JP2009038227A - Light source unit, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system - Google Patents

Light source unit, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain excellent laser quality and light utilization efficiency without increasing costs. <P>SOLUTION: The light source unit 10 is provided with a semiconductor laser module 10A including a semiconductor laser 10a, and an optical module 10B including a half mirror 10c, a collimator lens 10d and an aperture plate 10e. Light emitted from the surface emitting laser array chip of the semiconductor laser 10a is made incident on the half mirror 10c through only an air layer, and the light transmitted through the half mirror 10c is outputted from the light source unit 10 through the collimator lens 10d and the aperture plate 10e. In such a manner, the light emitted from the surface emitting laser array chip is directly made incident on the optical module 10B without interposing a sealing glass material or the like. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光源ユニット、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システムに係り、更に詳しくは、半導体レーザを含む光源ユニット、該光源ユニットを有する光走査装置、該光走査装置を備える画像形成装置、前記光源ユニットを有する光伝送モジュール、及び該光伝送モジュールを備える光伝送システムに関する。   The present invention relates to a light source unit, an optical scanning device, an image forming apparatus, an optical transmission module, and an optical transmission system, and more specifically, a light source unit including a semiconductor laser, an optical scanning device having the light source unit, and the optical scanning device. The present invention relates to an image forming apparatus, an optical transmission module including the light source unit, and an optical transmission system including the optical transmission module.

半導体レーザは、小型、低消費電力であり、光通信用光源、光ディスクに対する情報の書き込み及び読み出し用光源、電子写真システムの書き込み用光源等に広く用いられている。   A semiconductor laser is small and has low power consumption, and is widely used as a light source for optical communication, a light source for writing and reading information on an optical disk, a light source for writing in an electrophotographic system, and the like.

半導体レーザは、用途に応じたパッケージに実装され、ワイヤボンドによって電気的導通がとられた後、ガラス材や、光ファイバ等によって射出部分が気密封止される。この気密封止は、耐環境性を考慮したものであり、乾燥空気や窒素ガスを封入するのが一般的である。このようにして半導体レーザが実装された部品は半導体レーザモジュールとも呼ばれている。   The semiconductor laser is mounted in a package according to the application, and after being electrically connected by wire bonding, an emission part is hermetically sealed with a glass material, an optical fiber, or the like. This hermetic sealing takes environmental resistance into consideration, and generally encloses dry air or nitrogen gas. The component on which the semiconductor laser is mounted in this manner is also called a semiconductor laser module.

例えば、光通信用では、半導体レーザモジュールは光ファイバと光学的に結合される。また、光ピックアップ装置、電子写真システム、及びセンサ等の用途では、CANパッケージタイプや、フラットパッケージタイプの半導体レーザモジュールが広く用いられている。ところで、この半導体レーザモジュールに光学モジュールを組み合わせたものは光源ユニットとも呼ばれている。   For example, for optical communication, the semiconductor laser module is optically coupled to an optical fiber. In applications such as an optical pickup device, an electrophotographic system, and a sensor, a CAN package type or a flat package type semiconductor laser module is widely used. Incidentally, a combination of this semiconductor laser module and an optical module is also called a light source unit.

例えば、特許文献1には、光素子と、第1レンズと、反射戻り光を抑制するための光アイソレータと、光信号を入出力する光ファイバとをこの順序でパッケージ内に収納してなる光アイソレータ内蔵光素子モジュールが開示されている。この光アイソレータ内蔵光素子モジュールでは、第1レンズと光アイソレータを、互いの光軸が一致するように、略平板状の固定部材上に載置している。   For example, Patent Document 1 discloses a light in which an optical element, a first lens, an optical isolator for suppressing reflected return light, and an optical fiber that inputs and outputs an optical signal are housed in a package in this order. An isolator built-in optical element module is disclosed. In this optical element module with a built-in optical isolator, the first lens and the optical isolator are placed on a substantially flat fixing member so that their optical axes coincide with each other.

また、特許文献2には、出射したレーザ光が線状に引き伸ばされて、蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報を読み取るための励起光として利用される半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置は、レーザ光を出射する半導体レーザチップと、該半導体レーザチップを収納するパッケージと、該パッケージに設けられた、半導体レーザチップから出射されたレーザ光を透過するための、表面に反射防止膜がコーティングされた出射窓とを有し、該反射防止膜の、レーザ光の発振波長に対する反射率が1.0%以下である。   Further, Patent Document 2 discloses a semiconductor laser device that is used as excitation light for reading out radiation image information recorded on a stimulable phosphor sheet by extending the emitted laser light into a linear shape. . The semiconductor laser device includes a semiconductor laser chip that emits laser light, a package that houses the semiconductor laser chip, and a surface provided on the package for transmitting the laser light emitted from the semiconductor laser chip. An emission window coated with an antireflection film, and the reflectance of the antireflection film with respect to the oscillation wavelength of the laser light is 1.0% or less.

さらに、特許文献3には、半導体レーザチップと、半導体レーザチップを収納するパッケージと、パッケージの上面に設けられ、半導体レーザチップのフロント側の端面からの出射光が取り出される封止用透明部材とを有する光半導体装置が開示されている。この光半導体装置では、封止用透明部材に半導体レーザチップの出射光の強度をモニタするための受光素子が設けられ、受光素子のモニタ電流に応じて半導体レーザチップの光出力が制御される。   Further, Patent Document 3 discloses a semiconductor laser chip, a package that houses the semiconductor laser chip, a sealing transparent member that is provided on the upper surface of the package and from which light emitted from the front end surface of the semiconductor laser chip is extracted. An optical semiconductor device having the above is disclosed. In this optical semiconductor device, a light-receiving element for monitoring the intensity of light emitted from the semiconductor laser chip is provided on the sealing transparent member, and the light output of the semiconductor laser chip is controlled in accordance with the monitor current of the light-receiving element.

これら特許文献1〜特許文献3に開示されているモジュール及び装置では、いずれも透明部材を介して光が出力されている。   In any of the modules and apparatuses disclosed in Patent Documents 1 to 3, light is output via a transparent member.

近年、面発光レーザと呼ばれる新しいタイプの半導体レーザ、及びこれが実装された半導体レーザモジュールが商品化され始めている。この面発光レーザでは、基板上に結晶成長によって形成された半導体多層膜反射鏡を共振器ミラーとして、基板に対して垂直方向にレーザ共振する。従って、従来の端面発光レーザと異なり、共振器を形成するためのへき開作業が不要であり、かつウエハレベルでの検査が可能なため、製造コストが安いという利点がある。また、面発光レーザは、(1)低閾値電流、(2)単一縦モード、(3)射出ビームが円形等、多くの優れた特性を有している。従って、面発光レーザを用いることにより、高性能で、低価格な半導体レーザモジュール及び光源ユニットを得ることが可能である。   In recent years, a new type of semiconductor laser called a surface emitting laser and a semiconductor laser module mounted with the same have begun to be commercialized. In this surface-emitting laser, a semiconductor multilayer film reflecting mirror formed by crystal growth on a substrate is used as a resonator mirror to resonate in a direction perpendicular to the substrate. Therefore, unlike the conventional edge-emitting laser, there is an advantage that the cleaving operation for forming the resonator is unnecessary and the inspection at the wafer level is possible, so that the manufacturing cost is low. The surface emitting laser has many excellent characteristics such as (1) low threshold current, (2) single longitudinal mode, and (3) circular emission beam. Therefore, by using a surface emitting laser, it is possible to obtain a high-performance and low-cost semiconductor laser module and light source unit.

特開2000−19358号公報JP 2000-19358 A 特開2005−72448号公報JP 2005-72448 A 特開平11−273138号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-273138

ところで、半導体レーザから射出された光の一部が戻り光として半導体レーザに入射すると、レーザ動作が不安定になったり、放射角が変化するなど、レーザ特性に悪影響を及ぼす。   By the way, when a part of the light emitted from the semiconductor laser is incident on the semiconductor laser as return light, the laser characteristics are adversely affected such that the laser operation becomes unstable or the radiation angle changes.

そこで、特許文献1及び特許文献2では、封止ガラス材に反射防止膜をコーティングしている。また、特許文献3では、光アイソレーターを設けることによって戻り光対策が行われている。   Therefore, in Patent Document 1 and Patent Document 2, the sealing glass material is coated with an antireflection film. In Patent Document 3, a countermeasure against return light is taken by providing an optical isolator.

しかしながら、一般に光アイソレーターは高価であり、高コスト化を招く。また、反射防止膜は、対象とする波長に対して膜厚を精密に制御する必要があり、また、光透過率を高くするためには多層コーティングする必要があるため、製造コスト及び部品コストが高くなる。   However, in general, an optical isolator is expensive and causes an increase in cost. In addition, the antireflection film needs to be precisely controlled in film thickness for the target wavelength, and in order to increase the light transmittance, it is necessary to perform multi-layer coating. Get higher.

また、面発光レーザは、多くの点において優れた特性を有しているが、一般に端面レーザに比べて低出力である。特に、基本横モード発振で得られる出力は通常1〜2mW程度であり、光学部品による僅かなロスも無視することができない。ところで、封止ガラス材に反射防止膜をコーティングしても、光透過率は低下するため、反射損が生じて光利用効率が低下する。   A surface emitting laser has excellent characteristics in many respects, but generally has a lower output than an end surface laser. In particular, the output obtained by the fundamental transverse mode oscillation is usually about 1 to 2 mW, and a slight loss due to optical components cannot be ignored. By the way, even if the anti-reflection film is coated on the sealing glass material, the light transmittance is lowered, so that a reflection loss occurs and the light utilization efficiency is lowered.

また、従来の光源ユニットでは、それぞれ個別に作製された半導体レーザモジュール及び光学モジュールが、共通の保持材に取り付けられている。従って、組み立ての際に、位置調整やあおり角調整を行う必要がある。   Further, in the conventional light source unit, the individually manufactured semiconductor laser module and optical module are attached to a common holding material. Therefore, it is necessary to adjust the position and tilt angle during assembly.

本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、高コスト化を招くことなく、レーザ品質及び光利用効率に優れた光源ユニットを提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to provide a light source unit excellent in laser quality and light utilization efficiency without incurring an increase in cost.

また、本発明の第2の目的は、高コスト化を招くことなく、光走査を精度良く行うことができる光走査装置を提供することにある。   A second object of the present invention is to provide an optical scanning device capable of performing optical scanning with high accuracy without causing an increase in cost.

また、本発明の第3の目的は、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成することができる画像形成装置を提供することにある。   A third object of the present invention is to provide an image forming apparatus capable of forming a high-quality image without increasing the cost.

また、本発明の第4の目的は、高コスト化を招くことなく、高品質の光信号を生成することができる光伝送モジュールを提供することにある。   A fourth object of the present invention is to provide an optical transmission module capable of generating a high-quality optical signal without increasing the cost.

また、本発明の第5の目的は、高コスト化を招くことなく、高品質の光伝送を行うことができる光伝送システムを提供することにある。   A fifth object of the present invention is to provide an optical transmission system capable of performing high-quality optical transmission without increasing the cost.

本発明は、第1の観点からすると、少なくとも1つの発光部を有する半導体レーザを含む半導体レーザモジュールと;前記半導体レーザモジュールと接し、前記半導体レーザから射出された光が空気層のみを介して直接入射する光学モジュールと;を備える光源ユニットである。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module including a semiconductor laser having at least one light emitting portion; and the light emitted from the semiconductor laser directly in contact with the semiconductor laser module only through an air layer A light source unit comprising: an incident optical module;

これによれば、光学モジュールは、半導体レーザモジュールと接し、半導体レーザから射出された光が空気層のみを介して直接入射する。この場合は、従来の封止ガラス材が不要である。従って、高コスト化を招くことなく、優れたレーザ品質及び光利用効率を得ることが可能となる。   According to this, the optical module is in contact with the semiconductor laser module, and the light emitted from the semiconductor laser is directly incident only through the air layer. In this case, the conventional sealing glass material is unnecessary. Therefore, it is possible to obtain excellent laser quality and light utilization efficiency without incurring high costs.

本発明は、第2の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の光源ユニットと;前記光源ユニットからの光を偏向する偏向器と;前記偏光器で偏向された光を被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided an optical scanning device that scans a surface to be scanned with light, the light source unit of the present invention; a deflector that deflects light from the light source unit; and the polarizer. And a scanning optical system for condensing the deflected light on the surface to be scanned.

これによれば、本発明の光源ユニットを備えているため、結果として、高コスト化を招くことなく、光走査を精度良く行うことが可能となる。   According to this, since the light source unit of the present invention is provided, as a result, it is possible to perform optical scanning with high accuracy without increasing the cost.

本発明は、第3の観点からすると、少なくとも1つの像担持体と;前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報が含まれる光を走査する少なくとも1つの本発明の光走査装置と;を備える画像形成装置である。   According to a third aspect of the present invention, there is provided at least one image carrier; and at least one optical scanning device according to the invention that scans the at least one image carrier with light including image information. An image forming apparatus provided.

これによれば、少なくとも1つの本発明の光走査装置を備えているため、結果として、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成することが可能となる。   According to this, since at least one optical scanning device of the present invention is provided, as a result, it is possible to form a high-quality image without increasing the cost.

本発明は、第4の観点からすると、入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールであって、本発明の光源ユニットと;前記光源ユニットの半導体レーザを、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と;を備える光伝送モジュールである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an optical transmission module for generating an optical signal corresponding to an input electric signal, the light source unit of the present invention; and the semiconductor laser of the light source unit being input. An optical transmission module comprising: a driving device that is driven according to an electrical signal.

これによれば、本発明の光源ユニットを備えているため、結果として、高品質の光信号を生成することが可能となる。   According to this, since the light source unit of the present invention is provided, as a result, a high-quality optical signal can be generated.

本発明は、第5の観点からすると、本発明の光伝送モジュールと;前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と;前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と;を備える光伝送システムである。   According to a fifth aspect of the present invention, an optical transmission module of the present invention; an optical transmission medium that transmits an optical signal generated by the optical transmission module; and an optical signal that passes through the optical transmission medium is converted into an electrical signal. An optical transmission system comprising: a converter for converting.

これによれば、本発明の光伝送モジュールを備えているため、結果として、高コスト化を招くことなく、高品質の光伝送を行うことが可能となる。   According to this, since the optical transmission module of the present invention is provided, as a result, high-quality optical transmission can be performed without increasing the cost.

以下、本発明の一実施形態を図1〜図9に基づいて説明する。図1には、本発明の一実施形態に係る画像形成装置としてのプリンタ1000の概略構成が示されている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a schematic configuration of a printer 1000 as an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

このレーザプリンタ1000は、光走査装置1010、感光体ドラム1030、帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングブレード1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、及び排紙トレイ1043などを備えている。   The laser printer 1000 includes an optical scanning device 1010, a photosensitive drum 1030, a charging charger 1031, a developing roller 1032, a transfer charger 1033, a charge removal unit 1034, a cleaning blade 1035, a toner cartridge 1036, a paper feeding roller 1037, a paper feeding tray 1038, A registration roller pair 1039, a fixing roller 1041, a paper discharge roller 1042, a paper discharge tray 1043, and the like are provided.

感光体ドラム1030の表面には、感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。ここでは、感光体ドラム1030は、図1における矢印方向に回転するようになっている。   A photosensitive layer is formed on the surface of the photosensitive drum 1030. That is, the surface of the photoconductor drum 1030 is a scanned surface. Here, the photosensitive drum 1030 rotates in the direction of the arrow in FIG.

帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034及びクリーニングブレード1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に関して、帯電チャージャ1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングブレード1035の順に配置されている。   The charging charger 1031, the developing roller 1032, the transfer charger 1033, the charge removal unit 1034, and the cleaning blade 1035 are each arranged in the vicinity of the surface of the photosensitive drum 1030. Then, with respect to the rotation direction of the photosensitive drum 1030, the charging charger 1031 → the developing roller 1032 → the transfer charger 1033 → the charge eliminating unit 1034 → the cleaning blade 1035 are arranged in this order.

帯電チャージャ1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。   The charging charger 1031 uniformly charges the surface of the photosensitive drum 1030.

光走査装置1010は、帯電チャージャ1031で帯電された感光体ドラム1030の表面に、上位装置(例えばパソコン)からの画像情報に基づいて変調された光を照射する。これにより、感光体ドラム1030の表面では、画像情報に対応した潜像が感光体ドラム1030の表面に形成される。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。なお、この光走査装置1010の構成については後述する。   The optical scanning device 1010 irradiates the surface of the photosensitive drum 1030 charged by the charging charger 1031 with light modulated based on image information from a host device (for example, a personal computer). As a result, a latent image corresponding to the image information is formed on the surface of the photosensitive drum 1030 on the surface of the photosensitive drum 1030. The latent image formed here moves in the direction of the developing roller 1032 as the photosensitive drum 1030 rotates. The configuration of the optical scanning device 1010 will be described later.

トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ1032に供給される。   The toner cartridge 1036 stores toner, and the toner is supplied to the developing roller 1032.

現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像(以下では、便宜上「トナー像」ともいう)は、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。   The developing roller 1032 causes the toner supplied from the toner cartridge 1036 to adhere to the latent image formed on the surface of the photosensitive drum 1030 to visualize the image information. Here, the latent image to which the toner is attached (hereinafter also referred to as “toner image” for the sake of convenience) moves in the direction of the transfer charger 1033 as the photosensitive drum 1030 rotates.

給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、該給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚づつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。該レジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、該記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。   Recording paper 1040 is stored in the paper feed tray 1038. A paper feed roller 1037 is disposed in the vicinity of the paper feed tray 1038, and the paper feed roller 1037 takes out the recording paper 1040 one by one from the paper feed tray 1038 and conveys it to the registration roller pair 1039. The registration roller pair 1039 temporarily holds the recording paper 1040 taken out by the paper supply roller 1037, and in the gap between the photosensitive drum 1030 and the transfer charger 1033 according to the rotation of the photosensitive drum 1030. Send it out.

転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面上のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。   A voltage having a polarity opposite to that of the toner is applied to the transfer charger 1033 in order to electrically attract the toner on the surface of the photosensitive drum 1030 to the recording paper 1040. With this voltage, the toner image on the surface of the photosensitive drum 1030 is transferred to the recording paper 1040. The recording sheet 1040 transferred here is sent to the fixing roller 1041.

この定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次スタックされる。   In the fixing roller 1041, heat and pressure are applied to the recording paper 1040, whereby the toner is fixed on the recording paper 1040. The recording paper 1040 fixed here is sent to the paper discharge tray 1043 via the paper discharge roller 1042 and is sequentially stacked on the paper discharge tray 1043.

除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。   The neutralization unit 1034 neutralizes the surface of the photosensitive drum 1030.

クリーニングブレード1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー(残留トナー)を除去する。なお、除去された残留トナーは、再度利用されるようになっている。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電チャージャ1031の位置に戻る。   The cleaning blade 1035 removes toner (residual toner) remaining on the surface of the photosensitive drum 1030. The removed residual toner is used again. The surface of the photosensitive drum 1030 from which the residual toner has been removed returns to the position of the charging charger 1031 again.

次に、前記光走査装置1010の構成について説明する。   Next, the configuration of the optical scanning device 1010 will be described.

この光走査装置1010は、図2に示されるように、光源ユニット10、カップリングレンズ11、開口板12、シリンドリカルレンズ13、ポリゴンミラー14、fθレンズ15、トロイダルレンズ16、2つのミラー(17、18)、及び上記各部を統括的に制御する不図示の制御装置を備えている。   As shown in FIG. 2, the optical scanning device 1010 includes a light source unit 10, a coupling lens 11, an aperture plate 12, a cylindrical lens 13, a polygon mirror 14, an fθ lens 15, a toroidal lens 16, two mirrors (17, 18), and a control device (not shown) for comprehensively controlling the above-described units.

光源ユニット10は、一例として図3に示されるように、半導体レーザモジュール10Aと光学モジュール10Bを有している。なお、本明細書では、光源ユニット10からの光の出力方向をZ軸方向、このZ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向として説明する。   As an example, the light source unit 10 includes a semiconductor laser module 10A and an optical module 10B as shown in FIG. In this specification, the light output direction from the light source unit 10 is described as the Z-axis direction, and two directions orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z-axis direction are described as the X-axis direction and the Y-axis direction.

半導体レーザモジュール10Aは、半導体レーザ10a、該半導体レーザ10aを駆動制御するレーザ制御装置(図示省略)、前記半導体レーザ10a及びレーザ制御装置が実装されているPCB(Printed Circuit Board)基板10bを有している。ここでは、半導体レーザ10aとして、一例として図4、図5(A)及び図5(A)のA−A断面図である図5(B)に示されるように、面発光レーザアレイチップLAがCLCC(Ceramic leaded chip carrier)と呼ばれるフラットパッケージ21に実装されたものを用いている。フラットパッケージ21は、セラミックと金属配線の多層構造となっている。なお、図4、図5(A)及び図5(B)では、煩雑さを避けるため、面発光レーザアレイチップLAと金属配線とを繋ぐボンディングワイヤの図示は省略している。   The semiconductor laser module 10A includes a semiconductor laser 10a, a laser control device (not shown) that drives and controls the semiconductor laser 10a, and a PCB (Printed Circuit Board) substrate 10b on which the semiconductor laser 10a and the laser control device are mounted. ing. Here, as an example of the semiconductor laser 10a, as shown in FIG. 4B, FIG. 5A and FIG. 5B, which is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. A package mounted on a flat package 21 called CLCC (Ceramic leaded chip carrier) is used. The flat package 21 has a multilayer structure of ceramic and metal wiring. In FIG. 4, FIG. 5 (A), and FIG. 5 (B), in order to avoid complication, illustration of the bonding wire which connects surface emitting laser array chip LA and metal wiring is abbreviate | omitted.

金属配線は、一例として図5(A)に示されるように、パッケージの周辺から中央に向かって伸びており、パッケージ側面の金属キャスター22に1対1に独立につながっている。パッケージ中央の金属膜が設けられたダイアタッチエリアDAが共通電極になっており、ここでは、4隅に位置する8本の金属配線がダイアタッチエリアDAに接続されている。そして、このダイアタッチエリアDAに、面発光レーザアレイチップLAがAuSn等の半田材を用いてダイボンドされている。   As an example, as shown in FIG. 5A, the metal wiring extends from the periphery of the package toward the center, and is independently connected to the metal casters 22 on the side of the package in a one-to-one relationship. A die attach area DA provided with a metal film at the center of the package serves as a common electrode. Here, eight metal wirings located at four corners are connected to the die attach area DA. The surface emitting laser array chip LA is die-bonded to the die attach area DA using a solder material such as AuSn.

面発光レーザアレイチップLAは、一例として図6に示されるように、中央部に設けられた複数の発光部からなる素子部、及び周囲に設けられた複数の電極パッドを有している。各発光部は、波長が780nm帯のレーザ光を射出する。   As an example, the surface-emitting laser array chip LA includes an element unit including a plurality of light-emitting units provided at the center and a plurality of electrode pads provided around the center, as shown in FIG. Each light emitting unit emits a laser beam having a wavelength of 780 nm.

ここでは、素子部は、図7に示されるように、Y軸方向に対して角度θだけ傾斜した方向(以下、便宜上「T方向」という)に沿って一列に等間隔で配列された10個の発光部からなる発光部列が、X軸方向に等間隔d1で4列配置されている。また、40個の発光部をX軸方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔は等間隔d2である。なお、本明細書では、「発光部の間隔」とは2つの発光部の中心間距離をいうものとする。また、面発光レーザアレイチップLAは、Y軸方向が主走査方向に対応する方向、X軸方向が副走査方向に対応する方向となるように配置されている。   Here, as shown in FIG. 7, the element units are arranged in a line at equal intervals along a direction inclined by an angle θ with respect to the Y-axis direction (hereinafter referred to as “T direction” for convenience). The light emitting part rows composed of the light emitting parts are arranged in four rows at equal intervals d1 in the X-axis direction. Further, when 40 light emitting units are orthogonally projected onto a virtual line extending in the X-axis direction, the intervals between the light emitting units are equal intervals d2. In the present specification, the “interval between the light emitting portions” refers to the distance between the centers of the two light emitting portions. The surface emitting laser array chip LA is arranged so that the Y-axis direction corresponds to the main scanning direction and the X-axis direction corresponds to the sub-scanning direction.

電極パッドは、電極配線(図示省略)によって各発光部と1対1に独立に接続されている。   The electrode pads are independently connected to the respective light emitting units on a one-to-one basis by electrode wiring (not shown).

そして、電極パッドは、パッケージの金属配線とAu線(図示省略)でワイヤボンディングされている。   The electrode pad is wire-bonded with the metal wiring of the package and Au wire (not shown).

ここでは、各発光部は、図8に示されるように、基板101上に、n−GaAsバッファ層102、下部反射鏡103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、被選択酸化層107、上部反射鏡108、GaAsコンタクト層114などの半導体層が、順次積層されており、波長が780nm帯のレーザ光を射出する。なお、以下では、これら複数の半導体層が積層されているものを、便宜上「半導体積層体」ともいう。   Here, as shown in FIG. 8, each light emitting unit is formed on a substrate 101 with an n-GaAs buffer layer 102, a lower reflecting mirror 103, a lower spacer layer 104, an active layer 105, an upper spacer layer 106, selective oxidation. A semiconductor layer such as the layer 107, the upper reflecting mirror 108, and the GaAs contact layer 114 are sequentially stacked, and emits laser light having a wavelength of 780 nm. Hereinafter, a structure in which a plurality of these semiconductor layers are stacked is also referred to as a “semiconductor stacked body” for convenience.

基板101は、n−GaAs基板である。   The substrate 101 is an n-GaAs substrate.

下部反射鏡103は、n−Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とn−Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層とをペアとして、40.5ペア有している。そして、低屈折率層と高屈折率層との間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層(図示省略)が設けられている。なお、各屈折率層はいずれも、組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学厚さとなるように設定されている。 The lower reflecting mirror 103 is a pair of a low refractive index layer made of n-Al 0.9 Ga 0.1 As and a high refractive index layer made of n-Al 0.3 Ga 0.7 As. Have. Then, between the low refractive index layer and the high refractive index layer, a composition gradient layer having a thickness of 20 nm (illustrated) in which the composition is gradually changed from one composition to the other composition in order to reduce electrical resistance. (Omitted) is provided. Each refractive index layer includes 1/2 of the composition gradient layer, and is set to have an optical thickness of λ / 4 when the oscillation wavelength is λ.

下部スペーサ層104は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなる層である。 The lower spacer layer 104 is a layer made of non-doped Al 0.6 Ga 0.4 As.

活性層105は、Al0.15Ga0.85As/Al0.6Ga0.4As多重量子井戸活性層である。 The active layer 105 is an Al 0.15 Ga 0.85 As / Al 0.6 Ga 0.4 As multiple quantum well active layer.

上部スペーサ層106は、ノンドープAl0.6Ga0.4Asからなる層である。 The upper spacer layer 106 is a layer made of non-doped Al 0.6 Ga 0.4 As.

下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが1波長光学厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布の腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。   The portion composed of the lower spacer layer 104, the active layer 105, and the upper spacer layer 106 is also called a resonator structure, and the thickness thereof is set to be one wavelength optical thickness. The active layer 105 is provided at the center of the resonator structure at a position corresponding to the antinode of the standing wave distribution of the electric field so as to obtain a high stimulated emission probability.

上部反射鏡108は、p−Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とp−Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層とをペアとして、26ペア有している。そして、低屈折率層と高屈折率層との間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層(図示省略)が設けられている。なお、各屈折率層はいずれも、組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学厚さとなるように設定されている。 The upper reflecting mirror 108 has 26 pairs of a low refractive index layer made of p-Al 0.9 Ga 0.1 As and a high refractive index layer made of p-Al 0.3 Ga 0.7 As as a pair. ing. Then, between the low refractive index layer and the high refractive index layer, a composition gradient layer having a thickness of 20 nm (illustrated) in which the composition is gradually changed from one composition to the other composition in order to reduce electrical resistance. (Omitted) is provided. Each refractive index layer includes 1/2 of the composition gradient layer, and is set to have an optical thickness of λ / 4 when the oscillation wavelength is λ.

上部反射鏡108における共振器構造体からλ/4離れた位置には、p−AlAsからなる被選択酸化層107が設けられている。   A selective oxidation layer 107 made of p-AlAs is provided at a position away from the resonator structure in the upper reflecting mirror 108 by λ / 4.

次に、面発光レーザアレイチップLAの製造方法について簡単に説明する。   Next, a method for manufacturing the surface emitting laser array chip LA will be briefly described.

(1)上記半導体積層体を有機金属気相成長法(MOCVD法)あるいは分子線結晶成長法(MBE法)を用いた結晶成長によって作成する。 (1) The semiconductor stacked body is formed by crystal growth using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam crystal growth (MBE).

ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、トリメチルインジウム(TMI)を用い、V族の原料にはアルシン(AsH)ガスを用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素(CBr)を用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素(HSe)を用いている。 Here, trimethylaluminum (TMA), trimethylgallium (TMG), and trimethylindium (TMI) are used as the Group III material, and arsine (AsH 3 ) gas is used as the Group V material. Further, carbon tetrabromide (CBr 4 ) is used as a p-type dopant material, and hydrogen selenide (H 2 Se) is used as an n-type dopant material.

(2)半導体積層体における表面(基板1と反対側の面)である積層体表面に、フォトリソグラフィー法により発光部に対応するフォトマスクを含むフォトマスクをパターニングする。ここでは、発光部に対応するフォトマスクの形状は、一辺が20μmの正方形状である。 (2) A photomask including a photomask corresponding to the light emitting portion is patterned on the surface of the stacked body, which is the surface (surface opposite to the substrate 1) in the semiconductor stacked body, by a photolithography method. Here, the shape of the photomask corresponding to the light emitting portion is a square shape having a side of 20 μm.

(3)フォトマスクをエッチングマスクとして、ドライエッチング法によりメサ形状を形成する。なお、以下では、便宜上、メサ形状の部分(構造体)を「メサ」と略述する。ここでは、エッチングは、エッチング底面が下部反射鏡103に達するまで行われる。 (3) A mesa shape is formed by dry etching using a photomask as an etching mask. Hereinafter, for convenience, a mesa-shaped portion (structure) is abbreviated as “mesa”. Here, the etching is performed until the bottom surface of the etching reaches the lower reflecting mirror 103.

(4)フォトマスクを除去する。 (4) The photomask is removed.

(5)半導体積層体を水蒸気中で熱処理し、メサにおける被選択酸化層108を選択的に酸化する。そして、メサの中央部に、被選択酸化層108における酸化されていない領域を残留させる。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる電流狭窄構造が形成される。ここでは、上記酸化されていない領域(電流通過領域)は、一辺の長さが4μmの正方形状である。 (5) The semiconductor stacked body is heat-treated in water vapor to selectively oxidize the selectively oxidized layer 108 in the mesa. Then, an unoxidized region in the selective oxidation layer 108 remains in the central portion of the mesa. As a result, a so-called current confinement structure is formed in which the path of the drive current of the light emitting unit is limited to only the central part of the mesa. Here, the non-oxidized region (current passing region) has a square shape with a side length of 4 μm.

(6)気相化学堆積法(CVD法)を用いて、パッシベーション膜として、SiOからなる絶縁膜109を形成する。 (6) An insulating film 109 made of SiO 2 is formed as a passivation film by using a vapor phase chemical deposition method (CVD method).

(7)ポリイミド110で平坦化する。 (7) Flatten with polyimide 110.

(8)メサ上部にP側電極コンタクトの窓開けを行う。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、メサ上部の開口部を露光してその部分のフォトレジストを除去した後、BHFにてポリイミド110及び絶縁膜109をエッチングして開口する。 (8) Open the window of the P-side electrode contact on the top of the mesa. Here, after masking with a photoresist, the opening at the top of the mesa is exposed to remove the photoresist at that portion, and then the polyimide 110 and the insulating film 109 are etched and opened with BHF.

(9)メサ上部の光出射部となる領域に一辺10μmの正方形状のレジストパターンを形成する。そして、p側の電極材料を蒸着する。p側の電極材料としてはCr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。 (9) A square resist pattern having a side of 10 μm is formed in a region to be a light emitting portion on the upper part of the mesa. Then, a p-side electrode material is deposited. As the electrode material on the p side, a multilayer film made of Cr / AuZn / Au or a multilayer film made of Ti / Pt / Au is used.

(10)光出射部の電極材料をリフトオフし、p側電極111を形成する。 (10) The electrode material of the light emitting part is lifted off, and the p-side electrode 111 is formed.

(11)基板101の裏側を所定の厚さ(例えば100μm程度)まで研磨した後、n側電極112を形成する。ここでは、n側電極112はAuGe/Ni/Auからなる多層膜である。 (11) After polishing the back side of the substrate 101 to a predetermined thickness (for example, about 100 μm), the n-side electrode 112 is formed. Here, the n-side electrode 112 is a multilayer film made of AuGe / Ni / Au.

(12)アニールによって、p側電極111とn側電極112のオーミック導通を取る。これにより、各メサは、それぞれ発光部となる。 (12) Ohmic conduction is established between the p-side electrode 111 and the n-side electrode 112 by annealing. Thereby, each mesa becomes a light emission part, respectively.

(13)半導体積層体をチップ毎に切断する。 (13) The semiconductor laminate is cut for each chip.

図3に戻り、前記光学モジュール10Bは、第1の部分10Bと第2の部分10Bから構成されている。第1の部分10Bは、ハーフミラー10c、集光レンズ10f、及び受光素子10gを有している。また、第2の部分10Bは、コリメートレンズ10d、及び開口板10eを有している。 Returning to Figure 3, the optical module 10B is configured first portion 10B 1 and the second portion 10B 2. The first portion 10B 1 includes a half mirror 10c, the condenser lens 10f, and the light receiving element 10g. The second portion 10B 2 has a collimator lens 10d and aperture plate 10e,.

第1の部分10Bは、半導体レーザモジュール10Aの+Z側であって、面発光レーザアレイチップLAから射出された光の光路上にハーフミラー10cが位置するように配置されている。ハーフミラー10cに入射した光の一部は−Y方向に反射され、集光レンズ10fを介して受光素子10gで受光される。受光素子10gは、受光光量に応じた信号(光電変換信号)を前記レーザ制御装置に出力する。 The first portion 10B 1 is a + Z side of semiconductor laser module 10A, a half mirror 10c on the optical path of the light emitted from the surface emitting laser array chip LA is arranged to be positioned. A part of the light incident on the half mirror 10c is reflected in the −Y direction and is received by the light receiving element 10g through the condenser lens 10f. The light receiving element 10g outputs a signal (photoelectric conversion signal) corresponding to the amount of received light to the laser control device.

第2の部分10Bは、第1の部分10Bの+Z側であって、ハーフミラー10cを透過した光の光路上にコリメートレンズ10dが位置するように配置されている。コリメートレンズ10dは、ハーフミラー10cを透過した光を略平行光とする。開口板10eは、開口部を有し、コリメートレンズ10dを介した光を整形する。開口板10eの開口部を通過した光が、光源ユニット10の出力となる。 The second portion 10B 2 is a first portion 10B 1 of the + Z side, a collimator lens 10d on the optical path of the light transmitted through the half mirror 10c is arranged so as to be located. The collimating lens 10d makes light transmitted through the half mirror 10c substantially parallel light. The aperture plate 10e has an aperture and shapes the light that has passed through the collimating lens 10d. The light that has passed through the opening of the opening plate 10 e becomes the output of the light source unit 10.

このように、面発光レーザアレイチップLAから射出された光は、直接、光学モジュール10Bに入射する。   As described above, the light emitted from the surface emitting laser array chip LA is directly incident on the optical module 10B.

図2に戻り、シリンドリカルレンズ13は、光源ユニット10から出力された光をミラー17を介してポリゴンミラー14の偏向反射面近傍に集光する。   Returning to FIG. 2, the cylindrical lens 13 condenses the light output from the light source unit 10 in the vicinity of the deflection reflection surface of the polygon mirror 14 via the mirror 17.

ポリゴンミラー14は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面には6面の偏向反射面が形成されている。そして、不図示の回転機構により、図2に示される矢印の方向に一定の角速度で回転されている。従って、光源ユニット10から射出され、シリンドリカルレンズ13によってポリゴンミラー14の偏向反射面近傍に集光された光は、ポリゴンミラー14の回転により一定の角速度で偏向される。   The polygon mirror 14 is formed of a regular hexagonal columnar member having a low height, and six deflection reflection surfaces are formed on the side surface. Then, it is rotated at a constant angular velocity in the direction of the arrow shown in FIG. 2 by a rotation mechanism (not shown). Therefore, the light emitted from the light source unit 10 and condensed near the deflection reflection surface of the polygon mirror 14 by the cylindrical lens 13 is deflected at a constant angular velocity by the rotation of the polygon mirror 14.

fθレンズ15は、ポリゴンミラー14からの光の入射角に比例した像高をもち、ポリゴンミラー14により一定の角速度で偏向される光の像面を、主走査方向に関して等速移動させる。   The fθ lens 15 has an image height proportional to the incident angle of light from the polygon mirror 14, and moves the image plane of light deflected by the polygon mirror 14 at a constant angular velocity at a constant speed in the main scanning direction.

トロイダルレンズ16は、fθレンズ15からの光をミラー18を介して、感光体ドラム1030の表面に結像する。   The toroidal lens 16 forms an image of the light from the fθ lens 15 on the surface of the photosensitive drum 1030 via the mirror 18.

面発光レーザアレイチップLAでは、各発光部をX軸方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔d2であるので、図9に示されるように、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム1030上では副走査方向に等間隔で光源が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。例えば、前記間隔d1が26.5μmであれば、前記間隔d2は2.65μmとなる。そして、光学系の倍率を2倍とすれば、感光体ドラム1030上では副走査方向に5.3μm間隔で書き込みドットを形成することができる。これは、4800dpi(ドット/インチ)に対応している。すなわち、4800dpi(ドット/インチ)の高密度書込みができる。もちろん、T方向の発光部数を増加したり、前記間隔d1を狭くして間隔d2を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、光源の点灯のタイミングで容易に制御できる。   In the surface emitting laser array chip LA, since the intervals between the light emitting portions when the respective light emitting portions are orthogonally projected onto the virtual line extending in the X-axis direction are equal intervals d2, the lighting timing is adjusted as shown in FIG. As a result, it can be understood that the configuration is similar to the case where the light sources are arranged at equal intervals in the sub-scanning direction on the photosensitive drum 1030. For example, if the distance d1 is 26.5 μm, the distance d2 is 2.65 μm. If the magnification of the optical system is doubled, writing dots can be formed on the photosensitive drum 1030 at intervals of 5.3 μm in the sub-scanning direction. This corresponds to 4800 dpi (dots / inch). That is, high-density writing of 4800 dpi (dot / inch) can be performed. Of course, the density can be increased by increasing the number of light emitting portions in the T direction, making the array arrangement in which the distance d1 is narrowed and the distance d2 is further reduced, or by reducing the magnification of the optical system. Printing is possible. Note that the writing interval in the main scanning direction can be easily controlled by the lighting timing of the light source.

また、この場合には、レーザプリンタ1000では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。   In this case, the laser printer 1000 can perform printing without decreasing the printing speed even if the writing dot density increases. Further, when the writing dot density is the same, the printing speed can be further increased.

以上説明したように、本実施形態に係る光源ユニット10によると、光源ユニット10は、半導体レーザ10aを含む半導体レーザモジュール10Aと、ハーフミラー10c、受光素子10g、コリメートレンズ10d及び開口板10eを含む光学モジュール10Bを有している。半導体レーザ10aの面発光レーザアレイチップLAから射出された光は空気層のみを介してハーフミラー10cに入射し、ハーフミラー10cを透過した光は、コリメートレンズ10d及び開口板10eを介して光源ユニット10から出力される。   As described above, according to the light source unit 10 according to the present embodiment, the light source unit 10 includes the semiconductor laser module 10A including the semiconductor laser 10a, the half mirror 10c, the light receiving element 10g, the collimating lens 10d, and the aperture plate 10e. It has an optical module 10B. The light emitted from the surface emitting laser array chip LA of the semiconductor laser 10a enters the half mirror 10c only through the air layer, and the light transmitted through the half mirror 10c passes through the collimating lens 10d and the aperture plate 10e. 10 is output.

従来の封止ガラスを用いた光源ユニットでは、反射防止膜のコーティングを行っても、100%近い光透過率を得ることは難しく、反射損により光利用効率が低下する。特に面発光レーザは端面発光レーザのようにシングルモードで高出力を得ることが難しいため、光学系における損失をできるだけ低減する必要がある。本実施形態では、面発光レーザアレイチップLAから射出された光は、封止ガラス材等を介することなく、直接、光学モジュール10Bに入射するため、光利用効率の低下を抑制することが可能である。   In a light source unit using a conventional sealing glass, it is difficult to obtain a light transmittance of nearly 100% even when an antireflection film is coated, and the light utilization efficiency is reduced due to reflection loss. In particular, since a surface emitting laser is difficult to obtain a high output in a single mode like an edge emitting laser, it is necessary to reduce loss in the optical system as much as possible. In the present embodiment, light emitted from the surface emitting laser array chip LA is directly incident on the optical module 10B without using a sealing glass material or the like, so that it is possible to suppress a decrease in light utilization efficiency. is there.

また、本実施形態では、封止ガラス材がないため、従来の封止ガラスを用いた光源ユニットのように、封止ガラスで反射された光が面発光レーザアレイチップLAに入射することはない。また、コリメートレンズ10dに入射した光の一部は、コリメートレンズ10dの入射面で散乱されるが、入射面が曲面であるため、面発光レーザアレイチップLAに向かう方向とは異なる方向に散乱される。そこで、コリメートレンズ10dの入射面での散乱光が、面発光レーザアレイチップLAに入射することはない。従って、面発光レーザアレイチップLAへの戻り光の影響はなく、安定なレーザ光を得ることができる。   Further, in the present embodiment, since there is no sealing glass material, light reflected by the sealing glass does not enter the surface emitting laser array chip LA unlike a light source unit using a conventional sealing glass. . A part of the light incident on the collimating lens 10d is scattered on the incident surface of the collimating lens 10d. However, since the incident surface is a curved surface, the light is scattered in a direction different from the direction toward the surface emitting laser array chip LA. The Therefore, the scattered light on the incident surface of the collimator lens 10d does not enter the surface emitting laser array chip LA. Therefore, there is no influence of return light to the surface emitting laser array chip LA, and stable laser light can be obtained.

また、本実施形態によると、面発光レーザアレイチップLAの周辺部が光学モジュール(正確には第1の部分10B)で覆われているので、面発光レーザアレイチップLAへのゴミ等の付着を防止することができる。 Further, according to the present embodiment, since the peripheral portion of the surface emitting laser array chip LA is covered with the optical module (precisely, the first portion 10B 1 ), dust or the like adheres to the surface emitting laser array chip LA. Can be prevented.

また、本実施形態によると、基板面内の位置調整及び組み付けは、第1の部分10Bと、第2の部分10Bの基板に対する相対位置を調整し、ネジ止めをすることで容易に行うことができる。従って、特にあおり角調整等の位置調整の工程を簡便化でき製造コストが低減できる。 According to the present embodiment, the position adjustment and assembly is in the surface of the substrate, a first portion 10B 1, to adjust the relative position with respect to the second substrate portion 10B 2, easily carried out by a screw be able to. Therefore, the position adjustment process such as tilt angle adjustment can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.

さらに、面発光レーザは、へき開が不要であり、かつ検査工程におけるコストが端面発光レーザに比べて低いため、安価に製造することができる。また、面発光レーザアレイチップLAは、写真製版によって非常に低コストで、かつ容易に製造することができる。   Further, the surface emitting laser does not require cleavage and can be manufactured at low cost because the cost in the inspection process is lower than that of the edge emitting laser. The surface emitting laser array chip LA can be easily manufactured at a very low cost by photolithography.

また、封止ガラスがないので、部品コストを従来よりも低減することができる。   Moreover, since there is no sealing glass, component cost can be reduced compared with the past.

従って、本実施形態によると、高コスト化を招くことなく、レーザ品質及び光利用効率に優れた光源ユニットを実現することが可能となる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize a light source unit excellent in laser quality and light utilization efficiency without incurring cost increase.

また、本実施形態に係る光走査装置1010によると、高コスト化を招くことなく、レーザ品質及び光利用効率に優れた光源ユニットを有しているため、結果として、高コスト化を招くことなく、光走査を精度良く行うことが可能となる。   In addition, according to the optical scanning device 1010 according to the present embodiment, since the light source unit having excellent laser quality and light utilization efficiency is provided without increasing the cost, the cost is not increased as a result. The optical scanning can be performed with high accuracy.

また、本実施形態に係るレーザプリンタ1000によると、高コスト化を招くことなく、光走査を精度良く行うことができる光走査装置1010を備えているため、結果として、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成することが可能となる。   In addition, the laser printer 1000 according to the present embodiment includes the optical scanning device 1010 that can perform optical scanning with high accuracy without incurring an increase in cost, and as a result, without incurring an increase in cost. High-quality images can be formed.

なお、上記実施形態において、一例として図10及び図11に示されるように、前記面発光レーザアレイチップLAにおける各発光部の表面が、誘電体多層膜113で覆われていても良い。例えば、上記面発光レーザアレイチップLAの製造方法において、半導体積層体をチップ毎に切断する(前記工程(13))の前に、EB蒸着法等の公知の誘電体蒸着技術を用いて、半導体積層体の表面にSiO膜とTiO膜の1ペアからなる誘電体多層膜113を蒸着しても良い。この場合に、各誘電体膜の厚さを、反射鏡と同様に発振波長λに対してλ(m+1)/4n(nは各誘電体層の波長λにおける屈折率、m=0,1,2,,,)とすることにより、誘電体多層膜113に前記上部反射鏡108と同等の作用を付加することができる。 In the embodiment described above, as an example, as shown in FIGS. 10 and 11, the surface of each light emitting portion in the surface emitting laser array chip LA may be covered with a dielectric multilayer film 113. For example, in the method of manufacturing the surface emitting laser array chip LA, the semiconductor stacked body is cut by a known dielectric deposition technique such as an EB deposition method before cutting the semiconductor laminate for each chip (the step (13)). A dielectric multilayer film 113 composed of a pair of SiO 2 film and TiO 2 film may be deposited on the surface of the laminate. In this case, the thickness of each dielectric film is set to λ (m + 1) / 4n (n is the refractive index at the wavelength λ of each dielectric layer, m = 0, 1, 2), the same function as that of the upper reflecting mirror 108 can be added to the dielectric multilayer film 113.

また、この場合には、TiOの屈折率のほうがSiOの屈折率よりも大きいため、上部反射鏡108と誘電体多層膜113からなる反射鏡の反射率が低下しないように、TiO膜を表面側とするのが好ましい。なお、図11における符号108aは、上部反射鏡108の高屈折率層を示している。 In this case, since the refractive index of TiO 2 is larger than the refractive index of SiO 2 , the TiO 2 film does not decrease the reflectance of the reflecting mirror composed of the upper reflecting mirror 108 and the dielectric multilayer film 113. Is preferably the surface side. In addition, the code | symbol 108a in FIG. 11 has shown the high refractive index layer of the upper reflective mirror 108. FIG.

これにより、面発光レーザアレイチップLAの表面は、環境雰囲気から遮断され、水分等の侵入や表面の酸化を防ぐことができる。すなわち、面発光レーザアレイチップLAの信頼性(特に、長期信頼性)を更に向上させることができる。なお、誘電体多層膜113は、反射鏡の一部となっているため、誘電体多層膜113からの戻り光を考慮する必要はない。   Thereby, the surface of the surface emitting laser array chip LA is shielded from the environmental atmosphere, and it is possible to prevent intrusion of moisture and oxidation of the surface. That is, the reliability (particularly, long-term reliability) of the surface emitting laser array chip LA can be further improved. Since the dielectric multilayer film 113 is a part of the reflecting mirror, it is not necessary to consider the return light from the dielectric multilayer film 113.

なお、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、光走査装置1010を備えた画像形成装置であれば、高品質の画像を形成することが可能となる。   In the above embodiment, the case of the laser printer 1000 as the image forming apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this. In short, an image forming apparatus provided with the optical scanning device 1010 can form a high-quality image.

例えば、前記光走査装置1010を備え、レーザ光によって発色する媒体(例えば、用紙)に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。   For example, an image forming apparatus that includes the optical scanning device 1010 and that directly irradiates laser light onto a medium (for example, paper) that develops color with laser light may be used.

また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。   Further, an image forming apparatus using a silver salt film as the image carrier may be used. In this case, a latent image is formed on the silver salt film by optical scanning, and this latent image can be visualized by a process equivalent to a developing process in a normal silver salt photographic process. Then, it can be transferred to photographic paper by a process equivalent to a printing process in a normal silver salt photographic process. Such an image forming apparatus can be implemented as an optical plate making apparatus or an optical drawing apparatus that draws a CT scan image or the like.

また、多色のカラー画像を形成する画像形成装置であっても、カラー画像に対応した光走査装置を用いることにより、高精細な画像を形成することが可能となる。   Further, even an image forming apparatus that forms a multi-color image can form a high-definition image by using an optical scanning device that supports color images.

例えば、図12に示されるように、カラー画像に対応し、複数の感光体ドラムを備えるタンデムカラー機1500であっても良い。このタンデムカラー機1500は、ブラック(K)用の感光体ドラムK1、帯電器K2、現像器K4、クリーニング手段K5、及び転写用帯電手段K6と、シアン(C)用の感光体ドラムC1、帯電器C2、現像器C4、クリーニング手段C5、及び転写用帯電手段C6と、マゼンタ(M)用の感光体ドラムM1、帯電器M2、現像器M4、クリーニング手段M5、及び転写用帯電手段M6と、イエロー(Y)用の感光体ドラムY1、帯電器Y2、現像器Y4、クリーニング手段Y5、及び転写用帯電手段Y6と、光走査装置1010Aと、転写ベルト80と、定着手段30などを備えている。   For example, as shown in FIG. 12, a tandem color machine 1500 corresponding to a color image and including a plurality of photosensitive drums may be used. The tandem color machine 1500 includes a black (K) photosensitive drum K1, a charger K2, a developing unit K4, a cleaning unit K5, a transfer charging unit K6, a cyan (C) photosensitive drum C1, a charging unit. A developing unit C2, a developing unit C4, a cleaning unit C5, a transfer charging unit C6, a magenta (M) photosensitive drum M1, a charging unit M2, a developing unit M4, a cleaning unit M5, and a transfer charging unit M6; A yellow (Y) photosensitive drum Y1, a charger Y2, a developing unit Y4, a cleaning unit Y5, a transfer charging unit Y6, an optical scanning device 1010A, a transfer belt 80, a fixing unit 30 and the like are provided. .

光走査装置1010Aは、ブラック用の光源ユニット、シアン用の光源ユニット、マゼンタ用の光源ユニット、イエロー用の光源ユニットを有している。各光源ユニットは、いずれも前記光源ユニット10と同等の光源ユニットである。そして、ブラック用の光源ユニットからの光はブラック用の走査光学系を介して感光体ドラムK1に照射され、シアン用の光源ユニットからの光はシアン用の走査光学系を介して感光体ドラムC1に照射され、マゼンタ用の光源ユニットからの光はマゼンタ用の走査光学系を介して感光体ドラムM1に照射され、イエロー用の光源ユニットからの光はイエロー用の走査光学系を介して感光体ドラムY1に照射されるようになっている。   The optical scanning device 1010A includes a light source unit for black, a light source unit for cyan, a light source unit for magenta, and a light source unit for yellow. Each light source unit is a light source unit equivalent to the light source unit 10. The light from the light source unit for black is irradiated to the photosensitive drum K1 via the scanning optical system for black, and the light from the light source unit for cyan is irradiated to the photosensitive drum C1 via the scanning optical system for cyan. The light from the light source unit for magenta is irradiated to the photosensitive drum M1 through the scanning optical system for magenta, and the light from the light source unit for yellow is irradiated to the photosensitive member through the scanning optical system for yellow. The drum Y1 is irradiated.

各感光体ドラムは、図12中の矢印の方向に回転し、回転順にそれぞれ帯電器、現像器、転写用帯電手段、クリーニング手段が配置されている。各帯電器は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。この帯電器によって帯電された感光体ドラム表面に光走査装置1010Aにより光が照射され、感光体ドラムに静電潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像器により感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写用帯電手段により、記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着手段30により記録紙に画像が定着される。   Each photosensitive drum rotates in the direction of the arrow in FIG. 12, and a charger, a developer, a transfer charging unit, and a cleaning unit are arranged in the order of rotation. Each charger uniformly charges the surface of the corresponding photosensitive drum. The surface of the photosensitive drum charged by the charger is irradiated with light by the optical scanning device 1010A, and an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum. Then, a toner image is formed on the surface of the photosensitive drum by the corresponding developing device. Further, the toner image of each color is transferred onto the recording paper by the corresponding transfer charging means, and finally the image is fixed on the recording paper by the fixing means 30.

タンデムカラー機では、機械精度等で各色の色ずれが発生する場合があるが、点灯させる発光部を選択することで各色の色ずれの補正精度を高めることができる。   In a tandem color machine, color misregistration of each color may occur due to mechanical accuracy or the like. However, the correction accuracy of color misregistration of each color can be improved by selecting a light emitting unit to be lit.

なお、このタンデムカラー機1500において、光走査装置1010Aに代えて、ブラック用の光走査装置とシアン用の光走査装置とマゼンタ用の光走査装置とイエロー用の光走査装置を用いても良い。要するに、各光走査装置の光源ユニットが、いずれも前記光源ユニット10と同等の光源ユニットであれば良い。   In the tandem color machine 1500, instead of the optical scanning device 1010A, a black optical scanning device, a cyan optical scanning device, a magenta optical scanning device, and a yellow optical scanning device may be used. In short, the light source unit of each optical scanning device may be any light source unit equivalent to the light source unit 10.

《光伝送システム》
図13には、本発明の一実施形態に係る光伝送システム2000の概略構成が示されている。この光伝送システム2000は、光送信モジュール2001と光受信モジュール2005が光ファイバケーブル2004で接続されており、光送信モジュール2001から光受信モジュール2005への一方向の光通信が可能となっている。
<Optical transmission system>
FIG. 13 shows a schematic configuration of an optical transmission system 2000 according to an embodiment of the present invention. In this optical transmission system 2000, an optical transmission module 2001 and an optical reception module 2005 are connected by an optical fiber cable 2004, and one-way optical communication from the optical transmission module 2001 to the optical reception module 2005 is possible.

光送信モジュール2001は、前記光源ユニット10と同等の光源ユニットを含む光源2002と、外部から入力された電気信号に応じて、光源2002から出力されるレーザ光の光強度を変調する駆動回路2003とを有している。   The optical transmission module 2001 includes a light source 2002 including a light source unit equivalent to the light source unit 10, and a drive circuit 2003 that modulates the light intensity of the laser light output from the light source 2002 in accordance with an electrical signal input from the outside. have.

光源2002から出力された光信号は、光ファイバケーブル2004に結合し、該光ファイバケーブル2004を導波して光受信モジュール2005に入力される。   The optical signal output from the light source 2002 is coupled to the optical fiber cable 2004, guided through the optical fiber cable 2004, and input to the optical receiving module 2005.

光受信モジュール2005は、光信号を電気信号に変換する受光素子2006と、受光素子2006から出力された電気信号に対して信号増幅、及び波形整形等を行う受信回路2007とを有している。   The optical receiving module 2005 includes a light receiving element 2006 that converts an optical signal into an electric signal, and a receiving circuit 2007 that performs signal amplification, waveform shaping, and the like on the electric signal output from the light receiving element 2006.

本実施形態に係る光送信モジュール2001によると、光源2002が前記光源ユニット10と同等の光源ユニットを有しているため、結果として高品質の光信号を生成することが可能となる。なお、この場合に、前記面発光レーザアレイチップLAに代えて、一例として図14に示される面発光レーザアレイチップLA´を用いても良い。また、前記コリメートレンズに代えてマイクロレンズアレイを用いても良い。   According to the optical transmission module 2001 according to the present embodiment, since the light source 2002 includes a light source unit equivalent to the light source unit 10, it is possible to generate a high-quality optical signal as a result. In this case, a surface emitting laser array chip LA ′ shown in FIG. 14 may be used as an example instead of the surface emitting laser array chip LA. A microlens array may be used instead of the collimating lens.

また、本実施形態に係る光伝送システム2000によると、高品質の光信号を生成することができる光送信モジュール2001を備えているため、結果として低消費電力で、高品質の光伝送を行うことが可能となる。   In addition, the optical transmission system 2000 according to the present embodiment includes the optical transmission module 2001 that can generate a high-quality optical signal, and as a result, performs high-quality optical transmission with low power consumption. Is possible.

なお、本実施形態では、単チャンネルの一方向通信の構成例を示しているが、双方向通信、並列伝送方式、波長分割多重伝送方式等の構成をとることもできる。要するに、光源2002が前記光源ユニット10と同等の光源ユニットを有していれば良い。   In the present embodiment, a configuration example of unidirectional communication of a single channel is shown, but a configuration of bidirectional communication, a parallel transmission method, a wavelength division multiplex transmission method, or the like can also be adopted. In short, the light source 2002 only needs to have a light source unit equivalent to the light source unit 10.

以上説明したように、本発明の光源ユニットによれば、高コスト化を招くことなく、優れたレーザ品質及び光利用効率を得るのに適している。また、本発明の光走査装置によれば、高コスト化を招くことなく、光走査を精度良く行うのに適している。また、本発明の画像形成装置によれば、高品質の画像を形成するのに適している。また、本発明の光伝送モジュールによれば、高品質の光信号を生成するのに適している。また、本発明の光伝送システムによれば、高品質の光伝送を行うのに適している。   As described above, the light source unit of the present invention is suitable for obtaining excellent laser quality and light utilization efficiency without incurring high costs. The optical scanning device of the present invention is suitable for performing optical scanning with high accuracy without incurring an increase in cost. The image forming apparatus of the present invention is suitable for forming a high quality image. The optical transmission module of the present invention is suitable for generating a high-quality optical signal. The optical transmission system of the present invention is suitable for performing high-quality optical transmission.

本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating schematic structure of the laser printer which concerns on one Embodiment of this invention. 図1における光走査装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the optical scanning device in FIG. 図2における光源ユニットを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the light source unit in FIG. 光源ユニットの半導体レーザを説明するための図(その1)である。It is FIG. (1) for demonstrating the semiconductor laser of a light source unit. 図5(A)及び図5(B)は、それぞれ半導体レーザを説明するための図(その2)である。FIGS. 5A and 5B are views (part 2) for explaining the semiconductor laser, respectively. 半導体レーザの面発光レーザアレイチップを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the surface emitting laser array chip | tip of a semiconductor laser. 図6の素子部を拡大した図である。It is the figure which expanded the element part of FIG. 面発光レーザアレイチップの発光部の構造を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the light emission part of a surface emitting laser array chip. 書き込みドットを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a writing dot. 面発光レーザアレイチップの発光部の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the light emission part of a surface emitting laser array chip. 図10の誘電体多層膜を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the dielectric material multilayer film of FIG. タンデムカラー機の概略構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating schematic structure of a tandem color machine. 本発明の一実施形態に係る光伝送モジュール及び光伝送システムの概略構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating schematic structure of the optical transmission module and optical transmission system which concern on one Embodiment of this invention. 面発光レーザアレイチップの変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of a surface emitting laser array chip.

符号の説明Explanation of symbols

10…光源ユニット、10A…半導体レーザモジュール、10B…光学モジュール、10c…ハーフミラー(分岐光学素子)、10d…コリメートレンズ、10e…開口板、10g…受光素子(光検出器)、14…ポリゴンミラー(偏向器)、15…fθレンズ(走査光学系の一部)、16…トロイダルレンズ(走査光学系の一部)、108…上部反射鏡(多層反射鏡)、113…誘電体多層膜(誘電体層)、1000…レーザプリンタ(画像形成装置)、1010…光走査装置、1010A…光走査装置、1030…感光体ドラム(像担持体)、1500…タンデムカラー機(画像形成装置)、2000…光伝送システム、2001…光送信モジュール(光伝送モジュール)、2003…駆動回路(駆動装置)、2004…光ファイバケーブル(光伝達媒体)、2006…受光素子(変換器の一部)、2007…受信回路(変換器の一部)、LA…面発光レーザアレイチップ、LA´…面発光レーザアレイチップ、K1,C1,M1,Y1…感光体ドラム(像担持体)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light source unit, 10A ... Semiconductor laser module, 10B ... Optical module, 10c ... Half mirror (branch optical element), 10d ... Collimating lens, 10e ... Opening plate, 10g ... Light receiving element (photodetector), 14 ... Polygon mirror (Deflector), 15 ... fθ lens (part of scanning optical system), 16 ... toroidal lens (part of scanning optical system), 108 ... upper reflecting mirror (multilayer reflecting mirror), 113 ... dielectric multilayer film (dielectric) Body layer), 1000 ... laser printer (image forming apparatus), 1010 ... optical scanning apparatus, 1010A ... optical scanning apparatus, 1030 ... photosensitive drum (image carrier), 1500 ... tandem color machine (image forming apparatus), 2000 ... Optical transmission system, 2001 ... Optical transmission module (optical transmission module), 2003 ... Drive circuit (drive device), 2004 ... Optical fiber cable (Light transmission medium), 2006 ... light receiving element (part of converter), 2007 ... receiver circuit (part of converter), LA ... surface emitting laser array chip, LA '... surface emitting laser array chip, K1, C1, M1, Y1... Photosensitive drum (image carrier).

Claims (13)

少なくとも1つの発光部を有する半導体レーザを含む半導体レーザモジュールと;
前記半導体レーザモジュールと接し、前記半導体レーザから射出された光が空気層のみを介して直接入射する光学モジュールと;を備える光源ユニット。
A semiconductor laser module including a semiconductor laser having at least one light emitting portion;
An optical module in contact with the semiconductor laser module, and the light emitted from the semiconductor laser is directly incident only through an air layer.
前記半導体レーザは、面発光レーザであることを特徴とする請求項1に記載の光源ユニット。   The light source unit according to claim 1, wherein the semiconductor laser is a surface emitting laser. 前記半導体レーザの射出面は、誘電体層で覆われていることを特徴とする請求項2に記載の光源ユニット。   The light source unit according to claim 2, wherein an emission surface of the semiconductor laser is covered with a dielectric layer. 前記半導体レーザは、多層反射鏡を有し、
前記誘電体層は、前記多層反射鏡の一部であることを特徴とする請求項3に記載の光源ユニット。
The semiconductor laser has a multilayer reflector,
The light source unit according to claim 3, wherein the dielectric layer is a part of the multilayer reflecting mirror.
前記光学モジュールは、
前記半導体レーザから射出された光の一部を分岐する分岐光学素子と;
前記分岐光学素子で分岐された光を受光する光検出器と;を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光源ユニット。
The optical module is
A branching optical element for branching a part of the light emitted from the semiconductor laser;
The light source unit according to claim 1, further comprising: a photodetector that receives light branched by the branch optical element.
前記光学モジュールは、
前記半導体レーザから射出された光を略平行光とするコリメートレンズを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光源ユニット。
The optical module is
The light source unit according to claim 1, further comprising a collimating lens that makes light emitted from the semiconductor laser substantially parallel light.
前記光学モジュールは、
前記半導体レーザから射出された光を整形する開口板を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の光源ユニット。
The optical module is
The light source unit according to claim 1, further comprising an aperture plate that shapes light emitted from the semiconductor laser.
前記半導体レーザは、複数の発光部を有し、
前記光学モジュールは、マイクロレンズアレイを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光源ユニット。
The semiconductor laser has a plurality of light emitting units,
The light source unit according to claim 1, wherein the optical module has a microlens array.
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の光源ユニットと;
前記光源ユニットからの光を偏向する偏向器と;
前記偏光器で偏向された光を被走査面上に集光する走査光学系と;を備える光走査装置。
An optical scanning device that scans a surface to be scanned with light,
A light source unit according to any one of claims 1 to 8;
A deflector for deflecting light from the light source unit;
A scanning optical system for condensing the light deflected by the polarizer on the surface to be scanned.
少なくとも1つの像担持体と;
前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報が含まれる光を走査する少なくとも1つの請求項9に記載の光走査装置と;を備える画像形成装置。
At least one image carrier;
An image forming apparatus comprising: at least one optical scanning device according to claim 9 that scans the at least one image carrier with light including image information.
前記画像情報は、カラー画像情報であることを特徴とする請求項10に記載の画像形成装置。   The image forming apparatus according to claim 10, wherein the image information is color image information. 入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールであって、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の光源ユニットと;
前記光源ユニットの半導体レーザを、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と;を備える光伝送モジュール。
An optical transmission module that generates an optical signal according to an input electrical signal,
A light source unit according to any one of claims 1 to 8;
An optical transmission module comprising: a driving device that drives the semiconductor laser of the light source unit according to the input electric signal.
請求項12に記載の光伝送モジュールと;
前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と;
前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と;を備える光伝送システム。
An optical transmission module according to claim 12;
An optical transmission medium for transmitting an optical signal generated by the optical transmission module;
A converter for converting an optical signal through the optical transmission medium into an electric signal;
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