JP2008311199A - Non-contact type switch device - Google Patents

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Makito Takigawa
眞喜人 瀧川
Ichiro Tokunaga
一郎 徳永
Koji Kurata
孝二 倉田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-contact type switch which can make an quick switching operation even in a case a GMR element is used. <P>SOLUTION: The non-contact type switch device is provided with a magnet M which can move back and forth according to an operator's operation and a GMR element 65 to detect a direction of a magnetic field from the magnet M. An output signal is switched according to a direction of the magnetic field detected by the GMR element 65. A magnetized direction of a free layer of the GMR 65 is varied only by a magnetic field from the above magnet M. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、非接触式スイッチ装置に関し、特に、往復動可能な磁石からの磁場の向きをＧＭＲ素子で検出することで出力信号を切り替える非接触式スイッチ装置に関する。   The present invention relates to a non-contact switch device, and more particularly to a non-contact switch device that switches an output signal by detecting the direction of a magnetic field from a reciprocating magnet with a GMR element.

従来、スイッチケース内に、ホールＩＣと、磁石が固定された可動部材と、この可動部材を支持するコイルバネとを配設し、スイッチケースの上面から突出する可動部材の上端部で押圧操作を受け付けると、可動部材に固定された磁石の位置に応じてホールＩＣの出力信号をオフからオンに変化させる小型磁気感応スイッチが提案されている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, a Hall IC, a movable member to which a magnet is fixed, and a coil spring that supports the movable member are arranged in the switch case, and a pressing operation is received at the upper end of the movable member protruding from the upper surface of the switch case. In addition, there has been proposed a small magnetic sensitive switch that changes the output signal of the Hall IC from off to on in accordance with the position of the magnet fixed to the movable member (see, for example, Patent Document 1).

一方、現在、磁石からの磁場の向きを検出して出力信号を変化させる巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を利用した磁気センサが提案されている（例えば、特許文献２参照）。このようなＧＭＲ素子を利用した磁気センサにおいては、磁石からの磁場の向きの変化に応じたＧＭＲ素子における電気抵抗値の変化に基づいて出力信号を変化させる。
特開２００３−１５１３９０号公報 特開２００６−２７６９８３号公報 On the other hand, a magnetic sensor using a giant magnetoresistive element (GMR element) that changes the output signal by detecting the direction of a magnetic field from a magnet has been proposed (for example, see Patent Document 2). In a magnetic sensor using such a GMR element, the output signal is changed based on the change in the electrical resistance value in the GMR element in accordance with the change in the direction of the magnetic field from the magnet.
JP 2003-151390 A JP 2006-276983 A

上述したような小型磁気感応スイッチにおいて、ホールＩＣの代わりにＧＭＲ素子を配設し、ＧＭＲ素子を利用した非接触式のスイッチ装置を構成することが考えられる。一般に、ＧＭＲ素子は、ピン層（ピン止め磁性層）及びフリー層（フリー磁性層）等を積層して形成される。フリー層における磁化方向は、例えば、素子内に形成されたハードバイアス層によって予め規制されている。このようにフリー層の磁化方向を規制することで、ＧＭＲ素子における電気抵抗値を安定させている。しかしながら、このようなＧＭＲ素子をスイッチ装置に利用する場合には、フリー層に対する規制がＧＭＲ素子における電気抵抗値の変化を鈍らせ、スイッチング動作を迅速に行うことができないという問題がある。   In the small magnetically sensitive switch as described above, it is conceivable to arrange a GMR element instead of the Hall IC and constitute a non-contact type switch device using the GMR element. In general, a GMR element is formed by laminating a pinned layer (pinned magnetic layer), a free layer (free magnetic layer), and the like. The magnetization direction in the free layer is regulated in advance by a hard bias layer formed in the element, for example. By restricting the magnetization direction of the free layer in this way, the electric resistance value in the GMR element is stabilized. However, when such a GMR element is used in a switching device, there is a problem that the restriction on the free layer slows down the change in the electric resistance value in the GMR element and the switching operation cannot be performed quickly.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、ＧＭＲ素子を利用した場合においても、迅速にスイッチング操作を行うことができる非接触式スイッチ装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a non-contact type switching device that can perform a switching operation quickly even when a GMR element is used.

本発明の非接触式スイッチ装置は、操作者からの操作に応じて往復動可能な磁石と、前記磁石からの磁場の向きを検出するＧＭＲ素子とを具備し、前記ＧＭＲ素子で検出した磁場の向きに応じて出力信号を切り替える非接触式スイッチ装置であって、前記ＧＭＲ素子が有するフリー層の磁化方向は、前記磁石からの磁場のみによって変化することを特徴とする。   The non-contact type switching device of the present invention includes a magnet that can reciprocate in response to an operation from an operator, and a GMR element that detects the direction of the magnetic field from the magnet, and the magnetic field detected by the GMR element. A non-contact type switching device that switches an output signal according to a direction, wherein a magnetization direction of a free layer of the GMR element is changed only by a magnetic field from the magnet.

上記非接触式スイッチ装置によれば、ＧＭＲ素子が有するフリー層の磁化方向を、磁石からの磁場のみによって変化させるようにしたことから、磁石からの磁場以外の要因によりフリー層の磁化方向が規制されることがないので、ＧＭＲ素子における電気抵抗値の変化が鈍くなる事態を防止することができる。この結果、ＧＭＲ素子を利用した場合においても、迅速にスイッチング操作を行うことが可能となる。   According to the non-contact type switching device, since the magnetization direction of the free layer of the GMR element is changed only by the magnetic field from the magnet, the magnetization direction of the free layer is restricted by factors other than the magnetic field from the magnet. Therefore, it is possible to prevent a situation in which the change in the electrical resistance value in the GMR element becomes dull. As a result, even when a GMR element is used, a switching operation can be performed quickly.

上記非接触式スイッチ装置においては、前記磁石が組み込まれ、操作者からの操作を受け付けて往復動する可動部材と、前記磁石からの磁場が前記ＧＭＲ素子のフリー層に作用する範囲内で往復動可能に前記可動部材を収容するケースとを更に具備することが好ましい。この場合には、磁石が組み込まれた可動部材（例えば、後述するスライダ）を、当該磁石からの磁場がＧＭＲ素子のフリー層に作用する範囲内で往復動可能にケース内に収容することができるので、ＧＭＲ素子のフリー層の磁化方向が不定となる事態を確実に防止することが可能となる。   In the non-contact type switch device, the magnet is incorporated, a movable member that reciprocates in response to an operation from an operator, and a reciprocating motion within a range in which a magnetic field from the magnet acts on a free layer of the GMR element. It is preferable to further include a case that accommodates the movable member. In this case, a movable member incorporating a magnet (for example, a slider to be described later) can be accommodated in the case so as to be able to reciprocate within a range in which a magnetic field from the magnet acts on the free layer of the GMR element. Therefore, it is possible to reliably prevent a situation where the magnetization direction of the free layer of the GMR element is indefinite.

特に、上記非接触式スイッチ装置においては、前記ケースに、前記ＧＭＲ素子を含むセンサユニットが配置される凹部を形成し、前記凹部に前記センサユニットを配置した状態の前記ケースを一体的に保持するカバー部材（例えば、後述する第１カバー部材）を更に具備することが好ましい。この場合には、凹部にセンサユニットを配置した状態のケースがカバー部材によって一体的に保持されることから、磁石とＧＭＲ素子との位置関係を一定に維持することができるので、本非接触式スイッチ装置における動作の安定性を確保することが可能となる。   In particular, in the non-contact type switching device, a concave portion in which the sensor unit including the GMR element is disposed is formed in the case, and the case in which the sensor unit is disposed in the concave portion is integrally held. It is preferable to further include a cover member (for example, a first cover member described later). In this case, the case in which the sensor unit is disposed in the recess is integrally held by the cover member, so that the positional relationship between the magnet and the GMR element can be maintained constant. It becomes possible to ensure the stability of the operation in the switch device.

上記非接触式スイッチ装置において、前記カバー部材は、外部からの磁気を遮断することが好ましい。この場合には、カバー部材によって外部からの磁気が遮断されるので、外部からの磁気によって本非接触式スイッチ装置における動作が不安定になる事態を防止することが可能となる。   In the non-contact type switch device, it is preferable that the cover member blocks magnetism from the outside. In this case, since the magnetism from the outside is interrupted by the cover member, it is possible to prevent a situation in which the operation of the non-contact switch device becomes unstable due to the magnetism from the outside.

上記非接触式スイッチ装置において、前記磁石は、表裏面が単純２極着磁され、当該磁石の表面又は裏面を前記ＧＭＲ素子の磁気検知面に対向配置させた状態で往復動することが好ましい。この場合には、複雑な態様で着磁した磁石を必要としないで迅速にスイッチング操作を行うことが可能となる。   In the non-contact type switching device, it is preferable that the magnet is reciprocated in a state where the front and back surfaces are simply two-pole magnetized and the front surface or the back surface of the magnet is disposed opposite to the magnetic detection surface of the GMR element. In this case, the switching operation can be performed quickly without requiring a magnet magnetized in a complicated manner.

本発明によれば、ＧＭＲ素子が有するフリー層の磁化方向を、磁石からの磁場のみによって変化させるようにしたことから、磁石からの磁場以外の要因によりフリー層の磁化方向が規制されることがないので、ＧＭＲ素子における電気抵抗値の変化が鈍くなる事態を防止することができる。この結果、ＧＭＲ素子を利用した場合においても、迅速にスイッチング操作を行うことができる非接触式スイッチ装置を提供することが可能となる。   According to the present invention, since the magnetization direction of the free layer of the GMR element is changed only by the magnetic field from the magnet, the magnetization direction of the free layer is regulated by factors other than the magnetic field from the magnet. Therefore, it is possible to prevent a situation in which the change in the electric resistance value in the GMR element becomes dull. As a result, even when a GMR element is used, it is possible to provide a non-contact switch device that can perform a switching operation quickly.

以下、本発明の一実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１及び図２は、本発明の一実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の分解斜視図である。図３は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の外観を示す斜視図である。なお、図１及び図２においては、それぞれ反対側の側面から本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置を示している。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
1 and 2 are exploded perspective views of a non-contact switch device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view showing an external appearance of the non-contact switch device according to the present embodiment. 1 and 2 show the non-contact switch device according to the present embodiment from the opposite side surfaces.

図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１は、ケース２と、ケース２内に収納される圧縮バネ３及びスライダ４と、ケース２に収納されたスライダ４の上に載置されるゴムカバー５と、ケース２に取り付けられるセンサユニット６と、これらの構成要素を収納すると共にセンサユニット６が取り付けられたケース２に被せられる第１カバー部材７と、ケース１の下方に配置される第２カバー部材８とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the non-contact switch device 1 according to the present embodiment includes a case 2, a compression spring 3 and a slider 4 housed in the case 2, and a slider housed in the case 2. 4, a rubber cover 5 mounted on the case 4, a sensor unit 6 attached to the case 2, a first cover member 7 that houses these components and covers the case 2 to which the sensor unit 6 is attached, And a second cover member 8 disposed below the case 1.

ケース２は、例えば、合成樹脂材料で成形され、上面視にて概してＬ字形状を有している。ケース２の側面には、センサユニット６が取り付けられる凹部２１が形成されている。また、ケース２の内部には、圧縮バネ３及びスライダ４が収納される溝部２２が形成されている。溝部２２は、ケース２の側面形状に対応し、概してＬ字形状を有している。この溝部２２の底面には、圧縮バネ３の下方側の一端を保持する保持片が形成されている(図１及び図２に不図示)。   The case 2 is formed of, for example, a synthetic resin material and generally has an L shape when viewed from the top. A concave portion 21 to which the sensor unit 6 is attached is formed on the side surface of the case 2. In addition, a groove 22 in which the compression spring 3 and the slider 4 are accommodated is formed inside the case 2. The groove portion 22 corresponds to the side shape of the case 2 and generally has an L shape. A holding piece for holding one end of the lower side of the compression spring 3 is formed on the bottom surface of the groove portion 22 (not shown in FIGS. 1 and 2).

ケース２の上面であって、溝部２２の周囲には、ゴムカバー５の一部を収容する収容部２３が形成されている。収容部２３は、ゴムカバー５の形状に対応してケース２の上面から一段下がった長円形状を有している。また、ケース２の側面には、後述する第１カバー部材７の開口部７２に係合する凸部２４が突出形成されている。さらに、ケース２の下面には、第２カバー部材８を収容する収容部２５が形成されている（図１に不図示、図２参照）。収容部２５は、第２カバー部材８の形状に対応してケース２の下面から一段上がった形状を有している。   On the upper surface of the case 2, around the groove portion 22, an accommodation portion 23 that accommodates a part of the rubber cover 5 is formed. The accommodating portion 23 has an oval shape that is lowered by one step from the upper surface of the case 2 corresponding to the shape of the rubber cover 5. Further, a convex portion 24 that engages with an opening 72 of the first cover member 7 described later is formed on the side surface of the case 2 so as to protrude. Further, a housing portion 25 for housing the second cover member 8 is formed on the lower surface of the case 2 (not shown in FIG. 1, see FIG. 2). The accommodating portion 25 has a shape raised from the lower surface of the case 2 corresponding to the shape of the second cover member 8.

圧縮バネ３は、ケース２の溝部２２内に収納される。その下方側の一端が溝部２２内に形成された保持片に保持される一方、その上方側の一端がスライダ４の内部に収容されることで保持される。このように両端をケース２及びスライダ４に保持されることで、スライダ４を上方側に押し上げる付勢力を付与している。   The compression spring 3 is accommodated in the groove portion 22 of the case 2. One end on the lower side is held by a holding piece formed in the groove portion 22, while one end on the upper side is held by being housed inside the slider 4. Thus, the both ends are held by the case 2 and the slider 4, thereby applying a biasing force that pushes the slider 4 upward.

スライダ４は、例えば、合成樹脂材料で成形され、ケース２の溝部２２に対応した形状を有している。すなわち、スライダ４は、上面視にて概してＬ字形状を有している。スライダ４の上面には、上方側に突出する概して円筒形状の突出片４１が形成されている。突出片４１は、上方側に向かって段階的に細くなる形状を有している。突出片４１の上端部は、後述するゴムカバー５の孔を介して露出する操作片４２を構成する。この操作片４２の先端は、球形状に設けられている。スライダ４の内部には、圧縮バネ３の上方側の一端を収容する凹部が形成されている(図１及び図２に不図示)。また、スライダ４におけるケース２の凹部２１に対応する側面には長方形状の開口部４３が形成され、この開口部４３に磁石Ｍが嵌め込まれている（図２参照）。   The slider 4 is formed of a synthetic resin material, for example, and has a shape corresponding to the groove portion 22 of the case 2. That is, the slider 4 is generally L-shaped when viewed from above. A generally cylindrical protruding piece 41 protruding upward is formed on the upper surface of the slider 4. The protruding piece 41 has a shape that becomes gradually smaller toward the upper side. The upper end portion of the protruding piece 41 constitutes an operation piece 42 exposed through a hole of the rubber cover 5 described later. The tip of the operation piece 42 is provided in a spherical shape. A recess is formed inside the slider 4 to accommodate one end on the upper side of the compression spring 3 (not shown in FIGS. 1 and 2). Further, a rectangular opening 43 is formed on the side surface of the slider 4 corresponding to the recess 21 of the case 2, and a magnet M is fitted into the opening 43 (see FIG. 2).

ゴムカバー５は、上面視にて長円形状を有しており、スライダ４の操作片４１に対応する位置にドーム形状部５１を有している。ドーム形状部５１の内側には空間が形成されており、下方側から突出片４１を収容可能に構成されている。ドーム形状部５１の頂部には孔５２が形成されており、この孔５２からスライダ４の操作片４２を上方側に露出可能に構成されている。   The rubber cover 5 has an oval shape in a top view, and has a dome-shaped portion 51 at a position corresponding to the operation piece 41 of the slider 4. A space is formed inside the dome-shaped portion 51, and is configured to accommodate the protruding piece 41 from the lower side. A hole 52 is formed at the top of the dome-shaped portion 51, and the operation piece 42 of the slider 4 can be exposed upward from the hole 52.

センサユニット６は、センサＩＣ６１と、このセンサＩＣ６１に接続される複数の端子６２と、これらのセンサＩＣ６１及び端子６２を保持するセンサベース６３とから構成される。センサＩＣ６１は、センサベース６３の内部に配置されている。センサベース６３の上面には、ゴムカバー５の一部を収容する収容部６４が形成されている。収容部６４は、ゴムカバー５の形状に対応してセンサベース６３の上面から一段下がった形状を有している。センサユニット６がケース２に取り付けられ、ケース２の収容部２３と一体化することで、ゴムカバー５全体を収容可能に構成されている。なお、センサＩＣ６１の構成については後述する。   The sensor unit 6 includes a sensor IC 61, a plurality of terminals 62 connected to the sensor IC 61, and a sensor base 63 that holds the sensor IC 61 and the terminals 62. The sensor IC 61 is disposed inside the sensor base 63. On the upper surface of the sensor base 63, an accommodating portion 64 for accommodating a part of the rubber cover 5 is formed. The accommodating portion 64 has a shape that is lowered by one step from the upper surface of the sensor base 63 corresponding to the shape of the rubber cover 5. The sensor unit 6 is attached to the case 2 and is integrated with the accommodating portion 23 of the case 2 so that the entire rubber cover 5 can be accommodated. The configuration of the sensor IC 61 will be described later.

第１カバー部材７は、例えば、所定の形状に打ち抜いた金属板に折り曲げ加工を施すことにより形成され、下方側に開口した箱形状を有している。第１カバー部材７の上面には、円形状の開口部７１が形成されている。ゴムカバー５のドーム形状部５１は、この開口部７１から上方側に露出するように構成されている。また、第１カバー部材７の側面には、ケース２の凸部２４と係合する矩形状の開口部７２が形成されている。第２カバー部材８は、第１カバー部材７と同様に、所定の形状に打ち抜かれて形成され、ケース２の収容部２５に収容される。第１カバー部材７及び第２カバー部材８は、外部からの磁気を遮断する磁気シールドとしての役割を果たす。   The first cover member 7 is formed, for example, by bending a metal plate punched into a predetermined shape, and has a box shape opened to the lower side. A circular opening 71 is formed on the upper surface of the first cover member 7. The dome-shaped portion 51 of the rubber cover 5 is configured to be exposed upward from the opening 71. A rectangular opening 72 that engages with the convex portion 24 of the case 2 is formed on the side surface of the first cover member 7. Similarly to the first cover member 7, the second cover member 8 is formed by being punched into a predetermined shape and is accommodated in the accommodating portion 25 of the case 2. The first cover member 7 and the second cover member 8 serve as magnetic shields that block magnetism from the outside.

このような構成を有する非接触式スイッチ装置１を組み立てると、図３に示すように、ケース２に載置されたゴムカバー５のドーム形状部５１が開口部７１を介して上方側に突出した状態でケース２に第１カバー部材７が被せられる。そして、ケース２の凸部２４が第１カバー部材７の開口部７２と係合することでケース２に第１カバー部材７が取り付けられる。また、ドーム形状部５１の孔５２からは、スライダ４の操作片４２が上方側に突出した状態となっている。本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、このように上方側に突出する操作片４２で操作者による押圧操作を受け付け、この押圧操作に応じてスライダ４が上下方向に往復移動するように構成されている。   When the non-contact switch device 1 having such a configuration is assembled, the dome-shaped portion 51 of the rubber cover 5 placed on the case 2 protrudes upward through the opening 71 as shown in FIG. The first cover member 7 is put on the case 2 in the state. Then, the first cover member 7 is attached to the case 2 by the convex portion 24 of the case 2 engaging with the opening 72 of the first cover member 7. In addition, the operation piece 42 of the slider 4 protrudes upward from the hole 52 of the dome-shaped portion 51. In the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, a pressing operation by the operator is received by the operation piece 42 thus protruding upward, and the slider 4 reciprocates in the vertical direction in accordance with the pressing operation. It is configured as follows.

ここで、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１が有するセンサＩＣ６１及び磁石Ｍの構成について説明する。図４は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１が有するセンサＩＣ６１及び磁石Ｍの周辺の拡大図である。   Here, the configuration of the sensor IC 61 and the magnet M included in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 4 is an enlarged view around the sensor IC 61 and the magnet M included in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment.

図４に示すように、センサＩＣ６１は、ＧＭＲ素子６５と、制御ＩＣ６６とを含んで構成されている。ＧＭＲ素子６５は、磁気検知面をスライダ４に嵌め込まれた磁石Ｍに対向するように配設される。制御ＩＣ６６は、ＧＭＲ素子６５の側方側に配設される。本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１おいては、磁石Ｍからの磁場をＧＭＲ素子６５に作用させ、ＧＭＲ素子６５の電気抵抗値の変化を磁場により生じさせて、制御ＩＣ６６にてＧＭＲ素子６５の出力信号から磁石Ｍの位置を検出する。そして、検出された磁石Ｍの位置に応じて本非接触式スイッチ装置１からの出力信号（オン／オフ信号）を切り替える。   As shown in FIG. 4, the sensor IC 61 includes a GMR element 65 and a control IC 66. The GMR element 65 is disposed so that the magnetic detection surface faces the magnet M fitted in the slider 4. The control IC 66 is disposed on the side of the GMR element 65. In the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, a magnetic field from the magnet M is applied to the GMR element 65, and a change in the electrical resistance value of the GMR element 65 is caused by the magnetic field. The position of the magnet M is detected from the output signal of the element 65. Then, the output signal (ON / OFF signal) from the non-contact switch device 1 is switched according to the detected position of the magnet M.

ここで、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に利用されるＧＭＲ素子６５の構成について説明する。図５は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に利用されるＧＭＲ素子６５の構成について説明するための模式図である。なお、図５においては、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に利用されるＧＭＲ素子６５の断面について示している。   Here, the configuration of the GMR element 65 used in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the configuration of the GMR element 65 used in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment. FIG. 5 shows a cross section of the GMR element 65 used in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment.

図５（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に利用されるＧＭＲ素子６５は、基本的な構成として、反強磁性層６５ａと、ピン層６５ｂと、中間層６５ｃと、フリー層６５ｄとを基板６７上に積層して形成され、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ(Giant Magnet Resistance)素子の一種である磁気抵抗効果素子として構成されている。   As shown in FIG. 5 (b), the GMR element 65 used in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment basically has an antiferromagnetic layer 65a, a pinned layer 65b, and an intermediate structure. The layer 65c and the free layer 65d are stacked on the substrate 67, and are configured as a magnetoresistive effect element which is a kind of GMR (Giant Magnet Resistance) element using a giant magnetoresistive effect.

なお、ＧＭＲ素子６５が巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を発揮するためには、例えば、反強磁性層６５ａがα−Ｆｅ２Ｏ３層、ピン層６５ｂがＮｉＦｅ層、中間層６５ｃがＣｕ層、フリー層６５ｄがＮｉＦｅ層から形成されることが好ましいが、これらのものに限定されるものではなく、磁気抵抗効果を発揮するものであれば、いずれのものであってもよい。また、ＧＭＲ素子６５は、磁気抵抗効果を発揮するものであれば、上記の積層構造のものに限定されるものではない。 In order for the GMR element 65 to exhibit the giant magnetoresistive effect (GMR), for example, the antiferromagnetic layer 65a is an α-Fe 2 O 3 layer, the pinned layer 65b is a NiFe layer, the intermediate layer 65c is a Cu layer, The free layer 65d is preferably formed of a NiFe layer, but is not limited to these, and any layer may be used as long as it exhibits a magnetoresistive effect. Further, the GMR element 65 is not limited to the laminated structure as long as it exhibits a magnetoresistive effect.

図５に示すＧＭＲ６５のピン層６５ｂは、反強磁性層６５ａで磁化され、この反強磁性層６５ａによって磁化方向が特定方向に固定（ピン止め）されている。フリー層６５ｄは、磁石Ｍからの磁場の向きのみによって、ピン層６５ｂの磁化方向に対する磁化方向が変化する。なお、フリー層６５ｄには、磁石Ｍからの磁場以外に磁化方向を規制するものはない。ＧＭＲ素子６５の両端には、図５（ａ）に示すように、電極６５ｅが接合形成されている。そして、ピン層６５ｂの固定された磁化方向に対して、磁場の向きによりフリー層６５ｄの磁化方向が変化することにより、２つの電極６５ｅ間での電気抵抗値の変化が出力信号として出力される。   The pinned layer 65b of the GMR 65 shown in FIG. 5 is magnetized by the antiferromagnetic layer 65a, and the magnetization direction is fixed (pinned) in a specific direction by the antiferromagnetic layer 65a. In the free layer 65d, the magnetization direction with respect to the magnetization direction of the pinned layer 65b changes only depending on the direction of the magnetic field from the magnet M. The free layer 65d does not restrict the magnetization direction other than the magnetic field from the magnet M. As shown in FIG. 5A, electrodes 65e are joined to both ends of the GMR element 65. As shown in FIG. Then, with respect to the fixed magnetization direction of the pinned layer 65b, the magnetization direction of the free layer 65d changes depending on the direction of the magnetic field, so that a change in electrical resistance value between the two electrodes 65e is output as an output signal. .

一方、スライダ４に嵌め込まれた磁石Ｍは、図４に示すように、ＧＭＲ素子６５と一定距離を空けて対向配置されている。そして、スライダ４の移動に伴って図４に示す上下方向に往復動可能に構成されている。本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１において、磁石Ｍは、表裏面を単純２極着磁した磁石で構成されている。特に、本実施の形態においては、ＧＭＲ素子６５に対向する面にＮ極が着磁されると共に、反対側の面がＳ極に着磁されている（図６参照）。   On the other hand, the magnet M fitted into the slider 4 is disposed opposite to the GMR element 65 with a certain distance as shown in FIG. And it is comprised so that a reciprocation is possible in the up-down direction shown in FIG. In the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, the magnet M is composed of a magnet having a simple two-pole magnetized front and back surface. In particular, in the present embodiment, the N pole is magnetized on the surface facing the GMR element 65, and the opposite surface is magnetized on the S pole (see FIG. 6).

ここで、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１におけるＧＭＲ素子６５と、磁石Ｍからの磁場との関係について説明する。図６は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１におけるＧＭＲ素子６５と、磁石Ｍからの磁場との関係について説明するための模式図である。なお、図６においては、説明の便宜上、磁石Ｍの移動方向を左右方向に示している。また、図６においては、磁石Ｍの中心部がＧＭＲ素子６５の中心部に対向配置された場合について示している。   Here, the relationship between the GMR element 65 and the magnetic field from the magnet M in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the relationship between the GMR element 65 and the magnetic field from the magnet M in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment. In FIG. 6, the moving direction of the magnet M is shown in the left-right direction for convenience of explanation. Further, FIG. 6 shows a case where the central portion of the magnet M is disposed opposite to the central portion of the GMR element 65.

磁石Ｍの中心部がＧＭＲ素子６５の中心部に対向配置された場合、磁石Ｍからは図６に示すような磁場が発生している。このような磁場を発生させる磁石Ｍが図６に示す左右方向に移動すると、ＧＭＲ素子６５においては、図７に示す電気抵抗値の変化が得られる。図７は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１において、磁石Ｍの位置に応じたＧＭＲ素子６５における電気抵抗値の変化を説明するための図である。なお、図７においては、縦軸に電気抵抗値の変化の割合を示し、横軸に磁石Ｍの位置を示している。また、図７においては、図６に示すように磁石Ｍの中心部がＧＭＲ素子６５の中心部に対向配置された場合における磁石Ｍの位置を「０」と示している。図７に示すように、ＧＭＲ素子６５における電気抵抗値は、磁石Ｍの中心部が、ＧＭＲ素子６５の中心部に対向配置された状態を境界として急激に変化することが分かる。   When the central portion of the magnet M is disposed opposite to the central portion of the GMR element 65, a magnetic field as shown in FIG. When the magnet M that generates such a magnetic field moves in the left-right direction shown in FIG. 6, the electrical resistance value change shown in FIG. 7 is obtained in the GMR element 65. FIG. 7 is a diagram for explaining a change in electrical resistance value in the GMR element 65 according to the position of the magnet M in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment. In FIG. 7, the vertical axis indicates the rate of change in the electric resistance value, and the horizontal axis indicates the position of the magnet M. In FIG. 7, the position of the magnet M when the center portion of the magnet M is disposed opposite to the center portion of the GMR element 65 as shown in FIG. 6 is indicated as “0”. As shown in FIG. 7, it can be seen that the electrical resistance value in the GMR element 65 changes abruptly with the state where the central portion of the magnet M is disposed opposite to the central portion of the GMR element 65 as a boundary.

次に、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１における動作について説明する。図８は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１の側面図である。図９〜図１１は、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１の断面図である。なお、図９〜図１１においては、図８に示す１点鎖線Ａ及び１点鎖線Ｂにおける断面について示している。   Next, the operation in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 8 is a side view of the non-contact switch device 1 according to the present embodiment. 9 to 11 are cross-sectional views of the non-contact switch device 1 according to the present embodiment. 9 to 11 show cross sections taken along one-dot chain line A and one-dot chain line B shown in FIG.

図９においては、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に対して、操作者から押圧操作が行われていない状態について示している。この場合、図９（ａ）に示すように、スライダ４は、圧縮バネ３により最上方位置まで押し上げられ、操作片４２に係合したドーム形状部５１は上方に引き上げられた状態となっている。スライダ４に嵌め込まれた磁石Ｍは、図９（ｂ）に示すように、センサＩＣ６１のＧＭＲ素子６５よりも僅かに上方側の位置に配置されている。   FIG. 9 shows a state where the operator has not performed a pressing operation on the non-contact switch device 1 according to the present embodiment. In this case, as shown in FIG. 9A, the slider 4 is pushed up to the uppermost position by the compression spring 3, and the dome-shaped portion 51 engaged with the operation piece 42 is pulled upward. . As shown in FIG. 9B, the magnet M fitted into the slider 4 is disposed at a position slightly above the GMR element 65 of the sensor IC 61.

磁石Ｍが図９に示す位置に配置された場合のＧＭＲ素子６５における磁場の強度及びＧＭＲ素子６５の出力電圧について説明する。図１２は、図９に示す位置に磁石Ｍが配置された場合のＧＭＲ素子６５における磁場の強度及びＧＭＲ素子６５の出力電圧について説明するための図である。図１２（ａ）は、図９に示す位置に磁石Ｍが配置された場合における磁石ＭとＧＭＲ素子６５との位置関係を説明するための模式図である。なお、この場合において、磁石Ｍは、その中心部がＧＭＲ素子６５の中心部から概ね０．７ｍｍだけ上方側に配置されているものとする。磁石Ｍが図９に示す位置に配置された場合、ＧＭＲ素子６５における磁場の強度は、図１２（ｂ）に示すように、約−８００［Ｏｅ］を示し、ＧＭＲ素子６５の出力電圧は、図１２（ｃ）に示すように、約２．３７Ｖを示している。   The magnetic field strength in the GMR element 65 and the output voltage of the GMR element 65 when the magnet M is arranged at the position shown in FIG. FIG. 12 is a diagram for explaining the strength of the magnetic field in the GMR element 65 and the output voltage of the GMR element 65 when the magnet M is arranged at the position shown in FIG. FIG. 12A is a schematic diagram for explaining the positional relationship between the magnet M and the GMR element 65 when the magnet M is arranged at the position shown in FIG. In this case, it is assumed that the center portion of the magnet M is disposed above the center portion of the GMR element 65 by approximately 0.7 mm. When the magnet M is arranged at the position shown in FIG. 9, the strength of the magnetic field in the GMR element 65 is about −800 [Oe] as shown in FIG. 12B, and the output voltage of the GMR element 65 is As shown in FIG.12 (c), about 2.37V is shown.

そして、図９に示す状態から操作者によって押圧操作が行われると、スライダ４が下方側に移動する。なお、図１０においては、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に対して押圧操作が行われ、出力信号が切り替わる状態について示している。この場合、図１０（ａ）に示すように、スライダ４は、圧縮バネ３の付勢力に抗して下方側に押し下げられ、操作片４２に係合したドーム形状部５１が下方に僅かに膨らんだ状態となっている。スライダ４に嵌め込まれた磁石Ｍは、図１０（ｂ）に示すように、その中心部がセンサＩＣ６１のＧＭＲ素子６５の中心部に対向配置されている。   Then, when a pressing operation is performed by the operator from the state shown in FIG. 9, the slider 4 moves downward. In addition, in FIG. 10, it has shown about the state in which pressing operation is performed with respect to the non-contact-type switch apparatus 1 which concerns on this Embodiment, and an output signal switches. In this case, as shown in FIG. 10A, the slider 4 is pushed downward against the urging force of the compression spring 3, and the dome-shaped portion 51 engaged with the operation piece 42 slightly swells downward. It is in a state. As shown in FIG. 10B, the magnet M fitted in the slider 4 is disposed so that the center thereof faces the center of the GMR element 65 of the sensor IC 61.

磁石Ｍが図１０に示す位置に配置された場合のＧＭＲ素子６５における磁場の強度及びＧＭＲ素子６５の出力電圧について説明する。図１３は、図１０に示す位置に磁石Ｍが配置された場合のＧＭＲ素子６５における磁場の強度及びＧＭＲ素子６５の出力電圧について説明するための図である。図１３（ａ）は、図１０に示す位置に磁石Ｍが配置された場合における磁石ＭとＧＭＲ素子６５との位置関係を説明するための模式図である。磁石Ｍが図１０に示す位置に配置された場合、ＧＭＲ素子６５における磁場の強度は、図１３（ｂ）に示すように、０［Ｏｅ］を示し、ＧＭＲ素子６５の出力電圧は、図１３（ｃ）に示すように、２．５Ｖを示している。   The intensity of the magnetic field in the GMR element 65 and the output voltage of the GMR element 65 when the magnet M is arranged at the position shown in FIG. FIG. 13 is a diagram for describing the strength of the magnetic field in the GMR element 65 and the output voltage of the GMR element 65 when the magnet M is arranged at the position shown in FIG. FIG. 13A is a schematic diagram for explaining the positional relationship between the magnet M and the GMR element 65 when the magnet M is arranged at the position shown in FIG. When the magnet M is arranged at the position shown in FIG. 10, the strength of the magnetic field in the GMR element 65 is 0 [Oe] as shown in FIG. 13B, and the output voltage of the GMR element 65 is as shown in FIG. As shown in (c), 2.5V is shown.

さらに、図１０に示す状態から操作者によって押圧操作が行われると、スライダ４が下方側に移動する。なお、図１１においては、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１に対して、最下方位置まで押圧操作が行われた状態について示している。この場合、図１１（ａ）に示すように、スライダ４は、その下端部がケース２の底面部に接触する位置まで押し下げられた状態となっている。スライダ４に嵌め込まれた磁石Ｍは、図１１（ｂ）に示すように、センサＩＣ６１のＧＭＲ素子６５よりも下方側の位置に配置されている。   Furthermore, when a pressing operation is performed by the operator from the state illustrated in FIG. 10, the slider 4 moves downward. In addition, in FIG. 11, it has shown about the state by which pressing operation was performed to the lowest position with respect to the non-contact-type switch apparatus 1 which concerns on this Embodiment. In this case, as shown in FIG. 11A, the slider 4 is pushed down to a position where the lower end of the slider 4 contacts the bottom surface of the case 2. The magnet M fitted into the slider 4 is arranged at a position below the GMR element 65 of the sensor IC 61 as shown in FIG.

本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、磁石Ｍが図１０に示す位置よりも上方側に配置されている場合、すなわち、ＧＭＲ素子６５の出力電圧が２．５Ｖより小さい場合にオフ信号を出力する一方、図１０に示す位置よりも下方側に配置されている場合、すなわち、ＧＭＲ素子６５の出力電圧が２．５Ｖより大きい場合にオン信号を出力するように設定されている。従って、磁石Ｍが図９に示す位置から図１０に示す位置に移動する過程ではオフ信号が継続して出力される一方、図１０に示す位置から図１１に示す位置に移動する過程ではオン信号が継続して出力されることとなる。なお、このように磁石Ｍが移動する間、ＧＭＲ素子６５のフリー層６５ｄの磁化方向は、磁石Ｍからの磁場のみによって変化するようになっており、磁石Ｍからの磁場以外の要因により規制されていない。   In the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, when the magnet M is arranged above the position shown in FIG. 10, that is, when the output voltage of the GMR element 65 is smaller than 2.5V. While the OFF signal is output, it is set to output the ON signal when it is disposed below the position shown in FIG. 10, that is, when the output voltage of the GMR element 65 is greater than 2.5V. . Accordingly, the off signal is continuously output in the process of moving the magnet M from the position shown in FIG. 9 to the position shown in FIG. 10, while the on signal is output in the process of moving from the position shown in FIG. 10 to the position shown in FIG. Will be output continuously. During the movement of the magnet M in this way, the magnetization direction of the free layer 65d of the GMR element 65 is changed only by the magnetic field from the magnet M, and is regulated by factors other than the magnetic field from the magnet M. Not.

このように本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、ＧＭＲ素子６５が有するフリー層６５ｄの磁化方向を、磁石Ｍからの磁場のみによって変化させるようにしている。これにより、磁石Ｍからの磁場以外の要因によりフリー層６５ｄの磁化方向が規制されることがないので、ＧＭＲ素子６５における電気抵抗値の変化が鈍くなる事態を防止することができる。この結果、ＧＭＲ素子６５を利用した場合においても、迅速にスイッチング操作を行うことが可能となる。   Thus, in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, the magnetization direction of the free layer 65d of the GMR element 65 is changed only by the magnetic field from the magnet M. Thereby, since the magnetization direction of the free layer 65d is not restricted by factors other than the magnetic field from the magnet M, a situation in which the change in the electrical resistance value in the GMR element 65 becomes dull can be prevented. As a result, even when the GMR element 65 is used, a switching operation can be performed quickly.

また、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、磁石Ｍが組み込まれ、操作者からの押圧操作を受け付けて往復動するスライダ４と、磁石Ｍからの磁場がＧＭＲ素子６５のフリー層に作用する範囲内で往復動可能にスライダ４を収容するケース２とを備えている。これにより、スライダ４を磁石Ｍからの磁場がＧＭＲ素子６５のフリー層に作用する範囲内で往復動できるようにケース２内に収容しているので、ＧＭＲ素子６５のフリー層の磁化方向が不定となる事態を確実に防止することが可能となる。   In the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, the magnet M is incorporated, the slider 4 that reciprocates in response to the pressing operation from the operator, and the magnetic field from the magnet M is free of the GMR element 65. And a case 2 that accommodates the slider 4 so as to reciprocate within a range acting on the layer. As a result, the slider 4 is accommodated in the case 2 so that the magnetic field from the magnet M can reciprocate within a range in which the magnetic field from the magnet M acts on the free layer of the GMR element 65, so the magnetization direction of the free layer of the GMR element 65 is indefinite. It is possible to reliably prevent such a situation.

特に、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、ケース２にＧＭＲ素子６５を含むセンサユニット６が配置される凹部２１を形成し、この凹部２１にセンサユニット６を配置した状態のケース２を一体的に保持する第１カバー部材７を備えている。これにより、凹部２１にセンサユニット６を配置した状態のケース２が第１カバー部材７によって一体的に保持されることから、磁石ＭとＧＭＲ素子６５との位置関係を一定に維持することができるので、本非接触式スイッチ装置１における動作の安定性を確保することが可能となる。   In particular, in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, a recess 21 in which the sensor unit 6 including the GMR element 65 is disposed is formed in the case 2, and the sensor unit 6 is disposed in the recess 21. A first cover member 7 that integrally holds the case 2 is provided. Thereby, the case 2 in a state where the sensor unit 6 is disposed in the recess 21 is integrally held by the first cover member 7, so that the positional relationship between the magnet M and the GMR element 65 can be kept constant. Therefore, it is possible to ensure the stability of the operation in the non-contact switch device 1.

また、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、第１カバー部材７に、外部からの磁気を遮断する機能を具備させている。これにより、第１カバー部材７によって外部からの磁気が遮断されるので、外部からの磁気によって本非接触式スイッチ装置１における動作が不安定になる事態を防止することが可能となる。   In the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, the first cover member 7 is provided with a function of blocking magnetism from the outside. Thereby, since the magnetism from the outside is interrupted | blocked by the 1st cover member 7, it becomes possible to prevent the situation where operation | movement in this non-contact-type switch apparatus 1 becomes unstable by the magnetism from the outside.

さらに、本実施の形態に係る非接触式スイッチ装置１においては、磁石Ｍを、表裏面が単純２極着磁した磁石で構成し、当該磁石Ｍの表面又は裏面をＧＭＲ素子６５の磁気検知面に対向配置させた状態で往復動させるようにしている。これにより、複雑な態様で着磁した磁石を必要としないで迅速にスイッチング操作を行うことが可能となる。   Furthermore, in the non-contact switch device 1 according to the present embodiment, the magnet M is configured by a magnet whose front and back surfaces are simply two-pole magnetized, and the front or back surface of the magnet M is the magnetic detection surface of the GMR element 65. It is made to reciprocate in the state arranged opposite to. This makes it possible to perform a switching operation quickly without requiring a magnet magnetized in a complicated manner.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

本発明の一実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the non-contact-type switch apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the non-contact type switch device concerning the above-mentioned embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置が有するセンサＩＣ及び磁石の周辺の拡大図である。It is an enlarged view of the periphery of a sensor IC and a magnet included in the non-contact switch device according to the embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置に利用されるＧＭＲ素子の構成について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the structure of the GMR element utilized for the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置におけるＧＭＲ素子と、磁石からの磁場との関係について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the relationship between the GMR element in the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment, and the magnetic field from a magnet. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置において、磁石の位置に応じたＧＭＲ素子における電気抵抗値の変化を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the change of the electrical resistance value in a GMR element according to the position of a magnet in the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の側面図である。It is a side view of the non-contact type switch device concerning the above-mentioned embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment. 上記実施の形態に係る非接触式スイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of the non-contact-type switch apparatus which concerns on the said embodiment. 図９に示す位置に磁石が配置された場合のＧＭＲ素子における磁場の強度及びＧＭＲ素子の出力電圧について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the intensity | strength of the magnetic field in a GMR element when the magnet is arrange | positioned in the position shown in FIG. 9, and the output voltage of a GMR element. 図１０に示す位置に磁石が配置された場合のＧＭＲ素子における磁場の強度及びＧＭＲ素子の出力電圧について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the intensity | strength of the magnetic field in a GMR element when the magnet is arrange | positioned in the position shown in FIG. 10, and the output voltage of a GMR element.

符号の説明Explanation of symbols

１ 非接触式スイッチ装置
２ ケース
２１ 凹部
２２ 溝部
３ 圧縮バネ
４ スライダ
４１ 突出片
４２ 操作片
５ ゴムカバー
５１ ドーム形状部
６ センサユニット
６１ センサＩＣ
６５ ＧＭＲ素子
６６ 制御ＩＣ
７ 第１カバー部材
７１ 開口部
８ 第２カバー部材
Ｍ 磁石 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-contact-type switch apparatus 2 Case 21 Recessed part 22 Groove part 3 Compression spring 4 Slider 41 Projection piece 42 Operation piece 5 Rubber cover 51 Dome shape part 6 Sensor unit 61 Sensor IC
65 GMR element 66 Control IC
7 First cover member 71 Opening 8 Second cover member M Magnet

Claims (5)

操作者からの操作に応じて往復動可能な磁石と、前記磁石からの磁場の向きを検出するＧＭＲ素子とを具備し、前記ＧＭＲ素子で検出した磁場の向きに応じて出力信号を切り替える非接触式スイッチ装置であって、前記ＧＭＲ素子が有するフリー層の磁化方向は、前記磁石からの磁場のみによって変化することを特徴とする非接触式スイッチ装置。   A non-contact type that includes a magnet that can reciprocate according to an operation from an operator and a GMR element that detects a direction of a magnetic field from the magnet, and switches an output signal according to the direction of the magnetic field detected by the GMR element. The non-contact type switching device, wherein the magnetization direction of the free layer of the GMR element is changed only by the magnetic field from the magnet. 前記磁石が組み込まれ、操作者からの操作を受け付けて往復動する可動部材と、前記磁石からの磁場が前記ＧＭＲ素子のフリー層に作用する範囲内で往復動可能に前記可動部材を収容するケースとを更に具備することを特徴とする請求項１記載の非接触式スイッチ装置。   A movable member that incorporates the magnet and reciprocates upon receiving an operation from an operator, and a case that accommodates the movable member so that the magnetic field from the magnet can reciprocate within a range in which the magnetic layer acts on the free layer of the GMR element. The contactless switch device according to claim 1, further comprising: 前記ケースに、前記ＧＭＲ素子を含むセンサユニットが配置される凹部を形成し、前記凹部に前記センサユニットを配置した状態の前記ケースを一体的に保持するカバー部材を更に具備することを特徴とする請求項２記載の非接触式スイッチ装置。   The case further comprises a cover member in which a concave portion in which the sensor unit including the GMR element is disposed is formed, and a cover member that integrally holds the case in a state in which the sensor unit is disposed in the concave portion. The non-contact switch device according to claim 2. 前記カバー部材は、外部からの磁気を遮断することを特徴とする請求項３記載の非接触式スイッチ装置。   The non-contact switch device according to claim 3, wherein the cover member blocks external magnetism. 前記磁石は、表裏面が単純２極着磁され、当該磁石の表面又は裏面を前記ＧＭＲ素子の磁気検知面に対向配置させた状態で往復動することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の非接触式スイッチ装置。   5. The magnet according to claim 1, wherein the magnet is reciprocally moved in a state where the front and back surfaces are simply two-pole magnetized and the front surface or the back surface of the magnet is disposed opposite to the magnetic detection surface of the GMR element. A non-contact switch device according to any one of the above.
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