JP2009088349A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing such as oxidation processing, diffusion processing, and thin film generation on a substrate such as a wafer.
半導体装置の処理工程の1つとして、シリコンウェーハ等の基板に酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理工程があり、該基板処理工程を実行する装置として基板処理装置があり、又縦型処理炉を具備し、所定枚数の基板を一度に処理する縦型基板処理装置がある。 As one of the processing steps of a semiconductor device, there is a substrate processing step for performing processing such as oxidation processing, diffusion processing, and thin film generation on a substrate such as a silicon wafer, and there is a substrate processing device as an apparatus for executing the substrate processing step. There is also a vertical substrate processing apparatus that includes a vertical processing furnace and processes a predetermined number of substrates at a time.
縦型基板処理装置に於ける基板処理は、図6に示される様に、基板処理装置内に基板(ウェーハ)が投入される。ウェーハの基板処理装置への投入は、ウェーハが基板搬送容器に収納された状態で、基板搬送容器毎に行われる。 In the substrate processing in the vertical substrate processing apparatus, as shown in FIG. 6, a substrate (wafer) is put into the substrate processing apparatus. The wafer is loaded into the substrate processing apparatus for each substrate transport container in a state where the wafer is stored in the substrate transport container.
基板移載機により1バッチ分のウェーハ(例えば50枚〜125枚)が基板保持具(ボート)に装填される。該ボートは所定のピッチでウェーハを水平姿勢で保持する。昇降装置によりボートが上昇され、処理炉に装入される。処理炉が気密に閉塞され、処理炉内が処理圧に維持され、処理炉内で基板を所定温度に加熱維持し、処理ガスを導入してウェーハに所定の処理を行う。 One batch of wafers (for example, 50 to 125) is loaded into a substrate holder (boat) by the substrate transfer machine. The boat holds the wafers in a horizontal posture at a predetermined pitch. The boat is raised by the lifting device and charged into the processing furnace. The processing furnace is hermetically closed, the inside of the processing furnace is maintained at a processing pressure, the substrate is heated and maintained at a predetermined temperature in the processing furnace, and a processing gas is introduced to perform a predetermined processing on the wafer.
処理が完了すると、ボートが降下され、処理炉から引出されると共に処理炉が炉口ゲートによって閉塞され、処理済となったウェーハがボートから基板移載機により払出され、基板搬送容器に装填される。更に処理済のウェーハを収納した基板搬送容器が搬出される。 When the processing is completed, the boat is lowered and pulled out from the processing furnace, and the processing furnace is closed by the furnace gate, and the processed wafer is discharged from the boat by the substrate transfer machine and loaded into the substrate transfer container. The Further, the substrate transfer container storing the processed wafer is carried out.
処理済のウェーハが全て払出され、基板処理を続行する場合は、前記基板移載機により未処理ウェーハがボートに装填され、炉口ゲートが開放され、ボートが処理炉に装入され、基板処理が繰返し実行される。 When all processed wafers are dispensed and substrate processing is continued, unprocessed wafers are loaded into the boat by the substrate transfer machine, the furnace gate is opened, the boat is loaded into the processing furnace, and substrate processing is performed. Is executed repeatedly.
従来の基板処理装置に於いては、予め指定された枚数全てのウェーハがボートに装填された後に、ボートを上昇させ、処理炉に装入しており、又基板処理後ボートを払出す場合も、ボートが完全に処理炉から引出され、炉口ゲートが処理炉を閉塞したことが確認され、ウェーハの払出しが行われていた。 In the conventional substrate processing apparatus, after all the wafers specified in advance are loaded into the boat, the boat is lifted and loaded into the processing furnace, and the boat is discharged after the substrate processing. The boat was completely pulled out of the processing furnace, and it was confirmed that the furnace gate closed the processing furnace, and the wafers were discharged.
従って従来では、ウェーハの装填、ボートの装入、ボートの引出し、ウェーハの払出しの各工程がシリーズに実行されており、時間が掛っていた。又、処理後最初に払出されるウェーハとその後払出されるウェーハとでは、順位が遅くなる程ボートに保持される時間が長くなり、処理済のウェーハに水分、或は不純物が付着する虞れがあった。 Therefore, conventionally, the steps of loading the wafer, loading the boat, drawing the boat, and discharging the wafer are performed in series, which takes time. In addition, the wafer that is dispensed first after processing and the wafer that is subsequently dispensed become longer in the time held in the boat as the order becomes lower, and there is a possibility that moisture or impurities adhere to the processed wafer. there were.
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの装填、ボートの装入、又、ボートの引出し、ウェーハの払出しに要する時間を短縮し、スループットを向上する。又、個々のウェーハについてボート上での搬送待ち時間の相違を少なくし、ウェーハに水分、或は不純物が付着することを抑制するものである。 In view of such circumstances, the present invention shortens the time required for wafer loading, boat loading, boat withdrawal, and wafer dispensing, and improves throughput. In addition, the difference in waiting time on the boat for each wafer is reduced, and the adhesion of moisture or impurities to the wafer is suppressed.
本発明は、縦型処理炉と、基板を水平姿勢で複数枚保持し、前記縦型処理炉に収納可能なボートと、該ボートを前記縦型処理炉に装脱可能に昇降させるボートエレベータと、前記ボートに対して基板の装填、払出しを行う基板移載機と、前記ボートエレベータと前記基板移載機の作動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記基板移載機について前記ボートに対する装填と払出しの制御と、基板の搬送の制御とを行い、又前記ボートについて昇降制御を行い、前記基板移載機の搬送作動と前記ボートの昇降作動を並行して行わせる基板処理装置に係るものである。 The present invention relates to a vertical processing furnace, a boat that holds a plurality of substrates in a horizontal posture and can be stored in the vertical processing furnace, and a boat elevator that lifts and lowers the boat to and from the vertical processing furnace. A substrate transfer machine for loading and unloading the substrate to and from the boat; and a control device for controlling the operation of the boat elevator and the substrate transfer machine. Substrate processing for controlling loading and unloading of the boat and controlling the transport of the substrate, controlling the lifting of the boat, and performing the transporting operation of the substrate transfer machine and the lifting and lowering operation of the boat in parallel. It concerns the device.
本発明によれば、縦型処理炉と、基板を水平姿勢で複数枚保持し、前記縦型処理炉に収納可能なボートと、該ボートを前記縦型処理炉に装脱可能に昇降させるボートエレベータと、前記ボートに対して基板の装填、払出しを行う基板移載機と、前記ボートエレベータと前記基板移載機の作動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記基板移載機について前記ボートに対する装填と払出しの制御と、基板の搬送の制御とを行い、又前記ボートについて昇降制御を行い、前記基板移載機の搬送作動と前記ボートの昇降作動を並行して行わせるので、ボートに対して全ての基板を装填する時間が短縮し、スループットが向上する。又、ボート上でのウェーハ個々の待ち時間の相違が少なくなり、ウェーハに水分、或は不純物が付着することを抑制できるという優れた効果を発揮する。 According to the present invention, a vertical processing furnace, a boat that holds a plurality of substrates in a horizontal posture and can be stored in the vertical processing furnace, and a boat that moves the boat up and down detachably in the vertical processing furnace. An elevator, a substrate transfer machine for loading and unloading the substrate to and from the boat, and a control device for controlling operations of the boat elevator and the substrate transfer machine, the control device transferring the substrate Control of loading and unloading of the boat with respect to the machine and control of transport of the substrate, and lift control of the boat, so that the transport operation of the substrate transfer device and the lift operation of the boat are performed in parallel. Therefore, the time for loading all the substrates into the boat is shortened, and the throughput is improved. Further, the difference in waiting time of each wafer on the boat is reduced, and an excellent effect that moisture or impurities can be prevented from adhering to the wafer is exhibited.
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
先ず、図1に於いて本発明が実施される基板処理装置について概略を説明する。 First, an outline of a substrate processing apparatus in which the present invention is implemented will be described with reference to FIG.
図1中、1は基板処理装置、2は筐体を示している。前記基板処理装置1へのウェーハ10の搬入搬出は、ウェーハ10が基板搬送容器に収納された状態で行われる。基板搬送容器として、例えばポッド3が用いられ、該ポッド3にはウェーハ10が所定枚数、例えば25枚が収納される。前記ポッド3は、開閉可能な蓋を具備する密閉容器であり、該ポッド3へのウェーハ10の装填、払出しは、前記蓋を開いて実行される。
In FIG. 1, 1 is a substrate processing apparatus, and 2 is a housing. The
前記基板処理装置1の前面には基板授受装置4が設けられ、前記ポッド3は外部搬送装置(図示せず)により前記基板授受装置4に対して搬入搬出が行われる。
A substrate transfer device 4 is provided in front of the
前記筐体2の前記基板授受装置4に対峙する部分にはポッド搬入出口5が設けられ、該ポッド搬入出口5を開閉するフロントシャッタ6が設けられており、前記ポッド3は前記フロントシャッタ6を通して前記筐体2内部に搬入搬出される様になっている。
A pod loading /
前記筐体2内の前部にはポッド搬送装置7が設けられ、該ポッド搬送装置7は前記ポッド3を保持可能なポッド移載アーム8を具備している。又、該ポッド移載アーム8は昇降、横行(紙面に対して垂直な方向)、進退(紙面の左右方向)可能であり、昇降、横行、進退の協働により前記ポッド3を任意な位置に搬送可能となっている。
A
前記ポッド搬送装置7に対向し、前記筐体2内の上部にはポッド格納部9が設けられている。該ポッド格納部9は間欠回転可能な複数のポッド収納棚11を有し、各ポッド収納棚11毎に複数の前記ポッド3を格納可能となっている。
Opposite to the
前記筐体2内の後部下方には、サブ筐体12が設けられ、該サブ筐体12は移載室13を画成する。
A
前記サブ筐体12の前壁14には上下2段にポッドオープナ15,15が設けられる。該ポッドオープナ15はそれぞれ載置台16、蓋着脱機構17を具備し、前記載置台16上に前記ポッド3が載置され、前記前壁14に密着され、前記蓋着脱機構17によって蓋が開閉される様になっている。前記ポッド3の蓋が開放された状態ではポッド3の内部と前記移載室13が連通状態となる。
前記筐体2内の後部、前記サブ筐体12の上側には処理炉18が立設される。該処理炉18は処理室を気密に画成する反応管、該反応管の周囲に設けられたヒータを具備し、又、前記反応管にはガス供給ライン、排気ラインが連通されており、処理室を加熱すると共に所定の処理圧に維持して、処理ガスの給排を行う様になっている。
A
前記処理室は下端に前記移載室13に連通する炉口部を有し、該炉口部は炉口シャッタ19によって開閉される。
The processing chamber has a furnace port portion communicating with the
前記移載室13には前記処理炉18の下方に、ボートエレベータ21が設けられ、該ボートエレベータ21は前記炉口部を気密に閉塞可能なシールキャップ20を有し、該シールキャップ20にボート23が載置可能であり、前記ボートエレベータ21は前記シールキャップ20を昇降させることで、前記ボート23を前記処理室に装脱可能となっている。又、前記ボート23を前記処理室に装入した状態では、前記シールキャップ20が前記炉口部を気密に閉塞する。
A
前記移載室13には前記ポッドオープナ15と前記ボートエレベータ21との間に基板移載機22が設けられ、該基板移載機22はウェーハ10を保持する複数の基板保持プレート(ツイーザ)24を具備している。該ツイーザ24は、例えば上下に等間隔で5枚配置され、上下の間隔(ピッチ)は前記ポッド3のウェーハ収納ピッチ、後述するボート23のウェーハ保持ピッチと同一となっている。
In the
前記基板移載機22は、前記ツイーザ24を水平方向に進退可能であり、又昇降可能、垂直軸心中心に回転可能とする構成を具備し、進退、回転、昇降の協動によって前記ツイーザ24にウェーハ10を保持し、所望の位置に移載可能となっている。
The
前記基板処理装置1は制御装置26を具備しており、該制御装置26は、例えば前記基板処理装置1の前面に配置される。
The
図2は、前記制御装置26の概略を示している。
FIG. 2 shows an outline of the
30はCPUで代表される制御演算部、31は表示部、32は半導体メモリ、HDD等の記憶部、33は圧力制御部、34は流量制御部、35は加熱制御部、36は機構制御部36を示している。 30 is a control calculation unit represented by a CPU, 31 is a display unit, 32 is a semiconductor memory, a storage unit such as an HDD, 33 is a pressure control unit, 34 is a flow rate control unit, 35 is a heating control unit, and 36 is a mechanism control unit. 36 is shown.
前記圧力制御部33によって、前記処理炉18の処理室の圧力が制御され、前記流量制御部34によって前記処理室に供給する処理ガス、パージガスのガスの流量、或は前記移載室13に供給するパージガスの流量が制御され、前記加熱制御部35によって処理室の温度が所定温度となる様に前記処理炉18の加熱状態が制御される。前記表示部31には、基板の処理条件、進行状態等が表示される。又、前記表示部31をタッチパネルとすることで、入力装置も兼ねさせることができる。
The
又、前記機構制御部36は、前記ポッド搬送装置7、前記ポッドオープナ15、前記ボートエレベータ21、前記基板移載機22等の機構部の駆動を制御する。尚、図では省略しているが、前記フロントシャッタ6、前記ポッド格納部9も同様に制御される。
The
前記記憶部32には、基板を処理する為のデータ(レシピ)、圧力、ガス流量、温度を制御する為の制御プログラム、機構部を制御する為のシーケンスプログラムが格納されている。尚、該シーケンスプログラムは、後述する様に、基板の装填、払出しについて複数の作動パターンが設定され、又選択可能となっており、選択された作動パターンに従って基板の装填、払出しを行う様になっている。
The
次に、上記した基板処理装置の作動について図3〜図5を参照して説明する。 Next, the operation of the above substrate processing apparatus will be described with reference to FIGS.
先ず、作動パターンを選択する。 First, an operation pattern is selected.
作動パターンとしては、例えば、第1作動パターン、第2作動パターンがあり、第1作動パターンは、基板処理で熱履歴が処理に影響する場合に選択され、基板処理内容としては、ゲート絶縁膜等クリティカルな工程での処理が挙げられる。 As the operation pattern, for example, there are a first operation pattern and a second operation pattern, and the first operation pattern is selected when the thermal history affects the processing in the substrate processing. A critical process is one example.
熱履歴が影響しない場合には第2作動パターン(動作時間短縮パターン)が選択される。第2作動パターンは、熱履歴が基板処理に影響しない場合であり、処理としては、プラズマを用いた低温成膜、メタル、Cu等の低温アニール処理が挙げられる。 When the heat history does not affect, the second operation pattern (operation time shortening pattern) is selected. The second operation pattern is a case where the thermal history does not affect the substrate processing, and examples of the processing include low-temperature film formation using plasma and low-temperature annealing processing such as metal and Cu.
図4は、作動パターンを選択する場合の、前記表示部31の画面表示例を示している。
FIG. 4 shows a screen display example of the
図4(A)は、主操作画面31aを示し、該主操作画面31a中、搬送機能ボタン38をタッチすることで、図4(B)で示す、作動パターン設定画面31bが表示される。該作動パターン設定画面31b中には、「ローディング同時動作」の作業の案内表示がされ、選択した画面が作動パターン設定画面であることが示される。
FIG. 4A shows a
前記作動パターン設定画面31b中の無しボタン39をタッチすることで、第1作動パターンが選択される。第1作動パターンが選択された場合の作動は、上記した図6のタイミングチャートで示されるパターンであり、作動工程が完了毎に次の作動が開始される。
The first operation pattern is selected by touching the
次に、前記作動パターン設定画面31b中の有りボタン40をタッチすることで、第2作動パターンが選択される。
Next, the second operation pattern is selected by touching the
以下、第2作動パターンについて説明する。 Hereinafter, the second operation pattern will be described.
外部搬送装置(図示せず)によりポッド3が前記基板授受装置4に搬入されると、前記フロントシャッタ6により前記ポッド搬入出口5が開放される。前記ポッド搬送装置7によってポッド3が前記基板授受装置4から前記ポッド格納部9の空きポッド収納棚11に搬送される。
When the
前記フロントシャッタ6が閉じられ、前記ポッド搬送装置7により前記ポッド格納部9から前記ポッドオープナ15にポッド3が搬送される。或は、前記載置台16に空きがある場合は、前記基板授受装置4から直接ポッドオープナ15に搬送される。
The front shutter 6 is closed, and the
前記蓋着脱機構17によって前記ポッド3の蓋が開放される。尚、前記ボート23は前記ボートエレベータ21によって前記移載室13に引出され、待機状態となっている。
The lid of the
前記基板移載機22の前記ツイーザ24が前記ポッド3に挿入され、ウェーハ10がピックアップされて前記ボート23に移載される(STEP:01)。前記基板移載機22により、一度に移載されるウェーハ10の枚数は、端数処理が実行される場合を除き、前記ツイーザ24の枚数(例えば5枚)である。
The
移載は前記ボート23の上側から順次装填される(STEP:02)。 Transfer is sequentially loaded from the upper side of the boat 23 (STEP 02).
前記基板移載機22は、次の移載動作を実行する為に、前記ポッド3に戻る。前記基板移載機22の戻り動作と平行して、前記ボート23が上昇される(STEP:03)。上昇量は、前記ウェーハ10が装填された分の高さ、例えばウェーハ10を5枚分装填した高さである。従って、前記ボート23でのウェーハ10のピッチが10mmであると、上昇量は40mmとなる。
The
ウェーハ10の前記ボート23への移載と、該ボート23の上昇は、予定されたウェーハ10が全て前記ボート23に移載される迄、繰返し実行される(STEP:04〜STEP:08)。ウェーハ10の移載動作中に前記ボート23の前記処理炉18への装入工程が並行して実行されることになり、ウェーハ10の移載が完了した時は、前記ボート23の装入も完了した状態となっている(STEP:09)。
The transfer of the
前記ボート23が前記処理炉18に完全に装入され、前記ボート23で前記処理炉18の炉口部が気密に閉塞され、ウェーハ10が加熱され、温度、圧力、処理ガス導入量の制御が実行され、ウェーハ10に所要の処理がなされる。
The
ウェーハ10の処理が完了すると、ウェーハ10の払出し作動が開始される。
When the processing of the
前記ボートエレベータ21により前記ボート23が、前記基板移載機22による1回分の払出し量だけ降下され、前記ボート23の下部に装填されているウェーハ10が払出される。1回分の払出し量としては、5枚のウェーハ10が払出されるので、最初に5枚のウェーハ10を払出し得る位置迄降下される。(STEP:10)。
The
前記基板移載機22によりウェーハ10が前記ポッドオープナ15のポッド3に搬送される。前記基板移載機22によりウェーハ10が搬送されると並行して前記ボート23が次の払出し分、即ちボートに保持されるウェーハ10の4ピッチ分、上記した例では40mmだけ降下される(STEP:11)。
The
STEP:10とSTEP:11の動作が繰返し実行され、前記ボート23に装填されたウェーハ10が全て払出される。
The operations of STEP: 10 and STEP: 11 are repeatedly executed, and all the
ウェーハ10の払出し工程に於いても、前記基板移載機22のウェーハ搬送と並行して前記ボート23が降下されるので、該ボート23の降下動作時間が節約される。
Also in the
前記ポッドオープナ15のポッド3が処理済ウェーハで一杯になると、前記ポッド搬送装置7により、前記ポッドオープナ15から前記基板授受装置4に搬送され、更に外部搬送装置(図示せず)により搬出される。
When the
第2作動パターンでは、ボートへのウェーハの装填作業、払出し作業と、ボートの処理炉への装入、引出し作業を並行して行うことで、ウェーハの総搬送時間が短縮され、又ウェーハの払出し作業に於いては、ボートの引出された分だけその都度ウェーハが払出しされるので処理後のウェーハへの水分の付着、不純物の付着が回避される。 In the second operation pattern, the wafer loading and unloading operations are performed in parallel with the loading and unloading operations of the boat into the processing furnace, so that the total wafer transfer time is shortened and the wafer is unloaded. In the operation, the wafer is discharged every time the boat is pulled out, so that adhesion of moisture and impurities to the processed wafer is avoided.
尚、上記実施の形態では、5枚を一括搬送する基板移載機を示したが、5枚以上、例えば10枚、20枚を一括する搬送基板移載機でも実施可能である。この様に、一括して搬送する数が多いと、1回のボート23の昇降量を大きくできる。
In the above-described embodiment, a substrate transfer machine that collectively conveys five sheets is shown, but a transfer substrate transfer machine that collects five or more, for example, 10 or 20 sheets, can also be implemented. In this way, if the number of batches transported is large, the amount of lifting / lowering of the
又、上記実施の形態では、基板移載機がボートにウェーハを1回装填する度に、ボートを装填分だけ上昇させていたが、基板移載機が複数回の装填を行い、その後複数回の装填分だけボートを上昇させてもよい。又、ウェーハの装填枚数が、1枚、4枚以下の場合、装填枚数に見合った分だけ、ボートを上昇させる様にしてもよい。 Further, in the above embodiment, each time the substrate transfer machine loads a wafer into the boat once, the boat is lifted by the loading amount. However, the substrate transfer machine performs loading a plurality of times, and then a plurality of times. The boat may be lifted by the amount loaded. Further, when the number of wafers loaded is 1, 4 or less, the boat may be raised by an amount corresponding to the number of loaded wafers.
ボートへの一括装填、或は端数を装填する場合でも、装填枚数に見合った分だけ上昇されることで、ボート上昇とウェーハ移載を効率的に行うことができる。尚、払出しについても同様である。 Even when batch loading or fractional loading is performed on the boat, the boat can be lifted and wafers transferred efficiently by raising the amount corresponding to the number of loaded sheets. The same applies to the payout.
更に、ボート中心部に製品基板を装填し、ボートの上下端部にダミーウェーハを載置する場合、ボート上部にダミーウェーハを装填してからボートを上昇し、製品基板をボート中心部に装填してからボートを上昇し、ボート下部にダミーウェーハを装填してからボートを上昇するという様に、ウェーハの種別毎にボートを上昇させることもできる。 Furthermore, when a product substrate is loaded in the center of the boat and dummy wafers are placed on the upper and lower ends of the boat, the dummy wafer is loaded on the upper part of the boat, the boat is lifted, and the product substrate is loaded in the center of the boat. It is also possible to raise the boat for each type of wafer, such as raising the boat afterwards and loading the dummy wafer at the bottom of the boat and then raising the boat.
又、上記した様に、第2作動パターンを選択する場合は、ウェーハの処理前の熱履歴に依存しない(依存が極力小さい)膜種又は処理(アニール処理、拡散処理)が望ましい。 Further, as described above, when the second operation pattern is selected, it is desirable to use a film type or treatment (annealing treatment, diffusion treatment) that does not depend on the thermal history before the wafer treatment (the dependence is as small as possible).
この様な場合、ボート23を処理炉内に装填とボート23ヘのウェーハの装填を効率的に実施できる上に、基板の品質を損なうことなく、スループットを向上させることができる。
In such a case, the
又、ボートを装入する際に、室温(常温)である処理炉について効率がよくなる。つまり、ボートの炉内への装入、ボートヘのウェーハの装填、炉の昇温を同時に実施することができる。 Further, when the boat is charged, the efficiency of the processing furnace at room temperature (normal temperature) is improved. That is, the loading of the boat into the furnace, the loading of the wafer into the boat, and the temperature increase of the furnace can be performed simultaneously.
基板処理は低温プロセスが望ましい。基板処理後ボート23を炉内から引出すと同時に基板移載機22によりボート23からウェーハの払出しを逐次行うことができるので、スループットを向上させることができる。尚、低温であれば処理は何でもよく、要するにボートの装入、引出し時に、ウェーハの温度が、基板移載機22のツイーザ24の耐熱温度以下であればよい。
Substrate processing is preferably a low temperature process. After the substrate processing, the
上記温度以外では、基本的にはウェーハ装填とボート装入を同時に実施したのと同様に、ウェーハ払出しとボートの引出しを同時に実施することができる。 Except for the above temperature, basically, wafer discharge and boat pull-out can be performed at the same time as wafer loading and boat loading at the same time.
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.
(付記1)縦型処理炉と、基板を水平姿勢で複数枚保持し、前記縦型処理炉に収納可能なボートと、該ボートを前記縦型処理炉に装脱可能に昇降させるボートエレベータと、前記ボートに対して基板の装填、払出しを行う基板移載機と、前記ボートエレベータと前記基板移載機の作動を制御する制御装置とを具備し、該制御装置は前記基板移載機について前記ボートに対する装填と払出しの制御と、基板の搬送の制御とを行い、又前記ボートについて昇降制御を行い、前記基板移載機の搬送作動と前記ボートの昇降作動を並行して行わせることを特徴とする基板処理装置。 (Supplementary Note 1) A vertical processing furnace, a boat that holds a plurality of substrates in a horizontal posture and can be stored in the vertical processing furnace, and a boat elevator that lifts and lowers the boat to and from the vertical processing furnace. A substrate transfer machine for loading and unloading the substrate to and from the boat; and a control device for controlling the operation of the boat elevator and the substrate transfer machine. Control of loading and unloading of the boat and control of transport of the substrate, and lift control of the boat, so that the transport operation of the substrate transfer machine and the lift operation of the boat are performed in parallel. A substrate processing apparatus.
(付記2)基板の払出し作動時には、前記基板移載機の搬送作動と並行して払出し枚数に対応させ前記ボートを降下させる付記1の基板処理装置。
(Supplementary note 2) The substrate processing apparatus according to
(付記3)前記制御装置は複数の作動モードで基板の装填、払出し作動を制御可能であり、選択された作動モードで基板処理を実行する付記1の基板処理装置。
(Supplementary note 3) The substrate processing apparatus according to
(付記4)前記作動モードの1つは、前記基板移載機の搬送作動と並行して装填枚数に対応させ前記ボートを上昇させ、或は前記基板移載機の搬送作動と並行して払出し枚数に対応させ前記ボートを降下させる作動モードである付記3の基板処理装置。
(Appendix 4) One of the operation modes is to raise the boat in correspondence with the number of loaded sheets in parallel with the transfer operation of the substrate transfer machine, or to pay out in parallel with the transfer operation of the substrate transfer machine The substrate processing apparatus of
(付記5)前記作動モードの1つは、処理開始時には最下位置に降下した前記ボートに対して全てのウェーハが装填された後前記ボートを前記縦型処理炉に装入し、処理後は最下位置迄前記ボートを降下させ、該ボートの全ての処理済ウェーハを払出す作動モードである付記3の基板処理装置。
(Supplementary Note 5) One of the operation modes is that after all wafers are loaded into the boat that has been lowered to the lowest position at the start of processing, the boat is loaded into the vertical processing furnace, and after processing, The substrate processing apparatus according to
(付記6)縦型処理炉と、基板を水平姿勢で複数枚保持し、前記縦型処理炉に収納可能なボートと、該ボートを前記縦型処理炉に装脱可能に昇降させるボートエレベータと、前記ボートに対して基板の装填、払出しを行う基板移載機とを具備する基板処理装置に於ける基板処理方法であって、前記基板移載機について前記ボートに対する装填を行うステップと、基板の搬送を行うステップと、装填枚数に見合った量だけ前記ボートを上昇させるステップとを有し、搬送を行うステップと前記ボートを上昇させるステップとを並行して行うことを特徴とする基板処理方法。 (Appendix 6) A vertical processing furnace, a boat that holds a plurality of substrates in a horizontal posture and can be stored in the vertical processing furnace, and a boat elevator that lifts and lowers the boat to and from the vertical processing furnace. A substrate processing method in a substrate processing apparatus comprising a substrate transfer machine for loading and unloading a substrate to and from the boat, wherein the substrate transfer machine is loaded into the boat; and And a step of raising the boat by an amount corresponding to the number of sheets to be loaded, and the step of carrying and the step of raising the boat are performed in parallel. .
(付記7)前記ボートに対する払出しを行うステップと、基板の搬送を行うステップと、払出し枚数に見合った量だけ前記ボートを降下させるステップとを更に有し、搬送を行うステップと前記ボートを降下させるステップとを並行して行う付記6の基板処理方法。 (Supplementary Note 7) The method further includes a step of paying out the boat, a step of transporting the substrate, and a step of lowering the boat by an amount corresponding to the number of payouts, and the step of transporting and lowering the boat The substrate processing method according to appendix 6, wherein the steps are performed in parallel.
(付記8)前記ボートに対する基板の装填、払出し、前記ボートの昇降について複数の作動モードで実行可能であり、基板の処理態様に対応して作動モードを選択する付記6の基板処理方法。 (Supplementary note 8) The substrate processing method according to supplementary note 6, wherein the loading and unloading of the substrate to and from the boat and the raising and lowering of the boat can be performed in a plurality of operation modes, and the operation mode is selected in accordance with a substrate processing mode.
1 基板処理装置
3 ポッド
4 基板授受装置
7 ポッド搬送装置
10 ウェーハ
13 移載室
15 ポッドオープナ
18 処理炉
21 ボートエレベータ
22 基板移載機
23 ボート
24 ツイーザ
26 制御装置
30 制御演算部
31 表示部
32 記憶部
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