JP2009081440A - Adhesive sheet used in method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device obtained by the same method - Google Patents
Adhesive sheet used in method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device obtained by the same method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009081440A JP2009081440A JP2008270166A JP2008270166A JP2009081440A JP 2009081440 A JP2009081440 A JP 2009081440A JP 2008270166 A JP2008270166 A JP 2008270166A JP 2008270166 A JP2008270166 A JP 2008270166A JP 2009081440 A JP2009081440 A JP 2009081440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacturing
- adhesive sheet
- semiconductor element
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 238
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 131
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 25
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 24
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 claims description 15
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 15
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 229920006222 acrylic ester polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000143060 Americamysis bahia Species 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxynaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C(OC(=O)C=C)C=CC2=C1 YYIOIHBNJMVSBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCOC(=O)C=C CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSZCJJRQCFZXCI-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCOC(=O)C=C JSZCJJRQCFZXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical group O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O Chemical compound OCCC=CC(=O)OP(O)(O)=O NYXVMNRGBMOSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XPNLOZNCOBKRNJ-UHFFFAOYSA-N ethyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C XPNLOZNCOBKRNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVYLCNUFSHDAAW-UHFFFAOYSA-N mirex Chemical compound ClC12C(Cl)(Cl)C3(Cl)C4(Cl)C1(Cl)C1(Cl)C2(Cl)C3(Cl)C4(Cl)C1(Cl)Cl GVYLCNUFSHDAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CCCS(O)(=O)=O AAYRWMCIKCRHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、当該方法に用いる接着シート及び当該方法により得られる半導体装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, an adhesive sheet used in the method, and a semiconductor device obtained by the method.
半導体装置の微細化、高機能化の要求に対応すべく、半導体チップ（半導体素子）主面の全域に配置された電源ラインの配線幅や信号ライン間の間隔が狭くなってきている。この為、インピーダンスの増加や、異種ノードの信号ライン間での信号の干渉が生じ、半導体チップの動作速度、動作電圧余裕度、耐静電破壊強度等に於いて、十分な性能の発揮を阻害する要因となっている。これらの問題を解決する為、半導体素子を積層したパッケージ構造が提案されている（下記、特許文献１及び特許文献２参照）。
In order to meet the demand for miniaturization and higher functionality of semiconductor devices, the wiring width of power supply lines and the interval between signal lines arranged over the entire main surface of a semiconductor chip (semiconductor element) are becoming narrower. For this reason, an increase in impedance and signal interference between signal lines of different types of nodes occur, impairing the performance of semiconductor chips in terms of operating speed, operating voltage margin, resistance to electrostatic breakdown, etc. Is a factor. In order to solve these problems, a package structure in which semiconductor elements are stacked has been proposed (see Patent Document 1 and
一方、半導体素子を基板等に固着する際に使用されるものとしては、熱硬化性ペースト樹脂を用いる例（例えば、下記特許文献３参照）や、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を併用した接着シートを用いる例（例えば、下記特許文献４参照）が提案されている。 On the other hand, what is used when fixing a semiconductor element to a substrate or the like is an example using a thermosetting paste resin (for example, see Patent Document 3 below), or an adhesion using a thermoplastic resin and a thermosetting resin in combination. An example using a sheet (for example, see Patent Document 4 below) has been proposed.
従来の半導体装置の製造方法に於いては、半導体素子と、基板、リードフレーム又は半導体素子との接着に際し、接着シート又は接着剤を使用する。接着は、半導体素子と基板等との圧着の後（ダイアタッチ）、接着シート等を加熱工程により硬化させて行う。さらに半導体素子と基板とを電気的に接続する為にワイヤーボンディングを行い、その後に封止樹脂でモールドし、後硬化して当該封止樹脂の封止を行う。 In a conventional method for manufacturing a semiconductor device, an adhesive sheet or an adhesive is used for bonding a semiconductor element and a substrate, a lead frame, or the semiconductor element. Adhesion is performed after the semiconductor element is bonded to the substrate or the like (die attach), and then the adhesive sheet or the like is cured by a heating process. Further, wire bonding is performed to electrically connect the semiconductor element and the substrate, and thereafter, molding is performed with a sealing resin, followed by post-curing to seal the sealing resin.
近年、半導体素子の薄型化・小型化に伴い、半導体素子の厚さが従来の２００μｍからそれ以下へ、更には１００μｍ以下にまで薄層化している現状がある。１００μｍ以下の半導体素子を用いてダイアタッチを行うと、該半導体素子に反りが発生することがある。その結果、ダイアタッチ後の半導体素子と被着体との間に空隙が生じる場合がある。空隙を残したまま半導体装置を製造すると、その信頼性が低下するという問題がある。 In recent years, with the reduction in thickness and size of semiconductor elements, the thickness of semiconductor elements has been reduced from the conventional 200 μm to less than that, and further to 100 μm or less. When die attach is performed using a semiconductor element of 100 μm or less, the semiconductor element may be warped. As a result, a gap may be generated between the semiconductor element after die attachment and the adherend. If a semiconductor device is manufactured with a gap left, there is a problem that the reliability is lowered.
本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、従来の製造工程を変更することなく、高信頼性の半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a highly reliable semiconductor device without changing the conventional manufacturing process, and the method. It is providing the adhesive sheet used for this, and the semiconductor device obtained by the said method.
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置について鋭意検討した。その結果、下記構成とすることにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。 In order to solve the above-described conventional problems, the inventors of the present application have made extensive studies on a semiconductor device manufacturing method, an adhesive sheet used in the method, and a semiconductor device obtained by the method. As a result, the inventors have found that the object can be achieved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.
即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子を被着体上に接着シートを介して仮固着する仮固着工程と、前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程とを含み、前記接着シートとして１７５℃での損失弾性率が２０００Ｐａ以上のものを使用することを特徴とする。 That is, in order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a temporary fixing step of temporarily fixing a semiconductor element on an adherend via an adhesive sheet, and wire bonding to the semiconductor element. And a step of sealing the semiconductor element with a sealing resin, wherein the adhesive sheet has a loss elastic modulus at 175 ° C. of 2000 Pa or more.
前記の方法に於いては、前記封止工程に於いて加熱により封止樹脂を硬化させると共に、前記接着シートを介して半導体素子と被着体とを固着させることが好ましい。 In the above method, it is preferable that the sealing resin is cured by heating in the sealing step, and the semiconductor element and the adherend are fixed to each other through the adhesive sheet.
また、前記の方法に於いては、前記封止樹脂の後硬化を行う後硬化工程を含み、前記封止工程及び／又は後硬化工程に於いて、加熱により封止樹脂を硬化させると共に、前記接着シートを介して半導体素子と被着体とを固着させることが好ましい。 Further, the method includes a post-curing step of performing post-curing of the sealing resin, and in the sealing step and / or the post-curing step, the sealing resin is cured by heating, It is preferable to fix the semiconductor element and the adherend through an adhesive sheet.
また、前記封止工程は、１５０℃〜２００℃の範囲内で行われるのが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said sealing process is performed within the range of 150 to 200 degreeC.
また、前記の方法に於いて、前記封止後の半導体素子と被着体との間の接着面積が９０％以上であることが好ましい。 In the above method, the adhesion area between the semiconductor element after sealing and the adherend is preferably 90% or more.
また、前記の方法に於いて、前記被着体は、基板、リードフレーム又は半導体素子であることが好ましい。 In the above method, the adherend is preferably a substrate, a lead frame, or a semiconductor element.
前記の方法に於いて、前記被着体が半導体素子である場合に、半導体素子と半導体素子との間に、前記接着シートを介してスペーサを積層する工程を含むことができる。 In the above method, when the adherend is a semiconductor element, the method may include a step of stacking a spacer between the semiconductor element and the semiconductor element via the adhesive sheet.
前記接着シートとして、熱可塑性樹脂を含むものを使用することができる。 As the adhesive sheet, one containing a thermoplastic resin can be used.
また、前記接着シートとして、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の双方を含むものを使用することができる。 Moreover, what contains both a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used as the said adhesive sheet.
ここで、前記熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂を使用するのが好ましい。 Here, it is preferable to use an acrylic resin as the thermoplastic resin.
また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂を使用するのが好ましい。 Moreover, it is preferable to use an epoxy resin and / or a phenol resin as the thermosetting resin.
更に、前記接着シートとしては、架橋剤が添加されているものを使用するのが好ましい。 Furthermore, as the adhesive sheet, it is preferable to use a sheet to which a crosslinking agent is added.
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る接着シートは、前記半導体装置の製造方法に於いて使用されるものであることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the adhesive sheet according to the present invention is used in the method for manufacturing a semiconductor device.
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置は、前記半導体装置の製造方法により得られたものであることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor device according to the present invention is obtained by the method for manufacturing a semiconductor device.
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、従来の製造方法の様に、半導体素子と被着体との貼り合わせ当初から接着シートを固着させると、半導体素子と被着体との間に空隙が生じた場合には、これを塞ぐことが困難になる。該空隙は、半導体素子の薄型化に伴い、凹状または凸状に反った状態になることに起因して生じるものである。よって本発明に於いては、半導体素子と被着体との貼り合わせは、接着シートを完全固着させずに仮固着の状態に留めておく。そして、半導体素子の封止工程に於いて固着させる。この封止工程に於いては、例えば１５０℃〜２００℃の範囲内で樹脂封止が行われると、接着シートの流動性が除々に低くなり固着の状態に向かう。その過程で封止樹脂から接着シートに加わる圧力が、半導体素子の反りを低減し空隙を塞ぐ力として作用する。この結果、半導体素子が隙間無く被着体に接着固定して、高信頼性の半導体装置を製造することが可能となる。
The present invention has the following effects by the means described above.
That is, when the adhesive sheet is fixed from the beginning of the bonding of the semiconductor element and the adherend as in the conventional manufacturing method, if a gap is generated between the semiconductor element and the adherend, this is blocked. It becomes difficult. The void is generated due to the concave or convex warpage as the semiconductor element becomes thinner. Therefore, in the present invention, the bonding of the semiconductor element and the adherend is kept in a temporarily fixed state without completely fixing the adhesive sheet. And it fixes in the sealing process of a semiconductor element. In this sealing step, when resin sealing is performed within a range of 150 ° C. to 200 ° C., for example, the fluidity of the adhesive sheet is gradually lowered and the state of fixation is reached. In this process, pressure applied from the sealing resin to the adhesive sheet acts as a force for reducing the warp of the semiconductor element and closing the gap. As a result, the semiconductor element can be bonded and fixed to the adherend without a gap, and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.
かかる効果は、前記半導体素子の上に１又は２以上の半導体素子を、前記接着シートを介して積層する場合や、必要に応じて、前記半導体素子と半導体素子との間に前記接着シートを介してスペーサを積層する場合にも同様に奏する。また、前記の製造工程の簡略化は、複数の半導体素子等の３次元実装に於いて、製造効率の一層の向上を図ることができる。 Such an effect is obtained by laminating one or more semiconductor elements on the semiconductor element via the adhesive sheet or, if necessary, via the adhesive sheet between the semiconductor element and the semiconductor element. The same applies to the case where the spacers are stacked. The simplification of the manufacturing process can further improve the manufacturing efficiency in the three-dimensional mounting of a plurality of semiconductor elements.
（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。
(Embodiment 1)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, parts that are not necessary for the description are omitted, and some parts are illustrated by being enlarged or reduced for easy explanation.
本発明の実施の形態について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にする為に拡大又は縮小等して図示した部分がある。以上のことは、以下の図面に対しても同様である。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a process diagram for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment. However, parts that are not necessary for the description are omitted, and there are parts that are illustrated in an enlarged or reduced manner for ease of explanation. The same applies to the following drawings.
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子１３を基板又はリードフレーム（被着体、以下単に基板等と称する）１１上に接着シート１２で仮固着する仮固着工程と、半導体素子１３にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、半導体素子１３を封止樹脂１５で封止する封止工程とを含む。
The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment includes a temporary fixing step of temporarily fixing a
前記仮固着工程は、図１（ａ）に示すように、半導体素子１３を、接着シート１２を介して基板等１１に仮固着する工程である。半導体素子１３を基板等１１上に仮固着する方法としては、例えば基板等１１上に接着シート１２を積層した後、接着シート１２上に、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子１３を順次積層して仮固着する方法が挙げられる。また、予め接着シート１２が仮固着された半導体素子１３を基板等１１に仮固着して積層してもよい。
The temporary fixing step is a step of temporarily fixing the
尚、本発明に於いて、半導体素子１３の厚さは特に限定されない。通常、その厚さは２００μｍ以下であるが、本発明に於いては例えば厚さが１００μｍ以下、更には厚さが２５から５０μｍの半導体素子にも対応可能である。薄型化した半導体素子１３を基板等１１に仮固着すると、半導体素子１３が凹状または凸状に反った状態になることがある。その結果、基板等１１との間に隙間が生じ、高信頼性の半導体装置が得られないという不具合が生じる。しかし、本発明に於いては、後述の封止工程を行うことにより半導体素子１３を基板等１１に固着すると共に、当該隙間を塞ぐことが可能となる。その詳細については後述する。
In the present invention, the thickness of the
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。 A conventionally well-known thing can be used as said board | substrate. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by mounting a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element.
前記接着シート１２としては、１７５℃に於ける損失弾性率が２０００Ｐａ以上のものを使用し、より好ましくは２０００〜１×１０６Ｐａの範囲内のものを使用する。損失弾性率とは粘弾性体に加えられたエネルギーの内で、いったん貯蔵された後、熱として失われるエネルギーの尺度であり、熱として失われたエネルギーを弾性率に換算して表したものである。エネルギー損失は摩擦エネルギーの形で失われ、摩擦が大きければエネルギー損失が大きくなる。損失弾性率は、動的粘度に角周波数を乗じて得られる。一般に樹脂組成物に熱を加えると、損失弾性率はその硬化反応とともに上昇するが、ある程度硬化が進み固体に近づくと、樹脂組成物の粘性成分が減少する結果、動的粘度が減少しはじめる。故に、損失弾性率が減少するということは、ある程度硬化反応が進行し、固体になりつつある状態のことを意味する。本発明に於いて、接着シート１２の１７５℃に於ける損失弾性率は２０００Ｐａ以上であるので、後述の封止工程の際には流動性が低くなり固着の状態近づく。その際、樹脂封止に於いて加わる圧力は、一定程度の剛性を有するに至った接着シートを介して空隙を埋める圧力となる。この結果、半導体素子１３と基板等１１との間に存在する空隙を低減し、高信頼性の半導体装置を製造することが可能となる。また、半導体素子の一層の薄型化にも対応することができる。
The
また接着シート１２としては、仮固着時の剪断接着力が基板等１１に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。接着シート１２の剪断接着力を０．２ＭＰａ以上とすると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着シート１２と半導体素子１３又は基板等１１との接着面でのずり変形の発生を抑制できる。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子１３が動くのを抑制し、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。尚、接着シート１２については、後段に於いて更に詳述する。
Moreover, as the
前記ワイヤーボンディング工程は、基板等１１の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子１３上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する工程である（図１（ｂ）参照）。前記ボンディングワイヤー１６としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。
The wire bonding step is a step of electrically connecting a tip of a terminal portion (inner lead) of the
本工程は、接着シート１２による固着を行うことなく実行される。また、本工程の過程で接着シート１２により半導体素子１３と基板等１１とが固着することはない。ここで、接着シート１２の剪断接着力は、８０〜２５０℃の温度範囲内であっても、０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。当該温度範囲内で剪断接着力が０．２ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下する場合があるからである。
This step is performed without fixing with the
前記封止工程は、封止樹脂１５により半導体素子１３を封止する工程である（図１（ｃ）参照）。本工程は、基板等１１に搭載された半導体素子１３やボンディングワイヤー１６を保護する為に行われる。本工程は、例えば封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂１５としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１５０〜２００℃で数分間キュアすることができる。また本工程に於いては、樹脂封止の際に加圧してもよい。この場合、加圧する圧力は１〜１５ＭＰａであることが好ましく、３〜１０ＭＰａであることがより好ましい。当該範囲内で圧力を加えると、半導体素子１３と基板等１１との間に存在する空隙を確実に塞ぐことができる（他にも効果があれば追記をお願いいたします）。これにより、接着シート１２を介して半導体素子１３と基板等１１とを固着すると共に、両者の間に存在する空隙を塞ぐことができる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いて接着シート１２による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。ここで、基板等１１と半導体素子１３との接着面積は９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。接着面積が９０％未満であると、耐湿信頼性に於いて不具合が生じる場合があるからである。尚、接着面積とは、半導体素子１３と基板等１１とが接着シート１２を介して接している領域を言い、接着シート１２が何れか一方にのみ接着している領域は含まない。
The sealing step is a step of sealing the
本発明に於いては、封止工程の後に、封止樹脂１５をアフターキュアする後硬化工程を行っても良い。本工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂１５を完全に硬化させる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１５０〜２００℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
In the present invention, a post-curing step of after-curing the sealing
次に、接着シート１２について詳述する。接着シート１２は、１７５℃での損失弾性率が２０００Ｐａ以上であれば、その構成は特に限定されない。具体的には、例えば接着剤層の単層のみからなる接着シートや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造の接着シート等が挙げられる。ここで、前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフイルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。これらのコア材料のうち、１７５℃での損失弾性率が２０００Ｐａ以上とする為には、接着剤層の構成材料との組み合わせにもよるが、例えば架橋された熱可塑性樹脂等を用いるのが好ましい。架橋することにより流動性が低下するからである。また、接着シートとダイシングシートとの一体型のものも使用することができる。
Next, the
前記接着剤層は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂単独でも使用可能である。 The adhesive layer is a layer having an adhesive function, and examples of the constituent material thereof include a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin. A thermoplastic resin alone can also be used.
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリプタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ボリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂またはフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。ここで、１７５℃に於ける損失弾性率を２０００Ｐａ以上とする為には、前記材料のうち架橋性官能基を有しているアクリル樹脂等を採用するのが好ましい。 Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polyptadiene resin, polycarbonate resin, heat Examples thereof include plastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6 nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable. Here, in order to set the loss elastic modulus at 175 ° C. to 2000 Pa or more, it is preferable to employ an acrylic resin having a crosslinkable functional group among the materials.
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。 The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples thereof include polymers as components. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, and 2-ethylhexyl. Group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, or dodecyl group.
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。 In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂．アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。 Examples of the thermosetting resin include phenol resin. An amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, a thermosetting polyimide resin, or the like can be given. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型，ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type. , Biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc. Type or glycidylamine type epoxy resin is used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.
さらに前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。 Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples thereof include polyphenol styrene such as type phenol resin and polyparaoxy styrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。 The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
なお、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着シートが特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜２００重量部である。 In the present invention, an adhesive sheet containing an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin is particularly preferable. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured. In this case, the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is 10 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic resin component.
本発明の接着シート１２は、予めある程度架橋をさせておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。
Since the
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、このようなポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。 A conventionally well-known thing can be employ | adopted as said crosslinking agent. Particularly preferred are polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate. The addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive force is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it contain other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with such a polyisocyanate compound as needed.
また、本発明の接着シート１２には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機重点材としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鈴、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリ力が好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。
In addition, an inorganic filler can be appropriately blended in the
前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し０〜８０重量％に設定することが好ましい。特に好ましくは０〜７０重量％である。 The blending amount of the inorganic filler is preferably set to 0 to 80% by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. Particularly preferably, it is 0 to 70% by weight.
なお、本発明の接着シート１２には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば灘燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。
In addition to the said inorganic filler, another additive can be suitably mix | blended with the
前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。 Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
前記シランカップリング剤としては、例えば、６‐（３，４‐エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。 Examples of the silane coupling agent include 6- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。 Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.
（実施の形態２）
本発明に形態２に係る半導体装置の製造方法について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
(Embodiment 2)
A method for manufacturing a semiconductor device according to
本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態１に係る半導体装置と比較して、複数の半導体素子を積層して３次元実装とした点が異なる。より詳細には、半導体素子の上に他の半導体素子を、前記接着シートを介して積層する工程を含む点が異なる。 The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in that a plurality of semiconductor elements are stacked to achieve three-dimensional mounting. More specifically, it differs in that it includes a step of laminating another semiconductor element on the semiconductor element via the adhesive sheet.
先ず、図２（ａ）に示すように、所定のサイズに切り出した少なくとも１つ以上の接着シート１２を被着体である基板等１１に貼り付ける。次に、接着シート１２上に半導体素子１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。（図２（ｂ）参照）。さらに、半導体素子１３上に、その電極パッド部分を避けて接着シート１４を貼り付ける（図２（ｃ）参照）。さらに、接着シート１４上に、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子１３を仮固着する（図２（ｄ）参照）。
First, as shown in FIG. 2A, at least one
次に、図２（ｅ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子１３に於ける電極パッドと基板等１１とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 2E, a wire bonding step is performed. Thereby, the electrode pad in the
続いて、封止樹脂により半導体素子１３を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート１２・１４により基板等１１と半導体素子１３との間、及び半導体素子１３同士の間に生じている隙間を塞ぐ。当該封止工程の後には、後硬化工程を行ってもよい。
Subsequently, a sealing step of sealing the
本実施の形態によれば、半導体素子の３次元実装の場合に於いても、基板等１１と半導体素子１３等との間の隙間を埋めるので、高信頼性の半導体装置を歩留まり良く製造できる。また、半導体素子１３等を基板等１１に隙間なく確実に接着固定できるので、半導体素子の一層の薄型化も可能になる。
According to the present embodiment, even in the case of three-dimensional mounting of semiconductor elements, the gap between the
（実施の形態３）
本実施の形態の３に係る半導体装置の製造方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
(Embodiment 3)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a process diagram for explaining the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態２に係る半導体装置と比較して、積層した半導体素子間にスペーサを介在させた点が異なる。より詳細には、半導体素子と半導体素子との間に、接着シートを介してスペーサを積層する工程を含む点が異なる。 The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the second embodiment in that a spacer is interposed between stacked semiconductor elements. More specifically, it differs in that it includes a step of laminating a spacer via an adhesive sheet between the semiconductor elements.
先ず、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、前記実施の形態２と同様にして、基板等１１上に接着シート１２、半導体素子１３及び接着シート１４を順次積層して仮固着する。さらに、接着シート１４上に、スペーサ２１、接着シート１４及び半導体素子１３を順次積層して仮固着する（図３（ｄ）〜（ｆ）参照）。
First, as shown in FIGS. 3A to 3C, the
次に、図３（ｇ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子１３に於ける電極パッドと基板等１１とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 3G, a wire bonding step is performed. Thereby, the electrode pad in the
次に、封止樹脂により半導体素子１３を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート１４により基板等１１と半導体素子１３との間、及び半導体素子１３同士の間に生じている隙間を塞ぐ。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。
Next, a sealing step of sealing the
なお、前記スペーサ２１としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ボリイミドフイルム等を用いることができる。
The
（実施の形態４）
本実施の形態４に係る半導体装置の製造方法について、図４を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
(Embodiment 4)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
先ず、図４（ａ）に示すように、接着シート１２’を半導体ウェハ１３’の裏面に貼り付けて接着シート付きの半導体ウェハを作製する。次に、半導体ウェハ１３’にダイシングテープ３３に貼り合わせる（図４（ｂ）参照）。さらに、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし（図４（ｃ）参照）、ダイシングテープ３３から接着剤が付いたチップを剥離する。
First, as shown in FIG. 4A, an adhesive sheet 12 'is attached to the back surface of the semiconductor wafer 13' to produce a semiconductor wafer with an adhesive sheet. Next, the semiconductor wafer 13 'is bonded to the dicing tape 33 (see FIG. 4B). Further, the semiconductor wafer with the adhesive sheet is diced to a predetermined size to form a chip (see FIG. 4C), and the chip with the adhesive is peeled from the dicing
次に、図４（ｄ）に示すように、接着シート１２が付いた半導体素子１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして基板等１１上に仮固着する。さらに、接着シート３１が付いた大きさの異なる半導体素子３２を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子１３上に仮固着する。
Next, as shown in FIG. 4D, the
次に、図４（ｅ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子１３・３２に於ける電極パッドと基板等１１とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 4E, a wire bonding step is performed. As a result, the electrode pads and the
次に、封止樹脂により半導体素子１３・３２を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート１２・３１により基板等１１と半導体素子１３との間、及び半導体素子１３と半導体素子３２との間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。
Next, a sealing step of sealing the
（実施の形態５）
本実施の形態５に係る半導体装置の製造方法について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
(Embodiment 5)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、前記実施の形態４に係る半導体装置の製造方法と比較して、ダイシングテープ３３上に接着シート１２’を積層した後、更に接着シート１２’上に半導体ウェハ１３’を積層した点が異なる。
Compared with the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment, the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment further includes a step of laminating the
先ず、図５（ａ）に示すように、ダイシングテープ３３上に接着シート１２’を積層する。さらに、接着シート１２’上に半導体ウェハ１３’を仮固着する（図５（ｂ）参照）。さらに、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし（図５（ｃ）参照）、ダイシングテープ３３から接着剤が付いたチップを剥離する。
First, as shown in FIG. 5A, the
次に、図５（ｄ）に示すように、接着シート１２が付いた半導体素子１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして基板等１１上に仮固着する。さらに、接着シート３１が付いた大きさの異なる半導体素子３２を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子１３上に仮固着する。この際、半導体素子３２の固着は、下段の半導体素子１３の電極パッド部分を避けて行われる。
Next, as shown in FIG. 5D, the
次に、図５（ｅ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子１３・３２に於ける電極パッドと基板等１１に於ける内部接続用ランドとをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。
Next, as shown in FIG.5 (e), a wire bonding process is performed. As a result, the electrode pads in the
次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート１２・３１により基板等１１と半導体素子１３との間、及び半導体素子１３と半導体素子３２との間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。
Next, a sealing step of sealing the semiconductor element with a sealing resin is performed to cure the sealing resin, and between the
（実施の形態６）
本実施の形態６に係る半導体装置の製造方法について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。図７は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法により得られた半導体装置の概略を示す断面図である。
(Embodiment 6)
A method for manufacturing a semiconductor device according to the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor device obtained by the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態３に係る半導体装置と比較して、スペーサとしてコア材料を採用した点が異なる。 The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the third embodiment in that a core material is employed as a spacer.
先ず、前記実施の形態５と同様にして、ダイシングテープ３３上に接着シート１２’を積層する。さらに、接着シート１２’上に半導体ウェハ１３’を貼り付ける。さらに、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし、ダイシングテープ３３から接着剤が付いたチップを剥離する。これにより、接着シート１２を備えた半導体素子１３を得る。
First, the
他方、ダイシングテープ３３の上に接着シート４１を形成し、該接着シート４１上にコア材料４２を貼り付ける。さらに、所定のサイズとなる様にダイシングしてチップ状にし、ダイシングテープ３３から接着剤が付いたチップを剥離する。これにより、接着シート４１’を備えたチップ状のコア材料４２’を得る。
On the other hand, the
次に、前記半導体素子１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様に、基板等１１上に接着シート１２を介して仮固着する。さらに、半導体素子１３上に接着シート４１’を介してコア材料４２’を固着する。さらに、コア材料４２’上に接着シート１２を介して半導体素子１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様に仮固着する。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。
Next, the
次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子１３に於ける電極パッドと基板等１１に於ける内部接続用ランドとをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する（図７参照）。
Next, a wire bonding process is performed. Thereby, the electrode pads in the
次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート１２・４１’により基板等１１と半導体素子１３との間、及び半導体素子１３とコア材料４２’との間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。
Next, a sealing step of sealing the semiconductor element with the sealing resin is performed to cure the sealing resin, and between the
なお、前記コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフイルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。 In addition, it does not specifically limit as said core material, A conventionally well-known thing can be used. Specifically, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a mirror silicon wafer, a silicon substrate or A glass substrate or the like can be used.
（実施の形態７）
本実施の形態７に係る半導体装置の製造方法について、図８を参照しながら説明する。図８は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
(Embodiment 7)
A method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a process diagram for explaining the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、前記実施の形態６に係る半導体装置の製造方法と比較して、コア材料のダイシングに替えて、打ち抜き等によりチップ化した点が異なる。 The manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment is different from the manufacturing method of the semiconductor device according to the sixth embodiment in that a chip is formed by punching or the like instead of dicing the core material.
先ず、前記実施の形態６と同様にして、接着シート１２を備えた半導体素子１３を得る。他方、接着シート４１上にコア材料４２を貼り付ける。さらに、所定のサイズとなる様に打ち抜き等によりチップ状にし、接着シート４１’を備えたチップ状のコア材料４２’を得る。
First, the
次に、前記実施の形態６と同様にして、接着シート１２・４１’を介してコア材料４２’及び半導体素子１３を順次積層して仮固着する。
Next, in the same manner as in the sixth embodiment, the
さらに、ワイヤーボンディング工程、封止工程、必要に応じて後硬化工程を行い、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。 Furthermore, a wire bonding step, a sealing step, and a post-curing step as necessary can be performed to obtain the semiconductor device according to the present embodiment.
（その他の事項）
前記基板等上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
(Other matters)
When a semiconductor element is three-dimensionally mounted on the substrate or the like, a buffer coat film is formed on the surface side where the circuit of the semiconductor element is formed. Examples of the buffer coat film include those made of a heat resistant resin such as a silicon nitride film or a polyimide resin.
また、半導体素子の３次元実装の際に、各段で使用される接着シートは同一組成からなるものに限定されず、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。 In addition, the adhesive sheet used at each stage when the semiconductor element is three-dimensionally mounted is not limited to the one having the same composition, and can be appropriately changed according to the manufacturing conditions and applications.
また、前記実施の形態に於いて述べた積層方法は例示的に述べたものであって、必要に応じて適宜変更が可能である。例えば、前記実施の形態２に係る半導体装置の製造方法に於いては、２段目以降の半導体素子を前記実施の形態３に於いて述べた積層方法で積層することも可能である。 In addition, the lamination method described in the above embodiment has been described by way of example, and can be appropriately changed as necessary. For example, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, the semiconductor elements in the second and subsequent stages can be stacked by the stacking method described in the third embodiment.
また、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。 Further, in the above-described embodiment, the mode in which the wire bonding process is performed collectively after laminating a plurality of semiconductor elements on a substrate or the like has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it is possible to perform a wire bonding process every time a semiconductor element is stacked on a substrate or the like.
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified.
（実施例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤３部、エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、エビコート１００４）２３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ‐ＬＬ）６部、をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０重量％の接着剤組成物の溶液を調整した。
Example 1
3 parts of a polyfunctional isocyanate-based crosslinking agent and 100 parts of an epoxy resin (Japan Epoxy Resin) with respect to 100 parts of an acrylate-based polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., Paracron W-197CM) mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate Co., Ltd., Shrimp Coat 1004) 23 parts and phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Mirex XLC-LL) 6 parts were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a solution of an adhesive composition having a concentration of 20% by weight.
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）からなる離型処理フィルム上に塗布した。さらに、１２０℃で３分間乾燥させたことにより、厚さ２５μｍの本実施例１に係る接着シートを作製した。 This adhesive composition solution was applied onto a release-treated film composed of a polyethylene terephthalate film (thickness 50 μm) subjected to silicone release treatment as a release liner. Furthermore, the adhesive sheet which concerns on this Example 1 with a thickness of 25 micrometers was produced by making it dry at 120 degreeC for 3 minute (s).
（実施例２）
本実施例２に於いては、実施例１にて使用したアクリル酸エステル系ポリマーに替えて、ブチルアクリレートを主成分としたポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＳＮ−７１０）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例２に係る接着シート（厚さ２５μｍ）を作製した。
(Example 2)
In Example 2, instead of the acrylic ester polymer used in Example 1, a polymer mainly composed of butyl acrylate (manufactured by Negami Industrial Co., Ltd., Paracron SN-710) was used. In the same manner as in Example 1, an adhesive sheet (thickness 25 μm) according to Example 2 was produced.
（比較例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部に対して、エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、エビコート１００４）２３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ‐ＬＬ）６部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０重量％の接着剤組成物の溶液を調整した。
(Comparative Example 1)
Epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Shrimp Coat 1004) 23 with respect to 100 parts of an acrylic ester polymer (Paracron W-197CM, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate. Part of a phenol resin (Milex Chemical Co., Ltd., Milex XLC-LL) was dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a solution of an adhesive composition having a concentration of 20% by weight.
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）からなる離型処理フィルム上に塗布した。さらに、１２０℃で３分間乾燥させたことにより、比較例１に係る接着シート（厚さ２５μｍ）を作製した。 This adhesive composition solution was applied onto a release-treated film composed of a polyethylene terephthalate film (thickness 50 μm) subjected to silicone release treatment as a release liner. Furthermore, the adhesive sheet (thickness 25 micrometers) which concerns on the comparative example 1 was produced by making it dry at 120 degreeC for 3 minute (s).
（比較例２）
比較例２に於いては、前記比較例１にて使用したアクリル酸エステル系ポリマーに替えて、ブチルアクリレートを主成分としたポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＳＮ−７１０）を用いた以外は、比較例１と同様にして、比較例２に係る接着シート（厚さ２５μｍ）作製した。
(Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, in place of the acrylic ester polymer used in Comparative Example 1, a polymer mainly composed of butyl acrylate (manufactured by Negami Industrial Co., Ltd., Paracron SN-710) was used. Was produced in the same manner as in Comparative Example 1, and an adhesive sheet (thickness 25 μm) according to Comparative Example 2 was produced.
〔損失弾性率測定〕
前記実施例及び比較例に於いて作製した接着シートについて、損失弾性率を以下の通り測定した。
(Measurement of loss modulus)
About the adhesive sheet produced in the said Example and a comparative example, the loss elastic modulus was measured as follows.
測定装置は、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡＩＩ、Ｒｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆ社製）を用いて測定される。測定条件は、シートを縦１０ｍｍ×横５ｍｍに切断し、引張りモードで、一定の周波数（１０Ｈｚ）で、温度を５℃／分で昇温させ、３０℃〜２５０℃での測定を行い、その１７５℃での損失弾性率を決定した。次に、基板、リードフレーム及び半導体素子について接着面積評価用各種試料を作製した。 The measuring device is measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (RSAII, manufactured by Reometric Scientific). The measurement condition is that the sheet is cut into 10 mm length × 5 mm width, the temperature is raised at a constant frequency (10 Hz) at 5 ° C./min in the tension mode, and the measurement is performed at 30 ° C. to 250 ° C. The loss modulus at 175 ° C. was determined. Next, various samples for evaluating the adhesion area of the substrate, the lead frame, and the semiconductor element were produced.
即ち、基板（ＵｎｉＭｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｒｏｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｓ製 、商品名ＴＦＢＧＡ１６×１６（２２１６−００１Ａ０１））の場合に於いては、得られた接着フィルムをセパレーターから剥離した後、５ｍｍ□に切断したものを用いた。一方、シリコンウェハをダイシングして、縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１００μｍのチップを作製した。このチップを、基板に仮固着して試験片を作製した。仮固着は、１２０℃の温度下で荷重（０．２５ＭＰａ）をかけ、１秒間加熱するという条件下で、ダイボンダー（（株）新川製ＳＰＡ−３００）を用いて行った。 That is, in the case of a substrate (trade name TFBGA16 × 16 (2216-001A01) manufactured by UniMicron Technology Corporation), the obtained adhesive film was peeled off from the separator and then cut into 5 mm □. On the other hand, the silicon wafer was diced to produce a chip of 5 mm length × 5 mm width × 100 μm thickness. This chip was temporarily fixed to the substrate to prepare a test piece. Temporary fixing was performed using a die bonder (SPA-300 manufactured by Shinkawa Co., Ltd.) under the condition of applying a load (0.25 MPa) at a temperature of 120 ° C. and heating for 1 second.
また、リードフレーム（新光電気株式会社製、品名ＣＡ−Ｆ３１３（ＭＦ２０２））の場合に於いても、前記基板の場合と同様にして試験片を作製した。 In the case of a lead frame (product name: CA-F313 (MF202) manufactured by Shinko Electric Co., Ltd.), a test piece was prepared in the same manner as in the case of the substrate.
また、半導体素子の場合に於いては、得られた接着シートをセパレーターから剥離した後、６ｍｍ□に切断したものを用いた。リードフレーム（新光電気株式会社製、品名ＣＡ−Ｆ３１３（ＭＦ２０２））のダイパッドに、シリコンウェハを縦６ｍｍ×横６ｍｍ×厚さ３００μｍにダイシングしたものをダイアタッチした。その後、前記接着シートを５ｍｍ□に切断したものを用い、アルミ蒸着ウェハから縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ１００μｍにダイシングしたチップを前記評価用素子の上にダイアタッチした試験片を作製した。ダイアタッチは、基板及びリードフレームの場合と同様の条件で行った。 In the case of a semiconductor element, the obtained adhesive sheet was peeled from the separator and then cut into 6 mm □. A die pad of a lead frame (product name: CA-F313 (MF202), manufactured by Shinko Electric Co., Ltd.) was diced with a silicon wafer diced into a length of 6 mm × width of 6 mm × thickness of 300 μm. Thereafter, a test piece was prepared by die-attaching a chip diced from an aluminum vapor-deposited wafer to a length of 5 mm, a width of 5 mm, and a thickness of 100 μm on the evaluation element. The die attach was performed under the same conditions as those for the substrate and the lead frame.
次に封止工程は、ＴＯＷＡ ＴＥＣ（株）製オートモールドプレスＣＰＳ‐４０１にて行った。封止条件は、金型温度１７５℃、プレヒート３秒、キュアタイム１２０秒、クランプ圧 ２００ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮにて行った。封止樹脂は日東電工（株）製ＧＥ−１００を使用した。 Next, the sealing step was performed with an auto mold press CPS-401 manufactured by TOWA TEC Co., Ltd. The sealing conditions were as follows: mold temperature 175 ° C., preheating 3 seconds, cure time 120 seconds, clamping pressure 200 kN, and transfer pressure 5 kN. As the sealing resin, GE-100 manufactured by Nitto Denko Corporation was used.
接着面積の測定は、超音波深傷装置（日本バーンズ社製、Ｓｏｎｏ−Ｓｃａｎ Ｄ−６０００）にて、仮固着後、および封止後のそれぞれについて接着面積を測定した。それらの結果を下記表１に示す。 The adhesion area was measured with an ultrasonic deep wound device (Nihon Burns Co., Ltd., Sono-Scan D-6000) after temporary fixing and after sealing. The results are shown in Table 1 below.
表１に示す様に、実施例１及び２に係る接着シートは、何れも２０００Ｐａ以上の損失蝉性率を有し、何れの被着体に対しても、封止後の接着面積が９０％以上であった。その一方、比較例１及び２に係る接着シートは、何れも２０００Ｐａ以下であり、何れの接着面積ともダイアタッチ後と封止後とで変化が無かった。 As shown in Table 1, the adhesive sheets according to Examples 1 and 2 both have a loss inertia ratio of 2000 Pa or more, and the adhesion area after sealing is 90% for any adherend. That was all. On the other hand, the adhesive sheets according to Comparative Examples 1 and 2 were both 2000 Pa or less, and any adhesive area did not change after die attach and after sealing.
１１ 基板等（被着体）
１２、１４、３１、４１ 接着シート
１３ 半導体素子
１５ 封止樹脂
１６ ボンディングワイヤー
２１ スペーサ
３２ 半導体素子
３３ ダイシングテープ
４２、４２’ コア材料（スペーサ）
11 Substrate etc. (Adherent)
12, 14, 31, 41
Claims (14)
前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程とを含み、
前記接着シートとして１７５℃での損失弾性率が２０００Ｐａ以上のものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A temporary fixing step of temporarily fixing the semiconductor element on the adherend via an adhesive sheet;
A wire bonding step of wire bonding to the semiconductor element;
Sealing the semiconductor element with a sealing resin,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive sheet has a loss elastic modulus at 175 ° C. of 2000 Pa or more.
前記封止工程に於いて加熱により封止樹脂を硬化させると共に、前記接着シートを介して半導体素子と被着体とを固着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1,
In the sealing step, the sealing resin is cured by heating, and the semiconductor element and the adherend are fixed through the adhesive sheet.
前記封止樹脂の後硬化を行う後硬化工程を含み、
前記封止工程及び／又は後硬化工程に於いて、加熱により封止樹脂を硬化させると共に、前記接着シートを介して半導体素子と被着体とを固着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1,
A post-curing step of performing post-curing of the sealing resin,
In the sealing step and / or the post-curing step, the sealing resin is cured by heating, and the semiconductor element and the adherend are fixed via the adhesive sheet. .
前記封止工程は、１５０℃〜２００℃の範囲内で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
The said sealing process is performed within the range of 150 degreeC-200 degreeC, The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.
前記封止後の半導体素子と被着体との間の接着面積が９０％以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein an adhesion area between the semiconductor element after sealing and the adherend is 90% or more.
前記被着体は、基板、リードフレーム又は半導体素子であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the adherend is a substrate, a lead frame, or a semiconductor element.
前記被着体が半導体素子である場合に、半導体素子と半導体素子との間に、前記接着シートを介してスペーサを積層する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6,
When the adherend is a semiconductor element, the semiconductor device manufacturing method includes a step of stacking a spacer between the semiconductor elements via the adhesive sheet.
前記接着シートとして、熱可塑性樹脂を含むものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 7,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising using a thermoplastic resin as the adhesive sheet.
前記接着シートとして、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の双方を含むものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 7,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive sheet includes a sheet containing both a thermosetting resin and a thermoplastic resin.
前記熱可塑性樹脂として、アクリル樹脂を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8 or 9,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein an acrylic resin is used as the thermoplastic resin.
前記熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9,
An epoxy resin and / or a phenol resin is used as the thermosetting resin.
前記接着シートとして、架橋剤が添加されているものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 8 to 11,
A manufacturing method of a semiconductor device, wherein a bonding agent is added as the adhesive sheet.
A semiconductor device obtained by the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008270166A JP5149121B2 (en) | 2008-10-20 | 2008-10-20 | Adhesive sheet used for manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device obtained by the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008270166A JP5149121B2 (en) | 2008-10-20 | 2008-10-20 | Adhesive sheet used for manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device obtained by the method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004298470A Division JP4714450B2 (en) | 2004-10-13 | 2004-10-13 | Manufacturing method of semiconductor device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012092101A Division JP5187923B2 (en) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | Adhesive sheet used for manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device obtained using the adhesive sheet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009081440A true JP2009081440A (en) | 2009-04-16 |
| JP5149121B2 JP5149121B2 (en) | 2013-02-20 |
Family
ID=40655912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008270166A Expired - Lifetime JP5149121B2 (en) | 2008-10-20 | 2008-10-20 | Adhesive sheet used for manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device obtained by the method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5149121B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011071216A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device and adhesive sheet |
| JP2011116897A (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Nitto Denko Corp | Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093992A (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2003264205A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2003297861A (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Semiconductor device adhesive tape |
| JP2004043762A (en) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive sheet, semiconductor device, and production method of the sheet |
-
2008
- 2008-10-20 JP JP2008270166A patent/JP5149121B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093992A (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2004043762A (en) * | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive sheet, semiconductor device, and production method of the sheet |
| JP2003264205A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2003297861A (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Semiconductor device adhesive tape |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011071216A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device and adhesive sheet |
| CN102034800A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-27 | 株式会社东芝 | Semiconductor device and adhesive sheet |
| US8294282B2 (en) | 2009-09-24 | 2012-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and adhesive sheet |
| JP2011116897A (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Nitto Denko Corp | Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5149121B2 (en) | 2013-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4732472B2 (en) | Thermosetting die bond film | |
| JP4562118B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2011181960A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP5390209B2 (en) | Thermosetting die bond film | |
| JP4988531B2 (en) | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP4780653B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US8975759B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device, adhesive sheet used therein, and semiconductor device obtained thereby | |
| JP4523611B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4714450B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP5149121B2 (en) | Adhesive sheet used for manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device obtained by the method | |
| US8592260B2 (en) | Process for producing a semiconductor device | |
| US9153556B2 (en) | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method | |
| JP5187923B2 (en) | Adhesive sheet used for manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device obtained using the adhesive sheet | |
| JP2010245546A (en) | Adhesive sheet | |
| JP4441335B2 (en) | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device obtained thereby | |
| JP4954568B2 (en) | Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP2012069953A (en) | Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120413 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120508 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120807 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120814 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120907 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121101 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121129 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5149121 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |