JP2008300611A - Organic el device and organic el display panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機ELデバイス及び有機ELディスプレイパネルに関する。 The present invention relates to an organic EL device and an organic EL display panel.
有機EL(Electroluminescence)ディスプレイの構成要素である有機ELデバイスは、一般的に「有機EL発光デバイス」と、それを駆動するための「トランジスタ」(TFT/Thin Film Transistor)を有する構成である。一般的なトランジスタは、発光素子を駆動するための「駆動用トランジスタ」と、駆動用トランジスタをON/OFFするための「スイッチ用トランジスタ」とを有する。 An organic EL device which is a constituent element of an organic EL (Electroluminescence) display generally has an “organic EL light emitting device” and a “transistor” (TFT / Thin Film Transistor) for driving the organic EL device. A general transistor has a “driving transistor” for driving the light emitting element and a “switching transistor” for turning on / off the driving transistor.
有機ELデバイスの代表的な構造の例として、駆動用トランジスタと有機EL発光デバイスとを同一平面(例えば基板表面)上に配置して、駆動用トランジスタのソース電極又はドレイン電極と、有機EL発光デバイスの画素電極とを同一平面上で接続しているものがある(特許文献1参照)。引用文献1に記載の内容は、インクジェット法を利用してポリイミド膜20による壁(バンク)を形成しながら、薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含んで構成されるデバイス(例えば、液晶表示装置等)を製造するというものである。具体的には、液体材料を塗布する領域(液晶表示装置の一部の要素:カラーフィルタ23,画素電極24,ソース/ドレイン領域22、データ線26の領域)の外周部にポリイミド膜20による壁を形成し、その中に液体材料を塗布した後、乾燥させることによりデバイスを形成する方法が記載されている。
As an example of a typical structure of an organic EL device, a driving transistor and an organic EL light emitting device are arranged on the same plane (for example, a substrate surface), and the source electrode or drain electrode of the driving transistor and the organic EL light emitting device are arranged. Some pixel electrodes are connected on the same plane (see Patent Document 1). The content described in the cited
この方法により、真空プロセスを低減させることができると同時に塗布する領域をポリイミド膜(隔壁)で囲むことにより、使用する液体材料を最小限に抑えることが可能となり、その結果、製造コストが安くなるとされる。なお、引用文献1で用いられているような、「バンク」(隔壁)という表現はポリマーにより囲まれた物理的な境界を意味するものであり、例えばプラズマディスプレイパネルでは、同様な意味で「リブ」と表現がされることもある。
引用文献1にも開示されているように、所謂、ボトムゲート型有機ELデバイスの有機TFTデバイスを作製する場合、バンク層(ポリイミド膜20による壁)はゲート絶縁層(ゲート絶縁膜)を形成した後にゲート絶縁層上に構成され、次いで、チャネル領域,ソース/ドレイン領域が形成されるのが一般的である(引用文献1の場合は、チャネル領域,ソース/ドレイン領域の順に形成する一例を示しているが、有機TFTデバイスの構成によっては、ソース/ドレイン領域,チャネル領域の順に形成しても良い。)。
As disclosed in the cited
このとき、バンク層で囲まれた空間(以下、「セル」と称す)内にインクジェット法などの印刷工法で有機TFT材料を塗布するためには、セルの底面には親水性を設けると共にセルの側面(すなわち、バンク層のセル内側の表面)には撥水性を備える必要がある。そこで、印刷工法を利用した有機TFTデバイスを作製する工程では、前述したようにゲート絶縁層上にバンク層を形成した後、セル内部を酸素プラズマによって親水化する処理を行い、更にCF4(テトラフルオルメタン)プラズマ処理を行うことで、バンク層のセル内側の表面を撥水化する処理を行うという工程を備える。 At this time, in order to apply the organic TFT material by a printing method such as an ink jet method in a space surrounded by the bank layer (hereinafter referred to as “cell”), the bottom surface of the cell is provided with hydrophilicity and The side surface (that is, the cell inner surface of the bank layer) needs to have water repellency. Therefore, in the process of manufacturing the organic TFT device using the printing method, after forming the bank layer on the gate insulating layer as described above, the inside of the cell is hydrophilized with oxygen plasma, and further CF 4 (tetra (Fluoromethane) It is provided with a step of performing water repellent treatment on the cell inner surface of the bank layer by performing plasma treatment.
しかしながら、引用文献1に記載の内容のように、従来技術はバンク層とゲート絶縁膜とは別系統の材料であるため(引用文献1の場合には、同文献の段落[0044]及び[0054]に記載のように、バンク層はポリイミド,ゲート絶縁膜は窒化シリコン(SiNx)である。一般的には酸化ケイ素(SiO2)である。)、例えば酸素プラズマによってセル内部を親水化する際、セルの底面であるゲート絶縁膜の表面がエッチングされ、その残渣がバンク層に付着することになる。
However, as described in the cited
そして、このような状態において、バンク層のセル内側の表面を酸素プラズマで残渣を取り除き、CF4プラズマによって撥水化処理を行うと、バンク層に付着したゲート絶縁膜を構成する材料(引用文献1の場合には窒化シリコン(SiNx)であり、一般的には酸化ケイ素(SiO2)である。)の付着量や分布によってバンク層の撥水度合いが不均一になり、その結果、有機ELデバイスとしての特性に影響を与えることになるという問題を有することになる。また、別の観点から、例えば酸素プラズマによってセル内部を親水化する際、酸素プラズマによってバンク層をエッチングすることもあり、バンク層をエッチングした残渣がセルの底面(ゲート絶縁膜の表面)に堆積し、有機ELデバイスとしての特性に影響を与えることになる。 In such a state, when the residue inside the cell surface of the bank layer is removed with oxygen plasma and water repellent treatment is performed with CF 4 plasma, the material constituting the gate insulating film attached to the bank layer (reference document) 1 is silicon nitride (SiNx, generally silicon oxide (SiO 2 )), the degree of water repellency of the bank layer becomes non-uniform depending on the amount and distribution of the deposited organic EL. There is a problem that the characteristics as a device will be affected. From another point of view, for example, when the inside of a cell is made hydrophilic by oxygen plasma, the bank layer may be etched by oxygen plasma, and the residue obtained by etching the bank layer is deposited on the bottom surface of the cell (surface of the gate insulating film). However, the characteristics as an organic EL device are affected.
本発明は、前記従来技術の問題を解決するものであり、特に有機TFT層の外側に設けられたバンク層とゲート絶縁層とを同一系統材料とすることで、電気移動度特性の高い有機ELデバイス及び有機ELディスプレイを提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described problems of the prior art, and in particular, an organic EL having a high electric mobility characteristic by using the same system material for the bank layer and the gate insulating layer provided outside the organic TFT layer. An object is to provide a device and an organic EL display.
上記目的を達成するために本発明の第1の有機ELデバイスは、画素電極を含む有機EL発光デバイスと、基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機TFT層と、を有する有機ELデバイスであって、前記有機TFT層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層と前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなることを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, a first organic EL device of the present invention includes an organic EL light emitting device including a pixel electrode, a gate electrode formed on a substrate, and the substrate provided on the gate electrode and the gate electrode. An organic TFT having a gate insulating layer covering the surface, a source electrode and a drain electrode formed on the gate insulating layer with a gap, and an organic TFT layer provided in the gap and connecting the electrodes In the EL device, a bank layer is provided outside the organic TFT layer, and the bank layer and the gate insulating layer are made of the same system material.
このとき、バンク層とゲート絶縁層の材料は、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかであることが望ましい。 At this time, the material of the bank layer and the gate insulating layer is desirably any of polyimide, acrylic, cycloten, and polystyrene.
また、バンク層及び有機TFT層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、前記オーバーコート層と、前記バンク層及び前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなることが好ましい。また、オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記平坦化膜層と、前記オーバーコート層と、前記バンク層及び前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなると良い。 Moreover, it is preferable that an overcoat layer is provided on the surface including the bank layer and the organic TFT layer, and the overcoat layer, the bank layer, and the gate insulating layer are made of the same system material. Further, a planarization film layer may be further formed on the surface of the overcoat layer, and the planarization film layer, the overcoat layer, the bank layer, and the gate insulating layer may be made of the same system material.
また、本発明の第2の有機ELデバイスは、画素電極を含む有機EL発光デバイスと、基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機TFT層と、を有する有機ELデバイスであって、前記有機TFT層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層及び前記有機TFT層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、かつ、前記オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記ゲート絶縁層,前記バンク層,前記オーバーコート層及び前記平坦化膜層のうち、相接する任意の2層が同一系統材料からなることを特徴とするものである。 The second organic EL device of the present invention includes an organic EL light emitting device including a pixel electrode, a gate electrode formed on the substrate, and a gate covering the gate electrode and the surface of the substrate provided on the gate electrode. An organic EL device comprising: an insulating layer; a source electrode and a drain electrode formed with a gap on the gate insulating layer; and an organic TFT layer provided in the gap and connecting the electrodes. A bank layer is provided outside the organic TFT layer, an overcoat layer is provided on the surface including the bank layer and the organic TFT layer, and a planarizing film layer is further formed on the surface of the overcoat layer. Any two of the gate insulating layer, the bank layer, the overcoat layer, and the planarizing film layer that are in contact with each other are made of the same system material. It is an butterfly.
更に、本発明の有機ELディスプレイは、上記第1及び第2の有機ELデバイスにおいて、有機ELデバイスを複数組み合わせることで、有機ELディスプレイとしたことを特徴とするものである。 Furthermore, the organic EL display of the present invention is characterized in that in the first and second organic EL devices, an organic EL display is formed by combining a plurality of organic EL devices.
以上のように本発明によれば、インクジェット法などの印刷工法を用いて、有機ELデバイス及び有機ELディスプレイを作製する技術において、有機TFT層の外側に設けられたバンク層とゲート絶縁層とを同一系統材料とすることで、有機TFTデバイスの機能特性を安定させることが可能な有機ELデバイスを提供すると共に、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ELデバイスを用いた有機ELディスプレイを提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, in a technique for manufacturing an organic EL device and an organic EL display using a printing method such as an inkjet method, a bank layer and a gate insulating layer provided outside the organic TFT layer are provided. An organic EL display using an organic EL device that can stabilize the functional characteristics of the organic TFT device by using the same system material, and has less unevenness in luminance and emission color in the pixel region. Can be provided.
本発明の実施の形態に係る有機ELデバイス及び有機ELディスプレイについて添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。 An organic EL device and an organic EL display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, substantially the same members are denoted by the same reference numerals.
図1の(a)は、本発明の実施の形態に係る有機ELディスプレイの構造を示す概略図(上面)であり、図1の(b)は、本発明の実施の形態に係る有機ELディスプレイを構成する有機TFTデバイスの一断面(その1)を示す概略図であり、図1(c)は、本発明の実施の形態に係る有機ELディスプレイを構成するTFTデバイスの一断面(その2)を示す概略図を示すものである。 1A is a schematic diagram (top view) showing the structure of an organic EL display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an organic EL display according to an embodiment of the present invention. FIG. 1C is a schematic view showing a cross section (No. 1) of an organic TFT device constituting the organic EL display according to the embodiment of the present invention. The schematic which shows is shown.
<<トランジスタデバイスの構成>>
図1(b)において、トランジスタデバイス10は、ゲート電極が下層にあるボトムゲート型トランジスタである。このトランジスタデバイス10は、基板1上に設けられたゲート電極2と、ゲート電極2の上を覆って設けられたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3の上に設けられたソース電極4と、ソース電極4と同一平面においてギャップGで離間して配置されたドレイン電極5と、ゲート絶縁層3の上に、ソース電極4とドレイン電極5との間のギャップG上に配置され、ソース電極4とドレイン電極5とにわたって電気的に接続する有機TFT層7とを備える。
<< Configuration of Transistor Device >>
In FIG. 1B, the
このとき、ゲート絶縁層3表面であり、かつ、ソース電極4とドレイン電極5の外側にはバンク層6aが設けられており、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極4とドレイン電極5との間のギャップG(チャネル領域)に有機TFT材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機TFT材料が漏れることを防止する役割を成している。そして、バンク層6a及び有機TFT層7を含む表面にオーバーコート層8が形成され、更に、オーバーコート層8の表面に平坦化膜層9が形成されている。
At this time, a
以下に、このトランジスタデバイス10の構成部材について説明する。
Below, the structural member of this
<基板>
基板1としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。更に、フレキシブル基板を用いてもよい。このトランジスタ素子を有機ELディスプレイ用に用いる場合には、フレキシブル基板が好ましい。具体的な材料としては、PETフィルム(PET:Polyethylene Terephthalate),PENフィルム(PEN:Polyethylene Naphthalate)が挙げられる。
<Board>
As the
<ゲート電極>
ゲート電極2は、基板1の上に設けられる。本実施の形態に係るトランジスタデバイス10は、図1(b)に示すように、ゲート電極2は最下層に設けられているので「ボトムゲート型」と呼ばれる。なお、ゲート電極2の材質は特に限定されないが、例えばCr膜(5nm以下)とAu膜(100nm程度)の積層膜や、Ti膜(5nm以下)とAu膜(100nm程度)の積層膜より構成される。Cr膜やTi膜は主に接着膜として作用するが、酸化し難いTi膜を用いるとより好ましい場合がある。
<Gate electrode>
The
<ゲート絶縁層>
ゲート絶縁層3は、ゲート電極2とソース電極4、及び、ドレイン電極5が配置されている平面との間に挟まれて設けられている。このゲート絶縁層3は、通常用いられる絶縁層、例えばポリマー絶縁層等(具体的には、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかの材料)で構成できる。
<Gate insulation layer>
The
<ソース電極及びドレイン電極>
ソース電極4及びドレイン電極5は、基板1上に形成されたゲート絶縁層3の上面に配置され、互いはギャップGで離間されている。なお、ソース電極4及びドレイン電極5としては、アルミニウム,クロム,モリブデンクロム,チタン,金,銀,銅等の導電性金属、或いは、ポリチオフェン誘導体等の有機導電体を用いることができる。特に光の反射率が高いという特性を有する銀を用いると好適である。
<Source electrode and drain electrode>
The
<有機TFT層>
有機TFT層7は、ソース電極4とドレイン電極5との間にわたって形成されており、ソース電極4とドレイン電極5とを電気的に接続している。有機TFT層7は多結晶体からなり、ソース電極4とドレイン電極5との間のギャップG上に形成され、ソース電極4からドレイン電極5にわたる電気的特性に優れる。
<Organic TFT layer>
The
なお、有機TFT層7を構成する有機TFT材料としては、フルオレン−チオフェンコポリマー(F8T2),テトラベンゾポルフィリン(tetrabenzoporphyrin),オリゴチオフェン(Oligothiophene),ペンタセン(pentacene),ルブレン(rubren)等を用いることができる。特にボトムゲート電極(チャネルが形成された基板を下側としたときに、チャネルの下側に配置されたゲート電極)の場合には、特にテトラベンゾポルフィリンが使用されることがある。
As the organic TFT material constituting the
また、有機TFT層7は、安息香酸エチル等の非水系溶媒に有機半導体材料を含む非水系溶液を塗布して、その後、乾燥させて形成することができる。この場合、凸状液滴の有機半導体溶液を乾燥させることにより、外側の溶媒がより早く乾燥し、有機半導体材料が中心から外側に向かって流れやすくなる。
The
<バンク層>
図1(b)に示すように、バンク層6aはゲート絶縁層3表面、かつ、ソース電極4とドレイン電極5の外側に形成され、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極4とドレイン電極5との間のギャップG(チャネル領域)に有機TFT材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機TFT材料が漏れることを防止する役割を成している。具体的な材料としては、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかの材料が好ましい。なお、図1(c)に示すように、バンク層6bをソース電極4とドレイン電極5のそれぞれの表面に形成し、チャネル領域を形成しても良い。
<Bank layer>
As shown in FIG. 1B, the
なお、本実施の形態では、ボトムゲート型トランジスタデバイスの場合のバンク層の形成について説明しているが、トップゲート型トランジスタデバイスへの適用を考えた場合、ソース電極/ドレイン電極を形成した後、バンク層を形成し、更に有機TFT層をもうけた後にゲート絶縁層を構成する流れとなり、このときバンク層とゲート絶縁層と同一系統材料とすると、ボトムゲート型トランジスタデバイスの場合と同様、電気移動度特性の高い有機ELデバイス及び有機ELディスプレイを提供することが可能となる。 In the present embodiment, the formation of the bank layer in the case of the bottom gate type transistor device is described. However, when considering application to the top gate type transistor device, after forming the source electrode / drain electrode, After the bank layer is formed and the organic TFT layer is formed, the gate insulating layer is formed. If the bank layer and the gate insulating layer are made of the same material, the electric transfer is the same as in the case of the bottom gate type transistor device. It is possible to provide an organic EL device and an organic EL display with high degree of temperature characteristics.
<オーバーコート層>
オーバーコート層8は、主に有機TFT層7の電子移動を促進させる役割と、空気中の酸素や水蒸気から有機TFT層7を保護する役割の2つをなす。
<Overcoat layer>
The
<平坦化膜層>
平坦化膜層9は、前述したオーバーコート層8を覆うように形成され、平坦化膜層9上に有機EL材料の陽極電極を構成することから、陽極電極を構成する表面は平坦となっている。平坦化膜層9の陽極電極が構成される表面が平坦になっていることで、光が反射したときの光の取り出しの向きを一定にすることも可能としている。
<Planarization film layer>
Since the
<<有機EL発光デバイスの構成>>
有機EL発光デバイスは、画素電極(図示せず)、上部電極(図示せず)および両電極に挟み込まれる有機EL発光層を含み、さらに任意の部材を有していてもよい。両電極の間には、有機EL発光層に加えて、正孔輸送層や電子輸送層などが形成されていてもよい。正孔輸送層、電子輸送層などの材質はそれぞれ適宜選択されればよく、各層の厚さは数十nm程度に適宜設定されればよい。
<< Configuration of organic EL light emitting device >>
The organic EL light emitting device includes a pixel electrode (not shown), an upper electrode (not shown), and an organic EL light emitting layer sandwiched between both electrodes, and may further have an arbitrary member. Between the two electrodes, a hole transport layer, an electron transport layer, or the like may be formed in addition to the organic EL light emitting layer. The materials such as the hole transport layer and the electron transport layer may be appropriately selected, and the thickness of each layer may be appropriately set to about several tens of nm.
<<トランジスタ素子の製造方法>>
次に、本実施の形態に係るボトムゲート型トランジスタデバイス10の製造方法について、図2を用いて説明する。
(工程1)
基板1として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意する。
(工程2)
基板1の上にCr又はAu材料を用いてゲート電極2を形成する(図2(a))。
(工程3)
ゲート電極2の上を覆ってゲート絶縁層3を形成する(図2(b))。ゲート絶縁層3としては、例えば、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いる。
(工程4)
次いで、ゲート絶縁層3の上にソース電極4を設け、ソース電極4と同一平面にソース電極4をギャップGで離間してドレイン電極5を配置する(図2(c))。このソース電極4及びドレイン電極5は、Cr又はAu材料を用いて形成すれば良い。
(工程5)
そして、図3に示すようなグラビア印刷工法を利用して、ゲート絶縁層3表面、かつ、ソース電極4とドレイン電極5の外側にバンク層6aを形成する(図2(d))。このときのバンク層6aの材料としては、前述したゲート絶縁層3と同様、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いると良い。なお、図1(c)に示すように、ソース電極4とドレイン電極5のそれぞれの表面にバンク層6bを設ける構成でもよい。
<< Method of Manufacturing Transistor Element >>
Next, a manufacturing method of the bottom gate
(Process 1)
A glass substrate, a plastic substrate, or a flexible substrate is prepared as the
(Process 2)
A
(Process 3)
A
(Process 4)
Next, the
(Process 5)
Then, using the gravure printing method as shown in FIG. 3, a
[グラビア印刷工法]
図3はグラビア印刷装置30を示すものであり、グラビア印刷装置30は、周側面をロール面31aとし回転軸を中心に回転可能な印刷ロール(版)31と、印刷ロール31に対向して配置されると共に回転軸を中心に回転する圧胴ロール32と、回転軸を中心に回転しインクを印刷ロール31に供給する供給ロール33と、供給ロール33に供給されたインクを一定量に制御するドクター34とで構成される。本実施の形態のグラビア印刷装置3において、(フィルム)基板1は、印刷ロール31と圧胴ロール32との間を通過し一方向に進むようになされている。
[Gravure printing method]
FIG. 3 shows a
以下、具体的にグラビア印刷工法によるバンク層を形成する方法を説明する。まず、印刷ロール31,圧胴ロール32,及び,樹脂材料(バンク層の構成材料)が貯蔵されたタンク(符号なし)内に配置された供給ロール33をそれぞれ回転させることで、印刷ロール31のロール面31a上に樹脂材料を供給する。このとき、樹脂材料はドクター34によって一定供給量にすることが望ましい。そして、ロール面1a上の凹部に樹脂材料が充填され、基板1の表面に樹脂材料が転写され所望の形状にパターニングされる。
(工程6)
図1(d)まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層6a,6bで囲まれた空間(セル)の底面(ソース電極4とドレイン電極5とで囲まれたゲート絶縁層3の表面)を親水性にした後、CF4プラズマによってバンク層6a,6bの壁面のうちセル側表面を親水性にする(図示せず)。
(工程7)
ソース電極4とドレイン電極5との間のギャップG(チャネル領域)を覆うように、非水系溶媒に有機TFT材料を含む凸状液滴の有機TFT溶液を塗布する(図2(e))。なお、塗布は、例えばディスペンサ法、インクジェット法等を用いて行うことができる。また、ロール印刷法を用いて行っても問題はない。
(工程8)
有機TFT溶液を乾燥させて、ソース電極4とドレイン電極5との間のギャップG上に有機TFT材料を結晶化させて、有機TFT層7を得る(図2(e))。この有機TFT層7によってソース電極4とドレイン電極5とを電気的に接続することが可能となる。
(工程9)
バンク層6a及び有機TFT層7を含む表面にオーバーコート層8が形成した後、オーバーコート層8の表面に平坦化膜層9を形成する。
Hereinafter, a method for forming a bank layer by a gravure printing method will be specifically described. First, the
(Step 6)
The transistor device manufactured up to FIG. 1D is exposed to oxygen plasma to expose the bottom surface of the space (cell) surrounded by the bank layers 6a and 6b (the gate insulation surrounded by the
(Step 7)
A convex droplet organic TFT solution containing an organic TFT material is applied to a non-aqueous solvent so as to cover the gap G (channel region) between the
(Process 8)
The organic TFT solution is dried, and the organic TFT material is crystallized on the gap G between the
(Step 9)
After the
このとき、オーバーコート層8と、バンク層6a,6b及びゲート絶縁層3とが同一系統材料(つまり、オーバーコート層8もポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマー)からなってもよい。更に、平坦化膜層9と、オーバーコート層8と、バンク層6a,6b及びゲート絶縁層3とが同一系統材料(つまり、平坦化膜層9もポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマー)からなってもよい。なお、ゲート絶縁層3,バンク層6a,6b,オーバーコート層8及び平坦化膜層9のうち、相接する任意の2層が同一系統材料からなる形態でも好適である。
At this time, the
以上によって、本実施の形態に係るボトムゲート型トランジスタ素子を作成することができる。 As described above, the bottom-gate transistor element according to this embodiment can be manufactured.
本発明の有機ELデバイス及び有機ELディスプレイは、例えば有機ELテレビとして利用できるだけではなく、ワープロ,パソコン等の携帯型情報処理装置や腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。 The organic EL device and the organic EL display of the present invention can be used not only as an organic EL television, for example, but also as a display unit in various electronic devices such as portable information processing devices such as word processors and personal computers and wristwatch-type electronic devices. be able to.
1 基板
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 バンク層
7 有機TFT層
8 オーバーコート層
9 平坦化膜層
G ギャップ
10 トランジスタデバイス
DESCRIPTION OF
Claims (6)
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機TFT層と、
を有する有機ELデバイスであって、
前記有機TFT層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層と前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなること
を特徴とする有機ELデバイス。 An organic EL light emitting device including a pixel electrode;
A gate electrode formed on the substrate;
A gate insulating layer covering a surface of the gate electrode and a substrate provided on the gate electrode;
A source electrode and a drain electrode formed with a gap on the gate insulating layer;
An organic TFT layer provided in the gap and connecting the electrodes;
An organic EL device having
An organic EL device, wherein a bank layer is provided outside the organic TFT layer, and the bank layer and the gate insulating layer are made of the same material.
を特徴とする請求項1記載の有機ELデバイス。 2. The organic EL device according to claim 1, wherein the material of the bank layer and the gate insulating layer is any one of polyimide, acrylic, cycloten, and polystyrene.
を特徴とする請求項1又は2に記載の有機ELデバイス。 The overcoat layer is provided on the surface including the bank layer and the organic TFT layer, and the overcoat layer, the bank layer, and the gate insulating layer are made of the same system material. Organic EL device.
を特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の有機ELデバイス。 The planarization film layer is further formed on the surface of the overcoat layer, and the planarization film layer, the overcoat layer, the bank layer, and the gate insulating layer are made of the same material. The organic EL device according to any one of 1 to 3.
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機TFT層と、
を有する有機ELデバイスであって、
前記有機TFT層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層及び前記有機TFT層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、かつ、前記オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記ゲート絶縁層,前記バンク層,前記オーバーコート層及び前記平坦化膜層のうち、相接する任意の2層が同一系統材料からなること
を特徴とする有機ELデバイス。 An organic EL light emitting device including a pixel electrode;
A gate electrode formed on the substrate;
A gate insulating layer covering a surface of the gate electrode and a substrate provided on the gate electrode;
A source electrode and a drain electrode formed on the gate insulating layer with a gap;
An organic TFT layer provided in the gap and connecting the electrodes;
An organic EL device having
A bank layer is provided outside the organic TFT layer, an overcoat layer is provided on the surface including the bank layer and the organic TFT layer, and a planarizing film layer is further formed on the surface of the overcoat layer. An organic EL device, wherein any two of the gate insulating layer, the bank layer, the overcoat layer, and the planarizing film layer that are in contact with each other are made of the same material.
を特徴とする有機ELディスプレイ。 An organic EL display comprising an organic EL display by combining a plurality of the organic EL devices according to any one of claims 1 to 5.
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