JP2009058284A - Energy beam irradiator - Google Patents

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Yukihiko Ono
幸彦 大野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an energy beam irradiator capable of deoxygenating an irradiation zone of an irradiation object by inhibiting gas from flowing into an electron beam generating section, reducing the capacity of a differential exhausting pump and avoiding scattering of an electron beam. <P>SOLUTION: The energy beam irradiator includes a generation section 11 for generating an energy beam, a through hole 21 extended from the generation section 11 toward an irradiation object and allowing the energy beam to pass through onto the irradiation object, a differential exhausting section having a pressure gradient formed inside the through hole 21 and decreasing in pressure from the irradiation object side toward the generation section 11, and a jetting section 24 for forming a circular tubular inert gas jet covering the circumference of the energy beam from the vicinity of the irradiation object side of the through hole 21 and jetted toward the irradiation object. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、エネルギ線照射装置に関し、特に、金属製の大型構造物にエネルギ線を照射して構造物表面に焼入れ等の処理を施すエネルギ線照射装置に関する。   The present invention relates to an energy beam irradiating apparatus, and more particularly to an energy beam irradiating apparatus that irradiates a metal large structure with energy rays and performs a process such as quenching on the surface of the structure.

電子線などのエネルギ線を照射する装置では、高真空に保たれた電子線の発生部から外部まで通じる貫通孔を設けて、当該貫通孔を通して電子線を被照射体に照射する構成が知られている。このような構成では、貫通孔に差動排気ポンプを設けて電子線の発生部を高真空に保っている。   In an apparatus that irradiates an energy beam such as an electron beam, a configuration is known in which a through-hole that communicates from an electron beam generator maintained in a high vacuum to the outside is provided, and the irradiated object is irradiated with the electron beam through the through-hole. ing. In such a configuration, a differential evacuation pump is provided in the through hole, and the electron beam generating portion is maintained at a high vacuum.

上述の装置では、差動排気用ポンプ容量を低減することにより、装置コスト低減や、ランニングコスト低減を図る方法が知られている。例えば、電子線の出射方向に対して略垂直な方向にガス流れを形成し、ガス流れにより発生した差圧により、外部から電子線発生部へのガス流れを阻害する技術が知られている。   In the above-described apparatus, a method for reducing the apparatus cost and the running cost by reducing the differential exhaust pump capacity is known. For example, a technique is known in which a gas flow is formed in a direction substantially perpendicular to the electron beam emission direction, and the gas flow from the outside to the electron beam generation unit is inhibited by a differential pressure generated by the gas flow.

一方で、電子線発生部と被照射体との間を照射窓で仕切り、電子線発生部を高真空に保ち、被照射体における電子線が照射される照射領域に不活性ガスを噴き付け、照射領域を脱酸素環境下におき、照射領域の酸化防止を図る技術も知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−341097号公報
On the other hand, the electron beam generator and the object to be irradiated are partitioned by an irradiation window, the electron beam generator is kept at a high vacuum, and an inert gas is sprayed onto the irradiation region irradiated with the electron beam in the object to be irradiated, A technique is also known in which an irradiation region is placed in a deoxygenated environment to prevent oxidation of the irradiation region (see, for example, Patent Document 1).
JP 2002-341097 A

しかしながら、上述のように、電子線の出射方向に対して略垂直な方向にガス流れを形成する方法では、外部から電子線発生部へ流入するガス流れを十分に阻害できないため、差動排気用ポンプの容量の低減が十分に図れないという問題があった。   However, as described above, the method of forming a gas flow in a direction substantially perpendicular to the electron beam emission direction cannot sufficiently inhibit the gas flow flowing from the outside into the electron beam generation unit. There was a problem that the pump capacity could not be reduced sufficiently.

さらに、特許文献1に記載された被照射体の照射領域に不活性ガスを噴き付ける方法では、電子線発生部へのガスの流入を防止できても、照射窓において電子線が散乱されるという問題があった。   Furthermore, in the method of spraying an inert gas on the irradiation region of the irradiated object described in Patent Document 1, the electron beam is scattered in the irradiation window even if the inflow of gas to the electron beam generation unit can be prevented. There was a problem.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、電子線発生部へのガス流入を防止しつつ差動排気用ポンプにおける容量低減を図るとともに電子線の散乱を防止し、被照射体における照射領域の脱酸素化を図ることができるエネルギ線照射装置を提供することを目的とする。   The present invention was made in order to solve the above-mentioned problem, and while preventing gas inflow to the electron beam generation unit, while reducing the capacity of the differential exhaust pump and preventing scattering of the electron beam, An object of the present invention is to provide an energy beam irradiation apparatus capable of deoxygenating an irradiation region in an irradiation object.

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明のエネルギ線照射装置は、エネルギ線を発生させる発生部と、該発生部から被照射体に向かって延び、前記エネルギ線が被照射体に向けて通過する貫通孔と、該貫通孔内において、前記被照射体側から前記発生部に向けて圧力が低くなる圧力勾配を形成する差動排気部と、前記貫通孔における前記被照射体側の端部近傍から、前記エネルギ線の周囲を覆い、前記被照射体に向けて噴出する円筒状の不活性ガス噴流を形成する噴出部と、が設けられていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
An energy beam irradiation apparatus according to the present invention includes a generation unit that generates an energy beam, a through hole that extends from the generation unit toward the irradiated body, and through which the energy beam passes toward the irradiated body. A differential exhaust part that forms a pressure gradient in which the pressure decreases from the irradiated object side toward the generating part, and from the vicinity of the irradiated object side end part of the through-hole, covering the periphery of the energy line, And a jetting portion for forming a cylindrical inert gas jet jetted toward the irradiated body.

本発明によれば、貫通孔における被照射体側の端部近傍に、被照射体に向けて円筒状に不活性ガス噴流を形成することで、貫通孔における被照射体側の開口部近傍の圧力は低下し、差動排気部にかかる負荷が低減される。つまり、円筒状の不活性ガス噴流を形成することにより、当該噴流の内部つまり貫通孔の開口部に繋がる領域の静圧は、噴流の動圧の分だけ低下する。その結果、貫通孔における発生部側の端部と、被照射体側の端部との間の差圧が小さくなり、差動排気部にかかる負荷が低減される。   According to the present invention, by forming an inert gas jet in a cylindrical shape toward the irradiated body in the vicinity of the end of the through hole in the irradiated body side, the pressure in the vicinity of the opening on the irradiated body side in the through hole is The load applied to the differential exhaust unit is reduced. That is, by forming a cylindrical inert gas jet, the static pressure in the region connected to the inside of the jet, that is, the opening of the through hole, is reduced by the dynamic pressure of the jet. As a result, the differential pressure between the end portion on the generation portion side and the end portion on the irradiated body side in the through hole is reduced, and the load on the differential exhaust portion is reduced.

貫通孔における被照射体側の開口部は円筒状の不活性ガス噴流に覆われ、不活性ガス噴流により内側と外側に仕切られるため、発生部へのガスの侵入が防止される。例えば、貫通孔の端部に、発生部へのガスの侵入を防止する照射窓などを設けた場合と比較して、エネルギ線を遮るものがないため、エネルギ線の散乱が防止される。   The opening on the irradiated body side in the through hole is covered with a cylindrical inert gas jet, and is partitioned into an inner side and an outer side by the inert gas jet, so that gas can be prevented from entering the generating part. For example, compared to a case where an irradiation window or the like for preventing gas from entering the generating portion is provided at the end of the through hole, there is nothing to block the energy rays, so that scattering of the energy rays is prevented.

さらに、円筒状の不活性ガス噴流はガスカーテンとなって、エネルギ線の周囲を覆いつつ被照射体に向かって流れる。そのため、不活性ガス噴流の内側、つまりエネルギ線の周囲を不活性ガス環境とすることができる。
このとき、円筒状の不活性ガス噴流が拡散しない程度に被照射体と噴出部との距離が近い場合には、被照射体におけるエネルギ線が照射される照射領域の周囲に不活性ガス環境が作り出される。そのため、被照射体における照射領域の脱酸素化を図ることができる。
Further, the cylindrical inert gas jet becomes a gas curtain and flows toward the irradiated object while covering the periphery of the energy beam. Therefore, the inside of the inert gas jet, that is, the periphery of the energy line can be an inert gas environment.
At this time, when the distance between the irradiated body and the ejection portion is so close that the cylindrical inert gas jet does not diffuse, an inert gas environment is formed around the irradiation region irradiated with the energy rays in the irradiated body. Produced. Therefore, deoxygenation of the irradiation region in the irradiated object can be achieved.

上記発明においては、前記噴出部から不活性ガスは軽元素からなるガスであることが望ましい。   In the said invention, it is desirable that the inert gas from the said ejection part is gas which consists of a light element.

本発明によれば、不活性ガスを軽元素からなるガスとすることで、エネルギ線と不活性ガスとの衝突散乱を抑制することができる。
ここでいう軽元素としては、ヘリウム(He)などを例示することができる。
According to the present invention, collision scattering between an energy beam and an inert gas can be suppressed by making the inert gas a gas composed of a light element.
As the light element here, helium (He) or the like can be exemplified.

本発明のエネルギ線照射装置によれば、貫通孔における被照射体側の端部近傍に、被照射体に向けて円筒状に不活性ガス噴流を形成することにより、電子線発生部へのガス流入を防止しつつ差動排気用の真空ポンプにおける容量低減を図るとともに電子線の散乱を防止し、被照射体における照射領域の脱酸素化を図ることができるという効果を奏する。   According to the energy beam irradiation apparatus of the present invention, an inert gas jet is formed in a cylindrical shape toward the irradiated body in the vicinity of the end of the through hole on the irradiated body side, so that gas flows into the electron beam generating section. In addition, it is possible to reduce the capacity of the vacuum pump for differential evacuation and prevent scattering of the electron beam, thereby deoxygenating the irradiation region in the irradiated object.

この発明の一実施形態に係る電子線照射装置について、図1から図4を参照して説明する。
図1は、本実施形態に係る電子線照射装置の概略構成を説明する模式図である。
本実施形態では、本発明をエネルギ線に含まれる粒子線のうちの電子線を出射する装置であって、金型(被照射体)Mの表面に電子線を照射して焼き入れなどの表面処理を施す電子線照射装置(エネルギ線照射装置)1に適用して説明する。
An electron beam irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of an electron beam irradiation apparatus according to the present embodiment.
In the present embodiment, the present invention is an apparatus that emits an electron beam out of particle beams included in an energy beam, and the surface of a mold (irradiated body) M is irradiated with an electron beam and quenched. Description will be made by applying to an electron beam irradiation apparatus (energy beam irradiation apparatus) 1 that performs processing.

電子線照射装置1には、図1に示すように、金型Mに電子線を照射する照射部2と、照射部2を移動可能に支持する支持部3と、差動排気部4と、照射部2および支持部3を制御する制御部5と、金型M、照射部2および支持部3を内部に収納する遮蔽体6と、が設けられている。   As shown in FIG. 1, the electron beam irradiation apparatus 1 includes an irradiation unit 2 that irradiates the mold M with an electron beam, a support unit 3 that movably supports the irradiation unit 2, a differential exhaust unit 4, A control unit 5 that controls the irradiation unit 2 and the support unit 3, and a shield 6 that houses the mold M, the irradiation unit 2, and the support unit 3 therein are provided.

図2は、図1の照射部の構成を説明する概略図である。
照射部2は、照射ステージ7の上に配置された金型Mに対して電子線を照射し、金型Mに対して焼き入れなどの表面処理を施すものである。照射部2は、図1に示すように、支持部3の門型駆動部41に、左右方向であるX方向(図1の左右方向)および上下方向であるZ方向(図1の上下方向)に移動可能に支持されている。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the configuration of the irradiation unit in FIG.
The irradiation unit 2 irradiates the mold M disposed on the irradiation stage 7 with an electron beam and performs surface treatment such as quenching on the mold M. As shown in FIG. 1, the irradiating unit 2 has an X direction (left and right direction in FIG. 1) that is the left and right direction and a Z direction (up and down direction in FIG. 1) that is the up and down direction. Is supported so as to be movable.

照射部2には、図2に示すように、電子線を発生させる電子線発生部(発生部)11と、発生された電子線を金型に向けて導いて照射する出射部12と、が設けられている。
電子線発生部11は真空ポンプなどにより内部が真空状態、例えば、10−3Paに保たれた容器であって、図示しないフィラメント(熱陰極)が内部に配置されている。フィラメントには電子線生成のための加速電圧等が供給されている。さらに、電子線発生部11には、出射される電子線EBのビーム径を絞る電子レンズ13が設けられている。
電子レンズ13は、電子線が内部を通過する円環状に形成されたコイルであって、コイル内の電場または磁場を制御することにより、ビーム径などを制御するものである。電子レンズ13により電子線の制御方法は、公知の制御方法を用いることができ、特に限定するものではない。
As shown in FIG. 2, the irradiation unit 2 includes an electron beam generation unit (generation unit) 11 that generates an electron beam, and an emission unit 12 that guides and radiates the generated electron beam toward a mold. Is provided.
The electron beam generator 11 is a container whose interior is kept in a vacuum state, for example, 10 −3 Pa by a vacuum pump or the like, and a filament (hot cathode) (not shown) is disposed inside. The filament is supplied with an acceleration voltage for generating an electron beam. Further, the electron beam generator 11 is provided with an electron lens 13 for reducing the beam diameter of the emitted electron beam EB.
The electron lens 13 is a coil formed in an annular shape through which an electron beam passes, and controls a beam diameter and the like by controlling an electric field or a magnetic field in the coil. A method for controlling the electron beam by the electron lens 13 can be a known control method, and is not particularly limited.

出射部12には、電子線発生部11と連通するとともに金型Mに向かって開口するピンホール(貫通孔)21と、差動排気部4を構成する中真空室22および低真空室23と、不活性ガス噴流を形成する噴出部24と、が設けられている。   The emission unit 12 includes a pinhole (through hole) 21 that communicates with the electron beam generation unit 11 and opens toward the mold M, and a medium vacuum chamber 22 and a low vacuum chamber 23 that constitute the differential exhaust unit 4. And an ejection part 24 for forming an inert gas jet.

ピンホール21は、中真空室22と貫通孔25Aを介して連通されているとともに、低真空室23と貫通孔25Bを介して連通されている。貫通孔25Aは、貫通孔25Bよりも電子線発生部11側に形成されている。そのため、ピンホール21内には、金型M側から電子線発生部11側に向けて真空度が高くなる圧力勾配が形成される。   The pinhole 21 is communicated with the middle vacuum chamber 22 via the through hole 25A, and is communicated with the low vacuum chamber 23 via the through hole 25B. The through hole 25A is formed closer to the electron beam generator 11 than the through hole 25B. Therefore, a pressure gradient is formed in the pinhole 21 to increase the degree of vacuum from the mold M side toward the electron beam generator 11 side.

中真空室22は、ピンホール21が形成された部材の側面に形成された空間であって、貫通孔25Aを介してピンホール21と連通された空間である。さらに、中真空室22は、排気流路26Aを介して遮蔽体6の外側に配置された差動排気部4の本体と接続されている。   The medium vacuum chamber 22 is a space formed on the side surface of the member in which the pinhole 21 is formed, and is a space communicated with the pinhole 21 through the through hole 25A. Further, the intermediate vacuum chamber 22 is connected to the main body of the differential exhaust section 4 disposed outside the shield 6 via the exhaust flow path 26A.

低真空室23は、ピンホール21が形成された部材の側面であって、中真空室22が設けられた側面とは反対側の側面に形成された空間である。低真空室23は、貫通孔25Bを介してピンホール21と連通されるとともに、排気流路26Bを介して差動排気部4の本体と接続されている。   The low vacuum chamber 23 is a space formed on the side surface of the member in which the pinhole 21 is formed and on the side surface opposite to the side surface on which the intermediate vacuum chamber 22 is provided. The low vacuum chamber 23 communicates with the pinhole 21 through the through hole 25B, and is connected to the main body of the differential exhaust unit 4 through the exhaust passage 26B.

差動排気部4の本体は遮蔽体6の外側に配置され、排気流路26Aおよび排気流路26Bを介して中真空室22および低真空室23をそれぞれ中真空状態(例えば10Pa)および低真空状態(例えば1000Pa)にするものである。
なお、差動排気部4の構成としては、公知の構成を用いることができ、特に限定するものではない。
The main body of the differential evacuation unit 4 is disposed outside the shield 6, and the medium vacuum chamber 22 and the low vacuum chamber 23 are respectively brought into a medium vacuum state (for example, 10 Pa) and a low vacuum through the exhaust channel 26 </ b> A and the exhaust channel 26 </ b> B. A state (for example, 1000 Pa) is set.
In addition, as a structure of the differential exhaust part 4, a well-known structure can be used and it does not specifically limit.

図3は、図2の噴出部の構成を説明する部分拡大図である。
噴出部24には、図2および図3に示すように、凹部が形成された外周部31と、外周部31の凹部内に配置される調節部32と、不活性ガスを供給する供給部33と、が設けられている。
供給部33から供給される不活性ガスとしては、電子線発生部11により発生される電子線に対する散乱係数が低いガス、例えばヘリウムのような軽元素からなるガスであることが好ましい。
FIG. 3 is a partially enlarged view for explaining the configuration of the ejection portion of FIG.
As shown in FIGS. 2 and 3, the jet part 24 includes an outer peripheral part 31 in which a concave part is formed, an adjustment part 32 disposed in the concave part of the outer peripheral part 31, and a supply part 33 that supplies an inert gas. And are provided.
The inert gas supplied from the supply unit 33 is preferably a gas having a low scattering coefficient for the electron beam generated by the electron beam generation unit 11, for example, a gas made of a light element such as helium.

外周部31における凹部の内周面には、金型M側(図3の下側)に調節部32に形成された雄ネジと噛み合わされる雌ネジが形成され、電子線発生部11側(図3の上側)に調節部32とともにガス室34を形成する壁面が形成されている。供給部33から不活性ガスを供給する供給流路35は、外周部31におけるガス室34と連通する位置に接続されている。
さらに、外周部31における凹部の電子線発生部11側の端面には、不活性ガスが噴出するスリット状のノズル36を形成する凸部37が形成されている。凸部37の外周面は、金型M側に向かって径方向内側に傾斜する傾斜面とされている。
On the inner peripheral surface of the concave portion in the outer peripheral portion 31, a female screw meshed with a male screw formed in the adjusting portion 32 is formed on the mold M side (lower side in FIG. 3), and the electron beam generating portion 11 side ( A wall surface that forms the gas chamber 34 together with the adjusting portion 32 is formed on the upper side of FIG. The supply channel 35 for supplying the inert gas from the supply unit 33 is connected to a position in the outer peripheral portion 31 that communicates with the gas chamber 34.
Furthermore, a convex portion 37 that forms a slit-like nozzle 36 through which inert gas is ejected is formed on the end surface of the concave portion in the outer peripheral portion 31 on the electron beam generating portion 11 side. The outer peripheral surface of the convex portion 37 is an inclined surface that is inclined radially inward toward the mold M side.

調節部32は略円筒状に形成された部材であって、調節部32の外周面には、金型M側に外周部31の雌ネジと噛み合わされる雄ネジが形成され、電子線発生部11側にガス室34を形成する凹部が形成されている。
さらに、調節部32における内周面の金型M側には、外周部31に調節部32をねじ込む際、あるいは、外周部31と調節部32との相対位置を調節する際に用いられる六角形状部38が形成されている。一方、調節部32における内周面の電子線発生部11側には、外周部31の凸部37とともにノズル36を形成する傾斜面が形成されている。この傾斜面は、金型M側に向かって径方向内側に傾斜する面である。
The adjustment part 32 is a member formed in a substantially cylindrical shape, and a male screw meshed with a female screw of the outer peripheral part 31 is formed on the outer periphery of the adjustment part 32 on the mold M side. A recess for forming the gas chamber 34 is formed on the 11 side.
Furthermore, the hexagonal shape used when screwing the adjustment part 32 into the outer peripheral part 31 or adjusting the relative position between the outer peripheral part 31 and the adjustment part 32 is provided on the mold M side of the inner peripheral surface of the adjustment part 32. A portion 38 is formed. On the other hand, an inclined surface that forms the nozzle 36 together with the convex portion 37 of the outer peripheral portion 31 is formed on the electron beam generating portion 11 side of the inner peripheral surface of the adjusting portion 32. This inclined surface is a surface inclined inward in the radial direction toward the mold M side.

外周部31および調節部32により形成されるノズル36の内周径は、ピンホール21の内周径よりも大きく、半径が約30mmより小さく形成されている。さらに、半径が約2mmより大きく、約10mmより小さく形成されることがより望ましい。   The inner peripheral diameter of the nozzle 36 formed by the outer peripheral portion 31 and the adjusting portion 32 is larger than the inner peripheral diameter of the pinhole 21 and the radius is smaller than about 30 mm. Furthermore, it is more desirable that the radius is greater than about 2 mm and less than about 10 mm.

一方、ノズル36における不活性ガスの噴出角度、つまりノズル36の傾斜角度は、電子線EBの出射方向に対して約10°から約45°の範囲内の角度であることが望ましく、より好適には、約15°から約30°の範囲内に形成されることが望ましい。   On the other hand, the ejection angle of the inert gas at the nozzle 36, that is, the inclination angle of the nozzle 36 is desirably an angle within a range of about 10 ° to about 45 ° with respect to the emission direction of the electron beam EB, and more preferably. Is preferably formed within a range of about 15 ° to about 30 °.

さらに、ノズル36から噴出される不活性ガスの噴出速度は、少なくとも約50m/s以上、音速(約330m/s)以下であることが望ましく、より好適には、100m/s以上、300m/s以下であることが望ましい。   Further, it is desirable that the ejection speed of the inert gas ejected from the nozzle 36 is at least about 50 m / s or more and a sound velocity (about 330 m / s) or less, and more preferably 100 m / s or more and 300 m / s. The following is desirable.

支持部3は、図1に示すように、金型Mに対して照射部2を3次元方向に移動可能に支持するものである。
支持部3には、照射部2を支持する門型駆動部41と、門型駆動部41がその上を移動する走行部42と、が設けられている。
As shown in FIG. 1, the support unit 3 supports the irradiation unit 2 with respect to the mold M so as to be movable in a three-dimensional direction.
The support unit 3 is provided with a portal drive unit 41 that supports the irradiation unit 2 and a traveling unit 42 on which the portal drive unit 41 moves.

門型駆動部41には、間に照射ステージ7および金型Mを挟んで配置されたZ方向に沿って延びる柱部43と、柱部43の上端を繋ぐX方向に沿って延びる梁部44とが設けられている。梁部44における金型Mと対向する面である下面には、照射部2が梁部44に沿う方向、つまりX方向およびZ方向へ移動可能に取り付けられている。
梁部44と照射部2との接続部の構成は、照射部2がX方向およびZ方向に移動可能な構成であれば、公知の構成を用いることができ、特に限定するものではない。
The portal drive unit 41 includes a column part 43 extending along the Z direction, which is arranged with the irradiation stage 7 and the mold M interposed therebetween, and a beam part 44 extending along the X direction connecting the upper ends of the column parts 43. And are provided. The irradiation unit 2 is attached to a lower surface, which is a surface facing the mold M in the beam portion 44, so as to be movable in a direction along the beam portion 44, that is, in the X direction and the Z direction.
The configuration of the connecting portion between the beam portion 44 and the irradiation unit 2 can be a known configuration as long as the irradiation unit 2 can move in the X direction and the Z direction, and is not particularly limited.

走行部42は、照射ステージ7と隣接した領域に、前後方向であるY方向に沿って延びる部材であって、その上を門型駆動部41が走行するものである。例えば、走行部42としてはレールなどの公知の部材を用いることができる。   The traveling unit 42 is a member extending along the Y direction, which is the front-rear direction, in a region adjacent to the irradiation stage 7, on which the portal drive unit 41 travels. For example, a known member such as a rail can be used as the traveling unit 42.

なお、門型駆動部41は、上述のように走行部42に沿って走行してY方向に移動しても良いし、Y方向に移動するその他の公知の機構を備えていればよく、特に限定するものではない。   The portal drive unit 41 may travel along the traveling unit 42 and move in the Y direction as described above, or may have other known mechanisms that move in the Y direction. It is not limited.

制御部5は、照射部2および支持部3の移動および電子線の照射を制御することにより、金型Mの所定領域に電子線を照射するものである。
制御部5は遮蔽体6の外側に配置され、制御部5から延びる信号線45が遮蔽体6の内部に配置された支持部3および照射部2に接続されている。
なお、制御部5による照射部2等の移動制御方法などについては、本実施形態の電子線照射装置1における金型Mの焼入れ方法の説明において併せて説明する。
The control unit 5 irradiates a predetermined region of the mold M with an electron beam by controlling the movement of the irradiation unit 2 and the support unit 3 and the irradiation of the electron beam.
The control unit 5 is disposed outside the shield 6, and a signal line 45 extending from the control unit 5 is connected to the support unit 3 and the irradiation unit 2 disposed inside the shield 6.
In addition, about the movement control method of the irradiation part 2 grade | etc., By the control part 5, it demonstrates together in description of the hardening method of the metal mold | die M in the electron beam irradiation apparatus 1 of this embodiment.

遮蔽体6は、図1に示すように、内部に照射ステージ7、金型M、支持部3および照射部2を収納し、電子線EBが照射された金型Mから発生するX線などの電磁波を遮蔽するものである。遮蔽体6を構成する材料としては鉛などを例示することができる。
遮蔽体6の大きさは、内部に照射ステージ7およい金型Mを配置した上で、支持部3が移動可能な空間を確保できる大きさであればよく、金型MをX方向およびY方向に移動させる空間を確保する必要はない。
As shown in FIG. 1, the shield 6 houses therein an irradiation stage 7, a mold M, a support unit 3 and an irradiation unit 2, and X-rays generated from the mold M irradiated with the electron beam EB. It shields electromagnetic waves. Examples of the material constituting the shield 6 include lead.
The size of the shield 6 may be any size as long as it can secure a space in which the support unit 3 can move after the mold M is placed inside the irradiation stage 7. There is no need to secure space to move in the direction.

遮蔽体6の上面には、金型Mを搬入および搬出する開口部46が形成され、開口部46を塞ぐ蓋体47が開口部46に配置されている。さらに、遮蔽体6の内部には、支持部3および照射部2の動作状況や、金型Mの焼入れ状況を確認する観察用カメラ48が配置されている。観察用カメラ48により撮影された画像は、遮蔽体6の外側に配置されたモニタ(図示せず)に映し出される。   An opening 46 for carrying in and out the mold M is formed on the upper surface of the shield 6, and a lid 47 for closing the opening 46 is disposed in the opening 46. Furthermore, an observation camera 48 for confirming the operation status of the support unit 3 and the irradiation unit 2 and the quenching status of the mold M is disposed inside the shield 6. An image taken by the observation camera 48 is displayed on a monitor (not shown) arranged outside the shield 6.

次に、上記の構成からなる電子線照射装置1における作用について説明する。
最初に、図1に示すように、遮蔽体6の内部に焼き入れなどの表面処理を施す金型Mを搬入する。具体的には、遮蔽体6の上面に配置された蓋体47を取り外し、門型駆動部41をY方向に移動させ、照射ステージ7の上方に金型Mを搬入する空間を形成する。開口部46から金型Mを遮蔽体6の内部に搬入した後、蓋体47により開口部46を閉じる。
Next, the operation of the electron beam irradiation apparatus 1 having the above configuration will be described.
First, as shown in FIG. 1, a mold M for performing a surface treatment such as quenching is carried into the shield 6. Specifically, the lid 47 disposed on the upper surface of the shield 6 is removed, and the portal drive unit 41 is moved in the Y direction to form a space for carrying the mold M above the irradiation stage 7. After the mold M is carried into the shield 6 from the opening 46, the opening 46 is closed by the lid 47.

その後、照射部2における電子線発生部11に設けられたフィラメントに加速電圧等が供給され、電子線が生成される。
生成された電子線EBは、図2に示すように、電子レンズ13によりビーム径が絞られ、出射部12を介してピンホール21から金型Mに向けて出射される。
金型Mにおける電子線EBが照射された領域では、電子線EBの有するエネルギが熱に変換されるため、焼き入れ処理が施される。
Then, an acceleration voltage etc. are supplied to the filament provided in the electron beam generation part 11 in the irradiation part 2, and an electron beam is produced | generated.
As shown in FIG. 2, the generated electron beam EB is narrowed by the electron lens 13 and emitted from the pinhole 21 toward the mold M through the emission part 12.
In the region irradiated with the electron beam EB in the mold M, the energy of the electron beam EB is converted into heat, so that a quenching process is performed.

ここで、差動排気部4および噴出部24における作用について説明する。
図4は、図3の噴出部における不活性ガスの噴出状態を説明する模式図である。
電子線照射装置1により電子線EBが照射される際には、差動排気部4によりピンホール21内に圧力勾配が形成され、電子線発生部11内は高真空状態に保たれる。同時に、図4に示すように、噴出部24から不活性ガスが円筒状に噴出され、出射された電子線EBの周囲に不活性ガスによるガスカーテンが形成される。
Here, the operation in the differential exhaust section 4 and the ejection section 24 will be described.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a state of ejection of the inert gas in the ejection part of FIG.
When the electron beam EB is irradiated by the electron beam irradiation apparatus 1, a pressure gradient is formed in the pinhole 21 by the differential evacuation unit 4, and the inside of the electron beam generation unit 11 is kept in a high vacuum state. At the same time, as shown in FIG. 4, the inert gas is ejected in a cylindrical shape from the ejection portion 24, and a gas curtain made of the inert gas is formed around the emitted electron beam EB.

具体的には、図1および図2に示すように、差動排気部4は、排気流路26B、低真空室23および貫通孔25Bを介して排気を行い、ピンホール21における噴出部24側を低真空状態とする。一方、差動排気部4は、排気流路26A、中真空室22および貫通孔25Aを介して排気を行い、ピンホール21における電子線発生部11側を中真空状態とする。   Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the differential exhaust section 4 exhausts through the exhaust passage 26 </ b> B, the low vacuum chamber 23, and the through hole 25 </ b> B, and the ejecting section 24 side in the pinhole 21. Is in a low vacuum state. On the other hand, the differential exhaust part 4 exhausts through the exhaust passage 26A, the intermediate vacuum chamber 22 and the through hole 25A, and the electron beam generating part 11 side in the pinhole 21 is brought into an intermediate vacuum state.

噴出部24の供給部33は、図2から図4に示すように、供給流路35を介して不活性ガスをガス室34に供給する。ガス室34に流入した不活性ガスは、ノズル36を通過して金型M側に向かって、円筒状に噴出する。
例えば、不活性ガスの噴出速度が約200m/sの場合には、動圧は約24000Paとなり、動圧が発生した分だけ静圧が低下する。つまり、ピンホール21における噴出部24の近傍領域の静圧が低下する。
The supply part 33 of the ejection part 24 supplies an inert gas to the gas chamber 34 via the supply flow path 35 as shown in FIGS. The inert gas that has flowed into the gas chamber 34 passes through the nozzle 36 and is ejected in a cylindrical shape toward the mold M side.
For example, when the ejection speed of the inert gas is about 200 m / s, the dynamic pressure is about 24000 Pa, and the static pressure is reduced by the amount of generated dynamic pressure. That is, the static pressure in the region near the ejection portion 24 in the pinhole 21 is reduced.

さらに、不活性ガスの噴出速度が約200m/sの場合には約数十mm先まで不活性ガスのガスカーテンが形成される。
円筒状のガスカーテンの内側は不活性ガス雰囲気になっていて、不活性ガスとしてヘリウムガスなどを用いている場合には、ガスカーテンの内側を通る電子線EBの拡散が抑制される。
Furthermore, when the ejection speed of the inert gas is about 200 m / s, a gas curtain of the inert gas is formed up to about several tens of mm ahead.
The inside of the cylindrical gas curtain is an inert gas atmosphere. When helium gas or the like is used as the inert gas, diffusion of the electron beam EB passing through the inside of the gas curtain is suppressed.

金型Mと噴出部24との間隔が、不活性ガスのガスカーテンが到達する距離に保たれている場合には、ガスカーテンは電子線EBの照射領域の近傍に衝突する。すると、不活性ガスは照射領域の周りから酸素を含む空気を追い出し、照射領域を覆う不活性ガス雰囲気が形成される。   When the distance between the mold M and the ejection part 24 is kept at a distance that the inert gas gas curtain reaches, the gas curtain collides with the vicinity of the irradiation region of the electron beam EB. Then, the inert gas expels air containing oxygen from around the irradiation region, and an inert gas atmosphere covering the irradiation region is formed.

上記の構成によれば、ピンホール21における金型M側の端部近傍に、金型Mに向けて円筒状に不活性ガスの噴流を形成することで、ピンホール21における金型M側の開口部近傍の圧力は低下し、差動排気部4にかかる負荷が低減される。つまり、円筒状の不活性ガス噴流を形成することにより、当該噴流の内部つまりピンホール21の開口部に繋がる領域の静圧は、噴流の動圧の分だけ低下する。その結果、ピンホール21における発生部側の端部と、金型M側の端部との間の差圧が小さくなり、差動排気部4にかかる負荷が低減され、差動排気部4に用いられる真空ポンプの容量低減を図ることができる。   According to the above configuration, the inert gas jet is formed in a cylindrical shape toward the mold M in the vicinity of the end of the pinhole 21 on the mold M side. The pressure in the vicinity of the opening is reduced, and the load applied to the differential exhaust unit 4 is reduced. That is, by forming a cylindrical inert gas jet, the static pressure in the region connected to the inside of the jet, that is, the opening of the pinhole 21, is reduced by the dynamic pressure of the jet. As a result, the differential pressure between the end of the pinhole 21 on the generating portion side and the end on the mold M side is reduced, and the load on the differential exhaust portion 4 is reduced. The capacity of the vacuum pump used can be reduced.

ピンホール21における金型M側の開口部は円筒状の不活性ガス噴流に覆われ、不活性ガス噴流により内側と外側に仕切られるため、電子線発生部11へのガスの侵入が防止される。例えば、ピンホール21の端部に、電子線発生部11へのガスの侵入を防止する照射窓などを設けた場合と比較して、電子線EBを遮るものがないため、電子線EBの散乱が防止される。つまり、電子線発生部11へのガス流入を防止し、電子線EBの散乱を防止することができる。   The opening on the mold M side in the pinhole 21 is covered with a cylindrical inert gas jet and is partitioned into an inner side and an outer side by the inert gas jet, so that the gas can be prevented from entering the electron beam generator 11. . For example, as compared with the case where an irradiation window or the like for preventing gas intrusion into the electron beam generator 11 is provided at the end of the pinhole 21, there is nothing to block the electron beam EB. Is prevented. That is, gas inflow to the electron beam generator 11 can be prevented, and scattering of the electron beam EB can be prevented.

さらに、円筒状の不活性ガス噴流はガスカーテンとなって、電子線EBの周囲を覆いつつ金型Mに向かって流れる。そのため、不活性ガス噴流の内側、つまり電子線EBの周囲を不活性ガス環境とすることができる。
このとき、円筒状の不活性ガス噴流が拡散しない程度に金型Mと噴出部24との距離が近い場合には、金型Mにおける電子線EBが照射される照射領域の周囲に不活性ガス環境が作り出される。そのため、金型Mにおける照射領域の脱酸素化を図ることができる。
Further, the cylindrical inert gas jet becomes a gas curtain and flows toward the mold M while covering the periphery of the electron beam EB. Therefore, the inside of the inert gas jet, that is, the periphery of the electron beam EB can be an inert gas environment.
At this time, when the distance between the mold M and the ejection part 24 is so close that the cylindrical inert gas jet does not diffuse, the inert gas around the irradiation region irradiated with the electron beam EB in the mold M is used. An environment is created. Therefore, deoxygenation of the irradiation region in the mold M can be achieved.

図5は、図2における出射部の別の構成を説明する概略図である。図6は、図2における出射部のさらに別の構成を説明する概略図である。
なお、出射部12は、図2に示す構成であってもよいし、図5や図6に示す構成であってもよく、特に限定するものではない。図6に示す出射部12では、出射部12にピンホール21が延びる方向と交差する方向、例えば略直交する方向に延びる排気流路26Aおよび排気流路26Bが形成されている。図7に示す出射部12では、ピンホール21が形成された部材の周囲に、中真空室22および低真空室23が形成され、中真空室22とピンホール21とは、貫通孔25Aを介して連通されている。一方、低真空室23とピンホール21とは、貫通孔25Bを介して連通されている。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating another configuration of the emitting unit in FIG. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating still another configuration of the emitting portion in FIG.
In addition, the structure shown in FIG. 2 may be sufficient as the output part 12, and the structure shown in FIG.5 and FIG.6 may be sufficient, and it does not specifically limit. In the emission part 12 shown in FIG. 6, an exhaust passage 26 </ b> A and an exhaust passage 26 </ b> B are formed in the emission part 12 so as to extend in a direction intersecting with the direction in which the pinhole 21 extends, for example, in a substantially orthogonal direction. In the emission part 12 shown in FIG. 7, a medium vacuum chamber 22 and a low vacuum chamber 23 are formed around the member in which the pinhole 21 is formed. The medium vacuum chamber 22 and the pinhole 21 are connected via a through hole 25A. Communicated. On the other hand, the low vacuum chamber 23 and the pinhole 21 are communicated via the through hole 25B.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、この発明を、電子線を照射する電子線照射装置に適用して説明したが、この電子線照射装置に限られることなく、レーザ等のエネルギ線を照射するその他各種の照射装置に適用することができるものである。
また、この発明を、金型に電子線を照射して焼き入れ処理を施す電子線照射装置に適用して説明したが、電子線を照射する対象は金型に限られるものではなく、特に限定するものではない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the present invention has been described as applied to an electron beam irradiation apparatus that irradiates an electron beam. However, the present invention is not limited to this electron beam irradiation apparatus, and an energy beam such as a laser is irradiated. It can be applied to other various irradiation apparatuses.
Further, although the present invention has been described by applying it to an electron beam irradiation apparatus that irradiates a mold with an electron beam and performs a quenching process, the object to be irradiated with the electron beam is not limited to the mold, and is particularly limited. Not what you want.

本発明の一実施形態に係る電子線照射装置の概略構成を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining schematic structure of the electron beam irradiation apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1の照射部の構成を説明する概略図である。It is the schematic explaining the structure of the irradiation part of FIG. 図2の噴出部の構成を説明する部分拡大図である。It is the elements on larger scale explaining the structure of the ejection part of FIG. 図3の噴出部における不活性ガスの噴出状態を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the ejection state of the inert gas in the ejection part of FIG. 図2における出射部の別の構成を説明する概略図である。It is the schematic explaining another structure of the output part in FIG. 図2における出射部のさらに別の構成を説明する概略図である。It is the schematic explaining another structure of the output part in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 電子線照射装置(エネルギ線照射装置)
4 差動排気部
11 電子線発生部(発生部)
21 ピンホール(貫通孔)
24 噴出部
M 金型(被照射体)
1 Electron beam irradiation device (energy beam irradiation device)
4 Differential exhaust part 11 Electron beam generator (generator)
21 Pinhole (through hole)
24 Ejection part M Mold (irradiated body)

Claims (2)

エネルギ線を発生させる発生部と、
該発生部から被照射体に向かって延び、前記エネルギ線が被照射体に向けて通過する貫通孔と、
該貫通孔内において、前記被照射体側から前記発生部に向けて圧力が低くなる圧力勾配を形成する差動排気部と、
前記貫通孔における前記被照射体側の端部近傍から、前記エネルギ線の周囲を覆い、前記被照射体に向けて噴出する円筒状の不活性ガス噴流を形成する噴出部と、
が設けられていることを特徴とするエネルギ線照射装置。
A generator for generating energy rays;
A through-hole extending from the generating portion toward the irradiated body and through which the energy rays pass toward the irradiated body;
In the through-hole, a differential exhaust part that forms a pressure gradient in which the pressure decreases from the irradiated body side toward the generation part, and
A jet part that forms a cylindrical inert gas jet that covers the periphery of the energy line from the vicinity of the end of the through-hole on the irradiated object side and jets toward the irradiated object;
An energy beam irradiating apparatus characterized in that is provided.
前記噴出部から不活性ガスは軽元素からなるガスであることを特徴とする請求項1記載のエネルギ線照射装置。   The energy beam irradiation apparatus according to claim 1, wherein the inert gas from the ejection portion is a gas composed of a light element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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