JP2009095910A - Wafer pop-out detecting mechanism for polishing device, and method of detecting pop-out of wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は研磨装置のウェーハ飛び出し検出機構および検出方法に関するものであり、特に、化学的機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)において、研磨ヘッドに設けられているリテーナリングなどのウェーハ支持部の傾斜を監視して、その傾斜の変化からウェーハの飛び出しを判定する検出機構および検出方法に関するものである。 The present invention relates to a wafer pop-up detection mechanism and a detection method of a polishing apparatus, and in particular, in a mechanical mechanical polishing (CMP), an inclination of a wafer support portion such as a retainer ring provided in a polishing head is provided. The present invention relates to a detection mechanism and a detection method for monitoring and determining the protrusion of a wafer from the change in inclination.
近年、半導体の微細加工が進んでおり、多層に亘ってパターンを形成することが行われている。パターンを形成した層の表面には、ある程度の凹凸が生じるのが避けられない。従来は、そのまま次の層のパターンを形成していたが、層数が増加するとともに線やホールの幅が小さくなるほど良好なパターンを形成するのが困難となり、欠陥などが生じ易くなっていた。 In recent years, fine processing of semiconductors has progressed, and a pattern is formed over multiple layers. It is inevitable that a certain degree of unevenness is generated on the surface of the layer on which the pattern is formed. Conventionally, the pattern of the next layer is formed as it is. However, as the number of layers increases and the width of a line or hole decreases, it becomes difficult to form a good pattern, and defects and the like easily occur.
このため、パターンを形成した層の表面を研磨して平坦にした後に、次の層のパターンを形成することが行われている。このように、半導体などのウェーハ表面を研磨するには、CMP工程による研磨装置が使用されている。此種研磨装置は、研磨ヘッドに保持されたウェーハを、回転するプラテン上の研磨パッドに押圧するとともに、研磨パッドにスラリを供給して該ウェーハを研磨する構成が一般的である。 For this reason, the pattern of the next layer is formed after the surface of the layer on which the pattern is formed is polished and flattened. Thus, in order to polish the surface of a wafer such as a semiconductor, a polishing apparatus using a CMP process is used. This type of polishing apparatus generally has a configuration in which a wafer held by a polishing head is pressed against a polishing pad on a rotating platen and a slurry is supplied to the polishing pad to polish the wafer.
ところで、ウェーハは周囲をリテーナリングなどのウェーハ支持部に包囲された状態で研磨パッドに押し付けられているが、加工中になんらかの拍子に、ウェーハがリテーナリングから飛び出してしまうことがある。このような場合は、ウェーハの飛び出しを早期に検出して直ちに加工を停止する必要がある。 By the way, the wafer is pressed against the polishing pad while being surrounded by a wafer support such as a retainer ring. However, the wafer may jump out of the retainer ring at some point during processing. In such a case, it is necessary to detect the protrusion of the wafer at an early stage and immediately stop the processing.
ウェーハの飛び出し検出に関しては、ヘッド本体に位置センサや圧力センサなどの検出手段を設け、研磨パッドに対するリテーナリングの上下方向の相対位置を検出する位置センサの出力信号、あるいはリテーナリングに作用する半径方向の圧力を検出する圧力センサの出力信号などにより、ウェーハがキャリアから滑り出したか否かを判断する滑り判断手段を備えたウェーハ研磨装置が知られている。前記位置センサとしては例えば静電容量式のセンサが用いられ、圧力センサとしてはピエゾ抵抗効果を測定する半導体素子が用いられている(例えば、特許文献1参照)。 For detection of wafer pop-up, the head body is provided with detection means such as a position sensor and pressure sensor, and the output signal of the position sensor that detects the relative position of the retainer ring in the vertical direction with respect to the polishing pad, or the radial direction that acts on the retainer ring 2. Description of the Related Art There is known a wafer polishing apparatus provided with a slip judging means for judging whether or not a wafer has slipped from a carrier based on an output signal of a pressure sensor for detecting the pressure. For example, a capacitive sensor is used as the position sensor, and a semiconductor element that measures a piezoresistance effect is used as the pressure sensor (see, for example, Patent Document 1).
また、本願出願人は、CMP工程による研磨方法において、予め設定された基準位置からのキャリアの変位量を検出し、その変位量がウェーハの厚さ分になると、前記キャリアにウェーハが保持されていないと判定するウェーハ研磨方法を提案している(例えば、特許文献2参照)。 In addition, in the polishing method by the CMP process, the applicant of the present application detects the amount of carrier displacement from a preset reference position, and when the amount of displacement reaches the thickness of the wafer, the wafer is held on the carrier. A wafer polishing method for determining that there is no such material has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
上記特許文献2の研磨装置は、主としてヘッド本体、キャリア、リテーナリング、キャリア連結駆動機構、キャリア押圧機構、リテーナリング押圧機構、キャリア変位検出器で、研磨ヘッドが構成されている。前記キャリア変位検出器は差動トランスと制御装置とで構成され、ヘッド本体に対するキャリアの変位を検出し、キャリアの変位量からウェーハの有無を判定する。すなわち、ウェーハがリテーナリングから飛び出してキャリアの下部からなくなると、キャリアはウェーハの厚み分だけ下方へ変位するので、この変位量を検出してウェーハの有無を判定するものである。
特許文献1記載の発明は、静電容量式の位置センサやピエゾ抵抗効果を測定する半導体素子の圧力センサでリテーナリングの変化を検出するものである。このほか、光電式センサを用いて研磨パッド上面を監視する構成も知られており、何れも比較的安価な部品を用いてウェーハの滑り出しを検出しようとするものであるが、外乱に対して誤動作するおそれがあったりして検出精度があまり良好ではない。 The invention described in Patent Document 1 detects a change in the retainer ring by a capacitance type position sensor or a pressure sensor of a semiconductor element that measures a piezoresistance effect. In addition, a configuration is also known in which the upper surface of the polishing pad is monitored using a photoelectric sensor, and all of them attempt to detect the slipping out of the wafer using relatively inexpensive parts, but malfunctions due to disturbance The detection accuracy is not so good.
特許文献2記載の発明は、差動トランスによってキャリアの変位量を検出するものであり、これも比較的安価な部品を用いて低コストでウェーハの飛び出しを検出することができる。しかし、差動トランスからのノイズを拾う場合があり、検出信号のSN比が悪くなると検出精度が低下する。 The invention described in Patent Document 2 detects the amount of carrier displacement by a differential transformer, and this can also detect the protrusion of a wafer at a low cost by using relatively inexpensive parts. However, noise from the differential transformer may be picked up, and the detection accuracy decreases when the S / N ratio of the detection signal is deteriorated.
一方、CCDなどで撮影した画像をコンピュータ処理してウェーハの割れを検出するシステムも存在しており、検出精度はきわめて高いが、いまのところ画像処理ユニットが高価であるためコスト的な問題が大きい。 On the other hand, there is a system that detects the crack of a wafer by computer processing an image taken with a CCD or the like, and the detection accuracy is extremely high. However, since the image processing unit is expensive at present, there is a large cost problem. .
そこで、安価な部品を用いて簡素な構成でウェーハの飛び出し検出機構を形成するとともに、検出精度を高くして研磨異常状態を早期に検出できるようにするために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。 Therefore, a technical problem to be solved has arisen in order to form a wafer pop-up detection mechanism with a simple configuration using inexpensive parts and to detect an abnormal polishing state early by increasing the detection accuracy. Therefore, an object of the present invention is to solve this problem.
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、研磨ヘッドに保持されたウェーハを、回転するプラテン上の研磨パッドに押圧するとともに、研磨パッドにスラリを供給して前記ウェーハを研磨する研磨装置であって、前記研磨ヘッドは、前記研磨パッドに対向配置されて回転駆動されるヘッド本体と、前記ヘッド本体に上下方向移動自在に支持されたキャリアと、前記ヘッド本体に上下方向移動自在に支持され、かつ研磨時に前記ウェーハの周囲を包囲して前記研磨パッドに接触するウェーハ支持部と、からなる研磨装置において、前記ウェーハ支持部に加速度センサを組み込み、該加速度センサの検出信号から前記ウェーハ支持部の傾斜の変化を監視する制御手段を設けたことを特徴とする研磨装置のウェーハ飛び出し検出機構を提供する。 The present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention according to claim 1 presses the wafer held by the polishing head against the polishing pad on the rotating platen and also applies the slurry to the polishing pad. A polishing apparatus for polishing the wafer, wherein the polishing head is disposed to face the polishing pad and is driven to rotate, and a carrier supported by the head body so as to be movable in the vertical direction. And a wafer support unit that is supported by the head main body so as to be movable in the vertical direction and surrounds the periphery of the wafer during polishing and contacts the polishing pad. An acceleration sensor is incorporated in the wafer support unit. And a control means for monitoring a change in the inclination of the wafer support from the detection signal of the acceleration sensor. Eha jumped out to provide a detection mechanism.
この構成によれば、ウェーハ支持部に組み込まれた加速度センサの検出信号を制御手段が読み取り、この検出信号からウェーハ支持部の傾斜の変化を監視する。そして、加速度センサの検出信号の変化が予め設定された所定値を超えたときは、ウェーハ支持部の傾斜の変化が大きくなってウェーハ支持部からウェーハが飛び出すと制御手段が判定する。 According to this configuration, the control means reads the detection signal of the acceleration sensor incorporated in the wafer support portion, and monitors the change in the inclination of the wafer support portion from this detection signal. When the change in the detection signal of the acceleration sensor exceeds a predetermined value set in advance, the control means determines that the change in the inclination of the wafer support portion becomes large and the wafer jumps out of the wafer support portion.
請求項2記載の発明は、上記加速度センサは、上記ウェーハ支持部の同一円周上に等間隔で複数個配置されたことを特徴とする請求項1記載の研磨装置のウェーハ飛び出し検出機構を提供する。 The invention according to claim 2 provides the wafer jump-out detection mechanism of the polishing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the acceleration sensors are arranged at equal intervals on the same circumference of the wafer support portion. To do.
この構成によれば、ウェーハ支持部の同一円周上に等間隔で複数個の加速度センサが配置されており、ウェーハ支持部の回転状態を正確に検出でき、ウェーハ支持部の傾斜の変化からウェーハの飛び出しを早期に検出できる。 According to this configuration, a plurality of acceleration sensors are arranged at equal intervals on the same circumference of the wafer support portion, the rotation state of the wafer support portion can be accurately detected, and the wafer is detected from the change in the inclination of the wafer support portion. Can be detected early.
請求項3記載の発明は、研磨ヘッドのキャリアに保持されたウェーハを、回転するプラテン上の研磨パッドに押圧するとともに、前記ウェーハの周囲を研磨ヘッドのウェーハ支持部で包囲して、研磨パッドにスラリを供給しながら前記ウェーハを研磨する研磨方法において、前記ウェーハ支持部に組み込まれた加速度センサの検出信号を読み取り、該加速度センサの検出信号の変化が予め設定された所定値を超えたときは、上記ウェーハ支持部の傾斜の変化が大きくなってウェーハ支持部からウェーハが飛び出すと判定することを特徴とする研磨装置のウェーハ飛び出し検出方法を提供する。 According to a third aspect of the present invention, the wafer held by the carrier of the polishing head is pressed against the polishing pad on the rotating platen, and the periphery of the wafer is surrounded by the wafer support portion of the polishing head to form the polishing pad. In a polishing method for polishing the wafer while supplying slurry, when a detection signal of an acceleration sensor incorporated in the wafer support portion is read, and a change in the detection signal of the acceleration sensor exceeds a preset predetermined value A method for detecting a pop-out of a wafer in a polishing apparatus is provided, wherein it is determined that a change in the inclination of the wafer support increases and the wafer pops out from the wafer support.
この構成によれば、ウェーハ支持部に組み込まれた加速度センサの検出信号を制御手段が読み取り、この検出信号からウェーハ支持部の傾斜の変化を監視する。そして、加速度センサの検出信号の変化が予め設定された所定値を超えたときは、ウェーハ支持部の傾斜の変化が大きくなってウェーハ支持部からウェーハが飛び出すと制御手段が判定する。 According to this configuration, the control means reads the detection signal of the acceleration sensor incorporated in the wafer support portion, and monitors the change in the inclination of the wafer support portion from this detection signal. When the change in the detection signal of the acceleration sensor exceeds a predetermined value set in advance, the control means determines that the change in the inclination of the wafer support portion becomes large and the wafer jumps out of the wafer support portion.
請求項1記載の発明は、ウェーハ支持部に加速度センサを組み込み、この検出信号を制御手段が読み取ってウェーハ支持部の傾斜の変化を監視するので、加速度センサの検出信号の変化から、研磨状態に異常が起きたか否かを早期に検出することができ、ウェーハの飛び出し後のウェーハ割れによる二次災害を防止することができ、あるいは飛び出す前に加工を停止させて飛び出しを未然に防止することも可能である。また、加速度センサは比較的安価であるため、低コストで精度の高い検出装置を形成することができる。 According to the first aspect of the present invention, an acceleration sensor is incorporated in the wafer support portion, and the control means reads the detection signal to monitor the change in the inclination of the wafer support portion. Whether or not an abnormality has occurred can be detected at an early stage to prevent secondary disasters due to wafer cracking after the wafer has popped out, or processing can be stopped before it pops out to prevent popping out. Is possible. Further, since the acceleration sensor is relatively inexpensive, a highly accurate detection device can be formed at low cost.
請求項2記載の発明は、ウェーハ支持部の同一円周上に等間隔で複数個の加速度センサが配置されているので、請求項1記載の発明の効果に加えて、ウェーハ支持部の回転状態を正確に検出でき、ウェーハ支持部の傾斜の変化からウェーハの飛び出しを未然に検出することも可能である。 In the invention described in claim 2, since a plurality of acceleration sensors are arranged at equal intervals on the same circumference of the wafer support portion, in addition to the effect of the invention of claim 1, the rotation state of the wafer support portion Can be detected accurately, and the protrusion of the wafer can be detected from the change in the inclination of the wafer support.
請求項3記載の発明は、ウェーハ支持部に組み込まれた加速度センサの検出信号を制御手段が読み取り、この検出信号からウェーハ支持部の傾斜の変化を監視するので、ウェーハ支持部の傾斜の変化から研磨異常状態を早期に検出することができ、ウェーハの飛び出し後のウェーハ割れを防止でき、あるいはウェーハの飛び出しを未然に防止することも可能となる。 In the third aspect of the invention, since the control means reads the detection signal of the acceleration sensor incorporated in the wafer support portion and monitors the change in the tilt of the wafer support portion from the detection signal, the change in the tilt of the wafer support portion is detected. It is possible to detect an abnormal polishing state at an early stage, to prevent wafer breakage after the wafer jumps out, or to prevent the wafer jumping out in advance.
以下、本発明に係る研磨装置のウェーハ飛び出し検出機構および検出方法について、好適な実施例をあげて説明する。安価な部品を用いて簡素な構成でウェーハの飛び出し検出機構を形成するとともに、検出精度を高くして研磨異常状態を早期に検出できるようにするという目的を達成するために、本発明は研磨ヘッドに保持されたウェーハを、回転するプラテン上の研磨パッドに押圧するとともに、研磨パッドにスラリを供給して前記ウェーハを研磨する研磨装置であって、前記研磨ヘッドは、前記研磨パッドに対向配置されて回転駆動されるヘッド本体と、前記ヘッド本体に上下方向移動自在に支持されたキャリアと、前記ヘッド本体に上下方向移動自在に支持され、かつ研磨時に前記ウェーハの周囲を包囲して前記研磨パッドに接触するウェーハ支持部と、からなる研磨装置において、前記ウェーハ支持部に加速度センサを組み込み、該加速度センサの検出信号から前記ウェーハ支持部の傾斜の変化を監視する制御手段を設けたことにより実現した。 Hereinafter, the wafer jumping detection mechanism and the detection method of the polishing apparatus according to the present invention will be described with reference to preferred embodiments. In order to achieve the object of forming a wafer pop-up detection mechanism with a simple configuration using inexpensive parts and increasing the detection accuracy so that an abnormal polishing state can be detected at an early stage, the present invention provides a polishing head. A polishing apparatus for pressing a wafer held on a polishing pad on a rotating platen and supplying a slurry to the polishing pad to polish the wafer, wherein the polishing head is disposed opposite to the polishing pad. A head body that is rotationally driven, a carrier that is supported by the head body so as to be movable in the vertical direction, and that is supported by the head body so as to be movable in the vertical direction, and surrounds the periphery of the wafer during polishing. And a wafer support unit in contact with the wafer support unit, an acceleration sensor is incorporated in the wafer support unit, and the acceleration sensor From the output signal it was achieved by providing the control means for monitoring the change in the tilt of the wafer support.
図1は本発明に係るCMP式の研磨装置の全体斜視図であり、図2は研磨ヘッドの縦断面図である。研磨装置10は、主としてプラテン20と研磨ヘッド30で構成されている。前記プラテン20は円盤状に形成され、その下面中央部に回転軸21が連結されており、モータ22の駆動によって矢印A方向へ回転する。前記プラテン20の上面には研磨パッド22が貼着されており、図示しないノズルから研磨パッド22上に研磨剤を含んだスラリが供給される。
FIG. 1 is an overall perspective view of a CMP type polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a polishing head. The
前記研磨ヘッド30は、主としてヘッド本体32、キャリア33、リテーナリング34、キャリア連結駆動機構35、キャリア押圧機構36、リテーナリング押圧機構37、キャリア変位検出器38などで構成されている。ヘッド本体32は円盤状に形成され、その
上面中央部に回転軸31が連結されており、図示しないモータの駆動によって矢印B方向へ回転する。
The
キャリア33は円盤状に形成され、ヘッド本体32の下部中央部に垂設された回転駆動軸39と同軸上に配置されている。キャリア33の下面には複数のエア吸引口40が設けられており、図示しないバキュームポンプによってエア吸引口40からエアが吸引されることにより、研磨対象物のウェーハWがキャリア33の下面に吸着保持される。
The
リテーナリング34は環状に形成され、キャリア33の外周に配置されている。リテーナリング34はキャリア33に保持されたウェーハWの外周を包囲し、かつ、研磨時に研磨パッド22に接触してウェーハWの飛び出しを防止する。
The
キャリア連結駆動機構35は、ヘッド本体32の回転をキャリア33に伝達してキャリア33を回転駆動させる。前記ヘッド本体32の下部に垂設された回転駆動軸39の先端部には、円盤状に形成されたドライブプレート41が水平に取り付けられている。該ドライブプレート41は、キャリア33の上面に形成された円形状の凹部42内に収容され、この凹部42内に垂直に立設された一対のピン43が、ドライブプレート41の外周部に形成された切欠き44に嵌合されている。したがって、前記キャリア33は、ピン43と切欠き44をガイドにして上下方向移動自在に支持され、ドライブプレート41の回転がキャリア33に伝達される。
The carrier
キャリア押圧機構36はキャリア33を研磨パッド22に向けて押圧する。前記ヘッド本体32の下部にはキャリア用エアバッグ45が設けられている。このキャリア用エアバッグ45は環状に形成され、その下部にキャリア用押圧部材46が接続されている。該キャリア用押圧部材46は円筒状に形成され、その下部に前記キャリア33が接続されている。前記キャリア用エアバッグ45は、ヘッド本体32の下面に形成されたエア供給口47から圧縮エアが供給されると膨張し、これによりキャリア用押圧部材46を介してキャリア33が下方へ押圧される。
The
リテーナリング押圧機構37はリテーナリング34を研磨パッド22に向けて押圧する。前記ヘッド本体32の下部には前記キャリア用エアバッグ45の外側にリテーナリング用エアバッグ48が設けられている。このリテーナリング用エアバッグ48は環状に形成され、その下部にリテーナリング用押圧部材49が接続されている。該リテーナリング用押圧部材49は円筒状に形成され、その下部に前記リテーナリング34が接続されている。前記リテーナリング用エアバッグ48は、ヘッド本体32の下面に形成されたエア供給口50から圧縮エアが供給されると膨張し、これによりリテーナリング用押圧部材49を介してリテーナリング34が下方へ押圧される。
The retainer
リテーナリング用エアバッグ48の外周端部は環状のガイドリング51で固定されており、このガイドリング51の下端部にリテーナリング用押圧部材49の上端部が係合して、リテーナリング34およびリテーナリング用押圧部材49が上下方向移動自在に支持されている。
An outer peripheral end portion of the
キャリア変位検出器38はヘッド本体32に対するキャリア33の変位を検出し、回転駆動軸39の中空部52内に設置されている差動トランス53と、差動トランス53から出力される電気信号を受ける変位検出制御部54とで構成されている。
The
ここで、前記リテーナリング34には加速度センサ60が組み込まれている。後述するように、加速度センサ60の検出信号を制御手段である傾斜検出制御部61に読み込み、リテーナリング34の傾斜の変化を監視して、リテーナリング34からウェーハWの飛び出しを検出する。
Here, an
つぎに、加速度センサ60の設置位置および設置個数について説明する。設置高さについては、図3に示すように、加速度センサ60はリテーナリング34の下部位置(P1)に組み込むほか、リテーナリング用押圧部材49の下部位置(P2)、中部位置(P3)、上部位置(P4)など、リテーナリング34と一体に動く部材であれば任意の位置に組み込むことができるが、検出精度を考慮すれば出来る限り低い位置すなわち(P1)または(P2)位置が好ましい。
Next, the installation position and the number of installation of the
加速度センサ60の設置位置は、前記リテーナリング34およびリテーナリング用押圧部材49に限らず、このほか、ウェーハWを支持するためのヘッド部材であるウェーハ支持部の何れの箇所にも取り付けることができる。例えば、前記リテーナリング34のほかに、キャリア(バックプレート)、ウェーハ保護シートなど、ウェーハが飛び出すときに傾く部位であれば、何れの箇所に取り付けても、加速度センサ60の検出信号から傾斜の変化によってウェーハの飛び出しを検出することが可能である。また、図示は省略するが、仮に、リテーナリング34の外周に別のリングを設ける場合などは、加速度センサ60をそのリングに取り付けてもよい。
The installation position of the
また、平面位置については、図4に示すように、リテーナリング34またはリテーナリング用押圧部材49の任意の位置に単数個、もしくは、同一円周上に等間隔で複数個配置する。例えば回転中心点P0を挟んで任意の位置(P11)とそれに対向する同一円周上の位置(P12)との2箇所に加速度センサ60を配置する。好ましくは、回転中心点P0を挟んで任意の位置(P11)と同一円周上で120度の位置(P13)および(P14)との3箇所に加速度センサ60を配置すればよい。
As for the planar position, as shown in FIG. 4, one or a plurality of planar positions are arranged at arbitrary positions on the
つぎに、本発明に係るウェーハ飛び出し検知方法について説明する。図2〜図4にて説明したように、リテーナリング34に加速度センサ60を組み込み、この加速度センサ60の検出信号が傾斜検出制御部61に入力され、該傾斜検出制御部61ではこの検出信号からリテーナリング34の傾斜の変化を監視する。通常の研磨状態の場合は、図5に示すように、加速度センサ60の検出信号がほぼ一定の範囲内で変化している。したがって、この場合は、リテーナリング34が傾斜したりせずに正常な状態であると判定できる。
Next, a method for detecting wafer jumping according to the present invention will be described. As described with reference to FIGS. 2 to 4, the
これに対して、図6に示すように、加速度センサ60の検出信号が突然大きく変化して、予め設定された所定のしきい値を超えた場合は、図7に示すように、リテーナリング34の傾斜の変化が大きくなって異常な状態であると判定できる。この状態では、研磨ヘッド30のキャリア33に保持されているウェーハWが、リテーナリング34から飛び出すため、傾斜検出制御部61が異常な状態であると判定したときは、直ちに機械を停止して研磨加工を中断する。
On the other hand, as shown in FIG. 6, when the detection signal of the
このように、リテーナリング34に組み込まれた加速度センサ60の検出信号を傾斜検出制御部61が読み取り、この検出信号からリテーナリング34の傾斜の変化を監視するので、リテーナリング34の傾斜の変化から研磨異常状態を早期に検出することができ、ウェーハWの飛び出し後のウェーハ割れを防止でき、あるいはウェーハWの飛び出しを未然に防止することも可能となる。
In this way, since the inclination
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。 It should be noted that the present invention can be variously modified without departing from the spirit of the present invention, and the present invention naturally extends to the modified ones.
10 研磨装置
20 プラテン
22 研磨パッド
30 研磨ヘッド
32 ヘッド本体
33 キャリア
34 リテーナリング
49 リテーナリング用押圧部材
60 加速度センサ
61 傾斜検出制御部(制御手段)
W ウェーハ
DESCRIPTION OF
W wafer
Claims (3)
前記研磨ヘッドは、前記研磨パッドに対向配置されて回転駆動されるヘッド本体と、
前記ヘッド本体に上下方向移動自在に支持されたキャリアと、
前記ヘッド本体に上下方向移動自在に支持され、かつ研磨時に前記ウェーハの周囲を包囲して前記研磨パッドに接触するウェーハ支持部と、からなる研磨装置において、
前記ウェーハ支持部に加速度センサを組み込み、該加速度センサの検出信号から前記ウェーハ支持部の傾斜の変化を監視する制御手段を設けたことを特徴とする研磨装置のウェーハ飛び出し検出機構。 A polishing apparatus for pressing a wafer held by a polishing head against a polishing pad on a rotating platen and polishing the wafer by supplying slurry to the polishing pad,
The polishing head is disposed opposite to the polishing pad and is driven to rotate;
A carrier supported by the head body so as to be movable in the vertical direction;
In a polishing apparatus comprising: a wafer support that is supported by the head body so as to be movable in the vertical direction, and surrounds the periphery of the wafer at the time of polishing, and contacts the polishing pad.
A wafer pop-up detection mechanism for a polishing apparatus, wherein an acceleration sensor is incorporated in the wafer support portion, and control means for monitoring a change in the inclination of the wafer support portion from a detection signal of the acceleration sensor is provided.
前記ウェーハ支持部に組み込まれた加速度センサの検出信号を読み取り、該加速度センサの検出信号の変化が予め設定された所定値を超えたときは、上記ウェーハ支持部の傾斜の変化が大きくなってウェーハ支持部からウェーハが飛び出すと判定することを特徴とする研磨装置のウェーハ飛び出し検出方法。 The wafer held by the carrier of the polishing head is pressed against the polishing pad on the rotating platen, and the periphery of the wafer is surrounded by the wafer support portion of the polishing head, and the slurry is supplied to the polishing pad while supplying the slurry. In a polishing method for polishing,
When the detection signal of the acceleration sensor incorporated in the wafer support part is read and the change of the detection signal of the acceleration sensor exceeds a predetermined value, the change in the inclination of the wafer support part becomes large. A method for detecting wafer jump-out in a polishing apparatus, wherein it is determined that a wafer jumps out from a support portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007268259A JP2009095910A (en) | 2007-10-15 | 2007-10-15 | Wafer pop-out detecting mechanism for polishing device, and method of detecting pop-out of wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009095910A true JP2009095910A (en) | 2009-05-07 |
Family
ID=40699400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007268259A Pending JP2009095910A (en) | 2007-10-15 | 2007-10-15 | Wafer pop-out detecting mechanism for polishing device, and method of detecting pop-out of wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2009095910A (en) |
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---|---|---|---|---|
US9353536B2 (en) | 2013-01-17 | 2016-05-31 | Sanyohome Co., Ltd. | Reinforcing structure for concrete column |
JP2020078862A (en) * | 2014-06-16 | 2020-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Chemical mechanical polishing retaining ring with integrated sensor |
-
2007
- 2007-10-15 JP JP2007268259A patent/JP2009095910A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US10946496B2 (en) | 2014-06-16 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing retaining ring with integrated sensor |
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