JP2008293895A - Organic electroluminescent element - Google Patents
Organic electroluminescent element Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008293895A JP2008293895A JP2007140442A JP2007140442A JP2008293895A JP 2008293895 A JP2008293895 A JP 2008293895A JP 2007140442 A JP2007140442 A JP 2007140442A JP 2007140442 A JP2007140442 A JP 2007140442A JP 2008293895 A JP2008293895 A JP 2008293895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- organic electroluminescence
- electroluminescence device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 53
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 7
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 7
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- -1 quinoline metal complex Chemical class 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N dibenzo-18-crown-6 Chemical compound O1CCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOC2=CC=CC=C21 YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)-n,n-bis[4-(4-phenylphenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical class [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005442 molecular electronic Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に係り、特に照明光源や液晶表示器用バックライト、フラットパネルディスプレイ等に用いられる複数の発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, and more particularly to an organic electroluminescence element including a plurality of light emitting layers used for an illumination light source, a backlight for a liquid crystal display, a flat panel display, and the like.
有機エレクトロルミネッセンス素子と称される有機発光素子は、その一例として陽極となる透光性電極、ホール輸送層、有機発光層、電子注入層、陰極となる電極の順に、透光性基板の片側の表面に積層した構成のものが、知られている。このような有機発光素子においては、陽極と陰極の間に電圧を印加することによって、電子注入層を介して発光層に注入された電子と、ホール輸送層を介して発光層に注入されたホールとが、発光層内で再結合して発光が起こり、発光層で発光した光は、透光性電極及び透光性基板を通して取り出される。 As an example, an organic light-emitting element called an organic electroluminescence element includes a light-transmitting electrode serving as an anode, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer, and an electrode serving as a cathode in this order. A structure laminated on the surface is known. In such an organic light emitting device, by applying a voltage between the anode and the cathode, electrons injected into the light emitting layer through the electron injection layer and holes injected into the light emitting layer through the hole transport layer are used. However, light is emitted by recombination in the light emitting layer, and light emitted from the light emitting layer is extracted through the light transmitting electrode and the light transmitting substrate.
有機エレクトロルミネッセンス素子は、自発光であること、比較的高効率の発光特性を示すこと、各種の色調で発光可能である等の特徴を有することから、表示装置、例えばフラットパネルディスプレイ等の発光体として、あるいは光源、例えば液晶表示機用バックライトや照明としての活用が期待されており、一部ではすでに実用化されている。しかし、有機エレクトロルミネッセンス素子は、その輝度と寿命とがトレードオフの関係にあり、より鮮明な画像、あるいは明るい照明光を得るために輝度を増大させると、寿命が短くなるという性質を有する。 Organic electroluminescence elements have such characteristics as being self-luminous, exhibiting relatively high-efficiency emission characteristics, and being capable of emitting light in various colors, so that they can be used for display devices such as flat panel displays. Or, it is expected to be used as a light source, for example, a backlight for a liquid crystal display or illumination, and some of them are already put into practical use. However, the organic electroluminescence element has a trade-off relationship between the luminance and the lifetime, and has a property that the lifetime is shortened when the luminance is increased to obtain a clearer image or bright illumination light.
この問題を解決するために、近年、陽極と陰極の間に発光層を複数備え、かつ各発光層間に導電層や、等電位面を形成する層、もしくは電荷発生層を設けるようにした有機発光素子が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
In order to solve this problem, in recent years, an organic light emitting device in which a plurality of light emitting layers are provided between an anode and a cathode, and a conductive layer, a layer forming an equipotential surface, or a charge generation layer is provided between the light emitting layers. Elements have been proposed (see, for example,
図4はこのような有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一例を示すものであり、陽極1となる電極と陰極2となる電極の間に複数の発光層4a,4bを、隣接する発光層4a,4bの間に導電層(もしくは電荷発生層)10を介在させた状態で積層し、これを透光性の基板5の表面に積層したもので、陽極1は透光性電極、陰極2は光反射性電極となるように形成されている。尚、図4において、発光層4a,4bの両側にはホール輸送層と電子注入層が設けられているが、ホール輸送層と電子注入層の図示は省略する。
FIG. 4 shows an example of the structure of such an organic electroluminescence element. A plurality of
そしてこのように複数層の発光層4a,4bを導電層(もしくは電荷発生層)10で仕切ることによって、陽極1と陰極2の間に電圧を印加したとき、複数の発光層4a,4bがあたかも直列的に接続された状態で同時に発光し、各発光層4a,4bからの光が合算されるため、一定電流通電時には従来型の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも高輝度で発光させることができ、上記のような輝度−寿命のトレードオフを回避することが可能になるものである。
Then, by dividing the plurality of
しかしながら、複数の発光層を仕切る導電層もしくは電荷発生層は、比較的複雑な構造となっている。また、以下に示すように好ましくない電圧上昇の問題がある、もしくはプロセス上の問題がある、等の問題を有している。 However, the conductive layer or the charge generation layer that partitions the plurality of light emitting layers has a relatively complicated structure. Further, as described below, there are problems such as an undesired voltage rise problem or a process problem.
この導電層もしくは電荷発生層として、現在知られている一般的な構造としては、例えば、(1)BCP:Cs/V2O5、(2)BCP:Cs/NPD:V2O5、(3)Li錯体とAlのその場反応生成物、(4)Alq:Li/ITO/ホール輸送材料、等がある(「:」は2種の材料の混合を、「/」は前後の組成物の積層を表す)。 As the conductive layer or the charge generation layer, general structures currently known include, for example, (1) BCP: Cs / V 2 O 5 , (2) BCP: Cs / NPD: V 2 O 5 , ( 3) In-situ reaction product of Li complex and Al, (4) Alq: Li / ITO / hole transport material, etc. (“:” is a mixture of two materials, “/” is the composition before and after.) Represents a stack of).
ここで、ルイス酸分子は電子輸送材料とも反応し、また、アルカリ金属はルイス塩基としてホール輸送材料とも反応し、これらの反応によって駆動電圧の増大が起こることが知られており(参考文献:高分子学会有機EL研究会 平成17年12月9日講演会 マルチフォトン有機EL照明)、また有機層上にITOなどをスパッタによって成膜する場合、スパッタダメージによる素子効率の低下などが起こることが知られており、これらが上記の(1)〜(4)系の問題となる。具体的には、(1)の系ではV2O5層の膜質によるショートの問題、(2)の系では両層の副反応による電圧上昇の問題があり、(3)の系ではその場反応生成物を得るためにAl薄膜の蒸着を行っているが、その膜厚が非常に薄く、かつAl原子がマイグレーションを起こすことから、連続した膜状ではなく、島状に形成されていることが考えられる。その結果、寿命や信頼性に問題があった(特許文献2参照)。さらに(4)の系では、導電層もしくは電荷発生層としてのITOを蒸着ではなくスパッタ成膜する必要があるという製造プロセスの問題がある。また特許文献3には、1種のマトリクスに添加剤を膜内のどの位置でもその濃度が0にはならないように添加することによって導電層もしくは電荷発生層を形成する方法が記載されているが、この場合にも前記参考文献に記載されている問題を解決することはできない。
Here, it is known that Lewis acid molecules react with an electron transport material, and alkali metals react with a hole transport material as a Lewis base, and these reactions cause an increase in driving voltage (Reference: High Molecular ELECTRONIC EL ELECTRONICS ELECTRONICS ELECTRONICS EL ELECTROLOGY ELECTRONICS ELECTRO-EL LIGHTING), and when ITO is sputtered on organic layers, it is known that device efficiency may decrease due to sputter damage. These are the above problems (1) to (4). Specifically, the system (1) has a problem of short circuit due to the film quality of the V 2 O 5 layer, the system (2) has a problem of voltage increase due to side reaction of both layers, and the system (3) Al thin film is deposited to obtain reaction products, but the film thickness is very thin and Al atoms cause migration, so they are not in the form of a continuous film but in the form of islands. Can be considered. As a result, there was a problem in life and reliability (see Patent Document 2). Furthermore, in the system (4), there is a problem in the manufacturing process that it is necessary to deposit ITO as a conductive layer or a charge generation layer instead of vapor deposition.
上記のように発光層の間に中間層として導電層もしくは電荷発生層を形成する場合、種々の問題があり、このような中間層を蒸着で簡便に形成できると共に、素子特性の悪化を引き起こす副反応を抑制することができ、かつ比較的単純な構成の中間層を実現することが望まれていた。 When a conductive layer or a charge generation layer is formed as an intermediate layer between the light emitting layers as described above, there are various problems. Such an intermediate layer can be easily formed by vapor deposition, and the secondary characteristics cause deterioration of device characteristics. It has been desired to realize an intermediate layer that can suppress the reaction and has a relatively simple structure.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、発光層の間に中間層を簡素な構造で形成することができ、高輝度発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an organic electroluminescence device capable of forming an intermediate layer between light emitting layers with a simple structure and capable of high luminance light emission. To do.
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、中間層が、仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属の有機金属錯体あるいは金属炭酸化物と、還元性金属との混合層、並びに金属酸化物層を積層した積層体からなることを特徴とするものである。ここで中間層とは、両側に配された発光層に対して電荷の授受を行うために発光層間に配置される層である。 In the organic electroluminescence device of the present invention, the intermediate layer is a laminate of an electron-donating metal organometallic complex or metal carbonate having a work function of 3.7 eV or less and a reducing metal, and a metal oxide layer. It consists of the laminated body which was made. Here, the intermediate layer is a layer disposed between the light emitting layers in order to transfer charges to the light emitting layers arranged on both sides.
この構成によれば、中間層を低ダメージプロセス、例えば蒸着プロセスを用いて成膜することが可能となる。また、混合層中の金属化合物(仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属の有機金属錯体あるいは金属炭酸化物)が十分反応し、高輝度発光有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。さらに金属極薄膜を形成する場合(特許文献2参照)は金属のマイグレーション等の理由により再現性が乏しいのに対し、本発明によれば混合層の膜厚を安定して均一に形成できるため、再現性が高く、量産性に優れるものである。また、この混合層は厚くしても全体に電子の流れる準位があるため、混合層の厚さを厚く形成することができる、金属錯体はセシウムなどの金属単体に比べて取り扱いが容易で共蒸着性が高い。 According to this configuration, the intermediate layer can be formed using a low damage process, for example, a vapor deposition process. In addition, a metal compound (an electron-donating metal organometallic complex or metal carbonate having a work function of 3.7 eV or less) in the mixed layer sufficiently reacts to obtain a high-luminance light-emitting organic electroluminescence device. Furthermore, when forming a metal ultrathin film (see Patent Document 2), the reproducibility is poor due to reasons such as metal migration, but according to the present invention, the thickness of the mixed layer can be stably and uniformly formed. High reproducibility and excellent mass productivity. In addition, even if this mixed layer is thick, there is a level in which electrons flow, so that the thickness of the mixed layer can be increased. Metal complexes are easier to handle and share than simple metals such as cesium. High vapor deposition.
また本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、中間層を構成する混合層と金属酸化物層間に、金属層をはさんでなることを特徴とするものである。 In the organic electroluminescent element, the present invention is characterized in that a metal layer is sandwiched between a mixed layer constituting the intermediate layer and a metal oxide layer.
この構成によれば、混合層と金属酸化物層間の電気的接続状態(コンタクト性)が向上し、かつ中間層での電荷分離が促進され、長寿命化や信頼性が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。 According to this configuration, the organic electroluminescence device has an improved electrical connection state (contact property) between the mixed layer and the metal oxide layer, promotes charge separation in the intermediate layer, and has improved life and reliability. Can be obtained.
また本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、金属層が2種類以上の金属からなる合金であることを特徴とするものである。 In the organic electroluminescent element, the present invention is characterized in that the metal layer is an alloy composed of two or more kinds of metals.
この構成によれば、マイグレーションを抑制できることから、長寿命化や信頼性が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。例えばAl単体の場合またはAlとLiを積層した場合はAlがマイグレーションを生じやすいが、LiとAlを合金化すると安定となり、長寿命化を図ることが可能となる。 According to this configuration, since migration can be suppressed, it is possible to obtain an organic electroluminescence element having an extended lifetime and improved reliability. For example, in the case of Al alone or when Al and Li are laminated, Al tends to cause migration, but when Li and Al are alloyed, it becomes stable and a long life can be achieved.
また本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、金属酸化物層が、両極性伝導性金属酸化物と導電性金属酸化物との積層からなることを特徴とするものである。ここで両極性伝導性金属酸化物とは、成膜条件あるいは混合物によって、キャリア輸送能が変化する化合物を意味し、一般的に用いられる用語で両性金属として知られるアルミニウム等の酸化物のみを意味するものではない。 According to the present invention, in the above organic electroluminescent element, the metal oxide layer is composed of a laminate of an ambipolar conductive metal oxide and a conductive metal oxide. Here, the ambipolar conductive metal oxide means a compound whose carrier transport ability changes depending on film forming conditions or a mixture, and means only an oxide such as aluminum known as an amphoteric metal in a commonly used term. Not what you want.
この構成によれば、中間層から発光層へのキャリア輸送性がよりスムーズになり、駆動電圧の低減、長寿命化や信頼性が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。 According to this configuration, it is possible to obtain an organic electroluminescent device in which the carrier transport property from the intermediate layer to the light emitting layer becomes smoother, the driving voltage is reduced, the lifetime is increased, and the reliability is improved.
また本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、還元性金属が、アルミニウム、チタン、タングステン、白金、パラジウム、ジルコニウム、ハフニウムの群から選ばれる金属であることを特徴とするものである。 In the organic electroluminescent element, the present invention is characterized in that the reducing metal is a metal selected from the group consisting of aluminum, titanium, tungsten, platinum, palladium, zirconium, and hafnium.
この構成によれば、電子供与性の金属の有機金属錯体、金属炭酸化物と、還元性金属が十分反応することによって、フリーの仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属ができ、電子が入りやすくなり、注入性が高められ、長寿命化や信頼性が向上した高輝度発光有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。 According to this configuration, an electron-donating metal having a free work function of 3.7 eV or less can be formed by sufficiently reacting an organometallic complex of an electron-donating metal, a metal carbonate, and a reducing metal. A high-luminance light-emitting organic electroluminescence element that is easy to enter, has improved injectability, and has a long life and improved reliability can be obtained.
また本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、両極性伝導性金属酸化物がバナジウム、モリブデン、レニウム、タングステン、ニッケル、亜鉛、銅、インジウム、ストロンチウム、スズ、ニオブ、タンタルから選ばれる金属からなる酸化物であることを特徴とするものである。 Further, the present invention provides the above organic electroluminescent device, wherein the ambipolar conductive metal oxide is a metal selected from vanadium, molybdenum, rhenium, tungsten, nickel, zinc, copper, indium, strontium, tin, niobium, and tantalum. It is characterized by being an oxide.
この構成によれば、特に発光層へのホール注入性がスムーズになり、高輝度発光が可能になるものである。 According to this configuration, in particular, the hole injection property into the light emitting layer becomes smooth, and high luminance light emission becomes possible.
本発明によれば、中間層が、仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属の有機金属錯体または金属炭酸化物と、還元性金属との混合層、並びに金属酸化物層とを積層した積層体からなることにより、長寿命化や信頼性が向上した、高輝度発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。 According to the present invention, the intermediate layer is a laminate in which an organic metal complex or metal carbonate of an electron donating metal having a work function of 3.7 eV or less and a mixed layer of a reducing metal and a metal oxide layer are laminated. By comprising the body, it is possible to obtain an organic electroluminescence element capable of emitting light with high luminance and having a long life and improved reliability.
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.
図1は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一例を示すものであり、陽極1となる電極と陰極2となる電極の間に複数の発光層4a,4bを、隣接する発光層4a,4bの間に透光性の中間層3を介在させた状態で積層し、これを透光性の基板5の表面に積層したものであり、陽極1は透光性の電極として、陰極2は光反射性の電極として形成してある。図1の実施の形態では、発光層4は発光層4a,4bの2層の積層構成に形成してあるが、中間層3を介してさらに多層に積層した積層構成であってもよい。発光層4の積層数の範囲は特に限定されるものではないが、層数が増大すると光学的及び電気的な素子設計の難易度が増大するので、5層程度が上限である。尚、図1において、発光層4a,4bと陽極1や陰極2の間にホール注入層やホール輸送層、電子輸送層や電子注入層が設けられていてもよいが、これらの図示は省略する。
FIG. 1 shows an example of the structure of an organic electroluminescence device according to the present invention. A plurality of light emitting
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、中間層3は、仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属の有機金属錯体、及び仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属の金属炭酸化物から選ばれたいずれかと還元性金属との混合層、並びに金属酸化物層を積層した積層体からなるものである。
In the organic electroluminescence device of the present invention, the
なお、前記混合層と金属酸化物層間に、金属層を挟んでもよい。前記混合層の厚みは特に限定されるものではないが、例えば1nm〜100nmの範囲であり、5nm〜50nmの範囲が特に好ましい。ここで、仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属の有機金属錯体あるいは金属炭酸化物(以下両者を合わせて、金属化合物という)と、還元性金属との混合比は特に限定されるものではないが、例えばモル比率で、還元性金属:金属化合物=1:0.05〜2.0の範囲であり、好ましくは、還元性金属:金属化合物=1:0.1〜1.5の範囲であり、特に好ましくは、還元性金属が主成分となる、還元性金属:金属化合物=1:0.1〜1.0の範囲である。還元性金属を主成分とすることにより、金属化合物の反応が促進され、かつ還元性金属と電子供与性金属が混合し、特に長寿命化や信頼性が向上するものである。前記金属酸化物層の厚みは特に限定されるものではないが、例えば1nm〜50nmの範囲であり、5nm〜30nmの範囲が特に好ましい。前記金属層の厚みは特に限定されるものではないが、光透過性を損なわない(例えば、可視光の透過率75%以上)程度の厚みであればよく、例えば0.1nm〜10nmの範囲であり、0.5nm〜5nmの範囲が特に好ましい。 A metal layer may be sandwiched between the mixed layer and the metal oxide layer. Although the thickness of the said mixed layer is not specifically limited, For example, it is the range of 1 nm-100 nm, and the range of 5 nm-50 nm is especially preferable. Here, the mixing ratio between the reducing metal and the organometallic complex or metal carbonate of an electron donating metal having a work function of 3.7 eV or less (hereinafter referred to as a metal compound) is not particularly limited. Although there is no, for example, molar ratio, the range of reducing metal: metal compound = 1: 0.05 to 2.0, preferably the range of reducing metal: metal compound = 1: 0.1 to 1.5 Particularly preferred is a range of reducing metal: metal compound = 1: 0.1 to 1.0 containing the reducing metal as a main component. By using the reducing metal as the main component, the reaction of the metal compound is promoted, and the reducing metal and the electron-donating metal are mixed, and in particular, the life extension and the reliability are improved. Although the thickness of the said metal oxide layer is not specifically limited, For example, it is the range of 1 nm-50 nm, and the range of 5 nm-30 nm is especially preferable. The thickness of the metal layer is not particularly limited, but may be a thickness that does not impair the light transmittance (for example, a visible light transmittance of 75% or more), for example, in the range of 0.1 nm to 10 nm. In particular, a range of 0.5 nm to 5 nm is particularly preferable.
中間層3を構成する混合層に含まれる還元性金属は、アルミニウム、チタン、タングステン、白金、パラジウム、ジルコニウム、ハフニウムの群から選ばれることが好ましい。
The reducing metal contained in the mixed layer constituting the
中間層3を構成する混合層に含まれる金属化合物は、仕事関数3.7eV以下の電子供与性の金属を含む有機金属錯体、金属炭酸化物のいずれかから選択されるものである。該電子供与性金属はアルカリ金属、アルカリ土類金属の群から選ばれるものであり、これらの具体例は特に限定されるものではないが、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウムなどを例として挙げることができる。該有機金属錯体、金属炭酸化物の具体例は特に限定されるものではないが、有機金属錯体としては(8−キノリノラト)リチウム錯体などのキノリン錯体、ジビバロイルメタナトリチウム錯体(Lidpm)やジビバロイルメタナトカリウム錯体(Kdpm)などのジビバロイルメタナト錯体(dpm錯体)、アセチルアセトネートリチウム錯体(Liacac)などのアセチルアセトネート錯体(acac錯体)、金属炭酸化合物としては炭酸セシウムや炭酸ナトリウムなどを挙げることができる。また、電子供与性金属を包接するクラウンエーテルおよびその誘導体(化1)などの包接化合物も有機金属錯体の例として挙げることができる。
中間層3を構成する積層体のうち、金属酸化物層の具体例は特に限定されるものではないが、たとえばITO(インジウム‐スズ酸化物)、IZO(インジウム‐亜鉛酸化物)、AZO(アルミニウム‐亜鉛酸化物)インジウム酸化物、スズ酸化物、亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物を主成分とする種々の金属酸化物が挙げられる。
中間層3を構成する積層体のうち、金属層の具体例は特に限定されるものではないが、例えば還元性金属と電子供与性金属からなる合金、光反射性金属と電子供与性金属からなる合金、還元性金属と光反射性金属と電子供与性金属からなる合金が挙げられる。さらには、マイグレーションを起こしにくい金属(もしくは合金)と電子供与性金属からなる合金なども挙げられる。ここで光反射性金属とは可視光領域にわたって反射率が70%以上あるものとし、アルミニウム、銀、ロジウムなどを例として挙げることができる。また、マイグレーションを起こしにくい金属として金、スズ、銅、マイグレーションを起こしにくい合金として銀ーパラジウム、銀ー銅などの合金が挙げられる。
Of the laminated body constituting the
Of the laminate constituting the
中間層3を構成する金属酸化物層が、両極性伝導性金属酸化物と導電性金属酸化物との積層であると好ましい。この中間層3を構成する両極性伝導性金属酸化物の具体例は特に限定されるものではないが、バナジウム、モリブデン、レニウム、タングステン、ニッケル、亜鉛、銅、インジウム、ストロンチウム、スズ、ニオブ、タンタルの群から選ばれる元素を含有する金属酸化物が挙げられる。また両極性伝導性金属酸化物と積層する導電性金属酸化物の具体例は特に限定されるものではないが、ITO(インジウム‐スズ酸化物)、IZO(インジウム‐亜鉛酸化物)、AZO(アルミニウム‐亜鉛酸化物)などが挙げられる。
The metal oxide layer constituting the
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構成は、本発明の趣旨に反しない限り任意のものを用いることができる。前述の通り、図1の素子構成の例としては、ホール注入層やホール輸送層、電子輸送層や電子注入層を省略して記したが、必要に応じて適宜用いることができる。 Any element configuration of the organic electroluminescence element of the present invention can be used as long as it is not contrary to the gist of the present invention. As described above, although the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are omitted as an example of the element configuration in FIG. 1, they can be used as needed.
上記発光層4に使用できる材料としては、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として知られる任意の材料が使用可能である。例えばアントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体及び各種蛍光色素等、前述の材料系およびその誘導体を始めとするものが挙げられるが、これらに限定するものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を適宜混合して用いることも好ましい。また、前記化合物に代表される蛍光発光を生じる化合物のみならず、スピン多重項からの発光を示す材料系、たとえば燐光発光を生じる燐光発光材料、およびそれらからなる部位を分子内の一部に有する化合物も好適に用いることができる。また、これらの材料からなる有機層は、蒸着、転写等乾式プロセスによって成膜しても良いし、スピンコート、スプレーコート、ダイコート、グラビア印刷等、湿式プロセスによって成膜するものであってもよい。なお、基板側すなわち下層側は、スピンコート、スプレーコート、ダイコート、グラビア印刷等、湿式プロセスによって成膜でき、比較的膜厚を均一にすることのできる高分子発光層で構成し、中間層上すなわち上層側は、蒸着法などの乾式プロセスで形成できる低分子発光層を用いるのが望ましい。なお、ここで‘下層側’とは、2段マルチユニット構造におけるITO側ユニット全体を示すものとする(すなわち、ITO側ユニットの発光層のみでない)。
また、層自体が発光する発光層4と、発光層4に電子あるいはホールなどの電荷を注入する電荷注入層、電荷輸送層とが必要とされる場合があり、発光層、電荷注入層、電荷輸送層などを含めて機能層として扱うこととする。ここでは中間層の選択によっては電荷輸送層や電荷注入層が省略でき、機能層自体を薄くすることも可能となる。
As a material that can be used for the light emitting layer 4, any material known as a material for an organic electroluminescence element can be used. For example, anthracene, naphthalene, pyrene, tetracene, coronene, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole, bisbenzoxazoline, bisstyryl, cyclopentadiene, quinoline metal complex, tris (8-hydroxyxyl) Norinato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-quinolinato) aluminum complex, tris (5-phenyl-8-quinolinato) aluminum complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, tri- (p-terphenyl- 4-yl) amine, 1-aryl-2,5-di (2-thienyl) pyrrole derivative, pyran, quinacridone, rubrene, distyrylbenzene derivative, distyrylarylene derivative, distili Amine derivatives and various fluorescent dyes, but include those including a material system and its derivatives of the foregoing, the present invention is not limited to these. Moreover, it is also preferable to mix and use the light emitting material selected from these compounds suitably. Further, not only a compound that emits fluorescence, typified by the above compound, but also a material system that emits light from a spin multiplet, for example, a phosphorescent material that emits phosphorescence, and a part thereof are included in a part of the molecule. A compound can also be used suitably. The organic layer made of these materials may be formed by a dry process such as vapor deposition or transfer, or may be formed by a wet process such as spin coating, spray coating, die coating, or gravure printing. . The substrate side, that is, the lower layer side, is composed of a polymer light emitting layer that can be formed by a wet process such as spin coating, spray coating, die coating, gravure printing, and the like. That is, it is desirable to use a low molecular light emitting layer that can be formed by a dry process such as vapor deposition on the upper layer side. Here, the “lower layer side” indicates the entire ITO side unit in the two-stage multi-unit structure (that is, not only the light emitting layer of the ITO side unit).
Further, a light emitting layer 4 that emits light itself, a charge injection layer that injects charges such as electrons or holes into the light emitting layer 4, and a charge transport layer may be required. It will be treated as a functional layer including the transport layer. Here, depending on the selection of the intermediate layer, the charge transport layer and the charge injection layer can be omitted, and the functional layer itself can be made thin.
また、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する他の部材である、積層された素子を保持する基板5や陽極1、陰極2等には、従来から使用されているものをそのまま使用することができる。
Moreover, what was used conventionally can be used as it is for the board |
上記基板5は、基板5を通して光が出射される場合には光透過性を有するものであり、無色透明の他に、多少着色されているものであっても、すりガラス状のものであってもよい。例えば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどの透光性のガラス板や、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、エポキシ等の樹脂、フッ素系樹脂等から任意の方法によって作製されたプラスチックフィルムやプラスチック板などを用いることができる。またさらに、基板5内に基板母材と屈折率の異なる粒子、粉体、泡等を含有し、あるいは表面に形状を付与することによって、光拡散効果を有するものも使用可能である。また、基板5を通さずに光を射出させる場合、基板5としては必ずしも光透過性を有するものでなくてもよく、素子の発光特性、寿命特性等を損なわない限り、任意の基板5を使うことができる。特に、通電時の素子の発熱による温度上昇を軽減するために、熱伝導性の高い基板5を使うこともできる。
The
上記陽極1は、有機発光層4中にホールを注入するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が4eV以上のものを用いるのがよい。このような陽極1の材料としては、例えば、金などの金属、CuI、ITO(インジウム−スズ酸化物)、SnO2、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)等、PEDOT、ポリアニリン等の導電性高分子及び任意のアクセプタ等でドープした導電性高分子、カーボンナノチューブなどの導電性光透過性材料を挙げることができる。陽極1は、例えば、これらの電極材料を、基板5の表面に真空蒸着法やスパッタリング法、塗布等の方法により薄膜に形成することによって作製することができる。また、有機発光層4における発光を、陽極1を透過させて外部に照射するためには、陽極1の光透過率を70%以上にすることが好ましい。さらに、陽極1のシート抵抗は数百Ω/□以下とすることが好ましく、特に好ましくは100Ω/□以下とするものである。ここで、陽極1の膜厚は、陽極1の光透過率、シート抵抗等の特性を上記のように制御するために、材料により異なるが、500nm以下、好ましくは10〜200nmの範囲に設定するのがよい。
The
また上記陰極2は、有機発光層4中に電子を注入するための電極であり、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が5eV以下のものであることが好ましい。このような陰極2の電極材料としては、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属等、およびこれらと他の金属との合金、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/LiF混合物を例として挙げることができる。さらに、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、あるいは金属酸化物を陰極の下地として用い、さらに金属等の導電材料を1層以上積層して用いてもよい。例えば、アルカリ金属/Alの積層、アルカリ金属のハロゲン化物/アルカリ土類金属/Alの積層、アルカリ金属の酸化物/Alの積層などが例として挙げられる。また、ITO、IZOなどに代表される透光性電極を用い、陰極2側から光を取りだす構成としても良い。また陰極2の界面の有機物層にリチウム、ナトリウム、セシウム、カルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属をドープしても良い。
The
また上記陰極2は、例えば、これらの電極材料を真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により、薄膜に形成することによって作製することができる。有機発光層4における発光を陽極1側から取り出す場合には、陰極2の光透過率を10%以下にすることが好ましい。また反対に、透光性電極を陰極2として陰極2側から発光を取りだす場合(陽極1と陰極2の両電極から光を取り出す場合も含む)には、陰極2の光透過率を70%以上にすることが好ましい。この場合の陰極2の膜厚は、陰極2の光透過率等の特性を制御するために、材料により異なるが、通常500nm以下、好ましくは100〜200nmの範囲とするのがよい。
Moreover, the said
その他、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材、構造を本発明の趣旨を損なわない範囲で併用することが可能である。 In addition, each member and structure of the organic electroluminescence element can be used in combination as long as the gist of the present invention is not impaired.
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。 Next, the present invention will be specifically described with reference to examples.
まず、本発明の実施例の説明に先立ち、参考例として通例の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。図2および図3は本発明の実施例の有機エレクトロルミネッセント素子の上面図およびそのA−A断面図である。図3では詳細を省略しているが図1に示したのと同様の積層構造をとるものであり、発光層4(4a、4b)および電荷輸送層、電荷注入層などを含む機能層と、中間層3とは同一のパターン形状をなすように形成される。
[参考例]
厚み110nmのITOが陽極1として図2のパターンのように成膜された0.7mm厚のガラス基板5を用意した。陽極1を形成するITO(酸化インジウム錫)のシート抵抗は、約12Ω/□である。そしてこれを洗剤、イオン交換水、アセトンで各10分間超音波洗浄をした後、IPA(イソプロピルアルコール)で蒸気洗浄して乾燥し、さらにUV/O3処理した。
Prior to the description of the embodiments of the present invention, a conventional organic electroluminescence element will be described as a reference example. 2 and 3 are a top view and an AA cross-sectional view of the organic electroluminescent element of the embodiment of the present invention. Although the details are omitted in FIG. 3, it has a layered structure similar to that shown in FIG. 1, and includes a light emitting layer 4 (4a, 4b), a functional layer including a charge transport layer, a charge injection layer, and the like; The
[Reference example]
A 0.7 mm
次に、この基板を真空蒸着装置にセットし、1×10-4Pa以下の減圧雰囲気下で、ITOの上にホール輸送層として、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)を80nmの膜厚で成膜した。 Next, this substrate was set in a vacuum deposition apparatus, and 4,4′-bis [N- (naphthyl) -N— as a hole transport layer on ITO under a reduced pressure atmosphere of 1 × 10 −4 Pa or less. Phenyl-amino] biphenyl (α-NPD) was deposited to a thickness of 80 nm.
次に、ホール輸送層の上に、発光層としてTBADN(化2)とsty−NPD(化3)の混合膜(質量比;TBADN:sty−NPD=96:4)を50nmの膜厚で成膜した。次にこの上に電子輸送層としてバソクプロインを15nmの膜厚で成膜した。 Next, on the hole transport layer, a mixed film of TBADN (Chemical Formula 2) and sty-NPD (Chemical Formula 3) (mass ratio; TBADN: sty-NPD = 96: 4) is formed as a light emitting layer with a thickness of 50 nm. Filmed. Next, bathocuproine with a film thickness of 15 nm was formed thereon as an electron transport layer.
続いて、BCPとCsをモル比1:0.25の割合で5nm厚に成膜し、さらにアルミニウムを0.4nm/sの蒸着速度で80nmの膜厚で成膜して、図2のパターンで陰極を形成し、発光層が1層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。尚、有機エレクトロルミネッセンス素子の形状は図2に示すとおりである(図2において有機膜はホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層からなる)。
上記参考例と同等のITO陽極付きの基板を用い、参考例と同様にして、α−NPDを80nmの膜厚で成膜してホール輸送層を形成した。次に、ホール輸送層の上に、1段目の発光層としてTBADNとsty−NPDの混合膜(質量比;TBADN:sty−NPD=96:4)を50nmの膜厚で成膜し、この上に電子輸送層としてBCPを15nmの膜厚で成膜した。 Using a substrate with an ITO anode equivalent to the above reference example, α-NPD was formed to a thickness of 80 nm to form a hole transport layer in the same manner as in the reference example. Next, on the hole transport layer, a mixed film of TBADN and sty-NPD (mass ratio; TBADN: sty-NPD = 96: 4) is formed to a thickness of 50 nm as the first light emitting layer. A BCP film having a thickness of 15 nm was formed thereon as an electron transport layer.
次に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)とLiの混合膜(モル比;Alq3:Li=1:1)を10nmの膜厚で成膜した後、IZO膜を11nmの膜厚で成膜することによって中間層を形成した。 Next, a mixed film of tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) and Li (molar ratio; Alq3: Li = 1: 1) was formed to a thickness of 10 nm, and then an IZO film was formed to a thickness of 11 nm. An intermediate layer was formed by forming a film.
次に、中間層の上に上記と同様に、α−NPDのホール輸送層を60nmの膜厚で成膜した後、この上に2段目の発光層としてTBADNとsty−NPDの混合膜(質量比;TBADN:sty−NPD=96:4)を50nmの膜厚で形成し、続いて、BCPとCsの混合膜(モル比;BCP:Cs=1:0.25)を5nmの膜厚で成膜し、さらにアルミニウムを0.4Å/sの蒸着速度で80nmの膜厚で成膜して、図2のパターンで陰極を形成し、発光層が2層構成の有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。尚、有機エレクトロルミネッセンス素子の形状は図2に示すとおりである(図2において有機膜はホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層からなる)。 Next, in the same manner as described above, an α-NPD hole transport layer is formed to a thickness of 60 nm on the intermediate layer, and then a mixed film of TBADN and sty-NPD (as a second light emitting layer) ( A mass ratio; TBADN: sty-NPD = 96: 4) is formed with a film thickness of 50 nm, and then a mixed film of BCP and Cs (molar ratio; BCP: Cs = 1: 0.25) is formed with a film thickness of 5 nm. Then, aluminum is further deposited at a film thickness of 80 nm at a deposition rate of 0.4 Å / s, a cathode is formed with the pattern of FIG. 2, and an organic electroluminescence device having a two-layered light emitting layer is obtained. It was. The shape of the organic electroluminescence element is as shown in FIG. 2 (in FIG. 2, the organic film is composed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer).
中間層を、Liq(化4)とAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、続いてMoO3を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 The intermediate layer was formed in the same manner as in Comparative Example 1 except that a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 0.5) was formed to 5 nm, and subsequently MoO 3 was formed to 5 nm. An organic electroluminescence device was obtained.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、続いてWO3を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
[比較例2]
The intermediate layer was formed in the same manner as in Comparative Example 1 except that a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 0.5) was formed to 5 nm, and subsequently WO 3 was formed to 5 nm. An organic electroluminescence device was obtained.
[Comparative Example 2]
中間層を、Liqを5nm成膜した後、V2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
[比較例3]
An organic electroluminescence device was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the intermediate layer was formed by depositing 5 nm of Liq and then depositing 5 nm of V 2 O 5 .
[Comparative Example 3]
中間層を、Liqを5nmの膜厚で成膜した後、Alを1nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 The intermediate layer was formed into a film having a thickness of 5nm to Liq, and 1nm deposited Al, followed except that 5nm film of V 2 O 5 and is in the same manner as in Comparative Example 1, the organic electroluminescence element Obtained.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、Alを1nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 As the intermediate layer, a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 0.5) was formed to a thickness of 5 nm, Al was formed to a thickness of 1 nm, and then V 2 O 5 was deposited to a thickness of 5 nm. In the same manner as in Comparative Example 1, an organic electroluminescence element was obtained.
中間層を、LiqとPtの混合膜(モル比;Pt:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 As an intermediate layer, a mixed film of Liq and Pt (molar ratio; Pt: Liq = 1: 0.5) was formed to a thickness of 5 nm, and subsequently V 2 O 5 was formed to a thickness of 5 nm. Thus, an organic electroluminescence element was obtained.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:1.5)を5nm成膜し、続いてMoO3を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 The intermediate layer was formed in the same manner as in Comparative Example 1 except that a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 1.5) was formed to 5 nm, and subsequently MoO 3 was formed to 5 nm. An organic electroluminescence device was obtained.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:2)を5nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 The intermediate layer was formed in the same manner as in Comparative Example 1 except that a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 2) was formed to 5 nm, and subsequently V 2 O 5 was formed to 5 nm. An organic electroluminescence device was obtained.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、AlとLiの共蒸着法で混合膜(モル比;Al:Li=1:1)を1nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。ここでは共蒸着で形成したがスパッタリングで形成してもよい。 As the intermediate layer, a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 0.5) was formed to a thickness of 5 nm, and the mixed film (molar ratio; Al: Li = 1: 1) was formed by a co-evaporation method of Al and Li. An organic electroluminescent device was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that 1) was formed to 1 nm and subsequently V 2 O 5 was formed to 5 nm. Although it is formed by co-evaporation here, it may be formed by sputtering.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、V2O5を5nm成膜し、続いてIZOを5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 As the intermediate layer, a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 0.5) was formed to 5 nm, V 2 O 5 was formed to 5 nm, and subsequently IZO was formed to 5 nm. In the same manner as in Comparative Example 1, an organic electroluminescence element was obtained.
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:0.5)を5nm成膜し、IZOを5nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 For the intermediate layer, a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 0.5) was formed to 5 nm, IZO was formed to 5 nm, and then V 2 O 5 was formed to 5 nm. In the same manner as in Comparative Example 1, an organic electroluminescence element was obtained.
中間層を、Liを包接したジベンゾー18−クラウンー6(化5)とAlの混合膜(モル比;Al:ジベンゾー18−クラウンー6=1:0.5)を5nmの膜厚で成膜し、AlとLiの混合膜(モル比;Al:Li=1:1)を1nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
中間層を、LiqとAlの混合膜(モル比;Al:Liq=1:1.5)を5nm成膜し、V2O5を5nm成膜し、続いてIZOを5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 As the intermediate layer, a mixed film of Liq and Al (molar ratio; Al: Liq = 1: 1.5) was formed to 5 nm, V 2 O 5 was formed to 5 nm, and then IZO was formed to 5 nm. In the same manner as in Comparative Example 1, an organic electroluminescence element was obtained.
中間層を、Cs2CO3とAlの混合膜(モル比;Al:Cs2CO3=1:0.5)を5nm成膜し、続いてV2O5を5nm成膜した以外は、比較例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。 The intermediate layer was formed except that a mixed film of Cs 2 CO 3 and Al (molar ratio; Al: Cs 2 CO 3 = 1: 0.5) was formed to 5 nm, and then V 2 O 5 was formed to 5 nm. In the same manner as in Comparative Example 1, an organic electroluminescence element was obtained.
上記のように従来例、実施例1〜13、比較例1〜3で得た有機エレクトロルミネッセンス素子を電源(KEYTHLEY2400)に接続し、10mA/cm2通電した際の電流効率と、初期発光輝度を1000(cd/m2)とした場合の発光輝度半減寿命の相対値を評価した。尚、輝度評価にはトプコン株式会社製「BM−9」を使用した。結果を表1に示す。 As described above, the organic electroluminescence elements obtained in the conventional examples, Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 3 are connected to a power source (KEYTHLEY 2400), and the current efficiency and the initial light emission luminance when 10 mA / cm 2 is applied. The relative value of the light emission luminance half-life when 1000 (cd / m 2 ) was set was evaluated. In addition, “BM-9” manufactured by Topcon Corporation was used for luminance evaluation. The results are shown in Table 1.
表1にみられるように、各実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電流効率が高く、同時に輝度半減寿命が長いものであった。 As can be seen in Table 1, the organic electroluminescence elements of the respective examples had high current efficiency and at the same time long luminance half life.
一方、発光層が1層の参考例のものは、電流効率が低く、輝度半減寿命も短いものであった。比較例1および比較例3では、高い電流効率は得られるものの、輝度半減寿命は本実施例と比して短いものであった。また比較例2では、電流効率も輝度半減寿命も、参考例と比較して低いものであった。 On the other hand, the reference example with one light emitting layer had low current efficiency and short luminance half life. In Comparative Example 1 and Comparative Example 3, high current efficiency was obtained, but the luminance half-life was shorter than that of this example. In Comparative Example 2, both current efficiency and luminance half life were lower than those of the reference example.
以上説明したように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、長寿命で、高効率であることから、照明光源や液晶表示器用バックライト、フラットパネルディスプレイ等に適用可能である。 As described above, since the organic electroluminescence element of the present invention has a long life and high efficiency, it can be applied to an illumination light source, a backlight for a liquid crystal display, a flat panel display, and the like.
1 陽極
2 陰極
3 中間層
4a 発光層
4b 発光層
5 基板
10 導電層
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記混合層は共蒸着層である有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1,
The organic electroluminescence device, wherein the mixed layer is a co-evaporated layer.
前記中間層を構成する混合層と金属酸化物層間に、金属層をはさんでなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1 or 2,
An organic electroluminescence device comprising a metal layer sandwiched between a mixed layer and a metal oxide layer constituting the intermediate layer.
前記金属層が2種類以上の金属からなる合金であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 3,
The organic electroluminescent element, wherein the metal layer is an alloy composed of two or more kinds of metals.
前記金属酸化物層が、両極性伝導性金属酸化物と導電性金属酸化物との積層からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 4,
The organic electroluminescence device, wherein the metal oxide layer is a laminate of an ambipolar conductive metal oxide and a conductive metal oxide.
前記還元性金属が、アルミニウム、チタン、タングステン、白金、パラジウム、ジルコニウム、ハフニウムの群から選ばれる金属であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 It is an organic electroluminescent element in any one of Claims 1 thru | or 5, Comprising:
The organic electroluminescence device, wherein the reducing metal is a metal selected from the group consisting of aluminum, titanium, tungsten, platinum, palladium, zirconium, and hafnium.
前記両極性伝導性金属酸化物がバナジウム、モリブデン、レニウム、タングステン、ニッケル、亜鉛、銅、インジウム、ストロンチウム、スズ、ニオブ、タンタルから選ばれる金属からなる酸化物である有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 5, wherein
An organic electroluminescence device, wherein the ambipolar conductive metal oxide is an oxide made of a metal selected from vanadium, molybdenum, rhenium, tungsten, nickel, zinc, copper, indium, strontium, tin, niobium, and tantalum.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140442A JP4872805B2 (en) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | Organic electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140442A JP4872805B2 (en) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | Organic electroluminescence device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008293895A true JP2008293895A (en) | 2008-12-04 |
JP4872805B2 JP4872805B2 (en) | 2012-02-08 |
Family
ID=40168404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007140442A Expired - Fee Related JP4872805B2 (en) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | Organic electroluminescence device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4872805B2 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212187A (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | Light emitting element, light emitting device, display device, and electronic device |
WO2010113493A1 (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | エイソンテクノロジー株式会社 | Organic electroluminescent element |
JP2012049088A (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence element and method for manufacturing the same |
EP2458942A4 (en) * | 2009-07-23 | 2012-12-26 | Kaneka Corp | Organic electroluminescent element |
JP2014075347A (en) * | 2013-11-05 | 2014-04-24 | Konica Minolta Inc | Organic electroluminescent element and lighting system |
CN104253231A (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Organic electroluminescent device and preparation method thereof |
JP2016513371A (en) * | 2013-02-21 | 2016-05-12 | ヘリアテク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeliatek Gmbh | Optoelectronic parts |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005009087A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display using same |
JP2005166637A (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Junji Kido | Organic element, organic el element, organic solar cell, organic fet structure and manufacturing method of organic element |
JP2006135144A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | Organic material for display element and display element |
JP2006269351A (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aitesu:Kk | Top emission multiphoton organic el display panel |
-
2007
- 2007-05-28 JP JP2007140442A patent/JP4872805B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005009087A1 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and display using same |
JP2005166637A (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Junji Kido | Organic element, organic el element, organic solar cell, organic fet structure and manufacturing method of organic element |
JP2006135144A (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | Organic material for display element and display element |
JP2006269351A (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aitesu:Kk | Top emission multiphoton organic el display panel |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212187A (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | Light emitting element, light emitting device, display device, and electronic device |
WO2010113493A1 (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | エイソンテクノロジー株式会社 | Organic electroluminescent element |
JP5180369B2 (en) * | 2009-04-01 | 2013-04-10 | エイソンテクノロジー株式会社 | Organic electroluminescent device |
KR101408547B1 (en) * | 2009-04-01 | 2014-06-17 | 에이손 테쿠노로지 가부시키가이샤 | Organic electroluminescent element |
EP2458942A4 (en) * | 2009-07-23 | 2012-12-26 | Kaneka Corp | Organic electroluminescent element |
JP2012049088A (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence element and method for manufacturing the same |
JP2016513371A (en) * | 2013-02-21 | 2016-05-12 | ヘリアテク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeliatek Gmbh | Optoelectronic parts |
US10950811B2 (en) | 2013-02-21 | 2021-03-16 | Heliatek Gmbh | Optoelectronic component |
CN104253231A (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Organic electroluminescent device and preparation method thereof |
JP2014075347A (en) * | 2013-11-05 | 2014-04-24 | Konica Minolta Inc | Organic electroluminescent element and lighting system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4872805B2 (en) | 2012-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5476061B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
JP5237541B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP6089280B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP4966176B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP5149497B2 (en) | Organic light emitting device | |
JP4915544B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
WO2011074633A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP6043401B2 (en) | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
JPH08222374A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2008294356A (en) | Organic electrominescence element | |
JP4872805B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP2010092741A (en) | Organic electroluminescent element | |
TWI246360B (en) | Electrode for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same | |
JP5281271B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP2010034042A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2010033973A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP5388375B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP5102522B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP2010108652A (en) | Manufacturing method of organic electroluminescent element | |
JP5075027B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP2003282267A (en) | Light emitting device | |
JP5319977B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT | |
JP2013191276A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2010040444A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2011216688A (en) | Organic electroluminescent element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |