JP2009079249A - Film deposition system and film deposition method for substrate, and optical element - Google Patents

Film deposition system and film deposition method for substrate, and optical element Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition system for a substrate where ultraviolet rays can be emitted from an ultraviolet emission lamp from a position close to each substrate, the substrate can be efficiently and uniformly cleaned, and the ultraviolet emission lamp does not interfere with a passage from a vapor deposition source to the substrate. <P>SOLUTION: Inside of a chamber 1 constituting a vacuum deposition system, a dome 4 mounted with a prescribed number of substrates 10 to be film-deposited is disposed, and a vapor deposition source unit 5 is installed in the lower position of the dome 4. The lamp unit 22 constituted of an ultraviolet emission lamp 20 and a lamp house 21 can be displaced in a reciprocative manner between an ultraviolet emission position approaching the dome 4 and a retreating position separated from the dome 4. The ultraviolet emission lamp 20 has a line shape, its length dimensions are longer than the arrangement width dimensions of each substrate mounting hole 7 to be mounted with each substrate 10, and it faces each substrate 10 with a slight gap at the ultraviolet emission position. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光学ガラス基板や半導体ウエハ等の基板の表面に成膜するための成膜装置及び成膜方法と、この成膜装置を用いて、また成膜方法によって光学ガラス基板の表面に光学的機能を有する薄膜を形成するようにして製造された光学素子に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a film on the surface of a substrate such as an optical glass substrate or a semiconductor wafer, and an optical film on the surface of the optical glass substrate by using the film forming apparatus. The present invention relates to an optical element manufactured by forming a thin film having a functional function.

例えば、光学ガラス基板の表面に1または複数層の誘電体膜や金属膜等からなる薄膜を積層させて、透過光や反射光に位相差を生じさせ、または波長選択性を持たせ、さらにはミラーとして機能させる等、所望の光学機能を持たせた各種の光学素子が製造される。一方、半導体ウエハを製造するに際に、例えばシリコン基板に絶縁体膜及び導電膜等からなる薄膜が順次成膜される。そして、これらの薄膜は、一般に、真空蒸着、スパッタリングやイオンプレーティング等で形成される。即ち、基板を真空チャンバ内に設けて、この真空チャンバ内で膜素材を基板表面に付着乃至衝突させることにより成膜される。   For example, a thin film made of one or a plurality of dielectric films or metal films is laminated on the surface of an optical glass substrate to cause a phase difference in transmitted light or reflected light, or to have wavelength selectivity, Various optical elements having a desired optical function such as functioning as a mirror are manufactured. On the other hand, when manufacturing a semiconductor wafer, for example, a thin film made of an insulator film and a conductive film is sequentially formed on a silicon substrate. These thin films are generally formed by vacuum deposition, sputtering, ion plating, or the like. That is, the film is formed by providing the substrate in a vacuum chamber and attaching or colliding the film material with the substrate surface in the vacuum chamber.

ここで、真空蒸着にしろ、またスパッタリングやイオンプレーティングにしろ、所定の基板に成膜するに当って、基板の成膜面が汚損されていると、この基板表面に形成した膜の密着力が低下することになる。特に、基板の表面に有機汚損物が付着していると、濡れ性が低下することになり、その結果、成膜時における基板への膜の密着性がわるくなり、安定した成膜が行われないことになる。従って、基板への成膜の前処理として、基板の洗浄が行われるが、洗浄後に基板を大気中に配置している間に、大気中に浮遊する有機物が付着する等、基板表面が再汚損するおそれがある。以上のことから、基板を真空蒸着装置等の真空化されるチャンバ内に導入した後であって、成膜直前の段階で、この基板を洗浄できるようにするのが望ましい。   Here, whether it is vacuum deposition or sputtering or ion plating, when a film is deposited on a predetermined substrate, if the deposition surface of the substrate is fouled, the adhesion of the film formed on this substrate surface Will drop. In particular, when organic fouling substances adhere to the surface of the substrate, the wettability decreases, resulting in poor film adhesion to the substrate during film formation, and stable film formation is performed. There will be no. Therefore, the substrate is cleaned as a pre-treatment for film formation on the substrate, but the substrate surface is re-stained, for example, organic substances floating in the atmosphere adhere while the substrate is placed in the air after cleaning. There is a risk. In view of the above, it is desirable that the substrate can be cleaned after being introduced into a chamber to be evacuated, such as a vacuum deposition apparatus, and immediately before film formation.

チャンバ内に導入した後では、洗浄液を用いて基板を洗浄することはできないので、洗浄液を使用しないドライ洗浄が行われる。基板のドライ洗浄は紫外線を照射して行う方式が一般的である。真空化されるチャンバ内で、紫外線照射ランプを用いたドライ洗浄を行う技術が、例えば特許文献1に示されている。この特許文献1によれば、真空チャンバ内に導入した基板に真空蒸着による成膜を行う前処理として、また成膜中でも、紫外線照射ランプからの紫外線を基板に照射することによって、この基板表面に付着している有機物が分解して除去される。
特開昭63−223158号公報
After the introduction into the chamber, the substrate cannot be cleaned with the cleaning liquid, and thus dry cleaning without using the cleaning liquid is performed. In general, dry cleaning of a substrate is performed by irradiating ultraviolet rays. For example, Patent Document 1 discloses a technique for performing dry cleaning using an ultraviolet irradiation lamp in a vacuum chamber. According to Patent Document 1, as a pretreatment for forming a film by vacuum deposition on a substrate introduced into a vacuum chamber, and even during film formation, the substrate surface is irradiated with ultraviolet rays from an ultraviolet irradiation lamp. The adhering organic matter is decomposed and removed.
JP 63-223158 A

ところで、真空蒸着が行われるチャンバ内では、基板は蒸着源に対面するように配設されており、この蒸着源からの蒸着物質を基板に確実に付着させるために、この蒸着物質の流れの経路に対する干渉物を配置してはならず、このために蒸着源と基板との間は開放された空間とする。従って、紫外線照射ランプを基板の近傍に配置することができないことになり、紫外線照射ランプは、必然的に基板から離れた位置に固定的に設けられる。紫外線照射ランプから照射される紫外線は、基板までの距離が長くなるに応じて減衰することになり、紫外線照射ランプの照射エネルギを有効に利用できない。また、照射エネルギは紫外線照射ランプの光軸中心位置が最大で、周辺部に向かうに応じて照射エネルギが減少するという分布を呈するので、基板の部位によっては照射エネルギ量が変化することになり、このために基板に洗浄むらが発生するという問題点もある。   By the way, in the chamber where vacuum deposition is performed, the substrate is disposed so as to face the deposition source, and in order to securely deposit the deposition material from this deposition source on the substrate, the flow path of this deposition material. Therefore, an open space is provided between the deposition source and the substrate. Therefore, the ultraviolet irradiation lamp cannot be disposed in the vicinity of the substrate, and the ultraviolet irradiation lamp is necessarily fixedly provided at a position away from the substrate. The ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation lamp are attenuated as the distance to the substrate becomes longer, and the irradiation energy of the ultraviolet irradiation lamp cannot be used effectively. In addition, the irradiation energy has a maximum distribution at the center of the optical axis of the ultraviolet irradiation lamp and the irradiation energy decreases as it goes toward the periphery, so the amount of irradiation energy varies depending on the part of the substrate. For this reason, there is a problem that uneven cleaning occurs on the substrate.

本発明は以上の点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、紫外線照射ランプを基板に近接した位置から照射でき、基板を効率的に、しかもむらなく洗浄することができるようになし、かつ紫外線照射ランプが蒸着源から基板までの経路と干渉しないようにすることにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to irradiate an ultraviolet irradiation lamp from a position close to the substrate, and to clean the substrate efficiently and evenly. It is to prevent the ultraviolet irradiation lamp from interfering with the path from the vapor deposition source to the substrate.

前述した目的を達成するために、本発明は、密閉したチャンバ内に回転軸を臨ませて設け、この回転軸に基板を支持する支持部材を着脱可能に接続して、この基板表面に蒸着による成膜を行う成膜装置であって、前記チャンバ内に配設され、前記回転軸を回転駆動することにより前記基板を支持した支持部材を回転させる間に、前記基板の全面に紫外線を照射する紫外線照射ランプと、この紫外線照射ランプを、前記基板の成膜面に対面させる紫外線照射位置と、前記基板と蒸着源との間の空間を開放する退避位置とに変位させるランプ変位手段とを備える構成としたことをその特徴とするものである。   In order to achieve the above-described object, the present invention provides a rotating shaft facing a sealed chamber, and a support member that supports the substrate is detachably connected to the rotating shaft, and is deposited on the surface of the substrate by vapor deposition. A film forming apparatus for forming a film, wherein the entire surface of the substrate is irradiated with ultraviolet rays while the support member that is disposed in the chamber and supports the substrate by rotating the rotation shaft is rotated. An ultraviolet irradiation lamp, and a lamp displacing means for displacing the ultraviolet irradiation lamp to an ultraviolet irradiation position where the ultraviolet irradiation lamp faces the film forming surface of the substrate and a retreat position which opens a space between the substrate and the evaporation source. It is characterized by having a configuration.

また、基板の成膜方法に関する発明は、密閉したチャンバ内を真空状態にして、このチャンバ内に配設され、基板を保持する支持部材を回転させる間に、基板表面に蒸着により成膜を行うものであって、前記各基板が前記支持部材に装着された後であって、基板への成膜を行う前の段階で、前記支持部材に装着した前記基板に紫外線照射ランプを対面させて、前記支持部材を回転駆動する間に、この紫外線照射ランプから前記各基板表面に紫外線を照射することによりドライ洗浄を行い、このドライ洗浄の後に、前記紫外線照射ランプを前記支持部材から離間させて、この支持部材と蒸着源との間の空間を開放して、前記各基板表面に蒸着による成膜を行うことを特徴とするものである。   Further, the invention relating to the film forming method of the substrate forms a film on the surface of the substrate by vapor deposition while the inside of the sealed chamber is evacuated and the support member that is disposed in the chamber and holds the substrate is rotated. After each substrate is mounted on the support member and before film formation on the substrate, an ultraviolet irradiation lamp is made to face the substrate mounted on the support member, While rotating the support member, dry cleaning is performed by irradiating the surface of each substrate with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation lamp, and after the dry cleaning, the ultraviolet irradiation lamp is separated from the support member, The space between the support member and the vapor deposition source is opened, and film formation by vapor deposition is performed on the surface of each substrate.

紫外線照射ランプとしては、特に、基板が光学ガラス基板である場合には、例えば185nmの波長と254nmの波長との紫外線を出射する低圧水銀ランプや180nm以下の波長の紫外線を出射するエキシマランプ等が好適に用いられる。この紫外線照射ランプはランプ変位手段によって、紫外線照射位置と、退避位置とに変位可能な構成となっている。紫外線照射位置では、紫外線照射ランプから基板に対して、できるだけ近接した位置から紫外線を照射する。一方、紫外線照射ランプを退避位置に変位させたときには、蒸発源と基板との間の空間を開放する。   As the ultraviolet irradiation lamp, particularly when the substrate is an optical glass substrate, for example, a low-pressure mercury lamp that emits ultraviolet rays having a wavelength of 185 nm and a wavelength of 254 nm, an excimer lamp that emits ultraviolet rays having a wavelength of 180 nm or less, etc. Preferably used. This ultraviolet irradiation lamp is configured to be displaceable between an ultraviolet irradiation position and a retracted position by lamp displacement means. In the ultraviolet irradiation position, ultraviolet rays are irradiated from a position as close as possible to the substrate from the ultraviolet irradiation lamp. On the other hand, when the ultraviolet irradiation lamp is displaced to the retracted position, the space between the evaporation source and the substrate is opened.

基板は支持部材に支持させるが、支持部材は基板のサイズに応じたものを用いる。例えば、大判の基板の場合には、1枚のみを支持するようになし、また2〜4枚の基板を支持可能とした支持部材も用いることができる。さらに、小さいサイズの基板は同時に多数支持することができる。通常、チャンバ内では、基板を上部位置に配置し、蒸着源を下部に配置することになる。従って、基板はその成膜面を下方に向けて概略水平状態に保持される。また、支持部材を回転軸に連結し、この回転軸を回転させることによって、基板を回転駆動しながら成膜を行う。特に、小さいサイズの基板に成膜する場合において、支持部材をコンパクトなサイズでより多くの小基板を支持させるために、概略円錐形状の支持部材が用いられる。所謂ドーム方式である。ここで、ドームを構成する円錐面は直線的な斜面を有するものであっても良く、また斜面は多少湾曲した形状であっても良い。   The substrate is supported by a support member, and a support member corresponding to the size of the substrate is used. For example, in the case of a large-sized substrate, only one sheet can be supported, and a support member that can support two to four substrates can also be used. Furthermore, a large number of small-sized substrates can be supported simultaneously. Usually, in a chamber, a board | substrate will be arrange | positioned in an upper position and a vapor deposition source will be arrange | positioned in the lower part. Therefore, the substrate is held in a substantially horizontal state with its film formation surface facing downward. In addition, the support member is connected to a rotation shaft, and the rotation shaft is rotated to perform film formation while the substrate is driven to rotate. In particular, when a film is formed on a small-sized substrate, a substantially conical support member is used in order to support a larger number of small substrates with a compact size. This is a so-called dome method. Here, the conical surface constituting the dome may have a linear slope, and the slope may have a slightly curved shape.

紫外線照射ランプはランプ変位手段により紫外線照射位置と退避位置との間に変位させるようにするが、紫外線照射位置では、支持部材により基板が水平方向に配置されている場合には、紫外線照射ランプは水平に保持させるようになし、ドーム方式の場合には、紫外線ランプをドームの傾斜角と一致させる。いずれにしろ、紫外線照射ランプは成膜される基板とほぼ平行な状態にしてドライ洗浄が行われる。そして、回転時に基板及び支持部材と干渉しないことを条件として、紫外線照射ランプをできるだけ基板に近接させるのが望ましい。   The ultraviolet irradiation lamp is displaced between the ultraviolet irradiation position and the retracted position by the lamp displacing means. At the ultraviolet irradiation position, when the substrate is horizontally arranged by the support member, the ultraviolet irradiation lamp is In the case of the dome system, the ultraviolet lamp is made to coincide with the inclination angle of the dome. In any case, dry cleaning is performed with the ultraviolet irradiation lamp in a state substantially parallel to the substrate on which the film is formed. Then, it is desirable that the ultraviolet irradiation lamp be as close to the substrate as possible, provided that it does not interfere with the substrate and the support member during rotation.

ランプ変位手段を構成する全ての機構をチャンバ内に配置しても良いが、チャンバの内部は真空状態にされるので、少なくともその駆動手段はチャンバ外に設ける方が望ましい。例えば、ランプ変位手段を、紫外線照射ランプに連結した回動アームと、この回動アームを回動させるシリンダやモータ等からなる駆動手段とから構成して、回動アームはチャンバ内に配置し、駆動手段はチャンバ外に配置して、外部から回動アームに回動力を与える構成とすることができる。また、蒸着源から蒸着物質が紫外線照射ランプに付着しないように保護する保護手段を設ける構成とするのが望ましい。保護手段は蒸着源に近接する位置に設けた仕切板で構成することができ、この仕切板は例えば紫外線照射ランプが退避位置にあるときに作動位置に変位するように可動なものとして構成しても良く、また仕切板自体は固定的に保持して、紫外線照射ランプを退避位置に変位させたときに、蒸着物質が紫外線照射ランプに向けて飛行しないように仕切る構成とすることもできる。   All the mechanisms constituting the lamp displacing means may be arranged in the chamber. However, since the inside of the chamber is evacuated, it is desirable to provide at least the driving means outside the chamber. For example, the lamp displacing means comprises a rotating arm connected to the ultraviolet irradiation lamp and a driving means such as a cylinder or a motor for rotating the rotating arm, and the rotating arm is disposed in the chamber. The driving means can be arranged outside the chamber to apply a rotational force to the rotating arm from the outside. Further, it is desirable to provide a protection means for protecting the vapor deposition material from adhering to the ultraviolet irradiation lamp from the vapor deposition source. The protection means can be constituted by a partition plate provided at a position close to the vapor deposition source, and this partition plate is configured to be movable so as to be displaced to the operating position when the ultraviolet irradiation lamp is at the retracted position, for example. Alternatively, the partition plate itself may be fixedly held so that the vapor deposition material does not fly toward the ultraviolet irradiation lamp when the ultraviolet irradiation lamp is displaced to the retracted position.

紫外線の照射は、チャンバ内を真空状態にする前の段階で行うことができる。この状態では、チャンバ内には空気が存在しており、空気中の酸素に紫外線が照射されると、化学的に活性な活性酸素となり、紫外線の作用で基板表面に付着している有機物が分解されたときに、この分解生成物が活性酸素の存在下で酸化反応して、COx,NOxやその他の低分子化合物となって、気体化して基板表面から遊離する。また、活性酸素をより豊富にするために、紫外線の照射と同時にオゾンを基板表面に供給するように構成しても良い。さらに、チャンバ内を真空状態にした後、また真空化している間に紫外線照射によるドライ洗浄を行うようにしても良い。この場合には、紫外線照射により分解されて、結合状態の安定性が失われた有機物は、この真空による吸引力の作用で基板表面から離脱して、排気されることになる。   Irradiation with ultraviolet rays can be performed at a stage before the inside of the chamber is evacuated. In this state, air exists in the chamber, and when ultraviolet rays are radiated to oxygen in the air, it becomes chemically active active oxygen, and organic substances adhering to the substrate surface are decomposed by the action of ultraviolet rays. When this is done, this decomposition product undergoes an oxidation reaction in the presence of active oxygen to form COx, NOx and other low molecular weight compounds that are gasified and released from the substrate surface. Further, in order to make active oxygen more abundant, ozone may be supplied to the substrate surface simultaneously with ultraviolet irradiation. Furthermore, after the inside of the chamber is evacuated, dry cleaning by ultraviolet irradiation may be performed while the chamber is evacuated. In this case, the organic matter that has been decomposed by irradiation with ultraviolet rays and has lost its stability in the bonded state is detached from the substrate surface by the action of the suction force by the vacuum and exhausted.

前述した成膜装置により、また成膜方法によって、つまりチャンバ内に配置して、成膜直前の段階で紫外線照射によるドライ洗浄を行った後に成膜される。基板表面の全体が極めて高い清浄度を有しており、濡れ性が良好となっているから、基板に形成した薄膜の膜厚が均一となり、かつ基板表面への薄膜の密着力を高くすることができる。特に、基板としての光学ガラス基板に誘電体膜や金属膜等の薄膜を1乃至複数層積層させる成膜工程の前処理として、紫外線照射によるドライ洗浄を行うことによって、光学ガラス基板の表面からほぼ完全に有機物を除去することができ、所望の光学的機能を発揮する高品質の光学素子を形成することができる。   The film is formed by the above-described film forming apparatus and by the film forming method, that is, in the chamber, and after performing dry cleaning by ultraviolet irradiation at a stage immediately before film formation. Since the entire surface of the substrate has a very high cleanliness and good wettability, the thickness of the thin film formed on the substrate should be uniform and the adhesion of the thin film to the substrate surface should be increased. Can do. In particular, as a pretreatment of a film forming process in which one or more thin films such as a dielectric film or a metal film are laminated on an optical glass substrate as a substrate, dry cleaning by ultraviolet irradiation is performed, so that almost from the surface of the optical glass substrate Organic substances can be completely removed, and a high-quality optical element that exhibits a desired optical function can be formed.

基板に近接した位置から紫外線を照射でき、かつ基板を支持させた支持部材の回転により基板の全面にわたって効率的に紫外線を照射することができて、基板に対する洗浄むらが発生することがなく、また成膜時には蒸着源から基板に向かう蒸着物質の経路に対して紫外線照射ランプが干渉することはない。   Ultraviolet rays can be irradiated from a position close to the substrate, and the entire surface of the substrate can be efficiently irradiated by the rotation of the support member that supports the substrate, so that there is no uneven cleaning of the substrate. During film formation, the ultraviolet irradiation lamp does not interfere with the path of the vapor deposition material from the vapor deposition source to the substrate.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。以下に示す実施の形態においては、基板としては光学ガラス基板であって、この光学ガラス基板の表面に真空蒸着により成膜を行うものとする。ただし、基板は半導体ウエハ等であっても良く、また成膜方式は真空蒸着に限定されるものではなく、例えばスパッタリング,イオンプレーティング等各種の成膜方式にも適用が可能である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the embodiment described below, the substrate is an optical glass substrate, and the film is formed on the surface of the optical glass substrate by vacuum deposition. However, the substrate may be a semiconductor wafer or the like, and the film formation method is not limited to vacuum deposition, and can be applied to various film formation methods such as sputtering and ion plating.

まず、図1に真空蒸着装置の全体構成を示す。図中において、1はチャンバであり、このチャンバ1の内部は密閉空間となっており、真空ポンプ2を設けた排気管3が接続されている。チャンバ1の内部には、上部側の位置に支持部材としてのドーム4が設けられており、このドーム4の下方位置には蒸着源ユニット5が設置されている。ドーム4は、回転軸6の下端部に着脱可能に連結されており、この回転軸6はチャンバ1の天蓋部1aを貫通して延在されて、モータ等からなる回転駆動手段(図示せず)に連結して設けられている。   First, FIG. 1 shows the overall configuration of the vacuum vapor deposition apparatus. In the figure, reference numeral 1 denotes a chamber, the inside of the chamber 1 is a sealed space, and an exhaust pipe 3 provided with a vacuum pump 2 is connected thereto. Inside the chamber 1, a dome 4 as a support member is provided at a position on the upper side, and a vapor deposition source unit 5 is installed below the dome 4. The dome 4 is detachably connected to the lower end portion of the rotating shaft 6, and the rotating shaft 6 extends through the canopy portion 1 a of the chamber 1 and is a rotation driving means (not shown) including a motor or the like. ).

ドーム4は、図2に示したように、下方に向けて拡開する円錐形状(または多角錐形状)となった斜面部を有する本体部4aに多数の基板装着孔7を形成したものから構成されている。これら各基板装着孔7には、図3に示したように、成膜が行われる基板10が装架されている。そして、ドーム4における頂点部分が回転軸6に着脱可能に連結される連結部4bとなっている。これによって、ドーム4には、各基板装着孔7にホルダ11により基板10を固定して設けて、チャンバ1内に導入して、回転軸6に連結される。また、基板10に成膜がなされると、ドーム4は回転軸6から分離されて、チャンバ1の外に搬出されることになる。   As shown in FIG. 2, the dome 4 is configured by forming a large number of substrate mounting holes 7 in a main body portion 4 a having a slope portion having a conical shape (or a polygonal pyramid shape) that expands downward. Has been. As shown in FIG. 3, a substrate 10 on which film formation is performed is mounted in each substrate mounting hole 7. And the vertex part in the dome 4 becomes the connection part 4b connected with the rotating shaft 6 so that attachment or detachment is possible. As a result, the substrate 10 is fixed to the dome 4 by the holder 11 in each substrate mounting hole 7, introduced into the chamber 1, and connected to the rotating shaft 6. Further, when the film is formed on the substrate 10, the dome 4 is separated from the rotating shaft 6 and carried out of the chamber 1.

ここで、成膜される基板10は光学ガラス基板であり、この基板10には誘電体多層膜を積層するものであり、この誘電体多層膜は低屈折率膜と、高屈折率膜とを交互に積層させたものとする。このために、蒸着源ユニット5としては、2種類の蒸着物質12A,12Bが設置される。この蒸着源ユニット5はるつぼ13を有し、このるつぼ13上には蒸着物質12A,12Bがそれぞれ設置されるハース14A,14Bが設けられている。従って、ハース14A,14Bを電子ビームにより加熱することによって、蒸着物質を溶融させてドーム4に向けて蒸発させて、このドーム4に装着した各基板10の表面に蒸気を析出させる。ただし、蒸着は蒸着物質12A,12Bが交互に行われるものであり、このためにハース14A,14Bの一方の上部を開放し、他方の上部を覆うカバー15を備えている。従って、ハース14A,14Bを回転させることによって、いずれかのハースを上部が開放された部位に移行させるように制御される。そして、蒸着の開始及び終了を制御するために、シャッタ17が設けられており、このシャッタ17は、るつぼ13におけるハース14A,14Bの配設位置の上部を覆う蒸着停止状態(図1に示した状態)と、この部位を開放する蒸着動作状態とに回動変位できるようになっている。   Here, the substrate 10 to be formed is an optical glass substrate, and a dielectric multilayer film is laminated on the substrate 10. The dielectric multilayer film includes a low refractive index film and a high refractive index film. Assume that they are stacked alternately. For this purpose, as the vapor deposition source unit 5, two kinds of vapor deposition materials 12A and 12B are installed. The vapor deposition source unit 5 has a crucible 13 on which are provided hearths 14A and 14B on which vapor deposition materials 12A and 12B are respectively installed. Therefore, by heating the hearths 14A and 14B with an electron beam, the vapor deposition material is melted and evaporated toward the dome 4, and vapor is deposited on the surface of each substrate 10 attached to the dome 4. However, vapor deposition is performed alternately with the vapor deposition materials 12A and 12B, and for this purpose, a cover 15 is provided which opens one upper part of the hearths 14A and 14B and covers the other upper part. Therefore, by rotating the hearths 14A and 14B, it is controlled so that any one of the hearths is transferred to the part where the upper part is opened. In order to control the start and end of vapor deposition, a shutter 17 is provided, and this shutter 17 is in a vapor deposition stop state (shown in FIG. 1) covering the upper portion of the position where the hearths 14A and 14B are disposed in the crucible 13. State) and a vapor deposition operation state in which this part is opened.

真空蒸着装置において成膜される基板10としての光学ガラス基板は、真空蒸着を行う前の段階で基板10における成膜される表面が洗浄される。この洗浄は、基板10に付着している有機汚損物を除去して、その表面における濡れ性を向上させる、つまり接触角を小さくするためのものであり、紫外線を照射して行うドライ洗浄とする。   As for the optical glass substrate as the board | substrate 10 formed into a film in a vacuum evaporation apparatus, the surface formed into a film in the board | substrate 10 is wash | cleaned in the step before performing vacuum evaporation. This cleaning is for removing organic fouling substances adhering to the substrate 10 and improving the wettability on the surface, that is, for reducing the contact angle, and is a dry cleaning performed by irradiating with ultraviolet rays. .

図3乃至図5から明らかなように、紫外線照射ランプ20としては、例えば185nmの波長と254nmの波長との紫外線を出射する低圧水銀ランプや180nm以下の波長の紫外線を出射するエキシマランプ等が用いられ、この紫外線照射ランプ20はランプハウス21内に設けられており、これら紫外線照射ランプ20とランプハウス21とでランプユニット22が構成される。ランプハウス21は一側が開口し、他側は円弧状の反射面21aとなっており、これによって紫外線はランプハウス21の開口側から集中的に出射されるようになっている。   As apparent from FIGS. 3 to 5, as the ultraviolet irradiation lamp 20, for example, a low-pressure mercury lamp that emits ultraviolet rays having wavelengths of 185 nm and 254 nm, an excimer lamp that emits ultraviolet rays having a wavelength of 180 nm or less, and the like are used. The ultraviolet irradiation lamp 20 is provided in a lamp house 21, and the ultraviolet irradiation lamp 20 and the lamp house 21 constitute a lamp unit 22. One side of the lamp house 21 is open, and the other side is an arc-shaped reflecting surface 21 a, whereby ultraviolet rays are emitted intensively from the opening side of the lamp house 21.

ランプユニット22は、図1に実線で示したように、ドーム4に近接した紫外線照射位置と、同図に仮想線で示したように、ドーム4から離間し、しかも蒸着源ユニット5からドーム4までの間における蒸着物質12A,12Bによる蒸着領域を開放する退避位置との間に往復変位可能になっている。このために、図5からも明らかなように、ランプユニット22は回動アーム23に取り付けられている。回動アーム23の基端部はボス部23aとなっており、このボス部23aはチャンバ1の壁部1bに装着したブラケット24に設けた回動軸25に回動自在に連結されており、またこのボス部23aには作動指片26が連結して設けられている。   The lamp unit 22 is separated from the dome 4 as shown by the solid line in FIG. 1 and the ultraviolet irradiation position close to the dome 4, and as shown by the phantom line in FIG. It is possible to reciprocate between the retreat position that opens the vapor deposition region by the vapor deposition materials 12A and 12B. For this reason, as is apparent from FIG. 5, the lamp unit 22 is attached to the rotating arm 23. The base end portion of the rotation arm 23 is a boss portion 23a, and this boss portion 23a is rotatably connected to a rotation shaft 25 provided on a bracket 24 attached to the wall portion 1b of the chamber 1. An operating finger piece 26 is connected to the boss portion 23a.

チャンバ1の上方の位置には駆動手段27が設けられており、この駆動手段27のロッド27aは壁部1bを貫通してチャンバ1内に延在されており、その先端が作動指片26に接離可能となっている。ここで、駆動手段27は、ドーム4の形状に応じて、即ち常に同じドームが使用される場合はシリンダで構成するが、異なる円錐形状のドームが使用され、また水平な支持部材が回転軸6に接続される場合等には、支持部材に支持させたときの基板10の角度に応じて紫外線照射位置でのランプユニット22の角度が異なってくるので、例えば電動モータを用いた送りねじで構成するのが望ましい。これら回動アーム23,回動軸25,作動指片26及び駆動手段27によりランプ変位手段が構成される。なお、駆動手段27は回動アーム23及び作動指片26とは分離可能となっており、これによってメンテナンスに至便となるが、必ずしも分離可能な構成でなくても良い。   A driving means 27 is provided at a position above the chamber 1, and a rod 27 a of the driving means 27 extends through the wall 1 b into the chamber 1, and its tip is attached to the operating finger 26. It is possible to contact and separate. Here, the driving means 27 is constituted by a cylinder according to the shape of the dome 4, that is, when the same dome is always used, but a different conical dome is used, and the horizontal support member is the rotating shaft 6. For example, the angle of the lamp unit 22 at the ultraviolet irradiation position differs depending on the angle of the substrate 10 when supported by the support member. It is desirable to do. The rotating arm 23, the rotating shaft 25, the operating finger piece 26 and the driving means 27 constitute a lamp displacing means. The driving means 27 is separable from the rotating arm 23 and the operating finger piece 26, which makes maintenance convenient. However, the driving means 27 does not necessarily need to be separable.

駆動手段27のロッド27aを上昇させると、ランプユニット22は退避位置に配置され、このロッド27aを下降させると、このロッド27aの先端が作動指片26を押動して、回動アーム23が回動軸25を中心として上方に向けて回動させることになる。この駆動手段27の下降ストローク端位置になると、ランプユニット22がドーム4に最も接近することになる。紫外線照射ランプ20はライン状のものであり、その長さ寸法は、ドーム4において、図3に幅Dで示した基板装着孔7の配列幅寸法より長くなっている。しかも、図3及び図4に示したように、ランプハウス21の開放側側部がドーム4及びその基板装着孔7に取り付けた基板10に対して僅かな隙間を介して対面する紫外線照射位置に変位する。さらに、駆動手段27を上昇させて、ランプユニット22を退避位置に変位させると、蒸着源ユニット5とドーム4との間の空間は開放された状態となるが、このときにチャンバ1内に浮遊する蒸着物質がランプユニット22に付着しないようにするために、仕切板16が蒸着源ユニット5に設けられている。   When the rod 27a of the driving means 27 is raised, the lamp unit 22 is disposed at the retracted position. When the rod 27a is lowered, the tip of the rod 27a pushes the operating finger 26, and the rotating arm 23 is moved. The rotary shaft 25 is rotated upward about the rotary shaft 25. When the lowering stroke end position of the driving means 27 is reached, the lamp unit 22 comes closest to the dome 4. The ultraviolet irradiation lamp 20 has a line shape, and its length dimension is longer than the arrangement width dimension of the substrate mounting holes 7 indicated by the width D in FIG. Moreover, as shown in FIGS. 3 and 4, the open side portion of the lamp house 21 is at an ultraviolet irradiation position where the dome 4 and the substrate 10 attached to the substrate mounting hole 7 face each other through a slight gap. Displace. Further, when the driving means 27 is raised and the lamp unit 22 is displaced to the retracted position, the space between the vapor deposition source unit 5 and the dome 4 is opened, but at this time, it floats in the chamber 1. In order to prevent the vapor deposition material to adhere to the lamp unit 22, the partition plate 16 is provided in the vapor deposition source unit 5.

真空蒸着装置は以上のように構成されるものであって、次にこの真空蒸着装置を用いて基板10に成膜する方法について説明する。ここで、ドーム4はチャンバ1内に延在させた回転軸6に着脱可能に連結される。ドーム4にはチャンバ1の外で、各基板装着孔7にホルダ11に装架した基板10を装着し、このドーム4をチャンバ1内に搬入して、回転軸6に取り付けられる。このドーム4の導入時には、ランプユニット22は退避位置に配置する。また、蒸着源ユニット5におけるハース14A,14Bにはそれぞれ蒸着物質12A,12Bを設置しておく。   The vacuum deposition apparatus is configured as described above. Next, a method for forming a film on the substrate 10 using the vacuum deposition apparatus will be described. Here, the dome 4 is detachably connected to a rotary shaft 6 extending into the chamber 1. Outside the chamber 1, a substrate 10 mounted on a holder 11 is mounted in each substrate mounting hole 7 outside the chamber 1, and the dome 4 is carried into the chamber 1 and attached to the rotating shaft 6. When the dome 4 is introduced, the lamp unit 22 is disposed at the retracted position. Further, vapor deposition materials 12A and 12B are installed in the hearths 14A and 14B in the vapor deposition source unit 5, respectively.

チャンバ1の内部を密閉状態となし、排気管3に設けた真空ポンプ2を作動させて、このチャンバ1内を真空状態にする。そして、少なくとも蒸着物質12A,12Bを加熱して真空蒸着を開始する前の段階で、即ちチャンバ1内を密閉した後、真空ポンプ2を作動する前に、真空ポンプ2を作動させて、チャンバ1の内部を真空状態にする間に、若しくはチャンバ1の内部を真空にした後に、基板10のドライ洗浄が行われる。   The inside of the chamber 1 is hermetically sealed, and the vacuum pump 2 provided in the exhaust pipe 3 is operated to bring the inside of the chamber 1 into a vacuum state. Then, at least before vapor deposition is started by heating at least the vapor deposition materials 12A and 12B, that is, after the inside of the chamber 1 is sealed, before the vacuum pump 2 is operated, the vacuum pump 2 is operated, and the chamber 1 The substrate 10 is dry-cleaned while the interior of the chamber is evacuated or after the interior of the chamber 1 is evacuated.

即ち、ランプ変位手段を構成する駆動手段27を作動させて、ロッド27aを下降させることによって、回動アーム23に連結した作動指片26を押し下げる。これによって、回動アーム23の先端に設けたランプユニット22が退避位置から紫外線照射位置に変位する。この状態で、ランプユニット22に設けた紫外線照射ランプ20から紫外線をドーム4に向けて照射すると共に、ドーム4を例えば図4に矢印で示した方向に回転駆動することにより基板10のドライ洗浄が行われる。   That is, by actuating the driving means 27 constituting the lamp displacing means and lowering the rod 27a, the operating finger piece 26 connected to the rotating arm 23 is pushed down. As a result, the lamp unit 22 provided at the tip of the rotating arm 23 is displaced from the retracted position to the ultraviolet irradiation position. In this state, the substrate 10 is dry cleaned by irradiating the dome 4 with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation lamp 20 provided in the lamp unit 22 and rotating the dome 4 in the direction indicated by the arrow in FIG. Done.

このように、ランプユニット22が紫外線照射位置に配置されると、紫外線照射ランプ20とドーム4に装着した基板10とが、図4に間隔Gで示したように、極めて近接した位置となり、かつドーム4が回転しても、ランプユニット22とドーム4、基板10やホルダ11とは干渉しない位置関係となる。そして、紫外線照射ランプ20はライン状のものであり、ドーム4における基板装着孔7の配列幅の全長より長くなっている。従って、ドーム4を回転駆動することによって、ドーム4の各基板装着孔7に装着されている全ての基板10の全面にわたってほぼ均等に紫外線が照射され、部分的に光量にむらが生じることはない。また、紫外線照射ランプ20は基板10に近接しているので、紫外線を基板10に効率的に照射することができ、この紫外線の減衰が抑制され、最大限の紫外線照射エネルギが基板10の表面に作用し、もって基板10に付着している有機物等が除去される。   As described above, when the lamp unit 22 is disposed at the ultraviolet irradiation position, the ultraviolet irradiation lamp 20 and the substrate 10 mounted on the dome 4 are positioned very close to each other as indicated by a gap G in FIG. Even if the dome 4 rotates, the lamp unit 22 and the dome 4, the substrate 10, and the holder 11 do not interfere with each other. The ultraviolet irradiation lamp 20 is in a line shape and is longer than the entire length of the array width of the substrate mounting holes 7 in the dome 4. Therefore, by rotating the dome 4, ultraviolet rays are irradiated almost uniformly over the entire surface of all the substrates 10 mounted in the substrate mounting holes 7 of the dome 4, and there is no unevenness in the amount of light. . Further, since the ultraviolet irradiation lamp 20 is close to the substrate 10, it is possible to efficiently irradiate the substrate 10 with ultraviolet rays, the attenuation of the ultraviolet rays is suppressed, and the maximum ultraviolet irradiation energy is applied to the surface of the substrate 10. Thus, the organic substances and the like attached to the substrate 10 are removed.

ここで、チャンバ1内を密閉した後、真空ポンプ2を作動する前では、チャンバ1の内部には空気が存在している。従って、真空化の前段階で、ドーム4を回転させ、かつ紫外線照射ランプ20から紫外線を基板10に照射して、ドライ洗浄を行うようにすると、照射される紫外線の作用で基板10に付着している有機物が分解されると共に、基板10の表面部分の空間に存在している酸素が、紫外線のエネルギの作用によって、活性酸素に変化するので、有機物の分解と共に、活性酸素との反応により低分子の気体に変化して、基板10への再付着が防止される。なお、ランプユニット22にオゾン供給部材を設けておき、前述したドライ洗浄を行う際に、オゾンを供給することもできる。   Here, air is present inside the chamber 1 after the inside of the chamber 1 is sealed and before the vacuum pump 2 is operated. Therefore, when the dome 4 is rotated and the substrate 10 is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation lamp 20 and dry cleaning is performed before vacuuming, it adheres to the substrate 10 by the action of the irradiated ultraviolet rays. As the organic matter is decomposed, the oxygen present in the space of the surface portion of the substrate 10 is changed to active oxygen by the action of the energy of ultraviolet rays. By changing to a molecular gas, reattachment to the substrate 10 is prevented. Note that an ozone supply member is provided in the lamp unit 22 so that ozone can be supplied when the above-described dry cleaning is performed.

また、チャンバ1内を真空状態にした後に、ドーム4を回転させ、かつ紫外線照射ランプ20から紫外線を基板10に向けて照射してドライ洗浄を行うこともできる。このようにすると、紫外線を吸収し、または減衰させる気体が殆ど存在しない状態になるので、基板10に対して紫外線を有効に照射できる。しかも、この紫外線の照射により分解された有機物は基板10の表面から遊離して、排気管3に吸引されることになる。   Further, after the inside of the chamber 1 is evacuated, the dome 4 is rotated, and ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiation lamp 20 toward the substrate 10 to perform dry cleaning. In this way, since there is almost no gas that absorbs or attenuates ultraviolet rays, the substrate 10 can be effectively irradiated with ultraviolet rays. Moreover, the organic matter decomposed by the irradiation of the ultraviolet rays is released from the surface of the substrate 10 and is sucked into the exhaust pipe 3.

さらに、真空ポンプ2を駆動している間にドライ洗浄を行うこともできる。このようにチャンバ1内の真空化とドライ洗浄とをオーバーラップさせることにより処理の効率化が図られる。従って、全体の処理時間を延長することなく、ドライ洗浄時間を長くすることができる。   Further, dry cleaning can be performed while the vacuum pump 2 is being driven. Thus, the process efficiency can be improved by overlapping the vacuuming in the chamber 1 and the dry cleaning. Therefore, the dry cleaning time can be extended without extending the overall processing time.

以上のいずれかにより基板10に対するドライ洗浄が行われると、基板10の表面からは、有機汚損物がほぼ完全に除去されて、その表面全体が清浄化されることになり、蒸着時における濡れ性が向上する。しかも、チャンバ1に導入後に基板10の洗浄が行われることから、蒸着前に基板10の表面が再汚損されることはない。   When dry cleaning is performed on the substrate 10 by any of the above, organic contaminants are almost completely removed from the surface of the substrate 10 and the entire surface is cleaned, so that wettability during vapor deposition is achieved. Will improve. Moreover, since the substrate 10 is cleaned after being introduced into the chamber 1, the surface of the substrate 10 is not re-stained before vapor deposition.

前述したドライ洗浄が終了すると、駆動手段27を駆動して、ロッド27aを上昇させる。これによって、先端にランプユニット22を装着した回動アーム23は自重により下方に向けて回動することになり、鉛直状態となった退避位置で停止する。そして、チャンバ1内が所定の真空圧に保たれた状態で、ドーム4を回転させながら、蒸着源ユニット5におけるるつぼ13によって、ハース14A,14Bを加熱して蒸着物質12A,12Bの蒸気を発生させることによって、基板10への真空蒸着が開始される。   When the dry cleaning described above is completed, the driving means 27 is driven to raise the rod 27a. As a result, the turning arm 23 with the lamp unit 22 mounted at the tip is turned downward by its own weight, and stops at the retracted position in the vertical state. Then, while the chamber 1 is maintained at a predetermined vacuum pressure, the hearths 14A and 14B are heated by the crucible 13 in the vapor deposition source unit 5 while rotating the dome 4 to generate vapors of the vapor deposition materials 12A and 12B. By doing so, vacuum deposition on the substrate 10 is started.

ここで、ハース14A,14Bはカバー15により交互に閉鎖されるようになっており、相互に異なる蒸着物質12Aまたは蒸着物質12Bからなる蒸着膜が基板10の表面に交互に形成される。前述したように、基板10の表面は極めて高い清浄度を保っているので、蒸着膜の密着性が高くなる。しかも、紫外線照射による洗浄を効率的に行うために、紫外線照射ランプ20を基板10に極めて近接した位置から照射しているにも拘らず、真空蒸着時には、蒸着源ユニット5とドーム4との間の空間は完全に開放されており、蒸気の基板10への付着が妨げられることはなく、ドーム4に装架された全ての基板10に対して均一で高精度な蒸着膜が形成され、高品質の光学素子、例えば波長板や波長選択部材等の光学素子を製造することができる。   Here, the hearths 14 </ b> A and 14 </ b> B are alternately closed by the covers 15, and vapor deposition films made of different vapor deposition materials 12 </ b> A or vapor deposition materials 12 </ b> B are alternately formed on the surface of the substrate 10. As described above, the surface of the substrate 10 maintains an extremely high degree of cleanliness, so that the adhesion of the deposited film is increased. Moreover, in order to efficiently perform the cleaning by the ultraviolet irradiation, the ultraviolet irradiation lamp 20 is irradiated from a position very close to the substrate 10, but at the time of vacuum vapor deposition, between the vapor deposition source unit 5 and the dome 4. The space is completely open, the vapor is not prevented from adhering to the substrate 10, and a uniform and highly accurate vapor deposition film is formed on all the substrates 10 mounted on the dome 4. Quality optical elements such as optical elements such as wave plates and wavelength selection members can be manufactured.

さらに、紫外線照射ランプ20が退避位置に配置されているときには、チャンバ1内では、蒸着源ユニット5からドーム4に至る空間に蒸気が生じているが、仕切板16によって、この蒸気が紫外線照射ランプ20及びランプハウス21からなるランプユニット22とその駆動手段である回動アーム23や回動軸25等に付着することはない。   Further, when the ultraviolet irradiation lamp 20 is disposed at the retracted position, vapor is generated in the space from the vapor deposition source unit 5 to the dome 4 in the chamber 1. The lamp unit 22 including the lamp housing 21 and the lamp house 21 and the rotation arm 23 and the rotation shaft 25 which are driving means thereof are not attached.

前述した実施の形態では、支持部材としてのドーム4に多数の基板10を装架した状態で、これらの基板10に対してドライ洗浄した上で、成膜を行うものとしたが、例えば図6に示したように、基板100が大判のものである場合には、1枚の基板100のみが支持部材101に装架される。そして、支持部材101は回転軸6に着脱可能に接続されることになる。   In the above-described embodiment, a number of substrates 10 are mounted on the dome 4 as a support member, and after these substrates 10 are dry-cleaned, film formation is performed. For example, FIG. As shown in FIG. 5, when the substrate 100 is large, only one substrate 100 is mounted on the support member 101. The support member 101 is detachably connected to the rotating shaft 6.

この場合には、基板100は成膜面を下方に向けた状態で、水平状態に支持させるようにする。そして、ランプユニット102を構成する紫外線照射ランプ103は、回転軸6の回転中心軸Cからなる基板100の回転中心位置から角隅部までの距離に相当する長さを有するものとし、ランプ変位手段によって、退避位置と紫外線照射位置との間に変位させるが、退避位置では、前述した第1の実施の形態と同様、ランプユニットランプ102を鉛直状態となし、紫外線照射位置では、ランプユニット102を基板100と平行な水平状態とする。そして、このときには、紫外線照射ランプ103の一端は基板100における回転中心位置と対面し、他端は基板100の角隅部と対面できる長さを持たせるようにする。そして、ドライ洗浄を行う際には、回転軸6により支持部材101を回転駆動する間に、これと対面する紫外線照射ランプ103からの紫外線を基板100における成膜される面に照射する。   In this case, the substrate 100 is supported in a horizontal state with the film formation surface facing downward. The ultraviolet irradiation lamp 103 constituting the lamp unit 102 has a length corresponding to the distance from the rotation center position of the substrate 100 consisting of the rotation center axis C of the rotation shaft 6 to the corner corner, and lamp displacement means Therefore, the lamp unit lamp 102 is in a vertical state at the retracted position as in the first embodiment, and the lamp unit 102 is moved at the ultraviolet irradiation position. A horizontal state parallel to the substrate 100 is assumed. At this time, one end of the ultraviolet irradiation lamp 103 faces the rotational center position of the substrate 100, and the other end has a length that can face the corner of the substrate 100. When dry cleaning is performed, while the support member 101 is rotationally driven by the rotating shaft 6, ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation lamp 103 facing the support member 101 are irradiated onto the film formation surface of the substrate 100.

真空蒸着装置の全体構成図である。It is a whole block diagram of a vacuum evaporation system. 図1の真空蒸着装置に用いられるドームの断面図である。It is sectional drawing of the dome used for the vacuum evaporation system of FIG. ドームと対面した状態にして示すランプユニットの断面図である。It is sectional drawing of the lamp unit shown in the state facing the dome. 図3のX−X位置において、ドームを円周方向に切断して示す部分切断端面図である。FIG. 4 is a partially cut end view showing the dome cut in the circumferential direction at the XX position in FIG. 3. ランプ変位手段の構成を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the structure of a lamp displacement means. 本発明の他の実施の形態における支持部材と対面した状態にして示すランプユニットの断面図である。It is sectional drawing of the lamp unit shown in the state facing the support member in other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 チャンバ 2 真空ポンプ
3 排気管 4 ドーム
5 蒸着源ユニット 6 回転軸
7 基板装着孔 10,100 基板
11 ホルダ 16 仕切板
20,103 紫外線照射ランプ 21 ランプハウス
22,102 ランプユニット 23 回動アーム
25 回動軸 26 作動指片
27 駆動手段 101 支持部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chamber 2 Vacuum pump 3 Exhaust pipe 4 Dome 5 Deposition source unit 6 Rotating shaft 7 Substrate mounting hole 10,100 Substrate 11 Holder 16 Partition plate 20,103 Ultraviolet irradiation lamp 21 Lamp house 22, 102 Lamp unit 23 Rotating arm 25 times Driving shaft 26 Actuating finger piece 27 Driving means 101 Support member

Claims (9)

密閉したチャンバ内に回転軸を臨ませて設け、この回転軸に基板を支持する支持部材を着脱可能に接続して、この基板表面に蒸着による成膜を行う成膜装置において、
前記チャンバ内に配設され、前記回転軸を回転駆動することにより前記基板を支持した支持部材を回転させる間に、前記基板の全面に紫外線を照射する紫外線照射ランプと、
この紫外線照射ランプを、前記基板の成膜面に対面させる紫外線照射位置と、前記基板と蒸着源との間の空間を開放する退避位置とに変位させるランプ変位手段と
を備える構成としたことを特徴とする基板の成膜装置。
In a film forming apparatus for forming a film by vapor deposition on the surface of the substrate by providing a rotating shaft facing in a sealed chamber and detachably connecting a support member supporting the substrate to the rotating shaft.
An ultraviolet irradiation lamp disposed in the chamber and configured to irradiate the entire surface of the substrate with ultraviolet rays while rotating a support member that supports the substrate by rotating the rotation shaft;
The ultraviolet irradiation lamp is configured to include an ultraviolet irradiation position for facing the film-forming surface of the substrate and a lamp displacing means for displacing the ultraviolet irradiation position to a retracted position for opening a space between the substrate and the evaporation source. A substrate deposition apparatus that is characterized.
前記支持部材は前記基板を複数装架可能なドームからなり、前記紫外線照射ランプは、前記紫外線照射位置では、前記ドームの回転中に前記基板の配列幅の全長に向けてライン状の紫外線を照射する構成としたことを特徴とする請求項1記載の基板の成膜装置。 The support member includes a dome on which a plurality of the substrates can be mounted, and the ultraviolet irradiation lamp irradiates line-shaped ultraviolet rays toward the full length of the arrangement width of the substrates during rotation of the dome at the ultraviolet irradiation position. The substrate deposition apparatus according to claim 1, wherein the substrate deposition apparatus is configured as described above. 前記ランプ変位手段は、前記チャンバ内に設けられ、前記紫外線照射ランプに連結して設けた回動アームと、前記チャンバ外に設けられ、前記回動アームを回動させる駆動手段とから構成したことを特徴とする請求項1または請求項2記載の基板の成膜装置。 The lamp displacing means comprises a rotating arm provided in the chamber and connected to the ultraviolet irradiation lamp, and a driving means provided outside the chamber for rotating the rotating arm. The substrate film-forming apparatus according to claim 1 or 2. 前記ランプ変位手段により前記紫外線照射ランプが退避位置に変位したときに、蒸着物質がこの紫外線照射ランプに付着しないように保護する保護手段を設ける構成としたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の基板の成膜装置。 2. The apparatus according to claim 1, further comprising a protective unit that protects the vapor deposition material from adhering to the ultraviolet irradiation lamp when the ultraviolet irradiation lamp is displaced to the retracted position by the lamp displacing unit. 4. The film forming apparatus for a substrate according to any one of 3 above. 密閉したチャンバ内を真空状態にして、このチャンバ内に配設され、基板を保持する支持部材を回転させる間に、基板表面に蒸着により成膜を行う方法であって、
前記基板が前記支持部材に装着された後であって、基板への成膜を行う前の段階で、前記支持部材に装着した前記基板に紫外線照射ランプを対面させて、前記支持部材を回転駆動する間に、この紫外線照射ランプから前記各基板表面に紫外線を照射することによりドライ洗浄を行い、
このドライ洗浄の後に、前記紫外線照射ランプを前記支持部材から離間させて、この支持部材と蒸着源との間の空間を開放して、前記各基板表面に蒸着による成膜を行う
ことを特徴とする基板の成膜方法。
A method of forming a film by vapor deposition on the surface of a substrate while rotating the supporting member disposed in the chamber and holding the substrate while the sealed chamber is in a vacuum state,
After the substrate is mounted on the support member and before film formation on the substrate, an ultraviolet irradiation lamp is made to face the substrate mounted on the support member, and the support member is driven to rotate. In the meantime, dry cleaning is performed by irradiating the surface of each substrate with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation lamp,
After the dry cleaning, the ultraviolet irradiation lamp is separated from the support member to open a space between the support member and the vapor deposition source, and film formation by vapor deposition is performed on the surface of each substrate. A method for forming a film on a substrate.
前記支持部材は複数の基板が装架可能なドームであり、前記紫外線照射ランプはこのドームに装架された前記各基板の配列幅の全長に及ぶ長さを有するものであることを特徴とする請求項5記載の基板の成膜方法。 The support member is a dome on which a plurality of substrates can be mounted, and the ultraviolet irradiation lamp has a length extending over the entire array width of the substrates mounted on the dome. The method for forming a substrate according to claim 5. 前記基板に対するドライ洗浄は前記チャンバ内を真空状態にする前に行うことを特徴とする請求項5または請求項6記載の基板の成膜方法。 7. The substrate film forming method according to claim 5, wherein the dry cleaning of the substrate is performed before the chamber is evacuated. 前記基板に対するドライ洗浄は前記チャンバ内を真空状態にした後に行うことを特徴とする請求項5または請求項6記載の基板の成膜方法。 7. The method for forming a substrate according to claim 5, wherein the dry cleaning of the substrate is performed after the inside of the chamber is evacuated. 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の装置を用いて、または請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の方法により成膜される基板は光学ガラス基板であり、この光学ガラス基板の表面に光学的機能を有する1または複数層の薄膜を形成してなる光学素子。 The substrate formed by the apparatus according to any one of claims 1 to 4 or by the method according to any one of claims 5 to 8 is an optical glass substrate, and the optical glass substrate An optical element formed by forming a thin film of one or more layers having an optical function on the surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011243949A (en) * 2010-04-23 2011-12-01 Canon Inc Exposure equipment and device manufacturing method

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