JP2009011873A - Decontamination method and decontamination apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a decontamination method and a decontamination apparatus each capable of effectively performing the deposition prevention, growth prevention, or removal of contaminants with little thermal energy consumption. <P>SOLUTION: The decontamination method prevents the deposition or growth of a solid compound as a contaminant on the inside wall surface of a passage constituent, such as a reaction tank, a crystallizer, a pipe, a liquid pumping machine, a heat exchanger, or a valve, where a reaction product fluid W transfers, or removes the solid compound deposited on such surface as a contaminant. The prevention of the deposition of a contaminant or the removal of a deposited contaminant is performed by intermittently heating the passage constituent by using a heating means 2 formed on the outside wall of the passage constituent during the transfer of the reaction product fluid W. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、反応生成物流体が存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面への汚れの付着予防もしくは成長予防又は付着した汚れの除去を行う汚れ排除方法及び汚れ排除装置に関する。   The present invention prevents or adheres to the adhesion or growth of dirt on the inner wall surface of the flow path forming part such as a reaction tank, a crystallization tank, piping, a liquid feeding device, a heat exchanger, and a valve in which a reaction product fluid exists. The present invention relates to a dirt removal method and a dirt removal apparatus for removing dirt.

例えば、化学プラント等においては、化学反応によって生じた反応生成物は冷却等により固体化合物を析出させ、この固体化合物が、反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、汚れとして付着してしまうことがある。   For example, in a chemical plant or the like, a reaction product generated by a chemical reaction precipitates a solid compound by cooling or the like, and this solid compound is a reaction tank, a crystallization tank, piping, a liquid feeding device, a heat exchanger, a valve, etc. May adhere to the inner wall surface of the flow path forming portion as dirt.

この汚れを抑制する方法としては、例えば、特許文献1の送液配管内の汚れ抑制方法がある。この汚れ抑制方法においては、溶液の連続移送を行うプラントにおいて、溶液中の溶質の析出に伴う送液配管内の汚れを、送液ポンプの吐出部に濃度が異なる流体を混合させて熱力学的に汚れの発生を抑制している。
また、例えば、特許文献2の配管内異物付着防止装置においては、配管内を通流する排水等の流体に所定の流れを生起させ、この流れにより配管の内壁面への異物の付着を防止し、かつ付着した異物を除去して配管詰まり等を未然に防止している。
As a method for suppressing this contamination, for example, there is a method for suppressing contamination in the liquid supply pipe of Patent Document 1. In this soil suppression method, in a plant that continuously transports a solution, soil in a liquid feeding pipe accompanying precipitation of a solute in the solution is mixed with a fluid having a different concentration at the discharge part of the liquid feeding pump to make a thermodynamic reaction. The occurrence of dirt is suppressed.
Further, for example, in the foreign matter adhesion preventing apparatus in a pipe disclosed in Patent Document 2, a predetermined flow is generated in a fluid such as drainage flowing through the pipe, and this flow prevents foreign matter from adhering to the inner wall surface of the pipe. In addition, the adhering foreign matter is removed to prevent clogging of piping.

しかしながら、上記特許文献1の汚れ抑制方法においては、汚れが付着することを十分に防止する又は付着物を十分に除去することは困難である。一方、特許文献2の配管内異物付着防止装置においては、配管内に回転羽根手段を設ける必要があり、この回転羽根手段に異物が付着してしまうおそれがある。
そのため、簡単な構成により、効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うためには、更なる工夫が必要とされる。
However, in the dirt suppressing method of Patent Document 1, it is difficult to sufficiently prevent the dirt from being attached or to sufficiently remove the attached matter. On the other hand, in the apparatus for preventing foreign matter adhesion in piping disclosed in Patent Document 2, it is necessary to provide rotating blade means in the piping, and foreign matter may adhere to the rotating blade means.
For this reason, in order to effectively prevent adhesion or prevent growth or remove dirt with a simple configuration, further ingenuity is required.

特開2004−230282号公報JP 2004-230282 A 特開2002−58991号公報JP 2002-58991 A

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる汚れ排除方法及び汚れ排除装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a dirt removal method and a dirt removal apparatus that can effectively prevent or prevent the adhesion or growth of dirt with less heat energy. Is.

第1の発明は、反応生成物流体が存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、固体化合物が汚れとして付着もしくは成長することを予防する、又は汚れとして付着した固体化合物を除去する汚れ排除方法であって、
上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面に設けた加熱手段を用いて、上記流路形成部を断続的に加熱することにより、上記汚れの付着の予防又は上記付着した汚れの除去を行うことを特徴とする汚れ排除方法にある(請求項1)。
In the first invention, a solid compound adheres to or grows on the inner wall surface of a flow path forming part such as a reaction tank, a crystallization tank, a pipe, a liquid feeding device, a heat exchanger, and a valve in which a reaction product fluid exists. A method for removing dirt, which prevents or removes solid compounds adhering as dirt,
Using the heating means provided on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming part, the flow path forming part is intermittently heated to prevent the dirt from being adhered or to remove the adhered dirt. (1).

本発明の汚れ排除方法は、加熱手段を用いた簡単な構成により、外部からの熱的操作によって、流路形成部の内壁面への汚れの付着予防もしくは成長予防、又は流路形成部の内壁面に付着した汚れの除去を行うものである。
そして、本発明の汚れ排除方法は、反応生成物流体の移送を行っている最中に実行することができる。そのため、汚れを除去するための時間を別途必要とせず、効果的に、汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
The dirt removal method of the present invention has a simple configuration using a heating means, and prevents the adhesion or growth of dirt on the inner wall surface of the flow path forming portion or the inside of the flow path forming portion by an external thermal operation. It removes dirt adhering to the wall surface.
The dirt removal method of the present invention can be executed while the reaction product fluid is being transferred. For this reason, it is possible to effectively prevent adhesion or growth of the dirt, or remove it without requiring a separate time for removing the dirt.

また、本発明の汚れ排除方法においては、流路形成部の外壁面もしくは内壁面に設けた加熱手段によって、送液中に流路形成部を断続的に加熱することができる。そのため、特に、流路形成部の内壁面に既に付着してしまった汚れに対しては、熱的ショックを与えることができ、この汚れを効果的に除去することができる。
また、断続的な加熱を行うことにより、加熱手段により加熱する際に必要な熱エネルギーが増大することを抑えることができ、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
Moreover, in the dirt removal method of the present invention, the flow path forming portion can be intermittently heated during liquid feeding by the heating means provided on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming portion. Therefore, in particular, a thermal shock can be given to the dirt that has already adhered to the inner wall surface of the flow path forming portion, and this dirt can be effectively removed.
Further, by performing intermittent heating, it is possible to suppress an increase in the thermal energy required when heating by the heating means, and effectively prevent or remove dirt from being attached or prevented from growing with less thermal energy. be able to.

それ故、本発明の汚れ排除方法によれば、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。   Therefore, according to the method for removing dirt according to the present invention, it is possible to effectively prevent or remove dirt from being attached or prevented from growing with less heat energy.

第2の発明は、反応生成物流体が存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、固体化合物が汚れとして付着もしくは成長することを予防する、又は汚れとして付着した固体化合物を除去する汚れ排除装置であって、
上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面に設けた加熱手段を有しており、
上記加熱手段を用いて上記流路形成部を断続的に加熱することにより、上記汚れの付着の予防又は上記付着した汚れの除去を行うよう構成したことを特徴とする汚れ排除装置にある(請求項9)。
In the second invention, a solid compound adheres or grows on the inner wall surface of a flow path forming part such as a reaction tank, a crystallization tank, a pipe, a liquid feeding device, a heat exchanger, and a valve in which a reaction product fluid exists. A soil eliminator that prevents or removes solid compounds adhering as soil,
It has heating means provided on the outer wall surface or inner wall surface of the flow path forming part,
A dirt removing device configured to prevent the adhesion of dirt or remove the attached dirt by intermittently heating the flow path forming portion using the heating means (claim) Item 9).

本発明の汚れ排除装置は、加熱手段を用いた簡単な構成により、外部からの熱的操作によって、流路形成部の内壁面への汚れの付着予防もしくは成長予防、又は流路形成部の内壁面に付着した汚れの除去を行うものである。
そして、本発明の汚れ排除装置は、反応生成物流体の移送を行っている最中に加熱手段によって、流路形成部を加熱することができる。そのため、汚れを除去するための時間を別途必要とせず、効果的に、汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
The dirt removing device of the present invention has a simple structure using a heating means, and prevents the adhesion or growth of dirt on the inner wall surface of the flow path forming part or the inside of the flow path forming part by an external thermal operation. It removes dirt adhering to the wall surface.
And the dirt removal apparatus of this invention can heat a flow-path formation part with a heating means in the middle of transferring the reaction product fluid. For this reason, it is possible to effectively prevent adhesion or growth of the dirt, or remove it without requiring additional time for removing the dirt.

また、本発明の汚れ排除装置においても、流路形成部の外壁面もしくは内壁面に設けた加熱手段によって、送液中に流路形成部を断続的に加熱することができる。そのため、特に、流路形成部の内壁面に既に付着してしまった汚れに対しては、熱的ショックを与えることができ、この汚れを効果的に除去することができる。
また、断続的な加熱を行うことにより、加熱手段により加熱する際に必要な熱エネルギーが増大することを抑えることができ、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
Moreover, also in the dirt removal apparatus of the present invention, the flow path forming portion can be intermittently heated during the liquid feeding by the heating means provided on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming portion. Therefore, in particular, a thermal shock can be given to the dirt that has already adhered to the inner wall surface of the flow path forming portion, and this dirt can be effectively removed.
In addition, by performing intermittent heating, it is possible to suppress an increase in the thermal energy required when heating by the heating means, and effectively prevent or remove dirt from being attached or prevented from growing with less thermal energy. be able to.

それ故、本発明の汚れ排除装置によれば、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。   Therefore, according to the dirt removing apparatus of the present invention, it is possible to effectively prevent or remove dirt from being attached or prevented from growing with less heat energy.

上述した第1、第2の発明における好ましい実施の形態につき説明する。
第1、第2の発明において、上記流路形成部とは、反応槽、晶析槽等の槽状体(タンク)の内部をも含めた、広い意味での反応生成物流体が流れる部分のことをいう。
また、上記加熱手段は、上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面の複数箇所に分割して設けてあり、該分割した複数の加熱手段同士の間で上記流路形成部を加熱するタイミングを異ならせることが好ましい(請求項2、10)。
この場合には、複数の加熱手段における熱エネルギーをより少なくすることができ、より効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
A preferred embodiment in the first and second inventions described above will be described.
In the first and second inventions, the flow path forming part is a part through which a reaction product fluid flows in a broad sense including the inside of a tank (tank) such as a reaction tank or a crystallization tank. That means.
Further, the heating means is divided and provided at a plurality of locations on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming portion, and the timing for heating the flow path forming portion between the plurality of divided heating means is set. It is preferable to make them different (claims 2 and 10).
In this case, it is possible to reduce the thermal energy in the plurality of heating means, and it is possible to more effectively prevent the adhesion of dirt, or prevent or remove the growth.

また、上記複数の加熱手段の全体において、加熱に使用する熱エネルギーをほぼ一定にした状態で、上記複数の加熱手段同士の間で上記流路形成部を加熱するタイミングを異ならせることが好ましい(請求項3、11)。
この場合には、複数の加熱手段の加熱に使用する熱エネルギーの総容量の変動幅を小さく維持し、プロセスへの外乱を最小化してより効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
Further, it is preferable that the timing of heating the flow path forming portion is different between the plurality of heating units in a state where the heat energy used for heating is substantially constant throughout the plurality of heating units ( Claims 3 and 11).
In this case, the fluctuation range of the total capacity of the heat energy used for heating the plurality of heating means is kept small, and the disturbance to the process is minimized to more effectively prevent the adhesion of dirt or the growth prevention or removal. be able to.

例えば、加熱手段として加熱媒体を流す熱媒配管を用いる場合には、複数の熱媒配管の全体に供給する熱エネルギーをほぼ一定に維持して、複数の熱媒配管同士の間で流路形成部を加熱するタイミングを異ならせることができる。また、加熱手段として通電により発熱する発熱体を用いる場合には、複数の発熱体の全体に供給する電力をほぼ一定に維持して、複数の発熱体同士の間で流路形成部を加熱するタイミングを異ならせることができる。   For example, when using a heat medium pipe through which a heating medium flows as a heating means, the heat energy supplied to the whole of the plurality of heat medium pipes is maintained substantially constant, and a flow path is formed between the plurality of heat medium pipes. The timing for heating the part can be varied. In addition, when a heating element that generates heat when energized is used as the heating means, the power supplied to the entirety of the plurality of heating elements is maintained substantially constant, and the flow path forming unit is heated between the plurality of heating elements. The timing can be different.

また、上記分割した複数の加熱手段による流路形成部を加熱するタイミングは、種々のタイミングで異ならせることができる。例えば、いずれかの加熱手段から所定の順番で、加熱手段による加熱の開始及び加熱の停止を繰り返すことができる。また、いずれかの加熱手段による加熱の開始及び加熱の停止と、他の加熱手段による加熱の開始及び加熱の停止とは交互に繰り返すこともできる。また、加熱手段をいくつかのグループに分け、いずれかのグループから所定の順番で、加熱の開始及び加熱の停止を繰り返すこともできる。   Moreover, the timing which heats the flow-path formation part by the said some divided | segmented heating means can be varied at various timings. For example, the heating start and the heating stop by the heating means can be repeated in a predetermined order from any of the heating means. Also, the start and stop of heating by any one of the heating means and the start and stop of heating by the other heating means can be alternately repeated. Also, the heating means can be divided into several groups, and heating start and heating stop can be repeated in a predetermined order from any group.

また、上記加熱手段による上記流路形成部の断続的な加熱は、低温側の加熱温度と高温側の加熱温度とに変化させて行い、該高温側の加熱温度は、上記流路形成部の内部における上記反応生成物流体の温度よりも高く、かつ上記固体化合物の融点よりも低い温度に設定することが好ましい(請求項4、12)。
この場合には、加熱手段における熱エネルギーを少なくして、より効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
なお、上記高温側の加熱温度を、固体化合物の融点よりも低い温度に設定して、上記汚れとしての固体化合物の付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる理由は、付着物と付着面との間に付着物の融解が発生し、付着物が剥がれ易くなるためであると考える。
Further, the intermittent heating of the flow path forming part by the heating means is performed by changing the heating temperature on the low temperature side and the heating temperature on the high temperature side. It is preferable to set the temperature higher than the temperature of the reaction product fluid inside and lower than the melting point of the solid compound (claims 4 and 12).
In this case, the heat energy in the heating means can be reduced to more effectively prevent or prevent the soil from attaching or growing.
In addition, the reason why the heating temperature on the high temperature side can be set to a temperature lower than the melting point of the solid compound to prevent the solid compound from adhering to the soil or prevent the growth or removal is as follows. This is because melting of the deposit occurs between the two and the deposit is easily peeled off.

また、加熱手段による加熱温度は、低温側の加熱温度として、例えば、加熱手段へ供給する熱エネルギーがほぼゼロの状態(ほとんどない状態)と、高温側の加熱温度として、加熱手段へ供給する熱エネルギーを所定量にした状態との間で変化させることができる。また、加熱手段による加熱温度は、低温側の加熱温度として、例えば、加熱手段へ供給する熱エネルギーを第1の所定量にした状態と、高温側の加熱温度として、この第1の所定量よりも大きな第2の所定量との間で変化させることもできる。
なお、上記高温側の加熱温度とは、断続的な加熱の中で、汚れ排除を行っている間の温度のことをいう。
The heating temperature by the heating means is, for example, a low-temperature side heating temperature, for example, a state in which the thermal energy supplied to the heating means is almost zero (a state in which there is almost no heat), and a high-temperature side heating temperature. The energy can be changed between a predetermined amount. Further, the heating temperature by the heating means is, for example, a state where the heat energy supplied to the heating means is set to a first predetermined amount as a heating temperature on the low temperature side, and a heating temperature on the high temperature side from the first predetermined amount. Can also be changed between a large second predetermined amount.
The heating temperature on the high temperature side refers to a temperature during dirt removal during intermittent heating.

また、上記加熱手段は、加熱媒体を流す熱媒配管、又は通電により発熱する発熱体であることが好ましい(請求項5、13)。
この場合には、加熱手段を容易に構成することができる。
また、加熱手段を熱媒配管としたときには、加熱媒体の流量を変化させることによって、流路形成部を断続的に加熱することができる。一方、加熱手段を発熱体としたときには、通電量を変化させることによって、流路形成部を断続的に加熱することができる。
The heating means is preferably a heat medium pipe through which a heating medium flows or a heating element that generates heat when energized (claims 5 and 13).
In this case, the heating means can be easily configured.
When the heating means is a heat medium pipe, the flow path forming portion can be intermittently heated by changing the flow rate of the heating medium. On the other hand, when the heating means is a heating element, the flow path forming portion can be intermittently heated by changing the energization amount.

また、例えば、加熱面に熱媒配管を接触させて加熱する場合には、加熱面と熱媒配管との間に、サーモセメント等の伝熱性向上材料を設けることにより伝熱性を向上させることが好ましい。この伝熱性向上材料を設けることにより、見かけの伝熱面積を向上させることもできる。また、熱媒配管同士を並列に配置する間隔は、500mm以下とすることが好ましく、300mm以下とすることがより好ましい。   In addition, for example, in the case where heating is performed by bringing a heat medium pipe into contact with the heating surface, heat transfer performance can be improved by providing a heat transfer material such as thermocement between the heating surface and the heat medium pipe. preferable. By providing this heat transfer material, the apparent heat transfer area can be improved. Moreover, it is preferable that the space | interval which arrange | positions heat-medium piping mutually in parallel shall be 500 mm or less, and it is more preferable to set it as 300 mm or less.

また、上記加熱手段は、反応槽もしくは晶析槽の外壁面、又は反応槽もしくは晶析槽に接続された配管の外壁面に設けてあることが好ましい(請求項6、14)。
この場合には、反応槽もしくは反応管の内壁面、又は反応槽に接続された配管の内壁面における汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を効果的に行うことができる。
また、この場合には、加熱手段を外側から保温材で覆い、加熱手段の外気放熱を防止することが好ましい。
Moreover, it is preferable that the said heating means is provided in the outer wall surface of the reaction tank or the crystallization tank, or the outer wall surface of the piping connected to the reaction tank or the crystallization tank (Claims 6 and 14).
In this case, it is possible to effectively prevent or prevent the adhesion or growth of dirt on the inner wall surface of the reaction tank or reaction tube or the inner wall surface of the pipe connected to the reaction tank.
In this case, it is preferable to cover the heating means with a heat insulating material from the outside to prevent heat radiation from the outside of the heating means.

また、上記反応生成物流体は、上記固体化合物が析出した晶析スラリーとすることができる(請求項7)。
この場合には、晶析によって生成する固体化合物が、汚れとして流路形成部の内壁面へ付着もしくは成長することを効果的に予防し、又は晶析によって生成する固体化合物が汚れとして付着したときには、効果的にこれを除去することができる。
なお、上記反応生成物流体は、重合反応を行う各種の流体とすることもできる。
The reaction product fluid may be a crystallization slurry in which the solid compound is deposited.
In this case, when the solid compound produced by crystallization is effectively prevented from adhering or growing on the inner wall surface of the flow path forming part as dirt, or when the solid compound produced by crystallization adheres as dirt This can be effectively removed.
In addition, the said reaction product fluid can also be made into the various fluid which performs a polymerization reaction.

また、上記反応生成物流体は、アセトンとフェノールを、触媒を介して反応させてビスフェノールAを生成させた流体とすることができる(請求項8)。
この場合には、ビスフェノールA、もしくはビスフェノールAとフェノールとの付加物が、汚れとして流路形成部の内壁面へ付着もしくは成長することを効果的に予防し、又はビスフェノールA、もしくはビスフェノールAとフェノールとの付加物が汚れとして付着したときには、効果的にこれを除去することができる。
また、晶析を行う流体は、上記以外にも、例えば、テレフタル酸、コハク酸、エチレンカーボネート、パラキシレン等とすることができる。
The reaction product fluid may be a fluid in which acetone and phenol are reacted via a catalyst to generate bisphenol A (claim 8).
In this case, bisphenol A or an adduct of bisphenol A and phenol is effectively prevented from adhering to or growing on the inner wall surface of the flow path forming part as dirt, or bisphenol A or bisphenol A and phenol. When the adduct is attached as dirt, it can be effectively removed.
In addition to the above, the crystallization fluid may be terephthalic acid, succinic acid, ethylene carbonate, paraxylene, or the like.

以下に、本発明の汚れ排除方法及び汚れ排除装置にかかる実施例1、2につき、図面と共に説明する。
(実施例1)
本例の汚れ排除方法は、反応生成物流体Wが存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、固体化合物が汚れとして付着もしくは成長することを予防する、又は汚れとして付着した固体化合物を除去する方法である。この汚れ排除方法においては、スラリーが通過する流路形成部の外壁面に設ける加熱手段2を有する汚れ排除装置1を用いる。
そして、汚れ排除方法においては、反応生成物から固体化合物を晶析させたスラリーを移送している最中に、流路形成部の外壁面に設けた加熱手段2を用いて、流路形成部を断続的に加熱することにより、汚れの付着の予防又は付着した汚れの除去を行う。
Embodiments 1 and 2 according to the dirt removal method and the dirt removal apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings.
Example 1
In this example, the contamination removing method is such that the solid compound is contaminated on the inner wall surface of the flow path forming part such as the reaction tank, the crystallization tank, the piping, the liquid feeding device, the heat exchanger, and the valve in which the reaction product fluid W exists. It is a method for preventing adhesion or growth, or removing solid compounds adhering as dirt. In this dirt removal method, the dirt removal apparatus 1 having the heating means 2 provided on the outer wall surface of the flow path forming portion through which the slurry passes is used.
In the method for removing dirt, the flow path forming section is used by using the heating means 2 provided on the outer wall surface of the flow path forming section during the transfer of the slurry obtained by crystallizing the solid compound from the reaction product. Is heated intermittently to prevent the adhesion of dirt or to remove the adhered dirt.

以下に、本例の汚れ排除方法及び汚れ排除装置1につき、図1〜図3と共に詳説する。
図1に示すごとく、本例の加熱手段2は、加熱媒体としてのスチームS(100℃以上の水蒸気)を流すことによって加熱する熱媒配管(蒸気トレス)2によって構成してある。汚れ排除装置1は、コントローラ(制御手段)によって、所定の時間間隔で熱媒配管2にスチームSを流すよう構成してある。
本例の汚れ排除装置1は、反応生成物流体Wが流れる配管30の外壁面に加熱手段2を設けてなり、この加熱手段2を設けた配管30は、晶析槽3に対する接続部分を構成する配管である。本例の加熱手段としての熱媒配管2は、配管30の外周に、軸方向にずらしながら巻き付けてある。本例の熱媒配管2同士の間の配置間隔は100mmとした。
Hereinafter, the dirt removal method and the dirt removal apparatus 1 of this example will be described in detail with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the heating means 2 of this example is configured by a heat medium pipe (steam trestle) 2 that is heated by flowing steam S (water vapor of 100 ° C. or higher) as a heating medium. The dirt removing device 1 is configured so that steam S flows through the heat medium pipe 2 at predetermined time intervals by a controller (control means).
The dirt removing apparatus 1 of this example is provided with a heating means 2 on the outer wall surface of a pipe 30 through which the reaction product fluid W flows, and the pipe 30 provided with the heating means 2 constitutes a connecting portion to the crystallization tank 3. Piping. The heat medium pipe 2 as the heating means in this example is wound around the outer circumference of the pipe 30 while shifting in the axial direction. The arrangement interval between the heat medium pipes 2 in this example was 100 mm.

同図に示すごとく、晶析槽3の下部は、吸込配管33を介して送液機器としてのポンプ32の吸込口321に接続してあり、ポンプ32の吐出口322は、吐出配管34を介して晶析槽3の下部に接続してある。本例の加熱手段2は、一方のポンプ32Aの吐出口322から晶析槽3に接続される部分の配管30の外周に設けてある。   As shown in the figure, the lower part of the crystallization tank 3 is connected to a suction port 321 of a pump 32 as a liquid feeding device via a suction pipe 33, and the discharge port 322 of the pump 32 is connected to a discharge pipe 34. Connected to the lower part of the crystallization tank 3. The heating means 2 of this example is provided on the outer periphery of a portion of the pipe 30 connected to the crystallization tank 3 from the discharge port 322 of one pump 32A.

また、晶析槽3には、ポンプ32が2つ設けてあり、一方のポンプ32Aの吐出配管34には、晶析槽3内へ晶析原料を送り込むための受入配管35が接続してあり、他方のポンプ32Bの吐出配管34には、晶析槽3から晶析スラリーを送り出すための送出配管36が接続してある。
また、一方のポンプ32Aの吐出口322に接続した吐出配管34には、熱交換器37等が設けてある。
In addition, two pumps 32 are provided in the crystallization tank 3, and a receiving pipe 35 for feeding the crystallization raw material into the crystallization tank 3 is connected to the discharge pipe 34 of one pump 32 </ b> A. The delivery pipe 36 for delivering the crystallization slurry from the crystallization tank 3 is connected to the discharge pipe 34 of the other pump 32B.
Further, a heat exchanger 37 and the like are provided in the discharge pipe 34 connected to the discharge port 322 of the one pump 32A.

熱交換器37を冷却器として用いると冷却面に急速に汚れが付着することがあるが、この熱交換器37と並列に予備熱交換器38を配設し、熱交換器37と予備熱交換器38とを切り替えて運転及び洗浄を行えば、連続的に運転を行うことが容易である。ただし、この場合においても、配管30の付近において汚れが付着し易い状況が形成され、本例の加熱手段2を設けることが特に有効である。   When the heat exchanger 37 is used as a cooler, dirt may rapidly adhere to the cooling surface. However, a preliminary heat exchanger 38 is provided in parallel with the heat exchanger 37 to exchange heat with the heat exchanger 37. If operation and cleaning are performed by switching the device 38, continuous operation is easy. However, even in this case, a situation in which dirt easily adheres to the vicinity of the pipe 30 is formed, and it is particularly effective to provide the heating means 2 of this example.

また、本例では、1つの晶析槽3において晶析を行う状態を示した。これに対し、図示は省略するが、晶析槽3を多段に分けて設置し、各晶析槽3において段階を追って晶析させて、最終段の晶析槽3より晶析後の固体化合物を取り出すことができる。この場合には、多段の晶析槽3によって、晶析を連続して行うことができ、プラントの連続運転(継続運転)を行っている最中に、流路形成部の内壁面への汚れの付着予防もしくは成長予防又は付着した汚れの除去を行うことができる。   Moreover, in this example, the state which crystallizes in one crystallization tank 3 was shown. On the other hand, although not shown in the figure, the crystallization tanks 3 are installed in multiple stages, each of the crystallization tanks 3 is crystallized step by step, and the solid compound after crystallization from the final stage of the crystallization tank 3. Can be taken out. In this case, the crystallization can be continuously performed by the multistage crystallization tank 3, and the contamination on the inner wall surface of the flow path forming portion is performed during the continuous operation (continuous operation) of the plant. Adhesion prevention or growth prevention or removal of attached dirt can be performed.

また、図2に示すごとく、本例の加熱手段2による流路形成部の断続的な加熱は、低温側の加熱温度と高温側の加熱温度とに変化させて行う。高温側の加熱温度は、流路形成部の内部における反応生成物流体Wの温度よりも高く、かつ固体化合物の融点よりも低い温度に設定する。なお、加熱手段2により加熱していない時間(低温側の加熱温度)は、放熱等により反応生成物流体Wの温度以下になることがある。
また、本例の汚れ排除装置1は、図1に示すごとく、加熱手段としての熱媒配管2の上流入口部に設けたバルブ21を開閉させて、熱媒配管2へのスチームSの流入、流入の停止を繰り返すことによって、断続的な加熱を行うよう構成してある。
また、本例において、加熱手段2による加熱温度とは、反応生成物流体Wと汚れとの接触面の温度のことをいう。また、汚れの付着予防が目的であるために汚れが存在しない場合には、反応生成物流体Wと流路形成部との接触面の温度のことをいう。
Further, as shown in FIG. 2, the intermittent heating of the flow path forming portion by the heating means 2 of this example is performed by changing the heating temperature on the low temperature side and the heating temperature on the high temperature side. The heating temperature on the high temperature side is set to a temperature higher than the temperature of the reaction product fluid W inside the flow path forming unit and lower than the melting point of the solid compound. It should be noted that the time during which the heating means 2 is not heating (heating temperature on the low temperature side) may be below the temperature of the reaction product fluid W due to heat dissipation or the like.
Further, as shown in FIG. 1, the dirt removing apparatus 1 of the present example opens and closes a valve 21 provided at the upstream inlet portion of the heat medium pipe 2 as a heating means, so that the flow of steam S into the heat medium pipe 2, By repeating the stoppage of the inflow, it is configured to perform intermittent heating.
In this example, the heating temperature by the heating means 2 refers to the temperature of the contact surface between the reaction product fluid W and the dirt. In addition, when there is no dirt because the purpose is to prevent the adhesion of dirt, it means the temperature of the contact surface between the reaction product fluid W and the flow path forming part.

本例の反応生成物は、晶析原料から固体化合物を析出させる晶析を行う流体である。本例の反応生成物は、アセトンとフェノールを、触媒を介して反応させ、ビスフェノールAの濃度を25wt%に調整した後、62℃の温度で晶析させて、固体化合物としてのビスフェノールAとフェノールとの付加物を生成する流体である。本例の汚れ排除装置1は、主にビスフェノールAとフェノールとの付加物としてのビスフェノールAが、汚れとして晶析槽3への接続部分の配管30の内壁面へ付着もしくは成長することを予防し、又は晶析槽3への接続部分の配管30の内壁面へ汚れとして付着した固体化合物を除去することができるものである。   The reaction product of this example is a fluid that performs crystallization to precipitate a solid compound from a crystallization raw material. The reaction product of this example is obtained by reacting acetone and phenol through a catalyst and adjusting the concentration of bisphenol A to 25 wt%, followed by crystallization at a temperature of 62 ° C. to give bisphenol A and phenol as a solid compound. To produce an adduct. The dirt removing apparatus 1 of this example prevents bisphenol A as an adduct of bisphenol A and phenol from adhering to or growing on the inner wall surface of the pipe 30 at the connecting portion to the crystallization tank 3 as dirt. Alternatively, the solid compound adhering to the inner wall surface of the pipe 30 at the connection portion to the crystallization tank 3 can be removed.

図3は、横軸にフェノール溶液中のビスフェノールAの濃度(wt%)をとり、縦軸に温度(℃)をとって、フェノールとビスフェノールAとが混在する場合の固液平衡曲線を示すグラフである。同図において、フェノールの分子量は約94であり、ビスフェノールAの分子量は約228であり、ビスフェノールAとフェノールとの付加物の組成(モル比で1:1の組成)は、約70wt%である。また、この付加物の融点は、約100℃である。
同図において、固液平衡曲線よりも上側の領域の温度においては、液体になり、固液平衡曲線よりも下側の領域の温度においては、固体が存在するスラリー状になることを示す。
FIG. 3 is a graph showing a solid-liquid equilibrium curve in the case where phenol and bisphenol A are mixed, with the horizontal axis representing the concentration (wt%) of bisphenol A in the phenol solution and the vertical axis representing temperature (° C.). It is. In the figure, the molecular weight of phenol is about 94, the molecular weight of bisphenol A is about 228, and the composition of the adduct of bisphenol A and phenol (composition of 1: 1 by mole ratio) is about 70 wt%. . The adduct has a melting point of about 100 ° C.
In the same figure, it shows that it becomes liquid at the temperature in the region above the solid-liquid equilibrium curve, and becomes a slurry in which solid exists at the temperature in the region below the solid-liquid equilibrium curve.

加熱手段としての熱媒配管2による高温側の加熱温度は、流路形成部の内部における反応生成物流体Wの組成(図3の例では。フェノールに対するビスフェノールAの濃度)における固液平衡曲線上の温度よりも高い温度にすることが好ましい。特に、高温側の加熱温度は、ビスフェノールAの種々の濃度において、固液平衡曲線上の温度から10℃高い温度までの範囲内に設定することがより好ましい。
そして、熱媒配管2により、種々の組成の反応生成物流体Wの固液平衡曲線よりも上側の領域の温度まで加熱することにより、流路形成部の内壁面に付着した汚れを効果的に除去することができると考える。
The heating temperature on the high temperature side by the heat medium pipe 2 as the heating means is on the solid-liquid equilibrium curve in the composition of the reaction product fluid W (in the example of FIG. 3, the concentration of bisphenol A with respect to phenol) inside the flow path forming part. Preferably, the temperature is higher than In particular, the heating temperature on the high temperature side is more preferably set within a range from a temperature on the solid-liquid equilibrium curve to a temperature higher by 10 ° C. at various concentrations of bisphenol A.
And by heating to the temperature of the area | region above the solid-liquid equilibrium curve of the reaction product fluid W of various compositions by the heat medium piping 2, the stain | pollution | contamination adhering to the inner wall face of a flow-path formation part is effective. I think it can be removed.

本例の汚れ排除方法及び汚れ排除装置1は、加熱手段2を用いた簡単な構成により、反応生成物流体Wに直接触れることなく、外部からの熱的操作によって、配管30の内壁面への汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うものである。
そして、本例の汚れ排除方法は、晶析スラリーの移送を行っている最中に実行することができる。そのため、汚れを除去するための時間を別途必要とせず、効果的に、汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
The dirt removal method and the dirt removal apparatus 1 of the present example can be applied to the inner wall surface of the pipe 30 by a thermal operation from the outside without directly touching the reaction product fluid W with a simple configuration using the heating means 2. Prevents adhesion or growth of dirt, or removes dirt.
And the dirt removal method of this example can be performed while transferring the crystallization slurry. For this reason, it is possible to effectively prevent adhesion or growth of the dirt, or remove it without requiring additional time for removing the dirt.

また、本例の汚れ排除方法においては、配管30の外壁面に設けた加熱手段2によって、配管30を断続的に加熱する。そのため、特に、配管30の内壁面に既に付着してしまった汚れに対しては、熱的ショックを与えることができ、この汚れを効果的に除去することができる。
また、1時間周期の断続的な加熱を行うことにより、加熱手段2により加熱する際に必要な熱エネルギーが増大することを抑えることができ、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
In the dirt removal method of this example, the pipe 30 is intermittently heated by the heating means 2 provided on the outer wall surface of the pipe 30. Therefore, in particular, a thermal shock can be given to the dirt that has already adhered to the inner wall surface of the pipe 30, and this dirt can be effectively removed.
In addition, by performing intermittent heating for one hour period, it is possible to suppress an increase in the thermal energy necessary for heating by the heating means 2, and to effectively prevent or grow the adhesion of dirt with less heat energy. Prevention or removal can be performed.

それ故、本例の汚れ排除方法及び汚れ排除装置1によれば、少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。   Therefore, according to the dirt removing method and the dirt removing apparatus 1 of the present example, it is possible to effectively prevent or prevent the adhesion or growth of dirt with less heat energy.

(実施例2)
本例の汚れ排除装置1は、図4に示すごとく、加熱手段2を、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の外壁面の複数箇所に分割して設け、この分割した複数の加熱手段2による流路形成部の加熱の開始及び加熱の停止を行うタイミングを異ならせるよう構成してある。
本例の加熱手段2は、上記実施例1と同様に、加熱媒体としてのスチームS(100℃以上の水蒸気)を流すことによって流路形成部を加熱する熱媒配管(蒸気トレス)2によって構成してある。本例の熱媒配管2同士の間の配置間隔は200mmとした。
(Example 2)
As shown in FIG. 4, the dirt removing apparatus 1 of the present example divides the heating means 2 into a plurality of locations on the outer wall surface of the flow path forming part such as a crystallization tank, piping, a liquid feeding device, a heat exchanger, and a valve. And the timing for starting and stopping the heating of the flow path forming portion by the plurality of divided heating means 2 is configured to be different.
The heating means 2 of this example is configured by a heat medium pipe (steam trestle) 2 that heats the flow path forming part by flowing steam S (water vapor of 100 ° C. or higher) as a heating medium, as in the first embodiment. It is. The arrangement interval between the heat medium pipes 2 in this example was 200 mm.

同図に示すごとく、本例の熱媒配管2は、晶析槽3の外壁面における軸方向に対して、複数に分割して配設してある。晶析槽3の軸方向に並ぶ複数の熱媒配管2の上流入口部には、それぞれ別々にバルブ21が設けてあり、各バルブ21は、コントローラ(制御手段)によって所定の時間間隔で開閉可能である。   As shown in the figure, the heat medium pipe 2 of this example is divided into a plurality of parts in the axial direction on the outer wall surface of the crystallization tank 3. Valves 21 are separately provided at the upstream inlet portions of the plurality of heat medium pipes 2 arranged in the axial direction of the crystallization tank 3, and each valve 21 can be opened and closed at predetermined time intervals by a controller (control means). It is.

本例のコントローラは、いずれかのバルブ21から順番に、所定時間開けて閉める動作を繰り返し、いずれかの熱媒配管2から順番に、晶析槽3の各部分を順番に加熱するよう構成してある。例えば、図4に示すごとく、晶析槽3を軸方向に区切って、上部3A、中間部3B、下部3C、最下部3Dの4つの領域毎に熱媒配管2A〜Dを設けることができる。   The controller of this example repeats the operation of opening and closing for a predetermined time in order from any one of the valves 21, and is configured to heat each part of the crystallization tank 3 in order from any one of the heat medium pipes 2. It is. For example, as shown in FIG. 4, the crystallization tank 3 can be divided in the axial direction, and the heating medium pipes 2A to 2D can be provided for each of the four regions of the upper part 3A, the intermediate part 3B, the lower part 3C, and the lowermost part 3D.

この場合には、図5に示すごとく、上部の熱媒配管2AへスチームSを供給して晶析槽3の上部3Aの領域を30分間加熱し、次いで、上部の熱媒配管2AへのスチームSの供給を停止すると共に、中間部の熱媒配管2BへスチームSを供給して晶析槽3の中間部3Bの領域を30分間加熱し、次いで、中間部の熱媒配管2BへのスチームSの供給を停止すると共に、下部の熱媒配管2CへスチームSを供給して晶析槽3の下部3Cの領域を30分間加熱し、その後、順次同じローテーションで繰り返し加熱を行うことができる。また、最下部の熱媒配管2DへはスチームSを常時供給して、晶析槽3の最下部3Dの領域を常時加熱することができる。   In this case, as shown in FIG. 5, steam S is supplied to the upper heating medium pipe 2A to heat the region of the upper 3A of the crystallization tank 3 for 30 minutes, and then the steam to the upper heating medium pipe 2A is heated. The supply of S is stopped and steam S is supplied to the intermediate heat medium pipe 2B to heat the region of the intermediate part 3B of the crystallization tank 3 for 30 minutes, and then steam to the intermediate heat medium pipe 2B While the supply of S is stopped, the steam S is supplied to the lower heat medium pipe 2C to heat the region of the lower 3C of the crystallization tank 3 for 30 minutes, and thereafter, heating can be repeatedly performed sequentially in the same rotation. Further, steam S is constantly supplied to the lowermost heat medium pipe 2D, so that the region of the lowermost 3D of the crystallization tank 3 can be constantly heated.

また、晶析槽3の上部3A、中間部3B、下部3Cを加熱するための熱媒配管2A〜Cの全体に供給する熱エネルギーは、ほぼ一定にし、プロセスへの外乱を最小にしている。そして、このほぼ一定の熱エネルギーを供給する部分を、晶析槽3の上部3A、中間部3B、下部3Cに所定のローテーションで切り替えることにより、複数の熱媒配管2A〜Cの加熱に使用する熱エネルギーの総容量を小さく維持することができる。   Further, the heat energy supplied to the entire heating medium pipes 2A to 2C for heating the upper part 3A, the intermediate part 3B, and the lower part 3C of the crystallization tank 3 is made substantially constant, and the disturbance to the process is minimized. And the part which supplies this substantially constant heat energy is used for the heating of several heat-medium piping 2A-C by switching to the upper part 3A of the crystallization tank 3, the intermediate part 3B, and the lower part 3C by predetermined rotation. The total heat energy capacity can be kept small.

また、例えば、図6に示すごとく、加熱手段としての熱媒配管2は、晶析槽3に接続された部分の配管30の軸方向の複数箇所に分割して設けることもできる。
本例においては、複数の加熱手段としての熱媒配管2に使用する熱エネルギーをより少なくすることができ、より効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる。
本例においても、その他の構成は上記実施例1と同様であり、上記実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
Further, for example, as shown in FIG. 6, the heat medium pipe 2 as the heating means can be divided and provided at a plurality of locations in the axial direction of the pipe 30 of the portion connected to the crystallization tank 3.
In this example, the heat energy used for the heat medium pipes 2 as a plurality of heating means can be reduced, and the contamination prevention, growth prevention or removal can be performed more effectively.
Also in this example, other configurations are the same as those of the first embodiment, and the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

(確認試験)
本確認試験においては、図7に示すごとく、上記汚れ排除装置1及び汚れ排除方法による汚れの除去効果を、次の汚れ評価熱交換器ユニット4を用い、冷却によるテスト用熱交換器41への結晶付着操作及び加熱によるテスト用熱交換器41からの結晶除去操作を行なって確認した。
テスト用熱交換器41は、外径12.7mmφ、厚み1.2mm、長さ500mmのチューブ411を用いた単管二重管式の熱交換器であり、チューブ411にはSUS316の引抜管を用いた。テスト用熱交換器41のシェル412は、外径34mmφ、厚み3.4mmの配管で製作し、内部に螺旋状バッフル設けた。
(Confirmation test)
In this confirmation test, as shown in FIG. 7, the effect of removing dirt by the dirt removing device 1 and the dirt removing method is applied to the test heat exchanger 41 by cooling using the next dirt evaluation heat exchanger unit 4. The crystal removal operation from the test heat exchanger 41 by the crystal adhesion operation and heating was performed and confirmed.
The test heat exchanger 41 is a single-tube double-tube heat exchanger using a tube 411 having an outer diameter of 12.7 mmφ, a thickness of 1.2 mm, and a length of 500 mm. The tube 411 is provided with a SUS316 drawn tube. Using. The shell 412 of the test heat exchanger 41 was manufactured with a pipe having an outer diameter of 34 mmφ and a thickness of 3.4 mm, and a spiral baffle was provided inside.

また、汚れ除去効果の確認をする反応生成物流体Wは、A成分(ビスフェノールA)の濃度が25wt%、B成分(フェノール)の濃度が75wt%であるスラリーWとした。そして、スラリータンク42に貯蓄したスラリーWを、スラリー循環ポンプ43によりテスト用熱交換器41のチューブ411側にフィードし、再加熱器44を経てスラリータンク42に戻し、また、テスト用熱交換器41のシェル412側に、テスト用冷熱媒体Hとしての冷水と熱水とを交互に流した。   Further, the reaction product fluid W for confirming the effect of removing dirt was a slurry W having a concentration of A component (bisphenol A) of 25 wt% and a concentration of B component (phenol) of 75 wt%. The slurry W stored in the slurry tank 42 is fed to the tube 411 side of the test heat exchanger 41 by the slurry circulation pump 43, returned to the slurry tank 42 through the reheater 44, and the test heat exchanger Cold water and hot water as the test cooling medium H were alternately flowed on the shell 412 side of 41.

次に、テスト用熱交換器41における冷却・加熱操作時の汚れ評価方法を示す。
汚れ評価方法としては、テスト用熱交換器41に対するテスト用冷熱媒体Hの入口401と出口402との温度差と、冷熱媒体Hの流量とから求めた熱量Q[kcal/hr]、スラリーWの温度と冷熱媒体Hの温度との対数平均温度差△t[K]、及びテスト用熱交換器41の伝熱面積A[m2]を用いて、総括伝熱係数Uを求めた(U=Q/(A・Δt))。
Next, a dirt evaluation method during the cooling / heating operation in the test heat exchanger 41 will be described.
As the dirt evaluation method, the heat quantity Q [kcal / hr] obtained from the temperature difference between the inlet 401 and the outlet 402 of the test cooling medium H with respect to the test heat exchanger 41 and the flow rate of the cooling medium H, the slurry W The overall heat transfer coefficient U was determined using the logarithm average temperature difference Δt [K] between the temperature and the temperature of the cooling medium H and the heat transfer area A [m 2 ] of the test heat exchanger 41 (U = Q / (A · Δt)).

また、総括伝熱係数Uの値は、冷却運転時間経過とともに伝熱面の汚れによる伝熱抵抗の上昇により低下する。そして、Uの逆数は時間経過とともに上昇するため、Uの逆数の初期からの増分を汚れ抵抗Rf[hr・m2・K/kcal]とした。ここで、Rf=1/U−1/U0であり、U0は、運転初期の汚れが付着していない時のUを示す。
そして、冷却運転から加熱運転に切り替えた際の汚れ抵抗減少分ΔRfを、加熱時間(ヒートショック時間)s[hr]で割ったものΔRf/sを、汚れ除去速度[(hr・m2・K/kcal)/hr]として、汚れ除去効果を確認した。
Further, the value of the overall heat transfer coefficient U decreases as the heat transfer resistance increases due to contamination of the heat transfer surface as the cooling operation time elapses. Since the reciprocal of U increases with the passage of time, the increment of the reciprocal of U from the initial stage is defined as a stain resistance Rf [hr · m 2 · K / kcal]. Here, Rf = 1 / U−1 / U0, and U0 indicates U when dirt at the initial stage of operation is not attached.
Further, ΔRf / s obtained by dividing the dirt resistance decrease ΔRf at the time of switching from the cooling operation to the heating operation by the heating time (heat shock time) s [hr] is used as the dirt removal rate [(hr · m 2 · K / Kcal) / hr], and the soil removal effect was confirmed.

なお、熱量Q[kcal/hr]は、冷熱媒体Hの流量Wc[kg/hr]、冷熱媒体Hの比熱C[kcal/(kg・K)]、テスト用熱交換器41に対する冷熱媒体Hの出口402と入口401との温度差ΔTc[K]を用いて、Q=Wc・C・ΔTcから求めた。
また、対数平均温度差△t[K]は、冷熱媒体Hの入口401の温度とスラリーWの出口422の温度との温度差Δt1、冷熱媒体Hの出口402の温度とスラリーWの入口421の温度との温度差Δt2を用いて、Δt=(Δt1−Δt2)/ln(Δt1/Δt2)から求めた。
The amount of heat Q [kcal / hr] includes the flow rate Wc [kg / hr] of the cooling medium H, the specific heat C [kcal / (kg · K)] of the cooling medium H, and the cooling medium H with respect to the test heat exchanger 41. Using the temperature difference ΔTc [K] between the outlet 402 and the inlet 401, it was obtained from Q = Wc · C · ΔTc.
The logarithm average temperature difference Δt [K] is a temperature difference Δt1 between the temperature of the inlet 401 of the cooling medium H and the temperature of the outlet 422 of the slurry W, the temperature of the outlet 402 of the cooling medium H and the inlet 421 of the slurry W. Using the temperature difference Δt2 with respect to the temperature, Δt = (Δt1−Δt2) / ln (Δt1 / Δt2).

具体的な操作条件としては、毎回テスト前の操作として、まず、各機器及び配管の温度を80℃以上に上げ、汚れ評価熱交換器ユニット4内のサンプルを完全溶解し1時間循環運転した後、系内を徐々に冷却した。85℃からテスト標準温度の62℃までの冷却を45分間で行った後、2時間62℃をキープした。その後、20℃、1.4kg/minの冷水を入口401からテスト用熱交換器41のシェル412側にフィードし、ヒートショックテスト前の冷却運転を開始した。正式には、スタート前からシェル412内の滞留媒体が、上記冷水に完全に置き換わった2分後をヒートショックテストの開始とした。   As specific operating conditions, after each test, the temperature of each device and piping is first raised to 80 ° C. or more, and the sample in the dirt evaluation heat exchanger unit 4 is completely dissolved and circulated for 1 hour. The system was gradually cooled. After cooling from 85 ° C. to the test standard temperature of 62 ° C. in 45 minutes, 62 ° C. was kept for 2 hours. Thereafter, cold water at 20 ° C. and 1.4 kg / min was fed from the inlet 401 to the shell 412 side of the test heat exchanger 41, and the cooling operation before the heat shock test was started. Formally, the heat shock test was started 2 minutes after the staying medium in the shell 412 was completely replaced by the cold water before the start.

冷却運転の基本条件は、スラリーWの温度62℃、スラリーWの線速1.2m/s、冷水温度20℃、冷水流量1.4kg/minで5時間冷却運転することとした。その後、ヒートショックテストとして、20℃の冷水を76〜90℃の熱水に切り替え、10分間流通させた。テスト時間到達後、熱水を冷水に戻し、安定したところで汚れ除去速度ΔRf/sを求めた。   The basic conditions for the cooling operation were that the temperature of the slurry W was 62 ° C., the linear speed of the slurry W was 1.2 m / s, the cold water temperature was 20 ° C., and the cold water flow rate was 1.4 kg / min for 5 hours. Thereafter, as a heat shock test, cold water at 20 ° C. was switched to hot water at 76 to 90 ° C. and allowed to flow for 10 minutes. After reaching the test time, the hot water was returned to the cold water, and the soil removal rate ΔRf / s was determined when it was stable.

図8は、横軸に汚れ表面温度[℃]をとり、縦軸に汚れ除去速度ΔRf/s[(hr・m2・K/kcal)/hr]をとって、本確認試験において求めた両者の関係を示すグラフである。同図に示すごとく、上記76〜90℃の熱水による汚れ除去速度ΔRf/sは、約0.0020[(hr・m2・K/kcal)/hr]以上となり、汚れ除去効果があることを確認できた。
また、熱水温度76℃のときの汚れ表面温度(スラリーWと汚れの接面温度)を測定したところ、73℃であり、この汚れ表面温度は、スラリーWにおける固液平衡曲線上の温度(72℃)よりも高かった。これにより、上記加熱手段2による流路形成部の加熱温度を、反応生成物流体Wの固液平衡曲線上の温度(72℃)よりも高い温度にすることにより、流路形成部の内壁に付着した汚れを効果的に除去できることがわかった。
In FIG. 8, the horizontal axis indicates the soil surface temperature [° C.], and the vertical axis indicates the soil removal rate ΔRf / s [(hr · m 2 · K / kcal) / hr]. It is a graph which shows the relationship. As shown in the figure, the soil removal rate ΔRf / s with the hot water of 76 to 90 ° C. is about 0.0020 [(hr · m 2 · Kcal) / hr] or more, and has a soil removal effect. Was confirmed.
Further, the soil surface temperature (the contact temperature between the slurry W and the soil) at a hot water temperature of 76 ° C. was measured and found to be 73 ° C. This soil surface temperature was the temperature on the solid-liquid equilibrium curve in the slurry W ( 72 ° C). Thereby, the heating temperature of the flow path forming part by the heating means 2 is set to a temperature higher than the temperature (72 ° C.) on the solid-liquid equilibrium curve of the reaction product fluid W, so that the inner wall of the flow path forming part is It was found that the attached dirt can be effectively removed.

なお、本確認試験においては、熱水温度を73℃以下とした場合についてもヒートショックテストを行い、図8に、このときに求めた汚れ除去速度ΔRf/s[(hr・m2・K/kcal)/hr]は、ほぼ0となった。また、熱水温度が73℃のときには、汚れ表面温度(スラリーWと汚れの接面温度)は71℃となり、スラリーWにおける固液平衡曲線上の温度(72℃)よりも低かった。これにより、上記加熱手段2による流路形成部の加熱温度を、反応生成物流体W中の固液平衡曲線上の温度(72℃)よりも低い温度にすると、流路形成部の内壁に付着した汚れを除去することは困難であることがわかった。 In this confirmation test, a heat shock test was also performed when the hot water temperature was set to 73 ° C. or less. FIG. 8 shows the soil removal rate ΔRf / s [(hr · m 2 · K / kcal) / hr] was almost zero. When the hot water temperature was 73 ° C., the soil surface temperature (the contact temperature between the slurry W and the soil) was 71 ° C., which was lower than the temperature on the solid-liquid equilibrium curve in the slurry W (72 ° C.). As a result, when the heating temperature of the flow path forming portion by the heating means 2 is set to a temperature lower than the temperature (72 ° C.) on the solid-liquid equilibrium curve in the reaction product fluid W, it adheres to the inner wall of the flow path forming portion. It turned out that it was difficult to remove the soil.

続いて、定期的なヒートショックの繰り返し操作により、長期的に汚れ付着の成長を抑制することを試みた。具体的には、冷却期間としての2時間おきにヒートショック効果が十分に望める熱水温度80℃、汚れ表面温度(スラリーWと汚れの接面温度)76℃の熱処理を10分間行い、これを5サイクル繰り返した。
図9は、横軸に時間[min]をとり、縦軸に汚れ除去速度ΔRf/s[(hr・m2・K/kcal)/hr]をとって、本確認試験において求めた汚れ除去速度Rfの推移を示すグラフである。同図において、汚れは時間とともに成長するものの、ヒートショックにより汚れがほぼ完全に除去される状態が繰り返され、長期的に汚れの成長を制御できることが確認できた。
Subsequently, an attempt was made to suppress the growth of dirt adhesion over a long period of time by repeating the operation of a regular heat shock. Specifically, a heat treatment at a hot water temperature of 80 ° C. and a soil surface temperature (slurry W and soil contact temperature) of 76 ° C. is performed every 2 hours as a cooling period for 10 minutes. Repeated 5 cycles.
In FIG. 9, the horizontal axis represents time [min], and the vertical axis represents the soil removal rate ΔRf / s [(hr · m 2 · K / kcal) / hr]. It is a graph which shows transition of Rf. In the same figure, although the dirt grows with time, it was confirmed that the dirt was almost completely removed by the heat shock, and the growth of the dirt could be controlled in the long term.

実施例1における、晶析槽及び汚れ排除装置の周辺を示す説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 実施例1における、横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、加熱手段による加熱温度を断続的に変化させる状態を示すグラフ。The graph which shows the state which takes time on the horizontal axis in Example 1, and takes temperature on a vertical axis | shaft and changes the heating temperature by a heating means intermittently. 実施例1における、横軸にフェノール溶液中のビスフェノールAの濃度をとり、縦軸に温度をとって、フェノールとビスフェノールAとが混在する場合の固液平衡曲線を示すグラフ。The graph which shows the solid-liquid equilibrium curve in Example 1 where the horizontal axis represents the concentration of bisphenol A in the phenol solution and the vertical axis represents temperature, and phenol and bisphenol A are mixed. 実施例2における、晶析槽及び汚れ排除装置の周辺を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory view showing the periphery of a crystallization tank and a dirt removing device in Example 2. 実施例2における、横軸に時間をとり、縦軸に加熱温度をとって、晶析槽の各領域毎に順次加熱を行うことを説明するグラフ。In Example 2, the horizontal axis is time, the vertical axis is the heating temperature, and the graph for explaining the sequential heating for each region of the crystallization tank. 実施例2における、他の汚れ排除装置を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory view showing another dirt removing device in Embodiment 2. 確認試験における、汚れ評価熱交換器ユニットを示す説明図。Explanatory drawing which shows the dirt evaluation heat exchanger unit in a confirmation test. 確認試験における、横軸に汚れ表面温度をとり、縦軸に汚れ除去速度をとって、両者の関係を示すグラフ。In the confirmation test, the horizontal axis represents the soil surface temperature, and the vertical axis represents the soil removal rate, showing the relationship between the two. 確認試験における、横軸に時間をとり、縦軸に汚れ抵抗をとって、汚れ抑制の推移を示すグラフ。The graph which shows transition of stain | pollution | contamination suppression, taking time on a horizontal axis and taking a dirt resistance on a vertical axis | shaft in a confirmation test.

符号の説明Explanation of symbols

1 汚れ排除装置
2 加熱手段(熱媒配管)
3 晶析槽
30 配管
W 反応生成物流体
1 Dirt removal device 2 Heating means (heat medium piping)
3 Crystallization tank 30 Piping W Reaction product fluid

Claims (14)

反応生成物流体が存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、固体化合物が汚れとして付着もしくは成長することを予防する、又は汚れとして付着した固体化合物を除去する汚れ排除方法であって、
上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面に設けた加熱手段を用いて、上記流路形成部を断続的に加熱することにより、上記汚れの付着の予防又は上記付着した汚れの除去を行うことを特徴とする汚れ排除方法。
Prevent the solid compound from adhering to or growing on the inner wall surface of the flow path forming part such as a reaction tank, a crystallization tank, a pipe, a liquid feeding device, a heat exchanger, and a valve in which a reaction product fluid exists, Or a soil removal method for removing solid compounds adhering as soil,
Using the heating means provided on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming part, the flow path forming part is intermittently heated to prevent the dirt from being adhered or to remove the adhered dirt. A method for removing dirt.
請求項1において、上記加熱手段は、上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面の複数箇所に分割して設けてあり、
該分割した複数の加熱手段同士の間で上記流路形成部を加熱するタイミングを異ならせることを特徴とする汚れ排除方法。
In claim 1, the heating means is divided into a plurality of locations on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming portion,
A method for removing dirt, characterized in that the timing for heating the flow path forming portion is different among the plurality of divided heating means.
請求項2において、上記複数の加熱手段の全体において、加熱に使用する熱エネルギーをほぼ一定にした状態で、上記複数の加熱手段同士の間で上記流路形成部を加熱するタイミングを異ならせることを特徴とする汚れ排除方法。   In Claim 2, the timing which heats the said flow-path formation part is different between these heating means in the state which made the thermal energy used for a heating substantially constant in the whole of these heating means. A method for removing dirt. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記加熱手段による上記流路形成部の断続的な加熱は、低温側の加熱温度と高温側の加熱温度とに変化させて行い、
該高温側の加熱温度は、上記流路形成部の内部における上記反応生成物流体の温度よりも高く、かつ上記固体化合物の融点よりも低い温度に設定することを特徴とする汚れ排除方法。
In any one of Claims 1-3, the intermittent heating of the said flow-path formation part by the said heating means is performed by changing into the heating temperature of a low temperature side, and the heating temperature of a high temperature side,
The dirt removing method, wherein the heating temperature on the high temperature side is set to a temperature higher than the temperature of the reaction product fluid in the flow path forming portion and lower than the melting point of the solid compound.
請求項1〜4のいずれか一項において、上記加熱手段は、加熱媒体を流す熱媒配管、又は通電により発熱する発熱体であることを特徴とする汚れ排除方法。   5. The dirt removing method according to claim 1, wherein the heating means is a heat medium pipe through which a heating medium flows or a heating element that generates heat when energized. 請求項1〜5のいずれか一項において、上記加熱手段は、反応槽もしくは晶析槽の外壁面、又は反応槽もしくは晶析槽に接続された配管の外壁面に設けてあることを特徴とする汚れ排除方法。   In any one of Claims 1-5, The said heating means is provided in the outer wall surface of the piping connected to the outer wall surface of the reaction tank or the crystallization tank, or the reaction tank or the crystallization tank, It is characterized by the above-mentioned. How to remove dirt. 請求項1〜6のいずれか一項において、上記反応生成物流体は、上記固体化合物が析出した晶析スラリーであることを特徴とする汚れ排除方法。   The dirt removal method according to any one of claims 1 to 6, wherein the reaction product fluid is a crystallization slurry in which the solid compound is precipitated. 請求項7において、上記反応生成物流体は、アセトンとフェノールを、触媒を介して反応させてビスフェノールAを生成させた流体であることを特徴とする汚れ排除方法。   8. The dirt removal method according to claim 7, wherein the reaction product fluid is a fluid in which bisphenol A is produced by reacting acetone and phenol through a catalyst. 反応生成物流体が存在する反応槽、晶析槽、配管、送液機器、熱交換器、バルブ等の流路形成部の内壁面に、固体化合物が汚れとして付着もしくは成長することを予防する、又は汚れとして付着した固体化合物を除去する汚れ排除装置であって、
上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面に設けた加熱手段を有しており、
上記加熱手段を用いて上記流路形成部を断続的に加熱することにより、上記汚れの付着の予防又は上記付着した汚れの除去を行うよう構成したことを特徴とする汚れ排除装置。
Prevent the solid compound from adhering to or growing on the inner wall surface of the flow path forming part such as a reaction tank, a crystallization tank, a pipe, a liquid feeding device, a heat exchanger, and a valve in which a reaction product fluid exists, Or a dirt removing device for removing solid compounds adhering as dirt,
It has heating means provided on the outer wall surface or inner wall surface of the flow path forming part,
A dirt removing apparatus configured to prevent the adhesion of dirt or remove the attached dirt by intermittently heating the flow path forming portion using the heating means.
請求項9において、上記加熱手段は、上記流路形成部の外壁面もしくは内壁面の複数箇所に分割して設けてあり、
該分割した複数の加熱手段同士の間で上記流路形成部を加熱するタイミングを異ならせるよう構成したことを特徴とする汚れ排除装置。
In Claim 9, the heating means is divided into a plurality of locations on the outer wall surface or the inner wall surface of the flow path forming portion,
A soil removal apparatus characterized in that the timing for heating the flow path forming section is different between the plurality of divided heating means.
請求項10において、上記複数の加熱手段の全体において、加熱に使用する熱エネルギーをほぼ一定にした状態で、上記複数の加熱手段同士の間で上記流路形成部を加熱するタイミングを異ならせるよう構成したことを特徴とする汚れ排除装置。   11. The heating timing of the flow path forming portion is different between the plurality of heating units in the state where the thermal energy used for heating is substantially constant in the whole of the plurality of heating units. A dirt removing device characterized by comprising. 請求項9〜11のいずれか一項において、上記加熱手段による上記流路形成部の断続的な加熱は、低温側の加熱温度と高温側の加熱温度とに変化させて行い、
該高温側の加熱温度は、上記流路形成部の内部における上記反応生成物流体の温度よりも高く、かつ上記固体化合物の融点よりも低い温度に設定してあることを特徴とする汚れ排除装置。
In any one of Claims 9-11, the intermittent heating of the said flow-path formation part by the said heating means is performed by changing into the heating temperature of a low temperature side, and the heating temperature of a high temperature side,
The high temperature side heating temperature is set to a temperature that is higher than the temperature of the reaction product fluid in the flow path forming section and lower than the melting point of the solid compound. .
請求項9〜12のいずれか一項において、上記加熱手段は、加熱媒体を流す熱媒配管、又は通電により発熱する発熱体であることを特徴とする汚れ排除装置。   The dirt removing device according to any one of claims 9 to 12, wherein the heating means is a heat medium pipe through which a heating medium flows or a heating element that generates heat when energized. 請求項9〜13のいずれか一項において、上記加熱手段は、反応槽もしくは晶析槽の外壁面、又は反応槽もしくは晶析槽に接続された配管の外壁面に設けてあることを特徴とする汚れ排除装置。   The heating means according to any one of claims 9 to 13, wherein the heating means is provided on an outer wall surface of a reaction tank or a crystallization tank, or an outer wall surface of a pipe connected to the reaction tank or the crystallization tank. Dirt removal device to do.
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