JP2009097022A - 微粒子の堆積方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ11内に基板13を設置する工程と、チャンバ11内へ供給された有機金属ガスを分解させて基板13上へ微粒子を堆積させるとともに、プラズマ波長以下の光を基板13表面に照射し、照射した光に基づいて、基板13上に堆積された微粒子に近接場光を発生させ、更にこの発生させた近接場光を散乱させることにより、微粒子に堆積しようとする有機金属ガス分子を脱離させる工程とからなり、照射する光の波長を制御することにより、近接場光の散乱光強度が極大となるときの微粒子の粒径を制御し、これにより粒径を均一化させる。
【選択図】図1
Description
ところが、上記のプロセス技術には、加工損傷、寸法精度の低下、プロセスの複雑化などの問題があった。そこで、これらの問題を生じることなく光の波長以下のサイズまで及ぶ微細なパターンを形成できるプロセス技術として、光を利用する気相成長法(光CVD法)が検討されている。この光CVD法では、所望のパターンが形成されたマスクを通して光を基板に照射し、かかる光が照射された部分でのみガス分子を解離させることにより、当該基板上に上記マスクのパターンに応じて微粒子を選択的に堆積させることができる。
Y.Yamamoto,K.Kourogi,M.Ohtsu,V.Polpnski,and G.H.Lee,Appl.Phys.Lett.,76,2173(1999)
この結晶成長装置1は、チャンバ11内に、基板13と、上記基板13を載置するためのステージ14とを配設して構成され、またこのチャンバ11内の気体は、ポンプ16を介して吸引可能とされ、更に圧力センサ17によりチャンバ11内の圧力を検出し、これに基づいてバタフライバルブ18を自動的に開閉することにより内圧の自動制御を実現可能としている。チャンバ11の外周には、RFヒータ21が特にステージ14の周囲において配設されており、当該RFヒータ21を介して基板13を加熱可能としている。また、このチャンバ11内には図示しない熱電対が配設されて内部の温度が随時識別可能とされており、さらにこのチャンバ11に対して酸素を供給するための供給管23と、ジエチル亜鉛ガス(DEZn)を供給するための供給管24とが接続されている。また、このチャンバ11の外壁には窓28が形成され、チャンバ11の外側に配置された光源29から発光された光が窓28を介してチャンバ11内へと入射されることになる。
11 チャンバ
13 基板
14 ステージ
16 ポンプ
17 圧力センサ
18 バタフライバルブ
21 RFヒータ
23、24 供給管
28 窓
29 光源
Claims (2)
- 所定圧力に調整されたチャンバ内に基板を設置する工程と、
上記チャンバ内へ供給された有機金属ガスを分解させて上記基板上へ微粒子を堆積させるとともに、プラズマ波長以下の光を上記基板表面に照射し、上記照射した光に基づいて、上記基板上に堆積された微粒子に近接場光を発生させ、更にこの発生させた近接場光を散乱させることにより、上記微粒子に堆積しようとする上記有機金属ガス分子を脱離させる工程とからなり、
上記照射する光の波長を制御することにより、上記近接場光の散乱光強度が極大となるときの微粒子の粒径を制御し、これにより粒径を均一化させること
を特徴とする微粒子の堆積方法。 - 上記微粒子により形成される薄膜は、100nm以下の膜厚からなること
を特徴とする請求項1記載の微粒子の堆積方法。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2004107744A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Japan Science & Technology Corp | 光化学気相堆積装置及び方法 |
JP2004277813A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 |
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