JP2009007654A

JP2009007654A - Substrate holder and vacuum vessel

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Publication number: JP2009007654A
Application number: JP2007172156A
Authority: JP
Inventors: Shigenori Ueda; 重教植田; Kazuto Hosoi; 一人細井; Jun Ohira; 純大平; Motoya Yamada; 基也山田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2007-06-29
Filing date: 2007-06-29
Publication date: 2009-01-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent abrasives remaining at the recessed chucking part of a substrate holder from sticking to the surface of a cylindrical substrate. <P>SOLUTION: The substrate holder holding the cylindrical substrate 101 includes: an internal holder 102 arranged at a position opposite to the inner circumferential face of the cylindrical substrate 101; and a cap holder 104 arranged at a position on the cylindrical substrate 101 and opposite to the outer circumferential face of the internal holder 102. Above the internal holder 102, a recessed chucking part capable of chucking by a chucking mechanism (not shown in figure), and formed with a through hole 109 at least on a part of the chucking part is composed. The upper edge side of the recessed chucking part in the internal holder 102 and the upper edge side of the gap formed among the internal holder 102, the cap holder 104 and the cylindrical substrate 101 are clogged by the chucking mechanism when the chucking mechanism is chucked by the recessed chucking part. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に電子写真感光体に用いられる堆積膜を形成する堆積膜形成装置において用いられる基体ホルダー及び真空容器に関するものである。 The present invention relates to a substrate holder and a vacuum container used in a deposition film forming apparatus for forming a deposition film, particularly a functional film, particularly a deposition film used for an electrophotographic photoreceptor, on a substrate.

従来から、電子写真感光体、半導体デバイス、画像入力ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法として、高周波電力により生成されるプラズマを用いた堆積膜形成法が知られている。そのような真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等がある。そして、それらの真空処理方法を実施するための装置も数多く実用化されている。 Conventionally, as a vacuum processing method for forming an electrophotographic photosensitive member, a semiconductor device, an image input line sensor, a photographing device, a photovoltaic device, etc., a deposited film forming method using plasma generated by high-frequency power is known. It has been. Such vacuum processing methods include a plasma CVD method, an ion plating method, a plasma etching method, and the like. Many apparatuses for carrying out these vacuum processing methods have been put into practical use.

例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基板上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、アモルファスシリコン薄膜の形成方法が知られており、その製造装置も各種提案されている。 For example, there is a deposited film forming method using a plasma CVD method, that is, a method of forming a deposited film by generating plasma of a raw material gas by glow discharge with high frequency power and depositing the decomposition species on a substrate. When this method is used, for example, a method for forming an amorphous silicon thin film is known by using silane gas as a raw material gas, and various production apparatuses have been proposed.

このような堆積膜形成装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のために基体ホルダーやサセプタと称する基体を支持するための部材の形状に関する改良が進められている。 Although a high quality deposited film is formed by such a deposited film forming apparatus, improvement in the shape of a member for supporting a substrate called a substrate holder or a susceptor has been promoted for further quality improvement. Yes.

特許文献１には、従来のサセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法が開示されている。特許文献１のサセプタは、半導体基板を支持するサセプタに半導体基板を位置決めする座ぐりと、座ぐり内で半導体基板の外周縁部を支持する支持部とを備えている。このサセプタは、支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部をさらに備えている。 Patent Document 1 discloses a conventional susceptor, semiconductor wafer manufacturing apparatus, and manufacturing method. The susceptor of Patent Document 1 includes a counterbore that positions the semiconductor substrate on the susceptor that supports the semiconductor substrate, and a support portion that supports the outer peripheral edge of the semiconductor substrate within the counterbore. The susceptor further includes a gas escape portion for letting the gas in the gap between the counterbore bottom face on the center side of the support portion and the semiconductor substrate to the main surface side of the susceptor.

また、特許文献２には、減圧下で処理を行う反応容器内の基体を保持する基体ホルダーと、基体を基体ホルダーの内部から加熱する加熱手段とを有する光受容部材の製造装置が開示されている。光受容部材の製造装置は、加熱手段により加熱される基体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成させる。この基体ホルダーは、基体ホルダーの内部に空洞部が形成され、かつ、空洞部から基体ホルダーの外表面へと貫通する少なくとも１つの開口が形成されている。 Patent Document 2 discloses a light receiving member manufacturing apparatus having a substrate holder for holding a substrate in a reaction vessel that performs processing under reduced pressure, and heating means for heating the substrate from the inside of the substrate holder. Yes. The light receiving member manufacturing apparatus forms a light receiving layer made of an amorphous material having silicon atoms as a base material on the surface of a substrate heated by a heating means. The base holder has a hollow portion formed in the base holder and at least one opening penetrating from the hollow portion to the outer surface of the base holder.

さらに、特許文献３には、基体上部をチャッキングし、基体洗浄を行うチャッキング機構が開示されている。また、特許文献４には、搬送容器内部において支持体上部を搬送用チャッキングにより保持する構成が開示されている。
特開２００４−１１９８５９号公報特開２００１−３２３３７８号公報特開平１１−１１９４４７号公報特許第３４９６９０３号公報 Further, Patent Document 3 discloses a chucking mechanism that chucks the upper part of the base and performs base cleaning. Patent Document 4 discloses a configuration in which the upper part of the support is held by transport chucking inside the transport container.
JP 2004-119859 A JP 2001-323378 A JP 11-119447 A Japanese Patent No. 3496903

上述した従来の真空処理方法、真空処理装置によれば、良好な堆積膜形成、即ち真空処理を行うことができる。しかしながら、真空処理を用いて生産された製品の品質に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の製品が生産可能な真空処理装置が求められるようになっている。 According to the conventional vacuum processing method and vacuum processing apparatus described above, it is possible to perform good deposited film formation, that is, vacuum processing. However, the level of market demand for the quality of products produced using vacuum processing is increasing day by day, and in order to meet this demand, a vacuum processing apparatus capable of producing higher quality products is required. .

近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に成される。そのため、画像上に白点或いは黒点等を引き起こす堆積膜の構造についても、従来以上の低減が求められている。 In recent years, digital electrophotographic devices and color electrophotographic devices, which have been widely used, often make copies of not only text originals but also photographs, pictures, design drawings, and the like. For this reason, the structure of the deposited film that causes white spots or black spots on the image is required to be reduced more than before.

このような堆積膜の構造の中には、堆積膜形成前から基体上に付着したダスト等の異物を起源として堆積膜が異常成長したものがある。そのため、堆積膜形成前の基体は厳密に洗浄され、クリーンルームなどのダスト管理された環境で反応容器内に運搬することにより、基体にダストが付着することを極力避けるようにしてきた。 Among the structures of such a deposited film, there is a structure in which the deposited film grows abnormally due to foreign matters such as dust adhering to the substrate before the deposited film is formed. For this reason, the substrate before the formation of the deposited film is strictly cleaned, and transported into the reaction vessel in a dust-controlled environment such as a clean room, so as to prevent dust from adhering to the substrate as much as possible.

また、堆積膜を形成した基体を設置している基体ホルダー表面には膜状の副生成物が堆積している。そのため、例えば炭化珪素や、アルミナなどの多角形状の研磨材、又は鉄、ステンレス鋼及び、ガラスなどの球形の研磨材を含む液体を噴射する液体ホーニング等の物理的作用により副生成物の除去が行われる。その後、洗浄工程、乾燥工程を経て再度、堆積膜の形成に使用される。 A film-like by-product is deposited on the surface of the substrate holder on which the substrate on which the deposited film is formed is installed. Therefore, for example, by-product removal is performed by physical action such as liquid honing for injecting a liquid containing a polygonal abrasive such as silicon carbide or alumina, or a spherical abrasive such as iron, stainless steel, or glass. Done. After that, it is used again for forming a deposited film through a cleaning process and a drying process.

一方、基体ホルダーは円筒状基体を設置したままチャッキング機構により搬送するために、チャッキングが可能な凹状のチャッキング部位を設けた複雑な形状をしている。そのため、例えば前記液体ホーニングに用いる研磨材などのダストが基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留する場合がある。 On the other hand, the base holder has a complicated shape provided with a concave chucking portion that can be chucked in order to be transported by the chucking mechanism with the cylindrical base body installed. Therefore, for example, dust such as an abrasive used for the liquid honing may remain in the concave chucking portion of the base holder.

基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材は、大気状態でチャッキング機構にチャッキングされた状態で搬送容器内に設置され減圧が行われる場合、堆積膜形成に伴い堆積膜の異常成長の起源となる場合がある。これは、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位はチャッキング機構によって塞がれた状態でも微小な隙間があるため、減圧時の圧力変化により生じる気流により隙間から搬送容器内に飛散して円筒状基体の表面に付着しうるためである。 When the abrasive remaining in the concave chucking part of the substrate holder is placed in the transfer container while being chucked by the chucking mechanism in the atmospheric state and decompression is performed, abnormal growth of the deposited film occurs as the deposited film is formed May be the origin of This is because the concave chucking portion of the base holder has a minute gap even when it is closed by the chucking mechanism, and the cylindrical base body is scattered from the gap into the transfer container by the air flow caused by the pressure change during decompression. This is because it can adhere to the surface of the film.

本発明の目的は、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材が円筒状基体の表面に付着することを防ぐことができる基体ホルダー及び真空容器を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate holder and a vacuum container that can prevent the abrasive remaining in the concave chucking portion of the substrate holder from adhering to the surface of a cylindrical substrate.

上記目的を達成するため、本発明の基体ホルダーは、円筒状基体を保持し、減圧可能な容器の内部に設置される基体ホルダーにおいて、前記円筒状基体の内周面に対向する位置に、前記円筒状基体の内周面との間に隙間をおいて配置された内部ホルダーと、前記円筒状基体の上方であって前記内部ホルダーの外周面に対向する位置に、前記内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されたキャップホルダーと、を有し、前記内部ホルダーの上部には、前記基体ホルダーを搬送する搬送装置に備えられたチャッキング機構によるチャッキングが可能であり、少なくとも一部に貫通孔が形成された凹状のチャッキング部位が構成されており、前記内部ホルダーの前記凹状のチャッキング部位の上端側と、前記内部ホルダーと前記キャップホルダー及び前記円筒状基体との間に形成された前記隙間の上端側とは、前記チャッキング機構が前記凹状のチャッキング部位にチャッキングされたときに前記チャッキング機構によって塞がれることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the substrate holder of the present invention is a substrate holder that holds a cylindrical substrate and is placed inside a container that can be depressurized, at a position facing the inner peripheral surface of the cylindrical substrate. An inner holder disposed with a gap between the inner peripheral surface of the cylindrical substrate and an outer peripheral surface of the inner holder at a position above the cylindrical substrate and facing the outer peripheral surface of the inner holder; A cap holder disposed with a gap therebetween, and an upper portion of the inner holder can be chucked by a chucking mechanism provided in a transport device for transporting the base holder, at least A concave chucking portion partially formed with a through hole is configured, and an upper end side of the concave chucking portion of the inner holder, the inner holder and the cap ho The upper end side of the gap formed between the slider and the cylindrical base is blocked by the chucking mechanism when the chucking mechanism is chucked at the concave chucking portion. And

本発明によれば、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材が円筒状基体の表面に付着することを防ぐことができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the abrasive remaining in the concave chucking portion of the base holder from adhering to the surface of the cylindrical base.

本発明者らは画像欠陥の原因となる堆積膜の構造欠陥の発生原因に関して鋭意検討を行った。その結果、円筒状基体を設置する基体ホルダーに残留した研磨材が円筒状基体の搬送工程で堆積膜が形成される円筒状基体の外周表面（以下、「主表面」とも記す。）に付着した研磨材を起源として堆積膜が異常成長することが判明した。 The present inventors diligently studied the cause of the structural defect of the deposited film that causes image defects. As a result, the abrasive remaining on the substrate holder on which the cylindrical substrate is placed adhered to the outer peripheral surface (hereinafter also referred to as “main surface”) of the cylindrical substrate on which the deposited film is formed in the cylindrical substrate transfer process. It was found that the deposited film grew abnormally from the abrasive.

本発明者らは、円筒状基体の主表面に研磨材が付着する原因に関して更に検討した。搬送工程において、基体ホルダーに設置した円筒状基体は搬送容器に設置して大気状態から真空の状態に減圧される。その際に、基体ホルダーと円筒状基体との空間に存在する大気が、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に付着した研磨材と共に一旦、円筒状基体の主表面側に流れて、排気されることが判明した。 The inventors further investigated the cause of the abrasive adhering to the main surface of the cylindrical substrate. In the transfer process, the cylindrical substrate set in the substrate holder is set in the transfer container and depressurized from the atmospheric state to the vacuum state. At that time, the air present in the space between the substrate holder and the cylindrical substrate is once exhausted by flowing to the main surface side of the cylindrical substrate together with the abrasive adhered to the concave chucking portion of the substrate holder. There was found.

本発明者らは、円筒状基体を設置する基体ホルダーの形状に関し鋭意検討した。そして、基体ホルダーに、円筒状基体内面との対向面よりも上部に搬送装置のチャッキング機構によりチャッキングが可能な凹状のチャッキング部位を設け、少なくとも凹状のチャッキング部位の少なくとも一部に貫通孔を設けた。これにより、減圧工程における大気の流れを円筒状基体の主表面側に流さないことが可能であり、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に付着した研磨材の円筒状基体主表面への付着防止が可能であることが分かった。 The present inventors diligently studied the shape of the substrate holder on which the cylindrical substrate is installed. The base holder is provided with a concave chucking portion that can be chucked by the chucking mechanism of the transfer device above the surface facing the inner surface of the cylindrical base body, and penetrates at least a part of the concave chucking portion. A hole was provided. As a result, it is possible to prevent the air flow in the decompression process from flowing to the main surface side of the cylindrical substrate, and to prevent the abrasive material adhering to the concave chucking portion of the substrate holder from adhering to the cylindrical substrate main surface. I found it possible.

基体ホルダーに設ける貫通孔の形状に関しては特に制約はなく、加工が容易な円形が望ましいが、貫通孔の形態をとらずに、大気が排気方向に向う経路が確保できる様な溝の形態でもかまわない。更に貫通孔又は溝の大きさに関しては、研磨材が通過可能なサイズであれば良く、円筒状基体を保持するための強度を損なわない範囲で選択すれば良い。 The shape of the through hole provided in the substrate holder is not particularly limited, and a circular shape that is easy to process is desirable. However, a groove shape that can secure a path for the atmosphere to the exhaust direction without using the through hole shape may be used. Absent. Further, the size of the through hole or groove may be any size as long as the abrasive can pass through, and may be selected within a range that does not impair the strength for holding the cylindrical substrate.

また、基体ホルダーに貫通孔を設ける位置に関しては、貫通孔は円筒状基体と対向しない位置に設けることが望ましい。基体ホルダーの円筒状基体が対向する面に設けた場合、基体ホルダー内部に設けたヒーターにより基体ホルダーを介して円筒状基体を加熱する。そのため、円筒状基体の貫通孔に対向する部位と貫通孔が無い部位の間に温度差が生じることで局所的な特性ムラが生じ、画像ムラが発生する場合があるためである。温度差は堆積膜形成時の反応容器内の圧力が高いほど顕著であるため、特性ムラは圧力が数十Ｐａ〜数百Ｐａの高い圧力領域で使用される１〜２０ＭＨｚのＲＦ帯の高周波電力を用いた堆積膜形成で顕著に生じる。 As for the position where the through hole is provided in the base holder, the through hole is preferably provided at a position not facing the cylindrical base. When the cylindrical substrate of the substrate holder is provided on the opposite surface, the cylindrical substrate is heated via the substrate holder by a heater provided inside the substrate holder. For this reason, local characteristic unevenness may occur due to a temperature difference between the portion facing the through hole of the cylindrical substrate and the portion without the through hole, and image unevenness may occur. Since the temperature difference becomes more conspicuous as the pressure in the reaction vessel is higher when forming the deposited film, the characteristic unevenness is high frequency power in the RF band of 1 to 20 MHz used in a high pressure region where the pressure is several tens to several hundreds Pa. This occurs remarkably in the formation of a deposited film using.

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、高周波プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の連続生産装置の一例を示す模式的な構成図である。図１に示す生産装置の構成は以下の通りである。この装置は大別すると、投入装置２１００、加熱装置２２００、反応装置２３００、冷却及び排出装置２４００、及びこれらの装置間で移動可能な搬送装置２５００を備えている。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a continuous production apparatus for an electrophotographic photosensitive member by a high-frequency plasma CVD method. The configuration of the production apparatus shown in FIG. 1 is as follows. This apparatus roughly includes a charging apparatus 2100, a heating apparatus 2200, a reaction apparatus 2300, a cooling and discharging apparatus 2400, and a transfer apparatus 2500 that can move between these apparatuses.

搬送装置２５００は、基体ホルダーを真空状態で搬送可能な真空搬送容器である搬送容器２５０２を備えている。搬送容器２５０２内には、基体ホルダーに設置された円筒状基体２５０８を掴むための爪及び、固定用の円盤、上下移動用シャフトで構成されたチャッキング機構２５０７が設けられている。 The transport apparatus 2500 includes a transport container 2502 that is a vacuum transport container that can transport the substrate holder in a vacuum state. In the transport container 2502, a chucking mechanism 2507 is provided that includes a claw for gripping a cylindrical base body 2508 installed in the base body holder, a fixing disk, and a vertically moving shaft.

加熱容器２２０２、反応容器２３０２、冷却及び排出容器２４０２、搬送容器２５０２は真空に減圧可能な円筒状縦型容器であり、それらの容器の各々には容器内を真空減圧する排気ポンプ２２０５、２３０５、２４０５、２５０５が設けられている。さらに、それらの容器の各々には、排気バルブ２２０３、２３０３、２４０３、２５０３、２５０９が設けられている。さらに、各容器には開閉ゲート２１０１、２２０１、２３０１、２４０１、２５０１が設置されている。搬送容器２５０２の開閉ゲート２５０１は、他の各容器の開閉ゲート２１０１、２２０１、２３０１、２４０１に接続可能になっている。 The heating container 2202, the reaction container 2302, the cooling and discharge container 2402, and the transport container 2502 are cylindrical vertical containers that can be depressurized to vacuum, and each of these containers has an exhaust pump 2205, 2305 that vacuum depressurizes the inside of the container. 2405 and 2505 are provided. Further, exhaust valves 2203, 2303, 2403, 2503, and 2509 are provided in each of these containers. In addition, open / close gates 2101, 2201, 2301, 2401, 2501 are installed in each container. The open / close gate 2501 of the transfer container 2502 can be connected to the open / close gates 2101, 2012, 2301, and 2401 of other containers.

投入容器２１０２には開閉ゲート２１０１が設けられている。投入容器２１０２内には、その内部を大気状態としたまま円筒状基体２５０８が設置される。加熱容器２２０２には加熱時に使用するガスを流入させる補助バルブ２２０４が設けられており、冷却及び排出容器２４０２には容器内を大気に戻すためのリークバルブ２４０４が設けられている。反応容器２３０２には、反応ガス流出バルブ２３０４、２３０６、高周波マッチングボックス（不図示）、及び高周波電源（不図示）が接続されている。 The charging container 2102 is provided with an open / close gate 2101. In the charging container 2102, a cylindrical base body 2508 is installed with the inside being in an atmospheric state. The heating vessel 2202 is provided with an auxiliary valve 2204 for allowing a gas used during heating to flow in. The cooling and discharge vessel 2402 is provided with a leak valve 2404 for returning the inside of the vessel to the atmosphere. The reaction vessel 2302 is connected to reaction gas outlet valves 2304 and 2306, a high-frequency matching box (not shown), and a high-frequency power source (not shown).

搬送容器２５０２には、容器内を真空に減圧するための排気バルブ２５０３、ゲート間を真空に減圧するための排気バルブ２５０９、ゲート間を大気圧に戻すためのリークバルブ２５０４が設けられている。さらに、搬送容器２５０２には、基体ホルダーに設置された円筒状基体２５０８を移動させるためのチャッキング機構２５０７が設けられている。搬送装置２５００は、移動用レール２５０６の上を移動可能である。 The transfer container 2502 is provided with an exhaust valve 2503 for reducing the pressure inside the container to a vacuum, an exhaust valve 2509 for reducing the pressure between the gates to a vacuum, and a leak valve 2504 for returning the pressure between the gates to atmospheric pressure. Further, the transport container 2502 is provided with a chucking mechanism 2507 for moving the cylindrical base 2508 installed on the base holder. The transfer device 2500 can move on the moving rail 2506.

投入容器２１０２、加熱容器２２０２、反応容器２３０２、冷却及び取り出し容器２４０２の数は、それぞれの処理時間に応じた組み合わせが選択される。また、搬送容器２５０２は、同時に複数の基体を移送出来るように複数設ける事も可能である。また、移動用レール２５０６の形体は直線でもよいし、円でもよい。 The number of the input containers 2102, the heating containers 2202, the reaction containers 2302, and the cooling and extraction containers 2402 is selected in accordance with the processing time. A plurality of transfer containers 2502 can be provided so that a plurality of substrates can be transferred simultaneously. Further, the shape of the moving rail 2506 may be a straight line or a circle.

このような装置を用いた連続生産は、例えば以下のように行われる。 Continuous production using such an apparatus is performed as follows, for example.

作業者が投入容器２１０２に円筒状基体２５０８を設置した後に、自動搬送専用の搬送容器２５０２が、投入容器２１０２上に移動し、更に下降して、開閉ゲート２５０１が開閉ゲート２１０１に接続する。 After the operator installs the cylindrical base body 2508 in the charging container 2102, the dedicated transport container 2502 moves onto the charging container 2102 and further descends, and the open / close gate 2501 is connected to the open / close gate 2101.

双方の開閉ゲート２５０１、２１０１を開き、円筒状基体２５０８をチャッキング機構２５０７により搬送容器２５０２内に移動させた後、双方の開閉ゲートを閉じ、搬送容器２５０２を所定の位置まで上昇させる。 Both the open / close gates 2501 and 2101 are opened, and the cylindrical base 2508 is moved into the transfer container 2502 by the chucking mechanism 2507. Then, both open / close gates are closed and the transfer container 2502 is raised to a predetermined position.

この状態で搬送容器２５０２内を搬送容器２５０２の下部側から排気ポンプ２５０５及び排気バルブ２５０３によって排気し、大気圧から２.６７ｋＰａ以下の所定の真空度になるまで減圧する。 In this state, the inside of the transfer container 2502 is evacuated from the lower side of the transfer container 2502 by the exhaust pump 2505 and the exhaust valve 2503, and the pressure is reduced to a predetermined vacuum level of 2.67 kPa or less from the atmospheric pressure.

所定の真空度に到達した時点で、搬送容器２５０２を、排気バルブ２２０３及び排気ポンプ２２０５により予め真空保持した加熱容器２２０２に移送する。 When a predetermined degree of vacuum is reached, the transfer container 2502 is transferred to the heating container 2202 that has been vacuum-held in advance by the exhaust valve 2203 and the exhaust pump 2205.

加熱用ガスを補助バルブ２２０４から所定の圧力になるまで加熱容器２２０２内に供給し、容器内に設置されているヒーター（不図示）を用いて円筒状基体２５０８を所定の温度に加熱する。 A heating gas is supplied into the heating container 2202 from the auxiliary valve 2204 until a predetermined pressure is reached, and the cylindrical substrate 2508 is heated to a predetermined temperature using a heater (not shown) installed in the container.

加熱された円筒状基体２５０８は、搬送容器２５０２を用いて、排気バルブ２３０３及び排気ポンプ２３０５により予め真空保持した何れかの反応容器２３０２内へ移送される。そして、反応容器２３０２内で所定の手段により円筒状基体２５０８上に堆積膜を形成する。その後、円筒状基体２５０８は排気バルブ２４０３及び排気ポンプ２４０５により予め真空保持された冷却及び排出容器２４０２に移送され、所定の温度になるまで冷却される。そして、容器２４０２内が大気圧になるまでリーク用ガスをリークバルブ２４０４から流した後、容器２４０２内から円筒状基体２５０８を搬出する。 The heated cylindrical substrate 2508 is transferred into one of the reaction vessels 2302 that has been vacuum-held in advance by the exhaust valve 2303 and the exhaust pump 2305 using the transfer container 2502. Then, a deposited film is formed on the cylindrical substrate 2508 by a predetermined means in the reaction vessel 2302. Thereafter, the cylindrical base body 2508 is transferred to a cooling and discharging container 2402 that has been previously held in vacuum by an exhaust valve 2403 and an exhaust pump 2405, and is cooled to a predetermined temperature. After leaking gas from the leak valve 2404 until the inside of the container 2402 reaches atmospheric pressure, the cylindrical substrate 2508 is carried out of the container 2402.

加熱容器２２０２、反応容器２３０２、冷却及び排出容器２４０２と搬送容器２５０２との間での円筒状基体２５０８の受け渡しの際には、まず、搬送装置２５００が所定の容器上に移動し、開閉ゲート２５０１を所定の開閉ゲート２２０１〜２４０１に接続させる。 When the cylindrical substrate 2508 is transferred between the heating container 2202, the reaction container 2302, the cooling / discharge container 2402, and the transport container 2502, first, the transport device 2500 moves onto a predetermined container, and the open / close gate 2501. Are connected to predetermined open / close gates 2201 to 2401.

その後、排気ポンプ２５０５及び排気バルブ２５０９にて開閉ゲート間を真空にする。なお、反応容器２５０２内が所定の真空度で無い場合は、排気バルブ２５０３にて減圧を行う。 After that, the exhaust pump 2505 and the exhaust valve 2509 are evacuated. If the inside of the reaction vessel 2502 is not at a predetermined degree of vacuum, the exhaust valve 2503 is used to reduce the pressure.

開閉ゲート間が所定の真空度に到達した段階で、双方の開閉ゲートを開き、円筒状基体２５０８の受け渡しを行う。受け渡し終了後、双方の開閉ゲートは閉じられ、開閉ゲート間リークバルブ２５０４からリーク用ガスを流し、ゲート間を大気圧にする。その後、搬送容器２５０２の開閉ゲート２５０１は切り離され、搬送装置２５００は次工程へ移動する。 When the predetermined degree of vacuum is reached between the open / close gates, both open / close gates are opened, and the cylindrical substrate 2508 is delivered. After the delivery is completed, both the open / close gates are closed, and a leak gas is caused to flow from the open / close gate leak valve 2504 to bring the gate to atmospheric pressure. Thereafter, the open / close gate 2501 of the transfer container 2502 is disconnected, and the transfer device 2500 moves to the next process.

なお、基体ホルダーに設置された円筒状基体２５０８の受け渡しはチャッキング機構２５０７を用いて行われる。これらの工程は全て自動制御によって行われる。 Note that the delivery of the cylindrical base 2508 installed in the base holder is performed using a chucking mechanism 2507. All these processes are performed by automatic control.

次に、堆積膜の形成方法について、図２に示す堆積膜形成装置の模式的な構成図を参照して更に詳細に説明する。 Next, the deposited film forming method will be described in more detail with reference to the schematic configuration diagram of the deposited film forming apparatus shown in FIG.

なお、図２では受け台ホルダー３１２４を用いた構成で説明するが、受け台ホルダー３１２４を設けずに内部ホルダー３１２３が受け台ホルダー３１２４を兼ねた構成であってもよい。 In FIG. 2, the structure using the cradle holder 3124 is described. However, the structure may be such that the internal holder 3123 also serves as the cradle holder 3124 without providing the cradle holder 3124.

図２に示す装置は、大別すると、反応装置３１００、原料ガス供給装置３２００、及び反応装置３１００内を減圧するための排気装置（不図示）を備えている。反応装置３１００内は、開閉ゲート３１１０及び底板３１２６から絶縁部材３１２１によって絶縁された高周波電極３１１１で構成されている。反応装置３１００内には、アースに接続された円筒状基体３１１２、円筒状基体の加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が設置されている。高周波電極３１１１には、高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。 The apparatus shown in FIG. 2 is roughly provided with a reaction apparatus 3100, a raw material gas supply apparatus 3200, and an exhaust apparatus (not shown) for depressurizing the inside of the reaction apparatus 3100. The reactor 3100 includes a high-frequency electrode 3111 insulated from the open / close gate 3110 and the bottom plate 3126 by an insulating member 3121. In the reactor 3100, a cylindrical substrate 3112 connected to the ground, a heater 3113 for heating the cylindrical substrate, and a source gas introduction pipe 3114 are installed. A high frequency power source 3120 is connected to the high frequency electrode 3111 via a high frequency matching box 3115.

図２に示す装置を用いて、例えば、アモルファスシリコン電子写真感光体を作成するには以下のようにして行う。 For example, an amorphous silicon electrophotographic photosensitive member is produced as follows using the apparatus shown in FIG.

原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＣＦ₄等の原料ガスボンベ３２２１〜３２２６と、バルブ３２３１〜３２３６、３２４１〜３２４６、３２５１〜３２５６及びマスフローコントローラー３２１１〜３２１６を有している。各構成ガスのボンベは、補助バルブ３２１０及びガス供給配管３１１６を介して反応装置３１００内のガス導入管３１１４に接続されている。 The source gas supply device 3200 includes source gas cylinders 3221 to 3226 such as SiH ₄ , H ₂ , CH ₄ , NO, B ₂ H ₆ , and CF ₄ , valves 3231 to 3236, 3241 to 3246, 3251 to 3256, and a mass flow controller 3211. ~ 3216. The cylinders of the constituent gases are connected to a gas introduction pipe 3114 in the reaction apparatus 3100 via an auxiliary valve 3210 and a gas supply pipe 3116.

円筒状基体３１１２は内部ホルダー３１２３の下部に設置された受け台ホルダー３１２４の上に設置され、更に円筒状基体３１１２上部にはキャップホルダー３１２５が設置されている。 The cylindrical substrate 3112 is installed on a cradle holder 3124 installed at the lower part of the internal holder 3123, and a cap holder 3125 is installed at the upper part of the cylindrical substrate 3112.

内部ホルダー３１２３、受け台ホルダー３１２４、キャップホルダー３１２５は導電性部材で構成されている。導電性材料からなる円筒状基体３１１２は内部ホルダー３１２３を介してアースに接続されている。 The inner holder 3123, the cradle holder 3124, and the cap holder 3125 are made of a conductive member. A cylindrical base 3112 made of a conductive material is connected to the ground via an internal holder 3123.

不図示の排気手段により真空に減圧された反応装置３１００内に所定の温度に加熱された円筒状基体３１１２を搬送容器（図示せず）により開閉ゲート３１１０を介して設置する。 A cylindrical substrate 3112 heated to a predetermined temperature is placed in a reactor 3100 that has been depressurized to a vacuum by an evacuation unit (not shown) through a gate (not shown) via an open / close gate 3110.

続いて、円筒状基体加熱用ヒーター３１１３により円筒状基体３１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。次いで、原料ガスを反応装置３１００内に流入させる前に、ガスボンベのバルブ３２３１〜３２３６及び反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられていることを確認する。また、流入バルブ３２４１〜３２４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２１０が開かれていることを確認する。そして、メインバルブ３１１８を開いて反応装置３１００及びガス供給配管３１１６を排気する。 Subsequently, the temperature of the cylindrical substrate 3112 is controlled to a desired temperature of 20 ° C. to 500 ° C. by the heater 3113 for heating the cylindrical substrate. Next, before the source gas is allowed to flow into the reactor 3100, it is confirmed that the gas cylinder valves 3231 to 2236 and the reaction vessel leak valve 3117 are closed. Further, it is confirmed that the inflow valves 3241 to 3246, the outflow valves 3251 to 3256, and the auxiliary valve 3210 are opened. Then, the main valve 3118 is opened, and the reactor 3100 and the gas supply pipe 3116 are exhausted.

その後、真空計３１１９の値が０．７Ｐａになった時点で補助バルブ３２１０と流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後、バルブ３２３１〜３２３６を開いてガスボンベ３２２１〜３２２６から各ガスを導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を所定の圧力に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入する。 Thereafter, the auxiliary valve 3210 and the outflow valves 3251 to 3256 are closed when the value of the vacuum gauge 3119 reaches 0.7 Pa. Thereafter, the valves 3231 to 3236 are opened to introduce the respective gases from the gas cylinders 3221 to 3226, and the respective gas pressures are adjusted to predetermined pressures by the pressure regulators 3261 to 3266. Next, the inflow valves 3241 to 3246 are gradually opened to introduce the respective gases into the mass flow controllers 3211 to 2216.

以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体３１１２上に、まず電荷注入阻止層の形成を行う。 After completing the preparation for film formation by the above procedure, a charge injection blocking layer is first formed on the cylindrical substrate 3112.

即ち、円筒状基体３１１２が所望の温度になったところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要なものと補助バルブ３２１０とを徐々に開く。これにより、各ガスボンベ３２２１〜３２２６から所望の原料ガスをガス導入管３１１４を介して反応装置３１００内に導入する。次に、各マスフローコントローラー３２１１〜３２１６によって、各原料ガスが所望の流量になるように調整する。その際、反応装置３１００内が１３３Ｐａ以下の所望の圧力になるように、真空計３１１９を見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源３１２０を所望の電力に設定して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電極３１１１に供給し、高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応装置３１００内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状基体３１１２上に所望の珪素原子を主成分とする電荷注入阻止層が堆積される。 That is, when the cylindrical base body 3112 reaches a desired temperature, necessary ones of the outflow valves 3251 to 3256 and the auxiliary valve 3210 are gradually opened. As a result, a desired source gas is introduced from the gas cylinders 3221 to 3226 into the reaction device 3100 via the gas introduction pipe 3114. Next, each mass flow controller 3211 to 3216 is adjusted so that each source gas has a desired flow rate. At that time, the opening of the main valve 3118 is adjusted while looking at the vacuum gauge 3119 so that the inside of the reaction device 3100 has a desired pressure of 133 Pa or less. When the internal pressure is stabilized, the high-frequency power source 3120 is set to a desired power, and for example, high-frequency power of 13.56 MHz is supplied to the high-frequency electrode 3111 via the high-frequency matching box 3115 to cause a high-frequency glow discharge. Each material gas introduced into the reaction device 3100 is decomposed by this discharge energy, and a charge injection blocking layer containing a desired silicon atom as a main component is deposited on the cylindrical substrate 3112.

所望の膜厚の電荷注入阻止層の形成が行われた後、反応装置３１００内に供給する原料ガスを光導電層の形成に必要な原料ガスに切り換えて所望の膜厚の形成を行う。その後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反応装置３１００への各原料ガスの流入を止め、光導電層の形成を終える。 After the charge injection blocking layer having a desired thickness is formed, the source gas supplied into the reaction device 3100 is switched to the source gas necessary for forming the photoconductive layer to form the desired thickness. Thereafter, the supply of high-frequency power is stopped, the outflow valves 3251 to 3256 are closed, the inflow of each raw material gas into the reaction apparatus 3100 is stopped, and the formation of the photoconductive layer is completed.

上記光導電層上に表面層を形成する場合も基本的には上記の操作を繰り返せばよく、反応装置３１００内の原料ガスを排気した後、反応装置３１００内に供給する原料ガスを表面層に必要な原料ガスに切り換えて反応装置３１００内に流す。所定の内圧に調整した後に前層と同様の操作により所望の膜厚の表面層を形成すればよい。 When the surface layer is formed on the photoconductive layer, basically, the above operation may be repeated. After the source gas in the reactor 3100 is exhausted, the source gas supplied into the reactor 3100 is supplied to the surface layer. Switch to the required source gas and let it flow into the reactor 3100. After adjusting to a predetermined internal pressure, a surface layer having a desired film thickness may be formed by the same operation as the previous layer.

表面層の膜厚としては、通常０.０１μｍ〜３μｍ、好適には０.０５μｍ〜２μｍ、最適には０.１μｍ〜１μｍが望ましい。膜厚が０.０１μｍよりも薄いと電子写真感光体としての機械的強度が損なわれる場合がある。また表面層の膜厚が３μｍを越えると残留電位の増加など、電子写真特性が損なわれる場合がある。 The thickness of the surface layer is usually 0.01 μm to 3 μm, preferably 0.05 μm to 2 μm, and most preferably 0.1 μm to 1 μm. If the film thickness is less than 0.01 μm, the mechanical strength as an electrophotographic photosensitive member may be impaired. On the other hand, if the thickness of the surface layer exceeds 3 μm, electrophotographic characteristics may be impaired such as an increase in residual potential.

図３から図７は、本実施形態の基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は概略断面図であり、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は平面図である。ただし、それらの平面図ではチャッキング機構は不図示とした。 3 to 7 are schematic views showing a state in which the base holder of this embodiment is chucked by a chucking mechanism including a disk, a shaft, and a claw. 3 (a), 4 (a), 5 (a), 6 (a), and 7 (a) are schematic cross-sectional views, and FIG. 3 (b), FIG. 4 (b), and FIG. (B), FIG. 6 (b), and FIG. 7 (b) are plan views. However, the chucking mechanism is not shown in these plan views.

図３、図４、図６、図７に示した基体ホルダーは、内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２、受け台ホルダー１０３、４０３、６０３、７０３、キャップホルダー１０４、４０４、６０４、７０４を有している。これらの図に示す基体ホルダーは、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１を受け台ホルダー１０３、４０３、６０３、７０３の上に設置する構成を有している。内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２は、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１の内周面に対向する位置に、円筒状基体の内周面との間に隙間をおいて配置されている。キャップホルダー１０４、４０４、６０４、７０４は、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１の上方であって内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２の外周面に対向する位置に、内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されている。また、受け台ホルダー１０３、４０３、６０３、７０３は、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１の下方であって内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２の外周面に対向する位置に、内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されている。 The substrate holder shown in FIGS. 3, 4, 6, and 7 has inner holders 102, 402, 602, 702, cradle holders 103, 403, 603, 703, and cap holders 104, 404, 604, 704. is doing. The substrate holder shown in these drawings has a configuration in which the cylindrical substrates 101, 401, 601, and 701 are installed on the receiving holders 103, 403, 603, and 703. The inner holders 102, 402, 602, 702 are disposed at a position facing the inner peripheral surface of the cylindrical base body 101, 401, 601, 701 with a gap between the inner holder 102, 402, 602, 702 and the inner peripheral surface of the cylindrical base body. . The cap holders 104, 404, 604, and 704 are located above the cylindrical bases 101, 401, 601, and 701 and at positions facing the outer peripheral surfaces of the inner holders 102, 402, 602, and 702, Are arranged with a gap between them. The cradle holders 103, 403, 603, and 703 are located below the cylindrical base bodies 101, 401, 601, and 701 at positions facing the outer peripheral surfaces of the inner holders 102, 402, 602, and 702. It arrange | positions with the clearance gap between outer peripheral surfaces.

図５に示した基体ホルダーは、受け台ホルダーを設けずに内部ホルダー５０２とキャップホルダー５０４とで円筒状基体５０１を支持する構成になっている。図５に示す基体ホルダーは、内部ホルダー５０２下部が受け台ホルダーを兼ねる形状となっており、円筒状基体５０１を円筒状ホルダー５０２に直接設置する構成となっている。 The base holder shown in FIG. 5 is configured to support the cylindrical base 501 with an internal holder 502 and a cap holder 504 without providing a cradle holder. The base holder shown in FIG. 5 has a configuration in which the lower part of the inner holder 502 also serves as a cradle holder, and the cylindrical base 501 is directly installed on the cylindrical holder 502.

円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１、７０１は、上記のように構成された基体ホルダーに設置され、チャッキング機構により固定されて搬送容器（不図示）内に大気状態で設置され、その後、搬送容器内は所定の圧力になるまで減圧される。チャッキング機構は、シャフト１０６、４０６、５０６、６０６、７０６、爪１０７、４０７、５０７、６０７、７０７、及び円盤１０５、４０５、５０５、６０５、７０５で構成されている。圧力が所定の値になったところで、基体ホルダーに設置した円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１、７０１は、減圧状態で真空搬送される。 The cylindrical substrates 101, 401, 501, 601 and 701 are installed on the substrate holder configured as described above, fixed by a chucking mechanism, and installed in an atmospheric state in a transfer container (not shown). The inside of the transport container is depressurized until a predetermined pressure is reached. The chucking mechanism includes shafts 106, 406, 506, 606, 706, claws 107, 407, 507, 607, 707, and disks 105, 405, 505, 605, 705. When the pressure reaches a predetermined value, the cylindrical substrates 101, 401, 501, 601, and 701 installed in the substrate holder are vacuum-conveyed in a reduced pressure state.

内部ホルダー１０２、４０２、５０２、６０２、７０２の上部の凹状のチャッキング部位には貫通孔１０９、４０９、５０９、６０９、７０９が設けられている。特に図３に示す構成では、内部ホルダー１０２のキャップホルダー１０４に対向する部分に貫通孔１０９が形成されている。さらに、内部ホルダー１０２の下部には貫通孔１０９が設けられている。また、図４，５に示す内部ホルダー４０２、５０２の下部には溝４１０、５１０が設けられている。 Through holes 109, 409, 509, 609, and 709 are provided in the concave chucking portions at the top of the inner holders 102, 402, 502, 602, and 702. In particular, in the configuration shown in FIG. 3, a through hole 109 is formed in a portion of the inner holder 102 that faces the cap holder 104. Further, a through hole 109 is provided in the lower part of the inner holder 102. Further, grooves 410 and 510 are provided in the lower part of the inner holders 402 and 502 shown in FIGS.

チャッキング機構が内部ホルダー上部の凹状のチャッキング部位にチャッキングされたとき、凹状のチャッキング部位の上端側と、内部ホルダーとキャップホルダー及び円筒状基体との間に形成された隙間の上端側とはチャッキング機構によって塞がれる。より具体的には、凹状のチャッキング部位の上端側及び上記隙間空間の上端側は、チャッキング機構の円盤１０５、４０５、５０５、６０５、７０５で塞がれた状態となる。 When the chucking mechanism is chucked in the concave chucking portion on the upper part of the inner holder, the upper end side of the concave chucking portion and the upper end side of the gap formed between the inner holder, the cap holder and the cylindrical base body Is blocked by a chucking mechanism. More specifically, the upper end side of the concave chucking portion and the upper end side of the gap space are closed by the disks 105, 405, 505, 605, and 705 of the chucking mechanism.

しかしながら、内部ホルダー１０２、４０２、５０２、６０２、７０２の凹状のチャッキング部位に付着した研磨材１０８、４０８、５０８、６０８、７０８は、減圧工程で気体と共に排気方向に排出される。すなわち、これら研磨材は、円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１と内部ホルダー１０２、４０２、５０２、６０２との間の隙間と、内部ホルダー４０２、６０２、７０２の内側とを、矢印で示した排気経路を通って排出される。 However, the abrasives 108, 408, 508, 608, 708 adhering to the concave chucking portions of the inner holders 102, 402, 502, 602, 702 are discharged together with the gas in the exhaust direction in the decompression process. That is, in these abrasives, the gaps between the cylindrical base bodies 101, 401, 501, 601 and the inner holders 102, 402, 502, 602 and the inner sides of the inner holders 402, 602, 702 are indicated by arrows. It is discharged through the exhaust path.

なお、液体ホーニングの研磨材や円筒状基体１０１、４０１を内部ホルダー１０２、４０２に設置する際の摺擦により発生した微小な金属粉等のダストが内部ホルダー１０２、４０２の外周側面に付着する可能性がある。しかし、円筒状基体１０１，４０１の下方である内部ホルダー１０２、４０２の下部に設けた貫通孔１０９及び溝４１０によって排出経路が形成されている。排気経路は、内部ホルダー１０２と、キャップホルダー１０４、４０４、円筒状基体１０１、４０１及び受け台ホルダー１０３、４０３との間に形成された隙間から基体ホルダーの底面に延びている。そのため、特に図３及び図４に示した基体ホルダーでは、気体が上記の隙間から排気経路を通って基体ホルダーの下端部から排気方向へ排気される。そのため、円盤１０５、４０５とキャップホルダー１０４、４０４との接触面からダストが気体と共に円筒状基体１０１、４０１の主表面側に飛散することがない。 It should be noted that dust such as fine metal powder generated by rubbing when the honing material for liquid honing and the cylindrical substrates 101 and 401 are installed on the inner holders 102 and 402 can adhere to the outer peripheral side surfaces of the inner holders 102 and 402. There is sex. However, a discharge path is formed by the through hole 109 and the groove 410 provided in the lower part of the inner holders 102 and 402 below the cylindrical base bodies 101 and 401. The exhaust path extends from the gap formed between the inner holder 102, the cap holders 104 and 404, the cylindrical base bodies 101 and 401, and the cradle holders 103 and 403 to the bottom surface of the base holder. Therefore, in particular, in the substrate holder shown in FIGS. 3 and 4, gas is exhausted from the lower end portion of the substrate holder in the exhaust direction through the exhaust path from the gap. Therefore, dust does not scatter from the contact surface between the disks 105 and 405 and the cap holders 104 and 404 to the main surface side of the cylindrical base bodies 101 and 401 together with the gas.

なお、基体ホルダーは上述した各真空容器の内部に直立に設置され、各々の真空容器は直立に設置された基体ホルダーの方に容器内の排気を行うための排気口が形成されている。これにより、研磨材１０８、４０８、５０８、６０８、７０８が円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１、７０１の主表面に付着することをより効果的に防止することができる。 The base holder is installed upright in each of the vacuum containers described above, and each vacuum container is formed with an exhaust port for exhausting the inside of the container toward the base holder installed upright. Thereby, it is possible to more effectively prevent the abrasives 108, 408, 508, 608, and 708 from adhering to the main surfaces of the cylindrical substrates 101, 401, 501, 601 and 701.

図８は従来の基体ホルダーを円盤８０５、シャフト８０６、爪８０７で構成されたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。図８（ａ）はその概略断面図であり、図８（ｂ）はその上視図である。 FIG. 8 is a schematic view showing a state where a conventional base holder is chucked by a chucking mechanism including a disk 805, a shaft 806, and a claw 807. FIG. FIG. 8A is a schematic sectional view thereof, and FIG. 8B is a top view thereof.

円筒状基体８０１は、内部ホルダー８０２、受け台ホルダー８０３、キャップホルダー８０４で構成された基体ホルダーに設置されている。基体ホルダーは、シャフト８０６、爪８０７と円盤８０５で構成されたチャッキング機構によって固定され、搬送容器（不図示）内に大気状態で設置され、その後、搬送容器内は所定の圧力になるまで減圧される。圧力が所定の値になったところで、基体ホルダーに設置された円筒状基体８０１は減圧状態で真空搬送される。 The cylindrical base body 801 is installed in a base body holder constituted by an internal holder 802, a cradle holder 803, and a cap holder 804. The substrate holder is fixed by a chucking mechanism including a shaft 806, a claw 807, and a disk 805, and is installed in a transport container (not shown) in an atmospheric state. Thereafter, the transport container is depressurized until a predetermined pressure is reached. Is done. When the pressure reaches a predetermined value, the cylindrical substrate 801 installed in the substrate holder is vacuum-conveyed in a reduced pressure state.

大気状態から減圧する工程において、内部ホルダー８０２の凹状のチャッキング部位に付着した研磨材８０８が、気体と共に基体ホルダーと円盤８０５との隙間から矢印で示した排出経路で円筒状基体８０１の主表面側を通り、排気方向に排出される。 In the step of reducing the pressure from the atmospheric state, the abrasive 808 adhering to the concave chucking portion of the inner holder 802 is discharged along with the gas from the gap between the base holder and the disk 805 through the discharge path indicated by the arrow, and the main surface of the cylindrical base 801. It passes through the side and is discharged in the exhaust direction.

さらに、チャッキング機構に関して図８を参照して詳しく説明する。 Further, the chucking mechanism will be described in detail with reference to FIG.

シャフト８０６には２本の爪８０７が対称な位置に設けられており、２本の爪８０７はシャフト８０６に収納された状態で円筒状基体８０１が設置された内部ホルダー８０２上部の凹状のチャッキング部位まで下降する。 The shaft 806 is provided with two claws 807 at symmetrical positions, and the two claws 807 are housed in the shaft 806 and have a concave chucking at the top of the internal holder 802 in which the cylindrical base 801 is installed. Go down to the site.

内部ホルダー８０２をチャッキング可能な所定の位置まで下降した段階で２本の爪８０７が開き、内部ホルダー８０２の凹状のチャッキング部位の上端部が爪８０７と円盤８０５により固定され、チャッキング工程が完了する。 When the internal holder 802 is lowered to a predetermined position where chucking can be performed, the two claws 807 are opened, and the upper end portion of the concave chucking portion of the internal holder 802 is fixed by the claws 807 and the disk 805. Complete.

なお、図８を参照してチャッキング機構の説明を行ったが、図３〜図７に示したいずれのチャッキング機構も図８と同様に動作する。 Although the chucking mechanism has been described with reference to FIG. 8, any of the chucking mechanisms shown in FIGS. 3 to 7 operates in the same manner as in FIG.

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these.

（実施例１）
図７に示す構成の基体ホルダーに直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置し、図２の堆積膜形成装置を用いた図１に示す構成の連続生産装置によって、表１に示す条件でアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。 Example 1
A cylindrical aluminum cylinder having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm is installed in the substrate holder having the configuration shown in FIG. 7, and the conditions shown in Table 1 are obtained by the continuous production apparatus having the configuration shown in FIG. 1 using the deposited film forming apparatus shown in FIG. Amorphous silicon electrophotographic photosensitive member was prepared.

本実施例では、大気状態からの減圧は、搬送容器２５０２内に円筒状アルミニウムシリンダー２５０８を設置し、チャッキング機構２５０７でチャッキング状態のままで大気状態から排気バルブ２５０９及び排気ポンプ２５０５によって減圧を行った。そして、１５分後に２.６７ｋＰａに達する排気速度となるように排気バルブ２５０９の調整を行った。 In this embodiment, the atmospheric pressure is reduced by installing a cylindrical aluminum cylinder 2508 in the transfer container 2502 and maintaining the chucking mechanism 2507 in the chucked state from the atmospheric state by the exhaust valve 2509 and the exhaust pump 2505. went. Then, the exhaust valve 2509 was adjusted so that the exhaust speed reached 2.67 kPa after 15 minutes.

本実施例では、図７の基体ホルダーに、内部ホルダー７０２の凹状のチャッキング部位中央に直径５ｍｍの穴を図に示す方向に１箇所設けた。 In this example, a hole having a diameter of 5 mm was provided in the base holder shown in FIG. 7 at the center of the concave chucking portion of the inner holder 702 in the direction shown in the figure.

基体ホルダーは堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。 As the substrate holder, a substrate holder having a history of repeating the deposited film forming process, the liquid honing process, the cleaning process, and the drying process 10 times was used.

作製した電子写真感光体を電子写真装置（主帯電器の電流値及び前露光量、像露光量が調整可能な様に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットして電位特性の評価を行った。その際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光量（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃの条件で画像評価を以下の方法で実施した。 The produced electrophotographic photosensitive member was set in an electrophotographic apparatus (a Canon iR5000 modified so that the current value, pre-exposure amount, and image exposure amount of the main charger can be adjusted), and the potential characteristics were evaluated. At that time, image evaluation was performed by the following method under the conditions of a process speed of 265 mm / sec and a pre-exposure amount (LED having a wavelength of 660 nm) of 4 lux · sec.

［画像評価］
電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定した。そして、電子写真感光体の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整した後、Ａ３サイズの記録紙に全面が均一な黒画像を出力する。 [Image evaluation]
The surface potential of the photoreceptor was measured with no image exposure (semiconductor laser with a wavelength of 655 nm) irradiated by a potential sensor of a surface potentiometer (Model 344 manufactured by TREK) set at the position of the developing unit of the electrophotographic apparatus. Then, the current value of the main charger is adjusted so that the surface potential of the electrophotographic photosensitive member is 400 V (dark potential), and then a black image with a uniform entire surface is output on an A3 size recording sheet.

次に、Ａ３サイズの全面が均一な黒画像のドラム一周分に相当する領域内に発生しているφ０．１ｍｍ以上の白点の数をカウントした。 Next, the number of white spots with a diameter of 0.1 mm or more generated in an area corresponding to one round of the drum of a black image having a uniform A3 size was counted.

実施例１及び比較例１の評価結果を表２に示す。画像評価は、比較例１のφ０．１ｍｍ以上の白点の数を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど良好であることを示す。 The evaluation results of Example 1 and Comparative Example 1 are shown in Table 2. The image evaluation is a relative comparison in which the number of white spots of φ0.1 mm or more in Comparative Example 1 is 100. Therefore, it shows that it is so favorable that a numerical value is small.

＜比較例１＞
図８に示す構成の貫通孔を設けない基体ホルダーを用いること以外は、実施例１と同様にしてアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。 <Comparative Example 1>
An amorphous silicon electrophotographic photosensitive member was produced in the same manner as in Example 1 except that a base holder having no through hole having the configuration shown in FIG. 8 was used.

比較例１で作成した電子写真感光体に対し、φ０．１ｍｍ以上の白点の数を実施例１と同様の方法で評価した。比較例１の結果を表２に示す。 With respect to the electrophotographic photosensitive member produced in Comparative Example 1, the number of white spots of φ0.1 mm or more was evaluated by the same method as in Example 1. The results of Comparative Example 1 are shown in Table 2.

以上の結果から、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、凹状のチャッキング部位に貫通孔を設けることにより、画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。 From the above results, it was found that an electrophotographic photosensitive member with good image evaluation can be obtained by providing a through-hole in the concave chucking portion even if an abrasive is present in the concave chucking portion of the inner holder. .

（実施例２）
図６に示す構成の基体ホルダーを用いること以外は実施例１と同様にしてアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。 (Example 2)
An amorphous silicon electrophotographic photosensitive member was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate holder having the structure shown in FIG. 6 was used.

本実施例では、図６の基体ホルダーに、内部ホルダー６０２の凹状チャッキング部位及び円筒状基体６０１よりも上部に直径５ｍｍの穴を上下８箇所の計１６個所、円周上に等間隔で図６（ｂ）に示す方向に設けた。本実施例では、堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。 In the present embodiment, the base holder shown in FIG. 6 is shown with a concave chucking portion of the inner holder 602 and a hole with a diameter of 5 mm above the cylindrical base body 601 in a total of 16 places, 8 places in the upper and lower sides, at equal intervals on the circumference. It was provided in the direction shown in 6 (b). In the present example, a substrate holder having a history in which the deposited film forming process, the liquid honing process, the cleaning process, and the drying process were repeated 10 times was used.

本実施例で作製した電子写真感光体に対し、実施例１と同様の方法で画像評価を行った。その結果を表３に示す。 Image evaluation was performed on the electrophotographic photosensitive member produced in this example in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

本実施例では、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に貫通孔を設け、更に円筒状基体と対向する領域よりも上部の内部ホルダーに貫通孔を設けている。そのため、以上の結果から、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、更に画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。 In the present embodiment, a through hole is provided in the concave chucking portion of the internal holder, and a through hole is provided in the internal holder above the region facing the cylindrical substrate. For this reason, it has been found from the above results that an electrophotographic photosensitive member with better image evaluation can be obtained even when an abrasive is present in the concave chucking portion of the inner holder.

（実施例３）
図５に示す構成の基体ホルダーを用いること以外は実施例１と同様にしてアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。 (Example 3)
An amorphous silicon electrophotographic photosensitive member was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate holder having the structure shown in FIG. 5 was used.

使用した図５の基体ホルダーは内部ホルダー５０２の凹状のチャッキング部位に直径５ｍｍの穴を図５（ｂ）に示す方向に８箇所と内部ホルダー５０２下部に５ｍｍ幅で深さ２ｍｍの溝を円周上に等間隔で図５（ｂ）に示す方向に設けた。本実施例では、堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。 The base holder shown in FIG. 5 has a hole with a diameter of 5 mm in the concave chucking portion of the inner holder 502 and 8 holes in the direction shown in FIG. 5B and a groove with a width of 5 mm and a depth of 2 mm in the lower part of the inner holder 502. It provided in the direction shown in FIG.5 (b) at equal intervals on the periphery. In the present example, a substrate holder having a history in which the deposited film forming process, the liquid honing process, the cleaning process, and the drying process were repeated 10 times was used.

本実施例で作成した電子写真感光体に対し、実施例１と同様の方法で画像評価を実施した。その結果を表４に示す。 Image evaluation was performed on the electrophotographic photosensitive member produced in this example in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4.

本実施例では、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に貫通孔を設け、更に円筒状基体の下部側に大気が排気方向に向う溝を設けている。そのため、以上の結果から、更に画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。 In this embodiment, even if the abrasive material is present in the concave chucking portion of the inner holder, a through hole is provided in the concave chucking portion of the inner holder, and the air is directed toward the exhaust side on the lower side of the cylindrical base body. A groove is provided. Therefore, from the above results, it was found that an electrophotographic photosensitive member having a better image evaluation can be obtained.

（実施例４）
図３または図４に示す構成の基体ホルダーを使用すること以外は実施例１と同様に、それぞれ直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、図２の堆積膜形成装置を用いた図１に示す構成の連続生産装置によって、表１に示す条件で図３のホルダーを使用してアモルファスシリコン電子写真感光体Ａを作製し、図４のホルダーを使用してアモルファスシリコン電子写真感光体Ｂを作製した。 Example 4
Cylindrical aluminum cylinders each having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm were installed in the same manner as in Example 1 except that the substrate holder having the configuration shown in FIG. 3 or FIG. 4 was used. Then, an amorphous silicon electrophotographic photosensitive member A is produced using the holder shown in FIG. 3 under the conditions shown in Table 1 by the continuous production apparatus shown in FIG. 1 using the deposited film forming apparatus shown in FIG. An amorphous silicon electrophotographic photosensitive member B was prepared using the above holder.

本実施例では、図３の基体ホルダーに、内部ホルダー１０２の凹状チャッキング部位に直径５ｍｍの穴を図３（ｂ）に示す方向に８箇所と内部ホルダー１０２の下部に直径５ｍｍの穴を８箇所それぞれ円周上に等間隔で図３（ｂ）に示す方向に設けた。 In this embodiment, the base holder of FIG. 3 has 8 holes with a diameter of 5 mm in the concave chucking portion of the internal holder 102 and 8 holes with a diameter of 5 mm in the lower part of the internal holder 102 in the direction shown in FIG. Each location was provided on the circumference at equal intervals in the direction shown in FIG.

また、本実施例では、図４の基体ホルダーに、内部ホルダー４０２のチャッキング部の中央に直径５ｍｍの穴を１箇所と内部ホルダー４０２下部に５ｍｍ幅で深さ２ｍｍの溝を円周上に等間隔で図４（ｂ）に示す方向に設けた。 Further, in this embodiment, the base holder shown in FIG. 4 has a hole having a diameter of 5 mm in the center of the chucking portion of the inner holder 402 and a groove having a width of 5 mm and a depth of 2 mm at the bottom of the inner holder 402 on the circumference. It provided in the direction shown in FIG.4 (b) at equal intervals.

本実施例では、堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。 In the present example, a substrate holder having a history in which the deposited film forming process, the liquid honing process, the cleaning process, and the drying process were repeated 10 times was used.

本実施例で作製した電子写真感光体Ａ、Ｂに対し、実施例１と同様の方法で画像評価を行った。その結果を表５に示す。 Image evaluation was performed on the electrophotographic photoreceptors A and B produced in this example by the same method as in Example 1. The results are shown in Table 5.

本実施例では、内部ホルダーの凹状チャッキング部位に貫通孔を設け、更に円筒状基体の下部側に大気が円筒状基体の主表面側方向に向わない経路で貫通孔又は溝を設けている。そのため、以上の結果から、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、更に画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。 In this embodiment, a through hole is provided in the concave chucking portion of the inner holder, and a through hole or a groove is provided on the lower side of the cylindrical base body so that the atmosphere does not face the main surface side of the cylindrical base body. . For this reason, it has been found from the above results that an electrophotographic photosensitive member with better image evaluation can be obtained even when an abrasive is present in the concave chucking portion of the inner holder.

（実施例５）
図３に示す構成の基体ホルダーに直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置し、図２の堆積膜形成装置を用いた図１に示す構成の連続生産装置によって、表１に示す条件でアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。 (Example 5)
A cylindrical aluminum cylinder having a diameter of 80 mm and a length of 358 mm is installed in the substrate holder having the configuration shown in FIG. 3, and the conditions shown in Table 1 are obtained by the continuous production apparatus having the configuration shown in FIG. 1 using the deposited film forming apparatus shown in FIG. Amorphous silicon electrophotographic photosensitive member was prepared.

本実施例では、図３の基体ホルダーに、内部ホルダー１０２の凹状チャッキング部位に直径５ｍｍの穴を図３（ｂ）に示す方向に８箇所と内部ホルダー１０２の下部に直径５ｍｍの穴を８箇所それぞれ円周上に等間隔で図３（ｂ）に示す方向に設けた。さらに、本実施例では堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。 In this embodiment, the base holder of FIG. 3 has 8 holes with a diameter of 5 mm in the concave chucking portion of the internal holder 102 and 8 holes with a diameter of 5 mm in the lower part of the internal holder 102 in the direction shown in FIG. Each location was provided on the circumference at equal intervals in the direction shown in FIG. Furthermore, in this example, a substrate holder having a history of repeating the deposited film forming step, the liquid honing step, the cleaning step, and the drying step ten times was used.

本実施例では、大気状態からの減圧は、搬送容器２５０２内に円筒状アルミニウムシリンダー２５０８を設置し、チャッキング機構２５０７でチャッキング状態のままで行った。そして、大気圧から減圧を開始し、搬送容器２５０２内の圧力が２.６７ｋＰａに到達する時間が６０分、３０分、２０分、１０分、５分になるように排気バルブ２５０３を調整して、アモルファスシリコン電子写真感光体Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを作成した。 In this embodiment, the decompression from the atmospheric state is performed while the cylindrical aluminum cylinder 2508 is installed in the transfer container 2502 and the chucking mechanism 2507 remains in the chucked state. Then, pressure reduction is started from atmospheric pressure, and the exhaust valve 2503 is adjusted so that the time for the pressure in the transfer container 2502 to reach 2.67 kPa is 60 minutes, 30 minutes, 20 minutes, 10 minutes, and 5 minutes. Amorphous silicon electrophotographic photoreceptors C, D, E, F, and G were prepared.

本実施例で作製した電子写真感光体Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇに対し、実施例１と同様の方法で画像評価を行った。その結果を表６に示す。 For the electrophotographic photoreceptors C, D, E, F, and G produced in this example, image evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 6.

以上の結果から、内部ホルダー上部の凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、円筒状基体と対向する領域以外に貫通孔を設けることにより、減圧速度に係わらず画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。 From the above results, even if abrasives are present in the concave chucking part on the upper part of the inner holder, an electrophotographic image with good image evaluation can be obtained regardless of the decompression speed by providing a through-hole in a region other than the region facing the cylindrical substrate. It has been found that a photoreceptor can be obtained.

高周波プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の連続生産装置の一例を示す模式的な構成図である。It is a typical block diagram which shows an example of the continuous production apparatus of the electrophotographic photoreceptor by the high frequency plasma CVD method. 堆積膜形成装置の模式的な構成を示す図である。It is a figure which shows the typical structure of a deposited film formation apparatus. 本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing the state where the base holder concerning the embodiment of the present invention was chucked with the chucking mechanism provided with the disk, the shaft, and the claw. 本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing the state where the base holder concerning the embodiment of the present invention was chucked with the chucking mechanism provided with the disk, the shaft, and the claw. 本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing the state where the base holder concerning the embodiment of the present invention was chucked with the chucking mechanism provided with the disk, the shaft, and the claw. 本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing the state where the base holder concerning the embodiment of the present invention was chucked with the chucking mechanism provided with the disk, the shaft, and the claw. 本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing the state where the base holder concerning the embodiment of the present invention was chucked with the chucking mechanism provided with the disk, the shaft, and the claw. 従来の基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state which chucked the conventional base holder with the chucking mechanism provided with the disk, the shaft, and the nail | claw.

Explanation of symbols

１０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１円筒状基体
１０２、４０２、５０２、６０２、７０２、８０２内部ホルダー
１０３、４０３、６０３、７０３、８０３受け台ホルダー
１０４、４０４、５０４、６０４、７０４、８０４キャップホルダー
１０９、４０９、６０９、７０９貫通孔
４１０、５１０溝
２１０２投入容器
２２０２、２３０２、２４０２反応容器
２５０２搬送容器
２５０７チャッキング機構 101, 401, 501, 601, 701, 801 Cylindrical substrate 102, 402, 502, 602, 702, 802 Inner holder 103, 403, 603, 703, 803 Receiving holder 104, 404, 504, 604, 704, 804 Cap holder 109, 409, 609, 709 Through hole 410, 510 Groove 2102 Input container 2202, 2302, 2402 Reaction container 2502 Transport container 2507 Chucking mechanism

Claims

In a substrate holder that holds a cylindrical substrate and is installed inside a container that can be decompressed,
An internal holder disposed at a position facing the inner peripheral surface of the cylindrical substrate with a gap between the inner peripheral surface of the cylindrical substrate and
A cap holder disposed above the cylindrical substrate and facing the outer peripheral surface of the inner holder with a gap between the outer peripheral surface of the inner holder;
Have
The upper part of the inner holder can be chucked by a chucking mechanism provided in a transport device for transporting the substrate holder, and has a concave chucking part at least partially formed with a through hole. And
The upper end side of the concave chucking portion of the inner holder and the upper end side of the gap formed between the inner holder, the cap holder and the cylindrical base body are such that the chucking mechanism is the concave shape. A base holder characterized by being blocked by the chucking mechanism when chucked at a chucking site.

2. The cradle holder according to claim 1, further comprising a cradle holder disposed at a position below the cylindrical base and facing the outer peripheral surface of the inner holder with a gap between the outer peripheral surface of the inner holder and the inner holder. Substrate holder.

The substrate holder according to claim 1, wherein the through hole is formed in a portion of the inner holder that faces the cap holder.

The substrate holder according to any one of claims 1 to 3, wherein an exhaust path for exhausting gas from the gap is formed below the cylindrical substrate.

The substrate holder according to claim 4, wherein the exhaust path extends from the gap to a bottom surface of the substrate holder.

A base body holder according to any one of claims 1 to 5, wherein the base body holder is installed inside,
The vacuum container is a cylindrical vertical container capable of vacuum depressurization, and an exhaust port is formed below the base holder installed upright inside.

The vacuum container according to claim 6, which is a transport container capable of transporting the base holder holding the cylindrical base body in a vacuum state.