JP2008311263A - Mounting structure of semiconductor chip - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mounting structure of a semiconductor chip capable of assuring a satisfactory contacting state between a bump and an electrode pad of a circuit board even though two semiconductor chips without the bumps formed at the facing position are mounted on the circuit board. <P>SOLUTION: The two semiconductor chips 4a and 4b are arranged so as to sandwich the circuit board 10 and mounted on the circuit board 10 by an adhesive agent 3. The semiconductor chip 4a is joined to the circuit board 10 by the adhesive agent 3 with the bumps 8a1 to 8a4 press-contacted to the electrode pad 2a provided on the upper surface US of the circuit board 10. Further the semiconductor chip 4b is joined to the circuit board 10 by the adhesive agent 3 with the bumps 8b1 to 8b4 press-contacted to the electrode pad 2b provided on the lower surface LS of the circuit board 10. A deformation restraining member 15a for restraining the deformation of the electrode pad 2b3 is provided on the backside of the circuit board 10 facing to a free bump 8b3 of the semiconductor chip 4b. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、回路基板の少なくとも一方の面に半導体チップが実装される実装構造体に関し、さらに回路基板の両面のそれぞれに半導体チップが実装される実装構造体に関する。   The present invention relates to a mounting structure in which a semiconductor chip is mounted on at least one surface of a circuit board, and further relates to a mounting structure in which a semiconductor chip is mounted on each of both surfaces of a circuit board.

半導体プロセスの微細化技術の進展に伴い、メモリ素子の高容量化が進んでいる。そのような背景のもと、記録媒体として従来から使われている磁気記録媒体や光紀録媒体に代わって、フラッシュメモリのような固体メモリが使われ出している。固体メモリの応用例として、ICカードやデジタルカメラなどのメモリカードがあり、さらにはセキュリティ機能を持ったSD(登録商標)カードなどが広まっている。このようなメモリカードは音楽情報や映像情報などを記録するために今後益々大容量化が要望されている。   With the progress of semiconductor process miniaturization technology, the capacity of memory elements is increasing. Under such circumstances, a solid-state memory such as a flash memory has been used in place of a magnetic recording medium and an optical recording medium conventionally used as a recording medium. Application examples of solid-state memory include memory cards such as IC cards and digital cameras, and SD (registered trademark) cards having a security function are widespread. Such memory cards are required to have a larger capacity in the future in order to record music information and video information.

メモリの大容量化を実現する有効な方法の一つに複数(例えば、2枚)の半導体チップを立体的に重ね合わせて一つのメモリカードとする方法がある。この場合、メモリカードの薄型化を損なうことなく複数の半導体チップを立体的に接続するための三次元実装や両面ベアチップ実装技術が用いられる。このような実装技術により構成された実装構造体の一例(例えば、特許文献1)を示す。   One effective method for realizing a large memory capacity is a method in which a plurality of (for example, two) semiconductor chips are three-dimensionally stacked to form one memory card. In this case, three-dimensional mounting or double-sided bare chip mounting technology for three-dimensionally connecting a plurality of semiconductor chips without impairing the thinning of the memory card is used. An example (for example, patent document 1) of the mounting structure comprised by such mounting technology is shown.

図6を参照して、従来の実装構造体200aについて説明する。なお、図6(a)〜(c)には、それぞれ従来の実装構造体200aの半導体チップの接合面に概ね垂直な面で切断した縦断面が示されている。詳しくは、図6(a)は製造工程において実装構造体200aが加圧加熱ツール20aおよび20bで圧縮される状態を示し、図6(b)は完成後の実装構造体200aを示す。また図6(c)は図6(b)とはバンプの配列が異なる実装構造体200aを示す。   A conventional mounting structure 200a will be described with reference to FIG. 6A to 6C each show a longitudinal section taken along a plane substantially perpendicular to the bonding surface of the semiconductor chip of the conventional mounting structure 200a. Specifically, FIG. 6A shows a state in which the mounting structure 200a is compressed by the pressure heating tools 20a and 20b in the manufacturing process, and FIG. 6B shows the mounting structure 200a after completion. FIG. 6C shows a mounting structure 200a having a different bump arrangement from FIG. 6B.

まず図6(a)に基づいて、実装構造体200aの製造工程について簡単に説明する。実装構造体100aは、2つの半導体チップ2aおよび2bのそれぞれが、回路基板10の上面USおよび下面LSに実装される。   First, a manufacturing process of the mounting structure 200a will be briefly described with reference to FIG. In the mounting structure 100a, the two semiconductor chips 2a and 2b are mounted on the upper surface US and the lower surface LS of the circuit board 10, respectively.

半導体チップ4aは2つの面が略平行な平板状に形成され、一面の周辺部に複数の電極パッド7aが直線状に配置されている。通常、一対の電極パッド7aが半導体チップ4aの電極面の周辺部に対抗する形で設けられている。半導体チップ4aの各電極パッド7a上にはバンプ8a1〜8a4が形成されている。バンプ8a1〜8a4と電極パッド7aとは、接合部における互いの素材が融合しあって強固に固着している。半導体チップ4bは、半導体チップ4aと同様に構成されている。回路基板10は、平板上のベースプレート1の両面に複数の電極パッド2aおよび2bが形成されている。   The semiconductor chip 4a is formed in a flat plate shape having two substantially parallel surfaces, and a plurality of electrode pads 7a are linearly arranged on the periphery of one surface. Usually, a pair of electrode pads 7a are provided so as to oppose the periphery of the electrode surface of the semiconductor chip 4a. Bumps 8a1 to 8a4 are formed on each electrode pad 7a of the semiconductor chip 4a. The bumps 8a1 to 8a4 and the electrode pad 7a are firmly bonded to each other at the joint portion. The semiconductor chip 4b is configured similarly to the semiconductor chip 4a. The circuit board 10 has a plurality of electrode pads 2a and 2b formed on both surfaces of a base plate 1 on a flat plate.

実装構造体200aを製造する際には、まずベースプレート1の上面USに形成された電極パッド2aに対して半導体チップ4aのバンプ8a1〜8a4が位置合わせされる。この状態で半導体チップ4aは接着剤3に軽く押付けられ、接着剤3を介してベースプレート1の上面USに仮固定される。   When manufacturing the mounting structure 200a, first, the bumps 8a1 to 8a4 of the semiconductor chip 4a are aligned with the electrode pads 2a formed on the upper surface US of the base plate 1. In this state, the semiconductor chip 4 a is lightly pressed against the adhesive 3 and is temporarily fixed to the upper surface US of the base plate 1 via the adhesive 3.

半導体チップ4aが仮固定された回路基板10が上下反転され、ベースプレート1の下面LSに半導体チップ4bが半導体チップ4aと同様の方法で仮固定される。このようにして回路基板の両実装面US、LSに半導体チップ4aおよび4bが仮固定された構造体を加圧加熱ヘッド20aおよび20bで挟み、矢印方向に約30秒間押し付けながら加熱する。   The circuit board 10 to which the semiconductor chip 4a is temporarily fixed is turned upside down, and the semiconductor chip 4b is temporarily fixed to the lower surface LS of the base plate 1 in the same manner as the semiconductor chip 4a. In this way, the structure in which the semiconductor chips 4a and 4b are temporarily fixed to both the mounting surfaces US and LS of the circuit board is sandwiched between the pressure heating heads 20a and 20b, and heated while being pressed in the direction of the arrow for about 30 seconds.

加圧加熱ヘッド20aおよび20bによって半導体チップ4aおよび4bは回路基板10に対して押し付けられる。バンプ8a1〜8a4はそれぞれ、回路基板10の電極パッド2aおよび2bを介してバンプ8b1〜8b4に突き当たる。例えば、バンプ8a1と対向するバンプ8b1は、加圧加熱ヘッド20aおよび20bの加圧力に拮抗して、相互に受け止めあう。   The semiconductor chips 4a and 4b are pressed against the circuit board 10 by the pressure heating heads 20a and 20b. The bumps 8a1 to 8a4 abut against the bumps 8b1 to 8b4 via the electrode pads 2a and 2b of the circuit board 10, respectively. For example, the bumps 8b1 facing the bumps 8a1 antagonize the pressure applied by the pressurizing and heating heads 20a and 20b and receive each other.

やがて、加圧力に抗しきれず、バンプ8a1および8b1のそれぞれの電極パッド2aおよび2bとの接触面が変形し、電極パッド2aおよび2bとの間で十分な密着性が確保される。バンプ8a2と8b2、バンプ8a3とバンプ8b3、およびバンプ8a4とバンプ8b4についても同様である。   Eventually, the contact surfaces of the bumps 8a1 and 8b1 with the electrode pads 2a and 2b are deformed without being able to resist the applied pressure, and sufficient adhesion is secured between the electrode pads 2a and 2b. The same applies to the bumps 8a2 and 8b2, the bumps 8a3 and 8b3, and the bumps 8a4 and 8b4.

また上記加圧加熱工程において、回路基板10の両実装面US、LSに充填されている接着剤3は熱硬化して収縮する。接着剤3は半導体チップ4a,4bと回路基板10の対向する実装面US、LSとの隙間全体に充填されている。つまり、硬化する接着剤3の収縮力によって、2個の半導体チップ4aおよび4bは回路基板10の対向する実装面USおよびLSに引き寄せられる。   Moreover, in the said pressure heating process, the adhesive agent 3 with which both the mounting surfaces US and LS of the circuit board 10 are filled thermosets, and shrinks. The adhesive 3 is filled in the entire gap between the semiconductor chips 4 a and 4 b and the mounting surfaces US and LS facing each other on the circuit board 10. That is, the two semiconductor chips 4 a and 4 b are attracted to the opposing mounting surfaces US and LS of the circuit board 10 by the contraction force of the adhesive 3 to be cured.

半導体チップ4aおよび4bは、回路基板10を介して互いに引き寄せられた状態で、回路基板10の実装面USおよびLSに強固に接着される。結果、各バンプ8a1〜8a4および8b1〜8b4は対応する電極パッド2aおよび2bにそれぞれ圧接された状態で電気的に接続される。図6(b)に完成した実装構造体200aの断面を示す。   The semiconductor chips 4a and 4b are firmly bonded to the mounting surfaces US and LS of the circuit board 10 in a state where they are attracted to each other via the circuit board 10. As a result, the bumps 8a1 to 8a4 and 8b1 to 8b4 are electrically connected to the corresponding electrode pads 2a and 2b while being in pressure contact with each other. FIG. 6B shows a cross section of the completed mounting structure 200a.

上述した加圧加熱工程の前後において、バンプ8a(8a1〜8a4の総称)および8b(8b1〜8b4の総称)の高さは図6(a)に示すHaから図6(b)に示すHbに変化する。この寸法変化の主な原因は、上述のように対向するバンプ8aと8bとが互いに相手を電極パッド2aおよび2bを介して変形させることによる。   Before and after the pressurizing and heating step described above, the heights of the bumps 8a (a general term for 8a1 to 8a4) and 8b (a general term for 8b1 to 8b4) are changed from Ha shown in FIG. 6A to Hb shown in FIG. 6B. Change. The main cause of this dimensional change is that the opposing bumps 8a and 8b deform each other through the electrode pads 2a and 2b as described above.

一例として示すと、圧接される前のバンプ8aおよび8bの直径は約80μm、高さHaは約60μmであるが、加圧加熱ヘッド20a、20bで圧接されることにより、高さHbは約35μmに縮まる。   As an example, the diameters of the bumps 8a and 8b before being pressed are about 80 μm and the height Ha is about 60 μm, but the height Hb is about 35 μm by being pressed by the pressure heating heads 20a and 20b. Shrink to

これと同時に、電極パッド2aおよび2bがバンプ8aおよび8bによって、ベースプレート1側に局部的に変形される。ただし、この変形量は、ベースプレート1の厚さの1/2より小さく、電極パッド2a、2bに損傷をあたえるようなものではない。   At the same time, the electrode pads 2a and 2b are locally deformed to the base plate 1 side by the bumps 8a and 8b. However, the amount of deformation is smaller than ½ of the thickness of the base plate 1 and does not damage the electrode pads 2a and 2b.

図6(b)に示すように従来の実装構造体200aは、半導体チップ4aに設けられたバンプ8a1〜8a4と、半導体チップ4bに設けられたバンプ8b1〜8b4が互いに対向する位置に形成されている。このような構成とすることで、加圧加熱工程において各バンプ8a1〜8a4および8b1〜8b4のそれぞれが、対応する電極パッド2aおよび2bに圧接される。結果、バンプ8a1〜8a4および8b1〜8b4は、電極パッド2aおよび2bとの接触面が変形し、電極パッド2aおよび2bとの間で十分な密着性が確保される。   As shown in FIG. 6B, the conventional mounting structure 200a is formed such that the bumps 8a1 to 8a4 provided on the semiconductor chip 4a and the bumps 8b1 to 8b4 provided on the semiconductor chip 4b are opposed to each other. Yes. With such a configuration, each of the bumps 8a1 to 8a4 and 8b1 to 8b4 is pressed against the corresponding electrode pads 2a and 2b in the pressure heating process. As a result, the bumps 8a1 to 8a4 and 8b1 to 8b4 are deformed in contact surfaces with the electrode pads 2a and 2b, and sufficient adhesion is ensured between the electrode pads 2a and 2b.

これに対し図6(c)に示すように、半導体チップ4aおよび4bの対向する位置にバンプが形成されない場合がある。図6(c)の示す実装構造体200aでは、図6(a)に示したバンプ8a1〜8a4のうち8a3が欠落し、バンプ8b1〜8b4のうち8b2が欠落している。   On the other hand, as shown in FIG. 6C, bumps may not be formed at positions where the semiconductor chips 4a and 4b face each other. In the mounting structure 200a shown in FIG. 6C, 8a3 is missing from the bumps 8a1 to 8a4 shown in FIG. 6A, and 8b2 is missing from the bumps 8b1 to 8b4.

このような場合、半導体チップ4aおよび4bをベースプレート1に押付けながら加熱する工程において、バンプ8a3および8b2とその他のバンプで高さに差が生じる。すなわち、対向する位置にバンプが形成されているバンプ8a1と8b1および8a4と8b4は、相互に押圧されることによって変形し、高さがHbになる。これに対し、対向する位置にバンプが形成されていないバンプ8a2および8b3は、ほぼ当初の高さHaを維持する。   In such a case, in the process of heating while pressing the semiconductor chips 4a and 4b against the base plate 1, there is a difference in height between the bumps 8a3 and 8b2 and the other bumps. That is, the bumps 8a1 and 8b1 and 8a4 and 8b4 on which bumps are formed at opposing positions are deformed by being pressed against each other, and the height becomes Hb. On the other hand, the bumps 8a2 and 8b3 on which no bumps are formed at the opposing positions substantially maintain the initial height Ha.

図6(c)に示すように、バンプの高さHaとHbの差ΔHを原因として回路基板10がバンプ8a2および8b3によって押され、バンプ8a2および8b3と接する電極パッド2a2および2b3は大きくたわむ。このとき、電極パッドがバンプに沿って過度(全体的に)に変形してバンプが電極パッドに部分的に食い込むと共に、電極パッドとパンプとの間の密着性を十分確保できなくなる。   As shown in FIG. 6C, the circuit board 10 is pushed by the bumps 8a2 and 8b3 due to the difference ΔH between the bump heights Ha and Hb, and the electrode pads 2a2 and 2b3 contacting the bumps 8a2 and 8b3 are greatly bent. At this time, the electrode pad deforms excessively (entirely) along the bump, and the bump partially bites into the electrode pad, and the adhesion between the electrode pad and the pump cannot be sufficiently secured.

また、接着剤3が硬化して実装構造体200aが形成された後に、半導体チップ4aおよび4bが動作に伴って発熱した場合、接着剤とバンプの熱膨張率の違いによりバンプが伸張する。バンプ8a2や8b3の回路基板10に対して垂直な方向への伸張が繰り返されると、伸張に伴って電極パッド2a2および2b3に応力が加わる。この応力によって電極パッド2a2および2b3のたわみが増大する。このような熱応力が電極パッド2a2や2b3に繰り返し加わると、最悪の場合電極パッド2a2や2b3が破断し、バンプ8a2と電極パッド2a2の間、またバンプ8b3と電極パッド2b3との間の電気的な接続が不安定になる。   In addition, when the semiconductor chips 4a and 4b generate heat during operation after the adhesive 3 is cured and the mounting structure 200a is formed, the bumps are expanded due to the difference in thermal expansion coefficient between the adhesive and the bumps. When the extension of the bumps 8a2 and 8b3 in the direction perpendicular to the circuit board 10 is repeated, stress is applied to the electrode pads 2a2 and 2b3 along with the extension. This stress increases the deflection of the electrode pads 2a2 and 2b3. When such thermal stress is repeatedly applied to the electrode pads 2a2 and 2b3, in the worst case, the electrode pads 2a2 and 2b3 are broken, and electrical between the bumps 8a2 and 2a2 and between the bumps 8b3 and 2b3 Connection becomes unstable.

従来の実装構造体200aにおいて、設計等の理由により、半導体チップ4aおよび4bの互いに対向する位置にバンプが形成されない場合には、図7(a)および(b)に示すように、半導体チップ4a或いは4bにダミーのバンプを形成することで問題の解決を図っている(特許文献2参照)。   In the conventional mounting structure 200a, when bumps are not formed at positions facing each other of the semiconductor chips 4a and 4b for reasons of design or the like, as shown in FIGS. 7A and 7B, the semiconductor chip 4a Alternatively, the problem is solved by forming dummy bumps on 4b (see Patent Document 2).

具体的には、図7(a)に示す実装構造体200bでは、半導体チップ4aにダミーの電極パッド12aとダミーのバンプ13aを形成し、半導体チップ4bにダミーの電極パッド12bとダミーのバンプ13bを形成している。もしくは図7(b)に示す実装構造体200cでは、上記構成に加えて、回路基板10にもダミーの電極パッド14aおよび14bを形成している。なお図中、図6と同一部分には同一符号を付している。   Specifically, in the mounting structure 200b shown in FIG. 7A, dummy electrode pads 12a and dummy bumps 13a are formed on the semiconductor chip 4a, and dummy electrode pads 12b and dummy bumps 13b are formed on the semiconductor chip 4b. Is forming. Alternatively, in the mounting structure 200c shown in FIG. 7B, dummy electrode pads 14a and 14b are formed on the circuit board 10 in addition to the above-described configuration. In the figure, the same parts as those in FIG.

図7(a)および(b)に示す構成を採用することにより、加圧加熱時にバンプ8a2およびダミーのバンプ13bの双方に加わる負荷が相殺され、またバンプ8b3およびダミーのバンプ13aの双方に加わる負荷が相殺される。この加圧負荷の相殺により回路基板10の電極パッド2a2および2b3がたわんで変形するのを防止できる。
特開2003−197853号公報 WO2006/070863
By adopting the configuration shown in FIGS. 7A and 7B, the load applied to both the bump 8a2 and the dummy bump 13b at the time of pressure heating is offset, and also applied to both the bump 8b3 and the dummy bump 13a. The load is offset. It is possible to prevent the electrode pads 2a2 and 2b3 of the circuit board 10 from being bent and deformed by the cancellation of the pressure load.
JP 2003-197853 A WO2006 / 070863

上述した実装構造体を作成する場合、市販されている半導体チップを購入して使用するケースが多い。このような場合、図6(c)に示すようなバンプ構成を回避するためには、半導体チップの製造者に対し、図6(b)に示すように半導体チップ4aのバンプ8a1〜8a4と半導体チップ4bのバンプ81〜8b4のそれぞれが対向する位置に来るような設計を依頼する必要がある。もしくは、半導体チップ4aおよび4b側の都合により、互いに対向する位置にバンプを形成できない場合には、半導体チップの製造者に対し、図7に示したようなダミーのバンプ13a,13bを形成するように依頼する必要がある。   When creating the mounting structure described above, there are many cases where a commercially available semiconductor chip is purchased and used. In such a case, in order to avoid the bump configuration as shown in FIG. 6C, the semiconductor chip manufacturer is informed of the bumps 8a1 to 8a4 of the semiconductor chip 4a and the semiconductor as shown in FIG. It is necessary to request a design so that each of the bumps 81 to 8b4 of the chip 4b comes to an opposing position. Alternatively, when bumps cannot be formed at positions facing each other due to the convenience of the semiconductor chips 4a and 4b, dummy bumps 13a and 13b as shown in FIG. 7 are formed for the semiconductor chip manufacturer. It is necessary to ask.

しかしながら前者の場合、半導体チップの設計を変更する必要があるため、製造者の了解を得られない場合がある。仮に製造者の了解を得られたとしてもコストアップの要因になる。後者の場合も、製造者の了解を得られなかったり、了解を得られても、ダミーの電極パッド13a、13bを形成するための工程が付加されるためコストアップの要因になる。   However, in the former case, it is necessary to change the design of the semiconductor chip, so the manufacturer's consent may not be obtained. Even if the manufacturer's consent is obtained, it may cause an increase in cost. In the latter case, even if the manufacturer's consent is not obtained or the consent is obtained, a process for forming the dummy electrode pads 13a and 13b is added, which causes an increase in cost.

何れの場合においても、コストアップに加えて、バンプあるいはダミーのバンプを備えた半導体チップを入手するまでに時間を要する。特に、バンプパターンが異なる半導体チップを至急に必要とする製品開発時には大きな障害になる。なぜならば、製品開発においては、必要とする半導体チップは比較的少量である。そのため、外部の半導体チップの製造者にバンプ/ダミーのバンプの増設を依存すれば、コストが量産時に比べて莫大なものになる。   In any case, in addition to the cost increase, it takes time to obtain a semiconductor chip having bumps or dummy bumps. In particular, it becomes a major obstacle during product development that urgently requires semiconductor chips having different bump patterns. This is because a relatively small amount of semiconductor chips are required for product development. Therefore, if the manufacturer of an external semiconductor chip depends on the addition of bumps / dummy bumps, the cost becomes enormous compared to mass production.

本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもので、対向する位置にバンプが形成されていない半導体チップを回路基板に実装する場合であっても、半導体チップにバンプ或いはダミーバンプを追加するのではなく、回路基板側に対策することによって、バンプと回路基板の電極パッドとの間の良好な接触状態を確保でき、しかも比較的容易に実現できる半導体チップの実装構造体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a conventional problem. Even when a semiconductor chip having no bump formed at an opposing position is mounted on a circuit board, a bump or a dummy bump is added to the semiconductor chip. To provide a semiconductor chip mounting structure that can secure a good contact state between a bump and an electrode pad of a circuit board by taking a countermeasure on the circuit board side, and can be realized relatively easily. With the goal.

上記目的を達成するため、本発明に係る半導体チップの実装構造体は、
第1の半導体チップに設けられた第1のバンプが回路基板の第1面に設けられた第1の電極パッドに圧接した状態で、当該第1の半導体チップが当該回路基板に第1の接着剤で接合されて成る半導体チップの実装構造体であって、
前記回路基板の前記第1面に対向する第2面には、前記第1のバンプが圧接する前記第1の電極パッドに対応する位置に第1の変形抑制手段が設けられている。
In order to achieve the above object, a semiconductor chip mounting structure according to the present invention includes:
With the first bump provided on the first semiconductor chip being in pressure contact with the first electrode pad provided on the first surface of the circuit board, the first semiconductor chip is first bonded to the circuit board. A semiconductor chip mounting structure bonded with an agent,
On the second surface opposite to the first surface of the circuit board, first deformation suppressing means is provided at a position corresponding to the first electrode pad where the first bump is pressed.

本発明に係る半導体チップの実装構造体は、第2のバンプが設けられた第2の半導体チップを備え、
前記第2のバンプが前記回路基板の前記第1面に対向する第2面に設けられた第2の電極パッドに圧接した状態で、前記第2の半導体チップが当該回路基板に第2の接着剤で接合され、
前記第1面には、前記第2のバンプが圧接する前記第2の電極パッドに対応する位置に第2の変形抑制手段が設けられていることが好ましい。
A semiconductor chip mounting structure according to the present invention includes a second semiconductor chip provided with a second bump,
The second semiconductor chip is second bonded to the circuit board in a state in which the second bump is in pressure contact with a second electrode pad provided on a second surface of the circuit board facing the first surface. Bonded with agent,
It is preferable that second deformation suppression means is provided on the first surface at a position corresponding to the second electrode pad with which the second bump is pressed.

ここで、前記第1の変形抑制手段は前記第1の電極パッドに対向して設けられ、前記第2の半導体チップとの間は前記第2の接着剤が充填されていることが好ましい。また前記第2の変形抑制手段は前記第2の電極パッドに対向して設けられ、前記第1の半導体チップとの間は前記第1の接着剤が充填されていることが好ましい。また前記第1の変形抑制手段は弾性材料で構成されることが好ましい。   Here, it is preferable that the first deformation suppressing means is provided to face the first electrode pad, and the second adhesive is filled between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. The second deformation suppressing means is preferably provided opposite to the second electrode pad, and the first adhesive is filled with the first semiconductor chip. The first deformation suppressing means is preferably made of an elastic material.

なお、前記第1の変形抑制手段は前記第2面上に設けられた隣接する前記第2の電極パッドと一体的に構成されていてもよい。また前記第1の変形抑制手段と前記第2の半導体チップとの間には、前記第1のバンプの圧接による前記第1の電極パッドの変形を防止する剛性体がさらに設けられていてもよい。さらに前記第1の変形抑制手段と前記第1の電極パッドとの間にビアホールが形成されていてもよい。   The first deformation suppressing means may be formed integrally with the adjacent second electrode pad provided on the second surface. In addition, a rigid body that prevents deformation of the first electrode pad due to the pressure contact of the first bump may be further provided between the first deformation suppressing unit and the second semiconductor chip. . Furthermore, a via hole may be formed between the first deformation suppressing means and the first electrode pad.

本発明に係る半導体チップの実装構造体は、回路基板に電極パッドの変形を抑制する部材としての弾性体を設けることでバンプと電極パッドとの間の良好な接触状態を確保し、結果としてバンプと電極パッド間の安定した電気的接続を実現している。   The semiconductor chip mounting structure according to the present invention secures a good contact state between the bump and the electrode pad by providing an elastic body as a member for suppressing deformation of the electrode pad on the circuit board. And stable electrical connection between the electrode pads.

また本発明に係る半導体チップの実装構造体は、半導体チップの製造者に設計変更やダミーのバンプの増設を依頼する必要がないため、半導体チップ製造者の意向に左右されることなく実現できる。   Further, the semiconductor chip mounting structure according to the present invention does not need to ask the semiconductor chip manufacturer to change the design or increase the number of dummy bumps, and thus can be realized without being influenced by the intention of the semiconductor chip manufacturer.

本発明の実施の形態について詳述する前に、まず本発明の半導体チップの実装構造体の基本的な概念について説明する。上述の従来の実装構造体においては、互いに接合される半導体チップの対向する位置にバンプがないために、対向する位置にあるバンプ(以後、規制バンプという)によって規制されることのないバンプ(以後、フリーバンプという)により、電極パッド(以後、フリー電極パッドという)が過剰に変形されてしまう。   Before describing the embodiments of the present invention in detail, the basic concept of the semiconductor chip mounting structure of the present invention will be described first. In the above-described conventional mounting structure, since there are no bumps at the opposing positions of the semiconductor chips to be bonded to each other, bumps that are not regulated by the bumps at the opposing positions (hereinafter referred to as regulation bumps) (hereinafter referred to as regulation bumps). The electrode pad (hereinafter referred to as the free electrode pad) is excessively deformed by the free bump).

本発明においては、回路基板のベースプレートを挟んで、フリーバンプの反対側に、フリー電極パッドを裏打ちするように変形抑制部材が設けられる。この変形抑制部材によって裏打されたフリー電極パッドは、フリーバンプをより大きな剛性力で弾性的に受け止めることができる。結果、フリー電極パッドのみの場合に比べて、フリー電極パッドの変形が抑制されると共に、フリー電極パッドはフリーバンプにより強く押しつけられて密着性も改善される。   In the present invention, a deformation suppressing member is provided on the opposite side of the free bump across the base plate of the circuit board so as to line the free electrode pad. The free electrode pad backed by the deformation suppressing member can elastically receive the free bump with a greater rigidity. As a result, the deformation of the free electrode pad is suppressed as compared with the case of only the free electrode pad, and the free electrode pad is strongly pressed by the free bump, and the adhesion is improved.

このように、変形抑制部材はフリー電極パッドの過剰な変形を抑制すると共に、フリーバンプとの良好な接触状態を実現する。変形抑制部材は、フリー電極パッドの変形を抑制する機能を果たすために必要とされる剛性、弾性、および強度等の機械的性質を具備すべく、材質および形状が決定される。実施の形態においては、変形抑制部材は好ましくは弾性部材によって、対向するフリー電極パッドと同様の形状に構成される。変形抑制部材に対する機械的性質の要求は、規制バンプによって支持される電極パッドに対する要求以上である。   As described above, the deformation suppressing member suppresses excessive deformation of the free electrode pad and realizes a good contact state with the free bump. The material and shape of the deformation suppressing member are determined so as to have mechanical properties such as rigidity, elasticity, and strength required to perform the function of suppressing the deformation of the free electrode pad. In the embodiment, the deformation suppressing member is preferably formed by an elastic member in the same shape as the opposing free electrode pad. The mechanical property requirement for the deformation suppressing member is more than the requirement for the electrode pad supported by the regulating bump.

このように、変形抑制部材によって過度な変形が防止され、かつフリーバンプに良好に密着した状態で、半導体チップは接着剤によって回路基板に接合される。結果、フリー電極パッドの過度な変形に起因する、接合後のフリーバンプの熱伸張によるフリー電極パッドの損傷が防止されると共に、フリーバンプとフリー電極パッドとの十分な電気接触性が確保される。以下に、図1〜図5を参照して、本発明の実施の形態に係る実装構造体について詳述する。   As described above, the semiconductor chip is bonded to the circuit board by the adhesive in a state in which excessive deformation is prevented by the deformation suppressing member and the free bump is satisfactorily adhered. As a result, damage to the free electrode pad due to thermal expansion of the free bump after bonding due to excessive deformation of the free electrode pad is prevented, and sufficient electrical contact between the free bump and the free electrode pad is ensured. . Below, with reference to FIGS. 1-5, the mounting structure which concerns on embodiment of this invention is explained in full detail.

(実施の形態1)
図1を参照して、本発明の実施の形態1に係る半導体チップの実装構造体の構成について説明する。なお、図1(a)は半導体チップの実装構造体100aの半導体チップの接合面に概ね垂直な面で切断した縦断面を示し、図1(b)は図1(a)において、接合面に概ね平行な面(Ib−Ib線)で切断された実装構造体100aの横断面を示す。なお、図面および明細書の説明において、既述の部材と同一機能を有するものに同一の符号を付すとともに、詳細な説明を省略する。
(Embodiment 1)
With reference to FIG. 1, the structure of the semiconductor chip mounting structure according to the first embodiment of the present invention will be described. 1A shows a longitudinal section taken along a plane substantially perpendicular to the bonding surface of the semiconductor chip of the semiconductor chip mounting structure 100a, and FIG. 1B shows the bonding surface in FIG. The cross section of the mounting structure 100a cut | disconnected by the substantially parallel surface (Ib-Ib line) is shown. In the description of the drawings and specification, the same reference numerals are given to those having the same functions as those of the members described above, and detailed description thereof is omitted.

図1(a)に示すように、実装構造体100aは、2つの半導体チップ2aおよび2bのそれぞれが、回路基板10の上面USおよび下面LSに実装されている。回路基板10の上面USに実装された半導体チップ4aの下面には複数の電極パッド7aが形成されている。それぞれの電極パッド7a上には3つのバンプ8a1、8a2および8a4が形成されているが、図6(c)に示した実装構造体200aと同様にバンプ8a3が欠落している。   As shown in FIG. 1A, in the mounting structure 100a, two semiconductor chips 2a and 2b are mounted on the upper surface US and the lower surface LS of the circuit board 10, respectively. A plurality of electrode pads 7 a are formed on the lower surface of the semiconductor chip 4 a mounted on the upper surface US of the circuit board 10. Three bumps 8a1, 8a2 and 8a4 are formed on each electrode pad 7a, but the bump 8a3 is missing as in the mounting structure 200a shown in FIG. 6C.

回路基板10の下面LSに実装された半導体チップ4bの上面には複数の電極パッド7bが形成されている。それぞれの電極パッド7b上には3つのバンプ8b1、8b3および8b4が形成されているが、図6(c)に示した実装構造体200aと同様にバンプ8b2が欠落している。   A plurality of electrode pads 7 b are formed on the upper surface of the semiconductor chip 4 b mounted on the lower surface LS of the circuit board 10. Three bumps 8b1, 8b3, and 8b4 are formed on each electrode pad 7b, but the bump 8b2 is missing as in the mounting structure 200a shown in FIG. 6C.

規制バンプであるバンプ8a1と8b1およびバンプ8a4と8b4は互いに対向する位置に設けられているが、これも、実装構造体200aにおけるのと同様である。ただし、本実施の形態においては、フリーバンプであるバンプ8a2と対向する位置にある回路基板10の裏側には変形抑制部材15bが設けられている。またフリーバンプであるバンプ8b3と対向する位置にある回路基板10の裏側には変形抑制部材15aが設けられている。   The bumps 8a1 and 8b1 and the bumps 8a4 and 8b4, which are regulation bumps, are provided at positions facing each other, and this is the same as in the mounting structure 200a. However, in the present embodiment, a deformation suppressing member 15b is provided on the back side of the circuit board 10 at a position facing the bumps 8a2 that are free bumps. Further, a deformation suppressing member 15a is provided on the back side of the circuit board 10 at a position facing the bumps 8b3 which are free bumps.

半導体チップ4aおよび4bと回路基板10の対向する実装面US、LSとの隙間には熱硬化した接着剤3が充填されている。半導体チップ4a、4bは接着剤3により回路基板10の実装面US、LSに強固に接着されている。また個々のバンプ8a1〜8a4、8b1〜8b4および変形抑制部材15a,15bは絶縁性の接着剤3によって電気的に分離されている。   The space between the semiconductor chips 4a and 4b and the mounting surfaces US and LS facing each other of the circuit board 10 is filled with the thermosetting adhesive 3. The semiconductor chips 4 a and 4 b are firmly bonded to the mounting surfaces US and LS of the circuit board 10 by the adhesive 3. The individual bumps 8 a 1 to 8 a 4, 8 b 1 to 8 b 4 and the deformation suppressing members 15 a and 15 b are electrically separated by the insulating adhesive 3.

図1(b)には、回路基板10のベースプレート1の上面USを半導体チップ4aから見た状態が示されている。なお、表示の都合上、接着剤3は省略されている。上述のように、上面USには3つの電極パッド2a1、2a2、および2a4(電極バッド2aと総称)が設けられている。そして、電極パッド2a2と2a4との間に変形抑制部材15aが設けられている。   FIG. 1B shows a state in which the upper surface US of the base plate 1 of the circuit board 10 is viewed from the semiconductor chip 4a. Note that the adhesive 3 is omitted for convenience of display. As described above, the upper surface US is provided with the three electrode pads 2a1, 2a2, and 2a4 (collectively referred to as electrode pad 2a). A deformation suppressing member 15a is provided between the electrode pads 2a2 and 2a4.

電極パッド2aは、半導体チップ4aをバンプ8a1〜8a4を介して他の電気/電子機器と電気的に接続するために設けられている。そのために、電極パッド2aは、本体2c(2c1、2c2および2c4の総称)およびリード2d(2d1、2d2および2d4の総称)を含む。本体2cはバンプ8a(8a1、8a2および8a4の総称)との電気的接続に供され、リード2dは本体2cを介して接続されたバンプ8a(半導体チップ4a)と他の電気/電子機器との電気的接続に供される。本体2cは、矩形状好ましくは正方形状に形成され、リード2dは本体2cの端部から回路基板10の端部に向かって延在するように形成されている。   The electrode pad 2a is provided to electrically connect the semiconductor chip 4a to other electric / electronic devices via the bumps 8a1 to 8a4. For this purpose, the electrode pad 2a includes a main body 2c (a general term for 2c1, 2c2, and 2c4) and a lead 2d (a general term for 2d1, 2d2, and 2d4). The main body 2c is provided for electrical connection with the bumps 8a (generic name of 8a1, 8a2 and 8a4), and the lead 2d is connected between the bumps 8a (semiconductor chip 4a) connected via the main body 2c and other electric / electronic devices. Provided for electrical connection. The main body 2c is formed in a rectangular shape, preferably a square shape, and the leads 2d are formed so as to extend from the end portion of the main body 2c toward the end portion of the circuit board 10.

変形抑制部材15aは、回路基板10のベースプレート1を介して反対側に設けた電極パッド2b3を裏打ちするように設けられている。つまり、変形抑制部材15aは、フリーバンプ8b3によって圧接される電極パッド2b3をベースプレート1越しに弾性的に受け止めて、電極パッド2b3の過度な変形防止に供される。   The deformation suppressing member 15 a is provided so as to line the electrode pad 2 b 3 provided on the opposite side through the base plate 1 of the circuit board 10. That is, the deformation suppressing member 15a elastically receives the electrode pad 2b3 pressed by the free bump 8b3 through the base plate 1 and serves to prevent excessive deformation of the electrode pad 2b3.

そのために、変形抑制部材15aは、電極パッド2b3に所望の剛性を付与すべく所定の弾性を有する部材で構成される。なお、変形抑制部材15aは半導体チップ4aを他の電気/電子機器と電気的に接続するための機能は不要である。変形抑制部材15はバンプ8や電極パッド2に代表される導電性部材とは、接着剤3によって絶縁されている。つまり、変形抑制部材15aは導電性の有無にはこだわらない。   Therefore, the deformation suppressing member 15a is configured by a member having a predetermined elasticity so as to give a desired rigidity to the electrode pad 2b3. The deformation suppressing member 15a does not need a function for electrically connecting the semiconductor chip 4a to other electric / electronic devices. The deformation suppressing member 15 is insulated from the conductive member typified by the bump 8 and the electrode pad 2 by the adhesive 3. That is, the deformation suppressing member 15a is not particular about the presence or absence of conductivity.

実装構造体100aの主要部材の材料と寸法の一例を説明する。回路基板10には、通常厚さ14μm程度のポリイミド樹脂が使用される。回路基板10の実装面US,LSには厚さ約17μmの電極パッド2a,2bが形成されている。半導体チップ4a,4bの厚さについては特に規定されていないが、通常は100μm以上である。バンプ8a1〜8a4、8b1〜8b4の直径は約80μm、これらのバンプのうち規制バンプ8a1、8a4、8b1および8b4の高さは約35μm、フリーバンプ8a2および8b3の高さは約60μmである。   An example of the material and dimensions of the main members of the mounting structure 100a will be described. For the circuit board 10, a polyimide resin having a thickness of about 14 μm is usually used. Electrode pads 2 a and 2 b having a thickness of about 17 μm are formed on the mounting surfaces US and LS of the circuit board 10. The thickness of the semiconductor chips 4a and 4b is not particularly specified, but is usually 100 μm or more. The diameters of the bumps 8a1 to 8a4 and 8b1 to 8b4 are about 80 μm. Among these bumps, the height of the regulation bumps 8a1, 8a4, 8b1 and 8b4 is about 35 μm, and the height of the free bumps 8a2 and 8b3 is about 60 μm.

なお、図1(b)には、3個の電極パッド2aが回路基板10の周辺部に配列された例が示されているが、実際には四角形状の回路基板10の相対する周辺部にも同様の電極パッドが設けられている。また表示の都合上、接着剤3は省略されている。   FIG. 1B shows an example in which three electrode pads 2 a are arranged in the peripheral portion of the circuit board 10, but in actuality, in the opposite peripheral portion of the rectangular circuit board 10. Are also provided with similar electrode pads. Further, the adhesive 3 is omitted for convenience of display.

次に変形抑制部材15aおよび15bの構成および機能について詳述する。なお変形抑制部材15aおよび15bの機能は同一であるため、以降は変形抑制部材15aを代表としてその構成および機能を説明する。   Next, the configuration and function of the deformation suppressing members 15a and 15b will be described in detail. In addition, since the function of the deformation | transformation suppression members 15a and 15b is the same, the structure and function are demonstrated hereafter using the deformation | transformation suppression member 15a as a representative.

フリーバンプ8b3と対向する回路基板10の上面USには、半導体チップ4aと回路基板10の間で電気的な接続を行う必要がないため、電極パッドは設けられていない。このような箇所に変形抑制部材15aを設けることによって、フリー電極パッド2b3の剛性が高まり、フリーバンプ8b3の圧接に対する対変形性が改善される。結果、フリー電極パッド2b3の変形が抑制される。   The upper surface US of the circuit board 10 facing the free bump 8b3 is not provided with an electrode pad because it is not necessary to make an electrical connection between the semiconductor chip 4a and the circuit board 10. By providing the deformation suppressing member 15a at such a location, the rigidity of the free electrode pad 2b3 is increased, and the deformation resistance against the pressure contact of the free bump 8b3 is improved. As a result, deformation of the free electrode pad 2b3 is suppressed.

また変形抑制部材15aと半導体チップ4aの間は硬化した接着剤3が充填されており、熱によってフリーバンプ8b3が伸張しようとする場合に、その伸張を抑えるように作用する。このように変形抑制部材15aの働き、および接着剤3の働きにより、熱応力が繰り返し加わった場合にフリー電極パッド2b3が損傷する恐れが低減される。また変形抑制部材15aを設けない場合に比べ、前述した加圧加熱工程においてフリーバンプ8b3に回路基板10を押し付ける力が増し、フリー電極パッド2b3とフリーバンプ8b3との間の密着性が向上する。   The space between the deformation suppressing member 15a and the semiconductor chip 4a is filled with the hardened adhesive 3, and acts to suppress the expansion when the free bump 8b3 is about to expand due to heat. As described above, the action of the deformation suppressing member 15a and the action of the adhesive 3 reduce the possibility that the free electrode pad 2b3 is damaged when thermal stress is repeatedly applied. Further, compared to the case where the deformation suppressing member 15a is not provided, the force for pressing the circuit board 10 against the free bump 8b3 in the pressurizing and heating process described above is increased, and the adhesion between the free electrode pad 2b3 and the free bump 8b3 is improved.

なお、変形抑制部材15aは上述のように裏打ちするフリー電極パッド2b3がフリーバンプ8b3によって過度に変形することを防止できるような材質で、フリー電極パッド2b3に応じた形状に構成される。材質としては、所望の剛性を実現できるような弾性体であれば、導電性の有無にはこだわらない。   In addition, the deformation | transformation suppression member 15a is a material which can prevent the free electrode pad 2b3 which backs as described above from deform | transforming excessively by the free bump 8b3, and is comprised by the shape according to the free electrode pad 2b3. As long as it is an elastic body which can implement | achieve desired rigidity as a material, it does not stick to the presence or absence of electroconductivity.

この観点から、変形抑制部材15aは機械的強度要求を満たすことができれば、電極パッド2と同じ材料を用いて構成しても良い。この場合、回路基板10に電極パッド2を形成する工程を流用して、電極パッド2と同様に変形抑制部材を形成できる。   From this viewpoint, the deformation suppressing member 15a may be configured using the same material as the electrode pad 2 as long as the mechanical strength requirement can be satisfied. In this case, the deformation suppressing member can be formed similarly to the electrode pad 2 by diverting the process of forming the electrode pad 2 on the circuit board 10.

(実施の形態2)
図2に本発明の実施の形態2に係る半導体チップの実装構造体100bの構成を示す。本実施の形態においては、実施の形態1で説明した変形抑制部材15a,15bが単独ではなく、隣接する電極パッド2a,2bと一体的に構成されている。図2において、符号16aで示されているのが、隣接する電極パッド2aと変形抑制部材15aが一体的に構成された部材である。同様に、符号16bは、隣接する電極パッド2aと変形抑制部材15aが一体的に構成された部材を示している。
(Embodiment 2)
FIG. 2 shows a configuration of a semiconductor chip mounting structure 100b according to Embodiment 2 of the present invention. In the present embodiment, the deformation suppressing members 15a and 15b described in the first embodiment are not formed alone but are configured integrally with the adjacent electrode pads 2a and 2b. In FIG. 2, what is indicated by reference numeral 16a is a member in which the adjacent electrode pad 2a and the deformation suppressing member 15a are integrally formed. Similarly, reference numeral 16b indicates a member in which the adjacent electrode pad 2a and the deformation suppressing member 15a are integrally formed.

なお図2(a)は本実施の形態の半導体チップの実装構造体100bの半導体チップの接合面に概ね垂直な面で切断した縦断面を示し、図2(b)は図2(a)において、接合面に概ね平行な面(IIb−IIb線)で切断された実装構造体100bの横断面を示す。図2(b)においては、視認性の都合上、ベースプレートの下面USに設けられているバンプ8b1、8b3、および3b4、部材16b、電極パッド2b3、および電極パッド2bは表示されていない。   2A shows a longitudinal section taken along a plane substantially perpendicular to the bonding surface of the semiconductor chip of the semiconductor chip mounting structure 100b of the present embodiment, and FIG. 2B is the same as FIG. The cross section of the mounting structure 100b cut | disconnected by the surface (IIb-IIb line) substantially parallel to a joining surface is shown. In FIG. 2B, for the sake of visibility, the bumps 8b1, 8b3, and 3b4, the member 16b, the electrode pad 2b3, and the electrode pad 2b provided on the lower surface US of the base plate are not displayed.

本例においても、部材16aにおける変形抑制部材15aに相当する部分は、バンプを介して半導体チップを他の電気/電子機器に電気的に接続する機能を有しない。一方、部材16aの電極パッド2a4に相当する部分は、バンプ8a4を介して半導体チップ4aを電気的に外部に接続している。   Also in this example, the portion corresponding to the deformation suppressing member 15a in the member 16a does not have a function of electrically connecting the semiconductor chip to other electric / electronic devices via the bumps. On the other hand, the portion corresponding to the electrode pad 2a4 of the member 16a electrically connects the semiconductor chip 4a to the outside via the bumps 8a4.

しかしながら、変形抑制部材15aが電極パッド2a4と一体的に構成されることによって、フリーバンプ8b3によるフリー電極パッド2b3に対する圧接力は、変形抑制部材15aに相当する部分だけではなく、一体化された電極バッド2a4に相当する部分にも伝わる。つまり部材16aにおいては、変形抑制部材15aの単独の場合に比べてより大きな構造強度で、フリー電極パッド2b3の変形が抑制される。   However, since the deformation suppressing member 15a is integrally formed with the electrode pad 2a4, the pressure contact force of the free bump 8b3 with respect to the free electrode pad 2b3 is not limited to the portion corresponding to the deformation suppressing member 15a, but also the integrated electrode. It is also transmitted to the portion corresponding to the bad 2a4. That is, in the member 16a, the deformation of the free electrode pad 2b3 is suppressed with a greater structural strength than in the case of the deformation suppressing member 15a alone.

さらに、電源パッド2a4の部分はそれぞれ対向するバンプ8a4および8b4によって、機械的に固定されて規制されている。つまり、変形抑制部材15a部を介して規制された電極パッド2a4に伝わる変形は、対向バンプ8a4および8b4によって受け止められる。この場合、部材16aの張力もフリー電極パッド2b3の変形を抑制する力として働く。上述した機能より、部材16aを変形抑制電極と呼ぶ。   Further, the portion of the power supply pad 2a4 is mechanically fixed and restricted by the bumps 8a4 and 8b4 facing each other. That is, the deformation transmitted to the electrode pad 2a4 regulated through the deformation suppressing member 15a is received by the opposing bumps 8a4 and 8b4. In this case, the tension of the member 16a also acts as a force for suppressing the deformation of the free electrode pad 2b3. Due to the functions described above, the member 16a is referred to as a deformation suppressing electrode.

本実施の形態では、フリー電極パッド2a2および2b3の変形を抑制する手段として、実施の形態1で用いた変形抑制部材15aおよび電極パッド2a4が変形抑制電極16aに置き換えられている。同様に、変形抑制部材15bおよび電極パッド2b1は、変形抑制電極16bに置き換えられている。その他の構成については実施の形態1と変わらない。なお実施の形態1と同様に、変形抑制電極16a,16bの機能は同一である。よって、以下に変形抑制電極16aに基づいて、本実施の形態にかかる変形抑制部材について説明する。   In the present embodiment, as means for suppressing deformation of the free electrode pads 2a2 and 2b3, the deformation suppressing member 15a and the electrode pad 2a4 used in Embodiment 1 are replaced with the deformation suppressing electrode 16a. Similarly, the deformation suppressing member 15b and the electrode pad 2b1 are replaced with the deformation suppressing electrode 16b. Other configurations are the same as those in the first embodiment. As in the first embodiment, the functions of the deformation suppression electrodes 16a and 16b are the same. Therefore, the deformation suppressing member according to the present embodiment will be described below based on the deformation suppressing electrode 16a.

実施の形態1の変形抑制部材15bは隣接する電極パッド2bとは独立して形成されている。これに対して、図2(b)に示すように、変形抑制電極16aは、実施の形態1の変形抑制部材15aと隣接する電極パッド2aが一体的に構成されている。言い換えれば、通常の電極パッド2aが、隣接する変形抑制部材15aが形成される位置まで拡張して形成されている。   The deformation suppressing member 15b of the first embodiment is formed independently of the adjacent electrode pad 2b. On the other hand, as shown in FIG. 2B, the deformation suppression electrode 16a is configured integrally with the electrode pad 2a adjacent to the deformation suppression member 15a of the first embodiment. In other words, the normal electrode pad 2a is formed to extend to a position where the adjacent deformation suppressing member 15a is formed.

変形抑制部材15aと電極パッド2a4を一体化して新たな変形抑制電極16aとすることにより、変形抑制部材15aと電極パッド2a4によって構造強度が強化される。結果、これらを単独で設けた場合に比べて、電極パッド2a4を含めた部分で、回路基板10の構造強度が高まる。結果として、フリー電極パッド2b3は変形に対して強くなり、またフリー電極パッド2b3をフリーバンプ8b3に押し付ける力が増す。   By integrating the deformation suppressing member 15a and the electrode pad 2a4 into a new deformation suppressing electrode 16a, the structural strength is enhanced by the deformation suppressing member 15a and the electrode pad 2a4. As a result, the structural strength of the circuit board 10 is increased in the portion including the electrode pad 2a4 as compared with the case where these are provided alone. As a result, the free electrode pad 2b3 becomes strong against deformation, and the force for pressing the free electrode pad 2b3 against the free bump 8b3 increases.

なお変形抑制電極16aの形成は、実施の形態1と同様に回路基板10に電極パッドを形成する工程を流用することにより、コストをほとんど増加させることなく実現できる。   It should be noted that the formation of the deformation suppressing electrode 16a can be realized with little increase in cost by diverting the step of forming the electrode pad on the circuit board 10 as in the first embodiment.

(実施の形態3)
図3に本発明の実施の形態3に係る半導体チップの実装構造体100cの構成を示す。本実施の形態では、フリー電極パッド2a2および2b3の変形を抑制する手段である変形抑制部材15a,15bに加えて、フリー電極パッド2a2および2b3の変形を防止する部材として剛性体17aおよび17bが設けられている。具体的には、変形抑制部材15aと半導体チップ4bの間に剛性体17bが設けられ、また変形抑制部材15aと半導体チップ8aの間に剛性体17aが設けられている。以降、剛性体17aを代表としてその構成と機能を説明する。
(Embodiment 3)
FIG. 3 shows a configuration of a semiconductor chip mounting structure 100c according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, rigid bodies 17a and 17b are provided as members for preventing the deformation of the free electrode pads 2a2 and 2b3 in addition to the deformation suppressing members 15a and 15b which are means for suppressing the deformation of the free electrode pads 2a2 and 2b3. It has been. Specifically, a rigid body 17b is provided between the deformation suppressing member 15a and the semiconductor chip 4b, and a rigid body 17a is provided between the deformation suppressing member 15a and the semiconductor chip 8a. Hereinafter, the configuration and function of the rigid body 17a will be described as a representative.

図7に示した従来の実装構造体200b,200cでは、変形の防止を目的とするダミーバンプ13bが半導体チップ4bに形成されていたが、本実施の形態では変形防止部材としての剛性体17aが回路基板10のベースプレート1上に形成されている。   In the conventional mounting structures 200b and 200c shown in FIG. 7, the dummy bumps 13b for preventing deformation are formed on the semiconductor chip 4b. However, in this embodiment, the rigid body 17a as a deformation preventing member is used as a circuit. It is formed on the base plate 1 of the substrate 10.

剛性体17aは前述した加圧加熱工程において、フリーバンプ8b3に加わる負荷を相殺する機能を持っている。結果、剛性体17aは、変形抑制部材15aと共にフリー電極パッド2b3がたわみ変形するのを防止できる。   The rigid body 17a has a function of canceling a load applied to the free bump 8b3 in the pressure heating process described above. As a result, the rigid body 17a can prevent the free electrode pad 2b3 from being bent and deformed together with the deformation suppressing member 15a.

このような機能を果たすためには、剛性体17aは、半導体チップ4aを外部に電気的に接続しないという条件を満たしたうえで、バンプ8a1〜8a4と同じ材料を用いて同じように構成されることが好ましい。回路基板10にバンプ8a1〜8a4と同じ材料を用いれば、回路基板10を製造する際に若干の工程を追加するだけで対応できる。また、剛性体17aの形成には、半導体チップにバンプを形成する方法を転用できるため、特に困難さは伴わない。ただし、剛性体17aの材料は導電性を必要としないため、バンプ8a1〜8a4と異なる材料を用いて剛性体17aを形成することも可能である。   In order to fulfill such a function, the rigid body 17a is configured in the same manner using the same material as the bumps 8a1 to 8a4 after satisfying the condition that the semiconductor chip 4a is not electrically connected to the outside. It is preferable. If the same material as the bumps 8a1 to 8a4 is used for the circuit board 10, the circuit board 10 can be manufactured by adding a few steps. The formation of the rigid body 17a is not particularly difficult because the method of forming bumps on the semiconductor chip can be diverted. However, since the material of the rigid body 17a does not need conductivity, the rigid body 17a can be formed using a material different from the bumps 8a1 to 8a4.

本実施の形態の剛性体17aを用いれば、半導体チップ4aおよび4bを回路基板10に押し付けながら加熱する工程において、剛性体17aと対向する位置にあるフリーバンプ8b3を電極パッド2b3に圧接できる。結果としてフリーバンプ8b3とフリー電極パッド2b3との間の密着性が増し、図6(b)に示したような、バンプ8a1〜8a4とバンプ8a1〜8a4がそれぞれ対向する位置に設けられた実装構造体200aと同様の接触状態を実現できる。   If the rigid body 17a of the present embodiment is used, the free bump 8b3 at the position facing the rigid body 17a can be pressed against the electrode pad 2b3 in the process of heating the semiconductor chips 4a and 4b while pressing them against the circuit board 10. As a result, the adhesiveness between the free bump 8b3 and the free electrode pad 2b3 is increased, and the mounting structure in which the bumps 8a1 to 8a4 and the bumps 8a1 to 8a4 are provided at positions facing each other as shown in FIG. A contact state similar to that of the body 200a can be realized.

(実施の形態4)
図4に本発明の実施の形態4に係る半導体チップの実装構造体100dの構成を示す。本実施の形態では、ベースプレート1において、1対のフリー電極パッド2と変形抑制手段15と間にビアホール18が設けられている。
(Embodiment 4)
FIG. 4 shows the configuration of a semiconductor chip mounting structure 100d according to Embodiment 4 of the present invention. In the present embodiment, a via hole 18 is provided between the pair of free electrode pads 2 and the deformation suppressing means 15 in the base plate 1.

具体的には、回路基板10のベースプレート1のうちフリー電極パッド2a2に接する位置にビアホール18bが形成され、またビアホール18bを覆うように変形抑制手段15bが形成されている。同様にベースプレート1のうちフリー電極パッド2b3に接する位置にビアホール18aが形成され、ビアホール18aを覆うように変形抑制手段15aが形成されている。以降、ビアホール18aを代表としてその構成と機能を説明する。   Specifically, a via hole 18b is formed at a position in contact with the free electrode pad 2a2 in the base plate 1 of the circuit board 10, and a deformation suppressing means 15b is formed so as to cover the via hole 18b. Similarly, a via hole 18a is formed in the base plate 1 at a position in contact with the free electrode pad 2b3, and a deformation suppressing means 15a is formed so as to cover the via hole 18a. Hereinafter, the configuration and function of the via hole 18a will be described as a representative.

まずビアホール18aの形成方法について説明する。回路基板10のベースプレート1に所定の大きさの穴が開けられた後、その穴に熱硬化性樹脂と導電性の粉末を混ぜたものが充填される。その後、図示しない加圧加熱ツールでベースプレート1を加圧加熱して、穴内に充填された樹脂を圧縮すると共に熱硬化させる。このようにしてベースプレート1にビアホール18aが形成される。次にビアホール18aが形成されたベースプレート1の下面LSにフリー電極2b3が形成され、更に上面USに変形抑制手段15aが設けられる。   First, a method for forming the via hole 18a will be described. After a hole having a predetermined size is formed in the base plate 1 of the circuit board 10, the hole is filled with a mixture of a thermosetting resin and a conductive powder. Thereafter, the base plate 1 is pressurized and heated with a pressure heating tool (not shown) to compress and heat cure the resin filled in the holes. In this way, the via hole 18a is formed in the base plate 1. Next, the free electrode 2b3 is formed on the lower surface LS of the base plate 1 in which the via hole 18a is formed, and the deformation suppressing means 15a is further provided on the upper surface US.

ビアホール18aは変形抑制手段15aと共にフリー電極パッド2b3の剛性を高める働きをする。結果として、フリー電極パッド2b3は変形に対して更に強くなり、またフリーバンプ8b3とフリー電極パッド2b3との間の密着性が増す。   The via hole 18a functions to increase the rigidity of the free electrode pad 2b3 together with the deformation suppressing means 15a. As a result, the free electrode pad 2b3 is more resistant to deformation, and the adhesion between the free bump 8b3 and the free electrode pad 2b3 is increased.

(実施の形態5)
上述の各実施の形態においては、2個の半導体チップ4a、4bが対向するように回路基板10の2つの実装面(US、LS)に取り付けられて、半導体チップの実装構造体が構成される。これに対して、本実施の形態に係る半導体チップの実装構造体は、半導体チップが2つではなく、1つだけが回路基板10の1つの実装面に取り付けられて構成される。
(Embodiment 5)
In each of the above-described embodiments, the semiconductor chip mounting structure is configured by being attached to the two mounting surfaces (US, LS) of the circuit board 10 so that the two semiconductor chips 4a and 4b face each other. . On the other hand, the semiconductor chip mounting structure according to the present embodiment is configured by attaching only one semiconductor chip to one mounting surface of the circuit board 10 instead of two semiconductor chips.

図5(a)に本発明の実施の形態5に係る半導体チップの実装構造体100eにおいて、接着剤3が熱硬化されている状態を示す。図5(b)には比較のため、変形抑制部材が設けられていない半導体チップの実装構造体100fにおいて、接着剤3が熱硬化されている状態を示す。   FIG. 5A shows a state where the adhesive 3 is thermally cured in the semiconductor chip mounting structure 100e according to the fifth embodiment of the present invention. For comparison, FIG. 5B shows a state in which the adhesive 3 is thermally cured in the semiconductor chip mounting structure 100f not provided with the deformation suppressing member.

本実施の形態は、フレキシブルプリント基板のようなベースプレート1が薄く、かつ電極パッド2a、2bの厚みがベースプレート1に対して十分厚い回路基板10を用いる半導体チップの実装構造体100eを対象としている。図5(a)に示すように、図示しない加圧加熱ツールを用いて半導体チップ4aをベースプレート1に押し付けながら加熱された接着剤3が熱硬化して、実装構造体100eは完成する。   The present embodiment is directed to a semiconductor chip mounting structure 100e using a circuit board 10 in which the base plate 1 such as a flexible printed board is thin and the electrode pads 2a and 2b are sufficiently thick with respect to the base plate 1. As shown in FIG. 5A, the heated adhesive 3 is thermally cured while pressing the semiconductor chip 4a against the base plate 1 using a pressure heating tool (not shown), and the mounting structure 100e is completed.

しかしながら、図5(b)に示すように、回路基板10の下面LSのうち電極パッド2bが設けられていない箇所では、フリー電極パッド2a2がフリーバンプ8a2に押されて大きくたわみ変形する。   However, as shown in FIG. 5B, the free electrode pad 2a2 is pushed by the free bump 8a2 and greatly deformed at a portion of the lower surface LS of the circuit board 10 where the electrode pad 2b is not provided.

よって、本実施の形態においては、図5(a)に示すように、フリーバンプ8a2に対向する回路基板10の裏側に変形抑制部材19を設けることで、電極パッド2bの厚みに起因する回路基板10の変形を抑制している。結果、フリー電極パッド2a2が変形に対して強くなり、またフリーバンプ8a2とフリー電極パッド2a2との間の密着性も改善される。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 5A, the circuit board caused by the thickness of the electrode pad 2b is provided by providing the deformation suppressing member 19 on the back side of the circuit board 10 facing the free bump 8a2. 10 deformations are suppressed. As a result, the free electrode pad 2a2 becomes strong against deformation, and the adhesion between the free bump 8a2 and the free electrode pad 2a2 is improved.

以上、図面を参照して本発明を実施するための最適な形態について説明したが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、当業者であれば容易に想到しうる形態についても本発明の範囲に属することは明らかである。   Although the best mode for carrying out the present invention has been described above with reference to the drawings, the scope of the present invention is not limited to this, and there are modes that can be easily conceived by those skilled in the art. It is clear that it belongs to the scope of the present invention.

本発明は、回路基板の両面にベアICを実装して構成される構造体に利用できる。   The present invention can be used for a structure formed by mounting bare ICs on both sides of a circuit board.

本発明の実施の形態1に係る半導体チップの実装構造体において、対向する半導体チップが互いに回路基板に実装されている様子を示す図The figure which shows a mode that the semiconductor chip which opposes is mutually mounted in the circuit board in the mounting structure of the semiconductor chip which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る半導体チップの実装構造体において、対向する半導体チップが互いに回路基板に実装されている様子を示す図The figure which shows a mode that the semiconductor chip which opposes is mutually mounted in the circuit board in the mounting structure of the semiconductor chip which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3に係る半導体チップの実装構造体において、対向する半導体チップが互いに回路基板に実装されている様子を示す断面図Sectional drawing which shows a mode that the semiconductor chip which opposes is mutually mounted in the circuit board in the mounting structure of the semiconductor chip which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4に係る半導体チップの実装構造体において、対向する半導体チップが互いに回路基板に実装されている様子を示す断面図Sectional drawing which shows a mode that the semiconductor chip which opposes is mutually mounted in the circuit board in the mounting structure of the semiconductor chip which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5に係る半導体チップの実装構造体において、半導体チップが回路基板に実装されている様子を示す断面図Sectional drawing which shows a mode that the semiconductor chip is mounted in the circuit board in the mounting structure of the semiconductor chip concerning Embodiment 5 of this invention. 従来の半導体チップの実装構造体の構成の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of a structure of the mounting structure of the conventional semiconductor chip 従来の半導体チップの実装構造体の構成の図6とは異なる例を示す断面図Sectional drawing which shows the example different from FIG. 6 of the structure of the mounting structure of the conventional semiconductor chip

符号の説明Explanation of symbols

1 ベースプレート
2a,2b 電極パッド
3 接着剤
4a,4b 半導体チップ
8a1〜8a4,8b1〜8b4 バンプ
10 回路基板
15a、15b、19 変形抑制部材
16a,16b 変形抑制電極
17a、17b 剛性体
18a、18b ビアホール
20a、20b 加圧加熱ツール
100a〜100f 半導体チップの実装構造体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base plate 2a, 2b Electrode pad 3 Adhesive 4a, 4b Semiconductor chip 8a1-8a4, 8b1-8b4 Bump 10 Circuit board 15a, 15b, 19 Deformation suppression member 16a, 16b Deformation suppression electrode 17a, 17b Rigid body 18a, 18b Via hole 20a , 20b Pressure heating tool 100a to 100f Semiconductor chip mounting structure

Claims (8)

第1の半導体チップに設けられた第1のバンプが回路基板の第1面に設けられた第1の電極パッドに圧接した状態で、当該第1の半導体チップが当該回路基板に第1の接着剤で接合されて成る半導体チップの実装構造体であって、
前記回路基板の前記第1面に対向する第2面には、前記第1のバンプが圧接する前記第1の電極パッドに対応する位置に第1の変形抑制手段が設けられている半導体チップの実装構造体。
With the first bump provided on the first semiconductor chip being in pressure contact with the first electrode pad provided on the first surface of the circuit board, the first semiconductor chip is first bonded to the circuit board. A semiconductor chip mounting structure bonded with an agent,
A semiconductor chip in which a first deformation suppressing means is provided on a second surface of the circuit board facing the first surface at a position corresponding to the first electrode pad to which the first bump is pressed. Mounting structure.
第2のバンプが設けられた第2の半導体チップを備え、
前記第2のバンプが前記回路基板の前記第1面に対向する第2面に設けられた第2の電極パッドに圧接した状態で、前記第2の半導体チップが当該回路基板に第2の接着剤で接合され、
前記第1面には、前記第2のバンプが圧接する前記第2の電極パッドに対応する位置に第2の変形抑制手段が設けられている請求項1に記載の半導体チップの実装構造体。
A second semiconductor chip provided with a second bump;
The second semiconductor chip is second bonded to the circuit board in a state in which the second bump is in pressure contact with a second electrode pad provided on a second surface of the circuit board facing the first surface. Bonded with agent,
2. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein second deformation suppression means is provided on the first surface at a position corresponding to the second electrode pad with which the second bump is pressed.
前記第1の変形抑制手段は前記第1の電極パッドに対向して設けられ、前記第2の半導体チップとの間は前記第2の接着剤が充填されている請求項2に記載の半導体チップの実装構造体。   3. The semiconductor chip according to claim 2, wherein the first deformation suppressing means is provided to face the first electrode pad, and the second adhesive is filled between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. Implementation structure. 前記第2の変形抑制手段は前記第2の電極パッドに対向して設けられ、前記第1の半導体チップとの間は前記第1の接着剤が充填されている請求項2に記載の半導体チップの実装構造体。   3. The semiconductor chip according to claim 2, wherein the second deformation suppressing means is provided to face the second electrode pad, and the first adhesive is filled between the second semiconductor chip and the first semiconductor chip. Implementation structure. 前記第1の変形抑制手段は弾性材料で構成される請求項1に記載の半導体チップの実装構造体。   The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein the first deformation suppressing means is made of an elastic material. 前記第1の変形抑制手段は前記第2面上に設けられた隣接する前記第2の電極パッドと一体的に構成されている請求項1に記載の半導体チップの実装構造体。   2. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein the first deformation suppressing means is configured integrally with the adjacent second electrode pad provided on the second surface. 前記第1の変形抑制手段と前記第2の半導体チップとの間には、前記第1のバンプの圧接による前記第1の電極パッドの変形を防止する剛性体がさらに設けられている請求項5に記載の半導体チップの実装構造体。   The rigid body for preventing the deformation of the first electrode pad due to the pressure contact of the first bump is further provided between the first deformation suppressing means and the second semiconductor chip. 2. A semiconductor chip mounting structure according to 1. 前記第1の変形抑制手段と前記第1の電極パッドとの間にビアホールが形成されている請求項1に記載の半導体チップの実装構造体。   The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein a via hole is formed between the first deformation suppressing means and the first electrode pad.
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