JP2009086183A - Magnetic sensing type input panel and display device with input panel - Google Patents

Magnetic sensing type input panel and display device with input panel Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic sensing type input panel which can be reduced in size and thickness. <P>SOLUTION: The input panel comprises a thin film Hall element 18 provided on a substrate 16. The thin film Hall element comprises a semiconductor thin film 19, first and second electrodes 20 and 21 disposed in one of two orthogonal directions of the semiconductor thin film 19 with a predetermined space and electrically connected to the semiconductor thin film 19, and third and fourth electrodes 22 and 23 disposed in the other one of the two directions of the semiconductor thin film 19 with a predetermined space and electrically connected to the semiconductor thin film 19, and generates a Hall voltage between the third and fourth electrodes 22 and 23 by applying a magnetic field to the semiconductor thin film 19 while supplying a current between the first and second electrodes 20 and 21. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、磁気検知型入力パネル及び入力パネル付き表示装置に関する。   The present invention relates to a magnetic detection type input panel and a display device with an input panel.

例えば入力パネル付き表示装置等に利用される磁気検知型入力パネルとしては、従来、基板上に、磁場の変化により発生する誘導電流を検出するセンサコイルを設けた電磁誘導型入力パネルがある(特許文献1参照)。   For example, as a magnetic detection type input panel used for a display device with an input panel or the like, there is conventionally an electromagnetic induction type input panel in which a sensor coil for detecting an induced current generated by a change in a magnetic field is provided on a substrate (patent) Reference 1).

この電磁誘導型入力パネルは、磁場発生コイルを備えた電磁ペンによる入力を行うものであり、前記電磁ペンを前記センサコイルに接近させたときに前記センサコイルに発生する、前記電磁ペンからの磁場の強さとその変化に応した誘導電流を検出するものである。
特開2004−302431号公報
The electromagnetic induction type input panel performs input by an electromagnetic pen provided with a magnetic field generating coil, and generates a magnetic field from the electromagnetic pen generated in the sensor coil when the electromagnetic pen is brought close to the sensor coil. Inductive current is detected according to the strength and change.
JP 2004-302431 A

しかし、前記電磁誘導型入力パネルは、電磁誘導を利用するものであるため、感度を高くするには、前記センサコイルの巻き数を多くし、前記電磁ペンにより与えられる磁場の強さに対応した充分な強さの誘導電流を前記センサコイルに生じさせるようにしなければならず、そのために、センサコイルが大きく、また厚くなるという問題があった。   However, since the electromagnetic induction type input panel uses electromagnetic induction, in order to increase the sensitivity, the number of turns of the sensor coil is increased to correspond to the strength of the magnetic field applied by the electromagnetic pen. A sufficiently strong induced current must be generated in the sensor coil, which causes a problem that the sensor coil is large and thick.

この発明は、小型化及び薄型化をはかることがきる磁気検知型入力パネル及び入力パネル付き表示装置を提供することを目的としたものである。   An object of the present invention is to provide a magnetic detection type input panel and a display device with an input panel that can be reduced in size and thickness.

この発明の請求項1に記載の磁気検知型入力パネルは、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する2つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第1と第2の電極と、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域を挟んで前記2つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第3と第4の電極とからなる薄膜ホール素子が基板上に設けられていることを特徴とする。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a magnetic detection type input panel in which a semiconductor thin film is electrically connected to the semiconductor thin film by providing a predetermined space between the semiconductor thin film and one of two directions perpendicular to each other. The first and second electrodes are formed to be connected to pass current between them, and the other of the two directions across the region between the first and second electrodes of the semiconductor thin film A Hall voltage generated by a magnetic field applied to a region between the first and second electrodes of the semiconductor thin film is formed by being electrically connected to the semiconductor thin film with a predetermined interval between them. A thin film Hall element composed of third and fourth electrodes for detection is provided on the substrate.

請求項2に記載の発明は、前記請求項1に記載の磁気検知型入力パネルにおいて、前記基板上に、前記複数の薄膜ホール素子が、複数行及び複数列に配列させて配置されていることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the magnetic detection type input panel according to the first aspect, the plurality of thin film Hall elements are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on the substrate. It is characterized by.

請求項3に記載の発明は、前記請求項2に記載の磁気検知型入力パネルにおいて、前記複数行及び複数列に配列された前記複数の薄膜ホール素子が、行毎に、隣合う薄膜ホール素子のうちの一方の薄膜ホール素子の第1の電極と他方のホール素子の第2の電極とを互いに導通させて直列に接続され、列毎に、隣合う薄膜ホール素子のうちの一方の薄膜ホール素子の第3の電極と他方のホール素子の第4の電極とを互いに導通させて直列に接続されており、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各ホール素子行がそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子の第1の電極と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子の第2の電極との間に、前記各ホール素子行毎に順次電流を流すための電流供給系に接続され、列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各ホール素子列がそれぞれ、前記ホール素子列の一端の薄膜ホール素子の第3の電極と、前記ホール素子列の他端の薄膜ホール素子の第4の電極との間の電圧を、前記各ホール素子列毎に検出するための電圧検出系に接続されていることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the magnetic detection type input panel according to the second aspect, the plurality of thin film Hall elements arranged in a plurality of rows and a plurality of columns are adjacent to each other for each row. The first electrode of one thin film Hall element and the second electrode of the other Hall element are connected in series with each other, and one thin film Hall of adjacent thin film Hall elements is connected for each column. The third electrode of the element and the fourth electrode of the other Hall element are connected in series with each other, and each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements connected in series for each row includes A current is sequentially applied to each Hall element row between the first electrode of the thin film Hall element at one end of the Hall element row and the second electrode of the thin film Hall element at the other end of the Hall element row. Connected to the current supply system to flow, Each Hall element array composed of the plurality of thin film Hall elements connected in series with each other includes a third electrode of the thin film Hall element at one end of the Hall element array and a thin film Hall element at the other end of the Hall element array. The voltage between the fourth electrode and the fourth electrode is connected to a voltage detection system for detecting each Hall element array.

請求項4に記載の発明は、前記請求項2に記載の磁気検知型入力パネルにおいて、前記複数行及び複数列に配列された前記複数の薄膜ホール素子が、行毎に、隣合う薄膜ホール素子のうちの一方の薄膜ホール素子の第1の電極と他方のホール素子の第2の電極とを互いに導通させて直列に接続されており、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各ホール素子行がそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子の第1の電極と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子の第2の電極との間に電流を流すための電流供給系に接続され、前記複数の薄膜ホール素子がそれぞれ、これらの薄膜ホール素子の第3の電極と第4の電極との間の電圧を、前記複数の薄膜ホール素子毎に検出するための電圧検出系に接続されていることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the magnetic detection type input panel according to the second aspect, the plurality of thin film Hall elements arranged in a plurality of rows and a plurality of columns are adjacent to each other for each row. The plurality of thin film Hall elements, wherein the first electrode of one thin film Hall element and the second electrode of the other Hall element are connected in series with each other and connected in series for each row. Each of the Hall element rows is configured to pass a current between the first electrode of the thin film Hall element at one end of the Hall element row and the second electrode of the thin film Hall element at the other end of the Hall element row. And the plurality of thin film Hall elements detect the voltage between the third electrode and the fourth electrode of each of the thin film Hall elements for each of the plurality of thin film Hall elements. Connected to the voltage detection system And wherein the Rukoto.

この発明の請求項5に記載の入力パネル付き表示装置は、
画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う表示素子と、
前記表示素子の観察側とその反対側のいずれか一方に配置され、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する2つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第1と第2の電極と、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域を挟んで前記2つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第3と第4の電極とからなる薄膜ホール素子が基板上に設けられた磁気検知型入力パネルと、
を備えることを特徴とする。
A display device with an input panel according to claim 5 of the present invention,
A display element for performing image display and key display for displaying a key pattern indicating an input unit at a predetermined position in a screen area for displaying the image;
The display element is disposed on either the observation side or the opposite side of the display element, and the semiconductor thin film is electrically connected to the semiconductor thin film by providing a predetermined interval between one of the two directions perpendicular to each other. First and second electrodes for allowing current to flow between each other, and the region between the first and second electrodes of the semiconductor thin film sandwiching the region between the two directions A hole generated by a magnetic field applied to a region between the first and second electrodes of the semiconductor thin film, which is formed to be electrically connected to the semiconductor thin film with a predetermined interval between them. A magnetic detection type input panel in which a thin film Hall element composed of third and fourth electrodes for detecting a voltage is provided on a substrate;
It is characterized by providing.

請求項6に記載の発明は、前記請求項5に記載の入力パネル付き表示装置において、前記表示素子は、光の透過を制御して画像及びキーパターンを表示する液晶表示素子であり、前記液晶表示素子の観察側とは反対側に、前記液晶表示素子に向けて照明光を照射する面光源が配置されていることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the display device with an input panel according to the fifth aspect, the display element is a liquid crystal display element that displays an image and a key pattern by controlling light transmission, and the liquid crystal A surface light source for irradiating illumination light toward the liquid crystal display element is disposed on the side opposite to the viewing side of the display element.

請求項7に記載の発明は、前記請求項6に記載の入力パネル付き表示装置において、前記磁気検知型入力パネルは、前記液晶表示素子と前記面光源との間に配置されていることを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the display device with an input panel according to claim 6, wherein the magnetic detection type input panel is disposed between the liquid crystal display element and the surface light source. And

請求項8に記載の発明は、前記請求項6に記載の入力パネル付き表示装置において、前記磁気検知型入力パネルは、前記面光源の前記液晶表示素子と対向する側とは反対側に配置されていることを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the display device with an input panel according to the sixth aspect, the magnetic detection type input panel is disposed on a side opposite to the side facing the liquid crystal display element of the surface light source. It is characterized by.

この発明の磁気検知型入力パネル及び入力パネル付き表示装置は、上記のような構成であるため、小型化及び薄型化をはかることがきる。   Since the magnetic detection type input panel and the display device with an input panel according to the present invention have the above-described configuration, they can be reduced in size and thickness.

(第1の実施形態)
図1〜図4はこの発明の第1の実施例を示しており、図1は入力パネル付き表示装置の断面図、図2は磁気検知型入力パネルの平面図である。
(First embodiment)
1 to 4 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of a display device with an input panel, and FIG. 2 is a plan view of a magnetic detection type input panel.

この入力パネル付き表示装置は、図1のように、画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う表示素子1と、前記表示素子1の観察側(図1において上側)とその反対側のいずれか一方、例えば観察側とは反対側に配置された磁気検知型入力パネル15とを備えている。   As shown in FIG. 1, the display device with an input panel includes a display element 1 that performs image display and key display that displays a key pattern indicating an input unit at a predetermined position in a screen area that displays the image. The magnetic sensing type input panel 15 is provided on either the observation side (the upper side in FIG. 1) of the display element 1 or the opposite side, for example, the opposite side to the observation side.

前記表示素子1は、例えば、光の透過を制御して画像及びキーパターンを表示する液晶表示素子であり、この実施例の入力パネル付き表示装置は、前記液晶表示素子1の観察側とは反対側に配置され、前記液晶表示素子1に向けて照明光を照射する面光源12をさらに備えている。   The display element 1 is, for example, a liquid crystal display element that displays an image and a key pattern by controlling light transmission. The display device with an input panel of this embodiment is opposite to the observation side of the liquid crystal display element 1. It further includes a surface light source 12 that is disposed on the side and that irradiates illumination light toward the liquid crystal display element 1.

前記液晶表示素子1は、枠状のシール材4を介して接合された観察側とその反対側の一対の透明基板2,3と、これらの基板2,3間の前記シール材4で囲まれた領域に封入された液晶層5と、前記一対の基板2,3の対向する内面それぞれに互いに対向させて設けられ、互いに対向する領域毎に、前記液晶層5に電界を印加して液晶分子の配向状態を制御するための画素領域を形成する第1と第2の透明電極6,7と、前記一対の基板2,3の外面にそれぞれ配置された一対の偏光板10,11とからなっている。   The liquid crystal display element 1 is surrounded by a pair of transparent substrates 2 and 3 on the observation side bonded to each other via a frame-shaped sealing material 4 and the sealing material 4 between the substrates 2 and 3. The liquid crystal layer 5 sealed in the region and the opposing inner surfaces of the pair of substrates 2 and 3 are provided to face each other, and an electric field is applied to the liquid crystal layer 5 for each region facing each other to form liquid crystal molecules. The first and second transparent electrodes 6 and 7 forming a pixel region for controlling the alignment state of the substrate, and a pair of polarizing plates 10 and 11 disposed on the outer surfaces of the pair of substrates 2 and 3, respectively. ing.

この液晶表示素子1は、一方の基板、例えば観察側とは反対側の基板3の内面に、複数の画素電極7を行方向及び列方向にマトリックス状に配列させて設け、他方の基板、つまり観察側の基板2の内面に、前記複数の画素電極7の配列領域に対向する一枚膜状の対向電極6を設けたアクティブマトリックス液晶表示素子であり、図では省略しているが、前記複数の画素電極7が設けられた反対側基板3の内面には、前記複数の画素電極7にそれぞれ接続された複数のTFT(薄膜トランジスタ)と、各行のTFTにゲート信号を供給する複数の走査線と、各列のTFTにデータ信号を供給する複数の信号線が設けられている。   The liquid crystal display element 1 is provided on the inner surface of one substrate, for example, the substrate 3 opposite to the observation side, with a plurality of pixel electrodes 7 arranged in a matrix in the row and column directions, and the other substrate, This is an active matrix liquid crystal display element in which a single-film counter electrode 6 facing the array region of the plurality of pixel electrodes 7 is provided on the inner surface of the substrate 2 on the observation side. On the inner surface of the opposite substrate 3 provided with the pixel electrodes 7, a plurality of TFTs (thin film transistors) respectively connected to the plurality of pixel electrodes 7, and a plurality of scanning lines for supplying gate signals to the TFTs in each row A plurality of signal lines for supplying data signals to the TFTs in each column are provided.

また、観察側基板2の内面には、前記複数の画素電極7と対向電極6とが互いに対向する領域からなる複数の画素の間の領域及び前記複数の画素の配列領域の周囲に対応させて形成された遮光膜(ブラックマスク)8と、前記複数の画素にそれぞれ対応させて形成された赤、緑、青の3色のカラーフィルタ9R,9G,9Bが設けられており、前記対向電極6は、前記カラーフィルタ9R,9G,9Bの上に形成されている。   Further, on the inner surface of the observation-side substrate 2, the plurality of pixel electrodes 7 and the counter electrode 6 correspond to a region between a plurality of pixels composed of regions facing each other and a periphery of the array region of the plurality of pixels. A formed light-shielding film (black mask) 8 and three color filters 9R, 9G, and 9B of red, green, and blue corresponding to the plurality of pixels are provided, and the counter electrode 6 Are formed on the color filters 9R, 9G, 9B.

さらに、前記一対の基板2,3の内面にはそれぞれ、前記電極6,7を覆って配向膜(図示せず)が設けられており、前記液晶層5の液晶分子は、前記一対の基板2,3間において、前記配向膜により規定される配向状態に配向している。   Further, an alignment film (not shown) is provided on the inner surfaces of the pair of substrates 2 and 3 so as to cover the electrodes 6 and 7, respectively, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 5 are disposed on the pair of substrates 2. , 3 are aligned in an alignment state defined by the alignment film.

この液晶表示素子1は、液晶分子をツイスト配向させたTNまたはSTN型、液晶分子を基板2,3面に対して実質的に垂直に配向させた垂直配向型、液晶分子をツイストさせることなく基板2,3面に対して実質的に平行に配向させた水平配向型、液晶分子をベンド配向させるベンド配向型のいずれか、あるいは強誘電性または反強誘電性液晶表示素子であり、前記一対の偏光板9,10は、それぞれの透過軸の向きを、良好なコントラストが得られるように設定して配置されている。   The liquid crystal display element 1 includes a TN or STN type in which liquid crystal molecules are twist-aligned, a vertical alignment type in which liquid crystal molecules are aligned substantially perpendicular to the surfaces of the substrates 2 and 3, and a substrate without twisting the liquid crystal molecules. Either a horizontal alignment type aligned substantially parallel to two or three planes, a bend alignment type in which liquid crystal molecules are bend aligned, or a ferroelectric or antiferroelectric liquid crystal display element, The polarizing plates 9 and 10 are arranged with their transmission axes oriented so as to obtain good contrast.

なお、前記液晶表示素子1は、一対の基板2,3の内面それぞれに設けられた電極6,7間に電界を生じさせて液晶分子の配向状態を変化させるものに限らず、一対の基板のいずれか一方の内面に複数の画素を形成する例えば櫛状の第1と第2の電極を設け、これらの電極間に横電界(基板面に沿う方向の電界)を生じさせて液晶分子の配向状態を変化させる横電界制御型のものでもよい。   The liquid crystal display element 1 is not limited to one that changes the alignment state of liquid crystal molecules by generating an electric field between the electrodes 6 and 7 provided on the inner surfaces of the pair of substrates 2 and 3, respectively. For example, comb-shaped first and second electrodes for forming a plurality of pixels are provided on either inner surface, and a horizontal electric field (electric field in a direction along the substrate surface) is generated between these electrodes to align liquid crystal molecules. A lateral electric field control type that changes the state may be used.

前記面光源12は、前記液晶表示素子1の少なくとも画面エリアに対向する面積を有する板状の透明部材からなり、その一端面に光を入射させる入射端面13aが形成され、2つの板面の一方に前記入射端面13aから入射した光を出射させる出射面13bが形成され、他方の板面に前記入射端面13aから入射した光を前記出射面13bに向けて内面反射する反射面13cが形成された導光板13と、前記導光板13の入射端面13aに対向させて配置され、前記導光板13の入射端面13aに向けて光を発するLED(発光ダイオード)等の発光素子14とからなっており、前記液晶表示素子1の観察側とは反対側に、前記導光板13の出射面13bを前記液晶表示素子1に対向させて配置されている。   The surface light source 12 is made of a plate-like transparent member having an area facing at least the screen area of the liquid crystal display element 1, and an incident end face 13a for allowing light to enter is formed on one end face thereof, and one of the two plate faces. An exit surface 13b for emitting light incident from the entrance end surface 13a is formed on the other plate surface, and a reflection surface 13c for reflecting the light incident from the entrance end surface 13a toward the exit surface 13b is formed on the other plate surface. A light guide plate 13 and a light emitting element 14 such as an LED (light emitting diode) that is disposed to face the incident end surface 13a of the light guide plate 13 and emits light toward the incident end surface 13a of the light guide plate 13; On the side opposite to the viewing side of the liquid crystal display element 1, the light exit surface 13 b of the light guide plate 13 is disposed to face the liquid crystal display element 1.

なお、前記液晶表示素子1は、複数の画素にそれぞれ対応する赤、緑、青の3色のカラーフィルタ9R,9G,9Bを備えたものに限らず、カラーフィルタを備えないフィールドシーケンシャル表示用の液晶表示素子でもよく、その場合は、前記面光源12に、赤色光を発する発光素子と、緑色光を発する発光素子と、青色光を発する発光素子とを備えさせればよい。   The liquid crystal display element 1 is not limited to one provided with the three color filters 9R, 9G, and 9B of red, green, and blue corresponding to a plurality of pixels, but is used for field sequential display without a color filter. In this case, the surface light source 12 may be provided with a light emitting element that emits red light, a light emitting element that emits green light, and a light emitting element that emits blue light.

前記液晶表示素子1は、図示しない表示駆動回路により駆動され、常時は、複数の画素の配列領域に対応する画面エリアの全域に画像を表示し、前記磁気検知型入力パネル15に対する入力時に、前記画面エリア内の予め定めた位置に、入力部を示す複数のキーパターン(キー形状とキーの種類を示す数字や記号等)を表示する。   The liquid crystal display element 1 is driven by a display drive circuit (not shown), and always displays an image over the entire screen area corresponding to an array region of a plurality of pixels, and at the time of input to the magnetic detection type input panel 15, A plurality of key patterns (numbers and symbols indicating key shapes and key types) indicating the input unit are displayed at predetermined positions in the screen area.

なお、図1では前記液晶表示素子1の画素ピッチを大きく誇張しているが、前記複数の画素は、50〜100μmのピッチで配列形成されており、前記複数のキーパターンはそれぞれ、数十ずつの画素群によって表示される。   In FIG. 1, the pixel pitch of the liquid crystal display element 1 is greatly exaggerated. However, the plurality of pixels are arranged at a pitch of 50 to 100 μm, and each of the plurality of key patterns is several tens. The pixel group is displayed.

そして、前記磁気検知型入力パネル15は、前記液晶表示素子1と前記面光源12との間に配置されている。   The magnetic detection type input panel 15 is disposed between the liquid crystal display element 1 and the surface light source 12.

この磁気検知型入力パネル15は、ガラス等からなる透明な絶縁性基板16上に、前記液晶表示素子1の前記複数のキーパターンの表示位置にそれぞれ対応させて複数の薄膜ホール素子18を設けたものである。なお、前記基板16上には窒化シリコン等からなる透明な下地膜17が形成されており、前記複数の薄膜ホール素子18は、前記下地膜17の上に形成されている。   This magnetic detection type input panel 15 is provided with a plurality of thin film Hall elements 18 on a transparent insulating substrate 16 made of glass or the like corresponding to the display positions of the plurality of key patterns of the liquid crystal display element 1. Is. A transparent base film 17 made of silicon nitride or the like is formed on the substrate 16, and the plurality of thin film Hall elements 18 are formed on the base film 17.

前記薄膜ホール素子18は、前記下地膜17の上に、前記液晶表示素子1により表示されるキーパターンの外形に対応する位置に形成された半導体薄膜19と、前記半導体薄膜19の互いに直交する2つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて配置され、前記半導体薄膜19と電気的に接続された第1と第2の電極20,21と、前記半導体薄膜19の前記第1と第2の電極20,21の間の領域を挟んで前記半導体薄膜19の前記2つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて配置され、前記半導体薄膜19と電気的に接続された第1と第2の電極22,23とからなっている。   The thin film Hall element 18 includes a semiconductor thin film 19 formed on the base film 17 at a position corresponding to the outer shape of the key pattern displayed by the liquid crystal display element 1, and the semiconductor thin film 19 orthogonal to each other. The first and second electrodes 20 and 21 are disposed in one of the two directions with a predetermined interval between them and electrically connected to the semiconductor thin film 19, and the first and second electrodes of the semiconductor thin film 19 The semiconductor thin film 19 is electrically connected to the semiconductor thin film 19 with a predetermined interval between the other two sides of the semiconductor thin film 19 across the region between the second electrodes 20 and 21. It consists of first and second electrodes 22, 23.

前記半導体薄膜19は、約100nmの膜厚に形成されたi型アモルファスシリコン膜からなっており、前記各電極20,21,22,23は、モリブデンまたはクロム等の金属により形成され、これらの電極20,21,22,23と同じ形状に形成されたn型アモルファスシリコンからなるコンタクト層24を介して前記半導体薄膜19と電気的に接続されている。なお、この実施例では、前記下地膜17の上に前記半導体薄膜19を形成し、この半導体薄膜19の各縁部の上に、前記第1〜第4の各電極20,21,22,23を形成している。   The semiconductor thin film 19 is made of an i-type amorphous silicon film formed to a thickness of about 100 nm, and the electrodes 20, 21, 22, 23 are made of a metal such as molybdenum or chromium. The semiconductor thin film 19 is electrically connected via a contact layer 24 made of n-type amorphous silicon formed in the same shape as 20, 21, 22, and 23. In this embodiment, the semiconductor thin film 19 is formed on the base film 17, and the first to fourth electrodes 20, 21, 22, 23 are formed on the edges of the semiconductor thin film 19. Is forming.

前記半導体薄膜19は、例えば矩形形状に形成されており、前記第1と第2の電極20,21は、前記半導体薄膜19の長手方向の両端縁にそれぞれ、その端縁の長さ方向と平行な帯状の形状に形成され、前記第3と第4の電極22,23は、前記半導体薄膜19の短手方向の両端縁にそれぞれ、その端縁の長さ方向と平行な帯状の形状に形成されている。   The semiconductor thin film 19 is formed in, for example, a rectangular shape, and the first and second electrodes 20 and 21 are parallel to the longitudinal direction of both ends of the semiconductor thin film 19 in the longitudinal direction. The third and fourth electrodes 22, 23 are formed in both strip edges of the semiconductor thin film 19 in a strip shape parallel to the length direction of the respective edges. Has been.

前記薄膜ホール素子18は、前記第1と第2の電極20,21間に電流が流され、且つ前記半導体薄膜19の前記第1と第2の電極20,21の間の領域に磁場が印加されたときに、ホール効果による電圧、つまりホール電圧を、前記第3と第4の電極22,23間に発生する。   In the thin film Hall element 18, a current is applied between the first and second electrodes 20 and 21, and a magnetic field is applied to a region of the semiconductor thin film 19 between the first and second electrodes 20 and 21. Then, a voltage due to the Hall effect, that is, a Hall voltage is generated between the third and fourth electrodes 22 and 23.

すなわち、前記半導体薄膜19に、前記第1と第2の電極20,21の一方から他方に向かって電流を流し、且つ前記半導体薄膜19に、その膜面に対して交差する方向から磁場を作用させると、前記半導体薄膜19の前記電流が流れる方向に対して直交する方向、つまり前記第3と第4の電極22,23間に、前記ホール電圧が発生する。   That is, a current is applied to the semiconductor thin film 19 from one of the first and second electrodes 20 and 21 toward the other, and a magnetic field is applied to the semiconductor thin film 19 from a direction intersecting the film surface. As a result, the Hall voltage is generated in the direction perpendicular to the direction in which the current flows in the semiconductor thin film 19, that is, between the third and fourth electrodes 22 and 23.

図3は、前記薄膜ホール素子18において、N極性の磁場を印加したときの、前記第1と第2の電極20,21との間に流す電流値に対する前記第3と第4の電極22,23間発生するホール電圧との関係を示したホール電圧特性図である。   FIG. 3 shows the third and fourth electrodes 22, 22 with respect to the current value flowing between the first and second electrodes 20, 21 when an N-polar magnetic field is applied in the thin film Hall element 18. It is the Hall voltage characteristic figure which showed the relationship with the Hall voltage which generate | occur | produces between 23.

図3のように、前記薄膜ホール素子18は、前記第1と第2の電極20,21間に電流が流れていないときは、無磁場のときも磁場が作用したときも、前記第3と第4の電極22,23間の電圧は実質的に0である。そして、前記第1と第2の電極20,21間に電流を流すと、前記第3と第4の電極22,23間に、前記磁場の強さと前記第1と第2の電極20,21間に流した電流値に対応したホール電圧を発生する。なお、前記薄膜ホール素子18は、S極性の磁場が作用したときも、前記第3と第4の電極22,23間に前記磁場の強さと前記第1と第2の電極20,21間に流した電流値に対応したホール電圧を発生する。   As shown in FIG. 3, the thin film Hall element 18 includes the third and the second electrodes 20 and 21 when no current flows between the first and second electrodes 20 and 21. The voltage between the fourth electrodes 22 and 23 is substantially zero. When a current is passed between the first and second electrodes 20 and 21, the strength of the magnetic field and the first and second electrodes 20 and 21 are between the third and fourth electrodes 22 and 23. A Hall voltage corresponding to the current value passed between them is generated. The thin film Hall element 18 has a magnetic field strength between the third and fourth electrodes 22 and 23 and between the first and second electrodes 20 and 21 even when an S-polar magnetic field is applied. A Hall voltage corresponding to the current value is generated.

前記複数の薄膜ホール素子18は、前記基板16上(下地膜17の上)に、複数行及び複数列に配列させて配置されている。なお、この実施例では、前記液晶表示素子1に、入力部を示す9つのキーパターンを、行方向(画面エリアの左右方向)と列方向(画面エリアの上下方向)とにそれぞれ3つずつ配列させて表示させるようにし、前記磁気検知型入力パネル15に、前記液晶表示素子1の各キーパターンの表示位置にそれぞれ対応させて配置された9個の薄膜ホール素子18を備えさせている。   The plurality of thin film Hall elements 18 are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on the substrate 16 (on the base film 17). In this embodiment, nine key patterns indicating the input section are arranged on the liquid crystal display element 1 in three rows in the row direction (left and right direction of the screen area) and three in the column direction (up and down direction of the screen area). The magnetic detection type input panel 15 is provided with nine thin film Hall elements 18 arranged corresponding to the display positions of the respective key patterns of the liquid crystal display element 1.

前記9個の薄膜ホール素子18はいずれも、前記第1と第2の電極20,21が形成された端縁と前記第3と第4の電極22,23が形成された端縁のいずれか一方、例えば第1と第2の電極20,21が形成された2つの端縁を、前記行方向に向けて形成されている。   Each of the nine thin film Hall elements 18 is one of an edge where the first and second electrodes 20 and 21 are formed and an edge where the third and fourth electrodes 22 and 23 are formed. On the other hand, for example, two end edges on which the first and second electrodes 20 and 21 are formed are formed in the row direction.

そして、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子18は、行毎に、隣合う薄膜ホール素子18,18のうちの一方の薄膜ホール素子18の第1の電極20と他方のホール素子18の第2の電極21とを、これらの電極20,21と一体に形成された行方向接続線26を介して互いに導通させて直列に接続され、列毎に、隣合う薄膜ホール素子18,18のうちの一方の薄膜ホール素子18の第3の電極22と他方のホール素子18の第4の電極23とを、これらの電極22,23と一体に形成された列方向接続線27を介して互いに導通させて直列に接続されている。   The plurality of thin film Hall elements 18 arranged in the plurality of rows and the plurality of columns includes, for each row, the first electrode 20 of the one thin film Hall element 18 and the other of the adjacent thin film Hall elements 18, 18. The thin film Hall elements adjacent to each other are connected in series with the second electrodes 21 of the Hall elements 18 connected to each other in series via row connection lines 26 formed integrally with the electrodes 20 and 21. 18 and 18, the third electrode 22 of one thin film Hall element 18 and the fourth electrode 23 of the other Hall element 18 are connected to the column-direction connecting line 27 formed integrally with these electrodes 22 and 23. Are connected to each other in series.

また、前記基板16上の行方向の両端部には、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子18からなる各ホール素子行にそれぞれ対応させて複数の電流供給用端子28a,28bが形成され、前記基板16上の列方向の両端部には、列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子18からなる各ホール素子列にそれぞれ対応させて複数の電圧検出用端子29a,29bが形成されている。   Further, at both ends in the row direction on the substrate 16, a plurality of current supply terminals 28 a and 28 b corresponding to each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements 18 connected in series for each row. At both ends in the column direction on the substrate 16, a plurality of voltage detection terminals 29 a corresponding to the respective Hall element columns composed of the plurality of thin film Hall elements 18 connected in series for each column. , 29b are formed.

そして、前記各ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20は、前記行方向の一端側に形成された各電流供給用端子28aにそれぞれ、これらの電極21及び端子28aと一体に形成された行方向リード線30aを介して接続され、前記各ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21は、前記行方向の他端側に形成された各電流供給用端子28bにそれぞれ、これらの電極22及び端子28bと一体に形成された行方向リード線30bを介して接続されている。   The first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of each Hall element row is integrated with each of the current supply terminals 28a formed at one end side in the row direction, and the electrode 21 and the terminal 28a, respectively. The second electrode 21 of the thin film Hall element 18 at the other end of each Hall element row is connected to the other current supply formed at the other end side in the row direction. The terminals 28b are connected to the electrodes 22 and the terminals 28b through row-direction lead wires 30b formed integrally with the terminals 22b.

また、前記各ホール素子列の一端の薄膜ホール素子18の第3の電極22は、前記列方向の一端側に形成された各電圧検出用端子29aにそれぞれ、これらの電極22及び端子29aと一体に形成された列方向リード線31aを介して接続され、前記各ホール素子列の他端の薄膜ホール素子18の第4の電極23は、前記列方向の他端側に形成された各電圧検出用端子29bにそれぞれ、これらの電極23及び端子29bと一体に形成された列方向リード線31bを介して接続されている。   The third electrode 22 of the thin film Hall element 18 at one end of each Hall element row is integrated with each of the voltage detection terminals 29a formed on one end side in the row direction. The fourth electrode 23 of the thin film Hall element 18 at the other end of each Hall element column is connected to each other through the column direction lead wire 31a formed at the other end side in the column direction. The terminals 29b are connected to the electrodes 23 and the terminals 29b through column-direction lead wires 31b formed integrally with the terminals 29b.

前記複数の薄膜ホール素子18はそれぞれ、前記液晶表示素子1の1つのキーパターンを表示するための前記数十の画素群に対応させて形成されており、これらの薄膜ホール素子18の第1〜第4の各電極20,21,22,23と、前記行方向接続線26及び列方向接続線27と、前記行方向リード線30a,30b及び列方向リード線31a,31bはそれぞれ、前記面光源12から前記液晶表示素子1に向けて照射される照明光のうちの前記液晶表示素子1の各画素に向かう光を遮らないようにするために、前記液晶表示素子1の隣合う画素間の領域に対応させて形成されている。   Each of the plurality of thin film Hall elements 18 is formed to correspond to the several tens of pixel groups for displaying one key pattern of the liquid crystal display element 1. The fourth electrodes 20, 21, 22, 23, the row direction connection lines 26 and the column direction connection lines 27, the row direction lead wires 30 a and 30 b, and the column direction lead lines 31 a and 31 b are respectively the surface light sources. An area between adjacent pixels of the liquid crystal display element 1 so as not to block light directed to each pixel of the liquid crystal display element 1 among illumination light irradiated from 12 to the liquid crystal display element 1 It is formed corresponding to.

なお、前記第1〜第4の各電極20,21,22,23と行方向接続線26及び列方向接続線27と前記各リード線30a,30b,31a,31bは、ITO膜等の透明導電膜により形成してもよく、その場合は、これらを前記画素内に入り込んだ形状に形成してもよい。   The first to fourth electrodes 20, 21, 22, 23, the row direction connection line 26, the column direction connection line 27, and the lead lines 30a, 30b, 31a, 31b are made of a transparent conductive material such as an ITO film. It may be formed by a film, and in that case, these may be formed in a shape that enters the pixel.

また、前記複数の薄膜ホール素子18と、前記行方向接続線26及び列方向接続線27と、前記行方向リード線30a,30b及び列方向リード線31a,31bは、前記基板16上に、前記複数の電流供給用端子28a,28b及び電圧検出用端子29a,29bが形成された周縁部を除いて形成された窒化シリコン等の絶縁物からなる透明な保護膜37により覆われている。   The plurality of thin film Hall elements 18, the row direction connection lines 26 and the column direction connection lines 27, the row direction lead wires 30 a and 30 b and the column direction lead wires 31 a and 31 b are arranged on the substrate 16. It is covered with a transparent protective film 37 made of an insulating material such as silicon nitride formed excluding the peripheral portion where the plurality of current supply terminals 28a and 28b and the voltage detection terminals 29a and 29b are formed.

さらに、この磁気検知型入力パネル15は、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21との間に、前記各ホール素子行毎に順次電流を流すための電流供給系38(図4参照)と、前記ホール素子列の一端の薄膜ホール素子18の第3の電極22と、前記ホール素子列の他端の薄膜ホール素子18の第4の電極23との間の電圧を、前記各ホール素子列毎に検出するための電圧検出系39(図4参照)とを備えている。   Further, the magnetic detection type input panel 15 includes a first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of the Hall element row and a second electrode 21 of the thin film Hall element 18 at the other end of the Hall element row. In between, a current supply system 38 (see FIG. 4) for flowing current sequentially for each Hall element row, a third electrode 22 of the thin film Hall element 18 at one end of the Hall element column, and the Hall element column And a voltage detection system 39 (see FIG. 4) for detecting a voltage between the thin film Hall element 18 at the other end of the thin film Hall element 18 for each Hall element array.

図4は前記磁気検知型入力パネル15の駆動方法を示す模式図であり、前記各ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20は、この第1の電極20に接続された前記電流供給用端子28bを介して接地され、前記各ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21は、この第2の電極21に接続された前記電流供給用端子28aを介して前記電流供給系38に接続されており、前記各ホール素子列の一端の薄膜ホール素子18の第3の電極22は、この第3の電極22に接続された前記電圧検出用端子29aを介して接地され、前記各ホール素子列の他端の薄膜ホール素子18の第4の電極23は、この第4の電極23に接続された前記電圧検出用端子29bを介して前記電圧検出系39に接続されている。   FIG. 4 is a schematic diagram showing a driving method of the magnetic detection type input panel 15, and the first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of each Hall element row is connected to the first electrode 20. The second electrode 21 of the thin film Hall element 18 at the other end of each Hall element row is grounded via the current supply terminal 28 b, and the current supply terminal 28 a connected to the second electrode 21 is connected to the second electrode 21. The third electrode 22 of the thin film Hall element 18 at one end of each Hall element row is connected to the voltage detection terminal 29 a connected to the third electrode 22. The fourth electrode 23 of the thin film Hall element 18 at the other end of each Hall element array is grounded via the voltage detection terminal 29b connected to the fourth electrode 23. It is connected to the.

前記電流供給系38は、その構成は図示しないが、定電流電源と、前記電源からの電流を前記磁気検知型入力パネル15の各ホール素子行に順次供給するスイッチング回路とにより構成されており、図4に第1〜第3の各ホール素子行にそれぞれ供給する電流I,I,Iの波形を示したように、例えば0.1〜0.3秒の範囲内の予め定めた単位時間T毎に、前記単位時間Tを3分割した各期間t,t,tのうちの第1期間tに第1ホール素子行に一定値の電流を供給し、第2期間tに第2ホール素子行に前記一定値の電流を供給し、第3期間tに第3ホール素子行に前記一定値の電流を供給する動作を繰返す。 Although the configuration of the current supply system 38 is not illustrated, the current supply system 38 includes a constant current power source and a switching circuit that sequentially supplies a current from the power source to each Hall element row of the magnetic detection type input panel 15. As shown in FIG. 4, the waveforms of the currents I 1 , I 2 , and I 3 supplied to the first to third Hall element rows, respectively, for example, predetermined in the range of 0.1 to 0.3 seconds. For each unit time T, a constant current is supplied to the first Hall element row in the first period t 1 among the periods t 1 , t 2 , t 3 obtained by dividing the unit time T into three, and the second period supplying a current of the constant value to the second Hall element row to t 2, it repeats the operation for supplying the current of the constant value to the third Hall element row to the third period t 3.

また、前記電圧検出系39は、その構成は図示しないが、第1〜第3の各ホール素子列の薄膜ホール素子18の出力電圧をそれぞれ、前記各ホール素子行への電流供給に同期して、検出する第1〜第3の電圧センサを備えており、前記各期間t,t,t毎に、これらの電圧センサによる電圧検出信号を出力する。 The voltage detection system 39 is not shown in its configuration, but the output voltage of the thin film Hall element 18 in each of the first to third Hall element columns is synchronized with the current supply to each Hall element row. The first to third voltage sensors to be detected are provided, and voltage detection signals from these voltage sensors are output for each of the periods t 1 , t 2 , and t 3 .

前記入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル15に対する入力を、前記液晶表示素子1の観察側から、磁場を発生する入力ペン、例えば永久磁石からなるペン先44を有する磁石ペン43(図1参照)によって行うものであり、その入力時に、前記液晶表示素子1に前記複数のキーパターンを表示させ、前記磁気検知型入力パネル15の各ホール素子行に対する前記電流供給系38からの電流供給を開始すると共に、前記電圧検出系39をオンさせる。   The display device with an input panel receives an input to the magnetic detection type input panel 15 from the observation side of the liquid crystal display element 1, and an input pen that generates a magnetic field, for example, a magnet pen 43 having a pen tip 44 made of a permanent magnet ( 1), at the time of the input, the plurality of key patterns are displayed on the liquid crystal display element 1, and the current from the current supply system 38 for each Hall element row of the magnetic detection type input panel 15 is displayed. While the supply is started, the voltage detection system 39 is turned on.

前記磁気検知型入力パネル15に対する入力は、前記液晶表示素子1により表示された複数のキーパターンのうちの1つを選択し、前記液晶表示素子1の観察面(観察側偏光板10の外面)の選択したキーパターン表示部に、前記磁石ペン43のペン先44を近接または接触させることにより行われる。   As an input to the magnetic detection type input panel 15, one of a plurality of key patterns displayed by the liquid crystal display element 1 is selected, and the observation surface of the liquid crystal display element 1 (the outer surface of the observation side polarizing plate 10). This is done by bringing the pen tip 44 of the magnet pen 43 close to or in contact with the selected key pattern display section.

このように、前記磁石ペン43のペン先44を前記液晶表示素子1の観察面に近接または接触させると、前記磁石ペン43のペン先44からの磁場が、前記液晶表示素子1を通って前記磁気検知型入力パネル15の複数の薄膜ホール素子18のうちの、前記磁石ペン43のペン先44を近接または接触させたキーパターン表示部に対応する薄膜ホール素子18の半導体薄膜19に作用し、この薄膜ホール素子18の第3と第4の電極22,23間にホール電圧が発生する。   Thus, when the pen tip 44 of the magnet pen 43 is brought close to or in contact with the observation surface of the liquid crystal display element 1, the magnetic field from the pen tip 44 of the magnet pen 43 passes through the liquid crystal display element 1 and Acts on the semiconductor thin film 19 of the thin film Hall element 18 corresponding to the key pattern display portion of the plurality of thin film Hall elements 18 of the magnetic detection type input panel 15 corresponding to or close to the pen tip 44 of the magnet pen 43, A Hall voltage is generated between the third and fourth electrodes 22 and 23 of the thin film Hall element 18.

なお、磁場は、前記液晶表示素子1をその電気光学特性に影響を及ぼすこと無く通過するため、前記磁石ペン43による入力を前記液晶表示素子1の観察側から行っても、前記液晶表示素子1の表示が乱れることは無い。   Since the magnetic field passes through the liquid crystal display element 1 without affecting the electro-optical characteristics, the liquid crystal display element 1 can be input even when input from the magnet pen 43 is performed from the observation side of the liquid crystal display element 1. The display of is not disturbed.

また、前記磁気検知型入力パネル15は、前記液晶表示素子1と、この液晶表示素子1の観察側とは反対側に配置された面光源12との間に配置されているため、前記面光源12から前記液晶表示素子1に向けて照射された照明光が、前記磁気検知型入力パネル15の各薄膜ホール素子18の半導体薄膜19を透過するが、その光は、前記半導体薄膜19に対して、前記第1と第2の電極20,21間に流される電流を増加させるように作用する。   Further, the magnetic detection type input panel 15 is disposed between the liquid crystal display element 1 and the surface light source 12 disposed on the opposite side of the liquid crystal display element 1 from the observation side. Illumination light irradiated from 12 to the liquid crystal display element 1 passes through the semiconductor thin film 19 of each thin film Hall element 18 of the magnetic detection type input panel 15, but the light is transmitted to the semiconductor thin film 19. The current flowing between the first and second electrodes 20 and 21 is increased.

そして、例えば図4に示したように、前記磁気検知型入力パネル15の第2ホール素子行のうちの第1列目の薄膜ホール素子18に磁場が作用したときは、前記単位時間Tのうちの前記第2ホール素子行に電流を供給した第2期間tに、第1薄膜ホール素子列からホール電圧が出力される。 For example, as shown in FIG. 4, when a magnetic field acts on the thin film Hall element 18 in the first column in the second Hall element row of the magnetic detection type input panel 15, the unit time T the current to the second Hall element rows during the second period t 2 which is fed in, the Hall voltage from the first thin-film Hall element array is output.

すなわち、前記第2ホール素子行のうちの第1列の薄膜ホール素子18に磁場が作用したときは、第2と第3ホール素子列からの出力電圧V,Vは前記単位時間Tの第1〜第3期間t,t,tのいずれでも0であり、第1ホール素子列からの出力電圧Vが、前記単位時間Tのうちの第2期間tに前記ホール電圧になる。 That is, when a magnetic field is applied to the thin film Hall element 18 of the first column in the second Hall element row, the output voltages V 2 and V 3 from the second and third Hall element columns are equal to the unit time T. Any of the first to third periods t 1 , t 2 , t 3 is 0, and the output voltage V 1 from the first Hall element array is the Hall voltage in the second period t 2 of the unit time T. become.

同様に、例えば第1ホール素子行のうちの第2列の薄膜ホール素子18に磁場が作用したときは、第1と第3ホール素子列からの出力電圧V,Vは前記単位時間Tの第1〜第3期間t,t,tのいずれでも0であり、第2ホール素子行からの出力電圧Vが、前記単位時間Tのうちの第1期間tに前記ホール電圧になる。 Similarly, when a magnetic field is applied to the thin film Hall element 18 in the second column of the first Hall element row, for example, the output voltages V 1 and V 3 from the first and third Hall element columns are the unit time T. In any of the first to third periods t 1 , t 2 , t 3 , the output voltage V 2 from the second Hall element row is the Hall in the first period t 1 of the unit time T. Become a voltage.

第1〜第3の各ホール素子列からの出力電圧V,V2,は、前記第1〜第3期間t,t,t毎に前記電圧検出系39の第1〜第3の電圧センサにより検出され、これらの電圧センサによる電圧検出信号が前記電圧検出系39から図示しない入力判定回路に出力される。 The output voltages V 1 , V 2, V 3 from the first to third Hall element arrays are the first to third of the voltage detection system 39 for each of the first to third periods t 1 , t 2 , t 3 . Detected by the third voltage sensor, voltage detection signals from these voltage sensors are output from the voltage detection system 39 to an input determination circuit (not shown).

前記入力判定回路は、前記電圧検出系39からの電圧検出信号に基づいて、前記ホール電圧を出力したホール素子列の列番と、前記第1〜第3期間t,t,tのうちの前記ホール素子列からホール電圧が出力された期間とから、前記磁石ペン43からの磁場が作用した薄膜ホール素子18の位置を判定し、前記液晶表示素子1により表示された複数のキーパターンにそれぞれ対応する各入力情報のうちの、前記磁場が作用した薄膜ホール素子18に対応するキーパターン、つまり前記磁石ペン43のペン先44が近接または接触されたキーパターンに対応した入力情報を出力する。 The input determination circuit, based on the voltage detection signal from the voltage detection system 39, the column number of the Hall element array that has output the Hall voltage, and the first to third periods t 1 , t 2 , t 3 A plurality of key patterns displayed by the liquid crystal display element 1 are determined by determining the position of the thin film Hall element 18 to which a magnetic field from the magnet pen 43 is applied from a period in which Hall voltage is output from the Hall element array. The input information corresponding to the key pattern corresponding to the thin film Hall element 18 to which the magnetic field has acted, that is, the key pattern in which the pen tip 44 of the magnet pen 43 is close or in contact is output. To do.

なお、前記磁気検知型入力パネル15に対する入力は、前記磁石ペン43に限らず、例えば直流磁場または交番磁場を発生するコイルを備えた電磁ペンによって行ってもよく、その場合も、同様な入力検出を行うことができる。   The input to the magnetic detection type input panel 15 is not limited to the magnet pen 43 but may be performed by an electromagnetic pen including a coil that generates a DC magnetic field or an alternating magnetic field. It can be performed.

このように、前記磁気検知型入力パネル15は、半導体薄膜19と、前記半導体薄膜19の互いに直交する2つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜19と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第1と第2の電極20,21と、前記半導体薄膜19の前記第1と第2の電極20,21の間の領域を挟んで前記2つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜19と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜19の前記第1と第2の電極20,21の間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第3と第4の電極22,23とからなる薄膜ホール素子18が基板16上に設けたものであるため、ホール効果を利用した入力検出を行うことができる。   As described above, the magnetic detection type input panel 15 is electrically connected to the semiconductor thin film 19 by providing a predetermined space between the semiconductor thin film 19 and one of the two directions perpendicular to each other. The first and second electrodes 20 and 21 that are formed to be connected and allow current to flow between them, and the region between the first and second electrodes 20 and 21 of the semiconductor thin film 19 are sandwiched. It is formed to be electrically connected to the semiconductor thin film 19 with a predetermined interval between the other of the two directions, and between the first and second electrodes 20, 21 of the semiconductor thin film 19. Since the thin film Hall element 18 composed of the third and fourth electrodes 22 and 23 for detecting the Hall voltage generated by the magnetic field applied to the region is provided on the substrate 16, the Hall effect is utilized. Input detection That.

そして、この磁気検知型入力パネル15は、基板16上に前記薄膜ホール素子18を設けたものであるため、小型で且つ極く薄型であるという長所をもっている。   The magnetic detection type input panel 15 has the advantage of being small and extremely thin because the thin film Hall element 18 is provided on the substrate 16.

また、上記実施例の磁気検知型入力パネル15は、前記基板16上に、複数の薄膜ホール素子18を、複数行及び複数列に配列させて配置したものであるため、これらの薄膜ホール素子18にそれぞれ対応した複数の入力部への選択的な入力を行うことができる。   In the magnetic detection type input panel 15 of the above embodiment, a plurality of thin film Hall elements 18 are arranged on the substrate 16 in a plurality of rows and columns. Can be selectively input to a plurality of input units respectively corresponding to.

さらに、前記磁気検知型入力パネル15は、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子18を、行毎に、隣合う薄膜ホール素子18,18のうちの一方の薄膜ホール素子18の第1の電極20と他方のホール素子18の第2の電極21とを互いに導通させて直列に接続し、列毎に、隣合う薄膜ホール素子18,18のうちの一方の薄膜ホール素子18の第3の電極22と他方のホール素子の第4の電極23とを互いに導通させて直列に接続し、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子18からなる各ホール素子行をそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21との間に、前記各ホール素子行毎に順次電流を流すための電流供給系38に接続し、列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子18からなる各ホール素子列をそれぞれ、前記ホール素子列の一端の薄膜ホール素子18の第3の電極22と、前記ホール素子列の他端の薄膜ホール素子18の第4の電極23との間の電圧を、前記各ホール素子列毎に検出するための電圧検出系39に接続しているため、前記ホール電圧を出力したホール素子列の列番と、前記各ホール素子行に順次電流を流す各期間(上記実施例では第1〜第3期間t,t,t)のうちの前記ホール素子列からホール電圧が出力された期間とから、磁場が作用した薄膜ホール素子18の位置を判定することができる。 Further, the magnetic detection type input panel 15 includes a plurality of thin film Hall elements 18 arranged in a plurality of rows and a plurality of columns, one thin film Hall element 18 among adjacent thin film Hall elements 18 and 18 for each row. The first electrode 20 and the second electrode 21 of the other Hall element 18 are electrically connected to each other and connected in series, and one thin film Hall element 18 of adjacent thin film Hall elements 18, 18 is connected for each column. The third electrode 22 and the fourth electrode 23 of the other Hall element are connected to each other in series, and each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements 18 connected in series is connected to each row. Each Hall element row is provided between the first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of the Hall element row and the second electrode 21 of the thin film Hall element 18 at the other end of the Hall element row. To pass current sequentially Each Hall element array composed of the plurality of thin film Hall elements 18 connected to the current supply system 38 and connected in series for each column is connected to the third electrode 22 of the thin film Hall element 18 at one end of the Hall element array. Since the voltage between the other electrode of the Hall element array and the fourth electrode 23 of the thin film Hall element 18 is connected to the voltage detection system 39 for detecting each Hall element array, the Hall The Hall element column number of the Hall element column that outputs the voltage and the Hall element in each period (first to third periods t 1 , t 2 , t 3 in the above-described embodiment) in which a current is sequentially supplied to each Hall element row The position of the thin film Hall element 18 to which the magnetic field has acted can be determined from the period in which the Hall voltage is output from the column.

また、前記入力パネル付き表示装置は、画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う液晶表示素子1と、前記液晶表示素子1の観察側とは反対側に配置され、基板16上に、前記液晶表示素子1の前記キーパターンの表示位置に対応させて前記薄膜ホール素子18が設けられた磁気検知型入力パネル15とを備えたものであるため、ホール効果を利用した入力検出を行うことができる。   The display device with an input panel includes a liquid crystal display element 1 for performing image display and key display for displaying a key pattern indicating an input unit at a predetermined position in a screen area for displaying the image, and the liquid crystal display device. The magnetic detection type input panel 15 is disposed on the opposite side of the display element 1 from the observation side, and the thin film Hall element 18 is provided on the substrate 16 corresponding to the display position of the key pattern of the liquid crystal display element 1. Therefore, input detection using the Hall effect can be performed.

そして、この入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル15が極く薄型であるため、装置全体の小型化及び薄型化をはかることができる。   In the display device with an input panel, since the magnetic detection type input panel 15 is extremely thin, the entire device can be reduced in size and thickness.

さらに、上記実施例の入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル15を、前記液晶表示素子1と、この液晶表示素子1の観察側とは反対側に配置された面光源12との間に配置されているため、前記面光源12から前記液晶表示素子1に向けて照射された照明光を、前記磁気検知型入力パネル15の各薄膜ホール素子18の半導体薄膜19に対して、前記第1と第2の電極20,21間に流される電流を増加させるように作用させ、その電流値に応じてホール電圧が高くなから、高感度の入力検出を行うことができる。   Further, in the display device with an input panel of the above embodiment, the magnetic detection type input panel 15 is composed of the liquid crystal display element 1 and the surface light source 12 arranged on the opposite side of the liquid crystal display element 1 from the observation side. Therefore, the illumination light irradiated from the surface light source 12 toward the liquid crystal display element 1 is applied to the semiconductor thin film 19 of each thin film Hall element 18 of the magnetic detection type input panel 15. Since the current flowing between the first and second electrodes 20 and 21 is increased and the Hall voltage is increased according to the current value, highly sensitive input detection can be performed.

(第2の実施形態)
図5はこの発明の第2の実施例を示す入力パネル付き表示装置の断面図である。なお、この実施例において、上記第1の実施例に対応するものには図に同符号を付し、実質的に同じものについてはその説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view of a display device with an input panel showing a second embodiment of the present invention. Note that in this embodiment, the same reference numerals are given to those corresponding to the first embodiment, and description of substantially the same components will be omitted.

この実施例の入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル15を、前記液晶表示素子1の観察側とは反対側に配置された面光源12の前記液晶表示素子と対向する側とは反対側(以下、後側という)に配置したものであり、他の構成は上記第1の実施例と同じである。   In the display device with an input panel of this embodiment, the magnetic detection type input panel 15 is the side facing the liquid crystal display element of the surface light source 12 arranged on the side opposite to the observation side of the liquid crystal display element 1. The other arrangement is the same as that of the first embodiment.

この入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル15を前記面光源12の後側に配置しているが、前記面光源12の導光板13にその入射端面13aから入射した光の一部が、前記導光板13の反射面13cを透過して後側に漏れるため、その漏れ光を、前記磁気検知型入力パネル15の各薄膜ホール素子18の半導体薄膜19に対して、前記第1と第2の電極20,21間に流される電流を増加させるように作用させ、その電流値に応じてホール電圧が高くなから、より高感度の入力検出を行うことができる。   In this display device with an input panel, the magnetic detection type input panel 15 is arranged on the rear side of the surface light source 12, but a part of the light incident on the light guide plate 13 of the surface light source 12 from the incident end surface 13 a. However, since the light passes through the reflecting surface 13c of the light guide plate 13 and leaks to the rear side, the leakage light is transmitted to the semiconductor thin film 19 of each thin film Hall element 18 of the magnetic detection type input panel 15 with respect to the first and the second. Since the current flowing between the second electrodes 20 and 21 is increased and the Hall voltage is increased according to the current value, more sensitive input detection can be performed.

(第3の実施形態)
図6及び図7はこの発明の第3の実施例を示しており、図6は磁気検知型入力パネルの平面図、図7は前記磁気検知型入力パネルの模式図である。なお、この実施例において、上記第1の実施例に対応するものには図に同符号を付し、実質的に同じものについてはその説明を省略する。
(Third embodiment)
6 and 7 show a third embodiment of the present invention. FIG. 6 is a plan view of the magnetic detection type input panel, and FIG. 7 is a schematic view of the magnetic detection type input panel. Note that in this embodiment, the same reference numerals are given to those corresponding to the first embodiment, and description of substantially the same components will be omitted.

この磁気検知型入力パネル15aは、基板16上に、上記第1の実施例と同じ構成の複数の薄膜ホール素子18を複数行及び複数列に配列させて配置したものであり、この実施例では、9個の薄膜ホール素子18を、行方向と列方向とにそれぞれ3つずつ配列させて配置している。   In this magnetic detection type input panel 15a, a plurality of thin film Hall elements 18 having the same configuration as that of the first embodiment are arranged on a substrate 16 and arranged in a plurality of rows and a plurality of columns. Nine thin film Hall elements 18 are arranged in three rows in the row direction and in the column direction, respectively.

そして、この磁気検知型入力パネル15aでは、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子18は、行毎に、隣合う薄膜ホール素子18,18のうちの一方の薄膜ホール素子18の第1の電極20と他方のホール素子18の第2の電極21とを、これらの電極20,21と一体に形成された行方向接続線26を介して互いに導通させて直列に接続している。   In the magnetic detection type input panel 15a, the plurality of thin film Hall elements 18 arranged in the plurality of rows and the plurality of columns is one thin film Hall element 18 of the adjacent thin film Hall elements 18 and 18 for each row. The first electrode 20 and the second electrode 21 of the other Hall element 18 are electrically connected to each other via a row-direction connection line 26 formed integrally with these electrodes 20 and 21 and connected in series. Yes.

また、前記基板16上の行方向の両端部には、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子18からなる各ホール素子行にそれぞれ対応させて複数の電流供給用端子28a,28bが形成されており、前記各ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20は、前記行方向の一端側に形成された各電流供給用端子28aにそれぞれ、これらの電極21及び端子28aと一体に形成された行方向リード線30aを介して接続され、前記各ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21は、前記行方向の他端側に形成された各電流供給用端子28bにそれぞれ、これらの電極22及び端子28bと一体に形成された行方向リード線30bを介して接続されている。   Further, at both ends in the row direction on the substrate 16, a plurality of current supply terminals 28 a and 28 b corresponding to each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements 18 connected in series for each row. The first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of each Hall element row is connected to each of the current supply terminals 28a formed at one end side in the row direction. The second electrode 21 of the thin film Hall element 18 at the other end of each Hall element row is formed on the other end side in the row direction, connected via a row direction lead wire 30a formed integrally with the terminal 28a. The current supply terminals 28b are connected to the electrodes 22 and the terminals 28b through row-direction lead wires 30b formed integrally with the electrodes 22 and the terminals 28b, respectively.

さらに、前記基板16上の周縁部、例えば行方向の一端部には、1つの接地端子32が形成され、前記行方向の他端部には、前記薄膜ホール素子18の数に対応した数の電圧検出用端子33a,33b.33c,33d,33e,33f,33g,33h.33iが形成されており、前記各薄膜ホール素子18の第3の電極22は、これらの薄膜ホール素子18の第3の電極22を共通接続する接地リード線34を介して前記1つの接地端子32に接続され、前記各薄膜ホール素子18の第4の電極23は、各薄膜ホール素子18毎に形成された複数の電圧出力リード線35を介して、これらの薄膜ホール素子18に対応する前記複数の電圧検出用端子33a〜33iにそれぞれ接続されている。   Further, one ground terminal 32 is formed on the peripheral edge of the substrate 16, for example, one end in the row direction, and the number corresponding to the number of the thin film Hall elements 18 is formed on the other end in the row direction. Voltage detection terminals 33a, 33b. 33c, 33d, 33e, 33f, 33g, 33h. 33i is formed, and the third electrode 22 of each thin film Hall element 18 is connected to the one ground terminal 32 via a ground lead wire 34 commonly connecting the third electrodes 22 of the thin film Hall elements 18. The fourth electrode 23 of each thin film Hall element 18 is connected to the plurality of thin film Hall elements 18 via a plurality of voltage output leads 35 formed for each thin film Hall element 18. Are respectively connected to the voltage detection terminals 33a to 33i.

そして、前記各ホール素子行はそれぞれ、前記電流供給用端子28a,28bを介して、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21との間に電流を流すための電流供給系40に接続されており、また、前記複数の薄膜ホール素子18はそれぞれ、これらの薄膜ホール素子18の第3の電極22と第4の電極23との間の電圧を、前記複数の薄膜ホール素子18毎に検出するための電圧検出系43に接続されている。   The Hall element rows are connected to the first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of the Hall element row and the thin film at the other end of the Hall element row via the current supply terminals 28a and 28b, respectively. A plurality of thin film Hall elements 18 are connected to a current supply system 40 for flowing a current between the Hall element 18 and the second electrode 21, respectively. The voltage between the electrode 22 and the fourth electrode 23 is connected to a voltage detection system 43 for detecting each of the plurality of thin film Hall elements 18.

前記電流供給系40は、図7のように、定電流電源41を備えており、磁気検知型入力パネル15aに対する入力(例えば、図1に示した磁石ペン43による入力)時に、前記電源41からの電流を、前記各ホール素子行に一括して供給する。   As shown in FIG. 7, the current supply system 40 includes a constant current power supply 41. When the input to the magnetic detection type input panel 15a (for example, input by the magnet pen 43 shown in FIG. 1), Current is supplied to each Hall element row at once.

また、前記電圧検出系43は、その構成は図示しないが、前記複数の薄膜ホール素子18の出力電圧を各薄膜ホール素子18毎に検出する複数(薄膜ホール素子18の数と同数)の電圧センサを備えており、これらの電圧センサによる電圧検出信号を出力する。   The voltage detection system 43 has a configuration (not shown), but a plurality of voltage sensors (the same number as the number of thin film Hall elements 18) for detecting the output voltage of the plurality of thin film Hall elements 18 for each thin film Hall element 18. The voltage detection signal by these voltage sensors is output.

この磁気検知型入力パネル15aは、基板16上に、複数の薄膜ホール素子18を、複数行及び複数列に配列させて配置し、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子18を、行毎に、隣合う薄膜ホール素子18,18のうちの一方の薄膜ホール素子18の第1の電極20と他方のホール素子18の第2の電極21とを互いに導通させて直列に接続し、前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子18からなる各ホール素子行をそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子18の第1の電極20と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子18の第2の電極21との間に電流を流すための電流供給系40に接続し、前記複数の薄膜ホール素子18をそれぞれ、これらの薄膜ホール素子18の第3の電極22と第4の電極23との間の電圧を、前記複数の薄膜ホール素子18毎に検出するための電圧検出系42に接続しているため、前記複数の薄膜ホール素子18にそれぞれ対応した複数の入力部への選択的な入力を行うことができる。   In this magnetic detection type input panel 15a, a plurality of thin film Hall elements 18 are arranged on a substrate 16 in a plurality of rows and columns, and a plurality of thin film Hall elements 18 arranged in the plurality of rows and columns. For each row, the first electrode 20 of one thin film Hall element 18 of the adjacent thin film Hall elements 18 and 18 and the second electrode 21 of the other Hall element 18 are connected to each other in series. Then, each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements 18 connected in series for each row is referred to as the first electrode 20 of the thin film Hall element 18 at one end of the Hall element row, and the Hall element row, respectively. The thin film Hall element 18 is connected to a current supply system 40 for passing a current between the thin film Hall element 18 and the second electrode 21 of the other end of the thin film Hall element 18. Electrode 2 And the fourth electrode 23 are connected to a voltage detection system 42 for detecting each of the plurality of thin film Hall elements 18, and therefore, a plurality of voltages corresponding to the plurality of thin film Hall elements 18 respectively. Selective input to the input unit can be performed.

(第4の実施形態)
図8はこの発明の第4の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図であり、この実施例の磁気検知型入力パネル15cは、上記第1の実施例の磁気検知型入力パネル15において、前記複数の薄膜ホール素子18の半導体薄膜19上にそれぞれ、n型アモルファスシリコン膜及び金属膜(またはITO膜)の成膜とこれらの膜のパターニングによりコンタクト層24及び第1〜第4の各電極20,21,22,23を形成する際に前記半導体薄膜19がダメージを受けるのを防ぐための窒化シリコン等からなるエッチングストッパ層25を設けたものである。
(Fourth embodiment)
FIG. 8 is a sectional view of a magnetic detection type input panel showing a fourth embodiment of the present invention. The magnetic detection type input panel 15c of this embodiment is the same as the magnetic detection type input panel 15 of the first embodiment. The contact layer 24 and the first to fourth layers are formed by forming an n-type amorphous silicon film and a metal film (or ITO film) on the semiconductor thin film 19 of the plurality of thin film Hall elements 18 and patterning these films, respectively. An etching stopper layer 25 made of silicon nitride or the like is provided to prevent the semiconductor thin film 19 from being damaged when the electrodes 20, 21, 22, 23 are formed.

(第5の実施形態)
図9はこの発明の第5の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図であり、この実施例の磁気検知型入力パネル15dは、上記第1の実施例の磁気検知型入力パネル15において、前記薄膜ホール素子18の半導体薄膜19を、複数の薄膜ホール素子18の配置領域の全体にわたって一枚膜上に形成するとともに、各薄膜ホール素子18にそれぞれ、上記第4の実施例と同様にエッチングストッパ層25を設けたものである。
(Fifth embodiment)
FIG. 9 is a sectional view of a magnetic detection type input panel showing a fifth embodiment of the present invention. The magnetic detection type input panel 15d of this embodiment is the same as the magnetic detection type input panel 15 of the first embodiment. The semiconductor thin film 19 of the thin film Hall element 18 is formed on a single film over the entire arrangement region of the plurality of thin film Hall elements 18, and each thin film Hall element 18 is formed in the same manner as in the fourth embodiment. An etching stopper layer 25 is provided.

(他の実施形態)
なお、上記実施例の入力パネル付き表示装置は、画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う表示素子として液晶表示素子を備え、この液晶表示素子の観察側とは反対側に面光源12を配置したものであるが、前記表示素子は、液晶表示素子に限らず、他の表示素子、例えば面光源を必要としない自発光型の表示素子でもよい。
(Other embodiments)
The display device with an input panel of the above embodiment is a liquid crystal display as a display element for performing image display and key display for displaying a key pattern indicating an input unit at a predetermined position in a screen area for displaying the image. The surface light source 12 is arranged on the side opposite to the viewing side of the liquid crystal display element. However, the display element is not limited to the liquid crystal display element, and other display elements such as a surface light source are required. It may be a self-luminous display element that does not.

すなわち、前記磁気検知型入力パネル15,15a,15c,15dを表示素子の観察側とは反対側に配置する場合、前記表示素子は、磁場の影響を受けず、且つ磁場を通過させるものであれば、液晶表示素子でも、誘起EL(エレクトロルミネッセンス)表示素子等の自発光型の表示素子でもよい。   That is, when the magnetic detection type input panels 15, 15a, 15c, and 15d are arranged on the side opposite to the viewing side of the display element, the display element is not affected by the magnetic field and allows the magnetic field to pass therethrough. For example, it may be a liquid crystal display element or a self-luminous display element such as an induced EL (electroluminescence) display element.

さらに、前記磁気検知型入力パネル15,15a,15c,15dは、表示素子の観察側に配置してもよく、その場合は表示素子に対する磁場の影響が極く小さいか、或いはほとんど無いため、表示素子は、液晶表示素子、誘起EL表示素子、プラズマ表示素子等のいずれでもよい。   Further, the magnetic detection type input panels 15, 15a, 15c, and 15d may be arranged on the observation side of the display element, and in that case, the influence of the magnetic field on the display element is very small or almost absent, The element may be any of a liquid crystal display element, an induced EL display element, a plasma display element, and the like.

また、前記磁気検知型入力パネル15,15a,15c,15dは、入力パネル付き表示装置に限らず、他の用途にも利用することができる。   The magnetic detection type input panels 15, 15a, 15c, and 15d are not limited to display devices with an input panel but can be used for other purposes.

この発明の第1の実施例を示す入力パネル付き表示装置の断面図。Sectional drawing of the display apparatus with an input panel which shows 1st Example of this invention. 第1の実施例の磁気検知型入力パネルの平面図。The top view of the magnetic detection type | mold input panel of a 1st Example. 薄膜ホール素子の電流−ホール電圧特性図。The current-Hall voltage characteristic view of a thin film Hall element. 第1の実施例の磁気検知型入力パネルの模式図。The schematic diagram of the magnetic detection type | mold input panel of a 1st Example. この発明の第2の実施例を示す入力パネル付き表示装置の断面図。Sectional drawing of the display apparatus with an input panel which shows 2nd Example of this invention. この発明の第3の実施例を示す磁気検知型入力パネルの平面図。The top view of the magnetic detection type | mold input panel which shows the 3rd Example of this invention. 第3の実施例の磁気検知型入力パネルの模式図。The schematic diagram of the magnetic detection type | mold input panel of a 3rd Example. この発明の第4の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図。Sectional drawing of the magnetic detection type | mold input panel which shows the 4th Example of this invention. この発明の第5の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図。Sectional drawing of the magnetic detection type | mold input panel which shows 5th Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…液晶表示素子、12…面光源、15,15a,15b,15c,15d…磁気検知型入力パネル、16…基板、17…下地膜、18…薄膜ホール素子、19…半導体薄膜、20…第1の電極、21…第2の電極、22…第3の電極、23…第4の電極、24…コンタクト層、37…保護膜、38,40…電流供給系、39,42…電圧検出系、43…磁石ペン。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display element, 12 ... Surface light source, 15, 15a, 15b, 15c, 15d ... Magnetic detection type input panel, 16 ... Substrate, 17 ... Base film, 18 ... Thin film Hall element, 19 ... Semiconductor thin film, 20th DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 electrode, 21 ... 2nd electrode, 22 ... 3rd electrode, 23 ... 4th electrode, 24 ... Contact layer, 37 ... Protective film, 38, 40 ... Current supply system, 39, 42 ... Voltage detection system 43 ... Magnetic pen.

Claims (8)

半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する2つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第1と第2の電極と、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域を挟んで前記2つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第3と第4の電極とからなる薄膜ホール素子が基板上に設けられていることを特徴とする磁気検知型入力パネル。   A semiconductor thin film and a first thin film formed in electrical connection with the semiconductor thin film with a predetermined interval between the semiconductor thin film and one of two directions perpendicular to each other. The semiconductor thin film is electrically connected to the other of the two directions with a predetermined interval between the first electrode and the second electrode, and the region between the first electrode and the second electrode of the semiconductor thin film. A thin film hole formed of a third electrode and a fourth electrode for detecting a Hall voltage generated by a magnetic field applied to a region between the first electrode and the second electrode of the semiconductor thin film. A magnetic detection type input panel, wherein an element is provided on a substrate. 基板上に、複数の薄膜ホール素子が、複数行及び複数列に配列させて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気検知型入力パネル。   2. The magnetic detection type input panel according to claim 1, wherein a plurality of thin film Hall elements are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns on the substrate. 複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子が、行毎に、隣合う薄膜ホール素子のうちの一方の薄膜ホール素子の第1の電極と他方のホール素子の第2の電極とを互いに導通させて直列に接続され、列毎に、隣合う薄膜ホール素子のうちの一方の薄膜ホール素子の第3の電極と他方のホール素子の第4の電極とを互いに導通させて直列に接続されており、
行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各ホール素子行がそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子の第1の電極と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子の第2の電極との間に、前記各ホール素子行毎に順次電流を流すための電流供給系に接続され、
列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各ホール素子列がそれぞれ、前記ホール素子列の一端の薄膜ホール素子の第3の電極と、前記ホール素子列の他端の薄膜ホール素子の第4の電極との間の電圧を、前記各ホール素子列毎に検出するための電圧検出系に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気検知型入力パネル。
A plurality of thin film Hall elements arranged in a plurality of rows and columns include, for each row, a first electrode of one thin film Hall element and a second electrode of the other Hall element among adjacent thin film Hall elements. Conductively connected to each other and connected in series, and for each column, the third electrode of one thin film Hall element of adjacent thin film Hall elements and the fourth electrode of the other Hall element are electrically connected to each other and connected in series. Has been
Each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements connected in series for each row includes a first electrode of a thin film Hall element at one end of the Hall element row and a thin film hole at the other end of the Hall element row. Connected to the second electrode of the element is connected to a current supply system for flowing current sequentially for each Hall element row;
Each Hall element array composed of the plurality of thin film Hall elements connected in series for each column includes a third electrode of the thin film Hall element at one end of the Hall element array and a thin film hole at the other end of the Hall element array. 3. The magnetic detection type input panel according to claim 2, wherein the magnetic detection type input panel is connected to a voltage detection system for detecting a voltage between the fourth electrode of each element and each Hall element array.
複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子が、行毎に、隣合う薄膜ホール素子のうちの一方の薄膜ホール素子の第1の電極と他方のホール素子の第2の電極とを互いに導通させて直列に接続されており、
行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各ホール素子行がそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子の第1の電極と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子の第2の電極との間に電流を流すための電流供給系に接続され、
前記複数の薄膜ホール素子がそれぞれ、これらの薄膜ホール素子の第3の電極と第4の電極との間の電圧を、前記複数の薄膜ホール素子毎に検出するための電圧検出系に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気検知型入力パネル。
A plurality of thin film Hall elements arranged in a plurality of rows and columns include, for each row, a first electrode of one thin film Hall element and a second electrode of the other Hall element among adjacent thin film Hall elements. Connected to each other in series,
Each Hall element row composed of the plurality of thin film Hall elements connected in series for each row includes a first electrode of a thin film Hall element at one end of the Hall element row and a thin film hole at the other end of the Hall element row. Connected to a current supply system for flowing current between the second electrode of the element,
Each of the plurality of thin film Hall elements is connected to a voltage detection system for detecting the voltage between the third electrode and the fourth electrode of each of the thin film Hall elements for each of the plurality of thin film Hall elements. The magnetic detection type input panel according to claim 2, wherein:
画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う表示素子と、
前記表示素子の観察側とその反対側のいずれか一方に配置され、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する2つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第1と第2の電極と、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域を挟んで前記2つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第1と第2の電極の間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第3と第4の電極とからなる薄膜ホール素子が基板上に設けられた磁気検知型入力パネルと、
を備えることを特徴とする入力パネル付き表示装置。
A display element for performing image display and key display for displaying a key pattern indicating an input unit at a predetermined position in a screen area for displaying the image;
The display element is disposed on either the observation side or the opposite side of the display element, and the semiconductor thin film is electrically connected to the semiconductor thin film by providing a predetermined interval between one of the two directions perpendicular to each other. First and second electrodes for allowing current to flow between each other, and the region between the first and second electrodes of the semiconductor thin film sandwiching the region between the two directions A hole generated by a magnetic field applied to a region between the first and second electrodes of the semiconductor thin film, which is formed to be electrically connected to the semiconductor thin film with a predetermined interval between them. A magnetic detection type input panel in which a thin film Hall element composed of third and fourth electrodes for detecting a voltage is provided on a substrate;
A display device with an input panel.
表示素子は、光の透過を制御して画像及びキーパターンを表示する液晶表示素子であり、前記液晶表示素子の観察側とは反対側に、前記液晶表示素子に向けて照明光を照射する面光源が配置されていることを特徴とする請求項5に記載の入力パネル付き表示装置。   The display element is a liquid crystal display element that displays an image and a key pattern by controlling transmission of light, and a surface that irradiates illumination light toward the liquid crystal display element on a side opposite to an observation side of the liquid crystal display element The display device with an input panel according to claim 5, wherein a light source is disposed. 磁気検知型入力パネルは、液晶表示素子と面光源との間に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の入力パネル付き表示装置。   The display device with an input panel according to claim 6, wherein the magnetic detection type input panel is disposed between the liquid crystal display element and the surface light source. 磁気検知型入力パネルは、面光源の液晶表示素子と対向する側とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の入力パネル付き表示装置。   The display device with an input panel according to claim 6, wherein the magnetic detection type input panel is arranged on a side opposite to the side facing the liquid crystal display element of the surface light source.
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