JP2008288531A

JP2008288531A - Probe pin cleaning method

Info

Publication number: JP2008288531A
Application number: JP2007134638A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Tanimoto; 則幸谷本
Original assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Current assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date: 2007-05-21
Filing date: 2007-05-21
Publication date: 2008-11-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for accurately removing deposits regarding a probe pin cleaning method that removes deposits adhered to a probe pin in contact with a bonding pad of a semiconductor device. SOLUTION: The method cleans a probe pin 69 provided in a probe device 11 for executing the electrical inspection of a semiconductor device. The probe device 11 has a brush 84 for removing deposits adhered to the tip 76 of the probe pin 69. The brush 84 is rotated in a state of bringing the brush 84 into contact with the tip 76 of the probe pin 69 in order to remove the deposits. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、プローブピンのクリーニング方法に係り、特にプローブ装置に設けられ、半導体装置のボンディングパッドと接触するプローブピンに付着した付着物を除去するプローブピンのクリーニング方法に関する。 The present invention relates to a method for cleaning a probe pin, and more particularly to a method for cleaning a probe pin that is provided in a probe device and removes deposits attached to the probe pin that contacts a bonding pad of a semiconductor device.

図１１は、従来の検査装置の断面図である。図１２において、Ｙ１，Ｙ１方向は鉛直方向、Ｘ１，Ｘ１方向は水平方向と直交する面方向をそれぞれ示している。 FIG. 11 is a cross-sectional view of a conventional inspection apparatus. In FIG. 12, the Y1 and Y1 directions indicate the vertical direction, and the X1 and X1 directions indicate the surface directions orthogonal to the horizontal direction.

図１１を参照するに、従来の検査装置２００は、プローブ装置２０１と、テスタ２０２とを有する。プローブ装置２０１は、筐体２０４と、ヘッドプレート２０５と、半導体装置用ステージ２０６と、支持体２０９と、クリーニングステージ２１１と、クリーニングシート２１２と、プローブカードホルダー２１３と、プローブカード２１５と、コンタクトリング２１９と、テストヘッド２２１とを有する。 Referring to FIG. 11, a conventional inspection apparatus 200 includes a probe apparatus 201 and a tester 202. The probe device 201 includes a housing 204, a head plate 205, a semiconductor device stage 206, a support 209, a cleaning stage 211, a cleaning sheet 212, a probe card holder 213, a probe card 215, and a contact ring. 219 and a test head 221.

筐体２０４は、半導体装置用ステージ２０６やクリーニングステージ２１１等を収容するためのものである。筐体２０４の上端部は、開放端とされている。ヘッドプレート２０５は、筐体２０４に対して開閉可能な状態で筐体２０４の上端部に設けられている。ヘッドプレート２０５は、コンタクトリング２１９を保持するためのものである。 The housing 204 is for housing the semiconductor device stage 206, the cleaning stage 211, and the like. The upper end of the housing 204 is an open end. The head plate 205 is provided at the upper end of the housing 204 so as to be openable and closable with respect to the housing 204. The head plate 205 is for holding the contact ring 219.

半導体装置用ステージ２０６は、半導体装置２０８を固定するためのものである。半導体装置用ステージ２０６は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。 The semiconductor device stage 206 is for fixing the semiconductor device 208. The semiconductor device stage 206 is configured to be movable in the X1 and X1 directions and the Y1 and Y1 directions.

図１２は、検査装置により検査される半導体装置の断面図である。図１２では、プローブ装置２０１に設けられたプローブピン２１８が半導体チップ２３１のボンディングパッド２４４に接触した状態を図示する。 FIG. 12 is a cross-sectional view of a semiconductor device inspected by an inspection apparatus. FIG. 12 illustrates a state in which the probe pin 218 provided in the probe device 201 is in contact with the bonding pad 244 of the semiconductor chip 231.

ここで、図１２を参照して、半導体装置２０８の構成について説明する。半導体装置２０８は、個片化される前の複数の半導体チップ２３１を有した構成とされている。半導体チップ２３１は、半導体基板２３３と、拡散層２３５と、絶縁層２３６，２４１と、ビア２３７，２４２と、配線２３８と、ボンディングパッド２４４と、保護膜２４６とを有する。 Here, the configuration of the semiconductor device 208 will be described with reference to FIG. The semiconductor device 208 is configured to have a plurality of semiconductor chips 231 before being singulated. The semiconductor chip 231 includes a semiconductor substrate 233, a diffusion layer 235, insulating layers 236 and 241, vias 237 and 242, wiring 238, a bonding pad 244, and a protective film 246.

拡散層２３５は、半導体基板２３３に形成されている。絶縁層２３６は、半導体基板２３３及び拡散層２３５の上面を覆うように設けられている。ビア２３７は、拡散層２３５上に位置する部分の絶縁層２３６を貫通するように配設されている。配線２３８は、絶縁層２３６上に設けられている。配線２３８は、ビア２３７を介して、拡散層２３５と電気的に接続されている。絶縁層２４１は、配線２３８を覆うように、絶縁層２３６上に設けられている。ビア２４２は、配線２３８上に位置する部分の絶縁層２４１を貫通するように配設されている。 The diffusion layer 235 is formed on the semiconductor substrate 233. The insulating layer 236 is provided so as to cover the upper surfaces of the semiconductor substrate 233 and the diffusion layer 235. The via 237 is disposed so as to penetrate a part of the insulating layer 236 located on the diffusion layer 235. The wiring 238 is provided over the insulating layer 236. The wiring 238 is electrically connected to the diffusion layer 235 through the via 237. The insulating layer 241 is provided on the insulating layer 236 so as to cover the wiring 238. The via 242 is disposed so as to penetrate a portion of the insulating layer 241 located on the wiring 238.

ボンディングパッド２４４は、絶縁層２４１上に設けられている。ボンディングパッド２４４は、ビア２４２を介して、配線２３８と電気的に接続されている。ボンディングパッド２４４は、検査装置２００を用いて、半導体チップ２３１の電気的検査を行う際、プローブ装置２０１に設けられたプローブピン２１８が接触するパッドである。ボンディングパッド２４４としては、例えば、Ａｌ膜を用いることができる。また、ボンディングパッド２４４としてＡｌ膜を用いた場合、ボンディングパッド２４４の上面に自然酸化膜（具体的には、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３膜）が形成されることがある。 The bonding pad 244 is provided on the insulating layer 241. The bonding pad 244 is electrically connected to the wiring 238 through the via 242. The bonding pad 244 is a pad with which a probe pin 218 provided in the probe device 201 comes into contact when an electrical inspection of the semiconductor chip 231 is performed using the inspection device 200. As the bonding pad 244, for example, an Al film can be used. When an Al film is used as the bonding pad 244, a natural oxide film (specifically, for example, an Al ₂ O ₃ film) may be formed on the upper surface of the bonding pad 244.

保護膜２４６は、ボンディングパッド２４４の一部を露出する開口部を有する。保護膜２４６は、パッシベーション膜であり、絶縁層２４１上に設けられている。保護膜２４６は、ボンディングパッド２４４の上面を露出する開口部２４６Ａを有する。 The protective film 246 has an opening that exposes a part of the bonding pad 244. The protective film 246 is a passivation film and is provided on the insulating layer 241. The protective film 246 has an opening 246 A that exposes the upper surface of the bonding pad 244.

図１１を参照するに、支持体２０９は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。支持体２０９は、クリーニングステージ２１１を支持するためのものである。クリーニングステージ２１１は、支持体２０９の上端部に固定されている。クリーニングステージ２１１は、支持体２０９がＸ１，Ｘ１方向及び／またはＹ１，Ｙ１方向に移動した際、支持体２０９と一体的に移動する。 Referring to FIG. 11, the support body 209 is configured to be movable in the X1 and X1 directions and the Y1 and Y1 directions. The support body 209 is for supporting the cleaning stage 211. The cleaning stage 211 is fixed to the upper end portion of the support 209. The cleaning stage 211 moves integrally with the support 209 when the support 209 moves in the X1, X1 direction and / or the Y1, Y1 direction.

クリーニングシート２１２は、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａに設けられている。クリーニングシート２１２は、プローブピン２１８の先端部（ボンディングパッド２４４と接触する部分）に付着した付着物（具体的には、ボンディングパッド２４４の母材であるＡｌやボンディングパッド２４４上に形成された自然酸化膜等）を除去するためのものである。このように、プローブピン２１８に付着した付着物を除去することで、半導体装置２１８（複数の半導体チップ２３１）の電気的な検査を精度良く行うことができる。プローブピン２１８のクリーニングは、必要に応じて適宜行われる。クリーニングシート２１２の材料としては、例えば、シリコーンゴムを用いることができる。 The cleaning sheet 212 is provided on the upper surface 211A of the cleaning stage 211. The cleaning sheet 212 is adhered to the tip of the probe pin 218 (the part that comes into contact with the bonding pad 244) (specifically, Al that is the base material of the bonding pad 244 or the natural material formed on the bonding pad 244). This is for removing oxide films and the like. In this manner, by removing the deposits attached to the probe pins 218, the electrical inspection of the semiconductor device 218 (a plurality of semiconductor chips 231) can be performed with high accuracy. Cleaning of the probe pin 218 is appropriately performed as necessary. As a material of the cleaning sheet 212, for example, silicone rubber can be used.

プローブカードホルダー２１３は、ヘッドプレート２０５の下方に設けられている。プローブカードホルダー２１３は、プローブカード２１５を保持するためのものである。 The probe card holder 213 is provided below the head plate 205. The probe card holder 213 is for holding the probe card 215.

プローブカード２１５は、プローブカードホルダー２１３に着脱可能な状態で装着されている。プローブカード２１５は、コンタクトリング２１９の下方に配置されている。プローブカード２１５は、支持基板２１６と、配線パターン２１７と、プローブピン２１８とを有する。 The probe card 215 is attached to the probe card holder 213 in a detachable state. The probe card 215 is disposed below the contact ring 219. The probe card 215 includes a support substrate 216, a wiring pattern 217, and probe pins 218.

支持基板２１６は、板状とされており、配線パターン２１７及びプローブピン２１８を配設するためのものである。配線パターン２１７は、支持基板２１６を貫通すると共に、支持基板２１６の両面に亘って設けられている。配線パターン２１７は、コンタクトリング２１９の接続ピンと電気的に接続されている。プローブピン２１８は、支持基板２１６の下面側に複数設けられている。プローブピン２１８は、配線パターン２１７と電気的に接続されている。検査装置２００により半導体装置２０８の電気的な検査を行う際、プローブピン２１８は、半導体チップ２３１のボンディングパッド２４４（図１２参照）に押し当てられ、ボンディングパッド２４４と電気的に接続される。 The support substrate 216 has a plate shape, and is used for disposing the wiring pattern 217 and the probe pins 218. The wiring pattern 217 penetrates the support substrate 216 and is provided across both surfaces of the support substrate 216. The wiring pattern 217 is electrically connected to the connection pin of the contact ring 219. A plurality of probe pins 218 are provided on the lower surface side of the support substrate 216. The probe pin 218 is electrically connected to the wiring pattern 217. When electrical inspection of the semiconductor device 208 is performed by the inspection apparatus 200, the probe pin 218 is pressed against the bonding pad 244 (see FIG. 12) of the semiconductor chip 231 and is electrically connected to the bonding pad 244.

コンタクトリング２１９は、ヘッドプレート２０５に保持されている。コンタクトリング２１９は、プローブカード２１５とテストヘッド２２１との間において信号の授受が可能なように、電気的信号の中継を行なうためのものである。 The contact ring 219 is held by the head plate 205. The contact ring 219 is for relaying electrical signals so that signals can be exchanged between the probe card 215 and the test head 221.

テストヘッド２２１は、コンタクトリング２１９上に配置されている。テストヘッド２２１は、コンタクトリング２１９及びテスタ２０２と電気的に接続されている。 The test head 221 is disposed on the contact ring 219. The test head 221 is electrically connected to the contact ring 219 and the tester 202.

テスタ２０２は、テストヘッド２２１と電気的に接続されている。テスタ２０２は、プローブ装置２０１の制御全般を行う。具体的には、テスタ２０２は、予めテスタ２０２内に格納されたプログラムに従って、プローブ装置２０１を駆動させて半導体装置２０８（複数の半導体チップ２３１）の電気的検査を行う（例えば、特許文献１参照。）。
特開平５−１４４８９２号公報 The tester 202 is electrically connected to the test head 221. The tester 202 performs overall control of the probe device 201. Specifically, the tester 202 performs electrical inspection of the semiconductor device 208 (a plurality of semiconductor chips 231) by driving the probe device 201 in accordance with a program stored in the tester 202 in advance (see, for example, Patent Document 1). .).
Japanese Patent Laid-Open No. 5-144892

しかしながら、従来のプローブ装置に設けられたクリーニングシート２１２では、プローブピン２１８の先端部に付着した付着物を十分に除去することができないという問題があった。 However, the cleaning sheet 212 provided in the conventional probe device has a problem in that the adhered matter attached to the tip portion of the probe pin 218 cannot be sufficiently removed.

そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、プローブピンに付着した付着物を精度良く除去することのできるプローブピンのクリーニング方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a probe pin cleaning method capable of accurately removing deposits attached to the probe pin.

本発明の一観点によれば、半導体装置（２０）の電気的な検査を行うプローブ装置（１１）に設けられたプローブピン（６９）のクリーニング方法であって、前記プローブ装置（１１）は、前記プローブピン（６９）の先端部（７６）に付着した付着物を除去するためのブラシ（８４）を有し、前記ブラシ（８４）を前記プローブピン（６９）の先端部（７６）に接触させた状態で、前記ブラシ（８４）を回転させて、前記付着物を除去することを特徴とするプローブピン（６９）のクリーニング方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a probe pin (69) provided in a probe device (11) that performs electrical inspection of a semiconductor device (20), wherein the probe device (11) includes: It has a brush (84) for removing deposits attached to the tip (76) of the probe pin (69), and the brush (84) contacts the tip (76) of the probe pin (69). In this state, the probe (69) is cleaned by rotating the brush (84) to remove the deposits.

本発明によれば、ブラシ（８４）をプローブピン（６９）の先端部（７６）に接触させた状態で、ブラシ（８４）を回転させることにより、プローブピン（６９）の先端部（７６）に付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the present invention, the tip (76) of the probe pin (69) is rotated by rotating the brush (84) while the brush (84) is in contact with the tip (76) of the probe pin (69). It is possible to accurately remove the deposits attached to the surface.

本発明の他の観点によれば、半導体装置（２０）の電気的な検査を行うプローブ装置（１１１）に設けられたプローブピン（６９）のクリーニング方法であって、前記プローブ装置（１１１）は、前記プローブピン（６９）の先端部（７６）に付着した付着物を除去するためのブラシ（８４）を有し、前記ブラシ（８４）を前記プローブピン（６９）の先端部（７６）に接触させた状態で、前記ブラシ（８４）を揺動させて、前記付着物を除去することを特徴とするプローブピン（６９）のクリーニング方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a probe pin (69) provided in a probe device (111) for performing an electrical inspection of a semiconductor device (20), wherein the probe device (111) includes: And a brush (84) for removing deposits adhering to the tip (76) of the probe pin (69), and the brush (84) is attached to the tip (76) of the probe pin (69). A cleaning method of the probe pin (69) is provided, wherein the attached matter is removed by swinging the brush (84) in a contact state.

本発明によれば、ブラシ（８４）をプローブピン（６９）の先端部（７６）に接触させた状態で、ブラシ（８４）を揺動させることにより、プローブピン（６９）の先端部（７６）に付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the present invention, the tip (76) of the probe pin (69) is swung by swinging the brush (84) while the brush (84) is in contact with the tip (76) of the probe pin (69). ) Can be removed with high accuracy.

なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。 In addition, the said reference code is a reference to the last, and this invention is not limited to the aspect of illustration by this.

本発明によれば、プローブピンに付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the present invention, it is possible to accurately remove the deposits attached to the probe pins.

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図１において、Ｙ，Ｙ方向は鉛直方向、Ｘ，Ｘ方向は水平方向に直交する面方向をそれぞれ示している。 (First embodiment)
FIG. 1 is a sectional view of an inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the Y and Y directions indicate the vertical direction, and the X and X directions indicate the surface directions orthogonal to the horizontal direction.

始めに、図１を参照して、第１の実施の形態の検査装置１０について説明する。検査装置１０は、プローブ装置１１と、テスタ１２とを有した構成とされている。プローブ装置１１は、筐体１４と、ステージ用駆動装置１５と、支持体１６，３４と、半導体装置用ステージ１７と、ヘッドプレート２１と、ホルダー支持体２２と、プローブカードホルダー２４と、プローブカード２５と、コンタクトリング２７と、テストヘッド２９と、第１の駆動手段３２と、第２の駆動手段３３と、ステージ３５と、ブラシユニット３６と、イオンブロー装置３７と、ブラシ洗浄機構３８とを有する。 First, an inspection apparatus 10 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The inspection apparatus 10 includes a probe apparatus 11 and a tester 12. The probe device 11 includes a housing 14, a stage driving device 15, supports 16 and 34, a semiconductor device stage 17, a head plate 21, a holder support 22, a probe card holder 24, and a probe card. 25, contact ring 27, test head 29, first driving means 32, second driving means 33, stage 35, brush unit 36, ion blower 37, and brush cleaning mechanism 38. Have.

筐体１４は、ステージ用駆動装置１５、支持体１６，３４、半導体装置用ステージ１７、第１の駆動手段３２、第２の駆動手段３３、ステージ３５、ブラシユニット３６、及びブラシ洗浄機構３８を収容する空間Ａを有する。筐体１４の上端部は、開放端とされている。 The housing 14 includes a stage driving device 15, supports 16 and 34, a semiconductor device stage 17, a first driving means 32, a second driving means 33, a stage 35, a brush unit 36, and a brush cleaning mechanism 38. It has a space A to accommodate. The upper end portion of the housing 14 is an open end.

ステージ用駆動装置１５は、筐体１４の底部に配置されている。ステージ用駆動装置１５は、支持体１６を介して、半導体装置用ステージ１７をＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。 The stage driving device 15 is disposed at the bottom of the housing 14. The stage driving device 15 is a device for moving the semiconductor device stage 17 in the X, X direction and / or Y, Y direction via the support 16.

支持体１６は、その下端部がステージ用駆動装置１５と接続されており、上端部が半導体装置用ステージ１７と接続されている。支持体１６は、半導体装置用ステージ１７を支持するためのものである。 The support 16 has a lower end connected to the stage driving device 15 and an upper end connected to the semiconductor device stage 17. The support 16 is for supporting the semiconductor device stage 17.

半導体装置用ステージ１７は、支持体１６の上端部と接続されている。半導体装置用ステージ１７は、その上面に載置される半導体装置２０を固定するためのものである。半導体装置用ステージ１７は、ステージ用駆動装置１５により支持体１６が移動させられた際、支持体１６と一体的に移動する。 The semiconductor device stage 17 is connected to the upper end of the support 16. The semiconductor device stage 17 is for fixing the semiconductor device 20 placed on the upper surface thereof. The stage 17 for semiconductor device moves integrally with the support 16 when the support 16 is moved by the stage driving device 15.

図２は、検査装置により検査される半導体装置の断面図である。図２では、プローブ装置２０１に設けられた後述するプローブピン６９が半導体チップ４１のボンディングパッド５３に接触した状態を図示する。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device inspected by the inspection apparatus. FIG. 2 illustrates a state in which a probe pin 69 (described later) provided in the probe device 201 is in contact with the bonding pad 53 of the semiconductor chip 41.

ここで、図２を参照して、半導体装置２０の構成について説明する。半導体装置２０は、個片化される前の複数の半導体チップ４１により構成されている。半導体チップ４１は、半導体基板４３と、拡散層４５と、絶縁層４６，５１と、ビア４７，５２と、配線４８と、ボンディングパッド５３と、保護膜５４とを有する。 Here, the configuration of the semiconductor device 20 will be described with reference to FIG. The semiconductor device 20 is composed of a plurality of semiconductor chips 41 before being singulated. The semiconductor chip 41 includes a semiconductor substrate 43, a diffusion layer 45, insulating layers 46 and 51, vias 47 and 52, wiring 48, a bonding pad 53, and a protective film 54.

拡散層４５は、板状とされた半導体基板４３に形成されている。絶縁層４６は、半導体基板４３及び拡散層４５の上面を覆うように設けられている。ビア４７は、拡散層４５上に位置する部分の絶縁層４６を貫通するように設けられている。配線４８は、絶縁層４６上に設けられている。配線４８は、ビア４７を介して、拡散層４５と電気的に接続されている。絶縁層５１は、配線４８を覆うように、絶縁層４６上に設けられている。ビア５２は、配線４８上に位置する部分の絶縁層５１を貫通するように設けられている。 The diffusion layer 45 is formed on a semiconductor substrate 43 having a plate shape. The insulating layer 46 is provided so as to cover the upper surfaces of the semiconductor substrate 43 and the diffusion layer 45. The via 47 is provided so as to penetrate a part of the insulating layer 46 located on the diffusion layer 45. The wiring 48 is provided on the insulating layer 46. The wiring 48 is electrically connected to the diffusion layer 45 through the via 47. The insulating layer 51 is provided on the insulating layer 46 so as to cover the wiring 48. The via 52 is provided so as to penetrate a portion of the insulating layer 51 located on the wiring 48.

ボンディングパッド５３は、絶縁層５１上に設けられている。ボンディングパッド５３は、ビア５２を介して、配線４８と電気的に接続されている。ボンディングパッド５３は、検査装置１０を用いて、半導体装置２０（複数の半導体チップ４１）の電気的検査を行う際、プローブ装置１１に設けられたプローブピン６９が接触するパッドである。ボンディングパッド５３としては、例えば、ＴｉＷ膜（厚さ１５０ｎｍ）と、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜（厚さ８００ｎｍ）と、ＴｉＷ膜（厚さ６０ｎｍ）とが順次積層されたＴｉＷ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＷ積層膜を用いることができる。 The bonding pad 53 is provided on the insulating layer 51. The bonding pad 53 is electrically connected to the wiring 48 through the via 52. The bonding pad 53 is a pad to which a probe pin 69 provided in the probe device 11 comes into contact when an electrical inspection of the semiconductor device 20 (a plurality of semiconductor chips 41) is performed using the inspection device 10. As the bonding pad 53, for example, a TiW / Al—Si— in which a TiW film (thickness 150 nm), an Al—Si—Cu alloy film (thickness 800 nm), and a TiW film (thickness 60 nm) are sequentially laminated. A Cu / TiW laminated film can be used.

なお、ボンディングパッド５３としてＴｉＷ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＷ積層膜を用いた場合、保護膜５４から露出された部分のＴｉＷ膜は、図２に示す状態においてすでに無い（半導体装置２０の製造工程時に無くなる）ため、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜の上面は保護膜５４から露出されている。このため、保護膜５４から露出された部分のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜上に自然酸化膜（具体的には、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３膜）が形成されることがある。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜上に自然酸化膜が形成された場合、後述するプローブピン６９は、その先端部７６が自然酸化膜を突き破るように、先端部７６とボンディングパッド５３とを接触させる。 When the TiW / Al—Si—Cu / TiW laminated film is used as the bonding pad 53, the TiW film in the portion exposed from the protective film 54 is not already present in the state shown in FIG. 2 (the manufacturing process of the semiconductor device 20). Therefore, the upper surface of the Al—Si—Cu alloy film is exposed from the protective film 54. For this reason, a natural oxide film (specifically, for example, an Al ₂ O ₃ film) may be formed on a portion of the Al—Si—Cu alloy film exposed from the protective film 54. When a natural oxide film is formed on the Al—Si—Cu alloy film, the probe pin 69 described later brings the tip 76 into contact with the bonding pad 53 so that the tip 76 breaks through the natural oxide film.

保護膜５４は、ボンディングパッド５３の一部を露出する開口部５４Ａを有する。保護膜５４は、パッシベーション膜であり、絶縁層５１上に設けられている。保護膜５４としては、例えば、Ｐ−ＳｉＮ膜（厚さ１２００ｎｍ）を用いることができる。 The protective film 54 has an opening 54 A that exposes a part of the bonding pad 53. The protective film 54 is a passivation film and is provided on the insulating layer 51. As the protective film 54, for example, a P-SiN film (thickness: 1200 nm) can be used.

図１を参照するに、ヘッドプレート２１は、ヘッドプレート本体６１と、コンタクトリング装着部６２とを有する。ヘッドプレート本体６１は、筐体１４の上端部に設けられている。ヘッドプレート本体６１は、筐体１４に対して開閉可能な構成とされている。コンタクトリング装着部６２は、ヘッドプレート本体６１の中央付近を貫通するようにヘッドプレート本体６１に形成されている。コンタクトリング装着部６２は、コンタクトリング２７をヘッドプレート本体６１に装着するためのものである。また、筐体１４内の空間Ａは、コンタクトリング２７が装着されたヘッドプレート２１が筐体１４の上端部を塞ぐことで密閉される。 Referring to FIG. 1, the head plate 21 includes a head plate main body 61 and a contact ring mounting portion 62. The head plate main body 61 is provided at the upper end of the housing 14. The head plate body 61 is configured to be openable and closable with respect to the housing 14. The contact ring mounting portion 62 is formed in the head plate main body 61 so as to penetrate near the center of the head plate main body 61. The contact ring mounting portion 62 is for mounting the contact ring 27 on the head plate main body 61. Further, the space A in the housing 14 is sealed by the head plate 21 to which the contact ring 27 is attached closing the upper end portion of the housing 14.

ホルダー支持体２２は、ヘッドプレート本体６１の下面６１Ａに設けられている。ホルダー支持体２２は、プローブカードホルダー２４を支持するためのものである。 The holder support 22 is provided on the lower surface 61 A of the head plate body 61. The holder support 22 is for supporting the probe card holder 24.

プローブカードホルダー２４は、ホルダー本体６４と、プローブカード装着部６５とを有する。ホルダー本体６４は、ホルダー支持体２２に支持されている。プローブカード装着部６５は、ホルダー本体６４の中央付近を貫通するようにホルダー本体６４に設けられている。プローブカード装着部６５は、プローブカード２５をホルダー本体６４に装着するためのものである。 The probe card holder 24 has a holder main body 64 and a probe card mounting portion 65. The holder body 64 is supported by the holder support 22. The probe card mounting portion 65 is provided in the holder main body 64 so as to penetrate near the center of the holder main body 64. The probe card mounting portion 65 is for mounting the probe card 25 to the holder main body 64.

プローブカード２５は、プローブカード装着部６５に着脱可能な状態で装着されている。プローブカード２５は、支持基板６７と、配線パターン６８Ａ，６８Ｂと、複数のプローブピン６９とを有する。支持基板６７は、板状とされており、貫通孔７１Ａ，７１Ｂと、貫通部７１Ｃとを有する。貫通部７１Ｃは、支持基板６７の中央部を貫通するように形成されている。貫通部７１Ｃは、その下方に配置された複数のプローブピン６９の先端部７６を露出するように形成されている。 The probe card 25 is attached to the probe card attachment portion 65 in a detachable state. The probe card 25 includes a support substrate 67, wiring patterns 68A and 68B, and a plurality of probe pins 69. The support substrate 67 has a plate shape and includes through holes 71A and 71B and a through portion 71C. The penetration portion 71 C is formed so as to penetrate the center portion of the support substrate 67. The through portion 71C is formed so as to expose the tip portions 76 of the plurality of probe pins 69 disposed below the through portion 71C.

配線パターン６８Ａは、貫通孔７１Ａを充填すると共に、支持基板６７の両面に亘って設けられている。配線パターン６８Ａは、コンタクトリング２７の接続ピン７３Ａと接触している。配線パターン６８Ｂは、貫通孔７１Ｂを充填すると共に、支持基板６７の両面に亘って設けられている。配線パターン６８Ｂは、コンタクトリング２７の接続ピン７３Ｂと接触している。これにより、プローブカード２５は、テスタ１２、コンタクトリング２７、及びテストヘッド２９と電気的に接続されている。 The wiring pattern 68 A fills the through hole 71 A and is provided across both surfaces of the support substrate 67. The wiring pattern 68 A is in contact with the connection pin 73 A of the contact ring 27. The wiring pattern 68 B fills the through hole 71 B and is provided across both surfaces of the support substrate 67. The wiring pattern 68B is in contact with the connection pin 73B of the contact ring 27. Accordingly, the probe card 25 is electrically connected to the tester 12, the contact ring 27, and the test head 29.

プローブピン６９は、支持基板６７の下面側に設けられている。プローブピン６９は、配線パターン６８Ａ又は配線パターン６８Ｂと接続されている。これにより、プローブピン６９は、配線パターン６８Ａ又は配線パターン６８Ｂと電気的に接続される。図２を参照するに、プローブピン６９は、ボンディングパッド５３と接触する先端部７６と、先端部７６を支持する支持部７７とを有する。先端部７６と支持部７７との成す角度θ_１は、例えば、１００度にすることができる。先端部７６の先端の直径は、例えば、１５μｍにすることができる。先端部７６の長さＬ_１は、例えば、２５０μｍにすることができる。また、先端部７６の先端から支持部７７までの高さＨ_１は、例えば、１４０μｍにすることができる。 The probe pins 69 are provided on the lower surface side of the support substrate 67. The probe pin 69 is connected to the wiring pattern 68A or the wiring pattern 68B. Thereby, the probe pin 69 is electrically connected to the wiring pattern 68A or the wiring pattern 68B. Referring to FIG. 2, the probe pin 69 has a tip 76 that contacts the bonding pad 53 and a support 77 that supports the tip 76. An angle θ ₁ formed by the tip portion 76 and the support portion 77 can be set to 100 degrees, for example. The diameter of the tip of the tip 76 can be set to 15 μm, for example. The length _{L 1} of the distal end portion 76, for example, can be 250 [mu] m. Further, the height H ₁ from the tip of the tip 76 to the support 77 can be set to 140 μm, for example.

上記構成とされたプローブピン６９は、半導体装置２０（複数の半導体チップ４１）の電気的な検査を行う際、ボンディングパッド５３に押し当てられる。このとき、プローブピン６９により、ボンディングパッド５３上に形成された自然酸化膜（図示せず）やボンディングパッド５３に引っかき傷が形成されるため、プローブピン６９に付着物（具体的には、自然酸化膜やボンディングパッド５３を引っかいた際に発生する異物）が付着する。 The probe pin 69 configured as described above is pressed against the bonding pad 53 when the semiconductor device 20 (the plurality of semiconductor chips 41) is electrically inspected. At this time, since a natural oxide film (not shown) formed on the bonding pad 53 and a scratch are formed on the bonding pad 53 by the probe pin 69, an adhering substance (specifically, natural Foreign matter generated when the oxide film or the bonding pad 53 is scratched adheres.

プローブカード２５は、複数の半導体チップ４１に設けられたボンディングパッド５３にプローブピン６９の先端部７６を押し当てることにより、ボンディングパッド５３に電気信号を入出力するための検査用治具である。 The probe card 25 is an inspection jig for inputting / outputting electric signals to / from the bonding pads 53 by pressing the tip portions 76 of the probe pins 69 against the bonding pads 53 provided on the plurality of semiconductor chips 41.

コンタクトリング２７は、コンタクトリング装着部６２に着脱可能な状態で装着されている。コンタクトリング２７は、コンタクトリング本体７９と、接続ピン７３Ａ，７３Ｂ，７４Ａ，７４Ｂとを有する。コンタクトリング本体７９は、７３Ａ，７３Ｂ，７４Ａ，７４Ｂを介して、プローブカード２５及びテストヘッド２９と電気的に接続されている。コンタクトリング本体７９は、プローブカード２５と、テストヘッド２９との間のデータ（信号）の中継をするためのものである。 The contact ring 27 is attached to the contact ring attachment portion 62 in a detachable state. The contact ring 27 has a contact ring main body 79 and connection pins 73A, 73B, 74A, 74B. The contact ring body 79 is electrically connected to the probe card 25 and the test head 29 via 73A, 73B, 74A, and 74B. The contact ring body 79 is for relaying data (signals) between the probe card 25 and the test head 29.

接続ピン７３Ａ，７３Ｂは、コンタクトリング本体７９の下面側に設けられている。接続ピン７３Ａ，７３Ｂは、コンタクトリング本体７９の下面から突出している。接続ピン７３Ａは、入力用の接続ピンであり、接続ピン７３Ｂは、出力用の接続ピンである。接続ピン７３Ａは、配線パターン６８Ａと接触しており、接続ピン７３Ｂは、配線パターン６８Ｂと接触している。 The connection pins 73A and 73B are provided on the lower surface side of the contact ring main body 79. The connection pins 73A and 73B protrude from the lower surface of the contact ring body 79. The connection pin 73A is an input connection pin, and the connection pin 73B is an output connection pin. The connection pin 73A is in contact with the wiring pattern 68A, and the connection pin 73B is in contact with the wiring pattern 68B.

接続ピン７４Ａ，７４Ｂは、コンタクトリング本体７９の上面側に設けられている。接続ピン７４Ａは、入力用の接続ピンであり、接続ピン７４Ｂは、出力用の接続ピンである。接続ピン７４Ａ，７４Ｂは、コンタクトリング本体７９の上面から突出しており、テストヘッド２９と電気的に接続されている。また、接続ピン７４Ａは接続ピン７３Ａと電気的に接続されており、接続ピン７４Ｂは接続ピン７３Ｂと電気的に接続されている。 The connection pins 74A and 74B are provided on the upper surface side of the contact ring body 79. The connection pin 74A is an input connection pin, and the connection pin 74B is an output connection pin. The connection pins 74A and 74B protrude from the upper surface of the contact ring body 79 and are electrically connected to the test head 29. The connection pin 74A is electrically connected to the connection pin 73A, and the connection pin 74B is electrically connected to the connection pin 73B.

テストヘッド２９は、コンタクトリング２７上に設けられており、コンタクトリング２７と電気的に接続されている。テストヘッド２９は、テスタ１２と電気的に接続されている。テストヘッド２９は、テスタ１２から送信される半導体装置２０の検査条件を受信し、コンタクトリング２７を介して、プローブカード２５に受信した半導体装置２０の検査条件を送信するためのものである。 The test head 29 is provided on the contact ring 27 and is electrically connected to the contact ring 27. The test head 29 is electrically connected to the tester 12. The test head 29 is for receiving the inspection conditions of the semiconductor device 20 transmitted from the tester 12 and transmitting the received inspection conditions of the semiconductor device 20 to the probe card 25 via the contact ring 27.

第１の駆動手段３２は、筐体１４の底部に配設されている。第１の駆動手段３２は、第２の駆動手段３３をＸ，Ｘ方向（鉛直方向と直交する面方向）に移動させると共に、支持体３４をＹ，Ｙ方向（鉛直方向）に移動させるための手段である。第１の駆動手段３２は、プローブピン６９の先端部７６をクリーニングする際、第２の駆動手段３３及び支持体３４を介して、ブラシユニット３６に設けられたブラシ８４が複数のプローブピン６９と接触するように、ブラシユニット３６をＸ，Ｘ方向及びＹ，Ｙ方向に移動させるためのものである。 The first driving means 32 is disposed at the bottom of the housing 14. The first driving means 32 moves the second driving means 33 in the X and X directions (surface direction orthogonal to the vertical direction) and moves the support 34 in the Y and Y directions (vertical direction). Means. When the first driving means 32 cleans the tip 76 of the probe pin 69, the brush 84 provided on the brush unit 36 is connected to the probe pins 69 via the second driving means 33 and the support 34. The brush unit 36 is moved in the X and X directions and the Y and Y directions so as to come into contact with each other.

第２の駆動手段３３は、Ｘ，Ｘ方向に移動可能な状態で、第１の駆動手段３２上に配設されている。第２の駆動手段３３は、支持体３４を介して、ブラシユニット３６を回転させるための手段である。第２の駆動手段３３は、プローブピン６９の先端部７６をクリーニングする際、プローブピン６９の先端部７６とブラシユニット３６に設けられたブラシ８４とが接触した状態で、ブラシユニット３６を回転させる。第２の駆動手段３３としては、例えば、回転モータを用いることができる。また、ブラシユニット３６を回転させるときの回転速度は、例えば、６０ｒｐｍ〜１２０ｒｐｍとすることができる。 The second driving means 33 is disposed on the first driving means 32 in a state where it can move in the X and X directions. The second driving means 33 is a means for rotating the brush unit 36 via the support 34. When cleaning the tip portion 76 of the probe pin 69, the second driving means 33 rotates the brush unit 36 in a state where the tip portion 76 of the probe pin 69 and the brush 84 provided on the brush unit 36 are in contact with each other. . As the second drive means 33, for example, a rotary motor can be used. Moreover, the rotational speed when rotating the brush unit 36 can be 60 rpm-120 rpm, for example.

このように、プローブピン６９の先端部７６をクリーニングする際、プローブピン６９の先端部７６とブラシ８４とが接触した状態で、ブラシユニット３６を回転させる第２の駆動手段３３を設けることにより、付着物の除去性能が向上するため、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができる。 As described above, when the tip portion 76 of the probe pin 69 is cleaned, the second driving means 33 that rotates the brush unit 36 in a state where the tip portion 76 of the probe pin 69 and the brush 84 are in contact with each other is provided. Since the removal performance of the attached matter is improved, the attached matter attached to the tip portion 76 of the probe pin 69 can be removed with high accuracy.

支持体３４は、その下端部が第２の駆動手段３３と接続されており、上端部がステージ３５と接続されている。支持体３４は、第１の駆動手段３２により、支持体３４がＹ，Ｙ方向に移動させられた際、ステージ３５及びステージ３５に装着されたブラシユニット３６をＹ，Ｙ方向に移動させる。また、支持体３４は、第２の駆動手段３３により、支持体３４が回転させられた際、この回転運動をステージ及びブラシユニット３６に伝達して、ブラシ８４を回転させる。 The support 34 has a lower end connected to the second driving means 33 and an upper end connected to the stage 35. The support 34 moves the stage 35 and the brush unit 36 attached to the stage 35 in the Y and Y directions when the support 34 is moved in the Y and Y directions by the first driving means 32. Further, when the support 34 is rotated by the second driving means 33, the support 34 transmits this rotational motion to the stage and brush unit 36 to rotate the brush 84.

ステージ３５は、支持体の上端部に固定されている。ステージ３５は、支持体３４により回転可能に支持されている。ステージ３５は、ブラシユニット３６を装着するためのものである。 The stage 35 is fixed to the upper end portion of the support. The stage 35 is rotatably supported by the support body 34. The stage 35 is for mounting the brush unit 36.

図３は、図１に示すブラシユニットを拡大した図である。 FIG. 3 is an enlarged view of the brush unit shown in FIG.

図１及び図３を参照するに、ブラシユニット３６は、複数のブラシ毛８３により構成されたブラシ８４と、台座８５とを有する。ブラシ８４は、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去するためのものである。ブラシ８４の上端部は、平坦な形状とされている。ブラシ毛８３の材料としては、例えば、ポリプロピレンを用いることができる。また、ブラシ毛８３の長さＬ_２は、例えば、１ｃｍとすることができる。 Referring to FIGS. 1 and 3, the brush unit 36 includes a brush 84 composed of a plurality of brush bristles 83 and a pedestal 85. The brush 84 is for removing deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69. The upper end portion of the brush 84 has a flat shape. As a material of the brush hair 83, for example, polypropylene can be used. The length _{L 2} of the bristles 83 may be, for example, a 1 cm.

台座８５は、平面視円形とされており、ステージ３５上に装着されている。台座８５は、ブラシ８４を配設するためのものであり、複数のブラシ毛８３が植毛されている。台座８５の直径は、例えば、２．４ｃｍとすることができる。 The pedestal 85 is circular in plan view and is mounted on the stage 35. The pedestal 85 is for arranging the brush 84, and a plurality of brush hairs 83 are implanted. The diameter of the base 85 can be 2.4 cm, for example.

図１を参照するに、イオンブロー装置３７は、コンタクトリング本体７９の下面側に設けられている。イオンブロー装置３７は、プローブピン６９をクリーニングする際、支持基板６７に形成された貫通部７１Ｃを介して、ブローブピン６９の上方からブローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローする（イオン化されたエアを吹き付ける）ための装置である（後述する図４参照）。 Referring to FIG. 1, the ion blowing device 37 is provided on the lower surface side of the contact ring main body 79. When cleaning the probe pin 69, the ion blowing device 37 blows ions from above the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69 through the through-hole 71 C formed on the support substrate 67 ( This is an apparatus for blowing ionized air (see FIG. 4 described later).

このようなイオンブロー装置３７を設けて、ブローブピン６９の上方からブローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローすることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去できると共に、ブローブピン６９の先端部７６と接触した状態で回転するブラシ８４が帯電することを防止できる。 By providing such an ion blowing device 37 and performing ion blowing from above the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69, deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69 can be removed. At the same time, it is possible to prevent charging of the rotating brush 84 in contact with the tip 76 of the probe pin 69.

ブラシ洗浄機構３８は、筐体１４の側面部に設けられている。ブラシ洗浄機構３８は、ブラシ８４に付着した付着物を吸引することによりブラシ毛８３間に挟まった付着物を除去するためのものである。 The brush cleaning mechanism 38 is provided on the side surface of the housing 14. The brush cleaning mechanism 38 is for removing the deposits sandwiched between the brush hairs 83 by sucking the deposits adhering to the brush 84.

このようなブラシ洗浄機構３８を設けることにより、ブラシ毛８３間に挟まった付着物を除去することが可能となるため、ブラシ８４の付着物の除去性能の低下を抑制することができる。 By providing such a brush cleaning mechanism 38, it is possible to remove the deposits sandwiched between the brush bristles 83, so that it is possible to suppress a decrease in the deposit removal performance of the brush 84.

テスタ１２は、プローブ装置１１から離間した位置に配置されている。テスタ１２には、半導体装置２０の電気的な検査を行う際に必要な検査条件が格納されている。テスタ１２は、上記検査条件に基づいて、プローブ装置１１を制御する。 The tester 12 is disposed at a position separated from the probe device 11. The tester 12 stores inspection conditions necessary for performing an electrical inspection of the semiconductor device 20. The tester 12 controls the probe device 11 based on the inspection conditions.

本実施の形態のプローブ装置によれば、ブラシユニット３６を回転させる第２の駆動装置３３を設けることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができる。また、プローブピン６９の先端部７６の上方から
このようなイオンブロー装置３７を設けて、ブローブピン６９の上方からブローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローすることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去できると共に、ブローブピン６９の先端部７６と接触した状態で回転するブラシ８４が帯電することを防止できる。また、ブローブピン６９の上方からブローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローすることにより、除去した付着物をブラシ８４の下方に移動させることができる。 According to the probe device of the present embodiment, by providing the second drive device 33 that rotates the brush unit 36, the deposits attached to the tip portion 76 of the probe pin 69 can be accurately removed. Further, by providing such an ion blowing device 37 from above the tip portion 76 of the probe pin 69 and performing ion blowing from above the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69, the probe pin 69 is provided. It is possible to remove the adhering matter adhering to the front end portion 76 and to prevent the brush 84 rotating in contact with the front end portion 76 of the probe pin 69 from being charged. Further, the removed deposits can be moved below the brush 84 by ion blowing from above the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69.

図４は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブピンのクリーニング方法を説明するための図である。図４において、第１の実施の形態で説明したプローブ装置１１と同一構成部分には同一符号を付す。 FIG. 4 is a diagram for explaining the probe pin cleaning method according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same components as those of the probe device 11 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図４を参照して、第１の実施の形態のプローブピン６９のクリーニング方法について説明する。始めに、イオンブロー装置３７により、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローする。これにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物のうち、付着力の弱い付着物を除去することができる。次いで、イオンブローした状態で、ブラシ８４とプローブピン６９の先端部７６とが接触するように、第１の駆動手段３２により、ブラシユニット３６を移動させる。その後、第２の駆動手段３３により、ブラシ８４を回転させることで、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去する。ブラシユニット３６を回転させるときの回転速度は、例えば、６０ｒｐｍ〜１２０ｒｐｍとすることができる。 With reference to FIG. 4, the cleaning method of the probe pin 69 of 1st Embodiment is demonstrated. First, the ion blowing device 37 performs ion blowing from above the distal end portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69. As a result, of the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69, the deposits having a weak adhesion force can be removed. Next, the brush unit 36 is moved by the first driving means 32 so that the brush 84 and the tip portion 76 of the probe pin 69 are in contact with each other in the ion blown state. Thereafter, the second drive means 33 rotates the brush 84 to remove the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69. The rotation speed when rotating the brush unit 36 can be set to 60 rpm to 120 rpm, for example.

本実施の形態のプローブピンのクリーニング方法によれば、ブラシ８４をプローブピン６９の先端部７６に接触させた状態で、ブラシ８４を回転させることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the probe pin cleaning method of the present embodiment, the brush 84 is rotated in a state where the brush 84 is in contact with the tip portion 76 of the probe pin 69, thereby attaching the tip attached to the tip portion 76 of the probe pin 69. The kimono can be removed with high accuracy.

また、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローすることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物のうち、付着力の弱い付着物を除去することができると共に、ブラシ８４が帯電することを防止できる。さらに、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローすることにより、除去した付着物をブラシ８４の下方に移動させることができる。 Further, by performing ion blowing from above the tip portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69, among the deposits attached to the tip portion 76 of the probe pin 69, the adhesive force A weak deposit can be removed and the brush 84 can be prevented from being charged. Furthermore, the removed deposits can be moved below the brush 84 by ion blowing from above the tip 76 of the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69.

なお、イオンブロー装置３７の配設位置は本実施の形態に限定されない。また、イオンブロー装置３７からイオンブローするタイミングや、ブラシ８４を回転させるタイミングは、本実施の形態に限定されない。例えば、ブラシ８４を回転させた後、回転するブラシ８４をプローブピン６９の先端部７６に接触させてもよい。 In addition, the arrangement | positioning position of the ion blow apparatus 37 is not limited to this Embodiment. Further, the timing of ion blowing from the ion blowing device 37 and the timing of rotating the brush 84 are not limited to the present embodiment. For example, after the brush 84 is rotated, the rotating brush 84 may be brought into contact with the tip 76 of the probe pin 69.

また、回転するブラシ８４をプローブピン６９の先端部７６に接触させた状態で、第１の駆動手段３２により、ブラシ８４を鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に往復運動させながら、プローブピン６９の先端部７６のクリーニングを行ってもよい。このように、回転するブラシ８４を鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に往復運動させることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物をさらに精度良く除去することができる。この場合も、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローしてもよい。 Further, while the rotating brush 84 is in contact with the distal end portion 76 of the probe pin 69, the first driving means 32 causes the brush 84 to reciprocate in the vertical direction (Y, Y direction) while moving the probe pin 69. The distal end portion 76 may be cleaned. In this way, by causing the rotating brush 84 to reciprocate in the vertical direction (Y, Y direction), the adhering matter attached to the tip 76 of the probe pin 69 can be removed with higher accuracy. In this case as well, ion blowing may be performed from above the distal end portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69.

（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図５において、第１の実施の形態で説明した検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。 (Second Embodiment)
FIG. 5 is a sectional view of an inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same components as those in the inspection apparatus 10 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図５を参照するに、第２の実施の形態の検査装置９０は、第１の実施の形態で説明した検査装置１０に設けられたプローブ装置１１の代わりにプローブ装置９１を設けた以外は検査装置１０と同様な構成とされている。 Referring to FIG. 5, the inspection apparatus 90 according to the second embodiment is inspected except that a probe apparatus 91 is provided instead of the probe apparatus 11 provided in the inspection apparatus 10 described in the first embodiment. The configuration is the same as that of the device 10.

プローブ装置９１は、第１の実施の形態で説明したプローブ装置１１に設けられたブラシユニット３６の代わりにブラシユニット９３を設けた以外はプローブ装置１１と同様な構成とされている。 The probe device 91 has the same configuration as the probe device 11 except that a brush unit 93 is provided instead of the brush unit 36 provided in the probe device 11 described in the first embodiment.

図６は、図５に示すブラシユニットを拡大した図である。 6 is an enlarged view of the brush unit shown in FIG.

図６を参照するに、ブラシユニット９３は、第１の実施の形態で説明したブラシユニット３６に設けられたブラシ８４の代わりにブラシ９５を設けた以外はブラシユニット３６と同様な構成とされている。 Referring to FIG. 6, the brush unit 93 has the same configuration as the brush unit 36 except that a brush 95 is provided instead of the brush 84 provided in the brush unit 36 described in the first embodiment. Yes.

ブラシ９５は、台座８５に配設されている。ブラシ９５は、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去するためのものである。ブラシ９５は、複数の長さの異なるブラシ毛９４により構成されている。ブラシ９５は、プローブピン６９の先端部７６と接触するブラシ９５の上端部に複数の凸部９７を有する。複数の凸部９７は、断面視略三角形とされている。断面視略三角形とされた凸部９７の頂角θ_２は、例えば、６０度とすることができる。凸部９７の高さＨ_２は、例えば、１００μｍとすることができる。凸部９７の底面は、平面視略円形とされている。略円形とされた凸部９７の底面の直径Ｒ_１は、例えば、１４０μｍとすることができる。また、最も長さの長いブラシ毛９４の長さＬ_３は、例えば、１ｃｍとすることができる。ブラシ毛９４の材料としては、例えば、ポリプロピレンを用いることができる。 The brush 95 is disposed on the pedestal 85. The brush 95 is for removing deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69. The brush 95 is composed of a plurality of brush bristles 94 having different lengths. The brush 95 has a plurality of convex portions 97 at the upper end portion of the brush 95 that contacts the tip portion 76 of the probe pin 69. The plurality of convex portions 97 are substantially triangular in sectional view. The apex angle θ ₂ of the convex portion 97 that is substantially triangular in cross section can be set to 60 degrees, for example. The height H ₂ of the convex portion 97 can be set to 100 μm, for example. The bottom surface of the convex portion 97 is substantially circular in plan view. The diameter R ₁ of the bottom surface of the convex portion 97 that is substantially circular can be set to 140 μm, for example. The length L ₃ of the long bristles 94 most length, for example, can be set to 1 cm. As a material of the brush hair 94, for example, polypropylene can be used.

本実施の形態のプローブ装置によれば、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去するブラシ９５に複数の凸部９７を設けることにより、ブラシ毛９４間に付着物（プローブピン６９の先端部７６に付着していた付着物）が溜まることを防止できる。なお、本実施の形態のプローブ装置９１は、第１の実施の形態で説明したプローブ装置１１と同様な効果を得ることができる。 According to the probe device of the present embodiment, a plurality of convex portions 97 are provided on the brush 95 that removes the adhering matter adhering to the tip portion 76 of the probe pin 69, thereby providing an adhering matter (probe pin 69 between the brush bristles 94. ) Can be prevented from accumulating. In addition, the probe apparatus 91 of this Embodiment can acquire the effect similar to the probe apparatus 11 demonstrated in 1st Embodiment.

図７は、本発明の第２の実施の形態に係るプローブピンのクリーニング方法を説明するための図である。図７において、第２の実施の形態で説明したプローブ装置９１と同一構成部分には同一符号を付す。 FIG. 7 is a view for explaining a probe pin cleaning method according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same components as those of the probe device 91 described in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.

図７を参照して、第２の実施の形態のプローブピン６９のクリーニング方法について説明する。始めに、イオンブロー装置３７により、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ９５に向けてイオンブローする。これにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物のうち、付着力の弱い付着物を除去することができる。次いで、イオンブローした状態で、ブラシ９５とプローブピン６９の先端部７６とが接触するように、第１の駆動手段３２により、ブラシユニット３６を移動させる。その後、第２の駆動手段３３により、ブラシ９５を回転させることで、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去する。ブラシユニット９３を回転させるときの回転速度は、例えば、６０ｒｐｍ〜１２０ｒｐｍとすることができる。 With reference to FIG. 7, the cleaning method of the probe pin 69 of 2nd Embodiment is demonstrated. First, the ion blowing device 37 performs ion blowing from above the tip portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 95 disposed below the probe pin 69. As a result, of the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69, the deposits having a weak adhesion force can be removed. Next, the brush unit 36 is moved by the first driving means 32 so that the brush 95 and the tip portion 76 of the probe pin 69 are in contact with each other in the ion blown state. Thereafter, the brush 95 is rotated by the second driving means 33 to remove the adhering matter attached to the tip 76 of the probe pin 69. The rotation speed when rotating the brush unit 93 can be set to 60 rpm to 120 rpm, for example.

本実施の形態のプローブピンのクリーニング方法によれば、複数の凸部９７を有したブラシ９５をプローブピン６９の先端部７６に接触させた状態で、ブラシ９５を回転させることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができると共に、ブラシ毛９４間に付着物（プローブピン６９の先端部７６に付着していた付着物）が溜まることを防止できる。 According to the probe pin cleaning method of the present embodiment, the probe pin 69 is rotated by rotating the brush 95 in a state where the brush 95 having the plurality of convex portions 97 is in contact with the distal end portion 76 of the probe pin 69. The adhering matter adhering to the distal end portion 76 can be removed with high accuracy, and the adhering matter (adhering matter adhering to the distal end portion 76 of the probe pin 69) can be prevented from accumulating between the bristles 94.

また、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ９５に向けてイオンブローすることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物のうち、付着力の弱い付着物を除去することができると共に、ブラシ９５が帯電することを防止できる。さらに、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ９５に向けてイオンブローすることにより、除去した付着物をブラシ９５の下方に移動させることができる。 Further, by performing ion blowing from above the distal end portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 95 disposed below the probe pin 69, among the adhered matter adhered to the distal end portion 76 of the probe pin 69, the adhesive force A weak deposit can be removed and the brush 95 can be prevented from being charged. Furthermore, the removed deposits can be moved below the brush 95 by ion blowing from above the tip portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 95 disposed below the probe pin 69.

なお、イオンブロー装置３７の配設位置は本実施の形態に限定されない。また、イオンブロー装置３７からイオンブローするタイミングや、ブラシ９５を回転させるタイミングは、本実施の形態に限定されない。例えば、ブラシ９５を回転させた後、回転するブラシ９５をプローブピン６９の先端部７６に接触させてもよい。 In addition, the arrangement | positioning position of the ion blow apparatus 37 is not limited to this Embodiment. Further, the timing of ion blowing from the ion blowing device 37 and the timing of rotating the brush 95 are not limited to the present embodiment. For example, after the brush 95 is rotated, the rotating brush 95 may be brought into contact with the tip 76 of the probe pin 69.

また、回転するブラシ９５をプローブピン６９の先端部７６に接触させた状態で、第１の駆動手段３２により、ブラシ９５を鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に往復運動させながら、プローブピン６９の先端部７６のクリーニングを行ってもよい。このように、回転するブラシ９５を鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に往復運動させることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物をさらに精度良く除去することができる。この場合も、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ９５に向けてイオンブローしてもよい。 Further, while the rotating brush 95 is in contact with the distal end portion 76 of the probe pin 69, the first driving means 32 causes the brush 95 to reciprocate in the vertical direction (Y, Y direction) while moving the probe pin 69. The distal end portion 76 may be cleaned. In this way, by reciprocating the rotating brush 95 in the vertical direction (Y, Y direction), the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69 can be removed with higher accuracy. In this case as well, ion blowing may be performed from above the distal end portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 95 disposed below the probe pin 69.

（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図８において、第１の実施の形態で説明した検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。 (Third embodiment)
FIG. 8 is a sectional view of an inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 8, the same components as those in the inspection apparatus 10 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図８を参照するに、第３の実施の形態の検査装置１００は、第１の実施の形態で説明した検査装置１０に設けられたプローブ装置１１の代わりにプローブ装置１０１を設けた以外は検査装置１０と同様な構成とされている。 Referring to FIG. 8, the inspection apparatus 100 according to the third embodiment is inspected except that a probe apparatus 101 is provided instead of the probe apparatus 11 provided in the inspection apparatus 10 described in the first embodiment. The configuration is the same as that of the device 10.

プローブ装置１０１は、第１の実施の形態で説明したプローブ装置１１の構成に、さらに振動手段１０３を設けた以外はプローブ装置１１と同様に構成される。 The probe apparatus 101 is configured in the same manner as the probe apparatus 11 except that a vibration unit 103 is further provided in the configuration of the probe apparatus 11 described in the first embodiment.

振動手段１０３は、ステージ３５に配設されている。振動手段１０３は、回転するブラシ８４がプローブピン６９の先端部７６と接触した状態で、ステージ３５を介して、ブラシ８４を振動させるためのものである。 The vibration means 103 is disposed on the stage 35. The vibration means 103 is for vibrating the brush 84 via the stage 35 in a state where the rotating brush 84 is in contact with the tip 76 of the probe pin 69.

本実施の形態のプローブ装置によれば、ブラシ８４を振動させる振動手段１０３を設けることにより、回転するブラシ８４がプローブピン６９の先端部７６と接触した状態で、ブラシ８４を振動させることが可能となるため、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the probe device of the present embodiment, by providing the vibration means 103 that vibrates the brush 84, the brush 84 can be vibrated while the rotating brush 84 is in contact with the tip 76 of the probe pin 69. Therefore, the adhering matter adhering to the tip 76 of the probe pin 69 can be removed with high accuracy.

第３の実施の形態のプローブピン６９のクリーニング方法は、回転するブラシ８４がプローブピン６９の先端部７６と接触した状態で、振動手段１０３によりブラシ８４を振動させる以外は、第１の実施の形態で説明したプローブピン６９のクリーニング方法と同様な手法により行うことができる。 The probe pin 69 cleaning method of the third embodiment is the same as that of the first embodiment except that the brush 84 is vibrated by the vibration means 103 in a state where the rotating brush 84 is in contact with the tip 76 of the probe pin 69. It can be performed by the same method as the method for cleaning the probe pin 69 described in the embodiment.

本実施の形態のプローブピンのクリーニング方法によれば、第１の実施の形態のプローブピン６９のクリーニング方法と同様な効果を得ることができる。 According to the probe pin cleaning method of the present embodiment, the same effect as that of the probe pin 69 cleaning method of the first embodiment can be obtained.

なお、本実施の形態で説明した振動手段１０３を第２の実施の形態で説明したプローブ装置９１に設けてもよい。 Note that the vibration means 103 described in this embodiment may be provided in the probe device 91 described in the second embodiment.

（第４の実施の形態）
図９は、本発明の第４の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図９において、第１の実施の形態で説明した検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。 (Fourth embodiment)
FIG. 9 is a sectional view of an inspection apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 9, the same components as those in the inspection apparatus 10 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図９を参照するに、第４の実施の形態の検査装置１１０は、第１の実施の形態で説明した検査装置１０に設けられたプローブ装置１１の代わりにプローブ装置１１１を設けた以外は検査装置１０と同様な構成とされている。 Referring to FIG. 9, the inspection apparatus 110 according to the fourth embodiment is inspected except that a probe apparatus 111 is provided instead of the probe apparatus 11 provided in the inspection apparatus 10 described in the first embodiment. The configuration is the same as that of the device 10.

プローブ装置１１１は、第１の実施の形態で説明したプローブ装置１１に設けられた第２の駆動手段３３の代わりに第２の駆動手段１１３を設けた以外はプローブ装置１１と同様に構成される。 The probe device 111 is configured in the same manner as the probe device 11 except that the second drive unit 113 is provided instead of the second drive unit 33 provided in the probe device 11 described in the first embodiment. .

第２の駆動手段１１３は、ブラシユニット３６を揺動させるための装置である。第２の駆動手段１１３は、プローブピン６９の先端部７６をクリーニングする際、プローブピン６９の先端部７６とブラシ８４とが接触した状態で、ブラシユニット３６を揺動させる。 The second driving means 113 is a device for swinging the brush unit 36. When cleaning the tip portion 76 of the probe pin 69, the second driving unit 113 swings the brush unit 36 in a state where the tip portion 76 of the probe pin 69 and the brush 84 are in contact with each other.

本実施の形態のプローブ装置によれば、プローブピン６９の先端部７６をクリーニングする際、プローブピン６９の先端部７６とブラシ８４とが接触した状態で、ブラシユニット３６を揺動させる第２の駆動手段１１３を設けることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the probe device of the present embodiment, when the tip portion 76 of the probe pin 69 is cleaned, the second brush unit 36 is swung while the tip portion 76 of the probe pin 69 and the brush 84 are in contact with each other. By providing the driving means 113, the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69 can be removed with high accuracy.

図１０は、本発明の第４の実施の形態に係るプローブピンのクリーニング方法を説明するための図である。図１０において、第４の実施の形態で説明したプローブ装置１１１と同一構成部分には同一符号を付す。 FIG. 10 is a diagram for explaining a probe pin cleaning method according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 10, the same components as those of the probe device 111 described in the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals.

図１０を参照して、第４の実施の形態のプローブピン６９のクリーニング方法について説明する。始めに、イオンブロー装置３７により、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローする。これにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物のうち、付着力の弱い付着物を除去することができる。次いで、イオンブローした状態で、ブラシ８４とプローブピン６９の先端部７６とが接触するように、第１の駆動手段３２により、ブラシユニット３６を移動させる。その後、第２の駆動手段１１３により、ブラシ８４を揺動させることで、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去する。 With reference to FIG. 10, the cleaning method of the probe pin 69 of 4th Embodiment is demonstrated. First, the ion blowing device 37 performs ion blowing from above the distal end portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69. As a result, of the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69, the deposits having a weak adhesion force can be removed. Next, the brush unit 36 is moved by the first driving means 32 so that the brush 84 and the tip portion 76 of the probe pin 69 are in contact with each other in the ion blown state. Thereafter, the second driving means 113 swings the brush 84 to remove the deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69.

本実施の形態のプローブピンのクリーニング方法によれば、ブラシ８４をプローブピン６９の先端部７６に接触させた状態で、ブラシ８４を揺動させることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を精度良く除去することができる。 According to the probe pin cleaning method of this embodiment, the brush 84 is attached to the tip portion 76 of the probe pin 69 by swinging the brush 84 in a state where the brush 84 is in contact with the tip portion 76 of the probe pin 69. Deposits can be removed with high accuracy.

なお、イオンブロー装置３７の配設位置は本実施の形態に限定されない。また、イオンブロー装置３７からイオンブローするタイミングや、ブラシ８４を揺動させるタイミングは、本実施の形態に限定されない。例えば、ブラシ８４を揺動させた後、揺動するブラシ８４をプローブピン６９の先端部７６に接触させてもよい。 In addition, the arrangement | positioning position of the ion blow apparatus 37 is not limited to this Embodiment. Further, the timing of ion blowing from the ion blowing device 37 and the timing of swinging the brush 84 are not limited to the present embodiment. For example, after the brush 84 is oscillated, the oscillating brush 84 may be brought into contact with the tip 76 of the probe pin 69.

また、揺動するブラシ８４をプローブピン６９の先端部７６に接触させた状態で、第１の駆動手段３２により、ブラシ８４を鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に往復運動させながら、プローブピン６９の先端部７６のクリーニングを行ってもよい。このように、揺動するブラシ８４を鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に往復運動させることにより、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物をさらに精度良く除去することができる。この場合も、プローブピン６９の先端部７６の上方からプローブピン６９の下方に配置されたブラシ８４に向けてイオンブローしてもよい。 Further, in a state where the oscillating brush 84 is in contact with the distal end portion 76 of the probe pin 69, the probe 84 is reciprocated in the vertical direction (Y, Y direction) by the first driving means 32. The tip 76 may be cleaned. In this way, by reciprocating the oscillating brush 84 in the vertical direction (Y, Y direction), the adhering matter adhering to the tip 76 of the probe pin 69 can be removed with higher accuracy. In this case as well, ion blowing may be performed from above the distal end portion 76 of the probe pin 69 toward the brush 84 disposed below the probe pin 69.

また、ブラシユニット３６の代わりに、第２の実施の形態で説明したブラシユニット９３を用いて、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去してもよい。 Further, instead of the brush unit 36, the brush unit 93 described in the second embodiment may be used to remove deposits attached to the tip 76 of the probe pin 69.

さらに、第３の実施の形態で説明した振動手段１０３をプローブ装置１１１のステージ３５に設けて、揺動するブラシ８４を振動させながら、プローブピン６９の先端部７６に付着した付着物を除去してもよい。 Furthermore, the vibration means 103 described in the third embodiment is provided on the stage 35 of the probe device 111, and the adhering matter adhering to the tip 76 of the probe pin 69 is removed while vibrating the swinging brush 84. May be.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and within the scope of the present invention described in the claims, Various modifications and changes are possible.

本発明は、半導体装置のボンディングパッドと接触するプローブピンに付着した付着物を除去するプローブピンのクリーニング方法に適用可能である。 The present invention can be applied to a probe pin cleaning method for removing deposits attached to a probe pin that contacts a bonding pad of a semiconductor device.

本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。It is sectional drawing of the inspection apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 検査装置により検査される半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device test | inspected by an inspection apparatus. 図１に示すブラシユニットを拡大した図である。It is the figure which expanded the brush unit shown in FIG. 本発明の第１の実施の形態に係るプローブピンのクリーニング方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleaning method of the probe pin which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る検査装置の断面図である。It is sectional drawing of the inspection apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図５に示すブラシユニットを拡大した図である。It is the figure which expanded the brush unit shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態に係るプローブピンのクリーニング方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleaning method of the probe pin which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る検査装置の断面図である。It is sectional drawing of the inspection apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る検査装置の断面図である。It is sectional drawing of the inspection apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係るプローブピンのクリーニング方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleaning method of the probe pin which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 従来の検査装置の断面図である。It is sectional drawing of the conventional inspection apparatus. 検査装置により検査される半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device test | inspected by an inspection apparatus.

Explanation of symbols

１０，９０，１００，１１０検査装置
１１，９１，１０１，１１１プローブ装置
１２テスタ
１４筐体
１５ステージ用駆動装置
１６，３４支持体
１７半導体装置用ステージ
２１ヘッドプレート
２２ホルダー支持体
２４プローブカードホルダー
２５プローブカード
２７コンタクトリング
２９テストヘッド
３２第１の駆動手段
３３，１１３第２の駆動手段
３５ステージ
３６，９３ブラシユニット
３７イオンブロー装置
３８ブラシ洗浄機構
４１半導体チップ
４３半導体基板
４５拡散層
４６，５１絶縁層
４７，５２ビア
４８配線
５３ボンディングパッド
５４保護膜
５４Ａ開口部
６１ヘッドプレート本体
６１Ａ下面
６２コンタクトリング装着部
６４ホルダー本体
６５プローブカード装着部
６７支持基板
６８Ａ，６８Ｂ配線パターン
６９プローブピン
７１Ａ，７１Ｂ貫通孔
７１Ｃ貫通部
７３Ａ，７３Ｂ，７４Ａ，７４Ｂ接続ピン
７６先端部
７７支持部
７９コンタクトリング本体
８３，９４ブラシ毛
８４，９５ブラシ
８５台座
９７凸部
１０３振動手段
Ａ空間
Ｈ_１，Ｈ_２高さ
Ｌ_１〜Ｌ_３長さ
θ_１角度
θ_２頂角
Ｒ_１直径 10, 90, 100, 110 Inspection device 11, 91, 101, 111 Probe device 12 Tester 14 Housing 15 Stage drive device 16, 34 Support 17 Semiconductor device stage 21 Head plate 22 Holder support 24 Probe card holder 25 Probe card 27 Contact ring 29 Test head 32 First drive means 33, 113 Second drive means 35 Stage 36, 93 Brush unit 37 Ion blow device 38 Brush cleaning mechanism 41 Semiconductor chip 43 Semiconductor substrate 45 Diffusion layer 46, 51 Insulation Layer 47, 52 Via 48 Wiring 53 Bonding pad 54 Protective film 54A Opening 61 Head plate main body 61A Lower surface 62 Contact ring mounting portion 64 Holder main body 65 Probe card mounting portion 67 Support substrate 6 A, 68B Wiring pattern 69 Probe pin 71A, 71B Through hole 71C Through part 73A, 73B, 74A, 74B Connection pin 76 Tip part 77 Support part 79 Contact ring main body 83, 94 Brush bristles 84, 95 Brush 85 Base 97 Convex part 103 Vibration means A Space H ₁ , H ₂ height L _{1 to} L ₃ length θ ₁ angle θ ₂ apex angle R ₁ diameter

Claims

A method of cleaning a probe pin provided in a probe device for performing an electrical inspection of a semiconductor device,
The probe device has a brush for removing deposits attached to the tip of the probe pin,
A method for cleaning a probe pin, comprising: rotating the brush while the brush is in contact with the tip of the probe pin to remove the deposits.

A method of cleaning a probe pin provided in a probe device for performing an electrical inspection of a semiconductor device,
The probe device has a brush for removing deposits attached to the tip of the probe pin,
A method for cleaning a probe pin, wherein the attached matter is removed by swinging the brush while the brush is in contact with the tip of the probe pin.

3. The probe pin cleaning method according to claim 1 or 2, wherein the brush is reciprocated in a vertical direction in a state of being in contact with a tip portion of the probe pin.

The method of cleaning a probe pin according to any one of claims 1 to 3, wherein the brush is vibrated while being in contact with a tip portion of the probe pin.

5. The probe pin cleaning method according to claim 1, wherein ion blowing is performed from above the probe pin toward the brush disposed below the probe pin. 6.

The brush has a plurality of convex portions,
The probe pin cleaning method according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the convex portion is a substantially triangular shape.