JP2009032488A - Image display device - Google Patents

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Hideyuki Shintani
英之 新谷
Yoshiyuki Kaneko
好之 金子
Takaaki Ogasa
高揚 小笠
Koichi Shoji
公一 庄司
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a long-life image display device high in quality and reliability by reducing line defects of an image display panel by preventing disconnection of an image signal wire extraction terminal, and by repairing and recovering the disconnection. <P>SOLUTION: The image signal wire extraction terminal 8a extracted to the outside from one end of an image signal wire 8 is formed by a two-layer film structure comprising a first image signal wire extraction terminal 811 and a second image signal wire extraction terminal 812, thereby connecting a generation part of disconnection S of the first image signal wire extraction terminal 811 by the second image signal wire extraction terminal 812 to be electrically connected. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、前面基板と背面基板の間に形成される真空中への電子放出を利用した平面型の画像表示装置に係わり、特に映像信号配線の先端部に結合される映像信号配線引出端子の積層膜構造に関するものである。   The present invention relates to a flat-type image display device using electron emission into a vacuum formed between a front substrate and a rear substrate, and more particularly, a video signal wiring lead terminal coupled to a tip portion of a video signal wiring. The present invention relates to a laminated film structure.

高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性をもつと共に軽量、省スペースの平面型画像表示装置(フラット・パネル・ディスプレイ:FPD)の要求が高まっている。   Conventionally, a color cathode ray tube has been widely used as a display device excellent in high luminance and high definition. However, with the recent improvement in image quality of information processing devices and television broadcasting, there is an increasing demand for flat image display devices (flat panel displays: FPD) that have high brightness and high definition characteristics and are lightweight and space-saving. ing.

その典型例として液晶表示装置、プラズマ表示装置などが実用化されている。また、特に、高輝度化が可能なものとして、電子源から真空への電子放出を利用した自発光型表示装置として、電子放出型画像表示装置、または電界放出型画像表示装置と呼ばれるものや低消費電力を特徴とする有機ELディスプレイ等、種々の平面型画像表示装置の実用化も図られている。   As typical examples, liquid crystal display devices, plasma display devices and the like have been put into practical use. In particular, a self-luminous display device using electron emission from an electron source to a vacuum as a device capable of achieving high brightness is called an electron emission image display device or a field emission image display device. Various flat-type image display devices such as an organic EL display characterized by power consumption have been put into practical use.

平面型画像表示装置の中、自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、電子源をマトリクス状に配置した構成が知られており、その一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する前述した電子放出型画像表示装置も知られている。   Among flat-panel image display devices, a self-luminous flat panel display is known to have a configuration in which electron sources are arranged in a matrix, and one of them is the use of a cold cathode that is minute and can be integrated. An electron emission type image display device is also known.

また、自発光型のフラット・パネル・ディスプレイでは、その冷陰極にスピント型、表面伝導型、カーボンナノチューブ型、金属−絶縁体−金属を積層したMIM(Metal-Insulator-Metal)型、金属−絶縁体−半導体を積層したMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型または金属−絶縁体−半導体−金属型等の薄膜型電子源などが用いられる。   In a self-luminous flat panel display, the cold cathode has a Spindt type, a surface conduction type, a carbon nanotube type, a metal-insulator-metal laminated MIM (Metal-Insulator-Metal) type, and a metal-insulation. A thin-film electron source such as a metal-insulator-semiconductor (MIS) type or a metal-insulator-semiconductor-metal type in which a body-semiconductor is laminated is used.

電子放出型FPDは、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を形成する陽極を備えた前面基板と、両基板の対向する内部空間を所定の真空状態に封止する封止枠となる支持体とで構成される画像表示パネルが知られている。この表示パネルに駆動回路を組み合わせてFPDを動作させる。   The electron emission type FPD includes a rear substrate including the electron source as described above, and a phosphor layer and an anode that forms an acceleration voltage for causing electrons emitted from the electron source to collide with the phosphor layer. There is known an image display panel that includes a front substrate and a support that serves as a sealing frame that seals the internal space of both substrates facing each other in a predetermined vacuum state. An FPD is operated by combining a drive circuit with this display panel.

電子源を有する画像表示装置では、一方向に延在して当該一方向と交差する他方向に並設された複数の映像信号配線と、この映像信号配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で他方向に延在して映像信号配線に交差するように一方向に並設され走査信号が順次印加される数の走査信号配線と、映像信号配線と走査信号配線との交差部付近に設けられた電子源とを有する背面基板を備え、この背面基板は絶縁材からなる基板を有し、この基板上に前記配線が形成されている。   In an image display device having an electron source, a plurality of video signal wirings extending in one direction and arranged in parallel in the other direction intersecting the one direction, an insulating film formed to cover the video signal wirings, The number of the scanning signal wirings that are arranged in one direction so as to extend in the other direction on the insulating film and intersect the video signal wirings and to which the scanning signals are sequentially applied, and the intersections of the video signal wirings and the scanning signal wirings A back substrate having an electron source provided in the vicinity of the unit, and the back substrate has a substrate made of an insulating material, and the wiring is formed on the substrate.

このような構成において、走査信号配線には他方向に走査信号が順次印加される。また、この基板上には走査信号配線と画像信号配線の各交差部に電子源が設けられ、これら両配線と電子源とは給電電極により接続され、電子源に電流が供給される。この背面基板と対向して前記対向する内面に複数色の蛍光体層と陽極とを備えた前面基板を有している。前面基板は、ガラスを好適とする光透過性の材料で形成される。そして、両基板の貼り合せ、内周縁に封止枠となる支持体を介挿して封止し、当該背面基板と前面基板及び支持体で形成される内部を真空にして構成される。   In such a configuration, the scanning signal is sequentially applied to the scanning signal wiring in the other direction. Further, an electron source is provided at each intersection of the scanning signal wiring and the image signal wiring on the substrate, and both the wiring and the electron source are connected by a feeding electrode, and current is supplied to the electron source. A front substrate having a plurality of color phosphor layers and an anode is provided on the inner surface facing the rear substrate. The front substrate is formed of a light transmissive material suitable for glass. Then, the two substrates are bonded together, and a support body serving as a sealing frame is inserted and sealed at the inner periphery, and the interior formed by the back substrate, the front substrate and the support body is evacuated.

電子源は、前述のように映像信号配線と走査信号配線との交差部に位置し、映像信号配線と走査信号配線との間の電位差で電子源からの電子の放出量(放出のオン・オフを含む)を制御する。放出された電子は、前面基板に位置する陽極に印加される高電圧で加速され、同じく前面基板に有する蛍光体層に射突して励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。   The electron source is located at the intersection between the video signal wiring and the scanning signal wiring as described above, and the amount of electrons emitted from the electron source (the emission on / off state) due to the potential difference between the video signal wiring and the scanning signal wiring. Control). The emitted electrons are accelerated by a high voltage applied to the anode located on the front substrate, and are also projected into the phosphor layer on the front substrate and excited to excite the colored light according to the emission characteristics of the phosphor layer. Color develops.

個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の単位画素で一つの画素(カラー画素、ピクセル)が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素(サブピクセル)とも呼ばれる。   Each electron source is paired with a corresponding phosphor layer to constitute a unit pixel. Usually, one pixel (color pixel, pixel) is composed of unit pixels of three colors of red (R), green (G), and blue (B). In the case of a color pixel, the unit pixel is also called a sub-pixel (sub-pixel).

前述したような平面型の画像表示装置では、一般的に背面基板と前面基板間の前記支持体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材(以下スペーサと言う)が配置固定され、両基板間の間隔を支持体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。   In the flat-type image display device as described above, a plurality of spacing members (hereinafter referred to as spacers) are generally arranged and fixed in a display region surrounded by the support between the rear substrate and the front substrate. The distance between the substrates is maintained at a predetermined distance in cooperation with the support. This spacer is generally formed of a plate-like body formed of an insulating material such as glass or ceramics, and is usually installed at a position where the operation of the pixel is not hindered for each of the plurality of pixels.

また、封止枠となる支持体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と支持体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば約10-5〜10-7Torrである。 Further, the support serving as a sealing frame is fixed to the inner peripheral edge of the rear substrate and the front substrate with a sealing member such as frit glass, and the fixing portion is hermetically sealed to form a sealing region. The degree of vacuum inside the display area formed by both the substrates and the support is, for example, about 10 −5 to 10 −7 Torr.

支持体と両基板との封止領域には、背面基板に形成された映像信号配線に結合する映像信号配線引出端子や映像信号配線に結合する映像信号配線引出端子が貫通している。通常、封止枠となる支持体はフリットガラスなどの封着部材で背面基板及び前面基板に固着される。映像信号配線引出端子や走査信号配線引出端子が封止枠と背面基板の気密封着部である封止領域を通して引き出されている。信号配線の外部への取り出し部分の支持体下部において屈曲した構造を有する画像形成装置が特許文献1に開示されている。   In the sealing region between the support and both substrates, a video signal wiring lead terminal coupled to the video signal wiring formed on the rear substrate and a video signal wiring lead terminal coupled to the video signal wiring penetrate. Usually, the support used as the sealing frame is fixed to the rear substrate and the front substrate with a sealing member such as frit glass. The video signal wiring lead terminal and the scanning signal wiring lead terminal are led out through a sealing region which is a hermetically sealed portion between the sealing frame and the rear substrate. Patent Document 1 discloses an image forming apparatus having a structure that is bent at a lower portion of a support at a portion where a signal wiring is taken out to the outside.

また、背面基板上に複数の映像信号配線及び走査信号配線を有し、映像信号配線及び走査信号配線を有する背面基板の表面に枠体を介して背面基板と前面基板とを配置することによって気密容器を形成し、この気密容器内に蛍光体層及び陽極を有する表示パネル用の配線基板において、蛍光体層及び陽極の背面基板上への正射影領域における映像信号配線及び走査信号配線の断面が背面基板と形成する平均角度が鈍角であり、枠体が配置された領域における映像信号配線及び走査信号配線の断面が背面基板と形成する平均角度が鋭角である配線構造を有する画像形成装置が特許文献2に開示されている。   In addition, a plurality of video signal wirings and scanning signal wirings are provided on the rear substrate, and the rear substrate and the front substrate are disposed on the surface of the rear substrate having the video signal wiring and the scanning signal wiring through a frame. In a wiring board for a display panel having a container and having a phosphor layer and an anode in the hermetic container, the cross sections of the video signal wiring and the scanning signal wiring in the orthogonal projection region on the rear substrate of the phosphor layer and the anode are An image forming apparatus having a wiring structure in which an average angle formed with the back substrate is an obtuse angle, and an average angle formed with the back substrate is a cross section of the video signal wiring and the scanning signal wiring in the region where the frame is arranged is patented It is disclosed in Document 2.

特開平9−277586号公報JP-A-9-277586 特開2003−151474号公報JP 2003-151474 A

しかしながら、上述したように複数個の電子源を映像信号配線及び走査信号配線によりマトリクス状に配線接続して形成された背面基板と、蛍光体層を形成した前面基板とを対向して貼り合わせて表示パネルとした画像表示装置を構成する際、その表示パネルの大面積化及び高品質化するにあたり種々の課題が発生する。   However, as described above, a back substrate formed by connecting a plurality of electron sources in a matrix by video signal wiring and scanning signal wiring and a front substrate on which a phosphor layer is formed are bonded to face each other. When configuring an image display device as a display panel, various problems arise when the display panel is increased in area and quality.

特に、映像信号配線及び走査信号配線は、その電極材料として、所望の配線抵抗を満たすために金属材料とガラス系材料とからなる厚膜ガラスペーストを用いるが、画像表示装置の高品質化のために高精細化を推し進めると、表示領域内に映像信号配線及び走査信号配線の配線幅を十分に小さくする必要が生じる。画像表示装置の使用目的等によるが、一般的な用途に十分活用できる高精細な画像表示装置としては、その配線幅を数十μm以下程度とすることが必要不可欠となる。なお、配線幅の問題については、映像信号配線に結合される映像信号配線引出端子及び走査信号配線に結合される走査信号配線引出端子についても全く同様である。   In particular, the video signal wiring and the scanning signal wiring use a thick glass paste made of a metal material and a glass-based material as an electrode material in order to satisfy a desired wiring resistance. However, in order to improve the quality of the image display device. When the resolution is further increased, it is necessary to sufficiently reduce the widths of the video signal lines and the scanning signal lines in the display area. Although it depends on the purpose of use of the image display device, it is indispensable for the high-definition image display device that can be sufficiently utilized for general purposes to have a wiring width of about several tens of μm or less. The wiring width problem is exactly the same for the video signal wiring lead terminal coupled to the video signal wiring and the scanning signal wiring lead terminal coupled to the scanning signal wiring.

映像信号配線及び走査信号配線は、背面基板上に配置され、その配線引出端子は背面基板表面と支持体端面との対向する間隙を貫通して外部に引き出されている。この間隙には、フリットガラス等の封着部材が配置されて気密封着され封止領域を構成している。   The video signal wiring and the scanning signal wiring are arranged on the rear substrate, and the wiring lead-out terminals are led out to the outside through a gap facing the rear substrate surface and the support end surface. In this gap, a sealing member such as frit glass is disposed and hermetically sealed to form a sealed region.

このような構成において、画像欠陥の生じない所望の明るさの表示画像を得るためには、映像信号配線引出端子及び走査信号配線引出端子からそれぞれ映像信号配線及び走査信号配線に常時大量の電流を流入させることが必要不可欠となり、それに付随して映像信号配線及び走査信号配線に沿って電圧降下が生じる問題がある。   In such a configuration, in order to obtain a display image having a desired brightness without causing image defects, a large amount of current is constantly applied from the video signal wiring lead terminal and the scanning signal wiring lead terminal to the video signal wiring and the scanning signal wiring, respectively. There is a problem that a voltage drop occurs along the video signal wiring and the scanning signal wiring.

この問題解決のため、電圧降下を小さくするには映像信号配線及び走査信号配線の電気抵抗を小さくする必要がある。映像信号配線及び走査信号配線は、例えばAl(アルミニウム)またはAl合金等の金属材の薄膜から構成されているが、電気抵抗を小さくするには、映像信号配線及び走査信号配線を構成する金属薄膜の膜厚を大きく(厚く)する必要がある。しかしながら、膜厚を大きくすると、映像信号配線及び走査信号配線の応力が大きくなり、背面基板から剥がれ易くなるという問題が生じる。したがって、映像信号配線及び走査信号配線を金属薄膜の膜厚を小さく(薄く)せざるを得ないことになる。すなわち、各信号配線及びその配線引出端子の膜厚を薄くして形成することが必要不可欠となる。   In order to solve this problem, it is necessary to reduce the electrical resistance of the video signal wiring and the scanning signal wiring in order to reduce the voltage drop. The video signal wiring and the scanning signal wiring are made of a thin film made of a metal material such as Al (aluminum) or Al alloy. For example, in order to reduce the electric resistance, the metal thin film constituting the video signal wiring and the scanning signal wiring is used. It is necessary to increase (thicken) the film thickness. However, when the film thickness is increased, the stress of the video signal wiring and the scanning signal wiring is increased, which causes a problem that it is easily peeled off from the rear substrate. Therefore, the video signal wiring and the scanning signal wiring must be made thin (thin). That is, it is indispensable to form each signal wiring and its wiring lead terminal with a small film thickness.

ところが、膜厚を薄くして形成した場合、図20に映像信号配線端子部分の要部拡大平面図に示すように映像信号配線8の一端から外側に引き出された映像信号配線引出端子8aにおいて、その整形加工中に何らかの要因により、断線Sが生じ易くなり、これによって画像表示パネルの線欠陥が発生し、画像表示装置の品質及び信頼性を損なうという課題があった。なお、図中、14は図示しない走査信号配線との間の絶縁性を保持する層間絶縁膜である。   However, when the film thickness is reduced, the video signal wiring lead terminal 8a led out from one end of the video signal wiring 8 as shown in the enlarged plan view of the main part of the video signal wiring terminal portion in FIG. During the shaping process, the disconnection S is likely to occur due to some factor, which causes a line defect in the image display panel, which impairs the quality and reliability of the image display device. In the figure, reference numeral 14 denotes an interlayer insulating film that retains insulation with a scanning signal wiring (not shown).

したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、映像信号配線引出端子の断線を未然に防止することによって画像表示パネルの線欠陥を低減させ、品質及び信頼性の高い長寿命の画像表示装置を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and its purpose is to reduce line defects of the image display panel by preventing disconnection of the video signal wiring lead terminal, An object of the present invention is to provide a long-life image display device with high quality and reliability.

また、本発明の他の目的は、映像信号配線引出端子の断線を修復することによって画像表示パネルの線欠陥を低減させ、品質及び信頼性の高い長寿命の画像表示装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a long-life image display device with high quality and reliability by reducing line defects in the image display panel by repairing the disconnection of the video signal wiring lead terminal. .

このような目的を達成するため本発明による画像表示装置は、映像信号配線の少なくとも一端が表示領域から背面基板と支持体とが対向する封止領域を通して外側に引き出された映像信号配線引出端子を有し、この映像信号引出端子は、複数の積層構造から構成することにより、断線発生部分が結合されるので、背景技術の課題を解決することができる。   In order to achieve such an object, an image display device according to the present invention has a video signal wiring lead terminal in which at least one end of the video signal wiring is led out from the display region through a sealing region where the back substrate and the support face each other. This video signal lead-out terminal is constituted by a plurality of laminated structures, so that the disconnection occurrence portion is coupled, so that the problems of the background art can be solved.

本発明によれば、映像信号配線引出端子の断線を未然に防ぐことができるので、画像表示パネルの線欠陥を低減させ、品質及び信頼性の高い長寿命の画像表示装置が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる。   According to the present invention, since the disconnection of the video signal wiring lead terminal can be prevented, the line defect of the image display panel can be reduced, and a long-life image display device with high quality and reliability can be realized. An extremely excellent effect is obtained.

また、本発明によれば、映像信号配線引出端子の加工中に生じた断線を修復し、回復することができるので、画像表示パネルの線欠陥を低減させ、品質及び信頼性の高い長寿命の画像表示装置が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる。   In addition, according to the present invention, it is possible to repair and recover the disconnection that occurred during the processing of the video signal wiring lead terminal, thereby reducing the line defect of the image display panel, and having a long life with high quality and reliability. An extremely excellent effect that an image display apparatus can be realized is obtained.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1乃至図5は本発明の画像表示装置の一実施例を説明するための図であり、図1(a)は前面基板側から見た平面図、図1(b)は図1(a)のA方向から見た側面図、図2は図1の前面基板を取り去って示す背面基板の模式平面図、図3は図2のB−B線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図、図4は図2のC−C線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図、図5は図2のD−D線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。   FIGS. 1 to 5 are views for explaining an embodiment of the image display device of the present invention. FIG. 1A is a plan view seen from the front substrate side, and FIG. 2) is a side view seen from the direction A, FIG. 2 is a schematic plan view of the back substrate shown by removing the front substrate of FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the back substrate along the line BB of FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the front substrate corresponding to the back substrate, FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the back substrate taken along the line CC in FIG. 2, and a schematic cross-sectional view of the front substrate corresponding to the back substrate. 5 is a schematic cross-sectional view of the back substrate taken along the line DD of FIG. 2 and a schematic cross-sectional view of the front substrate corresponding to the back substrate.

これら図1乃至図5において、参照符号1は背面基板、2は前面基板であり、これら両基板1,2は厚さ数mm、例えば約3mm程度のガラス板からそれぞれ構成されている。参照符号3は枠形状に形成された枠体であり、この枠体3は厚さ数mm、例えば約3mm程度のガラス板またはフリットガラスの燒結体から構成され、単体または複数の棒部材の組み合わせてほぼ枠形状に形成され、背面基板1と前面基板2との間の周縁部に介挿されている。   1 to 5, reference numeral 1 is a back substrate, 2 is a front substrate, and both the substrates 1 and 2 are each formed of a glass plate having a thickness of several millimeters, for example, about 3 mm. Reference numeral 3 is a frame formed in a frame shape. This frame 3 is composed of a glass plate or a frit glass sintered body having a thickness of several mm, for example, about 3 mm, and is a combination of a single member or a plurality of rod members. Are formed in a substantially frame shape, and are inserted in a peripheral portion between the back substrate 1 and the front substrate 2.

この枠体3は、背面基板1と前面基板2との間の周縁部に周回して介挿され、その両端面を背面基板1及び前面基板2と気密接合されている。この枠体3の厚さは数mm〜数十mm程度であり、その高さは背面基板1と前面基板2との間の間隔にほぼ等しい寸法に設定されている。   The frame body 3 is inserted around a peripheral portion between the back substrate 1 and the front substrate 2, and both end surfaces thereof are airtightly joined to the back substrate 1 and the front substrate 2. The thickness of the frame 3 is about several millimeters to several tens of millimeters, and its height is set to a dimension that is substantially equal to the distance between the back substrate 1 and the front substrate 2.

参照符号4は排気管であり、この排気管4は背面基板1の外表面に固着されている。また、参照符号5は封着部材であり、この封着部材5は例えば低融点フリットガラス、例えばPbO:75wt%〜80wt%、B23:約10wt%、その他:10wt%〜15wt%等の組成からなり、且つ非晶質タイプのフリットガラスを含むガラス材料からなるもの等が知られており、枠体3と背面基板1と前面基板2との間を接合して気密封着している。 Reference numeral 4 is an exhaust pipe, and the exhaust pipe 4 is fixed to the outer surface of the back substrate 1. Reference numeral 5 denotes a sealing member. The sealing member 5 is, for example, a low melting point frit glass such as PbO: 75 wt% to 80 wt%, B 2 O 3 : about 10 wt%, others: 10 wt% to 15 wt%, etc. And a glass material including an amorphous type frit glass is known, and the frame 3, the back substrate 1 and the front substrate 2 are joined and hermetically sealed. Yes.

この枠体3と背面基板1,前面基板2及び封着部材5とで囲まれた表示領域を含む真空領域6は排気管4を介して排気され、例えば10-5Pa〜10-7Paの真空度を保持している。また、排気管4は前述したように背面基板1の外表面に取り付けられ、この背面基板1を貫通して穿設された貫通孔7に連通しており、排気完了後に排気管4は封止される。 The vacuum region 6 including the display region surrounded by the frame 3, the rear substrate 1, the front substrate 2, and the sealing member 5 is exhausted through the exhaust pipe 4, for example, 10 −5 Pa to 10 −7 Pa. The degree of vacuum is maintained. Further, as described above, the exhaust pipe 4 is attached to the outer surface of the back substrate 1 and communicates with the through hole 7 formed through the back substrate 1 so that the exhaust pipe 4 is sealed after the exhaust is completed. Is done.

参照符号8はストライプ状の映像信号配線であり、この映像信号配線8は、例えばアルミニウム(Al)膜またはアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜が用いられ、背面基板1の内面に一方向(Y方向)に延在し他方向(X方向)に並設されている。この映像信号配線8は、後述するように上面にトンネル絶縁層及びフィールド絶縁層を備えている。また、この映像信号配線8は、真空領域6から枠体3と背面基板1との接合領域を気密に貫通し、背面基板1の長辺側の端部まで延在し、その先端部分を映像信号配線引出端子8aとしている。   Reference numeral 8 denotes a stripe-shaped video signal wiring. The video signal wiring 8 is made of, for example, an aluminum (Al) film or an aluminum alloy film containing aluminum as a main component. Direction) and juxtaposed in the other direction (X direction). As will be described later, the video signal wiring 8 includes a tunnel insulating layer and a field insulating layer on the upper surface. The video signal wiring 8 airtightly penetrates from the vacuum region 6 to the joining region between the frame 3 and the rear substrate 1 and extends to the end portion on the long side of the rear substrate 1. The signal wiring lead terminal 8a is used.

この映像信号配線引出端子8aは、下層の第1の映像信号配線引出端子811では例えばAl膜が用いられ、上層の第2の映像信号配線引出端子812ではAlを主成分とするアルミニウム(Al)とネオジム(Nd)とのAl−Nd合金膜が用いられる。この場合、第1の映像信号配線引出端子811は、第2の映像信号配線引出端子812よりも膜厚を大きく(厚く)して形成され、映像信号配線配線引出端子8aの全体の電気抵抗値を低減させている。   As the video signal wiring lead terminal 8a, for example, an Al film is used in the first video signal wiring lead terminal 811 in the lower layer, and aluminum (Al) whose main component is Al in the second video signal wiring lead terminal 812 in the upper layer. Al—Nd alloy film of Neodymium (Nd) is used. In this case, the first video signal wiring lead terminal 811 is formed to have a larger film thickness (thickness) than the second video signal wiring lead terminal 812, and the entire electric resistance value of the video signal wiring lead terminal 8a. Is reduced.

なお、この映像信号配線引出端子8aは、第1の映像信号配線引出端子811がAl膜を約800nmの厚さに成膜して形成され、第2の映像信号配線引出端子812がAl−Nd合金膜を約600nmの厚さに成膜して形成されている。   The video signal wiring lead terminal 8a is formed by forming the first video signal wiring lead terminal 811 with an Al film having a thickness of about 800 nm and the second video signal wiring lead terminal 812 with Al-Nd. An alloy film is formed to a thickness of about 600 nm.

また、この映像信号配線引出端子8aは、図6に要部模式平面図で示すように背面基板1上に形成された下層膜としての第1の映像信号配線引出端子811上に上層膜としての第2の映像信号配線引出端子812をオーバーラップさせて成膜した2層構造で形成されている。そして、断線Sが生じていない第1の映像信号配線引出端子811には、第2の映像信号配線引出端子812が積層して形成され、一部に断線Sが生じている第1の映像信号配線引出端子811上にはその断線Sを被覆するように第2の映像信号配線引出端子812が形成されて断線Sを導通させた2層構造の映像信号配線引出端子部を構成している。   Further, the video signal wiring lead terminal 8a is formed as an upper layer film on the first video signal wiring lead terminal 811 as a lower layer film formed on the rear substrate 1 as shown in a schematic plan view of the main part in FIG. The second video signal wiring lead terminal 812 is formed to have a two-layer structure formed by overlapping. The first video signal wiring lead terminal 811 in which the disconnection S does not occur is formed by laminating the second video signal wiring lead terminal 812, and the disconnection S is partially generated in the first video signal. A second video signal wiring lead terminal 812 is formed on the wiring lead terminal 811 so as to cover the disconnection S, thereby constituting a two-layered video signal wiring lead terminal portion in which the disconnection S is conducted.

また、図6において、映像信号配線引出端子8aの最先端部には、外部回路に電気的に接続させるフレキシブルプリント配線基板の端子部を熱圧着により導通させるための絶縁性のトンネル絶縁膜TAOが成膜されている。   Further, in FIG. 6, an insulating tunnel insulating film TAO for electrically connecting the terminal portion of the flexible printed wiring board to be electrically connected to the external circuit by thermocompression bonding is provided at the most distal portion of the video signal wiring lead terminal 8a. A film is formed.

このような構成によれば、断線Sが生じた第1の映像信号配線引出端子811が第2の映像信号配線引出端子812の積層により電気的に接続されるので、映像信号配線引出端子8aの加工中に下層膜の第1の映像信号配線引出端子811に生じた断線Sが上層膜の第2の映像信号配線引出端子812により被覆されて修復されるので、断線Sを回復することができる。また、第1の映像信号配線引出端子811を形成した後に第2の映像信号配線引出端子812を形成することによって断線Sの発生を未然に防ぐことができる。   According to such a configuration, the first video signal wiring lead terminal 811 in which the disconnection S has occurred is electrically connected by the lamination of the second video signal wiring lead terminals 812. Since the disconnection S generated in the first video signal wiring lead terminal 811 of the lower layer film during processing is covered and repaired by the second video signal wiring lead terminal 812 of the upper layer film, the disconnection S can be recovered. . Further, by forming the second video signal wiring lead terminal 812 after forming the first video signal wiring lead terminal 811, the occurrence of the disconnection S can be prevented in advance.

また、映像信号配線引出端子8aは、下層の第1の映像信号配線引出端子811にAl膜を用い、上層の第2の映像信号配線引出端子812は、前記Al−Nd合金膜に代えて例えばIr/Pt/Au膜等を用いても良い。   The video signal wiring lead terminal 8a uses an Al film for the first video signal wiring lead terminal 811 in the lower layer, and the second video signal wiring lead terminal 812 in the upper layer replaces the Al—Nd alloy film, for example. An Ir / Pt / Au film or the like may be used.

この構成によれば、映像信号配線引出端子8aは、第1の映像信号配線引出端子811上に(端子部分のパターンとして)第2の映像信号配線引出端子812を再度形成した2層膜構造とすることにより、映像信号配線引出端子8aの加工中に第1の映像信号配線引出端子811に生じた断線Sの発生部分を電気的に結合させることができる。   According to this configuration, the video signal wiring lead terminal 8a has a two-layer film structure in which the second video signal wiring lead terminal 812 is formed again (as a pattern of the terminal portion) on the first video signal wiring lead terminal 811. By doing so, it is possible to electrically couple the portion where the disconnection S occurred in the first video signal wiring lead terminal 811 during the processing of the video signal wiring lead terminal 8a.

また、参照符号9はストライプ状の走査信号配線であり、この走査信号配線9は、映像信号配線8上でこれと交差する他方向(X方向)に延在し、一方向(Y方向)に並設されている。この走査信号配線9は、アルミニウム膜92とアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜94との積層膜構造または比抵抗の異なるアルミニウム合金膜の積層膜構造となっている。この走査信号配線9は、真空領域6から枠体3と背面基板1との接合領域を気密に貫通し、背面基板1の短辺側の端部まで延在し、その先端部を走査信号配線引出端子9aとしている。   Reference numeral 9 denotes a stripe-shaped scanning signal wiring, and the scanning signal wiring 9 extends on the video signal wiring 8 in the other direction (X direction) intersecting therewith and extends in one direction (Y direction). It is installed side by side. The scanning signal wiring 9 has a laminated film structure of an aluminum film 92 and an aluminum alloy film 94 mainly composed of aluminum or a laminated film structure of aluminum alloy films having different specific resistances. The scanning signal wiring 9 airtightly penetrates the joining region between the frame 3 and the rear substrate 1 from the vacuum region 6 and extends to the end portion on the short side of the rear substrate 1. The lead terminal 9a is used.

また、走査信号電極9は、アルミニウム膜92とアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜94との積層膜構造または比抵抗の異なるアルミニウム合金膜の積層膜構造に代えて例えばIr/Pt/Au膜等を用いても良い。なお、映像信号配線引出端子8a及び走査信号配線引出端子9aは、対応する各配線の一端側のみに設けられているが、背面基板1の両端側に設けても良い。   Further, the scanning signal electrode 9 is replaced with, for example, an Ir / Pt / Au film instead of a laminated film structure of an aluminum film 92 and an aluminum alloy film 94 mainly composed of aluminum or an aluminum alloy film having a different specific resistance. May be used. The video signal wiring lead terminal 8a and the scanning signal wiring lead terminal 9a are provided only on one end side of each corresponding wiring, but may be provided on both end sides of the back substrate 1.

また、参照符号10はMIM型の電子源であり、この電子源10は走査信号配線9と映像信号配線8との各交差部近傍で、映像信号配線8の前記トンネル絶縁層に設けられている。この電子源10は走査信号配線9と接続電極11よりそれぞれ電気的に接続されている。また、映像信号配線8と走査信号電極9との間には層間絶縁膜14が配置されている。この層間絶縁膜14としては、例えばシリコン酸化膜,シリコン窒化膜またはシリコン等を用いることができる。   Reference numeral 10 denotes an MIM type electron source. The electron source 10 is provided in the tunnel insulating layer of the video signal wiring 8 in the vicinity of each intersection of the scanning signal wiring 9 and the video signal wiring 8. . The electron source 10 is electrically connected to the scanning signal wiring 9 and the connection electrode 11. An interlayer insulating film 14 is disposed between the video signal wiring 8 and the scanning signal electrode 9. As the interlayer insulating film 14, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or silicon can be used.

また、参照符号12はスペーサであり、このスペーサ12は、例えばセラミックス材等の絶縁材料からなり、抵抗値の偏在が少なく、且つ長方形の薄板形状に整形された絶縁性基体121とこの絶縁性基体121の表面を覆い、且つ抵抗値の偏在の少ない被膜層122とから構成されている。このスペーサ12は108Ω・cm〜109Ω・cm程度の抵抗値を有し、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。 Reference numeral 12 denotes a spacer. The spacer 12 is made of an insulating material such as a ceramic material, has an unevenly distributed resistance value, and is formed into a rectangular thin plate shape and the insulating substrate. It is composed of a coating layer 122 that covers the surface of 121 and has less uneven distribution of resistance. The spacer 12 has a resistance value of about 10 8 Ω · cm to 10 9 Ω · cm, and has a configuration in which the resistance value is unevenly distributed as a whole.

このスペーサ12は枠体3と略平行で走査信号配線9上に1本おきに直立配置され、接着部材13により背面基板1と前面基板とに接着固定されている。このスペーサ12は基板との接着固定は一端側のみでも良く、さらに、その配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。   The spacers 12 are substantially parallel to the frame 3 and are arranged upright every other on the scanning signal wiring 9, and are bonded and fixed to the back substrate 1 and the front substrate by an adhesive member 13. The spacer 12 may be bonded and fixed to the substrate only at one end side. Further, the spacer 12 is usually disposed at a position that does not hinder the operation of each pixel.

このスペーサ12の寸法は、基板寸法、枠体3の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には、高さは枠体3と略同一寸法、厚さは数十μm〜数mm以下、長さは約20mm乃至1000mm程度、さらにはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは約80mm乃至300mm程度が実用的な値となる。   The dimensions of the spacer 12 are set according to the substrate dimensions, the height of the frame 3, the substrate material, the spacer spacing, the spacer material, etc. In general, the height is substantially the same as the frame 3, The thickness can be several tens of μm to several mm or less, the length can be about 20 mm to 1000 mm, and even longer, but about 80 mm to 300 mm is a practical value.

一方、このスペーサ12の一端側が固定された前面基板2の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層15が遮光用のBM(ブラックマトリクス)膜16で区画された窓部に配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック(陽極電極)17が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。   On the other hand, on the inner surface of the front substrate 2 to which one end side of the spacer 12 is fixed, a phosphor layer 15 for red, green, and blue is arranged in a window section partitioned by a BM (black matrix) film 16 for light shielding. A metal back (anode electrode) 17 made of a metal thin film is provided by, for example, a vapor deposition method so as to cover them to form a phosphor screen.

このメタルバック17は、前面基板2と反対側、つまり背面基板1側への発光を前面基板2側に向けて反射させ、発光の取り出し効率を上げるための光反射膜であるとともに、蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。また、このメタルバック17は面電極として示してあるが、走査信号配線9と交差して画素列毎に分割されたストライプ状電極とすることもできる。   The metal back 17 is a light reflecting film for reflecting the light emitted to the side opposite to the front substrate 2, that is, the back substrate 1 toward the front substrate 2 and increasing the light extraction efficiency. It also has a function to prevent the charging of the surface. In addition, although the metal back 17 is shown as a surface electrode, it may be a stripe electrode that intersects the scanning signal wiring 9 and is divided for each pixel column.

蛍光体としては、例えば赤色用としてY23S:Eu(P22−R)を、また、緑色としてZnS:Cu,Al(P22−G)を、さらに、青色としてZnS:Ag,Cl(P22−B)をそれぞれ用いることができる。蛍光体層15は蛍光体粒子の平均粒径は例えば約4μm〜9μm、膜厚は例えば約10μm〜20μm程度となっている。 For example, Y 2 O 3 S: Eu (P22-R) is used for red, ZnS: Cu, Al (P22-G) is used for green, and ZnS: Ag, Cl (P22 is used for blue. -B) can be used respectively. The phosphor layer 15 has an average particle size of phosphor particles of, for example, about 4 μm to 9 μm and a film thickness of, for example, about 10 μm to 20 μm.

この蛍光面の構成により、電子源10から放射される電子を加速し、対応する画素を構成する蛍光体層15に射突させる。これによって、蛍光体層15が所定の色光で発光し、他の画素の蛍光体の発光色と混合されて所定の色のカラー画素を構成する。また、陽極電極17は面電極として示してあるが、走査信号配線9と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。 Due to the configuration of the phosphor screen, the electrons emitted from the electron source 10 are accelerated and projected onto the phosphor layer 15 constituting the corresponding pixel. As a result, the phosphor layer 15 emits light of a predetermined color and is mixed with the light emission colors of the phosphors of other pixels to form a color pixel of a predetermined color. Further, although the anode electrode 17 is shown as a surface electrode, it can also be a stripe electrode that intersects the scanning signal wiring 9 and is divided for each pixel column.

この実施例1の構成によれば、映像信号配線引出端子8aは、第1の映像信号配線引出端子811と、第2の映像信号配線引出端子812との2層構造により構成したことにより、第1の映像信号配線引出端子811の断線発生部分を電気的に結合させることができるので、第1の映像信号配線引出端子811に断線不良が生じた場合に映像信号配線引出端子8aの回復が可能となる。また、第1の映像信号配線引出端子811の複数箇所に亘って断線が生じた場合にもその断線不良を回復させ、救済することが可能となる。したがって、画像表示パネルの線欠陥を低減させることができる。   According to the configuration of the first embodiment, the video signal wiring lead terminal 8a has a two-layer structure of the first video signal wiring lead terminal 811 and the second video signal wiring lead terminal 812. Since the disconnection occurrence portion of one video signal wiring lead terminal 811 can be electrically coupled, the video signal wiring lead terminal 8a can be recovered when a disconnection failure occurs in the first video signal wiring lead terminal 811. It becomes. Further, even when a disconnection occurs over a plurality of locations of the first video signal wiring lead terminal 811, the disconnection failure can be recovered and repaired. Therefore, line defects in the image display panel can be reduced.

次に、本発明の画像表示装置に係わる映像信号配線,走査信号配線及び電子源等の製造工程について図7乃至図18を参照して説明する。   Next, the manufacturing process of the video signal wiring, the scanning signal wiring, the electron source and the like related to the image display device of the present invention will be described with reference to FIGS.

図7乃至図18において、各図(a)は模式平面図、各図(b)は各図(a)のC−C線に沿う模式断面図、各図(c)は各図(a)のD−D線に沿う模式断面図であり、前述した図と同一部分には同一記号を付してある。この電子源はMIM電子源である。   7 to 18, each figure (a) is a schematic plan view, each figure (b) is a schematic sectional view taken along the line CC of each figure (a), and each figure (c) is each figure (a). FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along the line D-D of FIG. This electron source is a MIM electron source.

先ず、図7に示すように背面基板1を構成するガラス等の絶縁性基板上の図示しない映像信号配線引出端子形成部位に前記映像信号配線引出端子8aを形成するための例えばアルミニウム膜をスパッタリング方法により約800nmの厚さに成膜する。その後、パターニング工程及びエッチング工程により下層膜となる略ストライプ形状の第1の映像信号配線引出端子811を所定間隔で形成した。   First, as shown in FIG. 7, for example, an aluminum film for forming the video signal wiring lead terminal 8a on a not-shown video signal wiring lead terminal forming portion on an insulating substrate such as glass constituting the back substrate 1 is sputtered. To a thickness of about 800 nm. Thereafter, first video signal wiring lead terminals 811 having a substantially striped shape as lower layers were formed at predetermined intervals by the patterning process and the etching process.

次に、この第1の映像信号配線引出端子811を形成した絶縁性基板上の略全面に映像信号配線8及び映像信号配線引出端子8aの上層膜となる第2の映像信号配線引出端子812を形成するための金属膜を成膜する。この映像信号配線8及び第2の映像信号配線引出端子812の材料としてはアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金を用いた。このAlを用いるのは陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できる特性を利用できることが一つの要因である。ここでは、ネオジム(Nd)を2原子量%ドープしたAl−Nd合金を用いた。成膜には、スパッタリング方法を用い、膜厚は約600nmとした。   Next, a second video signal wiring lead terminal 812 which is an upper layer film of the video signal wiring 8 and the video signal wiring lead terminal 8a is formed on substantially the entire surface of the insulating substrate on which the first video signal wiring lead terminal 811 is formed. A metal film for forming is formed. As the material of the video signal wiring 8 and the second video signal wiring lead terminal 812, an aluminum alloy mainly composed of aluminum was used. One of the reasons for using this Al is that it is possible to use the characteristic that a high-quality insulating film can be formed by anodic oxidation. Here, an Al—Nd alloy doped with 2 atomic% of neodymium (Nd) was used. For film formation, a sputtering method was used, and the film thickness was about 600 nm.

次に、金属膜成膜後、図8に示すようにパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の映像信号配線8及び映像信号配線引出端子8aの上層膜となる第2の映像信号配線引出端子812を形成した。これによって背面基板1上の図示しない映像信号配線引出端子形成部位には、下層膜となる第1の映像信号配線引出端子811に上層膜となる第2の映像信号配線引出端子812が積層配置された2層構造の映像信号配線引出端子8aが形成される。   Next, after the metal film is formed, a second video signal wiring lead terminal 812 which is an upper layer film of the stripe-shaped video signal wiring 8 and video signal wiring lead terminal 8a is formed by a patterning process and an etching process as shown in FIG. Formed. As a result, in the video signal wiring lead terminal forming portion (not shown) on the rear substrate 1, the second video signal wiring lead terminal 812 serving as the upper film is laminated on the first video signal wiring lead terminal 811 serving as the lower film. A two-layer video signal wiring lead terminal 8a is formed.

また、この映像信号配線8及び映像信号配線引出端子8aの配線幅は、画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度は、略約100μm〜200μm程度とする。エッチングは、例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチング法を用いる。この配線は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光法または印刷法などで行うこともできる。   Further, the wiring width of the video signal wiring 8 and the video signal wiring lead-out terminal 8a varies depending on the size and resolution of the image display device, but the pitch of the subpixel is about 100 μm to 200 μm. For the etching, for example, a wet etching method using a mixed aqueous solution of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid is used. Since this wiring has a simple and wide stripe structure, the resist can be patterned by an inexpensive proximity exposure method or a printing method.

次に、図9に示すように映像信号配線8の表面に電子放出部を制限し、映像信号配線8のエッジヘの電界集中を防止するフィールド絶縁膜81とトンネル絶縁層82とをそれぞれ形成する。これは、先ず図9に示した映像信号配線8上の膜幅の略中央部で将来電子放出部となる部分に相当する部位をレジスト膜でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁膜となるフィールド絶縁膜81を形成する。   Next, as shown in FIG. 9, a field insulating film 81 and a tunnel insulating layer 82 are formed on the surface of the video signal wiring 8 to restrict the electron emission portion and prevent electric field concentration on the edge of the video signal wiring 8. First, a portion corresponding to a portion that will become an electron emitting portion in the future is masked with a resist film at a substantially central portion of the film width on the video signal wiring 8 shown in FIG. 9, and the other portions are selectively anodized thickly. Thus, a field insulating film 81 to be a protective insulating film is formed.

この作業では、化成電圧を約200Vとすれば、厚さ約270nmのフィールド絶縁膜81が形成される。その後、レジスト膜を除去して残りの映像信号配線8の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を6Vとすれば、映像信号配線8上に厚さ約10nmのトンネル絶縁層82が形成される。   In this operation, when the formation voltage is about 200 V, a field insulating film 81 having a thickness of about 270 nm is formed. Thereafter, the resist film is removed and the surface of the remaining video signal wiring 8 is anodized. For example, when the formation voltage is 6 V, a tunnel insulating layer 82 having a thickness of about 10 nm is formed on the video signal wiring 8.

次に、図10に示すように層間絶縁膜14と、その上部に第2の絶縁膜24とをスパッタリング法によりそれぞれ成膜する。この成膜はCVDを利用することも可能である。層間絶縁膜14としては、第2の絶縁膜24にSiを用いる場合は、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜など第2の絶縁膜24とはエッチングレートの異なる材料を用いる。   Next, as shown in FIG. 10, an interlayer insulating film 14 and a second insulating film 24 are formed thereon by sputtering. This film formation can also use CVD. As the interlayer insulating film 14, when Si is used for the second insulating film 24, a material having a different etching rate from the second insulating film 24, such as a silicon oxide or a silicon nitride film, is used.

これは後述するように第2の絶縁膜24をドライエッチで加工しアンダーカット部を形成する際に層間絶縁膜14のエッチング量がこの第2の絶縁膜24に比べて少なくなるようにエッチング選択性を確保できる材料とするためである。ここでは、層間絶縁膜14をArとN2との雰囲気中で反応性スパッタにより成膜したシリコン窒化膜SiNを用い膜厚は約200nmとした。この層間絶縁膜14は、陽極酸化で形成するフィールド絶縁膜81にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、映像信号配線8と走査信号配線との間の絶縁を保つ役割を果たす。 As will be described later, when the second insulating film 24 is processed by dry etching to form an undercut portion, the etching selection is performed so that the etching amount of the interlayer insulating film 14 is smaller than that of the second insulating film 24. This is to make the material secureable. Here, a silicon nitride film SiN in which the interlayer insulating film 14 is formed by reactive sputtering in an atmosphere of Ar and N 2 is used, and the film thickness is about 200 nm. When the field insulating film 81 formed by anodic oxidation has a pinhole, the interlayer insulating film 14 fills in the defect and plays a role of maintaining insulation between the video signal wiring 8 and the scanning signal wiring.

一方、第2の絶縁膜24のSiは、BやP等をドープしたSiターゲットを用い、Ar雰囲気中でスパッタリングにより成膜した。膜厚は約200nmとした。スパッタリング法で形成したドープSiはドープ材が活性化されていないため、略真性半導体の場合と同様に非常に高抵抗の半絶縁材料として用いることが可能である。層間絶縁膜14に酸化Siや窒化Siを用いた場合は、SiNを用いた揚合よりさらにエッチング速度が低下するため、第2の絶縁膜24との間に高い選択性を得ることができる。   On the other hand, Si of the second insulating film 24 was formed by sputtering in an Ar atmosphere using a Si target doped with B, P, or the like. The film thickness was about 200 nm. Doped Si formed by sputtering is not activated, and can be used as a very high resistance semi-insulating material as in the case of a substantially intrinsic semiconductor. When Si oxide or Si nitride is used for the interlayer insulating film 14, the etching rate is further reduced as compared with the coupling using SiN, so that high selectivity with the second insulating film 24 can be obtained.

次に、図11に示すように走査信号配線9を形成するアルミニウム膜91を第2の絶縁膜24の全面を覆うようにスパッタリング法により成膜した。膜厚は約4.5μmとした。続いて、図12に示すようにアルミニウム膜91をフォトエッチング工程により加工し、トンネル絶縁層82から所定距離離間し隣接する同色のトンネル絶縁層82(図示せず)との間の位置で映像信号配線8とは直交する方向に延在するストライプ状の走査信号配線9の下層膜92を形成する。この下層膜92は延在方向に直交する断面は略矩形状である。この加工でのエッチングは、例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエツチング法を用いる。   Next, as shown in FIG. 11, an aluminum film 91 for forming the scanning signal wiring 9 was formed by sputtering so as to cover the entire surface of the second insulating film 24. The film thickness was about 4.5 μm. Subsequently, as shown in FIG. 12, the aluminum film 91 is processed by a photoetching process, and a video signal is formed at a position between the adjacent tunnel insulating layer 82 (not shown) of the same color and spaced apart from the tunnel insulating layer 82 by a predetermined distance. A lower layer film 92 of a stripe-shaped scanning signal wiring 9 extending in a direction orthogonal to the wiring 8 is formed. The lower layer film 92 has a substantially rectangular cross section perpendicular to the extending direction. Etching in this processing uses, for example, a wet etching method with a mixed aqueous solution of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid.

この下層膜92をアルミニウムで構成することは、低抵抗を呈することと、エッチング液の燐酸、酢酸、硝酸の比率を調整することにより、具体的には硝酸の比率を高めることにより、レジスト端面の接着性を低下させることで加工が容易であり、走査信号配線材料として好ましいものである。   Constructing this lower layer film 92 with aluminum exhibits low resistance, and by adjusting the ratio of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid in the etching solution, specifically, by increasing the ratio of nitric acid, By reducing the adhesiveness, processing is easy, and it is preferable as a scanning signal wiring material.

次に、図13に示すように層間絶縁膜14及び第2の絶縁膜24にフィールド絶縁膜81表面に達する開口を穿設する。これは、平面が略矩形状で深さ方向が略擂鉢状を呈する開口14a、24aを略同心で穿設する。この穿設はフォトリソグラフィ法によりで可能である。この開口位置は、映像信号配線8の線幅内で、下層膜92の一方の側壁92aとトンネル絶縁層82との間とし、開口はそれぞれ側壁にテーパーを備え、積層状態で連続したテーパーを持つ実質的に一つの開口として扱われる構成となっている。しかも、テーパー及び膜境界部分の形状は、上部に積層する金属膜が当該部分で段切れを発生させ難い構成となっている。   Next, as shown in FIG. 13, an opening reaching the surface of the field insulating film 81 is formed in the interlayer insulating film 14 and the second insulating film 24. In this, the openings 14a and 24a having a substantially rectangular plane and a substantially bowl shape in the depth direction are formed substantially concentrically. This drilling can be performed by photolithography. This opening position is within the line width of the video signal wiring 8 and between the one side wall 92a of the lower layer film 92 and the tunnel insulating layer 82. Each opening has a taper on the side wall and has a continuous taper in the laminated state. It is configured to be handled as a single opening substantially. In addition, the shape of the taper and the film boundary part is such that the metal film laminated on the upper part is less likely to cause step breakage in the part.

続いて、図14に示すように下層膜92及び開口等の上面の全面にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜93を成膜する。このアルミニウム合金膜93は前述したネオジム(Nd)を2原子量%ドープしたアルミニウム−ネオジム膜とし、スパッタリング法で成膜した。   Subsequently, as shown in FIG. 14, an aluminum alloy film 93 mainly composed of aluminum is formed on the entire upper surface such as the lower layer film 92 and the opening. The aluminum alloy film 93 is an aluminum-neodymium film doped with 2 atomic% of neodymium (Nd) described above, and is formed by sputtering.

成膜後、図15に示すようにフォトエッチング工程により加工し、下層膜92の上面92bから一方の側壁92aを通り開口14a、開口24aの一部に亘って連続して走査信号配線9の上層膜94を積層配置した。   After the film formation, it is processed by a photoetching process as shown in FIG. 15, and the upper layer of the scanning signal wiring 9 is continuously extended from the upper surface 92b of the lower layer film 92 through one side wall 92a to a part of the opening 14a and the opening 24a. A film 94 was laminated.

一方、下層膜92の他方の側壁92c側は、前述した素子分離を考慮して上面の一部から側壁にかけて上層膜94が残存しない構成としている。したがって、第2の絶縁膜24は側壁92cの外側部分から隣接する走査信号配線(図示せず)側に延在した中間部24bも露呈されている。このアルミニウム合金膜からなる上層膜94と、アルミニウム膜からなる下層膜92との積層膜により走査信号配線9が構成される。   On the other hand, the other side wall 92c side of the lower layer film 92 is configured such that the upper layer film 94 does not remain from a part of the upper surface to the side wall in consideration of the element isolation described above. Therefore, the second insulating film 24 also exposes the intermediate portion 24b extending from the outer portion of the side wall 92c to the adjacent scanning signal wiring (not shown) side. The scanning signal wiring 9 is constituted by a laminated film of the upper layer film 94 made of the aluminum alloy film and the lower layer film 92 made of the aluminum film.

一方、アルミニウム合金膜の積層膜構造で走査信号配線9を形成する際は、下層膜92を構成するアルミニウム合金膜の比抵抗を上層膜94を構成するアルミニウム合金膜の比抵抗より小さいものとして形成する。   On the other hand, when forming the scanning signal wiring 9 with the laminated structure of the aluminum alloy film, the specific resistance of the aluminum alloy film constituting the lower layer film 92 is made smaller than the specific resistance of the aluminum alloy film constituting the upper layer film 94. To do.

次に、第2の絶縁膜24のSiの選択ドライエッチングを行う。このSiの選択ドライエッチングは、CF4とO2との混合ガスまたはSF6とO2との混合ガスにより行う。これらのガスはSiとSiNとをともにエッチングするが、O2の比率を最適化することにより、Siのエッチング選択比を高めることができる。 Next, selective dry etching of Si of the second insulating film 24 is performed. This selective dry etching of Si is performed using a mixed gas of CF 4 and O 2 or a mixed gas of SF 6 and O 2 . These gases etch both Si and SiN. However, by optimizing the ratio of O 2 , the Si etching selectivity can be increased.

このドライエッチング法により、図16に示すようにSiNからなる層間絶縁膜14上に配置されているSiからなる第2の絶縁膜24の一部を選択的に除去する。このSiの選択ドライエッチングにより、中間部24bを含めて露呈部分が除去される。さらに、これに加えて中間部24bの下層膜92の下側に続く一部がサイドエッチにより除去され、下層膜92が庇状を呈してこの部分がアンダーカット部25となる。   By this dry etching method, as shown in FIG. 16, a part of the second insulating film 24 made of Si disposed on the interlayer insulating film 14 made of SiN is selectively removed. By this selective dry etching of Si, the exposed portion including the intermediate portion 24b is removed. Further, in addition to this, a part of the intermediate portion 24b following the lower layer film 92 is removed by side etching, and the lower layer film 92 has a bowl shape, and this portion becomes the undercut portion 25.

次に、図17に示すように層間絶縁膜14を加工し、トンネル絶縁層82上の層間絶縁膜14を除去してトンネル絶縁層82を露呈する。エッチングは、例えばCF4またはSF6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる。 Next, as shown in FIG. 17, the interlayer insulating film 14 is processed, the interlayer insulating film 14 on the tunnel insulating layer 82 is removed, and the tunnel insulating layer 82 is exposed. Etching can be performed by dry etching using, for example, an etchant mainly composed of CF 4 or SF 6 .

次に、図18に示すように上部電極26の成膜を行う。この成膜法は、例えばスパッタリング法を用いる。上部電極26としては、例えばIr/Pt/Auの積層膜を用い、膜厚は例えば約3nmとした。この上部電極26は、トンネル絶縁層82からフィールド絶縁膜81、上層膜94を連続して覆う形状に成膜され、図示しない隣接する走査信号配線とは前記アンダーカット部25で隔絶する構成となっている。以上の工程で背面基板1上の走査信号配線9、映像信号配線8、電子源10及び上部電極26をそれぞれ形成する。   Next, the upper electrode 26 is formed as shown in FIG. As this film formation method, for example, a sputtering method is used. As the upper electrode 26, for example, a laminated film of Ir / Pt / Au is used, and the film thickness is, for example, about 3 nm. The upper electrode 26 is formed so as to continuously cover the field insulating film 81 and the upper layer film 94 from the tunnel insulating layer 82, and is separated from the adjacent scanning signal wiring (not shown) by the undercut portion 25. ing. Through the above steps, the scanning signal wiring 9, the video signal wiring 8, the electron source 10, and the upper electrode 26 on the back substrate 1 are formed.

この実施例では、走査信号配線は、前記電子源と導通する側のエッジと非導通側となるエッジとの形状が異なり、厚さ方向の断面形状が線の中心軸の左右で非対称形状となっている。導通側のエッジは走査信号配線がテーパー形状を呈し,反対側の非導通側エッジでは第2の絶縁膜がサイドエッチングで凹み、走査信号配線が庇状を呈する形状となっている。このエッジ形状の差により、導通側エッジでは上部電極が走査信号配線から電子源まで連続して形成されるのに対し、非導通側エッジ部分では上部電極がアンダーカット部分で分断され、隣接する電子源と非導通とする素子分離の構成となっている。   In this embodiment, the scanning signal wiring is different in shape between the edge on the conductive side and the edge on the non-conductive side, and the cross-sectional shape in the thickness direction is asymmetrical on the left and right of the central axis of the line. ing. The scanning signal wiring has a tapered shape at the conductive edge, and the second insulating film is recessed by side etching at the opposite non-conductive edge, and the scanning signal wiring has a hook shape. Due to the difference in edge shape, the upper electrode is continuously formed from the scanning signal wiring to the electron source at the conduction side edge, whereas the upper electrode is divided at the undercut portion at the non-conduction side edge part, and adjacent electrons The element is separated from the source.

このような製造工程によれば、映像信号配線8の加工前に下層膜としての第1の映像信号配線引出端子811を形成し、その後、映像信号配線8及び第2の映像信号配線引出端子812を形成して2層膜構造の映像信号配線引出端子8aを形成することにより、下層膜の第1の映像信号配線引出端子811に断線Sが生じても上層膜の第2の映像信号配線引出端子812により電気的に結合されることになる。したがって、映像信号配線引出端子8aの断線を未然に防ぐことができる。   According to such a manufacturing process, the first video signal wiring lead terminal 811 as the lower layer film is formed before the processing of the video signal wiring 8, and then the video signal wiring 8 and the second video signal wiring lead terminal 812 are formed. By forming the video signal wiring lead terminal 8a having a two-layer film structure, even if the disconnection S occurs in the first video signal wiring lead terminal 811 of the lower layer film, the second video signal wiring lead of the upper layer film is formed. It is electrically coupled by the terminal 812. Therefore, disconnection of the video signal wiring lead terminal 8a can be prevented beforehand.

なお、前述した映像信号配線引出端子8aの形成方法では、映像信号配線8の加工前に予め下層膜としての第1の映像信号配線引出端子811を形成し、映像信号配線8の加工時に第2の映像信号配線引出端子812を同時に形成する場合について説明したが、他の形成方法としては、映像信号配線8及び第1の映像信号配線引出端子811を同一工程にて加工した後、走査信号配線9及び走査信号配線引出端子9aの形成工程において、第2の映像信号配線引出端子812を同時に形成することにより、2層構造からなる映像信号配線引出端子8aを形成することができる。   In the above-described method of forming the video signal wiring lead terminal 8a, the first video signal wiring lead terminal 811 as a lower layer film is formed in advance before the processing of the video signal wiring 8, and the second time when the video signal wiring 8 is processed. The video signal wiring lead terminal 812 is formed at the same time. However, as another forming method, the video signal wiring 8 and the first video signal wiring lead terminal 811 are processed in the same process, and then the scanning signal wiring is formed. 9 and the scanning signal wiring lead terminal 9a, the second video signal wiring lead terminal 812 is formed at the same time, whereby the video signal wiring lead terminal 8a having a two-layer structure can be formed.

このような製造工程によれば、走査信号配線9及び走査信号配線引出端子9aの加工と同時に第2の映像信号配線引出端子812を加工して2層膜構造の映像信号配線引出端子8a形成することにより、映像信号配線8,第1の映像信号配線引出端子811及び走査信号配線9,走査信号配線引出端子9aの加工時に生じた断線Sを修復し、回復することができる。   According to such a manufacturing process, the second video signal wiring lead terminal 812 is processed simultaneously with the processing of the scanning signal wiring 9 and the scanning signal wiring lead terminal 9a to form the video signal wiring lead terminal 8a having a two-layer film structure. As a result, the disconnection S generated during processing of the video signal wiring 8, the first video signal wiring lead terminal 811, the scanning signal wiring 9, and the scanning signal wiring lead terminal 9a can be repaired and recovered.

なお、上記実施例では、電子源にMIM型を用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型FPDに対しても同様に適用できるものである。   In the above embodiment, the structure using the MIM type as the electron source is taken as an example, but the present invention is not limited to this, and the self-luminous FPD using the various electron sources described above is not limited thereto. Can be applied similarly.

また、上記実施例では、アルミニウム合金としてネオジムを例示したが、これに限定されるものではなく、合金用金属としては必要によりその他種々のものが用いられる。   Moreover, in the said Example, although neodymium was illustrated as an aluminum alloy, it is not limited to this, A various other thing is used if necessary as a metal for alloys.

図19は、本発明の構成を適用した画像表示装置の等価回路例の説明図である。図19中に破線で示した領域は表示領域6であり、この表示領域6にn本の映像信号配線8とm本の走査信号配線9とが互いに交差して配置されてn×mのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の3つの単位画素(あるいは、副画素)"R","G","B"の1グループでカラー1画素を構成する。なお、電子源の構成は図示を省いた。映像信号配線(カソード配線)8は、映像信号配線引出端子8aで映像信号駆動回路DDRに接続され、走査信号配線(ゲート配線)9は走査信号配線引出端子9aで走査信号駆動回路SDRに接続されている。映像信号駆動回路DDRには外部信号源から映像信号NSが入力され、走査信号駆動回路SDRには同様に走査信号SSが入力される。   FIG. 19 is an explanatory diagram of an example of an equivalent circuit of an image display device to which the configuration of the present invention is applied. In FIG. 19, an area indicated by a broken line is a display area 6, and n video signal wirings 8 and m scanning signal wirings 9 are arranged in the display area 6 so as to cross each other, and an n × m matrix. Is formed. Each intersection of the matrix constitutes a sub-pixel, and one group of three unit pixels (or sub-pixels) “R”, “G”, and “B” in the figure constitutes one color pixel. The configuration of the electron source is not shown. The video signal wiring (cathode wiring) 8 is connected to the video signal driving circuit DDR at the video signal wiring lead terminal 8a, and the scanning signal wiring (gate wiring) 9 is connected to the scanning signal driving circuit SDR at the scanning signal wiring lead terminal 9a. ing. The video signal NS is input from the external signal source to the video signal driving circuit DDR, and the scanning signal SS is similarly input to the scanning signal driving circuit SDR.

これにより、順次選択される走査信号配線9に交差する映像信号配線8に映像信号NSを供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の表示パネルを用いることにより、比較的低電圧で高効率の画像表示装置が実現される。   Thus, a two-dimensional full-color image can be displayed by supplying the video signal NS to the video signal wiring 8 that intersects the scanning signal wiring 9 that is sequentially selected. By using the display panel of this configuration example, an image display apparatus with a relatively low voltage and high efficiency is realized.

本発明の画像表示装置の一実施例を説明するための図であり、図1(a)は前面基板側から見た平面図、図1(b)は図1(a)のA方向から見た側面図である。1A and 1B are diagrams for explaining an embodiment of an image display device of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view seen from the front substrate side, and FIG. 1B is a view seen from direction A in FIG. FIG. 図1の前面基板を取り去って示す背面基板の模式平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a back substrate shown by removing the front substrate of FIG. 1. 図2のB−B線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a back substrate taken along line B-B in FIG. 2 and a schematic cross-sectional view of a front substrate corresponding to the back substrate. 図2のC−C線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a back substrate along the line CC in FIG. 2 and a schematic cross-sectional view of a front substrate corresponding to the back substrate. 図2のD−D線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a back substrate along a line DD in FIG. 2 and a schematic cross-sectional view of a front substrate corresponding to the back substrate. 図5に示す背面基板の映像信号配線端子部分の構成を示す要部模式平面図である。It is a principal part schematic top view which shows the structure of the video signal wiring terminal part of the back substrate shown in FIG. 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図7(a)は平面図、図7(b)は図7(a)のC−C線に沿う断面図、図7(c)は図7(a)のD−D線に沿う断面図である。7A and 7B are schematic views for explaining a manufacturing process of the image display device according to the present invention, in which FIG. 7A is a plan view, FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.7 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図8(a)は平面図、図8(b)は図8(a)のC−C線に沿う断面図、図8(c)は図8(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 8A and 8B are schematic views for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, FIG. 8A is a plan view, FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.8 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図9(a)は平面図、図9(b)は図9(a)のC−C線に沿う断面図、図9(c)は図9(a)のD−D線に沿う断面図である。9A and 9B are schematic views for explaining a manufacturing process of the image display device according to the present invention, in which FIG. 9A is a plan view, FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.9 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図10(a)は平面図、図10(b)は図10(a)のC−C線に沿う断面図、図10(c)は図10(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 10A and 10B are schematic views for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, in which FIG. 10A is a plan view, FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. FIG. 10C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図11(a)は平面図、図11(b)は図11(a)のC−C線に沿う断面図、図11(c)は図11(a)のD−D線に沿う断面図である。11A and 11B are schematic views for explaining a manufacturing process of the image display device according to the present invention, in which FIG. 11A is a plan view, FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.11 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図12(a)は平面図、図12(b)は図12(a)のC−C線に沿う断面図、図12(c)は図12(a)のD−D線に沿う断面図である。12A and 12B are schematic views for explaining a manufacturing process of the image display device according to the present invention, in which FIG. 12A is a plan view, FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. FIG. 12C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図13(a)は平面図、図13(b)は図13(a)のC−C線に沿う断面図、図13(c)は図13(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 13A and 13B are schematic views for explaining a manufacturing process of the image display device according to the present invention, FIG. 13A is a plan view, FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. FIG. 13C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図14(a)は平面図、図14(b)は図14(a)のC−C線に沿う断面図、図14(c)は図14(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 14A and 14B are schematic views for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, in which FIG. 14A is a plan view, FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.14 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図15(a)は平面図、図15(b)は図15(a)のC−C線に沿う断面図、図15(c)は図15(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 15A and 15B are schematic views for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, in which FIG. 15A is a plan view, FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.15 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図16(a)は平面図、図16(b)は図16(a)のC−C線に沿う断面図、図16(c)は図16(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 16A and 16B are schematic views for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, FIG. 16A is a plan view, FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. (c) is sectional drawing which follows the DD line | wire of Fig.16 (a). 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図17(a)は平面図、図17(b)は図17(a)のC−C線に沿う断面図、図17(c)は図17(a)のD−D線に沿う断面図である。FIGS. 17A and 17B are schematic views for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, FIG. 17A is a plan view, FIG. 17B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. FIG. 17C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 本発明による画像表示装置の製造工程を説明する模式図であり、図18(a)は平面図、図18(b)は図18(a)のC−C線に沿う断面図、図18(c)は図18(a)のD−D線に沿う断面図である。FIG. 18A is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of an image display device according to the present invention, FIG. 18A is a plan view, FIG. 18B is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. FIG. 18C is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 本発明の構成を適用した画像表示装置の等価回路例の説明図である。It is explanatory drawing of the equivalent circuit example of the image display apparatus to which the structure of this invention is applied. 背面基板の映像信号配線端子部分に生じた断線構造を示す要部模式平面図である。It is a principal part schematic top view which shows the disconnection structure which arose in the video signal wiring terminal part of the back substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・背面基板、2・・・前面基板、3・・・枠体、4・・・排気管、5・・・封着部材、51・・・封止領域、6・・・表示領域、7・・・貫通孔、8・・・画像信号電極、8a・・・画像信号電極引出端子、811・・・第1の映像信号電極引出端子、812・・・第2の映像信号電極引出端子、82・・・内部電極部、83・・・封止電極部、9・・・走査信号電極、9a・・・走査信号電極引出端子、92・・・内部電極部、93・・・封止電極部、10・・・電子源、11・・・接続電極、12・・・間隔保持部材、13・・・接着部材、14・・・層間絶縁膜、15・・・蛍光体層、16・・・BM膜、17・・・メタルバック(陽極電極)、S・・・断線、TAO・・・トンネル絶縁膜。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Back substrate, 2 ... Front substrate, 3 ... Frame body, 4 ... Exhaust pipe, 5 ... Sealing member, 51 ... Sealing area, 6 ... Display area 7 through hole 8 image signal electrode 8a image signal electrode lead terminal 811 first video signal electrode lead terminal 812 second video signal electrode lead Terminals 82... Internal electrode portions 83... Sealing electrode portions 9... Scanning signal electrodes 9 a... Scanning signal electrode lead terminals 92. Stop electrode part, 10 ... Electron source, 11 ... Connection electrode, 12 ... Spacing member, 13 ... Adhesive member, 14 ... Interlayer insulating film, 15 ... Phosphor layer, 16 BM film, 17 Metal back (anode electrode), S Disconnection, TAO Tunnel insulation film.

Claims (16)

一方向に延在し当該一方向と交差する他方向に並設された複数の映像信号配線と、前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の走査信号配線と、この走査信号配線と前記映像信号配線との間に配置された層間絶縁膜と、前記映像信号配線と前記走査信号配線の交差部近傍に設けられ前記走査信号配線と接続された電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極とを備えた前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板との間の表示領域を周回して介挿され、前記前面基板と前記背面基板との間を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び前記背面基板とを気密封着する封着部材と、
を具備し、
前記映像信号配線の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面基板と前記枠体とが対向する封止領域を通して外側に引き出された映像信号配線引出端子を有し、
前記走査信号配線の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面基板と前記枠体とが対向する封止領域を通して外側に引き出された走査信号配線引出端子を有し、
前記映像信号配線引出端子は、複数の積層膜構造としたことを特徴とする画像表示装置。
A plurality of video signal wires extending in one direction and juxtaposed in the other direction intersecting the one direction, and a plurality of video signal wires extending in the other direction and juxtaposed in the one direction so as to cross the video signal wire Scanning signal wiring, an interlayer insulating film disposed between the scanning signal wiring and the video signal wiring, and provided near the intersection of the video signal wiring and the scanning signal wiring and connected to the scanning signal wiring. A back substrate with an electron source,
A front substrate comprising a phosphor layer provided corresponding to the electron source, and an anode for applying an accelerating voltage so as to direct electrons emitted from the electron source to the phosphor layer;
A frame that is inserted around the display area between the front substrate and the back substrate, and holds a predetermined distance between the front substrate and the back substrate;
A sealing member that hermetically seals the frame, the front substrate, and the back substrate;
Comprising
At least one end of the video signal wiring has a video signal wiring lead terminal drawn out from the display region through a sealing region where the rear substrate and the frame body face each other,
At least one end of the scanning signal wiring has a scanning signal wiring lead terminal that is led out from the display region through a sealing region where the back substrate and the frame face each other,
The image display device, wherein the video signal wiring lead terminal has a plurality of laminated film structures.
前記積層膜構造は、アルミニウム膜とアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜との積層膜としたことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 1, wherein the laminated film structure is a laminated film of an aluminum film and an aluminum alloy film containing aluminum as a main component. 前記積層膜構造は、下層に前記アルミニウム膜を配置し、その上層にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜を積層した2層膜構造としたことを特徴とする請求項2に記載の画像表示装置。   3. The image display device according to claim 2, wherein the laminated film structure is a two-layer film structure in which the aluminum film is disposed in a lower layer and an aluminum alloy film mainly composed of aluminum is laminated on the upper layer. . 前記積層膜構造は、前記アルミニウム膜の膜厚が前記アルミニウム合金膜の膜厚よりも大であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の画像表示装置。   4. The image display device according to claim 2, wherein in the laminated film structure, the film thickness of the aluminum film is larger than the film thickness of the aluminum alloy film. 前記積層膜構造は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム−ネオジム合金膜とイリジウム−白金−金合金膜との積層膜としたことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。   2. The image display device according to claim 1, wherein the laminated film structure is a laminated film of an aluminum-neodymium alloy film mainly composed of aluminum and an iridium-platinum-gold alloy film. 前記電子源は、下部電極と上部電極及び該下部電極と該上部電極との間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と上部電極間に電圧を印加することで前記上部電極より電子を放出する薄膜型電子源アレイであることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の画像表示装置。   The electron source has a lower electrode and an upper electrode, and an electron acceleration layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode, and a voltage is applied between the lower electrode and the upper electrode to 6. The image display device according to claim 1, wherein the image display device is a thin-film electron source array that emits electrons. 前記電子源は、電子放出部を有する導電性膜を備えた電子放出素子であることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 1, wherein the electron source is an electron-emitting device including a conductive film having an electron-emitting portion. 一方向に延在して当該一方向と交差する他方向に並設された複数の映像信号配線と、前記他方向に延在し前記映像信号配線に交差して前記一方向に並設された複数の走査信号配線と、前記走査信号配線と前記映像信号配線との間に配置された層間絶縁膜と、前記映像信号配線と前記走査信号配線との交差部近傍に設けられ前記走査信号配線と接続された電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向させる加速電圧を印加する陽極とを備えた前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板との間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記前面基板と背面基板との間の前記表示領域内に配置された複数の間隔保持部材と、
前記間隔保持部材の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ接着する接着部材と、
前記枠体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材と、
を具備し、
前記映像信号配線の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面基板と前記枠体とが対向する封止領域を通して外側に引き出された映像信号配線引出端子を有し、
前記走査信号配線の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面基板と前記枠体とが対向する封止領域を通して外側に引き出された走査信号配線引出端子を有し、
前記映像信号配線引出端子は、複数の積層膜構造としたことを特徴とする画像表示装置。
A plurality of video signal wirings extending in one direction and juxtaposed in the other direction intersecting the one direction, and extending in the other direction and intersecting the video signal wirings and juxtaposed in the one direction A plurality of scanning signal wirings, an interlayer insulating film disposed between the scanning signal wirings and the video signal wirings, and the scanning signal wirings provided in the vicinity of intersections of the video signal wirings and the scanning signal wirings. A back substrate with a connected electron source;
A front substrate comprising a phosphor layer provided corresponding to the electron source and an anode for applying an acceleration voltage for directing electrons emitted from the electron source to the phosphor layer;
A frame disposed between the front substrate and the rear substrate and holding the two substrates at a predetermined interval;
A plurality of spacing members disposed in the display area between the front substrate and the back substrate;
An adhesive member that bonds the end face of the spacing member to the front substrate and the rear substrate;
A sealing member that hermetically seals the end face of the frame body and the front substrate and the rear substrate in a sealing region;
Comprising
At least one end of the video signal wiring has a video signal wiring lead terminal drawn out from the display region through a sealing region where the rear substrate and the frame body face each other,
At least one end of the scanning signal wiring has a scanning signal wiring lead terminal that is led out from the display region through a sealing region where the back substrate and the frame face each other,
The image display device, wherein the video signal wiring lead terminal has a plurality of laminated film structures.
前記積層膜構造は、アルミニウム膜とアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜との積層膜としたことを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。   9. The image display device according to claim 8, wherein the laminated film structure is a laminated film of an aluminum film and an aluminum alloy film containing aluminum as a main component. 前記積層膜構造は、下層に前記アルミニウム膜を配置し、その上層にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜を積層した2層膜構造としたことを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。   10. The image display device according to claim 9, wherein the laminated film structure is a two-layer film structure in which the aluminum film is disposed in a lower layer and an aluminum alloy film mainly composed of aluminum is laminated on the upper layer. . 前記積層膜構造は、前記アルミニウム膜の膜厚が前記アルミニウム合金膜の膜厚よりも大であることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の画像表示装置。   12. The image display device according to claim 10, wherein the laminated film structure has a film thickness of the aluminum film larger than a film thickness of the aluminum alloy film. 前記積層膜構造は、アルミニウムを主成分とするアルミニウム−ネオジム合金膜とイリジウム−白金−金合金膜との積層膜としたことを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。   9. The image display device according to claim 8, wherein the laminated film structure is a laminated film of an aluminum-neodymium alloy film mainly composed of aluminum and an iridium-platinum-gold alloy film. 前記間隔保持部材は、前記走査信号配線と重畳して当該走査信号配線と同一方向に延在して配置されていることを特徴とする請求項8乃至請求項12の何れかに記載の画像表示装置。   13. The image display according to claim 8, wherein the interval holding member is disposed so as to overlap with the scanning signal wiring and extend in the same direction as the scanning signal wiring. apparatus. 前記電子源は、下部電極と上部電極及び当該下部電極と当該上部電極との間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と上記電極との間に電圧を印加することにより前記上部電極より電子を放出する薄膜型電子源アレイであることを特徴とする請求項8乃至請求項13の何れかに記載の画像表示装置。   The electron source has a lower electrode, an upper electrode, and an electron acceleration layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode, and a voltage is applied between the lower electrode and the electrode to apply the upper electrode 14. The image display device according to claim 8, wherein the image display device is a thin film electron source array that emits electrons from an electrode. 前記電子源は、電子放出部を有する導電性膜を備えた電子放出素子であることを特徴とする請求項8乃至請求項14の何れかに記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 8, wherein the electron source is an electron-emitting device including a conductive film having an electron-emitting portion. 前記電子源は、少なくともカーボンナノチューブからなることを特徴とする請求項8乃至請求項15の何れかに記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 8, wherein the electron source includes at least a carbon nanotube.
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