JP2009063864A - Liquid crystal display device, and method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device, and method for manufacturing liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an FFS mode liquid crystal display device in which no metal wiring is exposed on an edge of an array substrate, in which electrostatic breakdown is prevented from occurring, and which has a flattened film to reduce occurrence of rubbing unevenness in rubbing. <P>SOLUTION: A connection terminal 33A for lower wiring of the array substrate has: a contact hole 36a formed so as to pass through a first insulating film (a gate insulating film 14 and a passivation film 17) covering a surface of a wiring 34 for the connection terminal; a first transparent conductive film 38 partly electrically connected to the wiring 34 for the connection terminal on the bottom of the contact hole 36a and further electrically connected to a short circuit wire 53; a second insulating film 23 to cover the first transparent conductive film 38 and the surface of the first insulating film; and a second conductive film 41 simultaneously covering the surface of the second insulating film 23 on the periphery of the contact hole 36a, the first transparent conductive film 38 on the bottom of the contact hole 36a, and the surface of the wiring 34 for the connection terminal. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、平坦化膜上に画素電極及び共通電極を配置したFFS(Fringe Field Switc
hing)モードの液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。
The present invention relates to an FFS (Fringe Field Switch) in which a pixel electrode and a common electrode are arranged on a planarizing film.
The present invention relates to a liquid crystal display device in a hing) mode and a method for manufacturing the liquid crystal display device.

液晶表示装置は、マトリクス状に配置されたスイッチング素子及び画素電極を備えるア
レイ基板と、カラーフィルタ層を備えるカラーフィルタ基板とを対向配置し、両基板間に
液晶を封入した構成を備えている。このような液晶表示装置として、アレイ基板にのみ画
素電極及び共通電極からなる一対の電極を備えた横方向電界方式の液晶表示装置と称され
るIPS(In-Plane Switching)モードないしFFSモード(下記特許文献1及び2参照
)の液晶表示装置が知られている。
The liquid crystal display device has a configuration in which an array substrate including switching elements and pixel electrodes arranged in a matrix and a color filter substrate including a color filter layer are arranged to face each other, and liquid crystal is sealed between the substrates. As such a liquid crystal display device, an IPS (In-Plane Switching) mode or FFS mode (described below) called a lateral electric field type liquid crystal display device having a pair of electrodes consisting of a pixel electrode and a common electrode only on an array substrate. A liquid crystal display device disclosed in Patent Documents 1 and 2) is known.

このうち、IPSモードの液晶表示装置は液晶に電界を印加するための画素電極と共通
電極とをそれぞれ同一の絶縁膜上に配置したものである。また、FFSモードの液晶表示
装置は液晶に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異なる
層に配置したものである。このFFSモードの液晶表示装置は、IPSモードの液晶表示
装置よりも広視野角かつ高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高開
口率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、FFSモード
の液晶表示装置は、IPSモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との
重複面積が大きいために、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける
必要がなくなるという長所も存在している。
Among them, the IPS mode liquid crystal display device has a pixel electrode and a common electrode for applying an electric field to the liquid crystal arranged on the same insulating film. In addition, the FFS mode liquid crystal display device has a pixel electrode and a common electrode for applying an electric field to the liquid crystal arranged in different layers through an insulating film. This FFS mode liquid crystal display device has features that it has a wider viewing angle and higher contrast than an IPS mode liquid crystal display device, can be driven at a lower voltage, and has a higher aperture ratio, enabling bright display. ing. In addition, since the FFS mode liquid crystal display device has a larger overlapping area between the pixel electrode and the common electrode in plan view than the IPS mode liquid crystal display device, a larger storage capacity is generated as a secondary, and a separate auxiliary capacity is generated. There is also an advantage that there is no need to provide a line.

ここで、従来の小型ないし中型の液晶表示装置製造用のアレイ基板の概略を図12を用
いて説明する。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。
Here, an outline of a conventional array substrate for manufacturing a small to medium-sized liquid crystal display device will be described with reference to FIG. In each drawing used for the description in this specification, each layer and each member are displayed in different scales so that each layer and each member can be recognized on the drawing. However, it is not necessarily displayed in proportion to the actual dimensions.

従来の小型ないし中型の液晶表示装置は、図12に示したように、アレイ基板50上に
多数の液晶表示装置51を作製した後、別途作製された多数のカラーフィルタ基板(図示
せず)と張り合わせた後に、スクライブライン52に沿って分断することによって作製さ
れている。このような液晶表示装置の製造に際して装置上から基板搬送時に薄利帯電等が
発生し、静電気が基板上に帯電してしまう。そして各基板の最終工程の際には配向膜のラ
ビング処理工程が存在するが、この配向膜のラビング処理工程においては静電気が発生し
易すく、前工程で帯電したり、ラビング処理工程で発生した静電気によるスパークのため
に液晶表示装置51内の構成要素が静電破壊され易い。
As shown in FIG. 12, a conventional small-sized or medium-sized liquid crystal display device includes a large number of color filter substrates (not shown) separately manufactured after a large number of liquid crystal display devices 51 are formed on an array substrate 50. It is produced by cutting along the scribe line 52 after bonding. When manufacturing such a liquid crystal display device, thin charging or the like occurs when the substrate is transported from the device, and static electricity is charged on the substrate. And in the final process of each substrate, there is a rubbing process step of the alignment film. In the rubbing process process of this alignment film, static electricity is easily generated, and it was charged in the previous process or generated in the rubbing process process. The components in the liquid crystal display device 51 are liable to be electrostatically damaged due to sparks caused by static electricity.

そこで、この静電気を分散させて個々の液晶表示装置51内の構成要素の静電破壊を防
止するため、個々の液晶表示装置51の周囲を囲むように短絡配線(同電位配線)53(
下記特許文献3及び4参照)が形成されている。そして、全ての液晶表示装置51の接続
端子部54は、この短絡配線53に直接或いは高抵抗で接続され、全て同電位となるよう
になされている。なお、この短絡配線53は、スクライブライン52に沿って分断するこ
とによって個々の液晶表示装置を得る際に全て切り離される。
特開2001−235763号公報 特開2002−182230号公報 特開平 6−289417号公報 特開2001−166327号公報
Therefore, in order to disperse this static electricity and prevent electrostatic breakdown of the components in the individual liquid crystal display devices 51, short-circuit wiring (equal potential wiring) 53 (
The following patent documents 3 and 4) are formed. The connection terminal portions 54 of all the liquid crystal display devices 51 are connected to the short-circuit wiring 53 directly or with a high resistance so that they all have the same potential. The short-circuit wiring 53 is cut off when the individual liquid crystal display devices are obtained by cutting along the scribe lines 52.
JP 2001-235863 A JP 2002-182230 A JP-A-6-289417 JP 2001-166327 A

上述した従来例の短絡配線53及び接続端子部54は、ゲート配線ないしソース配線と
同時に形成されている。このゲート配線ないしソース配線は、アルミニウムないしアルミ
ニウム合金等の導電性は良好であるが腐食されやすい金属配線によって形成されている。
そのため、短絡配線53及び接続端子部54の間のスクライブライン52に沿ってスクラ
イブ処理すると、得られた個々のアレイ基板の端部には腐食されやすい金属配線が露出し
てしまうため、液晶表示装置の使用時にこの金属配線の露出面から腐食が起こり易くなる
The short-circuit wiring 53 and the connection terminal portion 54 of the conventional example described above are formed simultaneously with the gate wiring or the source wiring. The gate wiring or the source wiring is formed of a metal wiring such as aluminum or aluminum alloy which has good conductivity but is easily corroded.
Therefore, when the scribing process is performed along the scribe line 52 between the short-circuit wiring 53 and the connection terminal portion 54, the metal wiring that is easily corroded is exposed at the end of each obtained array substrate. Corrosion is likely to occur from the exposed surface of the metal wiring during use.

このような液晶表示装置51の端部に腐食されやすい金属配線が露出しない構成として
は、接続端子部54の表面に露出される接続端子と短絡配線53とを透明導電性材料から
なる画素電極と同時に形成することが考えられる。すなわち、通常の液晶表示装置に使用
されている透明導電性材料からなる画素電極は、例えばITO(Indium Tin Oxide)又は
IZO(Indium Zinc Oxide)等の無機酸化物で形成されているが、これらのITOない
しIZOは腐食され難いためである。
As a configuration in which the metal wiring that is easily corroded is not exposed at the end portion of the liquid crystal display device 51, the connection terminal exposed on the surface of the connection terminal portion 54 and the short-circuit wiring 53 are connected to a pixel electrode made of a transparent conductive material. It is conceivable to form them simultaneously. That is, the pixel electrode made of a transparent conductive material used in a normal liquid crystal display device is formed of an inorganic oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). This is because ITO or IZO is hardly corroded.

このような接続端子部の表面に露出される接続端子と短絡配線とを透明導電性材料から
なる画素電極と同時に形成した例を図13〜図15を用いて説明する。なお、図13〜図
15においては図12に示したものと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してある
An example in which the connection terminal and the short-circuit wiring exposed on the surface of the connection terminal portion are formed simultaneously with the pixel electrode made of a transparent conductive material will be described with reference to FIGS. 13 to 15, the same reference numerals are assigned to the same components as those shown in FIG. 12.

ここで、図13は図12のXIII部分の拡大図である。図14は図13のXIV−XIV線に沿
った断面図である。図15は図13のXV−XV線に沿った断面図である。
Here, FIG. 13 is an enlarged view of the XIII portion of FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG.

この接続端子部54の形成位置には、図13〜図15に示したように、例えばガラス基
板等の透明基板56上に走査線やゲート電極と同時に形成された接続端子用配線57が形
成されており、この接続端子用配線57の表面はゲート絶縁膜58及びパッシベーション
膜59によって被覆されている。そして、この接続端子用配線57は、パッシベーション
膜59及びゲート絶縁膜58を同時に貫通するように形成されたコンタクトホール60を
介して、画素電極の形成と同時に透明導電性材料により形成された接続端子55及び短絡
配線53と配線部分61を介して電気的に接続されている。この接続端子55は、それぞ
れ接続端子用配線57よりも高い位置に、かつ、接続端子用配線57よりも幅が太くなる
ように設けられ、これらの接続端子55に接続される各種接続部材との電気的接触が良好
となるようになされている。
As shown in FIGS. 13 to 15, a connection terminal wiring 57 formed simultaneously with the scanning line and the gate electrode is formed on the transparent substrate 56 such as a glass substrate, for example, at the position where the connection terminal portion 54 is formed. The surface of the connection terminal wiring 57 is covered with a gate insulating film 58 and a passivation film 59. The connection terminal wiring 57 is connected to the connection terminal formed of the transparent conductive material simultaneously with the formation of the pixel electrode through the contact hole 60 formed so as to penetrate the passivation film 59 and the gate insulating film 58 at the same time. 55 and the short-circuit wiring 53 and the wiring portion 61 are electrically connected. The connection terminals 55 are provided at positions higher than the connection terminal wirings 57 and wider than the connection terminal wirings 57, and various connection members connected to the connection terminals 55 are connected to the connection terminals 55. Good electrical contact is made.

一方、平坦化膜を有するFFSモードの液晶表示装置は、それぞれの画素毎に、平坦化
膜の下部にスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)を備え、かつ、平坦化
膜の上部に絶縁膜を介して対向配置された透明導電性材料からなる下電極と複数のスリッ
トが形成された上電極を備えている。このような平坦化膜を有するFFSモードの液晶表
示装置において、上述したように、接続端子部及び短絡配線を画素電極として機能する上
電極と同時に形成しようとすると、下電極上に絶縁膜、上電極、接続端子部及び短絡配線
を形成する必要がある。そのため、接続端子部が短絡配線で同電位に維持されるまでの工
数が増加するため、その間に静電気による不良品の発生が増大する可能性が大きくなって
しまう。加えて、上電極と同材料からなる接続端子と短絡配線との間の配線部分は、絶縁
膜の表面に剥き出し状態で接続されることになるが、このような配線部分が絶縁膜の表面
に多く剥き出し状態で残っていると、ラビング時にラビングムラの発生の懸念もある。
On the other hand, an FFS mode liquid crystal display device having a planarization film includes a thin film transistor (TFT) as a switching element below the planarization film for each pixel, and an insulating film above the planarization film. And a lower electrode made of a transparent conductive material and an upper electrode on which a plurality of slits are formed. In the FFS mode liquid crystal display device having such a flattening film, as described above, when the connection terminal portion and the short-circuit wiring are formed simultaneously with the upper electrode functioning as the pixel electrode, an insulating film and an upper film are formed on the lower electrode. It is necessary to form electrodes, connection terminals, and short-circuit wiring. For this reason, the number of man-hours until the connection terminal portion is maintained at the same potential by the short-circuit wiring increases, and the possibility of the occurrence of defective products due to static electricity increases during that time. In addition, the wiring portion between the connection terminal made of the same material as the upper electrode and the short-circuit wiring is connected in a bare state on the surface of the insulating film. Such a wiring portion is connected to the surface of the insulating film. If many remain, there is a risk of uneven rubbing during rubbing.

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、アレイ基板の端部に金属配線が露出
しておらず、しかも、静電気発生を抑制し、ラビング時にラビングムラの発生が少なくな
るようにした、平坦化膜を有するFFSモードの液晶表示装置を提供することを目的とす
る。更に、本発明は、前記液晶表示装置の製造方法及び前記アレイ基板を有する液晶表示
装置を使用した電子機器を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and the metal wiring is not exposed at the end of the array substrate, and the generation of static electricity is suppressed and the occurrence of uneven rubbing is reduced during rubbing. An object of the present invention is to provide an FFS mode liquid crystal display device having a planarizing film. Furthermore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing the liquid crystal display device and an electronic apparatus using the liquid crystal display device having the array substrate.

上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、基板上に形成された液晶表示装置
の表示領域周辺部に接続端子部が形成され、複数の前記液晶表示装置は前記基板上に形成
された前記液晶表示装置周辺部に配置された短絡配線で夫々電気的に接続されており、マ
トリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線上に形成され
た平坦化膜と、前記走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置された
それぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備えた夫々
の前記液晶表示装置において、前記接続端子部は、接続端子用配線と、前記接続端子用配
線の表面を被覆する第1絶縁膜と、前記接続端子用配線上の第1絶縁膜を貫通するように
形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第1絶縁
膜の表面の一部を被覆すると共に、前記コンタクトホールの底で前記接続端子用配線と部
分的に電気的に接続された第1導電性膜と、前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前
記第1導電性膜及び第1絶縁膜の表面を被覆する第2絶縁膜と、前記コンタクトホールの
周囲及び内周面の前記第2絶縁膜表面と、前記コンタクトホールの底の前記第1導電性膜
及び接続端子用配線の表面とを同時に被覆している第2導電性膜と、を有することを特徴
とする。
In order to achieve the above object, in the liquid crystal display device of the present invention, a connection terminal portion is formed around the display area of the liquid crystal display device formed on the substrate, and the plurality of liquid crystal display devices are formed on the substrate. In addition, a plurality of scanning lines and signal lines that are electrically connected by short-circuit wirings arranged in the periphery of the liquid crystal display device and formed in a matrix, and planarization formed on the scanning lines and signal lines Each of the liquid crystals comprising a film, a lower electrode made of a transparent conductive material, and an upper electrode having a plurality of slits, which are opposed to each other through an insulating film for each region surrounded by the scanning line and the signal line In the display device, the connection terminal portion is formed so as to penetrate the connection terminal wiring, the first insulating film covering the surface of the connection terminal wiring, and the first insulating film on the connection terminal wiring. Contact holes The first conductive material which covers a part of the surface of the first insulating film around the inner periphery and the inner surface of the contact hole and is partially electrically connected to the connection terminal wiring at the bottom of the contact hole A film, a second insulating film covering the surface of the first conductive film and the first insulating film around the contact hole and the inner peripheral surface, and the second insulating film around the contact hole and the inner peripheral surface And a second conductive film that simultaneously covers the surface and the surface of the first conductive film and the connection terminal wiring at the bottom of the contact hole.

本発明の液晶表示装置においては、表示領域は、それぞれマトリクス状に形成された複
数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、前記走査線及び信号線で囲まれた領域
毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリ
ットを有する上電極とを備えている。かかる構成によって、本発明の液晶表示装置をFF
Sモードの液晶表示装置として作動させることができる。
In the liquid crystal display device of the present invention, the display area is formed on the planarization film and the plurality of scanning lines and signal lines each formed in a matrix, and for each area surrounded by the scanning lines and signal lines. A lower electrode made of a transparent conductive material and an upper electrode having a plurality of slits, which are opposed to each other via an insulating film, are provided. With this configuration, the liquid crystal display device of the present invention is
It can be operated as an S-mode liquid crystal display device.

しかも、本発明の液晶表示装置においては、絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透
明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とが平坦化膜上に形成され
ているので、下電極や上電極にスイッチング素子やコモン配線等による段差が生じなくな
る。そのため、本発明のアレイ基板を用いて作製された液晶表示装置によれば、他方の基
板と上電極との間隔、すなわちセルギャップが均一となり、更に、表示領域内においてブ
ラックマトリクスで遮光しなければならない領域の面積が減少するために開口率が大きく
なる。従って、本発明のアレイ基板を用いて作製された液晶表示装置によれば、明るく表
示画質が良好なFFSモードの液晶表示装置が得られる。なお、本発明の液晶表示装置に
おいては、上電極及び下電極のいずれをも画素電極ないし共通電極として作用させること
ができる。すなわち、上電極及び下電極のうち、スイッチング素子に接続された方が画素
電極となり、コモン配線に接続された方が共通電極となる。
Moreover, in the liquid crystal display device of the present invention, the lower electrode made of a transparent conductive material and the upper electrode having a plurality of slits, which are opposed to each other through the insulating film, are formed on the planarizing film. A step due to a switching element, common wiring, or the like does not occur in the lower electrode or the upper electrode. For this reason, according to the liquid crystal display device manufactured using the array substrate of the present invention, the distance between the other substrate and the upper electrode, that is, the cell gap becomes uniform, and further, the light is not shielded by the black matrix in the display area. Since the area of the region that does not become smaller is reduced, the aperture ratio is increased. Therefore, according to the liquid crystal display device manufactured using the array substrate of the present invention, an FFS mode liquid crystal display device having a bright and good display image quality can be obtained. In the liquid crystal display device of the present invention, both the upper electrode and the lower electrode can act as a pixel electrode or a common electrode. That is, of the upper electrode and the lower electrode, the one connected to the switching element is the pixel electrode, and the one connected to the common wiring is the common electrode.

加えて、本発明の液晶表示装置によれば、接続端子用配線と第1導電性膜とが部分的に
電気的に接続されており、更に第2導電性膜が接続端子用配線と第1導電性膜とを同時に
被覆するように形成されている。そのため、接続端子用配線、第1導電性膜及び第2導電
性膜は全て同電位となっている。従って、第1導電性膜を製造時に液晶表示装置周辺部に
配置されている短絡配線と接続するためのパターンとして引き出すことができるようにな
る。そのため、その後に第1導電性膜上に絶縁膜及び第2導電性膜を積層する際にも接続
端子用配線は外部からの静電気の影響を受け難くなり、静電気に起因する不良発生を大幅
に抑制することが可能となる。しかも、第1導電性膜の表面は絶縁膜によって被覆されて
いるため、アレイ基板の製造時に、短絡配線及びこの短絡配線と接続端子用配線とを接続
する配線部分が剥き出しにならないので、ラビング処理に際してラビングムラの発生が減
少する。
In addition, according to the liquid crystal display device of the present invention, the connection terminal wiring and the first conductive film are partially electrically connected, and the second conductive film is further connected to the connection terminal wiring and the first conductive film. It is formed so as to cover the conductive film simultaneously. For this reason, the connection terminal wiring, the first conductive film, and the second conductive film are all at the same potential. Therefore, the first conductive film can be drawn out as a pattern for connecting to the short-circuit wiring arranged in the periphery of the liquid crystal display device at the time of manufacture. Therefore, when the insulating film and the second conductive film are subsequently laminated on the first conductive film, the connection terminal wiring is hardly affected by static electricity from the outside, and the occurrence of defects due to static electricity is greatly increased. It becomes possible to suppress. In addition, since the surface of the first conductive film is covered with an insulating film, the short-circuit wiring and the wiring portion that connects the short-circuit wiring and the connection terminal wiring are not exposed when the array substrate is manufactured. At this time, the occurrence of uneven rubbing is reduced.

なお、本願発明の液晶表示装置においては、第1導電性膜は接続端子用配線と部分的に
電気的に接続されており、第2導電性膜が接続端子用配線及び第1導電性膜の両者と電気
的に接続されていることが必要である。第2導電性膜が第1導電性膜を介して接続端子用
配線と電気的に接続されている構成とすると、第1及び第2導電性膜はITO(Indium T
in Oxide)又はIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料から形成される場合に
は、両者間の接触抵抗が大きくなるので、好ましくない。
In the liquid crystal display device of the present invention, the first conductive film is partially electrically connected to the connection terminal wiring, and the second conductive film is formed of the connection terminal wiring and the first conductive film. It is necessary to be electrically connected to both. When the second conductive film is configured to be electrically connected to the connection terminal wiring via the first conductive film, the first and second conductive films are made of ITO (Indium T
In the case of being formed from a transparent conductive material such as in Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), the contact resistance between the two increases, which is not preferable.

また、本発明の液晶表示装置においては、前記第1導電性膜及び第2導電性膜はそれぞ
れ前記下電極及び上電極と同材質であり、前記第2絶縁膜は前記下電極及び上電極間に配
置された絶縁膜と同材質であることが好ましい。
In the liquid crystal display device of the present invention, the first conductive film and the second conductive film are made of the same material as the lower electrode and the upper electrode, respectively, and the second insulating film is between the lower electrode and the upper electrode. It is preferable that it is the same material as the insulating film arrange | positioned.

このような構成とすると、表示領域の形成の際に同時に接続端子部を形成できるため、
工数を増やすことなく表示領域と接続端子部を形成することができる。なお、本発明にお
ける「同材質」とは、それぞれ同じ材料で形成されている場合を含む外、例えば一方が複
層構造である場合には他方も同様の複層構造を備えていることを意味する。
With such a configuration, since the connection terminal portion can be formed at the same time when the display area is formed,
The display area and the connection terminal portion can be formed without increasing the number of steps. The “same material” in the present invention includes the case where each is formed of the same material, for example, when one has a multilayer structure, the other also has a similar multilayer structure. To do.

また、本発明においては、下電極及び上電極としてはITO又はIZO等の透明導電性
材料を使用することができる。この場合、下電極及び上電極とは同組成のものであっても
異なる組成のものであっても良い。また、本発明における平坦化膜は、少なくとも表面が
平坦性を有する透明な有機絶縁性膜であれば使用することができ、例えばアクリル樹脂や
ポリイミド等の透明樹脂を使用することができる。更に、本発明における各種絶縁膜とし
ては酸化ケイ素や窒化ケイ素等の無機絶縁膜を使用することができる。
In the present invention, a transparent conductive material such as ITO or IZO can be used as the lower electrode and the upper electrode. In this case, the lower electrode and the upper electrode may have the same composition or different compositions. Further, the planarizing film in the present invention can be used as long as it is a transparent organic insulating film having at least a flat surface, and for example, a transparent resin such as acrylic resin or polyimide can be used. Furthermore, as various insulating films in the present invention, inorganic insulating films such as silicon oxide and silicon nitride can be used.

本発明の液晶表示装置においては、前記接続端子用配線は前記表示領域の走査線と同材
質の金属材料で形成されており、前記第1絶縁膜は前記表示領域の走査線上を被覆するゲ
ート絶縁膜及び前記信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の複層膜で形成され
ていることが好ましい。
In the liquid crystal display device of the present invention, the connection terminal wiring is formed of the same metal material as the scanning line of the display area, and the first insulating film covers the gate insulating layer covering the scanning line of the display area. The film and the signal line are preferably formed of a multilayer film made of the same material as the passivation film.

表示領域の走査線は通常透明基板上に直接低位配線として形成されるから、この走査線
と同時に形成される接続端子用配線の表面はゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者
で覆われているので、このゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者が第1絶縁膜とな
る。係る態様の液晶表示装置によれば、接続端子用配線が直接基板上に形成される低位配
線の場合であっても、上記発明の効果を奏する液晶表示装置が得られる。但し、前述した
構成においては、ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者が第1絶縁膜となるが、接
続端子用配線上に形成されている絶縁膜は一層であっても多層であっても本発明で示す第
1絶縁膜に相当する。
Since the scanning line in the display area is usually formed as a low-level wiring directly on the transparent substrate, the surface of the connection terminal wiring formed simultaneously with the scanning line is covered with both the gate insulating film and the passivation film. Both the gate insulating film and the passivation film become the first insulating film. According to the liquid crystal display device of this aspect, even when the connection terminal wiring is a low-level wiring formed directly on the substrate, a liquid crystal display device having the above-described effects can be obtained. However, in the configuration described above, both the gate insulating film and the passivation film serve as the first insulating film, but the present invention may be applied to a single layer or multiple layers of insulating film formed on the connection terminal wiring. No. shown in
1 corresponds to an insulating film.

また、本発明の液晶表示装置においては、前記接続端子用配線は前記表示領域の信号線
と同材質の金属材料で形成されており、前記第1絶縁膜は前記表示領域の信号線上を被覆
するパッシベーション膜と同材質の膜で形成されていることが好ましい。
In the liquid crystal display device of the present invention, the connection terminal wiring is formed of the same metal material as the signal lines in the display area, and the first insulating film covers the signal lines in the display area. The film is preferably formed of the same material as the passivation film.

表示領域の信号線は通常ゲート絶縁膜の表面に高位配線として形成されるから、この信
号線と同時に形成される接続端子用配線の表面はパッシベーション膜で覆われているので
、このパッシベーション膜が第1絶縁膜となる。係る態様の液晶表示装置によれば、接続
端子用配線がゲート絶縁膜の表面に形成された高位配線の場合であっても、上記発明の効
果を奏する液晶表示装置が得られる。
Since the signal line in the display area is usually formed as a high-level wiring on the surface of the gate insulating film, the surface of the connection terminal wiring formed simultaneously with this signal line is covered with a passivation film. One insulating film is formed. According to the liquid crystal display device of this aspect, even when the connection terminal wiring is a high-level wiring formed on the surface of the gate insulating film, a liquid crystal display device having the above-described effects can be obtained.

また、本発明の液晶表示装置においては、前記表示領域は、前記平坦化膜と下電極の間
に部分的に反射板が形成されているものとすることができる。
In the liquid crystal display device of the present invention, the display region may have a reflection plate partially formed between the planarization film and the lower electrode.

係る態様の液晶表示装置によれば、前記平坦化膜と下電極の間に部分的に反射板が形成
されている箇所が反射部として作用し、他の部分が透過部として作用するため、FFSモ
ードの半透過型液晶表示装置を形成することできる。
According to the liquid crystal display device of this aspect, the portion where the reflection plate is partially formed between the planarization film and the lower electrode acts as a reflection portion, and the other portion acts as a transmission portion. A mode transflective liquid crystal display device can be formed.

更に、上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記液晶表示装
置用のアレイ基板を、それぞれの液晶表示装置毎に分断すると共に、前記それぞれの液晶
表示装置の前記接続端子領域を前記短絡配線から切断することを特徴とする。
Furthermore, in order to achieve the above object, the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention divides the array substrate for the liquid crystal display device into each liquid crystal display device, and the connection of the respective liquid crystal display devices. The terminal region is cut from the short-circuit wiring.

係る態様の液晶表示装置の製造方法によれば、容易に上記効果を奏する液晶表示装置を
製造することができる。
According to the method for manufacturing a liquid crystal display device according to this aspect, it is possible to easily manufacture a liquid crystal display device having the above effects.

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を各種実施例より説明する。但し、以下
に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置としてFFSモード
の液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこのFFSモードの液晶表示装置に特
定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のもの
にも等しく適応し得るものである。また、以下に示す各実施例の液晶表示装置用のアレイ
基板の平面図は、図12に示した従来例のものと同様であるので、必要に応じて図12を
援用すると共に、図12に示した部分と同一の構成部分には同一の参照符号を用いて説明
する。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the embodiments described below exemplify an FFS mode liquid crystal display device as a liquid crystal display device for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is specified as the FFS mode liquid crystal display device. And is equally applicable to other embodiments within the scope of the claims. Further, the plan view of the array substrate for the liquid crystal display device of each embodiment shown below is the same as that of the conventional example shown in FIG. 12, so FIG. 12 is used as needed and FIG. The same components as those shown will be described using the same reference numerals.

なお、図1は実施例1のアレイ基板を使用した液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透
視した1画素分の模式平面図である。図2は図1のII−II線に沿った断面図である。図3
は実施例1のアレイ基板の低位配線用接続端子部の平面図である。図4は図3のIV−IV線
に沿った断面図である。図5は図3のV−V線に沿った断面図である。図6は実施例1の
アレイ基板の高位配線用端子部の平面図である。図7は図6のVII−VII線に沿った断面図
である。図8は図6のVIII−VIII線に沿った断面図である。図9は実施例2のアレイ基板
を使用したFFSモードの半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視した1画素
分の模式平面図である。図10は図9のX−X線に沿った断面図である。図11Aは本発
明の液晶表示装置を搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図11Bは本発明
の液晶表示装置を搭載した携帯電話機を示す図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of one pixel seen through a color filter substrate of a liquid crystal display device using the array substrate of the first embodiment. FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. FIG.
FIG. 3 is a plan view of a low-level wiring connection terminal portion of the array substrate of Example 1; 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. FIG. 6 is a plan view of the high-level wiring terminal portion of the array substrate of the first embodiment. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. FIG. 8 is a sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. FIG. 9 is a schematic plan view of one pixel seen through the color filter substrate of the FFS mode transflective liquid crystal display device using the array substrate of Example 2. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. FIG. 11A is a diagram showing a personal computer equipped with the liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 11B is a diagram showing a mobile phone equipped with the liquid crystal display device of the present invention.

実施例1の平坦化膜を有するFFSモードの液晶表示装置10A用のアレイ基板AR及
び接続端子部の例を製造工程順に図1〜図5を用いて説明する。なお、このアレイ基板A
Rは、図12に示したように、アレイ基板50として複数個の液晶表示装置51を有する
ものとして作製され、最後に分断されて個々の液晶表示装置となるものである。しかしな
がら、全ての液晶表示装置51は同じ工程では同じ構成に作製されるものであるため、説
明の都合上、以下では1個の液晶表示装置51を作製するものとして説明する。同様に、
実施例1の平坦化膜を有するFFSモードの液晶表示装置10A用のカラーフィルタ基板
CFは、図示省略したが、複数のカラーフィルタ基板領域を有するカラーフィルタ基板と
して作製され、最後に分断されて個々の液晶表示装置となるものであるので、以下では1
個のカラーフィルタ基板領域を作製するものとして説明する。
An example of the array substrate AR and connection terminal portion for the FFS mode liquid crystal display device 10A having the planarizing film of the first embodiment will be described in the order of the manufacturing steps with reference to FIGS. This array substrate A
As shown in FIG. 12, R is produced as a substrate having a plurality of liquid crystal display devices 51 as an array substrate 50, and is finally divided into individual liquid crystal display devices. However, since all the liquid crystal display devices 51 are manufactured in the same configuration in the same process, for convenience of explanation, the following description will be made assuming that one liquid crystal display device 51 is manufactured. Similarly,
Although not shown, the color filter substrate CF for the FFS mode liquid crystal display device 10A having the flattening film of Example 1 is manufactured as a color filter substrate having a plurality of color filter substrate regions, and is finally divided into individual color filter substrates. In the following, the liquid crystal display device is 1
A description will be given assuming that individual color filter substrate regions are produced.

この実施例1のアレイ基板50の液晶表示装置51の作製に際しては、最初にガラス基
板等の透明基板11の表面全体に亘って例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からな
る導電性層を形成する。その後、周知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法によっ
て、表示領域に複数の走査線12及び複数のコモン配線13を互いに平行になるように形
成すると共に、表示領域の周縁部の低位配線用接続端子部33A(図3〜図5参照)には
ゲート配線からなる接続端子用配線34を形成する。このゲート配線は、必ずしも走査線
12用の配線として使用されるものではなく、走査線12と同じ材質の配線であるために
「ゲート配線」と称されているものであり、図示省略したが適宜各種の配線用に使用され
るものである。また、ここではコモン配線13は自画素の走査線12に沿うように形成し
た例を示したが、隣接する画素の走査線12側に沿うように形成しても、あるいは両走査
線12の間に形成してもよい。
In manufacturing the liquid crystal display device 51 of the array substrate 50 of the first embodiment, first, a conductive layer made of, for example, aluminum or an aluminum alloy is formed over the entire surface of the transparent substrate 11 such as a glass substrate. Thereafter, a plurality of scanning lines 12 and a plurality of common wirings 13 are formed in the display region so as to be parallel to each other by a known photolithography method and etching method, and a low-level wiring connection terminal portion 33A at the peripheral portion of the display region. (Refer to FIGS. 3 to 5) A connection terminal wiring 34 made of a gate wiring is formed. This gate wiring is not necessarily used as the wiring for the scanning line 12 and is called “gate wiring” because it is the same material as the scanning line 12. It is used for various wiring. Here, an example is shown in which the common wiring 13 is formed along the scanning line 12 of the own pixel. However, the common wiring 13 may be formed along the scanning line 12 side of the adjacent pixel or between the scanning lines 12. You may form in.

次いで、この表面全体に窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるゲート絶縁膜14を
被覆する。その後、CVD(化学的気相成長)法によりたとえばアモルファス・シリコン
(以下「a−Si」という。)層をゲート絶縁膜14の表面全体に亘って被覆した後、同
じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、TFT形成領域にa−Si層か
らなる半導体層15を形成する。この半導体層15が形成されている位置の走査線12の
領域がTFTのゲート電極Gを形成する。
Next, the entire surface is covered with a gate insulating film 14 made of a silicon nitride layer or a silicon oxide layer. After that, for example, an amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”) layer is coated over the entire surface of the gate insulating film 14 by a CVD (chemical vapor deposition) method, and then also by a photolithography method and an etching method. Then, a semiconductor layer 15 made of an a-Si layer is formed in the TFT formation region. The region of the scanning line 12 at the position where the semiconductor layer 15 is formed forms the gate electrode G of the TFT.

次いで、ゲート絶縁膜14及び半導体層15の表面に例えばアルミニウム又はアルミニ
ウム合金からなる導電性層を形成する。更に、その導電性層を、フォトリソグラフィー法
及びエッチング法により、表示領域において走査線12に交差するようにソース電極Sを
含む信号線16を形成し、TFT形成領域にドレイン電極Dを形成し、更に、高位配線用
接続端子部33B(図6〜図8参照)にソース配線からなる接続端子用配線35を形成す
る。このソース配線は、ゲート配線の場合と同様に、必ずしも信号線16の配線として使
用されるものではなく、信号線16と同じ材質の配線であるために「ソース配線」と称さ
れているものであり、図示省略したが適宜各種の配線用に使用されるものである。
Next, a conductive layer made of, for example, aluminum or an aluminum alloy is formed on the surfaces of the gate insulating film 14 and the semiconductor layer 15. Further, a signal line 16 including a source electrode S is formed on the conductive layer by a photolithography method and an etching method so as to intersect the scanning line 12 in the display region, and a drain electrode D is formed in the TFT formation region. Further, the connection terminal wiring 35 made of the source wiring is formed in the high-level wiring connection terminal portion 33B (see FIGS. 6 to 8). As in the case of the gate wiring, this source wiring is not necessarily used as the wiring of the signal line 16 but is called a “source wiring” because it is made of the same material as the signal line 16. Although not shown, it is used for various wirings as appropriate.

その後、上記工程で得られた透明基板11の表面全体にパッシベーション膜17を被覆
する。このパッシベーション膜17としては、窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる
ものを使用することができるが、絶縁性の観点からは窒化ケイ素層の方が望ましい。この
うち、低位配線用接続端子部33Aの接続端子用配線34の表面に存在するゲート絶縁膜
14及びパッシベーション膜17が本発明の第1絶縁膜に対応し、同じく高位配線用接続
端子部33Bの接続端子用配線35の表面に存在するパッシベーション膜17も本発明の
第1絶縁膜に対応する。
Thereafter, a passivation film 17 is coated on the entire surface of the transparent substrate 11 obtained in the above process. As the passivation film 17, a silicon nitride layer or a silicon oxide layer can be used, but a silicon nitride layer is more desirable from the viewpoint of insulation. Among these, the gate insulating film 14 and the passivation film 17 present on the surface of the connection terminal wiring 34 of the low level wiring connection terminal portion 33A correspond to the first insulating film of the present invention. The passivation film 17 present on the surface of the connection terminal wiring 35 also corresponds to the first insulating film of the present invention.

次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、コモン配線13上及び低位
配線用接続端子部33Aの接続端子用配線34上の表面のゲート絶縁膜14及びパッシベ
ーション膜17にそれぞれコンタクトホール21及び36aを形成する。それと同時に、
高位配線用接続端子部33Bの接続端子用配線35上のパッシベーション膜17にコンタ
クトホール37aを形成する。このコンタクトホール21、36a及び37aの形成には
、乾式エッチング法の1種であるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチン
グ法を採用し得る。これにより、コモン配線13、接続端子用配線34及び35の表面が
露出される。なお、このときドレイン電極D上のパッシベーション膜17には未だコンタ
クトホールは形成しない。更に、表示領域のパッシベーション膜17の表面に、フォトリ
ソグラフィー法によって、コンタクトホール21部分及びドレイン電極D上のコンタクト
ホール形成予定部分を除いて、例えばアクリル樹脂ないしポリイミド樹脂から成る平坦化
膜(層間膜とも称される)18を積層する。
Next, contact holes 21 and 36a are respectively formed in the gate insulating film 14 and the passivation film 17 on the common wiring 13 and on the connection terminal wiring 34 of the low-level wiring connection terminal portion 33A by photolithography and etching. . At the same time,
A contact hole 37a is formed in the passivation film 17 on the connection terminal wiring 35 of the high-level wiring connection terminal portion 33B. For the formation of the contact holes 21, 36a and 37a, a plasma etching method which is a kind of dry etching method or a wet etching method using buffered hydrofluoric acid can be employed. Thereby, the surfaces of the common wiring 13 and the connection terminal wirings 34 and 35 are exposed. At this time, no contact hole is formed in the passivation film 17 on the drain electrode D yet. Further, a planarizing film (interlayer film) made of, for example, acrylic resin or polyimide resin is formed on the surface of the passivation film 17 in the display region, except for the contact hole 21 portion and the contact hole formation planned portion on the drain electrode D by photolithography. (Also referred to as 18).

次いで、平坦化膜18が形成された透明基板の表面全体に亘って例えばITOやIZO
からなる透明導電性層を被覆する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、それぞれの画素毎に平坦化膜18の表面に下電極22を形成すると共に、接続端
子用配線34及び35の表面の一部及びこれらの周囲のパッシベーション膜17の一部を
被覆すると共に、それぞれ第1透明導電性膜38及び39を形成する。このとき、アレイ
基板50においては、図12に示されているように、それぞれの液晶表示装置51の周囲
を囲むように、且つ、全ての第1透明導電性膜38及び39と配線部分61を介して電気
的に接続されるように、短絡配線53が形成される。この際、接続端子用配線34及び3
5の表面の一部が露出するように第1透明導電性膜38及び39を形成することが必要で
ある。接続端子用配線34及び35の表面全面を第1透明導電性膜38及び39で被覆す
ると、接続端子用配線34及び35は第1透明導電性膜38及び39を介して以降の工程
で被覆される第2透明導電性層と電気的に接続される状態となる。このような状態では、
第1透明導電性膜38及び39と第2透明導電性膜との間の接触抵抗が大きいので、静電
気の分散効果が抑制されてしまう。なお、この工程でそれぞれの画素毎の下電極22はコ
ンタクトホール21を介してコモン配線13と電気的に接続される。
Next, over the entire surface of the transparent substrate on which the planarizing film 18 is formed, for example, ITO or IZO
A transparent conductive layer made of is coated. Thereafter, the lower electrode 22 is formed on the surface of the planarizing film 18 for each pixel by photolithography and etching, and part of the surface of the connection terminal wirings 34 and 35 and the passivation film 17 surrounding them. A first transparent conductive film 38 and 39 are formed respectively. At this time, in the array substrate 50, as shown in FIG. 12, all the first transparent conductive films 38 and 39 and the wiring portion 61 are surrounded so as to surround the respective liquid crystal display devices 51. The short circuit wiring 53 is formed so as to be electrically connected via the wiring. At this time, the connection terminal wirings 34 and 3
It is necessary to form the first transparent conductive films 38 and 39 so that a part of the surface of 5 is exposed. When the entire surfaces of the connection terminal wirings 34 and 35 are covered with the first transparent conductive films 38 and 39, the connection terminal wirings 34 and 35 are covered in the subsequent steps via the first transparent conductive films 38 and 39. The second transparent conductive layer is electrically connected. In such a state,
Since the contact resistance between the first transparent conductive films 38 and 39 and the second transparent conductive film is large, the static electricity dispersion effect is suppressed. In this step, the lower electrode 22 for each pixel is electrically connected to the common wiring 13 through the contact hole 21.

更に、下電極22、第1透明導電性膜38及び39が形成された透明基板11の表面全
体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる絶縁膜23を形成する。このとき、
ドレイン電極D上のコンタクトホール形成予定部分のパッシベーション膜17の表面、露
出していた接続端子用配線34及び35の表面、第1透明導電性膜38及び39の表面、
配線部分61及び短絡配線53の表面も絶縁膜23によって被覆される。次いで、フォト
リソグラフィー法及びエッチング法によって、ドレイン電極D上のコンタクトホール形成
予定部分のパッシベーション膜17及び絶縁膜23に対してコンタクトホール24を、接
続端子用配線34、35及び第1透明導電性膜38及び39の表面上に位置する絶縁膜2
3に対して開口36b及び37bをそれぞれ形成する。それによって、ドレイン電極Dの
表面、接続端子用配線34、35及び第1透明導電性膜38及び39の表面を露出させる
。このコンタクトホール24、開口36b及び37bの形成には、乾式エッチング法の1
種であるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチング法を採用し得る。なお
、図1においては、絶縁膜23は、以下に述べる上電極26の部分を除いて全面に現れる
が、液晶表示装置10Aの理解を容易にするために図示省略されている。
Further, an insulating film 23 made of a silicon nitride layer or a silicon oxide layer is formed over the entire surface of the transparent substrate 11 on which the lower electrode 22 and the first transparent conductive films 38 and 39 are formed. At this time,
The surface of the passivation film 17 where the contact hole is to be formed on the drain electrode D, the exposed surfaces of the connection terminal wirings 34 and 35, the surfaces of the first transparent conductive films 38 and 39,
The surfaces of the wiring portion 61 and the short-circuit wiring 53 are also covered with the insulating film 23. Next, the contact hole 24 is formed in the contact hole formation planned portion on the drain electrode D and the insulating film 23 by the photolithography method and the etching method, the connection terminal wirings 34 and 35 and the first transparent conductive film. Insulating film 2 located on the surfaces of 38 and 39
3, openings 36b and 37b are formed, respectively. Accordingly, the surface of the drain electrode D, the connection terminal wirings 34 and 35, and the surfaces of the first transparent conductive films 38 and 39 are exposed. The contact hole 24 and the openings 36b and 37b are formed by a dry etching method 1
A seeded plasma etching method or a wet etching method using buffered hydrofluoric acid may be employed. In FIG. 1, the insulating film 23 appears on the entire surface except for the upper electrode 26 described below, but is not shown in order to facilitate understanding of the liquid crystal display device 10A.

また、この開口36b及び37bは、接続端子用配線34上のゲート絶縁膜14及びパ
ッシベーション膜17に形成されたコンタクトホール36a及び接続端子用配線35上の
パッシベーション膜17に形成されたコンタクトホール37aよりも小径にされている。
そのため、接続端子用配線34、35及び第1透明導電性膜38及び39上の絶縁膜23
は開口36b及び37bの周縁側で部分的に接続端子用配線34、35及び第1透明導電
性膜38及び39を被覆していることになる。なお、この絶縁膜23のうち、接続端子用
配線34及び35上に存在する第1透明導電性膜38及び39の表面に形成された部分が
本発明における第2絶縁膜に対応する。
The openings 36b and 37b are formed from the contact hole 36a formed in the gate insulating film 14 and the passivation film 17 on the connection terminal wiring 34 and the contact hole 37a formed in the passivation film 17 on the connection terminal wiring 35. Also has a small diameter.
Therefore, the insulating film 23 on the connection terminal wirings 34 and 35 and the first transparent conductive films 38 and 39.
Means that the connection terminal wirings 34 and 35 and the first transparent conductive films 38 and 39 are partially covered on the peripheral sides of the openings 36b and 37b. Of the insulating film 23, portions formed on the surfaces of the first transparent conductive films 38 and 39 existing on the connection terminal wirings 34 and 35 correspond to the second insulating film in the present invention.

更に、絶縁膜23が形成された透明基板11の表面全体に亘って例えばITOやIZO
からなる透明導電性層を被覆する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、それぞれの画素毎に絶縁膜23の表面に複数のスリット25が形成された上電極
26を形成すると共に、接続端子用配線34、35及び第1透明導電性膜38及び39の
表面及びこれらの周囲の絶縁膜23を被覆するように、それぞれ第2透明導電性膜41及
び42を形成する。この第2透明導電性膜41及び42は、絶縁膜23に形成された開口
36b及び37bを介してそれぞれ接続端子用配線34、35及び第1透明導電性膜38
及び39の表面と接触しており、それぞれ本発明における接続端子部に対応する。この後
、表示部の上電極26を含む表面全体に配向膜(図示せず)を設け、ラビング処理を行う
ことにより、複数個の液晶表示装置51を備えたアレイ基板50が得られる。
Further, over the entire surface of the transparent substrate 11 on which the insulating film 23 is formed, for example, ITO or IZO
A transparent conductive layer made of is coated. Thereafter, an upper electrode 26 having a plurality of slits 25 formed on the surface of the insulating film 23 is formed for each pixel by photolithography and etching, and the connection terminal wirings 34 and 35 and the first transparent conductive material are formed. Second transparent conductive films 41 and 42 are formed so as to cover the surfaces of the films 38 and 39 and the insulating film 23 around them. The second transparent conductive films 41 and 42 are connected to the connection terminal wirings 34 and 35 and the first transparent conductive film 38 through the openings 36b and 37b formed in the insulating film 23, respectively.
And 39, respectively, which correspond to the connection terminal portions in the present invention. Thereafter, an alignment film (not shown) is provided on the entire surface including the upper electrode 26 of the display portion, and a rubbing process is performed, whereby the array substrate 50 including a plurality of liquid crystal display devices 51 is obtained.

また、カラーフィルタ基板(図示せず)の個々のカラーフィルタ基板領域62は、図2
に示したように、第2の透明基板27の表面に、個々の液晶表示装置51の走査線12、
信号線16及びTFTに対応する位置を被覆するようにブラックマトリクス28が形成さ
れている。更に、ブラックマトリクス28で囲まれた第2の透明基板27の表面には、所
定の色のカラーフィルタ層29が形成され、また、ブラックマトリクス28及びカラーフ
ィルタ層29の表面を被覆するようにオーバーコート層30が形成されている。そして、
オーバーコート層30の表面には配向膜(図示せず)が形成されて、複数のカラーフィル
タ基板領域62を有するカラーフィルタ基板が完成される。
Further, the individual color filter substrate regions 62 of the color filter substrate (not shown) are shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the scanning lines 12 of the individual liquid crystal display devices 51 are formed on the surface of the second transparent substrate 27.
A black matrix 28 is formed so as to cover positions corresponding to the signal lines 16 and the TFTs. Further, a color filter layer 29 of a predetermined color is formed on the surface of the second transparent substrate 27 surrounded by the black matrix 28, and the overcoat is applied so as to cover the surfaces of the black matrix 28 and the color filter layer 29. A coat layer 30 is formed. And
An alignment film (not shown) is formed on the surface of the overcoat layer 30 to complete a color filter substrate having a plurality of color filter substrate regions 62.

そして、前述したアレイ基板50に対し、上述の構成のカラーフィルタ基板を張り合わ
せた後、スクライブライン52に沿って分断し、更に両基板間に液晶31を封入すること
により実施例1のFFSモードの液晶表示装置10Aが得られる。
Then, after the color filter substrate having the above-described configuration is bonded to the above-described array substrate 50, the substrate is divided along the scribe line 52, and the liquid crystal 31 is sealed between the two substrates, whereby the FFS mode of the first embodiment is achieved. A liquid crystal display device 10A is obtained.

なお、実施例1では下電極22を共通電極とし、上電極26を画素電極とした構成で記
載しているが、例えば、下電極26を画素電極としてドレイン電極Dと接続させ、上電極
22を共通電極とし画素内または表示領域周辺部に配置されているコモン電極13に電気
的に接続させた構成とすることも可能である。
In the first embodiment, the lower electrode 22 is a common electrode and the upper electrode 26 is a pixel electrode. However, for example, the lower electrode 26 is a pixel electrode and is connected to the drain electrode D. It is also possible to adopt a configuration in which the common electrode is electrically connected to the common electrode 13 disposed in the pixel or in the periphery of the display region.

このように、実施例1のアレイ基板50によれば、低位接続端子用配線34及び高位接
続端子用配線35と第1透明導電性膜38、39とが部分的に電気的に接続されており、
更に第2透明導電性膜41、42が低位接続端子用配線34及び高位接続端子用配線35
と第1導電性膜38、39とを同時に被覆するように形成されている。従って、第1透明
導電性膜38、39を形成した段階で、アレイ基板50における全ての低位接続端子用配
線34及び高位接続端子用配線35は短絡配線53によって短絡されて同電位となってい
る。そのため、その後に第1透明導電性膜38、39に絶縁膜23及び第2透明導電性膜
41、42を積層する際にも低位接続端子用配線34及び高位接続端子用配線35は外部
からの静電気の影響を受け難くなり、静電気に起因する不良発生を大幅に抑制することが
可能となる。更に、第1透明導電性膜38、39と短絡配線53との間の配線部分61は
、絶縁膜23によって被覆されているため、外部に直接露出することはないので、従来例
に比するとラビング時にラビングムラの発生が少なくなる。
As described above, according to the array substrate 50 of the first embodiment, the low-level connection terminal wiring 34 and the high-level connection terminal wiring 35 and the first transparent conductive films 38 and 39 are partially electrically connected. ,
Further, the second transparent conductive films 41 and 42 are provided with a low-level connection terminal wiring 34 and a high-level connection terminal wiring 35.
And the first conductive films 38 and 39 are formed so as to cover them simultaneously. Therefore, at the stage where the first transparent conductive films 38 and 39 are formed, all the low-level connection terminal wirings 34 and the high-level connection terminal wirings 35 in the array substrate 50 are short-circuited by the short-circuit wiring 53 and have the same potential. . Therefore, when the insulating film 23 and the second transparent conductive films 41 and 42 are laminated on the first transparent conductive films 38 and 39 after that, the low-level connection terminal wiring 34 and the high-level connection terminal wiring 35 are connected from the outside. It becomes difficult to be affected by static electricity, and it is possible to greatly suppress the occurrence of defects due to static electricity. Furthermore, since the wiring portion 61 between the first transparent conductive films 38 and 39 and the short-circuit wiring 53 is covered with the insulating film 23, it is not directly exposed to the outside. Occasionally rubbing unevenness is reduced.

なお、実施例1の液晶表示装置10Aとしては透過型のFFSモードの液晶表示装置の
例を示したが、半透過型のFFSモードの液晶表示装置とすることもできる。ここで実施
例2として半透過型のFFSモードの液晶表示装置10Bの構成を図9及び図10を用い
て説明する。なお、実施例2の液晶表示装置10Bにおいては、実施例1の液晶表示装置
10Aと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
In addition, although the example of the transmissive FFS mode liquid crystal display device is shown as the liquid crystal display device 10A of the first embodiment, a transflective FFS mode liquid crystal display device may be used. Here, the configuration of a transflective FFS mode liquid crystal display device 10B will be described as a second embodiment with reference to FIGS. In the liquid crystal display device 10B of the second embodiment, the same reference numerals are given to the same components as those of the liquid crystal display device 10A of the first embodiment, and detailed description thereof is omitted.

実施例2の半透過型のFFSモードの液晶表示装置10Bが実施例1の透過型のFFS
モードの液晶表示装置10Aと構成が相違している点は、平坦化膜18の表面の一部に凹
凸が形成され(図示省略)、この凹凸が形成された平坦化膜18の表面に光反射性金属か
らなる反射板19が形成されている点である。この反射板19は、平坦化膜18の表面と
下電極22との間に配置されている。従って、実施例2の液晶表示装置10Bでは、それ
ぞれの上電極26が形成されている部分において、反射板19が形成されている部分が反
射部20を形成し、その他の部分が透過部を形成する。なお、光反射性金属としては、ア
ルミニウム、アルミニウム合金ないし銀等の半透過型液晶表示装置の反射板形成材料とし
て汎用的に使用されているものを適宜選択して使用し得る。
The transflective FFS mode liquid crystal display device 10B of the second embodiment is the same as the transmissive FFS of the first embodiment.
The difference from the mode liquid crystal display device 10A is that unevenness is formed on a part of the surface of the flattening film 18 (not shown), and light is reflected on the surface of the flattening film 18 on which the unevenness is formed. This is a point where a reflective plate 19 made of a conductive metal is formed. The reflecting plate 19 is disposed between the surface of the planarizing film 18 and the lower electrode 22. Therefore, in the liquid crystal display device 10B according to the second embodiment, in each portion where the upper electrode 26 is formed, the portion where the reflection plate 19 is formed forms the reflection portion 20, and the other portion forms the transmission portion. To do. In addition, as a light reflective metal, what is generally used as a reflecting plate forming material of a transflective liquid crystal display device such as aluminum, an aluminum alloy, or silver can be appropriately selected and used.

この実施例2の液晶表示装置10Bにおいては、平坦化膜18の形成後に表面全体に亘
って光反射性金属膜を形成し、その後にフォトリソグラフィー法及びエッチング法によっ
て反射板19を形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、最
初にそれぞれの画素毎の反射板19の部分を残して他の部分の光反射性金属膜を除去する
。引き続いて、エッチングを進めることによって、コモン配線13上及び低位配線用接続
端子部33Aの接続端子用配線34上の表面のゲート絶縁膜14及びパッシベーション膜
17にそれぞれコンタクトホール21及び36aを形成するとともに、高位配線用接続端
子部33Bの接続端子用配線35上のパッシベーション膜17にコンタクトホール37a
を形成する。その後の製造工程は実施例1の液晶表示装置10Aの場合と同様である。
In the liquid crystal display device 10B of the second embodiment, after the planarization film 18 is formed, a light reflective metal film is formed over the entire surface, and then the reflection plate 19 is formed by a photolithography method and an etching method. Thereafter, the light-reflective metal film of the other part is removed by leaving the part of the reflection plate 19 for each pixel first by photolithography and etching. Subsequently, by performing etching, contact holes 21 and 36a are formed in the gate insulating film 14 and the passivation film 17 on the surface of the common wiring 13 and the connection terminal wiring 34 of the low-level wiring connection terminal portion 33A, respectively. The contact hole 37a is formed in the passivation film 17 on the connection terminal wiring 35 of the high-level wiring connection terminal portion 33B.
Form. The subsequent manufacturing process is the same as that of the liquid crystal display device 10A of the first embodiment.

なお、この実施例2の液晶表示装置10Bにおける表示領域の周縁部に形成される接続
端子部33A及び33Bの構成は実施例1の液晶表示装置10Aの場合と同一の構成とな
る。従って、実施例2の液晶表示装置10Bによれば、実施例1の液晶表示装置10Aと
同様の効果を奏する半透過型のFFSモードの液晶表示装置が得られる。
The configuration of the connection terminal portions 33A and 33B formed at the peripheral edge of the display region in the liquid crystal display device 10B of the second embodiment is the same as that of the liquid crystal display device 10A of the first embodiment. Therefore, according to the liquid crystal display device 10B of the second embodiment, a transflective FFS mode liquid crystal display device having the same effects as the liquid crystal display device 10A of the first embodiment can be obtained.

以上、本発明の実施例1及び2として透過型及び半透過型のFFSモードの液晶表示装
置の例を説明した。このような本発明の液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯
電話機、携帯情報端末などの電子機器に使用することができる。このうち、液晶表示装置
71をパーソナルコンピュータ70に使用した例を図11Aに、同じく液晶表示装置76
を携帯電話機75に使用した例を図11Bに示す。ただし、これらのパーソナルコンピュ
ータ70及び携帯電話機75の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略
する。
In the above, examples of the transmissive and transflective FFS mode liquid crystal display devices have been described as the first and second embodiments of the present invention. Such a liquid crystal display device of the present invention can be used for electronic devices such as personal computers, mobile phones, and portable information terminals. Among these, an example in which the liquid crystal display device 71 is used in the personal computer 70 is shown in FIG.
FIG. 11B shows an example in which is used for the mobile phone 75. However, since the basic configuration of the personal computer 70 and the mobile phone 75 is well known to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted.

実施例1のアレイ基板を使用した液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視した1画素分の模式平面図である。3 is a schematic plan view of one pixel seen through a color filter substrate of a liquid crystal display device using the array substrate of Example 1. FIG. 図1のII−II線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II-II line of FIG. 実施例1のアレイ基板の低位配線用接続端子部の平面図である。3 is a plan view of a low-level wiring connection terminal portion of the array substrate of Example 1. FIG. 図3のIV−IV線に沿った断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3. 図3のV−V線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VV line of FIG. 実施例1のアレイ基板の高位配線用端子部の平面図である。4 is a plan view of a high-level wiring terminal portion of the array substrate of Example 1. FIG. 図6のVII−VII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VII-VII line of FIG. 図6のVIII−VIII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VIII-VIII line of FIG. 実施例2のアレイ基板を使用したFFSモードの半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視した1画素分の模式平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of one pixel as seen through a color filter substrate of an FFS mode transflective liquid crystal display device using the array substrate of Example 2. 図9のX−X線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XX line of FIG. 図11Aは本発明の液晶表示装置を搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図11Bは本発明の液晶表示装置を搭載した携帯電話機を示す図である。FIG. 11A is a diagram showing a personal computer equipped with the liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 11B is a diagram showing a mobile phone equipped with the liquid crystal display device of the present invention. 従来のアレイ基板の概略平面図である。It is a schematic plan view of a conventional array substrate. 図12のXIII部分の拡大図である。It is an enlarged view of the XIII part of FIG. 図13のXIV−XIV線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XIV-XIV line | wire of FIG. 図13のXV−XV線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XV-XV line | wire of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10A、10B:液晶表示装置 11:透明基板 12:走査線 13:コモン配線 1
4:ゲート絶縁膜 15:半導体層 16:信号線 17:パッシベーション膜 18:
平坦化膜 19:反射板 20:反射部 21、24:コンタクトホール 22:下電極
23:絶縁膜 25:スリット 26:上電極 27:透明基板 28:ブラックマト
リクス 29:カラーフィルタ層 30:オーバーコート層 31:液晶 33A:低位
配線用接続端子部 33B:高位配線用接続端子部 34:低位接続端子用配線 35:
高位接続端子用配線 36a、37a:コンタクトホール 36b、37b:開口 38
、39:第1透明導電性膜 41、42:第2透明導電性膜 50:アレイ基板 51:
液晶表示装置 52:スクライブライン 53:短絡配線 54:接続端子部 55:接
続端子 56:透明基板 57:接続端子用配線 58:ゲート絶縁膜 59:パッシベ
ーション膜 60:コンタクトホール 61:配線部分 62:カラーフィルタ基板領域
10A, 10B: Liquid crystal display device 11: Transparent substrate 12: Scanning line 13: Common wiring 1
4: Gate insulating film 15: Semiconductor layer 16: Signal line 17: Passivation film 18:
Flattening film 19: Reflector 20: Reflector 21, 24: Contact hole 22: Lower electrode 23: Insulating film 25: Slit 26: Upper electrode 27: Transparent substrate 28: Black matrix 29: Color filter layer 30: Overcoat layer 31: Liquid crystal 33A: Low-level wiring connection terminal part 33B: High-level wiring connection terminal part 34: Low-level connection terminal wiring 35:
Higher connection terminal wirings 36a, 37a: contact holes 36b, 37b: openings 38
39: First transparent conductive film 41, 42: Second transparent conductive film 50: Array substrate 51:
Liquid crystal display device 52: Scribe line 53: Short-circuit wiring 54: Connection terminal portion 55: Connection terminal 56: Transparent substrate 57: Connection terminal wiring 58: Gate insulating film 59: Passivation film 60: Contact hole 61: Wiring portion 62: Color Filter substrate area

Claims (7)

基板上に形成された液晶表示装置の表示領域周辺部に接続端子部が形成され、複数の前
記液晶表示装置は前記基板上に形成された前記液晶表示装置周辺部に配置された短絡配線
で夫々電気的に接続されており、
マトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線上に形成
された平坦化膜と、前記走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置さ
れたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備えた
夫々の前記液晶表示装置において、
前記接続端子部は、
接続端子用配線と、
前記接続端子用配線の表面を被覆する第1絶縁膜と、
前記接続端子用配線上の第1絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第1絶縁膜の表面の一部を被覆すると共
に、前記コンタクトホールの底で前記接続端子用配線と部分的に電気的に接続された第1
導電性膜と、
前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第1導電性膜及び第1絶縁膜の表面を被
覆する第2絶縁膜と、
前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第2絶縁膜表面と、前記コンタクトホー
ルの底の前記第1導電性膜及び接続端子用配線の表面とを同時に被覆している第2導電性
膜と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
A connection terminal portion is formed at the periphery of the display area of the liquid crystal display device formed on the substrate, and the plurality of liquid crystal display devices are short-circuit wirings arranged at the periphery of the liquid crystal display device formed on the substrate, respectively. Electrically connected,
A plurality of scanning lines and signal lines formed in a matrix, a planarization film formed on the scanning lines and signal lines, and an opposing arrangement through an insulating film for each region surrounded by the scanning lines and signal lines In each of the liquid crystal display devices including the lower electrode made of each transparent conductive material and the upper electrode having a plurality of slits,
The connection terminal portion is
Connection terminal wiring,
A first insulating film covering a surface of the connection terminal wiring;
A contact hole formed so as to penetrate the first insulating film on the connection terminal wiring;
A first portion that covers a part of the surface of the first insulating film on the periphery and the inner peripheral surface of the contact hole and is partially electrically connected to the connection terminal wiring at the bottom of the contact hole.
A conductive film;
A second insulating film covering the surfaces of the first conductive film and the first insulating film around the inner periphery and the contact hole;
A second conductive film that simultaneously covers the surface of the second insulating film on the periphery and inner peripheral surface of the contact hole and the surface of the first conductive film and the connection terminal wiring at the bottom of the contact hole; ,
A liquid crystal display device comprising:
前記短絡配線は、前記第1導電性膜と電気的に接続されていることを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the short-circuit wiring is electrically connected to the first conductive film.
前記第1導電性膜及び第2導電性膜はそれぞれ前記下電極及び上電極と同材質であり、
前記第2絶縁膜は前記下電極及び上電極間に配置された絶縁膜と同材質であることを特徴
とする請求項1に記載の液晶表示装置。
The first conductive film and the second conductive film are made of the same material as the lower electrode and the upper electrode, respectively.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second insulating film is made of the same material as the insulating film disposed between the lower electrode and the upper electrode.
前記接続端子用配線は前記表示領域の走査線と同材質の金属材料で形成されており、前
記第1絶縁膜は前記表示領域の走査線上を被覆するゲート絶縁膜及び前記信号線上を被覆
するパッシベーション膜と同材質の複層膜で形成されていることを特徴とする請求項1に
記載の液晶表示装置。
The connection terminal wiring is made of the same metal material as the scanning line of the display region, and the first insulating film is a gate insulating film that covers the scanning line of the display region and a passivation that covers the signal line. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed of a multilayer film made of the same material as the film.
前記接続端子用配線は前記表示領域の信号線と同材質の金属材料で形成されており、前
記第1絶縁膜は前記表示領域の信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の膜で形
成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
The connection terminal wiring is formed of the same metal material as the signal lines in the display area, and the first insulating film is formed of a film of the same material as the passivation film covering the signal lines in the display area. The liquid crystal display device according to claim 1.
前記表示領域の前記平坦化膜と下電極の間には部分的に反射板が形成されていることを
特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a reflector is partially formed between the planarizing film and the lower electrode in the display region.
請求項1〜6に記載の液晶表示装置の前記基板を、それぞれの前記液晶表示装置毎に分
断すると共に、それぞれの前記液晶表示装置の前記接続端子領域を前記短絡配線から切断
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
The substrate of the liquid crystal display device according to claim 1 is divided for each of the liquid crystal display devices, and the connection terminal region of each of the liquid crystal display devices is cut from the short-circuit wiring. A method for manufacturing a liquid crystal display device.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004247533A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Casio Comput Co Ltd Active matrix panel

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10232409A (en) * 1996-12-18 1998-09-02 Nec Corp Thin film transistor array substrate and its manufacture
JP2004247533A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Casio Comput Co Ltd Active matrix panel

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