JP2008512688A - Method and apparatus for detecting and monitoring corrosion using nanostructures - Google Patents

Method and apparatus for detecting and monitoring corrosion using nanostructures Download PDF

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JP2008512688A JP2007531446A JP2007531446A JP2008512688A JP 2008512688 A JP2008512688 A JP 2008512688A JP 2007531446 A JP2007531446 A JP 2007531446A JP 2007531446 A JP2007531446 A JP 2007531446A JP 2008512688 A JP2008512688 A JP 2008512688A
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ウィリアム ジー. イングランド、
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    • G01N17/04Corrosion probes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors

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Abstract

本発明は、ナノ構造を用いて腐食を検出し監視する方法および装置に関する。本発明の一実施例は、腐食性雰囲気中においてナノ構造によって腐食を検出する方法を提供する。この方法は、少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供し、当該少なくとも一つの反応物質の一部を腐食性雰囲気に暴露することを含む。さらにこの方法は、前記少なくとも一つの反応物質との反応を検出し、その反応の少なくとも一部に基づいて前記少なくとも一つの反応物質に関連する腐食量を決定することを含む。
【選択図】図1
The present invention relates to a method and apparatus for detecting and monitoring corrosion using nanostructures. One embodiment of the present invention provides a method for detecting corrosion by nanostructures in a corrosive atmosphere. The method includes providing at least one nanostructure of at least one reactant and exposing a portion of the at least one reactant to a corrosive atmosphere. The method further includes detecting a reaction with the at least one reactant and determining an amount of corrosion associated with the at least one reactant based on at least a portion of the reaction.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、広く腐食監視の分野に関する。さらに詳しくは、本発明はナノ構造を用いて腐食を検出し監視する方法および装置に関する。   The present invention relates generally to the field of corrosion monitoring. More particularly, the present invention relates to a method and apparatus for detecting and monitoring corrosion using nanostructures.

背景技術
多くの金属含有装置および金属含有構造は、時間の経過とともに劣化を引き起こすような腐食性雰囲気中において機能しなければならない。腐食は、空気中の酸素との反応に起因する金属酸化物や、多くの工業処理に暴露することによって形成する硫化水素のような化合物の形を取る。
Background Art Many metal-containing devices and metal-containing structures must function in corrosive atmospheres that cause deterioration over time. Corrosion takes the form of metal oxides resulting from reaction with oxygen in the air and compounds such as hydrogen sulfide that form upon exposure to many industrial processes.

例えば電子工業の場合、全保証修理作業の約三分の一が腐食に起因すると考えられる。従って腐食を正確に監視し、それを回避、低減、防止する適切な対策を取ることは、業界にとって最重要と言える。   For example, in the electronics industry, about one third of all warranty repair work is believed to be due to corrosion. It is therefore most important for the industry to accurately monitor corrosion and take appropriate measures to avoid, reduce or prevent it.

腐食を監視する一つの方法は、圧電結晶体を腐食モニタとして使用することである。この結晶体に腐食性金属を塗布し、その塗布結晶体を発振器に取り付ける。この取り付けは、腐食性雰囲気中に置く前、あるいはその後に行う。腐食性金属の腐食に伴い、塗布結晶体の振動周波数が減少する。その周波数を読み取り、それを選択腐食厚さ基準に対応する厚さに変換する。一般にこの種の方法および装置は、ある程度の腐食の測定および検出に適しているが、さらに精密な腐食測定が望まれることも多い。   One way to monitor corrosion is to use a piezoelectric crystal as a corrosion monitor. A corrosive metal is applied to the crystal body, and the applied crystal body is attached to an oscillator. This attachment is performed before or after being placed in a corrosive atmosphere. As the corrosive metal corrodes, the vibration frequency of the coated crystal decreases. Read the frequency and convert it to a thickness corresponding to the selected corrosion thickness criteria. In general, this type of method and apparatus is suitable for measuring and detecting some degree of corrosion, but more precise corrosion measurements are often desired.

従って、腐食を検出するための改良された方法および装置が必要である。   Therefore, there is a need for an improved method and apparatus for detecting corrosion.

さらに、腐食を監視するための改良された方法および装置が必要である。   Further, there is a need for improved methods and apparatus for monitoring corrosion.

さらに、腐食モニタを製造するための改良された装置および方法が必要である。   Furthermore, there is a need for improved apparatus and methods for manufacturing corrosion monitors.

発明の概要
ナノ構造を用いて腐食を検出し監視する方法および装置を提供する。さらに、腐食モニタを用いて腐食を検出し監視する方法および装置を提供する。さらに、腐食モニタを製造する方法を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION A method and apparatus for detecting and monitoring corrosion using nanostructures is provided. Furthermore, a method and apparatus for detecting and monitoring corrosion using a corrosion monitor is provided. In addition, a method of manufacturing a corrosion monitor is provided.

前記必要性の一部あるいは全ては、ここに開示する本発明の様々な実施例によって解決する。本発明の実施例に基づく方法、装置、および腐食モニタは、工業処理測定制御室、監視制御センタ、電気室、半導体クリーンルーム、電子組み立て工場、精密部品倉庫、商用データセンタ、博物館、図書館、記録保管室等の環境に適用できる。またここに開示する方法、装置、および腐食モニタは、そのような空間環境を保護するために使用する濾過媒質の消耗レベルをチェックするために利用できる。別の実施例は、特定環境において腐食を引き起こす汚染気体を特定するために有効である。   Some or all of the above needs are met by the various embodiments of the present invention disclosed herein. Methods, apparatus, and corrosion monitors according to embodiments of the present invention include industrial process measurement control rooms, monitoring control centers, electrical rooms, semiconductor clean rooms, electronic assembly factories, precision parts warehouses, commercial data centers, museums, libraries, record keeping. Applicable to rooms and other environments. The methods, devices, and corrosion monitors disclosed herein can also be used to check the level of exhaustion of the filtration media used to protect such spatial environments. Another embodiment is useful for identifying pollutant gases that cause corrosion in a particular environment.

さらに本発明の実施例に基づく方法、装置、および腐食モニタは、あらゆる電子装置やプロセッサ利用装置にも適用できる。例えば電子チップ、半導体チップ、マイクロ電子チップ、電話、携帯電話、スマートフォン、パーソナル通信装置、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ノートブックコンピュータ、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータ、MP3プレーヤ、CD/DVDプレーヤ、オーディオプレーヤ装置、ラジオ、テレビ等に適用可能であるが、これらに限定するものではない。   Furthermore, the method, apparatus, and corrosion monitor according to embodiments of the present invention can be applied to any electronic device or processor-based device. For example, electronic chip, semiconductor chip, microelectronic chip, telephone, mobile phone, smartphone, personal communication device, personal digital assistant (PDA), tablet computer, computer, notebook computer, desktop computer, mainframe computer, MP3 player, CD / The present invention is applicable to DVD players, audio player devices, radios, televisions, etc., but is not limited to these.

本発明の一実施例は、腐食性雰囲気中においてナノ構造によって腐食を検出する方法を提供する。この方法は、少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供し、前記少なくとも一つの反応物質の一部を腐食性雰囲気に暴露することを含む。この方法はさらに、前記少なくとも一つの反応物質との反応を検出し、前記反応の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質に関連する腐食量を決定することを含む。   One embodiment of the present invention provides a method for detecting corrosion by nanostructures in a corrosive atmosphere. The method includes providing at least one nanostructure of at least one reactant and exposing a portion of the at least one reactant to a corrosive atmosphere. The method further includes detecting a reaction with the at least one reactant and determining an amount of corrosion associated with the at least one reactant based on at least a portion of the reaction.

本発明の別の実施例は、腐食を検出し監視する装置を提供する。この装置は、少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を有する電子チップを備える。前記少なくとも一つの反応物質は、腐食性雰囲気と反応可能である。さらに前記電子チップはプロセッサを含むことができ、このプロセッサは、前記少なくとも一つの反応物質の反応に関連する信号を受け取り、前記信号の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定できる。さらに前記プロセッサは、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量に関連付けた出力信号を発生できる。さらに前記装置は出力デバイスを含むことができ、この出力デバイスは、前記電子チップから前記出力信号を受け取り、前記少なくとも一つの反応物質の前記腐食量に関連付けた指標を表示できる。   Another embodiment of the present invention provides an apparatus for detecting and monitoring corrosion. The apparatus comprises an electronic chip having at least one nanostructure made of at least one reactant. The at least one reactant is capable of reacting with a corrosive atmosphere. The electronic chip may further include a processor that receives a signal associated with the reaction of the at least one reactant and determines the amount of corrosion of the at least one reactant based on at least a portion of the signal. Can be determined. Further, the processor can generate an output signal associated with the amount of corrosion of the at least one reactant. The apparatus can further include an output device that can receive the output signal from the electronic chip and display an indicator associated with the amount of corrosion of the at least one reactant.

本発明のさらに別の実施例は、腐食を検出し監視する装置を提供する。この装置は、腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を有する少なくとも一つのナノ構造を含むことができる。さらに前記装置は、前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段を含むことができる。さらに前記装置は、少なくとも前記反応に部分的に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段を含むことができる。   Yet another embodiment of the present invention provides an apparatus for detecting and monitoring corrosion. The device can include at least one nanostructure having at least one reactant adapted to be exposed to a corrosive atmosphere. Further, the apparatus can include detection means for detecting a reaction associated with the at least one reactant. Further, the apparatus can include a measuring means for determining a corrosion amount of the at least one reactant based at least in part on the reaction.

本発明の別の実施例は、腐食モニタの製造方法を含むことができる。この方法は、少なくとも一つの反応物質を含むナノ構造を提供することを含む。前記少なくとも一つの反応物質は、腐食性雰囲気に暴露する。さらに前記方法は、電子チップを提供し、その電子チップの一部に前記ナノ構造を載置することを含む。さらに前記方法は、プロセッサを提供することを含む。このプロセッサは、前記少なくとも一つの反応物質に関連する反応を検出し、前記反応の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定することが可能である。さらに前記方法は、前記電子チップを出力デバイスに載置することを含み、この出力デバイスは、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量に関連付けた信号を受け取ることができる。さらに前記出力デバイスは、前記少なくとも一つの反応物質の前記腐食量に関連付けた指標を表示することができる。   Another embodiment of the invention can include a method of manufacturing a corrosion monitor. The method includes providing a nanostructure that includes at least one reactant. The at least one reactant is exposed to a corrosive atmosphere. The method further includes providing an electronic chip and mounting the nanostructure on a portion of the electronic chip. The method further includes providing a processor. The processor is capable of detecting a reaction associated with the at least one reactant and determining an amount of corrosion of the at least one reactant based on at least a portion of the reaction. The method further includes mounting the electronic chip on an output device, the output device being capable of receiving a signal associated with the amount of corrosion of the at least one reactant. Furthermore, the output device can display an indicator associated with the amount of corrosion of the at least one reactant.

本発明の一実施例の一態様は、腐食を監視または検出する高感度で高精度の方法および装置を提供できる。   One aspect of an embodiment of the present invention can provide a sensitive and accurate method and apparatus for monitoring or detecting corrosion.

本発明の一実施例の別の態様は、ナノ構造を用いた腐食モニタを製造する方法を提供できる。   Another aspect of an embodiment of the present invention can provide a method of manufacturing a corrosion monitor using nanostructures.

本発明の一実施例のさらに別の態様は、マイクロ電子チップにナノ構造を載置する製造装置および製造方法を提供できる。   According to still another aspect of an embodiment of the present invention, a manufacturing apparatus and a manufacturing method for mounting a nanostructure on a microelectronic chip can be provided.

本発明の前記およびその他態様、特徴、および利点は、以下に開示する実施例の詳細説明および請求の範囲を閲覧することで明らかとなろう。   The foregoing and other aspects, features, and advantages of the present invention will become apparent upon review of the detailed description of the embodiments disclosed below and the claims.

実施の形態の詳細な説明
本発明の各実施例は、腐食を検出し監視すべく設計している。本明細書において使用する用語「ナノ構造」は、広くナノ技術に関する分野で使用する物体の種類を意味する。例えばマイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノボール、ナノ粒子、マイクロ電気機械(MEMS)デバイス等の比較的小型の物体およびデバイスである。
Detailed Description of the Embodiments Each example of the present invention is designed to detect and monitor corrosion. As used herein, the term “nanostructure” refers to a type of object that is widely used in the field of nanotechnology. For example, relatively small objects and devices such as microcantilevers, nanotubes, carbon nanotubes, nanoballs, nanoparticles, microelectromechanical (MEMS) devices.

本明細書で使用する用語「チップ」は、広くマイクロエレクトロニクスチップ、半導体チップ、コンピュータチップ、回路チップ、マイクロプロセッサ、プロセッサ等のエレクトロニクス環境またはプロセッサ環境に適するあらゆるチップを意味する。   The term “chip” as used herein refers broadly to any chip suitable for an electronic or processor environment, such as a microelectronic chip, semiconductor chip, computer chip, circuit chip, microprocessor, processor or the like.

本明細書で使用する用語「腐食性雰囲気」は、電子デバイス内の雰囲気、プロセッサ利用デバイス内の雰囲気、密閉空間内の雰囲気、室内の雰囲気、建物内の雰囲気、通風路内の雰囲気を含むが、これらに限定するものではない。   As used herein, the term “corrosive atmosphere” includes an atmosphere in an electronic device, an atmosphere in a processor-based device, an atmosphere in an enclosed space, an atmosphere in a room, an atmosphere in a building, and an atmosphere in a ventilation path. However, the present invention is not limited to these.

本発明の装置、方法、その他実施例は、様々な環境において腐食を検出し監視するために有用である。様々な環境とは、工業処理測定制御室、モータ制御センタ、電気室、半導体クリーンルーム、電子組み立てサイト、商用データセンタ、博物館、図書館、記録保管室を含むが、これらに限定するものではない。これら実施例は、前記空間環境を保護するために使用する濾過媒質の消耗レベルをチェックするためにも利用できる。別の実施例は、汚染気体、特に所定環境において金属の腐食を引き起こす汚染気体を特定するために有効である。   The apparatus, methods, and other embodiments of the present invention are useful for detecting and monitoring corrosion in a variety of environments. Various environments include, but are not limited to, industrial process measurement control rooms, motor control centers, electrical rooms, semiconductor clean rooms, electronic assembly sites, commercial data centers, museums, libraries, and record storage rooms. These embodiments can also be used to check the exhaustion level of the filtration medium used to protect the spatial environment. Another embodiment is useful for identifying pollutant gases, especially those that cause metal corrosion in a given environment.

さらに本発明の装置、方法、その他実施例は、あらゆる電子デバイスやプロセッサ利用デバイスに適用できる。例えば電子チップ、半導体チップ、マイクロ電子チップ、回路チップ、コンピュータチップ、電話、携帯電話、スマートフォン、パーソナル通信装置、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ノートブックコンピュータ、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータ、MP3プレーヤ、CD/DVDプレーヤ、オーディオプレーヤ装置、ラジオ、テレビ等に適用可能であるが、これらに限定するものではない。   Furthermore, the apparatus, method, and other embodiments of the present invention can be applied to all electronic devices and processor-based devices. For example, electronic chip, semiconductor chip, microelectronic chip, circuit chip, computer chip, telephone, mobile phone, smartphone, personal communication device, personal digital assistant (PDA), tablet computer, computer, notebook computer, desktop computer, mainframe computer It can be applied to MP3 players, CD / DVD players, audio player devices, radios, televisions, etc., but is not limited thereto.

図1および2に示す実施例の環境は、例えば電気的チップである。例えばマイクロエレクトロニクスチップ、半導体チップ、コンピュータチップ、回路チップ、マイクロプロセッサ、プロセッサ、その他電子的環境またはプロセッサ利用環境における適切な部品である。   The environment of the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is, for example, an electrical chip. For example, microelectronic chips, semiconductor chips, computer chips, circuit chips, microprocessors, processors, and other suitable components in an electronic environment or a processor utilization environment.

図1は、本発明の一実施例に基づく装置を示す概略図である。図1に示す装置は、腐食性雰囲気において腐食を検出し監視する腐食モニタ100である。腐食モニタ100は、マイクロカンチレバー102等のナノ構造を含む。このナノ構造は、腐食性雰囲気と反応する少なくとも一つの反応物質、例えば金属製物質104を含む。前記ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバー、あるいはこれらの組み合わせの形体を取るが、これらに限定するものではない。適切な反応物質としては、金属性物質、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、パーマロイ、あるいはこれらの組み合わせを含むが、これらに限定するものではない。   FIG. 1 is a schematic diagram showing an apparatus according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 1 is a corrosion monitor 100 that detects and monitors corrosion in a corrosive atmosphere. The corrosion monitor 100 includes nanostructures such as microcantilevers 102. The nanostructure includes at least one reactant that reacts with the corrosive atmosphere, such as a metallic material 104. The nanostructure may take the form of a microcantilever, a nanotube, a carbon nanotube, a nanoparticle, a nanoball, a nanocantilever, or a combination thereof, but is not limited thereto. Suitable reactants include, but are not limited to, metallic materials, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), zinc (Zn), molybdenum (Mo), permalloy, or combinations thereof. It is not a thing.

図示の実施例において、マイクロカンチレバー102等のナノ構造に反応物質104を提供することは、例えばシリコンウエハに銅電極を塗布することによって実現できる。反応物質104を有するマイクロカンチレバー102のごとく、ナノ構造に少なくとも一つの反応物質を提供することは、様々な方法によって実現できる。例えば集積、接着、多層化、エッチング、塗布、取り付け、接続薄膜蒸着技術やイオンビームスパッタリングであるが、これらに限定するものではない。ナノ構造に反応物質104を提供する他の例は、マイクロカンチレバーの一部に金属製物質を塗布すること、ナノ構造の一部に金属製物質を塗布すること、ナノチューブの一部に金属製物質を塗布すること、1以上のナノボールの一部に金属製物質を塗布することを含むことができる。このように、ナノ構造の少なくとも一部は、少なくとも一つの反応物質を含む。   In the illustrated embodiment, providing the reactant 104 to a nanostructure such as the microcantilever 102 can be accomplished, for example, by applying a copper electrode to a silicon wafer. Providing at least one reactant to the nanostructure, such as the microcantilever 102 having the reactant 104, can be achieved by various methods. Examples include, but are not limited to, integration, adhesion, multilayering, etching, coating, attachment, connection thin film deposition techniques, and ion beam sputtering. Other examples of providing the reactant 104 to the nanostructure include applying a metallic material to a portion of the microcantilever, applying a metallic material to a portion of the nanostructure, and a metallic material to a portion of the nanotube. Applying a metallic material to a portion of the one or more nanoballs. Thus, at least a portion of the nanostructure includes at least one reactant.

ここで提供する方法および装置にとって適切なナノ構造は、カリフォルニア州サンタバーバラのナノデバイス等の市販品製造業者から入手可能である。ナノ構造に少なくとも一つの反応物質を塗布あるいは適用するために好適な方法は、アイオワ州エイムズのバイオフォースナノサイエンス社等のナノ技術および/またはナノ科学材料処理業者が実施できる。   Suitable nanostructures for the methods and apparatus provided herein are available from commercial manufacturers such as nanodevices in Santa Barbara, California. A suitable method for applying or applying at least one reactant to the nanostructure can be performed by a nanotechnology and / or nanoscience materials processor such as Bioforce Nanoscience, Ames, Iowa.

本発明の少なくとも一つの実施例において、ナノ構造に複数の反応物質を塗布できる。これら反応物質のいくつかあるいは全ては、腐食性雰囲気、腐食性材料、腐食性物質と反応するようにできる。一実施例において、各反応物質は、異なる種類の腐食性雰囲気、腐食性材料、あるいは腐食性物質と反応するようにできる。   In at least one embodiment of the invention, a plurality of reactants can be applied to the nanostructure. Some or all of these reactants can be made to react with corrosive atmospheres, corrosive materials, and corrosive substances. In one embodiment, each reactant can react with a different type of corrosive atmosphere, corrosive material, or corrosive material.

別の実施例において、少なくとも一つの反応物質を複数のナノ構造に塗布し、それらナノ構造を集積するか互いに接続し、いくつかのあるいは全てのナノ構造を別々にあるいは単一デバイスとして監視しても良い。一実施例において、ナノ構造が特定の腐食性雰囲気、腐食性材料、あるいは腐食性物質と反応するのを監視する。   In another embodiment, at least one reactant is applied to a plurality of nanostructures, the nanostructures are integrated or connected together, and some or all nanostructures are monitored separately or as a single device. Also good. In one embodiment, the nanostructure is monitored for reaction with a particular corrosive atmosphere, corrosive material, or corrosive substance.

さらに図1に示す装置は、反応物質に関する反応を検出する手段を任意で含むことができる。反応物質に関する反応を検出する手段は、例えばプロセッサ106を備えることができる。このプロセッサ106は、図1に示すマイクロカンチレバー102等のナノ構造と動作的に通信する。プロセッサ106は、コンピュータ実行可能命令セットを含むか実行できる。この命令セットは例えば命令108であり、コンピュータ読み取り可能媒体やメモリ110に格納し、反応物質に関する反応を検出する。   Further, the apparatus shown in FIG. 1 can optionally include means for detecting a reaction involving the reactant. The means for detecting a reaction relating to the reactant can comprise, for example, a processor 106. The processor 106 is in operative communication with a nanostructure such as the microcantilever 102 shown in FIG. The processor 106 includes or can execute a computer-executable instruction set. This instruction set is, for example, the instruction 108 and is stored in a computer-readable medium or the memory 110 to detect a reaction relating to the reactant.

前記プロセッサは、マイクロプロセッサ、ASIC、およびステートマシンを備えることができる。このようなプロセッサは媒体を備えるか、媒体と通信できる。媒体は例えばコンピュータ読み取り可能媒体であり、命令を格納する。これら命令はプロセッサで実行することにより、後述の各ステップを当該プロセッサに行わせる。コンピュータ読み取り可能媒体の実施例としては、電子記憶装置、光学記憶装置、磁気記憶装置、その他記憶装置、あるいはプロセッサ106等のプロセッサにコンピュータ読み取り可能命令を提供可能な通信装置であるが、これらに限定するものではない。適切な媒体の他の例はフロッピー(登録商標)ディスク、CD−ROM、DVD、磁気ディスク、メモリチップ、ROM、RAM、ASIC、構成済みプロセッサ、全ての光学媒体、全ての磁気テープやその他磁気媒体、あるいはコンピュータプロセッサが命令を読み取り可能なその他全ての媒体を含むが、これらに限定するものではない。さらにコンピュータ読み取り可能媒体の様々な他の形態も、コンピュータへ命令を送信あるいは搬送できる。例えばルータ、専用ネットワーク、公衆ネットワーク、その他送信装置、有線および無線の回線等である。前記命令は、例えばC、C++、C#、ビジュアルベーシック、ジャバ、パイソン、パール、ジャバスクリプト等を含む全てのコンピュータプログラミング言語のコードで良い。   The processor can comprise a microprocessor, an ASIC, and a state machine. Such processors comprise or can communicate with the medium. The medium is, for example, a computer readable medium and stores instructions. These instructions are executed by the processor to cause the processor to perform the following steps. Examples of computer readable media include, but are not limited to, electronic storage devices, optical storage devices, magnetic storage devices, other storage devices, or communication devices that can provide computer readable instructions to a processor such as processor 106. Not what you want. Other examples of suitable media are floppy disks, CD-ROMs, DVDs, magnetic disks, memory chips, ROM, RAM, ASICs, configured processors, all optical media, all magnetic tapes and other magnetic media Or any other medium on which a computer processor can read instructions, but is not limited to such. In addition, various other forms of computer readable media may transmit or convey instructions to the computer. For example, a router, a dedicated network, a public network, other transmission devices, wired and wireless lines, and the like. The instructions may be all computer programming language code including, for example, C, C ++, C #, Visual Basic, Java, Python, Pearl, Javascript, and the like.

反応物質に関する反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性、あるいはそれらの組み合わせ、における変化を含むことができるが、これらに限定するものではない。   Reactions related to reactants may include changes in mass, displacement, vibration frequency, electrical resistance, voltage, physical properties of the reactants, electrical properties of the reactants, chemical properties of the reactants, or combinations thereof. However, it is not limited to these.

例えば図示のプロセッサ106は、ナノ構造に付随する反応物質の質量変化を検出する命令セットを含むか実行できる。多くの場合、ナノ構造に付随する特定の反応物質の事前定義質量は既知であるか測定でき、それと結果的質量、質量変化、または質量差とを比較できる。   For example, the illustrated processor 106 can include or execute a set of instructions that detect a change in mass of a reactant associated with the nanostructure. In many cases, the predefined mass of a particular reactant associated with the nanostructure is known or can be measured and compared to the resulting mass, mass change, or mass difference.

別の実施例において、プロセッサ106は、ナノ構造に付随する反応物質における変位を検出する命令セットを含むか実行できる。多くの場合、ナノ構造に付随する特定の反応物質の事前定義位置は既知であるか測定でき、それと結果的位置、位置変化、または位置差とを比較できる。   In another example, the processor 106 can include or execute a set of instructions that detect displacements in the reactants associated with the nanostructures. In many cases, the predefined position of a particular reactant associated with the nanostructure is known or can be measured and compared to the resulting position, position change, or position difference.

別の実施例において、プロセッサ106は、ナノ構造に付随する反応物質における振動周波数の変化を検出する命令セットを含むか実行できる。多くの場合、ナノ構造に付随する特定の反応物質の事前定義振動周波数は既知であるか測定でき、それと結果的振動周波数、振動周波数変化、または振動周波数差とを比較できる。   In another example, the processor 106 may include or execute a set of instructions that detect changes in vibration frequency in the reactants associated with the nanostructure. In many cases, the predefined vibration frequency of a particular reactant associated with the nanostructure is known or can be measured and compared to the resulting vibration frequency, vibration frequency change, or vibration frequency difference.

他の例において、プロセッサ106は、ナノ構造に付随する反応物質における電気抵抗の変化を検出する命令セットを含むか実行できる。多くの場合、ナノ構造に付随する特定の反応物質の事前定義電気抵抗は既知であるか測定でき、それと結果的電気抵抗、電気抵抗変化、または電気抵抗差とを比較できる。   In other examples, the processor 106 can include or execute a set of instructions that detect a change in electrical resistance in a reactant associated with the nanostructure. In many cases, the predefined electrical resistance of a particular reactant associated with the nanostructure is known or can be measured and compared to the resulting electrical resistance, electrical resistance change, or electrical resistance difference.

さらに他の例において、プロセッサ106は、ナノ構造に付随する反応物質における電圧の変化を検出する命令セットを含むか実行できる。多くの場合、ナノ構造に付随する特定の反応物質の事前定義電圧は既知であるか測定でき、それと結果的電圧、電圧変化、または電圧差とを比較できる。   In yet another example, the processor 106 can include or execute a set of instructions that detect voltage changes in the reactants associated with the nanostructure. In many cases, the predefined voltage of a particular reactant associated with the nanostructure is known or can be measured and compared to the resulting voltage, voltage change, or voltage difference.

反応物質に関連するその他物理特性、電気特性、および/または化学特性等もその変化について検出および監視が可能であり、本発明の範囲内である。これらについては、本明細書を読むことにより当業者には明らかであろう。   Other physical, electrical, and / or chemical properties associated with the reactant can also be detected and monitored for changes and are within the scope of the present invention. These will be apparent to those skilled in the art upon reading this specification.

さらに前記装置は、前記反応の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段を任意で含むことができる。図1に示す実施例において、この測定手段は、図示のマイクロカンチレバー102等であるナノ構造と動作的に通信するプロセッサ106が実現する。プロセッサ106は、コンピュータ実行可能な命令セットを含むか実行できる。これら命令は、例えばコンピュータ読み取り可能媒体に格納した命令であり、前記反応の少なくとも一部に基づき、前記反応物質の腐食量を決定する。一般に特定の反応物質との反応の検出は、検出した反応の種類によって定量化または測定できる。反応の量的測定と反応物質の残量とのあらかじめ定義した相関を使用し、当該反応物質の腐食量を決定できる。   Further, the apparatus can optionally include a measuring means for determining a corrosion amount of the at least one reactant based on at least a part of the reaction. In the embodiment shown in FIG. 1, this measurement means is implemented by a processor 106 that is in operative communication with a nanostructure, such as the illustrated microcantilever 102. The processor 106 includes or can execute a computer-executable instruction set. These instructions are, for example, instructions stored in a computer readable medium, and determine the amount of corrosion of the reactant based on at least a portion of the reaction. In general, detection of a reaction with a specific reactant can be quantified or measured depending on the type of reaction detected. Using a predefined correlation between the quantitative measurement of the reaction and the remaining amount of reactant, the amount of corrosion of the reactant can be determined.

例えばプロセッサ106は、反応物質に検出した質量変化量を反応物質の残量に相関して当該反応物質の残量の腐食量を決定する命令セットを含むか実行できる。すなわち、ナノ構造に付随する反応物質の質量変化を検出した場合、その質量変化は、当該反応物質の腐食量に相関できる。本例において、特定の反応物質の質量変化は、当該反応物質の残存厚さ(オングストローム、あるいは他の厚さ単位)に相関させて当該反応物質の腐食量を決定する。   For example, the processor 106 may include or execute a set of instructions that correlate the detected mass change to the reactant with the amount of reactant remaining to determine the amount of corrosion of the reactant remaining. That is, when a change in mass of a reactant associated with the nanostructure is detected, the change in mass can be correlated with the amount of corrosion of the reactant. In this example, the mass change of a specific reactant is correlated with the remaining thickness of the reactant (angstroms or other thickness units) to determine the amount of corrosion of the reactant.

別の例において、ナノ構造に付随する反応物質の変位を検出した場合、その変位を当該反応物質の腐食量に相関させる。プロセッサ106は、ナノ構造に付随する反応物質に検出した変位量を当該反応物質の残量に相関して当該反応物質の腐食量を決定する命令セットを含むか実行できる。   In another example, if a displacement of a reactant associated with the nanostructure is detected, the displacement is correlated with the amount of corrosion of the reactant. The processor 106 may include or execute an instruction set that determines the amount of corrosion of the reactant by correlating the displacement detected in the reactant associated with the nanostructure with the remaining amount of the reactant.

別の例において、ナノ構造に付随する反応物質の振動周波数の変化を検出した場合、その振動周波数の変化を当該反応物質の腐食量に相関させる。プロセッサ106は、反応物質に検出した振動周波数の変化量を当該反応物質の残量に相関して当該反応物質の腐食量を決定する命令セットを含むか実行できる。   In another example, if a change in vibration frequency of a reactant associated with the nanostructure is detected, the change in vibration frequency is correlated to the amount of corrosion of the reactant. The processor 106 may include or execute an instruction set that determines the amount of corrosion of the reactant by correlating the amount of change in the vibration frequency detected in the reactant with the remaining amount of the reactant.

別の例において、ナノ構造に付随する反応物質の電気抵抗の変化を検出した場合、その電気抵抗の変化を当該反応物質の腐食量に相関させる。プロセッサ106は、反応物質に検出した電気抵抗の変化量を当該反応物質の残量に相関して当該反応物質の腐食量を決定する命令セットを含むか実行できる。   In another example, if a change in electrical resistance of a reactant associated with the nanostructure is detected, the change in electrical resistance is correlated to the amount of corrosion of the reactant. The processor 106 may include or execute an instruction set that determines the amount of corrosion of the reactant by correlating the amount of change in electrical resistance detected by the reactant with the remaining amount of the reactant.

さらに別の例において、ナノ構造に付随する反応物質の電圧変化を検出した場合、その電圧変化を当該反応物質の腐食量に相関させる。プロセッサ106は、反応物質に検出した電圧の変化量を当該反応物質の残量に相関して当該反応物質の腐食量を決定する命令セットを含むか実行できる。   In yet another example, if a change in voltage of a reactant associated with the nanostructure is detected, the change in voltage is correlated to the amount of corrosion of the reactant. The processor 106 may include or execute an instruction set that determines the amount of corrosion of the reactant by correlating the amount of change in the voltage detected in the reactant with the remaining amount of the reactant.

反応物質に関連するその他物理特性、電気特性、および/または化学特性に検出あるいは監視する変化も、本発明の実施例に基づき当該反応物質の腐食量に相関できることは、本明細書を読むことにより当業者に明らかであろう。物理特性、電気特性、および/または化学特性に関する時間の経過に伴う様々な反応は、監視し相関することで、反応物質の腐食量を決定できる。   By reading this specification, it is understood that other physical, electrical, and / or chemical changes associated with a reactant can also be correlated to the amount of corrosion of the reactant based on embodiments of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art. Various reactions over time with respect to physical, electrical, and / or chemical properties can be monitored and correlated to determine the amount of corrosion of the reactants.

少なくとも一実施例において、前記装置は腐食量を表示するための出力装置を含むことができる。図1に示す例において、出力装置はプロセッサ106に関連した表示装置112である。この出力装置は、メータ、指標、LED、LCD、ディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチスクリーン装置、投影装置、モニタ、その他プロセッサ106に関する量、測定、決定、結果を出力するための適切な装置であるが、これらに限定するものではない。当業者には明らかな通り、出力装置は本発明に基づく装置の構成部品に統合しても良いし、本発明に基づく装置の構成部品と動作的に通信する別個の構成要素でも良い。   In at least one embodiment, the device may include an output device for indicating the amount of corrosion. In the example shown in FIG. 1, the output device is a display device 112 associated with the processor 106. This output device is a meter, indicator, LED, LCD, display, plasma display, touch screen device, projection device, monitor, and other suitable devices for outputting quantities, measurements, decisions, and results relating to the processor 106, It is not limited to these. As will be apparent to those skilled in the art, the output device may be integrated into the components of the device according to the present invention or may be a separate component that is in operative communication with the components of the device according to the present invention.

少なくとも一実施例において、図1に示す腐食モニタ100等の装置の構成要素のいくつかあるいは全ては、半導体チップやシリコンウエハ等の電子チップに搭載できる。前記装置の構成要素のいくつかあるいは全ては、電子チップに集積するか配置できる。別の実施例において、前記装置の構成要素のいくつかあるいは全てを電子チップに集積し、残りの構成要素は当該チップに集積した構成要素と動作的に通信するようにしても良い。例えば図示および前記したマイクロカンチレバー102等のナノ構造と図示および前記したプロセッサ106とは、それぞれ電子デバイスやプロセッサ利用装置用の電子チップに集積しても良い。例えば、本発明の一実施例に基づくナノ構造を備えた検出回路を図5に示す。図示および前記した表示装置108等の出力装置は、プロセッサ106と動作的に通信できるか、あるいは電子チップ、電子デバイス、プロセッサ利用装置と動作的に通信できる。このように、腐食を検出し監視する装置は、本発明の様々な実施例に基づいて実現可能である。   In at least one embodiment, some or all of the components of an apparatus such as the corrosion monitor 100 shown in FIG. 1 can be mounted on an electronic chip such as a semiconductor chip or a silicon wafer. Some or all of the components of the device can be integrated or arranged on an electronic chip. In another embodiment, some or all of the device components may be integrated on an electronic chip, and the remaining components may be in operative communication with components integrated on the chip. For example, the illustrated nanostructure such as the microcantilever 102 and the illustrated processor 106 may be integrated on an electronic device or an electronic chip for a processor utilization apparatus. For example, a detection circuit with a nanostructure according to one embodiment of the present invention is shown in FIG. The output device, such as the display device 108 shown and described above, can be in operative communication with the processor 106, or can be in operative communication with an electronic chip, an electronic device, and a processor utilizing device. Thus, an apparatus for detecting and monitoring corrosion can be implemented based on various embodiments of the present invention.

図2は、図1に示した装置用のマイクロカンチレバーを示す詳細図である。図2に示すマイクロカンチレバー102は、シリコンウエハ200と銅電極202とを含む。ナノ構造と反応物質との他の組み合わせも、本発明の実施例に基づいて使用可能である。図において、マイクロカンチレバーの例示的寸法は、本発明の実施例に基づいて使用するナノ構造と反応物質との寸法が比較的小さいことを示す。   FIG. 2 is a detailed view showing a microcantilever for the apparatus shown in FIG. The micro cantilever 102 shown in FIG. 2 includes a silicon wafer 200 and a copper electrode 202. Other combinations of nanostructures and reactants can also be used based on embodiments of the present invention. In the figure, the exemplary dimensions of the microcantilever indicate that the dimensions of the nanostructures and reactants used in accordance with embodiments of the present invention are relatively small.

図3は、本発明の一実施例に基づく方法を示すフローチャートである。図3の方法300は、腐食性雰囲気においてナノ構造によって腐食を監視し検出する方法である。本方法の他の実施例は、本発明に基づき、より少ないかより多いステップを備えることができる。方法300はブロック302から開始する。   FIG. 3 is a flowchart illustrating a method according to an embodiment of the present invention. The method 300 of FIG. 3 is a method for monitoring and detecting corrosion by nanostructures in a corrosive atmosphere. Other embodiments of the method may comprise fewer or more steps in accordance with the present invention. Method 300 begins at block 302.

ブロック302において、少なくとも一つの反応物質を備えるナノ構造を提供する。一実施例において、ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つを含むことができる。別の実施例において、反応物質は、金属性物質、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、パーマロイの一つを含むことができる。さらに別の実施例において、少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供することは、シリコンウエハに銅電極を塗布することである。   At block 302, a nanostructure comprising at least one reactant is provided. In one example, the nanostructure can include one of a microcantilever, a nanotube, a carbon nanotube, a nanoparticle, a nanoball, and a nanocantilever. In another example, the reactant may include one of a metallic material, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), zinc (Zn), molybdenum (Mo), permalloy. In yet another embodiment, providing at least one nanostructure of at least one reactant is applying a copper electrode to a silicon wafer.

一実施例において、少なくとも一つの反応物質からなるナノ構造を提供することは、ナノ構造をマイクロエレクトロニクスチップに搭載すること、ナノ構造を半導体チップに搭載すること、ナノ構造を電子デバイス内に配置すること、ナノ構造を容器内に配置することのいずれかを含むことができる。   In one embodiment, providing a nanostructure comprising at least one reactant includes mounting the nanostructure on a microelectronic chip, mounting the nanostructure on a semiconductor chip, and placing the nanostructure in an electronic device. Or placing the nanostructure in a container.

ブロック302に続くブロック304において、前記少なくとも一つの反応物質を腐食性雰囲気に暴露する。   In block 304 following block 302, the at least one reactant is exposed to a corrosive atmosphere.

ブロック304に続くブロック306において、前記少なくとも一つの反応物質との反応を検出する。実施例において、反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、反応物質の物理特性、反応物質の電気特性、反応物質の化学特性のいずれかにおける変化を含むことができる。別の実施例において、前記少なくとも一つの反応物質との反応を検出することは、前記少なくとも一つの反応物質の初期特性と後続特性との差を決定することである。   In block 306 following block 304, a reaction with the at least one reactant is detected. In an embodiment, the reaction can include a change in any of mass, displacement, vibration frequency, electrical resistance, voltage, physical properties of the reactants, electrical properties of the reactants, and chemical properties of the reactants. In another embodiment, detecting a reaction with the at least one reactant is determining a difference between an initial characteristic and a subsequent characteristic of the at least one reactant.

ブロック306に続くブロック308において、少なくとも前記反応に基づき、前記少なくとも一つの反応物質に関連する腐食量を決定する。一実施例において、前記少なくとも一つの反応物質に関連する腐食量を決定することは、前記少なくとも一つの反応物質の初期特性と現在特性との差を決定し、その差を腐食量に関連付けることを含むことができる。方法300はブロック308において終了する。一実施例において、反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化を含むことができる。方法300はブロック308において終了する。   In block 308 following block 306, an amount of corrosion associated with the at least one reactant is determined based on at least the reaction. In one embodiment, determining the amount of corrosion associated with the at least one reactant comprises determining a difference between an initial property and a current property of the at least one reactant and associating the difference with the amount of corrosion. Can be included. The method 300 ends at block 308. In one embodiment, the reaction can include a change in one of mass, displacement, vibration frequency, electrical resistance, voltage, physical properties of the reactant, electrical properties of the reactant, chemical properties of the reactant. . The method 300 ends at block 308.

図4は、本発明の一実施例に基づく別の方法を示すフローチャートである。図4の方法400は、腐食モニタを製造する方法である。本方法の他の実施例は、本発明に基づき、より少ないかより多いステップを有することができる。方法400はブロック402から開始する。   FIG. 4 is a flowchart illustrating another method according to an embodiment of the present invention. The method 400 of FIG. 4 is a method of manufacturing a corrosion monitor. Other embodiments of the method can have fewer or more steps in accordance with the present invention. Method 400 begins at block 402.

ブロック402において、少なくとも一つの反応物質を備えたナノ構造を提供する。この少なくとも一つの反応物質は、腐食性雰囲気と反応する。   At block 402, a nanostructure with at least one reactant is provided. The at least one reactant reacts with the corrosive atmosphere.

ブロック402に続くブロック404において、電子チップを提供する。この電子チップは前記ナノ構造の一部を載置するものである。   In block 404 following block 402, the electronic chip is provided. This electronic chip is for mounting a part of the nanostructure.

ブロック404に続くブロック406において、前記電子チップの一部に前記ナノ構造を載置する。   In block 406 following block 404, the nanostructure is mounted on a portion of the electronic chip.

ブロック406に続くブロック408において、プロセッサを提供する。このプロセッサは、前記少なくとも一つの反応物質に関する反応を検出可能であるとともに、少なくとも前記反応に部分的に基づいて、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定できる。一実施例において、前記プロセッサは前記ナノ構造と動作的に通信する。   In block 408 following block 406, a processor is provided. The processor can detect a reaction associated with the at least one reactant and determine a corrosion amount of the at least one reactant based at least in part on the reaction. In one embodiment, the processor is in operative communication with the nanostructure.

ブロック408に続くブロック410において、前記電子チップを出力装置に接続する。この出力装置は、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を表示できる。方法400はブロック410において終了する。   In block 410 following block 408, the electronic chip is connected to an output device. The output device can display the amount of corrosion of the at least one reactant. Method 400 ends at block 410.

図5は、本発明の一実施例に基づく、ナノ構造を有した検出回路の一例を示す図である。検出回路500は、例えば腐食モニタ等の様々な電子デバイスやプロセッサ利用装置に設置できる。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a detection circuit having a nanostructure according to an embodiment of the present invention. The detection circuit 500 can be installed in various electronic devices such as a corrosion monitor and a processor utilizing apparatus.

図5に示す検出回路500は、マイクロカンチレバー502等のナノ構造を含む。図示の検出回路500は、電源504と、プロセッサ506と、EEPROM508等のメモリと、発振器510とをさらに含む。本発明の他の実施例に基づく検出回路は、他の構成および他の配置の構成要素を持つことができる。   A detection circuit 500 illustrated in FIG. 5 includes a nanostructure such as a microcantilever 502. The illustrated detection circuit 500 further includes a power source 504, a processor 506, a memory such as an EEPROM 508, and an oscillator 510. The detection circuit according to other embodiments of the present invention may have other configurations and other arrangement components.

図示の検出回路500において、電源504は、マイクロカンチレバー502、EEPROM506、発振器508を含む回路要素のいくつかあるいは全てに必要な電流を提供できる。適切な電源は、バイアスパワーテクノロジー社が製造する3−5VDC電源である。   In the illustrated detection circuit 500, the power supply 504 can provide the necessary current to some or all of the circuit elements including the microcantilever 502, the EEPROM 506, and the oscillator 508. A suitable power source is a 3-5 VDC power source manufactured by Bias Power Technology.

図示の検出回路500において、マイクロカンチレバー502は例えば腐食性雰囲気、物質、材料に暴露できる。マイクロカンチレバー502は、かかる腐食性雰囲気、物質、材料に応じ、例えば偏向するかあるいは当該腐食性雰囲気、物質、材料に反応する。一実施例において、マイクロカンチレバー502に塗布、適用、あるいは搭載した少なくとも一つの反応物質は、前記腐食性雰囲気、物質、材料に反応できる。適切なマイクロカンチレバーは、ビーコインスツルメンツ社が製造するDMASPシリーズ、マイクロアクチュエーテッドシリコンアクティブプローブである。いずれにせよ、マイクロカンチレバー502の反応に関係する信号を検出し、送信し、発振器にて受け取る。   In the illustrated detection circuit 500, the microcantilever 502 can be exposed to, for example, a corrosive atmosphere, substance, or material. The micro cantilever 502 is deflected or reacts to the corrosive atmosphere, substance, or material, for example, depending on the corrosive atmosphere, substance, or material. In one embodiment, at least one reactant applied, applied, or mounted on the microcantilever 502 can react with the corrosive atmosphere, material, or material. A suitable microcantilever is the DMASP series, microactuated silicon active probe manufactured by Beecoin Instruments. In any case, a signal related to the reaction of the microcantilever 502 is detected, transmitted, and received by an oscillator.

図5に示す発振器510は、腐食性雰囲気、物質、材料に対するマイクロカンチレバーの反応に関連した信号を検出または受信できる。発振器510は、腐食性雰囲気、物質、材料に対するマイクロカンチレバー502の反応に少なくとも部分的に基づく周波数出力信号を発生できる。例えば発振器510は、マイクロカンチレバー502の比較的大きな偏向に関連した信号に基づき、比較的大きな周波数応答信号を提供できる。同様に発振器510は、マイクロカンチレバー502の比較的小さな偏向に関連した信号に基づき、比較的小さな周波数応答信号を提供できる。適切な発振器は、カリフォルニア州ミルピタスのインターシル社が製造販売するHA7210シリーズ、10kHz−10MHz、低出力水晶型発振器である。   The oscillator 510 shown in FIG. 5 can detect or receive signals related to the reaction of the microcantilever to corrosive atmospheres, substances, and materials. The oscillator 510 can generate a frequency output signal based at least in part on the response of the microcantilever 502 to a corrosive atmosphere, substance, or material. For example, the oscillator 510 can provide a relatively large frequency response signal based on a signal associated with a relatively large deflection of the microcantilever 502. Similarly, the oscillator 510 can provide a relatively small frequency response signal based on a signal associated with a relatively small deflection of the microcantilever 502. A suitable oscillator is the HA7210 series, 10 kHz-10 MHz, low power crystal oscillator manufactured and sold by Intersil Corporation of Milpitas, California.

一実施例において、発振器510からの周波数応答信号を比較することにより、例えば初期時間と後続時間の所定期間におけるマイクロカンチレバー502から受け取る信号の少なくとも一部に基づいた周波数応答差を決定できる。この周波数応答差は、反応物質の腐食量に関連付けることができる。   In one embodiment, by comparing the frequency response signals from the oscillator 510, a frequency response difference based on at least a portion of the signal received from the microcantilever 502, for example, in a predetermined period of time between the initial time and the subsequent time can be determined. This frequency response difference can be related to the amount of corrosion of the reactant.

プロセッサ506は、検出回路500の構成要素のいくつかあるいは全てを制御するための命令セットまたはコマンドセットを提供するか実行できる。EEPROM508等の付随メモリは、プロセッサ506が実行する命令セットまたはコマンドセットを格納するためのデータ記憶装置またはコンピュータ読み取り可能媒体を提供できる。例えばプロセッサ506は、マイクロカンチレバー502等のナノ構造を使用して腐食を検出、測定、監視するための命令セットを実行できる。適切なプロセッサは、マイクロチップテクノロジー社が製造するPIC18F1220シリーズマイクロコントローラである。適切なメモリはATMEL社が製造するシリアルフラッシュ型メモリチップである。   The processor 506 can provide or execute an instruction set or command set for controlling some or all of the components of the detection circuit 500. Associated memory, such as EEPROM 508, can provide a data storage device or a computer-readable medium for storing an instruction set or command set that is executed by the processor 506. For example, the processor 506 can execute a set of instructions for detecting, measuring, and monitoring corrosion using nanostructures such as the microcantilever 502. A suitable processor is a PIC18F1220 series microcontroller manufactured by Microchip Technology. A suitable memory is a serial flash memory chip manufactured by ATMEL.

前記説明は、本発明の一部の実施例のみに関連するものであり、本発明には本発明の範囲を逸脱せずに多くの変更や修正が可能であることは言うまでもない。   The foregoing description relates only to some embodiments of the present invention, and it goes without saying that many changes and modifications can be made to the present invention without departing from the scope of the present invention.

本発明の一実施例に基づく装置を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing an apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示した装置用のマイクロカンチレバーを示す詳細図である。It is detail drawing which shows the micro cantilever for apparatuses shown in FIG. 本発明の一実施例に基づく方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a method according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に基づく別の方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating another method according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に基づくナノ構造を有した検出回路の一例である。1 is an example of a detection circuit having a nanostructure according to an embodiment of the present invention.

Claims (20)

少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供し、
前記少なくとも一つの反応物質の一部を腐食性雰囲気に暴露し、
前記少なくとも一つの反応物質との反応を検出し、
前記反応の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質に関連する腐食量を決定することを備える、腐食性雰囲気中においてナノ構造によって腐食を検出する方法。
Providing at least one nanostructure comprising at least one reactant;
Exposing a portion of the at least one reactant to a corrosive atmosphere;
Detecting a reaction with the at least one reactant,
A method of detecting corrosion by nanostructures in a corrosive atmosphere comprising determining an amount of corrosion associated with the at least one reactant based on at least a portion of the reaction.
少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供することは、シリコンウエハに銅電極を塗布することからなる、請求項1の方法。   The method of claim 1, wherein providing at least one nanostructure of at least one reactant comprises applying a copper electrode to a silicon wafer. 少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供することは、ナノ構造に複数の反応物質を塗布することからなり、各反応物質は各異なる物質と反応できる、請求項1の方法。   2. The method of claim 1, wherein providing at least one nanostructure of at least one reactant comprises applying a plurality of reactants to the nanostructure, each reactant being capable of reacting with a different material. 少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造を提供することは、複数のナノ構造に各々の反応物質を塗布することからなり、各反応物質は各異なる物質と反応できる、請求項1の方法。   2. The method of claim 1, wherein providing at least one nanostructure of at least one reactant comprises applying each reactant to a plurality of nanostructures, each reactant being capable of reacting with a different material. . 前記ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つからなる、請求項1の方法。   The method of claim 1, wherein the nanostructure comprises one of a microcantilever, a nanotube, a carbon nanotube, a nanoparticle, a nanoball, and a nanocantilever. 前記少なくとも一つの反応物質は、金属性物質、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、パーマロイの一つからなる、請求項1の方法。   The method of claim 1, wherein the at least one reactant comprises one of a metallic material, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), zinc (Zn), molybdenum (Mo), and permalloy. 前記少なくとも一つの反応物質との反応を検出することは、前記少なくとも一つの反応物質の初期特性と後続特性との差を決定することからなる、請求項1の方法。   The method of claim 1, wherein detecting a reaction with the at least one reactant comprises determining a difference between an initial characteristic and a subsequent characteristic of the at least one reactant. 前記反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化からなる、請求項1の方法。   2. The method of claim 1, wherein the reaction comprises a change in one of mass, displacement, vibration frequency, electrical resistance, voltage, physical properties of the reactant, electrical properties of the reactant, and chemical properties of the reactant. 前記少なくとも一つの反応物質に関連する腐食量を決定することは、前記少なくとも一つの反応物質の初期特性と現在特性との差を決定し、その差を腐食量に関連付けることを備える、請求項1の方法。   The determining the amount of corrosion associated with the at least one reactant comprises determining a difference between an initial property and a current property of the at least one reactant and correlating the difference to the amount of corrosion. the method of. 電子チップであって、
腐食性雰囲気と反応可能な少なくとも一つの反応物質からなる少なくとも一つのナノ構造と、
プロセッサであって、
前記少なくとも一つの反応物質の反応に関連する信号を受け取り、
前記信号の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定し、
前記少なくとも一つの反応物質の腐食量に関連付けた出力信号を発生することが可能な当該プロセッサとを備える前記電子チップと、
出力デバイスであって、
前記電子チップから前記出力信号を受け取り、
前記少なくとも一つの反応物質の前記腐食量に関連付けた指標を表示する当該出力デバイスとを備える、腐食を検出し監視する装置。
An electronic chip,
At least one nanostructure comprising at least one reactant capable of reacting with a corrosive atmosphere;
A processor,
Receiving a signal associated with a reaction of the at least one reactant;
Determining an amount of corrosion of the at least one reactant based on at least a portion of the signal;
The electronic chip comprising: a processor capable of generating an output signal associated with the amount of corrosion of the at least one reactant;
An output device,
Receiving the output signal from the electronic chip;
An apparatus for detecting and monitoring corrosion comprising: an output device for displaying an indicator associated with the amount of corrosion of the at least one reactant.
前記少なくとも一つの反応物質は、前記ナノ構造に塗布する、請求項10の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the at least one reactant is applied to the nanostructure. 少なくとも一つの反応物質からなる前記少なくとも一つのナノ構造は複数のナノ構造からなり、各ナノ構造の反応物質は各々の物質と反応できる、請求項10の装置。   11. The apparatus of claim 10, wherein the at least one nanostructure comprising at least one reactant comprises a plurality of nanostructures, and each nanostructure reactant can react with the respective substance. 前記少なくとも一つのナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つからなる、請求項10の装置。   The apparatus of claim 10, wherein the at least one nanostructure comprises one of a microcantilever, a nanotube, a carbon nanotube, a nanoparticle, a nanoball, and a nanocantilever. 前記少なくとも一つの反応物質は、金属性物質、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、パーマロイの一つからなる、請求項10の装置。   11. The apparatus of claim 10, wherein the at least one reactant comprises one of a metallic material, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), zinc (Zn), molybdenum (Mo), and permalloy. 前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定することは、前記少なくとも一つの反応物質に関連付けた初期信号と前記少なくとも一つの反応物質の反応に関連付けた後続信号との差を決定することからなる、請求項10の装置。   Determining the amount of corrosion of the at least one reactant comprises determining a difference between an initial signal associated with the at least one reactant and a subsequent signal associated with the reaction of the at least one reactant. The apparatus of claim 10. 前記反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化からなる、請求項10の装置。   11. The apparatus of claim 10, wherein the reaction comprises a change in one of mass, displacement, vibration frequency, electrical resistance, voltage, physical properties of the reactant, electrical properties of the reactant, and chemical properties of the reactant. 腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を有する少なくとも一つのナノ構造と、
前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段と、
少なくとも前記反応に部分的に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段とを備える、腐食を検出し監視する装置。
At least one nanostructure having at least one reactant adapted to be exposed to a corrosive atmosphere;
Detection means for detecting a reaction associated with the at least one reactant;
An apparatus for detecting and monitoring corrosion comprising: measuring means for determining a corrosion amount of the at least one reactant based at least in part on the reaction.
前記少なくとも一つのナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つからなる、請求項17の装置。   The apparatus of claim 17, wherein the at least one nanostructure comprises one of a microcantilever, a nanotube, a carbon nanotube, a nanoparticle, a nanoball, and a nanocantilever. 前記少なくとも一つの反応物質は、金属性物質、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、パーマロイの一つからなる、請求項17の装置。   The apparatus of claim 17, wherein the at least one reactant is one of a metallic material, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), zinc (Zn), molybdenum (Mo), and permalloy. 腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を含むナノ構造を提供し、
電子チップを提供し、その電子チップの一部に前記ナノ構造を載置し、
プロセッサを提供し、当該プロセッサは、
前記少なくとも一つの反応物質に関連する反応を検出し、
前記反応の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定でき、
前記電子チップを出力デバイスに載置し、当該出力デバイスは、
前記少なくとも一つの反応物質の腐食量に関連付けた信号を受け取り、
前記少なくとも一つの反応物質の前記腐食量に関連付けた指標を表示できる、腐食モニタの製造方法。
Providing a nanostructure comprising at least one reactant adapted to be exposed to a corrosive atmosphere;
Providing an electronic chip, placing the nanostructure on a portion of the electronic chip;
Providing a processor, the processor comprising:
Detecting a reaction associated with the at least one reactant;
Based on at least a portion of the reaction, the amount of corrosion of the at least one reactant can be determined;
The electronic chip is mounted on an output device, and the output device is
Receiving a signal associated with the amount of corrosion of the at least one reactant;
A method of manufacturing a corrosion monitor capable of displaying an indicator associated with the amount of corrosion of the at least one reactant.
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