JP2008298872A - Method for manufacturing optical device and optical device - Google Patents
Method for manufacturing optical device and optical device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008298872A JP2008298872A JP2007142259A JP2007142259A JP2008298872A JP 2008298872 A JP2008298872 A JP 2008298872A JP 2007142259 A JP2007142259 A JP 2007142259A JP 2007142259 A JP2007142259 A JP 2007142259A JP 2008298872 A JP2008298872 A JP 2008298872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color filter
- optical element
- manufacturing
- film
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
Description
本発明は、周辺減光を効果的に補正し得る光学素子の製造方法、及び光学素子に関する。 The present invention relates to an optical element manufacturing method capable of effectively correcting peripheral light reduction, and an optical element.
複数の画素が配列された光学素子として、例えば、CCDイメージセンサなどの固体撮像素子や、LCOS(反射型液晶素子)が知られている。このような光学素子を使用した撮像装置には撮像レンズが使用されるが、撮像レンズの絞りを開放側にすると開口効率の低下によってレンズの中央部に対して周辺部の光量が少なくなり、画素の配列面の周辺部の画素への入射光量が低下する、いわゆる周辺減光の問題がある。 As an optical element in which a plurality of pixels are arranged, for example, a solid-state imaging element such as a CCD image sensor or an LCOS (reflection type liquid crystal element) is known. An imaging lens is used in an imaging device that uses such an optical element. However, when the aperture of the imaging lens is opened to the open side, the amount of light in the peripheral portion decreases with respect to the central portion of the lens due to a decrease in aperture efficiency, and the There is a problem of so-called peripheral dimming in which the amount of incident light on the pixels in the peripheral part of the arrangement surface decreases.
従来、周辺減光を補正するために、様々な提案がなされている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1記載の方法では、周辺部の画素の面積を中心部よりも大きくすることで、周辺部の画素への入射光量を増やし、中心部と周辺部とで均一な出力を得るようにしている。なお、この方法の他にも、画素に光を集束するマイクロレンズのうち、周辺部に配置されたマイクロレンズを、画素の中心に対して配列面の中心部側にずらして配置するなどの方法が提案されている。
特許文献1記載の方法では、周辺部の画素の面積を変化させるために、画素を形成する際に専用のマスクを用意する必要があり、製造コストが嵩むという問題があった。また、周辺部の画素の面積を大きくした分、配列面のサイズが大きくなる。或いは、配列面のサイズはそのままで、画素の個数を減少させると、解像度が低くなってしまう。マイクロレンズをずらして配置する方法では、特許文献1記載の方法と同様に、専用のマスクを用意する必要があり、やはり製造コストの面で難点がある。 In the method described in Patent Document 1, in order to change the area of the peripheral pixel, it is necessary to prepare a dedicated mask when forming the pixel, and there is a problem that the manufacturing cost increases. Further, the size of the array surface is increased by increasing the area of the peripheral pixel. Alternatively, if the number of pixels is reduced while the size of the array surface remains the same, the resolution is lowered. In the method of disposing the micro lenses by shifting, it is necessary to prepare a dedicated mask as in the method described in Patent Document 1, and there is still a difficulty in terms of manufacturing cost.
ところでまた、画素が配列された配列面上に配置するカラーフィルタを、配列面の中心部と比較して周辺部の厚さが薄くなるようにすることで、周辺減光の補正を行うことができると考えられる。しかしながら従来の半導体基板の製造工程では、図6(A)に示すように、フレア防止膜101に囲われるよう半導体基板102上に、フレア防止膜101との間に隙間を設けることなくカラーフィルタ103を形成する。そして化学的機械的研磨を施して、図6(B)に示すように、フレア防止膜101及びカラーフィルタ103を平坦化させている。このため、カラーフィルタ103の厚さを中心部と周辺部とで異なるようにすることは容易ではない。 By the way, it is possible to correct the peripheral dimming by making the color filter arranged on the array surface where the pixels are arrayed thinner in the peripheral portion than in the central portion of the array surface. It is considered possible. However, in the conventional semiconductor substrate manufacturing process, as shown in FIG. 6A, the color filter 103 is formed on the semiconductor substrate 102 so as to be surrounded by the anti-flare film 101 without providing a gap between the anti-flare film 101. Form. Then, chemical mechanical polishing is performed to flatten the flare prevention film 101 and the color filter 103 as shown in FIG. For this reason, it is not easy to make the thickness of the color filter 103 different between the central portion and the peripheral portion.
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、効果的な周辺減光の補正を安価に行うことができる光学素子の製造方法、及び光学素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an optical element manufacturing method and an optical element that can perform effective peripheral dimming correction at low cost.
上記目的を達成するために、本発明の光学素子の製造方法は、複数の画素が配列された配列面上にカラーフィルタが設けられた光学素子の製造方法であって、配列面の中心部と比較して周辺部の厚さが薄くなるようにカラーフィルタを形成するカラーフィルタ形成工程を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an optical element manufacturing method according to the present invention is an optical element manufacturing method in which a color filter is provided on an array surface on which a plurality of pixels are arrayed. In comparison, a color filter forming step of forming a color filter so that the thickness of the peripheral portion is reduced is provided.
なお、カラーフィルタ形成工程において、カラーフィルタに対して化学的機械的研磨を行うことが好ましい。 In the color filter forming step, it is preferable to perform chemical mechanical polishing on the color filter.
また、化学的機械的研磨のストッパ膜とカラーフィルタとの間にカラーフィルタの周辺部の厚さを制御する適切な隙間を設けることが好ましい。 Further, it is preferable to provide an appropriate gap for controlling the thickness of the peripheral portion of the color filter between the chemical mechanical polishing stopper film and the color filter.
また、画素の1/3個以上3個以下の幅で、隙間を形成することが好ましい。 In addition, it is preferable to form a gap with a width of 1/3 or more and 3 or less of the pixel.
また、ストッパ膜は、フレアが発生することを防止するフレア防止膜であることが好ましく、具体的には、配列面の周辺に設けられた配線を遮光する遮光膜であることが好ましい。 Further, the stopper film is preferably a flare prevention film that prevents the occurrence of flare, and specifically, is preferably a light shielding film that shields the wiring provided around the arrangement surface.
また、ストッパ膜は、カラーフィルタを構成する青色フィルタであることが好ましい。 The stopper film is preferably a blue filter constituting a color filter.
また、光学素子は、画素に入射した光を光電変換して撮像信号を出力する固体撮像素子であることが好ましい。 The optical element is preferably a solid-state imaging element that photoelectrically converts light incident on the pixel and outputs an imaging signal.
また、本発明の光学素子は、複数の画素が配列された配列面上にカラーフィルタが設けられた光学素子であって、カラーフィルタは、配列面の中心部と比較して周辺部の厚さが薄いことを特徴とする。 The optical element of the present invention is an optical element in which a color filter is provided on an arrangement surface on which a plurality of pixels are arranged, and the color filter has a thickness at a peripheral portion as compared with a central portion of the arrangement surface. Is thin.
本発明の光学素子の製造方法、及び光学素子によれば、カラーフィルタの厚さを、画素の配列面の中心部と比較して周辺部を薄くするので、効果的な周辺減光の補正を安価に行うことができる。 According to the method for manufacturing an optical element and the optical element of the present invention, the thickness of the color filter is made thinner compared to the center of the pixel array surface, so that effective peripheral light attenuation correction can be performed. It can be done inexpensively.
図1に示すように、固体撮像素子11は、インターライントランスファ方式のCCDイメージセンサであり、垂直(V)方向および水平(H)方向に所定のピッチで行列状(2次元マトリクス状)に配列された複数のフォトダイオード(受光素子)12と、フォトダイオード12の垂直列毎に設けられた垂直CCD(VCCD)13と、フォトダイオード12とVCCD13との間に設けられた読出し転送ゲート(TG)14と、各VCCD13の最終段が共通に接続された水平CCD(HCCD)15と、HCCD15の最終段に隣接して設けられた出力ゲート(OG)16及びフローティングディフュージョン(FD)17と、FD17に接続されたソースフォロア型のアンプ回路18とから構成されている。
As shown in FIG. 1, the solid-
フォトダイオード12は、マイクロレンズ31(図2参照)を介して入射した光を受光して光電変換し、入射光の光量に応じた信号電荷を生成して蓄積する。TG14は、フォトダイオード12に蓄積された信号電荷をVCCD13へ転送する。VCCD13は、TG14を介してフォトダイオード12から転送された信号電荷を受け取り、受け取った信号電荷をHCCD15に向けて1行ずつ垂直方向に転送する。HCCD15は、VCCD13の最終段から出力される信号電荷を1行ずつ受け取り、1行分の信号電荷を受け取るたびにOG16に向けて水平転送する。OG16は、HCCD15から送られた信号電荷を画素毎に順にFD17へ転送する。FD17は、OG16から転送された信号電荷を電圧信号に変換する。アンプ回路18は、FD17が生成した電圧信号を増幅し、撮像信号Voutとして出力する。
The
図1のII−II線に沿う断面を示す図2において、フォトダイオード12、VCCD13、及びTG14は、半導体基板21内に設けられている。VCCD13上には、絶縁膜22を介して転送電極23が形成されている。転送電極23には、VCCD13による垂直転送、及びTG14による信号電荷の読出し転送を制御する電圧が印加される。また、絶縁膜22は、例えば熱酸化法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法などによって形成されたSiO2(二酸化シリコン)からなる。転送電極23は、例えばCVD法などによって形成されたポリシリコンからなる。
In FIG. 2, which shows a cross section taken along line II-II in FIG. 1, the
半導体基板21上には、遮光膜25と、絶縁層26と、レンズ層27と、第1平坦化層28と、カラーフィルタ29と、第2平坦化層30と、マイクロレンズ31と、フレア防止膜32とが形成されている。遮光膜25は、スパッタリング法などにより形成されたタングステンなどの高融点金属からなり、転送電極23を覆って遮光する。絶縁層26は、透光性を有する絶縁材料、例えばBPSG(ホウ素リンシリケートガラス)などからなり、絶縁膜22、及び遮光膜25の上面を覆っている。レンズ層27は、P−SiNからなる。レンズ層27は、絶縁層26の上方を覆うように形成され、各フォトダイオード12の上方にそれぞれ位置する箇所が上下両方向に凸レンズ形状となっている。第1平坦化層28は、例えばP−SiO2,P−SiN,有機材料などからなる。第1平坦化層28は、その表面が平坦化され、透光性を有している。なお、図示は省略したが、転送電極23と遮光膜25との間には、酸化シリコンなどからなる絶縁層が形成されている。
On the
カラーフィルタ29は、第1平坦化層28の表面に形成される。カラーフィルタ29は、例えば、3色(R,G,B)又は4色(Mg,G,Cy,Ye)の色に対応する色素がそれぞれ含まれたカラーレジスト材などを塗布・パターニングして形成される。
The
カラーフィルタ29は、第1平坦化層28の表面に形成された後、化学的機械的研磨により表面が平坦化される。化学的機械的研磨によりカラーフィルタ29の厚さは、中心部33と比較して周辺部34が薄くなる。したがって、カラーフィルタ29の光の透過率は、中心部33と比較して周辺部34の方が大きくなる。これにより、周辺部のフォトダイオード12への入射光量が増加し、周辺減光が補正される。
After the
マイクロレンズ31は、凸レンズ形状を有しており、各フォトダイオード12の上方にそれぞれ位置するように、化学的機械的研磨が施されたカラーフィルタ29上に第2平坦化層30を介して形成されている。マイクロレンズ31は、その中心を通る光軸がフォトダイオード12の中心を通り、且つフォトダイオード12の面に垂直になるように配されている。マイクロレンズ31は、光軸に平行な入射光を効率良くフォトダイオード12に向けて集光するような曲率を有する。なお、一つのフォトダイオード12、カラーフィルタ29、及びマイクロレンズ31により、一つの画素36が構成される。以下の説明では、画素36が配列された固体撮像素子11の面を、配列面37という。
The microlens 31 has a convex lens shape, and is formed on the
配列面37の周辺(画素36が設けられていない箇所)の絶縁層26上には、配線層24が設けられている。配線層24は、例えばアルミニウムなどの金属からなり、転送電極23、及び固体撮像素子11と外部制御回路とを繋ぐボンディングワイヤが接続されるボンディングパット(図示せず)に接続している。
A
フレア防止膜32は、配線層24の上方に位置するように第1平坦化層28の表面に形成されている。フレア防止膜32は、例えば可視光吸収基を有する遮光材料からなる。フレア防止膜32は、入射光が配線層24で反射してフォトダイオード12に入射し、フレアやゴーストが発生するのを防止する。なお、フレア防止膜32の上方には第2平坦化層30が形成され、その表面が平坦化されている。
The
カラーフィルタ29とフレア防止膜32との間には、隙間daが設けられている。周辺部34のカラーフィルタ29は、隙間daが設けられているため、化学的機械的研磨を施した際に中心部33よりも過研磨となり、中心部33よりも厚さが若干薄くなる。周辺部34のカラーフィルタ29の厚さdbは、隙間da、及び化学的機械的研磨の研磨時間などの諸条件を制御することで、最適な周辺減光の補正が行えるような値となる。なお、周辺部34と対向するフレア防止膜32の端部も周辺部34のカラーフィルタ29と同様に、他の部分よりも厚さが若干薄くなる。
Between the
隙間daは、画素36の1/3個以上、3個以下の幅を有する。隙間daをこのように規定するのは、隙間daが画素36の1/3個未満の幅であると、カラーフィルタ29の平坦化は可能であるが、厚さdbの制御が不可能となり、隙間daが画素36の3個を超える幅であると、過研磨が進んで厚さdbが薄くなり過ぎ、中心部33と周辺部34とのカラーフィルタ29のカラーバランスが画素に影響を及ぼすほどに崩れるためである。
The gap da has a width of 1/3 or more and 3 or less of the pixel 36. The gap d a is defined in this way. If the gap d a is less than 1/3 the width of the pixel 36, the
以下、上記実施形態の固体撮像素子11の製造工程について、図3のフローチャート、及び図4、図5を参照して説明する。なお、第1平坦化層28より下方の構造は、周知の半導体デバイス製造工程により形成されるものであり、ここでの説明は省略する。
Hereinafter, the manufacturing process of the solid-
第1平坦化層28を形成して表面を平坦化した後、図4(A)に示すように、第1平坦化層28の表面で、且つ配線層24の上方に位置する箇所にフレア防止膜32を形成する。なお、フレア防止膜を青色フィルタで形成する場合は、画素部の青色フィルタを形成する工程と同時に行っても良い。
After the
次いで、図4(B)に示すように、カラーフィルタ29を第1平坦化層28上に形成する。このとき、フレア防止膜32との間に隙間が形成されるようにカラーフィルタ29を形成する。カラーフィルタ29は、周知のカラーフィルタ製造方法(例えば、特開2006−319133号公報)によって形成される。
Next, as illustrated in FIG. 4B, the
次いで、化学的機械的研磨により、図5に示すように、カラーフィルタ29の表面を平坦化する。このとき、カラーフィルタ29とフレア防止膜32との間に隙間が設けられているので、カラーフィルタ29の厚さは中心部33と比較して周辺部34が薄くなる。
Next, the surface of the
そして、カラーフィルタ29及びフレア防止膜32上に第2平坦化層30を形成して平坦化する。その後、マイクロレンズ31をカラーフィルタ29上に形成する。マイクロレンズ31は、周知のマイクロレンズ製造工程によって、各フォトダイオード12の上方にそれぞれ位置するように形成される。以上のような工程を経て、図2に示す固体撮像素子11を完成させる。
Then, a second planarization layer 30 is formed on the
以上のように本実施形態では、化学的機械的研磨により、カラーフィルタ29の厚さを中心部33と比較して周辺部34を薄くすることができる。これにより、周辺減光を効果的に補正することができる。
As described above, in the present embodiment, the thickness of the
また、従来の固体撮像素子の製造工程で一般的に行われている化学的機械的研磨を利用しているので、周辺部の画素の面積を変化させたり、マイクロレンズをずらして配置したりする従来の方法と比べて、製造コストが掛からない。 In addition, since chemical mechanical polishing that is generally performed in the manufacturing process of a conventional solid-state imaging device is used, the area of the peripheral pixel is changed or the microlens is shifted and arranged. Compared with the conventional method, manufacturing cost does not start.
また、隙間daを画素36の1/3個以上、3個以下とするので、周辺減光の補正の効果を確実に得ることができ、且つ画質に影響を及ぼさないカラーフィルタ29のカラーバランスを維持することができる。さらに、フレア防止膜32を化学的機械的研磨のストッパ膜と兼用するので、専用のストッパ膜を設ける必要がなく、製造コストをさらに削減することができる。
Further, the gap d a pixel 36 1/3 or more, because the 3 or less, it is possible to reliably obtain the effect of the correction of vignetting, color balance of the
なお、フレア防止膜として、カラーフィルタを構成する青色フィルタを用いても良い。青色フィルタは、可視光の吸収率が比較的高い材料からなるので、フレア防止膜としての役割を十分に果たす。この場合、まず青色フィルタを平坦化層の全面に形成する。そして、フレア防止膜として機能する部分、及びカラーフィルタとして機能する部分を残してパターニングした後、緑色、赤色フィルタを順次形成し、カラーフィルタを完成させる。このようにすれば、製造工程が短縮され、製造コストのさらなる削減に寄与することができる。 In addition, you may use the blue filter which comprises a color filter as a flare prevention film. Since the blue filter is made of a material having a relatively high visible light absorptance, it sufficiently fulfills the role of a flare prevention film. In this case, a blue filter is first formed on the entire surface of the planarization layer. Then, after patterning leaving a portion functioning as a flare prevention film and a portion functioning as a color filter, green and red filters are sequentially formed to complete the color filter. If it does in this way, a manufacturing process will be shortened and it can contribute to the further reduction of manufacturing cost.
なお、上記実施形態では、光学素子として固体撮像素子11を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、例えば、LCOS(Liquid Crystal On Silicon)などの表示素子にも応用可能である。
In the above-described embodiment, the solid-
11 固体撮像素子(撮像素子)
12 フォトダイオード(受光素子)
29 カラーフィルタ
31 マイクロレンズ
32 フレア防止膜
33 中心部
34 周辺部
36 画素
37 配列面
11 Solid-state imaging device (imaging device)
12 Photodiode (light receiving element)
29 Color filter 31
Claims (9)
前記配列面の中心部と比較して周辺部の厚さが薄くなるように前記カラーフィルタを形成するカラーフィルタ形成工程を有することを特徴とする光学素子の製造方法。 In the method of manufacturing an optical element in which a color filter is provided on an arrangement surface where a plurality of pixels are arranged,
A method of manufacturing an optical element, comprising: a color filter forming step of forming the color filter so that a thickness of a peripheral portion is thinner than a central portion of the arrangement surface.
前記カラーフィルタは、前記配列面の中心部と比較して周辺部の厚さが薄いことを特徴とする光学素子。 In an optical element in which a color filter is provided on an arrangement surface where a plurality of pixels are arranged,
The optical element is characterized in that a peripheral portion of the color filter is thinner than a central portion of the arrangement surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142259A JP2008298872A (en) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | Method for manufacturing optical device and optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142259A JP2008298872A (en) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | Method for manufacturing optical device and optical device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008298872A true JP2008298872A (en) | 2008-12-11 |
Family
ID=40172481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007142259A Withdrawn JP2008298872A (en) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | Method for manufacturing optical device and optical device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008298872A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014167570A (en) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Brother Ind Ltd | Cartridge and image forming apparatus |
-
2007
- 2007-05-29 JP JP2007142259A patent/JP2008298872A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014167570A (en) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Brother Ind Ltd | Cartridge and image forming apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7253399B2 (en) | Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera | |
KR102178387B1 (en) | Solid-state imaging element, process for producing solid-state imaging element, and electronic device | |
JP2012074521A (en) | Manufacturing method of solid-state image pickup device, solid-state image pickup device, and electronic equipment | |
JP2010192705A (en) | Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing the same | |
JP2012204354A (en) | Solid state imaging device, manufacturing method thereof and electronic apparatus | |
CN1773713A (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
JP2004047682A (en) | Solid-state image pickup device | |
JP2011243749A (en) | Solid state image pickup device and manufacturing method thereof | |
JP2008177220A (en) | Solid-state imaging element | |
US7169633B2 (en) | Solid-state image sensor for improving sensing quality and manufacturing method thereof | |
JP2006202907A (en) | Image pickup element | |
JP2010080648A (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
JP2008298872A (en) | Method for manufacturing optical device and optical device | |
JP2006216904A (en) | Color solid state image sensor and method of fabricating the same | |
JP2013016687A (en) | Solid state image element | |
JP2011109033A (en) | In-layer lens and method for manufacturing the same, color filter and method for manufacturing the same, solid-state image pickup element and method for manufacturing the same and electronic information equipment | |
JP2007194359A (en) | Solid state imaging element, and manufacturing method thereof | |
JP2007194500A (en) | Solid-state imaging element, and manufacturing method therefor | |
JP2005311693A (en) | Solid state imaging device and manufacturing method therefor | |
JP4779312B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2006319133A (en) | Color filter, manufacturing method thereof, solid-state imaging element, and manufacturing method thereof | |
JP2008041847A (en) | Solid state imaging apparatus | |
JP2007081114A (en) | Solid-state imaging device and camera thereof | |
JP2007150095A (en) | Imaging device and its manufacturing method | |
JP2007287871A (en) | Solid-state imaging apparatus, and manufacturing method of solid-state imaging apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100212 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110608 |