C2 (hereinafter abbreviated as “Pd785”) were added to a solution (30.0 g) of the polymer P1 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%. (4.94 × 10 −4 g, 6.29 × 10 −7 mol, in 0.1 mL of methylene chloride), as a photoacid generator (co-catalyst), RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074 (2.55 × 10 −3 g, 2.51 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL) was added to prepare varnish V1.
このワニスV1を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
なお、以下では、Ciba IRGANOX 1076を「IRGANOX 1076」と、Ciba IRGAFOS 168を「IRGAFOS 168」と、RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074を「RHODORSIL 2074」と略す。
This varnish V1 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
In the following description, Ciba IRGANOX 1076 is abbreviated as “IRGANOX 1076”, Ciba IRGAFOS 168 as “IRGAFOS 168”, and RHODORSIL PHOTOINITIATOR 2074 as “RHODORSIL 2074”.
<<ワニスV2の調製>>
SiX(5g,0.0164mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V2 >>
SiX (5 g, 0.0164 mol) was weighed and placed in a glass bottle.
このSiXに、酸化防止剤として、Irganox 1076(0.05g)およびIrgafos 168(0.013g)を加え、SiX溶液(モノマー酸化防止剤溶液)を得た。 Irganox 1076 (0.05 g) and Irgafos 168 (0.013 g) were added to this SiX as an antioxidant to obtain a SiX solution (monomer antioxidant solution).
SiX溶液(3g)、触媒前駆体として、Pd785(3.10×10−4g,3.94×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(1.60×10−3g,1.58×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)および上記のポリマーP2を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30g)を混合して、ワニスV2を調製した。 SiX solution (3 g), Pd785 (3.10 × 10 −4 g, 3.94 × 10 −7 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) as a catalyst precursor, and RHODORSIL 2074 (1. 60 × 10 −3 g, 1.58 × 10 −6 mol in 0.1 mL of methylene chloride) and a solution (30 g) of the above polymer P2 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% were mixed to obtain varnish V2 Was prepared.
ポリマーP2(コポリマー)/SiX(モノマー)の重量比は、1/1であり、SiX(モノマー)/Pd785(Pd触媒)/RHODORSIL 2074(光酸発生剤:PAG)のモル比は、25K/1/4であった。
このワニスV2を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
The weight ratio of polymer P2 (copolymer) / SiX (monomer) is 1/1, and the molar ratio of SiX (monomer) / Pd785 (Pd catalyst) / RHODORSIL 2074 (photoacid generator: PAG) is 25 K / 1. / 4.
This varnish V2 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV3の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V3 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
また、ポリマー溶液として、上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(10g)と、上記のポリマーP4を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(20g)とを混合した混合液を調製した。 Further, as a polymer solution, a solution (10 g) in which the above polymer P3 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% and a solution (20 g) in which the above polymer P4 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% were mixed. A mixture was prepared.
そして、このポリマー溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(3.0g)、触媒前駆体として、Pd785(4.93×10−4g,6.28×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(2.55×10−3g,2.51×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えて、ワニスV3を調製した。
このワニスV3を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
Then, to this polymer solution (30.0 g), as a monomer antioxidant solution (3.0 g), as a catalyst precursor, Pd785 (4.93 × 10 −4 g, 6.28 × 10 −7 mol, methylene chloride) In 0.1 mL), RHODORSIL 2074 (2.55 × 10 −3 g, 2.51 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) was added as a photoacid generator to prepare varnish V3.
This varnish V3 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV4の調製>>
ポリマー溶液として、上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(15g)と、上記のポリマーP4を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(15g)とを混合した混合液を用いた以外は、前記ワニスV3と同様にしてワニスV4を調製した。
このワニスV4を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
<< Preparation of Varnish V4 >>
As a polymer solution, a mixed solution obtained by mixing a solution (15 g) in which the above polymer P3 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% and a solution (15 g) in which the above polymer P4 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%. Varnish V4 was prepared in the same manner as Varnish V3 except that was used.
This varnish V4 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV5の調製>>
ポリマー溶液として、上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(20g)と、上記のポリマーP4を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(10g)とを混合した混合液を用いた以外は、前記ワニスV3と同様にしてワニスV5を調製した。
このワニスV5を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
<< Preparation of Varnish V5 >>
As a polymer solution, a mixed solution prepared by mixing a solution (20 g) in which the above polymer P3 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% and a solution (10 g) in which the above polymer P4 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%. Varnish V5 was prepared in the same manner as Varnish V3 except that was used.
This varnish V5 was used after being filtered with a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV6の調製>>
ポリマー溶液として、上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30g)を用いた以外は、前記ワニスV3と同様にしてワニスV6を調製した。
このワニスV6を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
<< Preparation of Varnish V6 >>
Varnish V6 was prepared in the same manner as varnish V3 except that a solution (30 g) in which the above polymer P3 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% was used as the polymer solution.
The varnish V6 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV7の調製>>
HxNB(40.33g,0.23mol)およびTMSENB(9.67g,0.039mol)を秤量し、ガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V7 >>
HxNB (40.33 g, 0.23 mol) and TMSENB (9.67 g, 0.039 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
また、ポリマー溶液として、上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(15g)と、上記のポリマーP4を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(15g)とを混合した混合液を調製した。 Further, as a polymer solution, a solution (15 g) in which the polymer P3 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% and a solution (15 g) in which the polymer P4 was dissolved in mesitylene so as to be 10 wt% were mixed. A mixture was prepared.
そして、このポリマー溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(3.0g)、触媒前駆体として、Pd785(5.02×10−4g,6.39×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(2.59×10−3g,2.55×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えて、ワニスV7を調製した。
このワニスV7を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
Then, in this polymer solution (30.0 g), as a monomer antioxidant solution (3.0 g), Pd785 (5.02 × 10 −4 g, 6.39 × 10 −7 mol, methylene chloride) as a catalyst precursor. In 0.1 mL), RHODORSIL 2074 (2.59 × 10 −3 g, 2.55 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) was added as a photoacid generator to prepare varnish V7.
This varnish V7 was used after being filtered with a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV8の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量し、ガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V8 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP5を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(18.3g)に、モノマー酸化防止剤溶液(3.06g)、触媒前駆体として、Pd785(3.85×10−4g,4.91×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(1.99×10−3g,1.96×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)およびメシチレン(1.30g)を加えてワニスV8を調製した。
このワニスV8を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (18.3 g) of the above polymer P5 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%, a monomer antioxidant solution (3.06 g), and Pd785 (3.85 × 10 −4 g, 4.91 × 10 −7 mol, in 0.1 mL of methylene chloride), RHODORSIL 2074 (1.99 × 10 −3 g, 1.96 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) as a photoacid generator ) And mesitylene (1.30 g) were added to prepare varnish V8.
This varnish V8 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV9の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V9 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP6を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(9.15g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.53g)、触媒前駆体として、Pd785(2.52×10−4g,3.21×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(1.30×10−3g,1.28×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)およびメシチレン(0.645g)を加えてワニスV9を調製した。
このワニスV9を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (9.15 g) of the above polymer P6 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%, a monomer antioxidant solution (1.53 g), and Pd785 (2.52 × 10 −4 g, 3.21 × 10 −7 mol, in 0.1 mL of methylene chloride), as a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (1.30 × 10 −3 g, 1.28 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) ) And mesitylene (0.645 g) were added to prepare varnish V9.
This varnish V9 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV10の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V10 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(20g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.4g)、触媒前駆体として、Pd785(3.95×10−4g,5.03×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(2.55×10−3g,2.51×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)およびトルエン(2.5g)を加えてワニスV10を得た。
このワニスV10を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
To a solution (20 g) of the above polymer P3 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%, a monomer antioxidant solution (2.4 g) and Pd785 (3.95 × 10 −4 g, 5. 03 × 10 −7 mol in 0.1 mL of methylene chloride), as a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (2.55 × 10 −3 g, 2.51 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) and Toluene (2.5 g) was added to obtain varnish V10.
This varnish V10 was used after being filtered through a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV11の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V11 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP8を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(20g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.4g)、触媒前駆体として、Pd785(3.95×10−4g,5.03×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(2.55×10−3g,2.51×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)およびトルエン(6.12g)を加えてワニスV11を調製した。
このワニスV11を5μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
To a solution (20 g) of the above polymer P8 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%, a monomer antioxidant solution (2.4 g) and Pd785 (3.95 × 10 −4 g, 5. 03 × 10 −7 mol in 0.1 mL of methylene chloride), as a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (2.55 × 10 −3 g, 2.51 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) and Toluene (6.12 g) was added to prepare varnish V11.
This varnish V11 was used after being filtered with a filter having a pore size of 5 μm.
<<ワニスV12の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V12 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP9を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.0g)、触媒前駆体として、Pd785(1.65×10−4g,2.10×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(8.51×10−4g,8.38×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)およびトルエン(5.0g)を加えてワニスV12を調製した。
このワニスV12を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30 g) of the above polymer P9 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%, a monomer antioxidant solution (1.0 g) and Pd785 (1.65 × 10 −4 g, 2. 10 × 10 −7 mol in methylene chloride 0.1 mL), RHODORSIL 2074 (8.51 × 10 −4 g, 8.38 × 10 −7 mol in methylene chloride 0.1 mL) and photoacid generator Toluene (5.0 g) was added to prepare varnish V12.
This varnish V12 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV13の調製>>
HxNB(42.03g,0.24mol)およびSiX(7.97g,0.026mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V13 >>
HxNB (42.03 g, 0.24 mol) and SiX (7.97 g, 0.026 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP14を30wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.0g)、触媒前駆体として、Pd785(3.29×10−4g,4.19×10−7mol、メチレンクロライド0.1mL中)、光酸発生剤として、TAG−372R(7.63×10−4g,8.38×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)およびトルエン(10.0g)を加えてワニスV13を調製した。
このワニスV13を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30 g) of the above polymer P14 dissolved in mesitylene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.0 g) and Pd785 (3.29 × 10 −4 g, 4. 19 × 10 −7 mol, in 0.1 mL of methylene chloride), TAG-372R (7.63 × 10 −4 g, 8.38 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) as a photoacid generator And toluene (10.0 g) was added to prepare varnish V13.
This varnish V13 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
なお、このワニスV13をSiO2コーティング板に注ぎ、乾燥フィルムを形成した。この乾燥フィルムは、ポリマーの熱機械分析(TMA)に基づくTgが251℃であった。 Incidentally, poured varnish V13 on SiO 2 coating plate to form a dry film. This dry film had a Tg of 251 ° C. based on thermomechanical analysis (TMA) of the polymer.
<<ワニスV38の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V38 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP3を10wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV38を調製した。
このワニスV38を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P3 dissolved in mesitylene so as to be 10 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g) and a catalyst precursor, Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V38 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV39の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V39 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP34を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV39を調製した。
このワニスV39を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P34 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g), and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V39 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV40の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V40 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP12を30wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、増感剤として、9,10−ジブトキシアントラセン(4.86×10−2g,1.51×10−4mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV40を調製した。
このワニスV40を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
A monomer antioxidant solution (2.16 g) and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10) were added to a solution (30.0 g) of the above polymer P12 dissolved in mesitylene so as to be 30 wt%. -6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride), 9,10-dibutoxyanthracene (4.86 × 10 −2 g, 1.51 × 10 −4 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) as a sensitizer And as a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V40.
This varnish V40 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV41の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V41 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP16を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV41を調製した。
このワニスV41を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P16 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g), and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V41 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV42の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V42 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP17を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV42を調製した。
このワニスV42を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P17 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g), and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V42 was used after being filtered through a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV43の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V43 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP18を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV43を得た。
このワニスV43を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P18 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g) and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V43 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV44の調製>>
SiX(50.0g,0.164mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V44 >>
SiX (50.0 g, 0.164 mol) was weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP19を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.44g)、上記の触媒前駆体C1(以下、「Pd545」と略す。)(1.02×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV44を調製した。
このワニスを0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
A monomer antioxidant solution (1.44 g) and the catalyst precursor C1 (hereinafter abbreviated as “Pd545”) were added to a solution (30.0 g) of the polymer P19 dissolved in toluene so as to be 30 wt%. (1.02 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride) and, as a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54) Varnish V44 was prepared by adding × 10 −6 mol in 0.1 mL of methylene chloride.
The varnish was used after being filtered through a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV45の調製>>
SiX(50.0g,0.164mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V45 >>
SiX (50.0 g, 0.164 mol) was weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP20を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.44g)、触媒前駆体として、Pd545(1.02×10−3g、1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV45を調製した。
このワニスV45を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P20 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (1.44 g), and Pd545 (1.02 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V45 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV46の調製>>
SiX(50.0g,0.164mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V46 >>
SiX (50.0 g, 0.164 mol) was weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP21を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.44g)、触媒前駆体として、Pd545(1.02×10−3g、1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV46を調製した。
このワニスV46を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above-described polymer P21 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (1.44 g) and Pd545 (1.02 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V46 was used after being filtered with a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV47の調製>>
HxNB(16.64g,0.093mol)およびSiX(33.36g,0.110mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V47 >>
HxNB (16.64 g, 0.093 mol) and SiX (33.36 g, 0.110 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP17を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(6.86×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV47を調製した。
このワニスV47を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P17 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g), and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol, in 0.1 mL of methylene chloride), and TAG-372R (6.86 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol, methylene chloride 0) as a photoacid generator In 1 mL) to prepare varnish V47.
This varnish V47 was used after being filtered with a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV48の調製>>
SiX(50.0g,0.164mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V48 >>
SiX (50.0 g, 0.164 mol) was weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP20を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.44g)、触媒前駆体として、Pd545(1.02×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(6.86×10−3g、7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV48を調製した。
このワニスV48を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P20 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (1.44 g), and Pd545 (1.02 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in 0.1 mL of methylene chloride) and TAG-372R (6.86 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol, methylene chloride 0) as a photoacid generator In 1 mL) to prepare varnish V48.
This varnish V48 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV63の調製>>
SiX(50.0g,0.164mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V63 >>
SiX (50.0 g, 0.164 mol) was weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP24を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(1.44g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV63を調製した。
このワニスV63を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P24 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (1.44 g) and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V63 was used after being filtered with a filter having a pore size of 0.2 μm.
<<ワニスV64の調製>>
TMSENB(20.2g,0.0834mol)およびSiX(29.80g,0.0979mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V64 >>
TMSENB (20.2 g, 0.0834 mol) and SiX (29.80 g, 0.0979 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP26を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV64を調製した。
このワニスV64を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P26 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, a monomer antioxidant solution (2.16 g), and Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V64 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV65の調製>>
TMSENB(20.2g,0.0834mol)およびSiX(29.80g,0.0979mol)を秤量しガラス瓶にいれた。
<< Preparation of Varnish V65 >>
TMSENB (20.2 g, 0.0834 mol) and SiX (29.80 g, 0.0979 mol) were weighed and placed in a glass bottle.
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.5g)およびIRGAFOS 168(0.125g)を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。 To this monomer solution, IRGANOX 1076 (0.5 g) and IRGAFOS 168 (0.125 g) were added as antioxidants to obtain a monomer antioxidant solution.
上記のポリマーP14を30wt%となるようにメシチレンに溶解した溶液(30.0g)に、モノマー酸化防止剤溶液(2.16g)、触媒前駆体として、Pd785(1.47×10−3g,1.88×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.67×10−3g,7.54×10−6mol、メチレンクロライド0.1mL中)を加えてワニスV65を調製した。
このワニスV65を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
In a solution (30.0 g) of the above polymer P14 dissolved in mesitylene so as to be 30 wt%, as a monomer antioxidant solution (2.16 g), Pd785 (1.47 × 10 −3 g, 1.88 × 10 −6 mol in methylene chloride 0.1 mL), and RHODORSIL 2074 (7.67 × 10 −3 g, 7.54 × 10 −6 mol,
This varnish V65 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV66の調製>>
上記のポリマーP14(5g)に、メシチレン(20g)と、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.05g)およびIRGAFOS 168(1.25×10−2g)と、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(4.0×10−3g、メチレンクロライド0.1mL中)とを加えてワニスV66を調製した。
このワニスV66を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
以上調製した各ワニスの組成を、下記表2〜表4に要約する。
<< Preparation of Varnish V66 >>
To the polymer P14 (5 g), mesitylene (20 g), IRGANOX 1076 (0.05 g) and IRGAFOS 168 (1.25 × 10 −2 g) as antioxidants, and RHODORSIL 2074 as a photoacid generator. (4.0 × 10 −3 g in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V66.
This varnish V66 was used after being filtered through a filter having a pore size of 0.2 μm.
The compositions of the varnishes prepared above are summarized in Tables 2 to 4 below.
また、以下に示すようにして、各ワニスV21〜V31、V51〜V55、V61およびV62を、それぞれ調製した。なお、各ワニスの調製は、いずれも、感光性材料を含むため、イエローライトの下で行った。 Moreover, as shown below, each varnish V21-V31, V51-V55, V61, and V62 were prepared, respectively. Each varnish was prepared under a yellow light because it contained a photosensitive material.
<<ワニスV21の調製>>
上記のポリマーP12(5g)に、メシチレン(20g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(0.05g)およびIrgafos 168(0.0125g)、および、光酸発生剤(離脱剤)として、RHODORSIL 2074(4.0×10−3g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV21を調製した。
このワニスV21を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V21 >>
To the polymer P12 (5 g) described above, mesitylene (20 g), Irganox 1076 (0.05 g) and Irgafos 168 (0.0125 g) as antioxidants, and RHODORSIL 2074 (release agent) as a photoacid generator (release agent) 4.0 × 10 −3 g in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V21.
This varnish V21 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV22の調製>>
上記のポリマーP13(5g)に、メシチレン(20g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(0.05g)およびIrgafos 168(0.0125g)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(4.0×10−3g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV22を調製した。
このワニスV22を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V22 >>
To the above polymer P13 (5 g), mesitylene (20 g), Irganox 1076 (0.05 g) and Irgafos 168 (0.0125 g) as antioxidants, and RHODORSIL 2074 (4.0 ×) as a photoacid generator. 10 −3 g in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V22.
This varnish V22 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV23の調製>>
上記のポリマーP14(5g)に、メシチレン(20g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(0.05g)およびIrgafos 168(0.0125g)を加えてワニスV23を調製した。
このワニスV23を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V23 >>
Varnish V23 was prepared by adding mesitylene (20 g) and Irganox 1076 (0.05 g) and Irgafos 168 (0.0125 g) as an antioxidant to the polymer P14 (5 g).
This varnish V23 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV24の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(1.1×10−3g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV24を調製した。
このワニスV24を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V24 >>
To the polymer P11 (0.9 g) above, mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (1.1 × 10 −3 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V24.
This varnish V24 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV25の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.5×10−4g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV25を調製した。
このワニスV25を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V25 >>
To the polymer P11 (0.9 g) above, mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (7.5 × 10 −4 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V25.
This varnish V25 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV26の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(7.5×10−4g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV26を調製した。
このワニスV26を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V26 >>
To the polymer P11 (0.9 g) above, mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, TAG-372R (7.5 × 10 −4 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V26.
This varnish V26 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV27の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(1.1×10−3g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV27を調製した。
このワニスV27を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V27 >>
To the polymer P11 (0.9 g), mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as an antioxidant, light RHODORSIL 2074 (1.1 × 10 −3 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added as an acid generator to prepare varnish V27.
This varnish V27 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV28の調整>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(7.5×10−4g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV27を調製した。
このワニスV28を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した
<< Adjustment of varnish V28 >>
To the above polymer P11 (0.9 g), mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, TAG-372R (7.5 × 10 −4 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V27.
This varnish V28 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV29の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(1.1×10−3g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV29を調製した。
このワニスV29を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V29 >>
To the polymer P11 (0.9 g) above, mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, TAG-372R (1.1 × 10 −3 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V29.
This varnish V29 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV30の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(7.5×10−4g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV30を調製した。
このワニスV30を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V30 >>
To the polymer P11 (0.9 g) above, mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (7.5 × 10 −4 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V30.
This varnish V30 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV31の調製>>
上記のポリマーP11(0.9g)に、メシチレン(3.6g)、酸化防止剤として、Irganox 1076(9.0×10−3g)およびIrgafos 168(2.3×10−3g)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(1.1×10−3g、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV31を調製した。
このワニスV31を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V31 >>
To the polymer P11 (0.9 g) above, mesitylene (3.6 g), Irganox 1076 (9.0 × 10 −3 g) and Irgafos 168 (2.3 × 10 −3 g) as antioxidants, and As a photoacid generator, TAG-372R (1.1 × 10 −3 g, in 0.1 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V31.
This varnish V31 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV51の調製>>
上記のポリマーP15を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(4.0g)に、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(1.56×10−3g,1.54×10−6mol、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV51を調製した。
このワニスV51を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V51 >>
RHODORSIL 2074 (1.56 × 10 −3 g, 1.54 × 10 −6 mol) was used as a photoacid generator in a solution (4.0 g) of the above polymer P15 dissolved in toluene so as to be 30 wt%. Varnish V51 was prepared by adding 0.1 mL of methylene chloride).
This varnish V51 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV52の調整>>
上記のポリマーP15を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(4.0g)に、光酸発生剤として、TAG−372R(1.56×10−3g,1.54×10−6mol、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV52を調製した。
このワニスV52を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Adjustment of Varnish V52 >>
TAG-372R (1.56 × 10 −3 g, 1.54 × 10 −6 mol) was used as a photoacid generator in a solution (4.0 g) in which the polymer P15 was dissolved in toluene so as to be 30 wt%. In 0.1 mL of methylene chloride) to prepare varnish V52.
The varnish V52 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV53の調製>>
上記のポリマーP15を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(4.0g)に、光酸発生剤として、TAG−371(1.56×10−3g,1.54×10−6mol、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV53を調製した。
このワニスV53を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V53 >>
TAG-371 (1.56 × 10 −3 g, 1.54 × 10 −6 mol) was used as a photoacid generator in a solution (4.0 g) of the above polymer P15 dissolved in toluene so as to be 30 wt%. In 0.1 mL of methylene chloride) to prepare varnish V53.
This varnish V53 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV54の調製>>
上記のポリマーP15を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(4.0g)に、光酸発生剤として、TTBPS−TPFPB(1.56×10−3g,1.54×10−6mol、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV54を調製した。
このワニスV54を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V54 >>
TTBPS-TPFPB (1.56 × 10 −3 g, 1.54 × 10 −6 mol) was used as a photoacid generator in a solution (4.0 g) in which the polymer P15 was dissolved in toluene so as to be 30 wt%. In 0.1 mL of methylene chloride) to prepare varnish V54.
This varnish V54 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV55の調製>>
上記のポリマーP15を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(4.0g)に、光酸発生剤として、NAI−105(1.56×10−3g,1.54×10−6mol、0.1mLのメチレンクロライド中)を加えてワニスV55を調製した。
このワニスV55を0.2μmの細孔のフィルターに通して使用に供した。
<< Preparation of Varnish V55 >>
NAI-105 (1.56 × 10 −3 g, 1.54 × 10 −6 mol) was used as a photoacid generator in a solution (4.0 g) of the above polymer P15 dissolved in toluene so as to be 30 wt%. In 0.1 mL of methylene chloride) to prepare varnish V55.
This varnish V55 was passed through a 0.2 μm pore filter for use.
<<ワニスV61の調製>>
上記のポリマーP24を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(16.7g)に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.05g)およびIRGAFOS 168(1.25×10−2g)、および、光酸発生剤として、RHODORSIL 2074(0.1g、メチレンクロライド0.5mL中)を加えて、ワニスV61を調製した。
このワニスV61を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
<< Preparation of Varnish V61 >>
IRGANOX 1076 (0.05 g) and IRGAFOS 168 (1.25 × 10 −2 g) as antioxidants in a solution (16.7 g) of the above polymer P24 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, and As a photoacid generator, RHODORSIL 2074 (0.1 g in 0.5 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V61.
This varnish V61 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
<<ワニスV62の調製>>
上記のポリマーP24を30wt%となるようにトルエンに溶解した溶液(16.7g)に、酸化防止剤として、IRGANOX 1076(0.05g)およびIRGAFOS 168(1.25×10−2g)、および、光酸発生剤として、TAG−372R(0.1g、0.5mLのメチレンクロライド中)を加えて、ワニスV62を調製した。
このワニスV62を0.2μmの細孔のフィルターでろ過して使用した。
以上調製した各ワニスの組成を、下記表5に要約する。
<< Preparation of Varnish V62 >>
IRGANOX 1076 (0.05 g) and IRGAFOS 168 (1.25 × 10 −2 g) as antioxidants in a solution (16.7 g) of the above polymer P24 dissolved in toluene so as to be 30 wt%, and As a photoacid generator, TAG-372R (0.1 g, in 0.5 mL of methylene chloride) was added to prepare varnish V62.
This varnish V62 was used after being filtered with a 0.2 μm pore filter.
The composition of each varnish prepared above is summarized in Table 5 below.
4.光導波路の作製および光伝播損失の測定
<サンプルWG11〜18>
4−1−1.作製
以下に示すようにして、サンプルWG11〜18を作製した。
4). Fabrication of optical waveguide and measurement of light propagation loss <Samples WG11 to 18>
4-1-1. Production Samples WG11 to 18 were produced as described below.
<<サンプルWG11>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV24を、ガラス基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG11 >>
As a core layer forming material, filtered varnish V24 was poured onto a glass substrate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このガラス基板を換気された水平台に一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The glass substrate was then placed on a ventilated horizontal platform overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=6J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 6 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG12>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV25を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG12 >>
As a core layer forming material, the filtered varnish V25 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=3J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 3 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG13>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV26を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG13 >>
As a core layer forming material, the filtered varnish V26 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=6J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 6 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG14>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV27を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG14 >>
As a material for forming the core layer, filtered varnish V27 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=3J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 3 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG15>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV28を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG15 >>
As a core layer forming material, the filtered varnish V28 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=3J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 3 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG16>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV29を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG16 >>
As a material for forming the core layer, the filtered varnish V29 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=3J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 3 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG17>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV30を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG17 >>
As a core layer forming material, the filtered varnish V30 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=6J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 6 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG18>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV31を、SiO2コーティング板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG18 >>
As a core layer forming material, the filtered varnish V31 was poured onto a SiO 2 coating plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、このコーティング板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The coated plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=6J/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 6 J / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
4−1−2.光伝播損失の測定
各サンプルWG11〜18における光の伝播損失は、「カットバック法」を使用して測定した。
4-1-2. Measurement of Light Propagation Loss The light propagation loss in each sample WG11-18 was measured using the “cutback method”.
これは、レーザダイオードから発生させた光(波長:830nm)を、光ファイバーを通して、コア部の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア部の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定することにより行った。
各長さのコア部での総光損失は、下記式で表される。
This is because light (wavelength: 830 nm) generated from a laser diode is input from one end of the core through an optical fiber, the output from the other end is measured, and the length of the core is cut into several steps. The light output was measured for each length.
The total optical loss in each length of the core part is expressed by the following formula.
総光損失(dB) = −10log(Pn/Po)
式中、Pnは、P1、P2、…Pnの各長さのコア部の他端での測定された出力であり、Poは、光ファイバーをコア部の一端に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。
Total optical loss (dB) = -10 log (Pn / Po)
Where Pn is the measured output at the other end of each core portion of length P1, P2,... Pn, and Po is at the end of the optical fiber before coupling the optical fiber to one end of the core portion. This is the measurement output of the light source.
次に、総光損失は、図14(チャート1)のようにプロットされる。このデータの回帰直線は、下記式によって表わされる。 Next, the total optical loss is plotted as shown in FIG. 14 (Chart 1). The regression line of this data is expressed by the following equation.
y=mx+b
式中、mは、光伝播損失を示し、bは、結合損失(coupling loss)を示す。
各サンプルWG11〜18の結果を、下記表6に示す。
y = mx + b
In the formula, m represents a light propagation loss, and b represents a coupling loss.
The results of each sample WG11-18 are shown in Table 6 below.
また、各サンプルWG11〜18のコア層は、いずれも、コア部のパターンがマスクパターンに対応して、高い寸法精度で形成されていた。 Moreover, as for the core layer of each sample WG11-18, all were formed with the high dimensional accuracy in which the pattern of a core part respond | corresponds to the mask pattern.
<サンプルWG32〜36>
4−2−1.作製
以下に示すようにして、サンプルWG32〜36を作製した。
<Sample WG32-36>
4-2-1. Production Samples WG32 to WG36 were produced as shown below.
<<サンプルWG32>>
コア層形成用材料として、ろ過したワニスV51を、石英ガラス板の上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた。
<< Sample WG32 >>
As a core layer forming material, filtered varnish V51 was poured on a quartz glass plate and spread to a substantially constant thickness with a doctor blade.
その後、この石英ガラス板を換気されたレベルテーブルに一夜置いて溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。 The quartz glass plate was then placed on a ventilated level table overnight to evaporate the solvent and form a substantially dry solid film.
フィルムにフォトマスクを通してUV光(波長:365nm)を照射し(照射量=3000mJ/cm2)、次に、オーブン中で85℃で30分間加熱し、さらに150℃で60分加熱した。これにより、コア層(単層光導波路)を得た。
なお、コア部のパターンは、第1回目の加熱後、目視で確認することができた。
The film was irradiated with UV light (wavelength: 365 nm) through a photomask (irradiation amount = 3000 mJ / cm 2 ), then heated in an oven at 85 ° C. for 30 minutes, and further heated at 150 ° C. for 60 minutes. Thereby, a core layer (single-layer optical waveguide) was obtained.
In addition, the pattern of the core part was able to be confirmed visually after the 1st heating.
<<サンプルWG33〜36>>
コア層形成用材料として用いるワニスおよびUV光の照射量を、表7に示すように変更した以外は、前記サンプルWG32と同様にして、コア層(単層光導波路)を作製した。
<< Sample WG33 to 36 >>
A core layer (single-layer optical waveguide) was produced in the same manner as Sample WG32 except that the varnish used as the core layer forming material and the irradiation amount of UV light were changed as shown in Table 7.
4−2−2.光伝播損失の測定
各サンプルWG32〜36における光の伝播損失を、前記と同様にして測定した。
各サンプルWG32〜36の結果を、下記表8に示す。
4-2-2. Measurement of Light Propagation Loss Light propagation loss in each sample WG32 to 36 was measured in the same manner as described above.
The results of samples WG32 to 36 are shown in Table 8 below.
また、各サンプルWG32〜36のコア層は、いずれも、コア部のパターンがマスクパターンに対応して、高い寸法精度で形成されていた。 Moreover, as for the core layer of each sample WG32-36, the pattern of the core part corresponded to the mask pattern, and all were formed with high dimensional accuracy.
5.光導波路構造体の作製および評価
5−1.光導波路構造体の作製
(実施例1)
前記サンプルWG11と同様にして、平均厚さ50μmのコア層(コア部の幅50μm)を形成した。
5). 5. Production and evaluation of optical waveguide structure 5-1. Production of optical waveguide structure (Example 1)
In the same manner as the sample WG11, a core layer (core part width 50 μm) having an average thickness of 50 μm was formed.
また、クラッド層形成用材料として、ワニスV23を用いて、平均厚さ50μmのクラッド層を2つ形成した。 Two clad layers with an average thickness of 50 μm were formed using varnish V23 as a clad layer forming material.
そして、コア層を、上記の2つのクラッド層の間に挟み、10MPaの圧力を掛けながらオーブン内で150℃で1時間加熱した。これにより、光導波路を得た。
なお、光導波路は、幅0.5cm、長さ10cmの直線状とした。
The core layer was sandwiched between the two clad layers and heated in an oven at 150 ° C. for 1 hour while applying a pressure of 10 MPa. Thereby, an optical waveguide was obtained.
The optical waveguide was linear with a width of 0.5 cm and a length of 10 cm.
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、低温プラズマCVD法により、平均厚さ45μmの銅層(導体層)を形成して、光導波路構造体を作製した。 Next, a copper layer (conductor layer) having an average thickness of 45 μm was formed on both surfaces of the optical waveguide by a low temperature plasma CVD method, respectively, to produce an optical waveguide structure.
(実施例2)
前記サンプルWG12と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 2)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the core layer was formed in the same manner as in the sample WG12.
(実施例3)
前記サンプルWG13と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 3)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the core layer was formed in the same manner as in the sample WG13.
(実施例4)
前記サンプルWG14と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光導波路構造体を作製した。
Example 4
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the core layer was formed in the same manner as in Sample WG14.
(実施例5)
前記サンプルWG15と同様にして、平均厚さ50μmのコア層(コア部の幅50μm)を形成した。
(Example 5)
In the same manner as the sample WG15, a core layer having an average thickness of 50 μm (core portion width of 50 μm) was formed.
また、クラッド層形成用材料として、ワニスV23を用いて、平均厚さ50μmのクラッド層を2つ形成した。 Two clad layers with an average thickness of 50 μm were formed using varnish V23 as a clad layer forming material.
そして、コア層を、上記の2つのクラッド層の間に挟み、10MPaの圧力を掛けながらオーブン内で150℃で1時間加熱した。これにより、光導波路を得た。
なお、光導波路は、幅0.5cm、長さ10cmの直線状とした。
The core layer was sandwiched between the two clad layers and heated in an oven at 150 ° C. for 1 hour while applying a pressure of 10 MPa. Thereby, an optical waveguide was obtained.
The optical waveguide was linear with a width of 0.5 cm and a length of 10 cm.
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、無電解メッキ法により、平均厚さ45μmの銅層(導体層)を形成して、光導波路構造体を作製した。 Next, a copper layer (conductor layer) having an average thickness of 45 μm was formed on both surfaces of the optical waveguide by an electroless plating method, thereby producing an optical waveguide structure.
(実施例6)
前記サンプルWG16と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例5と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 6)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 5 except that the core layer was formed in the same manner as in Sample WG16.
(実施例7)
前記サンプルWG17と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例5と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 7)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 5 except that the core layer was formed in the same manner as in Sample WG17.
(実施例8)
前記サンプルWG18と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例5と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 8)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 5 except that the core layer was formed in the same manner as in the sample WG18.
(実施例9)
前記サンプルWG32と同様にして、平均厚さ50μmのコア層(コア部の幅50μm)を形成した。
Example 9
In the same manner as the sample WG32, a core layer (core part width 50 μm) having an average thickness of 50 μm was formed.
また、クラッド層形成用材料として、ワニスV23を用いて、平均厚さ50μmのクラッド層を2つ形成した。 Two clad layers with an average thickness of 50 μm were formed using varnish V23 as a clad layer forming material.
そして、コア層を、上記の2つのクラッド層の間に挟み、10MPaの圧力を掛けながらオーブン内で150℃で1時間加熱した。これにより、光導波路を得た。
なお、光導波路は、幅0.5cm、長さ10cmの直線状とした。
The core layer was sandwiched between the two clad layers and heated in an oven at 150 ° C. for 1 hour while applying a pressure of 10 MPa. Thereby, an optical waveguide was obtained.
The optical waveguide was linear with a width of 0.5 cm and a length of 10 cm.
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ45μmの銅層(導体層)を接合して、光導波路構造体を作製した。 Next, a copper layer (conductor layer) having an average thickness of 45 μm was bonded to both surfaces of the optical waveguide by a roll laminating method to produce an optical waveguide structure.
(実施例10)
前記サンプルWG33と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例9と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 10)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the core layer was formed in the same manner as in Sample WG33.
(実施例11)
前記サンプルWG34と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例9と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 11)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the core layer was formed in the same manner as in Sample WG34.
(実施例12)
前記サンプルWG35と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例9と同様にして、光導波路構造体を作製した。
Example 12
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the core layer was formed in the same manner as in Sample WG35.
(実施例13)
前記サンプルWG36と同様にしてコア層を形成した以外は、前記実施例9と同様にして、光導波路構造体を作製した。
(Example 13)
An optical waveguide structure was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the core layer was formed in the same manner as in the sample WG36.
(比較例1)
クラッド層形成材料として、脂肪族炭化水素基を持った分岐型ポリシランを含有するワニスを、離型処理済みのガラス基板の上に塗布し、80℃、20分乾燥させて、平均厚さ50μmのクラッド層を形成した。
(Comparative Example 1)
As a clad layer forming material, a varnish containing a branched polysilane having an aliphatic hydrocarbon group is applied on a glass substrate that has been subjected to a release treatment, and dried at 80 ° C. for 20 minutes to obtain an average thickness of 50 μm. A clad layer was formed.
次に、その上に、コア層形成用材料として、前記分岐型ポリシランよりも屈折率の高い芳香族炭化水素基を持った分岐型ポリフェニルシランを含有するワニスを塗布し、80℃、20分乾燥させた。 Next, a varnish containing a branched polyphenylsilane having an aromatic hydrocarbon group having a refractive index higher than that of the branched polysilane is applied as a material for forming a core layer thereon, at 80 ° C. for 20 minutes. Dried.
その後、コア部となるところに遮蔽部が設けられたフォトマスクを介し、超高圧水銀ランプにて露光し、250℃で熱処理して、コア部(幅:50μm)を有する平均厚さ50μmのコア層を形成した。 Thereafter, the core is exposed to an ultra-high pressure mercury lamp through a photomask provided with a shielding portion at the core portion, and is heat-treated at 250 ° C. A layer was formed.
その上に、クラッド層形成用材料として、前記と同じポリシランワニスを塗布し、300℃で熱処理して、平均厚さ50μmのクラッド層を形成した。 On top of that, the same polysilane varnish as described above was applied as a clad layer forming material and heat treated at 300 ° C. to form a clad layer having an average thickness of 50 μm.
以上のようにして、光導波路を作製した。なお、光導波路は、幅0.5cm、長さ10cmの直線状とした。 The optical waveguide was produced as described above. The optical waveguide was linear with a width of 0.5 cm and a length of 10 cm.
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ45μmの銅層(導体層)を接合して、光導波路構造体を作製した。 Next, a copper layer (conductor layer) having an average thickness of 45 μm was bonded to both surfaces of the optical waveguide by a roll laminating method to produce an optical waveguide structure.
(比較例2)
クラッド層形成用材料として、UV硬化型エポキシ樹脂ワニス(NTT−AT製E3129)を、離型処理したガラス基板上にスピンコートし、次いでUV照射して硬化して、平均厚さ50μmのクラッド層を形成した。
(Comparative Example 2)
As a clad layer forming material, a UV curable epoxy resin varnish (E3129 manufactured by NTT-AT) is spin-coated on a release-treated glass substrate and then cured by UV irradiation to obtain a clad layer having an average thickness of 50 μm. Formed.
次に、その上に、コア層形成用材料として、前記UV硬化型エポキシ樹脂よりも屈折率の高いUV硬化型エポキシ樹脂(NTT−AT製E3135)をスピンコートし、フォトリソグラフィー法により、直接コア部(幅50μm×厚さ50μm)をパターニングした。 Next, a UV curable epoxy resin (E3135 manufactured by NTT-AT) having a refractive index higher than that of the UV curable epoxy resin is spin-coated thereon as a core layer forming material, and the core is directly formed by photolithography. The part (width 50 μm × thickness 50 μm) was patterned.
その後、クラッド層形成用材料として、前記と同じUV硬化型エポキシ樹脂ワニスをスピンコートし、次いでUV照射して硬化して、平均厚さ50μmのクラッド層を形成した。 Thereafter, the same UV curable epoxy resin varnish as described above was spin-coated as a cladding layer forming material, and then cured by UV irradiation to form a cladding layer having an average thickness of 50 μm.
以上のようにして、光導波路を作製した。なお、光導波路は、幅0.5cm、長さ10cmの直線状とした。 The optical waveguide was produced as described above. The optical waveguide was linear with a width of 0.5 cm and a length of 10 cm.
次に、この光導波路の両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ45μmの銅層(導体層)を接合して、光導波路構造体を作製した。 Next, a copper layer (conductor layer) having an average thickness of 45 μm was bonded to both surfaces of the optical waveguide by a roll laminating method to produce an optical waveguide structure.
5−2.評価
各実施例および各比較例で作製した光導波路構造体の導体層を、それぞれ、パターニングして配線を形成し、所定の箇所に、発光素子および受光素子を実装して、複合装置を作製した。
5-2. Evaluation Each conductor layer of the optical waveguide structure produced in each example and each comparative example was patterned to form a wiring, and a light emitting element and a light receiving element were mounted at predetermined locations to produce a composite device. .
そして、これらの複合装置を動作させたところ、各実施例の光導波路構造体を用いた複合装置は、いずれも、各比較例の光導波路構造体を用いた複合装置に対して、より高速での動作が可能なことが確認された。 When these composite devices were operated, the composite devices using the optical waveguide structures of the examples were faster than the composite devices using the optical waveguide structures of the comparative examples. It was confirmed that the operation is possible.
9 光導波路構造体
90 光導波路
91、92 クラッド層
93 コア層
94 コア部
95 クラッド部
901、902 導体層
900 コア層形成用材料
910 層
915 ポリマー
920 添加剤
925 照射領域
930 活性放射線
935 マスク
9351 開口
940 未照射領域
951、952 支持基板
1000 支持基板
1110 第1の層
1120 第2の層
1130 第3の層
2000 積層体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9
Claims (1)
前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであることを特徴とする光導波路構造体。 An optical waveguide structure having an optical waveguide having a core layer including a core portion, a cladding portion having a refractive index lower than that of the core portion, and a conductor layer provided on at least one surface side of the optical waveguide. ,
The core layer includes a substance that is activated by irradiation with actinic radiation, a main chain and a branch that is branched from the main chain, and at least a part of the molecular structure can be detached from the main chain by the activated substance. Forming a layer containing a polymer having a functional group,
Thereafter, by selectively irradiating the layer with the actinic radiation, the substance is activated in the irradiation region irradiated with the actinic radiation, and the leaving group of the polymer is released, By producing a refractive index difference between the irradiation region and the non-irradiation region of the active radiation, either the irradiation region or the non-irradiation region was obtained as the core portion, and the other was obtained as the cladding portion. An optical waveguide structure characterized by being a thing.
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Publications (1)
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JP2009102654A true JP2009102654A (en) | 2009-05-14 |
Family
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Country Status (1)
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