JP2008276229A

JP2008276229A - 光導電体

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Publication number: JP2008276229A
Application number: JP2008116884A
Authority: JP
Inventors: Liang-Bih Lin; ビーリンリアン; Daniel V Levy; ヴィーリヴィーダニエル; Jing Wu; ウージン; Sherri A Colon; エイコロンシェリー
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 2007-05-04
Filing date: 2008-04-28
Publication date: 2008-11-13
Also published as: US20080274419A1

Abstract

【課題】電荷輸送層にドーパントを含み、優れた電荷欠乏スポット減少特性及び改善されたサイクル安定性を示す、イメージング部材を提供する。
【解決手段】支持基材と、光生成層と、少なくとも１つの電荷輸送成分からなる少なくとも１つの電荷輸送層とを含み、光生成層がビス（ピリジル）アルキレンを含む、光導電体。
【選択図】なし

Description

本開示は、一般に、層状イメージング部材、感光体、光導電体などに向けられている。より詳細には、本開示は、基材のような支持媒体と、光生成層と、少なくとも１つの電荷輸送層がベンゾイミダゾールのような電荷ブロッキング剤を含む、第１電荷輸送層及び第２電荷輸送層のような複数の電荷輸送層を含む電荷輸送層と、任意の接着剤層と、任意の正孔ブロッキング又はアンダーコート層と、任意のオーバーコート層とを含む、多層ドラム型又は可撓性のベルト型のイメージング部材又はデバイスに向けられている。さらに、本明細書では、光生成層がビス（４−ピリジル）エチレンを含む光導電体の実施形態が例示されている。

光生成層に組み入れられる添加剤又はドーパントであって、例えば内在する自由キャリアをブロックし又は実質的にブロックすることによって、及び外部の自由キャリアが顔料表面に引き寄せられるのを防止し又は最小化することによって、光生成顔料の表面を不活性化して、それにより、ＣＤＳ（電荷欠乏スポット）が最小の光導電体を可能にし、残留電位のサイクル・アップ（ｃｙｃｌｅｕｐ）が存在しないか又は最小である改善されたサイクル安定性を可能にするように機能するドーパントの例は、以下の化学式／構造のビス（４−ピリジル）エチレン及びビス（４−ピリジル）メチレンのようなビス（ピリジル）アルキレン、

及びその置換誘導体、

によって表されるようなビス（ピリジル）アルキレン誘導体、類似化合物、又は同じグループの一部であるが側基に特定の１つ又はそれ以上の変化を有する分子、例えば、Ｒ基において、アルキレンがメチレン、エチレン、プロピレン、又はブチレンであるという差異、並びに後述するようにＲ_n(1-8)置換基において、各々のＲ_nが、水素、例えば約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルキル、例えば約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシ、例えば約６個から約３０個までの炭素原子を有する、フェニル、置換フェニル、ピリジル、置換ピリジルのようなアリール、ナフタレン及びアントラセンのような多環芳香族（ｈｉｇｈｅｒａｒｏｍａｔｉｃｓ）、約４０個までの炭素原子を有するアルキルフェニル、例えば約６個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシフェニル、例えば約６個から約３０個までの炭素原子を有するアリール、例えば約６個から約３０個までの炭素を有する置換アリール、及びハロゲンのうちの少なくとも１つからなる群から独立して選択されるという差異といった、差異を有する分子である。

電荷輸送層にドーパントを含み、許容される優れた電荷欠乏スポット（ＣＤＳ）減少特性及び改善されたサイクル安定性を示す、イメージング部材が開示される。

ここで説明される光導電体は、実施形態において、優れた耐磨耗性と延長された寿命を有し、例えば生成された最終的な印刷物上で可視であるような場合に、望ましくない印刷不良をもたらすことがある、部材の１つ又はそれ以上の表面層上におけるイメージング部材のスクラッチを除去し又は最小にする。さらに、実施形態において、ここで開示されるイメージング部材は、優れた、多くの場合低いＶ_r（残留電位）を有し、適切な場合にはＶ_rのサイクル・アップを実質的に防止することを可能にし、感度が高く、イメージ・ゴースト形成特性が低く、許容可能であり、バックグラウンドが低く、及び／又は電荷欠乏スポット（ＣＤＳ）が最小限であり、望ましいトナー・クリーニング性能を有する。実施形態においては、少なくとも１つとは、例えば、１、１から約１０まで、２から約７まで、２から約４まで、２、などのことを指す。

本開示の態様は、支持体と光生成層と少なくとも１つの電荷輸送成分及び少なくとも１つの電荷ブロッキング剤からなる少なくとも１つの電荷輸送層とを含む光導電体と、支持基材とその上の光生成層とベンゾイミダゾール含有電荷輸送層と保護トップオーバーコート層とで順番に構成された可撓性光導電イメージング部材と、正孔ブロッキング層と接着剤層とを含む光導電体であって、接着剤層が正孔ブロッキング層と光生成層との間に配置され、正孔ブロッキング層が基材と接着剤層との間に配置された光導電体と、ベンゾイミダゾールが以下の化学式／構造式のものであり、

約０．１から約１０重量パーセントまでの量で存在する光導電体と、に関する。

約０．５から約１０、約１から約８、１から約４、及び１から約２重量パーセントまでといった種々の適切な量で存在する電荷ブロッキング剤の例には、例えば、次式

によって表される２−メチルベンゾイミダゾール、５−メチルベンゾイミダゾール、及び２（３−ピリジル）ベンゾイミダゾールのような多くの既知のベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール誘導体、すなわち、類似化合物、又は同じグループの一部であるが、以下のようなＲ置換基の違いといった側基の特定の１つ又はそれ以上の変化を有する分子、すなわち、

であって、各々のＲが、水素、例えば約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルキル、例えば約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシ、例えば約６個から約３０個までの炭素原子を有する、フェニル、置換フェニル、ピリジル、置換ピリジルのようなアリール、ナフタレン及びアントラセンのような多環芳香族、約４０個までの炭素原子を有するアルキルフェニル、例えば約６個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシフェニル、例えば約６個から約３０個までの炭素原子を有するアリール、例えば約６個から約３０個までの炭素を有する置換アリール、及びハロゲンのうちの少なくとも１つからなる群から独立して選択される分子、各々のＲ（Ｒ₁からＲ₈まで）が、水素、例えば約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルキル、例えば約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシ、フェニル、置換フェニル、ピリジル、置換ピリジルのようなアリール、ナフタレン及びアントラセンのような多環芳香族、例えば６個から約４０個までの炭素原子を有するアルキルフェニル、例えば６個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシフェニル、例えば６個から約３０個までの炭素原子を有するアリール、例えば約７個から約３０個までの炭素を有する置換アリール、及びハロゲンのうちの少なくとも１つからなる群から独立して選択される、２（３−ピリジル）ベンゾイミダゾール誘導体、次式

によって表され、各々のＲは上記でＲ₁からＲ₅について示されたものであり、より詳細には、各々のＲは、水素、約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルキル、約１個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシ、フェニル、置換フェニル、ピリジル、置換ピリジルのようなアリール、ナフタレン及びアントラセンのような多環芳香族、６個から約４０個までの炭素原子を有するアルキルフェニル、６個から約４０個までの炭素原子を有するアルコキシフェニル、６個から約３０個までの炭素原子を有するアリール、６個から約３０個までの炭素を有する置換アリール、及びハロゲンからなる群から独立して選択される、２（２−ピリジル）ベンゾイミダゾール誘導体などがある。

光導電体基材層の厚さは、経済的見地、電気特性、適切な可撓性などを含む多くの要因に依存し、したがって、この層は、例えば、３，０００ミクロンを超える厚さ、約１，０００から約２，０００ミクロン、約５００から約１，０００ミクロン、又は約３００から約７００ミクロンまで（全体を通して、「約」は、挙げられた値の間の全ての値を含む）のような実質的な厚さであってもよく、又は最小限の厚さであってもよい。実施形態において、この層の厚さは、約７５ミクロンから約３００ミクロンまで、又は約１００から約１５０ミクロンまでである。

光導電体基材は、不透明であってもよいし、又は実質的に透明であってもよく、必要な機械的特性を有するいずれの適切な材料を含んでもよい。したがって、基材は、無機又は有機組成物のような非導電性又は導電性材料の層を含んでもよい。非導電性材料としては、薄いウェブのように可撓性がある、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタンなどを含む、この目的のために知られた種々の樹脂を採用することができる。導電性基材は、例えば、アルミニウム、ニッケル、鋼、銅などのいずれの適切な金属であってもよく、或いは炭素、金属粉末など、又は有機導電性材料のような導電性物質が充填された前述のようなポリマー材料であってもよい。電気絶縁性又は導電性の基材は、エンドレス可撓性ベルト、ウェブ、剛性シリンダ、シートなどの形態とすることができる。基材層の厚さは、所望の強度と経済的見地を含む多くの要因に依存する。ドラムの場合、この層は、例えば数センチメートルまでの実質的な厚さであってもよいし、又は１ミリメートル未満の最小限の厚さであってもよい。同様に、可撓性ベルトは、最終的な電子写真式装置に対する悪影響がない限り、例えば約２５０マイクロメートルまでの実質的な厚さであってもよいし、又は約５０マイクロメートルよりも小さい最小限の厚さであってもよい。

基材層が導電性ではない実施形態においては、その表面は、導電性コーティングによって導電性にされてもよい。導電性コーティングは、光学的透明性、所望の可撓性の度合い、及び経済的要因に応じて、実質的に広範囲にわたって厚さを変化させることができる。

基材の実例はここで示される通りであり、より詳細には、本開示の光導電体のために選択された支持基材層であり、この基材は、不透明又は実質的に透明であってもよく、市販のポリマーであるＭＹＬＡＲ（登録商標）、チタン含有ＭＹＬＡＲ（登録商標）といった、無機又は有機ポリマー材料を含む絶縁材料層、酸化インジウムスズ、又はその上に配置されたアルミニウムのような、半導性表面層を有する有機又は無機材料の層、或いはアルミニウム、クロム、ニッケル、真鍮などを含めた導電性材料を含む。基材は、可撓性、シームレス、又は剛性とすることができ、例えば、プレート、円筒形ドラム、スクロール、及びエンドレス可撓性ベルトなどといった多くの異なる構成を有することができる。実施形態において、基材は、シームレス可撓性ベルトの形態である。ある状況においては、特に基材が可撓性有機ポリマー材料であるときには、例えば、ＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）として市販されているポリカーボネート材料のようなカール防止層を基材の背面上にコーティングすることが望ましい。

一般に、光生成層は、金属フタロシアニン、金属フリー・フタロシアニン、アルキルヒドロキシルガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ペリレン、特にビス（ベンズイミダゾ）ペリレン、チタニルフタロシアニンなど、より詳細にはバナジルフタロシアニン、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、並びにセレン、セレン合金、及び三方晶セレンのような無機成分といった、公知の光生成顔料を含むことができる。光生成顔料は、電荷輸送層のために選択される樹脂バインダと同様の樹脂バインダ中に分散させることができ、或いは代替法として、樹脂バインダは存在する必要がない。一般に、光生成層の厚さは、他の層の厚さ及び光生成層中に含まれる光生成材料の量を含む、多くの要因に依存する。したがって、この層は、例えば、約０．０５ミクロンから約１０ミクロン、より詳細には、例えば光生成組成物が約３０から約７５容量パーセントの量で存在するときには約０．２５ミクロンから約２ミクロンの厚さとすることができる。実施形態において、この層の最大厚さは、主に、感光性、電気特性及び機械的見地といった要因に依存する。

光生成組成物又は顔料は、樹脂性バインダ組成物中に種々の量で存在する。しかしながら、一般に、約５容量パーセントから約９５容量パーセントの光生成顔料が、約９５容量パーセントから約５容量パーセントの樹脂バインダ中に分散され、又は約２０容量パーセントから約３０容量パーセントの光生成顔料が、約７０容量パーセントから約８０容量パーセントの樹脂バインダ組成物中に分散される。一実施形態においては、約９０容量パーセントの光生成顔料が、約１０容量パーセントの樹脂性バインダ組成物中に分散され、その樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリレート及びメタクリレート、塩化ビニルと酢酸ビニルとのコポリマー、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレンなどといった多数の公知のポリマーから選択されることができる。先にコーティングされたデバイスの他の層を実質的に乱さない、又悪影響を及ぼさないコーティング溶媒を選択することが望ましい。光生成層のためのコーティング溶媒の例は、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、アミド、エステルなどである。具体的な溶媒の例は、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メトキシエチルなどである。

光生成層は、セレン及びセレンとヒ素、テルル、ゲルマニウムなどとの合金のアモルファス・フィルム、水素化アモルファスシリコン、及び真空蒸着又は堆積によって製造されたシリコンとゲルマニウム、炭素、酸素、窒素などとの化合物を含むことができる。光生成層は、フィルム形成ポリマー・バインダ中に分散され、溶媒コーティング技術によって製造された、結晶セレン及びその合金の無機顔料、ＩＩ族からＶＩ族の化合物、及びキナクリドンのような有機顔料、ジブロモアンサンスロン顔料、ペリレン及びペリノンジアミンのような多環式顔料、多核芳香族キノン、ビス−、トリス−、及びテトラキス−アゾを含むアゾ顔料などを含むこともできる。

フタロシアニンは、赤外線露光系を用いるレーザ・プリンタに用いるための光生成材料として選択することができる。赤外線感度は、普通は、低コスト半導体レーザ・ダイオード露光デバイスに露出される感光体に対して所望される。フタロシアニンの吸収スペクトル及び感光性は、化合物の中心金属原子に依存する。開示される光導電体の光生成層中に含有させることができる多くの金属フタロシアニンは、オキシバナジウムフタロシアニン、クロロアルミニウムフタロシアニン、銅フタロシアニン、オキシチタンフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロシキガリウムフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、及び金属フリー・フタロシアニンである。

実施形態において、光生成層のためのマトリクスとして選択することができるポリマー・バインダ材料の例は、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリ（硫化フェニレン）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレンとアクリロニトリルとのコポリマー、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルと酢酸ビニルとのコポリマー、アクリレートコポリマー、アルキド樹脂、セルロースフィルム形成剤（ｆｏｒｍｅｒ）、ポリ（アミドイミド）、スチレンブタジエンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、スチレン−アルキド樹脂、ポリ（ビニルカルバゾール）などといった熱可塑性及び熱硬化性樹脂である。これらのポリマーは、ブロック、ランダム又は交互コポリマーであってもよい。

光生成層コーティング混合物を混合し、その後、塗布するために、吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻線ロッド・コーティング、真空昇華などのような種々の適切な従来の公知の方法を用いることができる。ある種の用途のためには、光生成層は、ドット又はライン・パターンで製造されてもよい。溶媒コーティングされた層の溶媒の除去は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などのような公知の従来技術のいずれによって行われてもよい。

光生成層の最終的な乾燥厚は、ここで示されるようなものであり、例えば、約１５分間から約９０分間にわたって約４０℃から約１５０℃で乾燥された後で、約０．０１から約３０ミクロンとすることができる。より詳細には、約０．１から約３０又は約０．５から約２ミクロンの厚さの光生成層を、基材上に、又は基材と電荷輸送層との間の他の表面上などに塗布し又は堆積することができる。電荷ブロッキング層又は正孔ブロッキング層を、任意に、光生成層を塗布する前に導電性表面に塗布してもよい。所望される場合には、接着剤層を、電荷ブロッキング又は正孔ブロッキング層或いは界面層と光生成層との間に含めることができる。普通は、光生成層は、ブロッキング層上に塗布され、光生成層上に１つの電荷輸送層又は複数の電荷輸送層が形成される。この構造体は、電荷輸送層の上又は下に光生成層を有することができる。

実施形態において、適切な公知の接着剤層を光導電体に含めることができる。典型的な接着剤層材料には、例えば、ポリエステル、ポリウレタンなどがある。接着剤層の厚さは、変化させることができ、実施形態においては、例えば、約０．０５マイクロメートル（５００オングストローム）から約０．３マイクロメートル（３，０００オングストローム）である。接着剤層は、吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻線ロッド・コーティング、グラビア・コーティング、バード（Ｂｉｒｄ）アプリケータ・コーティングなどによって正孔ブロッキング層上に堆積させることができる。堆積されたコーティングの乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などによって行われることができる。

正孔ブロッキング層と光生成層に通常は接触し、又はその間に位置する任意の接着剤層として、コポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、及びポリアクリロニトリルを含めて、選択することができる種々の公知の物質が存在する。この層は、例えば、厚さ約０．００１ミクロンから約１ミクロン、又は約０．１から約０．５ミクロンである。任意に、この層は、例えば本開示の実施形態において、さらに望ましい電気的特性及び光学特性を与えるために、有効な適切な量の、例えば約１から約１０重量パーセントの、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化ケイ素、カーボンブラックなどのような導電性及び非導電性粒子を含むことができる。

本開示のイメージング部材のための任意の正孔ブロッキング又はアンダーコート層は、アミノシラン、ドープ金属酸化物、ＴｉＳｉ、チタン、クロム、亜鉛、スズなどの金属酸化物などのような公知の正孔ブロッキング成分、フェノール化合物とフェノール樹脂との混合物又は２つのフェノール樹脂の混合物、及び随意的にＳｉＯ₂のようなドーパントを含めて、多くの成分を含むことができる。フェノール化合物は、ビスフェノールＡ（４，４’−イソプロピリデンジフェノール）、Ｅ（４，４’−エチリデンビスフェノール）、Ｆ（ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン）、Ｍ（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｐ（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、Ｓ（４，４’−スルホニルジフェノール）及びＺ（４，４’シクロヘキシリデンビスフェノール）、ヘキサフルオロビスフェノールＡ（４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール）、レゾルシノール、ヒドロキシキノン、カテキンなどのように、普通は少なくとも２つのフェノール基を含む。

正孔ブロッキング層は、例えば、約２０重量パーセントから約８０重量パーセント、より詳細には約５５重量パーセントから約６５重量パーセントのＴｉＯ₂のような金属酸化物といった適切な成分、約２０重量パーセントから約７０重量パーセント、より詳細には約２５重量パーセントから約５０重量パーセントのフェノール樹脂、約２重量パーセントから約２０重量パーセント、より詳細には約５重量パーセントから約１５重量パーセントのビスフェノールＳのような好ましくは少なくとも２つのフェノール基を含むフェノール化合物、及び約２重量パーセントから約１５重量パーセント、より詳細には約４重量パーセントから約１０重量パーセントのＳｉＯ₂のようなプライウッド抑制ドーパントから構成されることができる。正孔ブロッキング層コーティング分散体を、例えば、以下のように調製することができる。金属酸化物／フェノール樹脂分散体を、分散体中の金属酸化物のメジアン粒径が約１０ナノメートル未満、例えば、約５から約９までになるまでボール・ミリ粉砕又はダイノーミル粉砕することによって最初に調製することができる。上記の分散体に、フェノール化合物及びドーパントが加えられ、その後、混合される。この正孔ブロッキング層コーティング分散体は、浸漬コーティング又はウェブ・コーティングによって塗布されることができ、その層はコーティング後に熱硬化されることができる。得られた正孔ブロッキング層は、例えば、約０．０１ミクロンから約３０ミクロンまで、より詳細には約０．１ミクロンから約８ミクロンまでの厚さである。フェノール樹脂の例には、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１５９及び２９１０１（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙから入手可能）及びＤＵＲＩＴＥ（商標）９７（ＢｏｒｄｅｎＣｈｅｍｉｃａｌから入手可能）のような、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、クレゾールによるホルムアルデヒドポリマー、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１１２（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙから入手可能）のような、アンモニア、クレゾール及びフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９１０８及び２９１１６（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙから入手可能）のような、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、ＶＡＲＣＵＭ（商標）２９４５７（ＯｘｙＣｈｅｍＣｏｍｐａｎｙから入手可能）、ＤＵＲＩＴＥ（商標）ＳＤ−４２３Ａ、ＳＤ−４２２Ａ（ＢｏｒｄｅｎＣｈｅｍｉｃａｌから入手可能）のようなクレゾール及びフェノールによるホルムアルデヒドポリマー、又はＤＵＲＩＴＥ（商標）ＥＳＤ５５６Ｃ（ＢｏｒｄｅｎＣｈｅｍｉｃａｌから入手可能）のような、フェノール及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールによるホルムアルデヒドポリマーがある。

任意の正孔ブロッキング層は、基材に塗布されることができる。隣接する光導電層（又は電子写真イメージング層）とその下にある基材の導電性表面との間に正孔に対する電子障壁を形成することができる、いずれの適切な従来のブロッキング層を選択することもできる。

多くの電荷輸送化合物を電荷輸送層中に含めることができ、この層は、一般に、約５ミクロンから約７５ミクロンの厚さ、より詳細には約１０ミクロンから約４０ミクロンの厚さである。電荷輸送成分の例は、以下の化学式／構造

及び

のアリールアミンであり、式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、及びその誘導体のような適切な炭化水素、ハロゲン、又はその混合物であり、特に、その置換基がＣｌ及びＣＨ₃からなる群から選択されたものであり、並びに、以下の化学式

及び

の分子であり、式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン又はその混合物であり、Ｙ及びＺのうち少なくとも１つが存在する。

アルキル及びアルコキシは、例えば、１個から約２５個までの炭素原子を含み、より詳細には、１から約１２個までの炭素原子を含み、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及び対応するアルコキシドである。アリールは、フェニルなどのように、６個から約３６個までの炭素原子を含むことができる。ハロゲンは、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物を含む。実施形態において、置換アルキル、アルコキシ及びアリールを選択することもできる。

電荷輸送層のために選択することができる具体的なアリールアミンの例には、アルキルがメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどからなる群から選択されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン、ハロ置換基がクロロ置換基であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミンなどがある。他の公知の電荷輸送層分子は、例えば米国特許第４，９２１，７７３号及び第４，４６４，４５０号を参照して選択することができる。

電荷輸送層のために選択されるバインダ材料の例には、ポリカーボネート、ポリアリレート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ（シクロオレフィン）、エポキシ、それらランダム又は交互コポリマーがあり、より詳細には、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリジンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチル−ジフェニル）カーボネート（ビスフェノール−Ｃ−ポリカーボネートとも呼ばれる）などのようなポリカーボネートがある。実施形態において、電気的に不活性なバインダは、約２０，０００から約１００，０００までの分子量をもつ、又は約５０，０００から約１００，０００までの分子量Ｍ_wをもつポリカーボネート樹脂から構成される。一般に、輸送層は、約１０から約７５重量パーセントまでの電荷輸送材料、より詳細には約３５パーセントから約５０パーセントまでのこの材料を含む。

１つ又はそれ以上の電荷輸送層、より詳細には、光生成層に接触する第１の電荷輸送層と、その上のトップ又は第２の電荷輸送オーバーコート層は、ポリカーボネートのようなフィルム形成性の電気的に不活性なポリマー中に溶解された、又は分子的に分散された電荷輸送小分子を含むことができる。実施形態において「溶解された」とは、例えば、小分子がポリマー中に溶け込んで均質な相を形成している溶液を形成することをいい、実施形態において「分子的に分散された」とは、例えば、電荷輸送分子がポリマー中に分散され、小分子が分子スケールでポリマー中に分散されていることをいう。種々の電荷輸送する、又は電気的に活性な小分子を、１つ又はそれ以上の電荷輸送層のために選択することができる。実施形態において、電荷輸送とは、例えば、光生成層内で発生した自由電荷が輸送層を横切って輸送されることを可能にするモノマーとしての電荷輸送分子のことをいう。

所望であれば、電荷輸送層中の電荷輸送材料は、ポリマー電荷輸送材料、又は小分子電荷輸送材料とポリマー電荷輸送材料との組み合わせを含むことができる。

例えば、改善された横方向電荷移動（ＬＣＭ）抵抗を可能にするために電荷輸送層又は少なくとも１つの電荷輸送層中に任意に組み入れられる成分又は材料の例には、テトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）メタン（ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌから入手可能なＩＲＧＡＮＯＸ（商標）１０１０）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）のようなヒンダードフェノール酸化防止剤、及びＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭ及びＧＳ（ＳｕｍｉｔｏｍｏＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．から入手可能）、ＩＲＧＡＮＯＸ（商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７、及び５６５（ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｉｅｓＣｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能）、及びＡＤＥＫＡＳＴＡＢ（商標）ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０、及びＡＯ−３３０（ＡｓａｈｉＤｅｎｋａＣｏ．，Ｌｔｄ．から入手可能）のような他のヒンダードフェノール酸化防止剤、ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０及びＬＳ−７４４（ＳＮＫＹＯＣＯ．，Ｌｔｄ．から入手可能）、ＴＩＮＵＶＩＮ（商標）１４４及び６２２ＬＤ（ＣｉｂａＳｐｅｃｉａｌｔｉｅｓＣｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８及びＬＡ６３（ＡｓａｈｉＤｅｎｋａＣｏ．，Ｌｔｄ．から入手可能）、及びＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（ＳｕｍｉｔｏｍｏＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．から入手可能）のようなヒンダードアミン酸化防止剤、ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ−Ｄ（ＳｕｍｉｔｏｍｏＣｈｅｍｉｃａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．から入手可能）のようなチオエーテル酸化防止剤、ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９Ｋ及びＨＰ−１０（ＡｓａｈｉＤｅｎｋａＣｏ．，Ｌｔｄ．から入手可能）のようなホスファイト酸化防止剤、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス−［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）のような他の分子などがある。少なくとも１つの電荷輸送層中の酸化防止剤の重量パーセントは、約０から約２０、約１から約１０、又は約３から約８重量パーセントである。

１つ又はそれ以上の電荷輸送層コーティング混合物を混合し、その後、光生成層に塗布するために、多くの方法を用いることができる。典型的な塗布技術には、吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻線ロッド・コーティングなどがある。堆積された電荷輸送コーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などのようないずれの適切な従来技術によって行われてもよい。

実施形態における各々の電荷輸送層の厚さは、約１０から約７０マイクロメートルであるが、実施形態においてこの範囲外の厚さが選択されてもよい。電荷輸送層は、正孔輸送層上にある静電荷が、その上での静電潜像の形成及び保持を防止するのに十分な率での照射なしでは導電されない程度の絶縁体であるべきである。一般に、電荷輸送層と光生成層との厚さの比は、約２：１から２００：１とすることができ、幾つかの例では４００：１とすることができる。電荷輸送層は、意図された使用領域において可視光又は放射線を実質的に吸収しないが、光導電層又は光生成層から光生成された正孔が注入されることを可能にし、これらの正孔がそれ自体を通して輸送されて活性層の表面上の表面電荷を選択的に放電することを可能にするという点で、電気的に「活性」である。典型的な塗布技術には、吹き付け、浸漬コーティング、ロール・コーティング、巻線ロッド・コーティングなどがある。堆積されたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などのようないずれの適切な従来技術によって行われてもよい。磨耗保護を与えるために、電荷輸送層上に任意のオーバーコートが塗布されてもよい。

本開示の態様は、支持基材と光生成層と電荷ブロッキング含有電荷輸送層とオーバーコート電荷輸送層とからなる光導電イメージング部材と、約０．１から約１０ミクロンの厚さの光生成層と各々が約５から約１００ミクロンまでの厚さの少なくとも１つの輸送層とを有する光導電部材と、イメージング方法、及び帯電コンポーネントと現像コンポーネントと転写コンポーネントと固定コンポーネントとを含むイメージング装置であって、装置が、第１ＡＣＢＣ（カールバック防止コーティング）層と、支持基材と、その層上の光生成顔料から構成される層と、１つ又はそれ以上の電荷輸送層と、その層上のオーバーコート電荷輸送層とからなり、その輸送層が約４０から約７５ミクロンまでの厚さであるイメージング装置と、光生成層が約５から約９５重量パーセントまでの量で存在する光生成顔料を含む部材と、光生成層の厚さが約０．１から約４ミクロンまでである部材と、光生成層がポリマー・バインダを含む部材と、バインダが約５０から約９０重量パーセントの量で存在し、全ての層成分の合計が約１００パーセントである部材と、光生成成分が約３７０から約９５０ナノメートルの波長の光を吸収するヒドロキシガリウムフタロシアニンである部材と、支持基材が金属からなる導電性基材からなるイメージング部材と、導電性基材がアルミニウム、アルミニウム蒸着（ａｌｕｍｉｎｉｚｅｄ）ポリエチレンテレフタレート、又はチタン蒸着（ｔｉｔａｎｉｚｅｄ）ポリエチレンテレフタレートであるイメージング部材と、光生成樹脂バインダが、ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン及びポリビニルホルマールからなる群から選択されるイメージング部材と、光生成顔料が金属フリー・フタロシアニンであるイメージング部材と、各々の電荷輸送層が、

を含み、式中、Ｘはアルキル、アルコキシ、アリール及びハロゲンからなる群から選択されるイメージング部材と、アルキル及びアルコキシが約１個から約１２個までの炭素原子を含むイメージング部材と、アルキルが約１個から約５個までの炭素原子を含むイメージング部材と、アルキルがメチルであるイメージング部材と、電荷輸送層の各々又は少なくとも１つが、

を含み、式中、Ｘ及びＹは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン又はその混合物であるイメージング部材と、アルキル及びアルコキシが約１個から約１２個までの炭素原子を含むイメージング部材と、アルキルが約１個から約５個までの炭素原子を含み、樹脂バインダがポリカーボネート及びポリスチレンからなる群から選択されるイメージング部材と、光生成層中に存在する光生成顔料が、クロロガリウムフタロシアニン、又は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを強酸中に溶解させることによってガリウムフタロシアニン前駆体を加水分解し、次に得られた溶解した前駆体を塩基性水性媒体中に再沈殿させ、形成されたいずれのイオン種をも水で洗浄することによって除去し、得られた水とヒドロキシガリウムフタロシアニンからなる水性スラリーを濃縮して湿潤ケークとし、乾燥によって湿潤ケークから水を除去し、得られた乾燥顔料に第２溶媒を添加し混合してヒドロキシガリウムフタロシアニンを形成させることによって形成されるＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンからなるイメージング部材と、Ｘ線回折計を用いて測定されたときに、ブラッグ角（２シータ＋／−０．２°）７．４、９．８、１２．４、１６．２、１７．６、１８．４、２１．９、２３．９、２５．０、２８．１度でＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンが主ピークを有し、７．４度が最大ピークであるイメージング部材と、イメージング部材上に静電潜像を生成させ、潜像を現像し、現像された静電像を適切な基材に転写することを含むイメージング方法と、イメージング部材が約３７０から約９５０ナノメートルの波長の光に露光されるイメージング方法と、光生成層が基材と電荷輸送層との間に配置される光導電部材と、電荷輸送層が基材と光生成層との間に配置される部材と、光生成層が約０．１から約５０ミクロンまでの厚さである部材と、光生成顔料が約１重量パーセントから約８０重量パーセントのポリマー・バインダ中に分散される部材と、バインダが約５０から約９０重量パーセントの量で存在し、層成分の合計が約１００パーセントである部材と、光生成成分がＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン又はクロロガリウムフタロシアニンであり、電荷輸送層がＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’’−ジアミン分子の正孔輸送を含み、正孔輸送樹脂バインダがポリカーボネート及びポリスチレンからなる群から選択されるイメージング部材と、光生成層が金属フリー・フタロシアニンを含むイメージング部材と、光生成層がアルコキシガリウムフタロシアニンを含む光導電体と、支持基材と光生成層と正孔輸送層とからなり、実施形態において、例えば２から約１０、より詳細には２といった数を選択することができる、複数の電荷輸送層が選択される光導電イメージング部材と、任意の支持基材と光生成層と第１、第２及び第３電荷輸送層とからなる光導電イメージング部材とに関する。

［比較例１］
３．５ミルの厚さを有する二軸延伸ポリエチレンナフタレート基材（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）で光導電体を用意し、その二軸延伸ポリエチレンナフタレート基材（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）の上に厚さ０．０２ミクロンのチタン層をコーティングした。その後、その上に、グラビア・アプリケータを用いて、５０グラムの３−アミノプロピルトリエトキシシラン（γ−ＡＰＳ）、４１．２グラムの水、１５グラムの酢酸、６８４．８グラムの変性アルコール、及び２００グラムのヘプタンを含有する正孔ブロッキング層溶液を塗布した。次に、この層を強制空気乾燥器内で１２０℃で約１分間乾燥させた。得られた正孔ブロッキング層は、５００オングストロームの乾燥厚を有していた。次に、グラビア・アプリケータを用いてブロッキング層上に湿潤コーティングを塗布することによって接着剤層を堆積させ、この接着剤は、溶液の総重量を基準にして０．２重量パーセントの量のコポリエステル接着剤（ＴｏｙｏｔａＨｓｕｔｓｕＩｎｃ．から入手可能なＡＲＤＥＬＤ１００（商標））をテトラヒドロフラン／モノクロロベンゼン／塩化メチレンの６０：３０：１０容量比混合物中に含んでいた。次に、接着剤層をコータの強制空気乾燥器内で１２０℃で約１分間乾燥させた。得られた接着剤層は、２００オングストロームの乾燥厚を有していた。

ＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉＧａｓＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能な重量平均分子量２０，０００の既知のポリカーボネートＩＵＰＩＬＯＮ２００（商標）（ＰＣＺ−２００）又はＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥＺ（商標）０．４５グラムと、５０ミリリットルのテトラヒドロフランとを４オンスのガラスビンの中に入れることによって光生成層分散体を調製した。この溶液に２．４グラムのヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｖ型）と３００グラムの直径１／８インチ（３．２ミリメートル）ステンレス鋼ショットを加えた。次に、この混合物を８時間ボール・ミルにかけた。その後、２．２５グラムのＰＣＺ−２００を４６．１グラムのテトラヒドロフラン中に溶解させ、このヒドロキシガリウムフタロシアニン分散体に加えた。次に、このスラリーを１０分間シェーカにかけた。得られた分散体を、その後、バード・アプリケータを用いて上記の接着剤界面に塗布して、０．２５ミルの湿潤厚を有する光生成層を形成した。後で取り付けられる接地ストリップ層による十分な電気的接触を容易にするために、ブロッキング層と接着剤層が載った基材ウェブの１つの縁部に沿った約１０ミリメートル幅のストリップを、故意に光生成層材料によってコーティングされないままに残した。光生成層を強制空気オーブン内で１２０℃で１分間乾燥させて、厚さ０．４ミクロンの乾燥光生成層を形成した。

次に、光導電体ウェブに電荷輸送層をコーティングした。詳細には、光生成層を、電荷輸送層が光生成層に接触するようにして電荷輸送層でオーバーコートした。アンバーガラスビンの中に重量比５０／５０のＮ，Ｎ’−ビス（メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＢＤ）とＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５としてＦａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎＢａｙｅｒＡ．Ｇ．から入手可能な分子量平均Ｍ_wが約１２０，０００の既知のビスフェノールＡポリカーボネートであるポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニル）カーボネートを入れることによって、電荷輸送層を調製した。次に、得られた混合物を塩化メチレン中に溶解させて１５．６重量パーセントの固形分を含有する溶液を形成した。この溶液を光生成層上に塗布して電荷輸送層コーティングを形成し、これは乾燥されると（１２０℃で１分間）厚さ２８ミクロンであった。このコーティング工程の間、湿度は３０パーセント以下とした。

実施例Ｉ
光生成層中に４重量パーセントのビス（４−ピリジル）エチレン（ＢＰＥ）を含めたこと以外は、比較例１の工程を繰り返すことによって、光導電体を調製した。ＢＰＥは、調製された光生成分散体に、それを支持基材上にコーティングする前に、加えられた。

実施例ＩＩ
光生成層中に２重量パーセントのビス（４−ピリジル）エチレン（ＢＰＥ）を含めたこと以外は、比較例１の工程を繰り返すことによって、光導電体を調製した。ＢＰＥは、調製された光生成分散体に、それを支持基材上にコーティングする前に、加えられた。

実施例ＩＩＩ
光生成層中に４重量パーセントのビス（４−ピリジル）メチレン（ＢＰＭ）を含めたこと以外は、比較例１の工程を繰り返すことによって、光導電体を調製した。ドーパントは、調製された光生成分散体に、それを支持基材上にコーティングする前に、加えられた。

電気特性試験
上記の比較例１及び実施例Ｉから実施例ＩＩＩまでで調製された４つの光導電体をスキャナ・セットで試験して、１帯電−消去サイクルの後に１帯電−露光−消去サイクルの順番で行われる光放電サイクルを得、ここで、サイクルと共に光強度を徐々に増大させて、種々の露光強度における感光度及び表面電位がそこから測定される一連の光放電特性曲線を作成した。表面電位を徐々に増加させた一連の帯電−消去サイクルによって追加の電気特性を得て、幾つかの電圧対電荷密度曲線を生成した。スキャナには、種々の表面電位において定電圧帯電に設定されたスコロトロンが装備された。デバイスは、表面電位５００において、一連のニュートラル・デンシティ・フィルタを調節することによって徐々に露光強度を増大させながら試験され、露光光源は７８０ナノメートル発光ダイオードとした。乾式電子写真シミュレーションは、環境制御された光を通さないチャンバ内で周囲条件（相対湿度４０パーセント及び２２℃）で完結させた。デバイス又は光導電体は、帯電−放電−消去についても電気的に１０００サイクルまで繰り返された。結果は表１にまとめられ、ここで、ｄＶ／ｄＸ（単位Ｖｃｍ²／エルグ）は、表面電位（単位ボルト）を露光エネルギー（単位エルグ／ｃｍ²）に対してプロットした光誘起放電曲線の初期傾きとして決定される感光性であり、Ｖ（２．２）は、２．２エルグ／ｃｍ²の露光エネルギーにおける感光体又は光導電体の表面電位であり、Ｖ_eraseは、約１００から１５０エルグ／ｃｍ²の強度で６８０ナノメートルの消去光に曝された後の光導電体の表面電位であり、暗減衰は、暗所で帯電されて（ゼロ露光）から５１ミリ秒後の光導電体についての表面電位の減少である。ドープされた光生成層の光導電体の光誘起放電特性は、感光性（ｄＶ／ｄＸ）、Ｖ（２．２）及びＶ_eraseにおいては非ドープの比較例１の光導電体と同様であったが、暗減衰が明らかに減少しており、また、同様の感光性感度、及び残留電位が得られた。これらの光導電体について同様の空乏化電圧（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎｖｏｌｔａｇｅ）が観測されたということは、ドープされた光導電体についての許容できる電荷受容性を示唆している。

電荷欠乏スポット（ＣＤＳ）測定
電荷欠乏スポットの発生を評価し及び／又は適応するための種々の公知の方法が開発されている。例えば、米国特許第５，７０３，４８７号及び第６，００８，６５３号は、電子写真式イメージング部材又は光導電体のマイクロ欠陥レベルを確認するための方法を開示している。電界誘起暗減衰（ＦＩＤＤ）と呼ばれる米国特許第５，７０３，４８７号の方法は、容量値を超過した電荷の微分増加を測定することか、又は、既知のイメージング部材の容量値及び未使用のイメージング部材の容量値を下回る電圧の減少を測定し、容量値を超過する電荷の微分増加又は既知のイメージング部材の容量値及び未使用のイメージング部材の容量値を下回る電圧の減少を比較することのいずれかを伴う。

米国特許第６，００８，６５３号及び第６，１５０，８２４号は、フローティング・プローブ・スキャナを用いて電子写真式イメージング部材における表面電位電荷パターンを検出する方法を開示している。フローティング・プローブ・マイクロ欠陥スキャナ（ＦＰＳ）は、電子写真式イメージング部材における表面電位電荷パターンを検出するための非接触的方法である。スキャナは、外側シールド電極を有する容量プローブであって、外側シールド電極が、プローブをイメージング表面に近接かつ離間するように維持してプローブとイメージング表面との間の気体と共に平行板コンデンサを形成する、容量プローブと、このプローブに光学的に結合されてプローブとイメージング表面との間の相対的移動を確立するプローブ増幅器と、プローブとイメージング表面との間に実質的に一定の距離を維持する浮動固定具と、を含む。プローブとイメージング表面とが互いに通り越すように相対的移動するのに先だってイメージング表面に定電圧電荷が印加され、プローブは、ブレークダウンを防止するために、イメージング表面の平均表面電位の約＋／−３００ボルト以内で同期してバイアスされ、表面電位の変動をプローブで測定し、表面電位の変動をプローブとイメージング表面との間の距離の変動について補償し、補償された電圧値をベースライン電圧値と比較して、電子写真式イメージング部材の電荷パターンを検出するる。この方法は、高分解能容量プローブと、バイアス電圧増幅器に結合された低空間分解能静電電圧計と、プローブ及び電圧計に対して容量結合し、かつ離間して配置されたイメージング表面を有する、イメージング部材とを有する非接触式走査システムを用いて行われてもよい。プローブは、同軸の外側ファラデー・シールド電極によって囲まれ、かつそのシールド電極から絶縁された内側電極を含み、内側電極は光結合増幅器に接続され、ファラデー・シールドはバイアス電圧増幅器に接続される。電荷欠陥スポットをカウントするために、２０ボルトの閾値が一般に選択される。上記で調製された多数の光導電体を、前述のＦＰＳ技術を用いてＣＤＳカウントについて測定し、その結果は表２の通りである。

上記のデータは、実施例Ｉの光導電体のＣＤＳが０．３カウント／ｃｍ²と最小であり、より詳細には、比較例１の２０．２カウント／ｃｍ²に比べて９８．５パーセント改善されたことを示す。同様に、実施例ＩＩ及び実施例ＩＩＩの光導電体もまた、それぞれ、ＣＤＳカウントが７９パーセント及び９４パーセント改善された。

Claims

支持基材と、光生成層と、少なくとも１つの電荷輸送成分からなる少なくとも１つの電荷輸送層とを含む光導電体であって、前記光生成層がビス（ピリジル）アルキレンを含むことを特徴とする光導電体。
前記ビス（ピリジル）アルキレンが、ビス（４−ピリジル）エチレンであることを特徴とする光導電体。
前記電荷輸送成分が、

及び

の少なくとも１つのアリールアミン分子からなり、Ｘが少なくとも１つのアルキル、アルコキシ、アリール及びハロゲンからなる群から選択されたことを特徴とする請求項１に記載の光導電体。
任意の支持基材と、光生成層と、電荷輸送層で順番に構成された光導電体であって、前記光生成層がビス（４−ピリジル）アルキレンを含むことを特徴とする光導電体。
前記ビス（ピリジル）アルキレンが、

であり、各々のＲが適切な置換基を表すことを特徴とする請求項１に記載の光導電体。